KR20080109569A - 포토마스크 제조방법 - Google Patents
포토마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080109569A KR20080109569A KR1020070058042A KR20070058042A KR20080109569A KR 20080109569 A KR20080109569 A KR 20080109569A KR 1020070058042 A KR1020070058042 A KR 1020070058042A KR 20070058042 A KR20070058042 A KR 20070058042A KR 20080109569 A KR20080109569 A KR 20080109569A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- film
- photoresist film
- photoresist
- light source
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명의 포토마스크 제조방법은, 투명 기판 위에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계; 광차단막 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 포토레지스트막에 노광 및 현상 공정을 진행하여 광차단막의 일부 영역을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 포토레지스트막 패턴 상에 탈이온수를 공급하여 포토레지스트막 패턴을 습화(wetting)시키는 단계; 및 투명 기판을 노광 후 검사장치에 로딩한 다음, 광원을 포토레지스트막 패턴 상에 조사하여 반사율을 측정하는 단계; 및 포토레지스트막 패턴을 마스크로 광차단막 및 위상반전막을 식각하여 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
포토레지스트막, 습화 처리, 패턴 선폭 변화율
Description
도 1 내지 도 5은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 6은 포토마스크의 반사율을 측정시 패턴의 이미지를 나타내보인 도면이다.
도 7 및 도 8은 포토마스크 상에 습화 처리 여부에 따른 선폭 변화율을 나타내보인 그래프이다.
본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 패턴 선폭의 변화율을 최소화시킬 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조공정에서 반도체 기판에 소자들을 형성하기 위해 다수의 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 실시하고 있다. 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 소정의 미세 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 배치하여 진행하고 있다. 이러한 포토마스크는 일반적으로 기판 위에 광차단막을 형성한 다음, 이를 원 하는 패턴으로 식각하여 투과광이 기판만을 통과하여 웨이퍼 위에 조사될 수 있도록 한 바이너리 마스크(Binary Mask)가 적용되어왔다. 그러나 바이너리 마스크보다 미세한 패턴을 형성하기 위해 광차단막 이외의 재료, 예를 들어 수 퍼센트(%)의 투과율을 갖는 위상 반전 물질을 이용하는 감쇄형 위상 반전 마스크(Attenuated Phase Shift Mask)가 제안되어 이용되고 있다.
감쇄형 위상 반전 마스크는 먼저 기판 위에 크롬막 및 위상반전막을 증착한다. 계속해서 위상반전막 위에 포토레지스트막(Photoresist)을 형성한다. 다음에 포토레지스트막 상에 노광(exposure) 공정, 현상(develop) 공정 및 식각(etch) 공정을 진행하여 패턴을 형성하는 순서로 이루어진다.
포토레지스트막이 형성되어 있는 감쇄형 위상반전마스크 상에 패턴을 형성하기 위해 노광 공정을 진행한 다음, 포토레지스트막을 제거하지 않은 상태에서 검사 장치를 이용하여 노광 후 검사를 수행한다. 노광 후 검사는 노광 공정에서 원하는 타겟 패턴이 적절하게 형성되었는지, 결함의 발생여부를 검증하기 위해 진행하는 검사이다. 이러한 노광 후 검사는 반사광을 이용하여 진행하는 것으로써, 노광 후 검사에서 이용되는 반사광은 365nm 이하의 파장대를 갖는 광원을 이용하여 진행한다.
한편, 365nm 이하의 파장대를 갖는 광원을 이용하여 감쇄형 위상반전마스크에 대한 노광 후 검사를 진행하는 경우, 검사를 진행하는 도중에는 광원이 동일 영역에 장시간 머물러 있지 않으므로 포토레지스트막의 상태가 크게 변화하지 않는다. 그러나 검사를 위한 준비 단계에서 반사율 범위를 측정하기 위하여 동일한 영 역에 반복하여 광원을 가하거나 검사 완료 후 결함의 이미지를 확인하기 위해 결함이 있는 영역에 장시간 광원을 가하여 진행하게 된다. 이와 같이 동일한 영역에 반복하여 광원을 가하거나 오랜 시간동안 결함이 있는 영역에 광원을 가하게 되면, 포토레지스트막의 성질이 변화하거나 손상 받을 수 있다.
검사 과정에서 포토레지스트막의 성질이 변화하거나 손상 받게 되면, 이후 진행될 식각 공정에 영향을 미칠 수 있다. 그러므로 식각 공정 후 포토마스크의 패턴 선폭(CD; Critical Dimension)을 측정하면 주요 패턴의 선폭 또한 변하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라 검사 장치의 광원에 의하여 포토레지스트막의 성질 변화 또는 손상을 최소화하여 패턴의 선폭이 변화를 제어할 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 검사 장치의 광원에 의하여 포토레지스트막의 성질 변화 또는 최소화하여 패턴의 선폭 변화를 억제할 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 포토마스크 제조방법은, 투명 기판 위에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막에 노광 및 현상 공정을 진 행하여 상기 광차단막의 일부 영역을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막 패턴 상에 탈이온수를 공급하여 상기 포토레지스트막 패턴을 습화(wetting)시키는 단계; 및 상기 투명 기판을 노광 후 검사장치에 로딩한 다음 광원을 상기 포토레지스트막 패턴 상에 조사하여 반사율을 측정하는 단계; 및 상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 상기 광차단막 및 위상반전막을 식각하여 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 광차단막은 크롬(Cr)막을 포함할 수 있고, 상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 반사율을 측정하는 단계는, 상기 포토레지스트막 패턴의 소정 영역을 지정하여 횟수를 반복하여 광원을 조사하는 것이 바람직하다.
상기 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성하는 단계 이후에, 패턴의 15-25㎛마다 선폭을 측정하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 도 6은 포토마스크의 반사율을 측정시 패턴의 이 미지를 나타내보인 도면이다. 그리고 도 7 및 도 8은 포토마스크 상에 습화 처리 여부에 따른 선폭 변화율을 나타내보인 그래프이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 위에 위상반전막(110) 및 광차단막(120)을 증착한다. 기판(100)은 석영(Quartz)을 포함하는 투명한 재질로 이루어진다. 위상반전막(110)은 노광 공정에서 포토마스크에 투과될 빛의 위상(phase)을 반전시킬 수 있는 물질로, 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 화합물, 예를 들어 몰리브덴실리콘(MoSi)막으로 이루어진다. 위상반전막(110) 위에 증착된 광차단막(120)은 투과되는 빛을 차단하기 위한 막으로 크롬(Cr)막을 포함하여 형성할 수 있다. 다음에 광차단막(120) 위에 포토레지스트막(Photoresist layer)을 스핀 코팅(spin coating) 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 포토레지스트막(130)을 패터닝하여 광차단막(120)을 선택적으로 노출시키는 포토레지스트막 패턴(140)을 형성한다.
구체적으로, 노광 장치를 이용하여 포토레지스트막(130)의 일부 영역에 빛을 조사하는 노광(Exposure)공정을 진행한다. 노광 공정에서 빛이 조사된 부분에 광화학반응이 일어나면서 용해도 차이가 일어난다. 다음에 노광 공정이 진행된 포토레지스트막(130)에 현상(Develop)공정을 진행하여 광화학반응이 발생된 부분의 포토레지스트막을 제거하여 포토레지스트막 패턴(140)을 형성한다.
도 3을 참조하면, 포토레지스트막 패턴(140)이 형성된 투명 기판(100) 상에 탈이온수(DIW; Deionized water)를 공급하여 포토레지스트막 패턴(140)을 습화(wetting) 처리한다. 여기서 포토레지스트막 패턴(140) 상에 공급된 탈이온수(DIW) 는 후속 진행할 노광 검사 과정에서 검사 장치의 반사광에 의해 포토레지스트막 패턴(140)이 손상 받지 않도록 포토레지스트막의 성질을 변화시킨다. 이때, 탈이온수를 이용한 습화 처리 전후의 패턴의 선폭(CD; Critical Dimension) 변화율 차이를 비교하기 위하여 포토레지스트막 패턴(140)의 제1 영역(A)에는 탈이온수를 이용한 습화 처리를 진행하고, 포토레지스트막 패턴(140)의 제2 영역(B)에는 탈이온수를 이용한 습화 처리를 진행하지 않는다.
도 4를 참조하면, 습화(wetting) 처리가 진행된 투명 기판(100)을 노광 후 검사장치(200)에 로딩시킨다음, 노광 후 검사장치(200)로부터 광원을 조사하여 노광 공정이 진행된 포토레지스트막 패턴(140)을 검사한다.
구체적으로, 투명 기판(100)을 노광 후 검사장치(200)에 로딩시킨다. 다음에 검사를 진행하기 전 투명 기판(100) 상에 조사될 광원의 반사율 범위를 측정하기 위하여 동일한 영역에 반복하여 광원을 조사한다. 여기서 노광 공정 후 검사를 위한 준비 단계에서 반사율 범위를 측정하기 위하여 반복적으로 광원을 가한 횟수 및 그에 따른 특정 영역을 나타내보인 도 6을 참조하면, 제 1영역(A)은 탈이온수(DIW)를 이용한 습화 처리를 수행한 후 횟수, 예를 들어 1 내지 10회로 광원을 가한 영역이고, 제2 영역은 습화 처리를 적용하지 않고, 횟수, 예를 들어 1 내지 10회로 광원을 가한 영역을 나타낸다.
다음에 노광 장치를 이용하여 투명 기판(100) 상에 광원을 조사하여 포토레지스트막 패턴(140) 상에 결함 발생 여부를 조사한다. 이러한 노광 후 검사를 완료한 다음 조사된 결함의 이미지를 확인하기 위해 결함이 있는 영역에 광원을 조사하 여 결함을 확인한다. 이때, 습화 처리가 진행된 제1 영역(A)은 노광 후 검사 전 진행하는 검사를 위한 준비 단계 또는 검사 완료 후 결함 확인 단계에서 광원이 동일한 영역에 반복하여 조사되거나 오랜 시간 광원이 조사되더라도 포토레지스트막 패턴(140)의 성질이 변화하지 않는다.
도 5를 참조하면, 포토레지스트막 패턴(140)을 마스크로 노출된 광차단막(120) 및 위상반전막(110)을 식각하여 광차단막 패턴(150) 및 위상반전막 패턴(160)을 형성한다. 그리고 포토레지스트막 패턴(140)은 애슁 공정을 이용하여 제거한다. 다음에 포토레지스트막 패턴(140)의 성질 변화에 따른 패턴의 선폭(CD; Critical Dimension) 변화율을 주사전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)을 이용하여 측정한다. 여기서 광원을 가한 특정 영역뿐만 아니라 특정 영역 주변 패턴의 선폭 변화 유무도 파악하기 위해 특정 영역으로부터 200㎛의 거리까지 매 15-20㎛마다 선폭을 측정하였다. 이때, 탈이온수에 의한 습화 처리가 진행된 제1 영역(A)의 패턴 선폭(a)은 일정하게 형성되는 반면, 제2 영역(B)의 패턴 선폭은 타겟 선폭보다 작게 형성되거나(b), 타겟 선폭보다 크게 형성(c)된다.
이러한 제2 영역(B)의 선폭 변화율 데이터를 나타내보인 도 7을 참조하면, 습화 처리를 적용하지 않고 제2 영역(B)에 반복하여 광원을 가한 경우(1회 내지 10회), 패턴의 선폭 변화율의 범위는 5-15nm인 것을 확인할 수 있다. 이에 대하여 포토레지스트막 패턴에 습화 처리를 진행한 제1 영역(A)의 선폭 변화율 데이터를 나타내보인 도 8을 참조하면, 광원을 반복하여 가한 횟수(1회 내지 10회)에 따른 패턴 선폭의 변화율 범위는 1-5nm임을 확인할 수 있다. 도 7 및 도 8의 데이터를 참 조하면 습화 처리를 적용할 경우, 습화 처리를 적용하지 않은 경우보다 약 10nm 적은 선폭 변화율을 보여 70% 개선된 것을 알 수 있다. 이는 포토레지스트막 패턴이 탈이온수(DIW)를 이용한 습화 처리에 의하여 손상을 최소화시켜 광원의 영향을 적게 받는 성질로 변하게 된다는 것을 알 수 있다. 이에 따라 패턴의 선폭 변화율 또한 최소화시킬 수 있다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크 제조방법에 의하면, 포토레지스트막이 형성된 포토마스크에 초순수 습식 처리를 적용함으로써 검사 과정에서 광원에 의해 포토레지스트막의 성질 변화 또는 손상 받는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라 포토레지스트막의 변성에 의해 주요 패턴의 선폭이 변화하는 것을 최소화할 수 있어 포토마스크의 품질을 향상시킬 수 있다.
Claims (5)
- 투명 기판 위에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계;상기 광차단막 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막에 노광 및 현상 공정을 진행하여 상기 광차단막의 일부 영역을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막 패턴 상에 탈이온수를 공급하여 상기 포토레지스트막 패턴을 습화(wetting)시키는 단계; 및상기 투명 기판을 노광 후 검사장치에 로딩한 다음 광원을 상기 포토레지스트막 패턴 상에 조사하여 반사율을 측정하는 단계; 및상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 상기 광차단막 및 위상반전막을 식각하여 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 광차단막은 크롬(Cr)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징 으로 하는 포토마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 반사율을 측정하는 단계는, 상기 포토레지스트막 패턴의 소정 영역을 지정하여 횟수를 반복하여 광원을 조사하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성하는 단계 이후에, 패턴의 15-25㎛마다 선폭을 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070058042A KR20080109569A (ko) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 포토마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070058042A KR20080109569A (ko) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 포토마스크 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080109569A true KR20080109569A (ko) | 2008-12-17 |
Family
ID=40368859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070058042A KR20080109569A (ko) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 포토마스크 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080109569A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101712971B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2017-03-07 | (주)씨디씨뉴매틱 | 정수기 배관의 필터 연결장치 |
-
2007
- 2007-06-13 KR KR1020070058042A patent/KR20080109569A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101712971B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2017-03-07 | (주)씨디씨뉴매틱 | 정수기 배관의 필터 연결장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100924332B1 (ko) | 포토마스크의 브리지 리페어 방법 | |
| JP5275275B2 (ja) | 基板処理方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクおよび半導体装置の製造方法 | |
| KR100762245B1 (ko) | 포토마스크의 패턴 결함 수정 방법 | |
| CN112034678A (zh) | 一种修补光罩的方法及设备 | |
| KR100869847B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| KR20080109569A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
| US7914951B2 (en) | Method of correcting pattern critical dimension of photomask | |
| KR100854459B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR100930380B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR20080095153A (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| KR100755366B1 (ko) | 포토레지스트 패턴을 이용한 반도체소자의 패턴 형성방법들 | |
| KR20120056925A (ko) | 포토마스크의 배면 리페어 방법 | |
| KR20070064011A (ko) | 위상반전 포토마스크 제조방법 | |
| KR101153998B1 (ko) | 포토 마스크의 패턴 브리지 결함 수정 방법 | |
| KR100645216B1 (ko) | 사진 마스크 및 그 제조 방법 | |
| KR100496815B1 (ko) | 화학적 팽창 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
| KR100755066B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 보정방법 | |
| KR0141156B1 (ko) | 마스크의 리페어방법 | |
| KR20090047011A (ko) | 반도체 소자의 포토마스크 형성방법 | |
| KR20090000870A (ko) | 반도체 소자의 포토마스크 형성방법 | |
| TW202113461A (zh) | 光罩與修復光罩的方法 | |
| KR100865558B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR20060053065A (ko) | 광 조사를 통한 보정을 사용하여 미세 패턴들을 형성하는방법들 | |
| TW202008075A (zh) | 光罩及其形成方法 | |
| KR20080089757A (ko) | 포토마스크의 핀홀 제거방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |