TW202130762A - 黏著薄片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種黏著薄片，其係具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)之順序配置的積層構造，前述熱膨脹性基材層(Y1)為在樹脂基材中含有熱膨脹性粒子而成者，前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數(Young's modulus)為2.05MPa以下的黏著薄片其使用該黏著薄片之半導體裝置之製造方法

Description

黏著薄片及半導體裝置之製造方法
本發明關於黏著薄片及使用該黏著薄片之半導體裝置之製造方法。
黏著薄片不僅使用於將構件半永久地固定之用途，有時也使用作為加工或檢查建材、內裝材及電子零件等時，將成為對象之構件(以下有時稱作「被黏物」)暫時固定用之暫時固定用薄片。例如半導體裝置之製造過程中，加工半導體晶圓時，使用於暫時固定用薄片。
半導體裝置之製造過程中，半導體晶圓係經過以研磨將厚度減薄之研磨步驟、切斷分離而個片化之個片化步驟等而被加工成半導體晶片。此時，半導體晶圓以被暫時固定於暫時固定用薄片上之狀態而施予特定加工。施予特定加工所得之半導體晶片自暫時固定用薄片分離後，因應必要，適當地實施將半導體晶片彼此之間隔擴大之擴張步驟、配列間隔擴大之複數半導體晶片之再配列步驟、使半導體晶片之內外反轉之反轉步驟等後，安裝於基板。上述各步驟中，能夠使用適用於各種用途之暫時固定用薄片。
專利文獻1中有揭示一種電子零件切斷時之暫時固定用之加熱剝離型黏著薄片，其係在基材之至少單面有設置含有熱膨脹性微小球之熱膨脹性黏著層。同文獻中有記載該加熱剝離型黏著薄片在電子零件切斷時，為了對被黏物確保特定大小之接觸面積，能夠發揮防止晶片脫離等之接著不良情形之接著性，另一方面，在使用後，加熱使熱膨脹性微小球膨脹，並藉由使與被黏物之接觸面積減少，即能夠輕易地剝離之內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3594853號公報
[本發明欲解決之課題]
然而，如專利文獻1中揭示之黏著薄片，黏著劑層中包含熱膨脹性粒子時，由於來自熱膨脹性粒子之殘渣附著於被黏物表面，或起因於熱膨脹性粒子之膨脹所造成之黏著劑層之變形或變質之一部份黏著劑層附著於被黏物表面(所謂「糊殘留」)等，以加熱而剝離後之被黏物表面會有被污染之虞。
本發明有鑑於上述問題點，目的為提供一種黏著薄片及使用該黏著薄片之半導體裝置之製造方法，該黏著薄片係能夠藉由加熱被暫時固定之被黏物即能夠輕易地剝離，且能夠抑制剝離後被黏物表面之污染。 [用以解決課題之手段]
本發明人等係黏著薄片之構成作為(1)具有依黏著劑層、熱膨脹性基材層及非熱膨脹性基材層之順序配置的積層構造者，(2)熱膨脹性基材層作為在特定之楊氏模數(Young’s modulus)之樹脂基材中含有熱膨脹性粒子而成者，發現可解決上述課題，遂完成本發明。
亦即，本發明係有關下述[1]~[15]。 [1]一種黏著薄片，其係具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)之順序配置的積層構造， 前述熱膨脹性基材層(Y1)為在樹脂基材中含有熱膨脹性粒子而成者， 前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數(Young’s modulus)為2.05MPa以下。 [2]如上述[1]之黏著薄片，其中前述樹脂基材含有選自由丙烯酸聚胺酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成群組之1種以上。 [3]如上述[1]或[2]之黏著薄片，其中前述樹脂基材為由含有藉由照射能量線進行硬化之樹脂的樹脂組成物(y-1)所形成者。 [4]如上述[1]~[3]中任一項之黏著薄片，其中前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數為0.1MPa以上。 [5]如上述[1]~[4]中任一項之黏著薄片，其中前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃。 [6]如上述[1]~[5]中任一項之黏著薄片，其中前述黏著劑層(X1)在23℃下之厚度為3~10μm。 [7]如上述[1]~[6]中任一項之黏著薄片，其中相對於前述熱膨脹性基材層(Y1)之全質量(100質量%)，前述熱膨脹性粒子之含量為1~30質量%。 [8]如上述[1]~[7]中任一項之黏著薄片，其中前述非熱膨脹性基材層(Y2)在120℃下之楊氏模數為500MPa以上。 [9]如上述[1]~[8]中任一項之黏著薄片，其中前述非熱膨脹性基材層(Y2)為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。 [10]如上述[1]~[9]中任一項之黏著薄片，其係在前述非熱膨脹性基材層(Y2)之與前述熱膨脹性基材層(Y1)之積層面相反側之面，進一步具有黏著劑層(X2)。 [11]如上述[10]之黏著薄片，其中前述黏著劑層(X2)為藉由照射能量線進行硬化，黏著力降低的黏著劑層。 [12]一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下的步驟： 將加工檢查對象物黏貼於如上述[1]~[11]中任一項之黏著薄片上， 對前述加工檢查對象物，施予選自加工及檢查之1種以上後，將前述黏著薄片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上的步驟。 [13]一種半導體裝置之製造方法，其係使用如上述[10]或[11]之黏著薄片，且前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃的黏著薄片，包含下述步驟1A~3A、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟， 步驟1A：將加工對象物黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)，將支撐體黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)的步驟， 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3A：在施予前述處理後之加工對象物之與前述黏著劑層(X2)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟， 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟。 [14]一種半導體裝置之製造方法，其係使用如上述[10]或[11]之黏著薄片，且前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃的黏著薄片，包含下述步驟1B~3B、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟， 步驟1B：將加工對象物黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)，將支撐體黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)的步驟， 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3B：在施予前述處理後之加工對象物之與前述黏著劑層(X1)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物的步驟， 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述支撐體的步驟。 [15]如上述[13]或[14]之半導體裝置之製造方法，其係使用如上述[11]之黏著薄片，前述第二分離步驟包含藉由對黏著劑層(X2)照射能量線，使黏著劑層(X2)硬化的步驟。 [發明效果]
依據本發明時，可提供藉由加熱可容易剝離被暫時固定的被黏物，且可抑制剝離後之被黏物表面之污染的黏著薄片及使用該黏著薄片之半導體裝置之製造方法。
本說明書中，「有效成分」意指成為對象之組成物中所含有之成分中，去除稀釋溶劑之成分。 又，本說明書中，質量平均分子量(Mw)為以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算之值，且具體來說為基於實施例記載之方法所測定之值。
本說明書中，例如「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」兩者，其他類似用語亦相同。 又，本說明書中，關於較佳之好數值範圍(例如含量等之範圍)，階段性記載之下限值及上限值能夠各自獨立地組合。例如「較佳為10~90，更佳為30~60」之記載中能夠組合「較佳之下限值(10)」與「更較佳之上限值(60)」，而設為「10~60」。
本說明書中，「能量線」意指電磁波或荷電粒子線中具有能量量子者，作為其例，有舉出紫外線、放射線、電子線等。紫外線能夠藉由例如使用無極燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈 、UV-LED等作為紫外線源來照射。電子線能夠照射以電子線加速器等所產生者。 本說明書中，「能量線聚合性」意指藉由照射能量線而聚合之性質。
本說明書中，「層」為「非熱膨脹性層」或「熱膨脹性層」係由如以下來判斷。 成為判斷對象之層含有熱膨脹性粒子時，將該層於熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)下進行3分鐘加熱處理。由下述式所算出之體積變化率未達5%時，該層判斷為「非熱膨脹性層」，為5%以上時，該層判斷為「熱膨脹性層」。 ･體積變化率(%)={(加熱處理後之前述層之體積-加熱處理前之前述層之體積)/加熱處理前之前述層之體積}×100 又，不含有熱膨脹性粒子之層為「非熱膨脹性層」。
本說明書中，半導體晶圓及半導體晶片之「表面」意指形成電路之面(以下有時稱作「電路面」)，半導體晶圓及半導體晶片之「內面」意指沒有形成電路之面。
[黏著薄片] 本發明之一態樣之黏著薄片係具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)之順序配置的積層構造，前述熱膨脹性基材層(Y1)為在樹脂基材中含有熱膨脹性粒子而成者，前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數為2.05MPa以下的黏著薄片。 又，本說明書中，前述樹脂基材，亦即，含有熱膨脹性粒子，成為熱膨脹性基材層(Y1)的樹脂基材，在120℃下的楊氏模數為2.05MPa以下的樹脂基材，有時也稱為「樹脂基材(Y’)」。 在此，樹脂基材(Y1’)係指除了不含有熱膨脹性粒子外，相當於具有與熱膨脹性基材層(Y1)相同構成的基材者。亦即，熱膨脹性基材層(Y1)可說是由包含樹脂基材(Y1’)與樹脂基材(Y1’)的熱膨脹性粒子所構成的基材。 又，「樹脂基材」係至少含有樹脂的基材，如後述，可含有基材用添加劑等之樹脂以外的成分。
本發明之一態樣之黏著薄片係藉由將熱膨脹性基材層(Y1)所含有之熱膨脹性粒子加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度使膨脹，在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸，使被黏貼於黏著劑層(X1)之黏著表面的被黏物與該黏著表面之接觸面積大幅降低者。藉此，可使黏著薄片與被黏物之密著性顯著降低。 因此，本發明之一態樣之黏著薄片係藉由加熱來剝離時，不需施加拉剝離黏著薄片之力，可將黏著薄片自被黏物剝離。具體而言，黏著薄片黏貼於被黏物而成之積層體中，藉由加熱剝離時，將黏著薄片側朝向下側，以重力使黏著薄片自被黏物落下，可使剝離。 此外，因熱膨脹性基材層(Y1)含有熱膨脹性粒子，故可抑制因熱膨脹性粒子所造成之被黏物表面之污染。 又，本說明書中，不需施加拉剝離黏著薄片之力，黏著薄片自被黏物剝離的狀態，或剝離掉落，稱為「自己剝離」。又，這種性質稱為「自己剝離性」。
本發明之一態樣之黏著薄片係熱膨脹性基材層(Y1)為在樹脂基材(Y1’)中含有熱膨脹性粒子所成者，該樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數調整為2.05MPa以下。因此，加熱剝離時，熱膨脹性粒子不會抑制因含有此粒子之樹脂基材(Y1’)造成過度膨脹，在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸。結果本發明之一態樣之黏著薄片為自己剝離性優異者。 此外，樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數超過2.05MPa時，熱膨脹性粒子之膨脹被周圍之樹脂基材(Y1’)壓抑，黏著劑層(X1)之黏著表面很難形成凹凸，有時無法得到充分的自己剝離性的情形。
本發明之一態樣之黏著薄片中，樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數，就黏著劑層(X1)之黏著表面容易形成凹凸的觀點，為2.05MPa以下，較佳為2.00MPa以下，更佳為1.95MPa以下，又更佳為1.90MPa以下，又更佳為1.85MPa以下，再又更佳為1.80MPa以下。又，樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數，就提高加熱膨脹後之薄片形狀維持性的觀點，較佳為0.01MPa以上，更佳為0.1MPa以上，又更佳為0.2MPa以上，又更佳為0.5MPa以上，更佳為0.8MPa以上，又更佳為1.1MPa以上。 又，本說明書中之「薄片形狀維持性」係指將本發明之一態樣之黏著薄片加熱膨脹時，抑制黏著薄片產生捲曲，宏觀維持加熱膨脹前之黏著薄片形狀的特性。 樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數，例如，利用樹脂基材(Y1’)之形成所使用的材料(亦即，熱膨脹性基材層(Y1)之形成所使用的熱膨脹性粒子以外的材料)之種類及摻合率、或硬化反應時，藉由適宜調整硬化條件，可調整上述範圍內。 本說明書中，樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數，藉由後述之實施例所記載的方法測定。
[黏著薄片之構成] 本發明之一態樣之黏著薄片，只要是具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)順序配置的積層構造者即可，本發明之一態樣之黏著薄片亦可僅具有黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)，必要時，亦可具有其他層。 例如，將本發明之一態樣之黏著薄片使用在選自對被黏物之加工及檢查之1種以上時，就提高被黏物之加工性及檢查性的觀點，在非膨脹性基材層(Y2)上與熱膨脹性基材層(Y1)之積層面為相反側之面，進一步具有黏著劑層(X2)的構成較佳。藉由具有該構成，可在黏著劑層(X1)或黏著劑層(X2)之任一者之黏著劑層黏貼被黏物，可在任何另外一者之黏著劑層黏貼支撐體。 藉由被黏物經由黏著薄片被固定於支撐體上，對被黏物施予選自加工及檢查中之1種以上時，可抑制被黏物之振動、位置偏移及被黏物脆弱時之破損等，可提高加工精度及加工速度及檢查精度及檢查速度。 又，以下說明中，無特別聲明時，「兩面黏著薄片」係指具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)、非熱膨脹性基材層(Y2)及黏著劑層(X2)之順序配置之積層構造的黏著薄片。
本發明之一態樣之黏著薄片，亦可在黏著劑層(X1)之黏著表面上具有剝離材。又，本發明之一態樣之黏著薄片具有兩面黏著薄片之構成時，黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)之至少任一之黏著表面上也可具有剝離材。
接著，邊參照圖示，邊更具體之說明本發明之一態樣之黏著薄片之構成。
本發明之一態樣之黏著薄片，可列舉如圖1(a)所示且具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)之順序配置之積層構造的黏著薄片1a。 又，本發明之一態樣之黏著薄片，亦可如圖1(b)所示之黏著薄片1b，在黏著劑層(X1)之黏著表面上進一步具有剝離材10的構成。
本發明之另外之一態樣之黏著薄片，可列舉具有上述兩面黏著薄片之構成者。 具有如此構成之黏著薄片，可列舉例如圖2(a)所示，且具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)、非熱膨脹性基材層(Y2)及黏著劑層(X2)之順序配置之積層構造的黏著薄片2a。 又，如圖2(b)所示之兩面黏著薄片2b，在黏著劑層(X1)之黏著表面上進一步具有剝離材10a，在黏著劑層(X2)之黏著表面上進一步具有剝離材10b的構成。
又，如圖2(b)所示之兩面黏著薄片2b中，將剝離材10a自黏著劑層(X1)剝離時的剝離力與將剝離材10b自黏著劑層(X2)剝離時的剝離力相同程度時，將兩者剝離材往外側拉扯剝離時，黏著劑層有時隨著2種剝離材而截斷，而產生被拉剝離的現象。就抑制這種現象之觀點，2種剝離材10a、10b，較佳為使用自互相黏貼之黏著劑層之剝離力不同所設計之2種剝離材。
本發明之另一態樣之黏著薄片，可為如圖2(a)所示之兩面黏著薄片2a中，在黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)之一者的黏著表面，具有將兩面有施予剝離處理之剝離材進行積層者捲成捲筒狀之構成的兩面黏著薄片。
本發明之一態樣之黏著薄片係在黏著劑層(X1)與熱膨脹性基材層(Y1)之間及熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之間之至少一層間，亦可具有其他層，亦可不具有其他層。 又，本發明之一態樣之黏著薄片為上述兩面黏著薄片時，在黏著劑層(X1)與熱膨脹性基材層(Y1)之間、熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之間及非熱膨脹性基材層(Y2)與黏著劑層(X2)之間之至少一層間亦可具有其他層，亦可不具有其他層。 但是本發明之一態樣之黏著薄片，就以熱膨脹性粒子之膨脹所造成之熱膨脹性基材層(Y1)之變形良好地傳遞至黏著劑層(X1)的觀點，直接積層黏著劑層(X1)與熱膨脹性基材層(Y1)較佳。
其次，關於本發明之一態樣之黏著薄片，針對藉由加熱在黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸所必要之熱膨脹性粒子進行說明，且針對黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)、非熱膨脹性基材層(Y2)及黏著劑層(X2)進行說明。
＜熱膨脹性粒子＞ 本發明之一態樣之黏著薄片所使用之熱膨脹性粒子，只要是藉由加熱而膨脹之粒子即可，膨脹開始溫度(t)係因應黏著薄片之用途來適宜地選擇。
但是近年來，將半導體晶片安裝於基板時，採用將半導體晶片經由被稱作固晶材料薄膜(以下也稱作「DAF」)之具有熱硬化性之薄膜狀接著劑，黏貼於基板的步驟。 DAF係黏貼於半導體晶圓或個片化之複數半導體晶片之一面，且與半導體晶圓之個片化同時，或黏貼於半導體晶片之後，分割成與半導體晶片同形狀。個片化所得之附有DAF之半導體晶片，自DAF側黏貼(固晶材料)於基板後，藉由使DAF熱硬化，黏著半導體晶片與基板。此時，DAF被黏貼於基板為止，必須要保持藉由感壓或加熱接著的性質。然而，將附有DAF之半導體晶片作為加熱剝離型之黏著薄片的被黏物時，藉由使熱膨脹性粒子膨脹時之加熱，在固晶材料前就進行DAF之硬化，有時對基板之DAF之接著力會降低。DAF之接著力之降低會導致半導體晶片與基板之接合可靠性降低，因此期望被抑制。亦即，加熱剝離時，期望被黏物之熱變化被抑制。 就此觀點，本發明之一態樣之黏著薄片中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)較佳為未達125℃，又更佳為120℃以下，又更佳為115℃以下，再又更佳為110℃以下，進一步較佳為105℃以下。
又，作為加熱剝離型之黏著薄片之熱膨脹性粒子使用膨脹開始溫度較低者時，因對被黏物進行研磨時等之溫度上升，有時熱膨脹性粒子會膨脹。由於熱膨脹性粒子這種非預期之膨脹，造成被黏物之非預期的分離或位置偏移等，因此期望被抑制。 就此觀點，本發明之一態樣之黏著薄片中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)較佳為50℃以上，更佳為55℃以上，又更佳為60℃以上，再又更佳為70℃以上。 又，本說明書中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)意指依據以下方法所測定的值。
(熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)之測定法) 製作於直徑6.0mm(內徑5.65mm)、深度4.8mm之鋁杯中加入成為測定對象之熱膨脹性粒子0.5mg，從其上方蓋上鋁蓋(直徑5.6mm、厚度0.1mm)的試料。 使用動態黏彈性測定裝置，從鋁蓋上部以加壓器對該試料施加0.01N之力的狀態，測定試料的高度。然後，以加壓器施加0.01N之力的狀態，以10℃/min之升溫速度，自20℃加熱至300℃，測定加壓器之垂直方向之變位量，將對正方向之變位開始溫度設為膨脹開始溫度(t)。
作為熱膨脹性粒子，由熱塑性樹脂構成的外殼與內包在該外殼，且加熱至特定溫度時會氣化的內包成分所構成的微膠囊化發泡劑較佳。 作為構成微膠囊化發泡劑之外殼的熱塑性樹脂，可列舉例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為內包於微膠囊化發泡劑之外殼之成分的內包成分，可列舉例如丙烷、丙烯、丁烯、n-丁烷、異丁烷、異戊烷、新戊烷、n-戊烷、n-己烷、異己烷、n-庚烷、n-辛烷、環丙烷、環丁烷、石油醚等的低沸點液體。 此等之中，就抑制加熱剝離時被黏物之熱變化，同時抑制對被黏物進行研磨時等之溫度上升所造成之熱膨脹性粒子之非預期之膨脹的觀點，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為50℃以上且未達125℃時，內包成分較佳為丙烷、異丁烷、n-戊烷及環丙烷。 此等之內包成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)藉由適宜地選擇可調整內包成分的種類。
本發明之一態樣中使用之熱膨脹性粒子在23℃中之膨脹前之平均粒徑，較佳為3~100μm，更佳為4~70μm，又更佳為6~60μm，再又更佳為10~50μm。 又，熱膨脹性粒子在膨脹前之平均粒徑係指體積中位粒徑(D50 )，使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer 3000」)測定之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布中，相當於從膨脹前之熱膨脹性粒子之粒徑較小者開始計算之累積體積頻度為50%的粒徑。
作為本發明之一態樣所使用之熱膨脹性粒子在23℃中之膨脹前之90%粒徑(D90 )，較佳為10~150μm，更佳為15~100μm，更又更佳為20~90μm，再又更佳為25~80μm。 又，熱膨脹性粒子之膨脹前之90%粒徑(D90 )係指使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer 3000」)測定之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布中，相當於膨脹前之熱膨脹性粒子之粒徑較小者開始計算之累積體積頻度為90%的粒徑。
本發明之一態樣使用之加熱至熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上之溫度時之體積最大膨脹率，較佳為1.5~200倍，更佳為2~150倍，又更佳為2.5~120倍，再又更佳為3~100倍。
＜黏著劑層(X1)＞ 黏著劑層(X1)亦可為熱膨脹性層或非熱膨脹性層，但較佳為非熱膨脹性層。 黏著劑層(X1)為非熱膨脹性層時，由上述式所算出之黏著劑層(X1)之體積變化率(%)未達5%，較佳為未達2%，更佳為未達1%，又更佳為未達0.1%，再又更佳為未達0.01%。 黏著劑層(X1)較佳為不含有熱膨脹性粒子，但在不違反本發明之目的的範圍內，亦可含有熱膨脹性粒子。黏著劑層(X1)含有熱膨脹性粒子時，其含量越少越佳，相對於黏著劑層(X1)之全質量(100質量%)，較佳為未達3質量%，更佳為未達1質量%，又更佳為未達0.1質量%，再又更佳為未達0.01質量%，再又更佳為未達0.001質量%。
本發明之一態樣之黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)可由包含黏著性樹脂之黏著劑組成物(x-1)所形成。 以下，針對黏著劑組成物(x-1)所包含之各成分進行說明。
(黏著性樹脂) 作為黏著性樹脂，可列舉該樹脂單獨具有黏著性，質量平均分子量(Mw)為1萬以上的聚合物。 黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)，就黏著劑層(X1)之黏著力提升的觀點，較佳為1萬~200萬，更佳為2萬~150萬，又更佳為3萬~100萬。
黏著性樹脂之具體例，可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等之橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚乙烯醚系樹脂等。 此等黏著性樹脂亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 又，此等黏著性樹脂為具有2種以上之結構單元之共聚物時，該共聚物之形態無特別限定，亦可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一者。
黏著性樹脂亦可為在側鏈導入有聚合性官能基之能量線硬化型的黏著性樹脂。 該聚合性官能基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等之具有碳-碳雙鍵者。 又，作為能量線，在上述者中，以容易操作之紫外線較佳。
在此，本發明之一態樣中，以展現黏著劑層(X1)優異之黏著力，同時將黏著劑層(X1)之楊氏模數調整至上述範圍的觀點，黏著性樹脂包含丙烯酸系樹脂較佳。
黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂的含量係相對於黏著劑組成物(x-1)或黏著劑層(X1)所包含之黏著性樹脂的全量(100質量%)，較佳為30~100質量%，更佳為50~100質量%，又更佳為70~100質量%，再又更佳為85~100質量%。
(丙烯酸系樹脂) 本發明之一態樣中，可作為黏著性樹脂使用之丙烯酸系樹脂，可列舉例如包含來自具有直鏈或支鏈烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物、包含來自具有環狀結構之(甲基)丙烯酸酯之結構單元的聚合物等。
丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)，較佳為10萬~150萬，更佳為20萬~130萬，又更佳為35萬~120萬，再又更佳為50萬~110萬。
本發明之一態樣使用之丙烯酸系樹脂，具有來自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1’)(以下也稱為「單體(a1’)」)之結構單元(a1)及來自含官能基之單體(a2’)(以下也稱為「單體(a2’)」)之結構單元(a2)之丙烯酸系共聚物(A1)更佳。
單體(a1’)所具有之烷基之碳數，就展現黏著劑層(X1)優異黏著力的觀點，較佳為1~24，更佳為1~12，又更佳為2~10，再又更佳為4~8。 又，單體(a1’)所具有之烷基，可為直鏈烷基或支鏈烷基。
作為單體(a1’)，可列舉例如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十三烷基(甲基)丙烯酸酯、十八烷基(甲基)丙烯酸酯等。 此等之單體(a1’)亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 單體(a1’)較佳為丁基(甲基)丙烯酸酯及2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。
結構單元(a1)之含量係相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全結構單元(100質量%)，較佳為50~99.9質量%，更佳為60~99.0質量%，又更佳為70~97.0質量%，再又更佳為80~95.0質量%。
單體(a2’)所具有之官能基，可列舉例如羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，單體(a2’)可列舉例如含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。 此等單體(a2’)亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 此等之中，單體(a2’)較佳為含羥基之單體及含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
含羥基之單體，可列舉例如2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯基醇、烯丙基醇等之不飽和醇類等之含羥基之化合物。
含羧基之單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；丁烯二酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酐、2-(丙烯醯基氧基)乙基琥珀酸、2-羧基乙基(甲基)丙烯酸酯等。
結構單元(a2)之含量係相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全結構單元(100質量%)，較佳為0.1~30質量%，更佳為0.5~20質量%，又更佳為1.0~15質量%，再又更佳為3.0~10質量%。
丙烯酸系共聚物(A1)可進一步具有來自單體(a1’)及(a2’)以外之其他單體(a3’)的結構單元(a3)。 又，丙烯酸系共聚物(A1)中，結構單元(a1)及(a2)之合計含量係相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全結構單元(100質量%)，較佳為70~100質量%，更佳為80~100質量%，又更佳為90~100質量%，再又更佳為95~100質量%。
單體(a3’)可列舉例如乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類；氯乙烯、偏二氯乙烯等之鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之二烯單體類；環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等之具有環狀結構之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯烷酮等。
又，丙烯酸系共聚物(A1)亦可作為於主鏈及側鏈之至少任一者導入有聚合性官能基之能量線硬化型的丙烯酸系共聚物。 該聚合性官能基及該能量線如上述。 又，聚合性官能基可藉由使具有上述結構單元(a1)及(a2)之丙烯酸系共聚物，與具有可與該丙烯酸系共聚物之結構單元(a2)所具有之官能基鍵結之取代基與聚合性官能基的聚合性化合物(Xa)反應來導入。 聚合性化合物(Xa)可列舉例如2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、甲基-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸等。
黏著劑組成物(x-1)中之黏著性樹脂的含量係相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為35~100質量%，更佳為50~100質量%，又更佳為60~100質量%，再又更佳為70~99.5質量%。
黏著劑組成物(x-1)可含有黏著性樹脂及作為能量線硬化性化合物之藉由能量線照射可聚合硬化之單體或寡聚物。 這種能量線硬化性化合物，可列舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇(甲基)丙烯酸酯等之多價(甲基)丙烯酸酯單體；多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚醚(甲基)丙烯酸酯、多官能環氧(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物。 此等之中，分子量比較高，且不易使黏著劑層(X1)之彈性模數降低的觀點，較佳為多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。 能量線硬化性化合物之分子量(寡聚物時為質量平均分子量(Mw))，較佳為100~12,000，更佳為200~10,000，又更佳為400~8,000，再又更佳為600~6,000。
(交聯劑) 本發明之一態樣中，黏著劑組成物(x-1)如上述丙烯酸系共聚物(A1)，含有具有官能基之黏著性樹脂時，進一步含有交聯劑較佳。 該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，以該官能基作為交聯起點，黏著性樹脂彼此進行交聯者。
交聯劑可列舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合系交聯劑等。 此等之交聯劑亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 此等之交聯劑中，就提高凝聚力使黏著力提升的觀點，就取得容易等的觀點，較佳為異氰酸酯系交聯劑。 異氰酸酯系交聯劑，可列舉例如甲伸苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環庚烷環三異氰酸酯、伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、甲基伸環己基二異氰酸酯、亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、氫化亞二甲苯基二異氰酸酯等之脂環式聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等之非環式脂肪族聚異氰酸酯；等之多元異氰酸酯化合物等。 又，異氰酸酯系交聯劑，可列舉該多元異氰酸酯化合物之三羥甲基丙烷加成物型改性體、與水反應之雙縮脲型改性體、包含異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改性體等。 此等之中，以抑制加熱時之黏著劑層(X1)之彈性模數之降低，抑制來自黏著劑層(X1)之殘渣附著於被黏物的觀點，較佳為使用包含異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改性體，更佳為使用非環式脂肪族聚異氰酸酯之異氰脲酸酯型改性體，又更佳為使用六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改性體。
交聯劑之含量可藉由黏著性樹脂所具有之官能基數來適宜地調整者，相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.03~7質量份，更較佳為0.05~5質量份。
(黏著賦予劑) 本發明之一態樣中，黏著劑組成物(x-1)就更提升黏著力的觀點，亦可進一步具有黏著賦予劑。 本說明書中，「黏著賦予劑」係指補助地提升黏著性樹脂之黏著力的成分，且質量平均分子量(Mw)未達1萬者，與上述黏著性樹脂區別。 黏著賦予劑之質量平均分子量(Mw)未達1萬，較佳為400~9,000，更佳為500~8,000，又更佳為800~5,000。
作為黏著賦予劑，可列舉例如松脂系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、將石油腦之熱分解所生成之戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、1,3-戊二烯等之C5餾分共聚合所得之C5系石油樹脂、將石油腦之熱分解所生成之茚、乙烯基甲苯等之C9餾分共聚合所得的C9系石油樹脂及將此等氫化之氫化樹脂等。
黏著賦予劑之軟化點，較佳為60~170℃，更佳為65~160℃，又更佳為70~150℃。 又，本說明書中，黏著賦予劑之「軟化點」係指根據JIS K 2531測定的值。 黏著賦予劑亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上軟化點、結構等不同者。使用2種以上之黏著賦予劑時，彼等複數之黏著賦予劑之軟化點之加權平均屬於上述範圍較佳。
黏著賦予劑之含量係相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為0.01~65質量%，更佳為0.1~50質量%，又更佳為1~40質量%，再又更佳為2~30質量%。
(光聚合起始劑) 本發明之一態樣中，黏著劑組成物(x-1)包含能量線硬化型之黏著性樹脂作為黏著性樹脂時，進一步含有光聚合起始劑較佳。 藉由作為含有能量線硬化型之黏著性樹脂及光聚合起始劑之黏著劑組成物，由該黏著劑組成物所形成之黏著劑層，即使比較低能量之能量線之照射，使充分地進行硬化反應，可將黏著力調整至所期望的範圍。 又，本發明之一態樣使用的光聚合起始劑，可列舉例如1-羥基環己基苯基酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因***、苯偶因丙醚、苄基苯基硫化物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮雙異丁腈、聯苄、二乙醯基、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。 此等之光聚合起始劑，可單獨使用1種，也可併用2種以上。
光聚合起始劑之含量係相對於能量線硬化型之黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.03~5質量份，又更佳為0.05~2質量份。
(黏著劑用添加劑) 本發明之態樣中，黏著劑組成物(x-1)在不損及本發明效果的範圍內，除了上述添加劑外，亦可含有一般黏著劑所使用之黏著劑用添加劑。 這種黏著劑用添加劑，可列舉例如抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防錆劑、顏料、染料、遲延劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。 又，此等之黏著劑用添加劑，亦可各自單獨使用，亦可併用2種以上。
含有此等之黏著劑用添加劑時，各自之黏著劑用添加劑的含量，各自獨立為相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.0001~20質量份，更佳為0.001~10質量份。
(黏著劑層(X1)在23℃中之厚度) 本發明之一態樣中，黏著劑層(X1)在23℃中之厚度，就使展現良好的黏著力，同時藉由加熱使熱膨脹性粒子膨脹時，在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸的觀點，較佳為3~10μm，更佳為3~8μm，又更佳為3~7μm。 藉由將黏著劑層(X1)之厚度調整為上述範圍，可容易形成黏著劑層(X1)，且容易在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸。 又，黏著劑層(X1)在23℃中之厚度係以後述實施例記載之方法所測定的值。
＜熱膨脹性基材層(Y1)＞ 熱膨脹性基材層(Y1)係在樹脂基材(Y1’)中含有熱膨脹性粒子所成者，設置於黏著劑層(X1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之間的層。 熱膨脹性基材層(Y1)，較佳為非黏著性之基材。 本發明中，是否為非黏著性之基材的判斷為對於成為對象之基材的表面，依據JIS Z0237：1991測定之探針黏性值( tack value) 未達50mN/5mmφ時，該基材判斷為「非黏著性之基材」。 熱膨脹性基材層(Y1)之表面的探針黏性值，通常為未達50mN/5mmφ，較佳為未達30mN/5mmφ，更佳為未達10mN/5mmφ，又更佳為未達5mN/5mmφ。 又，本說明書中，基材之表面的探針黏性值係指藉由以下方法測定的值。 ＜探針黏性值＞ 將成為測定對象之基材切斷成一邊10mm的正方形後，在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下靜置24小時者作為試驗樣品，在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，使用黏性試驗機(日本特殊測器股份公司製、製品名「NTS-4800」)，依據JIS Z0237：1991測定試驗樣品表面的探針黏性值。具體而言，測定直徑5mm之不銹鋼製之探針以1秒鐘、接觸荷重0.98N/cm2 接觸試驗樣品表面後，將該探針以10mm/秒的速度，離開試驗樣品表面所需要的力，所得之值可作為該試驗樣品的探針黏性值。
熱膨脹性基材層(Y1)中之熱膨脹性粒子之含量係相對於熱膨脹性基材層(Y1)之全質量(100質量%)，較佳為1~40質量%，更佳為5~35質量%，又更佳為10~30質量%，再更佳為15~25質量%。
又，就提高與熱膨脹性基材層(Y1)積層之其他層之層間密著性的觀點，對於熱膨脹性基材層(Y1)之表面，可實施氧化法、凹凸化法等之表面處理、易接著處理、或底塗處理。 作為氧化法，可列舉例如電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸處理(濕式)、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，作為凹凸化法，可列舉例如噴砂法、溶劑處理法等。
熱膨脹性基材層(Y1)，較佳為由含有樹脂及熱膨脹性粒子之樹脂組成物(y-1)所形成。 以下，說明樹脂組成物(y-1)之較佳之態樣。又，說明以下之樹脂組成物(y-1)可含有之熱膨脹性粒子以外的成分，可解讀為說明樹脂基材(Y1’)可含有的成分。
樹脂組成物(y-1)在不損及本發明效果的範圍內，必要時可含有基材用添加劑。 作為基材用添加劑，可列舉例如紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、滑劑、防結塊劑、著色劑等。 又，此等之基材用添加劑，可各自單獨使用，亦可併用2種以上。 含有此等之基材用添加劑時，各自之基材用添加劑之含量係各自獨立相對於前述樹脂100質量份，較佳為0.0001~20質量份，更佳為0.001~10質量份。
關於熱膨脹性基材層(Y1)之形成材料的樹脂組成物(y-1)所含有之熱膨脹性粒子，如上述。 熱膨脹性粒子之含量係相對於樹脂組成物(y-1)之有效成分的全量(100質量%)，較佳為1~40質量%，更佳為5~35質量%，又更較佳為10~30質量%，再又更佳為15~25質量%。
熱膨脹性基材層(Y1)之形成材料之樹脂組成物(y-1)所含有的樹脂，可為非黏著性樹脂，也可為黏著性樹脂。 亦即，樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂即使為黏著性樹脂，由樹脂組成物(y-1)形成熱膨脹性基材層(Y1)的過程中，該黏著性樹脂與聚合性化合物進行聚合反應，所得的樹脂成為非黏著性樹脂，包含該樹脂之熱膨脹性基材層(Y1)成為非黏著性即可。
作為樹脂組成物(y-1)所含有之前述樹脂之質量平均分子量(Mw)，較佳為1,000~100萬，更佳為1,000~70萬，又更佳為1,000~50萬。 又，該樹脂為具有2種以上之結構單元的共聚物時，該共聚物的形態無特別限定，亦可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一者。
樹脂之含量係相對於樹脂組成物(y-1)之有效成分的全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，更佳為60~95質量%，又更佳為65~90質量%，再又更佳為70~85質量%。
樹脂組成物(y-1)所含有之前述樹脂，就在黏著劑層(X1)之黏著表面容易形成凹凸的觀點、及加熱膨脹後之薄片形狀維持性良好的觀點，較佳為含有選自由丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成群組之1種以上。亦即，熱膨脹性基材層(Y1)及樹脂基材(Y1’)，較佳為含有選自由丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成群組之1種以上。 又，上述丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，較佳為以下的樹脂(U1)。 ･胺基甲酸酯預聚物(UP)與包含(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物進行聚合所成的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)。 又，本說明書中，預聚物係指單體聚合所成之化合物，進一步進行聚合，可構成聚合物的化合物。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)) 成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)，可列舉多元醇與多元異氰酸酯的反應物。 又，胺基甲酸酯預聚物(UP)，較佳為進一步施予使用鏈延長劑之鏈延長反應所得者。
成為胺基甲酸酯預聚物(UP)之原料的多元醇，可列舉例如伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯･醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。 此等之多元醇可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 本發明之一態樣使用的多元醇，較佳為二醇，更佳為酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇，又更佳為酯型二醇、碳酸酯型二醇。
作為酯型二醇，可列舉例如選自1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷基乙二醇；等之二醇類中1種或2種以上，與選自苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯橋酸、馬來酸、富馬酸、依康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫化間苯二甲酸、六氫化對苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等之二羧酸及此等之酸酐之1種或2種以上的縮聚合物。 具體而言，聚己二酸乙二醇酯二醇、聚丁烯己二酸酯二醇、聚六亞甲基己二酸酯二醇、聚六亞甲基間苯二甲酸酯二醇、聚新戊基己二酸酯二醇、聚乙烯丙烯己二酸酯二醇、聚乙烯丁烯己二酸酯二醇、聚丁烯六亞甲基己二酸酯二醇、聚二乙烯己二酸酯二醇、聚(聚四亞甲醚)己二酸酯二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸酯)二醇、聚乙烯壬二酸二醇、聚乙烯癸二酸酯二醇、聚丁烯壬二酸二醇、聚丁烯癸二酸酯二醇、聚新戊基對苯二甲酸酯二醇等。
伸烷基型二醇，可列舉如1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等之聚伸烷基二醇；聚四甲基乙二醇等之聚氧烷二醇；等。
碳酸酯型二醇，可列舉1,4-四亞甲基碳酸酯二醇、1,5-五亞甲基碳酸酯二醇、1,6-六亞甲基碳酸酯二醇、1,2-碳酸丙烯酯二醇、1,3-碳酸丙烯酯二醇、2,2-二甲基碳酸丙烯酯二醇、1,7-七亞甲基碳酸酯二醇、1,8-八亞甲基碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
成為胺基甲酸酯預聚物(UP)之原料的多元異氰酸酯，可列舉芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。 此等之多元異氰酸酯可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 又，此等之多元異氰酸酯，可為三羥甲基丙烷加成型改性體、與水反應的縮二脲型改性體、含有異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改性體。
此等中，本發明之一態樣使用的多元異氰酸酯，較佳為二異氰酸酯，更佳為選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)及脂環式二異氰酸酯之1種以上。
脂環式二異氰酸酯，可列舉例如3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，較佳為異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)。
本發明之一態樣中，成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)為二醇與二異氰酸酯之反應物，在兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物較佳。 在該直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基的方法，可列舉使二醇與二異氰酸酯化合物反應所成之直鏈胺基甲酸酯預聚物之末端的NCO基，與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯進行反應的方法。
羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等。
成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之側鏈的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。 (甲基)丙烯酸酯，較佳為選自烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之1種以上，更佳為併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯。
併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯時，相對於烷基(甲基)丙烯酸酯100質量份，羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之調配比例，較佳為0.1~100質量份，更佳為0.5~30質量份，又更佳為1.0~20質量份，再又更佳為1.5~10質量份。
該烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基的碳數，較佳為1~24，更佳為1~12，又更佳為1~8，再又更佳為1~3。
又，羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，可列舉與上述直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基用之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯相同者。
(甲基)丙烯酸酯以外之乙烯基化合物，可列舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚等之乙烯醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、依康酸、甲基(丙烯醯胺)等之含有極性基的單體；等。 此等可單獨使用1種，也可併用2種以上。
乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸酯之含量係相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較佳為40~100質量%，更佳為65~100質量%，又更佳為80~100質量%，再又更佳為90~100質量%。
乙烯基化合物中之烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之合計含量係相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較佳為40~100質量%，更佳為65~100質量%，又更佳為80~100質量%，再又更佳為90~100質量%。
本發明之一態樣使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)係混合胺基甲酸酯預聚物(UP)與含有(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物，藉由將兩者聚合所得。 該聚合係進一步添加自由基起始劑進行為佳。
本發明之一態樣使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)中，來自胺基甲酸酯預聚物(UP)之結構單元(u11)與來自乙烯基化合物之結構單元(u12)之含量比[(u11)/(u12)]，質量比計，較佳為10/90~80/20，更佳為20/80~70/30，又更佳為30/70~60/40，再又更佳為35/65 ~55/45。
(烯烴系樹脂) 作為樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂較佳的烯烴系樹脂為至少具有來自烯烴單體之結構單元的聚合物。 上述烯烴單體，較佳為碳數2~8之α-烯烴，具體而言，可列舉乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。 此等之中，較佳為乙烯及丙烯。
具體的烯烴系樹脂，可列舉例如超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880kg/m3 以上未達910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3 以上未達915kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915kg/m3 以上未達942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3 以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亞乙基-2-降莰烯)等之烯烴系三元共聚物；等。
本發明之一態樣中，烯烴系樹脂可為進一步施予選自酸改性、羥基改性、丙烯醯基改性之1種以上之改性的改性烯烴系樹脂。
例如，對於烯烴系樹脂施予酸改性所成的酸改性烯烴系樹脂，可列舉上述無改性之烯烴系樹脂與不飽和羧酸或其酸酐進行接枝聚合所成的改性聚合物。 上述不飽和羧酸或其酸酐，可列舉例如馬來酸、富馬酸、依康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、依康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降莰烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。 又，不飽和羧酸或其酸酐，可單獨使用1種，也可併用2種以上。
對烯烴系樹脂，施予丙烯醯基改性所成之丙烯醯基改性烯烴系樹脂，可列舉主鏈之上述無改性烯烴系樹脂與作為側鏈之烷基(甲基)丙烯酸酯進行接枝聚合所成之改性聚合物。 上述烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基的碳數，較佳為1~20，更佳為1~16，又更佳為1~12。 上述烷基(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如作為上述單體(a1’)可選擇之化合物相同者。
對烯烴系樹脂施予羥基改性所成之羥基改性烯烴系樹脂，可列舉主鏈之上述無改性烯烴系樹脂與含有羥基之化合物進行接枝聚合所成之改性聚合物。 上述含有羥基之化合物，可列舉與上述含有羥基之化合物相同者。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂) 本發明之一態樣中，樹脂組成物(y-1)，在不損及本發明效果的範圍內，可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂。 這種的樹脂，可列舉例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等之乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不相當於丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂的聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
但是就黏著劑層(X1)之黏著表面容易形成凹凸的觀點及加熱膨脹後之薄片形狀維持性良好的觀點，樹脂組成物(y-1)中之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂的含量，越少越好。 丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂的含量係相對於樹脂組成物(y-1)中所含有之樹脂的全量100質量份，較佳為未達30質量份，更佳為未達20質量份，又更佳為未達10質量份、再又更佳為未達5質量份，又更佳為未達1質量份。
(無溶劑型樹脂組成物(y-1a)) 本發明之一態樣使用之樹脂組成物(y-1)之一態樣，可列舉調配具有質量平均分子量(Mw)為50,000以下之乙烯性不飽和基的寡聚物與能量線聚合性單體與上述熱膨脹性粒子所成，未調配溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)。 無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中，雖未調配溶劑，但是能量線聚合性單體有助於提高前述寡聚物之可塑性。 對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，藉由照射能量線，具有乙烯性不飽和基之寡聚物、能量線聚合性單體等進行聚合，形成熱膨脹性基材層(Y1)。
又，無溶劑型樹脂組成物(y-1a)所調配之熱膨脹性粒子之種類、形狀、調配量(含量)係如上述。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)所含有之前述寡聚物之質量平均分子量(Mw)為50,000以下，但是較佳為1,000~50,000，更佳為2,000~40,000，又更佳為3,000~ 35,000，再又更佳為4,000~30,000。
又，前述寡聚物係上述樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂之中，具有質量平均分子量為50,000以下之乙烯性不飽和基者即可，較佳為上述胺基甲酸酯預聚物(UP)，更佳為兩末端具有乙烯性不飽和基的直鏈胺基甲酸酯預聚物。 又，該寡聚物可使用具有乙烯性不飽和基的改性烯烴系樹脂。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中之前述寡聚物及能量線聚合性單體的合計含量係相對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，更佳為60~95質量%，又更佳為65~90質量%，再又更佳為70~85質量%。
能量線聚合性單體，可列舉例如異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等之脂環式聚合性化合物；苯基羥基丙基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、苯酚環氧乙烷改性丙烯酸酯等之芳香族聚合性化合物；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內醯胺等之雜環式聚合性化合物等。 此等之能量線聚合性單體，可單獨使用1種，也可併用2種以上。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中之前述寡聚物與前述能量線聚合性單體之含量比[寡聚物/能量線聚合性單體]，以質量比計，較佳為20/80~90/10，更佳為30/70~85/15，又更佳為35/65~80/20。
本發明之一態樣中，無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，較佳為再調配光聚合起始劑所成。 藉由含有光聚合起始劑，比較低能量之能量線之照射，可進行充分地硬化反應。
光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(x-1)可含有之光聚合起始劑相同者。 此等之光聚合起始劑，可單獨使用1種，也可併用2種以上。
光聚合起始劑之調配量係相對於前述寡聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)，較佳為0.01~5質量份，更佳為0.01~4質量份，又更佳為0.02~3質量份。
(楊氏模數調整成分) 形成熱膨脹性基材層(Y1)用之樹脂組成物(y-1)，可含有調整樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數用之楊氏模數調整成分。 楊氏模數調整成分，例如不含有楊氏模數調整成分時，樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數超過2.05MPa時，藉由作為原料添加，所得的樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數調整為2.05MPa以下用的成分。 楊氏模數調整成分只要是將120℃下之楊氏模數調整為所期望之範圍時，無特別限定，可列舉例如單體、寡聚物、聚合物等，調整樹脂基材(Y1’)之配向性、結晶性、剛直性等的成分。 楊氏模數調整成分，也可為藉由與形成樹脂基材(Y1’)之其他的成分反應，調整楊氏模數者，也可為未與形成樹脂基材(Y1’)之其他的成分反應存在，調整楊氏模數者。 例如，將120℃之楊氏模數降低調整時，與其他的成分反應之楊氏模數調整成分，可選擇楊氏模數調整成分本身之結晶性較低者、柔軟性高者、降低樹脂基材(Y1’)之交聯點者等。 又，未與其他的成分反應的楊氏模數調整成分，可選擇與其他的成分之反應性或相溶性低的成分。 楊氏模數調整成分之具體例，可列舉例如黏著劑層(X1)所含有之黏著樹脂之原料單體(a1’)所列舉之單體、無溶劑型樹脂組成物(y-1a)可含有之能量線聚合性單體等，此等之中，可適宜選擇發揮上述作用者。 楊氏模數調整成分之使用量係依據楊氏模數調整成分之種類、楊氏模數調整成分以外之樹脂種等，適宜調整即可。
(熱膨脹性基材層(Y1)之厚度) 本發明之一態樣中，熱膨脹性基材層(Y1)之厚度，較佳為10~1000μm，更佳為20~500μm，又更佳為25~ 400μm，再又更佳為30~300μm。
＜非熱膨脹性基材層(Y2)＞ 本發明之一態樣之黏著薄片所具有之非熱膨脹性基材層(Y2)，可設置於與熱膨脹性基材層(Y1)之黏著劑層(X1)之積層面相反側之面。 本發明之一態樣之黏著薄片中，非熱膨脹性基材層(Y2)在120℃下的楊氏模數，較佳為高於熱膨脹性基材層(Y1)在120℃下的楊氏模數。藉此，使熱膨脹性粒子膨脹時，相較於熱膨脹性基材層(Y1)之非熱膨脹性基材層(Y2)側之表面，在熱膨脹性基材層(Y1)之黏著劑層(X1)側之表面較容易形成凹凸，在黏著劑層(X1)之黏著表面，良好形成凹凸。 由此觀點，非熱膨脹性基材層(Y2)在120℃下的楊氏模數，較佳為500MPa以上，更佳為600MPa以上，又更佳為700MPa以上，再又更佳為800MPa以上。又，通常為10,000MPa以下。
非熱膨脹性基材層(Y2)，較佳為非黏著性之基材。非熱膨脹性基材層(Y2)之表面中之探針黏性值，通常為未達50mN/5mmφ，較佳為未達30mN/5mmφ，更佳為未達10mN/5mmφ，又更佳為未達5mN/5mmφ。
非熱膨脹性基材層(Y2)之形成材料，可列舉例如樹脂、金屬、紙材等，可配合本發明之一態樣之黏著薄片的用途，適宜選擇。
作為樹脂，可列舉例如聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物等之乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；聚胺基甲酸酯、丙烯醯基改性聚胺基甲酸酯等之胺基甲酸酯樹脂；聚甲基戊烯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。 作為金屬，可列舉例如鋁、錫、鉻、鈦等。 作為紙材，可列舉例如薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、鑄塗紙、藝術紙、硫酸紙、玻璃紙等。 此等之中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂。
此等之形成材料，可由1種所構成，也可併用2種以上。 併用2種以上之形成材料的非熱膨脹性基材層(Y2)，可列舉將紙材以聚乙烯等之熱塑性樹脂積層者、包含樹脂之樹脂薄膜或薄片表面形成金屬膜者等。 又，金屬層之形成方法，可列舉例如將上述金屬以真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等之PVD法進行蒸鍍的方法、或將上述金屬所構成之金屬箔使用一般的黏著劑黏貼的方法等。
又，提升非熱膨脹性基材層(Y2)與積層之其他層之層間密著性的觀點，非熱膨脹性基材層(Y2)包含樹脂時，對非熱膨脹性基材層(Y2)之表面，也與上述熱膨脹性基材層(Y1)同樣地，可施予藉由氧化法、凹凸化法等之表面處理、易接著處理或底塗處理。
又，非熱膨脹性基材層(Y2)包含樹脂時，亦可含有與該樹脂一同樹脂組成物(y-1)亦可含有之上述基材用添加劑。
非熱膨脹性基材層(Y2)係依據上述方法判斷的非熱膨脹性層。 因此，由上述式算出之非熱膨脹性基材層(Y2)之體積變化率(%)為未達5%，但較佳為未達2%，更佳為未達1%，又更佳為未達0.1%，再又更佳為未達0.01%。
又，非熱膨脹性基材層(Y2)，體積變化率在上述範圍時，亦可含有熱膨脹性粒子。例如，藉由選擇非熱膨脹性基材層(Y2)所含有之樹脂，即使包含熱膨脹性粒子，也可將體積變化率調整至上述範圍。 但是非熱膨脹性基材層(Y2)中之熱膨脹性粒子之含量，越少越佳。 具體的熱膨脹性粒子之含量係相對於非熱膨脹性基材層(Y2)之全質量(100質量%)，通常為未達3質量%，較佳為未達1質量%，更佳為未達0.1質量%，又更佳為未達0.01質量%，再又更佳為未達0.001質量%。進一步，較佳為不含有熱膨脹性粒子。
(非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃下之儲存彈性模數E’(23)) 非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃下之儲存彈性模數E’(23)，較佳為5.0×107 ~5.0×109 Pa，更佳為5.0×108 ~4.5×109 Pa，又更佳為1.0×109 ~4.0×109 Pa。 非熱膨脹性基材層(Y2)之儲存彈性模數E’(23)為5.0×107 Pa以上時，容易提高黏著薄片之耐變形性。另一方面，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲存彈性模數E’(23)為5.0×109 Pa以下時，容易提高黏著薄片之操作性。 又，本說明書中，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲存彈性模數E’(23)係指藉由實施例所記載的方法所測定的值。
(非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度) 非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度，較佳為5~500μm，更佳為15~300μm，又更佳為20~200μm。非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度為5μm以上時，容易提高黏著薄片之耐變形性。此外，非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度為500μm以下時，容易提高黏著薄片之操作性。 又，本說明書中，非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度係指藉由實施例所記載的方法測定的值。
＜黏著劑層(X2)＞ 黏著劑層(X2)係任意設置在與非熱膨脹性基材層(Y2)之熱膨脹性基材層(Y1)之積層面相反側之面的層。 黏著劑層(X2)可為熱膨脹性層，也可為非熱膨脹性層，較佳為非熱膨脹性層。 黏著劑層(X2)為非熱膨脹性層時，由上述式算出之黏著劑層(X2)的體積變化率(%)為未達5%，較佳為未達2%，更佳為未達1%，又更佳為未達0.1%、再又更佳為未達0.01%。 黏著劑層(X2)，較佳為不含熱膨脹性粒子，在不含本發明之目的之範圍內，也可含有熱膨脹性粒子。 黏著劑層(X2)含有熱膨脹性粒子時，其含量越少越佳，相對於黏著劑層(X2)之全質量(100質量%)，較佳為未達3質量%，更佳為未達1質量%，又更佳為未達0.1質量%，再又更佳為未達0.01質量%，再又更佳為未達0.001質量%。
黏著劑層(X2)，較佳為藉由照射能量線，進行硬化，黏著力降低的黏著劑層。藉此，黏著劑層(X1)之黏著表面，藉由加熱黏著力降低的態樣，黏著劑層(X2)之黏著表面，藉由能量線照射，黏著力降低之態樣，可使彼此之黏著劑層之黏著力降低之作用機構不同者。因此，其中任一者之黏著劑層之黏著力降低的處理時，可抑制非預期，且另一者之黏著劑層之黏著力降低。
黏著劑層(X2)，較佳為由含有黏著性樹脂之黏著劑組成物(x-2)所形成。以下，說明黏著劑組成物(x-2)所含有之各成分。
(黏著劑組成物(x-2)) 黏著劑組成物(x-2)係含有黏著性樹脂者，必要時也可含有交聯劑、黏著賦予劑、聚合性化合物、聚合起始劑、上述各成分以外之一般的黏著劑所使用的黏著劑用添加劑等。
(黏著性樹脂) 黏著性樹脂只要是該樹脂單獨具有黏著性，質量平均分子量(Mw)為1萬以上的聚合物即可。 黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)就更提高黏著劑層(X2)之黏著力的觀點，較佳為1萬~200萬，更佳為2萬~150萬，又更佳為3萬~100萬。
黏著性樹脂，可列舉與黏著劑組成物(x-1)所含有之黏著劑組成物同樣者。 此等之黏著性樹脂可單獨使用1種，也可併用2種以上。 又，此等之黏著性樹脂具有2種以上之結構單元的共聚物時，該共聚物的形態可為嵌段共聚物、無規共聚物、及接枝共聚物之任一者。
黏著劑組成物(x-2)所含有之黏著性樹脂，就所得之黏著劑層(X2)藉由能量線照射硬化，黏著力降低之黏著劑層的觀點，較佳為側鏈具有能量線聚合性官能基之黏著性樹脂。 能量線聚合性官能基，可列舉例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等之具有碳-碳雙鍵者。 能量線，上述者中，較佳為操作容易的紫外線。
將黏著劑組成物(x-2)藉由能量線之照射硬化的黏著劑組成物時，該黏著劑組成物，較佳為進一步含有光聚合起始劑。 藉由含有光聚合起始劑，使更有效率進行能量線聚合性成分之聚合。 光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(x-1)可含有之光聚合起始劑相同者。 光聚合起始劑之含量係相對於具有能量線聚合性官能基之黏著性樹脂之全量100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.03~5質量份，又更佳為0.05~2質量份。
黏著性樹脂就展現、優異之黏著力的觀點，較佳為含有丙烯酸系樹脂。 黏著劑組成物(x-2)中之丙烯酸系樹脂的含量係相對於黏著劑組成物(x-2)所含有之黏著性樹脂的全量(100質量%)，較佳為30~100質量%，更佳為50~100質量%，又更佳為70~100質量%，再又更佳為85~100質量%。
黏著劑組成物(x-2)中之黏著性樹脂之含量係相對於黏著劑組成物(x-2)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為35~100質量%，更佳為50~100質量%，又更佳為60~98質量%，再又更佳為70~95質量%。
(交聯劑) 本發明之一態樣中，黏著劑組成物(x-2)含有具有官能基之黏著性樹脂時，黏著劑組成物(x-2)，較佳為再含有交聯劑。 該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，以該官能基為交聯起點，黏著性樹脂彼此進行交聯者。
黏著劑組成物(x-2)可含有之交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(x-1)可含有之交聯劑同等者，但是提高凝聚力，提高黏著力的觀點，取得容易度等的觀點，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
交聯劑之含量係藉由黏著性樹脂所具有之官能基之數，適宜調整者，相對於具有官能基的黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.03~7質量份，又更佳為0.05~5質量份。
(黏著賦予劑) 本發明之一態樣中，黏著劑組成物(x-2)就提高黏著力的觀點，進一步含有黏著賦予劑。 黏著劑組成物(x-2)可含有之黏著賦予劑，可使用與黏著劑組成物(x-1)可含有之黏著賦予劑同等者。
(黏著劑用添加劑) 黏著劑用添加劑。可列舉與黏著劑組成物(x-1)可含有之黏著劑用添加劑相同者。
黏著劑組成物(x-2)係藉由混合黏著性樹脂，必要時使用的交聯劑、黏著賦予劑、黏著劑用添加劑等來製造。
(黏著劑層(X2)在23℃下之厚度) 黏著劑層(X2)在23℃下之厚度，較佳為5~150μm，更佳為8~100μm，又更佳為12~70μm，再又更佳為15~50μm。 黏著劑層(X2)在23℃下之厚度為5μm以上時，容易得到充分的黏著力，有可抑制由暫時固定時之被黏物之非預期之剝離、被黏物之位置偏移等的傾向。此外，黏著劑層(X2)在23℃下之厚度為150μm以下時，有黏著薄片之操作容易的傾向。
＜剝離材＞ 作為剝離材，可使用兩面剝離處理後的剝離薄片、單面剝離處理後之剝離薄片等，可列舉在剝離材用之基材上塗佈於剝離劑者等。 剝離材用之基材，可列舉例如塑膠薄膜、紙類等。塑膠薄膜，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜；聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之烯烴樹脂薄膜等，紙類可列舉例如上質紙、玻璃紙、牛皮紙等。
剝離劑，可列舉例如聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。剝離劑可單獨使用1種，也可併用2種以上。
剝離材之厚度，較佳為10~200μm，更佳為20~150μm，又更佳為35~80μm。
[黏著薄片之製造方法] 本發明之一態樣之黏著薄片之製造方法，無特別限制，可列舉例如具有下述步驟(1a)~(3a)之黏著薄片之製造方法。 ･步驟(1a)：在剝離材之剝離處理表面上塗佈黏著劑組成物(x-1)形成黏著劑層(X1)的步驟。 ･步驟(2a)：在非熱膨脹性基材層(Y2)之單面塗佈樹脂組成物(y-1)，形成有積層非熱膨脹性基材層(Y2)與熱膨脹性基材層(Y1)之基材積層體的步驟。 ･步驟(3a)：貼合步驟(1a)形成之黏著劑層(X1)的黏著表面，與步驟(2a)形成之基材積層體之熱膨脹性基材層(Y1)側之表面的步驟。
又，本發明之一態樣之黏著薄片之另外的製造方法，除了上述步驟(1a)~(3a)外，可列舉具有上述步驟(4a)~(5a)之兩面黏著薄片之製造方法。 ･步驟(4a)：在剝離材之剝離處理表面上塗佈黏著劑組成物(x-2)，形成黏著劑層(X2)的步驟。 ･步驟(5a)：在步驟(3a)形成之黏著薄片之非熱膨脹性基材層(Y2)的表面，貼合以步驟(4a)形成之黏著劑層(X2)之黏著表面的步驟。
上述黏著薄片之製造方法中，樹脂組成物(y-1)、黏著劑組成物(x-1)、及黏著劑組成物(x-2)，可進一步調配稀釋溶劑，可作為溶液的形態。 塗佈方法，可列舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗法、刮刀塗佈法、輥塗法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等。
又，將由樹脂組成物(y-1)、黏著劑組成物(x-1)、及黏著劑組成物(x-2)所形成之塗膜進行乾燥的步驟，就抑制熱膨脹性粒子之膨脹的觀點，較佳為將乾燥溫度以未達熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)進行。
[黏著薄片之用途及使用方法] 本發明之一態樣之黏著薄片，藉由加熱可容易地剝離被暫時固定的被黏物，而且可抑制剝離後之被黏物表面的污染，可適用於各種用途。具體而言，適合於例如使用於將半導體晶圓等之被黏物切割時所使用之切割薄片、使用於研磨被黏物之步驟所使用之背面研磨薄片、為了使經切割而個片化之半導體晶片等之被黏物彼此之距離擴大所使用之擴張膠帶、為了使半導體晶片等之被黏物之內外反轉所使用之轉印膠帶、為了檢查對象物檢查用的暫時固定薄片等。
本發明之一態樣之黏著薄片之被黏物，無特別限定，可列舉例如半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體封裝、電子零件、藍寶石基板、顯示器、面板用基板等。 本發明之一態樣之黏著薄片中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為未達125℃時，由於可在低溫下加熱剝離，因此適合用於將附有DAF之半導體晶片等之容易熱變化之被黏物暫時固定。 又，本發明之一態樣之黏著薄片中，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為50℃以上時，由於可抑制對被黏物進行研磨時等之溫度上升所造成之熱膨脹性粒子之非預期的膨脹，因此，適合作為研磨被黏物之步驟所使用之背面研磨薄片來使用。
將本發明之一態樣之黏著薄片自被黏物加熱剝離時之加熱溫度為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，較佳為「比膨脹開始溫度(t)高的溫度」，更佳為「膨脹開始溫度(t)+2℃」以上，又更佳為「膨脹開始溫度(t)+4℃」以上，再又更佳為「膨脹開始溫度(t)+5℃」以上。又，就抑制省能量性及加熱剝離時之被黏物之熱變化的觀點，較佳為「膨脹開始溫度(t)+50℃」以下，更佳為「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下，又更佳為「膨脹開始溫度(t)+20℃」以下。 又，加熱剝離時之加熱溫度，就抑制被黏物之熱變化的觀點，在膨脹開始溫度(t)以上的範圍內，較佳為未達125℃，更佳為120℃以下，又更佳為115℃以下，再又更佳為110℃以下，進一步，較佳為105℃以下。
加熱之方式，只要是可加熱至熱膨脹性粒子膨脹之溫度以上者時，即無特別限定，可適當地使用例如電熱加熱器；誘電加熱；磁氣加熱；近紅外線、中紅外線及遠紅外線等之紅外線等之電磁波的加熱等。又，加熱方式亦可為加熱滾筒、加熱壓等之接觸型加熱方式及環境加熱裝置、紅外線照射等之非接觸型加熱方式中任一之加熱方式。
[半導體裝置之製造方法] 本發明亦提供使用本發明之一態樣之黏著薄片之半導體裝置的製造方法。 本發明之半導體裝置之製造方法之一態樣，可列舉將本發明之一態樣之黏著薄片作為將被黏物進行加工及檢查之至少任一者用之暫時固定用薄片來使用的態樣(以下也稱作「第一態樣之半導體裝置之製造方法」)。 又，本說明書中，「半導體裝置」係指藉由利用半導體特性而有機能之裝置整體。例如，具備積體電路之晶圓、具備集積電路之經薄化的晶圓、具備集積電路的晶片、具備積體電路之經薄化的晶片、包含此等晶片之電子零件及具備該電子零件的電子機器類等。
＜第一態樣之半導體裝置之製造方法＞ 第一態樣之半導體裝置之製造方法之更具體的態樣，可列舉本發明之半導體裝置之製造方法，其係包含以下的步驟： 將加工檢查對象物黏貼於本發明之一態樣之黏著薄片上，將對於該加工檢查對象物，施予選自加工及檢查之1種以上後，將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上的步驟。 加工檢查對象物，可列舉例如半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體封裝、電子零件、LED元件、藍寶石基板、顯示器、面板用基板等。 對加工檢查對象物所進行的加工，無特別限定，可列舉例如研磨處理、個片化處理等。 對加工檢查對象物所進行的檢查，無特別限定，可列舉例如光學顯微鏡、利用雷射之缺陷檢查(例如，廢物檢查、表面傷檢查、配線圖型檢查等)、目測之表面檢查等。
第一態樣之半導體裝置之製造方法中，黏貼加工檢查對象物之黏著薄片的黏著劑層亦可為黏著劑層(X1)，黏著薄片為兩面黏著薄片時，亦可為黏著劑層(X2)。 又，黏著薄片為兩面黏著薄片時，於任一者之黏著劑層黏貼加工檢查對象物，於另外任一側之黏著劑層黏貼支撐體較佳。加工檢查對象物經由黏著薄片固定於支撐體上，進行加工及檢查中至少一者時，可抑制加工檢查對象物之振動、位置偏移、脆弱之加工檢查對象物之破損等，可提升加工精度及加工速度及檢查精度及檢查速度。此時，亦可為支撐體被黏貼於黏著劑層(X1)，且加工檢查對象物被黏貼於黏著劑層(X2)的態樣，或加工檢查對象物被黏貼於黏著劑層(X1)，且支撐體被黏貼於黏著劑層(X2)的態樣。 支撐體被黏貼於黏著劑層(X1)，且加工檢查對象物被黏貼於黏著劑層(X2)的態樣時，藉由支撐體被黏貼於加熱處理後之剝離性優異的黏著劑層(X1)，即使支撐體由硬質之材質所構成，也不會使黏著薄片及支撐體彎曲，可加熱剝離。又，黏著劑層(X2)因應加工檢查對象物的種類等選擇適當組成即可，例如，藉由能量線照射黏著劑層(X2)，設為黏著力降低的黏著劑層時，不會因來自熱膨脹性粒子之殘渣等污染加工對象物，且可剝離。 另一方面，加工檢查對象物被黏貼於黏著劑層(X1)，且支撐體被黏貼於黏著劑層(X2)的態樣時，藉由加工檢查對象物被黏貼於加熱處理後之剝離性優異的黏著劑層(X1)，加工後進行加熱剝離時，不需將加工檢查對象物個別地選取等，可一次概括且容易地剝離，因此半導體裝置之生產性較優。 又，將本發明之一態樣之黏著薄片作為檢查加工檢查對象物用之暫時固定用薄片來使用時，可於黏著薄片之黏著劑層(X1)黏貼複數個加工檢查對象物的狀態來實施檢查。進行檢查後，例如可將黏貼上述複數個加工檢查對象物之黏著薄片之一部分進行局部性加熱，且可將黏貼於該部分之特定加工檢查對象物可選擇性加熱剝離。此時，本發明之一態樣之黏著薄片可在低溫下加熱剝離，因此，加熱剝離作業之作業性及省能量性優異，同時，即使加工檢查對象物為容易熱變化者，也可抑制因加熱剝離時之加熱所造成之加工檢查對象物的熱變化。
＜第二態樣之半導體裝置之製造方法＞ 第二態樣之半導體裝置之製造方法，可列舉本發明之一態樣之黏著薄片係使用熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃的兩面黏著薄片，包含下述步驟1A~3A、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟的製造方法(以下也稱為「製造方法A」)。 步驟1A：將加工對象物黏貼於黏著劑層(X2)，將支撐體黏貼於黏著劑層(X1)的步驟， 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3A：在施予前述處理後之加工對象物之與黏著劑層(X2)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟， 第二分離步驟：分離黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟。
以下，參照圖示說明包含步驟1A~3A、第一分離步驟及第二分離步驟之半導體裝置的製造方法。又，在以下說明中，主要說明作為加工對象物使用半導體晶圓時的例子，但其他加工對象物的情形亦相同。其他加工對象物，可列舉與作為加工檢查對象物所舉出之上述相同者。
(步驟1A) 步驟1A為將加工對象物黏貼於黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)，將支撐體黏貼於黏著劑層(X1)的步驟。 圖3表示說明將半導體晶圓W黏貼於黏著薄片2a所具有之黏著劑層(X2)，將支撐體3黏貼於黏著劑層(X1)的步驟之剖面圖。 半導體晶圓W被黏貼於電路面之表面W1成為黏著劑層(X2)側。 半導體晶圓W亦可為矽晶圓，或砷化鎵、碳化矽、藍寶石、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、銦化燐等之晶圓、玻璃晶圓。 半導體晶圓W之研磨前之厚度通常為500~1000μm。 半導體晶圓W之表面W1所具有之電路，可藉由例如蝕刻法、剝離(Lift off)法等以往廣泛使用的方法來形成。
支撐體3之材質因應加工對象物之種類、加工內容等，並考慮機械強度、耐熱性等所要求的特性來適當地選擇即可。 作為支撐體3之材質，可列舉例如SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；環氧樹脂、ABS樹脂、丙烯酸樹脂、工程塑膠、超工程塑膠、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞醯胺樹脂等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，此等之中，較佳為SUS、玻璃、矽晶圓。 上述工程塑膠，可列舉例如尼龍、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。 上述超工程塑膠，可列舉例如聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)等。
支撐體3被黏貼於黏著劑層(X1)之黏著表面之全面較佳。因此，黏貼於黏著劑層(X1)之黏著表面之側之支撐體3的表面面積，較佳為黏著劑層(X1)之黏著表面之面積以上。又，黏貼於黏著劑層(X1)之黏著表面之側之支撐體3的面為平面狀較佳。 支撐體3之形狀，無特別限定，但為板狀較佳。 支撐體3之厚度考慮要求之特性，適當地選擇即可，但較佳為20μm以上50mm以下，更佳為60μm以上20mm以下。
(步驟2A) 步驟2A為對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟。 選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理，可列舉例如使用研磨機等之研磨處理；藉由刀片切割法、雷射切割法、隱形切割(註冊商標)法之個片化處理；藉由研磨前切割法(Dicing Before Grinding)、隱形切割後研磨法(Stealth Dicing Before Grinding) 之研磨處理及個片化處理；等。 此等之中，藉由隱形切割法之個片化處理、藉由研磨前切割法之研磨處理及個片化處理、藉由隱形切割後研磨法之研磨處理及個片化處理較佳，藉由研磨前切割法之研磨處理及個片化處理、藉由隱形切割後研磨法之研磨處理及個片化處理更佳。
隱形切割法係藉由雷射光之照射在半導體晶圓之內部形成改質區域，將該改質區域作為分割起點，將半導體晶圓個片化的方法。形成於半導體晶圓之改質區域係因多光子吸收而脆質化的部分，半導體晶圓因擴張而對與晶圓面平行且晶圓擴張的方向施予應力，藉此將該改質區域作為起點，龜裂會向半導體晶圓之表面及背面伸展，藉此對半導體晶片個片化。亦即，改質區域沿著被個片化時之分割線而形成。 改質區域係藉由焦點集中於半導體晶圓之內部之雷射光之照射，而形成於半導體晶圓的內部。雷射光之入射面亦可為半導體晶圓之表面或背面。又，雷射光入射面亦可為黏貼黏著薄片之面，此時，雷射光經由黏著薄片照射至半導體晶圓。
研磨前切割法亦稱作DBG法(Dicing Before Grinding)。研磨前切割法係沿著分割預定之線，預先在半導體晶圓上，以比其厚更淺的深度形成溝後，將該半導體晶圓進行背面研磨，使研磨面至少到達溝，一邊使其薄化，一邊個片化的方法。研磨面到達之溝會成為貫通半導體晶圓之凹槽，半導體晶圓會因該凹槽被分割，而對半導體晶片進行個片化。預先形成之溝，通常被設置在半導體晶圓之表面(電路面)，例如藉由使用以往公知之具備切割刀刃之晶圓切割裝置等之切割來形成。
隱形切割後研磨法亦稱為SDBG法(Stealth Dicing Before Grinding)。隱形切割後研磨法與隱形切割法同樣地藉由雷射光之照射而在半導體晶圓之內部形成改質區域，將該改質區域設為分割起點，將半導體晶圓進行個片化之方法的一種，但在進行研磨處理使半導體晶圓薄化的同時，將半導體晶圓個片化為半導體晶片這一點上，與隱形切割法不同。具體而言，將具有改質區域之半導體晶圓進行背面研磨使其薄化，此時藉由對半導體晶圓施予之壓力，將該改質區域設為起點，龜裂會往與半導體晶圓之黏著劑層之黏貼面伸展，使半導體晶圓個片化為半導體晶片。 又，形成改質區域後之研磨厚度，亦可為到達改質區域的厚度，但嚴格上，即使沒有到達改質區域，研磨至接近改質區域的位置，可以研磨研磨石等之加工壓力使割斷。
將半導體晶圓W以隱形切割後研磨法進行個片化時，於步驟1A黏貼於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W之表面W1上預先形成溝較佳。 另一方面，藉由隱形切割後研磨法將半導體晶圓W個片化時，亦可對於步驟1A黏貼於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W，照射雷射光，預先形成改質區域，亦可對黏貼於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W照射雷射光，形成改質區域。
圖4中表示說明對黏貼於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W，使用雷射光照射裝置4，形成複數改質區域5之步驟的剖面圖。 雷射光係由半導體晶圓W之背面W2側照射，於半導體晶圓W之內部大致等間隔地形成複數改質區域5。
圖5(a)及(b)表示說明使半導體晶圓W薄化，且複數之半導體晶片CP個片化之步驟的剖面圖。 如圖5(a)所示，將形成了改質區域5之半導體晶圓W的背面W2，藉由研磨機6研磨時，因對於半導體晶圓W之施加的壓力，產生以改質區域5為起點的割斷。藉此，如圖5(b)所示，可得到半導體晶圓W經薄化及個片化之複數的半導體晶片CP。 形成了改質區域5的半導體晶圓W，例如將支撐該半導體晶圓W之支撐體3固定於夾頭座等之固定座上的狀態，其背面W2被研磨。
研磨後之半導體晶片CP之厚度，較佳為5~100μm，更佳為10~45μm。又，藉由隱形切割後研磨法進行研磨處理及個片化處理時，將研磨後所得之半導體晶片CP之厚度設為50μm以下，再較佳設為10~45μm變得容易。 研磨後之半導體晶片CP之平視的大小，較佳為未達600mm2 ，更佳為未達400mm2 ，更較佳為未達300mm2 。又，平視亦即往厚度方向看。 個片化後之半導體晶片CP之平視的形狀，亦可為方形，亦可為矩形等的細長形狀。 又，第二態樣之半導體裝置之製造方法所使用的黏著薄片，由於熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，因此藉由進行研磨時等之溫度上升，可避免熱膨脹性粒子會非預期產生膨脹的情況。因此可抑制加工對象物之非預期之分離或位置偏移等。
(步驟3A) 步驟3A為在施予前述處理後之加工對象物之與黏著劑層(X2)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟。 圖6中表示說明在施予前述處理所得之複數半導體晶片CP之與黏著劑層(X2)為相反側之面黏貼具備支撐薄片8之熱硬化性薄膜7之步驟的剖面圖。
熱硬化性薄膜7為具有將至少含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物進行製膜所得之熱硬化性的薄膜，作為將半導體晶片CP安裝於基板時的接著劑使用。熱硬化性薄膜7必要時，亦可含有上述熱硬化性樹脂之硬化劑、熱塑性樹脂、無機填充材、硬化促進劑等。 熱硬化性薄膜7，可使用例如作為固晶薄膜、固晶材料薄膜等之一般使用的熱硬化性薄膜。 熱硬化性薄膜7之厚度，無特別限定，通常為1~200μm，較佳為3~100μm，更佳為5~50μm。 支撐薄片8只要可支撐熱硬化性薄膜7者即可，可列舉例如作為本發明之一態樣之黏著薄片所具有之非熱膨脹性基材層(Y2)所列舉之樹脂、金屬、及紙材等。
將熱硬化性薄膜7黏貼於複數半導體晶片CP的方法，可列舉例如以積層的方法。 積層亦可邊加熱邊進行，亦可在非加熱下進行。邊加熱邊進行積層時的加熱溫度，就抑制熱膨脹性粒子之膨脹的觀點及抑制被黏物之熱變化的觀點，較佳為「比膨脹開始溫度(t)低的溫度」，更佳為「膨脹開始溫度(t)-5℃」以下，又更佳為「膨脹開始溫度(t)-10℃」以下，再又更佳為「膨脹開始溫度(t)-15℃」以下。
(第一分離步驟) 第一分離步驟係將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上且未達125℃，並分離黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟。 圖7為表示說明將黏著薄片2a加熱，並分離黏著劑層(X1)與支撐體3之步驟的剖面圖。
第一分離步驟中之加熱溫度為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃之範圍，較佳為「比膨脹開始溫度(t)高的溫度」，更佳為「膨脹開始溫度(t)+2℃」以上，又更佳為「膨脹開始溫度(t)+4℃」以上，再又更佳為「膨脹開始溫度(t)+5℃」以上。又，第一分離步驟中之加熱溫度，就抑制省能量性及加熱剝離時之被黏物之熱變化的觀點，為未達125℃之範圍中，較佳為「膨脹開始溫度(t)+50℃」以下，更佳為「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下，又更佳為「膨脹開始溫度(t)+20℃」以下。 第一分離步驟中之加熱溫度，就抑制被黏物之熱變化的觀點，為膨脹開始溫度(t)以上之範圍內，較佳為120℃以下，更佳為115℃以下，又更佳為110℃以下、再又更佳為105℃以下。
(第二分離步驟) 第二分離步驟係分離黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟。 圖8表示說明分離黏著劑層(X2)與複數半導體晶片CP之步驟的剖面圖。 分離黏著劑層(X2)與複數半導體晶片CP的方法係配合黏著劑層(X2)之種類適當地選擇即可。例如，黏著劑層(X2)為藉由能量線照射而使黏著力降低的黏著劑層時，對黏著劑層(X2)進行能量線照射，使黏著力降低後再分離即可。
經過上述步驟1A~3A、上述第一分離步驟及上述第二分離步驟，得到黏貼於熱硬化性薄膜7上之複數半導體晶片CP。 接著，將黏貼複數半導體晶片CP的熱硬化性薄膜7分割成與半導體晶片CP同形狀，得到附有熱硬化性薄膜7之半導體晶片CP較佳。熱硬化性薄膜7之分割方法，可適用例如以雷射光之雷射切割、擴張、溶斷等的方法。 圖9表示分割成與半導體晶片CP同形狀之附熱硬化性薄膜7的半導體晶片CP。
附熱硬化性薄膜7之半導體晶片CP，進一步必要時，適當地施予將半導體晶片CP彼此之間隔擴大的擴張步驟、使擴大間隔之複數半導體晶片CP排列之再排列步驟、使複數半導體晶片CP之內外反轉之反轉步驟等後，由熱硬化性薄膜7側黏貼(固晶材料)於基板。然後，藉由使熱硬化性薄膜熱硬化，可黏著半導體晶片與基板。
第二態樣之半導體裝置之製造方法，也可為包含下述步驟1B~3B、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟的製造方法(以下也稱為「製造方法B」)。 步驟1B：將加工對象物黏貼於黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)，將支撐體黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)的步驟， 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3B：在施予前述處理後之加工對象物之與前述黏著劑層(X1)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離黏著劑層(X1)與前述加工對象物的步驟， 第二分離步驟：分離黏著劑層(X2)與前述支撐體的步驟。
步驟1B~3B係將步驟1A~3A之說明中之黏著劑層(X1)解讀成黏著劑層(X2)，並將黏著劑層(X2)解讀成黏著劑層(X1)來說明。
第一分離步驟係將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離黏著劑層(X1)與前述加工對象物的步驟。 第一分離步驟中之黏著薄片之加熱溫度等的加熱條件係與製造方法A中的說明相同。 藉由第一分離步驟，得到黏貼於熱硬化性薄膜上之複數半導體晶片。然後，與上述製造方法A的情形相同，分割熱硬化性薄膜，得到附熱硬化性薄膜的半導體晶片。
第二分離步驟為分離黏著劑層(X2)與前述支撐體的步驟。 分離黏著劑層(X2)與支撐體的方法，亦可因應黏著劑層(X2)之種類適當地選擇即可。例如黏著劑層(X2)為藉由能量線照射使黏著力降低的黏著劑層時，對黏著劑層(X2)進行能量線照射，使黏著力降低後再分離即可。
＜另一態樣之半導體裝置之製造方法＞ 本發明之半導體裝置之製造方法，不係限定於上述第一態樣及第二態樣之半導體裝置之製造方法，也可為與第一態樣及第二態樣不同之另一態樣之半導體裝置之製造方法。
另一態樣之半導體裝置之製造方法之一例，可列舉使用本發明之一態樣的黏著薄片，將黏貼於另一薄片之加工對象物自該另一薄片分離的方法。 例如擴張膠帶上間隔被擴大之複數半導體晶片黏貼於擴張膠帶的黏著表面，但是將此等之晶片一次一個地拾起之作業較煩雜。藉由本發明之一態樣之半導體裝置的製造方法，黏貼於擴張膠帶上之複數半導體晶片之露出面黏貼本發明之一態樣之黏著薄片的黏著劑層(X1)，接著，藉由自複數半導體晶片剝離擴張膠帶，可自擴張膠帶一次地分離複數半導體晶片。 經由上述步驟，可得到黏貼於本發明之一態樣之黏著薄片上的複數半導體晶片。該複數半導體晶片，其後可藉由將黏著薄片加熱至熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，而容易分離。此時，本發明之一態樣之黏著薄片，由於可低溫下加熱剝離，因此加熱剝離作業之作業性及省能量性優異，同時，即使加工對象物為容易熱變化者，也可抑制加熱剝離時之加熱所致之被黏物的熱變化。 經分離後之複數半導體晶片，亦可轉印至另一黏著薄片，一旦分離後，可提供使複數半導體晶片排成直線之再排列步驟。 [實施例]
以下實施例更具體地說明本發明，但是本發明不限定於以下實施例。又，各製造例及實施例中之物性值係藉由以下方法所測定的值。
[質量平均分子量(Mw)] 使用凝膠滲透層析儀裝置(Tosoh股份公司製，製品名「HLC-8020」)，在以下述條件下測定，使用以標準聚苯乙烯換算測定之值。 (測定條件) ･管柱：依序連結「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為Tosoh股份公司製)者 ･管柱溫度：40℃ ･展開溶媒：四氫呋喃 ･流速：1.0mL/min
[各層之厚度] 使用股份公司Teclock製之定壓厚度測定器(依據型號：「PG-02J」，標準規格：JIS K6783、Z1702、Z1709)測定。
[熱膨脹性粒子之平均粒徑(D50 )、90%粒徑(D90 )] 使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)，測定在23℃中之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布。 又，將相當於由粒子分布之粒徑較小者開始計算之累積體積頻度為50%及90%之粒徑，分別設為「熱膨脹性粒子之平均粒徑(D50 )」及「熱膨脹性粒子之90%粒徑(D90 )」。
以下之製造例及實施例中，各層形成用之材料詳係如下述。
＜黏著性樹脂＞ ･丙烯酸系共聚物(A1)：包含具有來自n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸(AA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=86/8/1/5(質量比)所構成之原料單體之結構單元，且Mw 60萬之丙烯酸系共聚物的溶液，稀釋溶劑：乙酸乙酯，固體成分濃度：40質量% ･丙烯酸系共聚物(A2)：使具有來自n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=52/20/28(質量比)所構成之原料單體之結構單元的丙烯酸系共聚物與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應，使相對於丙烯酸系共聚物中之全羥基之加成率以莫耳數基準成為80%，且Mw 50萬之能量線硬化性之丙烯酸系共聚物的溶液，稀釋溶劑：乙酸乙酯，固體成分濃度：35質量% ･丙烯酸系共聚物(A3)：使具有來自n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=52/20/28(質量比)所構成之原料單體之結構單元的丙烯酸系共聚物與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應，使相對於丙烯酸系共聚物中之全羥基之加成率以莫耳數基準成為90%，且Mw 50萬之能量線硬化性之丙烯酸系共聚物的溶液，稀釋溶劑：乙酸乙酯，固體成分濃度：35質量%
＜交聯劑＞ ･異氰酸酯系交聯劑(i)：Tosoh股份公司製，製品名「CORONATE HX」，包含六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改性體的溶液，固體成分濃度：75質量% ･異氰酸酯系交聯劑(ii)：Tosoh股份公司製，製品名「CORONATE L」，包含三羥甲基丙烷改性甲伸苯基二異氰酸酯的溶液，固體成分濃度：75質量%
＜能量線硬化性化合物＞ ･能量線硬化性化合物(i)：日本合成化學工業股份公司製、製品名「ShikouUT-4332」、多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯
＜光聚合起始劑＞ ･光聚合起始劑(i)：雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦 ･光聚合起始劑(ii)：1-羥基環己基苯基酮
＜添加劑＞ ･酞菁系顏料
＜熱膨脹性粒子＞ ･熱膨脹性粒子：AkzoNobel公司，製品名「Expancel (註冊商標)031-40」(DU型)、膨脹開始溫度(t)=88℃，平均粒子徑(D50 )=12.6μm，90%粒子徑(D90 )=26.2μm
＜剝離材＞ ･重剝離薄膜：Lintec股份公司製，製品名「SP-PET38 2150」，在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜之單面，設置有由聚矽氧系剝離劑形成的剝離劑層者，厚度：38μm ･輕剝離薄膜：Lintec股份公司製，製品名「SP-PET38 1031」，在PET薄膜之單面設置有由聚矽氧系剝離劑形成的剝離劑層者，厚度：38μm
製造例1：黏著劑層(X1)之形成 在丙烯酸系共聚物(A1)之固體成分100質量份中，調配異氰酸酯系交聯劑(i)0.74質量份(固體成分比)，以甲苯稀釋，均勻攪拌，調製固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物(x-1)。 然後，在重剝離薄膜之剝離面上塗佈調製後之黏著劑組成物(x-1)形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度5μm之黏著劑層(X1)。
製造例2：黏著劑層(X2)之形成 丙烯酸系共聚物(A2)之固體成分100質量份中，調配能量線硬化性化合物(i)4.2質量份(固體成分比)、異氰酸酯系交聯劑(ii)0.74質量份(固體成分比)、光聚合起始劑(i)1質量份(固體成分比)，以甲苯稀釋，均勻攪拌，調製固體成分濃度(有效成分濃度)30質量%之黏著劑組成物(x-2)。 然後，在輕剝離薄膜之剝離面上塗佈調製後之黏著劑組成物(x-2)形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度20μm之黏著劑層(X2)。
製造例3：黏著劑層(X2)之形成 丙烯酸系共聚物(A3)之固體成分100質量份中，調配能量線硬化性化合物(i)12質量份(固體成分比)、異氰酸酯系交聯劑(ii)1.1質量份(固體成分比)、光聚合起始劑(i)1質量份(固體成分比)，以甲苯稀釋，均勻攪拌，調製固體成分濃度(有效成分濃度)30質量%之黏著劑組成物(x-2)。將該黏著劑組成物(x-2)塗佈於輕剝離薄膜之剝離面上，形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度20μm之黏著劑層(X2)。
實施例1~7、比較例1~3：黏著薄片之形成 (1)無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之調製 使酯型二醇與、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與2-羥基乙基丙烯酸酯反應，得到質量平均分子量(Mw)5,000之寡聚物，且兩末端具有乙烯性不飽和基的直鏈胺基甲酸酯預聚物。 然後，在上述合成之胺基甲酸酯預聚物40質量份(固體成分比)中，調配作為能量線聚合性單體之丙烯酸異冰片酯(IBXA)40質量份(固體成分比)、及苯基羥基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量份(固體成分比)，相對於胺基甲酸酯預聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)，再調配光聚合起始劑(ii)2.0質量份(固體成分比)及作為添加劑之酞菁系顏料0.2質量份(固體成分比)、作為楊氏模數調整成分之表1所示的單體20質量份，調製能量線硬化性組成物。 此外，該能量線硬化性組成物中，調配熱膨脹性粒子，調製不含溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)。又，相對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之全量(100質量%)，熱膨脹性粒子的含量為20質量%。
(2)積層有熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之基材積層體之形成 使用作為非熱膨脹性基材層(Y2)之PET薄膜(東洋紡股份公司製、製品名「Cosmo ShineA4300」、厚度：50μm)，在該PET薄膜之單面塗佈無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，形成塗膜。 然後，使用紫外線照射裝置(EYE GRAPHICS股份公司製、製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(EYE GRAPHICS股份公司製、製品名「H04-L41」)，以表1所示的照射條件照射紫外線，使該塗膜硬化，在作為非熱膨脹性基材層(Y2)之PET薄膜上形成厚度100μm的熱膨脹性基材層(Y1)。又，紫外線照射時之上述照度及光量係使用照度･光量計(EIT公司製、製品名「UV Power Puck II」)測定的值。
(3)黏著薄片之形成 貼合以製造例1形成之黏著劑層(X1)的黏著表面與上述(2)形成之基材積層體之熱膨脹性基材層(Y1)表面。其次，貼合以製造例2形成之黏著劑層(X2)的黏著表面與該基材積層體之PET薄膜表面。 藉此，製作具有以下之構成的黏著薄片。 ＜重剝離薄膜＞/＜黏著劑層(X1)、厚度：5μm＞/＜熱膨脹性基材層(Y1)、厚度：100μm＞/＜非熱膨脹性基材層(Y2)、厚度：50μm＞/＜黏著劑層(X2)、厚度：20μm＞/＜輕剝離薄膜＞
實施例8：黏著薄片之形成 除了使用作為黏著劑層(X2)之以製造例3形成的黏著劑層(X2)外，其餘與與實施例1同樣，製作具有以下之構成的黏著薄片。 ＜重剝離薄膜＞/＜黏著劑層(X1)、厚度：5μm＞/＜熱膨脹性基材層(Y1)、厚度：100μm＞/＜非熱膨脹性基材層(Y2)、厚度：50μm＞/＜黏著劑層(X2)、厚度：20μm＞/＜輕剝離薄膜＞
[樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數之評價] 構成熱膨脹性基材層(Y1)之樹脂基材(Y1’)(亦即，自熱膨脹性基材層(Y1)去除熱膨脹性粒子而得之基材)在120℃下的楊氏模數之評價係使用以下順序進行。 (1)評價用樣品之製作 各實施例及比較例中之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之調製中，除未調配熱膨脹性粒子，其餘與各實施例及比較例同樣，調製不含熱膨脹性粒子的無溶劑型樹脂組成物(y-1a’)。 將上述得到的無溶劑型樹脂組成物(y-1a’)塗佈於PET系剝離薄膜(Lintec股份公司製、製品名「SP-PET38 1031」、厚度：38μm)形成塗膜。 此外，使用紫外線照射裝置(EYE GRAPHICS股份公司製、製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(EYE GRAPHICS股份公司製、製品名「H04-L41」)，以表1所示的照射條件照射紫外線，使該塗膜硬化，形成厚度150μm的樹脂基材(Y1’)，此作為評價用樣品。 (2)拉伸試驗 拉伸試驗係依據JIS K 7127：1999測定。但是評價用樣品之製作及測定條件如下述。 將製作後之評價用樣品切成15mm×140mm後，剝離PET系剝離薄膜，在兩端20mm部分黏貼拉伸用標籤，製作15mm×100mm之啞鈴型的樣品。將該樣品在附恆溫槽之TENSILON(股份公司A&D 製之TENSILON「RTG-1210」附帶三田產業股份公司製之恆溫槽「TKC-R3T-G-S」者)中，測定在120℃下，靜置3分鐘後，以速度200mm/min進行拉伸試驗時之楊氏模數。
[非熱膨脹性基材層(Y2)在120℃下的楊氏模數之評價] 作為非熱膨脹性基材層(Y2)使用之PET薄膜(東洋紡股份公司製、製品名「Cosmo ShineA4300」、厚度：50μm)作為評價用樣品，與上述[樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數之評價]之「(2)拉伸試驗」相同的方法測定。結果非熱膨脹性基材層(Y2)之上述PET薄膜，在120℃下的楊氏模數為902MPa。
[非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃下的儲存彈性模數E’(23)] 以裁斷成縱30mm×橫5mm的非熱膨脹性基材層(Y2)作為試驗樣品，使用動態黏彈性測定裝置(TA Instrument公司製、製品名「DMAQ800」)，在試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度200℃、昇溫速度3℃/分鐘、振動數1Hz、振幅20μm的條件下，測定在23℃下的儲存彈性模數E’。結果非熱膨脹性基材層(Y2)之上述PET薄膜，在23℃下的儲存彈性模數E’(23)為2.27×109 Pa。
[自己剝離性之評價] 準備2片30mm×30mm×1.1mm之鈉鈣( soda‐lime)玻璃板。以下，將2片鈉鈣玻璃板分別稱為「玻璃板G1」及「玻璃板G2」。 將各例製作的黏著薄片裁斷成30mm×30mm，由裁斷後之黏著薄片之熱膨脹性基材層(Y1)側的黏著劑層(X1)去除重剝離薄膜，黏貼玻璃板G1。其次，由非熱膨脹性基材層(Y2)側之黏著劑層(X2)，去除輕剝離薄膜，黏貼玻璃板G2後，使用真空積層機(Nikko-Materials股份公司製、製品名「V-130」)在60℃、0.2MPa的條件下，壓製30秒鐘製作試驗樣品。 然後，將試驗樣品載置於加熱板上，以熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度以上的110℃加熱1分鐘。又，試驗樣品係玻璃板G2側接觸加熱板的方式載置於加熱板。 經110℃加熱1分鐘後，確認由玻璃板G1之黏著薄片的剝離狀態，求玻璃板G1之剝離面積的比例(%)(剝離面積×100/黏著薄片全體之面積)，依據以下基準評價。 (自己剝離性之評價基準) A：玻璃板G1之全面自黏著薄片剝離。 B：玻璃板G1剝離的面積為30%以上、未達100%者。 C：玻璃板G1剝離的面積為未達30%者。
[加熱膨脹後之薄片形狀維持性之評價] 加熱膨脹後之薄片形狀維持性係以目視確認實施上述「自己剝離性之評價」後之黏著薄片的形狀進行評價。實施自己剝離性之評價後之黏著薄片，分類成未確認發生捲曲者，與黏著薄片之一部分由玻璃板G2剝離、剝離的部分產生捲曲者。 關於黏著薄片之一部分由玻璃板G2剝離、捲曲者，以玻璃板G2之表面為基準，計測剝離、浮起部分之黏著薄片之最大高度，依據以下基準評價。 (薄片形狀維持性之評價基準) A：目視未確認發生捲曲者或目視確認捲曲，黏著薄片之上述最大高度，未達加熱膨脹前之黏著薄片之厚度的3倍。 B：目視確認捲曲，黏著薄片之上述最大高度為加熱膨脹前之黏著薄片之厚度的3倍以上。
評價結果示於表1及表2。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
由表1及表2得知，實施例1~7及實施例8之黏著薄片為樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數為2.05MPa以下，故得知自己剝離性良好。其中，實施例1~6及實施例8之黏著薄片係加熱膨脹後之薄片形狀維持性優異。相對於此，比較例1~3之黏著薄片為樹脂基材(Y1’)在120℃下的楊氏模數大於2.05MPa，故得知自己剝離性差。
1a,1b,2a,2b:黏著薄片 10,10a,10b:剝離材 3:支撐體 4:雷射光照射裝置 5:改質區域 6:研磨機 7:熱硬化性薄膜 8:支撐薄片 W:半導體晶圓 W1:半導體晶圓之電路面 W2:半導體晶圓之背面 CP:半導體晶片 (X1):黏著劑層(X1) (X2):黏著劑層(X2) (Y1):熱膨脹性基材層(Y1) (Y2):非熱膨脹性基材層(Y2)
[圖1]表示本發明黏著薄片之構成之一例之剖面圖。 [圖2]表示本發明黏著薄片之構成之另一例之剖面圖。 [圖3]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖4]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖5]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖6]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖7]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖8]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖9]說明本發明半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。

Claims (15)

  1. 一種黏著薄片，其係具有依黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)及非熱膨脹性基材層(Y2)之順序配置的積層構造， 前述熱膨脹性基材層(Y1)為在樹脂基材中含有熱膨脹性粒子而成者， 前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數(Young’s modulus)為2.05MPa以下。
  2. 如請求項1之黏著薄片，其中前述樹脂基材含有選自由丙烯酸聚胺酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成群組之1種以上。
  3. 如請求項1或2之黏著薄片，其中前述樹脂基材為由含有藉由照射能量線進行硬化之樹脂的樹脂組成物(y-1)所形成者。
  4. 如請求項1~3中任一項之黏著薄片，其中前述樹脂基材在120℃下的楊氏模數為0.1MPa以上。
  5. 如請求項1~4中任一項之黏著薄片，其中前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃。
  6. 如請求項1~5中任一項之黏著薄片，其中前述黏著劑層(X1)在23℃下之厚度為3~10μm。
  7. 如請求項1~6中任一項之黏著薄片，其中相對於前述熱膨脹性基材層(Y1)之全質量(100質量%)，前述熱膨脹性粒子之含量為1~30質量%。
  8. 如請求項1~7中任一項之黏著薄片，其中前述非熱膨脹性基材層(Y2)在120℃下之楊氏模數為500MPa以上。
  9. 如請求項1~8中任一項之黏著薄片，其中前述非熱膨脹性基材層(Y2)為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
  10. 如請求項1~9中任一項之黏著薄片，其係在前述非熱膨脹性基材層(Y2)之與前述熱膨脹性基材層(Y1)之積層面相反側之面，進一步具有黏著劑層(X2)。
  11. 如請求項10之黏著薄片，其中前述黏著劑層(X2)為藉由照射能量線進行硬化，黏著力降低的黏著劑層。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下的步驟： 將加工檢查對象物黏貼於如請求項1~11中任一項之黏著薄片上， 對前述加工檢查對象物，施予選自加工及檢查之1種以上後，將前述黏著薄片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上的步驟。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項10或11之黏著薄片，且前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃的黏著薄片，包含下述步驟1A~3A、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟， 步驟1A：將加工對象物黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)，將支撐體黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)的步驟， 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3A：在施予前述處理後之加工對象物之與前述黏著劑層(X2)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟， 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項10或11之黏著薄片，且前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，未達125℃的黏著薄片，包含下述步驟1B~3B、下述第一分離步驟，及下述第二分離步驟， 步驟1B：將加工對象物黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)，將支撐體黏貼於前述黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)的步驟， 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理之1種以上之處理的步驟， 步驟3B：在施予前述處理後之加工對象物之與前述黏著劑層(X1)相反側之面，黏貼熱硬化性薄膜的步驟， 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，未達125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物的步驟， 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述支撐體的步驟。
  15. 如請求項13或14之半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項11之黏著薄片，前述第二分離步驟包含藉由對黏著劑層(X2)照射能量線，使黏著劑層(X2)硬化的步驟。
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