TW202104068A - 用於保健及生物技術之奈米多孔陽極氧化鋁膜 - Google Patents
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Abstract
一種製造奈米結構化氧化鋁薄膜之方法。第一步驟涉及使用脫脂溶液對鋁板進行脫脂。下一步驟涉及用不含過氯酸及鉻酸之電拋光溶液對脫脂後的鋁板進行電拋光。下一步驟涉及用陽極化酸溶液對電拋光後的鋁板進行預陽極化持續第一預定時間週期。下一步驟涉及用陽極化酸溶液對電拋光後的該鋁板進行陽極化持續第二預定時間週期，以在該鋁板上形成陽極化膜。下一步驟涉及用不含鉻之溶液將該陽極化膜與該鋁板分離。最後之步驟涉及清潔該陽極化膜。
Description
本發明係關於合成的奈米結構化的陽極氧化鋁(AAO))陶瓷膜，且更特定言之，係關於適用於健康照護與生物技術應用之奈米多孔氧化鋁膜(AOM)及薄膜。
用於使用電化學陽極化來生產氧化鋁薄膜之製程首先出現在1974年之波音公司(Boeing Company)的Alan W. Smith之專利中。該方法使用鋁作為電化電池中之陽極，其中將酸溶液(通常為草酸、硫酸、磷酸等)用作電解質。在大多數條件下，產生非晶氧化層。Masuda與Fukuda在1995年開發了一種兩步陽極化方法，其基於針對特定酸濃度、溫度及偏壓之觀測產生有序的(六方最密堆積)多孔氧化鋁，第一陽極化能夠隨時間產生有序的孔。
奈米結構化氧化鋁薄膜之合成的最新進展已使得有可能精確地控制陽極氧化鋁薄膜(封閉孔)及膜(透氣開放孔)之形態以及物理及化學特性。此等合成奈米結構化材料具有重要的生物及醫學應用，其涉及分選、感測、分離及釋放生物分子，該等應用使其對保健及生物技術應用愈來愈具有吸引力。下文簡要地描述幾個應用實例。
第一，主動開發經工程改造以模擬天然過濾系統之奈米多孔系統以用於超過濾、智慧型可植入藥物遞送系統、人造器官及其他新穎奈米功能醫療裝置中。舉例而言，需要具有有序、均勻分佈之奈米孔之改良的過濾膜以用於超過濾，作為避免污染物相關之食品藥物管理局(FDA)召回、對患者之損害、訴訟及品牌聲譽喪失之手段。此等無缺陷、有序的奈米多孔膜可用於過濾滅菌，以代替具有0.2微米隨機孔基於纖維素及聚合物之標準商業微濾器，以確保在遞送至患者之最終藥物中未發現污染物，諸如細菌、病毒及微粒。
第二，尋求可易於製造之合成的細胞培養受質以提高生長速率及細胞存活率。特定言之，此等奈米多孔膜可用作細胞支架，其在全細胞表面上提供與大的懸浮生物反應器提供的一樣多的氧氣及養分入口，但不具有由葉輪或噴布器攪拌所引起之剪切力之破壞性作用。
第三，組織工程改造有望為嚴重與慢性疾病提供不可比擬之癒合模態。若可增加生長及分化速率以減少組織生產時間，比方說，自數月減少至數週，則可挽救無數更多生命。因此，已顯示此等合成受質對於改良細胞存活及分化之組織工程改造而言極佳，優於藉由天然細胞外材料(ECM)萃取物提供的在玻璃井上期望之細胞存活及分化。已使用奈米多孔陽極氧化鋁研究用於錨定活細胞之支架，顯示藉由絲狀偽足識別及轉化來調節細胞擴散、形態及遷移。此等發現表明，絲狀偽足不僅充當偵測微環境之天線，而且充當導引用於引導細胞運動之板狀偽足延伸之構架。因此，歸因於加速之板狀偽足形成及細胞擴散，奈米結構化薄膜促進細胞黏附及增殖，其中識別絲狀偽足及絲狀偽足轉化為板狀偽足作為細胞對表面形貌之反應中的關鍵作用。
儘管進行廣泛的用於製造奈米多孔氧化鋁材料之研究，但適用於健康及生物技術應用之高純度奈米多孔材料之合成仍為難題。已發現奈米結構化陶瓷薄膜及膜用於所有此等前述生物科學領域，尤其是奈米多孔陽極氧化鋁。氧化鋁(A12
O3
)自身本質上為低毒性材料。在低於100 µg/mL之濃度下，未觀察到對神經幹細胞之顯著毒性。因此，氧化鋁薄膜已用於人體植入物中。然而，前述傳統製造方法利用在中間及最終生產步驟中留下高細胞毒性雜質(諸如重金屬)或環境有害化學物質之化學物質。此等化學物質包括以下之一或多種：鉻VI(Cr+6
)、氯化汞(II)(Hg2
Cl2
)、氯化銅(CuCl2
)、溴化物(Br2
)、過氯酸(HClO4
)、乙二醇(防凍劑)。它們的使用使得所得產物不適用於健康及生物技術應用。隨時間推移，來自此等化學物質之殘餘物可從最終多孔薄膜或膜浸出到環境中且對存在於生物製品、患者中之細胞培養物及組織造成損害，或強烈干擾藥物發現之結果。另外，諸如鉻VI之金屬離子物種干擾保健行業採用之有用的螢光生物分析。
因此，在此項技術中需要一種不需要細胞毒性化學物質之用於製造奈米結構化氧化鋁薄膜的方法。
本發明使得能夠藉由消除所有蝕刻步驟及用環境良性替代物代替毒性化學物質來生產高純度、生物相容性、奈米結構化陶瓷薄膜及膜。本發明產生更安全的工作環境且藉由消除運輸、處理及安置非常昂貴之材料而顯著地降低成本。本發明亦提供一系列系統的用於生產具有隨機、有序、封閉或開口孔之高純度奈米結構化氧化鋁陶瓷薄膜之步驟，其使用比傳統生產方法更少之步驟。總體而言，本發明提供一種適用於健康及生物技術應用之高品質成品，其產量高、生產成本較低且消除不合需要之細胞毒性雜質。
更特定言之，本發明包含一種製造奈米結構化氧化鋁薄膜之方法，該方法包含以下步驟：使用脫脂溶液對鋁板進行脫脂，用不含過氯酸與鉻酸的電拋光溶液對脫脂後的鋁板進行電拋光，用陽極化酸溶液對電拋光之後的鋁板進行預陽極化持續第一預定時間週期，用該陽極化酸溶液對電拋光之後的鋁板進行陽極化持續第二預定時間週期，以在該鋁板上形成陽極化膜，將該陽極化膜與該鋁板分離，以及清潔該陽極化膜。對該鋁板進行脫脂之步驟可以包含將鋁板浸沒於乙醇中。對該鋁板進行電拋光之步驟可以包含在磷酸浴中浸泡該鋁板。磷酸浴可包含約30%至約95%之磷酸及視情況約5%至約70%之聚乙二醇。在磷酸浴中浸泡該鋁板之步驟在約15伏特至100伏特之電壓下、在約30℃至約55℃之溫度下且在約30 mA/cm2
至約160 mA/cm2
之電流密度下執行。預陽極化該鋁板之步驟可包含將該鋁板浸沒於陽極化酸中持續五分鐘至十分鐘。陽極化該鋁板之步驟可包含將該鋁板浸沒於陽極化酸中持續高達二十四小時。將陽極化膜與鋁板分離之步驟可包含執行可溶性膜分離之步驟。執行可溶性膜分離之步驟可包含將陽極化鋁板浸沒於硫酸中。將陽極化膜與鋁板分離之步驟可包含執行陰極膜分層之步驟。執行陰極膜分層之步驟可包含將鋁板浸沒於稀釋硝酸中、將該鋁板連接至電壓源之負端及施加直流電脈衝列直至陽極化膜可與該鋁板分離為止。清潔陽極化膜之步驟可包含將陽極化膜浸沒於磷酸溶液中且在浸沒的同時音波處理陽極化膜。
參考圖式，其中相同數字在全文中指相同部分，在圖1中看到一種用於在不使用細胞毒性化學物質之情況下製造高純度奈米結構化氧化鋁薄膜之方法。在本申請案中，薄膜用於指代具有封閉孔(亦即不完全延伸穿過該薄膜之孔)之結構，而膜用於指代具有開放孔(亦即延伸穿過該薄膜之孔)之薄膜。因此，術語薄膜涵蓋術語膜。術語細胞毒性以習知方式用於指代對生物細胞有毒之化學物質，諸如誘導細胞凋亡、溶解、壞死或顯著影響細胞存活及增殖之化學物質。關於本申請案，用於製造高純度奈米結構化氧化鋁薄膜之習知細胞毒性化學物質包括諸如鉻，且最特定言之，六價鉻，以及汞及過氯酸鹽之化學物質。
如圖1中所見，在不使用過氯酸及有機溶劑之情況下將未拋光之鋁板1電拋光2以得到光滑的鏡面般表面3。拋光板經歷第一陽極化4以在氧化鋁層5之頂部(未圖示)處產生無序孔，但在氧化鋁層5之底部處產生有序孔陣列。金屬板含有高度有序及週期性壓痕，其在第二陽極化期間且超出板6時充當奈米孔之起始位點。此陽極化層及後續陽極化層藉由兩種方法中之一者與鋁板脫離。在第一種方法中，使濃酸中之犧牲可溶性膜生長7且在溫和條件下在不使用鉻之情況下溶解8以得到脫離的開放孔膜10，在板9上保持有序壓痕。重複陽極化製程以得到其他有序膜，直至鋁板之厚度達到所產生之氧化層的等級。在第二種方法中，藉由外部施加的反向偏壓執行陰極分層11，該反向偏壓將氧化層與鋁板分離以產生封閉孔薄膜12。可以將所得之具有保留壓痕的板14再次陽極化，並且重複該製程，使得能夠高產量地製造封閉孔薄膜。
因此，根據本發明，可因此使用不含細胞毒素(包括諸如鉻之重金屬)的溶液製造奈米結構化氧化鋁薄膜。實際上，由於鋁中的固有雜質而不是作為製造過程的副作用，根據本發明產生之膜含有顯著少於百萬分之一之重金屬。由於本發明可以用於產生生物製品，該等生物製品使用細胞生物反應器及細胞培養物(諸如細胞療法及組織工程改造)以生成生物製藥及保健產品，所以避免包括如鉻VI、汞II及過氯酸鹽之環境有害化學物質及致癌物之細胞毒素是至關重要的。
更特定言之，本發明之第一步驟包含使用諸如以下表1中所闡述之脫脂溶液對高純度(＞99.99%)的鋁板進行脫脂：表 1
脫脂為用於在電拋光之前清潔鋁板之表面的通用術語，雖然油脂並非唯一存在之污染物。通常，運輸高品質鋁板以用保護性乙烯基薄膜之薄塑膠層進行刮擦保護，該薄塑膠層可手動移除。將在電拋光之前移除殘餘塑膠、油脂、有機物質或黏著劑。在乙醇浸沒持續15分鐘之後，然後在具有1-2%十二烷基硫酸鈉(SDS)清潔劑之去離子水中超音波清潔持續5-15分鐘。超純水沖洗持續3分鐘或直至水成珠停止完成脫脂製程。應當用清潔的壓縮空氣徹底乾燥板以避免將『自由』水引入電拋光溶液中，此舉具有有害影響。
| 脫脂溶液 | 濃度 | 條件 | 溫度 |
| 乙醇 | 95% v/v | 浸沒5-15分鐘 | 室溫 |
| 異丙醇 | 99% v/v | 浸沒5-15分鐘 | 室溫 |
| 去離子水 | 1-2%十二烷基硫酸鈉(SDS) | 40Khz超音波清潔5-15分鐘 | 室溫 |
下一步驟包含在諸如下表2中所闡述之電拋光溶液中對該板進行電拋光：表 2
鋁金屬在製造期間之牽拉、衝壓及類似操作中之拉伸導致微米深之表面標記，其過大而無法產生良好奈米結構化膜。電拋光可緩解此等缺陷，留下光滑的鏡面般表面(在最好情況下，至多為亞微米缺陷)。不同於使用產生環境及效能問題之過氯酸的習知方法，本發明採用較佳含有約30%至約95%之磷酸及約5%至約70%之聚乙二醇的磷酸浴。必要時，可向浴液中添加少量，通常約0.05%至約2%之潤濕劑。可以在約15伏至100伏範圍內之電壓下，65℃至約95℃，在約30 mA/cm2
至約160 mA/cm2
之電流密度下操作該浴液。該浴液在電鍍之部件上形成泡沫狀薄膜，其導致一些「磨砂(frosting)」。
| 電拋光溶液 | 濃度 | 條件 | 溫度 |
| 磷酸 | 85% w/w | 磁性攪拌 | 室溫 |
進行研究以尋找更溫和的條件及電拋光電池構造，以緩解僅使用85%濃磷酸在陽極處或附近的氣泡產生。將高純度(99.999%)100 mm×120 mm之鋁板用於本文所描述之所有實驗工作。玻璃塊燒杯填充有1800 ml之工業級85%之磷酸，按原樣使用。此足以將燒杯填充至空氣界面線，該界面線足以將板浸沒高達110 mm。使用在純度及尺寸上與工作板相同之兩個電接合之鋁相對電極代替鉑電極來實現兩側同時及對稱的電拋光。相對電極保持其導電性且在多次(＞20)使用後對電拋光溶液不造成任何污染。將相對板彼此平行置放且在塊狀燒杯內部分開6 cm。此距離足以避免在電拋光期間在相對電極中產生之氣泡到達工作電極。工業級磷酸之高黏度足以在表面處理之前防止氣泡行進較大的水平距離。因此，不需要使用特殊分離器或振盪攪拌板來保護如先前發明中之工作電極。在工作電極處未觀測到氣體逸出。該工作板處於電極之間的中線，且該電拋光之電池在室溫下操作且使其偏移。
用DC電源進行電拋光，該DC電源與具有連接至電極之鱷魚夾之單股銅線(14號)連接。磁性攪拌該電池。在各種測試之後，安排以下標準操作程序。設定電壓為30 V，其中限制電流為60 mA/cm2
。最佳初始溫度為30℃且在第一電拋光板之後使其偏移至大約35℃。可依序電拋光高達5個板，結果良好。在溶液中達到50℃之最終溫度。更高溫度對電拋光之品質具有不利影響。在冷卻之後，相同的溶液可以使用超過20次而沒有明顯之影響。在該電拋光板中不存在磨蝕或磨砂。
使用斯內倫(Snellen)視力表來量測電拋光表面之品質，該視力表含有11行具有遞減字型大小之文字。將大小類似於板之Snellen表反向印刷且相對於拋光表面呈45度放置。最後可讀行數給出在電拋光期間獲得之鏡面般表面之品質。通常獲得＞10的值。未觀測到磨蝕或磨砂。因為板的空氣/溶液界面看起來未藉由本過程受損，所以不需要添加聚矽氧油脂或浮油以避免重氧化。圖5顯示一系列高達四個依序拋光之板之電流相對於時間的反應曲線。注意最終電拋光電流自板至板之輕微增加。在維持電壓的同時使電流下降。電拋光時間在2至5分鐘之間變化。
在電拋光之後，隨後在諸如表3中所闡述之陽極化溶液中對該板進行預陽極化持續第一預定時間週期。表 3
由於在鋁板陽極化期間，電流密度不均勻及溶液/空氣界面處之局部燃燒，所以通常具有腐蝕問題。氧氣之存在導致箔與板在腐蝕點處之不規則陽極化，腐蝕點之尺寸可為約1 mm，但足以引起超過10-30 mA之電流波動。陽極化浴液表面處之聚矽氧基油可防止界面處之高氧化，藉由用聚矽氧/空氣界面代替溶液/空氣界面來消耗陽極化酸溶液。然而，此導致聚矽氧污染溶液。預陽極化，一種極短暫之陽極化，其用於促進聚合物薄膜之黏著性，此舉限制膜生長至鋁箔的僅一側。為了更容易地自鋁基板移除AAO，膜生長受到限制。預陽極化可產生防腐蝕之保護層。在本發明中，將120×100 mm之板浸沒於陽極化溶液B中達至110 mm之標記且陽極化持續10-20分鐘。隨後將板抬升至10 cm之標記，在耐腐蝕之板上留下10 mm的陽極化表面。額外之10 mm帶用於將該板連接至該電源且在預陽極化線上方留下足夠空間來陽極化，以用於後續產生可溶性膜脫離線。
| 陽極化酸 | 分子式 | 濃度 ( M ) | 孔尺寸範圍 ( nm ) | |
| 乙酸 | CH3CO2H | 1 | -- | |
| 乙炔二酸 | HOOC-C≡C-COOH | 0.3 | 100 | |
| 檸檬酸 | HO2CCH2(OH)(CO2H)CH2CO2H | 0.1 - 2 | 90-250 | |
| 艾提壯酸 | O=P(O)(O)C(O)(C)P(=O)(O)O | 0.2-4.2 | 400-640 | |
| 甲酸 | HCOOH | 0.5 | 50 | |
| 乙醇酸 | CH2(OH)CO2H | 1.3 | 35 | |
| 酮戊二酸 | HOOC-CO-(CH2)2-COOH | 0.3 | 55-85 | |
| 蘋果酸 | HO2CH2CH(OH)CO2H | 0.15 - 0.3 | 300-800 | |
| 丙二酸 | CH2(CO2H)2 | 0.1 - 5 | 70-75 | |
| 草酸 | C2H2O4 | 0.2 - 0.5 | 20-80 | |
| 磷酸 | H3PO4 | 0.04 - 1.1 | 30-500 | |
| 氨磺酸 | NH2SO3H | 0.1 | 40-60 | |
| 硫酸 | H2SO4 | 0.18- 2.5 | 12-100 | |
| 酒石酸 | HO2CCH(OH)CH(OH)CO2H | 0.1 - 3 | -- | |
| 羥丙二酸 | HOOC-C(OH)-COOH | -- | 70 | |
在電拋光之後，隨後使該板在諸如表3中之陽極化溶液中進行陽極化持續長於第一預定週期之第二預定時間週期。陽極化為將作為電化電池中之陽極或「工作電極」之鋁金屬轉化為氧化鋁的製程。惰性金屬(Pt)或碳陰極，亦即相對電極用於跨電解質施加特定電壓。最常見之電解質為促成作為所消耗之電活性酸性物質之水合氫離子(H3
0
+)之酸，該所消耗的電活性酸性物質提供主要離子電流以產生氧化層。需要酸性環境以保持可用於膜生長之流體層。約30%之電流產生溶解物質，而70%之電流產生固體氧化物。當外部施加之電位關閉時，電流停止且溶解物質固化且在鋁表面上形成障壁層。該製程封閉在生長末端之孔。在適當條件下，鋁金屬之氧化導致六方最密堆積有序孔。已表明，當孔擠滿金屬表面時，電池圖案化由電流體動力學(EHD)對流過程而非陽極表面附近之界面張力梯度(馬蘭戈尼型不穩定性(Marangoni-type instability))引起。通常，第一陽極化層僅為膜底部之孔之有序陣列。此膜藉由下文概述之兩種方法中之一者脫離。脫離必須以保護鋁金屬上之壓痕以使得後續陽極化產生有序膜之方式進行。
陽極化之後，使用替代方法中之一者，亦即可溶性膜分離或陰極膜分層，將陽極化膜與鋁之表面分離，如本文中更詳細地描述。
對於可溶性膜分離，若使用高度濃縮之諸如12 M硫酸之二質子酸進行陽極化，則可將足夠共軛鹼陰離子併入陽極生長薄膜中以產生可溶於弱酸性水溶液中之富含硫酸根的氧化膜。可藉由首先在弱酸中進行陽極化，接著在濃縮二質子酸中進行第二陽極化來獲得透氣孔膜。因為第二膜為可溶的，所以若將此雙陽極化膜浸沒於適當之蝕刻溶液中，則第一膜將與鋁基板脫離。舉例而言，使用諸如表3所列之彼等標準酸陽極化，及在諸如濃硫酸之強二質子酸中的後續陽極化，將獲得第一陽極化酸之透氣孔膜。此形成用於Masuda犧牲層陽極化製程之基礎。習知方法需要鉻酸鹽，其產生六價鉻，職業安全及健康管理局(Occupational Safety and Health Administration；OSHA)及衛生與人群服務部(Department of Health and Human Services；HHS)認為該六價鉻致癌，且被歐共體(EC)列為10種限制性物質之一。發生肺、鼻及鼻竇癌之風險隨著吸入六價鉻之量及工人暴露之時長而增加。根據本發明，當在較溫和的20℃-25℃溫度下在相對較短時間段內(20-40分鐘)溶解可溶性膜時，可在不使用鉻酸鹽而單獨使用6% w/w磷酸的情況下在後續陽極化中獲得有序膜。因此，鋁奈米壓痕足夠深且被保存以在此等條件下之第二及後續陽極化之後得到有序膜。因此，藉由使用較低溫度及較短溶解時間消除所有形式鉻酸鹽之使用。類似地，在浸沒於6%磷酸之去離子水中之後，藉由輕輕地摩擦板可容易移除鋁板上之任何剩餘障壁層。
對於陰極膜分層，在不需要產生犧牲可溶性膜或使用蝕刻溶液之情況下藉由外部施加之反向偏壓將膜與鋁板脫離。陽極化板用作陰極，因此該方法亦被稱作陰極分層。陰極處之氫氣泡在金屬與氧化鋁層之間累積足以引起分層的壓力。鋁及氧化鋁兩者在硝酸中是穩定的，且因此其可在適當條件下保存鋁壓痕及陽極化膜之厚度而不溶解任一者。硝酸充當用於在陽極化板上產生氫氣泡之水合氫離子的來源。將該陽極化板浸沒於0.1 M硝酸中，且施加30 V之反向偏壓持續至少90秒。彈出或破裂聲音以信號告知陰極分層，其後電流跳變至其極限值。此突然分層製程之一個缺點為其主要對尺寸有限(50×50 mm)之厚(＞85微米)膜起作用。更薄或更大膜導致破裂或不完全脫離。此係由於難以在整個較大表面中產生單一分層事件之事實。一旦部分氧化鋁分層，則電流在板之分層區段中顯著增加，而仍附接之膜之一些部分無法產生足以用於脫離的氫。因此，在本發明中，進一步研發陰極分層方法以使可脫離之膜之尺寸及厚度最優化。對於薄(＜80微米)氧化層，重要的是避免導致膜破裂之過度壓力累積。使用下文所描述之方法，有可能將100×100 mm大且50微米薄之薄膜分層。
用於具有50至100微米氧化層之100×100 mm陽極化板之可接受的陰極分層製程以板在室溫下浸沒於0.2 M硝酸中開始，且接著將板連接至負端。設定電壓Vo
且維持120 s。接著藉由在一秒內將電壓自Vo
逐漸上升至Vf
，將Vf
電壓維持一秒，且接著將電壓下降至Vo
來施加DC脈衝列。重複此製程30次至50次，直至電流升至較大極限電流密度，亦即75 mA/cm2
或更大。隨後將該板在去離子水中洗滌一分鐘。隨後可以在超純水下抬升氧化層以將其與該板完全分離。若試圖抬升氧化層失敗，則可以將該板再次浸沒於0.2 M硝酸中，且將電流設定為先前達到之電流密度的一半(約37.5 mA/cm2
)以繼續使氫氣鼓泡持續10至30分鐘，或長至分離氧化層所需要的時間。對於厚度在50至80微米範圍內之薄膜/膜，Vo
=20 V且Vf
=28 V。對於厚度在80至100微米範圍內之薄膜/膜，Vo
=24 V且Vf
=30 V。所產生之氧化層為封閉孔。該等孔可藉由在室溫下在14%磷酸中蝕刻及孔洞擴展(pore widening)持續多達10分鐘來打開。
在經由上文所描述之方法中之一者進行膜分離之後，在清潔溶液中清潔該板且將所產生之膜風乾。固持器可以用於固持多個膜以使其浸沒於音波振動器中。該固持器使膜隔開以避免機械損壞。為了清潔表面且為了稍微擴大孔，可以在40 Khz超音波振動器內部使用6% w/w磷酸溶液持續5-15分鐘。隨後可以用足夠的去離子水沖洗該膜且使其在室溫下乾燥。
可重複經由清潔步驟之陽極化直至板厚度與脫離之陽極化氧化層之厚度相當為止。根據所使用的鋁板之厚度及所產生的膜之厚度，可將上文所描述之程序重複多次。拇指規則為
，其中N為厚度t之有序膜之數目，該有序膜可由厚度T之板產生。典型值為T=0.5至2.5 mm，t=25至100 µm。首先，陽極化膜僅在底部有序，該底部為更接近於鋁板的一側。此等部分有序之第一陽極化膜仍有用，但可能含有諸如孔聚結之缺陷。第二及後續陽極化在鋁晶界內顯示局部次序、六方最密堆積。隨著陽極化數目增加，觀測到孔隙域之隊形(order)增加超出了初始之鋁晶界。因此，第五陽極化膜具有如第一陽極化之底側之兩倍大小的有序域。此顯示於下表4中，其列舉0.5 mm厚99.999%鋁板之依序陽極化之平均域大小。在15℃之平均溫度下，在0.3 M草酸中陽極化時間為10-12小時，其中平均膜厚度為50微米。表 4
| 陽極化 # | 域大小 ( 微米 ) |
| 1 | 0.45 |
| 2 | 0.72 |
| 3 | 0.88 |
| 4 | 0.99 |
| 5 | 1.15 |
藉由本發明產生之任何液體廢料可經由使用氫氧化鈉之標準酸鹼中和而安全地處理。舉例而言，在重複陽極化之後，中和草酸產生含有草酸鈉鹽及痕量氧化鋁之澄清溶液。此溶液可在中性pH下安全地處理。亦可藉由蒸發溶液來回收草酸鈉鹽。草酸鈉為用作螯合劑之動物代謝之天然存在產物。
脫離溶液亦可用氫氧化鈉中和。脫離溶液之中和產生沈澱之白色固體副產物，亦即一種大約6%水合磷酸二氫鋁(Al(H2
PO4
)3
.H2
O)、磷酸鈉鋁及硫酸鈉的鹽混合物。該鹽混合物無毒且其通常用作許多加工食品中之穩定劑。用氫氧化鉀中和用於產生可溶性膜之濃硫酸以產生硫酸鉀K2
SO4
，一種肥料。
因為不存在細胞毒性化合物，根據本發明之氧化鋁封閉孔薄膜及透氣開放孔膜之應用尤其適用於保健及生物技術應用。舉例而言，根據本發明之膜可以用於諸如但不限於以下之應用：超過濾、過濾滅菌、細胞培養、組織工程改造、細胞分選、DNA/RNA分離及定序、生物感測、藥物發現及免疫分離。
1:未拋光之鋁板
2:電拋光
3:鏡面般表面
4:第一陽極化
5:氧化鋁層
6:板
7:使濃酸中之犧牲可溶性膜生長
8:溫和條件下在不使用鉻之情況下溶解
9:板
10:脫離的開放孔膜
11:陰極分層
12:封閉孔薄膜
14:具有保留壓痕的板
藉由結合附圖閱讀以下具體實施方式將更充分地理解及瞭解本發明，其中：
圖1為使用兩側鋁板製造高純度奈米結構化氧化鋁膜之方法之示意圖；
圖2為顯示經由初始高純度(99.999%)鋁板之循環陽極化來獲得之十個膜的一系列影像；
圖3為在低(0-6℃)溫度下在磁性攪拌下執行之在傳統電解質溶液(72%過氯酸在99.7%乙醇中的1:3 v/v溶液)中之尺寸為120 mm×100 mm×0.5 mm的一系列四個依序電拋光板(P1-P4)對於20 V的外部恆定施加電壓之電流反應的曲線圖；
圖4為根據本發明僅使用85%工業級磷酸之電拋光的電流反應的曲線圖；
圖5為在六個板上同時執行之預陽極化之電流反應的曲線圖，其中每一板各自具有110 mm×100 mm×0.5 mm之有效陽極化面積；
圖6為各自擁有六個板之四個獨立系列之10小時陽極化的電流反應的曲線圖，其中有效陽極化面積為100 mm×100 mm×0.5 mm；
圖7為在40 V下用於高度濃縮之諸如硫酸的二質子酸中的陽極化持續20至25分鐘之週期之電流反應之曲線圖，其表明陽極化足以形成可與障壁氧化層同時溶解以產生開口孔薄膜之可溶性膜；
圖8為在室溫下在弱酸性電解質中陰極分層之電流反應的曲線圖，該陰極分層建立了產生封閉孔薄膜之方法。
1:未拋光之鋁板
2:電拋光
3:鏡面般表面
4:第一陽極化
5:氧化鋁層
6:板
7:使濃酸中之犧牲可溶性膜生長
8:溫和條件下在不使用鉻之情況下溶解
9:板
10:脫離的開放孔膜
11:陰極分層
12:封閉孔薄膜
14:具有保留壓痕的板
Claims (14)
- 一種製造奈米結構化氧化鋁薄膜之方法，其包含以下步驟： 使用脫脂溶液對鋁板進行脫脂； 用不含細胞毒性化學物質之電拋光溶液對脫脂後的鋁板進行電拋光； 用陽極化酸溶液對電拋光後的鋁板進行預陽極化持續第一預定時間週期； 用該陽極化酸溶液對電拋光後的鋁板進行陽極化持續第二預定時間週期，以在該鋁板上形成陽極化膜； 在不使用細胞毒性化學物質之情況下將該陽極化膜與該鋁板分離；以及 清潔該陽極化膜。
- 如請求項1之方法，其中該奈米結構化氧化鋁薄膜具有小於百萬分之一之重金屬。
- 如請求項1之方法，其中對該鋁板進行電拋光之步驟包含將該鋁板浸泡於不含過氯酸及鉻酸之磷酸浴中。
- 如請求項3之方法，其中該磷酸浴包含約30%至約95%之磷酸及視情況約5%至約70%之聚乙二醇。
- 如請求項3之方法，其中該將該鋁板浸泡於磷酸浴中之步驟係在約15至100伏特的電壓下、在約30℃至約50℃之溫度下且在約30 mA/cm2 至約160 mA/cm2 之電流密度下執行。
- 如請求項1之方法，其中該預陽極化該鋁板之步驟包含將該鋁板浸沒於第一陽極化酸中持續五分鐘至十分鐘。
- 如請求項1之方法，其中該陽極化該鋁板之步驟包含將該鋁板浸沒於第二陽極化酸中持續高達二十四小時。
- 如請求項1之方法，其中該將該陽極化膜與該鋁板分離之步驟包含執行可溶性膜分離之步驟。
- 如請求項8之方法，其中該執行可溶性膜分離之步驟包含將該鋁板浸沒於不含鉻酸之磷酸中。
- 如請求項1之方法，其中該將該陽極化薄膜與該鋁板分離之步驟包含執行陰極膜分層之步驟。
- 如請求項10之方法，其中該執行陰極膜分層之步驟包含將該鋁板浸沒於硝酸中，將該鋁板連接至電壓源之負端，及施加直流電脈衝列直至該陽極化膜可與該鋁板分離為止。
- 如請求項1之方法，其中該清潔該陽極化膜之步驟包含將該陽極化膜浸沒於磷酸溶液中且在浸沒的同時音波振動該陽極化膜。
- 一種根據請求項1之方法製備之奈米結構化氧化鋁薄膜。
- 一種具有小於百萬分之一之重金屬之奈米結構化氧化鋁薄膜。
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