TW202123375A - 對準裝置、對準方法、成膜裝置及成膜方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供一種對準裝置、對準方法、成膜裝置及成膜方法，進一步提高對準裝置的對準精度。 [解決手段] 本發明的對準裝置是用於調整基板與遮罩的相對位置的對準裝置，其特徵在於，前述對準裝置包括：基板保持器，前述基板保持器保持基板；遮罩保持器，前述遮罩保持器支撐遮罩；基板保持器驅動機構，前述基板保持器驅動機構將前述基板保持器支撐為能夠移動；遮罩保持器驅動機構，前述遮罩保持器驅動機構將前述遮罩保持器支撐為能夠移動；相對位置關係取得部件，前述相對位置關係取得部件取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及第1位置檢測部件，前述第1位置檢測部件設置於前述遮罩保持器，用於檢測前述基板或前述基板保持器的位置。

Description

對準裝置、對準方法、成膜裝置及成膜方法
本發明有關對準裝置、對準方法、成膜裝置及成膜方法。
對於有機EL顯示裝置(有機EL顯示器)而言，其應用領域不僅在智慧手機、電視、汽車用顯示器中擴展，而且也在VR HMD(Virtual Reality Head Mount Display：虛擬實境頭戴式顯示器)等中不斷擴展，特別是，在用於VRHMD的顯示器中，為了減少用戶的暈眩等，要求高精度地形成畫素圖案。亦即，要求進一步的高解析度化。
在有機EL顯示裝置的製造中，在形成構成有機EL顯示裝置的有機發光元件(有機EL元件；OLED)時，透過經由形成有畫素圖案的遮罩將從成膜裝置的成膜源排出的成膜材料在基板上進行成膜，從而形成有機物層、金屬層。
在這樣的成膜裝置中，為了提高成膜精度，在成膜工序之前，測量基板與遮罩的相對位置，在相對位置偏移的情況下，進行使基板及/或遮罩相對移動而對位置進行調整(對準)的工序。
因此，以往的成膜裝置包括對基板支撐單元及/或遮罩臺進行驅動的對準載臺機構和對設置於基板及遮罩的對準標記進行拍攝的對準攝影機。對準載臺機構基於由對準攝影機得到的基板與遮罩的相對位置資訊進行對準。
以往，作為基板與遮罩的對準載臺機構及方法，已知有專利文獻1公開的對準載臺機構及方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2005-012021號專利公報
[發明欲解決之課題]
在專利文獻1公開的對準載臺機構及方法中，利用對準儀檢測基板與遮罩的相對位置。基板載臺的回饋所使用的鐳射干涉儀設置於主體框架，對主體框架與基板載臺的相對距離進行檢測，但無法檢測基板與遮罩的相對距離。
因此，在專利文獻1的對準載臺機構及方法中，在利用對準儀檢測出基板與遮罩的相對位置的時序之後，無法檢測基板與遮罩的相對位置的變化，在由於來自設置有裝置的地板的振動等而基板與遮罩的相對位置變化的情況下，對準精度會惡化。
本發明是鑒於以往技術所具有的課題而做出的，其目的在於提供能夠進一步提高對準精度的對準裝置、對準方法、成膜裝置及成膜方法。 [解決課題之手段]
本發明的一形態的對準裝置，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包含：基板保持器，其係保持基板；遮罩保持器，其係支撐遮罩；基板保持器驅動機構，其係將前述基板保持器支撐為能夠移動；遮罩保持器驅動機構，其係將前述遮罩保持器支撐為能夠移動；相對位置關係取得部件，其係取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及第1位置檢測部件，其係設置於前述遮罩保持器，用於檢測前述基板或前述基板保持器的位置。
另外，本發明的一形態的對準裝置，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包括：基板保持器，其係保持基板；遮罩保持器，其係支撐遮罩；基板保持器驅動機構，其係將前述基板保持器支撐為能夠移動；遮罩保持器驅動機構，其係將前述遮罩保持器支撐為能夠移動；相對位置關係取得部件，其係取得與基板的面平行的方向上的基板與遮罩的相對位置關係；以及位置檢測部件，其係設置於前述基板保持器，用於檢測前述遮罩或前述遮罩保持器的位置。
另外，本發明的一形態的對準方法，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為包括：相對位置關係取得步驟，在前述相對位置關係取得步驟中，取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及位置調整步驟，在前述位置調整步驟中，基於取得的前述相對位置關係，利用基板保持器驅動機構及遮罩保持器驅動機構中的至少一方，調整保持前述基板的基板保持器及支撐前述遮罩的遮罩保持器中的至少一方的位置；前述位置調整步驟包括第1位置檢測步驟，在前述第1位置檢測步驟中，利用設置於前述遮罩保持器的第1位置檢測部件來檢測前述基板或前述基板保持器的位置。
另外，本發明的一形態的對準方法，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包括：相對位置關係取得步驟，在前述相對位置關係取得步驟中，取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及位置調整步驟，在前述位置調整步驟中，基於取得的前述相對位置關係，利用基板保持器驅動機構及遮罩保持器驅動機構中的至少一方，調整保持前述基板的基板保持器及支撐前述遮罩的遮罩保持器中的至少一方的位置；前述位置調整步驟包括第1位置檢測步驟，在前述第1位置檢測步驟中，利用設置於前述基板保持器的第1位置檢測部件來檢測前述遮罩或前述遮罩保持器的位置。 [發明效果]
根據本發明，能夠進一步提高對準精度。
以下，基於附圖來說明用於實施本發明的形態。以下的實施方式及實施例例示性地表示本發明的優選的結構，本發明的範圍並不限定於上述結構。另外，對於以下的說明中的裝置的硬體結構及軟體結構、處理流程、製造條件、尺寸、材質、形狀等而言，只要沒有限定性的記載，就不意圖將本發明的範圍僅限定於此。
本發明能夠應用於在基板的表面堆積各種材料而進行成膜的裝置，能夠優選地應用於通過真空蒸鍍形成所期望的圖案的薄膜(材料層)的裝置。
作為基板的材料，能夠選擇半導體(例如矽)、玻璃、高分子材料的薄膜、金屬等任意的材料，基板例如也可以是矽片或在玻璃基板上層疊有聚醯亞胺等的薄膜的基板。另外，作為成膜材料，也能夠選擇有機材料、金屬性材料(金屬、金屬氧化物等)等任意的材料。
此外，除了基於加熱蒸發的真空蒸鍍裝置以外，還能夠將本發明應用於包括濺射裝置、CVD (Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)裝置在內的成膜裝置。具體而言，本發明的技術能夠應用於半導體裝置、磁裝置、電子部件等各種電子裝置、光學部件等的製造裝置。作為電子裝置的具體例，能夠列舉發光元件、光電轉換元件、觸控屏等。
其中，本發明也能夠優選地應用於OLED等有機發光元件、有機薄膜太陽能電池等有機光電轉換元件的製造裝置。此外，本發明中的電子裝置也包括具備發光元件的顯示裝置(例如有機EL顯示裝置)、照明裝置(例如有機EL照明裝置)、具備光電轉換元件的感測器(例如有機CMOS圖像感測器)。
＜電子裝置的製造裝置＞ 圖1是示意性地示出電子裝置的製造裝置的一部分的結構的俯視圖。
圖1的製造裝置例如用於VR HMD用的有機EL顯示裝置的顯示面板的製造。在VR HMD用的顯示面板的情況下，例如在對預定尺寸(例如300mm)的矽片進行用於形成有機EL元件的成膜之後，沿著元件形成區域之間的區域(劃線區域)對該矽片進行切割而製作成多個小尺寸的面板。
一般而言，本實施方式的電子裝置的製造裝置包括多個集群裝置1和將集群裝置之間相連的中轉裝置。
集群裝置1具備對基板W進行處理(例如成膜)的成膜裝置11、對使用前後的遮罩進行收納的遮罩儲備裝置12以及配置在其中央的搬運室13。如圖1所示，搬運室13分別與成膜裝置11及遮罩儲備裝置12連接。
在搬運室13內配置有搬運基板W或遮罩的搬運機器人14。搬運機器人14例如是具有在多關節臂安裝有保持基板W或遮罩的機器人的構造的機器人。
在成膜裝置11中，從成膜源排出的成膜材料經由遮罩被成膜到基板W上。與搬運機器人14的基板W/遮罩的交接、基板W與遮罩的相對位置的調整(對準)、基板W向遮罩上的固定、成膜等一系列的成膜工藝由成膜裝置11進行。
在有機EL顯示裝置的製造裝置中，根據要成膜的材料的種類，能夠將成膜裝置11分為有機膜的成膜裝置和金屬性膜的成膜裝置。有機膜的成膜裝置通過蒸鍍或噴濺而在基板W對有機物的成膜材料進行成膜。金屬性膜的成膜裝置通過蒸鍍或噴濺而在基板W對金屬性的成膜材料進行成膜。
在用於製造有機EL顯示裝置的製造裝置中，將哪個成膜裝置配置在哪個位置根據要製造的有機EL元件的層疊構造而不同，可以根據有機EL元件的層疊構造配置多個成膜裝置。
在有機EL元件的情況下，通常具有在形成有陽極的基板W上依次層疊有正孔注入層、正孔輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、陰極的構造，沿著基板的流動方向配置適當的成膜裝置，以便能夠依次對這些層進行成膜。
例如，在圖1中，成膜裝置11a對正孔注入層HIL及/或正孔輸送層HTL進行成膜。成膜裝置11b、11f對藍色的發光層進行成膜，成膜裝置11c對紅色的發光層進行成膜，成膜裝置11d、11e對綠色的發光層進行成膜。成膜裝置11g對電子輸送層ETL及/或電子注入層EIL進行成膜。成膜裝置11h被配置成對陰極金屬膜進行成膜。在圖1所示的實施方式中，由於在原材料的特性方面，藍色的發光層和綠色的發光層的成膜速度比紅色的發光層的成膜速度慢，所以為了取得處理速度的平衡，分別利用兩個成膜裝置對藍色的發光層和綠色的發光層進行成膜，但本發明並不限定於此，也可以具有其它配置構造。
在遮罩儲備裝置12中，在由成膜裝置11進行的成膜工序中使用的新的遮罩和使用完成後的遮罩分開地被收納在多個盒體中。搬運機器人14從成膜裝置11向遮罩儲備裝置12的盒體搬運使用完成後的遮罩，並向成膜裝置11搬運被收納在遮罩儲備裝置12的其它盒體中的新的遮罩。
將多個集群裝置1之間連結的中轉裝置包括在集群裝置1之間搬運基板W的路徑室15。
搬運室13的搬運機器人14從上游側的路徑室15接收基板W，並向該集群裝置1內的一個成膜裝置11(例如成膜裝置11a)搬運。另外，搬運機器人14從多個成膜裝置11中的一個(例如成膜裝置11e)接收由該集群裝置1完成了成膜處理後的基板W，並向與下游側連結的路徑室15搬運。
除了路徑室15之外，中轉裝置還能夠包括緩衝室(未圖示)及回旋室(未圖示)，前述緩衝室用於吸收上游側的集群裝置1和下游側的集群裝置1中的基板W的處理速度之差，前述迴旋室用於改變基板W的方向。例如，緩衝室包括暫時收納多個基板W的基板裝載部，迴旋室包括用於使基板W旋轉180度的基板旋轉機構(例如旋轉載臺或搬運機器人)。由此，在上游側的集群裝置和下游側的集群裝置中，基板W的方向相同，基板處理變得容易。
本發明的一實施方式的路徑室15也可以包括用於暫時收納多個基板W的基板裝載部(未圖示)、基板旋轉機構。即，路徑室15也可以兼備緩衝室、迴旋室的功能。
構成集群裝置1的成膜裝置11、遮罩儲備裝置12、搬運室13等在有機發光元件的製造過程中被維持在高真空狀態。中轉裝置的路徑室15通常被維持在低真空狀態，但也可以根據需要而被維持在高真空狀態。
完成了構成有機EL元件的多個層的成膜後的基板W被搬運到用於將有機EL元件密封的密封裝置(未圖示)、用於將基板切割成預定的面板尺寸的切割裝置(未圖示)等。
在本實施方式中，參照圖1，對電子裝置的製造裝置的結構進行了說明，但本發明並不限定於此，既可以具有其它種類的裝置、腔室，也可以改變上述裝置、腔室之間的配置。
例如，本發明的一實施方式的電子裝置的製造裝置也可以不是圖1所示的集群類型，而是直列類型。亦即，也可以具有如下結構：將基板W和遮罩搭載於載體，一邊在排列成一列的多個成膜裝置內搬運，一邊進行成膜。另外，也可以具有將集群類型與直列類型組合而成的類型的構造。例如，可以是到有機層的成膜為止，在集群類型的製造裝置中進行，從電極層(陰極層)的成膜工序起，密封工序及切割工序等在直列類型的製造裝置中進行。
以下，說明成膜裝置11的具體結構。
＜成膜裝置＞ 在以下的說明中，使用將垂直(鉛垂)方向設為Z方向、將水平面設為XY平面的XYZ正交坐標系。另外，用θX 表示繞X軸的旋轉角，用θY 表示繞Y軸的旋轉角，用θZ 表示繞Z軸的旋轉角。
圖2是示意性地示出通過對成膜材料加熱而使其蒸發或昇華並經由遮罩M在基板W進行成膜的成膜裝置11的一例的剖視圖。
成膜裝置11包括：真空容器21，前述真空容器21被維持在真空氛圍或氮氣等非活性氣體氛圍；基板保持器24，前述基板保持器24設置在真空容器21內，並保持基板W；基板保持器驅動機構22，前述基板保持器驅動機構22設置在真空容器21內，用於至少沿X方向、Y方向及θZ 方向對基板保持器24進行驅動；遮罩保持器23，前述遮罩保持器23設置在真空容器21內，並支撐遮罩M；遮罩保持器驅動機構28，前述遮罩保持器驅動機構28用於至少沿X方向、Y方向及θZ 方向對遮罩保持器23進行驅動；以及成膜源25，前述成膜源25設置在真空容器21內並收納成膜材料，在成膜時使成膜材料顆粒化並將其排出。
本發明的一實施方式的成膜裝置11還能夠包括磁力施加部件26，前述磁力施加部件26用於通過磁力將遮罩M向基板W側拉近。磁力施加部件26也可以兼備用於抑制基板W的溫度上升的冷卻部件(例如冷卻板)。
本發明的一實施方式的成膜裝置11的真空容器21包括配置有基板保持器驅動機構22的第1真空容器部211和配置有成膜源25的第2真空容器部212，例如，利用與第2真空容器部212連接的真空泵P將真空容器21整體的內部空間維持在高真空狀態。在圖2中，示出了在第2真空容器部212連接有真空泵的結構，但本發明並不限定於此，也可以是，在第1真空容器部211也連接有真空泵。
另外，至少在第1真空容器部211與第2真空容器部212之間設置有可伸縮構件213。可伸縮構件213減少來自與第2真空容器部212連結的真空泵的振動、來自設置有成膜裝置11的地板或地面的振動(地板振動)經由第2真空容器部212向第1真空容器部211傳遞。可伸縮構件213例如為波紋管，但只要能夠在第1真空容器部211與第2真空容器部212之間減少振動的傳遞即可，也可以使用其它構件。
本發明的一實施方式的成膜裝置11還包括對真空容器21的至少一部分(例如在圖2所示的成膜裝置11中為第1真空容器部211)進行支撐的真空容器支撐體217。
基板保持器24是保持由搬運室13的搬運機器人14搬運來的作為被成膜體的基板W的部件，被設置於後述的基板保持器驅動機構22的可動臺的微動載臺板部222。
基板保持器24是基板夾持部件或基板吸附部件。作為基板保持器24的基板吸附部件例如是具有在電介質/絕緣體(例如陶瓷材質)基體內埋設有金屬電極等電路的構造的靜電吸盤或粘附式的吸附部件。
作為基板保持器24的靜電吸盤也可以是在電極與吸附面之間夾設電阻相對較高的電介質並利用電極與被吸附體之間的庫侖力進行吸附的庫侖力類型的靜電吸盤。可以是在電極與吸附面之間夾設電阻相對較低的電介質並利用在電介質的吸附面與被吸附體之間產生的詹森-拉別克力進行吸附的詹森-拉別克力類型的靜電吸盤，也可以是利用不均勻電場來吸附被吸附體的梯度力類型的靜電吸盤。
在被吸附體為導體或半導體(矽片)的情況下，優選使用庫侖力類型的靜電吸盤或詹森-拉別克力類型的靜電吸盤。在被吸附體為玻璃那樣的絕緣體的情況下，優選使用梯度力類型的靜電吸盤。
靜電吸盤既可以由一個板形成，也可以形成為具有多個副板。另外，即使在由一個板形成的情況下，其內部也可以具有多個電路，可以以在一個板內根據位置的不同而靜電引力不同的方式進行控制。
基板保持器驅動機構22是用於利用磁懸浮線性馬達驅動基板保持器24並調整基板W的位置的對準載臺機構，至少調整X方向、Y方向及θZ 方向上的基板保持器24的位置，優選調整X方向、Y方向、Z方向、θX 方向、θY 方向、θZ 方向這六個方向上的基板保持器24的位置。
基板保持器驅動機構22包括：載臺基準板部221，前述載臺基準板部221作為固定臺發揮功能；微動載臺板部222，前述微動載臺板部222作為可動臺發揮功能；以及磁懸浮單元223，前述磁懸浮單元223用於使微動載臺板部222相對於載臺基準板部221進行磁懸浮及移動。
如圖2所示，基板保持器驅動機構22設置於從真空容器支撐體217延伸的基板保持器驅動機構支撐體215。也可以在基板保持器驅動機構支撐體215與第1真空容器部211之間設置可伸縮構件213。
像這樣，透過使用不與基板W進行物理接觸的磁懸浮式的驅動機構作為基板保持器驅動機構22，從而能夠抑制地板振動、來自真空泵(P)的振動、門閥的振動、來自搬運機器人14的振動傳遞到基板W。但是，本發明並不限定於此，除了磁懸浮式的驅動機構之外，也可以使用空氣軸承機構那樣的其它非接觸懸浮式驅動機構。
遮罩保持器23是對由搬運機器人14搬入到真空容器內的遮罩M進行支撐的部件。被搬入到真空容器內的遮罩M至少在對準時及成膜時被載置於遮罩保持器23。遮罩保持器23被設置成與後述的遮罩保持器驅動機構28連結。
根據本發明的一實施方式，在真空容器21內設置有用於測量由基板保持器24保持並支撐的基板W的位置的位置檢測部件231。位置檢測部件231只要能夠測量基板W、基板保持器24或微動載臺板部222的位置即可，其種類並不被特別限制。例如，位置檢測部件231是設置於遮罩保持器23並通過直接測量基板W的位置或者測量基板保持器24或微動載臺板部222的位置而檢測基板W相對於遮罩M的相對位置的部件(第1位置檢測部件)。並且，雖然在圖中未示出，但也可以在基板保持器驅動機構支撐體215追加地設置用於測量由基板保持器24保持的基板W的位置的位置檢測部件(第2位置檢測部件)。
位置檢測部件231既可以是包含鐳射干涉儀和反射鏡的鐳射干涉長度測量裝置，也可以是靜電電容感測器、非接觸位移計、光學式的尺規(光學尺)。
遮罩M具有與在基板W上形成的薄膜圖案對應的開口圖案。遮罩M的開口圖案由不使成膜材料的顆粒通過的遮擋圖案定義。作為遮罩的材料，可以使用殷鋼(invar)材料、矽、銅、鎳、不銹鋼等金屬材料。
例如，製造VR-HMD用的有機EL顯示面板所使用的遮罩M包括精細金屬遮罩(Fine Metal Mask)和開口遮罩(Open Mask)，前述精細金屬遮罩是形成有與有機EL元件的發光層的RGB畫素圖案對應的細微的開口圖案的金屬制遮罩，前述開口遮罩是形成有機EL元件的共用層(正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等)所使用的遮罩。
遮罩保持器驅動機構28是用於調整遮罩保持器23的位置的驅動機構，包括粗調載臺機構28a和粗調Z升降機構28b，前述粗調載臺機構28a能夠使遮罩保持器23沿水準方向(XYθZ 方向)移動，前述粗調Z升降機構28b能夠使粗調載臺機構28a沿鉛垂方向(垂直方向)即Z方向升降。粗調載臺機構28a能夠以使形成於基板W及遮罩M的對準標記進入到後述的對準攝影機的視場內的方式進行移動，粗調Z升降機構28b能夠容易地調整基板W與遮罩M之間的鉛垂方向上的間隔。
根據本發明的一實施方式，粗調載臺機構28a和粗調Z升降機構28b是包含伺服馬達及滾珠絲杠(未圖示)等的機械式的驅動機構。
在本發明的一實施方式中，遮罩保持器驅動機構28被設置在真空容器支撐體217上。根據實施方式的不同，如圖2所示，遮罩保持器驅動機構28也可以經由振動傳遞抑制構件29設置在真空容器支撐體217的上方。
振動傳遞抑制構件29抑制遮罩保持器驅動機構28與真空容器支撐體217之間的振動的傳遞。更具體而言，振動傳遞抑制構件29能夠抑制地板振動、從真空容器21傳遞的真空泵(P)的振動、真空容器21的門閥的振動、從搬運基板或遮罩的搬運機器人14傳遞的振動經由遮罩保持器驅動機構28傳遞到遮罩保持器23。
另外，能夠抑制對基板保持器驅動機構22進行驅動時的反作用力經由基板保持器驅動機構支撐體215、真空容器支撐體217傳遞到遮罩保持器23、設置在遮罩保持器23上的位置檢測部件231。由此，由於能夠抑制有可能會成為基板保持器驅動機構22的控制中的頻率特性上的控制的干擾的基板保持器驅動機構支撐體215等的諧振振動的激勵，所以能夠穩定地控制至更高的頻率，結果，能夠提高對準精度。
振動傳遞抑制構件29也可以是主動除振裝置、除振橡膠那樣的被動除振裝置。在將振動傳遞抑制構件29設為主動除振裝置的情況下，與振動的類型、大小、方向等無關，能夠有效地抑制振動的傳遞。
與在圖2中示出的結構不同，遮罩保持器驅動機構也可以設置在真空容器21內。例如，遮罩保持器23和支撐該遮罩保持器23的遮罩保持器驅動機構能夠構成為由被設置在真空容器支撐體217上的遮罩保持器驅動機構支撐體支撐而被配置在真空容器21內。在該情況下，優選的是，遮罩保持器驅動機構28為磁懸浮式驅動機構。在這樣的結構的成膜裝置中，位置檢測部件231並未設置於遮罩保持器而是設置在基板保持器側，並對遮罩保持器相對於基板保持器的相對位置進行測量。
成膜源25包括收納要在基板W成膜的成膜材料的坩堝(未圖示)、用於加熱坩堝的加熱器(未圖示)以及阻止成膜材料向基板飛散直到來自成膜源25的蒸發速率成為恒定的擋板(未圖示)等。在成膜源設置有將進行顆粒化後的成膜材料排出的一個以上的排出孔，在該排出孔所定向的前端，遮罩M及基板W被配置成使成膜面朝向排出孔。
成膜源25能夠按照用途而具有點(point)成膜源、線狀(linear)成膜源等多種結構。
成膜源25也可以包括收納有彼此不同的成膜材料的多個坩堝。在這樣的結構中，也可以是，將收納有不同的成膜材料的多個坩堝能夠移動地設置在成膜位置，以便能夠不使真空容器21大氣敞開地變更成膜材料。
磁力施加部件26是用於在成膜工序時通過磁力將遮罩M向基板W側拉近並使之密接的部件，被設置成能夠沿鉛垂方向升降。例如，磁力施加部件26由電磁鐵及/或永久磁鐵構成。
雖然在圖2中未進行圖示，但成膜裝置11也可以包括用於測量被蒸鍍到基板上的膜的厚度的膜厚監視器(未圖示)及膜厚計算單元(未圖示)。
在真空容器21的上部外側(大氣側)設置有用於使磁力施加部件升降的磁力施加部件升降機構261。
本發明的一實施方式的成膜裝置11還包括對準用拍攝單元27，前述對準用拍攝單元27設置於真空容器21的上部外側(大氣側)，用於對形成於基板W及遮罩M的對準標記進行拍攝。對準用拍攝單元27是取得基板W與遮罩M的圖像並取得基板W與遮罩M的相對位置關係的相對位置關係取得部件。如後前述，對準用拍攝單元27也可以取得包含有形成於基板W及遮罩M的對準標記的圖像，並取得各對準標記的相對位置關係。相對位置關係也可以是基板W與遮罩M的相對位置的偏移量或者基板W的對準標記與遮罩M的對準標記的相對位置的偏移量。
在本實施方式中，對準用拍攝單元27能夠包括用於粗略地調整基板W與遮罩M的相對位置的粗略對準用攝影機(第1對準攝影機)和用於高精度地調整基板W與遮罩M的相對位置的精細對準用攝影機(第2對準攝影機)。粗略對準用攝影機的視場角相對較寬，為低解析度。精細對準用攝影機為雖然視場角相對較窄但具有高解析度的攝影機。
粗略對準用攝影機和精細對準用攝影機設置在與形成於基板W及遮罩M的對準標記對應的位置。例如，在基板W為圓形晶片的情況下，粗略對準用攝影機設置於矩形的對角上的兩個角部，精細對準用攝影機設置於剩餘的兩個角部。但是，本發明的對準用攝影機的配置並不限定於此，也可以根據基板W及遮罩M的對準標記的位置而設為其它配置。
如圖2所示，本發明的一實施方式的成膜裝置11的對準用拍攝單元27經由設置於真空容器21的上部的視口214拍攝對準標記。
雖然在圖2中未進行圖示，但由於在成膜工序中被密閉的真空容器21的內部較暗，因此，為了利用對準用攝影機拍攝對準標記，也可以設置從下方照射對準標記的照明光源。
成膜裝置11具備控制部(未圖示)。控制部具有基板W/遮罩M的搬運及對準的控制、成膜的控制等功能。另外，控制部也可以具有對向靜電吸盤的電壓施加進行控制的功能。在對準的控制時，控制部特別是基於由位置檢測部件231檢測出的位置來進行基板保持器驅動機構22的回饋控制。
控制部例如能夠由具有處理器、記憶體、儲存裝置、I/O等的計算機構成。在該情況下，通過使處理器執行保存在記憶體或儲存裝置中的程式，從而實現控制部的功能。作為電腦，既可以使用通用的個人電腦，也可以使用嵌入式的電腦或PLC(Programmable Logic Controller：可程式設計邏輯控制器)。或者，也可以利用ASIC、FPGA那樣的電路來構成控制部的功能的一部分或全部。另外，既可以按各成膜裝置設置控制部，也可以構成為一個控制部對多個成膜裝置進行控制。
＜對準裝置＞ 以下，參照圖3~圖8，說明本發明的實施方式的對準裝置及包含該對準裝置的成膜裝置311、311a、311b。
圖3是示出本發明的第1實施方式的對準裝置及包含該對準裝置的成膜裝置311的結構的示意性的剖視圖。
成膜裝置311在被維持在真空氛圍或氮氣等非活性氣體氛圍的真空容器321的底面設置有成膜源325。在成膜源325具有成膜材料的排出孔，在該排出孔所定向的前端，遮罩M及基板W被配置成使其成膜面朝向排出孔。
成膜裝置311包括被設置在真空容器321內並保持基板W的基板保持器324。基板保持器324可以是靜電吸盤那樣的基板吸附部件，設置於作為基板保持器驅動機構322的可動臺的微動載臺板部。
另外，成膜裝置311包括支撐由搬運機器人14搬入到真空容器321內的遮罩M的遮罩保持器323。
在真空容器321內設置有基板保持器驅動機構322，前述基板保持器驅動機構322用於在與基板的面平行的面內(至少沿X方向、Y方向及θZ 方向)調整基板W或基板保持器324的位置。在真空容器321的外部設置有遮罩保持器驅動機構328，前述遮罩保持器驅動機構328用於驅動遮罩保持器323並沿X方向、Y方向、Z方向、θZ 方向調整遮罩M的位置。
在成膜裝置311配設有真空容器支撐體317，在真空容器支撐體317連接有真空容器321、支撐基板保持器驅動機構322的基板保持器驅動機構支撐體315、遮罩保持器驅動機構328。在遮罩保持器驅動機構328上設置有遮罩保持器支撐體316。在遮罩保持器驅動機構328被設置在真空容器321內的實施方式中，遮罩保持器驅動機構328也可以直接支撐遮罩保持器323。
基板保持器驅動機構322是用於利用線性馬達驅動基板保持器324並調整基板W的位置的對準載臺機構，至少能夠調整X方向、Y方向及θZ 方向上的基板保持器324的位置，優選能夠調整X方向、Y方向、Z方向、θX 方向、θY 方向、θZ 方向這六個方向上的基板保持器324的位置。
基板保持器驅動機構322優選為使用空氣軸承或磁軸承等的非接觸懸浮型的載臺，以便不向基板W傳遞來自地板的振動、從真空容器321傳遞的真空泵的振動、門閥的振動、從基板W的搬運機器人傳遞的振動。作為一例，基板保持器驅動機構322是磁懸浮式的載臺機構(磁懸浮載臺機構)。
本發明的實施方式的成膜裝置311包括一個以上的用於檢測基板保持器324的位置的位置檢測部件331、332。更具體而言，成膜裝置311包括第1位置檢測部件331，前述第1位置檢測部件331設置於遮罩保持器323，用於檢測基板保持器324相對於遮罩保持器323的相對位置。成膜裝置311還能夠包括第2位置檢測部件332，前述第2位置檢測部件332設置於基板保持器驅動機構支撐體315，用於檢測基板保持器324的位置。
圖3所示的成膜裝置311是在真空容器321的外部的真空容器支撐體317上設置有遮罩保持器驅動機構328的實施方式，在遮罩保持器支撐體316中，與遮罩保持器驅動機構328連結的那一側的相反一側的端部作為遮罩保持器323發揮功能。在這樣的結構的成膜裝置311中，第1位置檢測部件331設置於遮罩保持器323。
但是，本發明並不限定於此，在遮罩保持器驅動機構321被設置在真空容器321的內部的實施方式中，第1位置檢測部件331也可以設置在基板保持器側。
圖3是使遮罩保持器323沿Z方向上升並與基板保持器324接近預定的距離以下的接近狀態(第1狀態)的示意圖。圖4是使遮罩保持器323沿Z方向下降並比預定的距離遠地從基板保持器324遠離的遠離狀態(第2狀態)的示意圖。
在基板W與遮罩M接近的狀態下進行高精度地調整基板W與遮罩M的相對位置的精細對準工序和經由遮罩M在基板W上進行成膜的成膜工序。在基板W與遮罩M遠離的狀態下進行精細對準工序及成膜工序以外的工序。
在圖3的接近狀態下，基板保持器324的位置能夠由第1位置檢測部件331和第2位置檢測部件332這雙方進行檢測。另一方面，在圖4的遠離狀態下，基板保持器324的位置僅能夠由第2位置檢測部件進行檢測。如後前述，根據本發明的一實施方式，在圖3的接近狀態下，利用第1位置檢測部件331檢測基板保持器324的位置。在圖4的遠離狀態下，利用第2位置檢測部件332檢測基板保持器324的位置。即，也可以利用第1位置檢測部件331或第2位置檢測部件332選擇性地對基板保持器324的位置進行檢測。
在本實施方式中，說明了第1位置檢測部件331和第2位置檢測部件332檢測基板保持器324的位置的情況，但本發明並不限定於此，也可以不檢測基板保持器324的位置而是直接檢測基板W的位置或者檢測基板保持器驅動機構322的位置。
第1位置檢測部件331和第2位置檢測部件332的種類並不被特別限定。例如，第1位置檢測部件331及第2位置檢測部件332能夠選擇鐳射干涉長度測量裝置、靜電電容感測器、非接觸位移計、光學式的尺規。通過使用這樣的種類的位置檢測部件331、332，從而能夠以0.1毫秒左右的較短的週期檢測基板保持器324的位置。
本發明的一實施方式的成膜裝置311還包括對準用拍攝單元327，前述對準用拍攝單元27設置於真空容器321的上部外側(大氣側)，用於對形成於基板W及遮罩M的對準標記進行拍攝。
對準用拍攝單元327能夠經由基板保持器驅動機構支撐體3設置於真空容器3212的上部大氣側(參照圖3及圖4)。但是，本發明並不限定於此，對準用拍攝單元327也可以經由遮罩保持器支撐體316設置於真空容器3212的上部大氣側。對準用拍攝單元327能夠隔著真空容器321所具備的未圖示的視口對基板W和遮罩M的對準標記進行拍攝。
粗略對準用攝影機和精細對準用攝影機設置在與形成於基板W及遮罩M的對準標記對應的位置。在圖5中示意性地示出相對於基板W配置粗略對準用攝影機327a和精細對準用攝影機327b的位置的一例。參照圖5，粗略對準用攝影機327a設置於矩形的四個角部中的對角上的兩個角部，精細對準用攝影機327b設置於剩餘的兩個角部。
圖6是示意性地示出由對準用拍攝單元327拍攝到的圖像的一例的附圖，圖6的(a)是粗略對準用攝影機327a的拍攝例，圖6的(b)是精細對準用攝影機327b的拍攝例。並且，在圖6的(a)及(b)中的每一個，四邊形形狀的標記為基板對準標記Mw，圓形的標記為遮罩對準標記Mm。
如圖6所示，粗略對準用攝影機327a的視場角較寬，在與精細對準用攝影機327b進行比較時，標記Mw、Mm看起來相對較小。因此，與精細對準用攝影機327b相比，即使在基板W的搬運精度較差的情況下，也能夠進行對準標記Mw、Mm的檢測。在本發明的實施方式中，也可以是，在圖4的遠離狀態下，基於由粗略對準用攝影機327a拍攝到的基板W的對準標記Mw的位置，進行由作為後述的基板臨時接收部件的基板接收爪333支撐的基板W的位置調整(粗略對準)。
另一方面，由於精細對準用攝影機327b的視場角較窄，所以如圖6的(b)所示，在與粗略對準用攝影機327a進行比較時，檢測分辨能力較大，能夠進行高精度的位置檢測。
在本實施方式的成膜裝置311中，定義理想狀態下的基板w與遮罩M的位置關係中的基板對準標記Mw與遮罩對準標記Mm的相對位置關係，並將其存儲在成膜裝置的控制部330中，進行基板W與遮罩M的對準(精細對準)，以便成為前述相對位置關係。
成膜裝置311具備控制部330。控制部330具有基板W/遮罩M的搬運及對準的控制、成膜的控制等功能。控制部330基於由第1位置檢測部件331及第2位置檢測部件332檢測出的基板保持器324的位置，對基板保持器驅動機構322及/或遮罩保持器驅動機構328進行回饋控制。
圖7是示出本發明的第2實施方式的成膜裝置311a的示意圖。在第1實施方式的成膜裝置311中，遮罩保持器驅動機構328被直接設置在真空容器支撐體317上，與此相對，在本實施方式的成膜裝置311a中，在遮罩保持器驅動機構328與真空容器支撐體317之間還設置有振動傳遞抑制構件329。以下，說明與第1實施方式的不同點。
振動傳遞抑制構件329具有如下作用：通過抑制遮罩保持器驅動機構328與真空容器支撐體317之間的振動的傳遞，從而能夠防止由於地板的振動而使得遮罩M振動，並且能夠提高對準工序及成膜工序時的基板保持器驅動機構322的控制性。
在第1實施方式的成膜裝置311中，由於基板保持器驅動機構322的未圖示的馬達的驅動反作用力，會對基板保持器驅動機構支撐體315、遮罩保持器驅動機構328及遮罩保持器支撐體316的諧振振動模式進行激勵，因此，設置於遮罩保持器323的第1位置檢測部件331有可能會振動，基板保持器驅動機構322的控制性有可能惡化。與此相對，在本實施方式的成膜裝置311a中，由於通過振動傳遞抑制構件329而不傳遞振動，遮罩保持器驅動機構328及第1位置檢測部件331的振動減少，因此，能夠將基板保持器驅動機構322穩定地控制至更高的頻率。
圖8是示出本發明的第三實施方式的成膜裝置311b的結構的示意性的剖視圖。本實施方式的成膜裝置311b與第1實施方式的成膜裝置311的不同點在於：還包括作為接收並暫時支撐基板W的基板臨時接收部件的基板接收爪333。以下，說明與第1實施方式的成膜裝置311的差別。
基板接收爪333設置在遮罩保持器323上，從搬運機器人14暫時接收基板W。基板接收爪333例如在利用遮罩保持器驅動裝置328使基板W移動到精細對準攝影機的視場的中心的粗略對準動作時支撐基板W。另外，基板接收爪333從基板保持器324暫時接收基板W，以便能夠利用搬運機器人14的機器人將完成成膜後的基板W搬出。
基板接收爪333能夠通過未圖示的驅動機構而在接收基板W的接收位置和不與基板W或遮罩M干涉的退讓位置之間進行移動(例如升降)或旋轉。
＜對準方法及成膜方法＞ 接著，說明本發明的一實施方式的對準方法及包含該對準方法的成膜方法。在以下說明的對準方法中，以如下的過程為中心進行說明：通過利用使用第1位置檢測部件331及第2位置檢測部件332檢測出的基板保持器324的位置資訊，對基板保持器驅動機構322或遮罩保持器驅動機構328進行回饋控制，從而調整基板W的位置。以下，說明對基板保持器驅動機構332進行回饋控制的情況，但對遮罩保持器驅動機構328進行回饋控制的情況也同樣如此。此外，也可以對基板保持器驅動機構322及遮罩保持器驅動機構328這雙方進行回饋控制。
圖9是示出包含有本發明的一實施方式的對準方法的成膜方法的流程圖。在圖9中圖示的對準方法以基板保持器324設置於基板保持器驅動機構322(更具體而言，為微動載臺板部)的實施方式為前提。
參照圖9，首先，保持有基板W的未圖示的搬運機器人的機器人向基板交接位置移動(S1)。
接著，利用遮罩保持器驅動機構328使設置於遮罩保持器323的基板接收爪333向基板交接位置移動(S2)。然後，利用未圖示的驅動機構使基板接收爪333相對於遮罩保持器323相對地上升(S3)，利用基板接收爪333從未圖示的搬運機器人的機器人接收基板(S4)。
此時，與步驟S2~S4並行地，基板保持器驅動機構322被轉換為利用第2位置檢測部件332對基板保持器324的位置進行回饋控制的狀態(S101)，使基板保持器驅動機構322向對準用拍攝單元327的光軸與未圖示的視口的中心軸一致的位置移動(S102)。
接著，利用粗略對準用攝影機327a對支撐於基板接收爪333的基板W的基板對準標記Mw進行拍攝，測量基板W的位置，並計算出用於使基板對準標記Mw移動到由粗略對準用攝影機327a拍攝到的圖像上的預定的目標位置的XYθz 方向上的移動量(S5)。
利用遮罩保持器驅動機構328使遮罩保持器323沿XYθz 方向移動，使由基板接收爪333支撐的基板W移動計算出的移動量(S6)。
利用粗略對準用攝影機327a進行觀察，到基板對準標記Mw來到預定的目標位置為止(例如，到進入到精細對準用攝影機327b的視場內為止)，反復進行步驟S5和S6。
在基板對準標記Mw來到預定的目標位置之後，利用基板保持器驅動機構322使基板保持器324向Z方向移動，基板保持器324例如利用靜電吸盤吸附基板並進行保持(S7)。在使基板W吸附於基板保持器324之後，使基板接收爪333下降，退讓到退讓位置(S8)。
接著，利用遮罩保持器驅動機構328使遮罩保持器323上升至在設計上確定的精細對準測量位置(S9)。結果，遮罩保持器323與基板保持器324在Z方向上接近預定的距離，成為接近狀態。即，遮罩保持器323與基板保持器324的Z方向上的預定的距離是指在成膜裝置的設計上確定的精細對準測量位置。在該狀態下，如圖3所示，成膜裝置311成為能夠利用第1位置檢測部件331和第2位置檢測部件332這雙方來檢測基板保持器324的位置的狀態。
根據本實施方式的對準方法，將接近狀態下的基板保持器驅動機構322的控制所使用的位置檢測部件從第2位置檢測部件切換為第1位置檢測部件(S10)。
然後，利用精細對準用攝影機327b對基板W和遮罩M的對準標記Mw、Mm進行拍攝，測量基板W與遮罩M的相對位置的偏移量(S11)。然後，基於測量出的相對位置的偏移量，對基板保持器驅動機構322進行驅動，並使基板保持器324移動(S12)。通過反復進行步驟S11~ S12，從而進行基板W與遮罩M的精細對準。在蒸鍍期間也維持基板W與遮罩對位元的狀態。
像這樣，通過在開始精細對準測量步驟(S11)之前，將基板保持器驅動機構322的回饋控制所使用的位置檢測部件從第2位置檢測部件332切換為第1位置檢測部件331，從而在基板W與遮罩M的精細對準測量時序之間，也能夠測量基板保持器324相對於遮罩保持器323的相對位置即基板W相對於遮罩M的相對位置，能夠減少在精細對準測量時序之間產生的由來自地板的振動等導致的對準誤差。即，在精細對準測量之後，能夠基於由第1位置檢測部件331檢測出的基板保持器324相對於遮罩保持器323的相對位置，計算或更新到與遮罩M對位元的預定的目標位置為止的基板W或基板保持器324的移動量。
圖10是示出利用精細對準用攝影機327b拍攝對準標記並測量基板W與遮罩M的相對位置的偏移量的迴圈(標記檢測時序)和用於基於由第1位置檢測部件331檢測出的基板W或基板保持器324的位置來控制基板保持器驅動機構322的運算迴圈的附圖。
如圖10所示，通常，能夠利用第1位置檢測部件331、第2位置檢測部件332檢測基板W或基板保持器324的位置的週期(第1週期)短於能夠利用精細對準用攝影機327b那樣的對準用攝影機327檢測基板W或遮罩M的對準標記的週期(第2週期)。即，對於基板W和遮罩M的標記檢測時序而言，由於需要進行由精細對準用攝影機327b進行的拍攝及影像處理，所以通常以0.1~1秒左右這樣的比較長的週期進行。另一方面，由於基板保持器驅動機構322的位置控制運算能夠通過單純的運算來實現，所以能夠進行高速運算，因此，位置控制運算能夠以0.1毫秒左右的較短的週期進行。
因此，在使用第2位置檢測部件332作為基板保持器324的位置檢測部件而對基板保持器驅動機構322進行控制的情況下，即使在精細對準工序的中途由於來自地板的振動、由真空泵等引起的干擾或者基板保持器驅動機構322的驅動時的反作用力等而使得基板W與遮罩M的相對位置產生變化，也無法利用第2位置檢測部件檢測該變化，因此，僅能夠以基於標記檢測時序的0.1~1秒左右的週期進行控制。
但是，本發明的一實施方式的成膜裝置具備第1位置檢測部件331，前述第1位置檢測部件331能夠檢測同基板W與遮罩M的對準標記的相對位置相關性較大的基板保持器324與遮罩保持器323之間的相對位置，在本實施方式的對準方法中，由於在以接近狀態進行精細對準測量(S11)之前，將基板保持器324的位置檢測部件切換為第1位置檢測部件331，因此，即使在精細對準測量之後由於振動等而使得基板W與遮罩M的相對位置改變，也能夠使用第1位置檢測部件331以相對較短的週期反復進行檢測，能夠檢測基板W與遮罩M的相對位置。由此，通過使用第1位置檢測部件331作為精細對準時的回饋感測器而對基板保持器驅動機構322進行控制，從而在比較高的頻率區域也能夠維持對準精度。
更具體而言，在步驟S10中，將基板保持器324的位置檢測部件切換為第1位置檢測部件331，在步驟S11中，利用精細對準用攝影機327b測量基板W與遮罩M的相對位置偏移量。並且，控制部330基於由第1位置檢測部件331得到的基板W或基板保持器324的位置資訊和由精細對準用攝影機327b測量出的基板W與遮罩M的相對位置偏移量，計算出用於使基板保持器324向預定的目標位置移動的移動量。
根據本實施方式，在移動量的計算(移動量取得或相對位置偏移量的追加測量)之前，利用第1位置檢測部件331追加地執行基板W的位置檢測，確認在檢測出的基板W的位置中是否存在相對於精細對準測量時的變動。在存在變動的情況下，將變動量反映在移動量的計算中。另外，在已經計算出移動量的情況下，對其進行更新。
再次返回到圖9，在完成精細對準工序時，進行成膜工序(S13)。在本實施方式中，說明了在基板W的搬入時將基板保持器324的位置檢測部件切換為第2位置檢測部件332，但也可以是，在完成成膜工序之後，為了將完成成膜後的基板搬出，在利用遮罩保持器驅動機構328使遮罩保持器323下降之前，將基板保持器324的位置檢測部件切換為第2位置檢測部件332。在該情況下，能夠省略步驟S101。
在本實施方式中，說明了使用設置於遮罩保持器323的第1位置檢測部件331及設置於基板保持器驅動機構支撐體315的第2位置檢測部件332對基板保持器驅動機構322進行回饋控制的結構，但本發明並不限定於此，也能夠同樣地應用於使用設置於基板保持器的第1位置檢測部件及設置於遮罩保持器支撐體的第2位置檢測部件對遮罩保持器驅動機構進行回饋控制的結構。
21,321:真空容器 22,322:基板保持器驅動機構 23,323:遮罩保持器 24,324:基板保持器 25,325:成膜源 27,327:對準用拍攝單元 327a:粗略對準用攝影機 327b:精細對準用攝影機 28,328:遮罩保持器驅動機構 329:振動傳遞抑制構件 330:控制部 215,315:基板保持器驅動機構支撐體 216,316:遮罩保持器支撐體 217,317:真空容器支撐體 331:第1位置檢測部件 332:第2位置檢測部件 333:基板接收爪
[圖1]圖1是示意性地示出電子裝置的製造裝置的一部分的結構的俯視圖。 [圖2]圖2是示意性地示出本發明的一實施方式的成膜裝置的結構的剖視圖。 [圖3]圖3是示出包括本發明的第1實施方式的對準裝置在內的成膜裝置(第1狀態)的示意性的剖視圖。 [圖4]圖4是示出包括本發明的第1實施方式的對準裝置在內的成膜裝置(第2狀態)的示意性的剖視圖。 [圖5]圖5是示意性地示出本發明的第1實施方式的對準裝置的對準用拍攝單元的位置關係的附圖。 [圖6]圖6是示意性地示出由本發明的第1實施方式的對準裝置的對準用拍攝單元拍攝到的圖像的例子的附圖。 [圖7]圖7是包括本發明的第2實施方式的對準裝置在內的成膜裝置的示意性的剖視圖。 [圖8]圖8是包括本發明的第3實施方式的對準裝置在內的成膜裝置的示意性的剖視圖。 [圖9]圖9是示出本發明的一實施方式的對準方法及成膜方法的流程圖。 [圖10]圖10是示出由本發明的一實施方式的對準裝置進行的測量及位元置計算的時序的附圖。
311:成膜裝置
315:基板保持器驅動機構支撐體
316:遮罩保持器支撐體
317:真空容器支撐體
321:真空容器
322:基板保持器驅動機構
323:遮罩保持器
324:基板保持器
325:成膜源
327:對準用拍攝單元
328:遮罩保持器驅動機構
330:控制部
331:第1位置檢測部件
332:第2位置檢測部件
M:遮罩
W:基板

Claims (30)

  1. 一種對準裝置，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包含： 基板保持器，其係保持基板； 遮罩保持器，其係支撐遮罩； 基板保持器驅動機構，其係將前述基板保持器支撐為能夠移動； 遮罩保持器驅動機構，其係將前述遮罩保持器支撐為能夠移動； 相對位置關係取得部件，其係取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及 第1位置檢測部件，其係設置於前述遮罩保持器，用於檢測前述基板或前述基板保持器的位置。
  2. 如請求項1的對準裝置，其中， 前述對準裝置具備控制部，該控制部基於由前述相對位置關係取得部件取得的前述基板與前述遮罩的相對位置關係，且基於由前述第1位置檢測部件檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制。
  3. 如請求項1的對準裝置，其中，該對準裝置還包括： 基板保持器驅動機構支撐體，其係支撐前述基板保持器驅動機構；以及 第2位置檢測部件，其係設置於前述基板保持器驅動機構支撐體，用於檢測前述基板或前述基板保持器的位置。
  4. 如請求項3的對準裝置，其中， 前述對準裝置具備控制部，該控制部基於由前述第1位置檢測部件及前述第2位置檢測部件中的任一個檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制。
  5. 如請求項4的對準裝置，其中， 前述控制部基於與前述基板的面垂直的垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器的距離，在前述第1位置檢測部件與第2位置檢測部件之間，對在前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構的至少一方的回饋控制中使用的位置檢測部件進行切換。
  6. 如請求項5的對準裝置，其中， 在前述垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器之間的距離為預定的距離以下的第1狀態下，前述控制部基於由前述第1位置檢測部件檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制； 在前述垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器之間的距離比前述預定的距離大的第2狀態下，前述控制部基於由前述第2位置檢測部件檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制。
  7. 如請求項6的對準裝置，其中， 前述相對位置關係取得部件包括第1對準攝影機和第2對準攝影機，該第1對準攝影機具有第1解析度，該第2對準攝影機具有比前述第1解析度高的第2解析度； 前述預定的距離是使用前述第2對準攝影機取得基板與遮罩之間的相對位置關係時的前述基板保持器與前述遮罩保持器之間的距離。
  8. 如請求項4的對準裝置，其中， 前述控制部基於由前述相對位置關係取得部件取得的前述基板與前述遮罩的相對位置關係，且基於由前述第1位置檢測部件及前述第2位置檢測部件中的任一個檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制。
  9. 如請求項2的對準裝置，其中， 前述第1位置檢測部件以第1週期檢測前述基板或前述基板保持器的位置； 前述相對位置關係取得部件以第2週期檢測前述基板與前述遮罩的相對位置關係，前述第2週期比前述第1週期長。
  10. 如請求項8的對準裝置，其中， 前述第1位置檢測部件及前述第2位置檢測部件以比預定的週期短的週期檢測前述基板或基板保持器的位置，在前述預定的週期中，能夠使用前述相對位置關係取得部件計算出前述基板保持器及前述遮罩保持器中的至少一方的移動量。
  11. 如請求項10的對準裝置，其中， 前述第1位置檢測部件及前述第2位置檢測部件包括鐳射干涉長度測量裝置、靜電電容感測器、非接觸位移計或光學尺。
  12. 如請求項10的對準裝置，其中， 前述控制部基於由前述第1位置檢測部件或前述第2位置檢測部件檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置，更新前述基板保持器及前述遮罩保持器中的至少一方的前述移動量。
  13. 如請求項3的對準裝置，其中， 前述對準裝置還包括基板臨時接收部件，前述基板臨時接收部件設置於前述遮罩保持器，暫時支撐前述基板。
  14. 如請求項3的對準裝置，其中， 前述遮罩保持器驅動機構設置在振動傳遞抑制構件上，前述振動傳遞抑制構件用於抑制來自前述基板保持器驅動機構的振動的傳遞。
  15. 如請求項3的對準裝置，其中， 前述基板保持器驅動機構是包含磁懸浮線性馬達的磁懸浮載臺機構。
  16. 一種成膜裝置，係經由遮罩在基板上對成膜材料進行成膜；其特徵為，包含： 容器； 如請求項1~15中任一項的對準裝置，其係設置於前述容器；以及 成膜源，其係設置於前述容器，用於收納成膜材料並使前述成膜材料蒸發或昇華而將其排出。
  17. 一種對準裝置，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包括： 基板保持器，其係保持基板； 遮罩保持器，其係支撐遮罩； 基板保持器驅動機構，其係將前述基板保持器支撐為能夠移動； 遮罩保持器驅動機構，其係將前述遮罩保持器支撐為能夠移動； 相對位置關係取得部件，其係取得與基板的面平行的方向上的基板與遮罩的相對位置關係；以及 位置檢測部件，其係設置於前述基板保持器，用於檢測前述遮罩或前述遮罩保持器的位置。
  18. 一種成膜裝置，係經由遮罩在基板上對成膜材料進行成膜；其特徵為，包括： 容器； 如請求項17的對準裝置，其係設置於前述容器；以及 成膜源，其係設置於前述容器，用於收納成膜材料並使前述成膜材料蒸發或昇華而將其排出。
  19. 一種對準方法，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為包括： 相對位置關係取得步驟，在前述相對位置關係取得步驟中，取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及 位置調整步驟，在前述位置調整步驟中，基於取得的前述相對位置關係，利用基板保持器驅動機構及遮罩保持器驅動機構中的至少一方，調整保持前述基板的基板保持器及支撐前述遮罩的遮罩保持器中的至少一方的位置； 前述位置調整步驟包括第1位置檢測步驟，在前述第1位置檢測步驟中，利用設置於前述遮罩保持器的第1位置檢測部件來檢測前述基板或前述基板保持器的位置。
  20. 如請求項19的對準方法，其中， 前述相對位置關係取得步驟具有：取得包含有前述基板和前述遮罩的圖像的步驟；以及基於前述圖像取得前述位置調整步驟中的前述基板保持器及前述遮罩保持器的至少一方的移動量的移動量取得步驟； 前述位置調整步驟具有基於在前述第1位置檢測步驟中檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制的步驟。
  21. 如請求項20的對準方法，其中， 前述對準方法還包括第2位置檢測步驟，在前述第2位置檢測步驟中，利用設置於基板保持器驅動機構支撐體的第2位置檢測部件來檢測前述基板或前述基板保持器的位置，前述基板保持器驅動機構支撐體支撐前述基板保持器驅動機構。
  22. 如請求項21的對準方法，其中，還包括： 基於在前述第1位置檢測步驟中檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制的步驟；以及 基於在前述第2位置檢測步驟中檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置對前述基板保持器驅動機構及前述遮罩保持器驅動機構中的至少一方進行回饋控制的步驟。
  23. 如請求項21的對準方法，其中， 基於與前述基板的面垂直的垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器的距離，選擇性地進行前述第1位置檢測步驟或前述第2位置檢測步驟中的任一方。
  24. 如請求項23的對準方法，其中， 前述第1位置檢測步驟在前述垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器的距離為預定的距離以下的第1狀態下進行； 前述第2位置檢測步驟在前述垂直方向上的前述基板保持器與前述遮罩保持器的距離比前述預定的距離大的第2狀態下進行。
  25. 如請求項19的對準方法，其中， 前述相對位置關係取得步驟包括：利用對準攝影機對形成於基板的對準標記和形成於遮罩的對準標記進行拍攝的步驟；對拍攝到的圖像進行影像處理並計算出基板與遮罩之間的相對位置偏移量的步驟；以及基於前述相對位置偏移量計算出前述基板保持器及前述遮罩保持器中的至少一方的移動量的步驟。
  26. 如請求項25的對準方法，其中， 前述對準方法還包括基於在前述第1位置檢測步驟中檢測出的前述基板或前述基板保持器的位置而對計算出的前述基板保持器及前述遮罩保持器中的至少一方的前述移動量進行更新的步驟。
  27. 如請求項19的對準方法，其中， 前述相對位置關係取得步驟包括：利用具有第1解析度的第1對準攝影機取得前述相對位置關係的第1相對位置關係取得步驟；以及利用比前述第1解析度高的第2對準攝影機取得前述相對位置關係的第2相對位置關係取得步驟； 在前述第1相對位置關係取得步驟中，利用前述第1對準攝影機，對設置於前述遮罩保持器的基板臨時接收部件所支撐的基板的對準標記和前述遮罩保持器所支撐的遮罩的對準標記進行拍攝，並取得基板與遮罩之間的相對位置關係。
  28. 一種成膜方法，係經由遮罩在基板上對成膜材料進行成膜；其特徵為，包括： 透過如請求項19~27中任一項的對準方法來調整前述基板及前述遮罩的相對位置的步驟；以及 經由前述遮罩在前述基板上進行成膜的步驟。
  29. 一種對準方法，係用於調整基板與遮罩的相對位置；其特徵為，包括： 相對位置關係取得步驟，在前述相對位置關係取得步驟中，取得與基板的面平行的面內的基板與遮罩的相對位置關係；以及 位置調整步驟，在前述位置調整步驟中，基於取得的前述相對位置關係，利用基板保持器驅動機構及遮罩保持器驅動機構中的至少一方，調整保持前述基板的基板保持器及支撐前述遮罩的遮罩保持器中的至少一方的位置； 前述位置調整步驟包括第1位置檢測步驟，在前述第1位置檢測步驟中，利用設置於前述基板保持器的第1位置檢測部件來檢測前述遮罩或前述遮罩保持器的位置。
  30. 一種成膜方法，係經由遮罩在基板上對成膜材料進行成膜；其特徵為，包括： 透過如請求項29的對準方法來調整前述基板及前述遮罩的相對位置的步驟；以及 經由前述遮罩在前述基板上進行成膜的步驟。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115386843B (zh) * 2021-05-24 2024-03-01 广东聚华印刷显示技术有限公司 蒸镀装置及校正方法
JP2024066078A (ja) * 2022-11-01 2024-05-15 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
WO2024158153A1 (ko) * 2023-01-26 2024-08-02 주식회사 선익시스템 진공 증착장비용 증착유닛 설치 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63158404A (ja) * 1987-08-10 1988-07-01 Nikon Corp 転写装置の位置合わせ装置
JP4164414B2 (ja) 2003-06-19 2008-10-15 キヤノン株式会社 ステージ装置
JP4522142B2 (ja) 2004-05-18 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP4534011B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法
KR101107179B1 (ko) * 2009-09-25 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 정렬 장치 및 마스크 정렬 방법
JP2011124346A (ja) 2009-12-09 2011-06-23 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP5783811B2 (ja) 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
JP2012092397A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Canon Inc アライメント方法、アライメント装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法及び製造装置
JP2020501005A (ja) * 2016-12-12 2020-01-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板処理装置及びそれを使用する方法
US10522794B2 (en) 2017-11-01 2019-12-31 Emagin Corporation Method of active alignment for direct patterning high resolution micro-display
KR20210059549A (ko) * 2019-11-15 2021-05-25 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치

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