TW202131629A - 環形振盪器及其方法 - Google Patents

環形振盪器及其方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202131629A
TW202131629A TW109123481A TW109123481A TW202131629A TW 202131629 A TW202131629 A TW 202131629A TW 109123481 A TW109123481 A TW 109123481A TW 109123481 A TW109123481 A TW 109123481A TW 202131629 A TW202131629 A TW 202131629A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
node
type transistor
voltage
stage
output
Prior art date
Application number
TW109123481A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI748555B (zh
Inventor
嘉亮 林
Original Assignee
瑞昱半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 瑞昱半導體股份有限公司 filed Critical 瑞昱半導體股份有限公司
Publication of TW202131629A publication Critical patent/TW202131629A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI748555B publication Critical patent/TWI748555B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H03K3/0315—Ring oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/011—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

本案提供一種環形振盪器及其方法。環形振盪器包括以環形拓樸串級排列的多個級，各個級具有前級、後級、交替前級及交替後級。各個級包括第一型電晶體、第二型電晶體及電阻器。第一型電晶體用以接收第一輸入，並且輸出第二輸出至交替前級，其中第一輸入為前級的輸出。第二型電晶體用以接收第二輸入，並且輸出第一輸出至後級，其中第二輸入為交替後級的輸出。電阻器用以在第一輸出與第二輸出之間提供耦合及位準移位。

Description

環形振盪器及其方法
本案是關於環形振盪器及其方法，特別是關於適於在低電源電壓操作的環形振盪器及其方法。
本技術領域中具有通常知識者應能理解本案中所使用的術語，例如「互補式金氧半導體（complementary metal oxide semiconductor, CMOS）」、「N型電晶體（NMOS）」及「P型電晶體（PMOS）」，以及電子電路的基本概念，例如「電壓」、「電流」、「電荷」、「反相器（inverter）」、「串級（cascade）」、「振盪器（oscillator）」、「環形振盪器（ring oscillator）」、「振盪（oscillation）」及「頻率」。本技術領域中具有通常知識者能識別電阻器符號、接地符號、P型電晶體及N型電晶體的電路符號，並且能分辨P型電晶體或N型電晶體中的「源極」、「閘極」及「汲極」。本技術領域中具有通常知識者能識別包括電阻器、N型電晶體及P型電晶體的電路示意圖，並且在示意圖中不需要詳細描述一個電晶體與另一個電晶體之間如何連接。本技術領域中具有通常知識者還能理解單位，例如吉赫兹（GHz）、微米（µm）、奈米（nm）、伏特（V）、毫伏（mV）、皮秒（ps）及歐姆（Ohm）。類似上述的術語及基本概念於先前技術文獻中是顯而易見，先前技術文獻例如教科書（例如：Behzad Razavi著的「類比CMOS積體電路設計（Design of Analog CMOS Integrated Circuits）」，McGraw-Hill出版（ISBN 0-07-118839-8）），其反映了本技術領域中具有通常知識者的技術水準，故於此不再詳細解釋。
圖1A為習知環形振盪器的示意圖。參照圖1A，Lin在美國專利（專利號US 9,252,753）中揭示了一種正交輸出環形振盪器100。正交輸出環形振盪器100包括四個主要反相器110、120、130及140、四個前饋反相器150、160、170及180、第一耦合電阻器191、第二耦合電阻器192、第三耦合電阻器193及第四耦合電阻器194。其中主要反相器110、120、130及140分別用以接收電壓V225 、V315 、V45 及V135 ，並分別用以輸出電壓V0 、V90 、V180 及V270 。前饋反相器150、160、170及180用以分別接收電壓V180 、V0 、V270 及V90 ，並分別用以輸出電壓V315 、V135 、V45 及V225 。第一耦合電阻器191用以耦合電壓V0 至電壓V315 ，第二耦合電阻器192用以耦合電壓V90 至V45 ，第三耦合電阻器193用以耦合電壓V180 至V135 ，第四耦合電阻器194用以耦合電壓V270 至V225 。四個耦合電阻能有效地防止主要反相器與前饋反相器之間的競爭（contention），從而減輕因上述競爭產生的電路速率損耗及功率浪費。為了使環形振盪器正確地運作，四個主要反相器110、120、130及140以及四個前饋反相器150、160、170及180必須提供足夠高的增益以維持振盪。
圖1B為圖1A之反相器的示意圖。參照圖1B，反相器101的示意圖是主要反相器110、120、130及 140以及前饋反相器150、160、170及180的一實施例。反相器101包括N型電晶體MN及P型電晶體MP。反相器101的輸入以「input」表示，反相器101的輸出以「output」表示。在本案中，電源節點以「VDD 」表示。反相器120的增益高度取決於電源節點VDD 的電源電壓，越高的電源電壓產生越高的增益，越低的電源電壓產生越低的增益。因此，由於電源節點VDD 的電源電壓可能不夠高，主要反相器110、120、130及140以及前饋反相器150、160、170及180的增益相對較小，不具有足夠高的增益，使得正交輸出環形振盪器100不適於在低電源電壓操作。
因此，期盼的是一種適於在低電源電壓操作的環形振盪器及其方法。
依據一些實施例，環形振盪器包括第一第一型電晶體、第一電阻器、第二第一型電晶體、第二電阻器、第三第一型電晶體、第三電阻器、第四第一型電晶體、第四電阻器、第一第二型電晶體、第二第二型電晶體、第三第二型電晶體及第四第二型電晶體。第一第一型電晶體用以從第一節點接收第一電壓，並且在第二節點輸出第二電壓。第一電阻器耦接於第二節點與第三節點之間。第二第一型電晶體用以從第三節點接收第三電壓，並且在第四節點輸出第四電壓。第二電阻器耦接於第四節點與第五節點之間。第三第一型電晶體用以從第五節點接收第五電壓，並且在第六節點輸出第六電壓。第三電阻器耦接於第六節點與第七節點之間。第四第一型電晶體用以從第七節點接收第七電壓，並且在第八節點輸出第八電壓。第四電阻器耦接於第八節點與第一節點之間。第一第二型電晶體用以從第六節點接收該第六電壓，並且在該第三節點輸出該第三電壓。第二第二型電晶體用以從第八節點接收第八電壓，並且在第五節點輸出第五電壓。第三第二型電晶體用以從第二節點接收第二電壓，並且在第七節點輸出第七電壓。第四第二型電晶體用以從第四節點接收第四電壓，並且在第一節點輸出第一電壓。
依據一些實施例，環形振盪器包括多個級，該些級以環形拓樸串級排列，各個級具有前級、後級、交替前級及交替後級。各個級包括第一型電晶體、第二型電晶體及電阻器。第一型電晶體用以接收前級輸出的第一輸入，並且輸出第二輸出至交替前級。第二型電晶體用以接收交替後級輸出的第二輸入，並且輸出第一輸出至後級。電阻器用以在第一輸出與第二輸出之間提供耦合及位準移位。
依據一些實施例，環形振盪方法包括：合併多個級，各個級包括第一型電晶體、第二型電晶體及電阻器；串級排列該些級為環形拓樸，各個級具有前級、後級、交替前級及交替後級；使用第一型電晶體，接收從前級輸出的第一輸入，並且輸出第二輸出至交替前級；使用第二型電晶體，接收從交替後級輸出的第二輸入，並且輸出第一輸出至後級；以及，使用電阻器，在第一輸出與第二輸出之間提供耦合及位準移位。
依據一些實施例，環形振盪方法包括：併入第一第一型電晶體以從第一節點接收第一電壓，並且在第二節點輸出第二電壓；併入第一電阻器以耦接第二節點至第三節點；併入第二第一型電晶體以從第三節點接收第三電壓，並且在第四節點輸出第四電壓；併入第二電阻以耦接第四節點至第五節點；併入第三第一型電晶體以從第五節點接收第五電壓，並且在第六節點輸出第六電壓；併入第三電阻以耦接第六節點至第七節點；併入第四第一型電晶體以從第七節點接收第七電壓，並且在第八節點輸出第八電壓；併入第四電阻以耦接第八節點至第一節點；併入第一第二型電晶體以從第六節點接收第六電壓，並且在第三節點輸出第三電壓；併入第二第二型電晶體以從第八節點接收第八電壓，並且在第五節點輸出第五電壓；併入第三第二型電晶體以從第二節點接收第二電壓，並且在第七節點輸出第七電壓；以及，併入第四第二型電晶體以從第四節點接收第四電壓，並且在第一節點輸出第一電壓。
本案是關於環形振盪器。儘管在說明書中描述了數個被認為是實施本案的較佳模式，但應理解本案仍可以諸多方式來實現，且不應限定於下述之特定實施例或實現下述特徵的特定方式。在實施例中，公知細節將不再被贅述或討論，以避免模糊本案重點。
本案是從工程方面（即，從本技術領域中具有通常知識者的觀點）來進行表述。例如，「X等於Y」是表示「X與Y之間的差異小於特定的工程／實務允許誤差」。「X明顯小於Y」是表示「X與Y之間的比例小於特定的工程／實務允許誤差」。「X為零」是表示「X小於特定的工程／實務允許誤差」。
在本案中，電源節點以「VDD 」表示。為了方便起見，「VDD 」也可以表示在電源節點提供的電源電壓，以下簡稱為「電源電壓」。也就是，「VDD 為0.9伏特」能表示為「電源節點提供的電源電壓VDD 為0.9伏特」或簡稱為「電源電壓VDD 為0.9伏特」。
本案提出一些實施例，用於克服環形振盪器因低電源電壓造成的操作限制。
在一些實施例中，N型電晶體是一種電壓轉電流的轉換裝置，能將閘極-源極電壓Vgs 轉換為汲極電流Id ，轉換公式如下所示：
Figure 02_image001
（1）
於此，「Vth 」是閾值電壓，「K」是常數，「Vgs -Vth 」是決定汲極電流的過驅動電壓。在電源電壓為「VDD 」的電路中，閘極-源極電壓Vgs 將被限制為不高於電源電壓VDD ，因此汲極電流Id 被限制為不高於
Figure 02_image003
。式（1）也適於P型電晶體，但是閘極-源極電壓Vgs 的極性需要反轉（即，閘極-源極電壓被源極-閘極電壓代替）。在低電源電壓的電路中，由於天生缺乏電壓高的過驅動電壓，因此電晶體難以輸出大汲極電流。在本案中，利用延長過驅動電壓的持續時間，並從而延長汲極電流的持續時間，藉以在低電源電壓的情況下，克服因缺乏高過驅動電壓而無法輸出大汲極電流的限制。電晶體的工作週期是電晶體導通以輸出汲極電流的時間的百分比。電晶體輸出的總電荷是電晶體的汲極電流的時間積分。例如，如果因為較低的電源電壓而使汲極電流減少了20％，但是汲極電流的持續時間或電晶體的工作週期延長了20％，則電晶體輸出的總電荷能保持不變。這樣，利用增加工作週期來補償電流的減少，則能克服低電源電壓的限制。
圖2為根據本案一些實施例所繪示之環形振盪器的示意圖。在一些實施例中，參照圖2，環形振盪器200包括以環形拓撲（ring topology）串級排列的第一級210、第二級220、第三級230及第四級240。由於環形拓撲串級排列的方式，每個級（第一級210、第二級220、第三級230及第四級240）具有一個前級（preceding stage）及一個後級（succeeding stage），其中前級的前級被稱為「交替前（alternate-preceding）」級，後級的後級被稱為「交替後（alternate-succeeding）」級。更具體地，第一級210是第二級220的前級，並且第一級210是第三級230的交替前級。第二級220是第三級230的前級，並且第二級220是第四級240的交替前級。第三級230是第四級240前級，並且第三級230是第一級210的交替前級。第四級240是第一級210的前級，並且第四級240是第二級220的交替前級。另一方面，第一級210是第四級240的後級，並且第一級210是第三級230的交替後級。第二級220是第一級210的後級，並且第二級220是第四級240的交替後級。第三級230是第二級220的後級，並且第三級230是第一級210的交替後級。第四級240是第三級230的後級，並且第四級240是第二級220的交替後級。
在一些實施例中，每一級（例如，第一級210、第二級220、第三級230及第四級240）包括N型電晶體、P型電晶體及電阻器。具體而言，第一級210包括N型電晶體MN1、P型電晶體MP1及電阻器R1。N型電晶體MN1用以從第一節點N1接收第一電壓V1 ，並且在第二節點N2輸出第二電壓V2 。P型電晶體MP1用以從第六節點N6接收第六電壓V6 ，並且在第三節點N3輸出第三電壓V3 。電阻器R1在第二節點N2與第三節點N3之間提供耦合（coupling）並具有位準移位（level-shifting）的功能。第二級220包括N型電晶體MN2、P型電晶體MP2及電阻器R2。N型電晶體MN2用以從第三節點N3接收第三電壓V3 ，並且在第四節點N4輸出第四電壓V4 。P型電晶體MP2用以從第八節點N8接收第八電壓V8 ，並且在第五節點N5輸出第五電壓V5 。電阻器R2在第四節點N4與第五節點N5之間提供耦合並具有位準移位的功能。第三級230包括N型電晶體MN3、P型電晶體MP3及電阻器R3。N型電晶體MN3用以從第五節點N5接收第五電壓V5 ，並且在第六節點N6輸出第六電壓V6 。P型電晶體MP3用以從第二節點N2接收第二電壓V2 ，並且在第七節點N7輸出第七電壓V7 。電阻器R3在第六節點N6與第七節點N7之間提供耦合並具有位準移位的功能。第四級240包括N型電晶體MN4、P型電晶體MP4及電阻器R4。N型電晶體MN4用以從第七節點N7接收第七電壓V7 ，並且在第八節點N8輸出第八電壓V8 。P型電晶體MP4用以從第四節點N4接收第四電壓V4 ，並且在第一節點N1輸出第一電壓V1 。電阻器R4在第八節點N8與第一節點N1之間提供耦合並具有位準移位的功能。
在一些實施例中，每一級接收第一輸入及第二輸入，第一輸入是從前級輸出，第二輸入是從交替後級輸出，每一級輸出第一輸出至後級，並且每一級輸出第二輸出至交替前級。更詳細地來說，每一級的N型電晶體用以接收第一輸入，並輸出第二輸出，每一級的P型電晶體用以接收第二輸入，並輸出第一輸出。每一級的電阻器用以在第一輸出與第二輸出之間提供耦合及位準移位。於此，對於第一級210，N型電晶體是指N型電晶體MN1，P型電晶體是指P型電晶體MP1，電阻器是指電阻器R1，前級是指第四級240，第一輸入是指第一電壓V1 ，交替後級是指第三級230，第二個輸入是指第六電壓V6 ，後級是指第二級220，第一輸出是指第三電壓V3 ，交替前級是指第三級230，第二輸出是指第二電壓V2 。對於第二級220，N型電晶體是指N型電晶體MN2，P型電晶體是指P型電晶體MP2，電阻器是指電阻器R2，前級是指第一級210，第一輸入是指第三電壓V3 ，交替後級是指第四級240，第二個輸入是指第八電壓V8 ，後級是指第三級230，第一輸出是指第五電壓V5 ，交替前級是指第四級240，第二輸出是指第四電壓V4 。對於第三級230，N型電晶體是指N型電晶體MN3，P型電晶體是指P型電晶體MP3，電阻器是指電阻器R3，前級是指第二級220，第一輸入是指五第電壓V5 ，交替後級是指第一級210，第二個輸入是指第二電壓V2 ，後級是指第四級240，第一輸出是指第七電壓V7 ，交替前級是指第一級210，第二輸出是指第六電壓V6 。對於第四級240，N型電晶體是指N型電晶體MN4，P型電晶體是指P型電晶體MP4，電阻器是指電阻器R4，前級是指第三級230，第一輸入是指第七電壓V7 ，交替後級是指第二級220，第二個輸入是指第四電壓V4 ，後級是指第一級210，第一輸出是指第一電壓V1 ，交替前級是指第二級220，第二輸出是指第八電壓V8 。當第一輸入上升至足夠高時，N型電晶體導通並直接下拉第二輸出，並利用電阻器間接下拉第一輸出，並因電阻器使得第一輸出的位準高於第二輸出的位準。當第二輸入下降至足夠低時，P型電晶體導通並直接上拉第一輸出，並利用電阻間接上拉第二輸出，並因電阻器使得第一輸出的位準高於第二輸出的位準。這樣，第一輸出的位準保持高於第二輸出位準，因此實現位準移位的功能。
在一些實施例中，由於電阻器R1的位準移位，第三電壓V3 能保持高位準，因此N型電晶體MN2能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間從第四節點N4汲取電流。由於從第四節點N4能汲取高的總電荷，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用N型電晶體MN2強下拉（pull-down）第四電壓V4 。同理，由於第二電壓V2 能保持低位準，因此P型電晶體MP3能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間向第七節點N7注入電流。由於能注入高的總電荷至第七節點N7，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用P型電晶體MP3強上拉（pull-up）第七電壓V7 。由於電阻器R2的位準移位，第五電壓V5 能保持高位準，因此N型電晶體MN3能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間從第六節點N6汲取電流。由於從第六節點N6能汲取高的總電荷，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用N型電晶體MN3強下拉第六電壓V6 。同理，由於第四電壓V4 能保持低位準，因此P型電晶體MP4能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間向第一節點N1注入電流。由於能注入高的總電荷至第一節點N1為高，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用P型電晶體MP4強上拉第一電壓V1 。由於電阻器R3的位準移位，第七電壓V7 能保持高位準，因此N型電晶體MN4能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間從第八節點N8汲取電流。由於能從第八節點N8汲取高的總電荷，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用N型電晶體MN4強下拉第八電壓V8 。同理，由於第六電壓V6 能保持低位準，因此P型電晶體MP1能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間向第三節點N3注入電流。由於能注入高的總電荷至第三節點N3，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用P型電晶體MP1強上拉第三電壓V3 。由於電阻器R4的位準移位，第一電壓V1 能保持高位準，因此N型電晶體MN1能具有高的工作週期，藉以以一長的持續時間從第二節點N2汲取電流。由於能從第二節點N2汲取高的總電荷，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用N型電晶體MN1強下拉第二電壓V2 。同理，由於第八電壓V8 能保持低位準，因此P型電晶體MP2能具有高工作週期，藉以以一長的持續時間向第五節點N5注入電流。由於能注入高的總電荷至第五節點N5，即使當電源電壓VDD 為低時，也能利用P型電晶體MP2強上拉第五電壓V5 。因此，由於電阻器的位準移位功能，環形振盪器200能利用延長電晶體的工作週期以克服低電源電壓的限制。
在一些實施例中，環形振盪器200的振盪週期描述如下。當第一電壓V1 發生低至高的轉變事件（transition event）；驅使N型電晶體MN1將第二電壓V2 下拉至接地；驅使P型電晶體MP3將第七電壓V7 上拉至電源電壓VDD ；驅使N型電晶體MN4將第八電壓V8 下拉至接地，並且利用電阻器R4將第一電壓V1 下拉至接地，從而導致第一電壓V1 的高至低的轉變事件；驅使P型電晶體MP2將第五電壓V5 上拉至電源電壓VDD ；驅使N型電晶體MN3將第六電壓V6 下拉至接地；驅使P型電晶體MP1將第三電壓V3 上拉至電源電壓VDD ；驅使N型電晶體MN2將第四電壓V4 下拉至接地；驅使P型電晶體MP4將第一電壓V1 上拉至電源電壓VDD ，從而導致下一個第一電壓V1 的低至高的轉變事件。這樣，以重複且週期性的方式發生一個低至高的轉變事件，從而產生振盪。
在一些實施例中，需特別注意的是，電阻器R1能避免N型電晶體MN1及P型電晶體MP1之間的直接競爭，電阻器R2能避免N型電晶體MN2及P型電晶體MP2之間的直接競爭，電阻器R3能避免N型電晶體MN3及P型電晶體MP3之間的直接競爭，電阻器R4能避免N型電晶體MN4及P型電晶體MP4之間的直接競爭，因此保留Lin在美國專利（專利號US 9,252,753）中教示之環形振盪器的相同優點。
在一些實施例中，需特別注意的是，環形振盪器200包括多個P型電晶體及多個N型電晶體。如果每個P型電晶體替換為N型電晶體，每個N型電晶體替換為P型電晶體，每個電源節點VDD 替換為接地節點，以及每個接地節點替換為電源節點VDD ，則環形振盪器200的功能保持相同，這樣，替換後的電路稱為「被翻轉（flipped）」，其中P型電晶體與N型電晶體的作用互換，電源與接地的作用也互換，但是功能保持不變。因此，環形振盪器200能「被翻轉」，並且成為另一實施例，「被翻轉」的實施方式對於本技術領域中具有通常知識者在閱讀「未被翻轉」的實施例後是顯而易見的，因此不再此詳述。
在一些實施例中，環形振盪器200是四級環形振盪器，但是本案的教示能應用於大於二的任何數量的級，例如三級（three-stage）、四級（four-stage）、五級（five-stage）、六級（six-stage）、七級（seven-stage）等。
在一些實施例中，在環形振盪器200中，對於各個級，交替前級與交替後級是碰巧相同。但是這只是巧合，是在四級的情況才會發生的特殊實施例。 一般而言，除了四級的特殊實施例外，交替前級與交替後級是不同的。
圖3A及圖3B分別為本案一些實施例之圖2的環形振盪器200的模擬波形的示意圖。參照圖3A及圖3B，作為示例而非限制，在一些實施例中，環形振盪器200是使用28奈米互補式金氧半導體（CMOS）製程技術製造。N型電晶體MN1、MN2、MN3及MN4的通道寬度與通道長度分別為32微米與45奈米。P型電晶體MP1、MP2、MP3及MP4的通道寬度與通道長度分別為16微米與30奈米。電阻器R1、R2、R3及R4分別為75歐姆。電源電壓VDD 為0.77伏特。模擬結果如圖3A及圖3B所示，於此，振盪頻率約為14.25吉赫兹，週期約為70.18皮秒。如圖3A所示，第七電壓V7 、第五電壓V5 、第三電壓V3 及第一電壓V1 具有相同的波形，並且在時間上具有均勻的位移差以形成四相時脈。如圖3B所示，第六電壓V6 、第四電壓V4 、第二電壓V2 及第八電壓V8 具有相同的波形，並且在時間上具有均勻的位移差以形成四相時脈。清楚地，第七電壓V7 、第五電壓V5 、第三電壓V3 及第一電壓V1 保持在高位準的時間比保持在低位準的時間長，從而導致它們控制的N型電晶體具有高的工作週期以輸出更多的電荷。另一方面，第六電壓V6 、第四電壓V4 、第二電壓V2 及第八電壓V8 保持在低位準的時間比保持在高位準的時間長，從而導致它們控制的P型電晶體具有高的工作週期以輸出更多的電荷。
圖4為根據本案一些實施例所繪示之環形振盪方法的流程圖。參照圖4，在一些實施例中，環形振盪方法包括以下步驟：合併多個級，各個級包括第一型電晶體、第二型電晶體及電阻器（步驟401）；串級排列該些級為環形拓樸，各個級具有前級、後級、交替前級及交替後級（步驟402）；使用第一型電晶體，接收從前級輸出的第一輸入，並且輸出第二輸出至交替前級（步驟403）；使用第二型電晶體，接收從交替後級輸出的第二輸入，並且輸出第一輸出至後級（步驟404）；以及，使用電阻器在第一輸出與第二輸出之間提供耦合及位準移位（步驟405）。
續參照圖2，在一些實施例中，環形振盪方法包括：併入第一第一型電晶體（即，N型電晶體MN1）以從第一節點N1接收第一電壓V1 ，並且在第二節點N2輸出第二電壓V2 ；併入第一電阻器（即，電阻器R1）以耦接第二節點N2至第三節點N3；併入第二第一型電晶體（即，N型電晶體MN2）以從第三節點N3接收第三電壓V3 ，並且在第四節點N4輸出第四電壓V4 ；併入第二電阻（即，電阻器R2）以耦接第四節點N4至第五節點N5；併入第三第一型電晶體（即，N型電晶體MN3）以從第五節點N5接收第五電壓V5 ，並且在第六節點N6輸出第六電壓V6 ；併入第三電阻（即，電阻器R3）以耦接第六節點N6至第七節點N7；併入第四第一型電晶體（即，N型電晶體MN4）以從第七節點N7接收第七電壓V7 ，並且在第八節點N8輸出第八電壓V8 ；併入第四電阻（即，電阻器R4）以耦接第八節點N8至第一節點N1；併入第一第二型電晶體（即，P型電晶體MP1）以從第六節點N6接收第六電壓V6 ，並且在第三節點N3輸出第三電壓V3 ；併入第二第二型電晶體（即，P型電晶體MP2）以從第八節點N8接收第八電壓V8 ，並且在第五節點N5輸出第五電壓V5 ；併入第三第二型電晶體（即，P型電晶體MP3）以從第二節點N2接收第二電壓V2 ，並且在第七節點N7輸出第七電壓V7 ；以及，併入第四第二型電晶體（即，P型電晶體MP4）以從第四節點N4接收第四電壓V4 ，並且在第一節點N1輸出第一電壓V1 。
雖然本案的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本案的範疇內，因此本案之專利保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:正交輸出環形振盪器 110:主要反相器 120:主要反相器 130:主要反相器 140:主要反相器 150:前饋反相器 160:前饋反相器 170:前饋反相器 180:前饋反相器 191:第一耦合電阻器 192:第二耦合電阻器 193:第三耦合電阻器 194:第四耦合電阻器 V0 :電壓 V45 :電壓 V90 :電壓 V135 :電壓 V180 :電壓 V225 :電壓 V270 :電壓 V315 :電壓 101:反相器 MN:N型電晶體 MP:P型電晶體 200:環形振盪器 210:第一級 220:第二級 230:第三級 240:第四級 MN1:N型電晶體 MN2:N型電晶體 MN3:N型電晶體 MN4:N型電晶體 MP1:P型電晶體 MP2:P型電晶體 MP3:P型電晶體 MP4:P型電晶體 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 N4:第四節點 N5:第五節點 N6:第六節點 N7:第七節點 N8:第八節點 R1:電阻器 R2:電阻器 R3:電阻器 R4:電阻器 V1 :第一電壓 V2 :第二電壓 V3 :第三電壓 V4 :第四電壓 V5 :第五電壓 V6 :第六電壓 V7 :第七電壓 V8 :第八電壓 VDD :電源節點 VDD :電源電壓 401:步驟 402:步驟 403:步驟 404:步驟 405:步驟
圖1A繪示一習知環形振盪器的示意圖。 圖1B繪示圖1A中反相器的示意圖。 圖2為根據本案一些實施例所繪示之環形振盪器的示意圖。 圖3A繪示圖2中環形振盪器之模擬波形的示意圖。 圖3B繪示圖2中環形振盪器之額外模擬波形的示意圖。 圖4為根據本案一些實施例所繪示之環形振盪方法的流程圖。
200:環形振盪器
210:第一級
220:第二級
230:第三級
240:第四級
MN1:N型電晶體
MN2:N型電晶體
MN3:N型電晶體
MN4:N型電晶體
MP1:P型電晶體
MP2:P型電晶體
MP3:P型電晶體
MP4:P型電晶體
N1:第一節點
N2:第二節點
N3:第三節點
N4:第四節點
N5:第五節點
N6:第六節點
N7:第七節點
N8:第八節點
R1:電阻器
R2:電阻器
R3:電阻器
R4:電阻器
V1:第一電壓
V2:第二電壓
V3:第三電壓
V4:第四電壓
V5:第五電壓
V6:第六電壓
V7:第七電壓
V8:第八電壓
VDD :電源節點
VDD :電源電壓

Claims (10)

  1. 一種環形振盪器，包括： 一第一第一型電晶體，用以從一第一節點接收一第一電壓，並且在一第二節點輸出一第二電壓； 一第一電阻器，耦接於該第二節點與一第三節點之間； 一第二第一型電晶體，用以從該第三節點接收一第三電壓，並且在一第四節點輸出一第四電壓； 一第二電阻器，耦接於該第四節點與一第五節點之間； 一第三第一型電晶體，用以從該第五節點接收一第五電壓，並且在一第六節點輸出一第六電壓； 一第三電阻器，耦接於該第六節點與一第七節點之間； 一第四第一型電晶體，用以從該第七節點接收一第七電壓，並且在一第八節點輸出一第八電壓； 一第四電阻器，耦接於該第八節點與該第一節點之間； 一第一第二型電晶體，用以從該第六節點接收該第六電壓，並且在該第三節點輸出該第三電壓； 一第二第二型電晶體，用以從該第八節點接收該第八電壓，並且在該第五節點輸出該第五電壓； 一第三第二型電晶體，用以從該第二節點接收該第二電壓，並且在該第七節點輸出該第七電壓；及 一第四第二型電晶體，用以從該第四節點接收該第四電壓，並且在該第一節點輸出該第一電壓。
  2. 如請求項1所述的環形振盪器，其中，該第一第一型電晶體、該第二第一型電晶體、該第三第一型電晶體及該第四第一型電晶體分別是一N型電晶體，該第一第二型電晶體、該第二第二型電晶體、該第三第二型電晶體及該第四第二型電晶體分別是一P型電晶體。
  3. 如請求項1所述的環形振盪器，其中，該第一第一型電晶體、該第二第一型電晶體、該第三第一型電晶體及該第四第一型電晶體分別是一P型電晶體，該第一第二型電晶體、該第二第二型電晶體、該第三第二型電晶體及該第四第二型電晶體分別是一N型電晶體。
  4. 一種環形振盪器，包括多個級，該些級以一環形拓樸串級排列，各該級具有一前級、一後級、一交替前級及一交替後級，各該級包括： 一第一型電晶體，用以接收從該前級輸出的一第一輸入，並且輸出一第二輸出至該交替前級； 一第二型電晶體，用以接收從該交替後級輸出的一第二輸入，並且輸出一第一輸出至該後級；及 一電阻器，用以在該第一輸出與該第二輸出之間提供耦合及位準移位。
  5. 如請求項4所述的環形振盪器，其中，該第一型電晶體是一N型電晶體，該第二型電晶體是一P型電晶體。
  6. 如請求項4所述的環形振盪器，其中，該第一型電晶體是一P型電晶體，該第二型電晶體是一N型電晶體。
  7. 一種環形振盪方法，包括： 合併多個級，各該級包括一第一型電晶體、一第二型電晶體及一電阻器； 串級排列該些級為一環形拓樸，各該級具有一前級、一後級、一交替前級及一交替後級； 使用該第一型電晶體，接收從該前級輸出的一第一輸入，並且輸出一第二輸出至該交替前級； 使用該第二型電晶體，接收從該交替後級輸出的一第二輸入，並且輸出一第一輸出至該後級；及 使用該電阻器，在該第一輸出與該第二輸出之間提供耦合及位準移位。
  8. 如請求項7所述的環形振盪方法，其中，該第一型電晶體是一N型電晶體，該第二型電晶體是一P型電晶體。
  9. 如請求項7所述的環形振盪方法，其中，該第一型電晶體是一P型電晶體，該第二型電晶體是一N型電晶體。
  10. 一種環形振盪方法，包括： 併入一第一第一型電晶體以從一第一節點接收一第一電壓，並且在一第二節點輸出一第二電壓； 併入一第一電阻器以耦接該第二節點至一第三節點； 併入一第二第一型電晶體以從該第三節點接收一第三電壓，並且在一第四節點輸出一第四電壓； 併入一第二電阻以耦接該第四節點至一第五節點； 併入一第三第一型電晶體以從該第五節點接收一第五電壓，並且在一第六節點輸出一第六電壓； 併入一第三電阻以耦接該第六節點至一第七節點； 併入一第四第一型電晶體以從該第七節點接收一第七電壓，並且在一第八節點輸出一第八電壓； 併入一第四電阻以耦接該第八節點至該第一節點； 併入一第一第二型電晶體以從該第六節點接收該第六電壓，並且在該第三節點輸出該第三電壓； 併入一第二第二型電晶體以從該第八節點接收該第八電壓，並且在該第五節點輸出該第五電壓； 併入一第三第二型電晶體以從該第二節點接收該第二電壓，並且在該第七節點輸出該第七電壓；及 併入一第四第二型電晶體以從該第四節點接收該第四電壓，並且在該第一節點輸出該第一電壓。
TW109123481A 2020-02-14 2020-07-10 環形振盪器及其方法 TWI748555B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/791,009 2020-02-14
US16/791,009 US10886901B1 (en) 2020-02-14 2020-02-14 Low supply voltage ring oscillator and method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202131629A true TW202131629A (zh) 2021-08-16
TWI748555B TWI748555B (zh) 2021-12-01

Family

ID=74044989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109123481A TWI748555B (zh) 2020-02-14 2020-07-10 環形振盪器及其方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10886901B1 (zh)
CN (1) CN113271085B (zh)
TW (1) TWI748555B (zh)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040032300A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-phase oscillator and method therefor
US7391274B2 (en) * 2005-03-30 2008-06-24 Etron Technology, Inc Low voltage operating ring oscillator with almost constant delay time
JPWO2007072551A1 (ja) * 2005-12-20 2009-05-28 富士通株式会社 電圧制御リングオシレータ
TWI371916B (en) * 2007-07-06 2012-09-01 Princeton Technology Corp Frequency stabilizing device of oscillator
KR20110040754A (ko) * 2008-07-07 2011-04-20 파나소닉 주식회사 결합형 링발진기 및 그 초기화 방법
US8624681B2 (en) * 2010-08-24 2014-01-07 Marvell International Ltd. Low noise CMOS ring oscillator
KR20150005365A (ko) * 2013-07-05 2015-01-14 에스케이하이닉스 주식회사 주기신호생성회로
CN105099445B (zh) * 2014-05-12 2018-02-23 国家电网公司 一种环形振荡器的频率控制方法及电路
US9252753B2 (en) * 2014-07-07 2016-02-02 Realtek Semiconductor Corp. Quadrature output ring oscillator and method thereof
US9300299B1 (en) * 2014-09-16 2016-03-29 Realtek Semiconductor Corp. High-speed inverter and method thereof
CN104821825A (zh) * 2015-05-14 2015-08-05 中国科学技术大学先进技术研究院 一种宽调谐范围环形压控振荡器
US9692397B2 (en) * 2015-06-29 2017-06-27 International Business Machines Corporation Carbon based CMOS sensor ring oscillator
US10613560B2 (en) * 2016-08-05 2020-04-07 Mediatek Inc. Buffer stage and control circuit
US10003326B1 (en) * 2017-05-15 2018-06-19 Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co., Ltd. Ring oscillator

Also Published As

Publication number Publication date
TWI748555B (zh) 2021-12-01
CN113271085A (zh) 2021-08-17
US10886901B1 (en) 2021-01-05
CN113271085B (zh) 2024-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6819142B2 (en) Circuit for transforming a differential mode signal into a single ended signal with reduced standby current consumption
KR100246194B1 (ko) 고속동작 디 플립플롭
TWI427929B (zh) 正反器
JP2006287797A (ja) レベル変換回路
TW202118233A (zh) 緩衝電路與緩衝方法
US20150263731A1 (en) Level shift circuit
TWI792232B (zh) 工作週期校正電路及其方法
TWI840149B (zh) D觸發器以及包括d觸發器的處理器和計算裝置
JPH098612A (ja) ラッチ回路
US20070018693A1 (en) Cml circuit devices having improved headroom
US20050007176A1 (en) Semiconductor integrated circuit
TWI401890B (zh) 電壓位準轉換電路
WO2020000120A1 (zh) 动态触发器及电子设备
TWI677189B (zh) 用於產生25％工作週期之時脈的裝置
TWI748555B (zh) 環形振盪器及其方法
US6781420B2 (en) Symmetric differential logic circuits
JP4386918B2 (ja) レベルシフト回路及びこれを備えた半導体集積回路
KR101704507B1 (ko) 고전압 트랜지스터 수가 감소된 cmos 레벨 시프터
US11271549B2 (en) Semiconductor device for controlling voltage at an input node of a circuit during a low power mode
US10911047B1 (en) Level shifter with auto voltage-bias reliability protection
TW202002516A (zh) 動態正反器及電子設備
JP3682765B2 (ja) 周波数分周器
US6853229B2 (en) Circuit for transforming a single ended signal into a differential mode signal
TWI636666B (zh) 高速低功耗電位轉換電路
JP2006180033A (ja) レベルシフタ回路