TW202118835A - 樹脂組成物、化合物、光學濾波器、固體攝像裝置及光學感測裝置 - Google Patents

樹脂組成物、化合物、光學濾波器、固體攝像裝置及光學感測裝置 Download PDF

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Abstract

本發明的一實施形態是有關於一種樹脂組成物、化合物（Z）、光學濾波器、或者使用所述光學濾波器的固體攝像裝置及光學感測裝置，所述樹脂組成物含有樹脂以及化合物（Z），所述化合物（Z）由式（I）表示，且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍。 Cn+ An- （I） [Cn+ 為式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子。]
Figure 109137854-A0101-11-0001-2
[YA 及YD 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子及磷原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子，ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子、磷原子及矽原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子，或者ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成環，YB 及YC 可相互鍵結而形成環，單元A及單元B分別獨立地為具有雜芳香環的基，單元A中的一部分基可與YA 鍵結而形成環，單元B中的一部分基可與YD 鍵結而形成環。]

Description

樹脂組成物、化合物（Z）、光學濾波器及光學濾波器的用途
本發明的一實施形態是有關於一種樹脂組成物、化合物（Z）、光學濾波器、或者使用所述光學濾波器的固體攝像裝置及光學感測裝置。
在攝影機（video camera）、數位靜態相機（digital still camera）、帶有相機功能的行動電話等的固體攝像裝置中，一直使用作為彩色圖像的固體攝像元件的電荷耦合元件（charge-coupled device，CCD）影像感測器或互補式金屬氧化物半導體（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）影像感測器。該些固體攝像元件在其受光部中使用對於人類的眼睛所無法感知的近紅外線具有感度的矽光電二極體（silicon photodiode）。另外，在光學感測裝置中亦使用矽光電二極體等。例如，對固體攝像元件而言，必須進行視感度修正以使人眼觀看時色調自然，大多情況下使用選擇性地透射或截止特定的波長區域的光線的光學濾波器（例如，近紅外線截止濾波器）。
作為此種近紅外線截止濾波器，自先前以來使用了藉由各種方法所製造者。例如，已知有一種將樹脂用作基材、並使樹脂中含有近紅外線吸收色素的近紅外線截止濾波器（例如參照專利文獻1）。然而，專利文獻1中所記載的近紅外線截止濾波器存在近紅外線吸收特性未必充分的情況。
另外，在近年來的行動設備等中，出現了許多搭載使用波長800 nm～1000 nm附近的近紅外線的安全認證功能（例如：虹膜認證、面部認證）的設備，該認證中使用的近紅外線存在對相機圖像產生光斑（flare）、重影（ghost）等不良影響的情況。因此，必需將近紅外線中波長較長的區域的光線截止的特性。
進而，在使用雷射的距離測定技術等中，無用的光會成為雜訊的原因，因此需要將其截止，但隨著雷射的光源波長的長波長化，將可見～近紅外波段的大波長範圍截止的必要性正在變高。
作為所述近紅外線吸收色素，先前使用聚次甲基系、方酸內鎓鹽（squarylium）系、卟啉系、二硫醇金屬錯合物系、酞菁系、二亞銨（diimonium）系等的色素，其中二亞銨系色素對波長900 nm以上的近紅外線的吸收能力高，在可見光區域中的透明性高，因此受到大量使用。
另外，例如專利文獻2中記載的二亞銨系化合物在近紅外線區域顯示出寬且均勻的吸光效率，在可見光區域顯示出優異的透射特性。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平6-200113號公報 [專利文獻2]日本專利特表2014-506252號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，可知在欲使用二亞銨系色素將想要截止的近紅外線區域的波長的光充分截止的情況下，可見光透射率會降低。另外，二亞銨系色素的吸收波形平緩，吸收頻帶寬，因此不適合在近紅外區域中將特定波長的光選擇性地截止。 另一方面，作為具有陡峭的波形、將波長850 nm以上的近紅外區域的光選擇性地截止的色素，適合的是花青等聚次甲基系色素或克酮鎓（croconium）色素，但該些色素對熱及紫外線不具有充分的耐性。
本發明提供一種樹脂組成物，所述樹脂組成物以鋒利的吸收波形將波長850 nm以上的所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分地截止，同時可抑制可見光透射率的降低，且對熱及紫外線具有充分的耐性。
[解決課題之手段] 本發明者等人為解決所述課題而進行了努力研究。以下表示本發明的結構例。 再者，在本發明中，表示數值範圍的「A～B」等的記載與「A以上且B以下」為相同含義，A及B包含於該數值範圍內。另外，在本發明中，所謂波長A nm～B nm，表示波長A nm以上且波長B nm以下的波長區域中的波長解析度1 nm下的特性。
[1] 一種樹脂組成物，含有： 樹脂；以及 化合物（Z），由下述式（I）表示，且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍。 Cn+ An- （I） [式（I）中，Cn+ 為下述式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子。]
[化1]
Figure 02_image001
[式（II）中，YA 及YD 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子及磷原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子， ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子、磷原子及矽原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子，或者ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成環，YB 及YC 可相互鍵結而形成環， 單元A及單元B分別獨立地為具有雜芳香環的基， 單元A中的一部分基可與YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基，單元B中的一部分基可與YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 在ZB 為鹵素原子、或者下述式（A-1）～式（A-2）的任一者所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-3）所表示的基，且單元B不為下述式（A-4）所表示的基， 在ZB 為氯原子，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是6員脂環式烴基，且在所述6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-5）所表示的基，且單元B不為下述式（A-6）所表示的基， 在ZB 為下述式（A-7）所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-8）所表示的基，且單元B不為下述式（A-9）所表示的基。]
[化2]
Figure 02_image005
[化3]
Figure 02_image007
[式（A-3）～式（A-4）中，Ya1 獨立地為經取代或未經取代的碳數8～20的烷基，式（A-3）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-4）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化4]
Figure 02_image009
[式（A-5）～式（A-6）中，Ya2 為正丁基，式（A-5）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-6）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化5]
Figure 02_image011
[式（A-7）中，Rx 及Ry 分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯苯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氟基、氯基、溴基、碘基、氰基或硝基。]
[化6]
Figure 02_image013
[式（A-8）～式（A-9）中，Ya3 獨立地為碳數1～5的直鏈狀或具有分支的烷基，式（A-8）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-9）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[2] 如[1]所述的樹脂組成物，其中， 所述單元A為下述式（A-I）～式（A-III）的任一者所表示的基， 所述單元B為下述式（B-I）～式（B-III）的任一者所表示的基， 所述YA 及YD 分別獨立地為氫原子、鹵素原子或碳數1～8的烴基， 所述ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 或-SO2 Q3 ， ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， YB 及YC 可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為下述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或下述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或下述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者。
[化7]
Figure 02_image015
[式（A-I）～式（A-III）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵， 式（B-I）～式（B-III）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵， 式（A-I）～式（B-III）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-N(R8 )-， R1 ～R6 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Li 的任一者， R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， R8 為氫原子、鹵素原子、-C(O)Ri 基、下述Lb ～Li 的任一者， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者， Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， （Lb ）：碳數1～15的脂肪族烴基 （Lc ）：鹵素取代烷基 （Ld ）：脂環式烴基 （Le ）：芳香族烴基 （Lf ）：雜環基 （Lg ）：-OR（R為烴基） （Lh ）：可具有取代基L的醯基 （Li ）：可具有取代基L的烷氧基羰基 所述取代基L為選自所述Lb ～Lf 的至少一種。]
[3] 如[1]或[2]所述的樹脂組成物，其中，所述化合物（Z）滿足下述要件（A）。 要件（A）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜（其中，所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜）中，波長430 nm～580 nm下光的透射率的平均值為70%以上
[4] 如[1]至[3]中任一項所述的樹脂組成物，其中，所述化合物（Z）滿足下述要件（C）及要件（D）。 要件（C）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜（其中，所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜）中，在波長950 nm～1150 nm的範圍中具有透射率為85%的波長 要件（D）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜（其中，所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜）的較最大吸收波長更長的波長中，透射率為20%的最短波長側的波長（Wa）與透射率為70%的最短波長側的波長（Wb）之差的絕對值為10 nm～60 nm
[5] 如[1]至[4]中任一項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂為選自由環狀(聚)烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂及乙烯系紫外線硬化型樹脂所組成的群組中的至少一種樹脂。
[6] 一種光學濾波器，具有基材（i）以及電介質多層膜，所述基材（i）包括由如[1]至[5]中任一項所述的樹脂組成物形成的含有化合物（Z）的樹脂層。 [7] 如[6]所述的光學濾波器，其中，所述基材（i）為： 包括含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材； 包括兩層以上的樹脂層、且所述兩層以上的樹脂層中的至少一層為含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材；或者 包括玻璃支撐體與含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材。
[8] 如[6]或[7]所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（a）及特性（b）的近紅外線截止濾波器。 特性（a）：在波長430 nm～580 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為75%以上 特性（b）：在波長850 nm～1200 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為5%以下
[9] 如[6]或[7]所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（c）及特性（d）的可見光-近紅外線選擇透射濾波器。 特性（c）：在波長430 nm～580 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為75%以上 特性（d）：在波長650 nm以上的區域具有光線阻止頻帶Za、光線透射頻帶Zb及光線阻止頻帶Zc，各個頻帶的中心波長為Za＜Zb＜Zc， 所述Za及Zc中的自光學濾波器的垂直方向測定時的最小透射率分別為15%以下， 所述Zb中的自光學濾波器的垂直方向測定時的最大透射率為55%以上
[10] 如[6]或[7]所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（e）及特性（f）的近紅外線透射濾波器。 特性（e）：在波長380 nm～700 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為10%以下 特性（f）：在波長750 nm以上的區域具有光線透射帶Ya，在所述光線透射帶Ya中，自光學濾波器的垂直方向測定時的最大透射率（TIR ）為45%以上
[11] 如[6]至[10]中任一項所述的光學濾波器，其為固體攝像裝置用途。 [12] 如[6]至[10]中任一項所述的光學濾波器，其為光學感測裝置用途。
[13] 一種固體攝像裝置，包括如[6]至[10]中任一項所述的光學濾波器。 [14] 一種光學感測裝置，包括如[6]至[10]中任一項所述的光學濾波器。
[15] 一種化合物（Z），由下述式（I）表示，且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍。 Cn+ An- （I） [式（I）中，Cn+ 為下述式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子。]
[化8]
Figure 02_image001
[式（II）中，單元A為下述式（A-I）～式（A-III）的任一者所表示的基， 單元B為下述式（B-I）～式（B-III）的任一者所表示的基， YA 及YD 分別獨立地為氫原子、鹵素原子或碳數1～8的烴基， ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 或-SO2 Q3 ， ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， YB 及YC 可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為下述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或下述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或下述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， 在ZB 為鹵素原子、或者下述式（A-1）～式（A-2）的任一者所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-3）所表示的基，且單元B不為下述式（A-4）所表示的基， 在ZB 為氯原子，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是6員脂環式烴基，且在所述6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-5）所表示的基，且單元B不為下述式（A-6）所表示的基， 在ZB 為下述式（A-7）所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-8）所表示的基，且單元B不為下述式（A-9）所表示的基。]
[化9]
Figure 02_image015
[式（A-I）～式（A-III）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵， 式（B-I）～式（B-III）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵， 式（A-I）～式（B-III）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-N(R8 )-， R1 ～R6 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Li 的任一者， R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， R8 為氫原子、鹵素原子、-C(O)Ri 基、下述Lb ～Li 的任一者， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者， Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， （Lb ）：碳數1～15的脂肪族烴基 （Lc ）：鹵素取代烷基 （Ld ）：脂環式烴基 （Le ）：芳香族烴基 （Lf ）：雜環基 （Lg ）：-OR（R為烴基） （Lh ）：可具有取代基L的醯基 （Li ）：可具有取代基L的烷氧基羰基 所述取代基L為選自所述Lb ～Lf 的至少一種。]
[化10]
Figure 02_image018
[化11]
Figure 02_image020
[式（A-3）～式（A-4）中，Ya1 獨立地為經取代或未經取代的碳數8～20的烷基，式（A-3）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-4）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化12]
Figure 02_image022
[式（A-5）～式（A-6）中，Ya2 為正丁基，式（A-5）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-6）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化13]
Figure 02_image024
[式（A-7）中，Rx 及Ry 分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯苯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氟基、氯基、溴基、碘基、氰基或硝基。]
[化14]
Figure 02_image026
[式（A-8）～式（A-9）中，Ya3 獨立地為碳數1～5的直鏈狀或具有分支的烷基，式（A-8）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-9）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。] [發明的效果]
根據本發明的一實施形態，可提供一種樹脂組成物，所述樹脂組成物以鋒利的吸收波形將波長850 nm以上的所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分地截止，同時可抑制可見光透射率的降低，且對熱及紫外線具有充分的耐性（耐久性）。進而，根據本發明的一實施形態，可提供一種具有該些特性的光學濾波器。 再者，在本發明中，所謂對熱及紫外線具有充分的耐性是指在施加熱或照射紫外線的前後，光學特性不會大幅變化。
另外，如專利文獻2所記載，二亞銨系色素在近紅外線區域顯示出寬度廣的吸光特性，因此在欲使用二亞銨系色素形成例如可見光-近紅外線選擇透射濾波器（雙通帶濾波器（dual-band pass filter，DBPF））或近紅外線透射濾波器（infrared pass filter，IRPF）的情況下，難以僅使所欲透射的期望波長的近紅外線透射。 進而，例如聚次甲基系色素雖然在近紅外線區域的吸收波峰尖銳（鋒利），但先前的該些色素的耐久性差，因此使用受到限制。
另一方面，本發明一實施形態中使用的化合物（Z）不僅在波長850 nm以上的波長區域具有尖銳的吸收，而且耐久性亦優異，因此，根據本發明的一實施形態，不僅可容易地製作近紅外線截止濾波器（near-infrared cut filter，NIR-CF），亦可容易地製作DBPF或IRPF等光學濾波器。
≪樹脂組成物≫ 本發明一實施形態的樹脂組成物（以下亦稱為「本組成物」。）只要包含樹脂與所述化合物（Z），則並無特別限制。 作為此種樹脂組成物的形態，例如可列舉：包含化合物（Z）的樹脂製膜（樹脂層、樹脂製基板）；形成於支撐體（例如：樹脂製支撐體、玻璃支撐體）上的包含化合物（Z）的樹脂膜（樹脂層）；包含樹脂、化合物（Z）及溶劑的液狀組成物。 本組成物可包含兩種以上的樹脂，且可包含兩種以上的化合物（Z）。
＜化合物（Z）＞ 本組成物中所含的化合物（Z）及本發明的一態樣的化合物（Z）是由下述式（I）表示且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍的化合物。 此種化合物（Z）在波長850 nm以上的最大吸收附近具有高的近紅外線截止性能與高的可見光透射性能，且對熱及紫外線具有充分的耐性。另外，該化合物（Z）具有尖銳的吸收波峰（鋒利的吸收波形）。 Cn+ An- （I） [式（I）中，Cn+ 為下述式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子。]
[化15]
Figure 02_image001
[式（II）中，YA 及YD 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子及磷原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子， ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子、磷原子及矽原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子，或者ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成環，YB 及YC 可相互鍵結而形成環， 單元A及單元B分別獨立地為具有雜芳香環的基， 單元A中的一部分基可與YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基，單元B中的一部分基可與YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 在ZB 為鹵素原子、或者下述式（A-1）～式（A-2）的任一者所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-3）所表示的基，且單元B不為下述式（A-4）所表示的基， 在ZB 為氯原子，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是6員脂環式烴基，且在所述6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-5）所表示的基，且單元B不為下述式（A-6）所表示的基， 在ZB 為下述式（A-7）所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-8）所表示的基，且單元B不為下述式（A-9）所表示的基。]
[化16]
Figure 02_image029
[化17]
Figure 02_image031
[式（A-3）～式（A-4）中，Ya1 獨立地為經取代或未經取代的碳數8～20的烷基，式（A-3）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-4）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化18]
Figure 02_image033
[式（A-5）～式（A-6）中，Ya2 為正丁基，式（A-5）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-6）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
[化19]
Figure 02_image035
[式（A-7）中，Rx 及Ry 分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯苯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氟基、氯基、溴基、碘基、氰基或硝基。]
[化20]
Figure 02_image037
[式（A-8）～式（A-9）中，Ya3 獨立地為碳數1～5的直鏈狀或具有分支的烷基，式（A-8）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-9）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。]
所述單元A較佳為下述式（A-I）～式（A-III）的任一者所表示的基，所述單元B較佳為下述式（B-I）～式（B-III）的任一者所表示的基。
[化21]
Figure 02_image015
[式（A-I）～式（A-III）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵， 式（B-I）～式（B-III）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵， 式（A-I）～式（B-III）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-N(R8 )-， R1 ～R6 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Li 的任一者， R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， R8 為氫原子、鹵素原子、-C(O)Ri 基、下述Lb ～Li 的任一者， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者， Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， （Lb ）：碳數1～15的脂肪族烴基 （Lc ）：鹵素取代烷基 （Ld ）：脂環式烴基 （Le ）：芳香族烴基 （Lf ）：雜環基 （Lg ）：-OR（R為烴基） （Lh ）：可具有取代基L的醯基 （Li ）：可具有取代基L的烷氧基羰基 所述取代基L為選自所述Lb ～Lf 的至少一種。]
再者，所述-N(R8 )-為下述式（a）所表示的基，所述-NRg Rh 基為下述式（b）所表示的基，所述-SRi 基為下述式（c）所表示的基，所述-SO2 Ri 基為下述式（d）所表示的基，所述-OSO2 Ri 基為下述式（e）所表示的基，所述-C(O)Ri 基為下述式（f）所表示的基。
[化22]
Figure 02_image040
再者，在所述單元A為所述式（A-I）、所述單元B為所述式（B-I）的情況下，Cn+ 由下述式（II-1）表示。即，所述式（A-I）～式（A-III）中的「*-」的單鍵（-）相當於所述式（II）中的YA 所鍵結的碳原子與單元A之間的單鍵，所述式（B-I）～式（B-III）中的「**=」的雙鍵（=）相當於所述式（II）中的YD 所鍵結的碳原子與單元B之間的雙鍵。
[化23]
Figure 02_image041
所述「單元A中的一部分基可與YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基」較佳為表示式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 所述「單元B中的一部分基可與YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基」較佳為表示式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基。
所述YA 及YD 分別獨立地較佳為氫原子、鹵素原子或碳數1～8的烴基，更佳為氫原子、氯原子、氟原子、溴原子、甲基（Me）、乙基（Et）、正丙基（n-Pr）、異丙基（i-Pr）、正丁基（n-Bu）、第二丁基、第三丁基（t-Bu）、環己基、苯基（Ph），進而較佳為氫原子、氯原子、氟原子、溴原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基，特佳為氫原子、氯原子、氟原子、溴原子、甲基、乙基。
所述YB 及YC 分別獨立地較佳為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 、-SO2 Q3 ，或者YB 及YC 可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或所述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為所述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或所述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或所述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為所述Lb ～Lf 的任一者。
所述-SSQ2 為-S-S-Q2 所表示的基，所述-SO2 Q3 是在所述式（d）所表示的基中將Ri 取代為Q3 而成的基。
所述YB 及YC 分別獨立地更佳為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的5員或6員的脂環式烴基（所述脂環式烴基可具有選自氫原子、碳數1～9的脂肪族烴基及鹵素原子中的取代基R9 ），特佳為氫原子、甲基、第三丁基、YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的5員脂環式烴基、YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的具有取代基R9 的6員脂環式烴基。 再者，在YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員或6員的脂環式烴基的情況下，式（II）較佳為可由下述式（C-I）、式（C-II）表示。在YB 及YC 彼此相互鍵結而具有下述式（C-I）所表示的結構的情況下，在下述表1～表7中，在YB 一欄中記載為C-I。YB 及YC 彼此相互鍵結而具有下述式（C-II）所表示的結構的情況亦同樣。 再者，所述「5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況」是指下述式（C-II）所表示的情況，所述「6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況」是指下述式（C-I）中R9 由氫原子表示的情況。
[化24]
Figure 02_image043
在式（C-I）中，R9 較佳為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基，更佳為氫原子、甲基、乙基、第三丁基。
[化25]
Figure 02_image045
所述ZA ～ZC 分別獨立地較佳為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 、-SO2 Q3 ，或者ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或所述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為所述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或所述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或所述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為所述Lb ～Lf 的任一者。
所述ZA 及ZC 分別獨立地更佳為氫原子。 所述ZB 更佳為氫原子、氯原子、二甲基胺基、二乙基胺基、二丁基胺基、二苯基胺基（NPh2 ）、甲基苯基胺基、甲基、苯基、4-甲基苯氧基（O-(4-甲苯基)）、-S-(4-甲苯基)基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-噻吩基、3-噻吩基。
所述Lb 較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基（Pent）、己基（Hex）、1,1-二甲基丁基、辛基（Oct）、壬基、癸基、十二烷基，更佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、1,1-二甲基丁基、辛基。
所述Lb 亦可為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丁烯基、1,3-丁二烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-戊烯基、己烯基等烯基；乙炔基、丙炔基、丁炔基、2-甲基-1-丙炔基、己炔基等炔基。
作為所述Lc 中的鹵素取代烷基，例如可列舉碳數1～15的烷基的至少一個氫原子經鹵素原子取代的基，較佳為三氯甲基、三氟甲基、1,1-二氯乙基、五氯乙基、五氟乙基、七氯丙基、七氟丙基。
作為所述Ld 中的脂環式烴基，例如可列舉碳數3～14的脂環式烴基，較佳為環丁基、環戊基、環己基、4-戊基環己基、環庚基及環辛基等環烷基；降冰片烷基、金剛烷基、1-金剛烷基甲基等多環脂環式基。
作為所述Le 中的芳香族烴基，例如可列舉碳數6～14的芳香族烴基，較佳為苯基、甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、異丙苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、菲基、苄基（CH2 Ph）。
作為所述Lf 中的雜環基，例如可列舉碳數3～14的雜環基，較佳為呋喃、噻吩、吡咯、吲哚、吲哚啉、假吲哚、苯並呋喃、苯並噻吩、嗎啉、吡啶。
作為所述Lg 中的烴基（R），例如可列舉碳數1～12的烴基，作為-OR，較佳為甲氧基（OMe）、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基（OBu）、甲氧基甲基、甲氧基乙基、戊氧基、己氧基、辛氧基、苯氧基、4-甲基苯氧基、環己氧基。
作為所述Lh 中的可具有取代基L的醯基，例如可列舉碳數1～9的醯基，較佳為乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、苯甲醯基、4-丙基苯甲醯基、三氟甲基羰基。
作為所述Li 中的可具有取代基L的烷氧基羰基，例如可列舉碳數1～9的烷氧基羰基，較佳為甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、2-三氟甲基乙氧基羰基、2-苯基乙氧基羰基。
所述X較佳為氧原子、硫原子、-N(R8 )-，在單元A、單元B為式（A-I）、式（A-III）、式（B-I）、式（B-III）的情況下，特佳為氧原子、硫原子，在單元A、單元B為式（A-II）、式（B-II）的情況下，特佳為-N(R8 )-。
在式（II）中，左右的單元A及單元B可相同亦可不同，相同時在合成方面容易，因此較佳。 再者，此處，單元A及單元B相同時的組合為式（A-I）與式（B-I）、式（A-II）與式（B-II）、式（A-III）與式（B-III）。
所述R1 ～R6 分別獨立地較佳為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基、1,1-二甲基丁基、1-金剛烷基、1-金剛烷基甲基、4-戊基環己基、苯基、羥基、胺基、二甲基胺基、二乙基胺基（NEt2 ）、二丁基胺基（NBu2 ）、氰基、硝基、乙醯基胺基、丙醯基胺基、N-甲基乙醯基胺基、三氟甲醯基胺基、五氟乙醯基胺基、第三丁醯基胺基、環己醯基胺基、正丁基磺醯基、苄基、二苯基甲基、三氟甲基、二氟甲基、甲氧基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基，更佳為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基、1,1-二甲基丁基、1-金剛烷基、1-金剛烷基甲基、4-戊基環己基、苯基、胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、二丁基胺基、苄基、二苯基甲基、三氟甲基、二氟甲基、甲氧基、丁氧基。 另外，R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基。
作為所述R8 ，較佳為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、正辛基、苄基、正戊基、正己基、第三丁基，更佳為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、正辛基、正己基、苄基。
作為所述An- ，只要是一價陰離子，則並無特別限制，較佳為氯離子、溴離子、碘離子、PF4 - 、過氯酸根陰離子、三-三氟甲磺醯基甲基化物陰離子、四氟硼酸根陰離子、六氟磷酸根陰離子、雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺陰離子、三氟甲烷磺酸根陰離子、四(五氟苯基)硼酸鹽陰離子、四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸鹽陰離子等，更佳為雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺陰離子、三氟甲烷磺酸根陰離子、三-三氟甲磺醯基甲基化物陰離子、四(五氟苯基)硼酸鹽陰離子、四(3,5-雙(三氟甲基）苯基)硼酸鹽陰離子，就可容易地獲得耐熱性更優異的化合物（Z）等的方面而言，進而較佳為雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺陰離子、三-三氟甲磺醯基甲基化合物陰離子、四(五氟苯基)硼酸鹽陰離子、四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸鹽陰離子，特佳為四(五氟苯基)硼酸鹽陰離子。
作為式（I）所表示的化合物的具體例，例如可列舉下述表1～表7中記載的化合物（z-1）～化合物（z-368）。 具體而言，該些化合物（Z）例如可藉由下述實施例中記載的方法合成。
[表1]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-1） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-2） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-3） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H t-Bu H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-4） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-5） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-6） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H t-Bu H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-7） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-8） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-9） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H i-Pr H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-10） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-11） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-12） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H i-Pr H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-13） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H 環己基 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-14） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H 環己基 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-15） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H 環己基 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-16） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-17） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H 環己基 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-18） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H 環己基 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-19） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-20） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-21） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-22） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-23） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-24） （A-I）、（B-I） O H H H H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-25） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-26） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-27） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-28） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-29） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-30） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-31） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-32） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-33） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-34） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-35） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-36） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-37） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-38） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-39） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-40） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-41） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-42） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-43） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-44） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-45） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-46） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - H B(C6 F5 )4
（Z-47） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-48） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - H B(C6 F5 )4
（Z-49） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-50） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-51） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-52） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-53） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-54） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-55） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
[表2]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-56） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-57） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-58） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-59） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-60） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-61） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-62） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-63） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-64） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-65） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-66） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-67） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-68） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-69） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-70） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
（Z-71） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-72） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-73） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-74） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-75） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-76） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-77） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-78） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-79） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-80） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-81） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-82） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-83） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-84） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-85） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-86） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-87） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-88） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-89） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-90） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-91） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-92） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-93） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-94） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - Et B(C6 F5 )4
（Z-95） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-96） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-97） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-98） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-99） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-100） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-101） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-102） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H t-Bu H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-103） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-104） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-105） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-106） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-107） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-108） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-109） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H i-Pr H OMe H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-110） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - Me B(C6 F5 )4
[表3]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-111） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H 環己基 H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-112） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-113） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-114） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H 環己基 H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-115） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-116） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-117） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-118） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-119） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-120） （A-I）、（B-I） O H C-I H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-121） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H t-Bu H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-122） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-123） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H t-Bu H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-124） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H t-Bu H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-125） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-126） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H t-Bu H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-127） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H i-Pr H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-128） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-129） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H i-Pr H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-130） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H i-Pr H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-131） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-132） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H i-Pr H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-133） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H 環己基 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-134） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H 環己基 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-135） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H 環己基 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-136） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H 環己基 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-137） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H 環己基 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-138） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H 環己基 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-139） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-140） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-141） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-142） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H i-Pr H - - B(C6 F5 )4
（Z-143） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-144） （A-I）、（B-I） O H C-II H Ph H H CH(Me)CH2 CH3 H OMe H H - - B(C6 F5 )4
（Z-145） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H Et - B(C6 F5 )4
（Z-146） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-147） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H n-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-148） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-149） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H CH2 Ph - B(C6 F5 )4
（Z-150） （A-II）、（B-II） N H H H H Cl H H H H H H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-151） （A-II）、（B-II） N H H H H O-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-152） （A-II）、（B-II） N H H H H S-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-153） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H Et H B(C6 F5 )4
（Z-154） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H i-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-155） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-156） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H CH2 Ph H B(C6 F5 )4
（Z-157） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Oct H B(C6 F5 )4
（Z-158） （A-II）、（B-II） N H C-I H O-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct H B(C6 F5 )4
（Z-159） （A-II）、（B-II） N H C-I H S-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct H B(C6 F5 )4
（Z-160） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H Et Me B(C6 F5 )4
（Z-161） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H i-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-162） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-163） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Bu Me B(C6 F5 )4
（Z-164） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H CH2 Ph Me B(C6 F5 )4
（Z-165） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Oct Me B(C6 F5 )4
[表4]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-166） （A-II）、（B-II） N H C-I H O-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct Me B(C6 F5 )4
（Z-167） （A-II）、（B-II） N H C-I H S-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct Me B(C6 F5 )4
（Z-168） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H Et Et B(C6 F5 )4
（Z-169） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H i-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-170） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-171） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Bu Et B(C6 F5 )4
（Z-172） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H CH2 Ph Et B(C6 F5 )4
（Z-173） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Oct Et B(C6 F5 )4
（Z-174） （A-II）、（B-II） N H C-I H O-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct Et B(C6 F5 )4
（Z-175） （A-II）、（B-II） N H C-I H S-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct Et B(C6 F5 )4
（Z-176） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H Et t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-177） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H i-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-178） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-179） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Bu t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-180） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H CH2 Ph t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-181） （A-II）、（B-II） N H C-I H Cl H H H H H H H n-Oct t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-182） （A-II）、（B-II） N H C-I H O-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-183） （A-II）、（B-II） N H C-I H S-(4-甲苯基) H H H H H H H n-Oct t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-184） （A-II）、（B-II） N H C-II H Cl H H H H H H H Et - B(C6 F5 )4
（Z-185） （A-II）、（B-II） N H C-II H Cl H H H H H H H i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-186） （A-II）、（B-II） N H C-II H Cl H H H H H H H n-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-187） （A-II）、（B-II） N H C-II H Cl H H H H H H H n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-188） （A-II）、（B-II） N H C-II H Cl H H H H H H H CH2 Ph - B(C6 F5 )4
（Z-189） （A-III）、（B-III） O H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-190） （A-III）、（B-III） O H H H H Cl H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-191） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - H B(C6 F5 )4
（Z-192） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - H B(C6 F5 )4
（Z-193） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - Me B(C6 F5 )4
（Z-194） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - Me B(C6 F5 )4
（Z-195） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - Et B(C6 F5 )4
（Z-196） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - Et B(C6 F5 )4
（Z-197） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-198） （A-III）、（B-III） O H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-199） （A-III）、（B-III） O H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-200） （A-III）、（B-III） O H C-II H Cl H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-201） （A-III）、（B-III） S H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-202） （A-III）、（B-III） S H H H H Cl H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-203） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - Me B(C6 F5 )4
（Z-204） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - Me B(C6 F5 )4
（Z-205） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - Et B(C6 F5 )4
（Z-206） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - Et B(C6 F5 )4
（Z-207） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-208） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-209） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - H B(C6 F5 )4
（Z-210） （A-III）、（B-III） S H C-I H Cl H H Ph Ph H - - - H B(C6 F5 )4
（Z-211） （A-III）、（B-III） S H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-212） （A-III）、（B-III） S H C-II H Cl H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-213） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et - B(C6 F5 )4
（Z-214） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-215） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-216） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-217） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph - B(C6 F5 )4
（Z-218） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H Ph Ph H - - Et - B(C6 F5 )4
（Z-219） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-220） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr - B(C6 F5 )4
[表5]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-221） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-222） （A-III）、（B-III） N H H H H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph - B(C6 F5 )4
（Z-223） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et H B(C6 F5 )4
（Z-224） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-225） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-226） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu H B(C6 F5 )4
（Z-227） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph H B(C6 F5 )4
（Z-228） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - Et H B(C6 F5 )4
（Z-229） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-230） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr H B(C6 F5 )4
（Z-231） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu H B(C6 F5 )4
（Z-232） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph H B(C6 F5 )4
（Z-233） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et Me B(C6 F5 )4
（Z-234） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-235） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-236） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu Me B(C6 F5 )4
（Z-237） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph Me B(C6 F5 )4
（Z-238） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - Et Me B(C6 F5 )4
（Z-239） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-240） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr Me B(C6 F5 )4
（Z-241） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu Me B(C6 F5 )4
（Z-242） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph Me B(C6 F5 )4
（Z-243） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et Et B(C6 F5 )4
（Z-244） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-245） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-246） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu Et B(C6 F5 )4
（Z-247） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph Et B(C6 F5 )4
（Z-248） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - Et Et B(C6 F5 )4
（Z-249） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-250） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr Et B(C6 F5 )4
（Z-251） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu Et B(C6 F5 )4
（Z-252） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph Et B(C6 F5 )4
（Z-253） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-254） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-255） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-256） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-257） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-258） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - Et t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-259） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-260） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-261） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-262） （A-III）、（B-III） N H C-I H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-263） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - Et - B(C6 F5 )4
（Z-264） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-265） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-266） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-267） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H t-Bu t-Bu H - - CH2 Ph - B(C6 F5 )4
（Z-268） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H Ph Ph H - - Et - B(C6 F5 )4
（Z-269） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H Ph Ph H - - i-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-270） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H Ph Ph H - - n-Pr - B(C6 F5 )4
（Z-271） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H Ph Ph H - - n-Bu - B(C6 F5 )4
（Z-272） （A-III）、（B-III） N H C-II H Cl H H Ph Ph H - - CH2 Ph - B(C6 F5 )4
[表6]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-273） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-274） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-275） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-276） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H NH2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-277） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H NEt2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-278） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H t-Bu H N(n-Bu)2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-279） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-280） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-281） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-282） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H NH2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-283） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H NEt2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-284） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H i-Pr H N(n-Bu)2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-285） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-286） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-287） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-288） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H NH2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-289） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H NEt2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-290） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H t-Bu H N(n-Bu)2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-291） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-292） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-293） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-294） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H NH2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-295） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H NEt2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-296） （A-I）、（B-I） S H C-II H NPh2 H H i-Pr H N(n-Bu)2 H H - - B(C6 F5 )4
（Z-297） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H H H H n-Hex - B(C6 F5 )4
（Z-298） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H H H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-299） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H OMe H H n-Hex - B(C6 F5 )4
（Z-300） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H OMe H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-301） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H O(n-Bu) H H n-Hex - B(C6 F5 )4
（Z-302） （A-II）、（B-II） N H C-II H NPh2 H H H H O(n-Bu) H H n-Oct - B(C6 F5 )4
（Z-303） （A-III）、（B-III） O H C-II H NPh2 H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-304） （A-III）、（B-III） O H C-II H NPh2 H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-305） （A-III）、（B-III） S H C-II H NPh2 H H t-Bu t-Bu H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-306） （A-III）、（B-III） S H C-II H NPh2 H H Ph Ph H - - - - B(C6 F5 )4
（Z-307） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *1 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-308） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *1 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-309） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *1 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-310） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H H H - H B(C6 F5 )4
「*1」：4-戊基環己基
[表7]
化合物 A,B X YA ,YD YB YC ZA ZB ZC R1 R2 R3 R4 R5 R6 R8 R9 An-
（Z-311） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H Me H - H B(C6 F5 )4
（Z-312） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H OMe H - H B(C6 F5 )4
（Z-313） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-314） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H Me H - Me B(C6 F5 )4
（Z-315） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H OMe H - Me B(C6 F5 )4
（Z-316） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-317） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H Me H - Et B(C6 F5 )4
（Z-318） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H OMe H - Et B(C6 F5 )4
（Z-319） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-320） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H Me H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-321） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *1 H H OMe H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-322） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *1 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-323） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *1 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-324） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *1 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-325） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *1 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-326） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *1 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-327） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *1 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-328） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *2 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-329） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-330） （A-I）、（B-I） O H H H H Cl H H *2 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-331） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H H H - H B(C6 F5 )4
（Z-332） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H Me H - H B(C6 F5 )4
（Z-333） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H OMe H - H B(C6 F5 )4
（Z-334） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H H H - Me B(C6 F5 )4
（Z-335） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H Me H - Me B(C6 F5 )4
（Z-336） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H OMe H - Me B(C6 F5 )4
（Z-337） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H H H - Et B(C6 F5 )4
（Z-338） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H Me H - Et B(C6 F5 )4
（Z-339） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H OMe H - Et B(C6 F5 )4
（Z-340） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H H H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-341） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H Me H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-342） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H *2 H H OMe H - t-Bu B(C6 F5 )4
（Z-343） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *2 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-344） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-345） （A-I）、（B-I） O H C-II H Cl H H *2 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-346） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *2 H H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-347） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-348） （A-I）、（B-I） O H C-II H NPh2 H H *2 H H OMe H - - B(C6 F5 )4
（Z-359） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu H H Me H - H B(C6 F5 )4
（Z-360） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu Ph H Me H - H B(C6 F5 )4
（Z-361） （A-I）、（B-I） O H C-I H Cl H H t-Bu Me H Me H - H B(C6 F5 )4
（Z-362） （A-I）、（B-I） O H H H H H H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-363） （A-I）、（B-I） O H H H H H H H t-Bu Ph H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-364） （A-III）、（B-III） O *3 C-II H Cl H *4 *5 *5 H H H - - B(C6 F5 )4
（Z-365） （A-I）、（B-I） O H Me Me H Cl H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-366） （A-I）、（B-I） O H Me Me H Cl H H t-Bu Ph H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-367） （A-I）、（B-I） O H t-Bu t-Bu H Cl H H *2 H H Me H - - B(C6 F5 )4
（Z-368） （A-I）、（B-I） O H t-Bu t-Bu H Cl H H t-Bu Ph H Me H - - B(C6 F5 )4
「*1」：4-戊基環己基
「*2」：1,1-二甲基丁基
「*3」：-(CH2 )3 -R1
「*4」：-(CH2 )3 -YA 或-(CH2 )3 -YD
「*5」：1-金剛烷基
化合物（Z）較佳為有機溶劑可溶的化合物，尤其較佳為二氯甲烷可溶的化合物。 此處，有機溶劑可溶是指相對於25℃的有機溶劑100 g，化合物（Z）溶解0.1 g以上的情況。
化合物（Z）較佳為滿足下述要件（A）的化合物。 要件（A）：在使用將化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜（其中，所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜。以下，將所述透射光譜亦稱為「化合物（Z）的透射光譜」）中，波長430 nm～580 nm下光的透射率的平均值較佳為70%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上，特佳為93.0%以上。所述透射率的平均值較高時較佳，因此其上限並無特別限制，可為100%。 藉由化合物（Z）滿足所述要件（A），可將所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分截止，同時可進一步抑制可見光透射率的降低。
再者，在本發明中，波長A nm～B nm的平均透射率是以1 nm為單位測定A nm以上且B nm以下的各波長下的透射率，並藉由所述透射率的合計除以所測定的透射率的數量（波長範圍，B-A+1）而算出的值。
化合物（Z）的特徵在於滿足下述要件（B）。 要件（B）：最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍 化合物（Z）的最大吸收波長較佳為855 nm～1095 nm，更佳為波長860 nm～1090 nm。 所述最大吸收極大波長是指在使用將化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜中，透射率的值最小時的波長。 藉由化合物（Z）的最大吸收波長處於所述範圍，可容易地獲得在近紅外線中的波長較長的區域（波長850 nm以上的區域）亦具有高的光線截止能力的光學濾波器。特別是可容易地獲得在波長900 nm以上的區域、具體而言在波長940 nm下光密度（OD（optical density）值）為4左右以上的光學濾波器。
化合物（Z）較佳為滿足下述要件（C）的化合物。 要件（C）：在化合物（Z）的透射光譜中，在波長950 nm～1150 nm的範圍較佳為具有透射率為85%的波長，更佳為具有透射率為90%的波長。 在所述範圍具有最大吸收波長且滿足所述要件（C）的化合物（Z）的吸收波峰尖銳，因此藉由使用此種化合物（Z），不僅可容易地製作能夠將所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分截止的NIR-CF，而且亦可容易地製作使所欲透射的期望波長的近紅外線透射的DBPF或IRPF等光學濾波器。
化合物（Z）較佳為滿足下述要件（D）的化合物。 要件（D）：在化合物（Z）的透射光譜的較最大吸收波長更長的波長中，透射率為20%的最短波長側的波長（Wa）與透射率為70%的最短波長側的波長（Wb）之差的絕對值較佳為10 nm～60 nm，更佳為15 nm～58 nm，特佳為20 nm～56 nm。 化合物（Z）滿足所述要件（D）表示化合物（Z）的吸收波峰尖銳。藉由使用滿足所述要件（D）的化合物（Z），不僅可容易地製作能夠將所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分截止的NIR-CF，而且亦可容易地製作使所欲透射的期望波長的近紅外線透射的DBPF或IRPF等光學濾波器。
本組成物中的化合物（Z）的含量相對於樹脂100質量份而較佳為0.02質量份～1.0質量份，更佳為0.02質量份～0.80質量份，特佳為0.03質量份～0.60質量份。 若化合物（Z）的含量處於所述範圍，則可容易地獲得不僅能夠將波長850 nm～1100 nm的範圍的近紅外線效率良好地截止而且可見光透射性更優異的組成物。
＜樹脂＞ 作為本組成物中使用的樹脂，並無特別限制，可使用先前公知的樹脂。 本組成物中所使用的樹脂可為單獨一種，亦可為兩種以上。
作為所述樹脂，只要不損及本發明的效果，則並無特別限制，例如就熱穩定性及向膜（板）形狀的成形性等優異、且可容易地獲得能夠藉由在100℃以上左右的蒸鍍溫度下進行的高溫蒸鍍來形成電介質多層膜的膜等方面而言，可列舉玻璃轉移溫度（Tg）較佳為110℃～380℃、更佳為110℃～370℃、特佳為120℃～360℃的樹脂。另外，若所述樹脂的Tg為140℃以上，則可獲得能夠在更高的溫度下蒸鍍形成電介質多層膜的膜，因此特佳。
作為所述樹脂，可使用使包含所述樹脂的厚度0.1 mm的樹脂板的總光線透射率（日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 7375：2008）較佳為成為75%～95%、更佳為成為78%～95%、特佳為成為80%～95%的樹脂。 若使用總光線透射率處於所述範圍的樹脂，則可容易地獲得透明性優異的樹脂組成物及光學濾波器。
所述樹脂的藉由凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）法所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為15,000～350,000，較佳為30,000～250,000，數量平均分子量（Mn）通常為10,000～150,000，較佳為20,000～100,000。
作為所述樹脂，例如可列舉：環狀(聚)烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺（聚芳醯胺（aramid））系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate，PEN）系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、烯丙基酯系硬化型樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂。
[環狀(聚)烯烴系樹脂] 作為環狀(聚)烯烴系樹脂，較佳為使用選自由下述式（X0 ）所表示的單體及下述式（Y0 ）所表示的單體所組成的群組中的至少一種單體而獲得的樹脂、及藉由將該樹脂加以氫化而獲得的樹脂。
[化26]
Figure 02_image047
式（X0 ）中，Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自下述（i'）～（ix'）中的原子或基，kx 、mx 及px 分別獨立地表示0～4的整數。 （i'）氫原子 （ii'）鹵素原子 （iii'）三烷基矽烷基 （iv'）具有包含氧原子、硫原子、氮原子或矽原子的連結基的經取代或未經取代的碳數1～30的烴基 （v'）經取代或未經取代的碳數1～30的烴基 （vi'）極性基（其中，（ii'）及（iv'）除外。） （vii'）Rx1 與Rx2 或者Rx3 與Rx4 相互鍵結而形成的亞烷基（alkylidene）（其中，不參與所述鍵結的Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基。） （viii'）Rx1 與Rx2 或者Rx3 與Rx4 相互鍵結而形成的單環或多環的烴環或雜環（其中，不參與所述鍵結的Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基。） （ix'）Rx2 與Rx3 相互鍵結而形成的單環的烴環或雜環（其中，不參與所述鍵結的Rx1 與Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基。）
[化27]
Figure 02_image049
式（Y0 ）中，Ry1 及Ry2 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基，或者表示Ry1 與Ry2 相互鍵結而形成的單環或多環的脂環式烴、芳香族烴或雜環，ky 及py 分別獨立地表示0～4的整數。
[芳香族聚醚系樹脂] 芳香族聚醚系樹脂較佳為具有選自由下述式（1）所表示的結構單元、及下述式（2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。
[化28]
Figure 02_image051
式（1）中，R1 ～R4 分別獨立地表示碳數1～12的一價有機基，a～d分別獨立地表示0～4的整數。
[化29]
Figure 02_image053
式（2）中，R1 ～R4 及a～d分別獨立地與所述式（1）中的R1 ～R4 及a～d為相同含義，Y表示單鍵、-SO2 -或-CO-，R7 及R8 分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～12的一價有機基或硝基，g及h分別獨立地表示0～4的整數，m表示0或1。其中，當m為0時，R7 不為氰基。
另外，所述芳香族聚醚系樹脂可更具有選自由下述式（3）所表示的結構單元、及下述式（4）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。
[化30]
Figure 02_image055
式（3）中，R5 及R6 分別獨立地表示碳數1～12的一價有機基，Z表示單鍵、-O-、-S-、-SO2 -、-CO-、-CONH-、-COO-或碳數1～12的二價有機基，e及f分別獨立地表示0～4的整數，n表示0或1。
[化31]
Figure 02_image057
式（4）中，R7 、R8 、Y、m、g及h分別獨立地與所述式（2）中的R7 、R8 、Y、m、g及h為相同含義，R5 、R6 、Z、n、e及f分別獨立地與所述式（3）中的R5 、R6 、Z、n、e及f為相同含義。
[聚醯亞胺系樹脂] 作為聚醯亞胺系樹脂，並無特別限制，只要是在重複單元中包含醯亞胺鍵的高分子化合物即可，例如可藉由日本專利特開2006-199945號公報或日本專利特開2008-163107號公報中記載的方法來合成。
[聚酯系樹脂] 作為聚酯系樹脂，並無特別限制，例如可藉由日本專利特開2010-285505號公報或日本專利特開2011-197450號公報中記載的方法來合成。
[聚碳酸酯系樹脂] 作為聚碳酸酯系樹脂，並無特別限制，例如可藉由日本專利特開2008-163194號公報中記載的方法來合成。
[氟化芳香族聚合物系樹脂] 作為氟化芳香族聚合物系樹脂，並無特別限制，但較佳為含有具有至少一個氟原子的芳香族環、以及包含選自由醚鍵、酮鍵、碸鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵及酯鍵所組成的群組中的至少一個鍵的重複單元的聚合物，例如可藉由日本專利特開2008-181121號公報中記載的方法來合成。
[丙烯酸系紫外線硬化型樹脂] 作為丙烯酸系紫外線硬化型樹脂，並無特別限制，可列舉：由含有在分子內具有一個以上的丙烯酸基或甲基丙烯酸基的化合物、及藉由紫外線而分解並產生活性自由基的化合物的樹脂組成物所合成者。 丙烯酸系紫外線硬化型樹脂可較佳地用作形成下述本樹脂層或下述外塗層等樹脂層時可使用的硬化性樹脂。
[市售品] 作為所述樹脂的市售品，可列舉以下的市售品等。作為環狀(聚)烯烴系樹脂的市售品，例如可列舉：JSR（股）製造的阿通（Arton）、日本瑞翁（Zeon）（股）製造的瑞翁諾阿（Zeonor）、三井化學（股）製造的阿派爾（APEL）、寶理塑膠（Polyplastics）（股）製造的托帕斯（TOPAS）。作為聚醚碸系樹脂的市售品，例如可列舉住友化學（股）製造的斯密卡愛克塞爾（Sumikaexcel）PES。作為聚醯亞胺系樹脂的市售品，例如可列舉三菱瓦斯化學（Mitsubishi Gas Chemical）（股）製造的尼歐普利姆（Neopulim）L。作為聚碳酸酯系樹脂的市售品，例如可列舉帝人（股）製造的普艾斯（PURE-ACE）、帝人（股）製造的旁拉伊特（Panlite）SP-3810、三菱瓦斯化學（Mitsubishi Gas Chemical）（股）製造的優比澤塔（Iupizeta）EP-5000。作為芴聚酯系樹脂的市售品，例如可列舉大阪瓦斯化學（Osaka Gas Chemicals）（股）製造的OKP4HT。作為丙烯酸系樹脂的市售品，例如可列舉日本觸媒（股）製造的阿庫利維阿（Acryviewa）。作為倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂的市售品，例如可列舉日鐵化學與材料（Nippon Steel Chemical & Material）（股）製造的希魯普拉斯（Silplus）。
＜其他成分＞ 在不損及本發明的效果的範圍內，本組成物可更含有化合物（Z）以外的化合物（X）[紫外線吸收劑以外的吸收劑]、抗氧化劑、紫外線吸收劑、螢光消光劑及金屬錯合物系化合物等其他成分。 該些其他成分分別可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。
該些其他成分可在製造本組成物時與樹脂等一起混合，亦可在合成樹脂時添加。另外，添加量根據期望的特性等適宜選擇即可，但相對於樹脂100質量份，通常為0.01質量份～5.0質量份，較佳為0.05質量份～2.0質量份。
[化合物（X）] 本組成物可包含一種或兩種以上的化合物（Z）以外的化合物（X）[紫外線吸收劑以外的吸收劑]。 作為所述化合物（X），例如可列舉：方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、聚次甲基系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、八元卟啉系化合物、二亞銨系化合物、苝系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物。
作為所述化合物（X），較佳為包含方酸內鎓鹽系化合物，更佳為包含分別為一種以上的方酸內鎓鹽系化合物與其他化合物（X'），作為所述其他化合物（X'），特佳為酞菁系化合物及聚次甲基系化合物。
所述方酸內鎓鹽系化合物的吸收波峰尖銳，且具有優異的可見光透射性及高的莫耳吸光係數，但有在吸收光線時產生成為散射光的原因的螢光的情況。在所述情況下，藉由將方酸內鎓鹽系化合物與所述化合物（X'）組合使用，可抑制散射光。若如此般散射光得到抑制，則在將由本組成物獲得的光學濾波器用於攝像裝置等的情況下，所獲得的相機畫質變得更良好。
所述化合物（X）的最大吸收波長較佳為600 nm～800 nm，更佳為620 nm～780 nm，進而較佳為650 nm～760 nm，特佳為660 nm～750 nm。 藉由使用在所述範圍具有最大吸收波長的化合物（X），紅色附近的顏色的入射角依存性得到改良，可容易地獲得視感度修正更優異的光學濾波器。
[紫外線吸收劑] 作為所述紫外線吸收劑，例如可列舉：甲亞胺系化合物、吲哚系化合物、苯並***系化合物、三嗪系化合物、蒽系化合物、日本專利特開2019-014707號公報等中記載的化合物。
[抗氧化劑] 作為所述抗氧化劑，例如可列舉：2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,2'-二氧基-3,3'-二-第三丁基-5,5'-二甲基二苯基甲烷、四[亞甲基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]甲烷。
＜添加劑＞ 在不損及本發明的效果的範圍內，本組成物可更含有有機溶劑、脫模劑、界面活性劑、抗靜電劑、密接助劑、光擴散材等添加劑。 該些添加劑分別可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。
特別是在將本組成物設為液狀組成物的情況下，較佳為使用有機溶劑。作為所述有機溶劑的例子，較佳為可溶解樹脂的溶劑，具體而言，可列舉：酯類、酮類、芳香族烴類、含鹵素的化合物類。 另外，在藉由後述的澆鑄成形來製造樹脂層的情況下，藉由使用調平劑或消泡劑，可使所述樹脂層的製造變容易。
≪光學濾波器≫ 本發明一實施形態的光學濾波器（以下亦稱為「本濾波器」。）具有基材（i）以及電介質多層膜，所述基材（i）包括由本組成物形成的含有所述化合物（Z）的樹脂層（以下亦稱為「本樹脂層」。）。 就進一步發揮本發明的效果等方面而言，作為此種本濾波器，具體而言，可列舉近紅外線截止濾波器（NIR-CF）、可見光-近紅外線選擇透射濾波器（DBPF）、近紅外線透射濾波器（IRPF）。該些濾波器除了具有所述本樹脂層以及電介質多層膜以外，採用先前公知的結構即可。
本濾波器的厚度根據期望的用途適宜選擇即可，但根據近年來的固體攝像裝置等的薄型化、輕量化等趨勢，較佳為所述本濾波器的厚度亦薄。 本濾波器包括所述基材（i），因此可薄型化。
本濾波器的厚度較佳為300 μm以下，更佳為250 μm以下，進而較佳為200 μm以下，特佳為150 μm以下，下限並無特別限制，例如理想的是20 μm。
＜NIR-CF＞ 所述NIR-CF較佳為在波長850 nm～1200 nm的區域中的截止性能優異、在可見波段中的透射性優異的光學濾波器。 所述NIR-CF中使用的所述電介質多層膜較佳為近紅外線反射膜。
在將NIR-CF用於固體攝像元件等的情況下，較佳為近紅外波段的透射率低。特別是已知波長850 nm～1200 nm的區域中固體攝像元件的受光感度較高，藉由降低該波段的透射率，可有效地進行相機圖像與人眼的視感度修正，可達成優異的色彩再現性。另外，進而藉由降低波長850 nm～1200 nm的區域的透射率，可有效地防止安全認證功能中使用的近紅外光到達影像感測器等。
NIR-CF在波長850 nm～1200 nm的區域中，自所述濾波器的垂直方向測定時的平均透射率較佳為5%以下，更佳為4%以下，進而較佳為3%以下，特佳為2%以下。 若波長850 nm～1200 nm的平均透射率處於此範圍，則可將近紅外線充分地截止，可達成優異的色彩再現性，因此較佳。
在將NIR-CF用於固體攝像元件等的情況下，較佳為可見光透射率高。具體而言，在波長430 nm～580 nm的區域中，自所述濾波器的垂直方向測定時的平均透射率較佳為75%以上，更佳為80%以上，進而較佳為83%以上，特佳為85%以上。 若波長430 nm～580 nm的平均透射率處於此範圍，則可達成優異的攝像感度。
＜DBPF＞ 所述DBPF只要是使可見光以及近紅外線中所欲透射的波長的光透射、並將近紅外線中所欲截止的波長的光截止的光學濾波器，則並無特別限制。 所述DBPF中使用的所述電介質多層膜較佳為使可見光以及近紅外線中所欲透射的波長的光透射、並將近紅外線中所欲截止的波長的光截止的膜。
與NIR-CF同樣地，DBPF在用於固體攝像元件等的情況下亦較佳為可見光透射率高，且基於與上述相同的理由，波長430 nm～580 nm的平均透射率較佳為處於與NIR-CF的該平均透射率相同的範圍。
另外，就可使可見光以及近紅外線中所欲透射的波長的光充分透射、並可將近紅外線中所欲截止的波長的光充分截止等的方面而言，DBPF較佳為滿足下述特性（d）。 特性（d）：在波長650 nm以上的區域具有光線阻止頻帶Za、光線透射頻帶Zb及光線阻止頻帶Zc，各個頻帶的中心波長為Za＜Zb＜Zc， 所述Za及Zc中的自本濾波器的垂直方向測定時的最小透射率分別較佳為15%以下，更佳為5%以下， 所述Zb中的自本濾波器的垂直方向測定時的最大透射率較佳為55%以上，更佳為60%以上。
Za是指在波長650 nm以上且900 nm以下中，自本濾波器的垂直方向測定時的透射率自超過20%變為20%以下的最短波長Za1、至自小於20%變為20%以上的最長波長Za2為止的波長頻帶。再者，Za的中心波長為（Za1+Za2）/2 nm。
Zb是指在波長750 nm以上且1050 nm以下中，自本濾波器的垂直方向測定時的透射率自40%以下變為超過40%的最短波長Zb1、至自超過40%變為40%以下的最長波長Zb2為止的波長頻帶。再者，Zb的中心波長為（Zb1+Zb2）/2 nm。
Zc是指在波長820 nm以上中，自本濾波器的垂直方向測定時的透射率自超過20%變為20%以下的最短波長Zc1、至作為Zc1+200 nm的波長Zc2為止的波長頻帶。再者，Zc的中心波長為（Zc1+Zc2）/2 nm。
＜IRPF＞ 所述IRPF只要是將可見光截止、並使近紅外線中所欲透射的波長的光透射的光學濾波器，則並無特別限制。 所述IRPF中使用的所述電介質多層膜較佳為將所欲截止的波長的光（可見光及/或近紅外線中的一部分）截止的膜。 另外，IRPF亦可使用可見光吸收劑將可見光截止。
IRPF可較佳地用於紅外線監視相機、車載紅外線相機、紅外線通訊、各種感測系統、紅外線警報器、夜視裝置等的光學系統，在用於該些用途的情況下，較佳為所欲透射的近紅外線以外的波長的光的透射率低。 特別是在波長380 nm～700 nm的區域中，自本濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值較佳為10%以下，更佳為5%以下。
另外，IRPF較佳為對於所欲透射的近紅外線的透射率高，具體而言，在波長750 nm以上的區域具有光線透射帶Ya，在所述光線透射帶Ya中，自本濾波器的垂直方向測定時的最大透射率（TIR ）較佳為45%以上，更佳為50%以上。
＜基材（i）＞ 所述基材（i）可為單層亦可為多層，只要具有本樹脂層即可。所述基材（i）可具有兩層以上的本樹脂層，在所述情況下，兩層以上的本樹脂層可相同亦可不同。 在基材（i）為單層的情況下，該基材（i）由本樹脂層構成，即，本樹脂層（樹脂製基板）為基材（i）。 在基材（i）為多層的情況下，作為該基材（i），可列舉：包括兩層以上的樹脂層、且所述兩層以上的樹脂層中的至少一層為本樹脂層的基材；或包括本樹脂層以及玻璃支撐體的基材，例如，可列舉：基材（A），包括在玻璃支撐體或作為基底的樹脂製支撐體等支撐體上積層有本樹脂層的積層體；基材（B），包括在本樹脂層上積層有包含硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層的積層體。 就製造成本及光學特性調整的容易性、進而可達成本樹脂層的消除損傷效果、提高基材（i）的耐損傷性等方面而言，作為所述基材（i），特佳為基材（B）。
再者，所述樹脂製支撐體或基材（B）中的外塗層等樹脂層是指不含化合物（Z）的樹脂層。所述不含化合物（Z）的樹脂層只要包含樹脂則並無特別限制，作為所述樹脂，可列舉與所述本組成物一欄中記載的樹脂相同的樹脂等。另外，所述不含化合物（Z）的樹脂層亦可為下述其他功能膜。
基材（i）的厚度可根據期望的用途適宜選擇，並無特別限制，較佳為10 μm～250 μm，進而較佳為15 μm～230 μm，特佳為20 μm～150 μm。 若基材（i）的厚度處於所述範圍，則可使使用了所述基材（i）的本濾波器薄型化及輕量化，從而可較佳地用於固體攝像裝置等各種用途。特別是在將所述單層的基材（i）用於相機模組等的透鏡單元的情況下，可達成透鏡單元的低背化、輕量化，因此較佳。
在波長850 nm～1200 nm的的區域中，基材（i）的自垂直方向測定的最低透設率（Ta）較佳為0.1%～40%，進而較佳為0.5%～35%，特佳為1%～30%。
在波長430 nm～580 nm的區域中，基材（i）的自垂直方向測定的平均透設率（Tb）較佳為80%以上，進而較佳為81.0%以上。
若基材（i）的（Ta）及（Tb）處於所述範圍，則可容易地獲得在將所欲截止的近紅外線區域的波長的光充分截止的同時顯示出高可見光透射性的光學濾波器，從而可容易地獲得提供光斑及重影少的良好的相機圖像的光學濾波器。
[基材（i）的製造方法] 所述本樹脂層、所述樹脂製支撐體及所述外塗層等樹脂層例如可藉由熔融成形或澆鑄成形來形成，進而，視需要可在成形後塗佈抗反射劑、硬塗劑及/或抗靜電劑等塗佈劑。
在所述基材（i）為基材（A）的情況下，例如在所述支撐體上對本組成物進行熔融成形或澆鑄成形，較佳為利用旋塗、狹縫塗佈、噴墨等方法進行塗敷後將溶媒乾燥去除，視需要進一步進行光照射或加熱，藉此可製造在支撐體上形成有本樹脂層的基材。
・熔融成形 作為所述熔融成形，具體而言，可列舉：對將本組成物熔融混練所獲得的顆粒進行熔融成形的方法；對本組成物進行熔融成形的方法；對自包含溶劑的液狀的本組成物中去除溶劑所獲得的顆粒進行熔融成形的方法等。作為熔融成形方法，可列舉：射出成形、熔融擠出成形或吹塑成形等。
・澆鑄成形 作為所述澆鑄成形，可列舉：將包含溶劑的液狀的本組成物澆鑄於適當的支撐體上並去除溶劑的方法；將包含光硬化性樹脂及/或熱硬化性樹脂作為所述樹脂的硬化性的本組成物澆鑄於適當的支撐體上並去除溶媒後，藉由紫外線照射或加熱等適當的手法使其硬化的方法等。 在所述基材（i）為所述單層的基材（i）的情況下，所述基材（i）可藉由在澆鑄成形後自支撐體剝離塗膜而獲得，另外，在所述基材（i）為所述基材（A）的情況下，所述基材（i）可藉由在澆鑄成形後不剝離塗膜而獲得。
作為所述適當的支撐體，例如可列舉：玻璃板、鋼帶、鋼桶及樹脂（例如，聚酯膜、環狀烯烴系樹脂膜）製支撐體。
進而，亦可藉由如下方法等而在光學零件上形成本樹脂層：將所述液狀的本組成物塗佈於玻璃板、石英或塑膠製等的光學零件上後對溶劑進行乾燥的方法；或者塗佈所述硬化性的本組成物後進行硬化及乾燥的方法。
在藉由熔融成形或澆鑄成形來形成所述樹脂製支撐體及外塗層等樹脂層的情況下，代替所述熔融成形或澆鑄成形一欄中的本組成物而使用包含樹脂的期望的組成物（其中，不含化合物（Z））即可。
所述本樹脂層、所述樹脂製支撐體及所述外塗層等樹脂層中的殘留溶劑量以盡可能少為宜。具體而言，相對於本樹脂層的重量，所述殘留溶劑量較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，進而較佳為0.5質量%以下。 若殘留溶劑量處於所述範圍，則可獲得不易變形且特性不易變化的、可容易地發揮期望的功能的樹脂層。 在將基材（i）用於光學濾波器的情況下，較佳為將所述本樹脂層、所述樹脂製支撐體及所述外塗層等樹脂層中的溶劑含量抑制於100質量ppm以下。
＜電介質多層膜＞ 本濾波器具有所述基材（i）以及電介質多層膜。作為所述電介質多層膜，可列舉將高折射率材料層與低折射率材料層交替積層而成的積層體等。 所述電介質多層膜可設置於所述基材（i）的單面上，亦可設置於兩面上。在設置於單面上的情況下，製造成本及製造容易性優異，在設置於兩面上的情況下，可獲得具有高強度而不易產生翹曲或扭曲的光學濾波器。在將本濾波器用於固體攝像元件等的情況下，較佳為所述濾波器的翹曲或扭曲小，因此較佳為將電介質多層膜設置於基材（i）的兩面上。
作為構成所述高折射率材料層的材料，可列舉折射率為1.7以上的材料，通常選擇折射率為1.7～2.5的材料。作為此種材料，例如可列舉將氧化鈦、氧化鋯、五氧化鉭、五氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅或氧化銦等作為主成分，且含有少量（例如，相對於主成分而為0質量%～10質量%）的氧化鈦、氧化錫及/或氧化鈰等者。
作為構成所述低折射率材料層的材料，可使用折射率為1.6以下的材料，通常選擇折射率為1.2～1.6的材料。作為此種材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂及六氟化鋁鈉。
關於將所述高折射率材料層與低折射率材料層積層的方法，只要可形成將該些材料層積層而成的電介質多層膜，則並無特別限制。例如可在基材（i）上，直接形成藉由化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法、濺鍍法、真空蒸鍍法、離子輔助蒸鍍法或離子鍍法等將高折射率材料層與低折射率材料層交替地積層而成的電介質多層膜。
若將欲阻斷的近紅外線波長設為λ（nm），則所述高折射率材料層及低折射率材料層的各層的厚度通常較佳為0.1λ～0.5λ的厚度。作為λ（nm）的值，在NIR-CF的情況下例如為700 nm～1400 nm，較佳為750 nm～1300 nm。若高折射率材料層及低折射率材料層的各層的厚度處於所述範圍，則作為折射率（n）與膜厚（d）之積（n×d）的光學膜厚成為與λ/4大致相同的值，就反射/折射的光學特性的關係而言，具有可容易地控制特定波長的阻斷/透射的傾向。
關於電介質多層膜中的高折射率材料層與低折射率材料層的合計積層數，例如在NIR-CF的情況下，作為光學濾波器整體而言較佳為16層～70層，更佳為20層～60層。若各層的厚度、作為光學濾波器整體而言的電介質多層膜的厚度及合計積層數處於所述範圍，則可確保充分的製造邊際（margin），而且可減少光學濾波器的翹曲及電介質多層膜的裂紋。
在本濾波器中，結合化合物（Z）的吸收特性等來適當地選擇構成高折射率材料層及低折射率材料層的材料種類、高折射率材料層及低折射率材料層的各層的厚度、積層的順序、積層數，藉此可在所欲透射的波段（例如：可見波段）中確保充分的光線透射率，而且在所欲截止的近紅外波段中具有充分的光線截止特性，且可減少近紅外線自傾斜方向入射時的反射率。
此處，當使電介質多層膜的條件最佳化時，例如只要使用光學薄膜設計軟體（例如，核心麥克勞德（Essential Macleod），薄膜中心（Thin Film Center）公司製造），以可兼顧所欲透射的波段（例如：可見波段）的抗反射效果與所欲截止的近紅外波段的光線截止效果的方式設定參數即可。在所述軟體的情況下、且例如在形成NIR-CF的電介質多層膜的情況下，可列舉：將波長400 nm～700 nm的目標透射率設為100%，並將目標公差（Target Tolerance）的值設為1，而且將波長705 nm～950 nm的目標透射率設為0%，並將目標公差的值設為0.5等的參數設定方法。 該些參數亦可結合基材（i）的各種特性等而更細地劃分波長範圍來改變目標公差的值。
＜其他功能膜＞ 出於提高基材（i）及電介質多層膜的表面硬度、提高耐化學品性、抗靜電及消除損傷等目的，本濾波器可在不損及本發明的效果的範圍內，在基材（i）與電介質多層膜之間、基材（i）的與設置有電介質多層膜的面為相反側的面、或電介質多層膜的與設置有基材（i）的面為相反側的面上適宜設置抗反射膜、硬塗膜或抗靜電膜等功能膜。
本濾波器可包括一層所述功能膜，亦可包括兩層以上。在本濾波器包括兩層以上的所述功能膜的情況下，可包括兩層以上的相同的膜，亦可包括兩層以上的不同的膜。
作為積層所述功能膜的方法，並無特別限制，可列舉：與上文所述同樣地，在基材（i）或電介質多層膜上對抗反射劑、硬塗劑及/或抗靜電劑等塗佈劑等進行熔融成形或澆鑄成形的方法等。
另外，亦可藉由利用棒塗機等將包含所述塗佈劑等的硬化性組成物塗佈於基材（i）或電介質多層膜上後，利用紫外線照射等進行硬化來製造。
作為所述塗佈劑，可列舉紫外線（ultraviolet，UV）/電子束（electron beam，EB）硬化型樹脂或熱硬化型樹脂等，具體而言，可列舉：乙烯基化合物類或胺基甲酸酯系、胺基甲酸酯丙烯酸酯系、丙烯酸酯系、環氧系及環氧丙烯酸酯系樹脂等。塗佈劑可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。 作為包含該些塗佈劑的所述硬化性組成物，可列舉：乙烯基系、胺基甲酸酯系、胺基甲酸酯丙烯酸酯系、丙烯酸酯系、環氧系及環氧丙烯酸酯系硬化性組成物等。
所述硬化性組成物亦可包含聚合起始劑。作為所述聚合起始劑，可使用公知的光聚合起始劑或熱聚合起始劑，亦可將光聚合起始劑與熱聚合起始劑併用。聚合起始劑可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。
所述硬化性組成物中，在將硬化性組成物的總量設為100質量%的情況下，聚合起始劑的調配比例較佳為0.1質量%～10質量%，更佳為0.5質量%～10質量%，進而較佳為1質量%～5質量%。若聚合起始劑的調配比例處於所述範圍，則可容易地獲得硬化特性及操作性等優異的硬化性組成物，從而可容易地獲得具有期望的硬度的抗反射膜、硬塗膜或抗靜電膜等功能膜。
進而，亦可在所述硬化性組成物中加入有機溶劑作為溶劑，作為有機溶劑，可使用公知的溶劑。作為有機溶劑的具體例，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、環己酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單***乙酸酯等酯類；乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚等醚類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺類。 該些溶劑可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。
所述功能膜的厚度較佳為0.1 μm～20 μm，更佳為0.5 μm～10 μm，特佳為0.7 μm～5 μm。
另外，出於提升基材（i）與功能膜及/或電介質多層膜的密接性、或功能膜與電介質多層膜的密接性的目的，亦可對基材（i）、功能膜或電介質多層膜的表面進行電暈處理或電漿處理等表面處理。
[光學濾波器的用途] 本濾波器的例如對所欲截止區域的波長的光的截止能力與對所欲透射波長的光的透射能力優異。因此，可有效用作相機模組的CCD影像感測器或CMOS影像感測器等固體攝像元件的視感度修正用途。特別可有效用於數位靜態相機、智慧型手機用相機、行動電話用相機、數位攝影機、可穿戴器件用相機、個人電腦（personal computer，PC）相機、監視相機、汽車用相機、紅外線相機、電視機、汽車導航、可攜式資訊終端機、視訊遊戲機、可攜式遊戲機、指紋認証系統、數位音樂播放器、各種感測系統、紅外線通訊等。進而，亦可有效用作裝設於汽車或建築物等的玻璃板等上的熱射線截止濾波器等。
≪固體攝像裝置≫ 本發明一實施形態的固體攝像裝置包括本濾波器。此處，固體攝像裝置是指包括CCD影像感測器或CMOS影像感測器等之類的固體攝像元件的裝置，具體而言可列舉數位靜態相機、智慧型手機用相機、行動電話用相機、可穿戴器件用相機、數位攝影機等。
≪光學感測裝置≫ 本發明一實施形態的光學感測裝置只要包括本濾波器則並無特別限制，設為先前公知的結構即可。 例如，可列舉具有受光元件與本濾波器的裝置，具體而言，可列舉具有受光元件（半導體基板）、保護膜、本濾波器及其他濾波器等的裝置。 [實施例]
以下，基於實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明不受該些實施例任何限定。
＜分子量＞ 樹脂的分子量是考慮到各樹脂在溶劑中的溶解性等並利用下述（a）或（b）的方法來進行測定。 （a）使用沃特斯（WATERS）公司製造的凝膠滲透層析（GPC）裝置（150C型，管柱：東曹（Tosoh）（股）製造的H型管柱，展開溶劑：鄰二氯苯），測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）。 （b）使用東曹（Tosoh）（股）製造的GPC裝置（HLC-8220型，管柱：TSKgelα-M，展開溶劑：四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）），測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）。
再者，關於後述的樹脂合成例3中所合成的樹脂，不進行利用所述方法的分子量的測定，而進行利用下述方法（c）的對數黏度的測定。 （c）將聚醯亞胺溶液的一部分投入至無水甲醇中來使聚醯亞胺析出並進行過濾，藉此自未反應單體中分離，然後在80℃下進行12小時真空乾燥。將所獲得的聚醯亞胺0.1 g溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮20 mL中（稀薄聚醯亞胺溶液），使用堪農-芬斯基（Cannon-Fenske）黏度計，藉由下述式來求出30℃下的對數黏度（μ）。 μ={ln（ts/t0）}/C t0：溶媒（N-甲基-2-吡咯啶酮）的流下時間 ts：稀薄聚醯亞胺溶液的流下時間 C：0.5 g/dL
＜玻璃轉移溫度（Tg）＞ 樹脂的玻璃轉移溫度是在氮氣氣流下，使用日立高科技科學（Hitachi High-Tech Science）（股）製造的示差掃描熱量計（DSC6200），以升溫速度：20℃/min進行測定。
＜分光透射率＞ 基材及光學濾波器的波長850 nm～1200 nm的近紅外區域的透射率、波長430 nm～580 nm的可見光透射率是使用日本分光（股）製造的分光光度計（V-7200）來測定。所述透射率是在光相對於基材或光學濾波器垂直地入射的條件下使用所述分光光度計進行測定而得。使用本裝置進行測定時的參數如下。
Xa：在波長850 nm～1200 nm中，自基材的垂直方向所測定的透射率為最低值時的光的波長 Ta：在波長850 nm～1200 nm中，自基材的垂直方向所測定的最低透射率 Tb：自基材的垂直方向所測定的波長430 nm～580 nm的光的平均透射率 Tc：自基材的垂直方向所測定的加熱試驗後的波長850 nm～1200 nm的光的最低透射率 Td：自基材的垂直方向所測定的加熱試驗後的波長430 nm～580 nm的光的平均透射率 Te：自基材的垂直方向所測定的UV照射後的波長850 nm～1200 nm的光的最低透射率 Tf：自基材的垂直方向所測定的UV照射後的波長430 nm～580 nm的光的平均透射率 Tg：自光學濾波器的垂直方向所測定的波長850 nm～1200 nm的光的平均透射率 Th：自光學濾波器的垂直方向所測定的波長430 nm～580 nm的光的平均透射率
[化合物合成例] 下述實施例中所使用的化合物（X）及化合物（Z）基於通常已知的合成法來合成。 化合物（X）例如可基於日本專利第3366697號公報、日本專利第2846091號公報、日本專利第2864475號公報、日本專利第3703869號公報、日本專利特開昭60-228448號公報、日本專利特開平1-146846號公報、日本專利特開平1-228960號公報、日本專利第4081149號公報、日本專利特開昭63-124054號公報、「酞菁-化學與功能-」（IPC、1997年）、日本專利特開2007-169315號公報、日本專利特開2009-108267號公報、日本專利特開2010-241873號公報、日本專利第3699464號公報、日本專利第4740631號公報中記載的方法來合成。
化合物（Z）例如可基於日本專利特開2009-108267號公報、日本專利特開平5-59291號公報、日本專利特開2014-95007號公報、日本專利特開2011-52218號公報、國際公開第2007/114398號、日本專利特開2003-246940號公報、「雜環化合物化學（Chemistry of Heterocyclic Compounds）：花青染料及相關化合物（The Cyanine Dyes and Related Compounds）」第18卷（Volume 18）（威利（Wiley），1964年）、「近紅外染料的高科技應用（Near-Infrared Dyes for High Technology Applications）」（施普林格（Springer），1997年）中記載的方法來合成，具體而言，可藉由以下方法進行合成。
[中間體合成例1] [化32]
Figure 02_image059
在冰浴冷卻下，向二甲基甲醯胺（dimethylformamide，DMF）（250 mL）中滴加氯化磷醯（66.4 g），在此狀態下攪拌1小時。繼而，加入環己酮（25.0 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-1（37.4 g）。目標化合物的鑑定使用的是核磁共振（nuclear magnetic resonance，NMR）及液相層析質譜儀（liquid chromatography mass spectrometry，LC-MS）。
[中間體合成例2] [化33]
Figure 02_image061
在冰浴冷卻下，向環戊酮（25.4 g）的THF（200 mL）溶液中滴加苯基溴化鎂（PhMgBr）-四氫呋喃溶液（1 mol/L，330 mL），在室溫下攪拌1小時。然後慢慢加入甲醇（10 mL），繼而加入濃鹽酸（10 mL）。藉由蒸發器將四氫呋喃去除後，利用乙酸乙酯-水進行分液，利用硫酸鈉進行乾燥後，進行濃縮。利用矽膠管柱層析對所獲得的溶液進行精製，獲得化合物c-2（29.6 g）。 在冰浴冷卻下，向DMF（200 mL）中滴加氯化磷醯（54.7 g），並攪拌1小時。繼而，加入化合物c-2（29.6 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-3（35.7 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例3] [化34]
Figure 02_image063
在冰浴冷卻下，向DMF（250 mL）中滴加氯化磷醯（81.1 g），在此狀態下攪拌1小時。繼而，加入環戊酮（25.0 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-4（41.9 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例4] [化35]
Figure 02_image065
在環戊酮（25.0 g）的乙腈溶液（150 mL）中加入二苯基胺（25.1 g）與四氟硼酸42%水溶液（46.6 g），回流2小時，然後放冷。對所析出的固體進行過濾，利用冷甲醇清洗，藉此獲得化合物c-5（82.6 g）。 將化合物c-5（82.6 g）及N-苯基甲醯亞胺乙酯（80.1 g）在丁腈（250 mL）中回流2小時，然後放冷至室溫。藉由加入二***（1 L）來對析出的固體進行過濾，並使其溶解於甲醇（200 mL）中，加入甲苯（1 L）後固體析出。對所述固體進行過濾、乾燥，藉此獲得目標化合物c-6（90.7 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例5] [化36]
Figure 02_image067
在冰浴冷卻下，向4-甲基環己酮（25.0 g）的THF（100 mL）溶液中滴加苯基溴化鎂-四氫呋喃溶液（1 mol/L，250 mL），在室溫下攪拌1小時。然後慢慢加入甲醇（10 mL），繼而加入濃鹽酸（10 mL）。藉由蒸發器將四氫呋喃去除後，利用乙酸乙酯-水進行分液，利用硫酸鈉進行乾燥後，進行濃縮。利用矽膠管柱層析對所獲得的溶液進行精製，獲得化合物c-7（26.1 g）。 在冰浴冷卻下，向DMF中滴加氯化磷醯（33.0 g），並攪拌1小時。繼而，加入化合物c-7（26.1 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-8（24.6 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例6] [化37]
Figure 02_image069
在冰浴冷卻下，向DMF（250 mL）中滴加氯化磷醯（89.0 g），在此狀態下攪拌1小時。繼而，加入3-戊酮（25.0 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-9（9.3 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例7] [化38]
Figure 02_image071
在冰浴冷卻下，向DMF（250 mL）中滴加氯化磷醯（45.0 g），在此狀態下攪拌1小時。繼而，加入2,2,6,6-四甲基庚烷-4-酮（25.0 g），在80℃下加熱3小時。放冷至室溫後，加入冰水，放置一晚。對混合物進行過濾，獲得淡黃色的目標化合物c-10（7.2 g）。目標化合物的鑑定使用的是NMR及LC-MS。
[中間體合成例8] [化39]
Figure 02_image073
在利用「生物有機與醫藥化學（Bioorganic and Medicinal Chemistry）」,2013,vol.21,#11,p.2826-2831中記載的方法合成的化合物e-1（20.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入三甲基乙酸乙酯（52.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中（dispersion in Paraffin Liquid））9.6 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，藉此獲得化合物e-2。 然後，不對化合物e-2進行精製而追加濃鹽酸15 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-3（11.5 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及氫譜核磁共振（1 H-NMR）分析來進行。 對化合物e-3（11.5 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-4（10.5 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例9] [化40]
Figure 02_image075
在利用「生物有機與醫藥化學（Bioorganic and Medicinal Chemistry）」,2013,vol.21,#11,p.2826-2831中記載的方法合成的化合物e-1（20.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入異丁酸乙酯（50.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）9.6 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，藉此獲得化合物e-5。 然後，不對化合物e-5進行精製而追加濃鹽酸15 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-6（10.4 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-6（10.4 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-7（8.3 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例10] [化41]
Figure 02_image077
化合物e-8可使用「有機化學通訊（Organic Letters）」,2015,vol.17,#13,p.3306-3309中記載的方法來合成。
[中間體合成例11] [化42]
Figure 02_image079
化合物e-9可使用「歐洲有機化學雜誌（European Journal of Organic Chemistry）」,2018,vol.2018,#2,p.240-246中記載的方法來合成。
[中間體合成例12] [化43]
Figure 02_image081
化合物e-10可使用「有機化學雜誌（Journal of Organic Chemistry）」,2000,vol.65,#7,p.2236-2238,PF6中記載的方法來合成。
[中間體合成例13] [化44]
Figure 02_image083
在化合物e-11（20.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入三甲基乙酸乙酯（45.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）9.6 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，獲得化合物e-12。 然後，不對化合物e-12進行精製而追加濃鹽酸15 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析（己烷/乙酸乙酯=4/1）對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-13（19.1 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-13（19.1 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液30 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-14（16.8 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例14] [化45]
Figure 02_image085
化合物e-15可使用「美國化學學會誌（Journal of the American Chemical Society）」,2015,vol.137,#14,p.4759-4765中記載的方法來合成。
[中間體合成例15] [化46]
Figure 02_image087
化合物e-16可使用「化學學會誌（Journal of Chemical Society）.珀金學報（Perkin Transactions）1」（2001）,2000,#4,p.599-603中記載的方法來合成。
[中間體合成例16] [化47]
Figure 02_image089
在二氯甲烷（100 mL）中，在室溫下將化合物e-17（20.0 g）、草醯氯（22.0 g）、吡啶（13.7 g）及DMF（1 mL）攪拌1小時。藉由蒸發器將二氯甲烷去除，獲得包含化合物e-18的混合物。 加入所獲得的混合物、乙腈（200 mL）、5-甲基-2-羥基苯乙酮（21.3 g）及三乙胺（15.1 g），在室溫下進行攪拌。利用蒸發器將乙腈去除，利用乙酸乙酯-水進行分液後，利用硫酸鈉使有機層乾燥。利用蒸發器將有機層的乙酸乙酯去除，獲得化合物e-19。 不對所述化合物e-19進行精製而使其溶解於t-BuOH（100 mL）中，加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）6.3 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，藉此獲得化合物e-20。 然後，不對化合物e-20進行精製而追加濃鹽酸20 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-21（27.3 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-21（27.3 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-22（16.2 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例17] [化48]
Figure 02_image091
在二氯甲烷（100 mL）中，在室溫下將化合物e-23（20.0 g）、草醯氯（21.4 g）、吡啶（13.4 g）及DMF（1 mL）攪拌1小時。藉由蒸發器將二氯甲烷去除，獲得包含化合物e-24的混合物。 加入所獲得的混合物、乙腈（200 mL）、5-甲基-2-羥基苯乙酮（20.8 g）及三乙胺（14.8 g），在室溫下進行攪拌。利用蒸發器將乙腈去除，利用乙酸乙酯-水進行分液後，利用硫酸鈉使有機層乾燥。利用蒸發器將有機層的乙酸乙酯去除，獲得化合物e-25。 不對所述化合物e-25進行精製而使其溶解於t-BuOH（100 mL）中，加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）6.1 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥。使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，獲得化合物e-26。 然後，不對化合物e-26進行精製而追加濃鹽酸30 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-27（27.0 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-27（27.0 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-28（15.9 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例18] [化49]
Figure 02_image093
在化合物e-29（25.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入三甲基乙酸乙酯（50.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）6.7 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸15 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，藉此獲得化合物e-30。 然後，不對化合物e-30進行精製而追加濃鹽酸30 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-31（16.2 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-31（16.2 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-32（12.9 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例19] [化50]
Figure 02_image095
在化合物e-11（25.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入異丁酸乙酯（52.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）7.3 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，獲得化合物e-33。 然後，不對化合物e-33進行精製而追加濃鹽酸20 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-34（17.1 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-34（17.1 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-35（14.6 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例20] [化51]
Figure 02_image097
在化合物e-36（25.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入2-甲基丁酸乙酯（55.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）6.0 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，獲得化合物e-37。 然後，不對化合物e-37進行精製而追加濃鹽酸60 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-38（15.9 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 對化合物e-38（15.9 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-39（13.8 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例21] [化52]
Figure 02_image099
在利用「瑞士化學學報（Helvetica Chimica Acta）」,1981,vol.64,#5,p.1672-1681中記載的方法而合成的化合物e-40（25.0 g）中加入無水氯化鋁（29.1 g），在130℃下加熱2小時。然後放冷至室溫，在冰浴冷卻下加入冰水、乙酸乙酯1 L。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-41（20.0 g）。 在化合物e-41（20.0 g）的t-BuOH（150 mL）溶液中加入三甲基乙酸乙酯（50.0 g），並加入氫化鈉（60%，分散於液體石蠟中）5.5 g後，在80℃下攪拌3小時。然後冷卻至室溫，加入濃鹽酸20 mL。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除，獲得化合物e-42。 然後，不對化合物e-42進行精製而追加濃鹽酸60 mL，在40℃下進行攪拌。1小時後，對反應溶液進行冰浴冷卻，並加入1 N氫氧化鈉水溶液進行中和。利用乙酸乙酯-水進行分液清洗後，加入硫酸鈉進行乾燥，使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-43（15.4 g）。化合物的鑑定藉由LC-MS及1 H-NMR分析來進行。 使化合物e-43（15.4 g）、苯硼酸（11.7 g）、四(三苯基膦)鈀（1.0 g）、碳酸鉀（60.0 g）溶解於甲苯50 mL、水50 mL的混合溶液中，一邊劇烈攪拌，一邊在110℃下加熱12小時。放冷至室溫後，利用甲苯-水進行分液清洗，在有機層中加入硫酸鈉進行乾燥，並使用蒸發器將溶媒蒸餾去除。利用矽膠管柱層析對所獲得的混合物進行精製，藉此獲得化合物e-44（12.4 g）。 對化合物e-44（12.4 g）及四氫呋喃90 mL一邊攪拌一邊進行冰浴冷卻。在冰浴冷卻5分鐘後，滴加甲基碘化鎂-二***溶液（1 mol/L，50 mL），加熱至35℃並攪拌2小時。繼而，對反應溶液進行冰浴冷卻，加入20%過氯酸水溶液90 mL，將所析出的固體過濾分離，利用水60 mL清洗，在50℃下進行減壓乾燥，藉此獲得化合物e-45（10.4 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[中間體合成例22] [化53]
Figure 02_image101
在0℃下，在亞甲基環己烷（5.2 g）與1-金剛烷甲醯氯（Ad-COCl，22 g）的混合溶液中加入三氟甲烷磺酸（10 g）後，在90℃下加熱10分鐘。然後將反應溶液冷卻至0℃，加入己烷150 mL、醚50 mL、水50 mL進行攪拌。對所析出的固體進行過濾，利用己烷清洗，經過減壓乾燥而獲得化合物e-46（4.2 g）。化合物的鑑定藉由1 H-NMR分析來進行。
[色素合成例1] [化54]
Figure 02_image103
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在70℃下將化合物e-4（5.0 g）及化合物c-1（1.0 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-1（2.7 g）。化合物d-1的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-1（2.7 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（3.8 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-25（4.4 g）。化合物z-25的鑑定利用1 H-NMR、氟譜核磁共振（19 F-NMR）及LC-MS來進行。
[色素合成例2] [化55]
Figure 02_image105
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在70℃下將化合物e-7（5.0 g）及化合物c-3（1.2 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-2（2.6 g）。化合物d-2的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-2（2.6 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（3.7 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-130（4.2 g）。化合物z-130的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例3] [化56]
Figure 02_image107
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-8（5.0 g）及化合物c-4（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-3（2.6 g）。化合物d-3的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-3（2.6 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.3 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-184（4.5 g）。化合物z-184的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例4] [化57]
Figure 02_image109
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-9（5.0 g）及化合物c-1（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-4（3.2 g）。化合物d-4的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-4（3.2 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.9 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-191（4.9 g）。化合物z-191的鑑定藉由1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例5] [化58]
Figure 02_image111
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在50℃下將化合物e-10（5.0 g）及化合物c-4（0.98 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-5（3.5 g）。化合物d-5的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-5（3.5 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.7 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-211（5.3 g）。化合物z-211的鑑定藉由1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例6] [化59]
Figure 02_image113
在乙酸酐（30 mL）中，在100℃下將化合物e-14（5.0 g）、化合物c-6（3.5 g）及乙酸鈉（1.4 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：甲醇）進行精製，藉此獲得化合物d-6（3.7 g）。化合物d-6的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-6（3.7 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.9 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-273（5.5 g）。化合物z-273的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例7] [化60]
Figure 02_image115
在乙酸酐（30 mL）中，在100℃下將化合物e-15（5.0 g）、化合物c-6（2.8 g）及乙酸鈉（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：甲醇）進行精製，藉此獲得化合物d-7（3.7 g）。化合物d-7的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-7（3.7 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-277（5.4 g）。化合物z-277的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例8] [化61]
Figure 02_image117
在乙酸酐（30 mL）中，在100℃下將化合物e-16（5.0 g）、化合物c-6（4.0 g）及乙酸鈉（1.5 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：甲醇）進行精製，藉此獲得化合物d-8（3.5 g）。化合物d-8的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-8（3.5 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（5.1 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-298（5.6 g）。化合物z-298的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例9] [化62]
Figure 02_image119
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-22（5.0 g）以及化合物c-1（1.0 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-9（2.9 g）。化合物d-9的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-9（2.9 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.0 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-311（4.5 g）。化合物z-311的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例10] [化63]
Figure 02_image121
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-28（5.0 g）以及化合物c-1（1.0 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-10（3.0 g）。化合物d-10的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-10（3.0 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.1 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-332（4.1 g）。化合物z-332的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例11] [化64]
Figure 02_image123
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-32（5.0 g）以及化合物c-1（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-11（3.0 g）。化合物d-11的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-11（3.0 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.5 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-359（4.8 g）。化合物z-359的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例12] [化65]
Figure 02_image125
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-35（5.0 g）以及化合物c-4（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-12（2.6 g）。化合物d-12的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-12（2.6 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.4 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-128（4.6 g）。化合物z-128的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例13] [化66]
Figure 02_image127
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在60℃下將化合物e-9（5.0 g）以及化合物c-4（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-13（3.1 g）。化合物d-13的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-13（3.1 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.8 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-199（4.9 g）。化合物z-199的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例14] [化67]
Figure 02_image129
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-8（5.0 g）以及化合物c-1（1.0 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-14（3.0 g）。化合物d-14的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-14（3.0 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.7 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-153（5.0 g）。化合物z-153的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例15] [化68]
Figure 02_image131
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-39（5.0 g）以及化合物c-8（2.5 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-15（3.5 g）。化合物d-15的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-15（3.5 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（4.7 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-72（5.3 g）。化合物z-72的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例16] [化69]
Figure 02_image133
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-45（5.0 g）以及化合物c-1（0.9 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-16（6.0 g）。化合物d-16的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-16（6.0 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（7.3 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-360（8.7 g）。化合物z-360的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例17] [化70]
Figure 02_image135
在乙酸酐（30 mL）中，在100℃下將化合物e-28（5.0 g）、戊二烯醛縮二苯胺鹽酸鹽（glutaconaldehydedianil hydrochloride）（5.4 g）及乙酸鈉（1.2 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：甲醇）進行精製，藉此獲得化合物d-17（5.4 g）。化合物d-17的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-17（5.4 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（8.4 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-362（8.7 g）。化合物z-362的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例18] [化71]
Figure 02_image137
在乙酸酐（30 mL）中，在100℃下將化合物e-45（5.0 g）、戊二烯醛縮二苯胺鹽酸鹽（4.7 g）及乙酸鈉（1.1 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：甲醇）進行精製，藉此獲得化合物d-18（4.7 g）。化合物d-18的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-18（4.7 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（6.3 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-363（7.0 g）。化合物z-363的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例19] [化72]
Figure 02_image139
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-46（5.0 g）、化合物c-4（0.6 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-19（6.0 g）。化合物d-19的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-19（6.1 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（5.6 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-364（8.5 g）。化合物z-364的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例20] [化73]
Figure 02_image141
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-28（5.0 g）、化合物c-9（0.9 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-20（6.7 g）。化合物d-20的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-20（6.7 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（9.5 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-365（11.1 g）。化合物z-365的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例21] [化74]
Figure 02_image143
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-45（5.0 g）、化合物c-9（0.8 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-21（5.9 g）。化合物d-21的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-21（5.9 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（7.3 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-366（8.5 g）。化合物z-366的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例22] [化75]
Figure 02_image145
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-28（5.0 g）、化合物c-10（1.4 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-22（5.3 g）。化合物d-22的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-22（5.3 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（6.8 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-367（8.4 g）。化合物z-367的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[色素合成例23] [化76]
Figure 02_image147
在甲苯（20 mL）/甲醇（20 mL）中，在90℃下將化合物e-45（5.0 g）、化合物c-10（1.3 g）加熱1小時。在室溫下放冷後，利用蒸發器將溶媒去除，利用矽膠管柱層析（流動相：己烷/乙酸乙酯=3/1）進行精製，藉此獲得化合物d-23（4.3 g）。化合物d-23的鑑定利用1 H-NMR及LC-MS來進行。 在二氯甲烷（30 mL）/水（30 mL）中，在室溫下將化合物d-23（4.3 g）與四(五氟苯基)硼酸鋰-二***錯合物（5.4 g）攪拌8小時，利用矽膠管柱層析（流動相：二氯甲烷）進行精製，藉此獲得化合物z-368（6.7 g）。化合物z-368的鑑定利用1 H-NMR、19 F-NMR及LC-MS來進行。
[樹脂合成例1] 將下述式（a）所表示的8-甲基-8-甲氧基羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]十二-3-烯（以下亦稱為「DNM」。）100質量份、1-己烯（分子量調節劑）18質量份及甲苯（開環聚合反應用溶媒）300質量份裝入至經氮氣置換的反應容器中，並將此溶液加熱至80℃。繼而，在反應容器內的溶液中添加作為聚合觸媒的三乙基鋁的甲苯溶液（0.6莫耳/升（mol/liter））0.2質量份、以及甲醇改質的六氯化鎢的甲苯溶液（濃度為0.025莫耳/升）0.9質量份，將此溶液在80℃下加熱攪拌3小時，藉此進行開環聚合反應而獲得開環聚合物溶液。所述聚合反應中的聚合轉化率為97%。
[化77]
Figure 02_image149
將前述中所獲得的開環聚合物溶液1,000質量份裝入至高壓釜中，在所述開環聚合物溶液中添加0.12質量份的RuHCl(CO)[P(C6 H5 )3 ]3 ，在氫氣壓為100 kg/cm2 、反應溫度為165℃的條件下加熱攪拌3小時來進行氫化反應。將所獲得的反應溶液（氫化聚合物溶液）冷卻後，對氫氣進行放壓。將所獲得的反應溶液注入至大量的甲醇中來分離回收凝固物，並對其進行乾燥，獲得氫化聚合物（以下亦稱為「樹脂A」。）。所獲得的樹脂A的數量平均分子量（Mn）為32,000，重量平均分子量（Mw）為137,000，玻璃轉移溫度（Tg）為165℃。
[樹脂合成例2] 在3 L的四口燒瓶中添加2,6-二氟苯甲腈35.12 g（0.253 mol）、9,9-雙(4-羥基苯基)芴87.60 g（0.250 mol）、碳酸鉀41.46 g（0.300 mol）、N,N-二甲基乙醯胺443 g及甲苯111 g。繼而，對四口燒瓶安裝溫度計、攪拌機、帶有氮氣導入管的三通旋塞、迪安-斯塔克（Dean-Stark）管及冷卻管。繼而，對燒瓶內進行氮氣置換後，使所獲得的溶液在140℃下反應3小時，將所生成的水自迪安-斯塔克管中隨時除去。當確認不到水的生成時，使溫度緩緩地上升至160℃，保持所述溫度來進行6小時反應。然後，冷卻至室溫（25℃），利用濾紙將所生成的鹽去除，將濾液投入至甲醇中進行再沈澱，並藉由過濾分離來分離濾物（殘渣）。將所獲得的濾物在60℃下真空乾燥一晚，藉此獲得白色粉末（以下亦稱為「樹脂B」。）（產率為95%）。所獲得的樹脂B的數量平均分子量（Mn）為75,000，重量平均分子量（Mw）為188,000，玻璃轉移溫度（Tg）為285℃。
[樹脂合成例3] 在包括溫度計、攪拌器、氮氣導入管、帶有側管的滴液漏斗、迪安-斯塔克管及冷卻管的500 mL的五口燒瓶中，在氮氣氣流下放入1,4-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯27.66 g（0.08莫耳）及4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯7.38 g（0.02莫耳），並使該些溶解於γ-丁內酯68.65 g及N,N-二甲基乙醯胺17.16 g中。使用冰水浴將所獲得的溶液冷卻至5℃，一邊保持為所述溫度，一邊成批地添加1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐22.62 g（0.1莫耳）及作為醯亞胺化觸媒的三乙胺0.50 g（0.005莫耳）。添加結束後，升溫至180℃，一邊隨時將餾出液蒸餾去除，一邊回流6小時。反應結束後，風冷至內溫成為100℃為止，繼而加入N,N-二甲基乙醯胺143.6 g進行稀釋，一邊攪拌一邊進行冷卻，藉此獲得固體成分濃度為20質量%的聚醯亞胺溶液264.16 g。將所述聚醯亞胺溶液的一部分注入至1 L的甲醇中而使聚醯亞胺沈澱。利用甲醇對過濾分離出的聚醯亞胺進行清洗後，在100℃的真空乾燥機中乾燥24小時，藉此獲得白色粉末（以下亦稱為「樹脂C」。）。對所獲得的樹脂C的IR光譜進行測定，結果可見醯亞胺基所特有的1704 cm-1 、1770 cm-1 的吸收。樹脂C的玻璃轉移溫度（Tg）為310℃，測定對數黏度而得的結果為0.87。
[實施例1] 〔基材的製作〕 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的下述化合物（z-25）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為933 nm）0.04質量份、作為化合物（X）的下述化合物（x-1）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為711 nm）0.06質量份及下述化合物（x-2）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為738 nm）0.07質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液。將所獲得的溶液澆鑄至平滑的玻璃板上，以20℃乾燥8小時後，自玻璃板剝離。將所剝離的塗膜進而在減壓下以100℃乾燥8小時，獲得厚度0.1 mm、縱210 mm、橫210 mm的樹脂層（1）。
・化合物（z-25） [化78]
Figure 02_image151
・化合物（x-1） [化79]
Figure 02_image153
・化合物（x-2） [化80]
Figure 02_image155
在所獲得的樹脂層（1）的單面，利用棒塗機，以獲得的樹脂層（2）的厚度成為3 μm的方式塗佈下述樹脂組成物（1），在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。接著，使用UV輸送機式曝光機（艾古非（Eye Graphics）（股）製造，艾（Eye）紫外線硬化用裝置，型號US2-X0405，60 Hz）進行曝光（曝光量為500 mJ/cm2 ，照度：200 mW/cm2 ），使樹脂組成物（1）硬化，從而在樹脂層（1）上形成樹脂層（2）。同樣地，在樹脂層（1）的另一面上亦形成包含樹脂組成物（1）的樹脂層（2）。藉此，獲得在包含化合物（Z）的樹脂層（1）的兩面具有不含化合物（Z）的樹脂層（2）的基材。
樹脂組成物（1）：包含三環癸烷二甲醇丙烯酸酯60質量份、二季戊四醇六丙烯酸酯40質量份、1-羥基環己基苯基酮5質量份、及甲基乙基酮（溶劑，以獲得的組成物中的固體成分濃度成為30質量%的方式使用）的組成物
對化合物（z-25）在二氯甲烷溶液中的分光特性、以及所獲得的基材的Xa、Ta及Tb進行測定。將結果分別示於表10及表11。另外，將所獲得的基材的分光特性示於圖1。
表10中的要件（A）～要件（D）表示所述＜化合物（Z）＞一欄的要件（A）～要件（D）。再者，在表10中，將在使用將各化合物溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜（其中，所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜。）中，在波長950 nm～1150 nm的範圍中具有透射率為85%的波長的情況設為○，將不具有所述波長的情況設為×。
＜耐熱性評價＞ 利用預先加熱至155℃的烘箱，將所述基材的製作中所獲得的基材加熱7小時，測定此加熱試驗後的基材的Tc及Td。將結果示於表11。
＜耐UV性評價＞ 使用UV曝光機（岩崎電氣（股）製造，艾紫外線硬化用裝置US2-KO4501，照度：180 mW/cm2 ，照射量：560 mJ/cm2 ）對所述基材的製作中所獲得的基材照射UV，並測定此UV照射後的基材的Te及Tf。將結果示於表11。
〔光學濾波器的製作〕 在所述基材的製作中所獲得的基材的單面形成電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於圖2及表11。
電介質多層膜（I）是在蒸鍍溫度100℃下將二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的積層體（合計28層）。電介質多層膜（II）是在蒸鍍溫度100℃下將二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的積層體（合計24層）。 在電介質多層膜（I）及電介質多層膜（II）的任一者中，二氧化矽層及二氧化鈦層均自基材側起以二氧化鈦層、二氧化矽層、二氧化鈦層、···二氧化矽層、二氧化鈦層、二氧化矽層的順序交替地積層，並將光學濾波器的最外層設為二氧化矽層。
關於各層的厚度與層數，以可達成可見波段的良好的透射率以及近紅外波段的反射性能的方式，結合基材折射率的波長依存特性、所使用的化合物（Z）及化合物（X）的吸收特性，使用光學薄膜設計軟體（核心麥克勞德（Essential Macleod），薄膜中心（Thin Film Center）公司製造）進行最佳化。當進行最佳化時，在本實施例中將針對軟體的輸入參數（目標（Target）值）設為如下述表8所示。
[表8]
電介質多層膜 波長（nm） 針對軟體的輸入參數
入射角 所需角 目標公差 類型
（I） 400～450 20 100 0.2 透射率
390～700 0 100 1 透射率
710～1000 0 0 1 透射率
（II） 480～540 25 100 0.15 透射率
420～840 0 100 1 透射率
950～1260 0 0 1 透射率
進行膜結構最佳化的結果為：所述電介質多層膜（I）設為將物理膜厚約32 nm～159 nm的二氧化矽層與物理膜厚約9 nm～94 nm的二氧化鈦層交替地積層而成的積層數28層的多層蒸鍍膜，電介質多層膜（II）設為將物理膜厚約39 nm～193 nm的二氧化矽層與物理膜厚約12 nm～117 nm的二氧化鈦層交替地積層而成的積層數24層的多層蒸鍍膜。將進行了最佳化的膜結構的一例示於下述表9。
[表9]
電介質多層膜 層 層材料 物理膜厚（nm） 光學膜厚（nd）
（I） 1 SiO2 78.5 0.208
2 TiO2 88.4 0.400
3 SiO2 158.7 0.421
4 TiO2 86.9 0.393
5 SiO2 152.9 0.406
6 TiO2 84.1 0.381
7 SiO2 151.9 0.403
8 TiO2 82.4 0.373
9 SiO2 149.8 0.398
10 TiO2 81.1 0.367
11 SiO2 148.0 0.393
12 TiO2 80.1 0.362
13 SiO2 147.3 0.391
14 TiO2 79.7 0.361
15 SiO2 147.3 0.391
16 TiO2 80.3 0.363
17 SiO2 148.0 0.393
18 TiO2 81.1 0.367
19 SiO2 149.4 0.397
20 TiO2 81.3 0.368
21 SiO2 150.7 0.400
22 TiO2 82.5 0.373
23 SiO2 149.8 0.398
24 TiO2 86.4 0.391
25 SiO2 159.2 0.423
26 TiO2 93.7 0.424
27 SiO2 32.2 0.085
28 TiO2 9.4 0.042
基材
（II） 29 TiO2 11.5 0.052
30 SiO2 38.7 0.103
31 TiO2 116.7 0.528
32 SiO2 190.4 0.508
33 TiO2 111.2 0.503
34 SiO2 192.1 0.512
35 TiO2 112.3 0.508
36 SiO2 192.0 0.512
37 TiO2 111.9 0.506
38 SiO2 191.9 0.512
39 TiO2 111.8 0.506
40 SiO2 192.7 0.514
41 TiO2 111.7 0.505
42 SiO2 193.2 0.515
43 TiO2 111.9 0.506
44 SiO2 193.1 0.515
45 TiO2 112.0 0.507
46 SiO2 192.5 0.513
47 TiO2 112.6 0.509
48 SiO2 192.6 0.513
49 TiO2 111.9 0.506
50 SiO2 191.3 0.510
51 TiO2 111.0 0.502
52 SiO2 95.4 0.254
[實施例2] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-130）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為939 nm）0.04質量份，代替化合物（x-1）0.06質量份而使用下述化合物（x-3）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為700 nm）0.06質量份，代替化合物（x-2）0.07質量份而使用下述化合物（x-4）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為732 nm）0.07質量份，代替樹脂A而使用樹脂B，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-130）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-130） [化81]
Figure 02_image157
・化合物（x-3） [化82]
Figure 02_image159
・化合物（x-4） [化83]
Figure 02_image161
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例3] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-184）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為1065 nm）0.05質量份，代替化合物（x-2）0.07質量份而使用化合物（x-4）0.07質量份，代替樹脂A而使用樹脂C，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-184）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-184） [化84]
Figure 02_image163
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例4] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-191）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為861 nm）0.05質量份，代替化合物（x-1）0.06質量份而使用化合物（x-3）0.06質量份，代替樹脂A而使用日本觸媒（股）製造的阿庫利維阿（Acryviewa），除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-191）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-191） [化85]
Figure 02_image165
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例5] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-211）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為976 nm）0.05質量份，代替樹脂A而使用帝人（股）製造的普艾斯（PURE-ACE），除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-211）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-211） [化86]
Figure 02_image167
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例6] 在實施例1中，不使用化合物（x-1）及化合物（x-2），除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表11。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例7] 在實施例2中，不使用化合物（x-3）及化合物（x-4），除此以外，與實施例2同樣地進行而獲得基材。 與實施例2同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表11。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例8] 在實施例3中，不使用化合物（x-1）及化合物（x-4），除此以外，與實施例3同樣地進行而獲得基材。 與實施例3同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表11。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例9] 在實施例4中，代替化合物（z-191）0.05質量份而使用下述化合物（z-273）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為868 nm）0.06質量份，除此以外，與實施例4同樣地進行而獲得基材。 與實施例4同樣地測定化合物（z-273）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-273） [化87]
Figure 02_image169
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例10] 在實施例5中，代替化合物（z-211）0.05質量份而使用下述化合物（z-277）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為892 nm）0.05質量份，除此以外，與實施例5同樣地進行而獲得基材。 與實施例5同樣地測定化合物（z-277）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-277） [化88]
Figure 02_image171
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例11] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-298）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為1016 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-298）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-298） [化89]
Figure 02_image173
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例12] 在實施例2中，代替化合物（z-130）0.04質量份而使用下述化合物（z-311）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為933 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例2同樣地進行而獲得基材。 與實施例2同樣地測定化合物（z-311）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-311） [化90]
Figure 02_image175
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例13] 在實施例3中，代替化合物（z-184）0.05質量份而使用下述化合物（z-332）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為932 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例3同樣地進行而獲得基材。 與實施例3同樣地測定化合物（z-332）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-332） [化91]
Figure 02_image177
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例14] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-359）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為933 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-359）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-359） [化92]
Figure 02_image179
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-360）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為943 nm）0.04質量份，代替化合物（x-1）0.06質量份而使用化合物（x-3）0.06質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-360）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-360） [化93]
Figure 02_image181
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-1] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-362）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為893 nm）0.04質量份，代替樹脂A而使用帝人（股）製造的普艾斯（PURE-ACE），除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-362）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-362） [化94]
Figure 02_image183
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-2] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-363）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為898 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-363）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-363） [化95]
Figure 02_image185
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-3] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-364）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為941 nm）0.04質量份，代替樹脂A而使用樹脂B，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-364）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-364） [化96]
Figure 02_image187
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-4] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-365）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為934 nm）0.04質量份，代替樹脂A而使用樹脂C，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-365）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-365） [化97]
Figure 02_image189
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-5] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-366）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為939 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-366）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-366） [化98]
Figure 02_image191
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-6] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-367）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為942 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-367）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-367） [化99]
Figure 02_image193
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例15-7] 在實施例1中，代替化合物（z-25）0.04質量份而使用下述化合物（z-368）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為945 nm）0.04質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-368）在二氯甲烷中的分光特性，並測定所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（z-368） [化100]
Figure 02_image195
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[實施例16] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-1）0.56質量份及化合物（x-2）0.68質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器（millipore filter）進行過濾，獲得樹脂溶液（E16-1）。 同樣地，加入樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的下述化合物（z-128）（二氯甲烷中的最大吸收波長：942 nm）0.42質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E16-2）。
・化合物（z-128） [化101]
Figure 02_image197
藉由旋塗，以乾燥後的膜厚成為約1 μm的方式，將下述樹脂組成物（2）塗佈於切割為200 mm×200 mm的大小的日本電氣硝子（股）製造的透明玻璃支撐體「OA-10G」（厚度200 μm）的兩面，然後在加熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成作為玻璃支撐體與後述的塗佈樹脂層（1）及塗佈樹脂層（2）的接著層發揮功能的接著層。
接著，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E16-1）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的單面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（2）。進而，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E16-2）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的另一面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在玻璃支撐體的其中一面積層有包含化合物（Z）的樹脂層、在另一面積層有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度222 μm的基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-128）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表10及表12。
樹脂組成物（2）：將異三聚氰酸環氧乙烷改質三丙烯酸酯（商品名：亞羅尼斯（Aronix）M-315，東亞合成（股）製造）30質量份、1,9-壬二醇二丙烯酸酯20質量份、甲基丙烯酸20質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯30質量份、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷5質量份、1-羥基環己基二苯甲酮（商品名：豔佳固（IRGACURE）184，日本巴斯夫（BASF Japan）（股）製造）5質量份及桑艾德（San-Aid）SI-110主劑（三新化學工業（股）製造）1質量份混合，並以固體成分濃度成為50質量%的方式溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中後，利用孔徑0.2 μm的微孔過濾器進行過濾而得的組成物
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.226 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[實施例17] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-2）0.68質量份及化合物（x-3）0.55質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E17-1）。 同樣地，加入樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的下述化合物（z-199）（二氯甲烷中的最大吸收波長：884 nm）0.45質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E17-2）。
・化合物（z-199） [化102]
Figure 02_image199
在樹脂製支撐體（瑞翁諾阿（Zeonor）膜ZF-16，日本瑞翁（Zeon）（股）製造，100 μm厚）的單面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（E17-1），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，形成塗佈樹脂層（2）。進而，在樹脂製支撐體的另一面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（E17-2），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在樹脂製支撐體的其中一面具有包含化合物（Z）的樹脂層、在另一面具有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度120 μm的基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-199）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表10及表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.124 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[實施例18] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的下述化合物（z-153）（二氯甲烷中的最大吸收波長：1054 nm）0.52質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E18）。
・化合物（z-153） [化103]
Figure 02_image201
藉由旋塗，以乾燥後的膜厚成為約1 μm的方式，將所述樹脂組成物（2）塗佈於切割為200 mm×200 mm的大小的松浪硝子工業（股）製造的吸收型玻璃支撐體「BS-6」（厚度200 μm）的單面，然後在加熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成作為吸收型玻璃支撐體與後述的塗佈樹脂層（1）的接著層發揮功能的接著層。
接著，在所述接著層上，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（E18），在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在吸收型玻璃支撐體的單面積層有包含化合物（Z）的樹脂層的厚度211 μm的基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-153）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表10及表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.215 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[實施例19] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-3）0.57質量份及化合物（x-4）0.68質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E19-1）。 同樣地，加入樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的前述化合物（z-211）0.52質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E19-2）。
藉由旋塗，以乾燥後的膜厚成為約1 μm的方式，將所述樹脂組成物（2）塗佈於切割為200 mm×200 mm的大小的日本電氣硝子（股）製造的透明玻璃支撐體「OA-10G」（厚度200 μm）的兩面，然後在加熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成作為玻璃支撐體與後述的後述的塗佈樹脂層（1）及塗佈樹脂層（2）的接著層發揮功能的接著層。
接著，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E19-1）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的單面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（2）。進而，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E19-2）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的另一面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在玻璃支撐體的其中一面積層有包含化合物（Z）的樹脂層、在另一面積層有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度222 μm的基材。 與實施例1同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.226 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[實施例20] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-3）0.57質量份及化合物（x-4）0.68質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E20-1）。 同樣地，加入樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的下述化合物（z-72）（二氯甲烷中的最大吸收波長：937 nm）0.42質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E20-2）。
・化合物（z-72） [化104]
Figure 02_image203
在樹脂製支撐體（瑞翁諾阿（Zeonor）膜ZF-16，日本瑞翁（Zeon）（股）製造，100 μm厚）的單面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（E20-1），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，獲得塗佈樹脂層（2）。進而，在樹脂製支撐體的另一面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（E20-2），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在樹脂製支撐體的其中一面具有包含化合物（Z）的樹脂層、在另一面具有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度120 μm的基材。 與實施例1同樣地測定化合物（z-72）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表10及表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.124 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[實施例21] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-1）0.56質量份及化合物（x-2）0.68質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E21-1）。 同樣地，加入樹脂A 100質量份、作為化合物（Z）的前述化合物（z-311）0.45質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（E21-2）。
藉由旋塗，以乾燥後的膜厚成為約1 μm的方式，將所述樹脂組成物（2）塗佈於切割為200 mm×200 mm的大小的日本電氣硝子（股）製造的透明玻璃支撐體「OA-10G」（厚度200 μm）的兩面，然後在加熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成作為玻璃支撐體與後述的塗佈樹脂層（1）及塗佈樹脂層（2）的接著層發揮功能的接著層。
接著，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E21-1）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的單面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（2）。進而，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（E21-2）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的另一面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（1）。藉此，獲得在玻璃支撐體的其中一面積層有包含化合物（Z）的樹脂層、在另一面積層有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度222 μm的基材。 與實施例1同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表10及表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.226 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[比較例1] 在實施例1中，不使用化合物（Z），除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得基材。 除使用所述基材以外，與實施例1同樣地求出Xa、Ta～Tf。將結果示於表11。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[比較例2] 在實施例2中，不使用化合物（Z），且使用作為化合物（X）的化合物（x-1）0.06質量份、化合物（x-4）0.07質量份及化合物（x-5）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為1095 nm）0.06質量份，除此以外，與實施例2同樣地進行而獲得基材。 與實施例2同樣地測定化合物（x-5）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。另外，將所獲得的基材的分光特性示於圖3。
・化合物（x-5） [化105]
Figure 02_image205
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。另外，將所獲得的光學濾波器的分光特性示於圖4。
[比較例3] 在實施例3中，不使用化合物（Z），且使用作為化合物（X）的化合物（x-2）0.07質量份、化合物（x-3）0.06質量份及化合物（x-6）（在二氯甲烷中的最大吸收波長為835 nm）0.05質量份，除此以外，與實施例3同樣地進行而獲得基材。 與實施例3同樣地測定化合物（x-6）在二氯甲烷中的分光特性，並求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果分別示於表10及表11。
・化合物（x-6） [化106]
Figure 02_image207
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.110 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表11。
[比較例4] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-1）0.29質量份、化合物（x-4）0.32質量份及化合物（X-5）0.30質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（H4-1）。
藉由旋塗，以乾燥後的膜厚成為約1 μm的方式，將所述樹脂組成物（2）塗佈於切割為200 mm×200 mm的大小的日本電氣硝子（股）製造的透明玻璃支撐體「OA-10G」（厚度200 μm）的兩面，然後在加熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成作為玻璃支撐體與後述的塗佈樹脂層（1）及塗佈樹脂層（2）的接著層發揮功能的接著層。
接著，在所述接著層的單面，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（H4-1），在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（1）。進而，使用旋塗機，以乾燥後的膜厚成為10 μm的方式，將樹脂溶液（H4-1）塗佈於形成有所述接著層的玻璃支撐體的另一面，在加熱板上以80℃加熱5分鐘而將溶媒揮發去除，從而形成塗佈樹脂層（2）。藉此，獲得在玻璃支撐體的兩面積層有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度222 μm的基材。 與實施例1同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.226 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[比較例5] 在容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（X）的化合物（x-3）0.27質量份及化合物（x-4）0.31質量份、以及二氯甲烷，製備樹脂濃度為20質量%的溶液，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾，獲得樹脂溶液（H5-1）。
在樹脂製支撐體（瑞翁諾阿（Zeonor）膜ZF-16，日本瑞翁（Zeon）（股）製造，100 μm厚）的單面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（H5-1），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，形成塗佈樹脂層（1）。進而，在樹脂製支撐體的另一面，以乾燥後的厚度成為10 μm的方式塗佈樹脂溶液（H5-1），在80℃下乾燥8小時後，進而在真空中以150℃乾燥8小時，形成塗佈樹脂層（2）。藉此，獲得在透明樹脂基板的兩面具有不含化合物（Z）的樹脂層的厚度120 μm的基材。 與實施例1同樣地求出所獲得的基材的Xa、Ta～Tf。將結果示於表12。
繼而，與實施例1同樣地，在所獲得的基材的單面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計28層的電介質多層膜（I），進而在基材的另一面形成使二氧化矽（SiO2 ）層與二氧化鈦（TiO2 ）層交替地積層而成的合計24層的電介質多層膜（II），獲得厚度約0.124 mm的光學濾波器。 電介質多層膜的設計是與實施例1同樣地在考慮基材折射率的波長依存性等後，使用與實施例1相同的設計參數來進行。 測定所獲得的光學濾波器的自垂直方向所測定的分光透射率，並求出Tg及Th。將結果示於表12。
[表10]
化合物z-25 化合物z-128 化合物z-199 化合物z-153 化合物z-72 化合物z-130 化合物 z-184 化合物 z-191 化合物 z-211 化合物z-359 化合物z-273 化合物z-277 化合物z-298
要件（A） 97.53 95.62 96.21 97.15 97.41 97.47 94.64 98.09 97.13 97.51 95.27 93.35 96.76
要件（B） 933 942 884 1054 937 939 1065 861 976 933 868 892 1016
要件（C） ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
要件（D） 28 31 27 47 35 29 46 23 30 28 40 42 55
化合物z-311 化合物z-332 化合物z-360 化合物z-362 化合物z-363 化合物z-364 化合物z-365 化合物z-366 化合物z-367 化合物z-368 化合物 x-5 化合物 x-6
要件（A） 97.25 97.34 97.31 97.21 96.95 94.45 96.78 97.05 96.78 96.25 92.88 97.54
要件（B） 933 932 943 893 898 941 934 939 942 945 1095 835
要件（C） ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ×
要件（D） 27 29 29 28 28 29 27 28 30 31 83 28
[表11]
實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 15ｰ1 15ｰ2 15ｰ3 15ｰ4 15ｰ5 15ｰ6 15ｰ7 1 2 3
樹脂層 （1） 樹脂 樹脂A 樹脂B 樹脂C Acryviewa PURE-ACE 樹脂A 樹脂B 樹脂C Acryviewa PURE-ACE 樹脂A 樹脂B 樹脂C 樹脂A 樹脂A PURE-ACE 樹脂A 樹脂B 樹脂C 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂B 樹脂C
化合物 （Z） （質量份） （Z-25） 0.04 - - - - 0.04 - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-130） - 0.04 - - - - 0.04 - - - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-184） - - 0.05 - - - - 0.05 - - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-191） - - - 0.05 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-211） - - - - 0.05 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-359） - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - - - -
（Z-273） - - - - - - - - 0.06 - - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-277） - - - - - - - - - 0.05 - - - - - - - - - - - - - - -
（Z-298） - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - - - - - - -
（Z-311） - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - - - - - -
（Z-332） - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - - - - -
（Z-360） - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - - -
（Z-362） - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - - -
（Z-363） - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - - -
（Z-364） - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - - -
（Z-365） - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - - -
（Z-366） - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - - -
（Z-367） - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - - -
（Z-368） - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.04 - - -
化合物 (X） （質量份） (x-1） 0.06 - 0.06 - 0.06 - - - - 0.06 0.06 - 0.06 0.06 - 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 -
(x-2） 0.07 - - 0.07 0.07 - - - 0.07 0.07 0.07 - - 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 - 0.07
(x-3） - 0.06 - 0.06 - - - - 0.06 - - 0.06 - - 0.06 - - - - - - - - - 0.06
(x-4） - 0.07 0.07 - - - - - - - - 0.07 0.07 - - - - - - - - - - 0.07 -
(x-5） - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.06 -
(x-6） - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 0.05
基材 光學特性 Xa（nm） 935 942 1070 872 965 935 942 1070 870 898 1028 936 937 935 945 896 901 945 948 943 947 948 909 1095 850
Ta（%） 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 91.0 4.0 20.0
Tb（%） 83.6 83.7 81.8 84.7 83.6 87.1 87.2 85.2 81.0 82.0 83.8 83.5 83.4 83.6 83.4 83.5 83.2 84.1 83.2 84.1 82.2 84.2 87.8 79.7 84.7
Tc（%） 4.2 4.4 4.3 4.2 4.3 4.2 4.4 4.3 4.5 4.6 4.3 4.3 4.4 4.2 4.2 4.3 4.4 4.4 4.3 4.3 4.5 4.2 91.0 4.7 21.2
Td（%） 83.8 83.9 82 84.8 83.8 87.4 87.4 85.4 80.7 81.5 83.9 83.7 83.7 83.8 83.7 83.6 83.3 84.1 83.4 84.2 82.5 84.6 88.0 78.1 83.4
Te（%） 5.1 5.2 5.4 5.3 5.3 5.1 5.2 5.4 5.2 4.9 4.9 4.9 5 5.1 5 5 5.1 5.2 5.2 5.4 5.3 5.4 91.0 6.2 23.3
Tf（%） 82.8 83.0 81.2 84.0 82.9 86.5 86.6 84.5 81.1 82.2 82.8 82.9 82.7 82.8 82.8 83.1 82.9 83.7 82.8 83.6 81.8 83.7 89.0 77.6 82.5
光學濾波器 電介質多層膜（I） 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
電介質多層膜（II） 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24
光學特性 Tg（%） 0.011 0.010 0.008 0.016 0.009 0.013 0.014 0.009 0.020 0.011 0.012 0.011 0.013 0.011 0.011 0.014 0.014 0.013 0.010 0.011 0.010 0.012 0.020 0.004 0.018
Th（%） 86.0 86.0 84.0 87.0 85.9 89.5 89.6 87.5 86.2 85.7 86.0 86.1 85.9 86.0 86.0 86.1 86.0 85.8 85.8 85.8 85.4 86.0 87.2 81.9 87.7
[表12]
實施例 16 實施例 17 實施例 18 實施例 19 實施例 20 實施例 21 比較例 4 比較例 5
基材 支撐體 OA-10G ZF-16 BS-6 OA-10G ZF-16 OA-10G OA-10G ZF-16
樹脂層 （1） 樹脂 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A
（Z-128） 0.42 - - - - - - -
（Z-199） - 0.45 - - - - - -
（Z-153） - - 0.52 - - - - -
（Z-72） - - - - 0.42 - - -
（Z-211） - - - 0.52 - - - -
（Z-311） - - - - - 0.45
（x-1） - - - - - - 0.29 -
（x-3） - - - - - - - 0.27
（x-4） - - - - - - 0.32 0.31
（x-5） - - - - - - 0.30 -
樹脂層 （2） 樹脂 樹脂A 樹脂A - 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A 樹脂A
（x-1） 0.56 - - - 0.56 0.29 -
（x-2） 0.68 0.68 - - 0.68 - -
（x-3） - 0.55 0.57 0.57 - - 0.27
（x-4） - - 0.68 0.68 - 0.32 0.31
（x-5） - - - - - 0.30 -
光學特性 Xa（nm） 945 888 1060 960 930 932 1095 912
Ta（%） 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 91.2
Tb（%） 83.4 84.7 82.5 83.4 83.1 83.6 80.2 88.2
Tc（%） 4.1 4.2 4.3 4.3 4.4 4.5 4.4 91.2
Td（%） 83.5 84.8 82.8 83.7 83.2 83.4 79.1 88.1
Te（%） 4.9 4.7 5.0 5.3 4.9 5 5.6 91.2
Tf（%） 83.2 84.5 82.2 82.7 82.8 82.7 78.2 88.2
光學濾波器 電介質多層膜（I） 28 28 28 28 28 28 28 28
電介質多層膜（II） 24 24 24 24 24 24 24 24
光學特性 Tg（%） 0.009 0.011 0.008 0.007 0.010 0.009 0.030 0.029
Th（%） 87.0 86.5 85.8 86.3 86.8 86.7 82.3 87.6
無
圖1是表示實施例1中所獲得的基材的分光特性的圖。 圖2是表示實施例1中所獲得的光學濾波器的分光特性的圖。 圖3是表示比較例2中所獲得的基材的分光特性的圖。 圖4是表示比較例2中所獲得的光學濾波器的分光特性的圖。
Figure 109137854-A0101-11-0002-3

Claims (15)

  1. 一種樹脂組成物，含有： 樹脂；以及 化合物（Z），由下述式（I）表示，且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍， Cn+ An- （I） 式（I）中，Cn+ 為下述式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子；
    Figure 03_image001
    式（II）中，YA 及YD 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子及磷原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子， ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為具有選自碳原子、硫原子、氧原子、氮原子、磷原子及矽原子中的至少一者的基、氫原子或鹵素原子，或者ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成環，YB 及YC 可相互鍵結而形成環， 單元A及單元B分別獨立地為具有雜芳香環的基， 單元A中的一部分基可與YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基，單元B中的一部分基可與YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 在ZB 為鹵素原子、或者下述式（A-1）～式（A-2）的任一者所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-3）所表示的基，且單元B不為下述式（A-4）所表示的基， 在ZB 為氯原子，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是6員脂環式烴基，且在所述6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-5）所表示的基，且單元B不為下述式（A-6）所表示的基， 在ZB 為下述式（A-7）所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-8）所表示的基，且單元B不為下述式（A-9）所表示的基；
    Figure 03_image005
    Figure 03_image007
    式（A-3）～式（A-4）中，Ya1 獨立地為經取代或未經取代的碳數8～20的烷基，式（A-3）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-4）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵；
    Figure 03_image009
    式（A-5）～式（A-6）中，Ya2 為正丁基，式（A-5）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-6）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵；
    Figure 03_image011
    式（A-7）中，Rx 及Ry 分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯苯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氟基、氯基、溴基、碘基、氰基或硝基；
    Figure 03_image013
    式（A-8）～式（A-9）中，Ya3 獨立地為碳數1～5的直鏈狀或具有分支的烷基，式（A-8）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-9）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。
  2. 如請求項1所述的樹脂組成物，其中， 所述單元A為下述式（A-I）～式（A-III）的任一者所表示的基， 所述單元B為下述式（B-I）～式（B-III）的任一者所表示的基， 所述YA 及YD 分別獨立地為氫原子、鹵素原子或碳數1～8的烴基， 所述ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 或-SO2 Q3 ， ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， YB 及YC 可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為下述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或下述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或下述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者，
    Figure 03_image015
    式（A-I）～式（A-III）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵， 式（B-I）～式（B-III）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵， 式（A-I）～式（B-III）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-N(R8 )-， R1 ～R6 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Li 的任一者， R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， R8 為氫原子、鹵素原子、-C(O)Ri 基、下述Lb ～Li 的任一者， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者， Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， （Lb ）：碳數1～15的脂肪族烴基， （Lc ）：鹵素取代烷基， （Ld ）：脂環式烴基， （Le ）：芳香族烴基， （Lf ）：雜環基， （Lg ）：-OR，其中R為烴基， （Lh ）：可具有取代基L的醯基， （Li ）：可具有取代基L的烷氧基羰基， 所述取代基L為選自所述Lb ～Lf 的至少一種。
  3. 如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，其中，所述化合物（Z）滿足下述要件（A）， 要件（A）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜中，波長430 nm～580 nm下光的透射率的平均值為70%以上，其中所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的樹脂組成物，其中，所述化合物（Z）滿足下述要件（C）及要件（D）， 要件（C）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜中，在波長950 nm～1150 nm的範圍中具有透射率為85%的波長，其中所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜； 要件（D）：在使用將所述化合物（Z）溶解於二氯甲烷中而成的溶液測定的透射光譜的較最大吸收波長更長的波長中，透射率為20%的最短波長側的波長（Wa）與透射率為70%的最短波長側的波長（Wb）之差的絕對值為10 nm～60 nm，其中所述透射光譜是最大吸收波長下的透射率為10%的光譜。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂為選自由環狀(聚)烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂及乙烯系紫外線硬化型樹脂所組成的群組中的至少一種樹脂。
  6. 一種光學濾波器，具有基材（i）以及電介質多層膜，所述基材（i）包括由如請求項1至請求項5中任一項所述的樹脂組成物形成的含有化合物（Z）的樹脂層。
  7. 如請求項6所述的光學濾波器，其中，所述基材（i）為： 包括含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材； 包括兩層以上的樹脂層、且所述兩層以上的樹脂層中的至少一層為含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材；或者 包括玻璃支撐體與含有所述化合物（Z）的樹脂層的基材。
  8. 如請求項6或請求項7所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（a）及特性（b）的近紅外線截止濾波器， 特性（a）：在波長430 nm～580 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為75%以上， 特性（b）：在波長850 nm～1200 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為5%以下。
  9. 如請求項6或請求項7所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（c）及特性（d）的可見光-近紅外線選擇透射濾波器， 特性（c）：在波長430 nm～580 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為75%以上， 特性（d）：在波長650 nm以上的區域具有光線阻止頻帶Za、光線透射頻帶Zb及光線阻止頻帶Zc，各個頻帶的中心波長為Za＜Zb＜Zc， 所述Za及Zc中的自光學濾波器的垂直方向測定時的最小透射率分別為15%以下， 所述Zb中的自光學濾波器的垂直方向測定時的最大透射率為55%以上。
  10. 如請求項6或請求項7所述的光學濾波器，其中，所述光學濾波器為滿足下述特性（e）及特性（f）的近紅外線透射濾波器， 特性（e）：在波長380 nm～700 nm的區域中，自光學濾波器的垂直方向測定時的透射率的平均值為10%以下， 特性（f）：在波長750 nm以上的區域具有光線透射帶Ya，在所述光線透射帶Ya中，自光學濾波器的垂直方向測定時的最大透射率（TIR ）為45%以上。
  11. 如請求項6至請求項10中任一項所述的光學濾波器，其為固體攝像裝置用途。
  12. 如請求項6至請求項10中任一項所述的光學濾波器，其為光學感測裝置用途。
  13. 一種固體攝像裝置，包括如請求項6至請求項10中任一項所述的光學濾波器。
  14. 一種光學感測裝置，包括如請求項6至請求項10中任一項所述的光學濾波器。
  15. 一種化合物（Z），由下述式（I）表示，且最大吸收波長處於波長850 nm～1100 nm的範圍， Cn+ An- （I） 式（I）中，Cn+ 為下述式（II）所表示的一價陽離子，An- 為一價陰離子；
    Figure 03_image001
    式（II）中，單元A為下述式（A-I）～式（A-III）的任一者所表示的基， 單元B為下述式（B-I）～式（B-III）的任一者所表示的基， YA 及YD 分別獨立地為氫原子、鹵素原子或碳數1～8的烴基， ZA ～ZC 及YB ～YC 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-NRg Rh 基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q1 、-N=N-Q1 、-S-Q2 、-SSQ2 或-SO2 Q3 ， ZA ～ZC 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， YB 及YC 可相互鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基；可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的5員～6員的脂環基；或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一者的碳數3～14的雜芳香族基，該些脂環基、芳香族烴基及雜芳香族基可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者，Q1 為下述Lb ～Lg 的任一者，Q2 為氫原子或下述Lb ～Lf 的任一者，Q3 為羥基或下述Lb ～Lf 的任一者，Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， 在ZB 為鹵素原子、或者下述式（A-1）～式（A-2）的任一者所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-3）所表示的基，且單元B不為下述式（A-4）所表示的基， 在ZB 為氯原子，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是6員脂環式烴基，且在所述6員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-5）所表示的基，且單元B不為下述式（A-6）所表示的基， 在ZB 為下述式（A-7）所表示的基，且YB 及YC 彼此相互鍵結而形成的是5員脂環式烴基，且在所述5員脂環式烴基中ZB 以外的取代基全部為氫原子的情況下，單元A不為下述式（A-8）所表示的基，且單元B不為下述式（A-9）所表示的基；
    Figure 03_image015
    式（A-I）～式（A-III）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵， 式（B-I）～式（B-III）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵， 式（A-I）～式（B-III）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-N(R8 )-， R1 ～R6 分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Li 的任一者， R1 ～R6 中鄰接的兩者可相互鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（A-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YA 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， 式（B-III）中的R1 或R4 可與所述式（II）中的YD 鍵結而形成碳數5或6的環狀烴基， R8 為氫原子、鹵素原子、-C(O)Ri 基、下述Lb ～Li 的任一者， Rg 及Rh 分別獨立地為氫原子、-C(O)Ri 基或下述Lb ～Lf 的任一者， Ri 為下述Lb ～Lf 的任一者， （Lb ）：碳數1～15的脂肪族烴基， （Lc ）：鹵素取代烷基， （Ld ）：脂環式烴基， （Le ）：芳香族烴基， （Lf ）：雜環基， （Lg ）：-OR，其中R為烴基， （Lh ）：可具有取代基L的醯基， （Li ）：可具有取代基L的烷氧基羰基， 所述取代基L為選自所述Lb ～Lf 的至少一種；
    Figure 03_image018
    Figure 03_image020
    式（A-3）～式（A-4）中，Ya1 獨立地為經取代或未經取代的碳數8～20的烷基，式（A-3）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-4）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵；
    Figure 03_image022
    式（A-5）～式（A-6）中，Ya2 為正丁基，式（A-5）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-6）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵；
    Figure 03_image024
    式（A-7）中，Rx 及Ry 分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯苯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氟基、氯基、溴基、碘基、氰基或硝基；
    Figure 03_image026
    式（A-8）～式（A-9）中，Ya3 獨立地為碳數1～5的直鏈狀或具有分支的烷基，式（A-8）中的-*表示與所述式（II）的YA 所鍵結的碳形成單鍵，式（A-9）中的=**表示與所述式（II）的YD 所鍵結的碳形成雙鍵。
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