TW202144182A - 覆金屬疊層板 - Google Patents
覆金屬疊層板 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202144182A TW202144182A TW110108226A TW110108226A TW202144182A TW 202144182 A TW202144182 A TW 202144182A TW 110108226 A TW110108226 A TW 110108226A TW 110108226 A TW110108226 A TW 110108226A TW 202144182 A TW202144182 A TW 202144182A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film
- metal
- clad laminate
- less
- coating film
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 114
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 110
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 36
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 36
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 17
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 17
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 8
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 8
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 4
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 43
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 291
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 17
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 15
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC(N2C(C=CC2=O)=O)=C1 IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RJDOZRNNYVAULJ-UHFFFAOYSA-L [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[F-].[F-].[Mg++].[Mg++].[Mg++].[Al+3].[Si+4].[Si+4].[Si+4].[K+] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[F-].[F-].[Mg++].[Mg++].[Mg++].[Al+3].[Si+4].[Si+4].[Si+4].[K+] RJDOZRNNYVAULJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920004695 VICTREX™ PEEK Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001652 poly(etherketoneketone) Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 description 1
- KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQGZJQNZNONGKY-UHFFFAOYSA-N 1-[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 AQGZJQNZNONGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEMXPVDXFSROA-UHFFFAOYSA-N 3-butylbenzene-1,2-diol Chemical group CCCCC1=CC=CC(O)=C1O BJEMXPVDXFSROA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC2OC2)C=1C(=O)OCC1CO1 JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEPKLUNSRVEBIX-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound C=1C=C(C(=O)OCC2OC2)C=CC=1C(=O)OCC1CO1 NEPKLUNSRVEBIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQDCYGOHLMJDNA-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) butanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCC(=O)OCC1CO1 JQDCYGOHLMJDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CC=CC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFVGWOSADNLNHZ-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) decanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCC1CO1 NFVGWOSADNLNHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) hexanedioate Chemical class C1OC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CO1 KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003484 crystal nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L isophthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC(C([O-])=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPKVZUPMXLVGOO-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl 4-hydroxybenzoate Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)OCC1OC1 MPKVZUPMXLVGOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N phenyl-[2,3,4,5-tetrakis(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]methanediamine Chemical compound C=1C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- BAZXQZYWJSBDRG-UHFFFAOYSA-N pyrrole-2,5-dione;toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1.O=C1NC(=O)C=C1.O=C1NC(=O)C=C1 BAZXQZYWJSBDRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2201/00—Polymeric substrate or laminate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2252/00—Sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0242—Shape of an individual particle
- H05K2201/0245—Flakes, flat particles or lamellar particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本發明提供一種覆金屬疊層板,可減低電信號之傳遞損失,可使電路圖案成為細間距,能以高精度形成微細之電路,且金屬膜之密接性優良。
本發明提供一種覆金屬疊層板,係於基材薄膜上按塗膜、金屬膜之順序疊層而得,該金屬膜係以鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之金屬膜,該塗膜之表面粗糙鍍(Rz)為1μm以下。
Description
本發明係關於覆金屬疊層板。
近年來,伴隨著以智慧手機為代表之通訊設備中之通訊速度的高速化、大容量化,對於此等通訊設備中使用之電路基板,要求使電信號低損失,使電路圖案成為細間距,以高精度形成微細之電路。
對於為電路基板之主材料的覆金屬疊層板,也就是於由絕緣性樹脂構成之基材薄膜之表面上放置金屬膜並疊層而得之覆金屬疊層板(例如,覆銅疊層板(CCL)),亦要求與上述電路基板同樣的性能。
有人提出進行了各種改良的覆金屬疊層板(例如覆銅疊層板(CCL))(例如,參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-14801號公報
[發明所欲解決之課題]
為了減低電信號之傳遞損失,使為電信號之傳遞路線之金屬膜的表面為平滑會有效果。然而,若金屬膜之表面為平滑,則金屬膜與其他層之密接性(黏接性)會成為問題。
因此,期望提供能減低電信號之傳遞損失,且金屬膜與基材薄膜之密接性優良的覆金屬疊層板。
然而,目前尚未能提供為具有可減低電信號之傳遞損失之平滑表面的金屬膜的覆金屬疊層板,且金屬膜之密接性良好,且可使電路圖案成為細間距,能以高精度形成微細之電路,充分地符合此等全部要求的覆金屬疊層板。
因此,本發明之目的係提供一種覆金屬疊層板,具有可減低電信號之傳遞損失之平滑表面的金屬膜,金屬膜之密接性良好,可使電路圖案成為細間距,能以高精度形成微細之電路。
[解決課題之手段]
本案發明者們為了解決上述課題深入研究之結果,發現藉由將以鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之金屬膜作為金屬膜,並於該金屬膜與基材薄膜之間,配置具有特定之表面粗糙度(Rz)之塗膜,可解決上述課題,而完成了本發明。
本發明係包含以下之態樣者。
[1]一種覆金屬疊層板,於基材薄膜上按塗膜、金屬膜之順序疊層而得,
該金屬膜係以鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之金屬膜,
該塗膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以下。
[2]如[1]之覆金屬疊層板,其中,該塗膜及該金屬膜係疊層於該基材薄膜之兩側,以金屬膜、塗膜、基材薄膜、塗膜、金屬膜之順序疊層而得。
[3]如[1]或[2]之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以上10μm以下。
[4]如[1]~[3]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜之表面粗糙度(Rz)為0.5μm以下。
[5]如[1]~[4]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該塗膜係由熱硬化樹脂構成。
[6]如[1]~[5]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該塗膜係含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或雙馬來醯亞胺樹脂之至少任一者。
[7]如[1]~[6]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該塗膜之膜厚係該基材薄膜之表面粗糙度(Rz)×0.8以上。
[8]如[1]~[7]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜之膜厚係0.05μm以上10μm以下。
[9]如[1]~[8]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之相對介電係數為3.5以下,介電損耗正切為0.004以下。
[10]如[1]~[9]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該塗膜之相對介電係數為3.5以下,介電損耗正切為0.004以下。
[11]如[1]~[10]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之熱膨脹率(CTE)為50ppm以下。
[12]如[1]~[11]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜係液晶聚合物(LCP)薄膜、聚醚醚酮(PEEK)薄膜、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)薄膜、或聚苯硫醚(PPS)薄膜。
[13]如[1]~[12]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜含有填料。
[14]如[1]~[13]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該填料係包含雲母、滑石、氮化硼(BN)、氧化鎂、及二氧化矽之至少任一者。
[15]如[1]~[14]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該填料係具有板狀之形狀。
[16]如[1]~[15]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該填料之長寬比為5以上500以下。
[17]如[1]~[16]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該填料之平均粒徑為20μm以下。
[18]如[1]~[17]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該塗膜含有填料。
[19]如[1]~[18]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜係銅之金屬膜。
[20]如[1]~[19]中任一項之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜及/或該塗膜之表面係經電暈處理、電漿處理、或紫外線處理。
[發明之效果]
根據本發明,可提供一種覆金屬疊層板,具有可減低電信號之傳遞損失之平滑表面的金屬膜,金屬膜之密接性良好,可使電路圖案成為細間距,能以高精度形成微細之電路。
以下,針對本發明之覆金屬疊層板詳細地說明,以下記載之構成要件之說明,係作為本發明之一實施態樣的一例,並不限定為此等之內容。
以下用語之定義適用於本說明書及發明申請專利範圍。
基材薄膜、塗膜、金屬膜等之膜厚係使用顯微鏡觀察測定對象之剖面,測定5處之厚度,並將其平均而得之值。
(覆金屬疊層板)
本發明之覆金屬疊層板係於基材薄膜上按塗膜、金屬膜之順序疊層而得。
金屬膜係藉由鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之金屬膜。
塗膜之表面粗糙鍍(Rz)為1μm以下。
圖1表示本發明之覆金屬疊層板之構成之一例的剖面圖。
覆金屬疊層板1具有基材薄膜2、塗膜3及金屬膜4,按如此順序疊層而得。
此外,本發明之覆金屬疊層板亦可於基材薄膜之兩側疊層塗膜及金屬膜。
圖2表示本發明之覆金屬疊層板之構成之其他例。
圖2表示之本發明之覆金屬疊層板1係按金屬膜4a、塗膜3a、基材薄膜2、塗膜3b、金屬膜4b之順序疊層而得。
<基材薄膜>
本發明中,作為基材薄膜,係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,可舉例如聚醯亞胺薄膜、聚醚醚酮(PEEK)薄膜、聚醚酮(PEK)薄膜、聚醚酮酮(PEKK)薄膜、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)薄膜、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)薄膜、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)薄膜、聚苯硫醚(PPS)薄膜、聚芳醯胺(aramid)薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、及液晶聚合物薄膜(LCP)、及此等之混合物薄膜等絕緣性樹脂薄膜。此等之中,考慮黏接性及電特性之觀點,宜為聚醚醚酮(PEEK)薄膜、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)薄膜、聚苯硫醚(PPS)薄膜、及液晶聚合物(LCP)薄膜。
基材薄膜可含有填料。以下針對填料詳細地說明。
<<填料>>
為了賦予基材之強度、絕緣性、耐熱性、熱膨脹率(CTE)之調整等各種功能,基材薄膜可含有填料。就填料而言,可舉例如無機填料及有機填料,此等可單獨使用或組合使用。
就無機填料而言,可舉例如雲母、滑石、氮化硼、氧化鎂、二氧化矽、矽藻土、氧化鈦、氧化鋅等。此等之中,宜為雲母、滑石、氮化硼、氧化鎂、二氧化矽之無機填料。
作為有機填料係沒有特別之限定,可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯等有機粒子。
無機填料及有機填料可從上述之中選擇1種單獨使用,亦可組合2種以上使用。組合2種以上時,亦可為無機填料與有機填料的組合。
就填料之形狀而言,沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇。例如無機填料可為球狀無機填料亦可為非球狀無機填料,考慮熱膨脹率(CTE)、薄膜強度之觀點,宜為非球狀無機填料。非球狀無機填料之形狀,可為球狀(大致真圓球狀)以外之三維形狀,可舉例如板狀、鱗片狀、柱狀、鏈狀、纖維狀等。其中,考慮熱膨脹率(CTE)、薄膜強度之觀點,宜為板狀、鱗片狀之無機填料,更宜為板狀之無機填料。
板狀、鱗片狀之無機填料的情況,平面方向之平均粒徑係0.05μm以上20μm以下,宜為0.1μm以上15μm以下,更宜為0.1μm以上10μm以下,更宜為0.1μm以上7μm以下,此外,表示平面方向與厚度之長寬比(平均長軸長度/平均短軸長度),考慮熱膨脹率(CTE)、薄膜強度之觀點為5以上500以下,宜為20以上500以下,更宜為40以上500以下。
若填料之平均粒徑為20μm以下,則可使基材薄膜之表面粗糙度變小,容易形成平滑之塗膜。
長寬比若為5以上則容易使CTE足夠地小。
長寬比越大則越容易調整CTE,但難以在使粒徑小的同時使長寬比大,有填料之成本變高的傾向,故期望為500以下。
[平均粒徑、長寬比之測定]
無機填料之平均粒徑及長寬比,例如可使用掃描式電子顯微鏡(SEM)或穿透型電子顯微鏡(TEM)進行觀察,從3處以上之測定值的平均來求得。此外,針對薄膜(層)中存在之無機填料之平均粒徑及長寬比,例如可在將薄膜以環氧樹脂包埋後,使用離子研磨裝置將薄膜剖面進行離子研磨來製作剖面觀察用樣本,將獲得之樣本之剖面使用掃描型電子顯微鏡(SEM)或穿透式電子顯微鏡(TEM)進行觀察,從3處以上之測定值的平均來求得。
此外,有機填料之平均粒徑可將基材薄膜之切割面以電子顯微鏡進行觀察,將測定至少10個粒子的最大徑時的平均值,作為因為熔融混練與分散而分散至基材薄膜之樹脂中時的平均分散粒徑來求得。
基材薄膜中之填料之含量,宜為1體積%以上30體積%以下,更宜為3體積%以上25體積%以下。
<<其他成分>>
在本發明中,於基材薄膜,因應需求可任意含有公知之添加劑。就添加劑而言,可列舉抗氧化劑、光安定劑、紫外線吸收劑、結晶成核劑、塑化劑、填料之分散劑等。
<<基材薄膜之特性>>
基材薄膜之膜厚係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,宜為10μm~250μm。
基材薄膜之表面粗糙度(Rz)係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,若考慮為了對於基材薄膜賦予各種功能而含有之填料之種類、含量等各種條件,基材薄膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以上。另一方面,就使形成於基材薄膜上之塗膜之表面粗糙度(Rz)成為期望之範圍,基材薄膜之表面粗糙度(Rz)宜為10μm以下。亦即,基材薄膜之表面粗糙度(Rz)宜為1μm以上10μm以下。
在本說明書中,表面粗糙度(Rz)係指膜表面之十點平均粗糙度。十點平均粗糙度Rz可依循JIS B 0601:2013(ISO 4287:1997 Amd.1:2009)求得。
[十點平均粗糙度Rz之測定]
片材之表面之十點平均粗糙度Rz(μm)係可針對試驗片使用雷射顯微鏡測定粗糙度曲線,從該粗糙度曲線,依循JIS B 0601:2013(ISO 4287:1997 Amd.1:2009),各別測定各10樣本,從此等之平均值來求得。
基材薄膜之相對介電係數、及介電損耗正切係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,考慮減低電信號之傳遞損失之理由,相對介電係數宜為3.5以下,介電損耗正切宜為0.004以下。
[相對介電係數及介電損耗正切]
基材薄膜之相對介電係數及介電損耗正切可使用網路分析器MS46122B (Anritsu公司製)及法布里-伯羅(Fabry-Perot)開放型共振器DPS-03(KEYCOM公司製),藉由開放型共振器方法,以溫度23℃、頻率28GHz之條件進行測定。
基材薄膜之熱膨脹率(CTE)係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,考慮防止貼合後之翹曲的觀點,且考慮使與貼合之金屬的熱膨脹率的差小之理由,例如宜為50ppm以下。
可使用熱機械分析裝置[Hitachi High-Tech Science Corporation.製 製品名: SII//SS7100]藉由拉伸模式,以負荷:50mN、升溫速度:5℃/min.的比率從25℃升溫至250℃,測定尺寸之溫度變化,藉由從25℃至125℃之範圍的斜率求得線膨脹係數,來進行熱膨脹率之測定。
基材薄膜之表面,因為改善與塗膜之密接性之理由,亦可藉由電暈處理、電漿處理、或紫外線處理經表面處理。
<塗膜>
塗膜之表面粗糙度(Rz)係1μm以下。表面粗糙度(Rz)之測定法係如同上述<<基材薄膜之特性>>的段落所記載。
藉由塗膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以下,從後述之實施例亦可明瞭,能形成表面平滑之金屬膜,可製成在如此之可減低傳遞損失之覆金屬疊層板中,金屬膜之密接性亦優良的覆金屬疊層板。
塗膜係藉由將樹脂組成物進行成膜並硬化而形成。
就形成塗膜之樹脂組成物而言,宜為由熱硬化樹脂構成。
就熱硬化性樹脂而言,可舉例如酚醛樹脂、環氧樹脂、脲甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂等,其中,考慮耐熱性、密接性、介電特性之觀點,宜為含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或雙馬來醯亞胺樹脂之至少任一者的塗膜。
<<環氧樹脂>>
就環氧樹脂之例而言,可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、或此等之氫化物;鄰苯二甲酸二環氧丙酯、間苯二甲酸二環氧丙酯、對苯二甲酸二環氧丙酯、對羥基苯甲酸環氧丙酯、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯、琥珀酸二環氧丙酯、己二酸二環氧丙酯、癸二酸二環氧丙酯、1,2,4-苯三甲酸三環氧丙酯等環氧丙酯系環氧樹脂;乙二醇二環氧丙基醚、丙二醇二環氧丙基醚、1,4-丁二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、新戊四醇四環氧丙基醚、四苯基環氧丙基醚乙烷、三苯基環氧丙基醚乙烷、山梨醇之聚環氧丙基醚、聚甘油之聚環氧丙基醚等環氧丙基醚系環氧樹脂;三環氧丙基異氰脲酸酯、四環氧丙基二胺基二苯基甲烷等環氧丙基胺系環氧樹脂;環氧化聚丁二烯、環氧化大豆油等線狀脂肪族環氧樹脂等,但不限定為此等。此外,也可使用含二甲苯構造之酚醛清漆環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂。
另外,就環氧樹脂之例而言,可使用溴化雙酚A型環氧樹脂、含磷環氧樹脂、含氟環氧樹脂、含二環戊二烯骨架之環氧樹脂、含萘骨架之環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、第三丁基兒茶酚型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等。此等環氧樹脂可僅使用1種,亦可併用2種以上。
<<雙馬來醯亞胺樹脂>>
就雙馬來醯亞胺樹脂而言,可舉例如1-甲基-2,4-雙馬來醯亞胺苯、N,N’-間伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-對伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-間伸甲苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-伸聯苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-(3,3’-二甲基-伸聯苯基)雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-(3,3’-二甲基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-(3,3’-二乙基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-二苯基丙烷雙馬來醯亞胺、N,N’-4,4-二苯基醚雙馬來醯亞胺、N,N’-3,3-二苯基碸雙馬來醯亞胺等。
雙馬來醯亞胺樹脂亦可使用市售之化合物,具體而言例如可適當地使用DESIGNER MOLECURES Inc.製之BMI-3000、BMI-1500、BMI-2550、BMI-1400、BMI-2310、BMI-3005等。
另外,可列舉將上述雙馬來醯亞胺樹脂以具有1級胺之化合物經改性而得之改性雙馬來醯亞胺等。
另外,塗膜亦可含有填料、各種添加劑等其他成分。
<<填料>>
塗膜為了改善耐熱性、控制流動性等,可含有填料。作為填料之種類,並沒有特別之限制,可因應目的適當地選擇,例如可使用作為上述基材薄膜中含有之填料所記載之上述<<填料>>之段落中記載之填料。
就塗膜中含有之填料的平均粒徑而言,欲使塗膜之表面粗糙度(Rz)符合1μm以下,而宜為0.01μm~20μm,更宜為0.01μm~10μm,更宜為0.01~5μm。
塗膜中之填料之含量宜為0.1體積%以上25體積%以下,更宜為1體積%以上20體積%以下。
對於塗膜為了要求比基材薄膜更進一步的表面平滑性,使用之填料之平均粒徑宜為比基材薄膜更小,且含量更少。
<<其他成分>>
樹脂組成物中,除上述熱硬化性樹脂、填料之外,在不對於樹脂組成物之功能造成影響的程度內還可更含有黏著賦予劑、阻燃劑、硬化劑、硬化促進劑、偶聯劑、抗熱老化劑、塗平劑、消泡劑、顏料、及溶劑等。
塗膜之膜厚係沒有特別之限制,可因應目的適當地選擇,例如宜為1~100μm,更宜為3~70μm,進一步宜為5~50μm,更進一步宜為5~20μm。塗膜之膜厚若為1μm以上,則可使基材薄膜之表面成為平滑並保持足夠之均勻性,若為100μm以下,則可製成基材薄膜與塗膜與金屬膜之剝離強度為堅固者。
此外,塗膜之膜厚考慮藉由塗膜使基材薄膜表面成為平滑,進而使金屬膜表面也成為平滑,獲得期望之電信號的低損失化之觀點,宜為基材薄膜之表面粗糙度(Rz)μm之值的0.8倍以上,更宜為基材薄膜之表面粗糙度(Rz)μm之值之1倍以上,進一步宜為基材薄膜之表面粗糙度(Rz)μm之值的1.2倍以上。
塗膜之相對介電係數、及介電損耗正切係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,考慮減低電信號之傳遞損失之理由,相對介電係數宜為3.5以下,介電損耗正切宜為0.004以下。
就相對介電係數及介電損耗正切之測定方法而言,如同上述基材薄膜之<<基材薄膜之特性>>的段落中的記載。
塗膜之表面,因為改善與金屬膜之密接性的理由,亦可藉由電暈處理、電漿處理、或紫外線處理經表面處理。
<<塗膜之製造方法>>
藉由將樹脂組成物進行成膜而可製造塗膜。
樹脂組成物可藉由將環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或雙馬來醯亞胺樹脂等與其他成分進行混合來製造。混合方法係沒有特別之限定,只要樹脂組成物成為均勻即可。樹脂組成物考慮可理想地以溶液或分散液之狀態使用,通常亦使用溶劑。
就溶劑而言,可舉例如甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、異丁醇、正丁醇、芐醇、乙二醇一甲基醚、丙二醇一甲基醚、二乙二醇一甲基醚、二丙酮醇等醇類;丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、甲基戊基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類;甲苯、二甲苯、乙基苯、1,3,5-三甲苯等芳香族烴類;乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙二醇一甲基醚乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯等酯類;己烷、庚烷、環己烷、甲基環己烷等脂肪族烴類等。此等溶劑可單獨使用,亦可組合2種以上。
樹脂組成物若為含有溶劑之溶液或分散液(樹脂清漆),可順利地進行對於基材薄膜之塗布及塗膜之形成,可輕易地獲得期望之厚度及表面粗糙度之塗膜。
樹脂組成物含有溶劑之情況,考慮包含塗膜之形成之作業性等觀點,固體成分濃度宜為3~80質量%,更宜為10~50質量%之範圍。若固體成分濃度為80質量%以下,則溶液之黏度為適當,容易均勻地塗布。
作為塗膜之製造方法之更具體的實施態様,藉由將上述含有樹脂組成物及溶劑之樹脂清漆,塗布於基材薄膜之表面而形成樹脂清漆層後,從該樹脂清漆層除去溶劑,而可形成B階段狀之塗膜。此處,若塗膜為B階段狀,則指樹脂組成物為未硬化狀態或一部分開始硬化之半硬化狀,藉由加熱等,會更推進樹脂組成物之硬化的狀態。
此處,就於基材薄膜上塗布樹脂清漆之方法而言,沒有特別之限制,可因應目的適當地選擇,可舉例如噴霧法、旋塗法、浸塗法、輥塗布法、刮刀塗布法、刮刀輥法、刮刀片法、簾塗布法、縫塗布法、網版印刷法、印墨噴射法、點膠法等。
上述B階段狀之塗膜可更實施加熱等,形成經硬化之塗膜。
<金屬膜>
金屬膜可藉由鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法形成。
藉由於表面粗糙度(Rz)為1μm以下之塗膜上,以鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法形成金屬膜,可形成表面為平滑之金屬膜。
此外,藉由此等形成法所形成之金屬膜可使電路圖案成為細間距,及以高精度形成微細之電路。
鍍敷形成法及濺鍍形成法可各自各別地使用,亦可併用。例如在併用的情況,以濺鍍法鋪上薄的銅膜後,藉由電解銅鍍敷法,可形成銅膜。
就構成金屬膜之金屬而言,沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,可舉例如選自於由鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅構成之群組中之1種或含有此等之任意1種以上的合金等。其中,考慮屏護性與經濟性之觀點,宜為銅及含有銅之合金。
就形成金屬膜之方法而言,如上述,可列舉鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之方法。更具體而言,可舉例如藉由物理蒸鍍(真空蒸鍍、濺鍍、離子束蒸鍍、電子束蒸鍍等)或藉由化學蒸鍍所形成之蒸鍍膜、藉由鍍敷形成之鍍敷膜等。其中,考慮面方向之導電性優良的點,宜為真空成膜法(真空蒸鍍法或濺鍍法等)所形成之真空蒸鍍膜或濺鍍膜、或者藉由電解鍍敷法所形成鍍敷膜。
金屬膜之膜厚,考慮確保足夠之電信號之傳遞特性,且電路圖案可成為良好之細間距之觀點,宜為0.05μm~20μm,期望為0.1~15μm,期望為0.5~10μm。
不接觸塗膜之面的金屬膜的表面粗糙度(Rz)係沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,例如考慮減低電信號之傳遞損失的理由宜為0.5μm以下。
<覆金屬疊層板之效果>
基材薄膜中含有填料,或考慮基材薄膜之製造上的理由,難以將基材薄膜之表面成為平滑,但藉由於基材薄膜上形成表面粗糙度(Rz)為1μm以下之塗膜,可使金屬膜之表面成為平滑,可減低傳遞損失。另外,可製成塗膜與金屬膜之密接性亦良好者。
於塗膜上形成之金屬膜係藉由鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之薄膜之金屬膜,故可使電路圖案成為細間距或以高精度形成微細之電路。
<覆金屬疊層板之膜厚>
覆金屬疊層板之膜厚係沒有特別之限制,可因應目的適當地選擇,例如宜為10μm以上300μm以下。若覆金屬疊層板之膜厚為上述範圍之下限值以上,則操作性優良,可確保強度。此外,若為上述範圍之上限值以下,可輕薄短小化、賦予可撓性。
<覆金屬疊層板之製造方法>
於基材薄膜上形成塗膜。
於與塗膜之基材薄膜為相反側的面形成金屬膜。
就形成塗膜之更具體的方法而言,如同上述<<塗膜之製造方法>>的部分所記載,藉由將含有樹脂組成物及溶劑之樹脂清漆,塗布於基材薄膜之表面形成樹脂清漆層後,從該樹脂清漆層除去溶劑,可形成塗膜。塗膜可更實施加熱等,形成經硬化之塗膜。
就塗布樹脂清漆之方法而言,沒有特別之限定,可因應目的適當地選擇,可舉例如噴霧法、旋塗法、浸塗法、輥塗布法、刮刀塗布法、刮刀輥法、刮刀片法、簾塗布法、縫塗布法、網版印刷法、印墨噴射法、點膠法等。
就形成金屬膜之方法而言,可列舉真空成膜法(真空蒸鍍、濺鍍)所為之方法、電鍍法所為之方法等。
考慮可形成具有期望之膜厚、表面形狀之金屬膜的點,可為以真空蒸鍍形成蒸鍍膜之方法、或以電鍍形成鍍敷膜之方法、或以濺鍍形成濺鍍膜之方法,或可在濺鍍後進行電鍍來形成併用了電鍍與鍍敷之金屬膜。
本發明之覆金屬疊層板在為如圖2所示之於基材薄膜之兩面各別設置塗膜與金屬膜之覆金屬疊層板的情況,可對於基材薄膜之其中一面,藉由如上述方法形成塗膜、金屬膜,之後對於基材薄膜之另一面,以同樣方法形成塗膜、金屬膜。或者,亦可使用對於基材薄膜將兩側之塗膜一起形成,且之後亦於兩側一起形成配置於塗膜上之金屬膜的方法。
在基材薄膜及/或塗膜係經以電暈處理、電漿處理、或紫外線處理等表面處理之基材薄膜或塗膜的情況,例如準備基材薄膜後,將準備之基材薄膜的表面進行表面處理,對於經表面處理後之基材薄膜,藉由上述方法形成塗膜即可。此外,形成了塗膜後,將塗膜表面進行表面處理,之後,藉由上述方法形成金屬膜即可。
[實施例]
以下列舉實施例來更詳細地說明本發明,本發明之範圍並沒有限定於此等之實施例。此外,下述中之份及%,在沒有特別指明的情況下,為質量基準。
(實施例1)
<基材薄膜>
將聚醚醚酮(PEEK)樹脂(VictrexGranules 450G:Victrex plc公司製)與合成雲母(MircoMica MK100:Katakura & Co-op Agri Corporation製)以合成雲母成為15體積%之方式混合,將該混合物以二軸擠製機進行擠製,製作丸粒。使用之合成雲母之平均粒徑係4.9μm,長寬比為30~50。
將獲得之丸粒投入至附設寬度900mm之T型模頭的單軸擠製機進行熔融混練,從T型模頭連續地進行擠製,獲得厚度100μm之PEEK薄膜(薄膜之Rz:6.4μm、CTE30ppm)。
<形成塗膜之樹脂組成物1之製作>
以固體成份成為50質量%之方式於甲苯中溶解烷基雙馬來醯亞胺樹脂(BMI-3000:Desiner Molecules Inc公司製)。之後,藉由甲基異丁基酮進行稀釋使固體成份成為25質量%。以相對於固體成份成為2質量%之比率的方式添加過氧化物(Percumyl D:日油公司製)。將此等混合,製作塗布溶液1。
<覆銅疊層板之製作>
將製得之PEEK薄膜之表面進行電暈處理。於該經表面處理之PEEK薄膜上,塗布上述獲得之塗布溶液1。之後使塗膜乾燥。乾燥後之膜厚為7μm。
然後,將附設塗膜之基材薄膜置入200℃之烘箱中1小時,使塗膜硬化。
此時塗膜表面之Rz係0.35μm。
於經硬化之塗膜上藉由濺鍍形成銅膜(膜厚0.1μm)。
由銅膜構成之金屬層之Rz係0.15μm。
對於以如此方式獲得之實施例1之覆金屬疊層板(覆銅疊層板),藉由下述測定法測定金屬層之剝離強度,為7N/cm以上。
[剝離強度]
依循JIS K6854-3:1999指定之方法,藉由T型剝離試驗以300mm/min之剝離速度測定覆銅疊層板之剝離強度。
此外,對於實施例1之覆金屬疊層板(覆銅疊層板),藉由下述測定法測定傳遞損失,按下述基準評價傳遞特性。
[傳遞損失測定法]
從覆銅疊層板製作將阻抗調整至50Ω之微帶線基板(線路長50mm),藉由網路分析器測定於20GHz之S參數(S21)。
[評價基準]
〇 (傳遞損失為4dB/cm以下:20GHz)
× (傳遞損失大於4dB/cm:20GHz)
在實施例1之覆銅疊層板中,對於基材薄膜、塗膜、及金屬膜之各種測定結果、以及覆銅疊層板之特性(剝離強度及傳遞特性)之測定及評價結果表示於表1。
(實施例2~實施例7)
將實施例1中之塗膜之條件變更為如表1所示,除此以外,以與實施例1同樣的方式製作實施例2~實施例7之覆銅疊層板。
實施例2~實施例7中使用之塗布溶液2及塗布溶液3係如以下方式製作。
<形成塗膜之樹脂組成物2之製作>
以固體成份成為50質量%之方式將二環戊二烯型低介電環氧樹脂(HP7200H:DIC公司製)溶解於甲苯中。之後,以甲基異丁基酮進行稀釋使固體成份成為25質量%。
以相對於二環戊二烯型低介電環氧樹脂之固體成份分別成為20質量份、2質量%之比率來添加烷基雙馬來醯亞胺樹脂(BMI-3000:Desiner Molecules Inc公司製)、2甲基咪唑(2MZ:四國化成製)。混合此等製作塗布溶液2。
<形成塗膜之樹脂組成物3之製作>
以固體成分成為50質量%之方式將烷基雙馬來醯亞胺樹脂(BMI-3000:Desiner Molecules Inc公司製)溶解於甲苯中。之後,以甲基異丁基酮進行稀釋使固體成份成為25質量%。以相對於烷基雙馬來醯亞胺樹脂之固體成份,分別成為10體積%、2質量%之比率來添加合成雲母(MircoMica MK100DS:Katakura & Co-op Agri Corporation製:平均粒徑3.3μm、長寬比30~50)、過氧化物(Percumyl D:日油公司製)。混合此等,製作塗布溶液3。
對於實施例2~實施例7中製作之覆銅疊層板,進行與實施例1同樣的測定。
實施例2~實施例7之覆銅疊層板中,對於基材薄膜、塗膜、及金屬膜之各種測定結果、以及覆銅疊層板之特性之測定及評價結果表示於表1。
(比較例1)
對於以與實施例1同樣的方法製作之PEEK薄膜,將該PEEK薄膜之表面進行電暈處理。
於該經表面處理之PEEK薄膜上,藉由濺鍍形成銅膜(膜厚0.1μm)。
由銅膜構成之金屬層之Rz為6.2μm。
對於如此方式獲得之比較例1之覆金屬疊層板(覆銅疊層板),以與實施例1同樣的方法測定金屬層之剝離強度,為2N/cm以下。
在比較例1之覆銅疊層板中,對於基材薄膜、及金屬膜之各種測定結果,以及覆銅疊層板之特性之測定及評價結果表示於表1。
(比較例2~比較例5)
將實施例1中之塗膜之條件如表1所示進行變更,除此以外,以與實施例1同樣的方式製作比較例2~比較例5之覆銅疊層板。
對於比較例2~比較例5中製作之覆銅疊層板,進行與實施例1同樣的測定。
比較例2~比較例5之覆銅疊層板中,對於基材薄膜、塗膜、及金屬膜之各種測定結果、以及覆銅疊層板之特性之測定及評價結果表示於表1。
[表1]
實施例中製作之本發明之覆金屬疊層板中之金屬膜因為表面成為平滑,故本發明之覆金屬疊層板成為可減低傳遞損失之覆金屬疊層板。另外,如同表1之結果顯示,本發明之覆金屬疊層板成為塗膜及基材薄膜與金屬膜之密接性優良者。
[產業上利用性]
本發明之覆金屬疊層板係能夠適合用於智慧手機、行動電話、光模組、數位相機、遊戲機、筆記型電腦、醫療器材等電子設備用之FPC相關製品的製造中。
1:覆金屬疊層板
2:基材薄膜
3,3a,3b:塗膜
4,4a,4b:金屬膜
[圖1]展示本發明之覆金屬疊層板之構成之一例的剖面圖。
[圖2]展示本發明之覆金屬疊層板之構成之其他例的剖面圖。
1:覆金屬疊層板
2:基材薄膜
3:塗膜
4:金屬膜
Claims (20)
- 一種覆金屬疊層板,於基材薄膜上按塗膜、金屬膜之順序疊層而得, 該金屬膜係以鍍敷、濺鍍、及蒸鍍之至少任一者之形成法所形成之金屬膜, 該塗膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該塗膜及該金屬膜係疊層於該基材薄膜之兩側,以金屬膜、塗膜、基材薄膜、塗膜、金屬膜之順序疊層而得。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之表面粗糙度(Rz)為1μm以上10μm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜之表面粗糙度(Rz)為0.5μm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該塗膜係由熱硬化樹脂構成。
- 如請求項5之覆金屬疊層板,其中,該塗膜係含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或雙馬來醯亞胺樹脂之至少任一者。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該塗膜之膜厚係該基材薄膜之表面粗糙度(Rz)×0.8以上。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜之膜厚係0.05μm以上10μm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之相對介電係數為3.5以下,介電損耗正切為0.004以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該塗膜之相對介電係數為3.5以下,介電損耗正切為0.004以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜之熱膨脹率(CTE)為50ppm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜係液晶聚合物(LCP)薄膜、聚醚醚酮(PEEK)薄膜、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)薄膜、或聚苯硫醚(PPS)薄膜。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜含有填料。
- 如請求項13之覆金屬疊層板,其中,該填料係包含雲母、滑石、氮化硼(BN)、氧化鎂、及二氧化矽之至少任一者。
- 如請求項13之覆金屬疊層板,其中,該填料係具有板狀之形狀。
- 如請求項13之覆金屬疊層板,其中,該填料之長寬比為5以上500以下。
- 如請求項13之覆金屬疊層板,其中,該填料之平均粒徑為20μm以下。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該塗膜含有填料。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該金屬膜係銅之金屬膜。
- 如請求項1之覆金屬疊層板,其中,該基材薄膜及/或該塗膜之表面係經電暈處理、電漿處理、或紫外線處理。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020067695 | 2020-04-03 | ||
JP2020-067695 | 2020-04-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202144182A true TW202144182A (zh) | 2021-12-01 |
Family
ID=77929474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110108226A TW202144182A (zh) | 2020-04-03 | 2021-03-09 | 覆金屬疊層板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230180384A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2021199811A1 (zh) |
CN (1) | CN115348921A (zh) |
TW (1) | TW202144182A (zh) |
WO (1) | WO2021199811A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2023053948A1 (zh) * | 2021-09-29 | 2023-04-06 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3265027B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2002-03-11 | 三菱伸銅株式会社 | 金属膜付きポリイミドフィルム |
JP5043094B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-10-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 無接着剤フレキシブルラミネート及びその製造方法 |
US20090246554A1 (en) * | 2007-05-23 | 2009-10-01 | Mikio Furukawa | Laminate having peelability and production method therefor |
JP2015127118A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | 金属張積層体及び回路基板 |
JP2015127117A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | 金属張積層体及び回路基板 |
JP6653065B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2020-02-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂シート及びプリント配線板 |
JP6467928B2 (ja) * | 2015-01-10 | 2019-02-13 | 三菱ケミカル株式会社 | 両面金属積層フィルム |
JP6912279B2 (ja) * | 2017-06-12 | 2021-08-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
-
2021
- 2021-02-26 CN CN202180025316.4A patent/CN115348921A/zh active Pending
- 2021-02-26 US US17/995,309 patent/US20230180384A1/en active Pending
- 2021-02-26 WO PCT/JP2021/007327 patent/WO2021199811A1/ja active Application Filing
- 2021-02-26 JP JP2022511667A patent/JPWO2021199811A1/ja active Pending
- 2021-03-09 TW TW110108226A patent/TW202144182A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230180384A1 (en) | 2023-06-08 |
JPWO2021199811A1 (zh) | 2021-10-07 |
CN115348921A (zh) | 2022-11-15 |
WO2021199811A1 (ja) | 2021-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10584239B2 (en) | Thermosetting resin composition for frequency, and prepreg, laminated sheet and printed circuit board using same | |
US9957389B2 (en) | Thermosetting resin composition having heat resistance and low dielectric loss characteristics, prepreg using same, and copper clad laminate | |
CN113717526B (zh) | 树脂组合物、带树脂层的支撑体、预浸渍体及层叠板 | |
TWI756552B (zh) | 熱硬化性環氧樹脂組成物、絕緣層形成用接著薄膜、絕緣層形成用預浸體、印刷配線板用絕緣體、多層印刷配線板及半導體裝置 | |
KR20170084036A (ko) | 수지 조성물, 그것을 사용한 절연 필름 및 반도체 장치 | |
TWI824654B (zh) | 一種樹脂組成物及其應用 | |
TW201921505A (zh) | 電路基板 | |
JP2021127438A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着剤、熱硬化性樹脂フィルム並びに前記熱硬化性樹脂組成物を用いた積層板、プリプレグ、及び回路基板 | |
KR20180007306A (ko) | 열경화성 수지 조성물, 이를 이용한 프리프레그, 적층 시트 및 인쇄회로기판 | |
WO2023020226A1 (zh) | 一种树脂组合物及其应用 | |
KR101847223B1 (ko) | 수지 조성물, 프리프레그, 및 금속박 피복 적층판 | |
TW202144182A (zh) | 覆金屬疊層板 | |
KR20160032075A (ko) | 저유전 손실 특성을 가진 고주파용 열경화성 수지 조성물, 이를 이용한 프리프레그, 및 동박적층판 | |
TWI686443B (zh) | 硬化性樹脂組合物、硬化性樹脂成形體、硬化物、積層體、複合體及多層印刷電路板 | |
KR102143318B1 (ko) | 프라이머 코팅-동박 및 동박 적층판 | |
JP6938833B2 (ja) | 金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いた金属積層体 | |
KR20040070015A (ko) | 수지 필름 및 이를 이용한 다층 인쇄 배선판 | |
WO2023053619A1 (ja) | 金属張積層板、及び該金属張積層板に用いる積層体 | |
JP2023049254A (ja) | プリント配線板用のpaek樹脂基材、及び該paek樹脂基材を有する金属張積層板 | |
JP2023049122A (ja) | プリント配線板用のpaek樹脂基材、及び該paek樹脂基材を有する金属張積層板 | |
WO2023053620A1 (ja) | 金属張積層板、及び該金属張積層板に用いる積層体 | |
TW202321031A (zh) | 覆金屬疊層板 | |
KR20180001912A (ko) | 프라이머 코팅-동박 및 동박 적층판 | |
KR20240081614A (ko) | 접착제 조성물, 절연 필름 및 이를 이용한 회로 배선판의 제조 방법 | |
US20240117120A1 (en) | Curable resin composition for bonding film, bonding film, and printed-wiring board |