TW202141531A - 透光性導電層積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明之透光性導電膜10於厚度方向上依序具備樹脂層11、及透光性導電層1。透光性導電層1具有第1主面2、及於第1主面2之厚度方向一側隔開間隔地對向配置之第2主面3。第1主面2或第2主面3與樹脂層11接觸。透光性導電層1具有於面方向上延伸之單一層。透光性導電層1包含導電性氧化物。導電性氧化物含有氬、及原子序數大於氬之稀有氣體。

Description

透光性導電層積層體
本發明係關於一種透光性導電層積層體。
先前已知有一種積層構造體，其具備：玻璃基板、及形成於其上表面且包含混入有氬或氪之ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)的透明導電膜(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平7-262829號公報
[發明所欲解決之問題]
且說，根據積層構造體之用途，存在使用樹脂層(例如，聚合物基板)之情形。但是，若將專利文獻1中所記載之玻璃基板變更為樹脂層，則此類樹脂層之耐熱性變差，因熱所導致之尺寸變形變大，因此只要透明導電膜跟隨此種變形，則存在於透明導電膜產生裂痕之異常。
本發明提供一種抗裂性優異之透光性導電層積層體。 [解決問題之技術方法]
本發明(1)包括一種透光性導電層積層體，其於厚度方向上依序具備樹脂層、及透光性導電層，上述透光性導電層具有第1主面、及於上述第1主面之厚度方向一側隔開間隔地對向配置之第2主面，且具有於與上述厚度方向正交之面方向上延伸之單一層，上述第1主面及上述第2主面中之任一者與上述樹脂層接觸，上述透光性導電層包含導電性氧化物，上述導電性氧化物含有氬、及原子序數大於上述氬之稀有氣體。
本發明(2)包括如(1)中所記載之透光性導電層積層體，其於厚度方向上依序具有含有上述稀有氣體之第1區域、及含有上述氬之第2區域。
本發明(3)包括如(1)或(2)中所記載之透光性導電層積層體，其中上述稀有氣體係氪。
本發明(4)包括如(1)至(3)中任一項所記載之透光性導電層積層體，其中上述導電性氧化物進而含有銦及錫。
本發明(5)包括如(1)至(4)中任一項所記載之透光性導電層積層體，其中上述樹脂層與上述透光性導電層之上述第1主面接觸。 [發明之效果]
本發明之透光性導電層積層體之抗裂性優異。
[透光性導電膜之一實施方式] 參照圖1，對作為本發明之透光性導電層積層體之一實施方式的透光性導電膜進行說明。
透光性導電膜10係後述之觸控感測器、調光元件、光電轉換元件、熱線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置、加熱器構件(透光性加熱器)、及照明等中所具備之一構件，且透光性導電膜10係用於製造該等裝置之中間構件。透光性導電膜10係單獨流通，並且能夠於產業上利用之層。
如圖1所示，透光性導電膜10具有朝向與厚度方向正交之面方向延伸之膜形狀(膜)。透光性導電膜10中，朝向厚度方向一側依序具備樹脂層11、及透光性導電層1。
[樹脂層] 樹脂層11形成透光性導電膜10之厚度方向之另一面。樹脂層11具有朝向面方向延伸之膜形狀。樹脂層11係基材層。樹脂層11具有可撓性。例如，樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及功能層14。樹脂層11較佳為不與玻璃基板相鄰。
透明基材膜13具有朝向面方向延伸之膜形狀。透明基材膜13形成樹脂層11之厚度方向之另一面。透明基材膜13之材料係聚合物。作為聚合物，可例舉：烯烴樹脂，例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(COP)等；聚酯樹脂，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等；(甲基)丙烯酸樹脂(丙烯酸樹脂及/或甲基丙烯酸樹脂)，例如聚丙烯酸酯及/或聚甲基丙烯酸酯等；樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等；較佳為可例舉聚酯樹脂，更佳為可例舉PET。包含上述材料之透明基材膜13由於耐熱性較低，因此存在難以在200℃以上進行加熱而結晶化(後述)的情形，但藉由包含上述材料之透明基材膜13，可獲得平滑性優異、且具有加熱穩定性之透光性導電膜10。透明基材膜13之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，更佳為30 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為75 μm以下。
透明基材膜13之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上，又，例如為100%以下。
功能層14形成樹脂層11之厚度方向之一面。功能層14配置於透明基材膜13之厚度方向之一面。具體而言，功能層14與透明基材膜13之厚度方向之一面之整體接觸。功能層14於面方向上延伸。功能層係包含樹脂之層。作為功能層14，例如可例舉硬塗層。於此類情形時，樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及硬塗層。於以下之說明中，對功能層14係硬塗層之情形進行說明。
硬塗層係擦傷保護層，其用於使透光性導電層1不易產生擦傷。硬塗層形成樹脂層11之厚度方向之一面。硬塗層與透明基材膜13之厚度方向之一面之整體接觸。作為硬塗層之材料，可例舉日本專利特開2016-179686號公報中所記載之硬塗組成物(丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂等)之硬化物。硬塗層之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。
[樹脂層之物性] 樹脂層11之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，更佳為15 μm以上，進而較佳為30 μm以上，又，例如為310 μm以下，較佳為210 μm以下，更佳為110 μm以下，進而較佳為80 μm以下。
樹脂層11之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上，又，例如為100%以下。
[透光性導電層] 透光性導電層1形成透光性導電膜10之厚度方向之一面。透光性導電層1自其厚度方向之另一側被樹脂層11支持。透光性導電層1與樹脂層11之厚度方向之一面之整體接觸。
又，該透光性導電層1具有：第1主面2、及於厚度方向上相對於第1主面2隔開間隔地對向配置之第2主面3。透光性導電層1係於面方向上延伸之單一層。
本實施方式中，透光性導電層1之第1主面2與樹脂層11之厚度方向之一面接觸。另一方面，透光性導電層1之第2主面3自厚度方向一側露出。
[透光性導電層之材料] 透光性導電層1包含含有導電性氧化物之組成，較佳為包含導電性氧化物。導電性氧化物係透光性導電層1之主成分，且微量地含有氬、及原子序數大於氬之稀有氣體。具體而言，於導電性氧化物中，微量地混入有氬及原子序數大於氬之稀有氣體。
[氬] 氬來自後述之製造方法中濺鍍氣體所含有之氬，並混入至導電性氧化物中。圖2中，用白圓點描繪出氬。
[原子序數大於氬之稀有氣體] 作為原子序數大於氬之稀有氣體，例如可例舉：氪、氙、氡等。該等可單獨地使用，或者併用。較佳為例舉：氪、氙，要想兼具成本與優異之導電性，更佳為例舉氪(具體而言，單獨使用氪)。原子序數大於氬之稀有氣體來自後述之製造方法中濺鍍氣體所含有之稀有氣體，並混入至導電性氧化物中。於圖2中，用黑圓點描繪出原子序數大於氬之稀有氣體。
[導電性氧化物] 導電性氧化物係使上述氬、及原子序數大於氬之稀有氣體分散之基質。作為導電性氧化物，例如可例舉含有選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中至少1種金屬或半金屬之金屬氧化物。金屬氧化物中，亦可視需要進而摻雜上述群中所示之金屬原子及/或半金屬原子。
作為導電性氧化物，具體而言，可例舉：銦鋅複合氧化物(IZO)、銦鎵鋅複合氧化物(IGZO)、銦鎵複合氧化物(IGO)、銦錫複合氧化物(ITO)、銻錫複合氧化物(ATO)等金屬氧化物。作為導電性氧化物，要想提昇透明性及導電性，較佳為可例舉：含有銦及錫之兩者之銦錫複合氧化物(ITO)。導電性氧化物若為ITO，則透明性及導電性更進一步優異。
導電性氧化物係ITO之情形時，該ITO中氧化錫之含量相對於氧化銦(In2 O3 )及氧化錫(SnO2 )之合計含量的比率，例如為0.1質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，進而較佳為7質量%以上，尤佳為10質量%以上。所使用之ITO中錫原子數相對於銦原子數之比率(錫原子數/銦原子數)例如為0.001以上，較佳為0.03以上，更佳為0.05以上，進而較佳為0.07以上，尤佳為0.10以上。只要氧化錫之含量相對於銦原子數之比率為上述下限以上，及/或錫原子數相對於銦原子數之比率為上述下限以上，則可確保透光性導電層1之耐久性。
所使用之ITO中氧化錫之含量相對於氧化銦(In2 O3 )及氧化錫(SnO2 )之合計含量的比率，例如為20質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下，進而較佳為12質量%以下。所使用之ITO中錫原子數相對於銦原子數之比率(錫原子數/銦原子數)例如為0.23以下，較佳為0.16以下，更佳為0.14以下，進而較佳為0.13以下。只要氧化錫之含量之比率為上述上限以下，及/或錫原子數相對於銦原子數之比率為上述上限以下，則可獲得容易藉由加熱進行結晶化之透光性導電層1。
ITO中錫原子數相對於銦原子數之比率例如藉由如下方式求出：針對測定對象物，利用X射線光電子光譜法(X-ray Photoelectron Spectroscopy)特定出銦原子與錫原子之存在比率。ITO中氧化錫之上述含有比率例如根據如此所特定出之銦原子與錫原子之存在比率而求出。ITO中銦原子與錫原子之存在比率及氧化錫之上述含有比率亦可根據濺鍍成膜時所使用之ITO靶之氧化銦(In2 O3 )與氧化錫(SnO2 )之含有比率來進行判斷。
[第1區域、第2區域] 本實施方式中，如圖2所示，透光性導電層1中，於厚度方向上依序具備含有原子序數大於氬之稀有氣體的第1區域4、及含有氬之第2區域5。
[第1區域] 第1區域4例如包含第1主面2。因此，第1區域4與樹脂層11接觸。第1區域4中，將原子序數大於氬之稀有氣體遍佈厚度方向及面方向地分散於導電性氧化物中。
第1區域4中，原子序數大於氬之稀有氣體之含有比率例如為0.0001原子%以上，較佳為0.001原子%以上，又，例如為1.0原子%以下，更佳為0.7原子%以下，進而較佳為0.5原子%以下，尤佳為0.3原子%以下，特佳為0.2原子%以下，最佳為0.15原子%以下。原子序數大於氬之稀有氣體之含有比率只要為上述範圍，則透光性導電層1之抗裂性(尤其是於加濕環境下之抗裂性)優異。
再者，雖然在圖2中並未示出，但於第1區域4中允許混入氬。其中，於該情形時，第1區域4中原子序數大於氬之稀有氣體之含有比率Rrg1 高於第2區域5中原子序數大於氬之稀有氣體之含有比率Rrg2 。具體而言，Rrg1 /Rrg2 例如超過1，較佳為1.2以上，更佳為1.5以上，又，例如為10,000以下。第1區域4中原子序數大於氬之稀有氣體例如藉由拉塞福背向散射譜法(Rutherford Backscattering Spectrometry)、二次離子質譜法或雷射共振離子化質量分析法、及/或螢光X射線分析進行鑑定(判斷是否存在)，要想簡化分析，較佳為藉由螢光X射線分析進行鑑定。螢光X射線分析之詳情記載於實施例中。第1區域4、及包含第1區域4之透光性導電層1中，若實施拉塞福背向散射譜法，則由於稀有氣體原子含量並非檢測極限值(下限值)以上，因此無法定量，另一方面，若實施螢光X射線分析，則當鑑定出存在稀有氣體原子時，判斷該透光性導電層1包含Kr含有比率為0.0001原子%以上之區域。
於厚度方向上，透光性導電層1中第1區域4所占之比R1(厚度比)例如為0.99以下，較佳為0.95以下，更佳為0.9以下，進而較佳為0.8以下，格外較佳為0.7以下，又，例如為0.01以上，較佳為0.05以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.2以上，格外較佳為0.3以上。第1區域4所占之比R1只要為上述上限以下，則透光性導電層1之抗裂性優異，例如，於常溫(24℃)下長時間(170小時)保存後進行高溫(175℃、1小時)加熱時，抗裂性(參照實施例之裂痕之評價(A))優異。第1區域4所占之比R1只要為上述下限以上，則透光性導電層1之透明性及導電性優異。
[第2區域] 第2區域5包含第2主面3。第2區域5中，氬遍佈厚度方向及面方向地分散於導電性氧化物中。又，透光性導電層1中，氬之含有比率例如為0.001原子%以上，較佳為0.01原子%以上，又，例如為0.5原子%以下，較佳為0.4原子%以下，更佳為0.3原子%以下，進而較佳為0.2原子%以下。氬之含有比率只要為上述範圍，則透光性導電層1之抗裂性(尤其是於加熱環境下之抗裂性)優異。
再者，雖然在圖2中並未示出，但於第2區域5中允許混入原子序數大於氬之稀有氣體。其中，於該情形時，第2區域5中氬之含有比率RAr2 高於第1區域4中氬之含有比率RAr1 。具體而言，RAr2 /RAr1 例如超過1，較佳為1.2以上，更佳為1.5以上，又，例如為10,000以下。透光性導電層1中之氬例如藉由拉塞福背向散射譜法(RBS，Rutherford Backscattering Spectrometry)進行鑑定(判斷是否存在)，並進行定量。拉塞福背向散射譜法之詳情記載於實施例中。
於厚度方向上，透光性導電層1中第2區域5所占之比(厚度比)R2例如為0.01以上，較佳為0.05以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.2以上，格外較佳為0.3以上，又，例如為0.99以下，較佳為0.95以下，更佳為0.9以下，進而較佳為0.8以下，格外較佳為0.7以下。第2區域5所占之比R2只要為上述下限以上，則透光性導電層1之抗裂性優異。第2區域5所占之比R2只要為上述上限以下，則透光性導電層1之透明性及導電性優異。
再者，圖2中，用假想線(2點鏈線)描繪出第1區域4及第2區域5之交界。但是，實際上，存在無法判別第1區域4及第2區域5之交界之情形。於該情形時，第1區域4及第2區域5之中，原子序數大於氬之稀有氣體之含有比率R3較高之區域係第1區域4，而氬之含有比率R4較高之區域係第2區域5。
[透光性導電層之物性] 透光性導電層1例如為非晶質、或結晶質。透光性導電層1之結晶質性係根據透光性導電膜10之用途及目的而適當選擇。
透光性導電層1之結晶質性例如如下述地進行判斷：將透光性導電層1浸漬於鹽酸(20℃、濃度5質量%)中15分鐘，繼而進行水洗及乾燥之後，針對透光性導電層1之第2主面3測定15 mm左右之間之端子間電阻。於經過上述浸漬、水洗、乾燥後之透光性導電層1中，15 mm間之端子間電阻(2端子間電阻)為10 kΩ以下時，則透光性導電層1為結晶質，另一方面，當上述電阻超過10 kΩ時，則透光性導電層1為非晶質。
透光性導電層1之厚度例如為5 nm以上，較佳為20 nm以上，更佳為50 nm以上，進而較佳為100 nm以上，又，例如為1000 nm以下，較佳為未達300 nm，更佳為250 nm以下，進而較佳為200 nm以下，尤佳為160 nm以下，特佳為未達150 nm，最佳為148 nm以下。透光性導電層1之厚度只要為上述範圍，則透光性導電層1之抗裂性優異。至於透光性導電層1之厚度相對於樹脂層11之厚度的比，例如為0.00001以上，較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，又，例如為0.5以下，較佳為0.25以下。
透光性導電層1(非晶質或結晶質之透光性導電層1)之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上，又，例如為100%以下。
透光性導電層1(非晶質或結晶質之透光性導電層1)之表面電阻例如為200 Ω/□以下，較佳為100 Ω/□以下，更佳為50 Ω/□以下，進而較佳為15 Ω/□以下，格外較佳為13 Ω/□以下，又，例如超過0 Ω/□，進而為1 Ω/□以上。表面電阻可依據JIS K 7194，藉由4端子法進行測定。
透光性導電層1(非晶質或結晶質之透光性導電層1)之比電阻例如為5.0×10-4 Ω・cm以下，較佳為2.5×10-4 Ω・cm以下，更佳為2.0×10-4 Ω・cm以下，進而較佳為未達2.0×10-4 Ω・cm，格外較佳為1.8×10-4 Ω・cm以下，又，例如為0.1×10-4 Ω・cm以上，進而為0.5×10-4 Ω・cm以上，進而為1.0×10-4 Ω・cm以上。比電阻係厚度乘以表面電阻而獲得者。
透光性導電層1(非晶性或結晶性之透光性導電層1)中氬、及原子序數大於氬之稀有氣體之合計含有比率，於厚度方向之所有區域內，例如為1.2原子%以下，較佳為1.1原子%以下，更佳為1.0原子%以下，進而較佳為0.8原子%以下，格外較佳為0.5原子%以下，尤佳為0.4原子%以下，最佳為0.3原子%以下，特佳為0.2原子%以下。氬、及原子序數大於氬之稀有氣體之合計含有比率只要為上述上限以下，則透光性導電層1內之雜質原子(即，氬、及原子序數大於氬之稀有氣體)之合計含有比率較少，因此可獲得抗裂性優異、且比電阻較低之透光性導電層1。
[透光性導電膜之製造方法] 其次，參照圖3，對透光性導電膜10之製造方法進行說明。該方法中，例如藉由卷對卷方式於樹脂層11上成膜透光性導電層1。
該方法中，首先，準備樹脂層11。具體而言，將硬塗組成物塗佈於透明基材膜13之厚度方向之一面並加以乾燥之後，使硬塗組成物硬化。藉此，準備於厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及硬塗層(功能層14)之樹脂層11。
其後，根據需要對樹脂層11實施脫氣處理。為了對樹脂層11實施脫氣處理，將樹脂層11放置於減壓氣氛下，該減壓氣氛例如為1×10-1 Pa以下，較佳為1×10-2 Pa以下，又，例如為1×10-6 Pa以上。具體而言，使用濺鍍裝置30之泵(後述)，使樹脂層11周圍之氣氛減壓。
繼而，藉由濺鍍成膜透光性導電層1。具體而言，一面利用濺鍍裝置30搬送樹脂層11，一面成膜透光性導電層1。
[濺鍍裝置] 濺鍍裝置30依序具備：捲出部35、濺鍍部36、及捲取部37。
捲出部35具備：捲出輥38、及捲出側泵33之排出口。
濺鍍部36具備：成膜輥40、第1成膜室41、及第2成膜室42。
成膜輥40具備未圖示之冷卻裝置，其構成為使成膜輥40冷卻。
第1成膜室41收容第1靶51、第1氣體供給機61、及第1泵71之排出口。第1靶51、第1氣體供給機61、及第1泵71之排出口相對於成膜輥40隔開間隔地對向配置。
作為第1靶51之材料，可例舉與上述導電性氧化物相同之材料。再者，第1靶51之材料包括導電性氧化物之燒結體。但，於該等導電性氧化物中未混入原子序數大於氬之稀有氣體及氬。第1靶51構成為施加電力。
於成膜輥40之相對於第1靶51之相反側配置有磁體(未圖示)。第1靶51表面上之水平磁場強度例如為10 mT以上，較佳為60 mT以上，又，例如為300 mT以下。藉由配置磁體而使第1靶51表面上之水平磁場強度為上述範圍，從而可對後述之第1非晶質導電膜81(第1區域4)中所含有之原子序數大於氬之稀有氣體的含量進行調整。
第1氣體供給機61構成為將第1濺鍍氣體供給至第1成膜室41中。作為第1濺鍍氣體，包括原子序數大於氬之稀有氣體。具體而言，作為第1濺鍍氣體，例如可例舉：原子序數大於氬之稀有氣體、或者例如包含原子序數大於氬之稀有氣體及氧等反應性氣體之第1混合氣體等。較佳為例舉第1混合氣體。
於濺鍍氣體係第1混合氣體之情形時，第1氣體供給機61包含稀有氣體供給機63、及第1氧氣供給機64，自各氣體供給機向第1成膜室41供給原子序數大於氬之稀有氣體、及氧。再者，稀有氣體供給機63中之「稀有氣體」係指不含氬，且原子序數大於氬之稀有氣體。
第2成膜室42於成膜輥40之圓周方向上與第1成膜室41相鄰地配置。藉此，第1成膜室41與第2成膜室42依次配置於圓周方向上。第2成膜室42收容第2靶52、第2氣體供給機62、及第2泵72之排出口。第2靶52、第2氣體供給機62、及第2泵72之排出口相對於成膜輥40隔開間隔地對向配置。
作為第2靶52之材料，可例舉與上述導電性氧化物相同之材料。再者，第2靶52之材料包括導電性氧化物之燒結體。但，於該等導電性氧化物中尚未混入原子序數大於氬之稀有氣體及氬。第2靶52構成為施加電力。
於成膜輥40之相對於第2靶52之相反側配置有磁體(未圖示)。第2靶52表面上之水平磁場強度例如為10 mT以上，較佳為60 mT以上，又，例如為300 mT以下。藉由配置磁體而使第2靶52表面上之水平磁場強度為上述範圍，從而可對後述之第2非晶質導電膜82(第2區域5)中所含有之氬的含量進行調整。
第2氣體供給機62構成為將第2濺鍍氣體供給至第2成膜室42中。作為第2濺鍍氣體，例如可例舉：氬、或者例如包含氬及氧等反應性氣體之第2混合氣體等。較佳為例舉第2混合氣體。第2濺鍍氣體只要係第2混合氣體，則第2氣體供給機62包含氬供給機65、及第2氧氣供給機66，自各氣體供給機向第2成膜室42供給氬、及氧。
捲取部37具備：捲取輥39、及捲取側泵34之排出口。
[透光性導電膜之製造] 要想使用該濺鍍裝置30而使透光性導電層1成膜於樹脂層11上，首先，將樹脂層11架設於捲出輥38、成膜輥40及捲取輥39上。
一面驅動第1泵71，一面將濺鍍氣體自第1氣體供給機61供給至第1成膜室41。原子序數大於氬之稀有氣體之壓力(濺鍍氣體若為第1混合氣體，則係原子序數大於氬之稀有氣體之分壓)例如為0.01 Pa以上，較佳為0.05 Pa以上，又，例如為0.8 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下，更佳為0.2 Pa以下。
一面驅動第2泵72，一面將濺鍍氣體自第2氣體供給機62供給至第2成膜室42。氬之壓力(濺鍍氣體若為第2混合氣體，則係氬之分壓)例如為0.02 Pa以上，較佳為0.1 Pa以上，又，例如為1 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下。
又，驅動冷卻裝置，使成膜輥40(之表面)冷卻。成膜輥40之溫度(表面溫度)例如為20.0℃以下，較佳為10.0℃以下，更佳為0.0℃以下，又，例如為-50℃以上，較佳為-25℃以上。
繼而，藉由驅動捲出輥38及捲取輥39，從而使樹脂層11自捲出輥38捲出。樹脂層11一面與成膜輥40之表面接觸，一面依序移動至第1成膜室41與第2成膜室42。此時，樹脂層11與成膜輥40之表面接觸而冷卻。藉由使樹脂層11充分地冷卻，可抑制濺鍍時樹脂層11之熱膨脹，從而能夠獲得抗裂性優異之透光性導電層1。
於第1靶51之附近，使濺鍍氣體離子化，生成離子化氣體。繼而，使離子化氣體與第1靶51碰撞，第1靶51之靶材料被擊出成為粒子，粒子附著(堆積)於樹脂層11，從而形成第1非晶質導電膜81。此時，濺鍍氣體中所含之稀有氣體(原子序數大於氬之稀有氣體，較佳為氪)與粒子一併被納入至第1非晶質導電膜81中。被納入至第1非晶質導電膜81中之稀有氣體的量係藉由磁場強度、施加於第1靶51之電力之功率密度、及/或第1成膜室41內之壓力進行調整。又，第1非晶質導電膜81之厚度係藉由施加於第1靶51之電力之功率密度進行調節。
繼而，於第2靶52之附近，使濺鍍氣體離子化，生成離子化氣體。繼而，使離子化氣體與第2靶52碰撞，第2靶52之靶材料被擊出成為粒子，粒子附著(堆積)於第1非晶質導電膜81，從而形成第2非晶質導電膜82。此時，濺鍍氣體中所含有=之氬與與粒子一併被納入至第2非晶質導電膜82中。被納入至第2非晶質導電膜82中之稀有氣體之量係藉由磁場強度、施加於第2靶52之電力之功率密度、及/或第2成膜室42內之壓力進行調整。又，第2非晶質導電膜82之厚度係藉由施加於第2靶52之電力之功率密度進行調節。
藉此，能夠獲得具備樹脂層11、第1非晶質導電膜81、及第2非晶質導電膜82之非晶質透光性導電膜10。
第1非晶質導電膜81、及第2非晶質導電膜82分別成為第1區域4、及第2區域5。第1非晶質導電膜81、及第2非晶質導電膜82分別含有同一導電性氧化物作為主成分，因此存在無法觀察到其等之交界之情形。
藉此，如圖1所示地於樹脂層11之厚度方向之一面形成透光性導電層1(非晶質之透光性導電層1)。藉此製造具備樹脂層11及透光性導電層1之透光性導電膜10。
該透光性導電膜10(具體而言，非晶質之透光性導電膜10)之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為60%以上，較佳為70%以上，更佳為80%以上，又，例如為95%以下。
再者，根據需要對非晶質之透光性導電層1進行加熱而使透光性導電層1結晶化。作為加熱條件，加熱溫度例如為80℃以上，較佳為110℃以上，更佳為150℃以上，又，例如未達200℃，較佳為180℃以下；又，加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，更佳為30分鐘以上，進而較佳為1小時以上，又，例如為5小時以下，較佳為3小時以下。
對非晶質之透光性導電層1進行加熱之後，結晶質之透光性導電膜10之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為65%以上，較佳為80%以上，更佳為83%以上，又，例如為100%以下，較佳為95%以下。
該透光性導電膜10用於各種物品中。作為物品，例如用於觸控感測器、電磁波屏蔽、調光元件(電壓驅動型調光元件，例如PDLC((Polymer Dispersed Liquid Crystal，聚合物分散液晶)、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal，聚合物網絡液晶)、SPD(surge protection device，電湧保護裝置)等；電流驅動型調光元件，例如電致變色(EC)等)、光電轉換元件(以有機薄膜太陽電池或色素增感太陽電池為代表之太陽電池元件之電極等)、熱線控制構件(例如近紅外線反射及/或吸收構件，或者例如遠紅外線反射及/或吸收構件)、天線構件(透光性天線)、加熱器構件(透光性加熱器)、圖像顯示裝置、照明等中。
物品具備：透光性導電膜10、及與各物品對應之構件。
此類物品係藉由將透光性導電膜10、及與各物品對應之構件固定而獲得者。
具體而言，例如將透光性導電膜10中之透光性導電層1(包含具有圖案形狀之透光性導電層1)、及與各物品對應之構件經由固著功能層而固定。
作為固著功能層，例如可例舉：黏著層及接著層。
作為固著功能層，只要具有透明性，則可無特別限制地使用材料。固著功能層較佳為由樹脂所形成。作為樹脂，例如可例舉：丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯醚樹脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、天然橡膠、及合成橡膠。尤其是，要想光學透明性優異，顯示適度之潤濕性、凝聚性及接著性等黏著特性，且耐候性及耐熱性等亦優異，較佳為選擇丙烯酸樹脂作為樹脂。
形成固著功能層之樹脂中，為了抑制透光性導電層1之腐蝕及遷移，亦可添加公知之抗腐蝕劑、及抗遷移劑(例如，日本專利特開2015-022397號中所揭示之材料)。又，固著功能層(形成固著功能層之樹脂)中，為了抑制於室外使用物品時發生劣化，亦可添加公知之紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，例如可例舉：二苯甲酮化合物、苯并***化合物、水楊酸化合物、草醯苯胺化合物、氰基丙烯酸酯化合物、及三𠯤化合物。
又，透光性導電膜10中之樹脂層11、及與各物品對應之構件亦可經由固著功能層而固定。於此類情形時，透光性導電膜10中，透光性導電層1(包括具有圖案形狀之透光性導電層1)露出。因此，亦可於透光性導電層1之厚度方向之一面配置覆蓋層。
覆蓋層係對透光性導電層1進行被覆之層，其可提昇透光性導電層1之可靠性，抑制因損傷所導致之功能劣化。
覆蓋層之材料較佳為介電體。覆蓋層由樹脂及無機材料之混合物所形成。作為樹脂，可例舉固著功能層中所例示之樹脂。作為無機材料，可例舉後述之中間層之材料中所例示之材料。
又，就與上述固著功能層相同之觀點而言，上述樹脂及無機材料之混合物中亦可添加抗腐蝕劑、抗遷移劑、及紫外線吸收劑。
上述物品由於具備上述透光性導電膜10，因此可靠性優異。具體而言，由於觸控感測器、調光元件、光電轉換元件、熱線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置、加熱器構件、及照明具備上述透光性導電膜10，因此可靠性優異。
[作用效果] 並且，由於透光性導電膜10中之透光性導電層1包含導電性氧化物，該導電性氧化物含有氬、及原子序數大於氬之稀有氣體，因此抗裂性優異。
然而，藉由將非晶質之透光性導電膜10於相對低溫(例如為40℃以下，進而為30℃以下，又，例如為10℃以上)下長時間(例如，100小時以上)保管，其次於高溫(例如，130℃以上)下進行加熱，從而容易產生裂痕。又，若將非晶質之透光性導電膜10於高溫(例如，130℃以上)下進行加熱，其次於高溫高濕氣氛(例如，溫度為50℃以上100℃以下，濕度為70%RH以上，進而為90%RH以上)下經過長時間(例如，200小時以上)，則容易產生裂痕。
但是，該一實施方式中，由於透光性導電層1中混入有原子序數大於氬之稀有氣體、及氬，因此可抑制上述裂痕之生成。
此類觸控感測器、調光元件、光電轉換元件、熱線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、加熱器構件、圖像顯示裝置、及加熱器由於具備可抑制裂痕之上述透光性導電膜10，因此可靠性優異。
[變化例] 於變化例中，對於與一實施方式相同之構件及步驟，標註同一參照符號，並省略其詳細之說明。又，變化例除了特別記載以外，可起到與一實施方式相同之作用效果。進而可將一實施方式及其變化例適當組合。
於一實施方式中，混入有原子序數大於氬之稀有氣體之第1區域4包含與樹脂層11接觸之第1主面2。
但是，如圖4所示，混入有氬之第2區域5亦可包含第1主面2。第2區域5與樹脂層11接觸。
例如，如圖5A及圖5B所示，第1區域4與第2區域5亦可交替地反覆配置。具體而言，於圖5A之變化例中，朝向厚度方向一側依序配置有第1區域4、第2區域5、第1區域4、及第2區域5。於圖5B之變化例中，朝向厚度方向一側依序配置有第2區域5、第1區域4、第2區域5、及第1區域4。又，雖未圖示，但亦可於第1區域4及第2區域5朝向厚度方向一側交替地反覆配置之構成中進而配置有第1區域4。還可以於第2區域5及第1區域4朝向厚度方向一側交替地反覆配置之構成中進而配置有第2區域5。又，亦可於厚度方向上依序配置有第1區域4、第2區域5、及第1區域4。又，還可以於厚度方向上依序配置有第2區域5、第1區域4、及第2區域5。
進而，亦可如圖5C所示，不具有第1區域4及第2區域5，而是混合存在(均勻地分散)有氬、及原子序數大於氬之稀有氣體。為了形成圖5C所示之透光性導電層1，自氣體供給機向成膜室供給包含氬、及原子序數大於氬之稀有氣體此兩者的濺鍍氣體。更具體而言，自稀有氣體供給機63供給氬、及原子序數大於氬之稀有氣體之兩者。原子序數大於氬之稀有氣體之體積相對於原子序數大於氬之稀有氣體及氬氣之合計體積的比率例如為1體積%以上，較佳為10體積%以上，更佳為30體積%以上，進而較佳為60體積%以上，格外較佳為70體積%以上，最佳為80體積%以上，又，例如為99體積%以下，較佳為90體積%以下，更佳為88體積%以下。
剛進行濺鍍後之非晶質之透光性導電層1包含第3非晶質導電膜83。於第3非晶質導電膜83中混合存在(均勻地分散)有氬、及原子序數大於氬之稀有氣體。成膜後，對第3非晶質導電膜83進行加熱而使其結晶化。
於一實施方式中，透光性導電膜10中，透光性導電層1與樹脂層11之厚度方向之一面之整體接觸，雖未圖示，但亦可以透光性導電層1殘存有任意區域之方式進行圖案化。即，在樹脂層11上亦可具有不存在透光性導電層1之區域。藉由圖案化可較好地用於觸控感測器、調光元件、光電轉換元件等。
樹脂層11可進而具備另一功能層。例如，如圖1及圖4之假想線所示，可具備配置於透明基材膜13之厚度方向之另一面的抗黏連層12。當於厚度方向上積層透光性導電膜10之情形時等，抗黏連層12對彼此接觸之複數層透光性導電膜10之各表面賦予抗黏連性。
又，樹脂層11亦可於抗黏連層12與透明基材膜13之間進而具備易接著層。
又，樹脂層11還可以於透明基材膜13之一側具備包含無機層之中間層(未圖示)。中間層具有如下所述之功能：提高樹脂層11之表面硬度，調整透光性導電膜10之光學物性(具體而言，折射率)，或使透光性導電層1自樹脂層11所受到之應力於中間地點緩和。中間層可相對於透明基材膜13、功能層14、及抗黏連層12而言位於相對於透光性導電膜10之厚度方向一側之任意位置，亦可具備複數層。例如，樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、功能層14、及中間層。又，樹脂層11中，例如朝向厚度方向一側依序具備中間層、抗黏連層12、透明基材膜13、及功能層14。中間層較佳為無機介電體，其表面電阻值例如為1×106 Ω/□以上，較佳為1×108 Ω/□以上。中間層之材料包含如下所述之組成，該組成含有：無機氧化物，例如氧化矽、氧化鈦、氧化鈮、氧化鋁、二氧化鋯、氧化鈣等；或氟化物，例如氟化鎂等。再者，無機功能層之組成可為化學計量組成，亦可並非化學計量組成。
功能層14亦可為光學調整層(未圖示)。該變化例之樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及光學調整層。光學調整層係抑制由透光性導電層1所形成之圖案之觀認，調整透光性導電膜10之光學物性(具體而言，折射率)的層。
功能層14亦可為剝離功能層(未圖示)。該變化例之樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及剝離功能層。剝離功能層係容易自透明基材膜13剝離之層(易剝離層)。樹脂層11只要具備剝離功能層，則可自透明基材膜13剝離透光性導電層1。被剝離之透光性導電層1例如可藉由轉印及貼合於構成觸控感測器之另一構件而使用。
功能層14亦可為易接著層(未圖示)。該變化例之樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、及易接著層。易接著層提昇透明基材膜13與透光性導電層1之密接性。
功能層14亦可為複層。即，功能層14可任意地包含選自由硬塗層、光學調整層、剝離功能層及易接著層所組成之群中2種以上之層。詳細而言，樹脂層11中，朝向厚度方向一側亦可依序具備透明基材膜13、易接著層、硬塗層、及光學調整層，又，樹脂層11中，朝向厚度方向一側還可依序具備透明基材膜13、剝離功能層、硬塗層及/或光學調整層。
於樹脂層11中，朝向厚度方向一側依序具備透明基材膜13、剝離功能層、硬塗層及/或光學調整層之情形時，自透光性導電膜10可剝離具備硬塗層及/或光學調整層、以及透光性導電層1之積層體。
如圖7A及圖7B所示，樹脂層11可僅具備功能層14及透明基材膜13之中之任一者。圖7A及圖7B中描繪出包含透光性導電層之積層體之另一例。
例如，如圖7A所示，該透光性導電層積層體20中，樹脂層11可不具備透明基材膜13，而是僅由功能層14所組成。透光性導電層積層體20不具有膜形狀，且於厚度方向上依序有樹脂層11(硬塗層及/或光學調整層)、及透光性導電層1。
另一方面，如圖7B所示，透光性導電膜10具有膜形狀。樹脂層11亦可不具備功能層14，而是僅由透明基材膜13所組成。即，透光性導電膜10中，於厚度方向上依序具有透明基材膜13、及透光性導電層1。
又，樹脂層11中，包含玻璃之透明基材(未圖示)亦可設置於功能層14上。即，雖未圖示，但於透光性導電膜10中，於厚度方向上可依序具備透光性導電層1、透明基材膜13、及玻璃基板。此時，固著功能層介置於玻璃基板與透明基材膜13之間。即，透光性導電膜10中，於厚度方向上可依序具備透光性導電層1、透明基材膜13、固著功能層(較佳為黏著層)、及玻璃基板。
一實施方式中，作為透光性導電膜10中透光性導電層1之合適的數量，例示為1，且雖未圖示，但亦可例如為2。該變化例中，2層透光性導電層1分別配置於樹脂層11之厚度方向之各兩側。即，該變化例中，相對於1層樹脂層11，透光性導電層1之數量較佳為2。 [實施例]
以下，示出實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替為上述之「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。又，以下之記載中，只要無特別說明，則「份」及「%」係質量基準。
實施例1 於包含長條PET膜(東麗公司製造，厚度50 μm)之透明基材膜13之厚度方向之一面塗佈含有丙烯酸樹脂之紫外線硬化性硬塗組成物，對其進行紫外線照射而使其硬化，從而形成作為厚度2 μm之功能層14之一例的硬塗層。藉此準備具備透明基材膜13、及硬塗層之樹脂層11。
其次，將樹脂層11設置於濺鍍裝置30中。繼而，於濺鍍裝置30中，驅動捲出側泵33、捲取側泵34、第1泵71、及第2泵72，使極限真空度為0.9×10-4 Pa，對樹脂層11實施脫氣處理。又，使成膜輥40之溫度為-8℃。濺鍍裝置30中，第1靶51與第2靶之材料均為氧化銦與氧化錫之燒結體。燒結體中，氧化錫之含量相對於氧化銦與氧化錫之合計含量的比率為10質量%。燒結體中，錫原子數相對於銦原子數之比率(錫原子數/銦原子數)為0.102。
其後，使樹脂層11沿著成膜輥40自捲出部35朝向捲取部37搬送。
第1成膜室41中，一面驅動第1泵71，一面自稀有氣體供給機63供給氪，自第1氧氣供給機64供給氧。藉由使第1成膜室41之壓力為0.2 Pa而對第1靶51實施濺鍍(電源：DC(Direct Current，直流)，第1靶上之水平磁場強度：90 mT)，從而形成厚度66 nm之第1非晶質導電膜81(第1區域4)。
第2成膜室42中，一面驅動第2泵72，一面自氬供給機65供給氬，自第2氧氣供給機66供給氧。藉由使第2成膜室42之壓力為0.4 Pa而對第2靶52實施濺鍍(電源：DC，第2靶上之水平磁場強度：90 mT)，從而形成厚度64 nm之第2非晶質導電膜82(第2區域5)。
再者，自第1氧氣供給機64及第2氧氣供給機66之氧導入量如圖6所示，以處於表面電阻-氧導入量曲線之第1區域X、且非晶質之透光性導電層1之表面電阻變為50 Ω/□之方式進行調整。此時，氧氣相對於氪氣與氧氣之合計導入量的比率約為2.5流量%。氧氣相對於氬氣與氧氣之合計導入量的比率約為1.5流量%。
藉此，如圖1所示地於樹脂層11之厚度方向一側依序形成第1非晶質導電膜81、及第2非晶質導電膜82。
藉此，獲得具備樹脂層11、及非晶質之透光性導電層1之透光性導電膜10。
實施例2 向第1成膜室41供給第2混合氣體(含有Ar、O2 )，使第1成膜室41之壓力為0.4 Pa而濺鍍形成厚度42 nm之第2非晶質導電膜82(第2區域5)之後，向第2成膜室42供給第1混合氣體(含有Kr、O2 )，使第2成膜室42之壓力為0.2 Pa而濺鍍形成厚度75 nm之第1非晶質導電膜81(第1區域4)，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。實施例2之透光性導電膜10對應於圖4所示之透光性導電膜10。
實施例3 對第1靶51及第2靶52之功率密度進行調節而使第1非晶質導電膜81(第1區域4)之厚度與第2非晶質導電膜82(第2區域5)之厚度變為如表1中所記載那樣，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。
實施例4～實施例5 將自第1氧氣供給機64及第2氧氣供給機66之氧導入量，以處於圖6所示之表面電阻-氧導入量曲線之區域X、且非晶質之透光性導電層1之表面電阻變為65 Ω/□之方式進行調整，並對第1靶51及第2靶52之功率密度進行調節而使第1非晶質導電膜81(第1區域4)之厚度與第2非晶質導電膜82(第2區域5)之厚度變為如表1中所記載那樣，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。
實施例6 藉由自稀有氣體供給機63供給氪及氬之混合氣體(氪85體積%、氬15體積%)，自第1氧氣供給機64供給氧，並將第1氧氣供給機64之氧導入量以處於圖6所示之表面電阻-氧導入量曲線之第1區域X、且非晶質之透光性導電層1之表面電阻變為39 Ω/□(氧氣相對於氪氣與氧氣之合計導入量的比率約為2.6流量%)之方式進行調整，且對第1靶51之功率密度進行調節，從而於第1成膜室41中形成厚度148 nm之第3非晶質導電膜83，且於第2成膜室42中未形成第2非晶質導電膜82(第2區域5)，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。實施例6之透光性導電膜10對應於圖5C所示之透光性導電膜10。
比較例1 分別向第1成膜室41及第2成膜室42供給第2混合氣體(含有Ar、O2 )，使第1成膜室41及第2成膜室42之壓力變更為0.4 Pa，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。
比較例2 分別向第1成膜室41及第2成膜室42供給第1混合氣體(含有Kr、O2 )，使第1成膜室41及第2成膜室42之壓力變更為0.2 Pa，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。
比較例3 分別向第1成膜室41及第2成膜室42供給第1混合氣體(含有Kr、O2 )，使第1成膜室41及第2成膜室42之壓力變更為0.2 Pa，並對第1靶51及第2靶52之功率密度進行調節而使第1非晶質導電膜81(第1區域4)之厚度變為如表1中所記載那樣，除此以外，與實施例4同樣地進行操作，獲得透光性導電膜10。
[評價] 針對各實施例及比較例之透光性導電膜10，對下述事項進行了評價。將其結果記載於表1。
[厚度] [透光性導電層之厚度] 藉由FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)微採樣法，製作各實施例及比較例之透光性導電層1之剖面觀察用樣品，其後，藉由FE-TEM(Field Emission Transmission Electron Microscope，場發射透射電子顯微鏡)觀察(剖面觀察)，測定剖面觀察用樣品中透光性導電層1之厚度。裝置及測定條件之詳情如下所述。
FIB微採樣法 FIB裝置：Hitachi製造之FB2200 加速電壓：10 kV
FE-TEM觀察 FE-TEM裝置：JEOL製造之JEM-2800 加速電壓：200 kV
[實施例1及3～5之第1非晶質導電膜之厚度、及第2非晶質導電膜之厚度] 實施例1及3～5中，採集剛形成第1非晶質導電膜81且還未形成第2非晶質導電膜82之樣品，並藉由FE-TEM觀察(剖面觀察)求出樣品之第1非晶質導電膜81(第1區域4)之厚度。
繼而，根據下述式求出實施例1及3～5之第2非晶質導電膜82(第2區域5)之厚度。
第2非晶質導電膜82之厚度＝透光性導電層1之厚度－第1非晶質導電膜81之厚度
[實施例2之第1非晶質導電膜之厚度、及第2非晶質導電膜之厚度] 實施例2中，採集剛形成第2非晶質導電膜82且還未形成第1非晶質導電膜81之樣品，並藉由FE-TEM觀察(剖面觀察)求出樣品之第2非晶質導電膜82(第2區域5)之厚度。
繼而，根據下述式求出實施例2之第1非晶質導電膜81(第1區域4)之厚度。
第1非晶質導電膜81之厚度＝透光性導電層1之厚度－第2非晶質導電膜82之厚度
[實施例6之第3非晶質導電膜之厚度] 實施例6中，藉由FE-TEM觀察(剖面觀察)求出剛實施濺鍍後之第3非晶質導電膜83之厚度。
[Kr之鑑定(判斷是否存在)) 使用掃描式螢光X射線分析裝置(Rigaku公司製造，ZSX PrimusIV)，確認透光性導電層1內是否混入有Kr。具體而言，於以下之條件下反覆進行5次測定而算出各掃描角度之平均值，作成X射線光譜。確認在所作成之X射線光譜之28.2°附近出現峰值，從而特定出Kr。其結果，於實施例1～6及比較例2、3中確認混入Kr。另一方面，於比較例1中未確認混入Kr。
＜測定條件＞ 光譜：Kr-KA 測定直徑：30 mm 氣氛：真空 靶：Rh 管電壓：50 kV 管電流：60 mA 一階濾波器：Ni40 掃描角度(deg)：27.0-29.5 步進(deg)：0.020 速度(Deg/min)：0.75 衰減器：1/1 狹縫：S2 分光晶體：LiF(200) 檢測器：SC PHA：100-300
[Kr及Ar之鑑定(定量)] 藉由拉塞福背向散射譜法(RBS，Rutherford Backscattering Spectrometry)對實施例1～6及比較例1～3之透光性導電層1內所含有之Kr及Ar原子之含量進行分析。對於作為檢測元素之In＋Sn(於拉塞福背向散射譜法中，難以分別測定In與Sn，因此以2元素之和進行評價)、O、Ar、Kr之5元素，藉由求出元素比率，從而求得透光性導電層1中Kr原子及Ar原子之含量(原子%)。具體之使用裝置及測定條件如下所述。將Kr含量(原子%)、Ar含量(原子%)、及稀有氣體(Kr＋Ar)含量(原子%)作為分析結果示於表1中。
關於Kr含量之分析，於實施例1～6及比較例2～3中，無法獲得檢測極限值(下限值)以上之確切的測定值(檢測極限值可因受測定之透光性導電層1之厚度而有所不同)。因此，於表1中，關於透光性導電層1之Kr含量，由於顯示低於透光性導電層1之厚度中之檢測極限值，因此記為「＜受測定之透光性導電層1之厚度中之具體檢測極限值」(關於稀有氣體(Kr＋Ar)含量之記法亦同樣如此)。
再者，於比較例1中，根據上述使用掃描式螢光X射線分析裝置所進行之Kr之定量分析，並未確認混入Kr，因此在表1中未記有實施例1～6及比較例2～3中所記載之「＜受測定之透光性導電層1之厚度中之具體檢測極限值」。
＜使用裝置＞ Pelletron 3SDH(National Electrostatics Corporation製造)
＜測定條件＞ 入射離子：4He++ 入射能量：2300 keV 入射角：0 deg 散射角：160 deg 試樣電流：6 nA 束斑直徑：2 mm
Figure 02_image003
面內旋轉：無 照射量：75 μC
[抗裂性(A)] 將透光性導電膜10於24℃環境下保管170小時。其後，準備3張切成5 cm×50 cm之尺寸之透光性導電膜10，於175℃之熱風烘箱中加熱1小時。藉此，使透光性導電膜10中之透光性導電層1結晶化。其後，將透光性導電膜10以5 cm×10 cm之尺寸分成15個區塊，藉由目視對各區塊之透光性導電層1之表面進行觀察，並根據以下之基準對裂痕之水準進行評價。
＜基準＞ 〇：觀察到裂痕之區塊為0個以上、6個以下。 △：觀察到裂痕之區塊為7個以上、12個以下。 ×：觀察到裂痕之區塊為13個以上。
[抗裂性(B)] 準備3張切成5 cm×50 cm之尺寸之透光性導電膜10，於165℃之熱風烘箱中加熱1小時。藉此，使透光性導電膜10中之透光性導電層1結晶化。其後，使透光性導電膜10暴露於60℃、95%RH之濕熱環境下240小時之後，以5 cm×10 cm之尺寸分成15個區塊，藉由目視對各區塊之透光性導電層1之表面進行觀察，並根據以下之基準對裂痕之水準進行評價。 ＜基準＞ 〇：觀察到裂痕之區塊為0個以上、6個以下。 △：觀察到裂痕之區塊為7個以上、12個以下。 ×：觀察到裂痕之區塊為13個以上。
[表1]
表1
   透光性導電層 裂痕評價
第1非晶質導電膜(含有Kr) 第2非晶質導電膜(含有Ar) 第3非晶質導電膜(含有Kr、Ar) 層構成 總厚度(nm) 透光性導電層之厚度中第1區域之厚度之比R1 透光性導電層之厚度中第2區域之厚度之比R2 Kr含量 (原子%) Ar含量 (原子%) Kr＋Ar含量(原子%) 於24℃下保管170小時後於175℃下加熱1小時之後之抗裂性(A) 於60℃、95%RH下保管240小時後之抗裂性(B)
厚度 (nm) 厚度 (nm) 厚度 (nm)
實施例1 66 64 - 圖1、圖2 130 0.51 0.49 ＜0.18 0.14 ＜0.32 〇 〇
實施例2 75 42 - 圖4 117 0.64 0.36 ＜0.17 0.14 ＜0.31 〇 〇
實施例3 12 118 - 圖1、圖2 130 0.09 0.91 ＜0.18 0.14 ＜0.32 〇 〇
實施例4 85 15 - 圖1、圖2 100 0.85 0.15 ＜0.16 0.14 ＜0.30 〇 〇
實施例5 96 4 - 圖1、圖2 100 0.96 0.04 ＜0.16 0.14 ＜0.30 △ 〇
實施例6 - - 148 圖5C 148 - - ＜0.18 0.05 ＜0.23 〇 〇
比較例1 - 130 - - 130 - 1.0 - 0.14 0.14 〇 ×
比較例2 130 - - - 130 1.0 - ＜0.18 - ＜0.18 × 〇
比較例3 100 - - - 100 1.0 - ＜0.18 - ＜0.18 × 〇
再者，上述發明雖然以本發明所例示之實施方式之方式提供，但其僅為單純之例示，並不可限定性地解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於後述之發明申請專利範圍內。 [產業上之可利用性]
本發明之透光性導電層積層體例如用於觸控感測器、調光元件、光電轉換元件、熱線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置、加熱器構件、及照明。
1:透光性導電層 2:第1主面 3:第2主面 4:第1區域 5:第2區域 10:透光性導電膜(透光性導電層積層體) 11:樹脂層 12:抗黏連層 13:透明基材膜 14:功能層 20:透光性導電層積層體 30:濺鍍裝置 33:捲出側泵 34:捲取側泵 35:捲出部 36:濺鍍部 37:捲取部 38:捲出輥 39:捲取輥 40:成膜輥 41:第1成膜室 42:第2成膜室 51:第1靶 52:第2靶 61:第1氣體供給機 62:第2氣體供給機 63:稀有氣體供給機 64:第1氧氣供給機 65:氬供給機 66:第2氧氣供給機 71:第1泵 72:第2泵 81:第1非晶質導電膜 82:第2非晶質導電膜
圖1係作為本發明之透光性導電層積層體之一實施方式的透光性導電膜之剖視圖。 圖2係圖1所示之透光性導電層之放大剖視圖。 圖3係用於製造圖1所示之透光性導電膜之濺鍍裝置的概略圖。 圖4係圖1所示之透光性導電膜之變化例的剖視圖。 圖5A～圖5C係圖2所示之透光性導電層之變化例的放大剖視圖，圖5A及圖5B係第1區域與第2區域交替地配置之變化例，圖5C係氬與原子序數大於氬之稀有氣體混合存在的變化例。 圖6係表示當濺鍍形成非晶質之透光性導電層時所導入之氧之量、與非晶質之透光性導電層之表面電阻的關係之曲線圖。 圖7A～圖7B係本發明之透光性導電層積層體之另一例的剖視圖，圖7A係透光性導電層積層於功能層上之形態，圖7B係透光性導電層積層於透明基材膜上之形態。
1:透光性導電層
2:第1主面
3:第2主面
4:第1區域
5:第2區域
10:透光性導電膜(透光性導電層積層體)
11:樹脂層
12:抗黏連層
13:透明基材膜
14:功能層
81:第1非晶質導電膜
82:第2非晶質導電膜

Claims (5)

  1. 一種透光性導電層積層體，其特徵在於：於厚度方向上依序具備樹脂層、及透光性導電層， 上述透光性導電層具有第1主面、及於上述第1主面之厚度方向一側隔開間隔地對向配置之第2主面，且具有於與上述厚度方向正交之面方向上延伸之單一層， 上述第1主面及上述第2主面中之任一者與上述樹脂層接觸， 上述透光性導電層包含導電性氧化物， 上述導電性氧化物含有氬、及原子序數大於上述氬之稀有氣體。
  2. 如請求項1之透光性導電層積層體，其於厚度方向上依序具有含有上述稀有氣體之第1區域、及含有上述氬之第2區域。
  3. 如請求項1或2之透光性導電層積層體，其中上述稀有氣體係氪。
  4. 如請求項1或2之透光性導電層積層體，其中上述導電性氧化物進而含有銦及錫。
  5. 如請求項1或2之透光性導電層積層體，其中上述樹脂層與上述透光性導電層之上述第1主面接觸。
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