TW202113461A - 光罩與修復光罩的方法 - Google Patents

光罩與修復光罩的方法 Download PDF

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Abstract

本揭露提供一種光罩，其包含：一基板，其具有一前側；一吸收體層，其在該基板之該前側上方；一第一補片層，其在該基板之該前側上方且鄰近於該吸收體層之一側壁；及一第二補片層，其在該第一補片層上方。

Description

光罩與修復光罩的方法
本發明實施例係有關光罩與修復光罩的方法。
在半導體產業中，存在朝向更高裝置密度之趨勢。為達成此更高密度，需要更小構件。此等要求經常涉及按比例縮小裝置幾何結構以實現更低製造成本、更高裝置整合密度、更高速度及更佳效能。除了減小幾何結構大小之優點之外，亦對半導體裝置進行改良。
隨著半導體產業不斷演進，先進光微影技術已廣泛用於積體電路製造操作中。光微影操作可包含與將一光阻劑層塗覆於一晶圓上及使該晶圓曝光於一曝光源有關之技術。
可在半導體製造操作中使用遮罩以將一預定圖案轉印至一基板上。例如，在一基板上方形成一光阻劑層之後，該光阻劑層可透過一遮罩曝光於光化輻射。舉另一實例，在於一基板上方形成一光阻劑層之後，該光阻劑層可曝光於藉由一遮罩反射之光化輻射。藉此，可藉由後續顯影形成一光阻劑圖案。
本發明的實施例係關於一種光罩，其包括：一基板，其具有一前側；一吸收體層，其在該基板之該前側上方；一第一補片層，其在該基板之該前側上方且鄰近於該吸收體層之一側壁；及一第二補片層，其在該第一補片層上方。
本發明的實施例係關於一種光罩，其包括：一基板；一吸收體層，其在該基板上方；一矽衍生物層，其在該基板上方，其中該吸收體之一底表面係與該矽衍生物層之一底層共面。
本發明的實施例係關於一種用於修復一光罩之方法，其包括：提供一光罩，其中該光罩包括一基板及在該基板上方之一吸收體層；將一含矽氣體施加於該光罩上方；及鄰近於該吸收體層沉積一第一矽衍生物層。
以下揭露內容提供用於實施所提供之標的物之不同特徵之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不旨在限制。例如，在下列描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成於該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件與該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的，且本身不指定所論述之各項實施例及/或組態之間的一關係。
此外，為便於描述，可在本文中使用諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」、「上」及類似者之空間相對術語來描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中所繪示。空間相對術語旨在涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且本文中使用之空間相對描述詞同樣可相應地解釋。
儘管闡述本揭露之寬廣範疇之數字範圍及參數係近似值，然特定實例中所闡述之數值係儘可能精確地報告。然而，任何數值本質上含有必然由各自測試量測中發現之標準偏差所引起之特定誤差。又，如本文中所使用，術語「實質上」、「近似」或「大約」一般意謂在一般技術者可預期之一值或範圍內。替代性地，在由一般技術者考量時，術語「實質上」、「近似」或「大約」意謂在平均值之一可接受標準誤差內。一般技術者可理解，該可接受標準誤差可根據不同技術改變。除了在操作/工作實例中，或除非另有明確指定，否則所有數字範圍、量、值及百分比(諸如用於本文中所揭露之材料數量、持續時間、溫度、操作條件、量之比率及其類似者之該等數字範圍、量、值及百分比)應被理解為在所有例項中藉由術語「實質上」、「近似」或「大約」修飾。因此，除非有相反說明，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中所闡述之數字參數係可視需要改變之近似值。起碼，各數字參數應至少鑑於所報告之有效數字之數目及藉由應用普通捨入技術而解釋。範圍在本文中可表達為自一端點至另一端點或介於兩個端點之間。除非另有指定，否則本文中所揭露之所有範圍包含端點。
在光罩之製造或使用期間，可能在光罩之一表面上引入缺陷。舉一實例，粒子可落在光罩上。舉另一實例，當製造一極紫外線(EUV)遮罩時，可歸因於製造期間氧氣及/或氫氣之滲透而發生碳污染。上述缺陷可引起光微影效能劣化。
為移除此等缺陷及/或粒子並延長光罩之使用年限(lifetime)，可對光罩執行清潔操作。為有效地移除粒子，清潔操作可包含施加反應性濕化學品(其可包含鹼性製劑、酸性製劑及/或二氧化氫)及/或執行光阻劑剝離。觀察到，光罩可遭受缺陷，諸如(但不限於)缺少一所要光罩構件、一經損壞或不存在的散射條、缺少來自一較大圖案構件之材料，或光罩之任何非所要材料損耗，光罩可經受修復以補償此等缺陷。明確而言，可在製造或使用光罩之後觀察此等缺陷。然而，在清潔操作之(若干)循環之後，經修復光罩之經修復部分可能再次遭受材料損耗(或剝落)，因此在清潔之後之遮罩圖案之整體形狀可偏離預定設計佈局，且一下方光阻劑層上之圖案形式可偏離預定圖案。亦可觀察到，一構件之一臨界尺寸可在清潔之後非所要地改變。
為減輕清潔操作下之材料損耗並減小污染物/粒子對光罩之影響，本揭露提供一光罩及用於修復該光罩之一方法。明確而言，本揭露提供修復遭受各種缺陷之一光罩且減輕清潔操作期間之經修復補片之材料損耗之一方法。可在製造一光罩之後及在使用該光罩執行一微影操作之前，或在使用光罩執行(若干)微影操作之(若干)循環之後執行本揭露中之修復操作。
參考圖1A、圖1B及圖1C，圖1A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一俯視圖之一示意圖；圖1B係繪示沿著圖1A之線A-A'獲取之一剖面圖之一示意圖，其展示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖，圖1C係繪示沿著圖1A之線B-B'獲取之一剖面圖之一示意圖，其展示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖。一光罩100係一經圖案化反射遮罩(諸如一EUV遮罩)。光罩100包含一基板1，該基板1可為一低熱膨脹材料基板。光罩100可進一步包含在基板1上方之一反射多層堆疊2，及在反射多層堆疊2上方之一罩蓋層3。反射多層堆疊2可包含複數個替代材料層(例如，鉬-矽(Mo-Si)堆疊)。在一些實施例中，罩蓋層3可包含氧化釕(RuO2 )、釕化合物或其他合適材料。一緩衝層(圖1A至圖1C中未展示)可視需要放置於罩蓋層3上方。
此外，光罩100包含在罩蓋層3上方之一圖案區6，及在圖案區6之一周邊區域處之一邊界區7，其中一吸收體層4 (展示於圖2A中)經放置於圖案區6中。在一些實施例中，圖案區6中之吸收體層4之圖案可包含材料，諸如基於氧化鉭硼之材料(諸如硼酸鉭，TaBO)、氮化鉭硼(TaBN)或用於吸收EUV輻射之其他合適材料。替代性地，吸收體層4亦可由矽衍生物製成，諸如氧化矽(SiO2 )或碳化矽(SiC)。在一些實施例中，一些解析度增強構件(諸如散射條)可放置於圖案區6中。在一些實施例中，一黑色邊界區7' (在一些實施例中，其可為用於曝露基板1之一頂表面之一溝槽)可至少部分圍繞圖案區6及邊界區7與圖案區6之間的間隔。一放電橋接區7z可經放置以跨黑色邊界區7'且提供邊界區7與圖案區6之間的一互連結構。
參考圖2A及圖2B，圖2A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一放大剖面圖之一示意圖，圖2B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一俯視圖之一示意圖。一吸收體層4經放置於罩蓋層3 (其係光罩100之前側FS)上方及在光罩100之圖案區6中。吸收體層4之圖案可藉由一反射光微影操作轉印至一光阻劑層。在一些實施例中，一第一補片層12經放置於光罩100之前側FS上方。第一補片層12之一底表面可與吸收體層4之一底表面共面。在一些實施例中，第一補片層12係鄰近於吸收體層4之一側壁。第一補片層12可與吸收體層4之該側壁及光罩100之前側FS直接接觸。第一補片層12可由具有一相對較高EUV吸收率之一材料(諸如含鉻材料)組成。一第二補片層18可進一步形成於第一補片層12上方。第一補片層12可藉由第二補片層18完全覆蓋。第二補片層18可進一步覆蓋第一補片層12之一側壁。在一些實施例中，第二補片層18覆蓋第一補片層12之自吸收體層4曝露之整個表面。視需要，第二補片層18之一底表面可與光罩100之前側FS接觸。第一補片層12之一材料不同於第二補片層18之一材料。第二補片層18之材料在以下類型之化學品或處理之至少一者下可具有低於第一補片層12之材料之一蝕刻率：酸性製劑、鹼性製劑、二氧化氫(H2 O2 )、硫酸(H2 SO4 )、氫氧化銨(NH4 OH)、去離子水與臭氧(O3 )之組合、去離子水及輻照光(諸如紫外線(UV))之施加、H2 O與二氧化氫之組合、SC1溶液(包含NH4 OH、H2 O2 、H2 O之溶液)、SPM溶液(包含H2 SO4 、H2 O2 、H2 O之溶液)、反應性化學品或適用於清潔一光罩之任何其他化學品。在一些實施例中，第二補片層18之一材料可為矽衍生物材料，例如，氧化矽(SiO2 )、碳化矽(SiC)或類似者。
此外，第一補片層12之一厚度T12可與吸收體層4之一厚度T4相當。例如，當一厚度T4係大約70 nm時，第一補片層12之一厚度T12可在從約60 nm至約90 nm之一範圍內，但本揭露並不限於此。舉另一實例，一厚度T12係在從厚度T4之約90%至厚度T4之約110%之一範圍內，但本揭露並不限於此。第二補片層18之在第一補片層12上方之一厚度T18T係比第二補片層18之鄰近於第一補片層12之一側壁之一厚度T18S厚。在一些實施例中，厚度T18T係在從約1 nm至約10 nm之一範圍內，且厚度T18S係在從約0.5 nm至約10 nm之一範圍內。若厚度T18T比1 nm薄或厚度T18S比0.5 nm薄，則第二補片層18無法有效地保護第一補片層12使之免於在用於清潔操作之上述清潔化學品或清潔處理下被移除。若厚度T18T比10 nm厚或厚度T18S比10 nm厚，則可在曝光操作中引發遮蔽效應。
參考圖2C及圖2D，圖2C係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一放大剖面圖之一示意圖，圖2D係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一俯視圖之一示意圖。粒子PA可落至光罩100之一隔離區ISO上，且一入射輻射(諸如EUV)可由粒子PA反射，藉此在於一微影操作中轉印遮罩圖案時引發一光阻劑層上之非所要缺陷。在一些實施例中，隔離區ISO可在如圖1A至圖1C中所繪示之黑色邊界區7'中。為減輕在曝光操作期間在隔離區ISO中(在一些情況中，在黑色邊界區7'中)之EUV之反射，一第一補片層12可放置於隔離區ISO中之粒子PA上方，且一第二補片層18可放置於第一補片層12上方。從如圖2C中所展示之一頂部透視圖看，第二補片層18之一面積係大於第一補片層12之一面積。在一些實施例中，從一頂部透視圖看，第二補片層18之一面積係小於隔離區ISO之一面積，藉此基板1之一部分係自隔離區ISO中之第二補片層18曝露。在一些實施例中，若粒子PA定位於若干分離位置處，則複數個分離之第一補片層12及第二補片層18可相應地形成於分離位置處。
如圖2A至圖2B中所論述，第一補片層12之材料及第二補片層18之材料可能夠有效地吸收輻照於其等上之入射輻射之大部分。換言之，在光罩係一EUV遮罩之情況中，第一補片層12之材料及第二補片層18之材料之至少一者可選自能夠吸收EUV (例如，λ=13.5 nm)之材料。例如，第一補片層12之一材料可為含鉻材料，且第二補片層18可為矽衍生物材料(諸如氧化矽或碳化矽)。
參考圖3A及圖3B，圖3A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖之一示意圖，圖3B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩(未展示薄膜層)之一俯視圖之一示意圖。一光罩100x至少包含一基板1x、一吸收體層4及一薄膜層1y。光罩100x係容許光(諸如193 nm照明)穿過基板1x及薄膜層1y之一光學遮罩，其中光之一部分係藉由吸收體層4吸收。視需要，一屏蔽層1s進一步放置於吸收體層4上且在薄膜層1y下面。
類似於圖2A至圖2B之論述，第一補片層12經放置於基板1x之第一側1x'上方。第一補片層12之一底表面可與吸收體層4之一底表面共面。在一些實施例中，第一補片層12係鄰近於吸收體層4之一側壁。第一補片層12可與吸收體層4之該側壁及基板1x之第一側1x'直接接觸。一第二補片層18可進一步形成於第一補片層12上方。第一補片層12可藉由第二補片層18完全覆蓋。第二補片層18可進一步覆蓋第一補片層12之一側壁。在一些實施例中，第二補片層18覆蓋第一補片層12之自吸收體層4曝露之整個表面。視需要，第二補片層18之一底表面可與光罩100之第一側1x'接觸。第一補片層12含有能夠吸收光學光(例如，193 nm波長光)之一材料，諸如含鉻材料。第一補片層12之一材料不同於第二補片層18之一材料。第二補片層18之材料在以下類型之化學品或處理之至少一者下可具有低於第一補片層12之材料之一蝕刻率：酸性製劑、鹼性製劑、二氧化氫(H2 O2 )、硫酸(H2 SO4 )、氫氧化銨(NH4 OH)、去離子水與臭氧(O3 )之組合、去離子水及輻照光(諸如紫外線(UV))之施加、H2 O與二氧化氫之組合、SC1溶液(包含NH4 OH、H2 O2 、H2 O之溶液)、SPM溶液(包含H2 SO4 、H2 O2 、H2 O之溶液)、反應性化學品或適用於清潔一光罩之任何其他化學品。在一些實施例中，第二補片層18之一材料可為矽衍生物材料，例如，氧化矽(SiO2 )、碳化矽(SiC)或類似者。第一補片層12及第二補片層18之厚度之臨界性可類似於圖2A至圖2B中之對應物。
參考圖4A及圖4B，圖4A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一剖視圖之一示意圖，圖4B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一俯視圖之一示意圖。一光罩100y係類似於如圖1A至圖2D中所繪示之光罩100，其至少包含一基板1 (其可為一低熱膨脹材料基板)、在基板1上方之一反射多層堆疊2、在反射多層堆疊2上方之一罩蓋層3及在罩蓋層3上方之一吸收體層4。惟本文中第二補片層18放置於光罩100y之前側FS上方，且第二補片層18係鄰近於吸收體層4之一側壁除外。第二補片層18之材料(諸如矽衍生物材料，例如，氧化矽(SiO2 )、碳化矽(SiC)或類似者)可具有一高EUV輻射吸收率。在一些實施例中，第二補片層18之一底表面可與吸收體層4之一底表面共面。在一些實施例中，第二補片層18之一頂表面可自吸收體層4曝露。第二補片層18可與吸收體層4之側壁及/或光罩100y之前側FS直接接觸。此外，第二補片層18之一厚度T18'可與吸收體層4之一厚度T4相當。例如，當厚度T4係大約70 nm時，第一補片層12之一厚度T18'可在從約60 nm至約90 nm之一範圍內，但本揭露並不限於此。舉另一實例，一厚度T18'係在從厚度T4之約90%至厚度T4之約110%之一範圍內，但本揭露並不限於此。應注意，在第二補片層18之一材料能夠吸收具有其他波長之光(諸如193 nm光)之情況下，圖4A至圖4B中之上述結構亦可應用於如圖3A中所論述之光罩100x。
參考圖4C及圖4D，圖4C係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一剖面圖之一示意圖，圖4D係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一俯視圖之一示意圖。粒子PA可落至光罩100y之一隔離區ISO上，且一入射輻射(諸如EUV)可藉由粒子PA反射或偏轉，且在微影操作中引發一光阻劑層上之缺陷。類似於圖2C至圖2D中之論述，隔離區ISO可在如圖1A至圖1C中所繪示之黑色邊界區7'中。為減輕在曝光操作期間在隔離區ISO中(在一些情況中，在黑色邊界區7'中)之EUV之反射，一第二補片層18可放置於落在隔離區ISO上之粒子PA上方。在一些實施例中，從一頂部透視圖看，第二補片層18之一面積係小於隔離區ISO之一面積，藉此基板1之一部分係自隔離區ISO中之第二補片層18曝露。在一些實施例中，若粒子PA定位於若干分離位置處，則複數個分離之第二補片層18可相應地形成於分離位置處。如先前在圖3A至圖3B中所論述，第二補片層18之一材料可為矽衍生物材料，諸如氧化矽(SiO2 )、碳化矽(SiC)或能夠吸收EUV之其他材料。
參考圖5A，圖5A展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於修復一光罩之方法1000包含：提供一光罩(操作1001，其可參考圖6或圖10D)；將一第一氣體施加於該光罩上方(操作1003，其可參考圖7A或圖10E)；鄰近於吸收體層沉積一第一補片層(操作1006，其可參考圖7A至圖7B或圖10E)；將一第二氣體施加於光罩上方(操作1009，其可參考圖7C或圖10F)；及在該第一補片層上方沉積一第二補片層(操作1011，其可參考圖7C至圖7D或圖10F)。
參考圖5B，圖5B展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於製造一光罩之方法1100包含：提供一光罩(操作1101，其可參考圖6或圖10D)；判定待修復之該光罩之一第一區域(操作1103，其可參考圖6或圖10D)；將一含鉻氣體施加於光罩上方(操作1106，其可參考圖7A或圖10E)；鄰近於吸收體層沉積一第一補片層(操作1109，其可參考圖7A至圖7B或圖10E)；將一含矽氣體施加於光罩上方(操作1111，其可參考圖7C或圖10F)；在該第一補片層上方沉積一第二補片層(操作1113，其可參考圖7C至圖7D或圖10F)；檢測光罩(操作1115，其可參考圖7D或圖10F)；對光罩執行清潔操作(操作1117，其可參考圖11至圖14)；及檢測光罩(操作1119，其可參考圖15A、圖15B或圖15C)。
參考圖5C，圖5C展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於製造一光罩之方法1200包含：提供一光罩(操作1201，其可參考圖8)；判定該光罩之一隔離區之一第二區域(操作1203，其可參考圖8)；在該第二區域中沉積一第一補片層(操作1206，其可參考圖9A至圖9B)；在該第一補片層上方沉積一第二補片層(操作1209，其可參考圖9C)；及對光罩執行清潔操作(操作1211，其可參考圖11至圖14)。
參考圖5D，圖5D展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於製造一光罩之方法2000包含：提供一光罩(操作2004，其可參考圖6)；將一含矽氣體施加於該光罩上方(操作2007，其可參考圖7A')；及鄰近於吸收體層沉積一第一矽衍生物層(操作2013，其可參考圖7A'至圖7B')。
參考圖5E，圖5E展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於製造一光罩之方法2100包含：提供一光罩(操作2101，其可參考圖6)；判定待修復之該光罩之一第一區域(操作2103，其可參考圖6)；將一含矽氣體施加於光罩上方(操作2105，其可參考圖7A')；鄰近於吸收體層沉積一第一矽衍生物層(操作2107，其可參考圖7A'至圖7B')；檢測光罩(操作2109，其可參考圖7B')；對光罩執行清潔操作(操作2111，其可參考圖11至圖14)；及檢測光罩(操作2209，其可參考圖15A、圖15B或圖15C)。
參考圖5F，圖5F展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。用於製造一光罩之方法2200包含：提供一光罩(操作2203，其可參考圖8)；判定該光罩之一隔離區之一第二區域(操作2205，其可參考圖8)；在該第二區域中沉積一第二矽衍生物層(操作2207，其可參考圖9A')；及對光罩執行清潔操作(操作2209，其可參考圖11至圖14)。
參考圖5G，圖5G展示表示根據本揭露之一些實施例之用於清潔一光罩之一方法之一流程圖。用於清潔一光罩之方法7000包含：對一光罩執行清潔操作(操作7999)。操作7999包含：將一清潔化學品施加於該光罩上(子操作7001，其可參考圖11)；將光阻劑施加於光罩上(子操作7003，其可參考圖12)；及將一清潔化學品施加於光罩上(子操作7005，其可參考圖13)。
圖6及圖7A至圖7D提供用於修復光罩100之一圖案區6之一方法；圖6及圖7A'至圖7B'提供用於修復光罩100y之一圖案區6之另一方法。圖8及圖9A至圖9C提供用於修復光罩100或光罩100y之一隔離區ISO之一方法；圖8及圖9A'提供用於修復光罩100y或光罩100之一隔離區ISO之另一方法。圖10A至圖10F提供用於修復一光罩100x之另一方法。可在製造一光罩之後及在使用該光罩執行一微影操作之前，或在使用光罩執行(若干)微影操作之(若干)循環之後執行本揭露中之修復操作。
參考圖6，圖6係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。提供如圖1A至圖2D中所論述之一光罩100。為獲得一經製造光罩100之吸收體層4之類似於一預定圖案之一圖案，對光罩100執行一檢測操作。缺陷可包含(但不限於)：缺少一所要光罩構件、一經損壞或缺少的散射條、缺少來自一較大圖案構件之材料，或光罩之任何非所要材料損耗。例如，可比較經製造光罩100之圖案與一預定佈局設計，藉此識別不同於原始所要設計之經製造光罩100之缺陷。舉另一實例，亦可憑經驗或藉由演算法識別經製造光罩100之缺陷。如圖6中所展示，識別具有一缺陷之一第一預定區域DA1。
參考圖7A及圖7B，圖7A係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖，圖7B係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。為修復或減輕缺陷，在檢測經製造光罩100上之缺陷之後，將經製造光罩100定位於一修復腔室309中。一第一氣體312係引入至修復腔室309中且施加於光罩100上。第一氣體312係用於形成一第一補片層12之一前驅體。第一氣體312可為一含金屬氣體，諸如可用作形成一含鉻層之一前驅體之一含鉻氣體。例如，第一氣體312可包含Cr(CO)6 、Cr(C6 H6 )2 、Cr(C5 H5 )2 、CrF2 、CrCl2 、CrCl3 、其等之組合或類似者。此外，修復腔室309包含經組態以在一預定區域上方發射射束BM (其可為電子束(e射束)、雷射、離子束或類似者)之一修復工具999。射束BM可使第一氣體312之鍵結解離，從而可以局部化方式在該預定區域中形成一固體材料。射束BM可視需要以一固定方式或一掃描方式輻射。例如，在第一氣體312係一含鉻氣體之情況中，藉由使射束BM輻照於第一預定區域DA1 (展示於圖6中)上方，可在第一預定區域DA1中局部形成一含鉻第一補片層12。在一些實施例中，第一預定區域DA1係鄰近於吸收體層4之一側壁，且所形成之第一補片層12係與吸收體層4之該側壁直接接觸，如圖7B中所展示。在一些實施例中，第一補片層12之一厚度可與吸收體層4之一厚度相當。在沉積第一補片層12之後自修復腔室309排出第一氣體312。
參考圖7C及圖7D，圖7C係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖，圖7D係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。隨後，一第二氣體318係引入至修復腔室309中且施加於光罩100上。第二氣體318係用於形成一第二補片層18之一前驅體。第二氣體318可為可用作形成矽衍生物層之一前驅體之含矽氣體。例如，第二氣體318可為SiH4 、SiCl4 、(CH3 O)4 Si、(C2 H5 O)4 Si、(CH4 SiO)4 、(CH4 SiO)5 、其等之組合或類似者之至少一者。此外，修復腔室309之修復工具999可在一預定區域上方發射射束BM，從而可在此預定區域中局部形成矽衍生物層。視需要，在沉積第二補片層18之後可自修復腔室309排出第二氣體318。在一些實施例中，所形成之第二補片層18完全覆蓋第一補片層12之一經曝露部分。在一些實施例中，第二補片層18之在第一補片層12之側壁上方之一厚度係比第二補片層18之在第一補片層12之頂表面上方之一厚度薄。為用作第二補片層18是否可在一後續清潔操作(如將在圖11至圖14中所論述)期間有效地防止其材料損耗或第一補片層12之材料損耗之一基準，量測鄰近於第二補片層18 (或第一預定區域DA1)之一選定遮罩構件之一第一臨界尺寸CD1。
參考圖7A'及圖7B'，圖7A'係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖，圖7B'係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。在識別如圖6中所論述之具有一缺陷之一第一預定區域DA1之後，一第二氣體318 (類似於圖7C至圖7D中所論述之對應物)係引入至修復腔室309中且施加於光罩100上。藉由在第一預定區域DA1上方輻照射束BM，在第一預定區域DA1中局部沉積第二補片層18。視需要，在沉積第二補片層18之後可自修復腔室309排出第二氣體318。在一些實施例中，第一預定區域DA1係鄰近於吸收體層4之一側壁，且所形成之第二補片層18係與吸收體層4之該側壁直接接觸，如圖7B'中所展示。在一些實施例中，第二補片層18之一厚度可與吸收體層4之一厚度相當。為用作第二補片層18是否可在一後續清潔操作(如將在圖11至圖14中所論述)期間有效地防止其材料損耗之一基準，量測鄰近於第二補片層18 (或第一預定區域DA1)之一選定遮罩構件之一第一臨界尺寸CD1。應注意，在第二補片層18之一材料可吸收具有其他波長之光(諸如193 nm光)之情況中，圖7A'中之上述程序亦可應用於光罩100x。
參考圖8，圖8係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。提供如圖1A至圖2D中所論述之一光罩100，或替代性地如圖4A至圖4D中所論述之光罩100y。為減輕自隔離區ISO之非所要反射或偏轉，在光罩100之隔離區ISO中執行一檢測操作。缺陷可包含(但不限於)落在光罩100之隔離區ISO上之粒子PA。此等粒子PA可引起非所要反射且使微影操作之效能劣化。如圖8中所展示，識別具有一缺陷之一第二預定區域DA2。應注意，在一些情況中，粒子PA之分佈可分散。
參考圖8及圖9A至圖9C，圖9A至圖9C係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之剖面圖。類似於圖7A至圖7B中之論述，一第一氣體312係引入至修復腔室309中且施加於光罩100 (或光罩100y)上。且藉由在第二預定區域DA2上方輻照射束BM，在隔離區ISO中局部形成一第一補片層12以覆蓋第二預定區域DA2中之粒子PA。第一氣體312係自修復腔室309排出，且第二氣體318係引入至修復腔室309中且施加於光罩100上。藉由在第二預定區域DA2上方輻照射束BM，在第一補片層12上方局部形成一第二補片層18。在一些實施例中，第一補片層12係藉由第二補片層18完全覆蓋及圍繞。藉由形成第一補片層12及/或第二補片層18，可吸收輻照於其等上之微影輻射(諸如EUV)之一部分。因此，可減輕在曝光操作期間來自隔離區ISO中之光反射。
在一些實施例中，歸因於修復工具999之約束，一單個第二預定區域DA2可限於一特定尺寸(例如，從俯視圖看，10 nm × 10 nm)。若一單個第二預定區域DA2無法覆蓋所識別粒子之各者，則將判定粒子PA將被劃分至複數個第二預定區域DA2中，且可形成經連接或實體分離之複數個第二補片層18。在一些實施例中，若粒子PA之分佈相當分散，則複數個第二補片層18可相應地放置於分離位置處。
參考圖9A'，圖9A'係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。替代性地，繼識別具有一缺陷之一第二預定區域DA2 (如圖8中所論述)之後，第二氣體318係引入至修復腔室309中且施加於光罩100上。藉由在第二預定區域DA2上方輻照射束BM，在粒子PA上方局部形成一第二補片層18。藉由形成第二補片層18，可吸收輻照於其上之微影輻射(諸如EUV)之一部分。因此，可減輕在曝光操作期間自隔離區ISO之光反射。
應注意，在本揭露中，在一些實施例中，修復圖案區6之第一預定區域DA1係在修復隔離區ISO之第二預定區域DA2之前。在一些其他替代實施例中，修復圖案區6之第一預定區域DA1係在修復隔離區ISO之第二預定區域DA2之後。在一些其他替代實施例中，修復隔離區ISO之第二預定區域DA2可在修復圖案區6之第一預定區域DA1期間執行。
在圖10A至圖10F中，提供如圖3A至圖3B中所論述之光罩100x之製造操作(包含修復)之一部分。參考圖10A，圖10A係根據本揭露之一些實施例之在中間製造操作期間之一光罩之一剖面圖。一吸收體層4經形成於一基板1x上，且一屏蔽層1s經形成於吸收體層4上方且經圖案化。隨後，藉由使用屏蔽層1s作為一遮罩來圖案化吸收體層4。一遮罩層4m進一步形成於屏蔽層1s上方。
參考圖10B，圖10B係根據本揭露之一些實施例之在中間製造操作期間之一光罩之一剖面圖。藉由蝕刻移除自遮罩層4m曝露之屏蔽層1s，因此吸收體層4之一部分係自屏蔽層1s曝露。參考圖10C，圖10C係根據本揭露之一些實施例之在中間製造操作期間之一光罩之一剖面圖。藉此移除遮罩層4m。在一些實施例中，藉由剝離移除遮罩層4m。
參考圖10D，圖10D係根據本揭露之一些實施例之在中間製造操作期間之一光罩之一剖面圖。隨後，在光罩100x上執行一檢測操作以識別待修復之一預定區域DA。該預定區域DA中之缺陷可包含(但不限於)：缺少一所要光罩構件、缺少來自一較大圖案構件之材料，或光罩之任何非所要材料損耗。例如，可比較經製造光罩100x之圖案與一預定佈局設計，從而識別偏離原始所要設計之經製造光罩100x之缺陷。舉另一實例，亦可憑經驗或藉由演算法識別經製造光罩100x之缺陷。
參考圖10E，圖10E係根據本揭露之一些實施例之在製造操作之中間操作期間之一光罩之一剖面圖。第一氣體312係引入至修復腔室309中且施加於光罩100x上。藉由在預定區域DA上方輻照射束BM，在預定區域DA中局部沉積第一補片層12。視需要，在沉積第一補片層12之後可自修復腔室309排出第一氣體312。參考圖10F，圖10F係根據本揭露之一些實施例之在製造操作之中間操作期間之一光罩之一剖面圖。第二氣體318係引入至修復腔室309中且施加於光罩100x上。藉由在預定區域DA上方輻照射束BM，第二補片層18經局部沉積於第一補片層12上方，且進一步覆蓋第一補片層12之一側壁。在一些實施例中，第一補片層12係藉由第二補片層18完全覆蓋。視需要，在沉積第二補片層18之後可自修復腔室309排出第二氣體318。為用作第二補片層18是否可在一後續清潔操作(如將在圖11至圖14中所論述)期間有效地防止其材料損耗或第一補片層12之材料損耗之一基準，量測鄰近於第二補片層18 (或第一預定區域DA1)之一選定遮罩構件之一第一臨界尺寸CD1。
參考圖11，圖11係根據本揭露之一些實施例之在中間清潔操作期間之一光罩的一剖視圖。提供作為圖6至圖9A或圖9A'中所論述之任何實例之經修復光罩100 (或如圖10A至圖10F中所論述之經修復光罩100x)且將其定位於一清潔腔室310中。出於簡潔目的，在下文提供光罩100之實例。應注意，類似操作亦可應用於經修復光罩100x。在一清潔操作中，在光罩100上施加一清潔化學品777或一清潔處理。清潔化學品777或清潔處理包含(但不限於)：去離子水與臭氧(O3 )之組合、去離子水及輻照光(諸如紫外線(UV))之施加、H2 O與二氧化氫(H2 O2 )之組合、硫酸(H2 SO4 )、SC1溶液(包含NH4 OH、H2 O2 、H2 O之溶液)、SPM溶液(包含H2 SO4 、H2 O2 、H2 O之溶液)、包含酸性製劑之濕化學品、包含鹼性製劑之濕化學品、包含二氧化氫(H2 O2 )之濕化學品、氫氧化銨(NH4 OH)、包含反應性化學品之濕化學品或適用於清潔一光罩之任何其他化學品。在施配清潔化學品777期間，光罩100係藉由一旋轉器自旋，因此清潔化學品可以改良之均勻度散佈開。選定清潔配方可有效地移除光罩100之一些污染物。圖11中所繪示之清潔操作係在程序中引入化學力。
在僅用一含鉻層修復之光罩之一比較實施例中，可移除該含鉻層之一部分，且可使可吸收入射光之圖案變形。用於形成如本揭露中提供之光罩100、光罩100y及光罩100x之方法能夠減輕在上述清潔循環期間在光罩上沉積之補片層之材料損耗。
參考圖12，圖12係根據本揭露之一些實施例之在中間清潔操作期間之一光罩之一剖面圖。一光阻劑778經塗覆於光罩100上且經固化。光罩100係在施加光阻劑778期間自旋。圖12中所繪示之清潔操作係在程序中引入自旋力。
參考圖13及圖14，圖13及圖14展示根據本揭露之一些實施例之在中間清潔操作期間之一光罩之剖面圖。一清潔操作係藉由施加一清潔化學品777'或藉由清潔處理來執行。清潔化學品777'或清潔處理包含(但不限於)：去離子水與臭氧(O3 )之組合、去離子水及輻照光(諸如紫外線(UV))之施加、H2 O與二氧化氫(H2 O2 )之組合、硫酸(H2 SO4 )、SC1溶液(包含NH4 OH、H2 O2 、H2 O之溶液)、SPM溶液(包含H2 SO4 、H2 O2 、H2 O之溶液)、包含酸性製劑之濕化學品、包含鹼性製劑之濕化學品、包含二氧化氫(H2 O2 )之濕化學品、氫氧化銨(NH4 OH)、包含反應性化學品之濕化學品或適用於清潔一光罩之任何其他化學品。光罩100係在施加清潔化學品777'期間自旋。視需要，可視需要執行一光阻劑剝離以移除剩餘光阻劑778之至少一部分。圖13中所繪示之清潔操作係在程序中藉由剝離一光阻劑層而引入物理力。
參考圖15A，圖15A係根據本揭露之一些實施例之在修復操作之中間操作期間之一光罩之一剖面圖。為用作第二補片層18是否可有效地防止材料損耗之一基準，在先前量測第一臨界尺寸CD1之情況下，量測選定遮罩構件之一第二臨界尺寸CD2且比較該第二臨界尺寸CD2與第一臨界尺寸CD1。若第二臨界尺寸CD2與第一臨界尺寸CD1之間的一差值(即，CD2-CD1)係小於第一臨界尺寸CD1之一預定臨限部分(諸如10%)，則修復光罩100可被視為完成。否則，光罩100可能再次經歷修復操作及清潔操作。替代性地，第二補片層18或第一補片層12及第二補片層18之組合之一厚度可用作一基準。若此厚度減小至小於一預定值(諸如10 nm)，則修復光罩100可被視為完成。替代性地，可比較吸收體層4及其鄰近補片層(第一補片層12及第二補片層18，或僅第二補片層18)之圖案與預定佈局設計圖案。
參考圖15B，圖15B係根據本揭露之一些實施例之在修復操作之中間操作期間之一光罩的一剖視圖。在一些實施例中，隔離區ISO中之吸收率(或反射率)可經檢測且用於判定修復光罩100 (或光罩100y)是否可被視為完成，或應再次執行修復。
參考圖15C，圖15C係根據本揭露之一些實施例之在修復操作之中間操作期間之一光罩的一剖視圖。類似於圖15A，若第二臨界尺寸CD2與第一臨界尺寸CD1之間的一差值(即，CD2-CD1)係小於第一臨界尺寸CD1之一預定臨限部分(諸如10%)，則修復光罩100x可被視為完成。替代性地，可比較吸收體層4及其鄰近補片層之圖案與所要佈局設計圖案。若修復操作被視為完成，則一薄膜層1y可放置於光罩100x之基板1x上方。
參考圖16A，圖16A展示根據本揭露之一些實施例之在圖案區中之經沉積補片層之一厚度(左垂直軸)與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係，以及圖案區中之臨界尺寸之一變化(右垂直軸)與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。曲線P1及曲線P1'展示在圖案區6中僅沉積有一第一補片層12之一經修復光罩之資料點。曲線P2及曲線P2'展示在圖案區6中沉積有第一補片層12及覆蓋第一補片層12之第二補片層18之一經修復光罩(如圖2A或圖15A中所展示)之資料點。可觀察到，藉由沉積覆蓋第一補片層12之第二補片層18，在4個清潔循環之後，臨界尺寸(CD%)增大係自不具有第二補片層18之情況下之約30%減小至具有第二補片層18之情況下之約10%，且膜高度在沉積第二補片層18之情況下比在不具有第二補片層18之情況下更大，從而證明可透過額外第二補片層18減輕經修復光罩之材料損耗。
參考圖16B，圖16B展示根據本揭露之一些實施例之在隔離區中之經沉積補片層之一厚度與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。與僅在隔離區ISO中沉積一第一補片層12 (曲線P1")相比，進一步沉積覆蓋第一補片層12之一第二補片層18 (曲線P2")減輕光罩之隔離區ISO中之經修復部分之厚度損耗。
參考圖16C，圖16C展示根據本揭露之一些實施例之經沉積補片層之一厚度與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。與僅沉積一第一補片層12 (線Q1)相比，僅沉積一第二補片層18 (線Q2)或在第一補片層12上方沉積一第二補片層18 (線Q3)皆可減輕光罩之隔離區ISO中之經修復部分之厚度損耗。
參考圖17，圖17展示表示根據本揭露之一些實施例之用於製造一半導體裝置之一方法之一流程圖。用於製造一半導體裝置之方法9000包含：形成一光罩(操作9001)；在一晶圓上方形成一光阻劑層(操作9003)；及透過該光罩用光化輻射使該光阻劑層曝光(操作9009)。
本揭露中提供之光罩100、100x或100y可定位於一曝光腔室中，且光罩可用於圖案化塗覆於一晶圓上之一光阻劑層。
本揭露提供一光罩及用於形成光罩之一方法，明確言之包含修復及清潔該光罩。關於一光罩之圖案區，藉由在鄰近於具有缺陷之吸收體層4之第一補片層12 (其可為含鉻層)上方沉積一第二補片層18 (其可為矽衍生物層)，或藉由鄰近於具有缺陷之吸收體層4沉積一第二補片層18 (其可為矽衍生物層)，可減輕補片層之材料損耗。關於一光罩之隔離區ISO，藉由在隔離區中之經偵測粒子上方沉積一第二補片層18 (其可為矽衍生物層)及第一補片層12 (其可為含鉻層)，或藉由在隔離區中之經偵測粒子上方沉積一第二補片層18 (其可為矽衍生物層)，可減輕來自隔離區之反射問題。藉由本揭露提供之修復方法係與用於有效地清潔污染物之相對較強清潔處理合併。
本揭露之一些實施例提供一種光罩，其包含：一基板，其具有一前側；一吸收體層，其在該基板之該前側上方；一第一補片層，其在該基板之該前側上方且鄰近於該吸收體層之一側壁；及一第二補片層，其在該第一補片層上方。
本揭露之一些實施例提供一種光罩，其包含：一基板；一吸收體層，其在該基板上方；一矽衍生物層，其在該基板上方，其中該吸收體之一底表面係與該矽衍生物層之一底層共面。
本揭露之一些實施例提供一種用於修復一光罩之方法，其包含：提供一光罩，其中該光罩包括一基板及在該基板上方之一吸收體層；將一含矽氣體施加於該光罩上方；及鄰近於該吸收體層沉積一第一矽衍生物層。
前述內容概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可易於使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他操作及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認識到此等等效構造不脫離本揭露之精神及範疇，且其等可在本文中做出各種改變、替代及更改而不脫離本揭露之精神及範疇。
此外，本申請案之範疇並不意欲限於本說明書中所描述之程序、機器、製造、物質組合物、構件、方法及步驟之特定實施例。如一般技術者將易於自本揭露之揭露內容瞭解，根據本揭露可利用目前現有或以後開發之執行與本文中所描述之對應實施例實質上相同之功能或達成實質上相同之結果之程序、機器、製造、物質組合物、構件、方法或步驟。因此，隨附發明申請專利範圍旨在其等範疇內包含此等程序、機器、製造、物質組合物、構件、方法或步驟。
1:基板 1s:屏蔽層 1x:基板 1x':第一側 1y:薄膜層 2:反射多層堆疊 3:罩蓋層 4:吸收體層 4m:遮罩層 6:圖案區 7:邊界區 7':黑色邊界區 7z:放電橋接區 12:第一補片層 18:第二補片層 100:光罩 100x:光罩 100y:光罩 309:修復腔室 310:清潔腔室 312:第一氣體 318:第二氣體 777:清潔化學品 777':清潔化學品 778:光阻劑 999:修復工具 1000:方法 1001:操作 1003:操作 1006:操作 1009:操作 1011:操作 1100:方法 1101:操作 1103:操作 1106:操作 1109:操作 1111:操作 1113:操作 1115:操作 1117:操作 1119:操作 1200:方法 1201:操作 1203:操作 1206:操作 1209:操作 1211:操作 2000:方法 2004:操作 2007:操作 2013:操作 2100:方法 2101:操作 2103:操作 2105:操作 2107:操作 2109:操作 2111:操作 2113:操作 2200:方法 2203:操作 2205:操作 2207:操作 2209:操作 7000:方法 7001:子操作 7003:子操作 7005:子操作 7999:操作 9000:方法 9001:操作 9003:操作 9009:操作 BM:射束 CD1:第一臨界尺寸 CD2:第二臨界尺寸 DA:預定區域 DA1:第一預定區域 DA2:第二預定區域 FS:前側 ISO:隔離區 P1:曲線 P1':曲線 P1":曲線 P2:曲線 P2':曲線 P2":曲線 Q1:線 Q2:線 Q3:線 PA:粒子 T4:厚度 T12:厚度 T18':厚度 T18S:厚度 T18T:厚度
當結合附圖閱讀時自以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據業界中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了清楚論述起見，可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一俯視圖之一示意圖。
圖1B係繪示沿著圖1A之線A-A'獲取之一剖面圖之一示意圖，其展示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖。
圖1C係繪示沿著圖1A之線B-B'獲取之一剖面圖之一示意圖，其展示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖。
圖2A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一放大剖面圖之一示意圖。
圖2B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一俯視圖之一示意圖。
圖2C係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一放大剖面圖之一示意圖。
圖2D係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一俯視圖之一示意圖。
圖3A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一剖面圖之一示意圖。
圖3B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一俯視圖之一示意圖。
圖4A係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一放大剖面圖之一示意圖。
圖4B係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一圖案區之一俯視圖之一示意圖。
圖4C係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一放大剖面圖之一示意圖。
圖4D係繪示根據本揭露之一些實施例之一光罩之一隔離區之一俯視圖之一示意圖。
圖5A展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5B展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5C展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5D展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5E展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5F展示表示根據本揭露之一些實施例之用於修復一光罩之一方法之一流程圖。
圖5G展示表示根據本揭露之一些實施例之用於清潔一光罩之一方法之一流程圖。
圖6係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖7A至圖7D係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之剖面圖。
圖7A'至7B'係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之剖面圖。
圖8係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖9A至圖9C係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之剖面圖。
圖9A'係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖10A至圖10F係根據本揭露之一些實施例之在中間製造操作期間之一光罩之剖面圖。
圖11至圖14展示根據本揭露之一些實施例之在中間清潔操作期間之一光罩之剖面圖。
圖15A係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖15B係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖15C係根據本揭露之一些實施例之在中間修復操作期間之一光罩之一剖面圖。
圖16A展示根據本揭露之一些實施例之在圖案區中之經沉積補片層之一厚度與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係，以及圖案區中之臨界尺寸之一變化與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。
圖16B展示根據本揭露之一些實施例之在隔離區中之經沉積補片層之一厚度與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。
圖16C展示根據本揭露之一些實施例之在經沉積補片層之一厚度與所執行之清潔操作之循環次數之間的一關係。
圖17展示表示根據本揭露之一些實施例之用於製造一半導體裝置之一方法之一流程圖。
1:基板
2:反射多層堆疊
3:罩蓋層
4:吸收體層
6:圖案區
12:第一補片層
18:第二補片層
100:光罩
FS:前側
T4:厚度
T12:厚度
T18S:厚度
T18T:厚度

Claims (1)

  1. 一種光罩，其包括： 一基板，其具有一前側； 一吸收體層，其在該基板之該前側上方； 一第一補片層，其在該基板之該前側上方且鄰近於該吸收體層之一側壁；及 一第二補片層，其在該第一補片層上方。
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US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
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