TW202108791A - 長壽命雷射腔電極 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於在一雷射腔中之至少一個電極上產生一保護層之設備及方法，其中將一層形成氣體添加至該雷射腔，且隨後使用該電極在該雷射腔中產生一電漿，從而促成該保護層之形成。

Description

長壽命雷射腔電極
本發明所揭示之主題係關於雷射產生光源，諸如用於積體電路光微影製造製程中的雷射產生光源。
在諸如ArF功率環形放大器準分子放電腔(「PRA」)或KrF準分子放電腔之雷射放電腔中，電極侵蝕對腔室模組之使用壽命強加相當大的限制。延長KrF準分子放電腔模組之使用壽命的一個措施涉及以抗磨損之材料製成陽極。可在例如2007年11月27日發佈的美國專利第7,301,980號及2004年2月10日發佈的美國專利第6,690,706號中找到關於適合用作陽極材料之材料的資訊，該兩個專利皆讓與給本申請案之受讓人且皆以全文引用之方式併入本文中。
含氟電漿對金屬具有高度侵蝕性且因此可在腔室之操作期間導致電極腐蝕及侵蝕。舉例而言，可發生累積於陽極之表面上的腐蝕產物之局部分區之成核及生長。此導致電極與下游電弧之間放電的非均一性。侵蝕導致放電間隙之寬度增加及放電拓寬兩者。此等現象均導致放電之能量密度更低，其繼而使得有必要增加維持能量輸出所需的跨越電極之電壓差。另外，放電拓寬降低氣流之清除速率，從而導致下游電弧增加，導致能量釋放(dropout)及所得劑量誤差。一旦劑量誤差率增加至超過預定臨限值，則認為腔室已達到其使用壽命終點且必須更換。
一或多個金屬氧化物層或金屬氮氧化物層可充當電極之表面的保護層。舉例而言，CuO或ZnO之形成可防止例如黃銅之電極材料氟化。金屬氮氧化物之形成亦如此，金屬氮氧化物具有優良抗壓強度、撓曲強度、破裂韌性、努氏硬度及剪切模數，且具有極高氟化抗性。具有此類層可改良電極之壽命。然而，在電極上形成金屬氧化物之技術目前涉及在爐中於氧氣浴中加熱電極。此等技術使電極翹曲、收縮且以其他方式使電極變形。另外，其通常導致整個電極由保護層覆蓋，此情況係不利的，因為此等方法並非當場執行且若整個電極經塗佈，則即使可能，但仍難以在腔室內安裝經塗佈電極。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對本發明之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的在於將一或多個實施例之一些概念以簡化形式呈現為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據實施例之一個態樣，揭示一種具有電極之雷射腔，該雷射腔經組態以將該電極暴露於層形成氣體，同時在該雷射腔中產生電漿以在該電極上生長一保護性金屬氧化物層或金屬氮氧化物層。因此，該等層在電漿放電期間在該腔室中(亦即，原位)生長。此提供對該等層之較佳空間控制且不會使該等電極變形。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之其他實施例、特徵及優勢，以及各種實施例之結構及操作。
現在參考圖式描述各種實施例，其中相同參考編號始終用於指代相同元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述許多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，顯然在一些或所有情況下，可在不採用下文所描述之特定設計細節之情況下實踐下文所描述之任何實施例。在其他情況下，以方塊圖之形式展示熟知結構及裝置以便促進對一或多個實施例之描述。下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。
圖1展示包括照明系統105之光微影系統100。如下文更充分地描述，照明系統105包括光源，該光源產生脈衝式光束110且將其導引至光微影曝光設備或掃描器115，該光微影曝光設備或掃描器將微電子特徵圖案化於晶圓120上。晶圓120置放於晶圓台125上，該晶圓台125經建構以固持晶圓120且連接至經組態以根據某些參數精確地定位晶圓120之***。
光微影系統100使用波長在深紫外線(DUV)範圍內，例如波長為248奈米(nm)或193 nm的光束110。可圖案化於晶圓120上之微電子特徵的最小大小取決於光束110之波長，波長愈短使得最小特徵大小愈小。當光束110之波長為248 nm或193 nm時，微電子特徵之最小大小可為例如50 nm或更小，但可根據其他實施例產生其他光波長及其他最小特徵大小。光束110之帶寬可為其光譜(或發射光譜)之實際瞬時帶寬，該光譜(或發射光譜)含有關於光束110之光能如何遍及不同波長而分佈的資訊。光微影曝光設備或掃描器115包括具有例如一或多個聚光透鏡、遮罩及物鏡配置之光學配置。遮罩可沿著一或多個方向移動，諸如沿著光束110之光軸或在垂直於光軸之平面中移動。物鏡配置包括投影透鏡且使得能夠自遮罩至晶圓120上之光阻發生影像轉移。照明系統105調整光束110照射於遮罩上之角度的範圍。照明系統105亦使光束110跨越遮罩之強度分佈均勻化(使光束110跨越遮罩之強度分佈均一)。
掃描器115可包括微影控制器130、空氣調節裝置及用於各種電組件之電源供應器，以及其他特徵。微影控制器130控制在晶圓120上印刷層之方式。微影控制器130包括儲存諸如製程配方之資訊的記憶體。製程程式或配方基於例如所使用遮罩以及其他影響曝光之因素而判定對晶圓120之曝光的時長。在微影期間，光束110之複數個脈衝照明晶圓120之同一區域以達到一照明劑量。
光微影系統100亦可適宜地包括控制系統135。一般而言，控制系統135包括數位電子電路系統、電腦硬體、韌體及軟體中之一或多者。控制系統135亦包括記憶體，其可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體。適合於有形地體現電腦程式指令及資料之儲存裝置包括所有形式之非揮發性記憶體，包括(作為實例)：半導體記憶體裝置，諸如EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，諸如內部硬碟及抽取式磁碟；磁光碟；及CD-ROM磁碟。
控制系統135亦可包括一或多個輸入裝置(諸如，鍵盤、觸控螢幕、麥克風、滑鼠、手持型輸入裝置等)及一或多個輸出裝置(諸如，揚聲器或監視器)。控制系統135亦包括一或多個可程式化處理器及有形地體現於機器可讀儲存裝置中以供一或多個可程式化處理器執行之一或多個電腦程式產品。一或多個可程式化處理器可各自執行指令程式以藉由對輸入資料進行操作及產生適當輸出來執行所要功能。通常，處理器自記憶體接收指令及資料。前述任一者可由經專門設計之ASIC (特殊應用積體電路)補充或併入於其中。控制系統135可為集中式的或部分或整體分佈於整個光微影系統100中。
參考圖2，例示性照明系統105為產生脈衝式雷射光束作為光束110的脈衝式雷射源。圖2說明性地且以方塊圖展示根據所揭示主題之某些態樣之實施例的氣體放電雷射系統。氣體放電雷射系統可包括例如固態或氣體放電種子雷射系統140、例如功率環形放大器(「PRA」)載物台之放大載物台145、中繼光學器件150及雷射系統輸出子系統160。種子系統140可包括例如主控振盪器(「MO」)腔165。
種子雷射系統140亦可包括主控振盪器輸出耦合器(「MO OC」) 175，其可包括部分反射鏡面，其與線窄化模組(「LNM」) 170中之反射光柵(未展示)一起形成振盪器空腔，在該振盪器空腔中，種子雷射140振盪以形成種子雷射輸出脈衝，亦即形成主控振盪器(「MO」)。該系統亦可包括線中心分析模組(「LAM」) 180。LAM 180可包括用於精細波長量測之標準具光譜儀以及較粗略解析度光柵光譜儀。MO波前工程箱(「WEB」) 185可用以將MO種子雷射系統140之輸出重新導引至放大載物台145，且可包括例如具有例如多稜鏡擴束器(未展示)的擴束件及例如呈光學延遲路徑(未展示)之形式的同調破壞件(coherence busting)。
放大載物台145可包括例如PRA雷射腔200，其亦可為例如由種子光束注入及輸出耦合光學器件(未展示)形成的振盪器，種子光束注入及輸出耦合光學器件可併入至PRA WEB 210中且可由光束換向器220經由腔室200中之增益介質重新導引返回。PRA WEB 210可併有用於標稱操作波長(例如，對於ArF系統，大約193 nm)之部分反射輸入/輸出耦合器(未展示)及最大反射鏡面，以及一或多個稜鏡。
放大載物台145之輸出處的帶寬分析模組(「BAM」) 230可自該放大載物台接收脈衝之輸出雷射光束且出於度量衡目的，例如為量測輸出帶寬及脈衝能量而截取該光束之一部分。脈衝之雷射輸出光束接著穿過光學脈衝延展器(「OPuS」) 240及輸出組合式自動遮光片度量衡模組(「CASMM」) 250，其亦可為脈衝能量計之部位。OPuS 240之一個目的可為例如將單一輸出雷射脈衝轉換成脈衝串。自原始單一輸出脈衝產生之次級脈衝可相對於彼此延遲。藉由將原始雷射脈衝能量分佈至次級脈衝串中，雷射之有效脈衝長度可得以擴展且同時峰值脈衝強度得以減小。OPuS 240因此可經由BAM 230自PRA WEB 210接收雷射光束且將OPuS 240之輸出導向至CASMM 250。
如此項技術中已知，PRA雷射腔200及MO 165經組態為腔室，其中電極之間的放電可引起雷射氣體中之雷射氣體放電，以產生反相高能量分子群體，包括例如Ar、Kr及/或Xe，從而產生相對寬頻帶輻射，其可經線窄化至線窄化模組(「LNM」) 170中選定之相對非常狹窄之帶寬及中心波長。
圖3中展示此類腔室300之組態，圖3為放電腔之高度風格化之橫截面圖。腔室300包括充當陰極之上部電極310，及充當陽極之下部電極320。下部電極300及上部電極310中之一或兩者可整體容納於由腔壁305界定的腔室300之壓力包絡中，或電極中之一者可能未如此容納。雷射氣體放電出現在間隙A內之此些兩個電極之間。圖3中亦展示上部絕緣體315及下部絕緣體325。下部電極320電連接至腔室300之壁305。出於安全原因，需要將腔壁305以及下部電極320維持在接地電位。在圖3中所展示之實施例中，上部電極310由電壓供應器340以相對於下部電極320為負之電壓驅動。
如所提及，圖3中亦展示電壓供應器340，其建立跨越陰極310及陽極320之電壓梯度。儘管展示電壓供應器340之輸出的極性之符號(-)，但應理解，此為相對而非絕對極性，亦即，相對於下部電極320之極性，該下部電極將通常與腔室300之本體電接觸且必須保持處於接地(0)電位。將上部電極(陰極310)充電至較大的(約20 kV)負電壓。
已知在腔室300中之電極會侵蝕。侵蝕可為與根據例如使用ArF或KrF的實施例之電極材料之氟化反應的結果，或侵蝕可歸因於各種其他侵蝕機制中之任一者。根據實施例之一個態樣，將層形成氣體引入至腔室300中且隨後在腔室300中射出電漿以促使在電極上形成保護層。此展示於圖4中。在圖4中，存在將層形成氣體引入至腔室300中之進氣口400。進氣口400與在控制單元430之控制下操作的閥門410流體連通，以可選擇地將進氣口400連接至層形成氣體之至少一個來源420。一旦腔室300中之層形成氣體之分壓已達到所要值，藉由建立電極310、320之間的適當電壓差而在腔室300中射出電漿。在預定時間間隔之後，移除電壓差且抽空層形成氣體，但在電極310、320上已形成保護層510，如圖5中所展示。
電漿可用於幫助金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物在表面上之生長。放電腔本質上為電漿源，因此在恰當條件下，可原位生長保護層。舉例而言，可將含有氧氣及/或氮氣之層形成氣體引入至腔室中。腔室隨後將以如下方式操作，該方式類似於其通常經操作以充當雷射腔的方式。電漿將與氧氣及/或氮氣一起形成保護層。
若需要保護層為金屬氧化物，則層形成氣體可為例如含氧氣體。含氧氣體之實例包括O2、H2O、H2O2、O3、氧化亞氮(NOx)及空氣。若需要保護層為氮化物，則層形成氣體可為例如含氮氣體。含氮氣體之實例包括N2、NH3、氧化亞氮(NOx)及空氣。若需要保護層為金屬氮氧化物，則層形成氣體可為例如含有或為氮氣及氧氣之混合物的氣體。此類氣體之實例包括氧化亞氮(NOx)、上文提及之含氧氣體及含氮氣體之混合物以及空氣。此等氣體皆僅為實例，且對於一般熟習此項技術者將顯而易見，可使用其他氣體。
用於形成保護層的層形成氣體之濃度/壓力可適宜地處於約百萬分之一位準至約38 kPa之範圍內，或在約百萬分之一至約4 kPa之範圍內。因為腔室之總填充壓力為雷射氣體之約380 kPa，所以此對應於層形成氣體之約百萬分之一至約1%的濃度。
在此等條件下，作為實例，可藉由施加在約17 kV至約28 Kv之範圍內的電壓差而在腔室300中射出電漿，但可使用其他電壓差。
如圖5中所展示，電極500可為電極310或320，其將由諸如黃銅(其為銅及鋅之合金)的主體材料形成。由於暴露於電漿及層形成氣體，將在電極500之暴露表面上形成保護層510。保護層510之組成通常將取決於正使用之電極材料及層形成氣體。含氧氣體可用於在黃銅電極上形成由CuO或ZnO之混合物組成的保護層510。含氮氣體可用於形成黃銅電極之氮化銅(Cu3N)或氮化鋅(Zn3N2)保護層510。含氮及含氧氣體可用於形成黃銅電極之氮氧化銅(Cux Oy Nz )或氮氧化鋅(Znx Oy Nz )保護層510。對於一般熟習此項技術者將顯而易見，可存在其他組合。保護層510之厚度一般在約奈米至約10微米之範圍內。
保護層510之厚度通常將隨形成速率及形成時間而變化。形成速率將取決於層形成之化學方法及電漿之特性。
由於原位層而形成於電極表面頂部之保護層減少電極之侵蝕。在多個實施例中，由於原位層形成而形成於電極表面頂部上之保護層在減少與電極之主體材料之氟化反應中發揮重要作用。保護層愈緻密及均一，則愈加能夠預期侵蝕速率將降低。
圖6為描述根據實施例之一個態樣的用於在電極上原位形成保護層之製程的流程圖。在步驟S10中，將層形成氣體引入至含有電極之腔室直至達到所需分壓。在步驟S20中，藉由持續一預定時間段將電壓施加至電極來射出電漿，以使得層形成氣體能夠在電極表面上形成保護層。在步驟S30中，藉由移除電壓來中止電漿。在步驟S40中，自腔室抽空層形成氣體。因此，在電極上形成保護層。
可週期性重複此等步驟以再生長層。替代地，保護層可藉由受控地引入含有氧氣、氮氣或兩者之稀釋混合物持續地生長。
剛才描述之製程的一個優勢為層生長受限於電極的存在電漿之放電區域，因此層生長之空間控制較佳。此外，電極之加熱與電極通常在腔室之正常操作期間之經歷相同，因此電極變形可能性較小。在任何時候重複生長週期之可能性亦促使電極總體壽命更長。
以上描述包括多個實施例之實例。當然，不可能出於描述前述實施例之目的而描述組件或方法之每一可設想組合，但一般熟習此項技術者可認識到，可存在各種實施例之許多其他組合及排列。因此，所描述之實施例意欲包涵屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇的所有此等變更、修改及變化。此外，就術語「包括」用於實施方式或申請專利範圍中而言，以類似於術語「包含」在「包含」作為過渡詞用於一請求項中時所解譯之方式，此術語意欲為包括性的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確陳述單數限制，否則亦涵蓋複數。另外，除非另有陳述，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分可結合任何其他態樣及/或實施例之全部或一部分加以利用。
在以下編號條項中陳述本發明之其他態樣。 1.   一種設備，其包含： 一雷射腔； 一電極，其至少部分地定位於雷射腔內； 一層形成氣體之一來源，其可連接至該雷射腔；及 一電壓供應器，其電連接至該電極且經組態以將電壓供應至該電極，以在層形成氣體存在下在該電極之一表面產生一電漿，從而在該電極上形成一保護層。 2.   如條項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氧氣體。 3.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含O2。 4.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含H2O。 5.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含H2O2。 6.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含O3。 7.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含氧化亞氮。 8.   如條項2之設備，其中該含氧氣體包含空氣。 9.   如條項1至8中任一項之設備，其中該保護層包含一金屬氧化物。 10.  如條項2至8中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化銅CuO。 11.  如條項2至8中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化鋅ZnO。 12.  如條項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氮氣體。 13.  如條項12之設備，其中該含氮氣體包含N2。 14.  如條項12之設備，其中該含氮氣體包含NH3。 15.  如條項12之設備，其中該含氮氣體包含氧化亞氮。 16.  如條項12之設備，其中該含氮氣體包含空氣。 17.  如條項12至16中任一項之設備，其中該保護層包含一金屬氮化物。 18.  如條項12至16中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮化銅。 19.  如條項12至16中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮化鋅。 20.  如條項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氮及含氧氣體。 21.  如條項20之設備，其中該含氮及含氧氣體包含氧化亞氮。 22.  如條項20之設備，其中該含氮及含氧氣體包含空氣。 23.  如條項20至22中任一項之設備，其中該保護層包含一金屬氮氧化物。 24.  如條項20至22中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮氧化銅。 25.  如條項20至22中任一項之設備，其中該電極包含黃銅，及該保護層包含氮氧化鋅。 26.  一種在以雷射放電腔中之一電極上形成一保護層之方法，該方法包含： 將一層形成氣體添加至該雷射放電腔以達成一預定分壓；及 使用該電極持續一預定時間量在該雷射放電腔內產生一電漿。 27.  如條項26之方法，其中該層形成氣體包含一含氧氣體。 28.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含O2。 29.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含H2O。 30.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含H2O2。 31.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含O3。 32.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含氧化亞氮。 33.  如條項27之方法，其中該含氧氣體包含空氣。 34.  如條項26至33中任一項之方法，其中該保護層包含一金屬氧化物。 35.  如條項26至33中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化銅CuO。 36.  如條項26至33中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化鋅ZnO。 37.  如條項26之方法，其中該層形成氣體包含一含氮氣體。 38.  如條項37之方法，其中該含氮氣體包含N2。 39.  如條項37之方法，其中該含氮氣體包含NH3 40.  如條項37之方法，其中該含氮氣體包含氧化亞氮。 41.  如條項37之方法，其中該含氮氣體包含空氣。 42.  如條項37至41中任一項之方法，其中該保護層包含一金屬氮化物。 43.  如條項37至41中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮化銅。 44.  如條項37至41中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮化鋅。 45.  如條項26之方法，其中該層形成氣體包含一含氮及含氧氣體。 46.  如條項26之方法，其中該含氮及含氧氣體包含氧化亞氮。 47.  如條項26之方法，其中該含氮及含氧氣體包含空氣。 48.  如條項45至47中任一項之方法，其中該保護層包含一金屬氮氧化物。 49.  如條項45至47中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮氧化銅。 50.  如條項45至47中任一項之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮氧化鋅。
100:光微影系統 105:照明系統 110:光束 115:掃描器 120:晶圓 125:晶圓台 130:微影控制器 135:控制系統 140:種子雷射系統 145:放大載物台 150:中繼光學器件 160:雷射系統輸出子系統 165:主控振盪器腔 170:線窄化模組 175:主控振盪器輸出耦合器 180:線中心分析模組 185:波前工程箱 200:PRA雷射腔 210:PRA WEB 220:光束換向器 230:帶寬分析模組 240:光學脈衝延展器 250:輸出組合式自動遮光片度量衡模組 300:腔室 305:腔壁 310:上部電極 315:上部絕緣體 320:下部電極 325:下部絕緣體 340:電壓供應器 400:進氣口 410:閥門 420:來源 430:控制單元 500:電極 510:保護層 A:間隙 S10:步驟 S20:步驟 S30:步驟 S40:步驟
併入本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式以舉例而非限制之方式說明本發明之實施例的方法及系統。圖式與實施方式一起進一步用以解釋本文所呈現之方法及系統之原理且使得熟習相關技術者能夠獲得及使用本文所呈現之方法及系統。在圖式中，相同參考編號指示相同或功能上相似之元件。
圖1展示根據所揭示主題之態樣的光微影系統之總體廣泛概念的未按比例繪示之示意圖。
圖2展示根據所揭示主題之態樣的照明系統之總體廣泛概念的未按比例繪示之示意圖。
圖3為根據所揭示主題之態樣的準分子雷射之放電腔的未按比例繪製之圖解橫截面。
圖4為根據所揭示主題之態樣的準分子雷射之放電腔的未按比例繪製之圖解橫截面。
圖5為根據所揭示主題之態樣的具有保護層之電極的橫截面視圖。
圖6為展示根據所揭示主題之態樣的方法的流程圖。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
300:腔室
305:腔壁
310:上部電極
315:上部絕緣體
320:下部電極
325:下部絕緣體
340:電壓供應器

Claims (24)

  1. 一種設備，其包含： i.    一雷射腔； ii.   一電極，其至少部分地定位於雷射腔內； iii.  一層形成氣體之一來源，其可連接至該雷射腔；及 iv.   一電壓供應器，其電連接至該電極且經組態以將電壓供應至該電極，以在該層形成氣體存在下在該電極之一表面產生一電漿，從而在該電極上形成一保護層。
  2. 如請求項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氧氣體。
  3. 如請求項2之設備，其中該含氧氣體包含O2、H2O或H2O2。
  4. 如請求項2之設備，其中該含氧氣體包含O3。
  5. 如請求項2之設備，其中該含氧氣體包含氧化亞氮或空氣。
  6. 如請求項1之設備，其中該保護層包含一金屬氧化物。
  7. 如請求項1之設備，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化銅CuO或氧化鋅ZnO。
  8. 如請求項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氮氣體。
  9. 如請求項8之設備，其中該含氮氣體包含N2或NH3。
  10. 如請求項8之設備，其中該保護層包含一金屬氮化物，該電極包含黃銅，該金屬氮化物為氮化銅或氮化鋅。
  11. 如請求項1之設備，其中該層形成氣體包含一含氮及含氧氣體。
  12. 如請求項11之設備，其中該保護層包含氮氧化銅或氮氧化鋅，且該電極包含黃銅。
  13. 一種在一雷射放電腔中之一電極上形成一保護層之方法，該方法包含： i.    將一層形成氣體添加至該雷射放電腔以達成一預定分壓；及 ii.   使用該電極持續一預定時間量在該雷射放電腔內產生一電漿。
  14. 如請求項13之方法，其中該層形成氣體包含一含氧氣體。
  15. 如請求項14之方法，其中該含氧氣體包含O2、H2O或H2O2。
  16. 如請求項14之方法，其中該含氧氣體包含O3。
  17. 如請求項14之方法，其中該含氧氣體包含氧化亞氮或空氣。
  18. 如請求項13之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氧化銅CuO或氧化鋅ZnO。
  19. 如請求項13之方法，其中該層形成氣體包含一含氮氣體。
  20. 如請求項19之方法，其中該含氮氣體包含N2或NH3。
  21. 如請求項19之方法，其中該保護層包含一金屬氮化物。
  22. 如請求項21之方法，其中該電極包含黃銅，且該金屬氮化物包含氮化銅或氮化鋅。
  23. 如請求項13之方法，其中該層形成氣體包含一含氮及含氧氣體。
  24. 如請求項13之方法，其中該電極包含黃銅，且該保護層包含氮氧化銅或氮氧化鋅。
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