TW202103939A - 積層構件 - Google Patents

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TW202103939A
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sic
glass
less
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laminated
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小川修平
野村周平
中澤伯人
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明之積層構件具有：玻璃構件，其於波長850 nm下之直線透過率為80%以上；接合層，其係上述玻璃構件上之樹脂；及上述接合層上之Si-SiC構件。

Description

積層構件
本發明係關於一種將玻璃構件與Si-SiC構件積層而成之積層構件。
於系統廚具中，作業台、加熱調理器等藉由工作檯板(work top)連接。作為工作檯板之素材，使用不鏽鋼、人造大理石、陶瓷等。
加熱調理器組裝在設置於工作檯板之開口。加熱調理器具備載置被加熱體(鍋等)之頂板(top plate)。作為頂板之素材，使用結晶化玻璃(參照專利文獻1)、陶瓷等。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2012-148958號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，就設計性之方面而言，要求工作檯板與頂板為相同之素材。但於既有之素材中，以下幾點成為問題。
不鏽鋼之耐擦傷性低。
人造大理石之耐熱性及熱導率低，因此不適於頂板素材。
結晶化玻璃難以控制結晶之析出，因此難以製造如用於工作檯板之大面積基板。
又，要求如用於加熱調理器之頂板之加熱構件可高速升降溫，耐衝擊性高。為了使加熱構件高速升降溫，加熱構件較佳為薄。另一方面，為了提高加熱構件之耐衝擊性，加熱構件較佳為厚。
本發明係鑒於此種背景而完成者，本發明之一態樣以提供適合作為加熱構件之積層構件為課題。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣係 [1]一種積層構件，其具有： 玻璃構件，其於波長850 nm下之直線透過率為80%以上； 接合層，其係上述玻璃構件上之樹脂；及 上述接合層上之Si-SiC構件。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [2]上述玻璃構件之波長850 nm下之直線透過率為90%以上。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [3]上述Si-SiC構件之熱導率為190 W/m・K～300 W/m・K。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [4]上述玻璃構件之厚度為2 mm～40 mm， 上述Si-SiC構件之厚度為0.5 mm～10 mm。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [5]上述Si-SiC構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數α減去上述玻璃構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數β所得之值之絕對值|α－β|為2.0 ppm/℃以下。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [6]上述Si-SiC構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數α為2.10 ppm/℃～4.00 ppm/℃。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [7]上述Si-SiC構件之楊氏模數為300 GPa～420 GPa。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [8]上述樹脂係耐熱溫度為230℃～500℃之樹脂。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [9]上述Si-SiC構件之金屬Si含有比率為8 wt%～60 wt%。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [10]密度為2.45 g/cm3 ～2.65 g/cm3 。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [11]翹曲量為0.25 mm以下。
本發明之一態樣之積層構件較佳為 [12]進而具有：第2接合層，其設置於上述Si-SiC構件上；及 第2 Si-SiC構件，其經由上述第2接合層與上述Si-SiC構件接合。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，可提供適合作為加熱構件之積層構件。
以下，詳細地對本發明之一態樣之積層構件進行說明。
本說明書中，表示數值範圍之「～」係以包含其前後記載之數值作為下限值及上限值之含義使用，只要無特別之規定，則以下之「～」以相同之含義使用。
(積層構件) 圖1係本發明之一態樣之積層構件100之剖視圖。積層構件100具有玻璃構件101、設置於玻璃構件101上之接合層103、及設置於接合層103上之Si-SiC構件105。積層構件100具有玻璃構件101、接合層103、及Si-SiC構件105依次積層之積層構造。
關於本發明之一態樣之積層構件100之製造方法，只要將玻璃構件101與Si-SiC構件105於其間經由接合層103而貼合即可。
積層構件100之翹曲量較佳為0.25 mm以下。積層構件100之翹曲量更佳為0.20 mm以下，進而較佳為0.10 mm以下，尤佳為0.05 mm以下。若積層構件100之翹曲量為上述值以下，則於應力產生時，可防止應力向特定之部位集中，因此可提高抗裂性。又，於對積層構件100進行施工用於廚具時，可避免因積層構件100之翹曲導致周圍變形而反映於積層構件100使設計性變低。又，於將被加熱體載置於積層構件100上時，可防止被加熱體搖晃。
積層構件100之翹曲量可藉由非接觸之三維形狀測定裝置進行測定。
積層構件100之密度較佳為2.45 g/cm3 ～2.90 g/cm3 。積層構件100之密度更佳為2.50 g/cm3 以上，進而較佳為2.54 g/cm3 以上，尤佳為2.56 g/cm3 以上。積層構件100之密度更佳為2.85 g/cm3 以下，進而較佳為2.80 g/cm3 以下，尤佳為2.65 g/cm3 以下。若密度為上述範圍，則將積層構件作為加熱構件組裝於殼體時之施工性提高。
密度係將積層構件100之總重量除以積層構件100之總體積所得之值。
積層構件100之總重量可藉由重量測定器進行測定。
積層構件100之總體積可藉由數位式測量器進行測定。
積層構件100之Si-SiC構件105側之最上表面之面積(積層構件100之Si-SiC構件105側之主表面)較佳為0.01 m2 ～10 m2 。積層構件100之最上表面之面積更佳為0.15 m2 以上，進而較佳為0.30 m2 以上，尤佳為0.60 m2 以上，最佳為0.90 m2 以上。積層構件100之最上表面之面積更佳為8 m2 以下，進而較佳為6 m2 以下，尤佳為4 m2 以下，最佳為3 m2 以下。
最上表面之面積係藉由數位式測量器測定積層構件100之尺寸而算出。若積層構件100之最上表面之面積為上述範圍，則作為加熱構件組裝於殼體時之施工性提高。
積層構件100可於例如150℃～380℃之溫度下將玻璃構件101與Si-SiC構件105於其間經由接合層103貼合而獲得。
(Si-SiC構件) Si-SiC構件105係由包含碳化矽(SiC)及矽(Si)之複合材料構成之燒結構件。
Si-SiC構件105係含有SiC 40 wt%～92 wt%、Si 8 wt%～60 wt%之陶瓷。
Si-SiC構件較佳為含有SiC 50 wt%～87 wt%、Si 13 wt%～50 wt%，更佳為含有SiC 55 wt%～82 wt%、Si 18 wt%～45 wt%，進而較佳為含有SiC 60 wt%～77 wt%、Si 23 wt%～40 wt%，尤佳為含有SiC 65 wt%～72 wt%、Si 28 wt%～35 wt%。若Si-SiC構件之Si及SiC之含有率為上述範圍，則可成為Si-SiC構件之熱特性與機械特性之平衡優異之構件。
Si-SiC構件之組成無特別限定，亦可除SiC及Si以外而含有燒結助劑成分或微量之雜質等。燒結助劑無特別限定，例如可列舉Be、BeO、B4 C、BN、Al、AlN。
Si-SiC構件105之厚度較佳為0.5 mm～10 mm。Si-SiC構件105之厚度更佳為1.5 mm以上，進而較佳為2.0 mm以上，尤佳為2.5 mm以上。Si-SiC構件105之厚度更佳為7.0 mm以下，進而較佳為5.0 mm以下，尤佳為4.0 mm以下。
Si-SiC構件105由玻璃構件101支持，因此可較薄。由於可使Si-SiC構件105較薄，故可迅速升降溫。
Si-SiC構件105之厚度可藉由游標卡尺或數位式測量器進行測定。
20℃～200℃下之Si-SiC構件105之平均線膨脹係數α較佳為2.10 ppm/℃～4.00 ppm/℃。以下，亦將20℃～200℃下之Si-SiC構件105之平均線膨脹係數α簡稱為平均線膨脹係數α。平均線膨脹係數α更佳為2.30 ppm/℃以上，進而較佳為2.50 ppm/℃以上，尤佳為2.70 ppm/℃以上。平均線膨脹係數α更佳為3.60 ppm/℃以下，進而較佳為3.40 ppm/℃以下，尤佳為3.20 ppm/℃以下。若Si-SiC構件105之平均線膨脹係數α為上述範圍，則容易使Si-SiC構件105與玻璃構件101之平均線膨脹係數一致。
平均線膨脹係數α可藉由將測定之溫度範圍設為20℃～200℃之熱機械分析裝置(TMA)進行測定。
20℃下之Si-SiC構件105之熱導率較佳為130 W/m・K～300 W/m・K。20℃下之Si-SiC構件105之熱導率更佳為190 W/m・K以上，進而較佳為230 W/m・K以上，尤佳為250 W/m・K以上。20℃下之Si-SiC構件105之熱導率更佳為290 W/m・K以下，進而較佳為280 W/m・K以下，尤佳為270 W/m・K以下。若Si-SiC構件105之熱導率為上述範圍，則作為加熱構件之均熱性提高。又，若Si-SiC構件105之熱導率為上述範圍，則可防止製造Si-SiC構件105時因熱導率不均而導致良率降低，容易使Si-SiC構件105之品質穩定。
熱導率可藉由雷射閃光法進行測定。
20℃下之Si-SiC構件105之比熱較佳為0.690 J/g・K～0.745 J/g・K。20℃下之Si-SiC構件105之比熱更佳為0.700 J/g・K以上，進而較佳為0.705 J/g・K以上，尤佳為0.710 J/g・K以上。20℃下之Si-SiC構件105之比熱更佳為0.736 J/g・K以下，進而較佳為0.727 J/g・K以下，尤佳為0.718 J/g・K以下。藉由使Si-SiC構件105之比熱滿足上述範圍，可作為加熱構件迅速升降溫。
比熱可藉由雷射閃光法進行測定。
Si-SiC構件105之楊氏模數較佳為300 GPa～420 GPa。Si-SiC構件105之楊氏模數更佳為320 GPa以上，進而較佳為330 GPa以上，尤佳為340 GPa以上。Si-SiC構件105之楊氏模數更佳為400 GPa以下，進而較佳為380 GPa以下，尤佳為370 GPa以下。楊氏模數越低，耐熱衝擊性越高。本發明之一態樣之Si-SiC構件105藉由楊氏模數滿足上述範圍，耐熱衝擊性提高，故而較佳。又，本發明之一態樣之Si-SiC構件105之楊氏模數低於其他碳化矽質陶瓷之楊氏模數，因此耐熱衝擊性高而較佳。
楊氏模數可藉由日本工業標準(JIS-R1602-1995)中記載之彈性模數試驗方法於20℃下進行測定。
Si-SiC構件105之彎曲強度較佳為130 MPa～300 MPa。Si-SiC構件105之彎曲強度更佳為180 MPa以上，進而較佳為220 MPa以上，尤佳為230 MPa以上。Si-SiC構件105之彎曲強度更佳為280 MPa以下，進而較佳為270 MPa以下，尤佳為260 MPa以下。藉由使Si-SiC構件105之彎曲強度滿足上述範圍，可防止由掉落物所導致之Si-SiC構件105、甚至積層構件100之破裂，可提高耐衝擊性。
彎曲強度可藉由日本工業標準(JIS-R1601-2008)中記載之彎曲強度試驗方法於20℃下進行測定。
Si-SiC構件105之維氏硬度(Hv)較佳為16 GPa～27 GPa。維氏硬度更佳為19 GPa以上，進而較佳為20 GPa以上，尤佳為21 GPa以上。維氏硬度更佳為25 GPa以下，進而較佳為24 GPa以下，尤佳為23 GPa以下。藉由使Si-SiC構件105之維氏硬度滿足上述範圍，Si-SiC構件105、進而積層構件100之耐擦傷性提高。
維氏硬度可藉由維氏硬度計系統於20℃下進行測定。
(玻璃構件101) 玻璃構件101之玻璃組成無特別限定。作為玻璃構件101，例如可列舉鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、無鹼玻璃。又，玻璃構件101亦可為經化學強化之玻璃(化學強化玻璃)。
玻璃構件101之厚度只要為能夠支持Si-SiC構件105之厚度即可。玻璃構件101之厚度較佳為2 mm以上，更佳為5 mm以上，進而較佳為10 mm以上，尤佳為15 mm以上。玻璃構件101之厚度較佳為40 mm以下，更佳為35 mm以下，進而較佳為30 mm以下，尤佳為25 mm以下。若玻璃構件101之厚度為上述範圍，則可維持作為支持構件充分之強度。
玻璃構件101之厚度可藉由游標卡尺或數位式測量器進行測定。
20℃～200℃下之玻璃構件101之平均線膨脹係數β較佳為0.01 ppm/℃～4.50 ppm/℃。以下，亦將20℃～200℃下之玻璃構件101之平均線膨脹係數β簡稱為平均線膨脹係數β。平均線膨脹係數β更佳為1.00 ppm/℃以上，進而較佳為1.50 ppm/℃以上，尤佳為1.80 ppm/℃以上。平均線膨脹係數β更佳為3.50 ppm/℃以下，進而較佳為3.10 ppm/℃以下，尤佳為2.70 ppm/℃以下。若玻璃構件101之平均線膨脹係數β為上述範圍，則可容易地使玻璃構件101與Si-SiC構件105之平均線膨脹係數一致。
Si-SiC構件105之平均線膨脹係數α減去玻璃構件101之平均線膨脹係數β所得之值之絕對值|α－β|較佳為2.00 ppm/℃以下。絕對值|α－β|更佳為1.00 ppm/℃以下，進而較佳為0.50 ppm/℃以下，尤佳為0.30 ppm/℃以下。藉由將兩者之平均線膨脹係數差設為上述值以下，可防止所獲得之積層構件100之翹曲。
波長850 nm下之玻璃構件101之直線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為92%以上。若波長850 nm下之玻璃構件101之直線透過率為80%以上，則可成為對加熱利用而言足夠之紅外線之透過量。
直線透過率係將入射光之入射角設為0°，沿玻璃構件101之厚度方向直線透過玻璃構件101之光之透過率，可藉由分光光度計於20℃下進行測定。
玻璃構件101之楊氏模數較佳為40 GPa～120 GPa。玻璃構件101之楊氏模數更佳為45 GPa以上，進而較佳為50 GPa以上，尤佳為55 GPa以上。玻璃構件101之楊氏模數更佳為100 GPa以下，進而較佳為90 GPa以下，尤佳為80 GPa以下。若玻璃構件101之楊氏模數為上述範圍，則可保持作為支持構件充分之強度。
玻璃構件101之楊氏模數可藉由日本工業標準(JIS-R1602-1995)中記載之超音波脈衝法於20℃下進行測定。
玻璃構件101之彎曲強度較佳為70 MPa～800 MPa。玻璃構件101之彎曲強度更佳為100 MPa以上，進而較佳為150 MPa以上，尤佳為200 MPa以上。玻璃構件101之彎曲強度更佳為700 MPa以下，進而較佳為600 MPa以下。若玻璃構件101之彎曲強度為上述範圍，則可防止由掉落物所導致之玻璃構件101、甚至積層構件100之破裂。又，若玻璃構件101之彎曲強度為上述範圍，則可防止製造玻璃時因玻璃之彎曲強度不均而導致良率降低，容易使玻璃品質穩定。
玻璃構件101之彎曲強度可藉由ASTM標準(ASTM C1499-01)中記載之玻璃之環狀彎曲試驗於20℃下進行測定。
繼而，針對構成本發明之一態樣之玻璃構件101，對較佳之玻璃組成進行說明。再者，本說明書中之玻璃組成(玻璃構件之對象成分之含量)以氧化物基準之質量百分率(wt%)表示。
玻璃構件101含有SiO2 。SiO2 為玻璃之主成分。為了提高玻璃之耐候性，SiO2 之含量較佳為50 wt%以上，更佳為55 wt%以上，進而較佳為58 wt%以上，尤佳為61 wt%以上。為了降低玻璃之黏性而提高製造性，SiO2 之含量較佳為81 wt%以下，更佳為76 wt%以下，進而較佳為71 wt%以下，尤佳為67 wt%以下。
玻璃構件101亦可含有Al2 O3 。Al2 O3 係對提高玻璃之耐候性、降低線膨脹係數有用之成分。Al2 O3 含量較佳為1.5 wt%以上，更佳為5 wt%以上，進而較佳為10 wt%以上。另一方面，為了提高玻璃之耐酸性，及為了抑制玻璃之失透，Al2 O3 之含量較佳為26 wt%以下，更佳為23 wt%以下，進而較佳為20 wt%以下。
玻璃構件101亦可含有B2 O3 ：5～23 wt%。B2 O3 係對調整玻璃之線膨脹係數有用之成分。為了抑制玻璃之線膨脹係數，降低玻璃之高溫黏性，B2 O3 之含量較佳為5 wt%以上，更佳為設為9 wt%以上，進而較佳為設為12 wt%以上，尤佳為設為14.5 wt%以上。另一方面，為了提高玻璃之耐候性，B2 O3 之含量較佳為22 wt%以下，更佳為設為19 wt%以下，進而較佳為設為17.5 wt%以下，尤佳為設為16 wt%以下。
玻璃構件101亦可含有RO(RO為MgO、CaO、SrO、及BaO中之至少一者，RO之含量表示MgO、CaO、SrO、及BaO之合計量)。為了降低玻璃之黏性而提高熔解性，並控制膨脹係數，RO較佳為含有0.1 wt%以上，更佳為1.0 wt%以上，進而較佳為3.0 wt%以上。另一方面，為了降低玻璃之失透溫度而提高熔解性，並控制線膨脹係數，RO之含量較佳為15 wt%以下，更佳為12 wt%以下，進而較佳為7.5 wt%以下。
為了降低玻璃之黏性而提高熔解性，並控制線膨脹係數，亦可含有MgO。MgO之含量較佳為0.05 wt%以上，更佳為0.7 wt%以上，進而較佳為1.8 wt%以上。另一方面，為了降低玻璃之失透溫度而提高熔解性，並控制線膨脹係數，MgO之含量較佳為6 wt%以下，更佳為4.0 wt%以下，進而較佳為2.5 wt%以下。
為了降低玻璃之黏性而提高熔解性，並控制線膨脹係數，亦可含有CaO。CaO之含量較佳為10 wt%以下，更佳為5 wt%以下，進而較佳為3 wt%以下。
為了降低玻璃之失透溫度而提高熔解性，並控制線膨脹係數，亦可含有SrO。SrO之含量較佳為15 wt%以下，更佳為7.8 wt%以下，進而較佳為4.5 wt%以下。
為了降低玻璃之失透溫度而提高生產性，並控制線膨脹係數，亦可含有BaO。BaO之含量較佳為20 wt%以下，更佳為10 wt%以下，進而較佳為6 wt%以下。
玻璃構件101較佳為含有R2 O：0.01～5.8 wt%(R2 O為Li2 O、Na2 O、及K2 O中之至少一者，R2 O之含量表示Li2 O、Na2 O、及K2 O之合計量)。
R2 O係對促進玻璃原料之熔融、調整線膨脹係數、黏性等有用之成分。為了良好地發揮上述效果，R2 O之含量較佳為0.01 wt%以上，更佳為0.1%wt以上，進而較佳為0.5%wt以上。
藉由將R2 O之含量設為5.8 wt%以下，可減小玻璃之線膨脹係數，而減小溫度變化時產生之應力。R2 O之含量較佳為5.0 wt%以下，更佳為4.0 wt%以下，進而較佳為3.0 wt%以下，尤佳為2.5 wt%以下。
再者，就減小線膨脹係數之觀點而言，不含有Li2 O之情形時之R2 O、即Na2 O及K2 O之合計量較佳為2.9 wt%以下，更佳為2.5 wt%以下，進而更佳為2.0 wt%以下。
Li2 O係對促進玻璃原料之熔融、調整線膨脹係數、黏性等有用之成分。Li2 O之含量亦可為0 wt%。Li2 O之含量較佳為0.05 wt%以上，更佳為0.15 wt%以上，進而較佳為0.3 wt%以上。另一方面，為了減小玻璃之線膨脹係數，減小溫度變化時產生之應力，Li2 O之含量較佳為2.5 wt%以下，更佳為2 wt%以下，進而較佳為1.5 wt%以下。
Na2 O係對促進玻璃原料之熔融、調整線膨脹係數、黏性等有用之成分。Na2 O之含量亦可為0 wt%。Na2 O之含量較佳為0.1 wt%以上，更佳為0.25%wt以上，進而較佳為0.5 wt%以上。另一方面，為了減小玻璃之線膨脹係數，減小溫度變化時產生之應力，Na2 O較佳為5.6%以下，更佳為3%以下，進而較佳為2%以下，尤佳為1%以下。
K2 O係對促進玻璃原料之熔融、調整線膨脹係數、黏性等有用之成分。K2 O之含量亦可為0 wt%。K2 O之含量較佳為0.05 wt%以上，更佳為0.15 wt%以上，進而較佳為0.3 wt%以上，尤佳為0.55 wt%以上。另一方面，為了減小玻璃之線膨脹係數，減小曝露於高溫時產生之應力，K2 O較佳為3.0 wt%以下，更佳為2.5 wt%以下，進而較佳為1.5%wt以下。
為了提高玻璃之耐化學品性，亦可含有ZrO2 。ZrO2 之含量較佳為0.02 wt%以上，更佳為0.2 wt%以上，進而較佳為0.4 wt%以上。另一方面，為了降低玻璃之失透溫度而提高生產性，ZrO2 之含量較佳為2 wt%以下，更佳為1.0 wt%以下，進而較佳為0.6 wt%以下。
P2 O5 係對防止玻璃之結晶化或失透而使玻璃穩定化有效之成分，亦可含有。為了良好地發揮上述效果，P2 O5 之含量較佳為0.8 wt%以上，更佳為4.5 wt%以上，進而較佳為7.7 wt%以上。另一方面，藉由將P2 O5 之含量設為22 wt%以下，可使玻璃之高溫黏性不過高，使玻璃穩定化。P2 O5 之含量較佳為18 wt%以下，更佳為13.5 wt%以下。
為了不損及玻璃之色調而改善玻璃之澄清性，進行熔融爐之底部基體之溫度控制，亦可含有Fe2 O3 。Fe2 O3 較佳為0.00001～0.2 wt%，進而較佳為0.0001～0.05 wt%，尤佳為0.001～0.005 wt%。Fe2 O3 之含量較佳為0.00001 wt%以上，更佳為0.0001 wt%以上，進而較佳為0.001%以上。另一方面，為了維持玻璃之色調，Fe2 O3 之含量較佳為0.2 wt%以下，更佳為0.15 wt%以下，進而較佳為0.1 wt%以下，尤佳為0.01 wt%以下。
構成本發明之一態樣之玻璃構件101典型而言較佳為實質上由上述成分構成，進而，亦可於不損及本發明之一態樣之目的之範圍內含有ZnO至13 wt%。
又，構成本發明之一態樣之玻璃構件101典型而言較佳為實質上由上述成分構成，亦可於不損及本發明之一態樣之目的之範圍內含有合計至8 wt%之其他成分(TiO2 等)。
進而，構成本發明之一態樣之玻璃構件101亦可適當含有SO3 、氯化物、氟化物、鹵素、SnO2 、Sb2 O3 、As2 O3 等作為玻璃熔融時之澄清劑。進而，為了調整色調，亦可含有Ni、Co、Cr、Mn、V、Se、Au、Ag、Cd等著色成分。又，於欲積極地進行著色之情形時，亦可於0.1 wt%以上之範圍含有Fe、Ni、Co、Cr、Mn、V、Se、Au、Ag、Cd等著色成分。
再者，於含有上述其他成分中選自由SO3 、氯化物、氟化物、鹵素、SnO2 、Sb2 O3 、及As2 O3 所組成之群中之至少1種之情形時，就澄清性之觀點而言，該等群之合計含量較佳為0.0001 wt%以上，更佳為0.0005 wt%以上，進而較佳為0.001 wt%以上。另一方面，為了不影響玻璃特性，該等群之合計含量較佳為2.0 wt%以下，更佳為1.5 wt%以下，進而較佳為1.0 wt%以下。
(接合層103) 接合層103係將玻璃構件101與Si-SiC構件105接合之樹脂。構成接合層103之樹脂例如可列舉環氧樹脂、聚矽氧樹脂或氟樹脂。
接合層103例如可使用加熱壓製裝置製作。於玻璃構件101與Si-SiC構件105之間，夾入構成接合層103之樹脂膜(將該構成設為暫時積層體)。將暫時積層體加熱至樹脂膜之軟化點以上之溫度，對暫時積層體施加壓力進行壓製，將玻璃構件101與Si-SiC構件105接合。為了防止接合時夾帶氣泡，暫時積層體較佳為於真空氛圍下進行壓製。
為了提高投錨效應，玻璃構件101之與樹脂膜(接合層103)之接觸面及Si-SiC構件105之與樹脂膜(接合層103)之接觸面亦可藉由噴砂處理等適度地粗糙化。
接合層103之厚度較佳為0.001 mm～0.300 mm。接合層103之厚度亦可為0.005 mm以上，亦可為0.008 mm以上，亦可為0.010 mm以上。接合層103之厚度亦可為0.150 mm以下，亦可為0.050 mm以下，亦可為0.030 mm以下。
接合層103之厚度可使用藉由SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)截面觀察所拍攝之數位資料或圖像處理軟體算出。
波長850 nm下之接合層103之直線透過率較佳為88%以上，更佳為91%以上，進而較佳為93%以上，尤佳為95%以上。若接合層103之直線透過率為88%以上，則可成為對加熱利用而言足夠之紅外線之透過量。
直線透過率係將入射光之入射角設為0°，沿接合層103之厚度方向直線透過接合層103之光之透過率，可藉由分光光度計於20℃下進行測定。
接合層103之耐熱溫度較佳為200℃～500℃。接合層103之耐熱溫度更佳為230℃以上，進而較佳為260℃以上，尤佳為310℃以上，尤佳為360℃以上。接合層103之耐熱溫度亦可為470℃以下，亦可為450℃以下，亦可為430℃以下。
接合層103之耐熱溫度係於大氣氛圍下進行熱重量測定(TGA)，設為測定對象物之重量減少1 wt%之溫度。
(本發明之一態樣之另一例) 對與上述不同之本發明之態樣進行說明。本態樣之積層構件進而具有設置於上述Si-SiC構件105上之第2接合層、及經由第2接合層與上述Si-SiC構件105接合之第2 Si-SiC構件。第2 Si-SiC構件以與上述Si-SiC構件105相同之方式構成，故省略說明。
藉由設為將Si-SiC構件105與第2 Si-SiC構件積層之構造，容易製作複雜之形狀之積層構件。例如，於在積層構件中設置用以***溫度測定用感測器之空間之情形時，預先對Si-SiC構件105與第2 Si-SiC構件中之一者實施溝槽加工，將另一者貼合，藉此容易於積層構件中設置空間。
藉由第2接合層將Si-SiC構件105與第2 Si-SiC構件接合之方法無特別限定，例如可列舉：使用環氧樹脂或氟樹脂等樹脂之接合、使用錫或銦等熔融金屬之接合、使用玻璃料之接合。假定將積層構件用作加熱構件，就耐熱性及熱導率之觀點而言，較佳為使用金屬之接合。
就耐熱性及熱導率之觀點而言，玻璃料耐熱性高但熱導率低，樹脂耐熱性及熱導率皆低，因此較佳為使用金屬之接合。作為金屬，例如可列舉銦、錫、錫系合金、鉛系合金等。就熱導率、耐熱性及環境負荷之觀點而言，尤佳為錫金屬及錫系合金。
對使用熔融金屬進行接合之例進行說明。將Si-SiC構件105與第2 Si-SiC構件加熱至所需之溫度、例如250℃～270℃。一面對經加熱之Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件之接合面施加超音波，一面塗佈預先以所需之溫度(例如250℃～270℃)附近之溫度熔融之金屬，然後使接合面彼此重疊即可。
積層構件亦可進而具有設置於第2 Si-SiC構件上之第3接合層、及經由第3接合層與第2 Si-SiC構件接合之第3 Si-SiC構件。第3接合層以與第2接合層相同之方式構成。又，第3 Si-SiC構件以與Si-SiC構件105相同之方式構成。但就厚度之觀點而言，積層構件較佳為不進而具有第3接合層及第3陶瓷構件。
本發明之一態樣之積層構件亦可具有能夠急速冷卻積層構件之構成。例如，本發明之一態樣之積層構件亦可於Si-SiC構件105與接合層103之間、Si-SiC構件105與第2接合層之間、或第2 Si-SiC構件與第2接合層之間具備流路。或者，本發明之一態樣之積層構件亦可以Si-SiC構件105、或第2 Si-SiC構件成為流路之方式進行加工。或者，本發明之一態樣之積層構件亦可於玻璃構件101與接合層103之間具備流路。或者，本發明之一態樣之積層構件亦可以玻璃構件101成為流路之方式進行加工。積層構件可使水流過流路而冷卻。
本發明之一態樣之積層構件亦可具備提高透過率及照射效率之抗反射膜。例如，本發明之一態樣之積層構件亦可於玻璃構件101之與接合層103側為相反側之主表面及/或玻璃構件101之接合層103側之主表面具備抗反射膜。又，本發明之一態樣之積層構件亦可於Si-SiC構件105之接合層103側之主表面或第2陶瓷構件之第2接合層側之主表面具備抗反射膜。抗反射膜藉由設置於使紅外線透過之面，可提高照射效率(加熱效率)。
本發明之一態樣之積層構件亦可具備溫度感測器。例如，本發明之一態樣之積層構件亦可於Si-SiC構件105、或第2 Si-SiC構件之內側具備溫度感測器。作為一例，設為於Si-SiC構件105、或第2 Si-SiC構件之側面開孔並***溫度感測器而成之構成。於此情形時，溫度感測器配置於Si-SiC構件105之與接合層103側為相反側之主表面之正下方、或第2 Si-SiC構件之與第2接合層為相反側之主表面之正下方。溫度感測器以不與接合層103或第2接合層相接、且不露出溫度感測器之方式配置。藉由溫度感測器，可對Si-SiC構件105之與接合層103側為相反側之主表面溫度、或第2 Si-SiC構件之與第2接合層為相反側之主表面溫度進行測定。
本發明之一態樣之積層構件可適宜地用作加熱構件。本發明之一態樣之積層構件例如可適宜地用作加熱調理器之加熱構件。
又，本發明之一態樣之積層構件亦可用作廚具之工作檯板(work top)。
又，本發明之一態樣之積層構件亦可兼具作為加熱調理器之頂板與廚具之工作檯板之功能。 實施例
以下，藉由實施例對本發明之一態樣進行說明，但本發明之一態樣並不由該等限定。再者，關於表中之各測定結果，空白欄表示未測定。
(玻璃構件樣品之製作) 將所製作之玻璃示於表1。
[表1]
玻璃構件樣品 i-A i-B i-C i-D ii iii iV V Vi Vii Viii
組成(wt%) SiO2 78.13 78.13 78.13 78.13 80.84 78.13 78.13 58.57 72.45 100 62.91
Al2 O3 1.98 1.98 1.98 1.98 2.16 1.98 1.98 15.71 1.36    23.04
B2 O3 14.19 14.19 14.19 14.19 13.16 14.19 14.19 9.05         
MgO                      3.23 2.84    0.78
CaO                      3.98 9.55      
SrO                      7.67         
BaO                               2.89
RO合計                      14.88 12.39    3.67
Li2 O                               4.47
Na2 O 5.57 5.57 5.57 5.57 3.68 5.57 5.57 1.50 13.67    0.52
K2 O 0.07 0.07 0.07 0.07 0.16 0.07 0.07 0.28       0.57
R2 O合計 5.64 5.64 5.64 5.64 3.84 5.64 5.64 1.78 13.67    5.56
ZrO2 0.03 0.03 0.03 0.03    0.03 0.03          2.12
TiO2                               0.71
Fe2 O3 0.03 0.03 0.03 0.03    0.03 0.03    0.13      
P2 O5                               0.86
ZnO                               0.39
SnO2                               0.74
SUM 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
厚度(mm) 10 2 1.5 20 10 10 10 10 10 10 10
平均線膨脹係數β(ppm/℃) 2.9 2.9 2.9 2.9 3.3 2.9 2.9 4.2 8.1 0.05 0.04
直線透過率(%) 90.9 91.4 91.5 90.1 91.7 90.4 90.4 90.6 92.7 92.8 89.0
楊氏模數(GPa) 57 57 57 57 68 57 59 77 74 74 91
彎曲強度(MPa) 89 89 89 89 108 89 211 112 94 94 156
表1之(i-A)～(Vi)之玻璃係以成為表1所示之氧化物基準之質量百分率表示之各玻璃組成之方式如下所述般製作。適當選擇氧化物、氫氧化物、碳酸鹽或硝酸鹽等通常使用之玻璃原料，以玻璃成為10000 g之方式稱量。繼而，將經混合之原料放入白金坩堝，投入1500～1700℃之電阻加熱式電爐，熔融12小時左右，進行消泡、均質化。將所獲得之熔融玻璃流入模材，於玻璃轉移點＋50℃之溫度下保持1小時後，以0.5℃/分鐘之速度冷卻至室溫，獲得玻璃磚。
表1之(Vii)之玻璃使用AGC股份有限公司製造之合成石英玻璃(製品名：AQ)。
表1之(Viii)之玻璃係以成為表1所示之氧化物基準之質量百分率表示之各玻璃組成之方式，如下所述般製作玻璃。適當選擇氧化物、氫氧化物、碳酸鹽或硝酸鹽等通常使用之玻璃原料，以玻璃成為10000 g之方式稱量。繼而，將經混合之原料放入白金坩堝，投入1600℃之電阻加熱式電爐，熔融5小時左右，進行消泡、均質化。將所獲得之熔融玻璃流入模材，使用不鏽鋼滾筒成形，使用緩冷爐冷卻至室溫。將該玻璃成形體放入電爐，以780℃加熱2小時後，以1.5℃/分鐘之速度升溫至850℃，以850℃加熱3小時，以5.0℃/分鐘之速度冷卻至室溫，獲得玻璃磚。
對所獲得之玻璃磚進行切斷、研削、研磨加工，獲得玻璃構件樣品(縱300 mm、橫300 mm)。對所獲得之玻璃構件樣品進行以下之測定。將測定結果示於表1。
厚度藉由數位式測量器於20℃下進行測定。
平均線膨脹係數β使用Bruker AXS公司製造之示差熱膨脹儀(TMA)「TMA4000SA」，於20℃～200℃之溫度範圍內進行測定。
直線透過率藉由分光光度計於20℃、波長850 nm下進行測定。
楊氏模數藉由日本工業標準(JIS-R1602-1995)中記載之超音波脈衝法於20℃下進行測定。
彎曲強度藉由ASTM標準(ASTM C1499-01)中記載之玻璃之環狀彎曲試驗於20℃下進行測定。
(Si-SiC構件樣品之製作) 將所製作之Si-SiC示於表2。
[表2]
Si-SiC構件樣品 a-1 a-2 a-3 a-4 b c d e f g
組成(wt%) Si 33 33 33 33 29 37 41 28 57 11
SiC 67 67 67 67 71 63 59 72 43 89
SUM 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
厚度(mm) 5 10 15 8 5 5 5 5 5 5
第2接合層(錫金屬)(mm) - - - 0.4 - - - - - -
平均線膨脹係數α(ppm/℃) 2.6 2.6 2.6 2.6 2.3 2.7 2.7 2.2 2.8 2.7
熱導率(W/m・K) 225 225 225 225 242 231 235 220 256 169
比熱(J/g・K) 0.716 0.716 0.716 0.716 0.738 0.732 0.744 0.719 0.720 0.749
楊氏模數(GPa) 365 365 365 365 383 348 321 391 221 404
彎曲強度(MPa) 207 207 207 207 256 165 131 253 82 231
維氏硬度(HV)(GPa) 20.5 20.5 20.5 20.5 22.5 19.4 16.7 23.5 9.1 23.9
以如下方式製作Si-SiC構件樣品(a-1)～(a-3)。於混練機(宮崎鐵工股份有限公司製造，型號：MP100)中投入SiC粉末(Pacific Rundom股份有限公司製造，型號：GMF-12S(平均粒徑0.7 μm))71.0 wt%、碳黑(平均粒徑0.03 μm)2.0 wt%、作為黏合劑之Metolose(信越化學股份有限公司製造，型號SM8000)5.5 wt%、及純水21.5 wt%，混練6小時，獲得坯土。將所獲得之坯土投入擠出成形機(宮崎鐵工股份有限公司製造，型號：FM100)，於柱頭壓1.0 MPa、噴出量1200 g/min之條件下擠出成形而獲得成形體。將所獲得之成形體於50℃下乾燥4天後，於450℃之大氣氛圍下加熱3小時，進行脫脂，獲得脫脂體。藉由碳焙燒爐於10-3 Pa之真空氛圍下1700℃之條件下對所獲得之脫脂體進行燒成2小時，獲得燒結體。燒成後，於氬氣氛圍下1670℃之條件下含侵Si，獲得Si-SiC構件。將所獲得之Si-SiC構件加工成縱30 cm、橫30 cm、表2所示之厚度。
Si-SiC構件樣品(a-4)使用錫金屬將Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件焊接接合而製作。Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件分別以與樣品(a-1)相同之方式製作，加工成厚度3.8 mm而獲得。焊接接合係以如下方式進行。將Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件加熱至250℃，一面對Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件之接合面施加超音波，一面塗佈預先於250℃下熔融之錫金屬，塗佈後使接合面彼此重疊。
Si-SiC構件樣品(b)除改變原料粉末之量以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(b)之原料粉末之量設為SiC粉末69.0 wt%、碳黑6.0 wt%、Metolose 5.1 wt%、純水19.9 wt%。
Si-SiC構件樣品(c)除改變原料粉末之量以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(c)之原料粉末之量設為SiC粉末69.0 wt%、碳黑1.0 wt%、Metolose 6.1 wt%、純水23.9 wt%。
Si-SiC構件樣品(d)除改變原料粉末之量以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(d)之原料粉末之量設為SiC粉末64.0 wt%、碳黑0.5 wt%、Metolose 7.2 wt%、純水28.3 wt%。
Si-SiC構件樣品(e)除改變原料粉末之量以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(e)之原料粉末之量設為SiC粉末70.0 wt%、碳黑6.0 wt%、Metolose 4.9 wt%、純水19.1 wt%。
Si-SiC構件樣品(f)除改變原料粉末之量及原料之矽粉末之種類以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(f)之原料粉末之量設為SiC粉末48.0 wt%、矽粉末(山石金屬股份有限公司製造，型號：No.700(平均粒徑2.5 μm))25.0 wt%、Metolose 5.5 wt%、純水21.5 wt%。
Si-SiC構件樣品(g)除改變原料粉末之種類及量以外，以與樣品(a-1)相同之方式製作。樣品(g)之原料粉末之量設為SiC粉末(Pacific Rundom股份有限公司製造，型號：GMF-12S(平均粒徑0.7 μm))63.0 wt%、SiC粉末(Pacific Rundom股份有限公司製造，型號：GMF-5C(平均粒徑2.4 μm))21.0 wt%、Metolose 3.3 wt%、純水12.7 wt%。
對所獲得之Si-SiC構件樣品(a-1)～(g)進行以下之測定。將測定結果示於表2。
Si-SiC構件樣品之各成分量(組成)藉由感應耦合電漿質譜儀ICP-MS(島津製作所公司製造)進行測定。
厚度使用A&D股份有限公司製造之游標卡尺(AD-5764A)於20℃下進行測定。
將Si-SiC構件與第2 Si-SiC構件接合之第2接合層(錫金屬)之厚度設為Si-SiC構件樣品(a-4)整體之厚度與準備之Si-SiC構件之厚度和第2 Si-SiC構件之厚度之總和之差。
平均線膨脹係數α使用Bruker AXS公司製造之示差熱膨脹儀(TMA)「TMA4000SA」於20℃～200℃之溫度範圍內進行測定。
熱導率使用京都電子工業公司製造之雷射閃光法熱物性測定裝置「MODEL LFA-502」於20℃之溫度下進行測定。
比熱使用京都電子工業公司製造之雷射閃光法熱物性測定裝置「MODEL LFA-502」於20℃之溫度下進行測定。
楊氏模數使用TSE股份有限公司製造之自動萬能試驗機「AC-300KN」，藉由日本工業標準(JIS-R1602-1995)中記載之彈性模數試驗方法於20℃下進行測定。
彎曲強度使用TSE股份有限公司製造之自動萬能試驗機「AC-300KN」，藉由日本工業標準(JIS-R1601-2008)中記載之彎曲強度試驗方法於20℃下進行測定。
維氏硬度使用維氏硬度計系統(NIPPON STEEL & SUMIKIN TECHNOLOGY公司製造)，以10 kgf之壓入負載壓入15秒，藉此於20℃下進行測定。
(接合層) 對表3所示之樹脂之樹脂膜進行以下之測定。將測定結果示於表3。
[表3]
接合層(樹脂) 氟(F) 環氧(EP) 聚醯亞胺(PI)
厚度(mm) 0.03 0.03 0.03
直線透過率(%) 95.4 90.4 87.8
耐熱溫度(℃) 411 246 215
厚度藉由數位式測量器進行測定。
直線透過率藉由分光光度計於20℃、850 nm下進行測定。
耐熱溫度係於大氣氛圍下進行熱重量測定(TGA)，設為樹脂膜之重量減少1 wt%之溫度。
再者，表3所示之樹脂膜成為積層構件之接合層。
(積層構件之製作) 將所製作之積層構件示於表4及表5。
[表4]
例 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
玻璃構件樣品 i-A i-A i-A i-A i-A i-A i-A i-A i-A i-B ii iii
接合層 F EP PI F F F F F F F F F
Si-SiC構件樣品 a-1 a-1 a-1 b c d e f g a-2 a-1 a-1
溫度上升評估 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
耐衝擊性評估 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 △ 〇 〇 〇 〇
耐熱性評估 〇 〇 × 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
翹曲量(mm) 0.055 0.064 0.051 0.076 0.048 0.044 0.092 0.019 0.035 0.059 0.077 0.053
密度(g/cm3 ) 2.62 2.61 2.61 2.63 2.61 2.59 2.63 2.55 2.70 2.79 2.62 2.62
面積(m2 ) 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09
接合層之厚度(mm) 0.02 0.04 0.04 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.03 0.02 0.02
平均線膨脹係數α(ppm/℃) 2.6 2.6 2.6 2.3 2.7 2.7 2.2 2.8 2.7 2.6 2.6 2.6
平均線膨脹係數β(ppm/℃) 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 3.3 2.9
|α－β|(ppm/℃) 0.33 0.33 0.33 0.56 0.24 0.16 0.72 0.12 0.23 0.33 0.73 0.33
[表5]
例 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
玻璃構件樣品 iV V Vi Vii - - i-A Viii i-C i-D i-A
接合層 F F F F - - - - F F F
Si-SiC構件樣品 a-1 a-1 a-1 a-1 a-3 a-1 - - a-1 a-1 a-4
溫度上升評估 〇 〇 〇 〇 × 〇 × × 〇 〇 〇
耐衝擊性評估 〇 〇 〇 〇 - × - - △ 〇 〇
耐熱性評估 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
翹曲量(mm) 0.052 0.192 0.542 0.235 0.010 0.011 0.008 0.013 0.045 0.044 0.121
密度(g/cm3 ) 2.62 2.62 2.62 2.72 2.85 2.85 2.48 2.51 2.77 2.78 2.75
面積(m2 ) 0.09 0.09 0.09 0.09 009 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09
接合層之厚度(mm) 0.02 0.04 0.04 0.01 - - - - 0.02 0.02 0.02
平均線膨脹係數α(ppm/℃) 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 - - 2.6 2.6 2.6
平均線膨脹係數β(ppm/℃) 2.9 4.2 8.1 0.05 - - 2.9 0.04 2.9 2.9 2.9
|α－β|(ppm/℃) 0.33 1.63 5.53 2.52 - - - - 0.33 0.33 0.33
藉由表4及表5所示之組合製造例1～16、21～23之樣品(積層構件)。又，準備例17～20之樣品。例1～16、21～23為實施例，例17～20為比較例。
首先，使用SiC研磨紙，將玻璃構件樣品之與樹脂膜接觸之側之表面加工成Ra＝0.2 mm之表面粗糙度。同樣地，使用SiC研磨紙，將Si-SiC構件之與樹脂膜接觸之側之表面加工成Ra＝0.2 mm之表面粗糙度。繼而，將表3所示之樹脂膜夾於玻璃構件樣品與Si-SiC構件樣品之間，加熱至樹脂膜之軟化點＋20度之溫度，施加2 MPa之壓力，壓製5分鐘，藉此將玻璃構件樣品與Si-SiC構件樣品接合。
＜評估＞ 對各樣品進行以下之評估。
(溫度上升評估) 使用9個2 KW之紅外線燈對例1～23之樣品照射紅外線(850 nm)2分鐘，進行溫度上升之評估。關於評估，於樣品之最表面之溫度超過200℃之情形時記為〇，於樣品之最表面之溫度不超過200℃之情形時記為×。作為積層構件之例1～16、21～23之樣品係自玻璃構件側照射紅外線，以Si-SiC構件側之最表面溫度進行評估。例17～例20之樣品係以與紅外線照射側為相反側之最表面溫度進行評估。
如表5所示，例17、19、20為×。例17之樣品雖觀察到溫度上升，但未到達200℃。例19、20之樣品之溫度未上升。
(耐衝擊性評估) 使533 g之鋼珠掉落至例1～16、18、21～23之樣品，進行耐衝擊性之評估。耐衝擊性評估係對各例以樣品數3個(n＝3)進行。於樣品之外周部設置厚度3 mm、寬度15 mm、硬度A50之橡膠板製支持框架，自上下夾住並固定。鋼珠以進入距離樣品之中心25 mm以內之範圍之方式掉落。關於評估，以落球高度20 cm，於樣品數3個中之2個以上破裂之情形時記為×，於樣品數3個中之1個破裂之情形時記為△，於3個樣品未破裂之情形時記為〇。作為積層構件之例1～16、21～23之樣品自Si-SiC構件側使鋼珠掉落。再者，例17、19、20之溫度上升評估為×，故未對耐衝擊性進行評估。如表4、表5所示，例1～7、9～16、22、23為○，例8、21為△，例18為×。
(耐熱性評估) 以230℃之溫度對各樣品進行加熱24小時，進行外觀變化之目視評估。關於評估，於無外觀上之變化(變色、氣泡、異物之產生、接合層之滲出等)之情形時記為〇，於有外觀上之變化之情形時記為×。如表4所示，例3為×。
(翹曲量) 例1～23之樣品之翹曲量係藉由使用三鷹光機股份有限公司製造之非接觸三維形狀測定裝置「NH-5Ns」，依據ISO25178-605測定樣品表面之三維性狀，求出樣品表面之最大傾斜式平面度而測定。具體而言，將樣品放置於精密壓盤上，使用雷射自動調焦顯微鏡測定樣品上表面之各點之高度，求出以平行之2個平面夾住樣品上表面時產生之間隙之值、即最大傾斜式平面度作為翹曲量。
(密度) 將例1～23之樣品之重量除以藉由DIGI-TEK股份有限公司製造之數位式測量器測得之體積而求出。
(面積) 根據藉由DIGI-TEK股份有限公司製造之數位式測量器測得之尺寸，求出例1～23之樣品之最上表面之面積(於積層構件之情形時為Si-SiC構件露出之主表面，於單個構件之情形時為其中一個主表面)。
(接合層之厚度) 藉由SEM截面觀察算出例1～16、21～23之樣品之接合層(樹脂)之厚度。
根據表4及表5之結果可知，本發明之一態樣之積層構件之溫度上升速度快，耐衝擊性高，適合作為加熱構件。
本申請案主張基於2019年7月25日於日本特許廳提出申請之特願2019-137123號之優先權，並將特願2019-137123號之全部內容援引至本申請案中。
100:積層構件 101:玻璃構件 103:接合層 105:Si-SiC構件
圖1表示本發明之一態樣之積層構件。
100:積層構件
101:玻璃構件
103:接合層
105:Si-SiC構件

Claims (12)

  1. 一種積層構件，其具有： 玻璃構件，其於波長850 nm下之直線透過率為80%以上； 接合層，其係上述玻璃構件上之樹脂；及 上述接合層上之Si-SiC構件。
  2. 如請求項1之積層構件，其中上述玻璃構件之波長850 nm下之直線透過率為90%以上。
  3. 如請求項1或2之積層構件，其中上述Si-SiC構件之熱導率為190 W/m・K～300 W/m・K。
  4. 如請求項1至3中任一項之積層構件，其中上述玻璃構件之厚度為2 mm～40 mm， 上述Si-SiC構件之厚度為0.5 mm～10 mm。
  5. 如請求項1至4中任一項之積層構件，其中上述Si-SiC構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數α減去上述玻璃構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數β所得之值之絕對值|α－β|為2.0 ppm/℃以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之積層構件，其中上述Si-SiC構件之20℃～200℃下之平均線膨脹係數α為2.10 ppm/℃～4.00 ppm/℃。
  7. 如請求項1至6中任一項之積層構件，其中上述Si-SiC構件之楊氏模數為300 GPa～420 GPa。
  8. 如請求項1至7中任一項之積層構件，其中上述樹脂係耐熱溫度為230℃～500℃之樹脂。
  9. 如請求項1至8中任一項之積層構件，其中上述Si-SiC構件之金屬Si含有比率為8 wt%～60 wt%。
  10. 如請求項1至8中任一項之積層構件，其密度為2.45 g/cm3 ～2.65 g/cm3 。
  11. 如請求項1至10中任一項之積層構件，其翹曲量為0.25 mm以下。
  12. 如請求項1至11中任一項之積層構件，其進而具有：第2接合層，其設置於上述Si-SiC構件上；及 第2 Si-SiC構件，其經由上述第2接合層與上述Si-SiC構件接合。
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