TW202113966A - 蝕刻方法及蝕刻裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供在存在Si和其他物質的基板中，能夠藉由簡單的氣體系統以高選擇比蝕刻Si的技術。 [解決手段] 蝕刻方法具有設置擁有Si和其他物質的基板的工程，和對基板供給含鍺氣體作為蝕刻氣體，對其他物質選擇性蝕刻Si的工程。

Description

蝕刻方法及蝕刻裝置
本揭示係關於蝕刻方法及蝕刻裝置。
近來，在半導體元件之製造製程中，要求對其他膜以高選擇性蝕刻矽(Si)的技術。例如，在專利文獻1中，記載藉由對Si和矽鍺(SiGe)並存的基板，供給F2 氣體和NH3 氣體，能對SiGe選擇性蝕刻Si。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-413781號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供在存在Si和其他物質的基板中，能夠藉由簡單的氣體系統以高選擇比蝕刻Si的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所涉及的蝕刻方法具有設置擁有Si和其他物質的基板的工程，和對上述基板供給含鍺氣體作為蝕刻氣體，對上述其他物質選擇性蝕刻上述Si的工程。 [發明之效果]
若藉由本揭示，在存在Si和其他物質的基板中，能夠藉由簡單的氣體系統以高選擇比蝕刻Si。
以下，一面參照附件圖面，一面針對實施型態予以說明。
[背景及概要] 首先，針對本揭示之一實施型態所涉及之蝕刻方法之背景及概要予以說明。 近來，在半導體元件之製造製程中，在存在Si和其他物質的基板中，存在要求選擇性蝕刻Si的製程。作為與該要求對應的技術，例如，在上述專利文獻1中，記載藉由對Si和SiGe並存的基板，供給F2 氣體和NH3 氣體，能對SiGe選擇性蝕刻Si。
但是，專利文獻1主要著眼於藉由使F2 氣體和NH3 氣體之比率變化，可以進行對SiGe選擇性蝕刻Si，和對Si選擇性蝕刻SiGe之雙方，難以充分提高蝕刻Si之時的選擇比。再者，因以相同的氣體系統對另一方選擇性蝕刻Si和SiGe之一方，故需要嚴密地調整氣體比率。
於是，發明者們研究可以藉由簡單的氣體系統以高選擇比蝕刻Si的技術之結果，發現使用含鍺(Ge)氣體作為蝕刻氣體具有效果。
即是，發明者們在根據記載於日本特表2009-510750號公報中的使用ClF3 氣體而對Si選擇性蝕刻SiGe之技術的實驗過程中，發現藉由反應產生GeF4 氣體，此為蝕刻Si的現象。而且，發現GeF4 氣體難以蝕刻GeSi等之Si以外之物質。根據如此之見解，考慮到可以使用GeF4 氣體般的包含Ge之氣體對SiGe等以高選擇比蝕刻Si的技術。
[蝕刻方法之實施型態] 接著，針對具體之實施型態予以說明。圖1為表示一實施型態所涉及之蝕刻方法之流程圖。
首先，在用以進行蝕刻處理的腔室內設置於表面部分具有Si和其他物質的基板(步驟1)。
作為其他物質，雖然若為通常被使用於半導體裝置之物質時則不特別限定，但可以舉出SiGe、Ge、SiO2 、SiN等。在該些之中，SiGe、Ge近來以構成與Si共存的構造而受到注目。
雖然SiGe之Si及Ge之比例為任意，但是以Ge為20at%以上為佳。再者，雖然SiGe、Ge、Si之型態並無特別限定，但可例示作為膜而被形成者，作為膜可例示以磊晶法而被形成者。雖然針對基板也無特別限定，但是可例示半導體晶圓(以下簡稱為晶圓)。
Si和SiGe或Ge共存之情況，雖然其構造並無特別限定，但是即使為例如交替疊層Si膜和SiGe膜或Ge膜之構造亦可。
作為具有如此交替疊層Si膜和SiGe膜或Ge膜之疊層構造的基板，例示圖2所示之構造的晶圓W。圖2之晶圓W具有在例如Si上形成有特定保護膜(例如SiO2 、SiN)之基體10之表面，交替疊層Si膜11和SiGe膜12的疊層構造部13。即使使用Ge膜取代SiGe膜12亦可。疊層構造部13之最上層為SiGe膜12，在其上方形成有由例如SiO2 或SiN構成的遮罩層15。在疊層構造部13形成藉由電漿蝕刻形成的凹部14，在凹部14露出被交替疊層的Si膜11和SiGe膜12之側面。
接著，對基板供給包含Ge之氣體作為蝕刻氣體，對其他物質選擇性蝕刻基板之表面部分的Si(步驟2)。
作為包含Ge之氣體，可以使用Ge和氫(H)或鹵素的化合物氣體。作為如此之化合物氣體，可以舉出例如GeF4 氣體、GeF2 Cl2 氣體、GeCl4 氣體、GeH4 氣體，可以使用該些之至少一種。
依此，可以對其他物質以高選擇比地蝕刻Si。例如，在GeF4 氣體中，在Ge為20at%以上的SiGe和Si共存之情況，可以對SiGe以50以上之選擇比蝕刻Si。再者，對於Ge可以取得100以上之極高的選擇比。並且，即使對SiO2 、SiN亦可以以100以上之極高的選擇比蝕刻Si。
例如，藉由對上述圖2之晶圓W供給GeF4 氣體等之含有Ge氣體作為蝕刻氣體，如圖3所示般，Si膜11被側蝕刻，Si膜11相對於SiGe膜12被選擇性蝕刻。在此情況，即使Si膜11如圖3般被部分性地蝕刻亦可，即使如圖4般全部被蝕刻亦可。即使全部被蝕刻，殘存的SiGe膜12亦藉由由SiN等構成的支持柱16被支持。
除了作為蝕刻氣體之含有Ge氣體之外，即使供給稀釋蝕刻氣體的稀釋氣體亦可。作為稀釋氣體，可以使用N2 氣體或Ar氣體般之稀有氣體等之惰性氣體。稀釋氣體的流量比率即使因應蝕刻條件或所要求的蝕刻之程度而適當設定亦可。GeF4 氣體之流量可以設為例如10～1000 sccm之範圍，稀釋氣體之流量可以設為例如50～1000sccm之範圍。
在步驟2之蝕刻中的腔室內之壓力以1.33～39990Pa(0.01～300Torr)之範圍為佳。在該範圍之壓力下，容易進行例如以下所示(1)之反應。較佳為6.67～1333.2Pa(0.05～10Torr)之範圍。
步驟2之蝕刻中的處理溫度(晶圓溫度)係以 -20℃以上，300℃以下為佳。由於GeF4 之沸點為-36.5℃，故即使在低溫亦可以進行氣體蝕刻。雖然溫度越高，越容易進行例如以下所示(1)之反應，蝕刻率變高，但是成為選擇比下降的傾向。雖然在低溫中蝕刻率下降，但是有選擇比變高之傾向。因此，從以高選擇比蝕刻Si之觀點來看以低溫為佳，以150℃以下為佳，以50℃以下為更佳。
此時之蝕刻即使為非電漿之氣體化學蝕刻亦可，即使使用電漿亦可，但是藉由使用非電漿蝕刻，有無電漿所致的損傷，可以取得更高蝕刻選擇性，可以使裝置簡化的優點。
Ge含有氣體所致的Si之蝕刻作用以GeF4 氣體為例時，則由下述(1)推測
Figure 02_image001
(1)式之反應幾乎對上述其他物質不產生，因此，認為僅Si被選擇性蝕刻。其他物質為SiGe之情況雖然含有Si，但是藉由Ge被保護而在GeF4 氣體中幾乎不被蝕刻。因SiO2 、SiN也係Si與氧或氮緊固結合，故也同樣幾乎不被蝕刻。再者，其他物質為Ge之情況，因不含Si，Ge與GeF4 不反應，故更難被蝕刻。
以往，對其他物質選擇性蝕刻Si之情況，尤其在對SiGe或Ge選擇性蝕刻之情況，如專利文獻1所示般，使用F2 氣體和NH3 氣體作為處理氣體。但是，專利文獻1主要著眼於藉由使F2 氣體和NH3 氣體之比率變化，可以進行對SiGe選擇性蝕刻Si，和對Si選擇性蝕刻SiGe之雙方，不朝向對SiGe以高選擇比蝕刻Si。即是，在專利文獻1中，在對SiGe選擇性蝕刻Si之情況，將NH3 /(F2 +NH3 )設為18～50流量%，將對Si蝕刻SiGe之情況，將NH3 / (F2 +NH3 )設為0～15流量%。依此，只能獲得2以上之選擇比。雖然藉由調整氣體之比率，可以更提高選擇比，但是選擇比最多為10左右。再者，當氣體比率變化時，因Si及SiGe之中被蝕刻的側交換，故需要嚴格地調整氣體比率。
對此，本實施型態係藉由使處理條件最佳化，可以藉由僅使用GeF4 氣體等之含Ge氣體的簡單氣體系統，當作蝕刻氣體，對其他物質以50以上甚至100以上之高選擇比蝕刻Si。尤其，對最近受到注目的具有Si和SiGe或Ge共存的構造的基板，例如具有交替疊層Si膜和SiGe膜或Ge膜之構造的基板為有效。
在上述實施型態中，雖然藉由步驟1及步驟2進行蝕刻，但是即使如圖5所示般，因應所需，於步驟2之蝕刻後，進行除去殘存物的工程(步驟3)亦可。雖然除去殘存物的手法並不特別限定，但是可以藉由例如加熱處理進行。作為殘存物，包含蝕刻殘渣或蝕刻所致的反應生成物。尤其，因在上述(1)式之反應中生成的GeF2 之沸點為比較高的130℃，故當以低於130℃之溫度進行蝕刻處理時，在基板中殘存作為反應生成物的GeF2 。因此，在此情況，需要藉由步驟3使GeF2 昇華的處理。
再者，有在基板(疊層構造部13)之表面形成薄的自然氧化膜之情形，在如此之情況，於蝕刻之前先實施除去自然氧化膜之工程為佳。自然膜氧化膜之除去係藉由例如供給HF氣體和NH3 氣體而進行。如圖6所示般，即使於將基板設置在腔室內之步驟1之後，在腔室內進行自然氧化膜之除去工程(步驟S4)亦可，即使如圖7所示般，於將基板設置在腔室之前，在另外的腔室進行亦可。當然即使進行自然氧化膜之除去和蝕刻後之殘存物之除去雙方亦可。
步驟2之蝕刻即使為重複包含GeF4 氣體的處理氣體的供給，和腔室內之沖洗(抽真空或抽真空+沖洗氣體的供給)的循環蝕刻亦可。再者，於需要反應生成物等之除去之情況，即使重複進行包含GeF4 氣體的處理氣體的供給，和步驟3之殘存物除去處理(加熱處理)亦可。藉由該些，可以更減少蝕刻殘渣或反應生成物之殘存量。
(處理系統之一例) 接著，針對用於一實施型態所涉及之蝕刻方法的處理系統之一例予以說明。圖8為表示處理系統之一例的概略構成圖。
如圖8所示般，處理系統100具備：擁有例如上述圖2所示之構造的搬入搬出晶圓W的搬入搬出部102；和與搬入搬出部102鄰接而被設置的兩個裝載鎖定室103；和分別與各裝載鎖定室103鄰接而被設置的對晶圓W進行熱處理的熱處理裝置104；和分別與各熱處理裝置104鄰接而被設置的對晶圓W進行蝕刻的蝕刻裝置105；和控制部106。
搬入搬出部102具有在內部設置搬運晶圓W之第1晶圓搬運機構111的搬運室112。第1晶圓搬運機構111具有將晶圓W保持略水平的兩個搬運臂111a、111b。在搬運室112之長邊方向之側部，設置載置台113，成為在該載置台113，可以連接例如三個收容FOUP等之複數片晶圓W的載體C。再者，與搬運室112鄰接，而設置有進行晶圓W之對準的對準腔室114。
在搬入搬出部102中，晶圓W係藉由搬運臂111a、111b被保持，且藉由第1晶圓搬運機構111之驅動迫使在略水平面內直行移動，或升降，迫使被搬運至期望的位置。而且，藉由搬運臂111a、111b分別對載置台113上之載體C、對準腔室114、裝載鎖定室103進退，迫使被搬入搬出。
各裝載鎖定室103係在與搬運室112之間各介入閘閥116之狀態，分別與搬運室112連結。在各裝載鎖定室103內設置有搬運晶圓W之第2晶圓搬運機構117。再者，裝載鎖定室103被構成能抽真空至特定真空度。
第2晶圓搬運機構117具有多關節臂構造，具有將晶圓W保持略水平的拾取器。在該第2晶圓搬運機構117中，在多關節臂收縮的狀態下，拾取器位於裝載鎖定室103內，藉由多關節臂延伸，拾取器到達至熱處理裝置104，藉由進一步延伸，能夠到達至蝕刻裝置105，成為能夠在裝載鎖定室103、熱處理裝置104及蝕刻裝置105間搬運晶圓W。
控制部106典型上係由電腦構成，具有控制處理系統100之各構成部之CPU的主控制部、輸入裝置(鍵盤、滑鼠等)、輸出裝置(印表機等)、顯示裝置(顯示器等)、記憶裝置(記憶媒體)。控制部106之主控制部係根據例如被內置在記憶裝置的記憶媒體，或被記憶於設置在記憶裝置的記憶媒體的處理配方，使處理系統100實行特定動作。
在如此的處理系統100中，將形成上述構造的晶圓W收納於複數片載體C內而搬運至處理系統100。在處理系統100中，在開啟大氣側之閘閥116之狀態，從搬入搬出部102之載體C，藉由第1晶圓搬運機構111之搬運臂111a、111b中之任一者，將一片晶圓W搬運至裝載鎖定室103，收授於裝載鎖定室103內之第2晶圓搬運機構117之拾取器。
之後，關閉大氣側之閘閥116而對裝載鎖定室103內進行真空排氣，接著開啟閘閥154，使拾取器延伸至蝕刻裝置105為止而將晶圓W朝蝕刻裝置105搬運。
之後，使拾取器返回至裝載鎖定室103，關閉閘閥154，在蝕刻裝置105中藉由上述蝕刻方法，進行Si膜之蝕刻處理。
於蝕刻處理結束之後，開啟閘閥122、154，因應所需，藉由第2晶圓搬運機構117之拾取，將蝕刻處理後之晶圓W搬運至熱處理裝置104，加熱除去蝕刻殘渣或反應生成物等之殘存物。
於蝕刻處理結束之後，或蝕刻處理後，在熱處理裝置104的熱處理結束後，藉由第1晶圓搬運機構111之搬運臂111a、111b中之任一者返回至載體C。依此，完成一片晶圓的處理。
另外，在不需要除去蝕刻殘渣之情況，即使不設置熱處理裝置104亦可，在此情況，若使蝕刻處理結束之後的晶圓W藉由第2晶圓搬運機構117之拾取器退避至裝載鎖定室103，且藉由第1晶圓搬運機構111之搬運臂111a、111b中之任一者使返回至載體C即可。
(蝕刻裝置) 接著，針對用以實施一實施型態所涉及之蝕刻方法的蝕刻裝置105之一例予以詳細說明。 圖9為表示蝕刻裝置105之一例的剖面圖。如圖9所示般，蝕刻裝置105具備當作規定處理空間之處理容器的密閉構造之腔室140，在腔室140之內部，設置有載置台142，該載置台142係在使晶圓W成為略水平之狀態下進行載置。再者，蝕刻裝置105具備對腔室140供給蝕刻氣體的氣體供給部143、將腔室140內予以排氣的排氣部144。
腔室140係藉由腔室本體151和蓋部152而構成。腔室本體151具有略圓筒形狀的側壁部151a和底部151b，上部成為開口，該開口係藉由蓋部152被封閉。側壁部151a和蓋部152係藉由密封構件(無圖示)被封閉，確保腔室140內之氣密性。在蓋部152之頂棚，從上方朝向腔室140內被***氣體導入噴嘴161。
在側壁部151a設置在與熱處理裝置104之間搬入搬出晶圓W的搬入搬出口153，成為該搬入搬出口153能藉由閘閥154開關。
載置台142構成俯視略圓形，被固定於腔室140之底部151b。在載置台142之內部設置有調節載置台142溫度之溫度調節器165。溫度調節器165具備例如溫度調節用媒體(例如水等)循環的管路，藉由與在如此之管路內流動的溫度調節用媒體進行熱交換，調節載體台142之溫度，進行載置台142上之晶圓W之溫度控制。
氣體供給部143具有供給作為蝕刻氣體的含有Ge氣體的GeF4 氣體的GeF4 氣體供給源175，和供給作為惰性氣體的Ar氣體的Ar氣體供給源176。在該些供給源分別連接配管171及172之一端。配管171及172之另一端被連接於共通配管162，共通配管162被連接於上述氣體導入噴嘴161。
因此，作為蝕刻氣體的GeF4 氣體、作為惰性氣體的Ar氣體分別從GeF4 氣體供給源175、Ar氣體供給源176，經由配管171及172，到達至共通配管162，而從氣體導入噴嘴161朝向腔室140內之晶圓W被吐出。GeF4 氣體係作為蝕刻用的氣體而被供給，Ar氣體係做為稀釋氣體及沖洗氣體而被供給。就以作為蝕刻氣體的含有Ge氣體而言，不限定於GeF4 氣體，即使為其他氣體，例如上述GeF2 Cl2 氣體、GeCl4 氣體、GeH4 氣體亦可。再者，就以作為稀釋氣體或沖洗氣體而被使用的惰性氣體而言，即使使用其他稀釋氣體或N2 氣體亦可。
在配管171及172設置進行流路之開關動作及流量控制的流量控制部179。流量控制部179係藉由例如開關閥及質量流量控制器等之流量控制機器而構成。
另外，即使本例之蝕刻裝置105在腔室140之上部設置噴淋板，經由噴淋板而噴淋狀地供給氣體亦可。
可以在腔室140內除去晶圓W之自然氧化膜，在此情況，若將氣體供給部143構成能進一步供給HF氣體和NH3 氣體即可。
排氣部144具有與被形成在腔室140之底部151b的排氣口181連接的排氣配管182，並且，具有被設置在排氣配管182的用以控制腔室140內之壓力的自動壓力控制閥(APC)183，及用以排氣腔室140內之真空泵浦184。
在腔室140之側壁，以被***至腔室140內之方式，設置有兩個電容式壓力計186a、186b，作為用以測量腔室140內之壓力的壓力計。電容式壓力計186a成為高壓力用，電容式壓力計186b成為低壓力用。在被載置於載置台142之晶圓W之附近，設置檢測晶圓W之溫度的溫度感測器(無圖示)。
蝕刻裝置105之各構成部藉由處理系統100之控制部106被控制。控制部106之主控制部係根據例如被內置在記憶裝置的記憶媒體，或被記憶於設置在記憶裝置的記憶媒體的處理配方，以進行以下說明的蝕刻方法之方式，控制蝕刻裝置105之各構成部。
在如此的蝕刻裝置105中，將例如圖2所示之構造的晶圓W搬入至腔室140內，載置於載置台142。而且，將腔室140內之壓力設為1.33～39990Pa(0.01～300 Torr)之範圍為佳，設為6.67～1333.2Pa(0.05～10Torr)之範圍為更佳。再者，藉由載置台142之溫度調節器165，將晶圓W設為-20℃以上，300℃以下，以150℃以下為佳，以50℃以下為更佳。
接著，以例如10～1000sccm之流量，將作為蝕刻氣體的GeF4 氣體供給至腔室140內，對其他物質選擇性地蝕刻Si。在圖2之例中，對SiGe膜選擇性地蝕刻Si膜。此時，即使因應所需，以例如50～1000ccm之流量供給Ar氣體以作為稀釋氣體而調整蝕刻性即可。
如此一來，藉由使用GeF4 氣體般之含有Ge氣體作為蝕刻氣體，如上述般，可以以高選擇比對SiGe或Ge等之其他物質蝕刻Si。
另外，在以蝕刻裝置105進行自然氧化膜除去處理之情況，若將晶圓W搬入至腔室140而載置於載置台142之後，於蝕刻之前，對腔室140內供給HF氣體和NH3 氣體之後，加熱晶圓W即可。依此，HF氣體和NH3 氣體與自然氧化膜反應，生成矽氟化銨，藉由之後的加熱，矽氟化銨被昇華。另外，若處理溫度高時，則可以在處理中也使矽氟化銨揮發。
[實驗例] 接著，針對實驗例予以說明。 在此，準備在裸晶分別形成有Si膜、SiGe膜(Ge30 at%)、熱氧化膜(ThOx膜)(SiO2 膜)、SiN膜、Ge膜的樣品，藉由GeF4 氣體進行蝕刻。從蝕刻後之重量變化換算而求出蝕刻率。以容易進行蝕刻的以下條件，作為蝕刻條件。
・蝕刻條件 氣體：100%-GeF4 氣體流量：10～50sccm 壓力：50～150Torr 處理溫度(晶圓溫度)：25～300℃
首先，在圖10表示處理溫度(晶圓溫度)設為150℃的結果。如圖10所示般，確認出Si膜之換算蝕刻率為498.8nm/min，對此，SiGe膜(Ge30at%)為8nm/min，盡管苛刻的蝕刻條件，相對於SiGe膜的選擇比仍高達62。再者，確認出ThOx膜(SiO2 膜)、SiN膜之換算蝕刻率分別為1.84、0.86，可以以100以上之高選擇比對SiO2 膜、SiN膜蝕刻Si膜。並且，確認出Ge膜之換算蝕刻率幾乎為0，可以以幾乎接近於無限大的選擇比對Ge膜蝕刻Si膜。
再者，在以更低溫的25℃、50℃進行蝕刻之情況，Si膜之換算蝕刻率分別成為0.6nm/min及10 nm/min，較150℃之情況更低的值。另一方面，該些溫度下的SiGe膜、ThOx膜、SiN膜、Ge膜之換算率皆幾乎為0。依此，確認出在50℃以下之低溫，可以以幾乎無限大的選擇比對SiGe膜、ThOx膜、SiN膜、Ge膜蝕刻Si膜。
[其他適用] 以上，雖然針對實施型態予以說明，但是此次揭示的實施型態所有方面都應視為例示而非限制性。即使上述實施型態不脫離附件的申請專利範圍及其要旨，以各種型態進行省略、置換、變更亦可。
例如，圖2所示的基板之構造例僅係例示，若為在處理氣體能接觸之部分具有Si和其他物質的基板時則能夠適用。再者，即使針對上述處理系統或蝕刻裝置之構造也僅係例示，可以使用各種結構的系統或裝置。例如，在上述實施型態中，雖然例示非電漿之裝置作為蝕刻裝置，但是即使為以適當手段對處理氣體進行電漿化者亦可。再者，雖然針對使用半導體晶圓作為基板的情況予以表示，但是不限定於半導體晶圓，即使為以LCD(液晶顯示器)用基板為代表的FPD(平板顯示器)基板或陶瓷基板等之其他基板亦可。
10:半導體基體 11:Si膜 12:SiGe膜 13:疊層構造部 14:凹部 15:遮罩層 100:處理系統 105:蝕刻裝置 142:載置台 143:處理氣體供給部 144:排氣部 165:溫度調節器 W:半導體晶圓(基板)
[圖1]為表示一實施型態所涉及之蝕刻方法之流程圖。 [圖2]為表示適用一實施型態之蝕刻方法的晶圓之構造例的剖面圖。 [圖3]為圖2之構造的晶圓中，表示部分地蝕刻Si膜之狀態的剖面圖。 [圖4]為圖2之構造的晶圓中，表示蝕刻Si膜全部之狀態的剖面圖。 [圖5]為表示其他實施型態所涉及之蝕刻方法之流程圖。 [圖6]為表示另一其他實施型態所涉及之蝕刻方法之流程圖。 [圖7]為表示又另一其他實施型態所涉及之蝕刻方法之流程圖。 [圖8]為表示用於一實施型態所涉及之蝕刻方法的處理系統之一例的概略構成圖。 [圖9]為表示用以實施一實施型態所涉及之蝕刻方法的蝕刻裝置的剖面圖。 [圖10]為表示實驗例之結果的圖。

Claims (19)

  1. 一種蝕刻方法，具有： 設置具有Si和其他物質之基板的工程；和 對上述基板供給含鍺氣體作為蝕刻氣體，對上述其他物質選擇性蝕刻上述Si的工程。
  2. 如請求項1之蝕刻方法，其中 上述含鍺氣體係鍺和氫或鹵素的化合物氣體。
  3. 如請求項2之蝕刻方法，其中 上述鍺和氫或鹵素的化合物氣體係GeF4 氣體、 GeF2 Cl2 氣體、GeCl4 氣體、GeH4 氣體之至少一種。
  4. 如請求項1至3中之任一項之蝕刻方法，其中 上述其他物質為SiGe或Ge。
  5. 如請求項4之蝕刻方法，其中 上述Si為Si膜，上述SiGe或Ge為SiGe膜或Ge膜。
  6. 如請求項5之蝕刻方法，其中 上述SiGe膜、上述Ge膜及上述Si膜係藉由磊晶法而被形成。
  7. 如請求項5或6之蝕刻方法，其中 上述基板具有交替疊層上述Si膜和上述SiGe膜或上述Ge膜而構成的疊層構造部。
  8. 如請求項1至7中之任一項之蝕刻方法，其中 上述蝕刻的工程中之壓力為1.33～39990Pa之範圍。
  9. 如請求項1至8中之任一項之蝕刻方法，其中 上述蝕刻的工程中之基板的溫度為-20℃以上，300℃以下。
  10. 如請求項9之蝕刻方法，其中 在上述蝕刻的工程中之基板的溫度為150℃以下。
  11. 如請求項1至10中之任一項之蝕刻方法，其中 進一步具有於上述蝕刻的工程之前進行的除去基板之表面之自然氧化膜的工程。
  12. 如請求項1至11中之任一項之蝕刻方法，其中 進一步具有除去在上述蝕刻的工程之後殘存之殘存物的工程。
  13. 如請求項1至12中之任一項之蝕刻方法，其中 除了作為上述蝕刻氣體的含鍺氣體之外，另外供給稀釋上述蝕刻氣體的由惰性氣體構成的稀釋氣體。
  14. 如請求項1至13中之任一項之蝕刻方法，其中 上述蝕刻的工程係藉由不使上述處理氣體電漿化而供給至上述基板的非電漿蝕刻進行。
  15. 一種蝕刻裝置，具備： 腔室，其係收容具有Si和其他物質之基板； 載置台，其係在上述腔室內載置上述基板； 氣體供給部，其係對上述腔室內供給含鍺氣體作為蝕刻氣體； 排氣部，其係對上述腔室內進行排氣； 調溫部，其係調節上述載置台上之基板的溫度；及 控制部， 上述控制部係以對上述其他物質選擇性地蝕刻上述Si之方式，控制上述氣體供給部、上述排氣部和上述調溫部。
  16. 如請求項15之蝕刻裝置，其中 上述含鍺氣體係鍺和氫或鹵素的化合物氣體。
  17. 如請求項16之蝕刻裝置，其中 上述鍺和氫或鹵素的化合物氣體係GeF4 氣體、 GeF2 Cl2 氣體、GeCl4 氣體、GeH4 氣體之至少一種。
  18. 如請求項15至17中之任一項之蝕刻裝置，其中 上述其他物質為SiGe或Ge。
  19. 如請求項15至18中之任一項之蝕刻裝置，其中 上述氣體供給部係供給稀釋作為上述蝕刻氣體的含鍺氣體的由惰性氣體構成的稀釋氣體。
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