TW202139251A

TW202139251A - 使用變壓器達成基板處理均勻性的系統及方法

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Publication number: TW202139251A
Application number: TW109142736A
Authority: TW
Inventors: 蘇尼爾卡普爾; 丹馬霍爾; 迅彭
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2019-12-05
Filing date: 2020-12-04
Publication date: 2021-10-16
Also published as: JP2023504439A; CN114762078A; US20230009651A1; KR20220111316A; WO2021113111A1

Abstract

對使用變壓器以在基板處理中達成均勻性的系統及方法進行描述。其中一系統包括具有第一端部及第二端部的主繞組。該第一端部係耦接至阻抗匹配電路的輸出部，而該第二端部係耦接至電容器。該系統更包括次繞組，與該主繞組相關聯，且耦接至電漿腔室的變壓器耦合電漿（TCP）線圈之第一端部及第二端部。該主繞組從該阻抗匹配電路接收經修正射頻（RF）信號而產生磁通量，以在該次繞組中感應一電壓。由該電壓所產生的RF信號係從該次繞組傳送至該TCP線圈。

Description

使用變壓器達成基板處理均勻性的系統及方法

本揭露中所描述的實施例係關於使用變壓器以達成基板處理均勻性的系統及方法。

此處所提供之先前技術描述係為了一般性呈現本揭露之背景的目的。本案列名發明人的工作成果、至此先前技術段落的所述範圍、以及申請時可能不適格作為先前技術的實施態樣，均不明示或暗示承認為對抗本揭露內容的先前技術。

在電漿工具中，一或更多射頻（RF）產生器係耦接至阻抗匹配網路。該阻抗匹配網路係耦接至電漿腔室。複數RF信號從該等RF產生器供應至該阻抗匹配網路。該阻抗匹配網路在接收該等RF信號後輸出一RF信號。該RF信號係從該阻抗匹配電路供應至該電漿腔室，以用於處理該電漿腔室中的晶圓。

由於在該電漿工具中所採用的各種結構，使得處理該晶圓及額外晶圓的效率更加低下。舉例來說，複數晶圓並未在一致的方式下進行處理。另外，各晶圓各處的處理速率之均勻性下降。

此為本揭露中所述實施例所形成的背景。

本揭露的實施例提供使用變壓器以在基板處理中達成均勻性的設備、系統、方法、及電腦軟體。應當理解的是，所呈現的實施例可實施於各種方式，例如處理、設備、系統、硬體的其中一部、或是用於電腦可讀媒體的方法。數種實施例係描述於下。

處理基板所用的處理速率，如蝕刻速率或沉積速率，係以各種方式加以提升。舉例來說，提高由射頻（RF）產生器所供應的RF功率係使處理速率提升。做為另一示例，對於相同的功率層級，電壓與電流的比率係決定處理速率的重要因素。電壓對電流的比率可透過插置串聯電容器、或透過使用交錯的雙重線圈天線系統而加以修改。在本文中，有時係將串聯電容器稱作線圈終端電容器。串聯電容器的端部係與單一天線線圈以串聯耦接，而串聯電容器的另一端部係接地的。

然而，該串聯電容器會形成共振、或類似共振的情況，而產生橫跨該單一天線線圈的高電壓。此高電壓會減低基板處理中的均勻性。另外，當串聯電容器的端部接地時，在橫跨該線圈天線的電壓中存在著大的降幅。這種大的降幅會使橫跨該線圈天線的電壓偏向（tilt）而減低均勻性。

在交錯雙重線圈天線系統的例子中，係插置複數串聯電容器。各串聯電容器係與該交錯雙重線圈天線系統的各自天線線圈以串聯連接。同樣地，由於所述串聯電容器，在交錯雙重線圈天線系統的例子中係存在上述的相同問題。

在一實施例中，經變壓器耦合的感應耦合電漿（ICP）系統係用以增加處理速率，以及用以顯著地提高均勻性。變壓器係用於改變給定功率量的電壓對電流比率。電壓對電流的比率係利用主繞組與次繞組之比率的變化而加以改變。主繞組與次繞組的比率係如下的比率：變壓器之主繞組中的匝數對該變壓器之次繞組中的匝數。透過改變主繞組與次繞組的比率，係改變電壓對電流的比率並且使均勻性提高。所述變壓器可用於單一、或是交錯雙重天線線圈兩者。

在實施例中，係描述有效率地在高頻率下運作的變壓器。

在實施例中，係描述使用變壓器以在基板處理中達成均勻性的系統。該系統包括具有第一端部及第二端部的主繞組。該第一端部係耦接至阻抗匹配電路的輸出部，而該第二端部係耦接至電容器。該系統更包括與該主繞組相關聯的次繞組，且該次繞組係耦接至電漿腔室的變壓器耦合電漿（TCP）線圈之第一端部及第二端部。該主繞組從該阻抗匹配電路接收經修正RF信號而產生磁通量，以在該次繞組中感應一電壓。由該電壓所產生的RF信號係從該次繞組傳送至該TCP線圈。

在一實施例中，係描述變壓器設備。該變壓器設備包括具有第一端部及第二端部的主繞組。該第一端部係耦接至阻抗匹配電路的輸出部，而該第二端部係耦接至電容器。該變壓器設備更包括與該主繞組相關聯的第一次繞組，且該第一次繞組係耦接至電漿腔室的第一TCP線圈之第一端部及第二端部。該主繞組係從該阻抗匹配電路接收經修正RF信號而產生磁通量，以在該第一次繞組中感應一電壓。在該第一次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係經由該第一次繞組傳送至該第一TCP線圈。該變壓器設備包括與該主繞組相關聯的第二次繞組，且該第二次繞組係耦接至電漿腔室的第二TCP線圈之第一端部及第二端部。磁場係配置以在該第二次繞組中感應一電壓。在該第二次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係從該第二次繞組傳送至該第二TCP線圈。

在一實施例中，係描述方法。該方法包括藉由變壓器的主繞組以從阻抗匹配電路的輸出部接收經修正RF信號。該主繞組係耦接至電容器。在接收該經修正RF信號之後，該方法包括藉由該主繞組產生磁通量以感應橫跨該變壓器之次繞組的一電壓。該方法包括將該電壓所產生的RF信號從該次繞組傳送至電漿腔室的TCP線圈。

本文所述系統及方法的一些優點係包括將線圈終端電容器移除。如上所述，線圈終端電容器會降低整個基板表面上之處理速率的均勻性。透過移除線圈終端電容器，係提高處理速率的均勻性。

本文所述系統及方法的額外優點包括減低在天線線圈的端點之間的電壓偏差。該電壓偏差可能會引起整個基板表面上之處理速率的偏向。透過將變壓器在其端點的各者處連接至可變電容器以控制橫跨該變壓器的電壓，而藉此減低該電壓偏差。另外，該電壓偏差係藉由改變主繞組與次繞組的比率而減低。該次繞組係以串聯耦接至該天線線圈。改變主繞組與次繞組的比率係改變橫跨該天線線圈的電壓，以減低在天線線圈的端點之間的電壓偏差。減低電壓偏差會提高橫跨基板半徑的基板處理均勻性。

當次繞組與該天線線圈以串聯耦接，且無其他構件耦接至該次繞組或該天線線圈時，橫跨該天線線圈的電壓係與橫跨該次繞組的電壓相同。透過改變主繞組與次繞組的比率、或透過將可變電容器耦接至該主繞組，可藉此控制該天線線圈之兩端部處的電壓。可將天線線圈之該等端部處的電壓控制為大約相同、或是相同。舉例來說，可將天線線圈之該等端部處的電壓控制在相同電壓的預定範圍內。這種大約相同、或相同的電壓提升基板處理中的均勻性。

本文所述系統及方法的進一步優點包括在對天線線圈及基座均施加相同RF頻率時，消除或減輕電漿拍頻（beat frequency）的問題。該拍頻會非期望地調整電漿腔室內的電漿。該變壓器係作為孤立變壓器以消除或減輕電漿拍頻的問題。

透過下方的實施方式結合隨附圖式，其他態樣將係顯而易知的。

下列實施例係描述使用變壓器以達成基板處理均勻性的系統及方法。將為顯而易知的是，所呈現的實施例可在不具一些或所有這些特定細節的情況下實施。在其他實例中，並未詳細描述習知的處理操作，以免不必要地模糊所呈現的實施例。

圖1A係系統100之實施例的圖式，以說明變壓器耦合電漿（TCP）腔室118之內部線圈所用的基於變壓器系統（TBS）102之使用。在本文中，TBS有時係稱為變壓器設備。該系統100包括主電腦、射頻產生器（RFG）、阻抗匹配電路（IMC）110、驅動器1、馬達1、驅動器2、馬達2、連接機構160、及連接機構162。該系統100更包括TBS 102及電漿腔室118。該系統100還包括可變電容器108及另一可變電容器128。

主電腦的示例包括桌上型電腦、膝上型電腦、控制器、平板電腦、及智慧型手機。舉例說明，該主電腦包括處理器及記憶裝置，且該處理器係耦接至該記憶裝置。該處理器的示例包括微處理器、特定應用積體電路（ASIC）、可編程邏輯裝置（PLD）、微控制器、及中央處理單元（CPU）。該記憶裝置的示例包括唯讀記憶體（ROM）、隨機存取記憶體（RAM）、快閃記憶體、儲存磁碟陣列、硬碟等。

該RF產生器具有操作頻率。舉例來說，該RF產生器係400千赫（kHz）、或2兆赫（MHz）、或27 MHz、或60 MHz的RF產生器。舉例說明，該RF產生器包括如RF振盪器的RF電源，其係進行振盪以產生具有如2 MHz或27 MHz之頻率的RF信號。該RF振盪器係在如2 MHz或27 MHz的操作頻率下進行操作，以產生該RF信號。

阻抗匹配電路110的示例包括一或更多串聯電路及一或更多分流電路的網絡，其中所述串聯電路及分流電路係彼此耦接以促進將接收自該RF產生器的該RF信號進行轉換而輸出經修正RF信號。串聯電路的示例包括電容器、電感器、及電阻器。類似地，分流電路的示例包括電容器、電感器、及電阻器。

如本文中所使用之馬達的示例包括電動馬達。電動馬達的示例包括交流電（AC）馬達及直流電（DC）馬達。舉例來說，該電動馬達包括靜子及轉子，且該轉子係相對於該靜子而轉動。電動馬達係一電性機械，其將電能轉化為機械能，並且操作以藉由該電動馬達之磁場與該靜子之導線繞組中的電流之間的交互作用，而產生軸部轉動形式的力，其中該軸部係附接至該轉子。

如本文中所使用之驅動器的示例包括一或更多電晶體，其係彼此耦接以在對該一或更多電晶體的輸入部施加電壓時輸出電流信號。

如本文中所使用之連接機構的示例包括一或更多軸部。連接機構的另一示例包括經由一或更多齒輪而彼此耦接的複數軸部。

TBS 102包括變壓器104，其具有主繞組104A及次繞組104B。如本文中所使用之變壓器的示例包括用於低頻率應用的鐵氧體核心變壓器。舉例來說，當該RF產生器具有小於1 MHz的操作頻率時，該變壓器為鐵氧體核心變壓器。作為另一示例，該變壓器為如下所述的絞線（twisted-wire）變壓器。該絞線變壓器係用於高頻率應用。舉例來說，當該RF產生器具有大於1 MHz的操作頻率時，係使用該絞線變壓器。該TBS 102更包括電容器112，其為固定電容器。

另外，該電漿腔室118包括TCP線圈系統（TCS）150、線圈終端電容器157、及另一線圈終端電容器159。該TCP線圈系統150包括TCP線圈116、及複數TCP線圈152及154。

該TCP線圈116係內部TCP線圈，而該等TCP線圈152及154係外部TCP線圈。舉例來說，該內部TCP線圈的直徑係小於所述外部TCP線圈之任何者的直徑。作為另一示例，所述外部TCP線圈係圍繞著該內部TCP線圈。所述外部TCP線圈可在與該內部TCP線圈相同的水平層面處、或是與該內部TCP線圈不相同的水平層面處圍繞著該內部TCP線圈。

RF傳輸線158包括一或更多RF桿，且各RF桿係被RF通道所圍繞。作為示例，該RF傳輸線158包括複數RF桿，且該等RF桿的任二者係經由RF條帶而彼此耦接。在各RF桿與圍繞著該RF桿的相應RF通道之間係提供絕緣材料，使該RF桿與該RF通道絕緣。

該主電腦係耦接至該RF產生器的輸入部I1、該驅動器1、及該驅動器2。舉例來說，該主電腦係經由該輸入部I1及數據傳輸纜線而耦接至該RF產生器的數位信號處理器（DSP）。該RF產生器包括該DSP及該RF振盪器，且該DSP係耦接至該RF振盪器。傳輸纜線的示例包括在該DSP與該RF產生器之間以串聯方式傳輸數據的串聯傳輸纜線、以並聯方式傳輸數據的並聯傳輸纜線、以及通用串列匯流排（USB）纜線。

該RF產生器的輸出部O1係耦接至IMC 110的輸入部I2。舉例來說，該RF振盪器的該輸出部O1係經由RF纜線156而耦接至該IMC 110的該輸入部I2。該IMC 110的輸出部O2係經由RF傳輸線158的部分PRTN1而耦接至該可變電容器108，以及經由該RF傳輸線158的另一部分PRTN2而耦接至該可變電容器128。舉例來說，該可變電容器108係耦接至該RF傳輸線158的該RF桿上的點P1，而該可變電容器128係耦接至該RF傳輸線158的該RF桿上的點P2。

該可變電容器108係經由該連接機構160而耦接至該馬達1，而該馬達1係耦接至該驅動器1。該可變電容器108的端部係在該點P1處耦接至該RF傳輸線158的該部分PRTN1，而該可變電容器108的相對端部係耦接至主繞組104A的端部106A。該主繞組104A的相對端部106B係耦接至該電容器112的端部。該電容器112的相對端部係與處於接地電位（例如，零電位）的接地連接部耦接。

該次繞組104B的端部係耦接至該TCP線圈116的端部114A，而該次繞組104B的相對端部係耦接至該TCP線圈116的相對端部114B。該TCP線圈116及該次繞組104B係彼此以串聯耦接。舉例來說，與該端部114A耦接的該次繞組104B之端部係具有與該端部114A相同的電位。同樣地，與該端部114B耦接的該次繞組104B之相對端部係具有與該端部114B相同的電位。作為另一示例，橫跨該次繞組104B之該等端部的電壓係與橫跨該TCP線圈116之該等端部114A及114B的電壓相同。應注意的是，此處並無與該TCP線圈116串聯耦接的線圈終端電容器。舉例來說，該線圈終端電容器並未耦接至該TCP線圈116的該端部114B。

該可變電容器128係經由該連接機構162而耦接至該馬達2，其中該馬達2係與該驅動器2耦接。該可變電容器128的端部係在該點P2處耦接至該RF傳輸線158的該部分PRTN2，而該可變電容器128的相對端部係經由點P3而耦接至該等TCP線圈152及154的端部。該TCP線圈152的相對端部係耦接至該線圈終端電容器157的端部，而該TCP線圈154的相對端部係耦接至該線圈終端電容器159的端部。該等線圈終端電容器157及159的相對端部係耦接至該接地連接部。

為操作該電漿系統100，該主電腦產生控制信號並經由該輸入部I1以將該控制信號傳送至該RF產生器。在接收該控制信號之後，該RF產生器的該DSP即控制該RF振盪器而產生RF信號164。該RF信號164係經由該RF產生器的輸出部O1、該RF纜線156、及該IMC 110的輸入部I2而供應至該IMC 110。該IMC 110接收該RF信號164且改變該RF信號164的阻抗，以在該IMC 110的輸出部O2處輸出經修正RF信號166。舉例來說，該IMC 110的串聯電路及分流電路改變該RF信號164的阻抗，以減低從該電漿腔室118經由該RF傳輸線158而反射朝向該RF產生器的RF功率。

該經修正RF信號166係從該IMC 110的輸出部O2經由該RF傳輸線158的部分PRTN1而傳送至該點P1，並在該點P1處分離成為部分168及另一部分170。該經修正RF信號166的該部分168係從該點P1提供至該可變電容器108，而該經修正RF信號166的該部分170係從該點P1經由該RF傳輸線158的部分PRTN2及該點P2而提供至該可變電容器128。該部分168在本文中係稱作經修正RF信號168，而該部分170在本文中係稱作經修正RF信號170。

該可變電容器128的電容改變該經修正RF信號170的阻抗，以輸出經修正RF信號172。該經修正RF信號172在點P3處分離成為經修正RF信號172A及172B。該經修正RF信號172A從該點P3提供至該TCP線圈152，而該經修正RF信號172B從該點P3提供至該TCP線圈154。

該可變電容器108的電容改變該經修正RF信號168的阻抗，以輸出經修正RF信號120。該經修正RF信號120從該可變電容器108及該主繞組104A的端部106A而傳送至該主繞組104A。該經修正RF信號120產生橫跨該主繞組104A的該等端部106A及106B的電壓，且該經修正RF信號120係從該端部106A通過該主繞組104A而到達該端部106B，以產生具有磁通量的磁場。該磁通量係在與該磁場垂直之平面的單位表面積中所通過的磁場量。

該磁場係感應橫跨該次繞組104B之該等端部的電壓。橫跨該次繞組104B之該等端部而感應的該電壓產生RF信號122（例如，RF電流信號），其係從該TCP線圈116的端部114A流動至該TCP線圈的端部114B。當除了將該RF信號122施加至該TCP線圈116、以及將該等經修正RF信號172A及172B施加至各自的TCP線圈152及154之外，還將一或更多處理氣體（如下所述）施加至該電漿腔室118時，在該電漿腔室118內係產生或維持著電漿以在該電漿腔室118內進行基板處理，如下所述。

該主繞組104A的感應對該端部106A處所接收的該經修正RF信號120的阻抗進行修正，以在該主繞組104A的該端部106B處輸出經修正RF信號174。該電容器112接收該經修正RF信號174。在接收經修正RF信號174之後，該電容器112的電容產生橫跨該電容器112之該等端部的電壓，且該電壓決定橫跨該變壓器104之該主繞組104A的該等端部106A及106B的電壓。

同樣地，在該電漿系統100的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器1。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器108的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組104A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組104B的另一電壓量。該可變電容器108的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A及該次繞組104B的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器108的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A及該次繞組104B的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器108的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器1即產生電流信號而傳送至馬達1。該馬達1係進行轉動，以經由該連接機構160而將該可變電容器108的板體相對於該可變電容器108的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組104A的電壓、及橫跨該次繞組104B的電壓。

此外，在該電漿系統100的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器2。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器128的電容。在接收該電容控制信號之後，該驅動器2即產生電流信號而傳送至馬達2。該馬達2係進行轉動，以經由該連接機構162而將該可變電容器128的板體相對於該可變電容器128的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容。

在實施例中，於該電漿系統100的操作期間並未控制該可變電容器108的電容。舉例來說，在該基板的處理期間，該可變電容器108的電容係固定的。作為另一示例，係使用固定電容器而並非該可變電容器108。同樣地，在實施例中，於該電漿系統100的操作期間並未控制該可變電容器128的電容。舉例來說，在該基板的處理期間，該可變電容器128的電容係固定的。作為另一示例，係使用固定電容器而並非該可變電容器128。

在一實施例中，該等可變電容器108及128的一或更多者並未使用於該電漿系統100中。舉例來說，該主繞組104A係耦接至該RF傳輸線158上的該點P1，而未耦接至該可變電容器108。作為另一示例，該等TCP線圈152及154係經由該等點P2及P3而耦接至該RF傳輸線158，而未耦接至該可變電容器128。

圖1B為系統180之實施例的圖式，以說明變壓器耦合電漿（TCP）腔室182之外部線圈所用的TBS 184之使用。除了該等系統180及100之間的些許差異之外，系統180的結構與功能係與該系統100（圖1A）相同。該等系統180及100之間的差異係描述於下。

該系統180包括主電腦、RF產生器、IMC 110、驅動器1、馬達1、驅動器2、馬達2、連接機構160、及連接機構162。該系統180更包括TBS 184及電漿腔室182。該系統180還包括可變電容器108及128。

該TBS 184包括變壓器124，該變壓器124具有主繞組124A及次繞組124B。該TBS 184更包括為固定電容器的電容器130。另外，該電漿腔室182包括TCP線圈系統（TCS）186、線圈終端電容器188、及另一線圈終端電容器190。該TCP線圈系統186包括複數TCP線圈116及152、及TCP線圈192。

該等TCP線圈116及192係內部TCP線圈，而該TCP線圈152係外部TCP線圈。舉例來說，該等內部TCP線圈的直徑係小於該外部TCP線圈之任何者的直徑。作為另一示例，所述外部TCP線圈係圍繞著該內部TCP線圈。所述外部TCP線圈可在與該等內部TCP線圈相同的水平層面處、或是與該等內部TCP線圈不相同的水平層面處圍繞著該等內部TCP線圈。

該可變電容器108的一端部係在該點P1處耦接至該RF傳輸線158的該部分PRTN1，而該可變電容器108的相對端部係經由點P4而耦接至該等TCP線圈192及116的端部。該TCP線圈的相對端部係耦接至該線圈終端電容器188的端部，而該TCP線圈116的相對端部係耦接至該線圈終端電容器190的端部。該等線圈終端電容器188及190的相對端部係耦接至接地連接部。

該可變電容器128的一端部係在該點P2處耦接至該RF傳輸線158的該部分PRTN2，而該可變電容器128的相對端部係耦接至該主繞組124A的端部126A。該主繞組124A的相對端部126B係耦接至該電容器130的端部。該電容器130的相對端部係耦接至該接地連接部。

該次繞組124B的端部係耦接至該TCP線圈152的端部132A，而該次繞組124B的相對端部係耦接至該TCP線圈152的相對端部132B。該TCP線圈152及該次繞組124B係彼此以串聯耦接。舉例來說，與該端部132A耦接的該次繞組124B之端部係具有與該端部132A相同的電位。同樣地，與該端部132B耦接的該次繞組124B之相對端部係具有與該端部132B相同的電位。作為另一示例，橫跨該次繞組124B之該等端部的電壓係與橫跨該TCP線圈152之該等端部132A及132B的電壓相同。應注意的是，此處並無與該TCP線圈152串聯耦接的線圈終端電容器。舉例來說，該線圈終端電容器並未耦接至該TCP線圈152的該端部132B。

在該電漿系統180的操作期間，經修正RF信號120及172係以與上方參照圖1A所描述的相同方法而產生。此外，該經修正RF信號120係在點P4處分離成為經修正RF信號194A及194B。該經修正RF信號194A係從該點P4提供至該TCP線圈192，而該經修正RF信號194B係從該點P4提供至該TCP線圈116。

同樣地，該經修正RF信號172係從該可變電容器128及該主繞組124A的端部126A而傳送至該主繞組124A。該經修正RF信號172產生橫跨該主繞組124A之該等端部126A及126B的電壓，且該經修正RF信號172係從該端部126A通過該主繞組124A而到達該主繞組124A的該端部126B，以產生具有磁通量的磁場。

由該主繞組124A產生的該磁場係感應橫跨該次繞組124B之該等端部的電壓。橫跨該次繞組124B之該等端部而感應的該電壓產生RF信號138（例如，RF電流信號），其係從該TCP線圈152的端部132A流動至該TCP線圈152的端部132B。當除了將該RF信號138施加至該TCP線圈152、以及將該等經修正RF信號194A及194B施加至各自的TCP線圈192及116之外，還將一或更多處理氣體施加至該電漿腔室182時，在該電漿腔室182內係產生或維持著電漿以在該電漿腔室182內進行基板處理。

該主繞組124A的感應對該端部126A處所接收的該經修正RF信號172的阻抗進行修正，以在該主繞組124A的該端部126B處輸出經修正RF信號196。該電容器130接收該經修正RF信號196。在接收經修正RF信號196之後，該電容器130的電容產生橫跨該電容器130之該等端部的電壓，且該電壓決定橫跨該變壓器124之該主繞組124A的該等端部126A及126B的電壓。

同樣地，在該電漿系統180的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器2。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器128的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組124A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組124B的另一電壓量。該可變電容器128的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A及該次繞組124B的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器128的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A及該次繞組124B的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器128的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器2即產生電流信號而傳送至馬達2。該馬達2係進行轉動，以將該可變電容器128的板體相對於該可變電容器128的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並達成橫跨該主繞組124A的電壓、及橫跨該次繞組124B的電壓。

此外，在該電漿系統180的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器1。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器108的電容。在接收該電容控制信號之後，該驅動器1即產生電流信號而傳送至馬達1。該馬達1係進行轉動，以將該可變電容器108的板體相對於該可變電容器108的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容。

在實施例中，於該電漿系統180的操作期間並未控制該可變電容器108的電容。舉例來說，在該基板的處理期間，該可變電容器108的電容係固定的。作為另一示例，係使用固定電容器而並非該可變電容器108。同樣地，在實施例中，於該電漿系統180的操作期間並未控制該可變電容器128的電容。舉例來說，在該基板的處理期間，該可變電容器128的電容係固定的。作為另一示例，係使用固定電容器而並非該可變電容器128。

在一實施例中，該等可變電容器108及128的一或更多者並未使用於該電漿系統180中。舉例來說，該等TCP線圈192及116係經由該點P4以耦接至該RF傳輸線158上的該點P1，而未耦接至該可變電容器108。作為另一示例，該主繞組124A係耦接至該RF傳輸線158上的該點P2，而未耦接至該可變電容器128。

圖2為系統200之實施例的圖式，以說明變壓器耦合電漿（TCP）腔室204之內部及外部線圈兩者所用的TBS 202之使用。該系統200係該系統100之一部分與該系統180之一部分（圖1A及1B）的組合。舉例來說，除了如下所述之該等系統200及100之間的差異之外，該系統200的結構與功能係與該系統100（圖1A）相同。除了如下所述之該等系統200及100之間的差異之外，該系統200的結構與功能係與該系統180（圖1B）相同。

該系統200包括主電腦、RF產生器、IMC 110、驅動器1、馬達1、驅動器2、馬達2、連接機構160、及連接機構162。該系統200更包括TBS 202及電漿腔室204。該系統200還包括可變電容器108及128。

該TBS 202包括變壓器104及電容器112。該TBS 202還包括變壓器124及電容器130。另外，該電漿腔室204包括TCP線圈系統（TCS）206，該TCS 206包括TCP線圈116及152。該電漿腔室204不包括任何線圈終端電容器，例如該等線圈終端電容器157、159（圖1A）、180、及190（圖1B）。

該TCP線圈116係內部TCP線圈，而該TCP線圈152係外部TCP線圈。舉例來說，該內部TCP線圈的直徑係小於該外部TCP線圈的直徑。作為另一示例，所述外部TCP線圈係圍繞著該內部TCP線圈。所述外部TCP線圈可在與該內部TCP線圈相同的水平層面處、或是與該內部TCP線圈不相同的水平層面處圍繞著該內部TCP線圈。

該可變電容器108的一端部係以上方參照圖1A所述的相同方式而耦接至該變壓器104，而該變壓器104係以上方參照圖1A所述的相同方式而耦接至該TCP線圈116及該電容器112。另外，該可變電容器128的一端部係以上方參照圖1B所述的相同方式而耦接至該變壓器124，而該變壓器124係以上方參照圖1B所述的相同方式而耦接至該TCP線圈152及該電容器130。

該電漿系統200的操作係部分參照圖1A、部分參照圖1B而描述於上。舉例來說，該變壓器104、該可變電容器108、及該電容器112的操作係參照圖1A所描述。同樣地，該變壓器124、該可變電容器128、及該電容器130的操作係參照圖1B所描述。

在一實施例中，該等可變電容器108及128的一或更多者並未使用於該電漿系統200中。舉例來說，該主繞組104A係耦接至該RF傳輸線158上的該點P1，而未耦接至該可變電容器108。作為另一示例，該主繞組124A係耦接至該RF傳輸線158上的該點P2，而未耦接至該可變電容器128。

圖3為系統300之實施例的圖式，以說明交錯內部TCP線圈及交錯外部TCP線圈所用的變壓器。除了如下所述之該等系統300及200之間的差異之外，該系統300的結構與功能係與該系統200（圖2）相同。該系統300包括主電腦、RF產生器、IMC 110、馬達1、驅動器1、馬達2、及驅動器2。該系統300更包括可變電容器108及128、基於變壓器系統302、連接機構160、連接機構162、及電漿腔室310。

該TBS 302包括變壓器332，該變壓器332具有主繞組104A、及複數次繞組104B及304。該TBS 302更包括另一變壓器334，該變壓器334具有主繞組124A、及複數次繞組124B及314。

該電漿腔室310包括TCP線圈116、TCP線圈192、另一TCP線圈152、及TCP線圈154。該等TCP線圈192及116為內部TCP線圈，而該等TCP線圈152及154為外部TCP線圈。舉例來說，該等內部TCP線圈之任何者的直徑係小於該等外部TCP線圈之任何者的直徑。作為另一示例，該等外部TCP線圈係圍繞著該等內部TCP線圈。該等外部TCP線圈可在與該等內部TCP線圈相同的水平層面處、或是與該等內部TCP線圈不相同的水平層面處圍繞著該等內部TCP線圈。

該變壓器332的該次繞組304之一端部係耦接至該TCP線圈192的端部306A，而該次繞組304的相對端部係耦接至該TCP線圈192的相對端部306B。該TCP線圈192及該次繞組304係彼此以串聯耦接。舉例來說，與該端部306A耦接的該次繞組304之該端部係具有與該端部306A相同的電位。同樣地，與該端部306B耦接的該次繞組304之相對端部係具有與該端部306B相同的電位。作為另一示例，橫跨該次繞組304之該等端部的電壓係與橫跨該TCP線圈192之該等端部306A及306B的電壓相同。應注意的是，此處並無與該TCP線圈192串聯耦接的線圈終端電容器。舉例來說，該線圈終端電容器並未耦接至該TCP線圈192的該端部306B。

類似地，該變壓器334的該次繞組314之一端部係耦接至該TCP線圈154的端部316A，而該次繞組314的相對端部係耦接至該TCP線圈154的相對端部316B。舉例來說，與該端部316A耦接的該次繞組314之該端部係具有與該端部316A相同的電位。同樣地，與該端部316B耦接的該次繞組314之相對端部係具有與該端部316B相同的電位。作為另一示例，橫跨該次繞組314之該等端部的電壓係與橫跨該TCP線圈154之該等端部316A及316B的電壓相同。應注意的是，此處並無與該TCP線圈154串聯耦接的線圈終端電容器。舉例來說，該線圈終端電容器並未耦接至該TCP線圈154的該端部316B。

在該系統300的操作期間，經修正RF信號120係以上方參照圖1A所描述的相同方式而從該可變電容器108輸出。類似地，RF信號122係由該變壓器332的該次繞組104B以上方參照圖1A所描述的相同方式而產生。該經修正RF信號120產生橫跨該主繞組104A的該等端部106A及106B的電壓，且該經修正RF信號120係從該端部106A通過該主繞組104A而到達該主繞組104A的該端部106B，以產生具有磁通量的磁場。該磁場係感應橫跨該次繞組304之該等端部的電壓。橫跨該次繞組304之該等端部而感應的該電壓產生RF信號312（例如，RF電流信號），其係從該TCP線圈192的端部306A流動至該TCP線圈192的端部306B。

此外，在該系統300的操作期間，經修正RF信號172係以上方參照圖1B所描述的相同方式而從該可變電容器128輸出。類似地，RF信號138係由該變壓器334的該次繞組124B以上方參照圖1B所描述的相同方式而產生。

該經修正RF信號172產生橫跨該主繞組124A的該等端部126A及126B的電壓，且該經修正RF信號172係從該端部126A通過該主繞組124A而到達該主繞組124A的該端部126B，以產生具有磁通量的磁場。該磁場係感應橫跨該次繞組314之該等端部的電壓。橫跨該次繞組314之該等端部而感應的該電壓產生RF信號320（例如，RF電流信號），其係從該TCP線圈154的端部316A流動至該TCP線圈154的端部316B。

當除了通過該TCP線圈116的該RF信號122、通過該TCP線圈192的該RF信號312、通過該TCP線圈154的該RF信號320、以及通過該TCP線圈152的該RF信號138之外，還將一或更多處理氣體（如下所述）施加至該電漿腔室310時，在該電漿腔室310內係產生或維持著電漿以在該電漿腔室310內進行基板處理。

同樣地，在該電漿系統300的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器1。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器108的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組104A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組104B的另一電壓量、且對應於欲達成橫跨該次繞組304的又另一電壓量。該可變電容器108的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A、該次繞組104B、及該次繞組304的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器從該可變電容器108的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A、該次繞組104B、及該次繞組304的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器108的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器1即產生電流信號而傳送至馬達1。該馬達1係進行轉動，以將該可變電容器108的板體相對於該可變電容器108的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組104A的電壓、橫跨該次繞組104B的電壓、及橫跨該次繞組304的電壓。

此外，在該電漿系統300的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器2。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器128的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組124A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組124B的另一電壓量、且對應於欲達成橫跨該次繞組314的又另一電壓量。該可變電容器128的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A、該次繞組124B、及該次繞組314的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器從該可變電容器128的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A、該次繞組124B、及該次繞組314的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器128的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器2即產生電流信號而傳送至馬達2。該馬達2係進行轉動，以將該可變電容器128的板體相對於該可變電容器128的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組124A的電壓、橫跨該次繞組124B的電壓、及橫跨該次繞組314的電壓。

在實施例中，如同上方參照圖2之電漿系統200所描述的相同方式，該等可變電容器108及128的一或更多者並未使用於該電漿系統300中。

同樣地，在實施例中，如同上方參照圖2之電漿系統200所描述，該等可變電容器108及128的一或更多者係固定的。

圖4A係變壓器400之實施例的圖式，該變壓器400係具有主繞組及複數次繞組。該變壓器400包括主繞組402、及複數次繞組404A、404B、404C、及404D。該變壓器400係絞線變壓器的示例。

該主繞組402係主繞組104A（圖1A及2）及124A（圖1B及2）之任何者的示例。該等次繞組404A-404D的任何者係次繞組104B（圖1A）、124B（圖1B）、304（圖3）、及314（圖3）之任何者的示例。

該主繞組402及該等次繞組404A-404D係彼此絞合而製造該變壓器400。該主繞組402的示例係金屬線，其中在該金屬線上係具有絕緣塗層。舉例說明，該主繞組402係塗覆著聚氨酯的銅線或磁性線。類似地，該等次繞組404A-404D之各者的示例為金屬線。舉例說明，該等次繞組404A-404D的各者係具有聚氨酯塗層的銅線。

在一實施例中，該變壓器400包括多於或少於四次繞組。舉例來說，該變壓器400包括二次繞組、或是五次繞組。若該變壓器400包括該等次繞組404A-404D之二者、及該主繞組402，則該變壓器400為變壓器332或變壓器334（圖3）的示例。若該變壓器400包括該等次繞組404A-404D之一者、及該主繞組402，則該變壓器400為變壓器104（圖1A）或變壓器124（圖1B）的示例。

在一實施例中，該主繞組402與該等次繞組404A-404D係繞著彼此絞合而形成辮結狀結構。

圖4B係變壓器410之實施例的圖式。該變壓器410係絞線變壓器的另一示例。該變壓器410包括該主繞組402、及該等次繞組404A、404B、及404C。該主繞組402及該等次繞組404A-404C係彼此絞合而製造該變壓器410。

應注意的是，此處並未有用於製造該變壓器410的核心材料。該變壓器410為空心變壓器。這有助於將該變壓器410使用於高頻率應用，如下所述。所述高頻率係包括微波頻率。

在一實施例中，該主繞組402與該等次繞組404A、404B、及404C係繞著彼此絞合而形成辮結狀結構。

圖4C係變壓器420之實施例的圖式，以說明次繞組上的複數分接部。該變壓器420係絞線變壓器的又另一示例。該變壓器420包括該主繞組402以及該次繞組404A。作為示例，該主繞組402及該次繞組404A係繞著彼此絞合而製造該變壓器420。該次繞組404A具有複數分接部，其包括分接部0、分接部1、分接部2、分接部3、分接部4、及分接部5。作為示例，次繞組的一分接部係在沿著該次繞組的位置處所形成的接觸部，例如導線連接部。

作為示例，該TCP線圈116（圖1A、2及3）的該端部114A係耦接至分接部5，而該TCP線圈116的該端部114B係耦接至分接部0。作為另一示例，該TCP線圈116的該端部114A係耦接至分接部4，而該TCP線圈116的該端部114B係耦接至分接部0。作為又另一示例，該TCP線圈116的該端部114A係耦接至分接部4，而該TCP線圈116的該端部114B係耦接至分接部1。作為仍另一示例，該TCP線圈116的該端部114A係耦接至分接部3，而該TCP線圈116的該端部114B係耦接至分接部1。

作為另一示例，該TCP線圈192（圖3）的該端部306A係耦接至分接部5，而該TCP線圈192的該端部306B係耦接至分接部0。作為另一示例，該TCP線圈192的該端部306A係耦接至分接部4，而該TCP線圈192的該端部306B係耦接至分接部0。作為又另一示例，該TCP線圈192的該端部306A係耦接至分接部4，而該TCP線圈192的該端部306B係耦接至分接部1。作為仍另一示例，該TCP線圈192的該端部306A係耦接至分接部3，而該TCP線圈192的該端部306B係耦接至分接部1。

作為又另一示例，該TCP線圈154（圖3）的該端部316A係耦接至分接部5，而該TCP線圈154的該端部316B係耦接至分接部0。作為另一示例，該TCP線圈154的該端部316A係耦接至分接部4，而該TCP線圈154的該端部316B係耦接至分接部0。作為又另一示例，該TCP線圈154的該端部316A係耦接至分接部4，而該TCP線圈154的該端部316B係耦接至分接部1。作為仍另一示例，該TCP線圈154的該端部316A係耦接至分接部3，而該TCP線圈154的該端部316B係耦接至分接部1。

作為仍另一示例，該TCP線圈152（圖1B、2及3）的該端部132A係耦接至分接部5，而該TCP線圈152的該端部132B係耦接至分接部0。作為另一示例，該TCP線圈152的該端部132A係耦接至分接部4，而該TCP線圈152的該端部132B係耦接至分接部0。作為又另一示例，該TCP線圈152的該端部132A係耦接至分接部4，而該TCP線圈152的該端部132B係耦接至分接部1。作為仍另一示例，該TCP線圈152的該端部132A係耦接至分接部3，而該TCP線圈152的該端部132B係耦接至分接部1。

該等分接部之間的變換（例如，從分接部1至分接部2、或從分接部2至分接部3）係改變由該次繞組404A施加至TCP線圈的電壓，其中該TCP線圈係與該次繞組404A串聯耦接。舉例來說，當該TCP線圈係經由分接部0及5而耦接至該次繞組404A時，比起該TCP線圈經由分接部1及3而耦接至該次繞組404A時，係對該TCP線圈施加不同的電壓量。作為另一示例，當該TCP線圈係經由分接部1及2而耦接至該次繞組404A時，比起該TCP線圈經由分接部2及4而耦接至該次繞組404A時，係對該TCP線圈施加不同的電壓量。

在實施例中，該次繞組404A具有更多或更少的分接部數量（例如，三或七），而不是六分接部。

在一實施例中，該等次繞組404A-404D（圖4A）的一或更多者係具有分接部。舉例來說，該次繞組404A具有三分接部，該次繞組404B具有三分接部，而該次繞組404C具有三分接部。作為另一示例，並非將該等分接部0至6連接於該次繞組404A上、或除了將該等分接部0至6連接於該次繞組404A上之外，係將該等分接部0至6連接至該次繞組404B。作為又另一示例，並非將該等分接部0至6連接至該次繞組404A、或除了將該等分接部0至6連接至該次繞組404A之外，係將該等分接部0至6連接至該等次繞組404C、404D及404E的任何者。

在實施例中，該等次繞組404A-404D的一或更多者，與其餘該等次繞組404A-404D的一或更多者係具有不同數量的分接部。舉例來說，次繞組404A及404B的各者係具有三分接部，而次繞組404C及404D的各者係具有四分接部。

圖4D係變壓器450之實施例的圖式，以說明該變壓器繞著彼此絞合的主繞組及次繞組。該變壓器450包括主繞組402以及次繞組404A。該主繞組402係繞著該次繞組404A絞合，而該次繞組404A係繞著該主繞組402絞合以製造該變壓器450。

圖4E係變壓器460之實施例的圖式。該變壓器460包括主繞組452以及次繞組454。該主繞組452及該次繞組454的各者係由絕緣體所包覆的金屬管。舉例來說，該金屬管係由銅所製成。作為另一示例，該金屬管係中空的，且一空間係穿過該管的外殼。該主繞組452及該次繞組454係以彼此穿插的方式而進行捲繞。舉例來說，將該主繞組452捲繞於該次繞組454的頂部上，並將該次繞組454捲繞於該主繞組452的頂部上，使該主繞組452及該次繞組454交替設置而製造該變壓器。當該主繞組452及該次繞組454係以穿插方式進行捲繞時，係形成包括該主繞組452及該次繞組454的圓柱部462。

圖5係變壓器500之實施例的圖式，以說明使用共軸纜線以製造該變壓器500。該變壓器500係用於高頻率應用。舉例來說，當RF產生器具有大於1 MHz的操作頻率時，係使用該變壓器500。

該變壓器500包括主繞組502以及次繞組504。該主繞組502係主繞組104A（圖1A）及124A（圖2）之任何者的示例，而該次繞組504係次繞組104B（圖1A）、124B（圖1B）、304（圖3）、及314（圖3）之任何者的示例。

該主繞組502具有外遮蔽部502A、及內導體部502B。該外遮蔽部502A係由絕緣體所製成，而該內導體部502B係由金屬（例如，銅）所製成。該外遮蔽部502A係沿著該內導體部502B的長度而包覆（例如，包圍）該內導體部502B。

類似地，該次繞組504具有外遮蔽部504A、及內導體部504B。該外遮蔽部504A係由絕緣體所製成，而該內導體部504B係由金屬（例如，銅）所製成。本文所述之絕緣體的示例包括塑膠、聚氯乙烯、聚乙烯、及聚丙烯。該外遮蔽部504A係沿著該內導體部504B的長度而包覆（例如，包圍）該內導體部504B。

該主繞組502及該次繞組504係經由連接部506而彼此連接。舉例來說，該主繞組502係與該次繞組504相鄰設置，而一絕緣體將該主繞組502與該次繞組504連接。

該內導體部504B的長度係該內導體部502B之長度的兩倍，以在該主繞組502與該次繞組504之間達到1:2的比例。該內導體部504B的雙倍長度係繪示為該內導體部502B上的點506A與該內導體部504B上的點506B之間的虛線。該虛線係用以說明該內導體部504B的長度係該內導體部502B之長度的雙倍。作為另一示例，該內導體部504B具有另一長度，其例如係該內導體部502B之長度的三倍或四倍。

作為示例，該次繞組504的長度係四分之一波長，其標示為λ/4。該次繞組504之長度的其他示例包括½波長或1/5^th 波長的長度。

在一實施例中，共軸纜線係具有中心金屬導體。該中心導體係由介電質沿著該中心導體的長度而包覆，而該介電質係由外金屬導體沿著該介電質的長度而包覆。該外金屬導體係由絕緣體沿著該外金屬導體的長度而包覆。該中心導體的示例為銅線。作為示例，該介電質為塑膠、或聚氯乙烯。該外金屬導體的示例係由銅所製成的金屬網格，而該絕緣體的示例為塑膠、或聚氯乙烯、或聚乙烯、或聚丙烯。

圖6A為系統600之實施例的圖式，以說明使用可變電容器602而並非該電容器112（圖1A）。除了該系統600具有該可變電容器602而並非該電容器112之外，該系統600的結構與功能係與該系統100（圖1A）相同。舉例來說，該系統600包括基於變壓器系統603，除了該基於變壓器系統603係包括該可變電容器602而並非該電容器112（其為固定的）之外，該基於變壓器系統603的結構與功能係與該基於變壓器系統102（圖1A）相同。

該系統600更包括驅動器3、馬達3、及連接機構604。主電腦係耦接至該驅動器3，而該驅動器3係耦接至該馬達3。該馬達3係經由該連接機構604而耦接至該可變電容器602。

在該系統600的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器3。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器602的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組104A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組104B的另一電壓量。該可變電容器602的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A及該次繞組104B的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器602的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A及該次繞組104B的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器602的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器3即產生電流信號而傳送至馬達3。該馬達3係進行轉動，以經由該連接機構604而將該可變電容器602的板體相對於該可變電容器602的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組104A的電壓、及橫跨該次繞組104B的電壓。達成橫跨該次繞組104B的該電壓，以產生該RF信號122。

圖6B為系統620之實施例的圖式，以說明使用可變電容器622而並非該電容器130（圖1B）。除了該系統620具有該可變電容器622而並非該電容器130之外，該系統620的結構與功能係與該系統180（圖1B）相同。舉例來說，該系統620包括基於變壓器系統621，除了該基於變壓器系統621係包括該可變電容器622而並非該電容器130（其為固定的）之外，該基於變壓器系統621的結構與功能係與該基於變壓器系統184（圖1B）相同。

該系統620更包括驅動器4、馬達4、及連接機構624。主電腦係耦接至該驅動器4，而該驅動器4係耦接至該馬達4。該馬達4係經由該連接機構624而耦接至該可變電容器622。

在該系統620的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器4。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器622的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組124A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組124B的另一電壓量。該可變電容器622的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A及該次繞組124B的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器622的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A及該次繞組124B的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器622的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器4即產生電流信號而傳送至馬達4。該馬達4係進行轉動，以經由該連接機構624而將該可變電容器622的板體相對於該可變電容器622的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組124A的電壓、及橫跨該次繞組124B的電壓。達成橫跨該次繞組124B的該電壓，以產生該RF信號196。

圖7為系統700之實施例的圖式，以說明使用可變電容器602而並非該電容器112（圖2）、以及使用可變電容器622而並非該電容器130（圖2）。除了該系統700具有該可變電容器602而並非該電容器112、以及該可變電容器622而並非該電容器130之外，該系統700的結構與功能係與該系統200（圖2）相同。舉例來說，該系統700包括基於變壓器系統701，除了該基於變壓器系統701係包括該可變電容器602而並非該電容器112、以及包括該可變電容器622而並非該電容器130之外，該基於變壓器系統701的結構與功能係與該基於變壓器系統202（圖2）相同。

同樣地，該系統700包括驅動器3、驅動器4、以及馬達3、馬達4。該驅動器3及該馬達3的操作係如上方參照圖6A所描述，而該驅動器4及該馬達4的操作係如上方參照圖6B所描述。達成橫跨該次繞組104B的該電壓而產生該RF信號174，以及達成橫跨該次繞組124B的該電壓而產生該RF信號196。

圖8為系統800之實施例的圖式，以說明使用可變電容器602而並非該電容器112（圖3）、以及使用可變電容器622而並非該電容器130（圖3）。除了該系統800具有該可變電容器602而並非該電容器112、以及該可變電容器622而並非該電容器130之外，該系統800的結構與功能係與該系統300（圖3）相同。舉例來說，該系統800包括基於變壓器系統801，除了該基於變壓器系統801係包括該可變電容器602而並非該電容器112、以及包括該可變電容器622而並非該電容器130之外，該基於變壓器系統801的結構與功能係與該基於變壓器系統302（圖3）相同。同樣地，該系統800包括驅動器3、驅動器4、以及馬達3、馬達4。

在該系統800的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器3。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器602的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組104A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組104B的另一電壓量。同樣地，所欲達成橫跨該主繞組104A的該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組304的另一電壓量。該可變電容器602的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A、該次繞組104B、及該次繞組304的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器602的電容、以及欲達成橫跨該主繞組104A、該次繞組104B、及該次繞組304的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器602的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器3即產生電流信號而傳送至馬達3。該馬達3係進行轉動，以將該可變電容器602的板體相對於該可變電容器602的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組104A的電壓、橫跨該次繞組104B的電壓、以及橫跨該次繞組304的電壓。達成橫跨該次繞組104B的該電壓而產生該RF信號122，以及達成橫跨該次繞組304的該電壓而產生該RF信號312。

另外，在該系統800的操作期間，該主電腦將電容控制信號傳送至驅動器4。該電容控制信號係由該主電腦所產生以達成該可變電容器622的電容，且該電容係對應於欲達成橫跨該主繞組124A的電壓量，且該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組124B的另一電壓量。同樣地，所欲達成橫跨該主繞組124A的該電壓量係對應於欲達成橫跨該次繞組314的另一電壓量。該可變電容器622的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A、該次繞組124B、及該次繞組314的電壓量係儲存在該主電腦的記憶裝置中。該主電腦的處理器係從該可變電容器622的電容、以及欲達成橫跨該主繞組124A、該次繞組124B、及該次繞組314的電壓量之間的對應關係中，識別該可變電容器622的電容量。

在接收該電容控制信號之後，該驅動器4即產生電流信號而傳送至馬達4。該馬達4係進行轉動，以將該可變電容器622的板體相對於該可變電容器622的相對位置板體進行轉動，以達成該電容控制信號內的該電容，並進一步達成橫跨該主繞組124A的電壓、橫跨該次繞組124B的電壓、以及橫跨該次繞組314的電壓。達成橫跨該次繞組124B的該電壓而產生該RF信號138，以及達成橫跨該次繞組314的該電壓而產生該RF信號320。

圖9為系統900之實施例的圖式，以說明其中使用基於變壓器系統902的電漿工具。該系統900包括主電腦、RF產生器、IMC 110、該基於變壓器系統902、電漿腔室904、處理氣體供應部906、及氣體供應歧管908。

該電漿腔室904包括TCP線圈系統912及基板固持件910。該基板固持件910係耦接至該接地連接部。該TCP線圈系統912係位於該基板固持件910上方。該TCP線圈系統912的示例包括TCP線圈系統150（圖1A）、TCP線圈系統186（圖1B）、TCP線圈系統206（圖2）、及TCP線圈系統330（圖3）。

該處理氣體供應部906的示例包括儲存一或更多處理氣體的一或更多氣體容器，其中所述處理氣體係用於處理基板固持件910上的基板S，例如半導體晶圓。該基板固持件910的示例包括卡盤。該卡盤包括與該接地連接部耦接的下電極。該一或更多處理氣體的示例包括含氧氣體及含氟氣體。該氣體供應歧管908包括一或更多閥部，用於控制（例如，允許或禁止）從該處理氣體供應部906所接收的該一或更多處理氣體的流動，經由該氣體供應歧管908而到達該電漿腔室904，以達成處理氣體的預設混合。

該基於變壓器系統902的示例包括基於變壓器系統102（圖1A）、基於變壓器系統184（圖1B）、基於變壓器系統202（圖2）、基於變壓器系統302（圖3）、基於變壓器系統603（圖6A）、基於變壓器系統621（圖6B）、基於變壓器系統701（圖7）、及基於變壓器系統801（圖8）。該TCP線圈系統912的示例包括TCP線圈系統150（圖1A）、TCP線圈系統186（圖1B）、TCP線圈系統206（圖2）、及TCP線圈系統330（圖3）。

該主電腦係耦接至該RF產生器，而該RF產生器係耦接至該IMC 110。該IMC 110係耦接至該RF傳輸線158。該主電腦係耦接至該處理氣體供應部906，該處理氣體供應部906係耦接至該氣體供應歧管908，而該氣體供應歧管908係耦接至該電漿腔室904。該IMC 110係經由該RF傳輸線158而耦接至該基於變壓器系統902。該可變電容器108係耦接至該RF傳輸線158，而該可變電容器128係耦接至該RF傳輸線158。該基於變壓器系統902係耦接至該等可變電容器108及128，並耦接至該TCP線圈系統912。

在操作期間，經修正RF信號120及172係以與上方參照圖1A所描述的相同方式而產生。該基於變壓器系統902接收該等經修正RF信號120及172以輸出RF信號組914及916。該RF信號組914的示例包括RF信號122（圖1A及2）、或一組RF信號194A及194B（圖1B）、或一組RF信號122及304（圖3）。該RF信號組916的示例包括一組RF信號172A及172B（圖1A）、或RF信號138（圖1B及2）、或一組RF信號320及138（圖3）。

此外，在操作期間，該主電腦將控制信號傳送至該處理氣體供應部906而供應該一或更多處理氣體，以及將控制信號傳送至該氣體供應歧管908而控制到達該電漿腔室904的該一或更多處理氣體的量。當將該一或更多處理氣體供應至該電漿腔室904、以及將該等RF信號914及916供應至該TCP線圈系統912時，係在該電漿腔室904內點燃、或包含電漿以處理該基板S。對該基板S進行處理的示例包括對該基板S進行蝕刻、在該基板S上沉積材料、對該基板S進行濺鍍、以及對該基板S進行清潔。

在實施例中，該基板固持件910係經由阻抗匹配電路而耦接至一或更多RF產生器，而並非耦接至該接地連接部。該一或更多RF產生器係經由各自的一或更多RF纜線而耦接至該阻抗匹配電路，且該阻抗匹配電路係經由RF傳輸線而耦接至該基板固持件910。該一或更多RF產生器產生各自的一或更多RF信號，該一或更多RF信號係經由各自的該一或更多RF纜線而供應至該阻抗匹配電路。該阻抗匹配電路將基於該一或更多RF信號而產生的經修正RF信號進行輸出，並將該經修正RF信號傳送至該基板固持件910而用於處理該基板S。

在實施例中，在該TCP線圈系統912與該基板固持件910之間設置介電窗。

圖10係變壓器1000之實施例的圖式，以說明該變壓器1000的原理。該變壓器1000係變壓器104（圖1A）或變壓器124（圖1B）的示例。該變壓器1000具有主繞組1002及次繞組1004。

對於橫跨該次繞組1004的給定功率量，該變壓器1000可用以改變橫跨該次繞組1004的電壓對電流比率。該電壓對電流比率可藉由變更該主繞組1002與該次繞組1004之間的線圈比率Np/Ns 而加以改變。Np為該主繞組1002的匝（turn）數量，而Ns為該次繞組1004的匝數量。橫跨該主繞組1002的電壓為Vp，而橫跨該次繞組1004的電壓為Vs。流經該主繞組的電流為Ip，而流經該次繞組的電流為Is。變壓器公式係提供如下： Vp/Vs = Is/Ip = Np/Ns ……(1)

介於該主繞組1002與該次繞組1004之間的互感M係表示為： M=k√(LpLs) ……(2) 其中k為該主繞組1002與該次繞組1004之間的耦合係數，√表示平方根，Lp為該主繞組1002的電感，而Ls為該次繞組1004的電感。

絞線變壓器改善該主繞組1002與該次繞組1004之間的耦合係數。在絞線變壓器中，該主繞組1002係與該次繞組1004絞合。耦合係數k係取決於該絞線變壓器的該主繞組1002之節距、以及該次繞組1004之節距。舉例來說，可將該主繞組1002及該次繞組1004各者的節距進行界定，使得耦合係數k等於1或大約等於1，例如係在距離1的預定範圍內。該耦合係數還取決於製造該主繞組1002及該次繞組1004所用之導線的複數參數，例如電阻損失。該主繞組1002及該次繞組1004的彼此絞合減低由該主繞組1002及該次繞組1004的不同導線所造成耦合係數k的差異。

本文中所描述的實施例可實施於各種電腦系統配置，包括手持硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可編程消費性電子裝置、微型電腦、主機電腦等。本文中所描述的實施例還可實施於分佈式運算環境，在分佈式運算環境中係透過由電腦網路所鏈結的遠端處理硬體單元來執行作業。

在一些實行例中，控制器為系統的一部份，該系統可為上述示例的一部分。該系統包括半導體處理設備，該半導體處理設備包括一或更多處理工具、一或更多腔室、用於處理的一或更多平台、及/或特定處理構件（晶圓基座、氣體流動系統等）。這些系統係與電子元件進行整合，以在半導體晶圓或基板進行處理之前、期間、與之後控制它們的操作。所述電子元件係被稱為「控制器」，其可控制該系統的各種構件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，將控制器進行編程以控制本文所揭露的任何處理，包括處理氣體的運輸、溫度設定（例如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、RF產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流量設定、流體運輸設定、定位及操作設定、對於一工具及其他傳輸工具及/或連接至或與特定系統相互連接的傳送室之晶圓傳輸進出。

廣義來說，在各種實施例中，控制器係定義成具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備，以接收指令、發送指令、控制操作、啟動清除操作、啟動終點測量等。所述積體電路包括以韌體形式儲存程式指令的晶片、數位信號處理器（DSP）、定義為特殊應用積體電路（ASIC）的晶片、及/或一或更多執行程式指令（例如，軟體）的微處理器或微控制器。程式指令係以各種獨立設定（或程式檔案）形式而傳送至控制器的指令，而定義出用於在半導體基板上、或針對半導體基板執行處理的操作參數。在一些實施例中，操作參數係由製程工程師所定義的部分配方，以在將一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒進行加工的期間完成一或更多的處理步驟。

在一些實施例中，控制器為電腦的一部分、或耦接至電腦，所述電腦係整合、耦接至所述系統，或係另以網路連接至所述系統，或是其組合。例如，控制器係位於「雲端」中、或FAB主電腦系統的全部或部分，而允許基板處理的遠端存取。該控制器能夠對系統進行遠端存取，以監控加工操作的當前進程、檢視過去加工操作的歷史、檢視來自複數加工操作的趨勢或性能度量、變更當前處理的參數、設定當前處理過後的處理步驟、或是開始新的處理。

在一些示例中，遠端電腦（例如，伺服器）係透過電腦網路向系統提供處理配方，其中該網路包括區域網路或網際網路。遠端電腦可包括使用者介面，而能夠對參數及/或設定進行輸入或編寫，所述參數及/或設定則接著從遠端電腦傳送至系統。在一些示例中，控制器接收晶圓處理所用設定之形式的指令。應當理解的是，所述設定係特定於在晶圓上所執行的步驟類型、以及控制器所連接或控制的工具類型。因此，如上所述，控制器例如係藉由包括一或更多離散控制器而進行分佈，所述離散控制器係彼此以網路連接且朝向共同的目的（例如本文描述的所實現處理）而運作。為此目的的分佈式控制器之示例包括位於腔室上的一或更多積體電路，其與遠端設置（例如，位於平台層或作為遠端電腦的一部分）、且結合以控制腔室內中之處理的一或更多積體電路連通。

不具限制地，在各種實施例中，該系統包括電漿蝕刻腔室、沉積腔室、旋轉-清洗腔室、金屬電鍍腔室、清潔腔室、晶邊蝕刻腔室、物理氣相沉積（PVD）腔室、化學氣相沉積（CVD）腔室、原子層沉積（ALD）腔室、原子層蝕刻（ALE）腔室、離子植入腔室、軌道腔室、或有關於或使用於半導體晶圓之加工及/或製造中的任何其他半導體處理腔室。

須進一步注意的是，雖然上述操作係描述關於感應耦合式電漿（ICP）反應器，但在一些實施例中，上述操作係應用於其他類型的電漿腔室，例如包括平行板電漿腔室、電容耦合式電漿腔室、導體工具、介電工具的電漿腔室、包括電子迴旋共振（RCR）反應器的電漿腔室等。

如上所述，取決於工具所待執行的處理操作，該控制器係連通至下列的一或更多者：其他工具電路或模組、其他工具構件、群集式工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、遍布於工廠的工具、主電腦、另一控制器、或是在材料輸送中，將晶圓的容器帶進及帶出半導體製造工廠的工具位置及/或裝載通口所使用的工具。

謹記上方的實施例，應當理解的是該等實施例的其中一些係使用於各種由電腦所實施的操作，其中所述操作係涉及儲存於電腦系統中的數據。這些由電腦所實施的操作係操控物理量的那些操作。

該等實施例的其中一些還關於執行這些操作所使用的硬體單元或設備。該設備係為特定目的電腦而特地建構。當電腦被界定為特定目的電腦時，該電腦執行不屬於該特定目的之一部份的其他處理、程式執行、或常用程式，仍能夠為該特定目的而予以操作。

在一些實施例中，本文所述的該等操作係由選擇性啟動的電腦而執行、或是由儲存在電腦記憶體中的一或更多電腦程式而配置、或是藉由電腦網路而取得。當藉由電腦網路而取得數據時，所述數據可被該電腦網路（例如，計算資源的雲端）上的另一電腦所執行。

本文所述的一或更多實施例還可被加工做為非瞬態電腦可讀媒體上的電腦可讀編碼。所述非瞬態電腦可讀媒體係將後續由電腦系統所讀取的數據進行儲存的任何數據儲存硬體單元，例如記憶裝置等。非瞬態電腦可讀媒體的示例包括硬碟、網路附接儲存器（NAS）、ROM、RAM、唯獨光碟（CD-ROM）、可錄式光碟（CD-R）、可重寫光碟（CD-RW）、磁帶、及其他光學及非光學數據儲存硬體單元。在一些實施例中，非瞬態電腦可讀媒體包括分佈在經網路耦接之電腦系統上的電腦可讀有形媒體，使得所述電腦可讀編碼係以分佈方式而儲存及執行。

儘管上述的一些方法操作係以特定順序呈現，但應當理解的是，在各種實施例中，係在該等方法操作之間執行其他內務處理操作、或是調整該等方法操作使其在稍微不同的時間進行、或是將該等方法操作分佈於允許在各種區間執行該等方法操作的系統中、或是將該等方法操作以與上述順序不同的順序而執行。

應進一步注意的是，在實施例中，在不背離本揭露中所述之各種實施例中所描述範圍的情況下，係將上述任何實施例的一或更多特徵與任何其他實施例的一或更多特徵結合。

儘管為了理解清晰度而對前述實施例的一些細節進行描述，但將為顯而易知的是，在隨附申請專利範圍的範疇內可施行某些改變及修改。於是，所呈現的實施例將係被視為說明性而非限制性的，且該等實施例並不受限於本文所給定的細節，而是可在隨附申請專利範圍的範疇及均等物內進行修改。

100:系統 102:基於變壓器系統（TBS） 104:變壓器 104A:主繞組 104B:次繞組 106A,106B:端部 108:可變電容器 110:阻抗匹配電路（IMC） 112:電容器 114A,114B:端部 116:TCP線圈 118:變壓器耦合電漿（TCP）腔室 120:經修正RF信號 122:RF信號 124:變壓器 124A:主繞組 124B:次繞組 126A,126B:端部 128:可變電容器 130:電容器 132A,132B:端部 138:RF信號 150:TCP線圈系統（TCS） 152,154:TCP線圈 156:RF纜線 157:線圈終端電容器 158:RF傳輸線 159:線圈終端電容器 160:連接機構 162:連接機構 164:RF信號 166:經修正RF信號 168,170:部分、經修正RF信號 172,172A,172B:經修正RF信號 174:經修正RF信號 180:系統 182:變壓器耦合電漿（TCP）腔室 184:TBS 186:TCP線圈系統（TCS） 188,190:線圈終端電容器 192:TCP線圈 194A,194B:經修正RF信號 196:經修正RF信號 200:系統 202:TBS 204:變壓器耦合電漿（TCP）腔室 206:TCP線圈系統（TCS） 300:系統 302:基於變壓器系統 304:次繞組 306A,306B:端部 310:電漿腔室 312:RF信號 314:次繞組 316A,316B:端部 320:RF信號 330:TCP線圈系統 332,334:變壓器 400:變壓器 402:主繞組 404A-404D:次繞組 410,420,450:變壓器 452:主繞組 454:次繞組 460:變壓器 462:圓柱部 500:變壓器 502:主繞組 502A:外遮蔽部 502B:內導體部 504:次繞組 504A:外遮蔽部 504B:內導體部 506:連接部 506A,506B:點 600:系統 602:可變電容器 603:基於變壓器系統 604:連接機構 620:系統 621:基於變壓器系統 622:可變電容器 624:連接機構 700:系統 701:基於變壓器系統 800:系統 801:基於變壓器系統 900:系統 902:基於變壓器系統 904:電漿腔室 906:處理氣體供應部 908:氣體供應歧管 910:基板固持件 912:TCP線圈系統 914,916:RF信號組 1000:變壓器 1002:主繞組 1004:次繞組 S:基板 I1,I2:輸入部 O1,O2:輸出部 P1,P2,P3,P4:點 PRTN1,PRTN2:部分

所述實施例係透過參照下方的實施方式並結合隨附圖式而加以理解。

圖1A係系統之實施例的圖式，以說明變壓器耦合電漿（TCP）腔室之內部線圈所用的基於變壓器系統之使用。

圖1B為系統之實施例的圖式，以說明TCP腔室之外部線圈所用的基於變壓器系統之使用。

圖2為系統之實施例的圖式，以說明TCP腔室之內部及外部線圈兩者所用的基於變壓器系統之使用。

圖3為系統之實施例的圖式，以說明交錯內部TCP線圈及交錯外部TCP線圈所用的變壓器。

圖4A係變壓器之實施例的圖式，該變壓器係具有主繞組及複數次繞組。

圖4B係變壓器之實施例的圖式。

圖4C係變壓器之實施例的圖式，以說明次繞組上的複數分接部（tap）。

圖4D係變壓器之實施例的圖式，以說明該變壓器的主繞組及次繞組繞著彼此絞合。

圖4E係變壓器之實施例的圖式。

圖5係變壓器之實施例的圖式，以說明使用共軸纜線以製造該變壓器。

圖6A為系統之實施例的圖式，以說明使用可變電容器而並非圖1A之系統的固定電容器。

圖6B為系統之實施例的圖式，以說明使用可變電容器而並非圖1B之系統的固定電容器。

圖7為系統之實施例的圖式，以說明利用圖2的系統而使用圖6A及6B 所繪示的可變電容器。

圖8為系統之實施例的圖式，以說明利用圖3的系統而使用圖6A及6B 所繪示的可變電容器。

圖9為系統之實施例的圖式，以說明其中使用基於變壓器系統的電漿工具。

圖10係變壓器之實施例的圖式，以說明該變壓器的原理。

100:系統

102:基於變壓器系統(TBS)

104:變壓器

104A:主繞組

104B:次繞組

106A,106B:端部

108:可變電容器

110:阻抗匹配電路(IMC)

112:電容器

114A,114B:端部

116:TCP線圈

118:變壓器耦合電漿(TCP)腔室

120:經修正RF信號

122:RF信號

150:TCP線圈系統(TCS)

152,154:TCP線圈

156:RF纜線

157:線圈終端電容器

158:RF傳輸線

159:線圈終端電容器

160:連接機構

162:連接機構

164:RF信號

166:經修正RF信號

168,170:部分、經修正RF信號

172,172A,172B:經修正RF信號

174:經修正RF信號

I1,I2:輸入部

O1,O2:輸出部

P1,P2,P3:點

PRTN1,PRTN2:部分

Claims

一種變壓器設備，包括：主繞組，具有第一端部及第二端部，其中該第一端部係耦接至阻抗匹配電路的輸出部，而該第二端部係耦接至電容器；次繞組，與該主繞組相關聯，且耦接至電漿腔室的變壓器耦合電漿（TCP）線圈之第一端部及第二端部，其中該主繞組係配置以從該阻抗匹配電路接收經修正射頻（RF）信號而產生磁通量，以在該次繞組中感應一電壓，其中由該電壓所產生的RF信號係從該次繞組傳送至該TCP線圈。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該TCP線圈係與該次繞組串聯。
如請求項1所述之變壓器設備，更包括：額外主繞組，具有第一端部及第二端部，其中該額外主繞組的該第一端部係耦接至該阻抗匹配電路的該輸出部，而該額外主繞組的該第二端部係耦接至額外電容器；額外次繞組，與該額外主繞組相關聯，且耦接至該電漿腔室的額外TCP線圈之第一端部及第二端部，其中該額外主繞組係配置以從該阻抗匹配電路接收經修正RF信號而產生磁通量，以在該額外次繞組中感應一電壓，其中在該額外次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係從該額外次繞組傳送至該額外TCP線圈。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該電容器係耦接至接地連接部。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該次繞組係與該主繞組絞合，以與該主繞組相關聯。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該次繞組係與該主繞組以穿插方式進行捲繞，以與該主繞組相關聯。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該電容器係可變電容器或固定電容器。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該電容器係可變電容器，該可變電容器係耦接至馬達以改變該可變電容器的電容。
如請求項1所述之變壓器設備，其中在該次繞組上係提供複數分接部，以改變由該次繞組施加至該TCP線圈的該電壓。
如請求項1所述之變壓器設備，其中該主繞組的該第一端部係經由另一電容器而耦接至該阻抗匹配電路，其中該其他電容器係固定電容器或可變電容器。
一種變壓器設備，包括：主繞組，具有第一端部及第二端部，其中該第一端部係耦接至阻抗匹配電路的輸出部，而該第二端部係耦接至電容器；第一次繞組，與該主繞組相關聯，且耦接至電漿腔室的第一變壓器耦合電漿（TCP）線圈之第一端部及第二端部，其中該主繞組係配置以從該阻抗匹配電路接收經修正射頻（RF）信號而產生磁通量，以在該第一次繞組中感應一電壓，其中在該第一次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係經由該第一次繞組傳送至該第一TCP線圈，第二次繞組，與該主繞組相關聯，且耦接至該電漿腔室的第二TCP線圈之第一端部及第二端部，其中該磁通量係配置以在該第二次繞組中感應一電壓，其中在該第二次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係從該第二次繞組傳送至該第二TCP線圈。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該第一TCP線圈係與該第一次繞組串聯，而該第二TCP線圈係與該第二次繞組串聯。
如請求項11所述之變壓器設備，更包括：額外主繞組，具有第一端部及第二端部，其中該額外主繞組的該第一端部係耦接至該阻抗匹配電路的該輸出部，而該額外主繞組的該第二端部係耦接至額外電容器；額外第一次繞組，與該額外主繞組相關聯，且耦接至該電漿腔室的第三TCP線圈之第一端部及第二端部，其中該額外主繞組係配置以從該阻抗匹配電路接收經修正RF信號而產生磁通量，以在該額外第一次繞組中感應一電壓，其中在該額外第一次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係從該額外第一次繞組傳送至該第三TCP線圈；額外第二次繞組，與該額外主繞組相關聯，且耦接至該電漿腔室的第四TCP線圈之第一端部及第二端部，其中由該額外主繞組所產生的該磁通量係在該額外第二次繞組中感應一電壓，其中在該額外第二次繞組中感應的該電壓所產生的RF信號係從該額外第二次繞組傳送至該第四TCP線圈。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該電容器係耦接至接地連接部。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該電容器係可變電容器或固定電容器，其中該可變電容器係耦接至馬達以改變該可變電容器的電容。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該第一次繞組係繞著該主繞組進行絞合，以與該主繞組相關聯，而該第二次繞組係繞著該主繞組進行絞合，以與該主繞組相關聯。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該第一次繞組係與該主繞組以穿插方式進行捲繞，以與該主繞組相關聯，而該第二次繞組係與該主繞組以穿插方式進行捲繞，以與該主繞組相關聯。
如請求項11所述之變壓器設備，其中該主繞組的該第一端部係經由另一電容器而耦接至該阻抗匹配電路，其中該其他電容器係固定電容器或可變電容器。
一種方法，包括：藉由變壓器的主繞組以從阻抗匹配電路的輸出部接收經修正射頻（RF）信號，其中該主繞組係耦接至電容器；在接收該經修正RF信號之後，藉由該主繞組產生磁通量以感應橫跨該變壓器之次繞組的一電壓；以及將該電壓所產生的RF信號從該次繞組傳送至電漿腔室的變壓器耦合電漿（TCP）線圈。
如請求項19所述之方法，其中該TCP線圈係與該次繞組串聯。