TW202105483A - 擴展方法、半導體裝置之製造方法及層合型黏著薄片 - Google Patents

Abstract

一種擴展方法，其係在具有第1晶圓面及第2晶圓面之晶圓的第2晶圓面，與具有第1黏著劑層(12)及第1基材(11)的第1黏著薄片(10)之間夾持有與第2晶圓面略同形狀的第2薄片(20)，從第1晶圓面側劃入切口，將晶圓單片化成複數個晶片(CP)，進一步將第2薄片(20)切斷，使前述切口達到第1黏著劑層(12)，將第1黏著薄片(10)拉伸，而擴大複數個晶片(CP)之間隔。

Description

擴展方法、半導體裝置之製造方法及層合型黏著薄片

本發明係有關於一種擴展方法、半導體裝置之製造方法及層合型黏著薄片。

近年來，電子設備的小型化、輕量化及高機能化持續發展。電子設備所搭載的半導體裝置亦要求小型化、薄型化及高密度化。半導體晶片有時會安裝於接近其尺寸的封裝體。此種封裝體亦有稱為晶片級封裝體(Chip Scale Package；CSP)。作為CSP之一，可舉出晶圓級封裝體(Wafer Level Package；WLP)。就WLP而言，係在藉由切割予以單片化前，於晶圓形成外部電極等，最終將晶圓切割而予以單片化。作為WLP，可舉出扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。就扇出型WLP(以下有簡稱為「FO-WLP」)而言，係將半導體晶片以形成大於晶片尺寸之區域的方式以密封構件予以被覆而形成半導體晶片密封體，並將再配線層或外部電極形成於半導體晶片的電路面以及密封構件的表面區域。 舉例而言，文獻1(國際公開第2010/058646號)中記載一種半導體封裝體之製造方法，其係針對由半導體晶圓單片化的複數個半導體晶片，保留其電路形成面，使用模製構件包圍其四周而形成擴展晶圓，且於半導體晶片外的區域將再配線圖型延伸而形成。在文獻1所記載之製造方法中，係在將經單片化的複數個半導體晶片以模製構件包圍前換貼擴展用之晶圓安裝膠帶，並將晶圓安裝膠帶延伸而使複數個半導體晶片之間的距離擴大。 此外，文獻2(日本特開2017-076748號公報)中記載一種黏著薄片，其係依序具備第二基材層、第一基材層與第一黏著劑層，且第二基材層的斷裂延伸度為400%以上。文獻2所記載之半導體裝置之製造方法係具備：於此黏著薄片之第一黏著劑層貼附半導體晶圓之步驟；將半導體晶圓藉由切割予以單片化，而形成複數個半導體晶片之步驟；及將黏著薄片拉伸而擴大半導體晶片彼此之間隔之步驟。 擴展步驟所使用之膠帶，一般而言，為了固定膠帶上的半導體晶片而具有黏著劑層與用來支持黏著劑層的基材。如文獻1所記載，若拉伸擴展用之晶圓安裝膠帶，則不僅膠帶之基材被拉伸，黏著劑層也會被拉伸。於擴展步驟後，若將半導體晶片由黏著劑層剝離，則會發生在與黏著劑層相接之半導體晶片的表面殘留有黏著劑層的問題。於本說明書中，有將此種問題稱為殘膠。 此外，若使用文獻2所記載之黏著薄片來實施擴展步驟，由於與半導體晶片相接之黏著劑層不會被拉伸，而研判不易發生殘膠。然而，在使用文獻2所記載之黏著薄片來進行擴展時，對於來自切割前之晶圓的端部側的半導體晶片，有時會無法充分擴展晶片彼此之間隔。 此外，作為在擴展方法中於黏著薄片上所支持之被黏物，可舉出半導體晶片，以及例如晶圓、半導體裝置封裝體及微LED等半導體裝置。就此等半導體裝置而言，亦與半導體晶片相同，有時會使半導體裝置彼此之間隔擴展。

本發明目的在於提供一種與以往相比可簡化製程，且可充分擴展晶片彼此之間隔，同時可抑制殘膠的擴展方法，以及包含該擴展方法的半導體裝置之製造方法。又，本發明另一目的在於提供一種使用於該半導體裝置之製造方法的層合型黏著薄片。 根據本發明一形態，係提供一種擴展方法，其係在具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側的第2晶圓面之晶圓的前述第2晶圓面，與具有第1黏著劑層及第1基材的第1黏著薄片之間夾持有與前述第2晶圓面略同形狀的第2薄片，從前述第1晶圓面側劃入切口，將前述晶圓單片化成複數個晶片，進一步將前述第2薄片切斷，使前述切口達到前述第1黏著劑層，將前述第1黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述第2薄片係預先層合於前述第1黏著薄片之前述第1黏著劑層，以層合於前述第1黏著薄片之狀態的前述第2薄片支持前述晶圓。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述第2薄片係具有第2黏著劑層及第2基材之黏著薄片。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述第2薄片係含有由黏著劑所形成之層所成之薄片。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述第1黏著薄片為擴展薄片。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述晶圓為半導體晶圓。 於本發明一形態之擴展方法中，較佳的是，前述第1晶圓面具有電路。 根據本發明一形態，係提供一種半導體裝置之製造方法，其包含前述本發明一形態之擴展方法。 根據本發明一形態，係提供一種層合型黏著薄片，其係具有：具有第1黏著劑層及第1基材的第1黏著薄片與層合於前述第1黏著劑層的第2薄片，且貼附於具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側的第2晶圓面之晶圓而使用，其中，前述第2薄片係與前述晶圓之前述第1晶圓面略同形狀，前述層合型黏著薄片係使用於以前述第2薄片支持前述晶圓之前述第1晶圓面側，從前述第2晶圓面側劃入切口，將前述晶圓單片化成複數個晶片，進一步將前述第2薄片切斷，使前述切口達到前述第1黏著劑層，將前述第1黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔之擴展方法。 根據本發明一形態，可提供一種與以往相比可簡化製程，且可充分擴展晶片彼此之間隔，同時可抑制殘膠的擴展方法。根據本發明另一形態，可提供一種包含該擴展方法的半導體裝置之製造方法。又，根據本發明又一形態，可提供一種使用於該半導體裝置之製造方法的層合型黏著薄片。

[第1實施形態] 以下就本實施形態之擴展方法及包含該擴展方法的半導體裝置之製造方法加以說明。 圖1(圖1A及圖1B)、圖2及圖3(圖3A及圖3B)為說明包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法的剖面示意圖。 本實施形態之擴展方法係具備下列步驟(P1)~(P3)之步驟。(P1)在具有第1晶圓面及第2晶圓面之晶圓的第2晶圓面與第1黏著薄片之間夾持與前述第2晶圓面略同形狀的第2薄片之步驟。第1黏著薄片係具有第1黏著劑層與第1基材。 (P2)從第1晶圓面側劃入切口，將晶圓及第2薄片切斷而單片化成複數個晶片之步驟。第1晶圓面為晶片之電路面，第2晶圓面則為晶片背面。切口係深達第1黏著劑層。 (P3)將第1黏著薄片拉伸，而擴大複數個晶片之間隔之步驟。 圖1A為用來說明步驟(P1)的圖。圖1A中記載貼附有第1黏著薄片10及第2薄片20的半導體晶圓W。 半導體晶圓W係具有作為第1晶圓面之電路面W1與作為第2晶圓面之背面W3。電路面W1上形成有電路W2。 半導體晶圓W係保持於第1黏著薄片10上。於本實施形態中，在半導體晶圓W與第1黏著薄片10之間夾持有第2薄片20。於本實施形態中，係舉以電路面W1露出之狀態進行製程的形態為例加以說明，惟其他形態之實例可舉出例如以在電路面W1貼附有保護薄片或保護膜等保護構件之狀態進行製程的形態。 第1黏著薄片10係具有第1黏著劑層12與第1基材11。第1黏著薄片10的細節係於後述。 第2薄片20係與半導體晶圓W的背面W3略同形狀。第2薄片20的形狀較佳為可被覆半導體晶圓W的背面W3之形狀。因此，第2薄片20係以與半導體晶圓W的背面W3大致相同，或形成為比背面W3稍大為佳。 又，第2薄片20係以在薄片的面方向形成為小於第1黏著薄片10為佳。第1黏著薄片10之第1黏著劑層12中未層合有第2薄片20的部分可貼附環框等治具。 本實施形態之第2薄片20係由單層所構成。此外，第2薄片20亦可為多層層合而成的薄片。基於控制透光率的容易性及製造成本之觀點，第2薄片20較佳由單層所構成。 半導體晶圓W例如可為矽晶圓或砷化鎵等化合物半導體晶圓。作為在半導體晶圓W之電路面W1形成電路W2之方法，可舉出通用方法，可列舉例如蝕刻法及剝離法等。 [背面研磨步驟] 於步驟(P1)中所準備之半導體晶圓W較佳為藉由經過背面研磨步驟而得到的晶圓。 於背面研磨步驟中，係將半導體晶圓W之電路面W1之相反側的面研磨至晶圓成為既定的厚度。背面W3較佳為將半導體晶圓W進行背面研磨而形成的面。以研磨半導體晶圓W後所露出的面作為背面W3。 研磨半導體晶圓W之方法不特別限定，可舉出例如使用研磨機等的週知方法。於研磨半導體晶圓W時，為了保護電路W2，較佳將所稱「背面研磨薄片」的黏著薄片貼附於電路面W1。晶圓的背面研磨係將半導體晶圓W之電路面W1側，亦即背面研磨薄片側藉由吸盤台等予以固定，並藉由研磨機研磨未形成有電路的背面側。 研磨前之半導體晶圓W的厚度不特別限定，通常為500μm以上1000μm以下。 研磨後之半導體晶圓W的厚度不特別限定，通常為20μm以上500μm以下。 [第1黏著薄片及第2薄片之貼附步驟] 步驟(P1)中所準備之半導體晶圓W較佳為經過背面研磨步驟，並進一步經過對背面W3貼附第1黏著薄片10及第2薄片20之貼附步驟而得到的晶圓。有將此貼附步驟稱為第1黏著薄片及第2薄片之貼附步驟。 諸如後述，於步驟(P2)中，半導體晶圓W係藉由切割單片化成複數個半導體晶片CP，且於步驟(P3)中，藉由擴展而擴大複數個半導體晶片CP彼此之間隔。於本實施形態中，為了在切割半導體晶圓W時保持半導體晶圓W，及為了在擴展黏著薄片時保持半導體晶片CP，而對背面W3貼附第1黏著薄片10及第2薄片20。 貼附於背面W3之第1黏著薄片10及第2薄片20較佳為預先經層合的層合型黏著薄片1(茲參照圖1A)。此層合型黏著薄片1係具有第1黏著薄片10及第2薄片20。於此層合型黏著薄片1中，第2薄片20係層合於第1黏著劑層12。使用層合型黏著薄片1時，半導體晶圓W係將其背面W3朝向第2薄片20而貼附。由於第2薄片20係形成為與背面W3略同形狀，而能夠被覆背面W3。 此外，對背面W3貼附第1黏著薄片10及第2薄片20之步驟非限定於使用層合型黏著薄片1之形態，亦可為例如對半導體晶圓W的背面W3貼附第2薄片20後，將第1黏著薄片10貼合於第2薄片20之形態。 [切割步驟] 圖1B為用來說明步驟(P2)的圖。有將步驟(P2)稱為切割步驟。圖1B中示出保持於第1黏著薄片10的複數個半導體晶片CP。 背面W3貼附有第1黏著薄片10及第2薄片20之狀態的半導體晶圓W係藉由切割而單片化，而形成複數個半導體晶片CP。作為第1晶圓面之電路面W1係相當於晶片之電路面。作為第2晶圓面之背面W3則相當於晶片背面。 於本實施形態中，從電路面W1側劃入切口，將半導體晶圓W切斷，並進一步將第2薄片20切斷，進而使切口達到第1黏著劑層12。藉此切割，第2薄片20亦經切斷成與半導體晶片CP相同尺寸。 切割係使用切割鋸等的切斷手段。 切割時的切斷深度，只要是可將半導體晶圓W及第2薄片20單片化的深度則不特別限定。於本實施形態中，係舉切口深入至第1基材11之形態為例加以說明。 於本實施形態中，藉由切割步驟，可獲得在半導體晶片CP的背面W3側，在複數個半導體晶片CP與第1黏著薄片10之第1黏著劑層12之間介隔著經單片化之第2薄片20的層合構造。 [擴展步驟] 圖2為用來說明步驟(P3)的圖。有將步驟(P3)稱為擴展步驟。圖3中示出在切割步驟後，將第1黏著薄片10拉伸而擴大複數個半導體晶片CP之間隔之狀態。 在擴展複數個半導體晶片CP之間隔時，較佳在藉由所稱擴展薄片之黏著薄片保持複數個半導體晶片CP的狀態下將擴展薄片拉伸。於本實施形態中，第1黏著薄片10較佳為擴展薄片。 於擴展步驟中拉伸第1黏著薄片10之方法不特別限定。拉伸第1黏著薄片10之方法可舉出例如緊壓環狀或者圓形的擴展器而拉伸第1黏著薄片10的方法及使用夾持構件等抓持第1黏著薄片10的外周部而予以拉伸的方法等。於本實施形態中，由於複數個半導體晶片CP之間隔D1係相依於半導體晶片CP的尺寸，而不特別限制。尤其是，貼附於黏著薄片的單面之複數個半導體晶片CP中相鄰之半導體晶片CP的相互之間隔D1較佳為200μm以上。此外，該半導體晶片CP的相互之間隔的上限不特別限制。該半導體晶片CP的相互之間隔的上限可為例如6000μm。 [第1轉印步驟] 於本實施形態中，在擴展步驟後，亦可實施將貼附於第1黏著薄片10的複數個半導體晶片CP轉印於其他黏著薄片(例如第3黏著薄片)之步驟(以下有稱為「第1轉印步驟」)。 圖3A中示出說明將貼附於第1黏著薄片10的複數個半導體晶片CP轉印於第3黏著薄片30之步驟(「第1轉印步驟」)的圖。 第3黏著薄片30，只要可保持複數個半導體晶片CP則不特別限定。第3黏著薄片30係具有第3基材31與第3黏著劑層32。欲密封第3黏著薄片30上的複數個半導體晶片CP時，作為第3黏著薄片30，較佳使用密封步驟用之黏著薄片，更佳使用具耐熱性之黏著薄片。再者，當第3黏著薄片30使用具耐熱性之黏著薄片時，第3基材31及第3黏著劑層32較佳分別以具有可承受密封步驟中所施加之溫度的耐熱性之材料所形成。 於本實施形態中實施轉印步驟時，較佳為例如在擴展步驟後，對複數個半導體晶片CP之電路面W1貼附第3黏著薄片30，其後，將第1黏著薄片10及第2薄片20由背面W3剝離。可一併將第1黏著薄片10及第2薄片20由背面W3剝離，亦可先剝離第1黏著薄片10後再將第2薄片20由背面W3剝離。有將由背面W3剝離第2薄片20之步驟稱為第2薄片之剝離步驟。 第2薄片之剝離步驟後，亦較佳維持在擴展步驟中所擴展之複數個半導體晶片CP間之間隔D1。 將第2薄片20由背面W3剝離時，基於抑制黏膠殘留於背面W3之一觀點，第2薄片20較佳含有第2能量線硬化性樹脂。當第2薄片20含有第2能量線硬化性樹脂時，係對第2薄片20照射能量線，而使第2能量線硬化性樹脂硬化。若使第2能量線硬化性樹脂硬化，可提高第2薄片20中之黏著成分的凝聚力，而使第2薄片20與半導體晶片CP的背面W3之間的黏著力降低或消失。能量線可舉出例如紫外線(UV)或電子束(EB)等，較佳為紫外線。從而，第2能量線硬化性樹脂較佳為紫外線硬化型樹脂。 基於將第2薄片20一併與第1黏著薄片10由背面W3剝離之一觀點，第1黏著劑層12較佳含有第1能量線硬化性樹脂。當第1黏著劑層12含有第1能量線硬化性樹脂，且第2薄片20含有第2能量線硬化性樹脂時，係從第1基材11側對第1黏著劑層12及第2薄片20照射能量線，而使第1能量線硬化性樹脂及第2能量線硬化性樹脂硬化。用來使第1能量線硬化性樹脂硬化的能量線可舉出例如紫外線(UV)或電子束(EB)等，較佳為紫外線。從而，第1能量線硬化性樹脂較佳為紫外線硬化型樹脂。第1基材11較佳具有能量線之穿透性。 此外，作為有別於本實施形態之形態，亦可未將第2薄片20由半導體晶片CP的背面W3剝離，而作為供保護半導體晶片CP的背面W3之保護膜使用。將第2薄片20作為背面W3之保護膜使用時，第2薄片20較佳由未硬化之硬化性接著劑所形成。要使第2薄片20發揮作為保護膜之機能時，係使第2薄片20所含之硬化性接著劑硬化。 第3黏著薄片30亦可與複數個半導體晶片CP共同貼附於環框上。此時，係於第3黏著薄片30之第3黏著劑層32上載置環框，將其輕輕按壓而固定。其後，將在環框的環狀內側露出的第3黏著劑層32緊壓於半導體晶片CP之電路面W1，而將複數個半導體晶片CP固定於第3黏著薄片30。或者，將在環框的環狀內側露出的第3黏著劑層32緊壓於半導體晶片CP的背面W3或貼附於背面W3之第2薄片20，而將複數個半導體晶片CP固定於第3黏著薄片30。 [密封步驟] 圖3B中示出說明使用密封構件300來密封複數個半導體晶片CP之步驟(以下有稱為「密封步驟」)的圖。 於本實施形態中，密封步驟係在將複數個半導體晶片CP轉印於第3黏著薄片30後實施。 於密封步驟中，係藉由在電路面W1被第3黏著薄片30保護的狀態下將複數個半導體晶片CP藉由密封構件300被覆而形成密封體3。在複數個半導體晶片CP之間亦填充有密封構件300。由於係藉由第3黏著薄片30被覆電路面W1及電路W2，而能夠防止電路面W1被密封構件300被覆。 藉由密封步驟，可獲得各以既定距離隔開的複數個半導體晶片CP嵌入至密封構件300中的密封體3。於密封步驟中，複數個半導體晶片CP較佳在維持實施擴展步驟後之間隔D1的狀態下由密封構件300被覆。 於密封步驟後，將第3黏著薄片30剝離。若剝離第3黏著薄片30，則與半導體晶片CP之電路面W1及密封體3之第3黏著薄片30接觸的面3A會露出。 於前述擴展步驟後，藉由重複任意次數之轉印步驟及擴展步驟，可使半導體晶片CP間的距離成為期望的距離，而能夠使密封半導體晶片CP時之電路面的位向成為期望的位向。 [其他步驟] 由密封體3剝離黏著薄片後，對此密封體3依序進行：再配線層形成步驟，係形成與半導體晶片CP電性連接之再配線層；及連接步驟，係將再配線層與外部端子電極電性連接。藉由再配線層形成步驟及與外部端子電極的連接步驟，而將半導體晶片CP之電路與外部端子電極電性連接。 以半導體晶片CP為單元將連接有外部端子電極的密封體3單片化。使密封體3單片化之方法不特別限定。藉由將密封體3單片化，即製成半導體晶片CP單元的半導體封裝體。連接有扇出至半導體晶片CP之區域外的外部電極之半導體封裝體係以扇出型晶圓級封裝體(FO-WLP)製造。 (第1黏著薄片) 第1黏著薄片10係具有第1基材11與第1黏著劑層12。第1黏著劑層12係層合於第1基材11。 ・第1基材 第1基材11，只要在擴展步驟等期望的步驟(例如步驟(P1)~(P3))中可適當地發揮其機能，則其構成材料不特別限定。 前述第1基材11較佳具有第一基材面及第一基材面之相反側的第二基材面。 於第1黏著薄片10中，較佳在第一基材面及第二基材面的其中一面設有第1黏著劑層12，另一面則較佳為未設有黏著劑層。 第1基材11之材料，基於容易大幅延伸之觀點，較佳為熱塑性彈性體、或橡膠系材料，更佳為熱塑性彈性體。 又，第1基材11之材料，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用玻璃轉移溫度(Tg)較低的樹脂。此種樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為90℃以下，更佳為80℃以下，再更佳為70℃以下。 熱塑性彈性體可舉出胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及醯胺系彈性體等。熱塑性彈性體可單獨使用1種或組合使用2種以上。熱塑性彈性體，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用胺基甲酸酯系彈性體。 一般而言，胺基甲酸酯系彈性體係使長鏈多元醇、鏈延長劑及二異氰酸酯反應而得。胺基甲酸酯系彈性體係由具有衍生至長鏈多元醇之構成單元的軟鏈段，與具有由鏈延長劑與二異氰酸酯之反應而得之聚胺基甲酸酯結構的硬鏈段所構成。 若將胺基甲酸酯系彈性體根據長鏈多元醇的種類來分類，則可分為聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯彈性體等。胺基甲酸酯系彈性體可單獨使用1種或組合使用2種以上。於本實施形態中，胺基甲酸酯系彈性體，基於容易大幅延伸之觀點，較佳為聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體。 長鏈多元醇之實例可舉出內酯系聚酯多元醇及己二酸酯系聚酯多元醇等聚酯多元醇；聚丙烯(乙烯)多元醇及聚四亞甲基醚二醇等聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。於本實施形態中，長鏈多元醇，基於容易大幅延伸之觀點，較佳為己二酸酯系聚酯多元醇。 二異氰酸酯之實例可舉出2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯等。於本實施形態中，二異氰酸酯，基於容易大幅延伸之觀點，較佳為六亞甲基二異氰酸酯。 鏈延長劑可舉出低分子多元醇(例如1,4-丁二醇及1,6-己二醇等)及芳香族二胺等。此等當中，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用1,6-己二醇。 烯烴系彈性體可舉出包含選自由乙烯・α-烯烴共聚物、丙烯・α-烯烴共聚物、丁烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丙烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、丙烯・丁烯-α烯烴共聚物、乙烯・丙烯・丁烯-α・烯烴共聚物、苯乙烯・異戊二烯共聚物及苯乙烯・乙烯・丁烯共聚物所成群組的至少1種樹脂之彈性體。烯烴系彈性體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 烯烴系彈性體的密度不特別限定。例如，烯烴系彈性體的密度較佳為0.860g/cm³ 以上且未達0.905g/cm³ ，更佳為0.862g/cm³ 以上且未達0.900g/cm³ ，特佳為0.864g/cm³ 以上且未達0.895g/cm³ 。透過烯烴系彈性體的密度滿足上述範圍，基材其將作為被黏物之半導體晶圓等半導體裝置貼附於黏著薄片時的凹凸順應性等優異。 就烯烴系彈性體，用以形成此彈性體的全部單體當中，由烯烴系化合物所構成之單體的質量比率(於本說明書中亦稱為「烯烴含有率」) 較佳為50質量%以上100質量%以下。 烯烴含有率過低時，不易顯現作為包含烯烴所衍生之結構單元的彈性體之性質，使得基材不易顯示柔軟性及橡膠彈性。 基於穩定獲得柔軟性及橡膠彈性之觀點，烯烴含有率較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上。 苯乙烯系彈性體可舉出苯乙烯-共軛二烯共聚物及苯乙烯-烯烴共聚物等。苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例可舉出苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之氫化物)及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS，苯乙烯-丁二烯共聚物之氫化物)等的氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。又，工業上，作為苯乙烯系彈性體，可舉出Tufprene(旭化成股份有限公司製)、Kraton(Kraton Polymer Japan股份有限公司製)、住友TPE-SB(住友化學股份有限公司製)、Epofriend(DAICEL股份有限公司製)、RABALON(Mitsubishi Chemical 股份有限公司製)、Septon(Kuraray股份有限公司製)及Tuftec(旭化成股份有限公司製)等商品名。苯乙烯系彈性體可為氫化物或未氫化物。 橡膠系材料可舉出例如天然橡膠、合成異戊二烯橡膠(IR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丙烯腈-丁二烯共聚合橡膠(NBR)、丁基橡膠(IIR)、鹵化丁基橡膠、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠及多硫化橡膠等。橡膠系材料可單獨使用此等的1種或組合使用2種以上。 第1基材11亦可為由如上述之材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所構成的薄膜以多層層合而成的層合薄膜。又，第1基材11也可為由如上述之材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所構成的薄膜與其他薄膜層合而成的層合薄膜。 第1基材11亦可在以上述樹脂系材料為主材料的薄膜內含有添加劑。添加劑可舉出例如顏料、染料、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、滑劑及填料等。顏料可舉出例如二氧化鈦及碳黑等。又，填料可例示如三聚氰胺樹脂之有機系材料、如發煙二氧化矽之無機系材料及如鎳粒子之金屬系材料。可含於薄膜內之添加劑的含量不特別限定，較佳僅限於可使第1基材11發揮期望之機能的範圍。 第1基材11係於第1基材11的單面或兩面實施有用來提升與層合於第1基材11的表面之第1黏著劑層12的密合性之處理。 當第1黏著劑層12含有能量線硬化性黏著劑時，第1基材11較佳具有對能量線之穿透性。能量線使用紫外線時，第1基材11較佳對紫外線具有穿透性。能量線使用電子束時，第1基材11較佳具有電子束之穿透性。 第1基材11的厚度，只要第1黏著薄片10可於期望的步驟中適當地發揮其機能則不予限定。第1基材11的厚度較佳為20μm以上，更佳為40μm以上。又，第1基材11的厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。 又，在第1基材11之第一基材面及第二基材面的面內方向以2cm間隔測定多處的厚度時之第1基材11的厚度的標準差較佳為2μm以下，更佳為1.5μm以下，再更佳為1μm以下。透過該標準差為2μm以下，第1黏著薄片10即具有高精確度之厚度，而能夠均勻地延伸第1黏著薄片10。 較佳的是，於23℃下第1基材11之MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上350MPa以下，於23℃下第1基材11之MD方向及CD方向的100%應力分別為3MPa以上20MPa以下。 透過拉伸彈性率及100%應力為上述範圍，可大幅延伸第1黏著薄片10。 第1基材11的100%應力係如下列方式所獲得的值。由第1基材11切出150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)之大小的試片。以夾具間的長度為100mm的方式用夾具夾住切出之試片的長度方向的兩端。用夾具夾住試片後，以速度200mm/min朝長度方向拉伸，讀取夾具間的長度成為200mm時之拉伸力的測定值。第1基材11的100%應力係由讀取之拉伸力的測定值除以基材之剖面積而得到的值。第1基材11之剖面積係以寬度方向長度15mm×第1基材11(試片)的厚度算出。該切出係以基材製造時之流動方向(MD方向)或與MD方向正交之方向(CD方向)和試片的長度方向一致的方式來進行。此外，於此拉伸試驗中，試片的厚度不特別限制，亦可與作為試驗對象之基材的厚度相同。 於23℃下第1基材11之MD方向及CD方向的斷裂延伸度分別較佳為100%以上。 透過第1基材11之MD方向及CD方向的斷裂延伸度分別為100%以上，可不發生斷裂地大幅延伸第1黏著薄片10。 基材的拉伸彈性率(MPa)及基材的斷裂延伸度(%)可如下測定。將基材裁切成15mm×140mm而得到試片。對該試片，依據JIS K7161：2014及JIS K7127：1999測定23℃下的斷裂延伸度及拉伸彈性率。具體而言，係對上述試片，以拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，夾頭間距離設定為100mm後，以200mm/min的速度進行拉伸試驗，並測定斷裂延伸度(%)及拉伸彈性率(MPa)。此外，測定係於基材製造時之流動方向(MD)及與其呈垂直的方向(CD)此兩者進行。 ・第1黏著劑層 第1黏著劑層12，只要在擴展步驟等期望之步驟中可適當地發揮其機能則其構成材料不特別限定。第1黏著劑層12所含之黏著劑可舉出例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑及胺基甲酸酯系黏著劑。 ・能量線硬化性樹脂(ax1) 第1黏著劑層12較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)。能量線硬化性樹脂(ax1)係於分子內具有能量線硬化性雙鍵。 含有能量線硬化性樹脂之黏著劑層，可藉由照射能量線硬化而使黏著力降低。欲分離被黏物與黏著薄片時，藉由將能量線照射至黏著劑層，可容易地分離。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為紫外線硬化性樹脂，更佳為紫外線硬化性(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)係一受到能量線的照射便會聚合硬化的樹脂。能量線可舉出例如紫外線及電子束等。 能量線硬化性樹脂(ax1)之實例可舉出具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能單體、多官能單體、單官能寡聚物及多官能寡聚物)。能量線硬化性樹脂(ax1)，具體而言可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯及1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯及丙烯酸異莰酯等含環狀脂肪族骨架之丙烯酸酯，以及聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及伊康酸寡聚物等丙烯酸酯系化合物。能量線硬化性樹脂(a1)可單獨使用1種或組合使用2種以上。 能量線硬化性樹脂(ax1)的分子量通常為100以上30000以下，較佳為300以上10000以下左右。 ・(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 第1黏著劑層12較佳進一步包含(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸系共聚物係有別於前述之能量線硬化性樹脂(ax1)。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳具有能量線硬化性碳-碳雙鍵。亦即，於本實施形態中，第1黏著劑層12較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)與能量線硬化性(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。 第1黏著劑層12，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，能量線硬化性樹脂(ax1)較佳以10質量份以上的比例含有，更佳以20質量份以上的比例含有，再更佳以25質量份以上的比例含有。 第1黏著劑層12，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，能量線硬化性樹脂(ax1)較佳以80質量份以下的比例含有，更佳以70質量份以下的比例含有，再更佳以60質量份以下的比例含有。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上，更佳為15萬以上，再更佳為20萬以上。 又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的重量平均分子量(Mw)較佳為150萬以下，更佳為100萬以下。 此外，本說明書中之重量平均分子量(Mw)係根據凝膠滲透層析法(GPC法)所測得的標準聚苯乙烯換算值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳為側鏈導入有具能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下有稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」)。 ・能量線硬化性聚合物(b2) 能量線硬化性聚合物(b2)較佳為使具有含官能基單體單元之丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基化合物(b22)反應而得的共聚物。 於本說明書中，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯此兩者。其他類似用語亦同。 丙烯酸系共聚物(b21)較佳包含衍生自含官能基單體的構成單元，與衍生自(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體之衍生物的構成單元。 作為丙烯酸系共聚物(b21)之構成單元的含官能基單體較佳為分子內具有聚合性雙鍵與官能基的單體。官能基較佳為選自由羥基、羧基、胺基、經取代胺基及環氧基等所成群組的至少任一種官能基。 含羥基單體可舉出例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 含羧基單體可舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸及檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。含羧基單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 含胺基單體或經取代含胺基單體可舉出例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯及 (甲基)丙烯酸正丁基胺基乙酯等。含胺基單體或經取代含胺基單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 構成丙烯酸系共聚物(b21)之(甲基)丙烯酸酯單體，除烷基之碳數為1以上20以下的(甲基)丙烯酸烷基酯外，較佳使用例如分子內具有脂環式結構之單體(含脂環式結構單體)。 (甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為1以上18以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯更佳為例如(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用1種或組合使用2種以上。 含脂環式結構單體較佳使用例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯及(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯等。含脂環式結構單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 丙烯酸系共聚物(b21)，衍生自上述含官能基單體的構成單元較佳以1質量%以上的比例含有，更佳以5質量%以上的比例含有，再更佳以10質量%以上的比例含有。 又，丙烯酸系共聚物(b21)，衍生自上述含官能基單體的構成單元較佳以35質量%以下的比例含有，更佳以30質量%以下的比例含有，再更佳以25質量%以下的比例含有。 再者，丙烯酸系共聚物(b21)，衍生自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的構成單元較佳以50質量%以上的比例含有，更佳以60質量%以上的比例含有，再更佳以70質量%以上的比例含有。 此外，丙烯酸系共聚物(b21)，衍生自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的構成單元較佳以99質量%以下的比例含有，更佳以95質量%以下的比例含有，再更佳以90質量%以下的比例含有。 丙烯酸系共聚物(b21)可藉由將如上述之含官能基單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常用方法共聚合而得。 丙烯酸系共聚物(b21)，除上述單體外，亦可含有選自由二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯等所成群組的至少任一種構成單元。 藉由使具有上述含官能基單體單元之丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基化合物(b22)反應，可獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 含不飽和基化合物(b22)所具有之官能基可依據丙烯酸系共聚物(b21)所具有之含官能基單體單元之官能基的種類適宜選擇。例如，當丙烯酸系共聚物(b21)所具有之官能基為羥基、胺基或經取代胺基時，含不飽和基化合物(b22)所具有之官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基；當丙烯酸系共聚物(b21)所具有之官能基為環氧基時，含不飽和基化合物(b22)所具有之官能基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。 含不飽和基化合物(b22)係於1分子中至少含有1個能量線聚合性碳-碳雙鍵，較佳含有1個以上6個以下，更佳含有1個以上4個以下。 含不飽和基化合物(b22)可舉出例如2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(2-異氰酸基乙基甲基丙烯酸酯)、間-異丙烯基-α,α-二甲基苯甲基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧甲基)乙基異氰酸酯；根據二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；根據二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯；(甲基)丙烯酸、2-(1-氮丙啶基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。 含不飽和基化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體的莫耳數，較佳以50莫耳%以上的比例(加成率)使用，更佳以60莫耳%以上的比例使用，再更佳以70莫耳%以上的比例使用。 又，含不飽和基化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體的莫耳數，較佳以95莫耳%以下的比例使用，更佳以93莫耳%以下的比例使用，再更佳以90莫耳%以下的比例使用。 在丙烯酸系共聚物(b21)與含不飽和基化合物(b22)的反應中，可依據丙烯酸系共聚物(b21)所具有之官能基與含不飽和基化合物(b22)所具有之官能基的組合而適宜選擇反應的溫度、壓力、溶媒、時間、有無觸媒及觸媒的種類。藉此，丙烯酸系共聚物(b21)所具有之官能基與含不飽和基化合物(b22)所具有之官能基便會反應，使不飽和基導入至丙烯酸系共聚物(b21)的側鏈，而獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 能量線硬化性聚合物(b2)的重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上，更佳為15萬以上，再更佳為20萬以上。 又，能量線硬化性聚合物(b2)的重量平均分子量(Mw)較佳為150萬以下，更佳為100萬以下。 ・光聚合起始劑(C) 當第1黏著劑層12含有紫外線硬化性化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，第1黏著劑層12較佳含有光聚合起始劑(C)。 透過第1黏著劑層12含有光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光線照射量。 光聚合起始劑(C)之具體例可舉出例如安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物及過氧化物化合物。再者，光聚合起始劑(C)可舉出例如胺或醌等光敏化劑等。 更具體的光聚合起始劑(C)可舉出例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、安息香、安息香甲醚、安息香***、安息香異丙醚、苯甲基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物。光聚合起始劑(C)可單獨使用1種或併用2種以上。 光聚合起始劑(C)的摻混量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上10質量份以下，更佳為0.03質量份以上5質量份以下，再更佳為0.05質量份以上5質量份以下。 光聚合起始劑(C)，在黏著劑層中摻混能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的合計量100質量份較佳以0.1質量份以上的量使用，更佳以0.5質量份以上的量使用。 又，光聚合起始劑(C)，在黏著劑層中摻混能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的合計量100質量份較佳以10質量份以下的量使用，更佳以6質量份以下的量使用。 第1黏著劑層12，除上述成分以外，亦可適當摻混其他成分。其他成分可舉出例如交聯劑(E)等。 ・交聯劑(E) 交聯劑(E)可使用具有與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有之官能基的反應性之多官能性化合物。第1黏著薄片10中之多官能性化合物之實例可舉出異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽及反應性酚樹脂等。 交聯劑(E)的摻混量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.03質量份以上，再更佳為0.04質量份以上。 又，交聯劑(E)的摻混量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，較佳為8質量份以下，更佳為5質量份以下，再更佳為3.5質量份以下。 第1黏著劑層12的厚度不特別限定。第1黏著劑層12的厚度例如較佳為10μm以上，更佳為20μm以上。又，第1黏著劑層12的厚度較佳為150μm以下，更佳為100μm以下。 第1黏著薄片10的恢復率較佳為70%以上，更佳為80%以上，再更佳為85%以上。第1黏著薄片10的恢復率較佳為100%以下。透過恢復率為上述範圍，可大幅延伸黏著薄片。 恢復率係在將黏著薄片切出成150mm(長度方向)×15 mm(寬度方向)的試片中，以夾具間的長度為100mm的方式用夾具夾住長度方向的兩端，其後，以200mm/min的速度拉伸至夾具間的長度成為200mm，在夾具間的長度擴展成200mm的狀態下保持1分鐘，其後，以200mm/min的速度沿長度方向使夾具間的長度回復至100mm，在夾具間的長度回復至100mm的狀態下保持1分鐘，其後，以60mm/min的速度沿長度方向拉伸，測定拉伸力之測定值顯示0.1N/15mm時之夾具間的長度，在將由該長度減去初始夾具間的長度100mm的長度設為L2(mm)，由前述經擴展之狀態下之夾具間的長度200mm減去初始夾具間的長度100mm的長度設為L1(mm)時，以下述算式(數2)算出。 恢復率(%)={1-(L2÷L1)}×100　・・・　(數2) 當恢復率為上述範圍時，意指黏著薄片在經大幅延伸後亦容易復原。一般而言，若將具有屈服點的薄片延伸至屈服點以上，則薄片容易發生塑性變形，在發生塑性變形的部分，即經極度延伸的部分會成為不均勻分佈之狀態。若將此種狀態之薄片進一步延伸，則會由上述經極度延伸的部分發生斷裂；或者即使未發生斷裂，擴展亦會不均勻。又，在分別將應變繪成x軸、伸長率繪成y軸的應力-應變線圖中，無法獲得斜率dx/dy變為正值至0或負值的應力值，縱為未顯示明確的屈服點之薄片，隨著拉伸量變大，薄片仍會發生塑性變形，而同樣地發生斷裂，或使擴展不均勻。另一方面，非為塑性變形而發生彈性變形時，藉由去除應力則薄片容易恢復至原本的形狀。因此，透過表示在極大的拉伸量之100%伸長後會以何種程度恢復之指標的恢復率處於上述範圍，在大幅延伸黏著薄片時，可將薄膜的塑性變形壓低至最低限度，不易發生斷裂，且可均勻地擴展。 ・剝離薄片 第1黏著薄片10的表面亦可貼附有剝離薄片。具體而言，剝離薄片係貼附於第1黏著薄片10之第1黏著劑層12的表面。藉由剝離薄片貼附於第1黏著劑層12的表面，在輸送時及保存時可保護第1黏著劑層12。剝離薄片係以可剝離方式貼附於第1黏著薄片10，在使用第1黏著薄片10前，係由第1黏著薄片10剝離而去除。 剝離薄片係使用至少其中一面經剝離處理的剝離薄片。具體而言，可舉出例如具備剝離薄片用基材與在此基材的表面上塗佈剝離劑而形成的剝離劑層之剝離薄片。 剝離薄片用基材較佳為樹脂薄膜。構成作為剝離薄片用基材之樹脂薄膜的樹脂，可舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂及聚萘二甲酸乙二酯樹脂等聚酯樹脂薄膜，以及聚丙烯樹脂及聚乙烯樹脂等聚烯烴樹脂等。 剝離劑可舉出例如聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂及氟系樹脂。 剝離薄片的厚度不特別限制，較佳為10μm以上200μm以下，更佳為20μm以上150μm以下。 ・黏著薄片之製造方法 第1黏著薄片10及其他本說明書所記載之黏著薄片之製造方法不特別限制，可藉由週知之方法來製造。 例如，將設置於剝離薄片上的黏著劑層貼合於基材的單面，可製造黏著劑層的表面上貼附有剝離薄片的黏著薄片。又，藉由將設置於剝離薄片上的緩衝層與基材貼合並去除剝離薄片，可獲得緩衝層與基材之層合體。然後，將設置於剝離薄片上的黏著劑層貼合於層合體之基材側，可製造黏著劑層的表面上貼附有剝離薄片的黏著薄片。此外，在將緩衝層設於基材的兩面時，黏著劑層係形成於緩衝層上。貼附於黏著劑層的表面之剝離薄片只要在使用黏著薄片前適宜剝離而去除即可。 黏著薄片之製造方法之更具體的一例可舉出下列方法。首先，調製構成黏著劑層之黏著性組成物及視需求進一步含有溶媒或分散媒的塗佈液。其次，將塗佈液藉由塗佈手段塗佈於基材的一面上而形成塗膜。塗佈手段可舉出例如模塗佈機、簾式塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機及刀式塗佈機等。其次，藉由使該塗膜乾燥，可形成黏著劑層。就塗佈液而言，只要可進行塗佈則其性質狀態不特別限定。塗佈液有時含有供形成黏著劑層的成分作為溶質，有時則含有供形成黏著劑層的成分作為分散質。同樣地，亦可在基材之單面或緩衝層上直接塗佈黏著劑組成物而形成黏著劑層。 再者，黏著薄片之製造方法之更具體的另一例可舉出下列方法。首先，在前述剝離薄片的剝離面上塗佈塗佈液而形成塗膜。其次，使塗膜乾燥而形成由黏著劑層與剝離薄片所構成的層合體。接著，對此層合體之黏著劑層之與剝離薄片側的面相反之一側的面貼附基材，亦可獲得黏著薄片與剝離薄片的層合體。此層合體中之剝離薄片能以工程材料之形式剝離，亦可在對黏著劑層貼附被黏物(例如半導體晶片及半導體晶圓等)前保護黏著劑層。 當塗佈液含有交聯劑時，只要藉由改變塗膜的乾燥條件(例如溫度及時間等)，或透過另外進行加熱處理，例如使塗膜內之(甲基)丙烯酸系共聚物與交聯劑的交聯反應進行，而於黏著劑層內以期望的存在密度形成交聯結構即可。為了使此交聯反應充分進行，亦可藉由上述方法等使黏著劑層層合於基材後，進行將所得黏著薄片靜置於例如23℃、相對濕度50%的環境下數日等的熟化。 第1黏著薄片10的厚度較佳為30μm以上，更佳為50μm以上。第1黏著薄片10的厚度較佳為400μm以下，更佳為300μm以下。 (第2薄片) 就第2薄片20，只要在期望的步驟(例如步驟(P1)~(P3))中可適當地發揮其機能，則其構成材料不特別限定。 就第2薄片20之一形態，較佳為由例如選自由丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及聚矽氧系黏著劑所成群組的至少一種黏著劑所構成的薄片，更佳為由丙烯酸系黏著劑所構成的薄片。 就第2薄片20之一形態，較佳由未硬化之硬化性接著劑所形成。此時，對第2薄片20疊合半導體晶圓W等加工對象物(工件)後，藉由使第2薄片20硬化，可將第2薄片20之硬化物(保護膜)強固地接著於加工對象物(工件)，而能夠形成對半導體晶片CP等具有耐久性的保護膜。 第2薄片20較佳在常溫下具有黏著性，或可藉由加熱而發揮黏著性。藉此，在如上述對第2薄片20疊合半導體晶圓W等工件時，可使兩者貼合。從而，在使第2薄片20硬化前可確實地進行定位。 構成具有如上述之特性的第2薄片20之硬化性接著劑較佳含有硬化性成分與黏著劑聚合物成分。硬化性成分可使用熱硬化性成分、能量線硬化性成分或此等之混合物，特佳使用熱硬化性成分。亦即，第2薄片20較佳為由熱硬化性接著劑所構成。 熱硬化性成分可舉出例如環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯并噁嗪樹脂等及此等之混合物。此等當中，作為熱硬化性成分，較佳使用環氧樹脂、酚樹脂及此等之混合物。 環氧樹脂係具有一受到加熱便會三維網狀化，而形成強固的被膜之性質。此種環氧樹脂係使用向來週知之各種環氧樹脂。通常較佳為數量平均分子量300~2000左右的環氧樹脂，更佳為數量平均分子量300~500的環氧樹脂。再者，較佳使用摻有數量平均分子量330~400之於常態下為液態的環氧樹脂，與數量平均分子量400~2500(較佳為數量平均分子量500~2000)之於常溫下為固體的環氧樹脂之摻合型環氧樹脂。又，環氧樹脂的環氧當量較佳為50g/eq ~5000g/eq。又，環氧樹脂的數量平均分子量能以使用GPC法之方法來求得。 作為此種環氧樹脂，具體而言可舉出例如雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚類之環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類之環氧丙基醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸之環氧丙基醚；苯胺異氰脲酸酯等鍵結於氮原子之活性氫經環氧丙基取代的環氧丙基型或者烷基環氧丙基型環氧樹脂；如乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧)環己基-5,5-螺(3,4-環氧)環己烷-m-二噁烷等，將分子內的碳-碳雙鍵，例如藉由氧化而導入環氧之所謂的脂環型環氧化物。此外，亦可使用例如具有選自由聯苯骨架、二環己二烯骨架及萘骨架所成群組之至少1種骨架的環氧樹脂。 此等環氧樹脂之具體例當中，環氧樹脂較佳使用雙酚系環氧丙基型環氧樹脂、o-甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及酚酚醛清漆型環氧樹脂。此等環氧樹脂可單獨使用1種或組合使用2種以上。 使用環氧樹脂時，作為助劑，較佳併用熱活性型潛環氧樹脂硬化劑。熱活性型潛環氧樹脂硬化劑係指在室溫下不會與環氧樹脂反應，藉由加熱至一定溫度以上即活化，而與環氧樹脂反應之類型的硬化劑。熱活性型潛環氧樹脂硬化劑之活化方法存有：在藉由加熱之化學反應中生成活性物種(陰離子、陽離子)的方法；在室溫附近穩定分散於環氧樹脂中且在高溫下與環氧樹脂相溶、溶解，而起始硬化反應的方法；以封入有分子篩之類型的硬化劑，在高溫下溶出而起始硬化反應的方法；使用微膠囊的方法等。 熱活性型潛環氧樹脂硬化劑之具體例可舉出各種鎓鹽、或二元酸二醯肼化合物、二氰二胺、胺加成物硬化劑、咪唑化合物等高熔點活性氫化合物等。此等熱活性型潛環氧樹脂硬化劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。如上述之熱活性型潛環氧樹脂硬化劑，相對於環氧樹脂100重量份，較佳以0.1重量份以上20重量份以下，更佳以0.2重量份以上10重量份以下，再更佳以0.3重量份以上5重量份以下的比例使用。 酚系樹脂可無特殊限制地使用烷基酚、多元酚、萘酚等酚類與醛類之縮合物等。具體而言，可使用例如酚酚醛清漆樹脂、o-甲酚酚醛清漆樹脂、p-甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯基酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂或者此等之變性物等。 此等酚系樹脂所含之酚性羥基可與上述環氧樹脂之環氧基藉由加熱而容易地進行加成反應，而形成耐衝擊性高的硬化物。因此，作為熱硬化性成分，可併用環氧樹脂與酚系樹脂。 黏著劑聚合物成分可對第2薄片20賦予適度的觸黏性。黏著劑聚合物的重量平均分子量(Mw)通常為5萬以上200萬以下，較佳為10萬以上150萬以下，更佳處於20萬以上100萬以下的範圍。分子量過低的話，第2薄片20的薄膜形成不充分，過高的話則與其他成分的相溶性會變差，結果會妨礙形成均勻的薄膜。作為此種黏著劑聚合物成分，可使用例如選自由丙烯酸系聚合物、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂及橡膠系聚合物所成群組的至少1種樹脂，尤其較佳使用丙烯酸系聚合物。 丙烯酸系聚合物可舉出例如由(甲基)丙烯酸酯單體與衍生自(甲基)丙烯酸衍生物之構成單元所構成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。於此，作為(甲基)丙烯酸酯單體，較佳使用烷基之碳數為1~18的(甲基)丙烯酸烷基酯、例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。又，(甲基)丙烯酸衍生物可舉出例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。 上述當中，若使用甲基丙烯酸環氧丙酯等作為構成單元而對丙烯酸系聚合物導入環氧丙基，則可提升與作為前述之熱硬化性成分之環氧樹脂的相溶性，提高第2薄片20硬化後的玻璃轉移溫度(Tg)，而提升耐熱性。又，上述當中，若使用丙烯酸羥基乙酯等作為構成單元而對丙烯酸系聚合物導入羥基，則可控制對工件的密合性及黏著物性。 黏著劑聚合物使用丙烯酸系聚合物時之前述聚合物的重量平均分子量(Mw)較佳為10萬以上，更佳為15萬以上100萬以下。丙烯酸系聚合物的玻璃轉移溫度通常為20℃以下，較佳為-70℃~0℃左右，丙烯酸系聚合物在常溫(23℃)下具有黏著性。 熱硬化性成分與黏著劑聚合物成分的摻混比率，相對於黏著劑聚合物成分100重量份，熱硬化性成分係以摻混較佳為50重量份以上1500重量份以下，更佳為70重量份以上1000重量份以下，再更佳為80重量份以上800重量份以下。以此種比例摻混熱硬化性成分與黏著劑聚合物成分，則於硬化前顯示適度的觸黏性，可穩定進行貼附作業，且於硬化後可獲得被膜強度優良的保護膜。 第2薄片20較佳含有著色劑及填料的至少任一種，尤以含有著色劑及填料此兩者為佳。 著色劑可使用例如無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等週知之著色劑，而基於提高透光率的控制性之觀點，著色劑較佳含有有機系著色劑。基於提高著色劑的化學穩定性(具體而言可例示不易溶出、不易發生色移、歷時變化少)之觀點，著色劑較佳由顏料所構成。 填料可舉出例如結晶二氧化矽、熔融二氧化矽、合成二氧化矽等二氧化矽、或氧化鋁、玻璃氣球等無機填料。此等無機填料當中，填料較佳為二氧化矽，更佳為合成二氧化矽，較佳為盡可能去除導致半導體裝置故障之α射線的線源之類型的合成二氧化矽。填料的形狀可舉出球形、針狀、不定形等，較佳為球形，更佳為真球形。 此外，第2薄片20亦可含有偶合劑。透過含有偶合劑，在第2薄片20硬化後，不會損及保護膜的耐熱性，而能夠提升保護膜與工件的接著性/密合性，同時可提升耐水性(耐濕熱性)。作為偶合劑，基於其通用性與成本優勢等較佳為矽烷偶合劑。 矽烷偶合劑可舉出例如γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。矽烷偶合劑可單獨使用此等矽烷偶合劑中的1種或混合2種以上使用。 第2薄片20，為了調節硬化前的凝聚力，亦可含有有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、有機金屬螯合化合物等交聯劑。又，第2薄片20，為了抑制靜電而提升晶片的可靠性，亦可含有抗靜電劑。再者，第2薄片20，為了提高保護膜的阻燃性能而提升作為封裝體之可靠性，亦可含有磷酸化合物、鉻化合物、磷系化合物等阻燃劑。 第2薄片20的厚度不特別限定。使第2薄片20硬化而作為保護膜使用時，為了有效發揮作為保護膜之機能，第2薄片20的厚度較佳為3μm以上300μm以下，更佳為5μm以上200μm以下，再更佳為7μm以上100μm以下。 ・剝離薄片 第2薄片20的表面亦可貼附有剝離薄片。第2薄片20所使用之剝離薄片，可使用與第1黏著薄片10之剝離薄片同樣的剝離薄片。 (層合型黏著薄片之製造方法) 層合型黏著薄片1之製造方法不特別限定。層合型黏著薄片1之製造方法較佳為分別製作包含第2薄片20之第1層合體與包含第1黏著薄片10之第2層合體後，使用第1層合體及第2層合體，將第2薄片20與第1黏著薄片10層合來製造。 要製造第1層合體，係於第1剝離薄片的剝離面形成第2薄片20。具體而言，係調製包含構成第2薄片20之材料(例如硬化性接著劑)，及視需求進一步包含溶媒的第2薄片形成用之塗佈劑。 其次，藉由塗佈機將第2薄片形成用之塗佈劑塗佈於第1剝離薄片的剝離面並使其乾燥，而形成第2薄片20。塗佈機可舉出例如輥塗佈機、刀式塗佈機、輥刀塗佈機、氣刀塗佈機、模塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、簾式塗佈機等。 接著，對第2薄片20的露出面重疊第2剝離薄片的剝離面並予以壓接，而得到在2片剝離薄片夾持有第2薄片20而成的層合體(第1層合體)。 就此第1層合體，亦可視需求從第1剝離薄片或第2剝離薄片側下刀，或者藉由照射雷射實施半切割，而將第2薄片20(及第2剝離薄片)形成為期望的形狀，例如圓形等。此時，藉由半切割所產生之第2薄片20及第2剝離薄片之多餘的部分只要適宜去除即可。 另一方面，要製造第2層合體，係對第3剝離薄片的剝離面塗佈含有構成第1黏著劑層12之黏著劑，及視需求進一步含有溶媒的黏著劑層用之塗佈劑並使其乾燥而形成第1黏著劑層12。其後，對第1黏著劑層12的露出面壓接第1基材11，而得到由第1基材11及第1黏著劑層12所成之第1黏著薄片10與第3剝離薄片所構成的層合體(第2層合體)。 於此，當第1黏著劑層12由能量線硬化性黏著劑形成時，於此階段可對第1黏著劑層12照射能量線，而使第1黏著劑層12硬化，亦可在與第2薄片20層合後使第1黏著劑層12硬化。又，在使第2薄片20層合後使第1黏著劑層12硬化時，可於切割步驟前使第1黏著劑層12硬化，亦可於切割步驟後使第1黏著劑層12硬化。 能量線通常係使用紫外線或電子束等。能量線的照射量係隨能量線的種類而異，例如為紫外線時，以光量而言較佳為50mJ/cm² 以上1000mJ/cm² 以下，更佳為100mJ/cm² 以上500mJ/cm² 以下。又，若為電子束時，較佳為10krad~ 1000krad左右。 如以上方式獲得第1層合體及第2層合體後，將第1層合體中之第2剝離薄片剝離，並且將第2層合體中之第3剝離薄片剝離，將第1層合體中露出之第2薄片20與第2層合體中露出之第1黏著薄片10的第1黏著劑層12疊合併予以壓接。第1黏著薄片10可視需求進行半切割，而形成為期望的形狀，例如具有大於第2薄片20之直徑的圓形等。此時，藉由半切割所產生之第1黏著薄片10之多餘的部分只要適宜去除即可。 如此，可獲得由在第1基材11上層合有第1黏著劑層12而成的第1黏著薄片10、層合於第1黏著薄片10之第1黏著劑層12側的第2薄片20與層合於第2薄片20中與第1黏著薄片10相反之一側的第1剝離薄片所構成的附有剝離薄片之層合型黏著薄片。 [本實施形態之效果] 根據本實施形態之擴展方法，在拉伸第1黏著薄片10時，半導體晶片CP的背面W3未與第1黏著薄片10之第1黏著劑層12相接。就各個半導體晶片CP，由於在背面W3與第1黏著劑層12之間介隔著以切割步驟經單片化的第2薄片20，即使拉伸第1黏著薄片10，接觸於背面W3之第2薄片20也不會被拉長。其結果，根據本實施形態之擴展方法，可抑制殘膠。 又，於本實施形態中，第2薄片20係與半導體晶圓W的背面W3略同形狀，由於對於藉由切割而源自於半導體晶圓W之端部側所形成的半導體晶片CP(外周側之半導體晶片)的背面W3，第2薄片20亦經單片化，而能夠充分擴展半導體晶片CP彼此之間隔。 此外，於本實施形態中，於切割步驟時，並非以切割薄片支持半導體晶圓W，而是以第1黏著薄片10及第2薄片20支持。因此，為了形成供保護切割後之半導體晶片CP的背面W3的層(於本實施形態中為第2薄片20)，可不實施由切割步驟中所使用之黏著薄片換貼為其他黏著薄片的步驟，而能夠簡化製程。 再者，在實施擴展步驟前，無需由實施切割步驟時所使用之黏著薄片換貼為擴展步驟用之黏著薄片。 從而，根據本實施形態之擴展方法，與以往相比可簡化製程，且可充分擴展晶片彼此之間隔，同時可抑制殘膠。 再者，可提供一種包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。 [第2實施形態] 其次，就本發明之第2實施形態加以說明。 以下為第1實施形態與第2實施形態的主要不同處。相對於在第1實施形態中第2薄片20為單層構造，第2實施形態中之第2薄片20A係具有第2基材21及第2黏著劑層22的層合構造。 於以下說明中，係主要與說明第1實施形態相異之部分，就重複之說明係予以省略或簡化。對與第1實施形態同樣的構成附加同一符號並省略或簡化其說明。 圖4示出本實施形態中所使用之層合型黏著薄片1A的剖面示意圖。 層合型黏著薄片1A係具有第1黏著薄片10與第2薄片20A。第1黏著薄片10可使用與第1實施形態相同的第1黏著薄片10。 第2薄片20A係具有第2基材21及第2黏著劑層22，為層合構造。第2薄片20A的細節係於後述。 第2薄片20A係與半導體晶圓W的背面W3略同形狀。第2薄片20A的形狀較佳為可被覆半導體晶圓W的背面W3之形狀。因此，第2薄片20A較佳與半導體晶圓W的背面W3大致相同，或形成為比背面W3稍大。 又，第2薄片20A係以在薄片的面方向形成為小於第1黏著薄片10為佳。第1黏著薄片10之第1黏著劑層12中未層合有第2薄片20A的部分可貼附環框等治具。 第2實施形態之擴展方法及包含該擴展方法的半導體裝置之製造方法，除使用具有第1黏著薄片10與第2薄片20A之層合型黏著薄片1A來替代第1實施形態中之第1黏著薄片10及第2薄片20以外，能以與第1實施形態同樣的方式來實施。 (第2薄片(層合型)) 本實施形態中之第2薄片20A係具有第2基材21與第2黏著劑層22。第2黏著劑層22係層合於第2基材21。 ・第2基材 第2基材21係支持第2黏著劑層22的構件。第2基材21，只要在期望的步驟(例如步驟(P1)~(P3))中可適當地發揮其機能，則其構成材料不特別限定。 第2基材21的厚度較佳為10μm以上500μm以下，更佳為15μm以上300μm以下，再更佳為20μm以上250μm以下。 第2基材21可使用例如合成樹脂薄膜等薄片材料等。合成樹脂薄膜可舉出例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯・(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯・(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及聚醯亞胺薄膜等。此外，作為第2基材21，可舉出此等之交聯薄膜及層合薄膜等。 第2基材21較佳包含聚酯系樹脂，更佳由以聚酯系樹脂為主成分的材料所構成。於本說明書中，所稱以聚酯系樹脂為主成分的材料，係指聚酯系樹脂的質量佔構成基材之材料全體質量的比例為50質量%以上之意。 聚酯系樹脂較佳為例如選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂及此等樹脂之共聚合樹脂所成群組的任一種樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。 第2基材21較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜及聚萘二甲酸乙二酯薄膜，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。作為聚酯薄膜所含有之寡聚物，係源自於聚酯形成性單體、二聚物及三聚物等。 ・第2黏著劑層 第2黏著劑層22，只要在期望的步驟(例如步驟(P1)~(P3))中可適當地發揮其機能，則其構成材料不特別限定。 於本實施形態中，第2黏著劑層22較佳由例如選自由丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及聚矽氧系黏著劑所成群組的至少一種黏著劑所構成，更佳由丙烯酸系黏著劑所構成。 本實施形態中之第2黏著劑層22較佳包含黏著劑組成物。此黏著劑組成物較佳包含以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體的丙烯酸系共聚物。於本說明書中，所稱以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體，係指丙烯酸2-乙基己酯衍生之共聚物成分的質量佔丙烯酸系共聚物全體質量的比例為50質量%以上之意。於本實施形態中，丙烯酸系共聚物中源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例較佳為50質量%以上95質量%以下，更佳為60質量%以上95質量%以下，再更佳為80質量%以上95質量%以下，又更佳為85質量%以上93質量%以下。 丙烯酸系共聚物中之丙烯酸2-乙基己酯以外的共聚物成分的種類及數目不特別限定。例如，第二共聚物成分較佳為具有反應性官能基之含官能基單體。第二共聚物成分之反應性官能基使用後述之交聯劑時，較佳為可與該交聯劑反應的官能基。此反應性官能基較佳為選自由例如羧基、羥基、胺基、取代胺基及環氧基所成群組的至少任一種取代基，更佳為羧基及羥基的至少任一種取代基，再更佳為羧基。 具有羧基之單體(含羧基單體)可舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸及檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。含羧基單體當中，由反應性及共聚合性而言，較佳為丙烯酸。含羧基單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 具有羥基之單體(含羥基單體)可舉出例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。含羥基單體當中，由羥基的反應性及共聚合性而言，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。含羥基單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 具有環氧基之丙烯酸酯可舉出例如丙烯酸環氧丙酯及甲基丙烯酸環氧丙酯等。 丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分可舉出烷基之碳數為2~20的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可舉出例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酸酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酸酯及(甲基)丙烯酸硬脂酸酯等。此等(甲基)丙烯酸烷基酯當中，基於進一步提升黏著性之觀點，較佳為烷基之碳數為2~4的(甲基)丙烯酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸正丁酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用1種或組合使用2種以上。 丙烯酸系共聚物中的其他共聚物成分可舉出例如選自由含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性丙烯醯胺、具有非交聯性三級胺基之(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯所成群組的至少任一種單體所衍生之共聚物成分。 含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯可舉出例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。 具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯可舉出例如(甲基)丙烯酸環己酯。 具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯可舉出例如(甲基)丙烯酸苯酯。 非交聯性丙烯醯胺可舉出例如丙烯醯胺及甲基丙烯醯胺。 具有非交聯性三級胺基之(甲基)丙烯酸酯可舉出例如(甲基)丙烯酸(N,N-二甲胺基)乙酯及(甲基)丙烯酸(N,N-二甲胺基)丙酯。 此等單體可單獨使用1種或組合使用2種以上。 於本實施形態中，第二共聚物成分較佳為含羧基單體或含羥基單體，更佳為丙烯酸。當丙烯酸系共聚物包含丙烯酸2-乙基己酯衍生之共聚物成分及丙烯酸衍生之共聚物成分時，丙烯酸衍生之共聚物成分的質量佔丙烯酸系共聚物全體質量的比例較佳為1質量%以下，更佳為0.1質量%以上0.5質量%以下。丙烯酸的比例若為1質量%以下，當黏著劑組成物含有交聯劑時可防止丙烯酸系共聚物的交聯進行過快。 丙烯酸系共聚物亦可包含2種以上之含官能基單體衍生之共聚物成分。例如，丙烯酸系共聚物可為三元系共聚物，較佳為將丙烯酸2-乙基己酯、含羧基單體及含羥基單體共聚合而得的丙烯酸系共聚物；此含羧基單體較佳為丙烯酸，含羥基單體較佳為丙烯酸2-羥基乙酯。較佳為丙烯酸系共聚物中之丙烯酸2-乙基己酯所衍生之共聚物成分的比例為80質量%以上95質量%以下，丙烯酸衍生之共聚物成分的質量的比例為1質量%以下，其餘部分為丙烯酸2-羥基乙酯衍生之共聚物成分。 丙烯酸系共聚物的重量平均分子量(Mw)較佳為30萬以上200萬以下，更佳為60萬以上150萬以下，再更佳為80萬以上120萬以下。丙烯酸系共聚物的重量平均分子量Mw若為30萬以上，可無黏著劑對被黏物之殘渣地剝離。丙烯酸系共聚物的重量平均分子量Mw若為200萬以下，則可確實地貼附於被黏物。 丙烯酸系共聚物的重量平均分子量Mw係根據凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography；GPC)法所測得的標準聚苯乙烯換算值。 丙烯酸系共聚物可使用前述各種原料單體，依循向來週知之方法來製造。 丙烯酸系共聚物之共聚合形態不特別限定，可為嵌段共聚物、隨機共聚物或接枝共聚物任一種。 於本實施形態中，黏著劑組成物中之丙烯酸系共聚物的含有率較佳為40質量%以上90質量%以下，更佳為50質量%以上90質量%以下。 構成第2黏著劑層22之黏著劑組成物，除前述丙烯酸系共聚物外，較佳至少包含使進一步摻混交聯劑之組成物交聯而得到的黏著劑。又，黏著劑組成物亦較佳實質上由如前述使前述之丙烯酸系共聚物與交聯劑交聯而得到的黏著劑。此處所稱「實質上」，係指除了無可避免地混入於黏著劑的微量雜質外僅由該黏著劑所構成之意。 交聯劑可舉出例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、胺系交聯劑及胺基樹脂系交聯劑。此等交聯劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。 基於提升第2黏著劑層22的耐熱性及黏著力之觀點，此等交聯劑當中，較佳為含有具異氰酸酯基之化合物作為主成分的交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)。異氰酸酯系交聯劑可舉出例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯等多元異氰酸酯化合物。 又，多元異氰酸酯化合物可為上述化合物之三羥甲基丙烷加成物型改質體、使其與水反應而得之縮二脲型改質體、或具有異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體。 於本說明書中，所稱含有具異氰酸酯基之化合物作為主成分的交聯劑，係指具異氰酸酯基之化合物的質量佔構成交聯劑之成分全體質量的比例為50質量%以上之意。 於本實施形態中，黏著劑組成物中之交聯劑的含量，相對於丙烯酸系共聚物100質量份，較佳為0.1質量份以上20質量份以下，更佳為1質量份以上15質量份以下，再更佳為5質量份以上10質量份以下。黏著劑組成物中之交聯劑的含量若為此種範圍內，可提升第2黏著劑層22與第2基材21的接著性，而能夠縮短在黏著薄片的製造後用來穩定黏著特性的熟化時間。 當本實施形態中構成第2黏著劑層22之黏著劑組成物包含交聯劑時，黏著劑組成物較佳進一步包含交聯促進劑。交聯促進劑較佳依據交聯劑的種類等適宜選擇使用。例如，當黏著劑組成物包含聚異氰酸酯化合物作為交聯劑時，較佳進一步包含有機錫化合物等有機金屬化合物系交聯促進劑。 此外，構成第2黏著劑層22之黏著劑組成物亦較佳包含反應性黏著助劑。反應性黏著助劑可舉出具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂及具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂的氫化物等。反應性黏著助劑所具有之反應性官能基較佳為選自由羥基、異氰酸酯基、胺基、環氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成群組的一種以上之官能基。黏著劑組成物若包含反應性黏著助劑，則可減少由被黏物剝除第2薄片20A時的殘膠。 於本實施形態中，構成第2黏著劑層22之黏著劑組成物中，在不損及本發明效果的範圍內亦可含有其他成分。可含於黏著劑組成物之其他成分可舉出例如有機溶媒、阻燃劑、增黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、防腐劑、防黴劑、塑化劑、消泡劑及浸潤性調整劑等。 第2黏著劑層22的厚度係依據第2薄片20A的用途適宜決定。於本實施形態中，第2黏著劑層22的厚度較佳為5μm以上60μm以下，更佳為5μm以上50μm以下。 以上為第2黏著劑層22相關之說明。 ・剝離薄片 第2薄片20A，在將其黏著面貼附於被黏物(例如半導體晶圓W或半導體晶片CP)前的期間，以保護黏著面為目的，亦可於黏著面層合剝離薄片。剝離薄片的構成為任意者，可例示藉由剝離劑等對塑膠薄膜實施剝離處理而得者。作為剝離薄片，亦可為可使用於第1黏著薄片10的剝離薄片。 [本實施形態之效果] 根據本實施形態之擴展方法，亦與第1實施形態相同，與以往相比可簡化製程，且可充分擴展晶片彼此之間隔，同時可抑制殘膠。進而，可提供一種包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。 [實施形態的變形] 本發明不受上述實施形態任何限定。本發明在可達成本發明目的之範圍內係包含變更上述實施形態之形態等。 例如，半導體晶圓或半導體晶片中之電路等非限定於圖示之排列或形狀等。半導體封裝體中與外部端子電極的連接構造等亦未限定於前述實施形態中所說明之形態。於前述實施形態中，係舉出製造FO-WLP型半導體封裝體之形態為例加以說明，惟本發明亦可適用於製造扇入型WLP等其他的半導體封裝體之形態。 上述FO-WLP之製造方法亦可變更一部分步驟或省略一部分步驟。 切割步驟中的切割，為替代使用上述之切斷手段，亦可對半導體晶圓照射雷射光來進行。例如，藉由照射雷射光，亦可將半導體晶圓完全切斷而單片化成複數個半導體晶片。於此等方法中，雷射光的照射可從半導體晶圓之任一側進行。 於前述實施形態中，在切割步驟中，係舉出使切口達到第1黏著薄片之第1基材之形態為例加以說明，惟本發明非限定於此種形態。 例如，在其他實施形態中，基於將半導體晶圓及第2薄片更確實地切斷之觀點，亦可藉由切割而形成深度達到第1基材之切口。 此外，在另一實施形態中，亦可未使切口達到第1黏著劑層而將第2薄片切斷。 在採用形成深度達到第1基材之切口的切割步驟的情況下，就第1基材而言，在劃入既定深度之切口並測定拉伸伸度時，較佳為300%以上。具體而言，劃入深度50μm之切口的第1基材的拉伸伸度較佳為300%以上。該拉伸伸度若為300%以上，即使在切割步驟中對第1基材劃入深度50μm之切口，縱使未換貼其他黏著薄片而直接擴展第1黏著薄片，第1黏著薄片也不會斷裂，而能夠擴展半導體晶片CP彼此之間隔。 (拉伸伸度之測定方法) 將基材裁切成15mm×140mm之尺寸而得到試片。對此試片，依循JIS K6732:2006測定23℃下的拉伸伸度。具體而言，係對上述試片，以拉伸試驗機(島津製作所製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，將夾頭間距離設定為100mm後，以200mm/min的速度進行拉伸試驗，並測定伸度(%)。 在切割步驟中劃入之切口的深度當中，將第1基材11之切口的深度設為T2，第1基材11的厚度設為T1時，厚度T1與切口深度T2較佳滿足以下(數1)的關係。T1及T2的單位為μm(微米)。 T2≦0.2×T1・・・(數1) 採用形成深度達到第1基材之切口的切割步驟時，第1基材11的厚度較佳為60μm以上，更佳為80μm以上。又，第1基材的厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。 實施例 以下舉出實施例對本發明更詳細地加以說明。本發明不受此等實施例任何限定。 (黏著薄片的製作) [實施例1] 將丙烯酸丁酯(BA)62質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)10質量份及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物。調製對此丙烯酸系共聚物加成甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製、製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(丙烯酸A)的溶液(黏著劑主劑，固含量35.0質量%)。就加成率，係相對於丙烯酸系共聚物的2HEA100莫耳%，將甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯定為90莫耳%。 所得樹脂(丙烯酸A)的重量平均分子量(Mw)為60萬，Mw/Mn為4.5。根據凝膠滲透層析(GPC)法測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，並由各測定值求出分子量分布(Mw/Mn)。 對此黏著劑主劑添加UV樹脂A(10官能胺基甲酸酯丙烯酸酯、Mitsubishi Chemical 股份有限公司製、製品名「UV-5806」、Mw=1740、包含光聚合起始劑)及作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製、製品名「Colonate L」)。相對於黏著劑主劑中之固含量100質量份，添加50質量份的UV樹脂A，添加0.2質量份的交聯劑。添加後，攪拌30分鐘，而調製成黏著劑組成物A1。 其次，將調製之黏著劑組成物A1的溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製、製品名「SP-PET381031」、厚度38μm)上並使其乾燥，而將厚度40μm的黏著劑層形成於剝離薄膜上。就此黏著劑層，於本實施例中係與前述實施形態中之說明對應而有稱為第1黏著劑層。 對該第1黏著劑層貼合作為基材之聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄片(Sheedom股份有限公司製，製品名「Pyrex DUS202」，厚度100μm)後，裁切去除寬度方向之端部的多餘部分而製成黏著薄片SA1。就此基材，於本實施例中係與前述實施形態中之說明對應而有稱為第1基材。 (晶片間隔之測定方法) 將實施例1中所得之黏著薄片SA1切成210mm×210mm而得到試驗用薄片。此時，係以裁切後之薄片的各邊與黏著薄片中之第1基材之MD方向平行或垂直的方式裁切。 根據以下所示程序準備貼附於黏著薄片SA1的半導體晶片。將第2薄片(LINTEC股份有限公司製、製品名：Adwill E-3125KL)貼附於6吋矽晶圓。此第2薄片係採用與6吋矽晶圓同尺寸(略同形狀)。剝離試驗用薄片之剝離薄膜，對露出之第1黏著劑層的中心部貼附貼附於6吋矽晶圓的第2薄片，而得到依序層合6吋矽晶圓、第2薄片及試驗用薄片的層合體。其次，由此層合體的6吋矽晶圓側切割該矽晶圓及第2薄片，切割之切口係達到試驗用薄片的第1黏著劑層。於切割步驟中，係以3mm×3mm之尺寸的晶片沿X軸方向成5行及沿Y軸方向成5行的方式切出共計25個晶片。支持於試驗用薄片上之各晶片的背面貼附有經切割之第2薄片。 其次，將貼附有晶片的試驗用薄片設置於可實施雙軸延伸的擴展裝置(隔開裝置)。圖5示出說明該擴展裝置100的俯視圖。圖5中，X軸及Y軸係處於彼此正交之關係，將該X軸的正方向設為+X軸方向，該X軸的負方向設為-X軸方向，將該Y軸的正方向設為+Y軸方向，該Y軸的負方向設為-Y軸方向。試驗用薄片200係以各邊與X軸或Y軸平行的方式設置於擴展裝置100。其結果，試驗用薄片200中之基材之MD方向係與X軸或Y軸呈平行。此外，圖5中係省略晶片。 如圖5所示，擴展裝置100係於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向各具備5個保持手段101(共計20個保持手段101)。各方向的5個保持手段101當中，保持手段101A係位於兩端，保持手段101C係位於中央，保持手段101B則位於保持手段101A與保持手段101C之間。藉由此等保持手段101夾持試驗用薄片200的各邊。 於此，如圖5所示，試驗用薄片200的一邊為210mm。又，各邊之保持手段101彼此之間隔為40mm。此外，試驗用薄片200之一邊的端部(薄片的頂點)與存在於該邊且最靠近該端部之保持手段101A之間隔為25mm。 接著，使對應各個保持手段101的未圖示之複數個張力賦予手段驅動，而使保持手段101各自獨立地移動。以夾具固定試驗用薄片的四邊，朝X軸方向及Y軸方向各以5mm/s的速度、200mm的擴展量擴展試驗用薄片。其後，藉由環框保持試驗用薄片200的擴展狀態。 在保持擴展狀態的狀態下以數位顯微鏡測定各晶片間的距離，以各晶片間之距離的平均值作為晶片間隔。 晶片間隔若為1800μm以上則判定為合格「A」；晶片間隔若未達1800μm則判定為不合格「B」。 (晶片整齊排列性之測定方法) 測定從測定上述晶片間隔之工件的X軸及Y軸方向之相鄰晶片之中心線的偏移率。 圖6示出具體的測定方法的示意圖。 選出沿X軸方向排列有5個晶片的一行，以數位顯微鏡測定該列當中晶片之最上端與晶片之最下端的距離Dy。Y軸方向的偏移率係基於下述數式(數3)算出。Sy為Y軸方向的晶片尺寸，於本實施例中係定為3mm。 Y軸方向的偏移率[%]=[(Dy-Sy)/2]/Sy×100…(數3) 對於沿X軸方向排列有5個晶片的其他4行，亦以同樣方式算出Y軸方向的偏移率。 選出沿Y軸方向排列有5個晶片的一行，以數位顯微鏡測定該列當中晶片之最左端與晶片之最右端的距離Dx。X軸方向的偏移率係基於下述數式(數4)算出。Sx為X軸方向的晶片尺寸，於本實施例中係定為3mm。 X軸方向的偏移率[%]=[(Dx-Sx)/2]/Sx×100…(數4) 對於沿Y軸方向排列有5個晶片的其他4行，亦以同樣方式算出X軸方向的偏移率。 數式(數3)及(數4)中，之所以除以2，係為了以絕對值表現擴展後之晶片從既定位置偏移的最大距離之故。 就X軸方向及Y軸方向的所有列(共計10列)，將偏移率未達±10%的情形判定為合格「A」；若有1列以上為±10%以上則判定為不合格「B」。 (殘膠之評定方法) 以前述晶片間隔之測定方法所記載之條件擴展後，使用紫外線照射裝置(LINTEC股份有限公司製「RAD-2000 m/12」)，從實施例1之黏著薄片之與搭載有晶片的面相反之一側的面以照度220mW/cm² 、光量460mJ/cm² 的條件照射紫外線。照射紫外線後，將晶片保持於吸附膠帶，並剝離黏著薄片。剝離實施例1之黏著薄片及第2薄片後，以光學顯微鏡觀察貼附有第2薄片的晶片表面。將晶片表面未觀察到殘膠的情形判定為合格「A」；將觀察到殘膠的情形判定為不合格「B」。 使用實施例1之黏著薄片擴展的結果，晶片間隔的評定結果判定為合格「A」；晶片整齊排列性評定結果判定為合格「A」。 使第2薄片存在於晶片與實施例之黏著薄片之間而擴大黏著薄片的結果，晶片表面的殘膠評定結果判定為合格「A」。

1:層合型黏著薄片 1A:層合型黏著薄片 3:密封體 3A:面 10:第1黏著薄片 11:第1基材 12:第1黏著劑層 20:第2薄片 20A:第2薄片 21:第2基材 22:第2黏著劑層 30:第3黏著薄片 31:第3基材 32:第3黏著劑層 100:擴展裝置 101:保持手段 101A:保持手段 101B:保持手段 101C:保持手段 200:試驗用薄片 300:密封構件 CP:半導體晶片 D1:間隔 Dx:距離 Dy:距離 Sx:晶片尺寸 Sy:晶片尺寸 W:半導體晶圓 W1:電路面 W2:電路 W3:背面

[圖1A]為說明第1實施形態之製造方法的剖面圖。 [圖1B]為說明第1實施形態之製造方法的剖面圖。 [圖2]為說明第1實施形態之製造方法的剖面圖。 [圖3A]為說明第1實施形態之製造方法的剖面圖。 [圖3B]為說明第1實施形態之製造方法的剖面圖。 [圖4]為第2實施形態之層合型黏著薄片的示意剖面圖。 [圖5]為說明實施例中使用之雙軸延伸擴展裝置的俯視圖。 [圖6]為用來說明晶片整齊排列性之測定方法的示意圖。

10:第1黏著薄片

11:第1基材

12:第1黏著劑層

20:第2薄片

CP:晶片

W1:電路面

W2:電路

W3:背面

Claims (9)

1. 一種擴展方法，其係在具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側的第2晶圓面之晶圓的前述第2晶圓面，與具有第1黏著劑層及第1基材的第1黏著薄片之間夾持有與前述第2晶圓面略同形狀的第2薄片， 從前述第1晶圓面側劃入切口，將前述晶圓單片化成複數個晶片，進一步將前述第2薄片切斷， 使前述切口達到前述第1黏著劑層， 將前述第1黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔。
2. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第2薄片係預先層合於前述第1黏著薄片之前述第1黏著劑層， 以層合於前述第1黏著薄片之狀態的前述第2薄片支持前述晶圓。
3. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第2薄片係具有第2黏著劑層及第2基材的黏著薄片。
4. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第2薄片係含有由黏著劑所形成之層所成之薄片。
5. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第1黏著薄片為擴展薄片。
6. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述晶圓為半導體晶圓。
7. 如請求項1至6中任一項之擴展方法，其中， 前述第1晶圓面具有電路。
8. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如請求項1至7中任一項之擴展方法。
9. 一種層合型黏著薄片，其係具有：具有第1黏著劑層及第1基材的第1黏著薄片與層合於前述第1黏著劑層的第2薄片，且貼附於具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側的第2晶圓面之晶圓而使用，其中， 前述第2薄片係與前述晶圓之前述第1晶圓面略同形狀， 前述層合型黏著薄片係使用於以前述第2薄片支持前述晶圓之前述第1晶圓面側，從前述第2晶圓面側劃入切口，將前述晶圓單片化成複數個晶片，進一步將前述第2薄片切斷，使前述切口達到前述第1黏著劑層，將前述第1黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔之擴展方法。

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