TW202025896A - 接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於提供一種接地構件，其可配置於任意位置，且於對使用該接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況下，於接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層間不易發生偏移。 本發明之接地構件之特徵在於：其係由具有導電性的外部連接構件構成且具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面，並且於上述第1主面具有導電性突起者，於上述導電性突起表面形成有低熔點金屬層。

Description

接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法

本發明係關於接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法。

背景技術 在急速發展小型化、高機能化的行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等電子設備中，為了將電路裝入複雜的機構中，大多會使用撓性印刷配線板。再者，活用其優異之可撓性，亦會利用在像是印刷頭般的可動部與控制部之連接。於該等電子設備中，必須要有電磁波屏蔽措施，於裝置內所使用之撓性印刷配線板中，亦開始使用施以電磁波屏蔽措施的撓性印刷配線板(以下亦記載為「屏蔽印刷配線板」)。

一般的屏蔽印刷配線板通常由基體薄膜及屏蔽薄膜構成，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置印刷電路與絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜則由接著劑層、積層於上述接著劑層之屏蔽層及積層於上述接著劑層之絕緣層構成，並以上述接著劑層與上述基體薄膜相接之方式被覆上述基體薄膜。 於印刷電路中包含有接地電路，接地電路為能接地而與電子設備的殼體電性連接。 如上所述，屏蔽印刷配線板之基體薄膜於包含接地電路的印刷電路上設置有絕緣薄膜。又，基體薄膜被具有絕緣層的屏蔽薄膜所被覆。 故，為了將接地電路與電子設備的殼體電性連接，必須於絕緣薄膜及屏蔽薄膜的一部分預先開孔。 這在設計印刷電路上會成為妨礙自由度的主要原因。

於專利文獻1中揭示有一種屏蔽薄膜，其於分離薄膜的單面塗佈形成被覆薄膜，且於前述被覆薄膜表面設置由金屬薄膜層與接著劑層構成的屏蔽層，並且該屏蔽薄膜具有接地構件，該接地構件於一端側具有突起，該突起壓抵於前述被覆薄膜並穿過該被覆薄膜而與前述屏蔽層連接，該接地構件的另一端側則露出、形成為可與其附近的接地部連接。 在製作專利文獻1記載的屏蔽薄膜時，係以接地構件之突起穿過被覆薄膜的方式使接地構件壓抵於被覆薄膜。因此，接地構件可配置於屏蔽薄膜的任意位置。 若使用此種屏蔽薄膜來製造屏蔽印刷配線板，可於任意位置將接地電路與電子設備的殼體電性連接。

先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利第4201548號公報

發明概要 發明欲解決之課題 屏蔽印刷配線板為了安裝零件，於焊料回焊步驟等中會被反覆進行加熱、冷卻。 當安裝零件至專利文獻1記載之屏蔽印刷配線板時，若如此反覆進行加熱及冷卻，會有因熱膨脹、熱收縮所造成的體積變化而使接地構件的突起與屏蔽層的連接受損，從而發生電阻值上升的現象。

本發明係用以解決上述問題而完成的發明，本發明之目的在於提供一種接地構件，其可配置於任意位置，且對使用該接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件時，於接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層間不易發生偏移。

用以解決課題之方法 即，本發明之接地構件之特徵在於：其係由具有導電性的外部連接構件構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面，並於上述第1主面具有導電性突起，於上述導電性突起表面形成有低熔點金屬層。

本發明之接地構件係使用在由基體薄膜與屏蔽薄膜構成的屏蔽印刷配線板。 首先，就屏蔽印刷配線板之構造進行說明。 於屏蔽印刷配線板中，基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路與絕緣薄膜而形成的薄膜。 又，屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於屏蔽層之絕緣層所構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板中，屏蔽薄膜係以屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較絕緣層更靠基體薄膜側之方式被覆基體薄膜。 本發明之接地構件係以本發明接地構件之導電性突起貫穿屏蔽薄膜之絕緣層的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板而配置。 又，如此於屏蔽印刷配線板配置本發明接地構件時，不需要於屏蔽印刷配線板的屏蔽薄膜之絕緣層預先設孔等，可於任意位置配置本發明接地構件。

又，本發明之接地構件中，於導電性突起的表面形成有低熔點金屬層。 將本發明的接地構件配置於屏蔽印刷配線板時、或於配置後在屏蔽印刷配線板安裝零件的零件安裝步驟中亦可進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層會軟化，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性提高。 因此，縱使是對使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，於接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層間仍不易發生偏移。

於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬層宜由熔點300℃以下的金屬形成。 若低熔點金屬層由熔點300℃以下的金屬形成，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，低熔點金屬層容易軟化，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性良好地提高。 若低熔點金屬層由熔點超過300℃的金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度會變高。因此，接地構件或屏蔽印刷配線板容易因為熱而受到損傷。

於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬層之厚度宜為0.1~50μm。 若低熔點金屬層之厚度未達0.1μm，因為構成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性會變得不易提高。 若低熔點金屬層之厚度超過50μm，則由於低熔點金屬層較厚，故接地構件的導電性突起變粗。因此，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時變得不易貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。

於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬層宜包含助焊劑。 藉由低熔點金屬層包含助焊劑，當構成低熔點金屬層之金屬軟化時，構成低熔點金屬層之金屬與接地構件之導電性突起以及屏蔽薄膜之屏蔽層可變得容易密接。 其結果，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性更為提高。

於本發明之接地構件中，上述外部連接構件宜包含選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少一種。 此等材料為適合用於將接地構件與外部接地電性連接的材料。

於本發明之接地構件中，上述第2主面宜形成有耐腐蝕層。 若於接地構件之第2主面形成有耐腐蝕層，可防止接地構件腐蝕。

於本發明之接地構件中，上述耐腐蝕層宜包含選自於由鎳、金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨及此等合金所構成群組中之至少一種。 此等材料不易腐蝕。因此，此等材料為適用於本發明接地構件之耐腐蝕層的材料。

於本發明之接地構件中，上述導電性突起亦可為柱狀。 若導電性突起為柱狀，則將接地構件壓抵於屏蔽薄膜之絕緣層時變得容易貫穿絕緣層。

於本發明之接地構件中，上述導電性突起之底面面積宜為1.0~1.0×10⁶ μm² 。 若導電性突起之底面面積未達1.0μm² ，導電性突起之強度變弱，導電性突起變得容易折斷。若導電性突起折斷，則導電性突起與外部連接構件之電性連接會切斷。而且，在技術上難以形成如此細的導電性突起。 若導電性突起之底面面積超過1.0×10⁶ μm² ，因為導電性突起過粗，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，變得不易貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。

於本發明之接地構件中，上述導電性突起彼此的間距宜為1~1000μm。 導電性突起彼此的間距未達1μm的接地構件，技術上難以製作。 若導電性突起彼此的間距超過1000μm，則導電性突起密度變低，導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的總接觸面積變小。因此，導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性容易降低。

於本發明之接地構件中，上述外部連接構件可以上述第1主面側突出之方式彎曲，突出的上述外部連接構件的一部分可成為上述導電性突起。 此種形狀的接地構件，只要將外部連接構件彎折即可輕易地製作。

本發明之屏蔽印刷配線板之特徵在於：其具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層構成，並且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體薄膜側之方式被覆上述基體薄膜，該接地構件配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層上；其中，上述接地構件由外部連接構件及導電性突起構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面，且具有導電性，該導電性突起配置於上述第1主面側，於上述導電性突起表面形成有低熔點金屬層；並且，上述接地構件之導電性突起貫穿上述屏蔽薄膜之絕緣層，上述接地構件之低熔點金屬層係連接於上述屏蔽薄膜之屏蔽層，上述接地構件之外部連接構件可與外部接地電性連接。

於本發明之屏蔽印刷配線板中使用接地構件，亦即使用本發明之接地構件，該接地構件係由外部連接構件及導電性突起構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性突起配置於上述第1主面側且於上述導電性突起表面形成有低熔點金屬層。因此，縱使是對本發明之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻而安裝零件的情況，於接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層間亦不易發生偏移。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜宜由接著劑層、積層於上述接著劑層之上述屏蔽層及積層於上述屏蔽層之上述絕緣層構成，且上述屏蔽薄膜之接著劑層係與上述基體薄膜接觸。 若屏蔽薄膜具有接著劑層，則於製造屏蔽印刷配線板時可使屏蔽薄膜容易接著於基體薄膜。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之接著劑層宜為導電性接著劑層。 若屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層，藉由接地構件之導電性突起貫通屏蔽薄膜之絕緣層，接地構件之導電性突起與導電性接著劑層即接觸，而可將接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層宜由金屬構成。 金屬作為屏蔽電磁波之屏蔽層可良好地發揮功能。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，以上述屏蔽薄膜而言，於上述接著劑層與上述屏蔽層之間、及/或於上述屏蔽層與上述絕緣層之間宜形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜與上述接地構件之導電性突起連接。 若為如此構造，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性提高。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層可為導電性接著劑層，上述導電性接著劑層可與上述基體薄膜接觸。 在屏蔽層為導電性接著劑層之情況，屏蔽層會兼具用以將屏蔽薄膜接著於基體薄膜之功能、及用以屏蔽電磁波之兩功能。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，於上述屏蔽層與上述絕緣層之間宜形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜與上述接地構件之導電性突起連接。 若為如此構造，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性提高。

本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法的特徵在於：前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及上述本發明之接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層，該本發明之接地構件配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層上；上述屏蔽印刷配線板之製造方法具有以下步驟：屏蔽薄膜載置步驟，係以上述屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較上述屏蔽薄膜之絕緣層更靠上述基體薄膜側之方式，將上述屏蔽薄膜載置於上述基體薄膜；接地構件配置步驟，係以上述接地構件之導電性突起朝向上述屏蔽薄膜之絕緣層側之方式，將上述接地構件配置於前述屏蔽薄膜；加壓步驟，係加壓上述接地構件，以使上述接地構件之導電性突起貫通上述屏蔽薄膜之絕緣層；及加熱步驟，係加熱上述接地構件之低熔點金屬層使之軟化，以使上述接地構件之低熔點金屬層連接於上述屏蔽薄膜之屏蔽層。

藉由使用上述本發明之接地構件，可製造本發明之屏蔽印刷配線板。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，亦可同時進行上述加壓步驟及上述加熱步驟。 藉由同時進行該等步驟，可使製造效率提高。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜宜由接著劑層、積層於上述接著劑層之上述屏蔽層及積層於上述屏蔽層之上述絕緣層構成。 若屏蔽薄膜具有接著劑層，則於屏蔽薄膜載置步驟中可使屏蔽薄膜容易接著於基體薄膜。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之接著劑層宜為導電性接著劑層。 若屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層，藉由使接地構件之導電性突起貫通屏蔽薄膜之絕緣層，可使接地構件之導電性突起與導電性接著劑層接觸，而可將接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層宜由金屬構成。 金屬作為屏蔽電磁波之屏蔽層可良好地發揮功能。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜中，於上述接著劑層與上述屏蔽層之間、及/或上述屏蔽層與上述絕緣層之間宜形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，於上述加熱步驟中宜使上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與上述接地構件之導電性突起連接。 藉此，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性提高。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層宜為導電性接著劑層。 若屏蔽層為導電性接著劑層，屏蔽層會兼具用以將屏蔽薄膜接著於基體薄膜的功能、及用以屏蔽電磁波的功能。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜中宜於上述屏蔽層與上述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，於上述加熱步驟中宜使上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與上述接地構件之導電性突起連接。 藉此，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性提高。

發明效果 將本發明接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，不需要於屏蔽印刷配線板的屏蔽薄膜之絕緣層預先設孔等，可於任意位置配置本發明接地構件。 又，在對使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件時，可防止於接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層間發生偏移。

用以實施發明之形態 以下就本發明之接地構件具體地進行說明。惟，本發明不限定於以下實施形態，可於不變更本發明主旨之範圍內適當地變更後進行應用。

(第一實施形態) 首先，就本發明第一實施形態之接地構件進行說明。 圖1係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 如圖1所示，接地構件1具備且具有導電性之外部連接構件10，該外部連接構件10具有第1主面11及位於第1主面11相反側之第2主面12。 又，於第1主面11形成有導電性突起20。 進而，於導電性突起20表面形成有低熔點金屬層21。

接地構件1係使用在由基體薄膜與屏蔽薄膜構成的屏蔽印刷配線板。

以下，使用圖式就屏蔽印刷配線板之構造進行說明。 圖2係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。

如圖2所示，屏蔽印刷配線板50由基體薄膜60與屏蔽薄膜70構成。 於屏蔽印刷配線板50中，基體薄膜60係於基底薄膜61上依序設置包含接地電路62a之印刷電路62與絕緣薄膜63而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜70係由接著劑層71、積層於接著劑層71之屏蔽層72及積層於屏蔽層72之絕緣層73構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板50中，屏蔽薄膜70係以屏蔽薄膜70之接著劑層71與基體薄膜60相接之方式被覆基體薄膜60。 再者，屏蔽薄膜70之接著劑層71係導電性接著劑層。

接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板50之情形。 圖3(a)及(b)係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖3(a)及(b)所示，接地構件1係以接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板50而配置。 然後，如圖3(a)所示，亦可以進一步按壓接地構件1，使其導電性突起20貫穿屏蔽薄膜70之屏蔽層72，從而使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之接著劑層71接觸。 又，如圖3(b)所示，亦可使接地構件1之導電性突起20僅與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸。 因為接著劑層71為導電性接著劑層，故藉由使導電性突起20與接著劑層71及屏蔽層72接觸、或者使導電性突起20與屏蔽層72接觸，可將接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接。 又，接地構件1之外部連接構件10連接於外部接地GND。

像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50，故不需要於屏蔽印刷配線板50的屏蔽薄膜70之絕緣層73預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。

又，於接地構件1中，於導電性突起20表面形成有低熔點金屬層21。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時、或於配置後的零件安裝步驟中亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21即軟化，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或者接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性提高。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板50反覆進行加熱及冷卻而安裝零件的情況，於接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71間亦不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜60之接地電路62a-外部接地GND間的電阻增加。 再者，在構成屏蔽層72的金屬與構成導電性突起20表面之低熔點金屬層21的金屬可形成合金之情況，藉由此等金屬形成合金，接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72之密接性將更為提高。

另外，低熔點金屬層21亦可於使接地構件1之導電性突起20與屏蔽層72連接後在屏蔽印刷配線板安裝零件的步驟中使之軟化。 例如以為了安裝零件而使用焊料的情況而言，會進行焊料回焊步驟。此時，可藉由回焊時的熱使低熔點金屬層21軟化。

於接地構件1中，低熔點金屬層21宜由熔點300℃以下的金屬形成。 若低熔點金屬層21由熔點300℃以下的金屬形成，在將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，低熔點金屬層21容易軟化，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71的密接性良好地提高。 若低熔點金屬層由熔點超過300℃的金屬形成，則將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度會變高。因此，接地構件或屏蔽印刷配線板容易因為熱而受到損傷。

於接地構件1中，形成低熔點金屬層21之金屬並無特別限定，但宜包含選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少一種。 此等金屬具備形成低熔點金屬層21時適合的熔點及導電性。

於接地構件1中，低熔點金屬層21之厚度宜為0.1~50μm。 若低熔點金屬層之厚度未達0.1μm，因為形成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層的密接性會變得不易提高。 若低熔點金屬層之厚度超過50μm，則由於低熔點金屬層較厚，故接地構件的導電性突起會變粗。因此，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，變得不易貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。

於接地構件1中，低熔點金屬層21宜包含助焊劑。 藉由低熔點金屬層21包含助焊劑，當構成低熔點金屬層21之金屬軟化時，構成低熔點金屬層21之金屬與接地構件1之導電性突起20以及屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71就變得容易密接。 其結果，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71之密接性更為提高。

作為助焊劑並無特別限定，可使用多元羧酸、乳酸、檸檬酸、油酸、硬脂酸、麩胺酸、苯甲酸、甘油、松香等周知者。

於接地構件1中，外部連接構件10宜包含選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少一種。 此等材料為適合用於將接地構件1與外部接地GND電性連接的材料。

低熔點金屬層21由錫或其合金構成時，於導電性突起20表面宜存在鎳。即，導電性突起20表面宜被鎳層包覆，於其上存在低熔點金屬層21。 低熔點金屬層21由錫或其合金構成時，有低熔點金屬層21與導電性突起20表面的金屬形成合金之情形。 然而，藉由導電性突起20表面存在鎳，可防止構成低熔點金屬層21的錫與構成導電性突起20的金屬形成合金。其結果，構成低熔點金屬層21的錫可有效率地與屏蔽層形成合金。因此，可減少用於低熔點金屬層21的錫量。

於接地構件1中，於第2主面12宜形成有耐腐蝕層。 若於接地構件1之第2主面12形成有耐腐蝕層，可防止接地構件1腐蝕。

於接地構件1中，耐腐蝕層宜包含選自於由鎳、金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨及此等合金所構成群組中之至少一種。 此等材料不易腐蝕。因此，此等材料為適用於接地構件1之耐腐蝕層的材料。

於接地構件1中，導電性突起20亦可為柱狀，例如可為圓柱、橢圓柱、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、八角柱等。 若導電性突起20為柱狀，則將接地構件1壓抵於屏蔽薄膜70之絕緣層73時可變得容易貫穿絕緣層73。

於接地構件1中，導電性突起之底面面積宜為1.0~1.0×10⁶ μm² 。 若導電性突起之底面面積未達1.0μm² ，導電性突起之強度變弱，導電性突起變得容易折斷。若導電性突起折斷，則導電性突起與外部連接構件之電性連接會切斷。因此，基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻容易變高。而且，在技術上難以形成如此細的導電性突起。 若導電性突起之底面面積超過1.0×10⁶ μm² ，因為導電性突起過粗，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時會變得不易貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。

於接地構件1中，導電性突起彼此的間距宜為1~1000μm。 導電性突起彼此的間距未達1μm的接地構件，技術上難以製作。 若導電性突起彼此的間距超過1000μm，則導電性突起的密度變低，導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層的總接觸面積變小。因此，基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻容易變高。

接著，說明本發明接地構件之製造方法之一例。 本發明接地構件之製造方法包含：(1)基體準備步驟、(2)導電性突起形成步驟、及(3)低熔點金屬層形成步驟。

以下，使用圖式就各步驟進行說明。 圖4(a)~(d)係按步驟順序示意性顯示本發明接地構件之製造方法之一例的步驟圖。

(1)基體準備步驟 首先，如圖4(a)所示，準備成為接地構件基體的金屬箔2。 金屬箔2宜為在說明上述接地構件之外部連接構件的材料時所說明的金屬。

(2)導電性突起形成步驟 接著，如圖4(b)所示，以用以形成導電性突起的抗蝕劑91遮蔽金屬箔2的一主面。

接著，如圖4(c)所示，蝕刻金屬箔2。 作為蝕刻所使用的蝕刻液，宜配合金屬箔的素材等而適當選擇。 例如金屬箔為銅箔時，作為蝕刻液宜使用過硫酸鈉水溶液、過氧化氫水和硫酸的混合液、氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液等。 可藉由本步驟形成接地構件1之外部連接構件10及導電性突起20。

(3)低熔點金屬層形成步驟 接著，如圖4(d)所示，於導電性突起20表面形成低熔點金屬層21。 形成低熔點金屬層21的方法並無特別限定，可採用鍍覆法等。 例如，以外部連接構件10及導電性突起20由銅構成而欲鍍覆錫的情況而言，可使用無電解鍍覆或電解鍍覆。

通過以上步驟，可製造接地構件1。

接著，說明使用接地構件1之屏蔽印刷配線板之製造方法。 另外，該屏蔽印刷配線板之製造方法亦為本發明屏蔽印刷配線板之製造方法的一例。

本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，該屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及上述接地構件1，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層，該接地構件1配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層上；上述屏蔽印刷配線板之製造方法包含以下步驟：(1)屏蔽薄膜載置步驟、(2)接地構件配置步驟、(3)加壓步驟、及(4)加熱步驟。

以下，使用圖式就各步驟進行說明。 圖5係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中屏蔽薄膜載置步驟之一例的步驟圖。 圖6係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中接地構件配置步驟之一例的步驟圖。 圖7係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加壓步驟之一例的步驟圖。 圖8係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加熱步驟之一例的步驟圖。

(1)屏蔽薄膜載置步驟 於本步驟中，首先準備於基底薄膜61上依序設置包含接地電路62a之印刷電路62與絕緣薄膜63而成的基體薄膜60。 又，亦準備由作為導電性接著劑層的接著劑層71、積層於接著劑層71之屏蔽層72及積層於屏蔽層72之絕緣層73構成的屏蔽薄膜70。 然後，如圖5所示，以屏蔽薄膜70之接著劑層71連接於基體薄膜60上之方式載置屏蔽薄膜70，製作屏蔽印刷配線板50(參照圖6)。

構成基體薄膜60之基底薄膜61及絕緣薄膜63的材料並無特別限定，但宜由工程塑膠構成。作為上述工程塑膠，例如可舉例：聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚等樹脂。 又，於此等工程塑膠中，在要求阻燃性時以聚苯硫醚薄膜為佳，而要求耐熱性時則以聚醯亞胺薄膜為佳。再者，基底薄膜61之厚度宜為10~40μm，絕緣薄膜63之厚度宜為10~30μm。

又，於絕緣薄膜63形成有用以使印刷電路62局部露出的孔部63a。 孔部63a之形成方法並無特別限定，可採用雷射加工等習知方法。

屏蔽薄膜70之接著劑層71係由樹脂和導電性微粒子構成的導電性接著劑層。

作為構成接著劑層71之樹脂並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層71中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層71之黏著性提高。

作為構成接著劑層71之導電性微粒子並無特別限定，例如有銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉(Ag包Cu粉)、金包銅粉、銀包鎳粉(Ag包Ni粉)、金包鎳粉，此等金屬粉可利用霧化法、羰基法等製作。又，除上述外，亦可使用於金屬粉被覆樹脂的粒子、於樹脂被覆金屬粉的粒子。再者，導電性微粒子宜為Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。其理由為可利用便宜的材料獲得導電性穩定的導電性微粒子。 再者，導電性微粒子的形狀並不需限定為球狀，例如亦可為樹枝狀、片狀、尖峰狀、棒狀、纖維狀、針狀等。又，於導電性微粒子表面可設置低熔點金屬層。此時的低熔點金屬層可使用上述的材料。

因為屏蔽薄膜70之接著劑層71為導電性接著劑層，故藉由接地構件1之導電性突起20貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73，使得接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72及接著劑層71接觸、或者使得接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸，從而可將接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接。

進而，接著劑層71可為各向異性導電性接著劑層，亦可為等向性導電性接著劑層，但較佳為各向異性導電性接著劑層。當接著劑層71為各向異性導電性接著劑層時，導電性微粒子相對於接著劑層71總體量宜以3~39重量%之範圍來含有。又，導電性微粒子之平均粒徑宜為2~20μm範圍，但宜根據各向異性導電性接著劑層厚度選擇最佳的尺寸。 又，當接著劑層71為等向性導電性接著劑層時，導電性微粒子相對於接著劑層71總體量，宜以超過39重量%且95重量%以下之範圍來含有。導電性微粒子之平均粒徑可與各向異性導電性接著劑層相同地進行選擇。

屏蔽薄膜70之屏蔽層72，只要是展現可將源自電訊號的非必要輻射或源自外部的電磁波等雜訊予以遮蔽之屏蔽效果，則由任何材料構成均可。例如，屏蔽層72可由等向性導電性樹脂或金屬構成。 屏蔽層72由金屬構成時，可為金屬箔或蒸鍍膜等金屬層，抑或形成為層狀的導電性粒子集合體。屏蔽層72為金屬層時，構成金屬的材料宜包含選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及其等合金所構成群組中之至少一種。 當屏蔽層72為導電性粒子集合體時，可使用上述導電性微粒子。 此等材料為導電性較高、適合作為屏蔽層的材料。

關於屏蔽薄膜70之屏蔽層72的厚度宜為0.01~10μm。 屏蔽層的厚度未達0.01μm，難以獲得充分的屏蔽效果。 若屏蔽層的厚度超過10μm，則難以彎曲。

作為屏蔽薄膜70之絕緣層73的材料並無特別限定，但宜為環氧系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。

關於屏蔽薄膜70之絕緣層73的厚度宜為1~10μm。

(2)接地構件配置步驟 於本步驟中，如圖6所示，係以使接地構件1之導電性突起20朝向屏蔽薄膜70之絕緣層73側之方式，將接地構件1配置於屏蔽薄膜70。

(3)加壓步驟 於本步驟中，如圖7所示，為了使接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接，係加壓接地構件1，以使接地構件1之導電性突起20貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73。藉此，接地構件1之導電性突起20就會與屏蔽薄膜70之接著劑層71及屏蔽層72接觸。 加壓時之壓力宜為0.5MPa~10MPa。 再者，於本步驟中，亦可使接地構件1之導電性突起20僅貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73，使接地構件1之導電性突起20僅與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸。

(4)加熱步驟 於本步驟中，如圖8所示，為了使接地構件1之低熔點金屬層21與屏蔽薄膜70之屏蔽層72連接，係加熱接地構件1之低熔點金屬層21使之軟化。 使接地構件1之低熔點金屬層21軟化時的溫度並無特別限定，宜為100~300℃。 藉此，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性提高。

再者，於本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中，加熱步驟只要是可使接地構件之導電性突起之低熔點金屬層軟化而與屏蔽薄膜之屏蔽層連接，加熱步驟可於任何階段進行。 例如可與上述加壓步驟同時進行、抑或作為獨立步驟進行。 藉由同時進行加壓步驟與加熱步驟，可使製造效率提高。

又，加熱步驟亦可於對加壓步驟後之屏蔽印刷配線板安裝零件的步驟中進行。例如為了安裝零件而使用焊料的情況，會進行焊料回焊步驟。亦可藉由該回焊步驟回焊時的熱使低熔點金屬層軟化。此時，會同時進行加熱步驟與零件安裝。

通過以上步驟，可製造具備接地構件1之屏蔽印刷配線板50。藉此製成的具備接地構件1之屏蔽印刷配線板50為本發明屏蔽印刷配線板的一例。

又，於上述本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中，在上述屏蔽薄膜載置步驟中，亦可準備於接著劑層與屏蔽層之間、及/或屏蔽層與絕緣層之間形成有低熔點金屬層的屏蔽薄膜。 進而，於加熱步驟宜使屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與接地構件之導電性突起連接。 藉此，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性提高。

屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜由熔點300℃以下的金屬形成。 若屏蔽薄膜之低熔點金屬層由熔點300℃以下的金屬形成，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，屏蔽薄膜之低熔點金屬層容易軟化，可使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層的密接性良好地提高。

又，形成屏蔽薄膜之低熔點金屬層的金屬並無特別限定，但宜包含選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少一種。 此等金屬具備形成低熔點金屬層時適合的熔點及導電性。

又，屏蔽薄膜之低熔點金屬層的厚度宜為0.1~50μm、較佳為0.1~10μm。 若低熔點金屬層之厚度未達0.1μm，因為形成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之屏蔽層或導電層的密接性會變得不易提高。 若屏蔽薄膜之低熔點金屬層厚度超過50μm，則於屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化時，屏蔽層會變得容易變形。 結果，屏蔽薄膜之屏蔽特性會變得容易降低。

屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜包含助焊劑。 藉由屏蔽薄膜之低熔點金屬層包含助焊劑，當構成屏蔽薄膜之低熔點金屬層之金屬軟化時，構成屏蔽薄膜之低熔點金屬層的金屬與接地構件之導電性突起變得容易密接。 其結果，可使屏蔽薄膜之低熔點金屬層與接地構件之導電性突起的密接性更為提高。

其次，就將接地構件1使用於如下屏蔽印刷配線板150之情形進行說明。 圖9(a)及(b)係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之製造方法之一例圖。 圖10係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。

如圖9(a)所示，製造屏蔽印刷配線板150時，首先於基體薄膜160載置屏蔽薄膜170。 基體薄膜160係於基底薄膜161上依序設置包含接地電路162a之印刷電路162與絕緣薄膜163而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜170係由接著劑層171、積層於接著劑層171之屏蔽層172及積層於屏蔽層172之絕緣層173構成的薄膜，且屏蔽層172為具有凸部172a及凹部172b之波狀形狀。 再者，屏蔽薄膜170之接著劑層171可具有導電性抑或不具有導電性。

接著，如圖9(b)所示，藉由加壓可製造屏蔽印刷配線板150。 於該加壓時，屏蔽薄膜170之屏蔽層172之凸部172a推開接著劑層171而連接於基體薄膜160之接地電路162a。

藉此，可製造如圖10所示的屏蔽印刷配線板150。 即，如圖10所示，屏蔽印刷配線板150由基體薄膜160與屏蔽薄膜170構成。 於屏蔽印刷配線板150中，基體薄膜160係於基底薄膜161上依序設置包含接地電路162a之印刷電路162與絕緣薄膜163而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜170係由接著劑層171、積層於接著劑層171之屏蔽層172及積層於屏蔽層172之絕緣層173構成的薄膜，且屏蔽層172為具有凸部172a及凹部172b之波狀形狀。 然後，於屏蔽印刷配線板150中，屏蔽薄膜170係以屏蔽薄膜170之接著劑層171與基體薄膜160相接之方式被覆基體薄膜160。 又，屏蔽層172之凸部172a的一部分從接著劑層171露出，而與基體薄膜160之接地電路162a接觸。

接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板150之情形。 圖11係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖11所示，接地構件1係以使接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽薄膜170之絕緣層173的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板150而配置。 然後，接地構件1之導電性突起20就會與屏蔽薄膜170之屏蔽層172接觸。

如上所述，因為屏蔽薄膜170之屏蔽層172與基體薄膜160之接地電路162a接觸，故接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜160之接地電路162a就會電性連接。 而且，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。

像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板150，故不需要於屏蔽印刷配線板150的屏蔽薄膜170之絕緣層173預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。

又，於接地構件1中，於導電性突起20表面形成有低熔點金屬層21。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板150時、或於配置後的零件安裝步驟中亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜170之屏蔽層172的密接性提高。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150反覆進行加熱及冷卻而安裝零件的情況，於接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜170之屏蔽層172間亦不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜160之接地電路162a-外部接地GND間的電阻增加。

於屏蔽印刷配線板150中，理想的基體薄膜160與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。

於屏蔽印刷配線板150中，構成屏蔽薄膜170之屏蔽層172及絕緣層173的理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之屏蔽層72及絕緣層73相同。

於屏蔽印刷配線板150中，構成屏蔽薄膜170之屏蔽薄膜170的接著劑層171的理想材料並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層171中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層171之黏著性提高。

又，於屏蔽印刷配線板150中，以屏蔽薄膜170而言，於屏蔽層172與絕緣層173間可形成有屏蔽薄膜170之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜170之低熔點金屬層可與接地構件1之導電性突起20連接。 若為如此構造，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜170之屏蔽層172的密接性提高。

其次，就將接地構件1使用於如下屏蔽印刷配線板250之情形進行說明。 圖12係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。

如圖12所示，屏蔽印刷配線板250由基體薄膜260與屏蔽薄膜270構成。 於屏蔽印刷配線板250中，基體薄膜260係於基底薄膜261上依序設置包含接地電路262a之印刷電路262與絕緣薄膜263而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜270係由接著劑層271、積層於接著劑層271之屏蔽層272及積層於屏蔽層272之絕緣層273構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板250中，屏蔽薄膜270係以屏蔽薄膜270之接著劑層271與基體薄膜260相接之方式被覆基體薄膜260。 又，屏蔽薄膜270之接著劑層271不具有導電性，印刷電路262與屏蔽層272未電性連接。

接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板250之情形。 圖13係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖13所示，接地構件1係以接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽薄膜270之絕緣層273且與屏蔽層272連接的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板250而配置。 藉此，接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜270之屏蔽層272就會接觸。因此，可將接地構件1之外部連接構件10與屏蔽薄膜270之屏蔽層272電性連接。 而且，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。

於如此配置有接地構件1之屏蔽印刷配線板250中，因為屏蔽薄膜270之屏蔽層272會與外部接地GND電性連接，故屏蔽層272可以遮蔽電磁波之電磁波屏蔽之形式良好地起作用。

像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板250，故不需要於屏蔽印刷配線板250的屏蔽薄膜270之絕緣層273預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。

又，於接地構件1中，於導電性突起20表面形成有低熔點金屬層21。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板250時、或於配置後的零件安裝步驟中亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜270之屏蔽層272的密接性提高。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，於接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜270之屏蔽層272間亦不易發生偏移。

又，接著劑層271因為未含有導電性微粒子，故可減低接著劑層271的原材料費，並可使接著劑層271薄型化。

於屏蔽印刷配線板250中，理想的基體薄膜260與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。

於屏蔽印刷配線板250中，構成屏蔽薄膜270之屏蔽層272及絕緣層273的理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之屏蔽層72及絕緣層73相同。

於屏蔽印刷配線板250中，構成屏蔽薄膜270的屏蔽薄膜270之接著劑層271理想材料並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層271中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層271之黏著性提高。

又，於屏蔽印刷配線板250中，以屏蔽薄膜270而言，於屏蔽層272與絕緣層273之間可形成有屏蔽薄膜270之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜270之低熔點金屬層亦可與接地構件1之導電性突起20連接。 若為如此構造，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜270之屏蔽層272的密接性提高。

其次，就將接地構件1使用於如下的屏蔽印刷配線板350之情形進行說明。 圖14係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。

如圖14所示，屏蔽印刷配線板350由基體薄膜360與屏蔽薄膜370構成。 於屏蔽印刷配線板350中，基體薄膜360係於基底薄膜361上依序設置包含接地電路362a之印刷電路362與絕緣薄膜363而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜370係由屏蔽層372及積層於屏蔽層372之絕緣層373構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板350中，屏蔽薄膜370係以屏蔽薄膜370之屏蔽層372與基體薄膜360相接之方式被覆基體薄膜360。 再者，屏蔽薄膜370之屏蔽層372係導電性接著劑層。

接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板350之情形。 圖15係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖15所示，接地構件1係以接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽薄膜370之絕緣層373的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板350而配置。 然後，接地構件1之導電性突起20就會與屏蔽薄膜370之屏蔽層372接觸。

如上所述，因為屏蔽薄膜370之屏蔽層372與基體薄膜360之接地電路362a接觸，故接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜360之接地電路362a就會電性連接。 而且，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。

像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板350，故不需要於屏蔽印刷配線板350的屏蔽薄膜370之絕緣層373預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。

又，於接地構件1中，於導電性突起20表面形成有低熔點金屬層21。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板350時、或於配置後的零件安裝步驟中亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜370之屏蔽層372的密接性提高。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350反覆進行加熱及冷卻而安裝零件的情況，於接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜370之屏蔽層372間亦不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜360之接地電路362a-外部接地GND間的電阻增加。

又，於屏蔽印刷配線板350中，因為屏蔽薄膜370之屏蔽層372為導電性接著劑層，故屏蔽薄膜370之屏蔽層372兼具用以將屏蔽薄膜370接著於基體薄膜360的功能、及用以屏蔽電磁波的功能。 因此，即使在用以與基體薄膜360之接著上不使用接著劑等，仍可使屏蔽薄膜370容易地接著於基體薄膜360。

於屏蔽印刷配線板350中，理想的基體薄膜360與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。

於屏蔽印刷配線板350中，構成屏蔽薄膜370之絕緣層373的理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之絕緣層73相同。

於屏蔽印刷配線板350中，屏蔽薄膜370之屏蔽層372係由樹脂和導電性微粒子構成的導電性接著劑層。

作為構成屏蔽層372之樹脂並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於屏蔽層372中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使屏蔽層372之黏著性提高。

作為構成屏蔽層372之導電性微粒子並無特別限定，例如有銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉(Ag包Cu粉)、金包銅粉、銀包鎳粉(Ag包Ni粉)、金包鎳粉，此等金屬粉可利用霧化法、羰基法等製作。又，除上述外，亦可使用於金屬粉被覆樹脂的粒子、於樹脂被覆金屬粉的粒子。再者，導電性微粒子宜為Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。其理由為可利用便宜的材料獲得導電性穩定的導電性微粒子。 再者，導電性微粒子的形狀並不需限定為球狀，例如亦可為樹枝狀、片狀、尖峰狀、棒狀、纖維狀、針狀等。

進而，屏蔽薄膜370之屏蔽層372宜為等向性導電性接著劑層。 此時，導電性微粒子相對於屏蔽層總體量，宜以超過39重量%且95重量%以下之範圍來含有。導電性微粒子之平均粒徑宜為2~20μm。

又，於屏蔽印刷配線板350中，以屏蔽薄膜370而言，屏蔽層372與絕緣層373之間亦可形成有屏蔽薄膜370之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜370之低熔點金屬層亦可與接地構件1之導電性突起20連接。 若為如此構造，可使接地構件1之導電性突起20與屏蔽薄膜370之屏蔽層372的密接性提高。

目前為止說明的上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150、使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250及使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350為本發明屏蔽印刷配線板的一例。

又，上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150、使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250或使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350，可藉由如下方法製造，即：在製造上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板50的方法中的「(1)屏蔽薄膜載置步驟」中，準備屏蔽薄膜170、屏蔽薄膜270或屏蔽薄膜370來取代屏蔽薄膜70。

(第二實施形態) 接著，說明本發明接地構件之其他態樣之第二實施形態的接地構件。

圖16係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 如圖16所示，接地構件101由具有導電性之外部連接構件110構成，具有第1主面111及位於第1主面111相反側之第2主面112。 外部連接構件110係以第1主面111側突出之方式彎曲多數次，突出的外部連接構件110的一部分會成為導電性突起120。 進而，於導電性突起120表面、即外部連接構件110的第1主面111形成有低熔點金屬層121。

此種形狀的接地構件101，只要將外部連接構件110彎折即可輕易地製作。

接地構件101中之外部連接構件110的理想材料、形成低熔點金屬層121的理想金屬等，與上述接地構件1中之外部連接構件10的理想材料、形成低熔點金屬層21的理想金屬等相同。

接著，使用圖式說明將接地構件101使用於上述屏蔽印刷配線板50之情形。 圖17係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖17所示，接地構件101係以接地構件101之導電性突起120貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73及屏蔽層72的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板50而配置。 然後，接地構件101之導電性突起120就會與屏蔽薄膜70之接著劑層71及屏蔽層72接觸。

如上所述，因為屏蔽薄膜70之接著劑層71與基體薄膜60之接地電路62a接觸，故接地構件101之外部連接構件110與基體薄膜60之接地電路62a就會電性連接。 而且，接地構件101之外部連接構件110就會連接於外部接地GND。

[實施例] 以下顯示更具體地說明本發明之實施例，但本發明並不限定於此等實施例。

(實施例1-1) (1)金屬箔準備步驟 首先，準備厚度為35μm的銅箔。

(2)導電性突起形成步驟 接著，以抗蝕劑遮蔽銅箔的一主面。 然後，使用硫酸/過氧化氫系蝕刻液作為蝕刻液蝕刻銅箔，形成圓柱形的導電性突起。 所形成的導電性突起係高度為25μm、底面直徑為30μm，導電性突起彼此的間距為90μm。

(3)低熔點金屬層形成步驟 接著，藉由電解鍍錫於導電性突起鍍覆錫，形成低熔點金屬層。 低熔點金屬層之厚度為2μm。

將鍍覆後的銅箔切成縱×橫=10mm×10mm，製成實施例1-1的接地構件。

(實施例1-2)~(實施例1-36)及(比較例1-1)~(比較例1-15) 除了將導電性突起之底面直徑、導電性突起彼此之間距寬度、切割後的接地構件尺寸如表1及2所示般變更外，與實施例1-1相同方法製成實施例1-2~實施例1-36及比較例1-1~比較例1-15的接地構件。 又，除了不設置Sn鍍覆層、將導電性突起之底面直徑、導電性突起彼此之間距寬度、切割後的接地構件尺寸如表2所示般變更外，與實施例1-1相同方法製成比較例1-1~比較例1-15的接地構件。

[表1]

[表2]

(實施例2-1) 使用實施例1-1的接地構件，以如下記載的方法製造實施例2-1的屏蔽印刷配線板。

(1)屏蔽薄膜載置步驟 首先，準備於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路與絕緣薄膜而成的基體薄膜。 於基體薄膜中，基底薄膜由聚醯亞胺構成，接地電路及印刷電路由銅構成，絕緣薄膜由聚醯亞胺構成。 又，於絕緣薄膜形成有用以使印刷電路局部露出的孔部。

又，準備依序積層有各向異性導電性接著劑層、屏蔽層及絕緣層的屏蔽薄膜。 各向異性導電性接著劑層由雙酚A型環氧樹脂及平均粒徑10μm的銅微粒子構成，其等的重量比為雙酚A型環氧樹脂：銅微粒子=100：47(換算成重量份)。又，各向異性導電性接著劑層之厚度為9μm。 又，屏蔽層由銅構成，其厚度為2μm。 又，絕緣層由環氧樹脂構成，其厚度為6μm。

接著，將屏蔽薄膜以各向異性導電性接著劑層連接於基體薄膜上之方式載置於基體薄膜上。

(2)接地構件配置步驟 接著，將實施例1-1的接地構件以其導電性突起朝向屏蔽薄膜之絕緣層側之方式配置於屏蔽薄膜。

(3)加壓步驟 然後，為了使實施例1-1的接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接，加壓接地構件，以使接地構件之導電性突起貫通屏蔽薄膜之絕緣層。 加壓時之溫度為180℃、壓力為2MPa。

(4)加熱步驟 然後，將接地構件、屏蔽薄膜及配線板投入加熱步驟(回焊步驟)，該加熱步驟係在260℃×5秒的條件下進行加熱。 又，於該加熱步驟中，係使實施例1-1之接地構件中形成在導電性突起表面的低熔點金屬層軟化，藉由低熔點金屬層而使接地構件之導電性突起與屏蔽薄膜之各向異性導電性接著劑層及屏蔽層連接。

通過以上步驟，製成實施例2-1的屏蔽印刷配線板。

(實施例2-2)~(實施例2-36)及(比較例2-1)~(比較例2-15) 除了使用實施例1-2~實施例1-36及比較例1-1~比較例1-15的接地構件作為接地構件外，與實施例2-1相同方法製成實施例2-2~實施例2-36及比較例2-1~比較例2-15的屏蔽印刷配線板。

(加熱冷卻後的電阻值測定試驗) 將各實施例及各比較例之屏蔽印刷配線板於135℃下加熱一小時。接著，反覆進行加熱處理與冷卻處理合計5次，加熱處理係於260℃下加熱5秒，冷卻處理係靜置至135℃為止。 然後，對各實施例及各比較例的屏蔽印刷配線板測定基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻值。將結果顯示於表1及2。

(因加熱冷卻造成的電阻值變化的測定試驗) 分別準備4個實施例2-1~實施例2-36之屏蔽印刷配線板、及比較例2-1~比較例2-15之屏蔽印刷配線板，測定基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻值(初始值)。 接著，將各屏蔽印刷配線板於135℃下加熱一小時，測定基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻值(初始加熱時)。 然後，反覆進行加熱處理與冷卻處理合計5次，加熱處理係於260℃加熱5秒，冷卻處理係靜置至135℃為止理，於各冷卻處理結束時測定基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻值(循環1~5)。 將結果顯示於圖18。 圖18係顯示藉由加熱冷卻所造成的電阻值變化的測定試驗結果圖。 又，將測得的電阻值之平均值及標準偏差顯示於表3。

[表3]

如表1及2所示，實施例2-1~實施例2-36之屏蔽印刷配線板顯示即使反覆進行加熱冷卻，基體薄膜之接地電路-外部接地間的電阻值亦不易變高。

又，如圖18及表3所示，實施例2-1~實施例2-36之屏蔽印刷配線板即使於初始加熱後反覆進行加熱冷卻其電阻值亦不易變化，表示藉由反覆加熱冷卻，其電阻值仍維持穩定。

1:接地構件 2:金屬箔 10:外部連接構件 11:第1主面 12:第2主面 20:導電性突起 21:低熔點金屬層 50:屏蔽印刷配線板 60:基體薄膜 61:基底薄膜 62:印刷電路 62a:接地電路 63:絕緣薄膜 63a:孔部 70:屏蔽薄膜 71:接著劑層 72:屏蔽層 73:絕緣層 91:抗蝕劑 101:接地構件 110:外部連接構件 111:第1主面 112:第2主面 120:導電性突起 121:低熔點金屬層 150:屏蔽印刷配線板 160:基體薄膜 161:基底薄膜 162:印刷電路 162a:接地電路 163:絕緣薄膜 170:屏蔽薄膜 171:接著劑層 172:屏蔽層 172a:凸部 172b:凹部 173:絕緣層 250:屏蔽印刷配線板 260:基體薄膜 261:基底薄膜 262:印刷電路 262a:接地電路 263:絕緣薄膜 270:屏蔽薄膜 271:接著劑層 272:屏蔽層 273:絕緣層 350:屏蔽印刷配線板 360:基體薄膜 361:基底薄膜 362:印刷電路 362a:接地電路 363:絕緣薄膜 370:屏蔽薄膜 372:屏蔽層 373:絕緣層 GND:外部接地

圖1係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 圖2係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖3(a)及(b)係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖4(a)~(d)係按步驟順序示意性顯示本發明接地構件之製造方法之一例的步驟圖。 圖5係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中屏蔽薄膜載置步驟之一例的步驟圖。 圖6係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中接地構件配置步驟之一例的步驟圖。 圖7係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加壓步驟之一例的步驟圖。 圖8係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加熱步驟之一例的步驟圖。 圖9(a)及(b)係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之製造方法之一例圖。 圖10係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖11係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖12係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖13係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖14係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖15係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖16係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 圖17係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖18係顯示藉由加熱冷卻所造成的電阻值變化的測定試驗結果圖。

50:屏蔽印刷配線板

60:基體薄膜

61:基底薄膜

62:印刷電路

62a:接地電路

63:絕緣薄膜

70:屏蔽薄膜

71:接著劑層

72:屏蔽層

73:絕緣層

Claims (22)

1. 一種接地構件，特徵在於： 其係由具有導電性的外部連接構件構成，該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面，並於前述第1主面具有導電性突起， 於前述導電性突起表面形成有低熔點金屬層。
2. 如請求項1之接地構件，其中前述低熔點金屬層由熔點300℃以下的金屬形成。
3. 如請求項1或2之接地構件，其中前述低熔點金屬層的厚度為0.1~50μm。
4. 如請求項1至3中任一項之接地構件，其中前述低熔點金屬層包含助焊劑。
5. 如請求項1至4中任一項之接地構件，其中前述外部連接構件包含選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少一種。
6. 如請求項1至5中任一項之接地構件，其中於前述第2主面形成有耐腐蝕層。
7. 如請求項6之接地構件，其中前述耐腐蝕層包含選自於由鎳、金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨及其等之合金所構成群組中之至少一種。
8. 如請求項1至7中任一項之接地構件，其中前述導電性突起為柱狀。
9. 如請求項8之接地構件，其中前述導電性突起之底面面積為1.0~1.0×10⁶ μm² 。
10. 如請求項8或9之接地構件，其中前述導電性突起彼此的間距為1~1000μm。
11. 如請求項1至7中任一項之接地構件，其中前述外部連接構件係以前述第1主面側突出之方式彎曲，突出的前述外部連接構件的一部分成為前述導電性突起。
12. 一種屏蔽印刷配線板，特徵在於： 其具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件， 該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成， 該屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層構成，並且以前述屏蔽層配置於較前述絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式被覆前述基體薄膜， 該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層上； 其中，前述接地構件由外部連接構件及導電性突起構成， 該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面，且具有導電性， 該導電性突起配置於前述第1主面側， 於前述導電性突起表面形成有低熔點金屬層； 並且，前述接地構件之導電性突起貫穿前述屏蔽薄膜之絕緣層； 前述接地構件之低熔點金屬層係連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層； 前述接地構件之外部連接構件可與外部接地電性連接。
13. 如請求項12之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽薄膜係由接著劑層、積層於前述接著劑層之前述屏蔽層及積層於前述屏蔽層之前述絕緣層構成， 且前述屏蔽薄膜之接著劑層與前述基體薄膜接觸。
14. 如請求項13之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層。
15. 如請求項13或14之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽薄膜之屏蔽層係由金屬構成。
16. 如請求項12之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽薄膜之屏蔽層為導電性接著劑層，前述導電性接著劑層係與前述基體薄膜接觸。
17. 一種屏蔽印刷配線板之製造方法，特徵在於： 前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及如請求項1至11中任一項之接地構件， 該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成， 該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層， 該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層上； 上述屏蔽印刷配線板之製造方法具有以下步驟： 屏蔽薄膜載置步驟，係以前述屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較前述屏蔽薄膜之絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式，將前述屏蔽薄膜載置於前述基體薄膜； 接地構件配置步驟，係以前述接地構件之導電性突起朝向前述屏蔽薄膜之絕緣層側之方式，將前述接地構件配置於前述屏蔽薄膜； 加壓步驟，係加壓前述接地構件，以使前述接地構件之導電性突起貫通前述屏蔽薄膜之絕緣層；及 加熱步驟，係加熱前述接地構件之低熔點金屬層使之軟化，以使前述接地構件之低熔點金屬層連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層。
18. 如請求項17之屏蔽印刷配線板之製造方法，其係同時進行前述加壓步驟及前述加熱步驟。
19. 如請求項17或18之屏蔽印刷配線板之製造方法，其中前述屏蔽薄膜係由接著劑層、積層於前述接著劑層之前述屏蔽層及積層於前述屏蔽層之前述絕緣層構成。
20. 如請求項19之屏蔽印刷配線板之製造方法，其中前述屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層。
21. 如請求項19或20之屏蔽印刷配線板之製造方法，其中前述屏蔽薄膜之屏蔽層係由金屬構成。
22. 如請求項17或18之屏蔽印刷配線板之製造方法，其中前述屏蔽薄膜之屏蔽層為導電性接著劑層。

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