TW202122886A - 液晶面板 - Google Patents

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TW202122886A
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polarizing film
crystal panel
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木村智之
外山雄祐
藤田昌邦
山本悟士
高見佳史
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種液晶面板，其在防止液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良的同時可提升液晶顯示裝置之視辨性。本發明液晶面板具備：附抗反射膜之偏光薄膜，其於積層方向上依序具有抗反射膜、偏光薄膜及黏著劑層，並更具有導電層；與液晶單元。附抗反射膜之偏光薄膜與液晶單元之間未設有導電層。附抗反射膜之偏光薄膜具有之導電層之表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下。附抗反射膜之偏光薄膜在以黏著劑層與無鹼玻璃直接相接之方式與無鹼玻璃積層之狀態下，來自CIE標準光源D65之光從與黏著劑層相反之側的表面入射時，產生視感反射率Y為1.1%以下之反射光。

Description

液晶面板
本發明涉及液晶面板。
液晶顯示裝置具備例如液晶面板與對液晶面板照射光之照明系統，且該液晶面板具有偏光薄膜配置於較液晶單元更靠視辨側之結構。液晶顯示裝置係對液晶單元施加電壓來調節液晶單元所含液晶分子之定向藉以顯示影像。
液晶顯示裝置在其製造時、例如在透過黏著劑層將偏光薄膜貼合至液晶單元時，或在使用時、例如在使用者觸碰液晶顯示裝置時，會產生靜電。因該靜電，液晶顯示裝置會有帶電之情形。液晶顯示裝置一旦帶電，液晶單元所含液晶分子之定向便會紊亂，而產生顯示不良。為了防止液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良，已知例如會於偏光薄膜側之液晶單元的表面配置ITO(氧化銦錫)層。
但，以成本等觀點來看，有時會省略上述ITO層。例如專利文獻1及2中揭示有一種液晶面板，其於偏光薄膜側之液晶單元的表面未配置ITO層，而是附黏著劑層之偏光薄膜直接與液晶單元相接。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2018/181477號 專利文獻2：日本專利第5679337號公報
發明欲解決之課題 偏光薄膜側之液晶單元表面未配置ITO層的液晶顯示裝置在特別容易產生靜電之環境、例如像車輛內部般周圍存在其他電子設備之環境下使用時，難以充分防止靜電造成之顯示不良。並且液晶顯示裝置在作為例如車載用顯示器使用時，由安全性之觀點來看會要求良好的視辨性。
因此，本發明之目的在於提供一種液晶面板，其在防止液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良的同時可提升液晶顯示裝置之視辨性。
用以解決課題之手段 本發明提供一種液晶面板，具備： 附抗反射膜之偏光薄膜，其於積層方向上依序具有抗反射膜、偏光薄膜及黏著劑層，並更具有導電層；與 液晶單元；且 於前述附抗反射膜之偏光薄膜與前述液晶單元之間未設有導電層； 前述附抗反射膜之偏光薄膜具有之前述導電層的表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下； 前述附抗反射膜之偏光薄膜在以前述黏著劑層與無鹼玻璃直接相接之方式與前述無鹼玻璃積層之狀態下，來自CIE標準光源D65之光從與前述黏著劑層相反之側的表面入射時，產生視感反射率Y為1.1%以下之反射光。
發明效果 根據本發明可提供一種液晶面板，其在防止液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良的同時可提升液晶顯示裝置之視辨性。
以下說明本發明之詳細內容，但以下說明之用意並非限制用以特定本發明之實施形態。
(液晶面板之實施形態) 如圖1所示，本實施形態之液晶面板100具備附抗反射膜之偏光薄膜15及液晶單元25。附抗反射膜之偏光薄膜15與液晶單元25之間未設有導電層、例如未設有ITO層，附抗反射膜之偏光薄膜15係直接或間接與液晶單元25相接。附抗反射膜之偏光薄膜15與液晶單元25之間亦可在不妨礙本發明效果之範圍下配置有導電層以外之其他層。附抗反射膜之偏光薄膜15於積層方向上依序具有抗反射膜10、偏光薄膜20及黏著劑層30，並更具有導電層40。導電層40例如係配置於偏光薄膜20與黏著劑層30之間，且分別與偏光薄膜20及黏著劑層30相接。當導電層40配置於偏光薄膜20與黏著劑層30之間時，有導電層40劣化受抑制之傾向。惟，導電層40亦可配置於偏光薄膜20與黏著劑層30之間以外的位置，例如亦可配置於抗反射膜10與偏光薄膜20之間。
附抗反射膜之偏光薄膜15中，導電層40之表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下。具有低至該程度之表面電阻率的導電層40即便在易產生靜電之環境下，仍可防止具備液晶面板100之液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良。導電層40之表面電阻率可藉由以下方法特定。首先，準備一種導電層40之表面露出在外部之積層體。這種積層體可舉例如由偏光薄膜20及導電層40構成之積層體L。接著，針對所準備之積層體中的導電層40之表面測定表面電阻率。表面電阻率之測定可依循JIS K7194：1994或JIS K6911：1995所規定之方法進行。舉一例來說，導電層40之表面電阻率小於1.0×105 Ω/□時，導電層40之表面電阻率可利用Loresta-GP MCP-T600(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製)，依循JIS K7194：1994所規定之方法測定。當導電層40之表面電阻率為1.0×105 Ω/□以上時，導電層40之表面電阻率可利用Hiresta-UP MCP-HT450(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製)，依循JIS K6911：1995所規定之方法測定。可將藉由上述該測定所得測定值視為附抗反射膜之偏光薄膜15中之導電層40的表面電阻率。
導電層40之表面電阻率宜為5.0×105 Ω/□以下，較宜為1.0×105 Ω/□以下，更宜為1.0×104 Ω/□以下，尤宜為1.0×103 Ω/□以下。導電層40之表面電阻率的下限值並無特別限定，例如為1.0×102 Ω/□。於具備觸控感測器或觸控面板之液晶顯示裝置使用液晶面板100時，由充分確保設於液晶顯示裝置之觸控感測器或觸控面板之靈敏度之觀點來看，導電層40之表面電阻率亦可大於5.0×102 Ω/□。
附抗反射膜之偏光薄膜15在以黏著劑層30與無鹼玻璃直接相接之方式與無鹼玻璃積層之狀態下，來自CIE標準光源D65之光從與黏著劑層30相反之側的表面(典型上為抗反射膜10的表面)入射時，產生視感反射率Y為1.1%以下之反射光。根據產生這種反射光的附抗反射膜之偏光薄膜15，可抑制在液晶面板100之光反射，藉此可提升液晶顯示裝置之視辨性。此外，視感反射率Y意指XYZ表色系統(CIE1931)中之三刺激值(X、Y及Z)之Y值。三刺激值於JIS Z8701：1999中有詳細規定。
詳細來說，上述視感反射率Y可利用以下方法來特定。首先，利用黏著劑層30將附抗反射膜之偏光薄膜15貼附於無鹼玻璃上。無鹼玻璃係實質上不含鹼成分(鹼金屬氧化物)的玻璃，詳細來說玻璃中之鹼成分之重量比率例如為1000ppm以下，進一步宜為500ppm以下。無鹼玻璃例如為板狀，具有0.5mm以上之厚度。接著，於無鹼玻璃之與已與附抗反射膜之偏光薄膜15貼合之表面相反之側的表面貼附黑色薄膜。接著，對附抗反射膜之偏光薄膜15之附抗反射膜10側的表面以5°之入射角入射來自CIE標準光源D65之光。針對此時產生的單向反射光，特定在波長360nm~740nm之範圍中的分光反射率，從該分光反射率特定出XYZ表色系統(CIE1931)中之視感反射率Y。
視感反射率Y宜為1.0%以下，較宜為0.9%以下，更宜為0.8%以下，尤宜為0.7%以下。視感反射率Y之下限值並無特別限定，例如為0.1%。
上述反射光在L* a* b* 表色系統(CIE1976)中之a* 值及b* 值無特別限定，惟宜滿足下述關係(1)及(2)。 -10≦a* ≦10　　　　　　(1) -18≦b* ≦5　　　　　　　(2)
上述a* 值及b* 值可使用反射光在XYZ表色系統中之三刺激值(X、Y及Z)，藉由JIS Z8781-4：2013所規定之下述式(i)及(ii)來特定。 [數學式1]
Figure 02_image001
上述a* 值宜為-6以上且6以下，較宜為-3以上且3以下。上述b* 值宜為-15以上且3以下，較宜為-10以上且2以下，更宜為-6以上且2以下，尤宜為-5以上且2以下。視情況，a* 值及b* 值亦可滿足下述關係式(3)及(4)。 b* ≧-1.5a* -15　　　　　(3) b* ≦-1.5a* +7.5　　　　(4)
進而，a* 值及b* 值亦可滿足下述關係式(5)及(6)。 b* ≧-1.5a* -5　　　　　　(5) b* ≦-1.5a* +4.5　　　　(6)
上述反射光的L* 值例如為12以下，且宜為10以下，8以下較佳，7以下更佳。L* 值之下限值並未特別限定，例如為3。L* 值可使用上述三刺激值，藉由JIS Z8781-4：2013所規定之下述式(iii)來特定。 [數學式2]
Figure 02_image003
滿足L* 值=0、a* 值=0及b* 值=0之光(色相完全中性的光)與上述反射光的色差ΔE例如為22以下，且宜為18以下，15以下較佳，10以下更佳，8以下尤佳。色差ΔE之下限值並無特別限定，例如為3。色差ΔE可使用反射光之L* 值、a* 值及b* 值，根據下述式(iv)算出。 ΔE* ={(L* )2 +(a* )2 +(b* )2 }1/2 (iv)
[抗反射膜] 如圖2所示，抗反射膜10於積層方向上依序具有第1高折射率層1、第1低折射率層2、第2高折射率層3及第2低折射率層4。第1高折射率層1例如係與偏光薄膜20相接。第2低折射率層4例如位於該等層中最靠視辨側。
高折射率層1及3係具有折射率較低折射率層2及4更高之層，其折射率例如在1.6~3.2之範圍。第1高折射率層1之折射率可與第2高折射率層3相同，亦可不同。本說明書中，「折射率」只要未特別言及，便意指在溫度25℃下使用波長λ=550nm之光，依循JIS K0062：1992之規定進行測定而得之值。
本發明之較佳一形態中，高折射率層1及3例如包含黏結劑樹脂與分散於該黏結劑樹脂中之無機微粒子。黏結劑樹脂代表上為游離輻射線硬化型樹脂之硬化物，更具體上為紫外線硬化型樹脂之硬化物。紫外線硬化型樹脂可舉包含具有可進行自由基聚合之取代基的聚合物或寡聚物的樹脂，例如(甲基)丙烯酸酯樹脂。作為紫外線硬化型樹脂之(甲基)丙烯酸酯樹脂例如包含環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯醯基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸醚酯等聚合物或寡聚物。(甲基)丙烯酸酯樹脂除了上述聚合物或寡聚物外，更可包含有自由基聚合性單體(前驅物)。該單體之分子量例如為200~700。該單體之具體例可舉新戊四醇三丙烯酸酯(PETA：分子量298)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA：分子量212)、二新戊四醇六丙烯酸酯(DPHA：分子量632)、二新戊四醇五丙烯酸酯(DPPA：分子量578)、三羥甲丙烷三丙烯酸酯(TMPTA：296)。游離輻射線硬化型樹脂視需要亦可包含有引發劑。作為引發劑可舉例如UV自由基產生劑(Ciba Specialty Chemicals公司製IRGACURE 907、IRGACURE 127、IRGACURE 192等)或過氧化苯甲醯。上述黏結劑樹脂除了游離輻射線硬化型樹脂之硬化物外，亦可包含有其他樹脂。其他樹脂可為熱硬化性樹脂亦可為熱塑性樹脂。其他樹脂可舉脂肪族系樹脂(例如聚烯烴)、胺甲酸酯系樹脂等。
黏結劑樹脂之折射率例如為1.40~1.60。相對於所形成之高折射率層100重量份，黏結劑樹脂的摻混量例如為10重量份~80重量份，且宜為20重量份~70重量份。
無機微粒子的材料例如為金屬氧化物。金屬氧化物之具體例可舉氧化鋯(zirconia)(折射率：2.19)、氧化鋁(折射率：1.56~2.62)、氧化鈦(折射率：2.49~2.74)、氧化矽(折射率：1.25~1.46)。該等金屬氧化物不僅光之吸收小，還具有較游離輻射線硬化型樹脂或熱塑性樹脂等有機材料更高之折射率，因此適於調整高折射率層1及3之折射率。無機微粒子宜包含氧化鋯或氧化鈦。
無機微粒子的折射率例如為1.60以上，且宜為1.70~2.80，較宜為2.00~2.80。具有1.60以上之折射率的無機微粒子適於調整高折射率層1及3之折射率。無機微粒子之平均粒徑例如為1nm~100nm，以10nm~80nm為佳，20nm~70nm較佳。無機微粒子之平均粒徑例如係指在利用雷射繞射式粒度計測定之粒度分布中，相當於體積累積50%之粒徑(d50)。
無機微粒子雖可未進行表面改質，但以經表面改質為佳。經表面改質之無機微粒子有良好地分散於黏合劑樹脂中的傾向。表面改質例如係於無機微粒子之表面塗佈表面改質劑來形成表面改質劑層藉此來進行。表面改質劑可舉例如矽烷系耦合劑、鈦酸酯系耦合劑等耦合劑；脂肪酸系界面活性劑等界面活性劑。當使用這種表面改質劑時，有黏結劑樹脂與無機微粒子之濡溼性提升，而黏結劑樹脂與無機微粒子之界面穩定化的傾向。
相對於所形成之高折射率層100重量份，無機微粒子的摻混量例如為10重量份~90重量份，較宜為20重量份~80重量份。只要無機微粒子之摻混量在上述範圍內，抗反射膜便有具有充分的機械特性的同時可充分減低反射光之視感反射率Y的傾向。
包含黏結劑樹脂與無機微粒子之高折射率層1及3的折射率例如為1.6~2.6，且宜為1.7~2.2。
本發明之另一較佳形態中，高折射率層1及3包含金屬氧化物或金屬氮化物，且宜實質上由金屬氧化物或金屬氮化物所構成。金屬氧化物之具體例可舉氧化鈦(TiO2 )、銦/錫氧化物(ITO)、氧化鈮(Nb2 O5 )、氧化釔(Y2 O3 )、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋯(ZrO2 )、氧化鉿(HfO2 )、氧化銻(Sb2 O3 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎢(WO3 )。金屬氮化物之具體例可舉氮化矽(Si3 N4 )。高折射率層1及3宜包含氧化鈮(Nb2 O5 )或氧化鈦(TiO2 )。由金屬氧化物或金屬氮化物構成之高折射率層的折射率例如為2.00~2.60，且宜為2.10~2.45。
第1高折射率層1的材料可與第2高折射率層3相同，亦可不同。
第1高折射率層1之物理膜厚例如為9nm~15nm，且宜為11nm~13nm。第1高折射率層1之光學膜厚例如為20nm~35nm，且宜為25nm~30nm。此外，在本說明書中，光學膜厚係以波長550nm之光的折射率與物理膜厚之積表示之值。
第2高折射率層3之物理膜厚例如為98nm~124nm，且宜111nm~120nm。第2高折射率層3之光學膜厚例如為230nm~290nm，且宜為260nm~280nm。
低折射率層2及4為具有較高折射率層1及3更低之折射率之層，其折射率例如為1.35~1.55，且宜為1.40~1.50。藉由適當調節低折射率層2及4與高折射率層1及3之折射率之差，有可抑制光反射的傾向。第1低折射率層2之折射率可與第2低折射率層4相同，亦可不同。
低折射率層2及4之材料可舉例如金屬氧化物及金屬氟化物。金屬氧化物之具體例可舉氧化矽(SiO2 )。金屬氟化物之具體例可舉氟化鎂、氟矽酸。低折射率層2及4之材料由折射率的觀點來看以氟化鎂及氟矽酸為宜，由製造容易度、機械強度、耐濕性等觀點來看宜為氧化矽，而綜合考量各種特性則宜為氧化矽。第1低折射率層2之材料可與第2低折射率層4相同，亦可不同。
低折射率層2及4之材料亦可為硬化性含氟系樹脂之硬化物。硬化性含氟系樹脂例如具有源自含氟單體之構成單元及源自交聯性單體之構成單元。含氟單體之具體例可舉例如氟烯烴類(氟乙烯、二氟亞乙烯、四氟乙烯、六氟乙烯、六氟丙烯、全氟-2,2-二甲基-1,3-二㗁呃等)、具部分或完全氟化之烷基的(甲基)丙烯酸酯衍生物類(Viscoat 6FM(大阪有機化學公司製)、M-2020(大金公司製)等)、完全或部分氟化之乙烯基醚類等。交聯性單體可舉例如甲基丙烯酸環氧丙酯等分子內具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸酯單體；具有羧基、羥基、胺基、磺酸基等官能基之(甲基)丙烯酸酯單體((甲基)丙烯酸、羥甲基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷基酯、(甲基)丙烯酸烯丙酯等)。含氟系樹脂亦可具有源自上述化合物以外之其他單體(例如烯烴系單體、(甲基)丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體)的構成單元。
第1低折射率層2之物理膜厚例如為26nm~34nm，且宜為27nm~31nm。第1低折射率層2之光學膜厚例如為38nm~50nm，且宜為40nm~45nm。
第2低折射率層4之物理膜厚例如為68nm~88nm，且宜為72nm~79nm。第2低折射率層4之光學膜厚例如為100nm~128nm，且宜為105nm~115nm。
高折射率層及低折射率層之製作方法並無特別限定。該等層包含樹脂時，可藉由所謂的濕式製程(於塗佈樹脂組成物後再硬化)來形成該等之層。該等之由金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物等構成時，可藉由所謂的乾式製程來形成該等層。乾式處理之具體例可舉PVD(Physical Vapor Deposition；物理氣相沉積)法、CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)法。PVD法可舉例如真空蒸鍍法、反應性蒸鍍法、離子束輔助法、濺鍍法、離子鍍法。CVD法可舉例如電漿CVD法。由降低反射光之色相參差之觀點來看，乾式製程宜為濺鍍法。
圖2之抗反射膜10更可具有高折射率層及低折射率層以外之其他構件。圖3係顯示抗反射膜之另一例。圖3之抗反射膜11更具有基材5及黏著劑層6。基材5例如係配置在第1高折射率層1與偏光薄膜20之間，且與第1高折射率層1相接。黏著劑層6例如係配置於基材5與偏光薄膜20之間，且分別與基材5及偏光薄膜20相接。
基材5例如包含具有透明性之樹脂薄膜。所述樹脂薄膜之材料可舉例如纖維素系樹脂(三醋酸纖維素、二醋酸纖維素、丙酸纖維素、丁酸纖維素、醋酸丙酸纖維素、硝酸纖維素等)、聚醯胺系樹脂(尼龍-6、尼龍-66等)、聚醯亞胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚-1,4-環己烷二亞甲基對苯二甲酸酯、聚乙烯-1,2-二苯氧乙烷-4,4 '-二羧酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯等)、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、聚醚酮系樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、乙烯乙烯醇樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、(甲基)丙烯腈樹脂等。基材5可為單一樹脂薄膜之層，可為複數層樹脂薄膜之積層體，亦可為樹脂薄膜與後述硬塗層之積層體。基材5亦可包含有添加劑。添加劑之具體例可舉抗靜電劑、紫外線吸收劑、塑化劑、滑劑、著色劑、抗氧化劑、阻燃劑等。
本發明之較佳一形態中，基材5係三醋酸纖維素(TAC)薄膜。三醋酸纖維素薄膜亦可作為偏光件之保護薄膜發揮功能。因此，藉由使用具有由三醋酸纖維素薄膜構成之基材5的抗反射膜11，有時可省略偏光薄膜20於視辨側具有之透明保護薄膜。
本發明之另一較佳形態中，基材5包含硬塗層。基材5可以硬塗層構成，亦可為樹脂薄膜及硬塗層之積層體。硬塗層例如為游離輻射線硬化型樹脂之硬化層。游離輻射線可舉例如紫外線、可見光、紅外線、電子束，且宜為紫外線。即，游離輻射線硬化型樹脂宜為紫外線硬化型樹脂。紫外線硬化型樹脂可舉例如(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、醯胺系樹脂、環氧系樹脂等。(甲基)丙烯酸系樹脂可舉例如含(甲基)丙烯醯氧基之多官能性單體藉由紫外線硬化而成的硬化物(聚合物)。多官能性單體例如可使用1種或組合2種以上來使用。多官能性單體例如可與光聚合引發劑混合來使用。
硬塗層中亦可分散有無機微粒子或有機微粒子。微粒子之平均粒徑(d50)例如為0.01µm~3µm。由折射率、穩定性、耐熱性等觀點來看，分散於硬塗層中的微粒子宜為氧化矽(SiO2 )。硬塗層亦可包含有添加劑。添加劑之具體例可舉調平劑、充填劑、分散劑、塑化劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、抗氧化劑、觸變性化劑。並且，硬塗層表面亦可形成有凹凸形狀。於表面具有凹凸形狀之硬塗層具有光擴散功能(防眩)。
基材5之物理膜厚並無特別限定。基材5為單一樹脂薄膜之層或複數層樹脂薄膜之積層體時，基材5之物理膜厚例如在10µm~200µm之範圍內。基材5包含硬塗層時，硬塗層之物理膜厚例如在1µm~50µm之範圍內。
基材5之折射率(基材5具有積層結構時，最靠第1高折射率層1側之層之折射率)例如為1.3~1.8，且宜為1.4~1.7。
黏著劑層6係包含黏著劑之層。黏著劑層6所含黏著劑可舉例如具有黏著性之樹脂。這類樹脂可舉丙烯酸系樹脂、丙烯酸胺甲酸酯系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、聚矽氧系樹脂等。黏著劑層6宜包含由丙烯酸系樹脂所構成之丙烯酸系黏著劑。
黏著劑層6亦可因應需求更含有添加劑。添加劑可舉例如交聯劑、增黏劑、塑化劑、顏料、染料、充填劑、抗老化劑、導電材、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、過氧化物系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、
Figure 109135372-A0304-12-0059-1
唑啉系交聯劑、吖
Figure 109135372-A0101-12-0022-1
系交聯劑、胺系交聯劑等。
黏著劑層6之物理膜厚例如為5µm~100µm，且宜為10µm~50µm。
抗反射膜11可更具有基材5及黏著劑層6以外之其他構件。抗反射膜11例如更可具有配置在基材5及第1高折射率層1之間的防眩層。抗反射膜11亦更可具有配置在特定之構件間(例如基材5與第1高折射率層1之間、或防眩層與第1高折射率層1之間)的密著層。密著層係可提升構件彼此之密著性的層，例如包含矽或SiOx (x＜2)。密著層之物理膜厚例如為1nm~10nm，且宜為2nm~5nm。密著層之折射率例如為1~2.5。
抗反射膜10及11亦可配置在較第2低折射率層4更靠視辨側，且更可具有與第2低折射率層4相接之防污層。防污層係具有防污效果之層，例如包含選自氟系樹脂、聚矽氧系樹脂中之至少1者。防污層之物理膜厚例如為5nm~13nm，且宜為5nm~10nm。防污層之折射率例如為1~2。
從CIE標準光源D65對抗反射膜10及11入射光時所產生的反射光在L* a* b* 表色系統中之a1 * 值及b1 * 值之絕對值宜小。a1 * 值例如為-6以上且6以下，較佳為-3以上且3以下。b1 * 值例如為-15以上且3以下，宜為-10以上且2以下，較佳為-5以上且2以下。a1 * 值及b1 * 值可利用以下方法特定。首先，使抗反射膜10之第1高折射率層1、第1低折射率層2、第2高折射率層3及第2低折射率層4依序積層於黑色薄膜上、或利用抗反射膜11之黏著劑層6將抗反射膜11貼附於黑色薄膜上。接著，對第2低折射率層側之抗反射膜10或11之表面以5°之入射角入射來自CIE標準光源D65之光。針對此時產生的單向反射光，特定在波長360nm~740nm之範圍中的分光反射率，從該分光反射率特定出XYZ表色系統中之三刺激值。使用所得三刺激值，藉由上述式(i)及(ii)特定出a1 * 值及b1 * 值。
上述反射光之視感反射率Y1 例如為0.3%以下，且宜為0.2%以下。
[偏光薄膜] 偏光薄膜20係包含偏光件及透明保護薄膜之積層體。透明保護薄膜例如係配置成與層狀偏光件之主面(具有最廣泛面積之表面)相接。偏光件亦可配置在2個透明保護薄膜之間。作為偏光件並無特別限定，可舉例如使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料等二色性物質並進行過單軸延伸者；以及聚乙烯醇之脫水處理物、聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。偏光件宜由聚乙烯醇系薄膜及碘等二色性物質構成。
偏光件之厚度並無特別限定，例如為80µm以下。偏光件之厚度為10µm以下，較佳亦可為1~7µm。這種薄型偏光件的厚度參差少，視辨性佳。薄型偏光件之尺寸變化受到抑制，耐久性佳。根據薄型偏光件，可將偏光薄膜20薄型化。
作為透明保護薄膜的材料，可使用例如透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性、各向同性等優異之熱塑性樹脂。所述熱塑性樹脂的具體例可舉例如三醋酸纖維素等之纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降莰烯系樹脂)、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及該等之混合物。透明保護薄膜之材料亦可為(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂。偏光薄膜20具有2個透明保護薄膜時，2個透明保護薄膜之材料可彼此相同亦可互異。例如，亦可對偏光件之一主面透過接著劑貼合有以熱塑性樹脂構成之透明保護薄膜，且於偏光件之另一主面貼合有以熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂構成之透明保護薄膜。透明保護薄膜亦可包含有1種以上任意之添加劑。
透明保護薄膜亦可具有防眩特性、抗反射特性等光學特性。透明保護薄膜亦可為作為相位差膜發揮功能的薄膜。本說明書中，相位差膜係指於面內方向或厚度方向具有雙折射之膜。作為相位差膜發揮功能之薄膜可舉例如使高分子薄膜延伸而成者、使液晶材料定向並使其固定化而成者等。
用以貼合偏光件與透明保護薄膜之接著劑只要在光學上是透明的則無特別限定，可舉例如水系、溶劑系、熱熔膠系、自由基硬化型、陽離子硬化型等接著劑，較佳可舉水系接著劑及自由基硬化型接著劑。
偏光薄膜20之厚度例如為10µm~500µm。偏光薄膜20之全光線透射率並無特別限定，例如為30%~50%。本說明書中，「全光線透射率」意指波長380nm~700nm之範圍之光的透射率。全光線透射率可依循JIS K7361-1：1997之規定進行測定。全光線透射率之測定係使用CIE標準光源D65。
來自CIE標準光源D65之光對偏光薄膜20入射時的透射光在Hunter Lab表色系統中的a值宜為-6.0~0，-3.0~-0.5較佳，-1.8~-1.2尤佳。上述透射光在Hunter Lab表色系統中的b值宜為1.0~10，1.5~5.0較佳，2.2~4.0尤佳。透射光在Hunter Lab表色系統中的a值及b值可利用以下方法特定。首先，使用分光光度計之積分球，測定偏光薄膜20之來自CIE標準光源D65之光之透射率。針對所得透射率，依JIS Z8701：1999所規定之2度視野XYZ系進行視感度校正(780~380nm：每5nm)，藉此可特定出透射光在Hunter Lab表色系統中的a值及b值。
[附抗反射膜之偏光薄膜具有之導電層] 導電層40係包含導電材料之層。導電材料可為ITO以外之材料，例如為導電性聚合物、導電性聚合物與摻雜劑之複合物、離子性界面活性劑、導電性微粒子、離子性化合物等。由透明性、全光線透射率、外觀、抗靜電效果及於高溫或高濕環境下之抗靜電效果的穩定性之觀點來看，導電層40宜包含導電性聚合物。導電層40包含導電性聚合物作為導電材料時，相較於包含導電性微粒子之情況，即使將導電層40之厚度調整成較大也不易發生霧度。因此，即使在導電層40配置於液晶單元25與偏光件之間時，包含導電性聚合物之導電層40也不易發生消偏光，而不易使液晶顯示裝置顯示之影像的對比降低。當導電層40包含導電性聚合物作為導電材料時，相較於包含導電性微粒子之情況，有導電層40之折射率低之傾向。所以，包含導電性聚合物之導電層40適於使液晶面板100之光的反射率更降低。
導電性聚合物可舉例如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚喹㗁啉、聚乙炔、聚(伸苯伸乙烯)、聚萘及該等之衍生物。導電材料亦可包含有1種或2種以上該等導電性聚合物。導電性聚合物宜為聚噻吩、聚苯胺及該等之衍生物，且聚噻吩衍生物尤佳。聚噻吩、聚苯胺及該等之衍生物例如可作為具有水溶性或水分散性之導電性聚合物發揮功能。導電性聚合物具有水溶性或水分散性時，可使用導電性聚合物之水溶液或水分散液來製作導電層40。此時，製作導電層40不須使用非水系有機溶劑，因此可抑制有機溶劑造成偏光薄膜20等之變質。
導電性聚合物亦可具有親水性官能基。親水性官能基可舉例如磺酸基、胺基、醯胺基、亞胺基、羥基、巰基、肼基、羧基、硫酸酯基、磷酸酯基及該等之鹽(例如四級銨鹽基)。導電性聚合物具有親水性官能基時，有導電性聚合物易溶於水或微粒子狀導電性聚合物易分散於水中的傾向。
由導電性及化學穩定性的觀點來看，導電性聚合物以聚(3,4-二取代噻吩)為佳。聚(3,4-二取代噻吩)可舉例如聚(3,4-伸烷基二氧噻吩)及聚(3,4-二烷氧噻吩)，且宜為聚(3,4-伸烷基二氧噻吩)。聚(3,4-伸烷基二氧噻吩)例如具有下式(I)所示結構單元。 [化學式1]
Figure 02_image005
式(I)中，R1 例如為碳數1~4伸烷基。伸烷基可為直鏈狀亦可為支鏈狀。伸烷基可舉例如亞甲基、1 ,2-伸乙基、1,3-伸丙基、1,4-伸丁基、1-甲-1,2-伸乙基、1-乙-1,2-伸乙基、1-甲-1,3-伸丙基及2-甲-1,3-伸丙基，宜為亞甲基、1,2-伸乙基、1,3-伸丙基，1,2-伸乙基較佳。導電性聚合物以聚(3,4-伸乙二氧噻吩)(PEDOT)為宜。
摻雜劑可舉例如多價陰離子。導電性聚合物為聚噻吩(或其衍生物)時，多價陰離子會與聚噻吩(或其衍生物)形成離子對，而可使聚噻吩(或其衍生物)穩定分散於水中。多價陰離子並無特別限定，可舉例如聚丙烯酸、聚馬來酸、聚甲基丙烯酸等羧酸聚合物類；聚苯乙烯磺酸、聚乙烯磺酸、聚異戊二烯磺酸等磺酸聚合物類等。多價陰離子亦可為乙烯基羧酸類或乙烯磺酸類與其他單體類之共聚物。其他單體類可舉例如(甲基)丙烯酸酯化合物；苯乙烯、乙烯基萘等芳香族乙烯基化合物。多價陰離子尤宜使用聚苯乙烯磺酸(PSS)。導電性聚合物與摻雜劑之複合物可舉例如聚(3,4-伸乙二氧噻吩)與聚苯乙烯磺酸之複合物(PEDOT/PSS)。
離子性界面活性劑可舉例如四級銨鹽型、鏻鹽型、鋶鹽型等陽離子系界面活性劑；羧酸型、磺酸鹽型、硫酸鹽型、磷酸鹽型、亞磷酸鹽型等陰離子系界面活性劑；磺基甜菜鹼型、烷基甜菜鹼型、烷基咪唑鎓甜菜鹼型等兩性離子系界面活性劑；多元醇衍生物、β-環糊精包合物、去水山梨糖醇脂肪酸單酯、去水山梨糖醇脂肪酸二酯、聚環氧烷衍生物、氧化胺等非離子系界面活性劑。
導電性微粒子可舉例如氧化錫系、氧化銻系、氧化銦系、氧化鋅系等金屬氧化物微粒子，且以氧化錫系微粒子為宜。氧化錫系微粒子之材料可舉例如氧化錫、銻摻雜氧化錫、銦摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化錫、鎢摻雜氧化錫、氧化鈦-氧化鈰-氧化錫的複合物、氧化鈦-氧化錫的複合物等。導電性微粒子之平均粒徑例如為1~100nm，且宜為2~50nm。導電性微粒子之平均粒徑例如係指在利用雷射繞射式粒度計測定之粒度分布中，相當於體積累積50%之粒徑(d50)。
離子性化合物可舉例如鹼金屬鹽及/或有機陽離子-陰離子鹽。鹼金屬鹽可舉例如鹼金屬之有機鹽及無機鹽。本說明書中，有機陽離子-陰離子鹽意指包含有機陽離子之有機鹽。有機陽離子-陰離子鹽所含陰離子可為有機陰離子，亦可為無機陰離子。有機陽離子-陰離子鹽有時稱為離子性液體或離子性固體。
鹼金屬鹽所含鹼金屬離子可舉例如鋰離子、鈉離子及鉀離子，且宜為鋰離子。
鹼金屬之有機鹽所含陰離子可舉例如CH3 COO- 、CF3 COO- 、CH3 SO3 - 、CF3 SO3 - 、(CF3 SO2 )3 C- 、C4 F9 SO3 - 、C3 F7 COO- 、(CF3 SO2 )(CF3 CO)N- 、- O3 S(CF2 )3 SO3 - 、(CN)2 N- 及下述通式(a)~(d)所示陰離子。 (a)(Cn F2n+1 SO2 )2 N- (惟，n為1~10之整數) (b)CF2 (Cm F2m SO2 )2 N- (惟，m為1~10之整數) (c)- O3 S(CF2 )l SO3 - (惟，l為1~10之整數) (d)(Cp F2p+1 SO2 )N- (Cq F2q+1 SO2 ) (惟，p及q彼此獨立為1~10之整數)
鹼金屬之有機鹽所含陰離子宜包含氟原子。根據含氟原子之陰離子，鹼金屬之有機鹽係作為離子解離性佳的離子化合物發揮功能。
鹼金屬之無機鹽所含陰離子可舉例如Cl- 、Br- 、I- 、AlCl4 - 、Al2 Cl7 - 、BF4 - 、PF6 - 、ClO4 - 、NO3 - 、AsF6 - 、SbF6 - 、NbF6 - 、TaF6 - 、(FSO2 )2 N- 、CO3 2 - 等。
鹼金屬鹽所含陰離子宜為(CF3 SO2 )2 N- 、(C2 F5 SO2 )2 N- 等上述通式(a)所示(全氟烷基磺醯基)醯亞胺，尤以(CF3 SO2 )2 N- 所示(三氟甲磺醯基)醯亞胺為宜。
鹼金屬之有機鹽可舉例如乙酸鈉、褐藻酸鈉、木質磺酸鈉、甲苯磺酸鈉、LiCF3 SO3 、Li(CF3 SO2 )2 N、Li(C2 F5 SO2 )2 N、Li(C4 F9 SO2 )2 N、Li(CF3 SO2 )3 C、KO3 S(CF2 )3 SO3 K、LiO3 S(CF2 )3 SO3 K等，以LiCF3 SO3 、Li(CF3 SO2 )2 N、Li(C2 F5 SO2 )2 N、Li(C4 F9 SO2 )2 N、Li(CF3 SO2 )3 C為佳，Li(CF3 SO2 )2 N、Li(C2 F5 SO2 )2 N、Li(C4 F9 SO2 )2 N較佳。鹼金屬之有機鹽宜為含氟之鋰醯亞胺鹽，且以(全氟烷基磺醯基)醯亞胺鋰鹽尤佳。
鹼金屬之無機鹽可舉例如過氯酸鋰及碘化鋰。
有機陽離子-陰離子鹽所含有機陽離子可舉例如吡啶鎓陽離子、哌啶鎓陽離子、吡咯啶鎓陽離子、具二氫吡咯骨架的陽離子、具吡咯骨架的陽離子、咪唑鎓陽離子、四氫嘧啶鎓陽離子、二氫嘧啶鎓陽離子、吡唑鎓陽離子、吡唑啉鎓陽離子、四烷基銨陽離子、三烷基鋶陽離子、四烷基鏻陽離子等。
有機陽離子-陰離子鹽所含陰離子可舉例如Cl- 、Br- 、I- 、AlCl4 - 、Al2 Cl7 - 、BF4 - 、PF6 - 、ClO4 - 、NO3 - 、CH3 COO- 、CF3 COO- 、CH3 SO3 - 、CF3 SO3 - 、(CF3 SO2 )3 C- 、AsF6 - 、SbF6 - 、NbF6 - 、TaF6 - 、(CN)2 N- 、C4 F9 SO3 - 、C3 F7 COO- 、(CF3 SO2 )(CF3 CO)N- 、(FSO2 )2 N- 、- O3 S(CF2 )3 SO3 - 及上述通式(a)~(d)所示陰離子。有機陽離子-陰離子鹽所含陰離子宜包含氟原子。根據含氟原子之陰離子，有機陽離子-陰離子鹽係作為離子解離性佳的離子化合物發揮功能。
離子性化合物不限於上述鹼金屬鹽及有機陽離子-陰離子鹽，還可舉例如氯化銨、氯化鋁、氯化銅、氯化亞鐵、氯化鐵、硫酸銨等之無機鹽。導電材料亦可包含有1種或2種以上上述離子性化合物。
導電材料不限於上述材料，還可舉例如乙炔黑、科琴碳黑、天然石墨、人造石墨等碳材料；鈦黑；具有四級銨鹽等陽離子型導電性基、甜菜鹼化合物等兩性離子型導電性基、磺酸鹽等陰離子型導電性基或丙三醇等具有非離子型導電性基之單體的均聚物、或具有該單體與其他單體之共聚物(例如具有源自具四級銨鹽基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之結構單元的聚合物等具有離子導電性之聚合物)；使乙烯及甲基丙烯酸酯之共聚物等親水性聚合物對丙烯酸系樹脂等合金化而成者(永久抗靜電劑)。
導電層40除了導電材料外，亦可更包含有黏結劑等其他材料。黏結劑例如有使導電材料之皮膜形成性提升的同時使導電層40對偏光薄膜20之密著性及接著性(投錨力)提升的傾向。黏結劑可舉例如含㗁唑啉基聚合物、聚胺甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、環氧樹脂、聚乙烯吡咯啶酮、聚苯乙烯系樹脂、聚乙二醇、新戊四醇等，且宜為含㗁唑啉基聚合物、聚胺甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂，尤以聚胺甲酸酯系樹脂為佳。導電層40亦可包含有1種或2種以上該等黏結劑。導電層40中之黏結劑的含有率例如為1wt%~90wt%，且宜為10wt%~80wt%。
導電層40之厚度例如為5nm~180nm，宜為150nm，較宜為120nm以下，更宜為100nm以下，尤宜為80nm以下，特別宜為50nm以下。導電層40之厚度可為10nm以上，亦可為20nm以上。
附抗反射膜之偏光薄膜15中，導電層40造成之全光線透射率的損失A例如為0.9%以下，宜為0.8%以下，0.6%以下較佳，0.5%以下更佳，0.4%以下尤佳，小於0.2%特別佳。損失A的下限值並無特別限定，例如為0.01%。損失A可利用以下方法特定。首先，測定偏光薄膜20之全光線透射率T1與由偏光薄膜20及導電層40構成之積層體L之全光線透射率T2。積層體L之全光線透射率T2係使光從偏光薄膜20側入射時之值。可令全光線透射率T1與全光線透射率T2之差(T1-T2)為損失A來特定。
附抗反射膜之偏光薄膜15中，當上述損耗A大於0.5%時，導電層40之表面電阻率亦可為特別低之值。舉一例來說，附抗反射膜之偏光薄膜15中，亦可成立下述之至少一者：(i)上述損耗A為0.5%以下且導電層40之表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下；及(ii)上述損耗A為0.9%以下且導電層40之表面電阻率為1.0×104 Ω/□以下。
導電層40與偏光薄膜20之投錨力例如為10.0N/25mm以上，宜為12.0N/25mm以上，較宜為14.0N/25mm以上，更宜為18.0N/25mm以上。上述投錨力可藉由以下方法測定。首先，將評估對象之附抗反射膜之偏光薄膜15裁切成寬度25mm×長度150mm來製成試驗片。接著，透過雙面膠帶將試驗片具備之抗反射膜10的表面整體疊合於不鏽鋼製試驗板上，使2kg滾筒進行1往復，使該等壓接。接著，將試驗片具備之黏著劑層30疊合於評估用片材上，使2kg滾筒進行1往復，使該等壓接。評估用片材只要是具有寬度30mm×長度150mm之尺寸且在試驗中不會從黏著劑層30剝離者，即無特別限定。評估用片材例如可使用ITO薄膜(125 TETOLIGHT OES(尾池工業公司製)等)。接著，使用市售之拉伸試驗機，在把持評估用片材的狀態下，以剝離角度180°、拉伸速度300mm/分鐘將黏著劑層30及導電層40從偏光薄膜20剝除，並特定此時的剝離力之平均值作為導電層40與偏光薄膜20的投錨力。此外，上述試驗係在23℃之氣體環境下進行。
[黏著劑層] 黏著劑層30係包含黏著劑之層。黏著劑層30所含黏著劑可舉例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯基吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。由光學透明性佳、具有適當濡溼性、凝集性、接著性等之黏著特性、且耐候性、耐熱性等優異之觀點來看，黏著劑層30中所含黏著劑宜使用丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物作為基底聚合物。(甲基)丙烯酸系聚合物例如含有源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為主成分。在本說明書中，「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。「主成分」意指聚合物中以重量基準計包含最多的結構單元。
用以形成(甲基)丙烯酸系聚合物之主骨架的(甲基)丙烯酸酯中所含之酯部分((甲基)丙烯酸基以外之部分)的碳數並無特別限定，例如為1~18。(甲基)丙烯酸酯的酯部分可包含有苯基、苯氧基等芳香族環，亦可包含有烷基。該烷基可為直鏈狀亦可為支鏈狀。(甲基)丙烯酸系聚合物亦可包含有1種或2種以上源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元。(甲基)丙烯酸系聚合物中，源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元所含酯部分的碳數平均值宜為3~9。由黏著特性、耐久性、相位差之調整、折射率之調整等觀點來看，(甲基)丙烯酸系聚合物宜具有源自含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。藉由含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯來調節黏著劑層30之相位差，可抑制偏光薄膜20熱收縮而黏著劑層30延伸所產生之液晶顯示裝置的漏光。並且，該(甲基)丙烯酸酯適於調整黏著劑層30之折射率，使黏著劑層30與被黏著體(液晶單元)之折射率的差降低。只要折射率的差降低，便可抑制在黏著劑層30與被黏著體之界面的光反射，而可使顯示器之視辨性提升。
含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯可舉例如(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸鄰苯基苯酚酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯氧乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧丙酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質壬苯酚(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、苯酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、2-羥-3-苯氧丙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基苄基(甲基)丙烯酸酯、氯苄基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲苯酚酯、(甲基)丙烯酸苯乙烯酯等含苯環之(甲基)丙烯酸酯；羥乙基化β-萘酚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-萘酚乙酯、丙烯酸2-萘氧乙酯、2-(4-甲氧基-1-萘氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯等含萘環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸聯苯酯等含聯苯環之(甲基)丙烯酸酯等。該等之中，由提升黏著劑層30的黏著特性或耐久性之觀點，又以(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧乙酯為佳。
利用含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯調整黏著劑層30之折射率時，(甲基)丙烯酸系聚合物之總構成單元中源自含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯之結構單元的含有率宜為3重量%~25重量%。該含有率較宜為22重量%以下，且20重量%以下更佳。該含有率較宜為8重量%以上，且12重量%以上更佳。只要源自含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯之結構單元的含有率在25重量%以下，便有可抑制液晶顯示裝置因偏光薄膜20收縮造成之漏光，同時提升黏著劑層30之重工性的傾向。只要該含有率為3重量%以上，便有可充分抑制液晶顯示裝置之漏光的傾向。
(甲基)丙烯酸系聚合物由提升接著性及耐熱性之觀點來看，除了源自上述含芳香族環之(甲基)丙烯酸酯之結構單元外，亦可具有1種以上源自具有含(甲基)丙烯醯基、乙烯基等不飽和雙鍵之聚合性官能基的共聚單體之結構單元。該共聚單體可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯及丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、伊康酸酐等含酸酐基單體；丙烯酸之己內酯加成物；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體等。
上述共聚單體亦可舉例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸-N,N-二甲基胺乙酯、(甲基)丙烯酸三級丁基胺乙酯等(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺或N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；N-丙烯醯基嗎福林等嗎福林系單體；N-環己基馬來醯亞胺或N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺或N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體等。
上述共聚單體可舉例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌
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、乙烯基吡
Figure 109135372-A0304-12-0000-4
、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基
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唑、乙烯基嗎福林、N-乙烯基羧酸醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸環氧丙酯等含環氧基之丙烯酸系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯或2-甲氧基乙基丙烯酸酯等丙烯酸酯系單體等。並且，共聚單體還可舉例如異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴單體；乙烯基醚等含醚基之乙烯基單體。
上述共聚單體亦可舉例如3-丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、4-乙烯基丁基三甲氧基矽烷、4-乙烯基丁基三乙氧基矽烷、8-乙烯基辛基三甲氧基矽烷、8-乙烯基辛基三乙氧基矽烷、10-甲基丙烯醯氧癸基三甲氧基矽烷、10-丙烯醯氧癸基三甲氧基矽烷、10-甲基丙烯醯氧癸基三乙氧基矽烷、10-丙烯醯氧癸基三乙氧基矽烷等矽烷系單體。
作為上述共聚單體可舉例如三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二環氧丙基醚二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物((具有2個以上(甲基)丙烯醯基、乙烯基等不飽和雙鍵之多官能性單體)；在聚酯、環氧、胺甲酸酯等的骨架上附加2個以上具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等不飽和雙鍵的化合物之化合物(例如聚酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯及胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯)等。
(甲基)丙烯酸系聚合物中源自上述共聚單體之結構單元的含有率並無特別限定，例如為0wt%~20wt%，宜為0.1wt%~15wt%，較宜為0.1wt%~10wt%。
由接著性及耐久性的觀點來看，作為共聚單體宜為含羥基單體及含羧基單體。共聚單體亦可併用含羥基單體及含羧基單體。共聚單體例如在用以形成黏著劑層30之黏著劑組成物包含交聯劑時會作為與交聯劑的反應點發揮功能。含羥基單體、含羧基單體等與分子間交聯劑之反應性優異，因此適於提升所得黏著劑層30之凝集性及耐熱性。尤其含羥基單體適於提升黏著劑層30之重工性。含羧基單體適於兼顧黏著劑層30之耐久性與重工性。
使用含羥基單體作為共聚單體時，(甲基)丙烯酸系聚合物中源自含羥基單體之結構單元的含有率宜為0.01wt%~15wt%，0.03wt%~10wt%較佳，0.05wt%~7wt%更佳。使用含羧基單體作為共聚單體時，(甲基)丙烯酸系聚合物中源自含羧基單體之結構單元的含有率宜為0.05wt%~10wt%，0.1wt%~8wt%較佳，0.2wt%~6wt%更佳。
(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量例如為50萬~300萬，而由耐久性、尤其是耐熱性之觀點來看，宜為70萬~270萬，較宜為80萬~250萬。當(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為50萬以上時，黏著劑層30有具有實用上充分之耐熱性的傾向。當(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為300萬以下時，有可容易調節用以製作黏著劑層30之塗敷液之黏度的傾向。只要可容易調節塗敷液之黏度，便無須於塗敷液中添加大量的稀釋溶劑，故可抑制黏著劑層30之製造成本。本說明書中，重量平均分子量係指將進行GPC(凝膠滲透層析法；Gel Permeation Chromatography)所得測定結果以聚苯乙烯換算而得之值。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由溶液聚合、塊狀聚合、乳化聚合、各種自由基聚合等公知聚合反應來製作。(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物，可為嵌段共聚物，亦可為接枝共聚物。
黏著劑層30所含黏著劑亦可具有基底聚合物經交聯劑交聯之結構。例如，使用(甲基)丙烯酸系聚合物作為基底聚合物時，可使用有機系交聯劑或多官能性金屬螯合物作為交聯劑。有機系交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑等。多官能性金屬螯合物意指多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結之物。構成多價金屬原子可舉例如Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。多官能性金屬螯合物中所含有機化合物包含例如氧原子等。該有機化合物可舉例如烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。
黏著劑中，交聯劑之使用量宜相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為3重量份以下，0.01~3重量份較佳，0.02~2重量份更佳，0.03~1重量份尤佳。
黏著劑層30亦可更包含有黏著劑以外之其他材料。其他材料可舉例如導電材料、矽烷耦合劑及其他添加劑。導電材料會使黏著劑層30之表面電阻率降低而適於防止液晶顯示裝置因靜電造成之顯示不良。導電材料可舉先前在導電層40所述之物。由與基底聚合物之相溶性及黏著劑層30之透明性的觀點來看，黏著劑層30中所含導電材料宜為離子性化合物。尤其，當黏著劑層30包含丙烯酸系黏著劑且該丙烯酸系黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物作為基底聚合物時，宜使用離子性化合物作為導電材料。離子性化合物由抗靜電性能之觀點來看宜為離子性液體。
相對於黏著劑之基底聚合物(例如(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，黏著劑層30宜包含0.05~20重量份之導電材料(例如離子性化合物)。藉由黏著劑層30包含0.05重量份以上之導電材料，有黏著劑層30之表面電阻率充分降低，而黏著劑層30之抗靜電性能充分提升的傾向。相對於黏著劑之基底聚合物100重量份，黏著劑層30宜包含0.1重量份以上之導電材料，且包含0.5重量份以上較佳。由對黏著劑層30賦予實用上充分之耐久性的觀點來看，相對於黏著劑之基底聚合物100重量份，黏著劑層30宜包含20重量份以下之導電材料，包含10重量份以下較佳。
其他添加劑例如可因應使用用途適當使用聚伸烷基二醇(例如聚丙二醇)等聚醚化合物、著色劑、顏料、染料、界面活性劑、塑化劑、增黏劑、表面潤滑劑、調平劑、軟化劑、抗氧化劑、抗老化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、無機充填劑、有機充填劑、金屬粉等。添加劑可為粉體，可為粒狀，亦可為箔狀。作為添加劑亦可在可控制的範圍內使用還原劑來構成氧化還原系。藉由於黏著劑層30添加著色劑等色素，有可調節來自液晶面板100之反射光的色相之情形。相對於黏著劑之基底聚合物(例如(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，黏著劑層30宜包含5重量份以下之其他添加劑，包含3重量份以下較佳，包含1重量份以下更佳。
黏著劑層30之厚度並無特別限定，例如為5~100µm，且宜為10~50µm。
附抗反射膜之偏光薄膜15中，黏著劑層30之表面電阻率並無特別限定，亦可低於1.0×1014 Ω/□，而宜為1.0×1012 Ω/□以下。黏著劑層30之表面電阻率的下限值並無特別限定，而由耐久性之觀點來看，例如為1.0×108 Ω/□。黏著劑層30之表面電阻率可利用以下方法測定。首先，準備黏著劑層30之表面露出在外部之積層體。所述積層體可舉例如在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等分離薄膜上配置有黏著劑層30之積層體。接著，針對所準備之積層體中的黏著劑層30之表面測定表面電阻率。表面電阻率之測定可利用Hiresta-UP MCP-HT450(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製)，依循JIS K6911：1995所規定之方法測定。可將藉由該測定所得測定值視為黏著劑層30之表面電阻率。
[其他層] 附抗反射膜之偏光薄膜15亦可更具備有抗反射膜10、偏光薄膜20、導電層40及黏著劑層30以外之其他層。附抗反射膜之偏光薄膜15亦可包含有1個或2個以上其他層。其他層例如係配置在較抗反射膜10更靠視辨側且與抗反射膜10相接。其他層可舉例如表面保護薄膜及相位差膜。
表面保護薄膜例如具有支持薄膜及配置在支持薄膜之至少單面的黏著劑層。表面保護薄膜之黏著劑層亦可包含有輕剝離劑、導電材料等。表面保護薄膜之黏著劑層包含導電材料時，將表面保護薄膜貼合至抗反射膜10，然後將表面保護薄膜剝離，藉此可使抗反射膜10含有導電材料並對該表面賦予導電功能。導電材料可舉先前在導電層40所述之物。為了藉由剝離表面保護薄膜來對抗反射膜10之表面賦予導電功能，表面保護薄膜之黏著劑層宜於包含導電材料的同時也包含輕剝離劑。輕剝離劑可舉例如聚有機矽氧烷等聚矽氧樹脂。對抗反射膜10之表面賦予的導電功能可依導電材料及輕剝離劑之使用量來適當調整。
其他層亦可包含有用以提升構件間之密著性的易接著層。其他層為易接著層時，該易接著層亦可配置在偏光薄膜20之表面。另，亦可於偏光薄膜20之表面施行有電暈處理、電漿處理等易接著處理來取代易接著層。
[附抗反射膜之偏光薄膜之製造方法] 具有導電層40之附抗反射膜之偏光薄膜15例如可利用以下方法製造。首先，調製導電材料之溶液或分散液。溶液或分散液之溶劑例如為水，亦可更包含有水溶性有機溶劑。水溶性有機溶劑可舉例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇、正戊醇、異戊醇、二級戊醇、三級戊醇、1-乙基-1-丙醇、2-甲基-1-丁醇、正己醇、環己醇等醇類。
接著，將導電材料之溶液或分散液塗佈於偏光薄膜20之表面。藉由使所得塗佈膜乾燥，而於偏光薄膜20上形成導電層40。藉此，可獲得由偏光薄膜20及導電層40構成之積層體L。
接著，於積層體L之偏光薄膜20上配置抗反射膜10(或11)，製作積層體L1。接著，調製包含黏著劑之溶液。藉由將該溶液塗佈於分離件之表面可獲得製得塗佈膜。分離件並未特別限定，例如可使用經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。接著，藉由使塗佈膜乾燥，而於分離件上形成黏著劑層30。將所得黏著劑層30轉印至積層體L1之導電層40上，藉此可製作附抗反射膜之偏光薄膜15。
[液晶單元] 液晶單元25例如具備有液晶層50、第1透明基板60及第2透明基板70。液晶層50例如係配置於第1透明基板60及第2透明基板70之間，且分別與第1透明基板60及第2透明基板70相接。附抗反射膜之偏光薄膜15的黏著劑層30例如係與液晶單元25之第1透明基板60相接。液晶面板100例如在黏著劑層30與第1透明基板60之間不具有ITO層。
液晶層50例如包含在電場不存在之狀態下沿面定向之液晶分子。包含這類液晶分子之液晶層50適於IPS(In-Plane Switching，面內切換)方式。惟，液晶層50亦可用於TN(Twisted Nematic)型、STN(Super Twisted Nematic)型、π型、VA(Vertical Alignment)型等。液晶層50之厚度例如為1.5µm~4µm。
作為第1透明基板60及第2透明基板70的材料可舉例如玻璃及聚合物。在本說明書中，有時會將以聚合物構成之透明基板稱為聚合物薄膜。構成透明基板之聚合物可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚環烯烴、聚碳酸酯等。以玻璃構成之透明基板之厚度例如為0.1mm~1mm。以聚合物構成之透明基板之厚度例如為10µm~200µm。
液晶單元25更可包含有液晶層50、第1透明基板60及第2透明基板70以外之其他層。其他層可舉例如彩色濾光片、易接著層及硬塗層。彩色濾光片例如係配置於較液晶層50更靠視辨側，且宜位於第1透明基板60與附抗反射膜之偏光薄膜15的黏著劑層30之間。易接著層及硬塗層例如係配置於第1透明基板60或第2透明基板70之表面上。
[其他構件] 液晶面板100更可具備有附抗反射膜之偏光薄膜15及液晶單元25以外之其他構件。例如，液晶面板100更可具備有與附抗反射膜之偏光薄膜15之側面電連接的導通結構(未圖示)。若將導通結構與接地連接，便容易抑制附抗反射膜之偏光薄膜15因靜電而帶電。導通結構可覆蓋附抗反射膜之偏光薄膜15之側面整體，亦可局部覆蓋附抗反射膜之偏光薄膜15之側面。被導通結構覆蓋之附抗反射膜之偏光薄膜15之側面的面積相對於附抗反射膜之偏光薄膜15之側面整體的面積之比率例如為1%以上，宜為3%以上。
導通結構之材料可舉例如：以銀、金等金屬構成之導電性糊料；導電性接著劑；其他導電材料。導通結構亦可為從附抗反射膜之偏光薄膜15之側面延伸的配線。
液晶面板100更可具備有偏光薄膜20以外之其他光學薄膜。其他光學薄膜可舉例如偏光薄膜、反射板、反透射板、相位差薄膜、視角補償薄膜、增亮薄膜等可用於液晶顯示裝置之薄膜。相位差薄膜例如包含1/2波長板、1/4波長板等。液晶面板100亦可具備有該等中之1種或2種以上其他光學薄膜。
當其他光學薄膜為偏光薄膜時，該偏光薄膜例如係透過黏著劑層而與液晶單元25之第2透明基板70貼合。該偏光薄膜例如具有先前針對偏光薄膜20所述的構成。作為其他光學薄膜之偏光薄膜中偏光件之透射軸(或吸收軸)例如係與偏光薄膜20中之偏光件的透射軸(或吸收軸)正交。用以貼合偏光薄膜與第2透明基板70之黏著劑層的材料，可使用先前針對黏著劑層30所述之物。該黏著劑層之厚度並無特別限定，例如為1~100µm，宜為2~50µm，較宜為2~40µm，更宜為5~35µm。
根據本實施形態之液晶面板100，藉由附抗反射膜之偏光薄膜15之導電層40之表面電阻率調節成1.0×106 Ω/□以下，則即便在易產生靜電之環境下，仍可防止液晶顯示裝置因靜電造成顯示不良。例如液晶面板100在進行ESD(Electro-Static Discharge)試驗時顯示良好之結果。ESD試驗例如係利用以下方法實施。首先，將液晶面板100安裝於背光裝置上。接著，對液晶面板100之視辨側(抗反射膜10側)賦予靜電。賦予靜電係使用施加電壓經調節成10kV之靜電放電槍(Electrostatic discharge Gun)。當賦予靜電，部分液晶面板100會泛白。賦予靜電後，測定至泛白之部分消失為止的時間T。關於液晶面板100，時間T例如為10秒以下，宜為1秒以下，較宜為0.5秒以下。此外，ESD試驗係在23℃、55%RH之條件下進行。
本發明人等新發現了藉由採用在附抗反射膜之偏光薄膜15與液晶單元25之間未設有ITO層等導電層的構成，可大幅抑制在液晶面板100之光反射。液晶面板100適於要求良好視辨性之用途上、尤其適於車載用顯示器等用途上。車載用顯示器可舉例如汽車導航裝置用面板、儀表盤、鏡面顯示器等。儀表盤係顯示車輛之行進速度或引擎之旋轉數等的面板。尤其液晶面板100適於觸控感測器非必要之用途例如儀表盤或鏡面顯示器。
(液晶面板之變形例) 液晶面板100具備之附抗反射膜之偏光薄膜15亦可更具備有上述構件以外之其他構件。如圖4所示，本變形例之液晶面板110中，附抗反射膜之偏光薄膜16更具有配置於抗反射膜10與偏光薄膜20之間的透明基板45及黏著劑層46。除了透明基板45及黏著劑層46外，液晶面板110之結構與液晶面板100之結構相同。因此，液晶面板100與變形例之液晶面板110中共通之要素有賦予相同參照符號，並省略該等說明之情形。即，以下與各實施形態相關之說明只要技術上不矛盾，便可相互應用。以下各實施形態只要技術上不矛盾，亦可相互組合。
透明基板45例如係與抗反射膜10之第1高折射率層1相接。惟，附抗反射膜之偏光薄膜16亦可具有圖3中所說明之抗反射膜11來取代抗反射膜10。此時，抗反射膜11之黏著劑層6係與透明基板45相接。黏著劑層46例如係配置於透明基板45與偏光薄膜20之間，且分別與透明基板45及偏光薄膜20相接。
作為透明基板45可使用先前針對第1透明基板60及第2透明基板70所述者，且宜以玻璃構成。本說明書中，有時會將以玻璃構成之透明基板45稱為「蓋玻璃」。
作為黏著劑層46可使用先前針對黏著劑層30所述之物。尤其，黏著劑層46宜包含市售之光學透明黏著劑(OCA：Optical Clear Adhesive)。黏著劑層46例如可使用LUCIACS(註冊商標)CS9621T等黏著膠帶來形成。
(液晶面板之另一變形例) 液晶面板100或110更可具備有觸控感測器或觸控面板。圖5係顯示具備有觸控面板80之液晶面板120。除了觸控面板80外，液晶面板120之結構與液晶面板100之結構相同。
液晶面板120中，觸控面板80例如係配置於較抗反射膜10更靠視辨側。觸控面板80不與附抗反射膜之偏光薄膜15相接，觸控面板80與附抗反射膜之偏光薄膜15之間形成有空隙(空氣層)。液晶面板120係所謂的外置型液晶面板。觸控面板80可採用光學式、超音波式、電容式、電阻膜式等。觸控面板80為電阻膜式時，觸控面板80例如具有2個具有透明導電性薄膜之電極板隔著分隔件相對向配置之結構。觸控面板80為電容式時，觸控面板80例如係以具備具有預定圖案形狀之透明導電性薄膜的透明導電性薄膜構成。
(液晶顯示裝置之實施形態) 本實施形態之液晶顯示裝置例如具備有液晶面板100及照明系統。液晶顯示裝置中，亦可使用液晶面板110或120取代液晶面板100。液晶顯示裝置中，液晶面板100例如係配置於較照明系統更靠視辨側。照明系統例如具有背光件或反射板，對液晶面板100照射光。
實施例 以下藉由實施例更詳細說明本發明。本發明不受以下顯示之實施例所限。此外，以下未特別說明時，「%」表示「重量%」，「份」表示「重量份」，而「厚度」表示「物理膜厚」。未特別說明時，室內的溫度及濕度為23℃、65%RH。
＜(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量＞ 以下實施例中，(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)係利用GPC(凝膠滲透層析法)來測定。針對(甲基)丙烯酸系聚合物之Mw/Mn亦同樣進行測定。 ・分析裝置：Tosoh(東曹)公司製，HLC-8120GPC ・管柱：東曹公司製，G7000HXL +GMHXL +GMHXL ・管柱尺寸：各7.8mmφ×30cm 計90cm ・管柱溫度：40℃ ・流量：0.8mL/分鐘 ・注入量：100µL ・溶析液：四氫呋喃 ・檢測器：示差折射計(RI) ・標準試料：聚苯乙烯
＜黏著劑層A＞ 首先，於具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管及冷卻器之四口燒瓶中饋入丙烯酸丁酯76.9份、丙烯酸苄酯18份、丙烯酸5份、丙烯酸4-羥丁酯0.1份，藉此獲得單體混合物。並相對於單體混合物(固體成分)100份，將作為聚合引發劑的2,2’-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起饋入。一邊緩慢地攪拌混合物一邊將氮氣導入燒瓶內進行氮取代。藉由將燒瓶內之液溫維持在55℃附近進行8小時聚合反應，而調製出重量平均分子量(Mw)200萬、Mw/Mn=4.1之丙烯酸系聚合物之溶液。
接著，相對於丙烯酸系聚合物之溶液的固體成分100份，進一步摻混0.45份之異氰酸酯交聯劑(Tosoh公司製之Coronate L，三羥甲丙烷二異氰酸甲苯酯)、0.1份之過氧化物交聯劑(日本油脂公司製之NYPER BMT)及0.2份之矽烷耦合劑(信越化學工業公司製的KBM-403，γ-環氧丙氧基丙基甲氧基矽烷)，藉此調製出丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。
接著，將所得溶液塗佈於分離件(三菱化學聚酯薄膜公司製之MRF38)之單面。分離件係業經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。使所得塗佈膜在155℃下乾燥1分鐘，藉此於分離件表面形成黏著劑層A。黏著劑層A之厚度為20µm。
＜黏著劑層B＞ 相對於丙烯酸系聚合物之溶液之固體成分100份，進一步摻混1份雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰(LiTFSI、Mitsubishi Materials Co.製)來調製丙烯酸系黏著劑組成物之溶液，除此之外以與黏著劑層A相同方法製作出黏著劑層B。
＜黏著劑層C＞ 首先，於具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管及冷卻器之四口燒瓶中饋入丙烯酸丁酯94.9份、丙烯酸5份、丙烯酸4-羥丁酯0.1份，藉此獲得單體混合物。並相對於單體混合物(固體成分)100份，將作為聚合引發劑的2,2’-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起饋入。一邊緩慢地攪拌混合物一邊將氮氣導入燒瓶內進行氮取代。藉由將燒瓶內之液溫維持在55℃附近進行8小時聚合反應，而調製出重量平均分子量(Mw)210萬、Mw/Mn=4.0之丙烯酸系聚合物之溶液。
接著，相對於丙烯酸系聚合物之溶液的固體成分100份，進一步摻混0.45份之異氰酸酯交聯劑(Tosoh公司製之Coronate L，三羥甲丙烷二異氰酸甲苯酯)、0.1份之過氧化物交聯劑(日本油脂公司製之NYPER BMT)及0.2份之矽烷耦合劑(信越化學工業公司製的KBM-403，γ-環氧丙氧基丙基甲氧基矽烷)，藉此調製出丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。
接著，將所得溶液塗佈於分離件(三菱化學聚酯薄膜公司製之MRF38)之單面。分離件係業經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。使所得塗佈膜在155℃下乾燥1分鐘，藉此於分離件表面形成黏著劑層C。黏著劑層C之厚度為12µm。
＜抗反射膜AR1＞ 首先，作為用以形成防眩層之樹脂係準備紫外線硬化型胺甲酸酯丙烯酸酯樹脂(Mitsubishi Chemical Co.製，商品名「UV1700TL」，固體成分濃度80重量%)50重量份及以新戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業(股)製，商品名「Viscoat #300」，固體成分濃度100重量%)50重量份。該等樹脂之固體成分每100重量份，混合包含(甲基)丙烯酸酯與苯乙烯共聚物之粒子(積水化成品工業(股)製，商品名「Techpolymer SSX504TNR」，重量平均粒徑：3.0µm)4重量份、作為觸變性賦予劑之有機黏土的合成膨潤石(KUNIMINE INDUSTRIES CO., LTD.製，商品名「SUMECTON SAN」)1.5重量份、光聚合引發劑(BASF公司製，商品名「OMNIRAD907」)3重量份、調平劑(DIC(股)製，商品名「GRANDIC PC4100」，固體成分濃度10重量%)0.015重量份。針對該混合物，以甲苯/環戊酮混合溶劑(重量比80/20)稀釋成固體成分濃度成為50重量%，而調製出用以形成防眩層之材料(塗敷液)。
接著，準備三醋酸纖維素(TAC)薄膜(富士軟片(股)製，商品名「TD60UL」)。於該透明塑膠薄膜(TAC薄膜)之單面使用棒塗機塗佈用以形成防眩層之材料(塗敷液)，而形成塗膜。接著，將已形成塗膜之透明塑膠薄膜在80℃下加熱1分鐘使塗膜乾燥。接著，對該塗膜利用高壓水銀燈照射累積光量300mJ/cm2 之紫外線，進行硬化處理。藉此，形成了厚度8.0µm之防眩層，而獲得附防眩層之TAC薄膜。附防眩層之TAC薄膜的霧度為8%。
然後，於捲料對捲料方式之濺鍍成膜裝置中導入該附防眩層之TAC薄膜，使薄膜行進，藉此對防眩層之表面進行轟擊處理(利用Ar氣體之電漿處理)。接著，於防眩層之表面上形成物理膜厚為3nm之SiOx 層(x＜2)作為密著層。接著，於密著層上依序形成物理膜厚為12nm之Nb2 O5 層(第1高折射率層)、物理膜厚為29nm之SiO2 層(第1低折射率層)、物理膜厚為116nm之Nb2 O5 層(第2高折射率層)及物理膜厚為78nm之SiO2 層(第2低折射率層)，製出積層體a。於要形成該等氧化物薄膜時，調整氬的導入量及排氣量將裝置內的壓力維持恆定並同時藉由電漿光譜分析儀(PEM)控制來調整所導入的氧量。
接下來，於積層體a之第2低折射率層(SiO2 層)之表面形成由氟系樹脂構成之層(物理膜厚：9nm)作為防污層。並於積層體a之TAC薄膜之表面轉印黏著劑層C藉此製出抗反射膜AR1。
＜抗反射膜AR2~AR10＞ 除了將各層之物理膜厚變更成表1所示之值外，以與抗反射膜AR1相同方法製作出抗反射膜AR2~AR10。
[表1]
Figure 02_image007
＜偏光薄膜P1＞ 首先，藉由以下方法製作丙烯酸薄膜。於具備攪拌裝置、溫度感測器、冷卻管、氮導入管的容量30L之釜型反應器中，饋入8,000g之甲基丙烯酸甲酯(MMA)、2,000g之2-(羥甲基)丙烯酸甲酯(MHMA)、10,000g之4-甲-2-戊酮(甲基異丁基酮，MIBK)、5g之正十二硫醇。於反應器內導入氮，同時將反應器內之混合物升溫至105℃並使其回流。接著，作為聚合引發劑添加5.0g之三級丁基過氧基異丙基碳酸酯(Kayakarubon BIC-7，KAYAKU AKZO CO., LTD.製)，同時耗時4小時滴下由10.0g之三級丁基過氧基異丙基碳酸酯與230g之MIBK構成之溶液，進行溶液聚合。溶液聚合係於回流下在約105~120℃下進行。滴下溶液後再耗時4小時進行熟成。
接著，於所得聚合物溶液中加入30g之磷酸十八酯/磷酸二(十八基)酯混合物(Phoslex A-18，堺化學工業製)，並於回流下在約90~120℃下進行5小時環化縮合反應。接著，將所得溶液以樹脂量換算為2.0kg/h之處理速度導入通氣孔式雙螺桿擠製機(φ=29.75mm、L/D=30)中，該通氣孔式雙螺桿擠製機之套筒溫度260℃、旋轉數100rpm、減壓度13.3~400hPa(10~300mmHg)、後通氣孔數1個、前通氣孔數4個。於該擠製機內進一步進行環化縮合反應的同時進行去揮發。藉此，獲得了含內酯環之聚合物的透明丸粒。
針對所得含內酯環之聚合物進行動態TG之測定後，檢測出0.17質量%之質量減損。又，該含內酯環之聚合物的重量平均分子量為133,000，熔流速率為6.5g/10分鐘，且玻璃轉移溫度為131℃。
使用單軸擠製機(螺桿30mmφ)將所得丸粒與丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂(TOYO AS AS20，TOYO STYRENE CO., LTD.製)以質量比90/10進行捏合擠製，藉此獲得透明丸粒。所得丸粒之玻璃轉移溫度為127℃。
藉由使用50mmφ單軸擠製機將該丸粒從400mm寬的衣架式T型模進行熔融擠製，而製作出厚度120µm之薄膜。使用雙軸延伸裝置將薄膜在150℃之溫度條件下延伸成縱2.0倍且橫2.0倍，藉此獲得厚度30μm之延伸薄膜(丙烯酸薄膜)。測定該延伸薄膜之光學特性後，得全光線透射率為93%，面內相位差Δnd為0.8nm，厚度方向相位差Rth為1.5nm。
接著，利用以下方法製作出偏光薄膜P1。首先，在速度比相異之複數個輥之間，一邊將厚度45µm之聚乙烯醇薄膜在濃度0.3%之碘溶液(溫度30℃)中染色1分鐘，一邊延伸使延伸倍率達3倍。接著，一邊將所得延伸薄膜浸漬於硼酸濃度為4%且碘化鉀濃度為10%之水溶液(溫度60℃)中0.5分鐘，一邊延伸成總延伸倍率達6倍。然後，將延伸薄膜浸漬於包含濃度1.5%之碘化鉀的水溶液(溫度30℃)中10秒鐘，藉此來洗淨。接著，藉由使延伸薄膜在50℃下乾燥4分鐘，而獲得厚度18µm之偏光件。於所得偏光件之一主面透過聚乙烯醇系接著劑貼合厚度40µm之TAC薄膜(Konica Minolta製，商品名「KC4UY」)。於偏光件之另一主面透過聚乙烯醇系接著劑貼合上述厚度30µm的丙烯酸薄膜。藉此獲得偏光薄膜P1。
(實施例1) 首先，混合包含PEDOT/PSS之溶液(Nagase ChemteX Co.製之Denatron PT-436)50份及水50份，藉此調製出固體成分濃度為0.5重量%之塗佈液。接著，將塗佈液塗佈於偏光薄膜P1之丙烯酸薄膜側的表面。將所得塗佈膜在80℃下乾燥2分鐘，藉此製出導電層。藉此而獲得附導電層之偏光薄膜。導電層之厚度為30nm。
接著，將抗反射膜AR1之黏著劑層C貼合於偏光薄膜P1之TAC薄膜的表面。並將黏著劑層A轉印至導電層之表面，藉此製作出具有抗反射膜AR1/偏光薄膜P1/導電層/黏著劑層A之結構的實施例1之附抗反射膜之偏光薄膜。
(實施例2) 除了以使導電層之厚度成為90nm之方式將PEDOT/PSS之塗佈液塗佈於偏光薄膜P1外，以與實施例1相同方法製作出實施例2之附抗反射膜之偏光薄膜。
(實施例3~12及比較例1~2) 除了將抗反射膜、導電層及黏著劑層變更成表2所示組合外，以與實施例1相同方法製作出實施例3~12及比較例1~2之附抗反射膜之偏光薄膜。此外，比較例2中係未於偏光薄膜P1形成導電層，而直接於偏光薄膜P1之丙烯酸薄膜側的表面貼合黏著劑層A。
(實施例13) 首先，混合包含PEDOT/PSS之溶液(Nagase ChemteX Co.製之Denatron P-580W)9份及水91份，藉此調製出固體成分濃度為0.27重量%之塗佈液。接著，將塗佈液塗佈於偏光薄膜P1之丙烯酸薄膜側的表面。將所得塗佈膜在80℃下乾燥2分鐘，藉此製出導電層。藉此而獲得附導電層之偏光薄膜。導電層之厚度為100nm。
接著，將抗反射膜AR4之黏著劑層C貼合於偏光薄膜P1之TAC薄膜的表面。並將黏著劑層A轉印至導電層之表面，藉此製作出具有抗反射膜AR4/偏光薄膜P1/導電層/黏著劑層A之結構的實施例13之附抗反射膜之偏光薄膜。
(比較例3) 首先，將包含PEDOT/PSS之溶液(Nagase ChemteX Co.製之Denatron P-580W)8.6份、包含含
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唑啉基之丙烯酸聚合物的溶液(商品名：Epocros WS-700，日本觸媒製)1份及水90.4份混合，調製出用以形成導電層之塗佈液(固體成分濃度0.5重量%)。所得塗佈液中，聚噻吩系聚合物之濃度為0.04重量%，含㗁唑啉基之丙烯酸聚合物之濃度為0.25重量%。
接著，將所得塗佈液塗佈於偏光薄膜P1之丙烯酸薄膜側的主面。將所得塗佈膜在80℃下乾燥2分鐘，藉此製出導電層。藉此而獲得附導電層之偏光薄膜。導電層之厚度為60nm。
接著，將抗反射膜AR10之黏著劑層C貼合於偏光薄膜P1之TAC薄膜的表面。並將黏著劑層A轉印至導電層之表面，藉此製作出具有抗反射膜AR10/偏光薄膜P1/導電層/黏著劑層A之結構的比較例3之附抗反射膜之偏光薄膜。
＜附抗反射膜之偏光薄膜的光學特性＞ 針對實施例及比較例中所得附抗反射膜之偏光薄膜，利用上述方法評估其在以黏著劑層與無鹼玻璃直接相接之方式與無鹼玻璃積層之狀態下，來自CIE標準光源D65之光從抗反射膜入射時產生之反射光的視感反射率Y、L* 值、a* 值及b* 值、以及滿足L* 值=0、a* 值=0及b* 值=0之光與反射光的色差ΔE。此時，附抗反射膜之偏光薄膜係裁切成50mm見方後來使用。無鹼玻璃係使用康寧公司製EG-XG(厚度0.7mm)。黑色薄膜係使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製之物。分光反射率係使用分光光度計(Konica Minolta公司製，商品名「CM2600D」)進行測定。用以評估光學特性之評估試樣具有附抗反射膜之偏光薄膜/無鹼玻璃/黑色PET薄膜之構成。惟，針對比較例1之附抗反射膜之偏光薄膜，係使用表面形成有非晶性ITO層(厚度20nm)之無鹼玻璃來評估反射光。亦即，比較例1中，評估試樣具有附抗反射膜之偏光薄膜/ITO層/無鹼玻璃/黑色PET薄膜之構成。製作ITO層時係利用濺鍍。ITO層所含ITO之Sn比率為3重量%。Sn比率係由ITO中之Sn原子之重量/(Sn原子之重量+In原子之重量)算出。
＜抗反射膜之光學特性＞ 針對抗反射膜AR1~AR10，以上述方法評估來自CIE標準光源D65之光入射時產生之反射光的視感反射率Y1 、a1 * 值及b1 * 值。黑色薄膜、分光光度計等係使用與利用於評估附抗反射膜之偏光薄膜之光學特性之物相同之物。
＜黏著劑層之表面電阻率＞ 黏著劑層A及B之表面電阻率(Ω/□)係於已將黏著劑層A或B形成於分離件之表面的階段進行測定。表面電阻率之測定係使用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製Hiresta-UP MCP-HT450)。測定條件係施加電壓為250V，施加時間為10秒。
＜導電層之表面電阻率＞ 實施例及比較例中，導電層的表面電阻率(Ω/□)係於已將導電層形成於偏光薄膜P1之表面的階段進行測定。實施例13及比較例3中，導電層的表面電阻率之測定係使用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製Hiresta-UP MCP-HT450)，依循JIS K6911：1995所規定之方法進行。測定條件係施加電壓為10V，施加時間為10秒。實施例1~12及比較例1中，導電層的表面電阻率之測定係使用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製Loresta-GP MCP-T600)，依循JIS K7194：1994所規定之方法進行。測定條件係施加電壓為10V，施加時間為10秒。
＜偏光薄膜之表面電阻率＞ 比較例2中，係使用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.製Hiresta-UP MCP-HT450)，依循JIS K6911：1995所規定之方法測定偏光薄膜P1之表面電阻率。測定條件係施加電壓為10V，施加時間為10秒。偏光薄膜P1之表面電阻率大於1.0×1014 Ω/□。
＜導電層造成之全光線透射率之損耗A＞ 首先，依循JIS K7361-1：1997之規定使用分光光度計(日本分光公司製之V7100)測定出偏光薄膜P1之全光線透射率T1。以相同方法在已將導電層形成於偏光薄膜P1之表面的階段，測定出由偏光薄膜P1及導電層構成之積層體L之全光線透射率T2。積層體L之全光線透射率T2係使光從偏光薄膜P1側入射來測定。算出偏光薄膜P1之全光線透射率T1與全光線透射率T2之差(T1-T2)，將所得算出值視為導電層造成之全光線透射率之損耗A。
＜ESD試驗＞ 首先，將實施例及比較例中所得附抗反射膜之偏光薄膜貼合於液晶單元之視辨側表面，製作出液晶面板。惟，關於比較例1係使用表面形成有非晶性ITO層(厚度20nm)之液晶單元。即，比較例1中，液晶面板具有附抗反射膜之偏光薄膜/ITO層/液晶單元之構成。製作ITO層時係利用濺鍍。ITO層所含ITO之Sn比率為3重量%。接著，以覆蓋附抗反射膜之偏光薄膜的側面之方式，以5mm寬塗佈銀糊料。藉由使銀糊乾燥而形成以銀構成之導通結構。透過該導通結構，使液晶面板與外部之接地電極電連接。接著，將液晶面板安裝於背光裝置上。接著，使用施加電壓經調節成10kV之靜電放電(ESD)槍，對液晶面板之視辨側(抗反射膜側)賦予靜電。藉此，液晶面板之一部分泛白。賦予靜電後，測定至泛白之部分消失為止的時間T。表2中，根據以下關於時間T的基準，評估ESD試驗的結果。此外，ESD試驗係在23℃、55%RH之條件下進行。 (評估基準) A：0.5秒以下 B：大於0.5秒且在1秒以下 C：大於1秒且在10秒以下 D：大於10秒
＜色調＞ 從視辨側(抗反射膜側)以肉眼觀察在上述ESD試驗中製出的液晶面板，評估色調。在表2之色調的項目中，A意指未確認有色調。B意指僅確認有極少之色調。C意指確認有些許色調。D意指確認有色調。
[表2]
Figure 02_image009
由表2可知，具有表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下之導電層的實施例1~13之附抗反射膜之偏光薄膜相較於比較例2及3，ESD試驗之結果良好，推測可充分抑制液晶面板之靜電。由實施例3及比較例1之ESD試驗結果可知，藉由與導電層一同使用添加有導電材料之黏著劑層，相較於使用ITO層之情況可充分抑制液晶面板之靜電。
並且，在具備反射光之視感反射率Y之值夠低的實施例1~13之附抗反射膜之偏光薄膜的液晶面板中，有充分抑制光反射。推測該等液晶面板適於提升液晶顯示裝置之視辨性。相對於此，在比較例1中，因存在ITO層造成視感反射率Y大幅上升，而無法充分抑制在液晶面板之光反射。
產業上之可利用性 本發明液晶面板適宜利用於要求良好視辨性之用途例如車載用顯示器等用途上。
1:第1高折射率層 2:第1低折射率層 3:第2高折射率層 4:第2低折射率層 5:基材 6:黏著劑層 10,11:抗反射膜 15,16:附抗反射膜之偏光薄膜 20:偏光薄膜 25:液晶單元 30:黏著劑層 40:導電層 45:透明基板 46:黏著劑層 50:液晶層 60:第1透明基板 70:第2透明基板 80:觸控面板 100,110,120:液晶面板
圖1係本發明一實施形態之液晶面板的截面圖。 圖2係顯示抗反射膜之一例的截面圖。 圖3係顯示抗反射膜之另一例的截面圖。 圖4係顯示液晶面板之變形例的截面圖。 圖5係顯示液晶面板之另一變形例的截面圖。 圖6係顯示來自實施例及比較例之附抗反射膜之偏光薄膜的反射光的a* 值及b* 值之關係的圖表。
10:抗反射膜
15:附抗反射膜之偏光薄膜
20:偏光薄膜
25:液晶單元
30:黏著劑層
40:導電層
50:液晶層
60:第1透明基板
70:第2透明基板
100:液晶面板

Claims (15)

  1. 一種液晶面板，具備： 附抗反射膜之偏光薄膜，其於積層方向上依序具有抗反射膜、偏光薄膜及黏著劑層，並更具有導電層；與 液晶單元；且 於前述附抗反射膜之偏光薄膜與前述液晶單元之間未設有導電層； 前述附抗反射膜之偏光薄膜具有之前述導電層的表面電阻率為1.0×106 Ω/□以下； 前述附抗反射膜之偏光薄膜在以前述黏著劑層與無鹼玻璃直接相接之方式與前述無鹼玻璃積層之狀態下，來自CIE標準光源D65之光從與前述黏著劑層相反之側的表面入射時，產生視感反射率Y為1.1%以下之反射光。
  2. 如請求項1之液晶面板，其中前述附抗反射膜之偏光薄膜具有之前述導電層係配置於前述偏光薄膜與前述黏著劑層之間。
  3. 如請求項1或2之液晶面板，其中前述表面電阻率為1.0×104 Ω/□以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之液晶面板，其中前述表面電阻率大於5.0×102 Ω/□。
  5. 如請求項1至4中任一項之液晶面板，其中前述視感反射率Y為0.9%以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之液晶面板，其中前述附抗反射膜之偏光薄膜具有之前述導電層造成之全光線透射率之損耗為0.9%以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之液晶面板，其中前述反射光在L* a* b* 表色系統中之a* 值及b* 值滿足下述關係式(1)及(2)： -10≦a* ≦10　　　　　　(1) -18≦b* ≦5　　　　　　　(2)。
  8. 如請求項7之液晶面板，其中前述a* 值為-6以上且6以下。
  9. 如請求項8之液晶面板，其中前述a* 值為-3以上且3以下。
  10. 如請求項7至9中任一項之液晶面板，其中前述b* 值為-15以上且3以下。
  11. 如請求項10之液晶面板，其中前述b* 值為-10以上且2以下。
  12. 如請求項11之液晶面板，其中前述b* 值為-6以上且2以下。
  13. 如請求項1至12中任一項之液晶面板，其中前述抗反射膜於積層方向上依序具有第1高折射率層、第1低折射率層、第2高折射率層及第2低折射率層。
  14. 如請求項13之液晶面板，其中前述第1高折射率層之光學膜厚為20nm~35nm， 前述第1低折射率層之光學膜厚為38nm~50nm， 前述第2高折射率層之光學膜厚為230nm~290nm， 前述第2低折射率層之光學膜厚為100nm~128nm。
  15. 如請求項1至14中任一項之液晶面板，其中前述黏著劑層包含導電材料。
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