TW202033753A - 液晶組成物及液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明所欲解決的課題在於提供一種含有下述聚合性化合物之液晶組成物、及使用有其之液晶顯示元件，該聚合性化合物其聚合速度夠快，且使用有其之元件沒有因預傾角之變化所導致之顯示不良、或是顯示不良極少，可用於製造具有足夠之預傾角、且應答性能優異之PSA型或PSVA型液晶顯示元件。 提供一種液晶組成物，其含有1種或2種以上通式（I）所表示之聚合性化合物，同時，提供一種使用有其等之液晶顯示元件。

Description

液晶組成物及液晶顯示元件
本發明係關於一種聚合性化合物、含有聚合性化合物之液晶組成物、及使用有其之液晶顯示元件。
PSA（Polymer Sustained Alignment）型液晶顯示元件係為了控制液晶分子之預傾角而具有單元內形成有聚合物之結構者，因為高速應答性或高對比度，因此被實用作為液晶顯示元件。
PSA型液晶顯示元件之製造係藉由以下方式來進行，即，將含有液晶性化合物及聚合性化合物之聚合性組成物注入基板間，於施加電壓而使液晶分子配向之狀態下，使聚合性化合物聚合，從而固定液晶分子之配向。作為此PSA型液晶顯示元件之顯示不良（即，殘影）之原因，已知有因雜質所導致者，及液晶分子之配向的變化（預傾角之變化）。
由液晶分子之預傾角變化所引起的殘影係：於構成顯示元件之情形，在長時間連續顯示相同圖案時，聚合物的結構產生變化，其結果，預傾角發生變化。因此，下述聚合性化合物變得必要，該聚合性化合物形成帶有聚合物結構不會產生變化之剛直結構的聚合物。
以往，為了藉由使聚合物之剛直性提高來防止殘影，在專利文獻1中揭示有「使用具有作為環結構之雙酚結構的聚合性化合物來構成顯示元件者」，於專利文獻2中揭示有「使用具有作為環結構之三苯結構的聚合性化合物來構成顯示元件者」。
如同上述專利文獻1或上述專利文獻2之實施例所示，以往進行有以下嘗試，即：藉由使用如下具備雙酚骨架之化合物（A）或具備三苯骨架之化合物（B），來改善因預傾角的變化所引起之殘影。
Figure 02_image001
近年來，於液晶元件之製造中，以提高生產效率為目的，要求聚合速度適度地快速之液晶組成物。然而，含有化合物（A）或化合物（B）之液晶組成物由於聚合速度不夠，因此要求有所改善。又，以往之聚合性化合物亦被要求要進一步改善賦予預傾角及溶解性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：WO2010／084823 專利文獻2：日本特開2012－241125號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明所欲解決的課題在於提供一種聚合性化合物、及使用有該聚合性化合物之液晶組成物及液晶顯示元件，該聚合性化合物其聚合速度夠快、且能以更短的紫外線照射時間來形成預傾角。又，本發明所欲解決的課題在於提供一種液晶組成物，其含有用以製造「沒有因預傾角之變化所導致之顯示不良、或是顯示不良極少，具有足夠之預傾角，且應答性能優異之PSA型或PSVA型液晶顯示元件」的聚合性化合物，及本發明提供一種使用有上述液晶組成物之液晶顯示元件。 [用以解決課題之手段]
本發明人等進行潛心研究之結果，發現藉由含有具有特定化學結構之聚合性化合物的液晶組成物，可解決上述課題，從而完成本案發明。 [發明之效果]
含有本發明之聚合性化合物之液晶組成物係下述液晶組成物，即：不會使折射率異向性（Δn）及向列相－等向性液相轉移溫度（Tni）下降、顯示低黏度（η）、低旋轉黏性（γ1）、及高彈性常數（K33），聚合性化合物之聚合速度和預傾角之形成夠快，沒有聚合性化合物之析出。又，使用有本發明之液晶組成物的液晶顯示元件可充分得到預傾角，聚合性化合物之殘留量少，顯示高電壓保持率（VHR）及高速應答，不會有配向不良或殘影等顯示不良，或是配向不良或殘影等顯示不良被抑制，顯示優異的顯示品質。
本發明之液晶組成物藉由使用特定之聚合性化合物，可抑制預傾角及聚合性化合物之殘留量，藉由使用於製造的能量耗費最適化並削減用於製造的能量耗費，而可輕易地提高生產效率。因此，本發明之液晶組成物及使用有其之液晶顯示元件非常有用。
本發明之液晶組成物係含有1種或2種以上通式（I）所表示之聚合性化合物之液晶組成物。
Figure 02_image003
（式中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基、或式（i－Z）所表示之基。
Figure 02_image005
於Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 或Xi7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基， Mi1 及Mi2 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中之基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、萘－1,4－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數1～8之鹵化烷基、碳原子數1～8之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或－Si3 －Pi3 取代， Li1 及Li2 分別獨立地表示單鍵、－C2 H4 －、－C3 H6 －、－C4 H8 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CH＝CRa－COO－、－CH＝CRa－OCO－、－COO－CRa＝CH－、－OCO－CRa＝CH－、－COO－CRa＝CH－COO－、－COO－CRa＝CH－OCO－、－OCO－CRa＝CH－COO－、－OCO－CRa＝CH－OCO－、－CH2 OCO－、－COOCH2 －、－OCOCH2 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基）， Zi1 表示鹵素原子、氰基、硝基、－Si2 －Pi2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Si1 、Si2 及Si3 分別獨立地表示單鍵或碳原子數1～15之伸烷基，該伸烷基中之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－、－OCOO－或－S－取代， Pi1 、Pi2 及Pi3 分別獨立地表示選自式（R－1）至式（R－9）中之基。
Figure 02_image007
（式中，R11 、R12 、R13 、R14 及R15 分別獨立地表示碳原子數1至5之烷基、氟原子或氫原子中之任一者，mr5 、mr7 、nr5 及nr7 分別獨立地表示0、1、或2）， mi1 表示0、1或2，mi2 表示0、1或2， 於存在複數個Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Zi1 、Si2 、Si3 、Pi2 、或Pi3 之情形時，分別可相同或亦可不同）。
含有通式（I）所表示之聚合性化合物之液晶組成物其聚合速度適度地快速，且能以短紫外線照射時間來賦予所欲之預傾角。進一步，若聚合速度適度地快，則可使聚合性化合物之殘留量變少。因此，可提高製造PSA型液晶顯示元件之生產效率。又，達成不會產生預傾角之變化所導致之顯示不良（例如，殘影等之不良情形），或是上述顯示不良極少等效果。再者，本說明書中之顯示不良係考慮了：聚合後之預傾角隨時間變化所導致之顯示不良、未反應之聚合性化合物之殘留量所引起之顯示不良、電壓保持率下降所導致之顯示不良。 （聚合性化合物） 通式（I）所表示之化合物包含Xi6 鍵結於與Xi7 相鄰之位置的通式（ia）所表示之化合物（Xi6 取代萘之2位的情形）、及Xi6 鍵結於與Xi5 相鄰之位置之通式（ib）所表示之化合物（Xi6 取代萘之1位的情形）。
Figure 02_image009
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 較佳為分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、亦可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷基、亦可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷氧基、或式（i－Z）所表示之基。
Figure 02_image005
上述烷基及烷氧基的較佳碳原子數為1～6，更佳為1～4，再更佳為1～3。又，上述烷基及烷氧基亦可為直鏈狀或支鏈狀，但尤佳為直鏈狀。Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 更佳為分別獨立地表示氫原子、氟原子、亦可被氟原子取代之碳原子數1至3之烷基、或式（i－Z）中之任一者，更佳為表示氫原子、亦可被氟原子取代之碳原子數1至3之烷基、或式（i－Z）。
作為上述亦可被氟原子取代之碳原子數1至8之烷基，較佳為直鏈狀烷基，可列舉甲基、乙基、丙基或丁基、或者該等基之氫原子被氟原子取代之氟化烷基等，當中，較佳為甲基、乙基、丙基、單氟甲基、二氟甲基、三氟甲基，再更佳為甲基或乙基，尤佳為甲基。從電子共軛之觀點、及因為一旦碳原子數增加則取代基的數量變多，就會變得容易引起聚合速度及聚合度下降，尤佳為甲基。
此處，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基。更佳為Xi1 、Xi2 、Xi3 及Xi7 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基，再更佳為Xi1 及Xi2 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基。特別是，於Zi1 表示－Si2 －Pi2 之情形時，Xi1 及Xi2 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基為佳。 於Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之2個以上之基表示式（i－Z）所表示之基之情形時，較佳為：存在複數個之mi2 中的一個而已表示0、1或2，其他的mi2 表示0。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中表示氫原子以外之基的基之數量，較佳為1以上且3以下，更佳為1或2，尤佳為1。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之具有－Si2 －Pi2 之基的數量較佳為0、1、2或3，更佳為1或2，尤佳為1。又，於上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，具有－Si2 －Pi2 之基的數量、及具有－Si3 －Pi3 之基的數量之合計數量較佳為0、1、2或3，更佳為1或2，尤佳為1。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Mi1 及Mi2 分別獨立地表示選自下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中之基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、鹵素、氰基、硝基或Pi3 －Si3 －取代，較佳為表示下述結構。
Figure 02_image011
（式中，Rim1 及Rim2 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、氟原子或Pi3 －Si3 －）。 更佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基、3－甲基－1,4－伸苯基、2－甲氧基－1,4－伸苯基、3－甲氧基－1,4－伸苯基、2－氟基－1,4－伸苯基、3－氟基－1,4－伸苯基或萘－2,6－二基，更佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基、3－甲基－1,4－伸苯基、2－氟基－1,4－伸苯基、或3－氟基－1,4－伸苯基，再更佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基或2－氟基－1,4－伸苯基，尤佳為1,4－伸苯基。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Li1 及Li2 分別獨立，表示單鍵、－C2 H4 －、－C3 H6 －、－C4 H8 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CH＝CRa－COO－、－CH＝CRa－OCO－、－COO－CRa＝CH－、－OCO－CRa＝CH－、－COO－CRa＝CH－COO－、－COO－CRa＝CH－OCO－、－OCO－CRa＝CH－COO－、－OCO－CRa＝CH－OCO－、－CH2 OCO－、－COOCH2 －、－OCOCH2 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基），較佳為表示單鍵、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CH＝CHCOO－、－OCOCH＝CH－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數1～10之伸烷基，更佳為表示單鍵、－COO－、－OCO－、－CH＝CHCOO－、－OCOCH＝CH－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數1～6之直鏈狀或支鏈狀伸烷基，再更佳為表示單鍵、－COO－、－OCO－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數2之伸烷基（伸乙基（－CH2 CH2 －）），尤佳為單鍵。 上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，mi1 及mi2 分別獨立，表示0、1或2，尤佳為表示0或1。mi1 +mi2 較佳為表示0、1或2。為了以短紫外線照射時間即可具有充分的預傾角、使聚合性化合物之殘留量減少，mi1 +mi2 較佳為表示0或1，更佳為表示1。又，於和通式（I）、通式（ia）及通式（ib）所表示之化合物以外的聚合性化合物混合使用之情形時，為了使聚合性化合物之殘留量少、得到高電壓保持率（VHR），mi1 +mi2 較佳為表示0或1。 上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Pi1 、Pi2 及Pi3 可全部都是相同聚合性基（式（R－1）～（R－9）），亦可為不同聚合性基。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Pi1 、Pi2 及Pi3 分別獨立，較佳為式（R－1）、式（R－2）、式（R－3）、式（R－4）、式（R－5）或式（R－7），更佳為式（R－1）、式（R－2）、式（R－3）或式（R－4），再更佳為式（R－1），尤佳為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。
較佳為Pi1 及Pi2 之至少一者為式（R－1），更佳為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基，再更佳為甲基丙烯醯氧基，尤佳為Pi1 及Pi2 為甲基丙烯醯氧基。
R11 、R12 、R13 、R14 及R15 較佳為分別獨立地為甲基或氫原子，於重視聚合性化合物之聚合速度的情形時，較佳為氫原子，於重視降低預傾角之變化所導致之顯示不良之情形時，較佳為甲基。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Si1 、Si2 及Si3 分別獨立，較佳為表示單鍵或碳原子數1～10之直鏈狀伸烷基，更佳為表示碳原子數2～8之直鏈狀伸烷基或單鍵。該烷基之－CH2 －亦可被－CH＝CH－、－O－、－COO－、或－OCO－取代，－CH2 －之氫亦可被氟取代。Si1 、Si2 及Si3 更佳為單鍵或碳原子數1～5之伸烷基，尤佳為單鍵。於Si1 、Si2 及Si3 為單鍵之情形時，紫外線照射後之聚合性化合物的殘留量夠少，預傾角之變化所導致之顯示不良變得難以產生。
上述通式（I）、通式（ia）及通式（ib）中，Zi1 表示氰基、硝基、－Si2 －Pi2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中之－CH2 －亦可被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－COO－、－OCO－或－OCOO－取代，但較佳為－O－不連續且表示－Si2 －Pi2 、碳原子數1～8之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之－CH2 －較佳為表示亦可被－CH＝CH－、－O－、－OCO－取代（惟，－O－不連續）之基。從提高液晶顯示元件之可靠性之觀點而言，Zi1 尤佳為表示－Si2 －Pi2 、碳原子數2～6之烷基、烷氧基。 又，上述通式（I）所表示之化合物較佳以通式（I－Np）表示。
Figure 02_image013
（式中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基或式（i－Z）所表示之基。
Figure 02_image005
於Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 或Xi7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，惟，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基， Mi1 、Mi2 及Mi3 分別獨立地表示選自下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中之基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上之－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、萘－1,4－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數1～8之鹵化烷基、碳原子數1～8之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或－Si3 －Pi3 取代， Li1 及Li2 分別獨立地表示單鍵、－C2 H4 －、－C3 H6 －、－C4 H8 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CH＝CRa－COO－、－CH＝CRa－OCO－、－COO－CRa＝CH－、－OCO－CRa＝CH－、－COO－CRa＝CH－COO－、－COO－CRa＝CH－OCO－、－OCO－CRa＝CH－COO－、－OCO－CRa＝CH－OCO－、－CH2 OCO－、－COOCH2 －、－OCOCH2 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基）， Zi1 表示鹵素原子、氰基、硝基、－Si2 －Pi2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Si1 表示單鍵， Si2 及Si3 分別獨立地表示單鍵或碳原子數1～15之伸烷基，該伸烷基中之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－、－OCOO－或－S－取代， Pi1 、Pi2 及Pi3 分別獨立地表示選自式（R－1）至式（R－9）之基。
Figure 02_image007
（式中，R11 、R12 、R13 、R14 及R15 分別獨立地表示碳原子數1至5之烷基、氟原子或氫原子之任一者，mr5 、mr7 、nr5 及nr7 分別獨立地表示0、1、或2）， qi1 表示0或1，mi2 表示0、1或2， 於存在複數個Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Zi1 、Si2 、Si3 、Pi2 、或Pi3 之情形時，分別可相同或亦可不同， 通式（I－Np）中所含之Pi1 、Pi2 及Pi3 數之合計數量為2或3）。 上述通式（I－Np）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 較佳為分別獨立地為氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷基、可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷氧基、或式（i－Z）所表示之基。
Figure 02_image005
上述烷基及烷氧基之較佳碳原子數為1～6，更佳為1～4，再更佳為1～3。又，上述烷基及烷氧基可為直鏈狀或支鏈狀，尤佳為直鏈狀。Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 更佳為分別獨立地表示氫原子、氟原子、可被氟原子取代之碳原子數1至3之烷基或式（i－Z）之任一者，再更佳為表示氫原子、可被氟原子取代之碳原子數1至3之烷基或式（i－Z）。
作為可被上述氟原子取代之碳原子數1至8之烷基，較佳為直鏈狀烷基，可列舉甲基、乙基、丙基或丁基或此等基之氫原子被氟原子取代之氟化烷基等，當中，較佳為甲基、乙基、丙基、單氟甲基、二氟甲基、三氟甲基，再更佳為甲基或乙基，尤佳為甲基。從電子共軛之觀點、及每次碳原子數增加時取代基數量變多，變得容易引起聚合速度及聚合度降低，因此尤佳為甲基。
此處，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 之至少一者表示式（i－Z）所表示之基。更佳為，Xi1 、Xi2 、Xi3 及Xi7 之至少一者表示式（i－Z）所表示之基為佳，Xi1 及Xi2 之至少一者表示式（i－Z）所表示之基更佳。特別是，於Zi1 表示－Si2 －Pi2 之情形時，Xi1 及Xi2 之至少一者表示式（i－Z）所表示之基為佳。 於Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 之2個以上之基表示式（i－Z）所表示之基之情形時，存在複數個之mi2 中之只有一個表示0、1或2，其他的mi2 表示0為佳。
於上述通式（I－Np）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之表示氫原子以外之基的數量較佳為1以上3以下，更佳為1或2，尤佳為1。
於上述通式（I－Np）中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之具有－Si2 －Pi2 之基的數量較佳為0、1、2或3，更佳為1或2，尤佳為1。又，上述通式（I－Np）中，Pi1 、Pi2 及Pi3 之數量的合計數量較佳為2或3，尤佳為2。於Pi1 、Pi2 及Pi3 之數量的合計數量為1以下之情形時，因為會產生預傾角之變化所導致之顯示不良，因此不佳。又，Pi1 、Pi2 及Pi3 之數量的合計數量為4以上之情形時，由於對液晶組成物之溶解性降低、變得無法添加充分量的聚合性化合物，因此不佳。
上述通式（I－Np）中，Mi1 、Mi2 及Mi3 分別獨立地表示選自下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中之基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上之－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝亦可被－N＝取代）， 於上述之基（a）、基（b）及基（c）中，亦可分別獨立地被碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、鹵素、氰基、硝基或Pi3 －Si3 －取代之結構較佳，更佳為選自上述之基（b）及基（c）所組成之群中之基、且亦可分別獨立地被碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基、鹵素或Pi3 －Si3 －取代之結構，當中，再更佳為表示下述結構。
Figure 02_image011
（式中，Rim1 及Rim2 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、氟原子或Pi3 －Si3 －）。 更佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基、3－甲基－1,4－伸苯基、2－甲氧基－1,4－伸苯基、3－甲氧基－1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基或萘－2,6－二基，再更佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基、3－甲基－1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、或3－氟－1,4－伸苯基，尤佳為1,4－伸苯基、2－甲基－1,4－伸苯基或2－氟－1,4－伸苯基，特佳為1,4－伸苯基。特別是，於Mi3 為上述較佳之基、尤其是芳香族之情形時，Mi3 與萘環形成共軛結構，因此聚合性化合物之吸收波長會朝長波長區域擴展，聚合速度變快，因而可減少聚合性化合物之殘留量。
於上述通式（I－Np）中，Li1 及Li2 分別獨立，表示單鍵、－C2 H4 －、－C3 H6 －、－C4 H8 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CH＝CRa－COO－、－CH＝CRa－OCO－、－COO－CRa＝CH－、－OCO－CRa＝CH－、－COO－CRa＝CH－COO－、－COO－CRa＝CH－OCO－、－OCO－CRa＝CH－COO－、－OCO－CRa＝CH－OCO－、－CH2 OCO－、－COOCH2 －、－OCOCH2 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基），較佳為表示單鍵、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CH＝CHCOO－、－OCOCH＝CH－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數1～10之伸烷基，更佳為表示單鍵、－COO－、－OCO－、－CH＝CHCOO－、－OCOCH＝CH－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數1～6之直鏈狀或支鏈狀伸烷基，再更佳為表示單鍵、－COO－、－OCO－、－OCH2 CH2 O－、－CH2 O－、－OCH2 －、－C2 H4 COO－、－OCOC2 H4 －或碳原子數2之伸烷基（伸乙基（－CH2 CH2 －）），尤佳為單鍵。 於上述通式（I－Np）中，qi1 表示0或1，較佳為表示0。mi2 分別獨立，較佳為表示0、1或2，較佳為表示0或1，尤佳為表示1。qi1 +mi2 較佳為表示0、1或2。為了以短紫外線照射時間即可具有充分的預傾角、減少聚合性化合物之殘留量，較佳為qi1 +mi2 表示0或1，更佳為表示1。又，於混合通式（I－Np）所表示之化合物以外之聚合性化合物來使用之情形時，為了減少聚合性化合物之殘留量、獲得高電壓保持率（VHR），較佳為qi1 +mi2 表示0或1。 於上述通式（I－Np）中，Pi1 、Pi2 及Pi3 表示選自由式（R－1）～（R－9）所組成之群中之聚合性基。Pi1 、Pi2 及Pi3 可全部為相同聚合性基，亦可為不同聚合性基。
於上述通式（I－Np）中，Pi1 、Pi2 及Pi3 分別獨立，較佳為式（R－1）、式（R－2）、式（R－3）、式（R－4）、式（R－5）或式（R－7），更佳為式（R－1）、式（R－2）、式（R－3）或式（R－4），再更佳為式（R－1），尤佳為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。
Pi1 及Pi2 之至少一者為式（R－1）較佳，為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基更佳，再更佳為Pi1 及Pi2 兩者為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基，尤佳為Pi1 及Pi2 兩者為甲基丙烯醯氧基，或是Pi1 及Pi2 之一者為丙烯醯氧基、另一者為甲基丙烯醯氧基。
於上述式（R－1）～（R－9）中，R11 、R12 、R13 、R14 及R15 分別獨立，較佳為甲基或氫原子，於重視聚合性化合物之聚合速度之情形時，較佳為氫原子，於重視減少預傾角之變化所導致之顯示不良之情形時，較佳為甲基。
於上述通式（I－Np）中，由於Si1 表示單鍵，因此Mi3 與萘環直接鍵結，可更有效地形成共軛結構，因此使聚合性化合物之吸收波長朝長波長領域擴展，可提高聚合速度而減少聚合性化合物之殘留量。 於上述通式（I－Np）中，Si2 及Si3 分別獨立，較佳為表示單鍵或碳原子數1～10之直鏈狀伸烷基，更佳為表示碳原子數2～8之直鏈狀伸烷基或單鍵。該烷基之－CH2 －可被－CH＝CH－、－O－、－COO－、或－OCO－取代，－CH2 －之氫可被氟取代。更佳為Si2 及Si3 為單鍵或碳原子數1～5之伸烷基，尤佳為單鍵。於Si2 及Si3 為單鍵之情形時，紫外線照射後之聚合性化合物的殘留量夠少、變得難以產生預傾角之變化所導致之顯示不良。
於上述通式（I－Np）中，Zi1 較佳為表示氰基、硝基、－Si2 －Pi2 或碳原子數1～8之烷基、該烷基中之－CH2 －可被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－COO－、－OCO－或－OCOO－取代但－O－不連續，較佳為表示－Si2 －Pi2 、碳原子數1～8之直鏈或支鏈之烷基、該烷基中之－CH2 －表示可被－CH＝CH－、－O－、－OCO－取代（惟，－O－不連續）之基。從提高液晶顯示元件之可靠性之觀點而言，Zi1 較佳為表示－Si2 －Pi2 、碳原子數2～6之烷基、烷氧基，尤佳為表示－Si2 －Pi2 。 又，上述通式（I－Np）所表示之化合物較佳為以通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）表示。
Figure 02_image015
（式中，Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 、Pin1 、Pin2 及qin1 分別表示與通式（I－Np）中之Mi1 、Mi3 、Li1 、Si1 、Si2 、Pi1 、Pi2 及qi1 相同含義， Xin1 、Xin2 、Xin3 、Xin4 、Xin5 、Xin6 及Xin7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷基或式（i－nZ）所表示之基。
Figure 02_image017
於Xin1 、Xin2 、Xin3 、Xin4 、Xin5 、Xin6 或Xin7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Min2 及Min4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之Mi2 相同含義， Lin2 及Lin4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之Li2 相同含義， min2 及min4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之mi2 相同含義， Zin2 表示鹵素原子、氰基、硝基、－Sin4 －Pin4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，Sin4 及Pin4 分別表示與式（i－Z）中之Si2 及Pi2 相同含義， 於存在複數個Min1 、Min2 、Min4 、Lin1 、Lin2 、Lin4 、min4 、Zin2 、Sin4 及Pin4 之情形時，分別可相同或亦可不同， 其中，通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）中所含之Pin1 、Pin2 及Pin4 數量之合計數量為2或3）。 於上述通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）中，Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 、Pin1 、Pin2 及qin1 之較佳結構分別與上述通式（I－Np）中之Mi1 、Mi3 、Li1 、Si1 、Si2 、Pi1 、Pi2 及qi1 中之較佳結構一樣。於上述通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）中，Xin1 、Xin2 、Xin3 、Xin4 、Xin5 、Xin6 及Xin7 之較佳結構分別與上述通式（I－Np）中之Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之較佳結構相同。於上述通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）中，Min2 、Lin2 及min2 之較佳結構分別與上述式（i－Z）中之Mi2 、Li2 及mi2 中之較佳結構相同。於上述式（i－nZ）中，Min4 、Lin4 及min4 之較佳結構分別與上述式（i－Z）中之Mi2 、Li2 及mi2 中之較佳結構相同。於上述式（i－nZ）中，Zin2 之較佳結構分別與上述式（i－Z）中之Zi2 中之較佳結構相同。於上述式（i－nZ）中，Sin4 及Pin4 之較佳結構分別與上述式（i－Z）中之Si2 及Pi2 中之較佳結構相同。
上述通式（I）所表示之化合物較佳為以通式（ia－1）、通式（ib－1）、通式（ia－2）、通式（ib－2）、通式（ia－3）、通式（ib－3）、通式（ia－4）及通式（ib－4）表示。
Figure 02_image019
（式中，Xia1 、Xia2 、Xia3 、Xia4 、Xia5 、Xia6 、Xia7 、Xib1 、Xib2 、Xib3 、Xib4 、Xib5 、Xib6 及Xib7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、－Si4 －Pi4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Pi1 、Pi2 、Si1 及Si2 分別表示與通式（I）中之Pi1 、Pi2 、Si1 及Si2 相同含義，Si4 及Pi4 分別表示與通式（I）中之Si2 及Pi2 相同含義）。
Figure 02_image021
（式中，Xia1 、Xia2 、Xia3 、Xia4 、Xia5 、Xia6 、Xia7 、Xib1 、Xib2 、Xib3 、Xib4 、Xib5 、Xib6 及Xib7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、－Si4 －Pi4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Pi1 、Si1 及Zi1 分別表示與通式（I）中之Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Pi1 、Si1 及Zi1 相同含義，Si4 及Pi4 分別表示與通式（I）中之Si2 及Pi2 相同含義， mia1 及mib1 表示0、1或2，mia2 及mib2 表示0、1或2，惟，表示mia1 +mia2 ≧1，且表示mib1 +mib2 ≧1）。 通式（ia－1）、通式（ib－1）、通式（ia－2）、通式（ib－2）、通式（ia－3）、通式（ib－3）、通式（ia－4）或通式（ib－4）中，Xia1 、Xia2 、Xia3 、Xia4 、Xia5 、Xia6 、Xia7 、Xib1 、Xib2 、Xib3 、Xib4 、Xib5 、Xib6 及Xib7 較佳為分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、亦可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷基、亦可被氟原子取代之碳原子數1～8之烷氧基或－Si4 －Pi4 。
於通式（ia－3）、通式（ib－3）、通式（ia－4）或通式（ib－4）中之Zi1 表示－Si2 －Pi2 以外之基之情形時，較佳為Xia1 、Xia2 、Xia3 、Xia4 、Xia5 、Xia6 、Xia7 、Xib1 、Xib2 、Xib3 、Xib4 、Xib5 、Xib6 及Xib7 中之任一個以上之基表示－Si4 －Pi4 。再者，Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Pi1 、Si1 、Zi1 、Si4 及Pi4 之較佳的基與通式（I）中之Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Pi1 、Si1 、Zi1 相同。
從具有足夠之預傾角，且提高電壓保持率（VHR）之觀點而言，上述通式（I）所表示之化合物較佳為通式（II）所表示之化合物。
Figure 02_image023
通式（II）所表示之化合物包含Xii6 鍵結於與Xii7 相鄰之位置的通式（iia）所表示之化合物（Xii6 取代萘之2位之情形）、及Xii6 鍵結於與Xii5 相鄰之位置的通式（iib）所表示之化合物（Xii6 取代萘之1位之情形）。
Figure 02_image025
（式中，Mi1 、Li1 、Si1 、Pi1 及mi1 分別表示與通式（I）中之Mi1 、Li1 、Si1 、Pi1 及mi1 相同含義， Xii1 、Xii2 、Xii3 、Xii4 、Xii5 、Xii6 及Xii7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基或式（ii－Z）所表示之基。
Figure 02_image027
於Xii1 、Xii2 、Xii3 、Xii4 、Xii5 、Xii6 或Xii7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xii1 、Xii2 、Xii3 、Xii4 、Xii5 、Xii6 及Xii7 中之至少一者表示式（ii－Z）所表示之基， Mii2 、Lii2 及Zii1 分別表示與式（i－Z）中之Mi2 、Li2 及Zi1 相同含義， mii2 表示0、1或2，但是，表示mi1 +mii2 ≧1）。 通式（II）、通式（iia）及通式（iib）中之Xii1 、Xii2 、Xii3 、Xii4 、Xii5 、Xii6 、Xii7 、Mi1 、Mii2 、Li1 、Lii2 、Zii1 、Si1 及Pi1 之較佳的基與通式（I）中之Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 、Xi7 、Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Zi1 、Si1 及Pi1 相同。
由於環的數量若增加，則會有紫外線之極大吸收波長會朝向長波長區域位移的傾向，因此從以短的紫外線照射時間即可具有充足的預傾角、聚合性化合物之殘留量變少之觀點而言較佳。
通式（II）、通式（iia）及通式（iib）中，mii1 +mii2 較佳為表示1或2。
作為本發明之通式（I）所表示之聚合性化合物，具體而言，較佳為通式（i－1）至通式（i－515）所表示之化合物。通式（i－1）至通式（i－515）所表示之化合物中，較佳為通式（i－1）至通式（i－120）、通式（i－161）至通式（i－193）、通式（i－201）至通式（i－290）及通式（i－331）至通式（i－505），更佳為通式（i－1）～通式（i－12）、通式（i－18）～通式（i－20）、通式（i－31）～通式（i－42）、通式（i－48）～通式（i－50）、通式（i－161）～通式（i－173）、通式（i－181）～通式（i－193）、通式（i－201）～通式（i－220）、通式（i－231）～通式（i－250）、通式（i－331）～通式（i－505）。於重視溶解性之情形時，較佳為通式（i－1）至通式（i－12）、通式（i－18）至通式（i－20）、通式（i－31）至通式（i－42）、通式（i－48）～通式（i－50）、通式（i－201）～通式（i－220）及通式（i－231）～通式（i－250），於重視聚合性化合物之聚合速度之情形時，較佳為通式（i－161）～通式（i－173）、通式（i－181）～通式（i－193）及通式（i－331）～通式（i－505）。
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Figure 02_image133
通式（I）所表示之化合物可由通式（Im）所表示之化合物來製造。
Figure 02_image135
（式中，Mi1 、Li1 、Si1 及mi1 分別表示與通式（I）中之Mi1 、Li1 、Si1 及mi1 相同含義， Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 及Xim7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基、或式（i－Zm）所表示之基。
Figure 02_image137
於Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 或Xim7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 及Xim7 中之至少一者表示式（i－Zm）所表示之基， Yim1 及Yim2 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽的羥基、鹵素原子、氰基、硝基、－Pim2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Yim1 或Yim2 中之至少一者表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基， Sim2 表示與Si1 相同含義， Pim2 表示與通式（I）中之Pi1 相同含義， Mi2 、Li2 及mi2 分別表示與式（i－Z）中之Mi2 、Li2 及mi2 相同含義）。
通式（II）所表示之化合物可由通式（IIm）所表示之化合物來製造。
Figure 02_image139
通式（IIm）所表示之化合物包含Xiim6 鍵結於與Xiim7 相鄰的位置之通式（iiam）所表示之化合物（Xiim6 取代萘之2位之情形）、及Xiim6 鍵結於與Xiim5 鄰接的位置之通式（iibm）所表示之化合物（Xiim6 取代萘之1位之情形）。
Figure 02_image141
（式中，Mi1 、Li1 、Si1 及mi1 分別表示與通式（II）中之Mi1 、Li1 、Si1 及mi1 相同含義， Xiim1 、Xiim2 、Xiim3 、Xiim4 、Xiim5 、Xiim6 及Xiim7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基、或式（ii－Zm）所表示之基。
Figure 02_image143
於Xiim1 、Xiim2 、Xiim3 、Xiim4 、Xiim5 、Xiim6 或Xiim7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xiim1 、Xiim2 、Xiim3 、Xiim4 、Xiim5 、Xiim6 及Xiim7 中之至少一者表示式（ii－Zm）所表示之基， Yiim1 及Yiim2 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基、鹵素原子、氰基、硝基、－Piim2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Yiim1 或Yiim2 中之至少一者表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基， Siim2 表示與Si1 相同含義， Piim2 表示與通式（II）中之Pi1 相同含義， Mii2 、Lii2 及mii2 分別表示與式（ii－Z）中之Mii2 、Lii2 及mii2 相同含義）。
通式（Im）中之Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 、Xim7 、Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Si1 、Sim2 、Pim2 、mi1 及mi2 之較佳的基與通式（I）中之Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 、Xi7 、Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Si1 、Si2 、Pi2 、mi1 及mi2 之較佳的基相同。又，通式（IIm）、通式（iiam）、通式（iibm）中之Xiim1 、Xiim2 、Xiim3 、Xiim4 、Xiim5 、Xiim6 、Xiim7 、Mi1 、Mii2 、Li1 、Lii2 、Si1 、Siim2 、Piim2 、mi1 及mii2 之較佳的基與通式（II）中之Xii1 、Xii2 、Xii3 、Xii4 、Xii5 、Xii6 、Xii7 、Mi1 、Mii2 、Li1 、Lii2 、Si1 、Si2 、Pi2 、mi1 及mii2 之較佳的基相同。 通式（I－Np）所表示之化合物可由通式（I－Npm）所表示之化合物來製造。
Figure 02_image145
（式中，Mi1 、Mi3 、Li1 、Si1 及qi1 分別表示與通式（I－Np）中之Mi1 、Mi3 、Li1 、Si1 及qi1 相同含義， Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 及Xim7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷基或式（i－Zm）所表示之基。
Figure 02_image137
於Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 或Xim7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xim1 、Xim2 、Xim3 、Xim4 、Xim5 、Xim6 及Xim7 之至少一者表示式（i－Zm）所表示之基， Yim1 及Yim2 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基、鹵素原子、氰基、硝基、－Pim2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Yim1 或Yim2 之至少一者表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基， Sim2 表示與式（i－Z）中之Si2 相同含義， Pim2 表示與式（i－Z）中之Pi2 相同含義， Mi2 、Li2 及mi2 分別表示與式（i－Z）中之Mi2 、Li2 及mi2 相同含義， 於存在複數個Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Zi1 、Sim2 、Si3 、Pim2 、或Pi3 之情形時，分別可相同或亦可不同， 通式（I－Npm）中所含之Yim1 、Yim2 、Pim2 及Pi3 之數量的合計數量為2或3）。
通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）所表示之化合物可由通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）所表示之化合物來製造。
Figure 02_image147
（式中，Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 及qin1 分別表示與通式（I－Np－1）或通式（I－Np－2）中之Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 及qin1 相同含義， Xin1m 、Xin2m 、Xin3m 、Xin4m 、Xin5m 、Xin6m 及Xin7m 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷基或式（i－nZm）所表示之基。
Figure 02_image149
於Xin1m 、Xin2m 、Xin3m 、Xin4m 、Xin5m 、Xin6m 或Xin7m 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Min2 、Lin2 及min2 分別表示與通式（I－Np－1）或通式（I－Np－2）中之Min2 、Lin2 及式min2 相同含義， Min4 、Lin4 及min4 分別表示與式（i－nZ）中之Min4 、Lin4 及min4 相同含義， Yiim1 、Yiim2 及Yiim4 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基、鹵素原子、氰基、硝基、－Pin4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Yiim1 或Yiim2 之至少一者表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基，Sin4 及Pin4 分別表示與式（i－nZ）中之Sin4 及Pin4 相同含義， 於存在複數個Min1 、Min2 、Min4 、Lin1 、Lin2 、Lin4 、min4 、Zin2 、Sin4 及Pin4 之情形時，分別可相同或亦可不同， 其中，通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）中所含之Yiim1 、Yiim2 、Yiim4 及Pin4 之數量的合計數量為2或3）。 通式（Im）、通式（IIm）、通式（iima）、通式（iimb）、通式（I－Npm）、通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）中之Yim1 、Yim2 、Yiim1 、Yiim2 或Yiim4 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基。至於受保護之羥基或被遮蔽之羥基，只要是羥基轉換為非活性之官能基的公知者則無特別限定，例如可列舉醚系、縮醛系、酯系、矽醚（silyl ether）系等官能基。更具體而言，作為醚系之官能基，可列舉甲基、二苯乙二酮基、甲氧基甲基等。又，作為縮醛系之官能基，可列舉四氫哌喃基（tetrahydropyranyl group）等。又，作為酯系之官能基，可列舉甲醯基、乙醯基等。又，作為矽醚系之官能基，可列舉三甲基矽基、第三丁基二甲基矽基等。
通式（Im）、通式（IIm）、通式（iima）、通式（iimb）、通式（I－Npm）、通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）所表示之化合物例如可由通式（Im）、通式（IIm）、通式（iima）、通式（iimb）、通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）所表示之化合物中Yim1 、Yim2 、Yiim1 、Yiim2 或Yiim4 所表示之基表示羥基之化合物、和下述之通式（iiim）來製造。
Figure 02_image151
（式中，Pi1 表示與通式（i）、通式（ii）或通式（I－Np）中之Pi1 相同含義）。
具體而言，可利用以下方法來製造。 （製法1）通式（ia－3－1）所表示之化合物之製造 在乙醇溶劑中，於碳酸鉀和肆（三苯膦）鈀（0）存在下，藉由4－溴－1－萘酚與末端帶有甲氧基之硼酸的鈴木偶合而得到苯基萘衍生物（S－1），接著，在醋酸中，利用氫溴酸而得到將甲氧基轉換成酚性羥基之二羥基化合物（S－2）。進一步，於二氯甲烷溶劑中，在二甲基胺基吡啶存在下，藉由使用有甲基丙烯酸的二異丙基碳二醯亞胺所致之縮合反應，而可獲得目標化合物（ia－3－1）。
Figure 02_image153
（上述式中，Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 表示與通式（I）中之Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 相同含義）。 （製法2）通式（ia－3－1）所表示之化合物之製造 於二氯甲烷溶劑中，在對甲苯磺酸吡啶鎓存在下，使4－溴－1－萘酚與3,4－二氫－2H－吡喃反應，而得到萘之羥基保護體（S－3），接著，在乙醇溶劑中，於碳酸鉀和肆（三苯膦）鈀（0）存在下，藉由與末端帶有羥基之硼酸的鈴木偶合而得到苯基萘衍生物（S－4），進一步，在THF中，加入鹽酸水溶液使其反應，從而得到二羥基化合物（S－2）。再來，於二氯甲烷溶劑中，在二甲基胺基吡啶存在下，藉由使用有甲基丙烯酸的二異丙基碳二醯亞胺所致之縮合反應，而可獲得目標化合物（ia－3－1）。
Figure 02_image155
（上述式中，Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 表示與通式（I）中之Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 相同含義）。 （製法3）通式（iia－3－2）所表示之化合物之製造 在二氯甲烷溶劑中，於二甲基胺基吡啶存在下，藉由使用有甲基丙烯酸之二異丙基碳二醯亞胺所致之縮合反應，從而獲得（S－4）至（S－5）。進一步，在THF中加入鹽酸水溶液並使其反應，從而獲得羥基化合物（S－6）。然後，在二氯甲烷溶劑中，於二異丙基乙胺存在下，藉由使用有丙烯醯氯之酯化反應，而可獲得目標化合物（ia－3－2）。
Figure 02_image157
（上述式中，Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 表示與通式（I）中之Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、mi1 及mi2 相同含義）。 （液晶組成物） 於將通式（I）所表示之化合物添加於液晶組成物之情形時，亦可添加1種或2種以上本發明之通式（I）所表示之化合物，除了通式（I）所表示之化合物以外，亦可進一步含有液晶組成物中所使用之公知的聚合性化合物、抗氧化劑等。
本發明之液晶組成物中之通式（I）所表示之聚合性化合物的含量之下限較佳為0.01質量％，較佳為0.02質量％，較佳為0.03質量％，較佳為0.04質量％，較佳為0.05質量％，較佳為0.06質量％，較佳為0.07質量％，較佳為0.08質量％，較佳為0.09質量％，較佳為0.1質量％，較佳為0.12質量％，較佳為0.15質量％，較佳為0.17質量％，較佳為0.2質量％，較佳為0.22質量％，較佳為0.25質量％，較佳為0.27質量％，較佳為0.3質量％，較佳為0.32質量％，較佳為0.35質量％，較佳為0.37質量％，較佳為0.4質量％，較佳為0.42質量％，較佳為0.45質量％，較佳為0.5質量％，較佳為0.55質量％。本發明之液晶組成物中之通式（I）所表示之聚合性化合物的含量之上限較佳為5質量％，較佳為4.5質量％，較佳為4質量％，較佳為3.5質量％，較佳為3質量％，較佳為2.5質量％，較佳為2質量％，較佳為1.5質量％，較佳為1質量％，較佳為0.95質量％，較佳為0.9質量％，較佳為0.85質量％，較佳為0.8質量％，較佳為0.75質量％，較佳為0.7質量％，較佳為0.65質量％，較佳為0.6質量％，較佳為0.55質量％，較佳為0.5質量％，較佳為0.45質量％，較佳為0.4質量％。
若更進一步詳述，則為了得到充分的預傾角、或聚合性化合物之殘留量少、或高電壓保持率（VHR），其含量較佳為0.2至1.5質量％，於重視抑制低溫時的析出之情形時，其含量較佳為0.01至1.0質量％。又，於含有複數個通式（I）所表示之聚合性化合物之情形時，較佳為各別的含量為0.01至0.6質量％。因此，為了解決該等全部課題，尤其希望在0.1至1.0質量％的範圍內調整通式（I）所表示之聚合性化合物。
本發明之液晶組成物較佳為含有1種或2種以上通式（L）所表示之化合物。通式（L）所表示之化合物相當於介電性大致為中性之化合物（Δε之值為－2～2）。因此，較佳為將分子内所含有之鹵素等極性基的個數設為2個以下，較佳為設為1個以下，較佳為不含有鹵素等極性基。
Figure 02_image159
（式中，RL1 及RL2 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， nL1 表示0、1、2或3， AL1 、AL2 及AL3 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中的基： （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， ZL1 及ZL2 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－COO－、－OCO－、－OCF2 －、－CF2 O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－， 當nL1 為2或3而存在複數個AL2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當nL1 為2或3而存在複數個ZL2 之情形時，其等可相同或亦可不同，但不包括通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物）。 通式（L）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等想要的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種。或者於本發明之其他實施形態為2種，為3種，為4種，為5種，為6種，為7種，為8種，為9種，為10種以上。
於本發明之組成物中，通式（L）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，式（L）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％。
於將本發明之組成物的黏度保持得低、需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高、需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為降低上述之下限值，且上限值低。
當重視可靠性之情形時，較佳為RL1 及RL2 均為烷基，當重視降低化合物之揮發性的情形時，較佳為烷氧基，當重視黏性之降低的情形時，較佳為至少一者為烯基。
存在於分子內之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1，當重視與其他液晶分子之相溶性的情形時，較佳為1。
關於RL1 及RL2 ，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳為選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基（各式中之黑點表示環結構中的碳原子）。
Figure 02_image161
於重視應答速度之情形時，nL1 較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得此等之平衡，較佳為1。又，為了滿足所求之特性，較佳為將不同之值的化合物組合作為組成物。
於要求增大Δn之情形時，AL1 、AL2 及AL3 較佳為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基、3,5－二氟－1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，更佳為表示下述結構。
Figure 02_image163
更佳為表示反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基。
於重視應答速度之情形時，ZL1 及ZL2 較佳為單鍵。
通式（L）所表示之化合物，分子內之鹵素原子數較佳為0個或1個。
通式（L）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1）～（L－7）所表示之化合物群中的化合物。
通式（L－1）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image165
（式中，RL11 及RL12 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義）。 RL11 及RL12 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。
通式（L－1）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為15％，為20％，為25％，為30％，為35％，為40％，為45％，為50％，為55％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為95％，為90％，為85％，為80％，為75％，為70％，為65％，為60％，為55％，為50％，為45％，為40％，為35％，為30％，為25％。
於將本發明之組成物的黏度保持得低、需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高、需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值為中間值，且上限值為中間值。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為上述之下限值低且上限值低。
通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－1）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image167
（式中，RL12 表示與通式（L－1）中之含義相同含義）。 通式（L－1－1）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－1.1）至式（L－1－1.3）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－1.2）或式（L－1－1.3）所表示之化合物，尤佳為式（L－1－1.3）所表示之化合物。
Figure 02_image169
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－1.3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－2）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image171
（式中，RL12 表示與通式（L－1）中之含義相同含義）。 相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為42％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％。
並且，通式（L－1－2）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－2.1）至式（L－1－2.4）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－2.2）至式（L－1－2.4）所表示之化合物。尤其是式（L－1－2.2）所表示之化合物，由於特別改善本發明之組成物的應答速度，故較佳。又，較應答速度更要求高之Tni時，較佳為使用式（L－1－2.3）或式（L－1－2.4）所表示之化合物。式（L－1－2.3）及式（L－1－2.4）所表示之化合物的含量，為了使於低溫之溶解度良好，不佳是設在30％以上。
Figure 02_image173
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－2.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為10％，為15％，為18％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，為38％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為32％，為30％，為27％，為25％，為22％。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－1.3）所表示之化合物及式（L－1－2.2）所表示之化合物之合計的較佳含量之下限值為10％，為15％，為20％，為25％，為27％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為32％，為30％，為27％，為25％，為22％。
通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－3）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image175
（式中，RL13 及RL14 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基或碳原子數1～8之烷氧基）。 RL13 及RL14 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基或直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為30％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為40％，為37％，為35％，為33％，為30％，為27％，為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。 並且，通式（L－1－3）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－3.1）至式（L－1－3.13）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）或式（L－1－3.4）所表示之化合物。尤其是式（L－1－3.1）所表示之化合物，由於特別改善本發明之組成物的應答速度，故較佳。又，相較於應答速度，更要求高Tni時，較佳為使用式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.13）所表示之化合物。式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.13）所表示之化合物的合計含量，為了使於低溫之溶解度良好，不佳是設在20％以上。
Figure 02_image177
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－3.1）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為17％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％。
通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－4）及／或（L－1－5）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image179
（式中，RL15 及RL16 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基或碳原子數1～8之烷氧基）。 RL15 及RL16 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基或直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。
並且，通式（L－1－4）及（L－1－5）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－4.1）至式（L－1－5.3）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－4.2）或式（L－1－5.2）所表示之化合物。
Figure 02_image181
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－4.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為17％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％。
較佳組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）、式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.12）所表示之化合物中之2種以上的化合物，較佳組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）、式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）及式（L－1－4.2）所表示之化合物中之2種以上的化合物，此等化合物之合計含量之較佳含量的下限值，相對於本發明之組成物總量，為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，關於上限值，相對於本發明之組成物總量，為80％，為70％，為60％，為50％，為45％，為40％，為37％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％。當重視組成物之可靠性的情形時，較佳為組合選自式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）及式（L－1－3.4）所表示之化合物中之2種以上的化合物，當重視組成物之應答速度的情形時，較佳為組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）所表示之化合物中之2種以上的化合物。 通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－6）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image183
（式中，RL17 及RL18 分別獨立地表示甲基或氫原子）。 相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－6）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為42％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％。
並且，通式（L－1－6）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－6.1）至式（L－1－6.3）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image185
通式（L－2）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image187
（式中，RL21 及RL22 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義）。 RL21 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，RL22 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。
通式（L－2）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，相反地，當重視應答速度之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，於改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
並且，通式（L－2）所表示之化合物，較佳為選自式（L－2.1）至式（L－2.6）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－2.1）、式（L－2.3）、式（L－2.4）及式（L－2.6）所表示之化合物。
Figure 02_image189
通式（L－3）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image191
（式中，RL31 及RL32 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義）。 RL31 及RL32 較佳為分別獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。
通式（L－3）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
於得到高雙折射率的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，相反地，於重視高Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，於改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
並且，通式（L－3）所表示之化合物，較佳為選自式（L－3.1）至式（L－3.7）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－3.2）至式（L－3.5）所表示之化合物。
Figure 02_image193
通式（L－4）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image195
（式中，RL41 及RL42 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義）。 RL41 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，RL42 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。 通式（L－4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
於本發明之組成物中，通式（L－4）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－4）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。
通式（L－4）所表示之化合物，例如較佳為式（L－4.1）至式（L－4.3）所表示之化合物。
Figure 02_image197
根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式（L－4.1）所表示之化合物，或可含有式（L－4.2）所表示之化合物，或可含有式（L－4.1）所表示之化合物與式（L－4.2）所表示之化合物兩者，或亦可含有所有式（L－4.1）至式（L－4.3）所表示之化合物。相對於本發明之組成物的總量，式（L－4.1）或式（L－4.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為9％，為11％，為12％，為13％，為18％，為21％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％。
當含有式（L－4.1）所表示之化合物與式（L－4.2）所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量之較佳含量的下限值為15％，為19％，為24％，為30％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（L－4）所表示之化合物，例如較佳為式（L－4.4）至式（L－4.6）所表示之化合物，較佳為式（L－4.4）所表示之化合物。
Figure 02_image199
根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式（L－4.4）所表示之化合物，或可含有式（L－4.5）所表示之化合物，或亦可含有式（L－4.4）所表示之化合物與式（L－4.5）所表示之化合物兩者。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－4.4）或式（L－4.5）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為9％，為11％，為12％，為13％，為18％，為21％。較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％。
於含有式（L－4.4）所表示之化合物與式（L－4.5）所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量之較佳含量的下限值為15％，為19％，為24％，為30％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（L－4）所表示之化合物，較佳為式（L－4.7）至式（L－4.10）所表示之化合物，尤佳為式（L－4.9）所表示之化合物。
Figure 02_image201
通式（L－5）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image203
（式中，RL51 及RL52 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義）。 RL51 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，RL52 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。
通式（L－5）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
於本發明之組成物中，通式（L－5）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－5）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。 通式（L－5）所表示之化合物，較佳為式（L－5.1）或式（L－5.2）所表示之化合物，尤佳為式（L－5.1）所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％。此等化合物之較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為9％。
Figure 02_image205
通式（L－5）所表示之化合物，較佳為式（L－5.3）或式（L－5.4）所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％。此等化合物之較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為9％。
Figure 02_image207
通式（L－5）所表示之化合物，較佳為選自式（L－5.5）至式（L－5.7）所表示之化合物群中的化合物，尤佳為式（L－5.7）所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％。此等化合物之較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為9％。
Figure 02_image209
通式（L－6）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image211
（式中，RL61 及RL62 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義，XL61 及XL62 分別獨立地表示氫原子或氟原子）。 RL61 及RL62 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為XL61 及XL62 中之一者為氟原子，另一者為氫原子。
通式（L－6）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－6）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－6）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。當重點在於增大Δn之情形時，以增多含量為佳，當重點在於低溫之析出的情形時，含量以較少為佳。
通式（L－6）所表示之化合物，較佳為式（L－6.1）至式（L－6.9）所表示之化合物。
Figure 02_image213
可組合之化合物的種類並沒有特別限制，較佳自此等化合物之中含有1種～3種，更佳含有1種～4種。又，由於所選擇之化合物的分子量分布廣亦對溶解性有效，故較佳例如自式（L－6.1）或（L－6.2）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.4）或（L－6.5）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.6）或式（L－6.7）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.8）或（L－6.9）所表示之化合物選擇1種化合物，再適當將此等加以組合。其中，較佳含有式（L－6.1）、式（L－6.3）、式（L－6.4）、式（L－6.6）及式（L－6.9）所表示之化合物。
並且，通式（L－6）所表示之化合物，例如較佳為式（L－6.10）至式（L－6.17）所表示之化合物，其中，較佳為式（L－6.11）所表示之化合物。
Figure 02_image215
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％。此等化合物之較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為9％。
通式（L－7）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image217
（式中，RL71 及RL72 分別獨立地表示與通式（L）中之RL1 及RL2 相同含義，AL71 及AL72 分別獨立地表示與通式（L）中之AL2 及AL3 相同含義，AL71 及AL72 上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，ZL71 表示與通式（L）中之ZL2 相同含義，XL71 及XL72 分別獨立地表示氟原子或氫原子）。 式中，RL71 及RL72 較佳為分別獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，AL71 及AL72 較佳為分別獨立地為1,4－伸環己基或1,4－伸苯基，AL71 及AL72 上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，ZL71 較佳為單鍵或－COO－，較佳為單鍵，XL71 及XL72 較佳為氫原子。
可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種。
於本發明之組成物中，通式（L－7）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，式（L－7）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－7）所表示之化合物之較佳含量的上限值為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為10％，為5％。
當期望本發明之組成物為高Tni之實施形態的情形時，較佳為使式（L－7）所表示之化合物的含量多一點，當期望低黏度之實施形態的情形時，較佳為使含量少一點。
並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.1）至式（L－7.4）所表示之化合物，較佳為式（L－7.2）所表示之化合物。
Figure 02_image219
並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.11）至式（L－7.13）所表示之化合物，較佳為式（L－7.11）所表示之化合物。
Figure 02_image221
並且，通式（L－7）所表示之化合物，為式（L－7.21）至式（L－7.23）所表示之化合物。較佳為式（L－7.21）所表示之化合物。
Figure 02_image223
並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.31）至式（L－7.34）所表示之化合物，較佳為式（L－7.31）或／及式（L－7.32）所表示之化合物。
Figure 02_image225
並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.41）至式（L－7.44）所表示之化合物，較佳為式（L－7.41）或／及式（L－7.42）所表示之化合物。
Figure 02_image227
並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.51）至式（L－7.53）所表示之化合物。
Figure 02_image229
本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上之選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物。此等化合物相當於介電性為負之化合物（Δε之符號為負，其絶對値大於2）。
Figure 02_image231
（式中，RN11 、RN12 、RN21 、RN22 、RN31 及RN32 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， AN11 、AN12 、AN21 、AN22 、AN31 及AN32 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）、基（d）所組成之群中的基： （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （d）1,4－伸環己烯基， 上述之基（a）、基（b）、基（c）及基（d）亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， ZN11 、ZN12 、ZN21 、ZN22 、ZN31 及ZN32 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－COO－、－OCO－、－OCF2 －、－CF2 O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－， XN21 表示氫原子或氟原子， TN31 表示－CH2 －或氧原子， nN11 、nN12 、nN21 、nN22 、nN31 及nN32 分別獨立地表示0～3之整數，nN11 ＋nN12 、nN21 ＋nN22 及nN31 ＋nN32 分別獨立地為1、2或3，當存在複數個AN11 ～AN32 、ZN11 ～ZN32 之情形時，其等可相同或亦可不同）。 通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物，較佳為Δε為負且其絕對值大於3的化合物。
通式（N－1）、（N－2）及（N－3）中，RN11 、RN12 、RN21 、RN22 、RN31 及RN32 較佳為分別獨立地為碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數2～8之烯基或碳原子數2～8之烯氧基，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數1～5之烷氧基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數2～5之烯氧基，更佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，更佳為碳原子數2～5之烷基或碳原子數2～3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基（丙烯基）。
又，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳為選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基（各式中之黑點表示環結構中的碳原子）。
Figure 02_image161
當要求增大Δn之情形時，AN11 、AN12 、AN21 、AN22 、AN31 及AN32 較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基、3,5－二氟－1,4－伸苯基、2,3－二氟－1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，更佳為表示下述結構，
Figure 02_image233
更佳為表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸環己烯基或1,4－伸苯基。
ZN11 、ZN12 、ZN21 、ZN22 、ZN31 及ZN32 分別獨立，較佳為表示－CH2 O－、－CF2 O－、－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －或單鍵，更佳為－CH2 O－、－CH2 CH2 －或單鍵，尤佳為－CH2 O－或單鍵。
XN21 較佳為氟原子。
TN31 較佳為氧原子。
nN11 ＋nN12 、nN21 ＋nN22 及nN31 ＋nN32 較佳為1或2，較佳為nN11 為1、nN12 為0之組合；nN11 為2、nN12 為0之組合；nN11 為1、nN12 為1之組合；nN11 為2、nN12 為1之組合；nN21 為1、nN22 為0之組合；nN21 為2、nN22 為0之組合；nN31 為1、nN32 為0之組合；nN31 為2、nN32 為0之組合。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。
於將本發明之組成物的黏度保持得低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值低。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值低。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為提高上述之下限值，且上限值高。
作為通式（N－1）所表示之化合物，可舉下述通式（N－1a）～（N－1g）所表示之化合物群。
Figure 02_image235
（式中，RN11 及RN12 表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義，nNa11 表示0或1，nNb11 表示1或2，nNc11 表示0或1，nNd11 表示1或2，nNe11 表示1或2，nN ｆ 12 表示1或2，nNg11 表示1或2，ANe11 表示反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基，ANg11 表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸環己烯基或1,4－伸苯基，但至少1個ANg11 表示1,4－伸環己烯基，ZNe11 表示單鍵或伸乙基，但分子內所存在之至少1個ZNe11 表示伸乙基，分子內存在之複數個ANe11 、ZNe11 、及／或ANg11 可相同亦可不同）。 更具體而言，通式（N－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（N－1－1）～（N－1－22）所表示之化合物群中的化合物。
通式（N－1－1）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image237
（式中，RN111 及RN112 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN111 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。RN112 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。
通式（N－1－1）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－1）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
並且，通式（N－1－1）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－1.1）至式（N－1－1.25）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－1.1）～（N－1－1.4）所表示之化合物，較佳為式（N－1－1.1）及式（N－1－1.3）所表示之化合物。
Figure 02_image239
式（N－1－1.1）～（N－1－1.25）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
通式（N－1－2）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image241
（式中，RN121 及RN122 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN121 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。RN122 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
通式（N－1－2）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得低一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，為37％，為40％，為42％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為48％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％。
並且，通式（N－1－2）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－2.1）至式（N－1－2.25）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－2.3）至式（N－1－2.7）、式（N－1－2.10）、式（N－1－2.11）、式（N－1－2.13）及式（N－1－2.20）所表示之化合物，當重視改良Δε之情形時，較佳為式（N－1－2.3）至式（N－1－2.7）所表示之化合物，當重視改良Tni之情形時，較佳為式（N－1－2.10）、式（N－1－2.11）及式（N－1－2.13）所表示之化合物，當重視改良應答速度之情形時，較佳為式（N－1－2.20）所表示之化合物。
Figure 02_image243
式（N－1－2.1）至式（N－1－2.25）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。
通式（N－1－3）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image245
（式中，RN131 及RN132 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN131 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN132 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數3～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為1－丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－3）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得多一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
並且，通式（N－1－3）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－3.1）至式（N－1－3.21）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－3.1）～（N－1－3.7）及式（N－1－3.21）所表示之化合物，較佳為式（N－1－3.1）、式（N－1－3.2）、式（N－1－3.3）、式（N－1－3.4）及式（N－1－3.6）所表示之化合物。
Figure 02_image247
式（N－1－3.1）～式（N－1－3.4）、式（N－1－3.6）及式（N－1－3.21）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，較佳為式（N－1－3.1）及式（N－1－3.2）之組合、或選自式（N－1－3.3）、式（N－1－3.4）及式（N－1－3.6）中之2種或3種的組合。單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－4）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image249
（式中，RN141 及RN142 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN141 及RN142 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。
通式（N－1－4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε的情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為11％，為10％，為8％。
並且，通式（N－1－4）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－4.1）至式（N－1－4.24）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－4.1）～（N－1－4.4）所表示之化合物，較佳為式（N－1－4.1）、式（N－1－4.2）及式（N－1－4.4）所表示之化合物。
Figure 02_image251
式（N－1－4.1）～（N－1－4.24）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為11％，為10％，為8％。
通式（N－1－5）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image253
（式中，RN151 及RN152 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN151 及RN152 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式（N－1－5）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視Δε之改善的情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得低一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為8％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
並且，通式（N－1－5）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－5.1）至式（N－1－5.12）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－5.1）、式（N－1－5.2）及式（N－1－5.4）所表示之化合物。
Figure 02_image255
式（N－1－5.1）、式（N－1－5.2）及式（N－1－5.4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為8％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－10）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image257
（式中，RN1101 及RN1102 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1101 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1－丙烯基。RN1102 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基，丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－10）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－10）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
並且，通式（N－1－10）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－10.1）至式（N－1－10.14）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－10.1）～（N－1－10.5）所表示之化合物，較佳為式（N－1－10.1）及式（N－1－10.2）所表示之化合物。
Figure 02_image259
式（N－1－10.1）及式（N－1－10.2）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－11）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image261
（式中，RN1111 及RN1112 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1111 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1－丙烯基。RN1112 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－11）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得低一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－11）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
並且，通式（N－1－11）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－11.1）至式（N－1－11.14）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－11.1）～（N－1－11.14）所表示之化合物，較佳為式（N－1－11.2）及式（N－1－11.4）所表示之化合物。
Figure 02_image263
式（N－1－11.2）及式（N－1－11.4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－12）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image265
（式中，RN1121 及RN1122 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1121 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1122 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－12）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－12）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－13）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image267
（式中，RN1131 及RN1132 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1131 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1132 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－13）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－13）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－14）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image269
（式中，RN1141 及RN1142 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1141 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1142 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－14）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－14）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－15）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image271
（式中，RN1151 及RN1152 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1151 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1152 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－15）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－15）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－16）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image273
（式中，RN1161 及RN1162 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1161 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1162 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－16）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－16）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－17）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image275
（式中，RN1171 及RN1172 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1171 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1172 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－17）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－17）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－18）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image277
（式中，RN1181 及RN1182 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1181 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。RN1182 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式（N－1－18）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得多一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－18）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
並且，通式（N－1－18）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－18.1）至式（N－1－18.5）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－18.1）～（N－1－18.3）所表示之化合物，較佳為式（N－1－18.2）及式（N－1－18.3）所表示之化合物。
Figure 02_image279
通式（N－1－20）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image281
（式中，RN1201 及RN1202 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1201 及RN1202 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式（N－1－20）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－20）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－21）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image283
（式中，RN1211 及RN1212 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1211 及RN1212 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式（N－1－21）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε的情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得多一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－21）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。
通式（N－1－22）所表示之化合物為下述化合物。
Figure 02_image285
（式中，RN1221 及RN1222 分別獨立地表示與通式（N－1）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN1221 及RN1222 分別獨立，較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式（N－1－22）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε之情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－22）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為5％。
並且，通式（N－1－22）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－22.1）至式（N－1－22.12）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－22.1）～（N－1－22.5）所表示之化合物，較佳為式（N－1－22.1）～（N－1－22.4）所表示之化合物。
Figure 02_image287
通式（N－3）所表示之化合物，較佳為選自通式（N－3－2）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image289
（式中，RN321 及RN322 分別獨立地表示與通式（N－3）中之RN11 及RN12 相同含義）。 RN321 及RN322 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為丙基或戊基。
通式（N－3－2）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。
當重視改善Δε的情形時，較佳為將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
相對於本發明之組成物的總量，式（N－3－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％。
並且，通式（N－3－2）所表示之化合物，較佳為選自式（N－3－2.1）至式（N－3－2.3）所表示之化合物群中的化合物。
Figure 02_image291
本發明之組成物較佳含有1種或2種以上通式（J）所表示之化合物。此等化合物相當於介電性正之化合物（Δε大於2）。
Figure 02_image293
（式中，RJ1 表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， nJ1 表示0、1、2、3或4， AJ1 、AJ2 及AJ3 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中的基： （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代， ZJ1 及ZJ2 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－OCF2 －、－CF2 O－、－COO－、－OCO－或－C≡C－， 當nJ1 為2、3或4而存在複數個AJ2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當nJ1 為2、3或4而存在複數個ZJ1 之情形時，其等可相同或亦可不同， XJ1 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2－三氟乙基）。 通式（J）中，RJ1 較佳為碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數2～8之烯基或碳原子數2～8之烯氧基，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數1～5之烷氧基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數2～5之烯氧基，更佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，更佳為碳原子數2～5之烷基或碳原子數2～3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基（丙烯基）。
當重視可靠性之情形時，RJ1 較佳為烷基，當重視黏性之降低的情形時，較佳為烯基。
又，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基。（各式中之黑點表示烯基鍵結之環結構中的碳原子）
Figure 02_image161
當要求增大Δn之情形時，AJ1 、AJ2 及AJ3 較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，其等可被氟原子取代，更佳為表示下述結構。
Figure 02_image296
更佳為表示下述結構。
Figure 02_image298
ZJ1 及ZJ2 分別獨立，較佳為－CH2 O－、－OCH2 －、－CF2 O－、－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －或單鍵，更佳為－OCH2 －、－CF2 O－、－CH2 CH2 －或單鍵，尤佳為－OCH2 －、－CF2 O－或單鍵。
XJ1 較佳為氟原子或三氟甲氧基，較佳為氟原子。
nJ1 較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，當重點在於改善Δε之情形時，較佳為0或1，當重視Tni之情形時，較佳為1或2。
可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等想要的性能組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種。又進一步，於本發明之其他實施形態為4種，為5種，為6種，為7種以上。
於本發明之組成物中，通式（J）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，通式（J）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值例如於本發明之一個形態，為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％。
於將本發明之組成物的黏度保持得低、需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為使上述之下限值低一些且使上限值低一些。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高、需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為使上述之下限值低一些且使上限值低一些。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為使上述之下限值高一些，且使上限值高一些。
當重視可靠性之情形時，RJ1 較佳為烷基，當重視黏性之降低的情形時，較佳為烯基。
作為通式（J）所表示之化合物，較佳為通式（M）所表示之化合物。
本發明之組成物，較佳為含有1種或2種以上通式（M）所表示之化合物。此等化合物相當於介電性正之化合物（Δε大於2）。
Figure 02_image300
（式中，RM1 表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， nM1 表示0、1、2、3或4， AM1 及AM2 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）組成之群中的基： （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－或－S－取代），及 （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）及基（b）上之氫原子亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， ZM1 及ZM2 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－OCF2 －、－CF2 O－、－COO－、－OCO－或－C≡C－， 當nM1 為2、3或4而存在複數個AM2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當nM1 為2、3或4而存在複數個ZM1 之情形時，其等可相同或亦可不同， XM1 及XM3 分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子， XM2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基，三氟甲氧基或2,2,2－三氟乙基）。
通式（M）中，RM1 較佳為碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數2～8之烯基或碳原子數2～8之烯氧基，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數1～5之烷氧基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數2～5之烯氧基，更佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，更佳為碳原子數2～5之烷基或碳原子數2～3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基（丙烯基）。
當重視可靠性之情形時，RM1 較佳為烷基，當重視黏性之降低的情形時，較佳為烯基。
又，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基。（各式中之黑點表示烯基鍵結之環結構中的碳原子）
Figure 02_image161
當要求增大Δn之情形時，AM1 及AM2 較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基、3,5－二氟－1,4－伸苯基、2,3－二氟－1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，更佳為表示下述結構。
Figure 02_image302
更佳為表示下述結構。
Figure 02_image304
ZM1 及ZM2 分別獨立，較佳為表示－CH2 O－、－CF2 O－、－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －或單鍵，更佳為－CF2 O－、－CH2 CH2 －或單鍵，尤佳為－CF2 O－或單鍵。
nM1 較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，當重點在於改善Δε之情形時，較佳為0或1，當重視Tni之情形時，較佳為1或2。
可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等想要的性能組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種。又進一步，於本發明之其他實施形態為4種，為5種，為6種，為7種以上。
於本發明之組成物中，通式（M）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。
相對於本發明之組成物的總量，式（M）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值例如於本發明之一個形態為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％。
於將本發明之組成物的黏度保持得低、需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為使上述下限值低一些且使上限值低一些。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高、需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為使上述下限值低一些且使上限值低一些。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為使上述下限值高一些，且使上限值高一些。
本發明之液晶組成物雖然含有通式（I）所表示之聚合性化合物，但亦可併用其他聚合性化合物。藉由併用其他聚合性化合物，可更進一步加快聚合性化合物之聚合速度及預傾角之形成。又，可得到充足的預傾角，聚合性化合物之殘留量少，得到高電壓保持率（VHR），進一步可抑制液晶顯示元件之殘影。作為該其他聚合性化合物，較佳為以下通式（P）所表示之化合物，
Figure 02_image306
（上述通式（P）中，Rp1 表示氫原子、氟原子、氰基、碳原子數1～15之烷基或－Spp2 －Pp2 ，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，該烷基中之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， Pp1 及Pp2 分別獨立地表示通式（Pp1 －1）～式（Pp1 －9）中之任一者。
Figure 02_image308
（式中，Rp11 及Rp12 分別獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，Wp11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，tp11 表示0、1或2，於分子内存在複數個Rp11 、Rp12 、Wp11 及／或tp11 之情形時，其等可相同或亦可不同）， Spp1 及Spp2 分別獨立地表示單鍵或間隔基， Zp1 及Zp2 分別獨立地表示單鍵、－O－、－S－、－CH2 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－C2 H4 －、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CO－NRZP1 －、－NRZP1 －CO－、－SCH2 －、－CH2 S－、－CH＝CRZP1 －COO－、－CH＝CRZP1 －OCO－、－COO－CRZP1 ＝CH－、－OCO－CRZP1 ＝CH－、－COO－CRZP1 ＝CH－COO－、－COO－CRZP1 ＝CH－OCO－、－OCO－CRZP1 ＝CH－COO－、－OCO－CRZP1 ＝CH－OCO－、－（CH2 ）z －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－OCO－（CH2 ）2 －、－（C＝O）－O－（CH2 ）2 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 －、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，z分別獨立地表示1～4之整數，RZP1 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，於分子内存在複數個RZP1 之情形時，其等可相同或亦可不同）， Ap1 、Ap2 及Ap3 分別獨立地表示選自由下述基（ap ）、基（bp ）、基（cp ）所組成之群中的基， （ap ）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （bp ）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （cp ）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基、菲－2,7－二基或蒽－2,6－二基（存在於此等基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝亦可被－N＝取代，此基中所存在氫原子亦可被鹵素原子、碳原子數1～8之烷基或碳原子數1～8之烯基取代）， 上述之基（ap ）、基（bp ）及基（cp ）中所存在氫原子亦可分別獨立地被鹵素原子、碳原子數1～8之烷基、碳數1～8之烷氧基或碳原子數1～8之烯基取代。亦可被氰基、氟原子、氯原子或－Spp2 －Pp2 取代， mp1 表示0、1、2或3，於分子内存在複數個Zp1 、Ap2 、Spp2 及／或Pp2 之情形時，其等可相同或亦可不同，Ap3 在mp1 為0且Ap1 為菲－2,7－二基或蒽－2,6－二基之情形時，表示單鍵。 其中，不包括通式（I）所表示之化合物）。又，較佳為含有1種或2種以上該聚合性單體。
於本發明之通式（P）中，Rp1 較佳為－Spp2 －Pp2 。
Pp1 及Pp2 分別獨立，較佳為表示式（Pp1 －1）～式（Pp1 －3）中之任一者，較佳為（Pp1 －1）。
Rp11 及Rp12 較佳為分別獨立地為氫原子或甲基。
tp11 較佳為0或1。
Wp11 較佳為單鍵、亞甲基或伸乙基。
mp1 較佳為0、1或2，較佳為0或1。
Zp1 及Zp2 分別獨立，較佳為單鍵、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－C2 H4 －、－COO－、－OCO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－CH＝CH－、－CF2 －、－CF2 O－、－（CH2 ）2 －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－OCO－（CH2 ）2 －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH2 ）2 －、－OCF2 －或－C≡C－，較佳為單鍵、－OCH2 －、－CH2 O－、－C2 H4 －、－COO－、－OCO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－CH＝CH－、－（CH2 ）2 －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－OCO－（CH2 ）2 －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH2 ）2 －或－C≡C－，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH2 －、－CH2 O－、－C2 H4 －、－COO－、－OCO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－CH＝CH－、－（CH2 ）2 －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－OCO－（CH2 ）2 －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH2 ）2 －或－C≡C－，其他的全部都是單鍵，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH2 －、－CH2 O－、－C2 H4 －、－COO－或－OCO－，其他的全部都是單鍵，較佳為全部都是單鍵。
又，較佳為只有分子内所存在之Zp1 及Zp2 中之一者為選自由－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－（CH2 ）2 －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－O－CO－（CH2 ）2 －、－COO－（CH2 ）2 －所組成之群中之鍵結基，其他為單鍵。
Spp1 及Spp2 分別獨立地表示單鍵或間隔基，間隔基較佳為碳原子數1～30之伸烷基，該伸烷基中之－CH2 －只要氧原子彼此不直接鍵結，則亦可被－O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－CH＝CH－或－C≡C－取代，該伸烷基中之氫原子亦可被鹵素原子取代，較佳為直鏈之碳原子數1～10之伸烷基或單鍵。 Ap1 、Ap2 及Ap3 分別獨立，較佳為1,4－伸苯基或1,4－伸環己基，較佳為1,4－伸苯基。為了改善與液晶化合物之相溶性，1,4－伸苯基較佳為被1個氟原子、1個甲基或1個甲氧基取代。
關於通式（P）所表示之化合物之合計含量，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，較佳為含有0.05～10％，較佳為含有0.1～8％，較佳為含有0.1～5％，較佳為含有0.1～3％，較佳為含有0.2～2％，較佳為含有0.2～1.3％，較佳為含有0.2～1％，較佳為含有0.2～0.56％。
關於通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳下限値，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，為0.01％，為0.03％，為0.05％，為0.08％，為0.1％，為0.15％，為0.2％，為0.25％，為0.3％。
關於通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳上限値，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，為10％，為8％，為5％，為3％，為1.5％，為1.2％，為1％，為0.8％，為0.5％。
若含量較少，則添加通式（P）所表示之化合物之效果難以顯現，會產生液晶組成物之配向控制力弱，或配向控制力隨時間經過而變弱等問題，若過多，則會產生硬化後所殘存的量變多、硬化費時、液晶之可靠性下降等問題。因此，考慮其等之平衡而設定含量。
關於通式（I）所表示之化合物及通式（P）所表示之化合物之合計含量，較佳為相對於含有此等化合物之組成物，含有0.05～10％，較佳為含有0.1～8％，較佳為含有0.1～5％，較佳為含有0.1～3％，較佳為含有0.2～2％，較佳為含有0.2～1.3％，較佳為含有0.2～1％，較佳為含有0.2～0.56％。
關於通式（I）所表示之化合物及通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳下限値，相對於含有此等化合物之組成物，為0.01％，為0.03％，為0.05％，為0.08％，為0.1％，為0.15％，為0.2％，為0.25％，為0.3％。
關於通式（I）所表示之化合物及通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳上限値，相對於含有此等化合物之組成物，為10％，為8％，為5％，為3％，為1.5％，為1.2％，為1％，為0.8％，為0.5％。
若含量較少，則添加通式（I）所表示之化合物及通式（P）所表示之化合物之效果難以顯現，會產生液晶組成物之配向控制力弱，或配向控制力隨時間經過而變弱等問題，若過多，則會產生硬化後所殘存的量變多、硬化費時、液晶之可靠性下降等問題。因此，考慮其等之平衡而設定含量。
作為本發明之通式（P）所表示之化合物的較佳例子，可列舉下述式（P－1－1）～式（P－1－46）所表示之聚合性化合物。
Figure 02_image310
Figure 02_image312
Figure 02_image314
Figure 02_image316
Figure 02_image318
（式中，Pp11 、Pp12 、Spp11 及Spp12 分別表示與通式（P）中之Pp1 、Pp2 、Spp1 及Spp2 相同含義）。 作為本發明之通式（P）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－2－1）～式（P－2－14）所表示之聚合性化合物。
Figure 02_image320
（式中，Pp21 、Pp22 、Spp21 及Spp22 分別表示與通式（P）中之Pp1 、Pp2 、Spp1 及Spp2 相同含義）。 作為本發明之通式（P）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－3－1）～式（P－3－15）所表示之聚合性化合物。
Figure 02_image322
Figure 02_image324
（式中，Pp31 、Pp32 、Spp31 及Spp32 表示與通式（P）中之Pp1 、Pp2 、Spp1 及Spp2 相同含義）。 作為本發明之通式（P）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－4－1）～式（P－4－21）所表示之聚合性化合物。
Figure 02_image326
Figure 02_image328
Figure 02_image330
Figure 02_image332
（式中，Pp41 、Pp42 、Spp41 及Spp42 表示與通式（P）中之Pp1 、Pp2 、Spp1 及Spp2 相同含義。式中之複數個Pp41 、Pp42 、Spp41 及Spp42 分別可相同或亦可不同）。 於在本發明之組成物中添加單體之情形時，即便在不存在聚合起始劑之情形，亦會進行聚合，但為了促進聚合，亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉安息香醚類、二苯基酮類、苯乙酮類、苄基縮酮（benzyl ketal）類、氧化醯基膦（acyl phosphine oxide）等。
本發明之組成物可進一步含有通式（Q）所表示之化合物。
Figure 02_image334
（式中，RQ 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之一個或兩個以上之CH2 基亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－CO－、－OCO－、－COO－、－C≡C－、－CF2 O－、－OCF2 －取代，MQ 表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基或單鍵）。 RQ 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之一個或兩個以上之CH2 基亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－CO－、－OCO－、－COO－、－C≡C－、－CF2 O－、－OCF2 －取代，較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、一個CH2 基被－OCO－或－COO－取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、一個CH2 基被－OCO－或－COO－取代之支鏈烷基，更佳為碳原子數1至20之直鏈烷基、一個CH2 基被－OCO－或－COO－取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、一個CH2 基被－OCO－或－COO－取代之支鏈烷基。MQ 表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基或單鍵，較佳為反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基。
更具體而言，通式（Q）所表示之化合物較佳為下述通式（Q－a）至通式（Q－d）所表示之化合物。
Figure 02_image336
式中，RQ1 較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基或支鏈烷基，RQ2 較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基或支鏈烷基，RQ3 較佳為碳原子數1至8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，LQ 較佳為碳原子數1至8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。通式（Q－a）至通式（Q－d）所表示之化合物中，更佳為通式（Q－c）及通式（Q－d）所表示之化合物。
於本案發明之組成物中，較佳為含有1種或2種通式（Q）所表示之化合物，更佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1％，更佳為0.001至0.1％，尤佳為0.001至0.05％。
本發明之液晶組成物除了上述化合物以外，亦可含有通常之向列型液晶、層列型液晶、膽固醇液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑或紅外線吸收劑等。
又，作為本發明中可使用之抗氧化劑或光安定劑，更具體而言較佳為以下（III－1）～（III－40）所表示之化合物。
Figure 02_image338
Figure 02_image340
Figure 02_image342
Figure 02_image344
Figure 02_image346
Figure 02_image348
Figure 02_image350
Figure 02_image352
Figure 02_image354
（式中，n表示0至20之整數）。 本案發明之組成物中，較佳為含有1種或2種以上通式（Q）所表示之化合物或選自通式（III－1）～（III－40）中之化合物，更佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1％，更佳為0.001至0.1％，尤佳為0.001至0.05％。
本發明之液晶組成物於20℃的介電異向性（Δε）較佳為－2.0～－8.0，更佳為－2.0～－5.0，尤佳為－2.5～－5.0。
本發明之液晶組成物於20℃的折射率異向性（Δn）較佳為0.08～0.14，更佳為0.09～0.13，尤佳為0.09～0.12。若更詳而言之，則當因應薄的單元間隙（gap）之情形時，較佳為0.10～0.13，而當因應厚的單元間隙之情形時，則較佳為0.08～0.10。
本發明之液晶組成物於20℃的黏度（η）較佳為為10～50mPa・s，較佳為10～40mPa・s，較佳為10～35mPa・s，較佳為10～30mPa・s，更佳為10～25mPa・s，尤佳為10～22mPa・s。
本發明之液晶組成物於20℃的旋轉黏性（γ1 ）較佳為50～160mPa・s，較佳為60～160mPa・s，較佳為60～150mPa・s，較佳為60～140mPa・s，較佳為60～130mPa・s，較佳為60～125mPa・s，更佳為60～120mPa・s，更佳為60～115mPa・s，更佳為60～110mPa・s，尤佳為60～100mPa・s。
本發明之液晶組成物的向列相－等向性液相轉移溫度（Tni）較佳為60℃～120℃，更佳為70℃～100℃，尤佳為70℃～85℃。
本發明之液晶組成物之較佳的實施形態較佳為區分為液晶組成物整體顯示正的介電異向性之情形，與液晶組成物整體顯示負的介電異向性之情形。
例如，於本發明之液晶組成物整體顯示正的介電異向性之情形時，較佳為含有通式（I）所表示之聚合性化合物、1種或2種以上選自通式（J）所表示之化合物中之化合物、及通式（L）所表示之化合物。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（J）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（J）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（P）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（P）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
例如，於本發明之液晶組成物整體表示負的介電異向性之情形時，較佳為含有通式（I）所表示之聚合性化合物、1種或2種以上選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物、及通式（L）所表示之化合物。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1）、通式（N－2）、通式（N－3）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1）、通式（N－2）、通式（N－3）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1－4）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1－4）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）及通式（L）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）、通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％、為83質量％、為82質量％、為81質量％、為80質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（N－1b）、通式（N－1c）、通式（N－1d）、通式（N－1e）及通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為68質量％、為70質量％、為71質量％、為73質量％、為75質量％、為78質量％、為80質量％、為81質量％、為83質量％、為85質量％、為86質量％、為87質量％、為88質量％、為89質量％、為90質量％、為91質量％、為92質量％、為93質量％、為94質量％、為95質量％、為96質量％、為97質量％、為98質量％、為99質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％、為83質量％、為82質量％、為81質量％、為80質量％、為79質量％、為78質量％、為77質量％、為76質量％、為75質量％、為74質量％、為73質量％、為72質量％、為71質量％、為70質量％、為69質量％、為68質量％、為67質量％、為66質量％、為65質量％、為64質量％、為63質量％、為62質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1a）、通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為38質量％、為40質量％、為41質量％、為43質量％、為45質量％、為48質量％、為50質量％、為61質量％、為63質量％、為65質量％、為66質量％、為67質量％、為68質量％、為69質量％、為70質量％、為72質量％、為74質量％、為76質量％、為78質量％、為80質量％、為82質量％、為84質量％、為86質量％、為88質量％、為90質量％、為92質量％。
本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1d）、通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之上限值較佳為100質量％、為99質量％、為98質量％、為97質量％、為96質量％、為95質量％、為94質量％、為93質量％、為92質量％、為91質量％、為90質量％、為89質量％、為88質量％、為87質量％、為86質量％、為85質量％、為84質量％、為83質量％、為82質量％、為81質量％、為80質量％、為79質量％、為78質量％、為77質量％、為76質量％、為75質量％、為74質量％、為73質量％、為72質量％、為71質量％、為70質量％、為69質量％、為68質量％、為67質量％、為66質量％、為65質量％、為64質量％、為63質量％、為62質量％。
又，本發明之液晶組成物整體中之僅由通式（I）、通式（N－1d）、通式（L－1）、通式（L－3）、通式（L－4）、通式（L－5）及通式（L－6）所表示之化合物構成之成分所佔有的比例之下限值較佳為38質量％、為40質量％、為41質量％、為43質量％、為45質量％、為48質量％、為50質量％、為61質量％、為63質量％、為65質量％、為66質量％、為67質量％、為68質量％、為69質量％、為70質量％、為72質量％、為74質量％、為76質量％、為78質量％、為80質量％、為82質量％、為84質量％、為86質量％、為88質量％、為90質量％、為92質量％。
本案發明之組成物較佳為不含有“於分子內具有過氧（－CO－OO－）結構等氧原子彼此鍵結之結構之化合物”。
於重視組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為5％以下，更佳為設為3％以下，進一步較佳為設為1％以下，最佳為實質上不含有。
於重視利用UV照射之穩定性之情形時，較佳為將氯原子所取代之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為15％以下，較佳為設為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。
較佳為使分子內之環結構均為六員環之化合物之含量較多，較佳為將分子內之環結構均為六員環之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為80％以上，更佳設為90％以上，進一步較佳設為95％以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構均為六員環之化合物構成組成物。
為了抑制因組成物之氧化所導致之劣化，較佳為使具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量較少，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。
於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為使於分子內具有「氫原子可被取代為鹵素之2－甲基苯－1,4－二基」的化合物之含量較少，較佳為將於分子內具有2－甲基苯－1,4－二基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。
本案中所謂實質上不含有係指除非意圖性地含有之物以外不含有之涵義。 （液晶顯示元件） 使用有本發明之液晶組成物的液晶顯示元件具有高速應答此一顯著的特徵，並且可充分得到傾斜角（tilt angle），沒有未反應之聚合性化合物或少至不會產生問題，由於電壓保持率（VHR）高，故沒有配向不良或顯示不良等不良情形或不良情形充分被抑制。又，由於可輕易控制傾斜角及聚合性化合物之殘留量，故能輕易將用以製造之能源成本最佳化及削減，因此最適合於提升生產效率與穩定之量產。
使用有本發明之液晶組成物的液晶顯示元件尤其對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件有用，可用於PSA模式、PSVA模式、VA模式、PS－IPS模式、PS－FFS模式、IPS模式、FFS模式用液晶顯示元件。
作為本發明之液晶顯示元件，較佳為具有「對向配置之第1基板及第2基板」、「設置於上述第1基板或上述第2基板之共通電極」、「設置於上述第1基板或上述第2基板，具有薄膜電晶體之像素電極」及「設置於上述第1基板與第2基板間且含有液晶組成物之液晶層」。亦可視需要，以與上述液晶層抵接之方式，於第1基板及／或第2基板之至少一基板的對向面側設置控制液晶分子配向方向之配向膜。作為該配向膜，可配合液晶顯示元件之驅動模式，適當選擇垂直配向膜或水平配向膜等，可使用摩擦配向膜（例如，聚醯亞胺）或光配向膜（分解型聚醯亞胺等）等公知之配向膜。並且，亦可將濾色器適當設置於第1基板或第2基板上，又，可於上述像素電極或共通電極上設置濾色器。
使用於本發明之液晶顯示元件的液晶單元其2片基板可使用玻璃或如塑膠般具有柔軟性之透明材料，其中一者亦可為矽等不透明之材料。具有透明電極層之透明基板，例如可藉由將銦錫氧化物（ITO）濺鍍於玻璃板等透明基板上而得。
濾色器例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等製成。若以藉由顏料分散法製成濾色器之方法作為一例來説明，則將濾色器用之硬化性著色組成物塗布於該透明基板上，施以圖案化處理，然後藉由加熱或照光使之硬化。藉由對紅色、綠色、藍色此3個顏色分別進行此步驟，可製成濾色器用之像素部。另外，亦可於該基板上設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等主動元件之像素電極。
較佳使上述第1基板及上述第2基板對向成共通電極或像素電極層成為內側。
第1基板與第2基板之間隔亦可透過間隔物加以調整。此時，較佳調整成所得到之調光層的厚度成為1～100μm。更佳為1.5～10μm，當使用偏光板之情形時，較佳以對比度成為最大之方式來調整液晶之折射率異向性Δn與單元厚度d的積。又，當具有二片偏光板之情形時，亦可調整各偏光板之偏光軸，調整成視野角或對比度為良好。並且，亦可使用用以擴展視野角之相位差膜。作為間隔物，例如可列舉：玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻劑（photoresist）材料等。然後，以設有液晶注入口之形狀將環氧系熱硬化性組成物等密封劑網板印刷於該基板，將該基板彼此貼合，進行加熱使密封劑熱硬化。
將液晶組成物夾持於2片基板間之方法，可使用一般之真空注入法或ODF法等。
作為使本發明之液晶組成物所含有的聚合性化合物聚合的方法，較佳為下述方法：為了得到液晶之良好配向性能，較理想為適度之聚合速度，因此，藉由單一或合併使用或依序地照射紫外線或電子線等活性能量線，使之聚合。當使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，當於2片基板間夾持液晶組成物之狀態下進行聚合的情形時，至少照射面側之基板必須對於活性能量線具有適當之透明性。又，亦可使用下述方式：於照光時使用遮罩僅使特定部分聚合後，改變電場或磁場或溫度等條件，藉此改變未聚合部分之配向狀態，並進一步照射活性能量線使之聚合。尤其是當進行紫外線曝光時，較佳對液晶組成物施加交流電場且同時進行紫外線曝光。所施加之交流電場較佳為頻率10Hz～10kHz之交流，更佳為頻率60Hz～10kHz，電壓取決於液晶顯示元件之所欲的預傾角（pretilt angle）來選擇。亦即，可藉由施加之電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於PSVA模式之液晶顯示元件般之「在沒有施加電壓時液晶分子之配向（即液晶之初期配向）相對於基板大致垂直」的液晶顯示元件中，從配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳將預傾角控制為80度～89.9度。再者，大致垂直係指包含如上所述般具有預傾角之角度者，較佳為液晶分子之長軸方向與基板的角度為70度以上，更佳為75度以上，再更佳為80度以上。
當使本發明之液晶組成物含有的聚合性化合物聚合時所使用的紫外線或電子線等活性能量線之照射時的溫度並無特別限制。例如，當將本發明之液晶組成物應用於具備具有配向膜之基板的液晶顯示元件之情形時，較佳在上述液晶組成物保持液晶狀態之溫度範圍內。較佳為接近室溫之溫度，亦即典型上於15～35℃使之聚合。
另一方面，例如當將本發明之液晶組成物應用於具備不具有配向膜之基板的液晶顯示元件之情形時，其溫度範圍亦可較上述應用於具備具有配向膜之基板的液晶顯示元件之照射時的溫度範圍廣。
作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線的波長，較佳照射非為液晶組成物其吸收波長區域之波長區域的紫外線，視需要，較佳將紫外線濾除後使用。所照射之紫外線的強度較佳為0.1mW／cm2 ～100W／cm2 ，更佳為2mW／cm2 ～50W／cm2 。所照射之紫外線的能量，可加以適當調整，較佳為10mJ／cm2 ～500J／cm2 ，更佳為100mJ／cm2 ～200J／cm2 。當照射紫外線時，亦可改變強度。照射紫外線之時間，可根據所照射之紫外線強度加以適當選擇，較佳為10秒～3600秒，更佳為10秒～600秒。
以上雖然對本發明之液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法的一例進行了說明，但是本發明並不限定在上述實施形態。
例如，本發明之液晶顯示元件亦可將其一部分的構成置換成發揮相同功能的其他構成，亦可追加任意構成。又，本發明之液晶顯示元件之製造方法亦可具有含有任意目的而追加之步驟，亦可被可得到相同作用･效果之任意步驟取代。 [實施例]
以下舉出實施例更進一步詳述本發明，但本發明並沒有限定於此等實施例。又，下述實施例及比較例之組成物中的「％」意指「質量％」。實施例中關於化合物之記載使用以下之代號。 ＜液晶化合物之合成＞ （參考例1） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入1,4－萘二醇5.0g（31毫莫耳）、甲基丙烯酸6.4g（74毫莫耳）、二甲基胺基吡啶800mg、二氯甲烷100ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下，在氮氣環境下，緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺9.3g（74毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中加入二氯甲烷150ml，以5％鹽酸水溶液進行洗淨，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－1）表示之目標化合物7.2g。
Figure 02_image356
1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.16（s,6H）,5.87（m,2H）,6.52（m,2H）,7.32（s,2H）,7.52－7.56（m,2H）,7.86－7.91（m,2H）13 C－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：17.9,109.3,122.6,127.1,128.0,128.8,135.3,145.5,166.0 紅外線吸收光譜（IR）（KBr）：1740－1730,1600,760cm-1 熔點：67℃ （參考例2） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入1,5－萘二醇6.4g（40毫莫耳）、甲基丙烯酸7.6g（88毫莫耳）、二甲基胺基吡啶1.0g（8毫莫耳）、二氯甲烷200ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下，滴加二異丙基碳二醯亞胺11.6g（92毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應24小時。過濾反應液後，以10％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。去除溶劑後，藉由2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／甲醇所進行之再結晶來獲得式（RM－2）表示之目標化合物2.9g。
Figure 02_image358
1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.16（s,6H）,5.87（m,2H）,6.52（m,2H）,7.33（m,2H）,7.51（m,2H）,7.79（m,2H） 13C－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：18.5,118.7,119.2,126.0,127.7,128.3,135.6,146.9,165.6 紅外線吸收光譜（IR）（KBr）：1740,1240,1120,950,780cm-1 熔點：113℃ （實施例3） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入4－溴基－1－萘酚12g（62毫莫耳）、對甲氧苯基硼酸8.6g（56毫莫耳）、碳酸鉀13g（98毫莫耳）、肆三苯膦鈀1g、四氫呋喃200ml、純水100ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（1）所示之化合物9g。
Figure 02_image360
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入式（1）所示之化合物9g、醋酸36ml、氫溴酸22ml，於120℃使其回流5小時。反應結束後，進行冷卻，以水及水／甲醇混合溶劑洗淨析出之結晶後，進行真空乾燥，從而獲得式（2）所示之化合物7.5g。
Figure 02_image362
進一步，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（2）所示之化合物7.5g（31毫莫耳）、甲基丙烯酸6.4g（74毫莫耳）、二甲基胺基吡啶800mg、二氯甲烷100ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下，於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺9.3g（74毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷150ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－3）表示之目標化合物6.5g。
Figure 02_image364
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.11（s,3H）,2.19（s,3H）,5.80（s,1H）,5.89（s,1H）,6.41（s,1H）,6.56（s,1H）,7.24－7.27（m,2H）,7.33－7.35（m,1H）,7.42－7.55（m,5H）,7.90－7.95（m,2H）13 C－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：18.4,18.5,117.6,121.4,121.5,126.3,126.5,126.6,127.0,127.4,127.7,131.1,132.8,135.8,135.9,137.4,137.5,146.3,150.3,165.9 紅外線吸收光譜（IR）（KBr）：1740,1640,1600－1580,810cm-1 熔點：117℃ （實施例4） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入5－溴基－1－萘酚24g（124毫莫耳）、對甲氧苯基硼酸17.2g（112毫莫耳）、碳酸鉀26g（196毫莫耳）、肆三苯膦鈀2g、四氫呋喃400ml、純水200ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（3）所示之化合物18g。
Figure 02_image366
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入式（3）所示之化合物18g、醋酸72ml、氫溴酸44ml，於120℃使其回流5小時。反應結束後，進行冷卻，以水及水／甲醇混合溶劑洗淨析出之結晶後，進行真空乾燥，從而獲得式（4）所示之化合物15g。
Figure 02_image368
進一步，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（4）所示之化合物15g（62毫莫耳）、甲基丙烯酸12.8g（148毫莫耳）、二甲基胺基吡啶1.6g、二氯甲烷200ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下，於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺18.6g（148毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷300ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－4）表示之目標化合物12.1g。
Figure 02_image370
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.11（s,3H）,2.17（s,3H）,5.79（s,1H）,5.88（s,1H）,6.40（s,1H）,6.54（s,1H）,7.24－7.30（m,3H）,7.42－7.54（m,5H）,7.78（d,1H）,7.88（d,1H） 熔點：99℃ （實施例5） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入1,4－二溴萘20g（70毫莫耳）、對羥苯基硼酸19.4g（141毫莫耳）、碳酸鉀34g（245毫莫耳）、肆三苯膦鈀4g、四氫呋喃300ml、純水150ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用10倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（5）所示之化合物11g。
Figure 02_image372
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（5）所示之化合物11g（35毫莫耳）、甲基丙烯酸7.2g（84毫莫耳）、二甲基胺基吡啶940mg、二氯甲烷70ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下，於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺10.6g（84毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷100ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－5）表示之目標化合物11.2g。
Figure 02_image374
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.11（s,6H）,5.80（s,2H）,6.41（s,2H）,7.25－7.29（m,4H）,7.43－7.46（m,4H）,7.53－7.56（m,4H）,7.94－7.98（m,2H） 熔點：163℃ （實施例6） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入1,5－二溴萘20g（70毫莫耳）、對羥苯基硼酸19.4g（141毫莫耳）、碳酸鉀34g（245毫莫耳）、肆三苯膦鈀4g、四氫呋喃300ml、純水150ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用10倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（6）所示之化合物11g。
Figure 02_image376
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（6）所示之化合物11g（35毫莫耳）、甲基丙烯酸7.2g（84毫莫耳）、二甲基胺基吡啶940mg、二氯甲烷70ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺10.6g（84毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷100ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－6）表示之目標化合物12.5g。
Figure 02_image378
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.11（s,6H）,5.80（s,2H）,6.41（s,2H）,7.26（d,4H）,7.42－7.49（m,6H）,7.50（d,2H）,7.91（d,2H） 熔點：223℃ （實施例7） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，裝入4－溴基－1－萘酚12g（54毫莫耳）、（4－（四氫基－2H－吡喃－2－基氧基）苯基）硼酸11.9g（54毫莫耳）、碳酸鉀18.7g（135毫莫耳）、肆三苯膦鈀1.5g、四氫呋喃200ml、純水100ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（7）所示之化合物14g。
Figure 02_image380
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（7）所示之化合物14g（44毫莫耳）、甲基丙烯酸5.3g（61毫莫耳）、二甲基胺基吡啶530mg、二氯甲烷77ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺7.2g（57毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷35ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（8）表示之化合物14g。
Figure 02_image382
進一步，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（8）所示之化合物14g、四氫呋喃70ml、10%鹽酸水溶液28ml，於40℃使其反應5小時。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（9）表示之化合物8.9g。
Figure 02_image384
最後，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（9）所示之化合物8.9g（29毫莫耳）、二異丙基乙胺4.5g（35毫莫耳）、二氯甲烷120ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加丙烯醯氯3g（34毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。於反應液中添加二氯甲烷50ml，以鹽酸水溶液進行洗淨，接著，以水進行洗淨，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由10倍量（重量比）之二氧化矽管柱來進行純化，從而獲得式（RM－7）表示之目標化合物6.5g。
Figure 02_image386
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.18（s,3H）,5.87－5.88（m,1H）,6.05（dd,1H）,6.38（dd,1H）,6.55（s,1H）,6.66（dd,1H）,7.25－7.28（m,2H）,7.33（d,1H）,7.42－7.54（m,5H）,7.89－7.95（m,2H） 紅外線吸收光譜（IR）（KBr）：1730,1640,1600－1580,760cm-1 熔點：101℃ （實施例8） 加入上述式（5）所示之化合物8.5g（27毫莫耳）、甲基丙烯酸2.3g（27毫莫耳）、二甲基胺基吡啶160mg、二氯甲烷60ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺3.4g（27毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷30ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由10倍量（重量比）之二氧化矽管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（10）表示之目標化合物4.4g。
Figure 02_image388
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（10）所示之化合物4.4g（12毫莫耳）、二異丙基乙胺1.8g（14毫莫耳）、二氯甲烷50ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加丙烯醯氯1.2g（13毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。於反應液中添加二氯甲烷20ml，以鹽酸水溶液進行洗淨，接著，以水進行洗淨，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，從而獲得式（RM－8）表示之目標化合物4.1g。
Figure 02_image390
（物性値）1 H－NMR（溶劑：重氯仿）：δ：2.11（s,3H）,5.79（t,1H）,6.05（dd,1H）,6.35－6.42（m,2H）,6.66（dd,1H）,7.25－7.33（m,4H）,7.41－7.56（m,8H）,7.93－7.98（m,2H） 熔點：148℃ （實施例9） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入4－溴基－1－萘酚10g（44毫莫耳）、3－氟基－4－甲氧苯基硼酸8g（47毫莫耳）、碳酸鉀9g（70毫莫耳）、肆三苯膦鈀500mg、四氫呋喃200ml、純水100ml，於氮氣環境中將反應器加熱至85℃，使其反應。於反應結束後，加入乙酸乙酯，以5％鹽酸水溶液、純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾後，利用2倍量（重量比）之矽膠管柱來進行純化，從而獲得式（11）所示之化合物9g。
Figure 02_image392
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入式（11）所示之化合物9g、醋酸36ml、氫溴酸22ml，於120℃使其回流5小時。反應結束後，進行冷卻，以水及水／甲醇混合溶劑洗淨析出之結晶後，進行真空乾燥，從而獲得式（12）所示之化合物7.3g。
Figure 02_image394
進一步，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入上述式（12）所示之化合物7g（27毫莫耳）、甲基丙烯酸6.6g（77毫莫耳）、二甲基胺基吡啶200mg、二氯甲烷100ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺8.3g（66毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷150ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（RM－9）表示之目標化合物4.2g
Figure 02_image396
（物性値） LC－MS 391.1（MS+H） （參考例3） 於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，加入4－溴基－1－萘甲酸6.8g（27毫莫耳）、4－甲氧苯酚4.7g（38毫莫耳）、二甲基胺基吡啶100mg、二氯甲烷100ml，將反應容器利用冰冷槽而保持在5℃以下；於氮氣環境下緩慢滴加二異丙基碳二醯亞胺4.2g（33毫莫耳）。於滴加結束後，將反應容器返回至室溫並使其反應5小時。過濾反應液後，於濾液中添加二氯甲烷150ml，以5％鹽酸水溶液洗淨濾液，進一步以飽和食鹽水進行洗淨，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，利用藉由二氯甲烷／己烷所進行之再結晶來獲得式（13）表示之化合物7.7g。
Figure 02_image398
接著，於具備攪拌裝置、冷卻器及溫度計之反應容器中，滴加鎂0.6g（23.7毫莫耳）、THF 22mL、式（13）所示之化合物7.7g後，於66℃使其回流1小時。之後，冷卻至5℃，滴加硼酸三甲酯2.7g（25.9毫莫耳），於室溫使其反應1小時。冷卻至5℃，加入5％鹽酸水溶液30ml，於室溫攪拌1小時。以水洗浄後，加入5％碳酸氫鈉水溶液10ml，冷卻至5℃，加入30％之過氧化氫水溶液1ml及甲苯22ml。進一步，依序以水、飽和食鹽水洗浄，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾後，藉由2倍量（重量比）之氧化鋁管柱來進行純化，使其乾燥。利用藉由二氯甲烷／甲醇所進行之再結晶來獲得式（14）表示之化合物7.7g。
Figure 02_image400
除了將實施例3之式（1）所示之化合物變更為式（14）所示之化合物以外，以相同方法獲得式（15）所示之化合物6.6g。
Figure 02_image402
除了將實施例3之式（2）所示之化合物變更為式（15）所示之化合物以外，以相同方法獲得式（RM－10）所示之對象化合物7.8g。
Figure 02_image404
（物性値） LC－MS 417.2（MS+H） ＜液晶組成物之製備･評價＞ 以下之實施例中關於化合物之記載使用以下之代號。
（側鏈） －n             －Cn H2n+1 碳數n之直鏈狀烷基 n－             Cn H2n+1 －   碳數n之直鏈狀烷基 －On          －OCn H2n+1 碳數n之直鏈狀烷氧基 －V            －CH＝CH2 －V1          －CH＝CH－CH3 V－            CH2 ＝CH－ 1V－          CH3 －CH＝CH－ （連結基） －1O－             －CH2 －O－ －n－           －Cn H2n － （環結構）
Figure 02_image406
實施例中，測定之特性如下。
Tni ：向列相－等向性液相轉移溫度（℃） Δn ：於20℃之折射率異向性 γ1 ：於20℃之旋轉黏性（mPa･s） Δε ：於20℃之介電異向性 （液晶顯示元件之製造方法） 首先，將下述之含聚合性化合物之液晶組成物以真空注入法注入於含有塗布誘發垂直配向之聚醯亞胺配向膜並經摩擦處理之附有ITO之基板的液晶單元（單元間隙3.5μm）。
然後，對注入有含聚合性化合物之液晶組成物的液晶單元，使用螢光UV燈，照射任意時間之紫外線，從而獲得液晶顯示元件。此時，將螢光UV燈調整成以中心波長313nm之條件測得之照度為3mW／cm2 。 （聚合性化合物殘留量之評價方法） 測量以上述照射條件照射紫外線150秒後之液晶顯示元件中之聚合性化合物的殘留量[ppm]。說明此聚合性化合物之殘留量的測量方法。首先於試管中加入已分解之液晶顯示元件與乙腈，搖晃並進行過濾，從而得到含有液晶組成物、聚合物、未反應之聚合性化合物之溶出成分的乙腈溶液。以高速液體層析儀對其進行分析，求出各成分之峰面積。自作為指標之液晶化合物的峰面積與未反應之聚合性化合物的峰面積比，及當初所添加之聚合性化合物的量，決定殘存的聚合性化合物之量。此外，聚合性化合物之殘留量的檢測界限為100ppm。
（預傾角之評價方法） 首先，測定注入有含聚合性化合物之液晶組成物的液晶單元之預傾角，作為預傾角（紫外線照射前）。以頻率100Hz施加10V電壓於此液晶單元，並同時以上述照射條件照射紫外線150秒。然後，測量預傾角作為預傾角（紫外線照射後）。將自測得之預傾角（紫外線照射前）減去預傾角（紫外線照射後）所得之值作為藉由紫外線照射所致之預傾角變化量[°]。預傾角係使用Shintech製造之OPTIPRO進行測量。 （VHR之評價方法） 對注入有含聚合性化合物之液晶組成物的液晶單元以上述照射條件照射紫外線60分鐘，測量VHR。VHR之測量條件為1V、60Hz、60℃。
（殘影之評價方法） 對注入有含聚合性化合物之液晶組成物的液晶單元以上述照射條件照射紫外線60分鐘，然後，進行預傾角之變化所致之顯示不良（殘影）之評價。首先，測量液晶顯示元件之預傾角，作為預傾角（初期）。以頻率100Hz施加30V電壓於此液晶顯示元件，並同時照射背光24小時。然後，測量預傾角作為預傾角（測試後）。將自測得之預傾角（初期）減去預傾角（測試後）所得之值作為預傾角變化量（＝預傾角變化之絕對值）[°]。預傾角係使用Shintech製造之OPTIPRO進行測量。預傾角變化量越接近0[°]，發生因預傾角變化所引起之顯示不良的可能性越低，若在0.5[°]以上，則發生因預傾角變化所引起之顯示不良的可能性越高。
（液晶組成物之製備與評價結果） 製備LC－001～LC－005之液晶組成物，測定其物性値。液晶組成物之構成與其物性値之結果如同表1。
[表1]
Figure 02_image408
（比較例1、參考例4、實施例1～16） 對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－R1）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為比較例1。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－2）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為參考例4。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－3）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例11。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－4）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例12。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－5）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例13。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－6）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例14。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－7）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例15。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－8）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例16。
Figure 02_image410
關於比較例1、參考例4、及實施例11～16之含聚合性化合物之液晶組成物，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量、紫外線照射所致之預傾角變化量、殘影試驗之預傾角變化量、及紫外線照射後之VHR如以下表2所示。
[表2]
   比較例1 參考例4 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例 15 實施例 16
紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 2332 2064 1856 1511 1932 770 1871 1497
紫外線照射所致之預傾角變化量[°] 1.2 1.4 2.7 3.4 4.1 3.8 2.6 4.0
紫外線照射後之VHR[％] 99 98 99 98 98 98 98 98
可知：作為本發明之含聚合性化合物之液晶組成物的實施例11～16，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量比比較例1及參考例4少，聚合性化合物之聚合速度夠快。又，可知：紫外線照射所致之預傾角變化量顯示大於比較例1及參考例4的値，能以短時間來形成預傾角。又，照射60分鐘之紫外線後的VHR為足夠高的值。由上可確認到：本發明之含聚合性化合物之液晶組成物其聚合性化合物之反應速度夠快，能以短時間形成預傾角，顯示足夠高之VHR。 （比較例2、參考例5～6、實施例17～23） 對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.3質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為比較例2。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－1）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為參考例5。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－2）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為參考例6。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例17。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－4）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例18。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－5）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例19。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－6）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例20。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例21。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－8）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例22。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－11）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例23。
Figure 02_image412
關於比較例2、參考例5～6、及實施例17～23之含聚合性化合物之液晶組成物，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量、紫外線照射所致之預傾角變化量、紫外線照射後之VHR、及殘影試驗之預傾角變化量如以下表3及表4所示。
[表3]
   比較例 2 参考例 5 参考例 6 實施例 17 實施例 18 實施例 19
紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 2104 1626 1248 1053 994 998
紫外線照射所致之預傾角變化量[°] 1.1 2.8 2.7 3.6 4.0 4.1
紫外線照射後之VHR[％] 99 99 99 99 99 99
殘影試驗之預傾角變化量[°] 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
[表4]
   實施例 20 實施例 21 實施例 22 實施例 23
紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 1148 1032 971 1236
紫外線照射所致之預傾角變化量[°] 3.1 3.5 4.2 2.8
紫外線照射後之VHR[％] 99 99 99 99
殘影試驗之預傾角變化量[°] 0.2 0.2 0.2 0.2
可知：作為本發明之含聚合性化合物之液晶組成物的實施例17～23，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量比比較例2及參考例5～6少，聚合性化合物之聚合速度夠快。可知：紫外線照射所致之預傾角變化量顯示大於比較例2及參考例5～6的値，能以短時間來形成預傾角。又，確認到：照射紫外線後的VHR足夠高，殘影試驗之預傾角變化量夠小。 （比較例3及實施例24～29） 對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.30質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為比較例3。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例24。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－4）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例25。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－5）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例26。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－6）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例27。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例28。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－8）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例29。
Figure 02_image414
關於比較例3及實施例24～29之含聚合性化合物之液晶組成物，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量、紫外線照射所致之預傾角變化量、紫外線照射後之VHR、及殘影試驗之預傾角變化量如以下表5所示。
[表5]
   比較例 3 實施例 24 實施例 25 實施例 26 實施例 27 實施例 28 實施例 29
紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 2819 1815 1419 1546 1769 1789 1502
紫外線照射所致之預傾角變化量[°] 0.8 2.6 2.5 2.4 2.3 2.5 2.3
紫外線照射後之VHR[％] 99 99 99 99 99 99 99
殘影試驗之預傾角變化量[°] 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
可知：作為本發明之含聚合性化合物之液晶組成物的實施例24～29，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量少於比較例3，聚合性化合物之聚合速度夠快。可知：紫外線照射所致之預傾角變化量顯示大於比較例3的値，能以短時間來形成預傾角。又，確認到：照射紫外線後的VHR夠高，殘影試驗之預傾角變化量夠小。 （比較例4及實施例30） 對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－C）所表示之化合物0.30質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為比較例4。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－C）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例30。
Figure 02_image416
關於比較例4及實施例30之含聚合性化合物之液晶組成物，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量、紫外線照射所致之預傾角變化量、紫外線照射後之VHR、及殘影試驗之預傾角變化量如以下表6所示。
[表6]
   比較例4 實施例30
紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 2069 1896
紫外線照射所致之預傾角變化量[°] 1.9 2.8
紫外線照射後之VHR[％] 99 99
殘影試驗之預傾角變化量[°] 0.2 0.2
可知：作為本發明之含聚合性化合物之液晶組成物的實施例30，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量少於比較例4，聚合性化合物之聚合速度夠快。可知：紫外線照射所致之預傾角變化量顯示大於比較例4的値，能以短時間來形成預傾角。又，確認到：照射紫外線後的VHR夠高，殘影試驗之預傾角變化量夠小。 （實施例31～36、參考例7） 對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.25質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.05質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例31。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.20質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.1質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例32。
對99.6質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.36質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.04質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例33。
對實施例17，進一步添加式（H－1）所表示之抗氧化劑50ppm，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例34。
對實施例17，進一步添加式（H－2）所表示之抗氧化劑50ppm，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例35。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－9）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例36。
對99.7質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－A）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－10）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為參考例7。 確認到：實施例31～36和實施例11～30一樣，都解決了本發明之課題。
Figure 02_image418
（比較例5及實施例37～38） 對99.7質量份之液晶組成物LC－002，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.30質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為比較例5。
對99.7質量份之液晶組成物LC－002，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－3）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例37。
對99.7質量份之液晶組成物LC－002，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例38。
關於比較例5及實施例37～38之含聚合性化合物之液晶組成物，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量、紫外線照射所致之預傾角變化量、紫外線照射後之VHR、及殘影試驗之預傾角變化量如以下表7所示。
[表7]
   比較例 5 實施例 37 實施例 38
照射紫外線30分鐘後之聚合性化合物之殘留量[ppm] 1213 508 558
照射紫外線200秒所致之預傾角變化量[°] 0.1 1.7 1.5
紫外線照射後之VHR[％] 95 94 94
殘影試驗之預傾角變化量[°] 0.2 0.2 0.2
可知：作為本發明之含聚合性化合物之液晶組成物的實施例37～38，紫外線照射後之聚合性化合物之殘留量少於比較例5少，聚合性化合物之聚合速度夠快。可知：紫外線照射所致之預傾角變化量顯示大於比較例5的値，能以短時間來形成預傾角。又，確認到：照射紫外線後的VHR和比較例5為相同程度，殘影試驗之預傾角變化量夠小。 （實施例39～41） 對99.7質量份之液晶組成物LC－003，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例39。
對99.7質量份之液晶組成物LC－004，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例40。
對99.7質量份之液晶組成物LC－005，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份及式（RM－7）所表示之化合物0.03質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例41。 確認到：實施例39～41和實施例11～38一樣，都解決了本發明之課題。 （實施例42） 對99.2質量份之液晶組成物LC－001，添加作為聚合性化合物之式（RM－B）所表示之化合物0.27質量份、式（RM－3）所表示之化合物0.03質量份及式（SRM－1）所表示之化合物0.5質量份，將藉此獲得之含聚合性化合物之液晶組成物設為實施例42。
Figure 02_image420
對實施例42之組成物以於上述液晶顯示元件之製造方法中除了使用不具有配向膜之液晶單元以外之相同方法進行評價，結果確認到：實施例42和實施例11～41一樣，都解決了本發明之課題。
無
無

Claims (12)

  1. 一種液晶組成物，含有1種或2種以上通式（I－Np）所表示之聚合性化合物，
    Figure 03_image013
    （式中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、或碳原子數1～8之烷基、或式（i－Z）所表示之基，
    Figure 03_image005
    ， 於Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 或Xi7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Xi1 、Xi2 、Xi3 、Xi4 、Xi5 、Xi6 及Xi7 中之至少一者表示式（i－Z）所表示之基， Mi1 、Mi2 及Mi3 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中之基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、萘－1,4－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數1～8之鹵化烷基、碳原子數1～8之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或－Si3 －Pi3 取代， Li1 及Li2 分別獨立地表示單鍵、－C2 H4 －、－C3 H6 －、－C4 H8 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CH＝CRa－COO－、－CH＝CRa－OCO－、－COO－CRa＝CH－、－OCO－CRa＝CH－、－COO－CRa＝CH－COO－、－COO－CRa＝CH－OCO－、－OCO－CRa＝CH－COO－、－OCO－CRa＝CH－OCO－、－CH2 OCO－、－COOCH2 －、－OCOCH2 －、－C2 H4 OCO－、－C2 H4 COO－、－COOC2 H4 －、－OCOC2 H4 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基）， Zi1 表示鹵素原子、氰基、硝基、－Si2 －Pi2 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Si1 表示單鍵， Si2 及Si3 分別獨立地表示單鍵或碳原子數1～15之伸烷基，該伸烷基中之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－、－OCOO－或－S－取代， Pi1 、Pi2 及Pi3 分別獨立地表示選自式（R－1）至式（R－9）中之基，
    Figure 03_image007
    （式中，R11 、R12 、R13 、R14 及R15 分別獨立地表示碳原子數1至5之烷基、氟原子或氫原子中之任一者，mr5 、mr7 、nr5 及nr7 分別獨立地表示0、1、或2）， qi1 表示0或1，mi2 表示0、1或2， 於存在複數個Mi1 、Mi2 、Li1 、Li2 、Zi1 、Si2 、Si3 、Pi2 、或Pi3 之情形時，分別可相同或亦可不同， 通式（I－Np）所含之Pi1 、Pi2 及Pi3 之數量的合計數量為2或3）。
  2. 如請求項1之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上之選自通式（L）所表示之化合物中之化合物，
    Figure 03_image159
    （式中，RL1 及RL2 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， nL1 表示0、1、2或3， AL1 、AL2 及AL3 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中的基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， ZL1 及ZL2 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－COO－、－OCO－、－OCF2 －、－CF2 O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－， 當nL1 為2或3而存在複數個AL2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當nL1 為2或3而存在複數個ZL2 之情形時，其等可相同或亦可不同）。
  3. 如請求項1或2之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上之選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物，
    Figure 03_image231
    （式中，RN11 、RN12 、RN21 、RN22 、RN31 及RN32 分別獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， AN11 、AN12 、AN21 、AN22 、AN31 及AN32 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）、基（d）所組成之群中的基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （d）1,4－伸環己烯基， 上述之基（a）、基（b）、基（c）及基（d）亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， ZN11 、ZN12 、ZN21 、ZN22 、ZN31 及ZN32 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－COO－、－OCO－、－OCF2 －、－CF2 O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－， XN21 表示氫原子或氟原子， TN31 表示－CH2 －或氧原子， nN11 、nN12 、nN21 、nN22 、nN31 及nN32 分別獨立地表示0～3之整數，nN11 ＋nN12 、nN21 ＋nN22 及nN31 ＋nN32 分別獨立地為1、2或3，當存在複數個AN11 ～AN32 、ZN11 ～ZN32 之情形時，其等可相同或亦可不同，其中，不包括通式（L）所表示之化合物）。
  4. 如請求項1至3中任一項之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上之選自通式（J）所表示之化合物中之化合物，
    Figure 03_image293
    （式中，RJ1 表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， nJ1 表示0、1、2、3或4， AJ1 、AJ2 及AJ3 分別獨立地表示選自由下述基（a）、基（b）、基（c）所組成之群中的基， （a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代）， 上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可分別獨立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代， ZJ1 及ZJ2 分別獨立地表示單鍵、－CH2 CH2 －、－（CH2 ）4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－OCF2 －、－CF2 O－、－COO－、－OCO－或－C≡C－， 當nJ1 為2、3或4而存在複數個AJ2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當nJ1 為2、3或4而存在複數個ZJ1 之情形時，其等可相同或亦可不同， XJ1 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2－三氟乙基）。
  5. 如請求項1至4中任一項之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上通式（P）所表示之聚合性化合物，
    Figure 03_image306
    （上述通式（P）中，Rp1 表示氫原子、氟原子、氰基、碳原子數1～15之烷基或－Spp2 －Pp2 ，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之－CH2 －亦可分別獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，該烷基中之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， Pp1 及Pp2 分別獨立地表示通式（Pp1 －1）～式（Pp1 －9）中之任一者，
    Figure 03_image308
    （式中，Rp11 及Rp12 分別獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，Wp11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，tp11 表示0、1或2，於分子内存在複數個Rp11 、Rp12 、Wp11 及／或tp11 之情形時，其等可相同或亦可不同）， Spp1 及Spp2 分別獨立地表示單鍵或間隔基， Zp1 及Zp2 分別獨立地表示單鍵、－O－、－S－、－CH2 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CO－、－C2 H4 －、－COO－、－OCO－、－OCOOCH2 －、－CH2 OCOO－、－OCH2 CH2 O－、－CO－NRZP1 －、－NRZP1 －CO－、－SCH2 －、－CH2 S－、－CH＝CRZP1 －COO－、－CH＝CRZP1 －OCO－、－COO－CRZP1 ＝CH－、－OCO－CRZP1 ＝CH－、－COO－CRZP1 ＝CH－COO－、－COO－CRZP1 ＝CH－OCO－、－OCO－CRZP1 ＝CH－COO－、－OCO－CRZP1 ＝CH－OCO－、－（CH2 ）z －COO－、－（CH2 ）2 －OCO－、－OCO－（CH2 ）2 －、－（C＝O）－O－（CH2 ）2 －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 －、－CF2 O－、－OCF2 －、－CF2 CH2 －、－CH2 CF2 －、－CF2 CF2 －或－C≡C－（式中，z分別獨立地表示1～4之整數，RZP1 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，於分子内存在複數個RZP1 之情形時，其等可相同或亦可不同）， Ap1 、Ap2 及Ap3 分別獨立地表示選自由下述基（ap ）、基（bp ）、基（cp ）所組成之群中的基， （ap ）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH2 －或未鄰接之2個以上的－CH2 －亦可被－O－取代）， （bp ）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝亦可被－N＝取代），及 （cp ）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基、菲－2,7－二基或蒽－2,6－二基（存在於此等基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上之－CH＝一可被－N＝取代）， 上述之基（ap ）、基（bp ）及基（cp ）中所存在氫原子亦可分別獨立地被鹵素原子、碳原子數1～8之烷基、碳數1～8之烷氧基或碳原子數1～8之烯基取代，亦可被氰基、氟原子、氯原子或－Spp2 －Pp2 取代， mp1 表示0、1、2或3，於分子内存在複數個Zp1 、Ap2 、Spp2 及／或Pp2 之情形時，其等可相同或亦可不同，Ap3 在mp1 為0且Ap1 為菲－2,7－二基或蒽－2,6－二基之情形時，表示單鍵， 其中，不包括通式（I－Np）所表示之化合物）。
  6. 一種液晶顯示元件，其使用有請求項1至5中任一項之液晶組成物。
  7. 如請求項6之液晶顯示元件，其用於PSA模式、PSVA模式、PS－IPS模式或PS－FFS模式。
  8. 如請求項6或7之液晶顯示元件，其中，兩基板中之至少一基板不具備配向膜。
  9. 如請求項6至8中任一項之液晶顯示元件，其中，在未施加電壓時的液晶分子的配向相對於基板大致垂直。
  10. 一種化合物，其係以通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）表示，
    Figure 03_image423
    （式中，Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 、Pin1 、Pin2 及qin1 分別表示與通式（I－Np）中之Mi1 、Mi3 、Li1 、Si1 、Si2 、Pi1 、Pi2 及qi1 相同含義， Xin1 、Xin2 、Xin3 、Xin4 、Xin5 、Xin6 及Xin7 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷基或式（i－nZ）所表示之基，
    Figure 03_image017
    ， 於Xin1 、Xin2 、Xin3 、Xin4 、Xin5 、Xin6 或Xin7 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Min2 及Min4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之Mi2 相同含義， Lin2 及Lin4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之Li2 相同含義， min2 及min4 分別獨立地表示與式（i－Z）中之mi2 相同含義， Zin2 表示鹵素原子、氰基、硝基、－Sin4 －Pin4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，Sin4 及Pin4 分別表示與式（i－Z）中之Si2 及Pi2 相同含義， 於存在複數個Min1 、Min2 、Min4 、Lin1 、Lin2 、Lin4 、min4 、Zin2 、Sin4 及Pin4 之情形時，分別可相同或亦可不同， 其中，通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）中所含之Pin1 、Pin2 及Pin4 之數量之合計數量為2或3）。
  11. 一種請求項10之以通式（i－Np－1）或通式（i－Np－2）表示之化合物的製造方法，其係由通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）所表示之化合物來製造，
    Figure 03_image147
    （式中，Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 及qin1 分別表示與通式（I－Np－1）或通式（I－Np－2）中之Min1 、Min3 、Lin1 、Sin1 、Sin2 及qin1 相同含義， Xin1m 、Xin2m 、Xin3m 、Xin4m 、Xin5m 、Xin6m 及Xin7m 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷基或式（i－nZm）所表示之基，
    Figure 03_image149
    ， 於Xin1m 、Xin2m 、Xin3m 、Xin4m 、Xin5m 、Xin6m 或Xin7m 表示烷基之情形時，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代， Min2 、Lin2 及min2 分別表示與通式（I－Np－1）或通式（I－Np－2）中之Min2 、Lin2 及式min2 相同含義， Min4 、Lin4 及min4 分別表示與式（i－nZ）中之Min4 、Lin4 及min4 相同含義， Yiim1 、Yiim2 及Yiim4 分別獨立地表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基、鹵素原子、氰基、硝基、－Pin4 或碳原子數1～8之烷基，該烷基中所存在之1個－CH2 －或2個以上之－CH2 －亦能以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－CO－或－S－取代，又，烷基中之氫原子亦可被氟原子取代，其中，Yiim1 或Yiim2 之至少一者表示羥基、受保護之羥基或被遮蔽之羥基，Sin4 及Pin4 分別表示與式（i－nZ）中之Sin4 及Pin4 相同含義， 於存在複數個Min1 、Min2 、Min4 、Lin1 、Lin2 、Lin4 、min4 、Zin2 、Sin4 及Pin4 之情形時，分別可相同或亦可不同， 其中，通式（i－Np－1m）或通式（i－Np－2m）中所含之Yiim1 、Yiim2 、Yiim4 及Pin4 之數量的合計數量為2或3）。
  12. 一種化合物，其係請求項11之以通式（i－Np－1m）及通式（i－Np－2m）表示之化合物。
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