TW202045963A - 光學濾波器、攝像裝置與照相機模塊 - Google Patents

光學濾波器、攝像裝置與照相機模塊 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種光學濾波器、攝像裝置與照相機模塊，光學濾波器滿足下述條件（a）～條件（d）：（a）波長700 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的光學密度（OD值）的最小值為2.0以上；（b）波長430 nm～580 nm的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的透過率的平均值為40%以上；（c）波長420 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率的平均值為20%以下；（d）包含含有至少三種在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的層。

Description

光學濾波器、攝像裝置與照相機模塊
本發明是有關於一種光學濾波器及其用途。詳細而言，有關於一種含有在特定的波長區域中具有吸收的化合物且具有特定的光學特性的光學濾波器（例如近紅外線截止濾波器）、以及使用所述光學濾波器的攝像裝置及照相機模塊。
在攝影機（video camera）、數位靜態照相機（digital still camera）、帶照相機功能的行動電話等固體攝像裝置中使用作為彩色圖像的固體攝像元件的電荷耦合裝置（Charge Coupled Device，CCD）或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）影像感測器（image sensor）。這些固體攝像元件在其受光部中使用對於人眼所無法感知的近紅外線具有靈敏度的矽光電二極體。在這些固體攝像元件中，需要進行以人眼來看呈現自然的色澤的視感度校正，且多使用選擇性地透過或截止特定的波長區域的光線的光學濾波器（例如近紅外線截止濾波器）。
此種近紅外線截止濾波器以前使用利用各種方法來製造的濾波器。例如，已知有使用在磷酸玻璃中分散有氧化銅的吸收玻璃作為基材的吸收玻璃型光學濾波器（例如參照專利文獻1）。
近年來，要求固體攝像裝置的薄型化，對於所使用的光學濾波器也要求薄型化。所述吸收玻璃型光學濾波器的吸收原理多使用來自銅離子的d軌道的吸收，但由於吸收強度弱，因此若進行薄型化則有時無法獲得充分的近紅外線截止性能。
此種薄型的吸收玻璃型光學濾波器中，為了彌補近紅外線截止性能，大多在基材表面設置具有近紅外線反射能力的介電體多層膜（例如參照專利文獻2）。通過在基材表面設置具有近紅外線反射能力的介電體多層膜，可兼顧薄型化與近紅外線遮蔽性。
作為含有此種具有近紅外線反射能力的介電體多層膜的光學濾波器，不僅是吸收玻璃型，而且已知有例如使用透明樹脂作為基材且使所述透明樹脂中含有在650 nm～800 nm的區域中具有最大吸收的色素並且在基材兩面使用具有近紅外線反射能力的介電體多層膜的樹脂型光學濾波器（專利文獻3）、在玻璃基板塗布磷酸銅鹽或氧化銫鎢粒子的濾波器（專利文獻4）、塗布含有在700 nm～750 nm附近具有吸收的色素的樹脂層的玻璃基板塗布型光學濾波器（專利文獻5）等各種濾波器。
然而，如所述吸收玻璃型、樹脂型、玻璃基板塗布型光學濾波器那樣在基材表面具有近紅外線反射能力的光學濾波器有時會產生由所述光學濾波器的表面反射的光再次入射到感測器的現象、即、重影，從而引起所得的固體攝像裝置的圖像不良。
另外，這些光學濾波器中，介電體多層膜的各層的厚度薄，為了表現出近紅外線反射能力，需要增加層疊數。因此，製造介電體多層膜需要很長時間，因此有製造產量差、製造成本也上升的傾向。
此外，以前已知通過在光學濾波器中設置抗反射層來抑制重影（專利文獻6）。然而，以前的光學濾波器的抗反射層是420 nm～780 nm（可見光區域）的波長的抗反射層，因此無法防止781 nm～900 nm的波長的光引起的反射而產生重影。另外，在不對薄的基材賦予近紅外線反射能力的情況下，700 nm以上且900 nm以下的波長下的光學密度（Optical Density，OD）不充分，無法兼顧薄型化與近紅外線遮蔽性能。即，未獲得薄且近紅外線遮蔽性優異並且在從可見光區域到近紅外線區域的波長的範圍內反射率低的光學濾波器。 [現有技術文獻]
[專利文獻] [專利文獻1] 國際公開第2011/071157號手冊 [專利文獻2]國際公開第2011/158635號手冊 [專利文獻3]日本專利特開平6-200113號公報 [專利文獻4]日本專利特開2014-052482號公報 [專利文獻5]日本專利特開2014-063144號公報 [專利文獻6]國際公開第2016/174954號手冊
[發明所要解決的問題] 本發明的目的在於提供一種即便厚度薄近紅外線遮蔽性也優異的光學濾波器、以及使用所述光學濾波器的攝像裝置及照相機模塊。 [解決問題的技術手段]
以下示出本發明的實施方式的例子。 [1] 一種光學濾波器，其特徵在於：滿足下述條件（a）～條件（d）：（a）波長700 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的光學密度（OD值）的最小值（ODa-0 ）為2.0以上；（b）波長430 nm～580 nm的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的透過率的平均值（Ta-0 ）為40%以上；（c）波長420 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率的平均值（Rfa-5 ）為20%以下；（d）包含含有至少三種在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的層。 [2] 根據項[1]所述的光學濾波器，其特徵在於：進而滿足下述條件（e）：（e）具有包含所述條件（d）中記載的層的基材、以及在所述基材的至少單面上的介電體多層膜，在構成所述介電體多層膜的層中厚度為0.5 μm以下的層的層數（N）、與厚度為0.5 μm以下的各層的厚度的和（TN）（μm）的積（N×TN）為150以下。 [3] 根據項[1]或項[2]所述的光學濾波器，其特徵在於：厚度為160 μm以下。 [4] 根據項[1]至項[3]中任一項所述的光學濾波器，其特徵在於：作為所述化合物（A）的至少一種溶解於二氯甲烷而測定的吸收特性，滿足下述條件（f）及條件（g）：（f）波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸收波長λmax為波長850 nm以上且935 nm以下；（g）將波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸光係數ελmax 標準化為1時， （g-1）波長（λmax-10）nm下的吸光係數ελmax-10 為0.80以上， （g-2）波長（λmax+10）nm下的吸光係數ελmax+10 為0.80以上， （g-3）波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的吸光係數的平均值ε430-580ave 為0.03以下。 [5] 根據項[1]至項[4]中任一項所述的光學濾波器，其特徵在於：所述化合物（A）包含選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、二亞銨系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物及吡咯並吡咯系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。 [6] 根據項[1]至項[5]中任一項所述的光學濾波器，其特徵在於：含有所述化合物（A）的層為包含選自由環狀聚烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、芳族聚醯胺系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、脂環環氧熱硬化型樹脂、聚醚醚酮系樹脂、聚芳酯系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂、及通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂所組成的群組中的至少一種樹脂的樹脂層。 [7] 根據項[2]所述的光學濾波器，其特徵在於：所述基材包含含有銅成分的氟磷酸鹽系玻璃層或包含磷酸鹽系玻璃層的基板。 [8] 一種攝像裝置，其特徵在於：包含根據項[1]至項[7]中任一項所述的光學濾波器。 [9] 一種照相機模塊，其特徵在於：包含根據項[1]至項[7]中任一項所述的光學濾波器。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種即便厚度薄近紅外線遮蔽性也優異且製造產量良好的光學濾波器、以及使用所述光學濾波器的攝像裝置及照相機模塊。
以下，詳細說明本發明的實施形態。 [光學濾波器] 本發明的光學濾波器的特徵在於：滿足下述條件（a）～條件（d）。本發明的光學濾波器也可僅包含後述的基材。即，本發明的光學濾波器可具有介電體多層膜，且也可不具有。 （a）波長700 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的光學密度（OD值）的最小值（ODa-0 ）為2.0以上。 （b）波長430 nm～580 nm的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的透過率的平均值（Ta-0 ）為40%以上。 （c）波長420 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率的平均值（Rfa-5 ）為20%以下。 （d）包含含有至少三種在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的層。
本發明的光學濾波器也可進而滿足下述條件（e）。 （e）具有包含所述條件（d）中記載的層的基材（以下也稱為「基材（i）」）、以及在所述基材（i）的至少單面上的介電體多層膜，在構成所述介電體多層膜的層中厚度為0.5 μm以下的層的層數（N）、與厚度為0.5 μm以下的各層的厚度的和（TN）（μm）的積（N×TN）為150以下。 關於所述條件（a）～條件（e）的詳情將後述。
再者，本發明的光學濾波器也可滿足下述條件（X）。 條件（X）：波長300 nm以上且1200 nm以下的區域中，光學濾波器的其中一面的自相對於垂直方向傾斜5度的方向入射的光的反射率的最大值Rfalla-5 、及另一面的自相對於垂直方向傾斜5度的方向入射的光的反射率的最大值Rfallb-5 均為50%以下，更優選為45%以下。
通過滿足條件（X），在光學濾波器的任一面均可減少矽光電二極體具有靈敏度的300 nm以上且1200 nm以下的波長的光的反射率，在將本發明的光學濾波器用作固體攝像裝置用途或照相機模塊的情況下，光學濾波器與透鏡之間的多重反射、光學濾波器與感測器之間的多重反射變小，因此可獲得重影少的良好的圖像。
作為滿足條件（X）的方法、即反射率的調整方法，例如可列舉設置大小未滿光的波長的多個錐狀結構而形成折射率自入射介質向基板連續地變化的層的方法、利用包含多層的介電體多層膜形成抗反射層的方法。
作為滿足條件（X）的方法、即反射率低的光學濾波器的設計方法，例如可列舉使用如下基材的方法，所述基材是波長580 nm～800 nm的區域中自所述基材的垂直方向測定時的透過率為50%的最短波長的值（Xa）、與波長700 nm～1200 nm以上的區域中自基材的垂直方向測定時的透過率為50%的最長波長的值（Xb）的差的絕對值|Xa-Xb|為300 nm以上。
＜條件（a）＞ 條件（a）：波長700 nm以上且900 nm以下的區域中的最小值ODa-0 為2.0以上，優選為2.1以上且8.0以下。 此處，OD值是透過率的常用對數值，可利用下述式計算出。 某波長區域中的光學密度（OD值）的最小值=-Log10 （某波長區域中的不同波長的透過率的最大值（%）/100）
若指定的波長範圍的不同波長的OD值的最小值高，則光學濾波器表示所述波長區域的光的截止特性高。
本發明的光學濾波器優選為進而滿足下述條件（aX）。 條件（aX）：波長700 nm以上且900 nm以下的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的光學密度的最小值ODa-0 、相對於自相對於垂直方向傾斜30度的方向入射的光的光學密度的最小值ODa-30 以及相對於自相對於垂直方向傾斜60度的方向入射的光的光學密度的最小值ODa-60 均為2.0以上，優選為2.0以上且8.0以下，更優選為2.1以上且8.0以下。
作為滿足條件（a）、優選為條件（aX）的方法、即各光學密度的最小值的調整方法，例如可列舉調整基材所含有的化合物的濃度、使波長700 nm以上且900 nm以下的區域中的光學密度的最小值為2.0以上的方法。 通過滿足條件（a）、優選為條件（aX），光學濾波器不僅可將垂直方向上透過的近紅外線充分地截止，也可將以高入射角透過的近紅外線充分地截止。
＜條件（b）＞ 條件（b）：波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的透過率的平均值Ta-0 為40%以上，優選為45%以上，更優選為50%以上，特別優選為55%以上。
本發明的光學濾波器優選為進而滿足下述條件（bX）。 條件（bX）：波長430 nm以上且580 nm以下的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的透過率的平均值Ta-0 、自相對於垂直方向傾斜30度的方向入射的無偏振光線的光的透過率的平均值Ta-30 以及自相對於垂直方向傾斜60度的方向入射的無偏振光線的光的透過率的平均值Ta-60 均為40%以上，優選為43%～99%，更優選為46%～98%，特別優選為48%～97%。
作為滿足條件（b）、優選為條件（bX）的方法、即各透過率的平均值的調整方法，例如可列舉調整添加到基材中的化合物的濃度且使波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的平均吸光度為優選為0.35以下、更優選為0.26以下的方法。
通過滿足條件（b）、優選為條件（bX），在將本發明的光學濾波器用作固體攝像裝置用途的情況下，可獲得良好的圖像。
作為同時滿足條件（a）及條件（b）、優選為條件（aX）及條件（bX）的方法，例如可列舉使所述基材（i）中含有在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的方法。優選為所述基材（i）滿足所述條件（d）。再者，所述化合物（A）優選為在波長430 nm以上且580 nm以下的區域中吸收少。
＜條件（c）＞ 條件（c）：波長420 nm～900 nm的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率的平均值（Rfa-5 ）為20%以下，優選為15%以下，更優選為6%以下，進一步優選為0.1%～4%，特別優選為0.1%～3%。
通過滿足條件（c），在光學濾波器的任一面均可減少矽光電二極體具有較強的靈敏度的420 nm以上且900 nm以下的波長的光的反射率，在將本發明的光學濾波器用作固體攝像裝置用途或照相機模塊的情況下，可獲得良好的圖像。
作為滿足條件（c）的方法、即各反射率的平均值的調整方法，例如可列舉設置大小未滿光的波長的多個錐狀結構而形成折射率自入射介質向基板連續地變化的層的方法、利用包含多層的介電體多層膜形成抗反射層的方法。
作為滿足條件（c）的方法、即反射率低的光學濾波器的設計方法，例如可列舉使用如下基材的方法，所述基材是波長580 nm～800 nm的區域中自所述基材的垂直方向測定時的透過率為50%的最短波長的值（Xa）、與波長700 nm～1200 nm以上的區域中自基材的垂直方向測定時的透過率為50%的最長波長的值（Xb）的差的絕對值|Xa-Xb|為300 nm以上。
＜條件d＞ 條件（d）：包含含有至少三種在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的層。
通過使所述層中所含的化合物（A）為三種以上，可提高溶解性。在所述層中所含的化合物（A）為兩種以下的情況下，為了使ODa-0 為2.0以上，需要增加化合物（A）的含量，有時化合物（A）從所述層中析出。
另外，通過使所述層中所含的化合物（A）為三種以上，可廣範圍地吸收近紅外線區域。通過廣範圍地吸收近紅外線區域，可獲得在廣範圍的近紅外區域中減少了反射率的濾波器。通過使用在此種廣範圍的近紅外線區域中減少了反射率的濾波器，可獲得減少了重影的良好的圖像。
＜條件（e）＞ 條件（e）：在所述基材（i）的至少單面上具有介電體多層膜，在構成所述介電體多層膜的層中厚度為0.5 μm以下的層的層數（N）、與厚度為0.5 μm以下的各層的厚度的和（TN）（μm）的積（N×TN）為150以下。所述積（N×TN）優選為100以下，更優選為50以下。
詳情將後述，若所述積（N×TN）為所述範圍內，則可縮短介電體多層膜的製造所需要的時間，可削減製造成本，因此優選。
本發明的光學濾波器中，就利用攝像裝置或照相機模塊所獲得的圖像的顏色再現性的觀點而言，自光學濾波器的垂直方向入射時的R透過率、G透過率及B透過率均優選為30%以上，更優選為34%以上，進一步優選為38%以上。R透過率為波長580 nm～650 nm下的平均透過率，G透過率為波長500 nm～580 nm下的平均透過率，B透過率為波長420 nm～500 nm下的平均透過率。若將此種光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊，則容易進行圖像的亮度或顏色的校正，因此以人眼來看呈現自然的色澤的視感度校正變得容易。
本發明的光學濾波器可為僅包含所述基材（i）的實施方式，另外，也可在基材（i）的兩面具有抗反射層。通過在基材（i）的兩面具有抗反射層，可減少由組裝在攝像裝置或照相機模塊中的蓋玻片、透鏡、微透鏡、感測器、框體等各種構成零件反射的雜散光在光學濾波器中反射而入射到感測器的現象，可減少重影的產生。
本發明的光學濾波器的厚度並無特別限制，優選為160 μm以下，更優選為10 μm～130 μm，進而優選為10 μm～120 μm。若光學濾波器的厚度處於所述範圍內，則可將光學濾波器加以薄型化、小型化及輕量化。若厚度為10 μm以上，則容易控制翹曲，因此優選。
＜基材（i）＞ 所述基材（i）只要滿足所述條件（d），則並無特別限定，可為單層也可為多層。另外，所述基材（i）可含有在波長950 nm以上且1800 nm以下的區域中具有最大吸收的化合物（B），化合物（B）可與化合物（A）包含於同一層中，也可包含於不同的層中。以下，將含有至少一種化合物（A）與樹脂的層也稱為「透明樹脂層」，將其以外的樹脂層也簡稱為「樹脂層」。 作為包含化合物（A）的層與包含化合物（B）的層相同時的基材（i），例如可列舉：包含含有化合物（A）及化合物（B）的樹脂製基板的基材、在包含化合物（A）及化合物（B）的樹脂製基板上層疊包含硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層而成的基材、在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體等支撐體上層疊包含含有化合物（A）及化合物（B）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層而成的基材。 作為包含化合物（A）的層與包含化合物（B）的層不同時的基材（i），例如可列舉：在包含化合物（B）的樹脂製基板上層疊包含含有化合物（A）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層而成的基材、在包含化合物（A）的樹脂製基板上層疊包含含有化合物（B）的硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層而成的基材、在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體等支撐體上層疊包含含有化合物（A）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層與包含含有化合物（B）的硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層而成的基材、在包含化合物（B）的玻璃基板上層疊包含含有化合物（A）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層而成的基材等。
＜化合物（A）＞ 所述化合物（A）只要在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收，則並無特別限定，優選為含有選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物及花青系化合物所組成的群組中的至少一種化合物，更優選為含有選自方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物及花青系化合物中的至少一種化合物，特別優選為含有選自方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物及花青系化合物中的至少三種化合物。在波長649 nm以下具有最大吸收的化合物有由於起因於最大吸收波長的峰值的吸收在420 nm～580 nm下的質量吸光係數高的傾向。
化合物（A）的最大吸收波長優選為670 nm以上且未滿950 nm，更優選為690 nm以上且未滿950 nm，進而優選為700 nm以上且未滿950 nm。
所述基材（i）優選為含有一種以上在波長650 nm以上且未滿800 nm的區域中、更優選為在700 nm以上且未滿800 nm的區域中具有最大吸收的化合物作為化合物（A）。在將藉此獲得的光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊的情況下，紅色的視感度校正變得良好。
另外，所述基材（i）優選為含有一種以上在波長800 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物作為化合物（A）。在將藉此獲得的光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊的情況下，可有效地遮蔽矽光電二極體的靈敏度高、人眼的靈敏度低的800 nm以上且900 nm以下的區域的光，強烈地發出近紅外線的火焰、鹵素燈、黑體放射光源的視感度校正變得良好。
進而，所述基材（i）優選為分別含有一種以上在波長650 nm以上且未滿800 nm的區域中具有最大吸收的化合物、以及在波長800 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物作為化合物（A），更優選為分別含有兩種以上。在將藉此獲得的光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊的情況下，可兼顧紅色的視感度校正與700 nm以上且900 nm以下的區域的光的遮蔽性能，所得的圖像變得良好。
另外，所述基材（i）更優選為含有兩種以上在波長650 nm以上且未滿800 nm的區域中具有最大吸收的化合物、以及一種以上在波長800 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物作為化合物（A）。藉此，可獲得從紅色區域到近紅外區域為止廣範圍地吸收的光學濾波器。在將此種光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊的情況下，可獲得兼顧紅色的視感度校正與重影減少的更良好的圖像。
作為在波長650 nm以上且未滿800 nm的區域中具有最大吸收的化合物，優選為方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、二亞銨系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物及吡咯並吡咯系化合物，更優選為方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、花青系化合物。通過含有這些化合物，可獲得兼顧高可見光透過率與良好的耐久性的光學濾波器。
作為在波長800 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物，優選為方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、二亞銨系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物及吡咯並吡咯系化合物，更優選為方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、花青系化合物。通過含有這些化合物，可獲得兼顧高可見光透過率與良好的耐久性的光學濾波器。
進而，所述基材（i）中，作為化合物（A）的至少一個溶解於二氯甲烷而測定的吸收特性，優選為滿足下述條件（f）及條件（g）。（f）波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸收波長λmax為波長850 nm以上且935 nm以下。（g）將波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸光係數ελmax 標準化為1時， （g-1）波長（λmax-10）nm下的吸光係數ελmax-10 為0.80以上， （g-2）波長（λmax+10）nm下的吸光係數ελmax+10 為0.80以上， （g-3）波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的吸光係數的平均值ε430-580ave 為0.03以下。ελmax-10 更優選為0.85以上，進一步優選為0.90以上。另外，ελmax+10 更優選為0.85以上，進一步優選為0.90以上。進而，另外，ε430-580ave 更優選為0.025以下，進一步優選為0.020以下。
在將藉此獲得的光學濾波器用於攝像裝置或照相機模塊的情況下，可兼顧高可見光透過率與700 nm以上且900 nm以下的區域的光的遮蔽性能，所得的圖像變得良好。
關於化合物（A）的使用量，可對應於所期望的特性來適宜選擇。例如在使用包含含有化合物（A）的樹脂製基板的基材、或在含有化合物（A）的樹脂製基板上層疊包含硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層而成的基材作為所述基材（i）的情況下，相對於樹脂100質量份，化合物（A）的含量優選為0.01質量份～2.0質量份，更優選為0.03質量份～1.5質量份，進而優選為0.05質量份～1.0質量份。另外，在使用在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體等支撐體上層疊含有化合物（A）的透明樹脂層而成的基材作為所述基材（i）的情況下，相對於形成透明樹脂層的樹脂100質量份，化合物（A）的含量優選為0.4質量份～20.0質量份，更優選為0.6質量份～15.0質量份，進而優選為0.8質量份～12.5質量份。
《方酸內鎓鹽系化合物》 所述方酸內鎓鹽系化合物並無特別限定，但優選為選自由下述式（I）所表示的方酸內鎓鹽系化合物（以下也稱為「化合物（I）」）、下述式（II）所表示的方酸內鎓鹽系化合物（以下也稱為「化合物（II）」）、以及下述式（III-J）、式（III-K）及式（III-L）所表示的方酸內鎓鹽系化合物（以下，也分別稱為「化合物（III-J）」、「化合物（III-K）」及「化合物（III-L）」，也將它們統稱為「化合物（III）」）所組成的群組中的至少一種化合物。
·式（I） [化1]
Figure 02_image001
式（I）中，Ra 、Rb 及Ya滿足下述條件（α）或（β）。 條件（α）： 存在多個的Ra 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-L1 或-NRe Rf 基； 存在多個的Rb 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-L1 或-NRg Rh 基； 存在多個的Ya分別獨立地表示-NRj Rk 基；L1 表示La 、Lb 、Lc 、Ld 、Le 、Lf 、Lg 或Lh ； Re 及Rf 分別獨立地表示氫原子、-La 、-Lb 、-Lc 、-Ld 或-Le ； Rg 及Rh 分別獨立地表示氫原子、-La 、-Lb 、-Lc 、-Ld 、-Le 或-C(O)Ri 基（Ri 表示-La 、-Lb 、-Lc 、-Ld 或-Le ）； Rj 及Rk 分別獨立地表示氫原子、-La 、-Lb 、-Lc 、-Ld 或-Le ； La 表示可具有取代基L的碳數1～12的脂肪族烴基； Lb 表示可具有取代基L的碳數1～12的經鹵素取代的烷基； Lc 表示可具有取代基L的碳數3～14的脂環式烴基； Ld 表示可具有取代基L的碳數6～14的芳香族烴基； Le 表示可具有取代基L的碳數3～14的雜環基； Lf 表示可具有取代基L的碳數1～9的烷氧基； Lg 表示可具有取代基L的碳數1～9的醯基； Lh 表示可具有取代基L的碳數1～9的烷氧基羰基； L表示選自由碳數1～12的脂肪族烴基、碳數1～12的經鹵素取代的烷基、碳數3～14的脂環式烴基、碳數6～14的芳香族烴基、碳數3～14的雜環基、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基及氨基所組成的群組中的至少一種取代基。
條件（β）： 一個苯環上的兩個Ra 中的至少一個與相同的苯環上的Y相互鍵結，形成包含至少一個氮原子的構成原子數為5或6的雜環； 所述雜環可具有取代基，Rb 及未參與所述雜環的形成的Ra 的含義分別獨立地與所述條件（α）的Rb 及Ra 相同。
所述La ～Lh 中，包含取代基的碳數的合計優選為分別為50以下，進而優選為碳數40以下，特別優選為碳數30以下。若碳數多於所述範圍，則存在難以合成化合物的情況，並且有每單位質量的光的吸收強度變小的傾向。
所述條件（α）中的Ra 優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基、苯基、羥基、氨基、二甲基氨基、硝基，更優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、羥基。
所述條件（α）中的Rb 優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基、苯基、羥基、氨基、二甲基氨基、氰基、硝基、乙醯基氨基、丙醯基氨基、N-甲基乙醯基氨基、三氟甲醯基氨基、五氟乙醯基氨基、第三丁醯基氨基、環己醯基氨基，更優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、羥基、二甲基氨基、硝基、乙醯基氨基、丙醯基氨基、三氟甲醯基氨基、五氟乙醯基氨基、第三丁醯基氨基、環己醯基氨基。
所述Ya優選為氨基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二-正丙基氨基、二異丙基氨基、二-正丁基氨基、二-第三丁基氨基、N-乙基-N-甲基氨基、N-環己基-N-甲基氨基，更優選為二甲基氨基、二乙基氨基、二-正丙基氨基、二異丙基氨基、二-正丁基氨基、二-第三丁基氨基。
作為所述式（I）的條件（β）中的、一個苯環上的兩個Ra 中的至少一個與相同的苯環上的Y相互鍵結而形成的包含至少一個氮原子的構成原子數為5或6的雜環，例如可列舉：吡咯烷、吡咯、咪唑、吡唑、呱啶、吡啶、呱嗪、噠嗪、嘧啶及吡嗪等。這些雜環中，優選為構成所述雜環、且構成所述苯環的碳原子的鄰近的一個原子為氮原子的雜環，進而優選為吡咯烷。
·式（II） [化2]
Figure 02_image003
式（II）中，X獨立地表示O、S、Se、N-Rc 或C(Rd Rd )；存在多個的Rc 分別獨立地表示氫原子、La 、Lb 、Lc 、Ld 或Le ；存在多個的Rd 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-L1 或-NRe Rf 基，相鄰的Rd 彼此可連結而形成可具有取代基的環；La ～Le 、L1 、Re 及Rf 的含義與所述式（I）中所定義的La ～Le 、L1 、Re 及Rf 相同。
所述式（II）中的Rc 優選為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環己基、苯基、三氟甲基、五氟乙基，更優選為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基。
所述式（II）中的Rd 優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環己基、苯基、甲氧基、三氟甲基、五氟乙基、4-氨基環己基，更優選為氫原子、氯原子、氟原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、三氟甲基、五氟乙基。
所述X優選為O、S、Se、N-Me、N-Et、CH2 、C-Me2 、C-Et2 ，更優選為S、C-Me2 、C-Et2 。
所述式（II）中，相鄰的Rd 彼此可連結而形成環。作為此種環，例如可列舉：苯並假吲哚環、α-萘並咪唑環、β-萘並咪唑環、α-萘並噁唑環、β-萘並噁唑環、α-萘並噻唑環、β-萘並噻唑環、α-萘並硒唑環、β-萘並硒唑環。
·式（III-J）～式（III-L） [化3]
Figure 02_image005
式（III-J）～式（III-L）中，X獨立地表示氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-NR8 -， R1 ～R8 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基或下述La ～Lh 的任一者，Rg 及Rh 分別獨立地表示氫原子、-C(O)Ri 基或下述La ～Le 的任一者，Ri 表示下述La ～Le 的任一者。 （La ）碳數1～12的脂肪族烴基 （Lb ）碳數1～12的經鹵素取代的烷基 （Lc ）碳數3～14的脂環式烴基 （Ld ）碳數6～14的芳香族烴基 （Le ）碳數3～14的雜環基 （Lf ）碳數1～12的烷氧基 （Lg ）可具有取代基L的碳數1～12的醯基 （Lh ）可具有取代基L的碳數1～12的烷氧基羰基 取代基L為選自由碳數1～12的脂肪族烴基、碳數1～12的經鹵素取代的烷基、碳數3～14的脂環式烴基、碳數6～14的芳香族烴基及碳數3～14的雜環基所組成的群組中的至少一種。
化合物（I）、化合物（II）及化合物（III-J）除了如下述式（I-1）、下述式（II-1）、下述式（III-J-1）的記載方法外，也可如下述式（I-2）及下述式（II-2）、下述式（III-J-2）那樣通過如取得共振結構的記載方法表示結構（關於化合物（III-K）及化合物（III-L）也相同）。即，下述式（I-1）與下述式（I-2）的差異、下述式（II-1）與下述式（II-2）的差異、及下述式（III-J-1）與式（III-J-2）的差異僅為結構的記載方法，均表示同一化合物。本發明中，只要無特別說明，通過如下述式（I-1）、下述式（II-1）及下述式（III-J-1）的記載方法表示方酸內鎓鹽系化合物的結構。
[化4]
Figure 02_image007
進而，例如下述式（I-3）所表示的化合物與下述式（I-4）所表示的化合物可視為同一化合物。
[化5]
Figure 02_image009
所述化合物（I）、化合物（II）及化合物（III）只要分別滿足所述各式的條件，則結構並無特別限定。例如，在如所述式（I-1）、式（II-1）及式（III-J-1）那樣表示結構的情況下，鍵結於中央的四員環的左右的取代基可相同也可不同，但相同者在合成上容易，因此優選。
作為所述化合物（I）、化合物（II）及化合物（III）的具體例，可列舉具有下述式（I-A）～式（I-F）、下述式（II-G）～式（II-H）及下述式（III-J）～式（III-L）所表示的基本骨架的下述表1～表7中記載的化合物（a-1）～化合物（a-94）。
[化6]
Figure 02_image011
[化7]
Figure 02_image013
[化8]
Figure 02_image015
[表1]
化合物 基本骨架 取代基
Ral Ra2 Rb1 Rb2 Rg Rh Rj1 Rk1 Rk2 Rk3 Rk4
（a-1） （I-A） H H Me H - - Et n-Pr - - -
（a-2） H H OH H - - n-Bu n-Bu - - -
（a-3） Me H OH H - - t-Bu t-Bu - - -
（a-4） （I-B） H H H - Me Me n-Pr n-Pr - - -
（a-5） H H H - H
Figure 02_image017
 Et Et - - -
（a-6） H H H - Me
Figure 02_image019
 n-Bu n-Bu - - -
（a-7） H H H - H
Figure 02_image021
 Me Et - - -
（a-8） H H H - H
Figure 02_image023
 n-Bu n-Bu - - -
（a-9） Me H H - H
Figure 02_image025
 i-Pr i-Pr - - -
（a-10） （I-C） H - OH H - - Me H H H H
（a-11） Me - Me H - - Me Me H Me Me
（a-12） H - OH H - - Me Me H Me Me
（a-13） H - H H - - n-Bu H H Et H
（a-14） H - OH H - -
Figure 02_image027
 Me H Me Me
[表2]
化合物 基本骨架 取代基
Ral Ra2 Rb1 Rb2 Rg Rh Rj1 Rk1 Rk2 Rk3 Rk4
（a-15） （I-D） H - H - H H Me H H Me Me
（a-16） H - H - H
Figure 02_image028
 Me Me H Me Me
（a-17） H - H - H
Figure 02_image030
 Me Me H Me Me
（a-18） H - H - H
Figure 02_image032
 Me Me H Me Me
（a-19） Me - H - H
Figure 02_image034
 Et Me H Me Me
（a-20） H - H - H
Figure 02_image036
 Me Me H Me Me
[表3]
化合物 基本骨架 取代基
Rb1 Rb2 Rg Rh Rj1 Rj2 Rj3 Rj4 Rj5 Rj6
（a-21） （I-E） OH H - - H H H H H H
（a-22） OH H - - H H H H Me Me
（a-23） OH H - - Me H Me H Me Me
（a-24） OH Me - - H H H H n-Bu n-Bu
（a-25） （I-F） H - H
Figure 02_image038
 H H H H Me Me
（a-26） H - Me
Figure 02_image040
 Me H Me H Me Me
（a-27） H - H
Figure 02_image042
 H H Me Me Et Et
（a-28） H - H
Figure 02_image044
 H H H H Me Me
[表4]
化合物 基本骨架 取代基
X Rc Rd1 Rd2 Rd3 Rd4 Rd5 Rd6
（a-29） （II-G） C(CH3 )2 Et H H H H - -
（a-30） CH2 n-Bu H H F H - -
（a-31） S Me H Me Me H - -
（a-32） O Et H CF3 CF3 H - -
（a-33） （II-H） C(CH3 )2 i-Pr H H H H H H
（a-34） S n-Bu H H H CF3 CF3 H
（a-35） C(CH3 )2 CF2 CF3 H H H H -OMe H
（a-36） C(CH3 )2 Et H H H Me Me H
[表5]
化合物 基本骨架 X 取代基
R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8
（a-37） （III-J） O H H H H H H H -
（a-38） S H H Me H H H H -
（a-39） Se H H Me H H H H -
（a-40） -NR8 - Me H H H H H H H
（a-41） O H H t-Bu H H H H -
（a-42） O Me H Et H H H H -
（a-43） S H H t-Bu H Me H H -
（a-44） O H H i-Bu H H Me H -
（a-45） Se H Me i-Pr H H
Figure 02_image046
 H -
（a-46） S Me Me Me H H H Me -
（a-47） O H H t-Bu H H i-Pr H -
（a-48） O H H
Figure 02_image048
 H Me H Me -
（a-49） -NR8 - H H t-Bu H
Figure 02_image050
 H H Me
（a-50） O H H t-Bu H
Figure 02_image052
 H H -
（a-51） S H H t-Bu H
Figure 02_image054
 H H -
（a-52） O H H t-Bu H Me Me H -
（a-53） S Et H Et Me -N(CH2 CH3 ) H H -
（a-54） O H H i-Pr H H
Figure 02_image056
 H -
（a-55） O H H t-Bu Me H Me H -
（a-56） O Me H Me H
Figure 02_image058
 H H -
（a-57） S H H t-Bu
Figure 02_image060
 H H H -
（a-58） O H H t-Bu H H Cl H -
（a-59） O H H t-Bu H Me Cl H -
（a-60） O H H t-Bu Cl H t-Bu H -
（a-61） O H H t-Bu Cl H i-Pr H -
（a-62） Te Me H F H H t-Bu H -
（a-63） S H H t-Bu H H i-Pr H -
（a-64） S H H t-Bu Cl H t-Bu H -
（a-65） S H CI t-Bu H H t-Bu H -
（a-66） O H H t-Bu H
Figure 02_image062
 F H -
（a-67） O H H t-Bu H H
Figure 02_image064
 H -
（a-68） -NR8 - H H t-Bu H Et
Figure 02_image066
 t-Bu n-Bu
（a-69） O H H i-Pr H Me
Figure 02_image068
 H -
（a-70） S H Et t-Bu H H
Figure 02_image070
 H -
[表6]
化合物 基本骨架 X 取代基
R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8
（a-71） （III-K） O H H H H H H H -
（a-72） -NR8 - H H Me Me H H H H
（a-73） S H H t-Bu H Me H H -
（a-74） -NR8 - H H H H H H H n-Bu
（a-75） -NR8 - H H H H H H H -C9 H18 CH3
（a-76） O Me H H H H Cl H -
（a-77） -NR8 - H H i-Pr H H H H n-Pr
（a-78） O H Et H H H Me Cl -
（a-79） S H H t-Bu H H
Figure 02_image072
 H -
（a-80） -NR8 - H H t-Bu H H
Figure 02_image074
 H -C9 H18 CH3
（a-81） O Et H H F H i-Pr H -
（a-82） -NR8 - H H
Figure 02_image076
 H Me H Me t-Bu
（a-83） -NR8 - H H t-Bu H
Figure 02_image078
 H H n-Bu
（a-84） -NR8 - H H i-Pr H H
Figure 02_image080
 H -C9 H18 CH3
（a-85） O H H t-Bu
Figure 02_image082
 H Me H -
（a-86） -NR8 - Me H Me H
Figure 02_image084
 H H Et
[表7]
化合物 基本骨架 X 取代基
R1 R2 R3 R4 R5
（a-87） （III-L） S H H H H H
（a-88） S H H i-Pr i-Pr H
（a-89） S H H t-Bu t-Bu H
（a-90） S H H Me Me H
（a-91） S H H H H H
（a-92） -NR8 - H H Me Me H
（a-93） -NR8 - H H H H H
（a-94） O H H i-Pr i-Pr H
所述化合物（I）、化合物（II）及化合物（III）只要通過一般為人所知的方法來合成即可，例如可參照日本專利特開平1-228960號公報、日本專利特開2001-40234號公報、日本專利第3196383號公報等中所記載的方法等來合成。
《酞菁系化合物》 所述酞菁系化合物並無特別限定，但優選為下述式（IV）所表示的化合物（以下也稱為「化合物（IV）」）。
[化9]
Figure 02_image086
式（IV）中，M表示2個氫原子、2個一價的金屬原子、二價的金屬原子、或者包含三價或四價的金屬原子的取代金屬原子，存在多個的Ra 、Rb 、Rc 及Rd 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、氨基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-L1 、-S-L2 、-SS-L2 、-SO2 -L3 、-N=N-L4 、或選自由Ra 與Rb 、Rb 與Rc 及Rc 與Rd 中至少一個組合鍵結而成的下述式（A）～式（H）所表示的基所組成的群組中的至少一種基。其中，鍵結於相同的芳香環的Ra 、Rb 、Rc 及Rd 中至少一個不為氫原子。
所述氨基、醯胺基、醯亞胺基及矽烷基也可具有所述式（I）中所定義的取代基L， L1 的含義與所述式（I）中所定義的L1 相同， L2 表示氫原子或所述式（I）中所定義的La ～Le 的任一者， L3 表示羥基或所述La ～Le 的任一者， L4 表示所述La ～Le 的任一者。
[化10]
Figure 02_image088
式（A）～式（H）中，Rx 及Ry 表示碳原子，存在多個的RA ～RL 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、硝基、氨基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-L1 、-S-L2 、-SS-L2 、-SO2 -L3 、-N=N-L4 ，所述氨基、醯胺基、醯亞胺基及矽烷基可具有所述式（I）中所定義的取代基L，L1 ～L4 的含義與所述式（IV）中所定義的L1 ～L4 相同。
所述酞菁系化合物通過如下述式（V）的鄰苯二甲腈衍生物的環化反應合成的方法一般為人所知，所獲得的酞菁系化合物成為如下述式（VI-1）～式（VI-4）的四種異構物的混合物。本發明中，只要無特別說明，對一種酞菁系化合物僅例示一種異構物，對於其他三種異構物也可同樣地使用。再者，這些異構物也可視需要分開來使用，本發明中是對異構物混合物統一進行處理。
[化11]
Figure 02_image090
[化12]
Figure 02_image092
作為所述化合物（IV）的具體例，可列舉具有下述式（IV-A）～式（IV-J）所表示的基本骨架的下述表8～表11中記載的（b-1）～（b-61）等。
[化13]
Figure 02_image094
[表8] 表8
Figure 02_image096
[表9]
化合物 基本骨架 M 取代基
Ra1 Ra2 Ra3 Ra4
（b-23） （IV-B） Co -NO2 -NO2 -NO2 -NO2
（b-24） Cu -O(CH2 )3 CH3 -O(CH2 )3 CH3 -O(CH2 )3 CH3 -O(CH2 )3 CH3
（b-25） VO Me Me Me Me
（b-26） Cu
Figure 02_image098
Figure 02_image098
Figure 02_image098
Figure 02_image098
（b-27） VO -OH -OH -OH -OH
（b-28） Ni F F F F
（b-29） Cu Cl Cl Cl Cl
（b-30） VO t-Bu -OH t-Bu -OH
[表10]
Figure 02_image100
[表11]
化合物 基本骨架 M 取代基
Ra Rb Rc Rd
（b-52） （IV-G） VO F F F F
（b-53） Cu Cl -O(CH2 )3 CH3 -O(CH2 )3 CH3 Cl
（b-54） VO F t-Bu F F
（b-55） Ni -OH n-Pr n-Pr -OH
（b-56） （IV-H） Cu
Figure 02_image102
Figure 02_image104
 Me -
（b-57） Cu
Figure 02_image106
Figure 02_image108
 Me -
（b-58） VO
Figure 02_image110
Figure 02_image108
 Me -
（b-59） （IV-J） VO F t-Bu t-Bu F
（b-60） Cu Me Et Et Me
（b-61） Cu -OH F -O(CH2 )3 CH3 -OH
化合物（IV）只要通過一般為人所知的方法來合成即可，例如可參照日本專利第4081149號公報或「酞菁-化學與功能-」（IPC、1997年）中所記載的方法來合成。
《花青系化合物》 所述花青系化合物並無特別限定，但優選為下述式（VII-1）～式（VII-13）的任一者所表示的化合物（以下也稱為「化合物（VII-1）～化合物（VII-13）」）。就可達成高可見光透過率而言，優選為（VII-4）～（VII-6）及（VII-9）～（VII-11），特別優選為（VII-4）及（VII-9）。
[化14]
Figure 02_image112
[化15]
Figure 02_image114
[化16]
Figure 02_image116
式（VII-1）～式（VII-13）中，Xa - 表示一價的陰離子，存在多個的D獨立地表示碳原子、氮原子、氧原子或硫原子，存在多個的X獨立地表示氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或-NRa -，存在多個的Ra 、Rb 、Rc 、Rd 、Re 、Rf 、Rg 、Rh 及Ri 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、氨基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-L1 、-S-L2 、-SS-L3 、-SO2 -L3 、-N=N-L4 、或選自由Rb 與Rc 、Rd 與Re 、Re 與Rf 、Rf 與Rg 、Rg 與Rh 及Rh 與Ri 中至少一個組合鍵結而成的所述式（A）～式（H）所表示的基所組成的群組中的至少一種基，所述氨基、醯胺基、醯亞胺基及矽烷基也可具有所述式（I）中所定義的取代基L， L1 的含義與所述式（I）中所定義的L1 相同， L2 表示氫原子或所述式（I）中所定義的La ～Le 的任一者， L3 表示氫原子或所述La ～Le 的任一者， L4 表示所述La ～Le 的任一者， Za ～Zc 及Ya ～Yd 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、氨基、醯胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-L1 、-S-L2 、-SS-L2 、-SO2 -L3 、-N=N-L4 （L1 ～L4 的含義與所述Ra ～Ri 中的L1 ～L4 相同）、或者選自這些中鄰接的兩個中的Z彼此或Y彼此相互鍵結而形成的碳數6～14的芳香族烴基；可包含至少一個氮原子、氧原子或硫原子的5員環或6員環的脂環式烴基；或者包含至少一個氮原子、氧原子或硫原子的碳數3～14的雜芳香族烴基，這些芳香族烴基、脂環式烴基及雜芳香族烴基也可具有碳數1～9的脂肪族烴基或鹵素原子。
就可達成兼顧高可見光透過率與700 nm～900 nm的區域的高OD值而言，存在多個的X優選為氧原子或硫原子，特別優選為氧原子。存在多個的Ra 、Rb 、Rc 、Rd 、Re 、Rf 、Rg 、Rh 及Ri 優選為分別獨立地為氫原子、La 、Lc 、Ld 、Lf 。
作為所述Za ～Zc 及Ya ～Yd 中的Z彼此或Y彼此相互鍵結而形成的碳數6～14的芳香族烴基，例如可列舉由所述取代基L中的芳香族烴基例示的化合物。
作為所述Za ～Zc 及Ya ～Yd 中的Z彼此或Y彼此相互鍵結而形成的可包含至少一個氮原子、氧原子或硫原子的5員環或6員環的脂環式烴基，例如可列舉由所述取代基L中的脂環式烴基及雜環例示的化合物（雜芳香族烴基除外）。
就可兼顧化合物的化學穩定性與高可見光透過率而言，Za ～Zc 及Ya ～Yd 特別優選為分別獨立地為氫原子、鹵素原子、具有取代基L的氨基、或者選自這些中鄰接的兩個中的Z彼此或Y彼此相互鍵結而形成的碳數6～14的芳香族烴基、5員環或6員環的脂環式烴基。
作為所述Za ～Zc 及Ya ～Yd 中的Z彼此或Y彼此相互鍵結而形成的碳數3～14的雜芳香族烴基，例如可列舉作為所述取代基L中的雜環基而例示的化合物（包含至少一個氮原子、氧原子或硫原子的脂環式烴基除外）。
所述式（VII-1）～式（VII-13）中，作為-S-L2 、-SS-L2 、-SO2 -L3 、-N=N-L4 、可具有取代基L的氨基、醯胺基、醯亞胺基、矽烷基，可列舉與所述式（IV）所例示的基相同的基等。
Xa - 只要為一價的陰離子，則並無特別限定，可列舉：Cl- 、I- 、Br- 、PF6 - 、N(SO2 CF3 )2 - 、B(C6 F5 )4 - 、鎳二硫醇鹽系錯合物、銅二硫醇鹽系錯合物等。就化合物的化學穩定性的觀點而言，優選為B(C6 F5 )4 - 。
作為所述化合物（VII-1）～化合物（VII-13）的具體例，可列舉下述表12-1～表12-5所記載的（c-1）～（c-116）等。
[表12-1]
化合物 基本骨架 D 取代基 Xa -
Ra Rb Rc Rd Re Rf Rg Rh Ri Ya Yb Yc Yd Za Zb Zc
（c-1） （VII-1） C n-Bu Me Me H H H H - - H H H - H H - PF6 -
（c-2） C n-Bu Me Me H H H H - - H Cl H - H H - PF6 -
（c-3） S Et - - H H H H - - H H H - H H - I-
（c-4） C n-Bu Me Me H H H H - - H H H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-5） C -(CH2 )5 CH3 Me Me H H H H - - H Cl H - H H -
Figure 02_image118
（c-6） （VII-2） C n-Bu Me Me H H H H - - H H H H H H H PF6 -
（c-7） S Et - - H H H H - - H H H H H H H I-
（c-8） C n-Bu Me Me H H H H - - H 三亞甲基 H H H H PF6 -
（c-9） S Et - - H H H H - - H H H H 三亞甲基 H I-
（c-10） C n-Bu Me Me H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H PF6 -
（c-1l） C n-Bu Me Me H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H PF6 -
（c-12） C MeOEt Me Me H H Cl H - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-13） C MeOEt Me Me H H Cl H - - H H H H H H H N(SO2 CF3 )2 -
（c-14） C MeOEt Me Me H H H H - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-15） S n-Bu - - H H H H - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-16） C Et Me Me H H H H - - H 三亞甲基 H H Cl H I-
（c-17） C n-Bu Me Me H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H B(C6 F5 )4 -
（c-18） C n-Bu Me Me H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H
Figure 02_image120
（c-19） （VII-3） C 3-甲基-丁基 Me Me H H H H H H H H H - H H - PF6 -
（c-20） C 3-甲基-丁基 Me Me H H H H H H H Cl H - H H - PF6 -
（c-21） C MeOEt Me Me H H H H H H H H H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-22） C 3-甲基-丁基 Me Me H H H H H H H H H - 三亞甲基 - PF6 -
（c-23） C 3-甲基-丁基 Me Me H H H H H H H Ph H - 亞乙基 - PF6 -
（c-24） C n-Bu Me Me H H H H H H H Ph H - 亞乙基 -
Figure 02_image122
[表12-2]
化合物 基本骨架 X 取代基 Xa -
Ra Rb Rc Rd Re Rf Rg Rh Ri Ya Yb Yc Yd Za Zb Zc
（c-25） （VII-4） Se - H t-Bu H -OMe Cl H - - H H H H H H H PF6 -
（c-26） S - H t-Bu H H i-Pr H - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image124
 H B(C6 F5 )4 -
（c-27） O - H t-Bu H H i-Pr H - - H 三亞甲基 H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-28） -NRa - Bu H H H H H H - - H H H H H
Figure 02_image126
 H B(C6 F5 )4 -
（c-29） O - Me i-Pr H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H
Figure 02_image128
（c-30） O - H CF3 H H i-Pr H - - H 亞乙基 H H Ph H N(SO2 CF3 )2 -
（c-31） S - H i-Pr H H t-Bu H - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-32） O - H t-Bu H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H B(C6 F5 )4 -
（c-33） Se - H t-Bu H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H
Figure 02_image130
 H Br-
（c-34） O - H
Figure 02_image132
 H H F H - - H 亞乙基 H H H H B(C6 F5 )4 -
（c-35） O - H t-Bu H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H B(C6 F5 )4 -
（c-36） S - H t-Bu H H -OMe H - - H 三亞甲基 H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-37） -NRa - Et H H H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H
Figure 02_image134
 H Br-
（c-38） S - H CF3 H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H PF6 -
（c-39） （VII-5） Te - H t-Bu t-Bu H - - - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H Cl-
（c-40） O - H i-Pr i-Pr H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-41） -NRa - Et H H H H - - - - H H H H H H H PF6 -
（c-42） O - H
Figure 02_image132
Figure 02_image132
 H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H Cl-
（c-43） S   H t-Bu t-Bu H - - - - H 三亞甲基 H H Ph H N(SO2 CF3 )2 -
（c-44） O - H Me Me H - - - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H H H I-
（c-45） O - H i-Pr i-Pr H - - - - H 三亞甲基 H H Ph H PF6 -
（c-46） -NRa - Me H H H H - - - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H
Figure 02_image136
 H N(SO2 CF3 )2 -
（c-47） O - H Me Me H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-48） S - H t-Bu t-Bu H - - - - H 亞乙基 H H Cl H PF6 -
（c-49） O - H Me Me H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H I-
（c-50） Se - H t-Bu t-Bu H - - - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H B(C6 F5 )4 -
（c-51） O - H Me Me H - - - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H
Figure 02_image138
[表12-3]
化合物 基本骨架 X 取代基 Xa -
Ra Rb Rc Rd Re Rf Rg Rh Ri Ya Yb Yc Yd Za Zb Zc
（c-52） （VII-6） O - H H H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H
Figure 02_image140
 H PF6 -
（c-53） -NRa - 十二烷基 H H H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H Cl-
（c-54） -NRa - Bu H H H H H H - - H H H H H H H N(SO2 CF3 )2 -
（c-55） -NRa - 辛基 H H H H H H - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image142
 H PF6 -
（c-56） -NRa - 十二烷基 H H H H H H - - H 亞乙基 H H H H B(C6 F5 )4 -
（c-57） -NRa - 辛基 H H H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-58） O - H H H H H H - - H H H H H 二苯基氨基 H Cl-
（c-59） -NRa - 十二烷基 H H H H H H - - H H H H H 二苯基氨基 H N(SO2 CF3 )2 -
（c-60） -NRa - 辛基 H H H H H H - - H 三亞甲基 H H Cl H I-
（c-61） S - H H H H H H - - H 亞乙基 H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-62） -NRa - 十二烷基 H H H H H H - - H 亞乙基 H H
Figure 02_image144
 H
Figure 02_image146
[表12-4]
化合物 基本骨架 X 取代基 Xa -
Ra Rb Rc Rd Re Rf Rg Rh Ri Ya Yb Yc Yd Za Zb Zc
（c-63） （VII-7） O - H t-Bu H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H 二苯基氨基 H PF6 -
（c-64） S - H t-Bu H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-65） Se - H t-Bu H H H H - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image148
 H B(C6 F5 )4 -
（c-66） -NRa - H H CF3 H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H B(C6 F5 )4 -
（c-67） O - H Me H H H H - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H
Figure 02_image150
（c-68） O - H Me H H H H - - H H H H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-69） S - H t-Bu H H H H - - H 亞乙基 H H H H PF6 -
（c-70） O - H Me H H H H - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-71） Se - H t-Bu H H H H - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H Ph H Br-
（c-72） O - H Me H H H H - - H H H H H H H B(C6 F5 )4 -
（c-73） S - H t-Bu H H H H - - H 亞乙基 H H Ph H B(C6 F5 )4 -
（c-74） Se - H t-Bu H H H H - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image152
 H PF6 -
（c-75） -NRa - - H t-Bu H H H H - - H H H H H Cl H I-
（c-76） S - H t-Bu H H H H - - H 亞乙基 H H Cl H PF6 -
（c-77） （VII-8） O - H H H H - - - - H 亞乙基 H H H H Cl-
（c-78） O - H i-Pr H H - - - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image154
 H N(SO2 CF3 )2 -
（c-79） -NRa - Me H CF3 H H - - - - H -CH2 -(CHCH3 )-CH2 - H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-80） O - H i-Pr H H - - - - H 三亞甲基 H H
Figure 02_image156
 H Cl-
（c-81） S - H t-Bu H H - - - - H 三亞甲基 H H Ph H N(SO2 CF3 )2 -
（c-82） O - H t-Bu H H - - - - H 三亞甲基 H H Ph H Br-
（c-83） O - H
Figure 02_image158
 H H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H N(SO2 CF3 )2 -
（c-84） -NRa - Me H t-Bu H H - - - - H H H H H H H N(SO2 CF3 )2 -
（c-85） O - H t-Bu H H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H PF6 -
（c-86） S - H H H H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H B(C6 F5 )4 -
（c-87） O - H Me H H - - - - H 三亞甲基 H H Cl H I-
（c-88） S - H t-Bu H H - - - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H B(C6 F5 )4 -
（c-89） O - H t-Bu H H - - - - H 亞乙基 H H 二苯基氨基 H
Figure 02_image160
[表12-5]
化合物 基本骨架 X 取代基 Xa -
Ra Rb Rc Rd Re Rf Rg Rh Ri Ya Yb Yc Yd Za Zb Zc
（c-90） （VII-9） -NRa - Et H H H H H H - - H H H - H H - PF6 -
（c-91） S - H t-Bu H H i-Pr H - - H Cl H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-92） Se - H Me H H H H - - H
Figure 02_image162
 H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-93） O - H t-Bu H H H H - - H H H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-94） O - H CF3 H H i-Pr H - - H Ph H - H H -
Figure 02_image164
（c-95） O - H
Figure 02_image166
 H H H H - - H H H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-96） （VII-10） S - H t-Bu t-Bu H - - - - H H H - H H - PF6 -
（c-97） O - H i-Pr i-Pr H - - - - H Cl H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-98） Se - H t-Bu t-Bu H - - - - H Ph H - H H - Br-
（c-99） O - H i-Pr i-Pr H - - - - H H H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-100） S - H t-Bu t-Bu H - - - - H Ph H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-101） -NRa - Bu H H H H - - - - H
Figure 02_image168
 H - H H - PF6 -
（c-102） （VII-11） -NRa - 辛基 H H H H H H - - H Cl H - H H - I-
（c-103） S - H H H H H H - - H Cl H - H H - PF6 -
（c-104） -NRa - Bu H H H H H H - - H H H - H H - Cl-
（c-105） O - H H H H H H - - H
Figure 02_image170
 H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-106） （VII-12） -NRa - Et H H H H H H - - H Cl H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-107） O - H i-Pr H H H H - - H
Figure 02_image172
 H - H H - Cl-
（c-108） S - H Me H H H H - - H Ph H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-109） O - H t-Bu H H i-Pr H - - H H H - H H - Br-
（c-110） O - H Me H H H H - - H Cl H   H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-111） -NRa - 辛基 H H H H H H - - H H H - H H - N(SO2 CF3 )2 -
（c-112） （VII-13） O - H t-Bu H Me - - - - H H H - H H - PF6 -
（c-113） S - H Me H Me - - - - H Cl H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-114） O - H Me H Me - - - - H Cl H - H H - I-
（c-115） Se - H t-Bu H Me - - - - H H H - H H - B(C6 F5 )4 -
（c-116） -NRa - Bu H H H H - - - - H H H - H H -
Figure 02_image174
所述化合物（VII-1）～化合物（VII-6）只要通過一般為人所知的方法來合成即可，例如可通過日本專利特開2009-108267號公報中所記載的方法來合成。
＜化合物（B）＞ 所述化合物（B）只要在波長950 nm以上且1800 nm以下的區域具有最大吸收，則並無特別限定，優選為選自由近紅外線吸收微粒子、方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、二亞銨系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物及吡咯並吡咯系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。再者，化合物（B）可單獨使用一種，也可組合使用兩種以上。通過使用此種化合物（B），可達成廣範圍的近紅外線波長區域中的吸收特性與優異的可見光透過率。
所述化合物（B）的最大吸收波長優選為1020 nm以上且1750 nm以下，更優選為1020 nm以上且1720 nm以下。若所述化合物（B）的最大吸收波長處於此種範圍內，則可效率佳地將不需要的近紅外線截止，並且可降低入射光的入射角依存性。
化合物（B）的最大吸收波長下的質量吸光係數優選為8×10 L·cm-1 ·g-1 以上，更優選為9.5×10 L·cm-1 ·g-1 以上。若為8×10 L·cm-1 ·g-1 以上，則即便在設置了抗反射層的薄的光學濾波器中，也可有效率地遮蔽近紅外線，可兼顧薄型化與高近紅外線的遮蔽性與低反射特性。
關於所述化合物（B）（其中，近紅外線吸收微粒子除外）的使用量，可對應於所期望的特性來適宜選擇。例如在使用包含含有化合物（A）及化合物（B）的樹脂製基板的基材作為所述基材（i）的情況下，相對於樹脂100質量份，所述化合物（B）的含量優選為0.01質量份～5.0質量份，更優選為0.02質量份～3.0質量份，特別優選為0.03質量份～2.0質量份。另外，在使用在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體等支撐體上層疊含有化合物（A）及化合物（B）的樹脂層而成的基材，或在含有化合物（A）的樹脂製基板上層疊含有化合物（B）的樹脂層而成的基材作為所述基材（i）的情況下，相對於形成包含化合物（A）的樹脂層的樹脂100質量份，所述化合物（B）的含量優選為0.1質量份～40.0質量份，更優選為0.2質量份～30.0質量份，特別優選為0.3質量份～25.0質量份。若化合物（B）的含量處於所述範圍內，則可獲得兼顧良好的近紅外線吸收特性與高可見光透過率的光學濾波器。再者，關於使用近紅外線吸收微粒子作為所述化合物（B）時的所述微粒子的使用量將後述。
所述化合物（B）只要通過一般為人所知的方法來合成即可，例如可參照日本專利第4168031號公報、日本專利第4252961號公報、日本專利特表2010-516823號公報、日本專利特開昭63-165392號公報等中所記載的方法等來合成。
《二亞銨系化合物》 所述二亞銨系化合物並無特別限定，例如優選為下述式（s1）所表示的化合物。
[化17]
Figure 02_image176
式（s1）中，R1 獨立地表示氫原子、鹵素原子、磺基、羥基、氰基、羧基、磷酸基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基或下述La ～Lh 的任一者，R2 獨立地表示鹵素原子、磺基、羥基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NRg Rh 基、-SRi 基、-SO2 Ri 基、-OSO2 Ri 基或下述La ～Lh 的任一者，Rg 及Rh 分別獨立地表示氫原子、-C(O)Ri 基或下述La ～Le 的任一者，Ri 表示下述La ～Le 的任一者， （La ）碳數1～12的脂肪族烴基 （Lb ）碳數1～12的經鹵素取代的烷基 （Lc ）碳數3～14的脂環式烴基 （Ld ）碳數6～14的芳香族烴基 （Le ）碳數3～14的雜環基 （Lf ）碳數1～12的烷氧基 （Lg ）可具有取代基L的碳數1～12的醯基 （Lh ）可具有取代基L的碳數1～12的烷氧基羰基 取代基L為選自由碳數1～12的脂肪族烴基、碳數1～12的經鹵素取代的烷基、碳數3～14的脂環式烴基、碳數6～14的芳香族烴基及碳數3～14的雜環基所組成的群組中的至少一種，n為0～4的整數，X表示使電荷中和所必須的陰離子。
所述X為對電荷進行中和所必須的陰離子，在陰離子為二價的情況下，需要一分子，在陰離子為一價的情況下，需要二分子。在為後者的情況下，兩個陰離子可相同也可不同，但就合成上的觀點而言，優選為相同。X只要為此種陰離子，則並無特別限制，作為一例，可列舉下述表13中記載的陰離子。
[表13] 表13
Figure 02_image178
X若為製成酸時的酸性度高者，則有可在作為二亞銨系化合物的陰離子時提高二亞銨系化合物的耐熱性的傾向，特別優選為所述表10中的（X-10）、（X-16）、（X-17）、（X-21）、（X-22）、（X-24）、（X-28）。
《金屬二硫醇鹽系化合物》 所述金屬二硫醇鹽系化合物並無特別限定，例如優選為下述式（s2）所表示的化合物。
[化18]
Figure 02_image180
式（s2）中，R3 的含義與所述式（s1）中的R1 及R2 相同，相鄰的R3 彼此也可形成可具有取代基L的環。Z表示D(Ri )4 ，D表示氮原子、磷原子或鉍原子，y表示0或1。
所述R3 優選為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、環己基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、苯基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、正丁硫基、苯硫基、苄硫基，在相鄰的R3 彼此形成環的情況下，優選為在環中包含至少一個以上的硫原子或氮原子的雜環。
所述M優選為過渡金屬，進而優選為Ni、Pd、Pt。 所述D優選為氮原子、磷原子，所述Ri 優選為乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、苯基。
《近紅外線吸收微粒子》 所述近紅外線吸收微粒子只要在波長950 nm以上且1800 nm以下的區域中具有吸收，則並無特別限定，例如可列舉國際公開2017/018419號的段落[0047]～[0075]中記載的近紅外線吸收微粒子。
《化合物（A）及化合物（B）的市售品》 作為所述化合物（A）的市售品，可列舉T090821、T091021、T089021，T090721、T090122（特易購（Tosco）製造）、B4360、D4773、D5013（東京化成工業製造）、S4253、S1426（光譜資訊（Spectrum Info）製造）、埃克斯卡勒（Excolor）IR12、埃克斯卡勒（Excolor）IR14、埃克斯卡勒（Excolor）IR10A、埃克斯卡勒（Excolor）IR28、埃克斯卡勒（Excolor）TX-EX720、埃克斯卡勒（Excolor）TX-EX820、埃克斯卡勒（Excolor）TX-EX906（日本催化劑製造）等。
作為所述化合物（B）（其中，近紅外線吸收微粒子除外）的市售品，可列舉：CIR-108x、CIR-96x、CIR-RL、CIR-1080（日本卡利特（Carlit）製造）、S1445（光譜資訊（Spectrum Info）製造）、埃克斯卡勒（Excolor）IR915、埃克斯卡勒（Excolor）IR906（日本催化劑製造）、S2058、S2007（福化學（FewChemicals）製造）等。
＜樹脂＞ 作為構成所述基材的（透明）樹脂層、樹脂製基板或樹脂製支撐體中使用的樹脂，只要不損害本發明的效果，則並無特別限制，例如為了製成確保熱穩定性及對膜的成形性且可通過在100℃以上的蒸鍍溫度下進行的高溫蒸鍍形成介電體多層膜的膜，可列舉玻璃轉移溫度（Tg）優選為110℃～380℃、更優選為110℃～370℃、進而優選為120℃～360℃的樹脂。另外，若所述樹脂的玻璃轉移溫度為150℃以上，則即便在樹脂中高濃度地添加化合物而玻璃轉移溫度降低的情況下，也可獲得具有可在高溫下蒸鍍形成介電體多層膜的玻璃轉移溫度的膜，因此特別優選。
作為所述樹脂，在形成包含所述樹脂的厚度為0.05 mm的樹脂板的情況下，可使用所述樹脂板的總光線透過率（日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K7105）優選為成為75%～95%，進而優選為成為78%～95%，特別優選為成為80%～95%的樹脂。若使用總光線透過率成為此種範圍的樹脂，則所獲得的基板作為光學膜而顯示出良好的透明性。
所述樹脂的通過膠體滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）法所測定的聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）通常為15,000～350,000，優選為30,000～250,000，數量平均分子量（Mn）通常為10,000～150,000，優選為20,000～100,000。
作為所述樹脂，例如可列舉：環狀聚烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、芳族聚醯胺系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、脂環環氧熱硬化型樹脂、聚醚醚酮系樹脂、聚芳酯系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂、及通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂。這些中，就可獲得透明性（光學特性）、耐熱性、耐回流性等的平衡優異的光學濾波器的方面而言，優選為使用環狀聚烯烴樹脂、芳香族聚醚樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚芳酯系樹脂。
《環狀聚烯烴系樹脂》 環狀聚烯烴系樹脂優選為由選自由下述式（X0 ）所表示的單體及下述式（Y0 ）所表示的單體所組成的群組中的至少一種單體所獲得的樹脂、及通過將所述樹脂加以氫化所獲得的樹脂。
[化19]
Figure 02_image181
式（X0 ）中，Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自下述（i'）～（ix'）中的原子或基，kx 、mx 及px 分別獨立地表示0～4的整數。 （i'）氫原子 （ii'）鹵素原子 （iii'）三烷基矽烷基 （iv'）具有包含氧原子、硫原子、氮原子或矽原子的連結基的經取代或未經取代的碳數1～30的烴基 （v'）經取代或未經取代的碳數1～30的烴基 （vi'）極性基（其中（ii'）及（iv'）除外） （vii'）Rx1 與Rx2 或Rx3 與Rx4 相互鍵結而形成的亞烷基（其中，不參與所述鍵結的Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基） （viii'）Rx1 與Rx2 或Rx3 與Rx4 相互鍵結而形成的單環或多環的烴環或雜環（其中，不參與所述鍵結的Rx1 ～Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基） （ix'）Rx2 與Rx3 相互鍵結而形成的單環的烴環或雜環（其中，不參與所述鍵結的Rx1 與Rx4 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基）
[化20]
Figure 02_image183
式（Y0 ）中，Ry1 及Ry2 分別獨立地表示選自所述（i'）～（vi'）中的原子或基，或者表示Ry1 與Ry2 相互鍵結所形成的單環或多環的脂環式烴、芳香族烴或雜環，ky 及py 分別獨立地表示0～4的整數。
《芳香族聚醚系樹脂》 芳香族聚醚系樹脂優選為具有選自由下述式（1）所表示的結構單元及下述式（2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。
[化21]
Figure 02_image185
式（1）中，R1 ～R4 分別獨立地表示碳數1～12的一價有機基，a～d分別獨立地表示0～4的整數。
[化22]
Figure 02_image187
式（2）中，R1 ～R4 及a～d的含義分別獨立地與所述式（1）中的R1 ～R4 及a～d相同，Y表示單鍵、-SO2 -或-CO-，R7 及R8 分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～12的一價有機基或硝基，g及h分別獨立地表示0～4的整數，m表示0或1。其中，在m為0時，R7 不為氰基。
另外，所述芳香族聚醚系樹脂優選為進而具有選自由下述式（3）所表示的結構單元及下述式（4）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。
[化23]
Figure 02_image189
式（3）中，R5 及R6 分別獨立地表示碳數1～12的一價有機基，Z表示單鍵、-O-、-S-、-SO2 -、-CO-、-CONH-、-COO-或碳數1～12的二價有機基，e及f分別獨立地表示0～4的整數，n表示0或1。
[化24]
Figure 02_image191
式（4）中，R7 、R8 、Y、m、g及h的含義分別獨立地與所述式（2）中的R7 、R8 、Y、m、g及h相同，R5 、R6 、Z、n、e及f的含義分別獨立地與所述式（3）中的R5 、R6 、Z、n、e及f相同。
《聚醯亞胺系樹脂》 聚醯亞胺系樹脂並無特別限制，只要是在重複單元中包含醯亞胺鍵的高分子化合物即可，例如可通過日本專利特開2006-199945號公報或日本專利特開2008-163107號公報中所記載的方法來合成。
《茀聚碳酸酯系樹脂》 茀聚碳酸酯系樹脂並無特別限制，只要是包含茀部位的聚碳酸酯樹脂即可，例如可通過日本專利特開2008-163194號公報中所記載的方法來合成。
《茀聚酯系樹脂》 茀聚酯系樹脂並無特別限制，只要是包含茀部位的聚酯樹脂即可，例如可通過日本專利特開2010-285505號公報或日本專利特開2011-197450號公報中所記載的方法來合成。
《氟化芳香族聚合物系樹脂》 氟化芳香族聚合物系樹脂並無特別限制，但優選為含有具有至少一個氟原子的芳香族環、及包含選自由醚鍵、酮鍵、碸鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵及酯鍵所組成的群組中的至少一個鍵的重複單元的聚合物，例如可通過日本專利特開2008-181121號公報中所記載的方法來合成。
《丙烯酸系紫外線硬化型樹脂》 丙烯酸系紫外線硬化型樹脂並無特別限制，可列舉：由含有分子內具有一個以上的丙烯酸基或甲基丙烯酸基的化合物、及通過紫外線而分解並產生活性自由基的化合物的樹脂組成物所合成者。在使用在玻璃支撐體上或成為基底的樹脂製支撐體上層疊包含化合物（A）及硬化性樹脂的透明樹脂層而成的基材、或在含有化合物（A）的透明樹脂製基板上層疊包含硬化性樹脂等的外塗層等樹脂層而成的基材作為所述基材（i）的情況下，丙烯酸系紫外線硬化型樹脂可特別優選地用作所述硬化性樹脂。
《通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂》 作為通過溶膠凝膠法而得的將二氧化矽作為主成分的樹脂，可將通過如下的溶膠凝膠反應而獲得的化合物用作樹脂：所述溶膠凝膠反應是利用選自四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷、甲氧基三乙氧基矽烷等四烷氧基矽烷，苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷等苯基烷氧基矽烷等中的一種以上的矽烷類的加水分解來進行。
《市售品》 作為透明樹脂的市售品，可列舉以下的市售品等。作為環狀聚烯烴系樹脂的市售品，可列舉：JSR（股）製造的阿通（Arton）、日本瑞翁（Zeon）（股）製造的瑞翁諾阿（Zeonor）、三井化學（股）製造的阿派爾（APEL）、寶理塑膠（Polyplastics）（股）製造的托帕斯（TOPAS）等。作為聚醚碸系樹脂的市售品，可列舉住友化學（股）製造的斯密卡愛克塞爾（Sumikaexcel）PES等。作為聚醯亞胺系樹脂的市售品，可列舉三菱瓦斯化學（股）製造的尼歐普利姆（Neopulim）L等。作為聚碳酸酯系樹脂的市售品，可列舉帝人（股）製造的普艾斯（PURE-ACE）等。作為茀聚碳酸酯系樹脂的市售品，可列舉三菱瓦斯化學（股）製造的優比澤塔（Iupizeta）EP-5000等。作為茀聚酯系樹脂的市售品，可列舉大阪燃氣化學（Osaka Gas Chemicals）（股）製造的OKP4HT等。作為丙烯酸系樹脂的市售品，可列舉日本催化劑（股）製造的阿庫利維阿（Acryviewa）等。作為倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂的市售品，可列舉新日鐵化學（股）製造的希魯普拉斯（Silplus）等。
＜其他成分＞ 在不損害本發明的效果的範圍內，所述基材（i）可進而含有抗氧化劑、近紫外線吸收劑及螢光消光劑等添加劑。這些其他成分可單獨使用一種，也可併用兩種以上。
《近紫外線吸收劑》 作為所述近紫外線吸收劑，只要是在波長250 nm～420 nm的區域具有至少一個最大吸收的化合物即可，並無特別限定，例如可列舉：甲亞胺系化合物、吲哚系化合物、苯並***系化合物、三嗪系化合物、蒽系化合物等。
（U-A）甲亞胺系化合物 所述甲亞胺系化合物並無特別限定，例如可由下述式（U-1）所表示。
[化25]
Figure 02_image193
式（U-1）中，Ra1 ～Ra5 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、碳數1～15的烷基、碳數1～9的烷氧基或碳數1～9的烷氧基羰基。
（U-B）吲哚系化合物 所述吲哚系化合物並無特別限定，例如可由下述式（U-2）所表示。
[化26]
Figure 02_image195
式（U-2）中，Rb1 ～Rb5 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、氰基、苯基、芳烷基、碳數1～9的烷基、碳數1～9的烷氧基或碳數1～9的烷氧基羰基。
（U-C）苯並***系化合物 所述苯並***系化合物並無特別限定，例如可由下述式（U-3）所表示。
[化27]
Figure 02_image197
式（U-3）中，Rc1 ～Rc3 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、芳烷基、碳數1～9的烷基、碳數1～9的烷氧基、或者具有碳數1～9的烷氧基羰基作為取代基的碳數1～9的烷基。
（U-D）三嗪系化合物 所述三嗪系化合物並無特別限定，例如可由下述式（U-4）、式（U-5）或式（U-6）所表示。
[化28]
Figure 02_image199
[化29]
Figure 02_image201
[化30]
Figure 02_image203
式（U-4）～式（U-6）中，Rd1 獨立地表示氫原子、碳原子數1～15的烷基、碳原子數3～8的環烷基、碳原子數3～8的烯基、碳原子數6～18的芳基、碳原子數7～18的烷基芳基或芳基烷基。其中，這些烷基、環烷基、烯基、芳基、烷基芳基及芳基烷基可經羥基、鹵素原子、碳原子數1～12的烷基或烷氧基取代，也可經氧原子、硫原子、羰基、酯基、醯胺基或亞氨基中斷。另外，可將所述取代及中斷組合。Rd2 ～Rd9 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、碳原子數1～15的烷基、碳原子數3～8的環烷基、碳原子數3～8的烯基、碳原子數6～18的芳基、碳原子數7～18的烷基芳基或芳基烷基。
《抗氧化劑》 作為所述抗氧化劑，例如可列舉：2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,2'-二氧基-3,3'-二-第三丁基-5,5'-二甲基二苯基甲烷、四[亞甲基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷、及三(2,4-二-第三丁基苯基)亞磷酸酯等。
所述添加劑可在製造所述透明樹脂時與樹脂等一同混合，也可在合成樹脂時添加。另外，添加量可對應於所期望的特性來適宜選擇，但相對於所述透明樹脂100質量份，通常為0.01質量份～5.0質量份，優選為0.05質量份～2.0質量份。
＜支撐體＞ 《樹脂製支撐體》 所述樹脂基板或樹脂製支撐體中所使用的樹脂如上所述。
《玻璃支撐體》 所述玻璃支撐體並無特別限定，例如可列舉：硼矽酸鹽系玻璃、矽酸鹽系玻璃、鈉鈣玻璃、及近紅外線吸收玻璃等。所述近紅外線吸收玻璃就可提高近紅外線截止特性的方面與可減少入射角依存性的方面而言優選，作為其具體例，可列舉含有銅成分的氟磷酸鹽系玻璃及磷酸鹽系玻璃等。
＜基材（i）的製造方法＞ 在所述基材（i）為包含含有所述化合物（A）的樹脂製基板的基材的情況下，所述樹脂製基板例如可通過熔融成形或澆鑄成形來形成，進而，視需要可在成形後塗布抗反射劑、硬塗劑和/或抗靜電劑等塗布劑，藉此製造層疊有外塗層的基材。
在所述基材（i）為在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體上層疊包含含有化合物（A）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層而成的基材的情況下，例如在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體上對包含化合物（A）的樹脂溶液進行熔融成形或澆鑄成形，優選為利用旋塗、狹縫塗布、噴墨等方法進行塗敷後將溶媒乾燥去除，視需要進而進行光照射或加熱，藉此可製造在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體上形成有透明樹脂層的基材。
《熔融成形》 作為所述熔融成形，具體而言，可列舉：對將樹脂與化合物（A）熔融混練所獲得的顆粒進行熔融成形的方法；對含有樹脂與化合物（A）的樹脂組成物進行熔融成形的方法；或對自包含化合物（A）、樹脂及溶劑的樹脂組成物中去除溶劑所獲得的顆粒進行熔融成形的方法等。作為熔融成形方法，可列舉：射出成形、熔融擠出成形或吹塑成形等。
《澆鑄成形》 作為所述澆鑄成形，也可通過如下的方法等來製造：將包含化合物（A）、樹脂及溶劑的樹脂組成物澆鑄於適當的支撐體上並去除溶劑的方法；或將包含化合物（A）與光硬化性樹脂和/或熱硬化性樹脂的硬化性組成物澆鑄於適當的支撐體上並去除溶媒後，通過紫外線照射或加熱等適當的方法來使其硬化的方法。
在所述基材（i）為包含含有化合物（A）的樹脂製基板的基材的情況下，所述基材（i）可通過在澆鑄成形後自支撐體剝離塗膜而獲得，另外，在所述基材（i）為在玻璃支撐體或成為基底的樹脂製支撐體等支撐體等上層疊包含含有化合物（A）的硬化性樹脂等的外塗層等透明樹脂層而成的基材的情況下，所述基材（i）可通過在澆鑄成形後不剝離塗膜而獲得。
作為所述支撐體，例如可列舉：玻璃板、鋼帶、鋼桶及透明樹脂（例如，聚酯膜、環狀烯烴系樹脂膜）製支撐體。
進而，也可通過如下方法等而在光學零件上形成透明樹脂層：將所述樹脂組成物塗布於玻璃板、石英或透明塑膠製等的光學零件上後對溶劑進行乾燥的方法，或塗布所述硬化性組成物後進行硬化及乾燥的方法。
通過所述方法所獲得的透明樹脂層（樹脂製基板）中的殘留溶劑量優選為盡可能少。具體而言，相對於透明樹脂層（樹脂製基板）的質量，所述殘留溶劑量優選為3質量%以下，更優選為1質量%以下，進而優選為0.5質量%以下。若殘留溶劑量處於所述範圍，則可獲得變形或特性難以變化、可容易地發揮出所期望的功能的透明樹脂層（樹脂製基板）。
＜抗反射層＞ 本發明的光學濾波器也可在所述基材（i）的至少一個面上具有抗反射層。本發明中的抗反射層是指具有在波長420 nm以上且1000 nm以下的區域中在所述基材（i）的至少一個面上形成抗反射層後的平均反射率與僅所述基材（i）的平均反射率相等或更小的效果的層。
所述抗反射層理想的是在優選為波長420 nm～1050 nm、更優選為波長420 nm～1100 nm、進而優選為420 nm～1150 nm的整個範圍內具有抗反射特性。
作為抗反射層，可列舉：設置大小未滿光的波長的多個錐狀結構且具有折射率自入射介質向基板連續地變化的結構的層、交替層疊高折射率材料層與低折射率材料層的介電體多層膜、包含低折射率材料層的薄膜。
作為構成高折射率材料層的材料，可使用折射率為1.7以上的材料，且通常選擇折射率為1.8～3.6的材料。作為此種材料，例如可列舉將氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭、氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅、氧化銦、鈦酸鋇、矽等作為主成分，且含有少量（例如相對於主成分為0質量%～10質量%）的氫、氧化鈦、氧化鈮、氧化錫和/或氧化鈰等者；在環狀聚烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、芳族聚醯胺系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、脂環環氧熱硬化型樹脂、聚醚醚酮系樹脂、聚芳酯系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂、及通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂等透明樹脂中分散有所述主成分者。
作為構成低折射率材料層的材料，可使用折射率為1.7以下的材料，且通常選擇折射率為1.2～1.7的材料。作為此種材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂及六氟化鋁鈉；環狀聚烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、芳族聚醯胺系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、脂環環氧熱硬化型樹脂、聚醚醚酮系樹脂、聚芳酯系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂、及通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂等透明樹脂；或者在所述透明樹脂中分散有二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂或六氟化鋁鈉。
所述介電體多層膜可具有1 nm～100 nm左右的金屬層和/或半導體層。作為構成金屬層的材料，可使用折射率為0.1以上～5.0以下的材料。作為此種材料，可列舉金、銀、銅、鋅、鋁、鎢、鈦、鎂、鎳、矽、鍺。這些金屬層及半導體層有可見光區域的波長的消光係數高的傾向，優選為1 nm～20 nm左右的薄層。
關於將高折射率材料層與低折射率材料層層疊的方法，只要形成將這些材料層層疊而成的介電體多層膜，則並無特別限制。例如可通過化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法、濺鍍法、真空蒸鍍法、離子輔助蒸鍍法或離子鍍法等，在基材（i）上直接形成使高折射率材料層與低折射率材料層交替地層疊而成的介電體多層膜。在層疊含有透明樹脂的層的情況下，通過與所述基材（i）的成形方法同樣地進行熔融成形或澆鑄成形、塗布形成，優選為可利用旋塗、浸塗、狹縫塗布、凹版塗布等形成。
如上所述，本發明的光學濾波器優選為滿足條件（e）。即，在所述基材（i）的單面上具有介電體多層膜，在構成所述介電體多層膜的層中厚度為0.5 μm以下的層的層數（N）、與厚度為0.5 μm以下的各層的厚度的和（TN）（μm）的積（N×TN）為150以下，優選為100以下，更優選為50以下。若所述積（N×TN）處於所述範圍內，則可減小多層膜形成所花費的時間、各層的構成材料切換所花費的功夫或時間損耗，因此可縮短介電體多層膜的製造所需要的時間，可削減製造成本。
所述介電體多層膜（抗反射層）中的高折射率材料層與低折射率材料層的合計層疊數作為光學濾波器整體優選為2層～30層，更優選為2層～22層。若各層的厚度、作為光學濾波器整體的介電體多層膜的厚度或合計的層疊數處於所述範圍內，則不僅可確保充分的製造裕度，而且可減少光學濾波器的翹曲或介電體多層膜的裂紋。
＜其他功能膜＞ 出於提高基材（i）或抗反射層的表面硬度、提高耐化學品性、抗靜電及消除損傷等目的，本發明的光學濾波器可在不損害本發明的效果的範圍內，在基材（i）與抗反射層（介電體多層膜）之間、基材（i）的與設有抗反射層的面為相反側的面、或抗反射層的與設有基材（i）的面為相反側的面上適宜設置硬塗膜或抗靜電膜等功能膜。
本發明的光學濾波器可含有一層包含所述功能膜的層，也可含有兩層以上。在本發明的光學濾波器含有兩層以上的包含所述功能膜的層的情況下，可含有兩層以上的相同的層，也可含有兩層以上的不同的層。
層疊功能膜的方法並無特別限制，可列舉：與所述同樣地，在基材（i）或抗反射層上對硬塗劑和/或抗靜電劑等塗布劑等進行熔融成形或澆鑄成形的方法等。
另外，也可通過利用棒塗機等將包含所述塗布劑等的硬化性組成物塗布於基材（i）或抗反射層上後，利用紫外線照射等進行硬化來製造。
作為所述塗布劑，可列舉紫外線（Ultraviolet，UV）/電子束（Electron Beam，EB）硬化型樹脂或熱硬化型樹脂等，具體而言，可列舉：乙烯基化合物類或氨基甲酸酯系、氨基甲酸酯丙烯酸酯系、丙烯酸酯系、環氧系及環氧丙烯酸酯系樹脂等。作為包含這些塗布劑的所述硬化性組成物，可列舉：乙烯基系、氨基甲酸酯系、氨基甲酸酯丙烯酸酯系、丙烯酸酯系、環氧系及環氧丙烯酸酯系硬化性組成物等。
另外，所述硬化性組成物也可包含聚合起始劑。作為所述聚合起始劑，可使用公知的光聚合起始劑或熱聚合起始劑，也可併用光聚合起始劑與熱聚合起始劑。聚合起始劑可單獨使用一種，也可併用兩種以上。
所述硬化性組成物中，在將硬化性組成物的總量設為100質量%的情況下，聚合起始劑的調配比例優選為0.1質量%～10質量%，更優選為0.5質量%～10質量%，進而優選為1質量%～5質量%。若聚合起始劑的調配比例處於所述範圍內，則硬化性組成物的硬化特性及處理性優異，可獲得具有所期望的硬度的抗反射層、硬塗膜或抗靜電膜等功能膜。
進而，也可向所述硬化性組成物中加入作為溶劑的有機溶劑，作為有機溶劑，可使用公知者。作為有機溶劑的具體例，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單***乙酸酯等酯類；乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚等醚類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺類。
這些溶劑可單獨使用一種，也可併用兩種以上。所述功能膜的厚度優選為0.9 μm～30 μm，進而優選為0.9 μm～20 μm，特別優選為0.9 μm～5 μm。在0.9 μm以下的情況下，與所述同樣地，光學干涉的影響變強，有阻礙抗反射層的效果的傾向。
另外，出於提高基材（i）與功能膜和/或抗反射層的密接性、或功能膜與抗反射層的密接性的目的，也可對基材（i）、功能膜或抗反射層的表面進行電暈處理或電漿處理等表面處理。
[光學濾波器的用途] 本發明的光學濾波器具有視場角寬、紅色的靈敏度高、改善了重影的特性。因此，作為照相機模塊的CCD或CMOS等固體攝像元件的視感度校正用途有用。特別是在數位靜態照相機、行動電話用照相機、智慧型手機用照相機、數位攝影機、個人電腦（Personal Computer，PC）照相機、監視照相機、汽車用照相機、電視機、汽車導航、可攜式資訊終端、電腦、影音遊戲機、可攜式遊戲機、指紋認證系統、環境光感測器、距離測定感測器、虹膜認證系統、臉部認證系統、距離測定照相機、數位音樂播放器等中有用。
＜固體攝像裝置＞ 本發明的固體攝像裝置包括本發明的光學濾波器。此處，所謂固體攝像裝置，是包括CCD或CMOS等固體攝像元件的影像感測器。作為構成固體攝像元件的構件，使用矽光電二極體或有機半導體等將特定波長的光轉換為電荷的光電轉換元件。
＜照相機模塊＞ 本發明的照相機模塊包括本發明的光學濾波器。此處，所謂照相機模塊是包括影像感測器或焦點調整機構、或相位檢測機構、距離測定機構等，將圖像或距離資訊作為電信號輸出的裝置。
[實施例] 以下，基於實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明不受這些實施例任何限定。再者，只要無特別說明，則「份」是指「質量份」。另外，各物性值的測定方法及物性的評價方法如以下那樣。
＜分子量＞ 樹脂的分子量是考慮到各樹脂在溶劑中的溶解性等並利用下述（a）或（b）的方法來進行測定。 （a）使用沃特斯（WATERS）公司製造的膠體滲透層析（GPC）裝置（150C型，管柱：東曹（Tosoh）公司製造的H型管柱，展開溶劑：鄰二氯苯），測定標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）。 （b）使用東曹公司製造的GPC裝置（HLC-8220型，管柱：TSKgelα-M，展開溶劑：四氫呋喃（Tetrahydrofuran，THF）），測定標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）。
＜玻璃轉移溫度（Tg）＞ 使用SII奈米技術（SII Nanotechnologies）股份有限公司製造的示差掃描熱量計（DSC6200），在升溫速度為每分鐘20℃、氮氣流下進行測定。
＜分光透過率＞ 光學濾波器的各波長區域中的透過率是使用日立高新技術（Hitachi High-Technologies）股份有限公司製造的分光光度計（U-4100）來測定。 此處，關於自光學濾波器的垂直方向進行測定時的透過率，如圖1的（A）那樣利用分光光度計3測定相對於光學濾波器2垂直地透過的光1，關於自相對於光學濾波器的垂直方向為30度的角度進行測定時的透過率，如圖1的（B）那樣利用分光光度計3測定以相對於光學濾波器2的垂直方向為30度的角度透過的光1'，關於自相對於光學濾波器的垂直方向為60度的角度進行測定時的透過率，如圖1的（C）那樣利用分光光度計3測定以相對於光學濾波器2的垂直方向為60度的角度透過的光1''。
＜分光反射率＞ 光學濾波器的各波長區域中的反射率是使用日立高新技術（Hitachi High-Technologies）股份有限公司製造的分光光度計（U-4100）來測定。 此處，關於光學濾波器的自相對於垂直方向為5度的角度進行測定時的反射率，如圖2那樣利用分光光度計3測定光學濾波器2的以相對於垂直方向為5度的角度反射的光11。
下述實施例中所使用的近紅外線吸收色素通過一般為人所知的方法來合成。作為一般的合成方法，例如可列舉：日本專利第3366697號公報、日本專利第2846091號公報、日本專利第2864475號公報、日本專利第3703869號公報、日本專利特開昭60-228448號公報、日本專利特開平1-146846號公報、日本專利特開平1-228960號公報、日本專利第4081149號公報、日本專利特開昭63-124054號公報、「酞菁-化學與功能-」（IPC、1997年）、日本專利特開2007-169315號公報、日本專利特開2009-108267號公報、日本專利特開2010-241873號公報、日本專利第3699464號公報、日本專利第4740631號公報等中所記載的方法。
＜化合物（A）的評價＞ 將二氯甲烷中的色素的吸收特性波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸收波長λmax為波長850 nm以上且935 nm以下的化合物（c-35）、化合物（a-63）、化合物（a-74）及化合物（c-27）溶解於二氯甲烷中，使用紫外可見分光光度計（島津製作所（股）製造，UV-3100）測定不同波長的透過率，計算出波長850 nm以上且未滿935 nm的區域中的最大吸收波長λmax、波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸光係數ελmax （標準化為=1）、將最大吸光係數ελmax 標準化為1時的波長（λmax-10 nm）下的吸光係數ελmax-10 nm 、將最大吸光係數ελmax 標準化為1時的波長（λmax+10 nm）下的吸光係數ελmax+10 nm 、將最大吸光係數ελmax 標準化為1時的波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的不同波長的吸光係數的平均值ε430-580ave 。將這些結果示於表20中。
＜樹脂合成例1＞ 在3 L的四口燒瓶中添加35.12 g（0.253 mol）的2,6-二氟苯甲腈、87.60 g（0.250 mol）的9,9-雙(4-羥基苯基)茀、41.46 g（0.300 mol）的碳酸鉀、443 g的N,N-二甲基乙醯胺（以下也稱為「DMAc」）以及111 g的甲苯。繼而，在四口燒瓶中安裝溫度計、攪拌機、帶有氮氣導入管的三通旋塞、迪安-斯塔克（Dean-Stark）管及冷卻管。繼而，對燒瓶內進行氮氣置換後，使所獲得的溶液在140℃下反應3小時，並隨時將所生成的水自迪安-斯塔克管去除。在看不到水的生成的時間點，使溫度緩慢地上升至160℃為止，並在所述溫度下反應6小時。冷卻至室溫（25℃）為止後，利用濾紙去除所生成的鹽，將濾液投入至甲醇中進行再沉澱，並通過濾取來分離濾物（殘渣）。將所獲得的濾物在60℃下真空乾燥一晚，獲得白色粉末（以下也稱為「樹脂A」）（產率為95%）。所獲得的樹脂A的數量平均分子量（Mn）為75,000，質量平均分子量（Mw）為188,000，玻璃轉移溫度（Tg）為285℃。
＜樹脂合成例2＞ 將下述式（8）所表示的8-甲基-8-甲氧基羰基四環 [4.4.0.12,5 .17,10 ]十二-3-烯（以下也稱為「DNM」）100份、1-己烯（分子量調節劑）18份及甲苯（開環聚合反應用溶媒）300份裝入經氮氣置換的反應容器中，並將所述溶液加熱至80℃。繼而，在反應容器內的溶液中添加作為聚合催化劑的三乙基鋁的甲苯溶液（0.6 mol/升）0.2份、以及甲醇改質的六氯化鎢的甲苯溶液（濃度為0.025 mol/升）0.9份，將所述溶液在80℃下加熱攪拌3小時，藉此進行開環聚合反應而獲得開環聚合體溶液。所述聚合反應中的聚合轉化率為97%。
[化31]
Figure 02_image205
將以所述方式獲得的開環聚合體溶液1,000份裝入高壓釜中，在所述開環聚合體溶液中添加0.12份的RuHCl(CO)[P(C6 H5 )3 ]3 ，在氫氣壓100kg/cm2 、反應溫度165℃的條件下加熱攪拌3小時來進行氫化反應。將所獲得的反應溶液（氫化聚合體溶液）加以冷卻後，對氫氣進行放壓。將所述反應溶液注入至大量的甲醇中後分離回收凝固物，並對其進行乾燥，獲得氫化聚合體（以下也稱為「樹脂B」）。所獲得的樹脂B的數量平均分子量（Mn）為32,000，質量平均分子量（Mw）為137,000，玻璃轉移溫度（Tg）為165℃。
[實施例A1] 在實施例A1中，通過以下的順序及條件來製作具有包含樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板（光學濾波器）的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為近紫外線吸收劑的東方化學工業（Orient Chemical Industries）公司製造的光吸收劑「UA-3912」（以下稱為「化合物（u-1）」）0.07份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.03份、所述化合物（b-39）0.07份、所述化合物（a-47）0.04份、所述化合物（a-89）0.15份、所述化合物（a-63）0.05份、所述化合物（a-74）0.05份及所述化合物（c-27）0.03份、以及N,N-二甲基乙醯胺，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。將所獲得的溶液澆鑄至平滑的玻璃板上，以60℃乾燥8小時後，以60℃乾燥8小時，進而在減壓下以140℃乾燥8小時後自玻璃板剝離。進而，在減壓下以100℃對所剝離的塗膜進行8小時乾燥，從而獲得包含厚度0.100 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板的光學濾波器。
測定自所獲得的光學濾波器的垂直方向及相對於垂直方向為30度及60度的角度的分光透過率、自相對於光學濾波器的垂直方向為5度的角度的分光反射率、以及另一面的自相對於垂直方向為5度的角度的分光反射率，並評價各波長區域中的光學特性。另外，關於所獲得的光學濾波器，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的層數（N）為0，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的各膜厚的和（TN）（μm）為0.0，（N）與（TN）（μm）的積為0。將這些結果示於表14中。
[實施例A2] 在實施例A2中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的川崎化成公司製造的光吸收劑「UVS-581」（以下稱為「化合物（u-2）」）0.2份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.03份、所述化合物（c-93）0.10份、所述化合物（a-89）0.10份及所述化合物（c-35）0.30份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除了使用所獲得的溶液以外，與實施例1同樣地獲得厚度0.100 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 利用棒塗機將下述組成的樹脂組成物（3）塗布於所獲得的樹脂製基板的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為4 μm的方式調整棒塗機的塗布條件。其次，使用輸送機式曝光機進行曝光（曝光量為500 mJ/cm2 、200 mW），使樹脂組成物（3）硬化，而在樹脂製基板上形成樹脂層。同樣地，在樹脂製基板的另一面上也形成包含樹脂組成物（3）的樹脂層，而獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
樹脂組成物（3）：三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯60質量份、二季戊四醇六丙烯酸酯40質量份、1-羥基環己基苯基酮5質量份、甲基乙基酮（溶劑，固體成分濃度（總固體濃度（total solid concentration，TSC））：30%）
[實施例A3] 在實施例A3中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的所述化合物（u-2）0.30份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.04份、所述化合物（b-39）0.04份、所述化合物（c-93）0.14份、所述化合物（c-35）0.27份及所述化合物（c-27）0.11份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除了使用所獲得的溶液以外，與實施例A1同樣地獲得厚度0.100 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 利用棒塗機將所述樹脂組成物（3）塗布於所獲得的樹脂製基板的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為2 μm的方式調整棒塗機的塗布條件，除此以外，與實施例A2同樣地獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A4] 在實施例A4中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的所述化合物（u-2）0.30份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.06份及所述化合物（b-39）0.07份、所述化合物（c-93）0.20份及所述化合物（c-35）0.20份、作為化合物（B）的所述化合物（B-1）0.33份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除了使用所獲得的溶液以外，與實施例A1同樣地獲得厚度0.100 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 利用棒塗機將所述樹脂組成物（3）塗布於所獲得的樹脂製基板的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為2 μm的方式調整棒塗機的塗布條件，除此以外，與實施例A2同樣地獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A5] 在實施例A5中，通過以下的順序及條件來製作具有包含玻璃基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂溶液（D-1）的製備＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的所述化合物（u-1）5.00份、作為化合物（A）的所述化合物（b-39）2.50份、所述化合物（a-20）2.50份及所述化合物（a-47）2.50份、所述化合物（c-35）5.00份、所述化合物（a-63）5.00份、所述化合物（c-27）2.50份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為10質量%的溶液。之後，利用孔徑5 μm的微孔過濾器（millipore filter）進行過濾而獲得樹脂溶液（D-1）。
＜樹脂組成物（2）的製備＞ 將異三聚氰酸環氧乙烷改質三丙烯酸酯（商品名：亞羅尼斯（Aronix）M-315，東亞合成化學（股）製造）30質量份、1,9-壬二醇二丙烯酸酯20質量份、甲基丙烯酸20質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯30質量份、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷5質量份、1-羥基環己基二苯甲酮（商品名：豔佳固（IRGACURE）184，汽巴精化（股）製造）5質量份及桑艾德（San-Aid）SI-110主劑（三新化學工業（股）製造）1質量份混合，以固體成分濃度成為50 wt%的方式溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中後，利用孔徑0.2 μm的微孔過濾器進行過濾，從而製備樹脂組成物（2）。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 通過旋塗將所述樹脂組成物（2）塗布於切割為縱200 mm、橫200 mm的大小的松波硝子工業（股）製造的近紅外線吸收玻璃基板「BS-11」（厚度80 μm）的單面上後，在熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶劑揮發去除，從而形成作為與後述的透明樹脂層的接著層發揮功能的樹脂層。此時，以所述樹脂層的膜厚成為0.8 μm左右的方式調整旋塗機的塗布條件。
其次，使用旋塗機，並在乾燥後的膜厚成為2 μm的條件下將樹脂溶液（D-1）塗布於所述樹脂層上，在熱板上以80℃加熱5分鐘，將溶劑揮發去除而形成透明樹脂層。繼而，使用輸送機式曝光機自玻璃面側進行曝光（曝光量為1 J/cm2 、照度為200 mW），之後在烘箱中以230℃煆燒20分鐘，從而獲得包含縱200 mm、橫200 mm的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A6] 在實施例A6中，通過以下的順序及條件來製作具有包含玻璃基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂溶液（D-2）的製備＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的所述化合物（u-2）7.50份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）1.00份、所述化合物（b-39）0.88份、所述化合物（c-93）3.50份、所述化合物（c-35）6.75份及所述化合物（c-27）2.75份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為10質量%的溶液。之後，利用孔徑5 μm的微孔過濾器進行過濾而獲得樹脂溶液（D-2）。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 通過旋塗將所述樹脂組成物（2）塗布於切割為縱200 mm、橫200 mm的大小的日本電氣硝子股份有限公司製造的極薄玻璃膜「OA-10G」（商品名，厚度100 μm）的單面上後，在熱板上以80℃加熱2分鐘而將溶劑揮發去除，從而形成作為與後述的透明樹脂層的接著層發揮功能的樹脂層。此時，以所述樹脂層的膜厚成為0.8 μm左右的方式調整旋塗機的塗布條件。其次，使用旋塗機，並在乾燥後的膜厚成為4 μm的條件下將樹脂溶液（D-2）塗布於樹脂層上，除此以外，與實施例A5同樣地獲得包含縱200 mm、橫200 mm的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A7] 在實施例A7中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.05份、所述化合物（b-39）0.05份、所述化合物（a-89）0.10份、所述化合物（a-63）0.10份、所述化合物（a-74）0.05份及作為化合物（B）的所述化合物（B-1）0.30份以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除此以外，按照與實施例A2相同的順序獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A8] 在實施例A8中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為化合物（A）的所述化合物（a-47）0.21份、所述化合物（a-89）0.05份、所述化合物（a-63）0.05份及所述化合物（a-74）0.06份以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除此以外，按照與實施例A2相同的順序獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[實施例A9] 在實施例A9中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.06份、所述化合物（b-39）0.08份、所述化合物（a-63）0.22份及所述化合物（a-74）0.10份以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除此以外，按照與實施例A2相同的順序獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[比較例A1] 在比較例A1中，通過以下的順序及條件來製作具有包含玻璃基板的基材的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照日本專利6267823號公報的[0075]～[0079]以及[0102]的實施例順序，製作與日本專利6267823號公報的實施例22相當的包含玻璃基板的光學濾波器（厚度380 μm）。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[比較例A2] 在比較例A2中，通過以下的順序及條件來製作具有包含在兩面上具有樹脂層的樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例2中所獲得的樹脂B 100質量份、作為近紫外線吸收劑的所述化合物（u-1）0.07份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.03份、所述化合物（b-39）0.07份及所述化合物（a-47）0.04份、所述化合物（a-89）0.10份及所述化合物（a-63）0.05份、以及二氯甲烷，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除了使用所獲得的溶液以外，與實施例A1同樣地獲得厚度0.100 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 利用棒塗機將所述樹脂組成物（3）塗布於所獲得的樹脂製基板的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為2 μm的方式調整棒塗機的塗布條件，除此以外，與實施例A2同樣地獲得包含在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材的光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例A1相同的評價。將結果示於表14中。
[比較例A3] 在比較例A3中，通過以下的順序及條件來製作具有包含樹脂製基板的基材的光學濾波器。
＜樹脂製基板（光學濾波器）的製作＞ 利用與實施例A1相同的方法製備樹脂濃度為20質量%的溶液。將所獲得的溶液澆鑄至平滑的玻璃板上，以60℃乾燥8小時後，以60℃乾燥8小時，進而在減壓下以140℃乾燥8小時後自玻璃板剝離。進而，在減壓下以100℃對所剝離的塗膜進行8小時乾燥，從而獲得包含厚度0.200 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板的光學濾波器。所獲得的光學濾波器因殘留溶媒多而白化，無法評價分光透過率。
[表14]
  實施例A1 實施例A2 實施例A3 實施例A4 實施例A5 實施例A6 實施例A7 實施例A8 實施例A9 比較例A1 比較例A2
基材 組成[質量份] 透明樹脂 樹脂A 100 - - - - - - - - - -
樹脂B - 100 100 100 100 100 100 100 100 - 100
近紫外線吸收劑 u-1 0.07 - - - 5.00 - - - - - 0.07
u-2 - 0.20 0.30 0.30 - 7.50 - - - - -
化合物（A） a-17 0.03 0.03 0.04 0.06 - 1.00 0.05 - 0.06 - 0.03
b-39 0.07 - 0.04 0.07 2.50 0.88 0.05 - 0.08 - 0.07
a-20 - - - - 2.50 - - - - - -
a-47 0.04 - - - 2.50 - - 0.21 - - 0.04
c-93 - 0.10 0.14 0.20 - 3.50 - - - - -
a-89 0.15 0.10 - - - - 0.10 0.05 - - 0.10
c-35 - 0.30 0.27 0.20 5.00 6.75 - - - - -
a-63 0.05 - - - 5.00 - 0.10 0.05 0.22 - 0.05
a-74 0.05 - - - - - 0.05 0.06 0.10 - -
c-27 0.03 - 0.11 - 2.50 2.75 - - - - -
化合物（B） B-1 - - - 0.33 - - 0.30 - - - -
玻璃基板 - - - - （1） （4） - - - （X） -
樹脂組成物 - （3） （3） （3） （2） （2） （3） （3） （3） （X） （3）
光學濾波器 層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層 層數（N） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
各膜厚的和（TN）[μm] 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
（N）與（TN）的積 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
厚度[μm] 100.0 108.0 104.0 104.0 82.8 104.8 104.0 104.0 104.0 380.0 104.0
反射率的平均值（420 nm～900 nm） Rfa-5 [%] 4.8 5.0 5.1 4.9 4.9 5.1 4.7 4.9 4.6 5.3 5.2
Rfb-5 [%] 4.8 5.0 5.1 4.9 4.9 5.1 4.7 4.9 4.6 5.3 5.2
光學特性 Ta-0 [%] 55.6 67.3 69.9 63.5 62.3 69.9 47.8 56.4 43.4 81.3 68.8
Ta-30 [%] 53.7 65.8 68.6 61.9 60.6 68.6 45.9 54.6 41.4 80.5 67.4
Ta-60 [%] 45.4 57.3 60.2 53.5 52.1 60.2 37.8 46.2 33.6 72.6 59.0
R透過率[%] 52.7 46.3 44.2 36.7 41.6 44.2 48.2 54.8 43.8 28.6 60.9
G透過率[%] 59.0 68.8 73.2 67.9 65.8 73.2 52.7 61.1 48.1 77.6 71.1
B透過率[%] 50.8 62.7 64.0 55.9 56.5 64.0 41.5 51.7 37.5 85.3 65.1
ODa-0 2.2 2.4 2.5 2.1 2.1 2.5 2.1 2.0 2.0 2.3 0.7
ODa-30 2.4 2.5 2.6 2.2 2.2 2.6 2.3 2.1 2.1 2.4 0.7
ODa-60 2.8 2.9 3.1 2.6 2.6 3.1 2.6 2.4 2.5 2.8 0.8
Xa[nm] 625.0 610.8 608.0 597.9 605.8 608.0 620.2 625.2 592.1 588.1 634.2
|Xa-Xb|[nm] 342.1 354.2 377.8 788.2 539.3 377.8 747.9 317.0 362.9 ≧800 276.1
反射率的最大值（300 nm～1200 nm） Rfalla-5 [%] 7.7 7.8 7.7 6.6 6.4 7.7 5.8 7.6 7.6 7.8 7.8
Rfallb-5 [%] 7.7 7.8 7.7 6.6 6.4 7.7 5.8 7.6 7.6 7.8 7.8
[實施例B1] 在實施例B1中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A1相同的順序獲得包含樹脂製基板的基材。在所獲得的基材的兩面按照以下順序形成下述表15所示的設計（III）的抗反射層。首先，利用棒塗機將樹脂組成物（4）（荒川化學公司製造的「奧普斯特（OPSTAR）TU2360」；590 nm的折射率：1.39）塗布於所述基材的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為106.3 nm的方式調整棒塗機的塗布條件。其次，使用輸送機式曝光機進行曝光（曝光量為500 mJ/cm2 、200 mW），使樹脂組成物（4）硬化，而在樹脂製基板上形成抗反射層。同樣地，在樹脂製基板的另一面上也形成包含樹脂組成物（4）的抗反射層，藉此獲得光學濾波器。
[表15]
介電體多層膜 層 膜材料 物理膜厚（nm）
（III） 1 樹脂組成物（4） 106.3
基材
（III） 2 樹脂組成物（4） 106.3
測定自所獲得的光學濾波器的垂直方向及相對於垂直方向為30度及60度的角度的分光透過率、自相對於光學濾波器的垂直方向為5度的角度的分光反射率、以及另一面的自相對於垂直方向為5度的角度的分光反射率，並評價各波長區域中的光學特性。另外，關於所獲得的光學濾波器，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的層數（N）為2，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的各膜厚的和（TN）（μm）為0.2，（N）與（TN）（μm）的積為0.4。將這些結果示於表19中。
[實施例B2] 在實施例B2中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A2相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，使用離子輔助真空蒸鍍裝置，在蒸鍍溫度120℃下形成下述表16所示的設計（IV）的抗反射層[由二氧化矽（SiO2 ：550 nm的折射率1.46）層與二氧化鈦（TiO2 ：550 nm的折射率2.48）層交替層疊而成的介電體多層膜]，藉此獲得光學濾波器。
[表16]
介電體多層膜 層 膜材料 物理膜厚（nm）
（IV） 1 SiO2 94.1
2 TiO2 22.6
3 SiO2 7.1
4 TiO2 89.4
5 SiO2 29.7
6 TiO2 15.2
基材
（IV） 7 TiO2 15.2
8 SiO2 29.7
9 TiO2 89.4
10 SiO2 7.1
11 TiO2 22.6
12 SiO2 94.1
關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。另外，關於所獲得的光學濾波器，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的層數（N）為12，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的各膜厚的和（TN）（μm）為0.5，（N）與（TN）（μm）的積為6.0。將這些結果示於表19中。
[實施例B3] 在實施例B3中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A3相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，使用離子輔助真空蒸鍍裝置，在蒸鍍溫度120℃下形成所述設計（IV）的抗反射層[由二氧化矽（SiO2 ：550 nm的折射率1.46）層與二氧化鈦（TiO2 ：550 nm的折射率2.48）層交替層疊而成的介電體多層膜]，藉此獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[實施例B4] 在實施例B4中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A4相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，與實施例B1同樣地形成所述設計（III）的抗反射層，藉此獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[實施例B5] 在實施例B5中，通過以下的順序及條件來製作在包含玻璃基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A5相同的順序獲得在玻璃基板的單面上具有透明樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，使用離子輔助真空蒸鍍裝置，在蒸鍍溫度120℃下形成下述表17所示的設計（V）的抗反射層[由二氧化矽（SiO2 ：550 nm的折射率1.46）層與二氧化鈦（TiO2 ：550 nm的折射率2.48）層交替層疊而成的介電體多層膜]，藉此獲得光學濾波器。
[表17]
介電體多層膜 層 膜材料 物理膜厚（nm）
（V） 1 SiO2 88.0
2 TiO2 110.5
3 SiO2 33.4
4 TiO2 12.6
基材
（V） 5 TiO2 12.6
6 SiO2 33.4
7 TiO2 110.5
8 SiO2 88.0
關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。另外，關於所獲得的光學濾波器，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的層數（N）為8，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的各膜厚的和（TN）（μm）為0.5，（N）與（TN）（μm）的積為4.0。將這些結果示於表19中。
[實施例B6] 在實施例B6中，通過以下的順序及條件來製作具有包含玻璃基板的基材的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A6相同的順序獲得在玻璃基板的單面上具有透明樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，使用離子輔助真空蒸鍍裝置，在蒸鍍溫度120℃下形成所述設計（V）的抗反射層[由二氧化矽（SiO2 ：550 nm的折射率1.46）層與二氧化鈦（TiO2 ：550 nm的折射率2.48）層交替層疊而成的介電體多層膜]，藉此獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[實施例B7] 在實施例B7中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A7相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，按照與實施例B5相同的順序獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[實施例B8] 在實施例B8中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A8相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，按照與實施例B5相同的順序獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[實施例B9] 在實施例B9中，通過以下的順序及條件來製作在包含樹脂製基板的基材的兩面上具有抗反射層的光學濾波器。
＜光學濾波器的製作＞ 按照與實施例A9相同的順序獲得在樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。在所獲得的基材的兩面上，按照與實施例B5相同的順序獲得光學濾波器。關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。將結果示於表19中。
[比較例B1] 在比較例B1中，通過以下的順序及條件來製作在基材的兩面上具有近紅外線反射層的光學濾波器。
＜樹脂製基板的製作＞ 向容器中加入樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100質量份、作為化合物（A）的所述化合物（a-17）0.08份及所述化合物（b-39）0.11份、以及N,N-二甲基乙醯胺，從而製備樹脂濃度為20質量%的溶液。除了使用所獲得的溶液以外，與實施例A1同樣地獲得厚度0.070 mm、縱200 mm、橫200 mm的樹脂製基板。
＜基材及光學濾波器的製作＞ 利用棒塗機將所述樹脂組成物（3）塗布於所獲得的樹脂製基板的單面，在烘箱中以70℃加熱2分鐘，將溶劑揮發去除。此時，以乾燥後的厚度成為2 μm的方式調整棒塗機的塗布條件，除此以外，與實施例A2同樣地獲得在含有化合物（A）的樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。
在所獲得的基材的兩面上，使用離子輔助真空蒸鍍裝置，在蒸鍍溫度120℃下形成下述表18所示的設計（I）與設計（II）的近紅外線截止層[由二氧化矽（SiO2 ：550 nm的折射率1.46）層與二氧化鈦（TiO2 ：550 nm的折射率2.48）層交替層疊而成的介電體多層膜]，獲得厚度0.079 mm的光學濾波器。
[表18]
介電體多層膜 層 膜材料 物理膜厚（nm）
（I） 1 SiO2 77.2
2 TiO2 87.0
3 SiO2 152.4
4 TiO2 84.7
5 SiO2 147.8
6 TiO2 82.2
7 SiO2 145.8
8 TiO2 81.9
9 SiO2 145.5
10 TiO2 81.8
11 SiO2 145.4
12 TiO2 81.6
13 SiO2 145.6
14 TiO2 82.0
15 SiO2 145.2
16 TiO2 81.5
17 SiO2 145.9
18 TiO2 82.2
19 SiO2 145.3
20 TiO2 82.1
21 SiO2 149.1
22 TiO2 86.1
23 SiO2 155.2
24 TiO2 94.0
25 SiO2 30.8
26 TiO2 10.2
基材
（II） 27 TiO2 11.2
28 SiO2 38.4
29 TiO2 108.9
30 SiO2 183.2
31 TiO2 105.1
32 SiO2 187.2
33 TiO2 107.5
34 SiO2 188.8
35 TiO2 106.7
36 SiO2 189.2
37 TiO2 107.5
38 SiO2 189.3
39 TiO2 106.8
40 SiO2 189.1
41 TiO2 106.8
42 SiO2 187.8
43 TiO2 105.7
44 SiO2 183.8
45 TiO2 103.1
46 SiO2 91.8
關於所獲得的光學濾波器，進行與實施例B1相同的評價。另外，關於所獲得的光學濾波器，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的層數（N）為46，層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層的各膜厚的和（TN）（μm）為5.3，（N）與（TN）（μm）的積為243.8。將這些結果示於表19中。
[表19]
  實施例B1 實施例B2 實施例B3 實施例B4 實施例B5 實施例B6 實施例B7 實施例B8 實施例B9 比較例B1
基材 組成[質量份] 透明樹脂 樹脂A 100 - - - - - - - - 100
樹脂B - 100 100 100 100 100 100 100 100 -
近紫外線吸收劑 u-1 0.07 - - - 5.00 - - - - -
u-2 - 0.20 0.30 0.30 - 7.50 - - - -
化合物（A） a-17 0.03 0.03 0.04 0.06 - 1.00 0.05 - 0.06 0.08
b-39 0.07 - 0.04 0.07 2.50 0.88 0.05 - 0.08 0.11
a-20 - - - - 2.50 - - - - -
a-47 0.04 - - - 2.50 - - 0.21 - -
c-93 - 0.10 0.14 0.20 - 3.50 - - - -
a-89 0.15 0.10 - - - - 0.10 0.05 - -
c-35 - 0.30 0.27 0.20 5.00 6.75 - - - -
a-63 0.05 - - - 5.00 - 0.10 0.05 0.22 -
a-74 0.05 - - - - - 0.05 0.06 0.10 -
c-27 0.03 - 0.11 - 2.50 2.75 - - - -
化合物（B） B-1 - - - 0.33 - - 0.30 - - -
玻璃基板 - - - - （1） （4） - - - -
樹脂組成物 - （3） （3） （3） （2） （2） （3） （3） （3） （3）
光學濾波器 層疊於基材的膜厚0.5 μm以下的層 層數（N） 2 12 12 2 8 8 8 8 8 46
各膜厚的和（TN）[μm] 0.2 0.5 0.5 0.2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 5.3
（N）與（TN）的積 0.4 6 6 0.4 4 4 4 4 4 243.8
厚度[μm] 100.2 108.5 104.5 104.2 83.3 105.3 104.5 104.5 104.5 79.3
反射率的平均值（420 nm～900 nm） Rfa-5 [%] 2.0 2.5 2.5 2.1 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 42.9
Rfb-5 [%] 2.0 2.5 2.5 2.1 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 24.4
光學特性 Ta-0 [%] 58.4 72.5 75.4 66.8 73.8 75.4 51.6 60.8 46.8 87.4
Ta-30 [%] 56.8 70.8 73.8 65.5 72.2 73.8 49.4 58.8 44.5 86.3
Ta-60 [%] 48.9 61.0 64.0 57.6 62.4 64.0 40.4 49.3 35.9 67.7
R透過率[%] 55.6 49.7 47.5 38.7 45.1 47.5 51.7 58.9 47.0 66.2
G透過率[%] 62.3 74.1 78.8 71.6 76.8 78.8 56.7 65.7 51.8 87.7
B透過率[%] 53.1 67.6 69.0 58.5 68.3 69.0 44.8 55.7 40.4 85.8
ODa-0 2.2 2.3 2.5 2.1 2.1 2.5 2.1 2.0 2.0 2.9
ODa-30 2.4 2.5 2.7 2.2 2.2 2.7 2.3 2.1 2.1 2.9
ODa-60 2.7 2.9 3.2 2.6 2.6 3.2 2.7 2.6 2.5 0.1
Xa[nm] 625.0 610.8 608.0 597.9 605.8 608.0 620.2 625.2 592.1 638.5
|Xa-Xb|[nm] 342.1 354.2 377.8 788.2 539.3 377.8 747.9 317.0 362.9 ≧600
反射率的最大值（300 nm～1200 nm） Rfalla-5 [%] 5.3 40.0 39.6 4.7 39.5 39.6 39.5 39.6 39.5 99.7
Rfallb-5 [%] 5.3 40.0 39.6 4.7 39.5 39.6 39.5 39.6 39.5 99.7
所述表14及表19中的基材的構成、各種化合物等的記號如下所述。
＜玻璃基板＞ 玻璃基板（1）：近紅外線吸收玻璃基板「BS-11」（松浪硝子工業（股）製造） 玻璃基板（4）：極薄玻璃膜「OA-10G」（日本電氣硝子股份有限公司製造） 玻璃基板（X）：透明玻璃基板（參照日本專利6267823號公報[0075]～[0078]）
＜樹脂組成物＞ 樹脂組成物（2）：異三聚氰酸環氧乙烷改質三丙烯酸酯（商品名：亞羅尼斯（Aronix）M-315，東亞合成化學（股）製造）30質量份、1,9-壬二醇二丙烯酸酯20質量份、甲基丙烯酸20質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯30質量份、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷5質量份、1-羥基環己基二苯甲酮（商品名：豔佳固（IRGACURE）184，汽巴精化（股）製造）5質量份及桑艾德（San-Aid）SI-110主劑（三新化學工業（股）製造）1質量份、丙二醇單甲醚乙酸酯（溶劑、固體成分濃度（TSC）50%） 樹脂組成物（3）：三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯60質量份、二季戊四醇六丙烯酸酯40質量份、1-羥基環己基苯基酮5質量份、甲基乙基酮（溶劑，固體成分濃度（TSC）：30%） 樹脂組成物（4）：奧普斯特（OPSTAR）TU2360（荒川化學公司製造） 樹脂組成物（X）：含磷酸銅的樹脂組成物（參照日本專利6267823號公報[0075]～[0078]）
＜光吸收劑＞ 《近紫外線吸收劑》 化合物（u-1）：東方化學工業（Orient Chemical Industries）公司製造的光吸收劑「UA-3912」（二氯甲烷中的最大吸收波長389 nm） 化合物（u-2）：川崎化成公司製造的光吸收劑「UVS-581」（二氯甲烷中的最大吸收波長367 nm）
《化合物（A）》 化合物（a-17）：（二氯甲烷中的最大吸收波長713 nm） 化合物（b-39）：（二氯甲烷中的最大吸收波長736 nm） 化合物（a-20）：（二氯甲烷中的最大吸收波長704 nm） 化合物（a-47）：（二氯甲烷中的最大吸收波長776 nm） 化合物（c-93）：（二氯甲烷中的最大吸收波長770 nm） 化合物（a-63）：（二氯甲烷中的最大吸收波長868 nm） 化合物（a-89）：（二氯甲烷中的最大吸收波長822 nm） 化合物（c-35）：（二氯甲烷中的最大吸收波長870 nm） 化合物（a-74）：（二氯甲烷中的最大吸收波長933 nm） 化合物（c-27）：（二氯甲烷中的最大吸收波長933 nm）
[表20]
溶解於二氯甲烷而測定的吸收特性 化合物（A）
c-35 a-63 a-74 c-27
λmax 870 868 886 933
ελmax-10 nm 0.96 0.77 0.87 0.83
ελmax+10 nm 0.99 0.86 0.94 0.91
ε430-580ave 0.019 0.010 0.028 0.009
《化合物（B）》 化合物（B-1）：日本卡利特（Carlit）公司製造的光吸收劑「CIR-RL」（二氯甲烷中的最大吸收波長1095 nm）
1、1'、1'':光 2:光學濾波器 3:分光光度計 11:反射光
圖1是表示自相對於光學濾波器的面垂直的方向、傾斜30度的方向及傾斜60度的方向測定透過光譜的構成的圖。 圖2是表示對自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率進行測定的方法的例子的概略圖。

Claims (9)

  1. 一種光學濾波器，其特徵在於：滿足下述條件a～條件d： 條件a：波長700 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的光學密度的最小值為2.0以上； 條件b：波長430 nm～580 nm的區域中，自與光學濾波器的面垂直的方向入射的光的透過率的平均值為40%以上； 條件c：波長420 nm～900 nm的區域中，相對於自與光學濾波器的面垂直的方向成5度的角度入射的光的反射率的平均值為20%以下； 條件d：包含含有至少三種在波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中具有最大吸收的化合物（A）的層。
  2. 如請求項1所述的光學濾波器，其進而滿足下述條件e： 條件e：具有包含所述條件d中記載的層的基材、以及在所述基材的至少單面上的介電體多層膜，在構成所述介電體多層膜的層中厚度為0.5 μm以下的層的層數N、與厚度為0.5 μm以下的各層的厚度的和TN的積，即N×TN為150以下，所述TN的單位為μm。
  3. 如請求項1或請求項2所述的光學濾波器，其厚度為160 μm以下。
  4. 如請求項1或請求項2所述的光學濾波器，其中，作為所述化合物（A）的至少一種溶解於二氯甲烷而測定的吸收特性，滿足下述條件f及條件g： 條件f：波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸收波長λmax為波長850 nm以上且935 nm以下； 條件g：將波長650 nm以上且未滿950 nm的區域中的最大吸光係數ελmax 標準化為1時，滿足下述條件g-1、條件g-2及條件g-3： 條件g-1：波長（λmax-10）nm下的吸光係數ελmax-10 為0.80以上， 條件g-2：波長（λmax+10）nm下的吸光係數ελmax+10 為0.80以上， 條件g-3：波長430 nm以上且580 nm以下的區域中的吸光係數的平均值ε430-580ave 為0.03以下。
  5. 如請求項1或請求項2所述的光學濾波器，其中，所述化合物（A）包含選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、二亞銨系化合物、金屬二硫醇鹽系化合物及吡咯並吡咯系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
  6. 如請求項1或請求項2所述的光學濾波器，其中，含有所述化合物（A）的層為包含選自由環狀聚烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、茀聚碳酸酯系樹脂、茀聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、芳族聚醯胺系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改質）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、脂環環氧熱硬化型樹脂、聚醚醚酮系樹脂、聚芳酯系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂、乙烯基系紫外線硬化型樹脂、及通過溶膠凝膠法形成的將二氧化矽作為主成分的樹脂所組成的群組中的至少一種樹脂的樹脂層。
  7. 如請求項2所述的光學濾波器，其中，所述基材包含含有銅成分的氟磷酸鹽系玻璃層或包含磷酸鹽系玻璃層的基板。
  8. 一種攝像裝置，其特徵在於：包含如請求項1至請求項7中任一項所述的光學濾波器。
  9. 一種照相機模塊，其特徵在於：包含如請求項1至請求項7中任一項所述的光學濾波器。
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