TW202019569A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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吉田幸史
奥谷学
安田周一
金松泰範
上田大
張松
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日商斯庫林集團股份有限公司
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract

本發明之基板處理方法包括：處理液供給工序，其係將處理液供給至基板表面；去除對象物放大工序，其係藉由使供給至上述基板表面之上述處理液以與存在於上述基板表面之去除對象物接觸之狀態固化或硬化，而將上述去除對象物之表觀尺寸放大；及去除工序，其係向上述基板表面供給剝離液而將表觀尺寸被放大之上述去除對象物自上述基板表面剝離，且一面維持上述去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態一面將上述去除對象物自基板表面去除。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
於半導體裝置之製造工序中，為了去除附著於基板之各種污染物、前工序中所使用之處理液或抗蝕劑等之殘渣、或各種顆粒等(以下，存在總稱為「去除對象物」之情形)，而實施清洗工序。
於清洗工序中，一般之方法係藉由將去離子水(DIW：Deionized Water)等清洗液供給至基板，而藉由清洗液之物理作用將去除對象物去除。於下述專利文獻1中記載有一種藉由將DIW供給至基板之表面，而將去除對象物自基板上去除之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-260099號公報 [專利文獻2]美國專利申請公開第2014/041685號說明書
[發明所欲解決之問題]
於藉由清洗液將去除對象物自基板上去除之情形時，由於沿著基板表面之方向上之清洗液之流速越大，去除對象物自清洗液接受之能量越大，故而容易將去除對象物自基板表面剝除。
流經基板表面之清洗液之流速受到該清洗液之黏性之影響。詳細而言，流經基板表面之清洗液因該清洗液之黏性而被拉拽至基板。因此，沿著基板表面之方向上之清洗液之流速於較自基板表面充分地隔開之位置更靠近基板表面附近處變小。
由於去除對象物非常微小，故而於藉由專利文獻1中所記載之方法將去除對象物自基板表面去除之情形時，去除對象物於基板表面附近處接收清洗液。因此，有去除對象物無法自清洗液接受充分之能量之虞。
因此，於專利文獻2中揭示有如下方法：對基板之上表面供給包含溶質及具有揮發性之溶劑之處理液，於形成該處理液經固化或硬化而成之處理膜後，對該處理膜進行溶解而去除。
於該方法中，在處理液進行固化或硬化而形成處理膜時，去除對象物被自基板拉離。然後，被拉離之去除對象物被保持於處理膜中。其次，對基板表面供給溶解處理液。藉此，處理膜於基板上被溶解。然後，藉由沿著基板表面之溶解處理液之流動，而將去除對象物自基板之上表面去除。
然而，於專利文獻2之方法中，由於藉由溶解處理液將處理膜溶解，故而去除對象物於溶解處理液中懸浮，而再次附著於基板。此種再次附著之去除對象物無法自流經基板表面之溶解處理液接受充分之能量。因此，有無法將去除對象物自基板表面效率良好地去除之虞。
因此，本發明之一目的在於提供一種可將存在於基板表面之去除對象物效率良好地去除之基板處理方法及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法，其包括：處理液供給工序，其係將處理液供給至基板表面；去除對象物放大工序，其係藉由使提供至上述基板表面之上述處理液以與存在於上述基板表面之去除對象物接觸之狀態固化或硬化，而將上述去除對象物之表觀尺寸放大；及去除工序，其係向上述基板表面供給剝離液而將表觀尺寸被放大之上述去除對象物自上述基板表面剝離，且一面維持上述去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態一面將上述去除對象物自基板表面去除。
根據該方法，藉由以與去除對象物接觸之狀態使處理液固化或硬化，而將去除對象物之表觀尺寸放大。所謂去除對象物之表觀尺寸，係指將去除對象物與其他固體一體化時之去除對象物及該其他固體之整體尺寸。表觀尺寸被放大之去除對象物到達較原來大小之去除對象物距離基板表面更遠之位置。因此，可使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量增大。因此，去除對象物變得容易自基板剝離。
並且，去除對象物於表觀尺寸被放大之狀態下被自基板剝離，而與剝離液一併被自基板表面去除。因此，於去除對象物被自基板表面剝離後，亦可維持使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量增大之狀態。因此，可將去除對象物與剝離液一併迅速地排除至基板外部。
其結果為，可將存在於基板表面之去除對象物效率良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述去除對象物放大工序包括以上述去除對象物之表觀尺寸於上述基板之厚度方向上變得大於上述剝離液之流動中之交界層厚度之方式，將上述去除對象物之表觀尺寸放大之工序。
於在基板之厚度方向上較交界層厚度更接近基板表面之位置處，因剝離液之黏性導致剝離液之流速降低。於在基板之厚度方向上較交界層厚度距離基板表面更遠之位置，可充分地抑制剝離液之黏性對流速之影響。因此，只要去除對象物之表觀尺寸大於剝離液之流動中之交界層厚度，便可使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量充分地變大。因此，可容易地將去除對象物自基板剝離，且可與剝離液一併迅速地排除至基板外部。
於本發明之一實施形態中，上述去除對象物放大工序包括使供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化而於上述基板表面形成保持上述去除對象物之處理膜之處理膜形成工序，上述去除工序包括將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述基板表面剝離之工序。
根據該方法，藉由使處理液固化或硬化，可於基板表面形成處理膜。去除對象物由處理膜保持，因此可將去除對象物之表觀尺寸放大至處理膜之大小。然後，藉由將去除對象物與處理膜一併剝離，可一面維持表觀尺寸被放大至處理膜之大小之狀態一面將去除對象物自基板表面去除。因此，可使去除對象物自剝離液之流動接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述去除工序包括藉由上述剝離液將上述處理膜局部地溶解，而於上述處理膜形成貫通孔之貫通孔形成工序。因此，剝離液容易到達基板表面附近。因此，可使剝離液作用於處理膜與基板之界面而將處理膜自基板效率良好地剝離。另一方面，由於處理膜中形成有貫通孔之部分以外之部分未被剝離液溶解而維持固體狀態，故而可維持去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態。因此，可將去除對象物自基板表面效率良好地剝離，並且使去除對象物自剝離液之流動接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述去除工序進而包括經由上述貫通孔使上述剝離液進入至上述處理膜與上述基板表面之間之剝離液進入工序。因此，可使剝離液作用於處理膜與基板之界面而將處理膜自基板表面進一步效率良好地剝離。
於本發明之一實施形態中，上述處理液具有：溶質，其具有第1成分及對上述剝離液之溶解性較上述第1成分而言更低之第2成分；及溶劑，其溶解上述溶質。並且，上述處理膜形成工序包括形成具有由上述第1成分所形成之第1固體及由上述第2成分所形成之第2固體之上述處理膜之工序。
根據該方法，第1成分之對剝離液之溶解性較第2成分而言更高。因此，由第1成分所形成之第1固體較由第2成分所形成之第2固體而言更容易溶解於剝離液中。因此，藉由向基板表面供給剝離液，剝離液主要溶解第1固體而到達基板表面附近。因此，對於剝離液，可使剝離液作用於處理膜與基板之界面。另一方面，第2固體之大部分未被剝離液溶解而維持固體狀態。因此，可維持去除對象物被保持於第2固體中之狀態、即去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態。
其結果為，可將去除對象物自基板表面效率良好地剝離，並且使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述處理液中之上述第2成分之含量多於上述處理液中之上述第1成分之含量。
根據該方法，與處理液中之第2成分之含量少於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜中被剝離液溶解之部分變少。因此，可使伴隨於處理膜之局部溶解而自處理膜脫離之去除對象物變少。因此，大部分之去除對象物可與處理膜一併自基板表面去除，因此可抑制向基板之再次附著，並且將去除對象物有效率地排除至基板外部。
於本發明之一實施形態中，上述處理液中之上述第2成分之含量少於上述處理液中之上述第1成分之含量。
根據該方法，與處理液中之第2成分之含量多於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜中被剝離液溶解之部分變多。因此，可使處理膜***成相對細小之膜片。由於使處理膜***成相對細小之膜片，故而膜片容易自剝離液之流動受力而浮起，且容易隨著剝離液之流動而被排出至基板外部。因此，可將去除對象物與處理膜一併自基板效率良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述第1成分及上述第2成分為合成樹脂。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其包括：處理液供給單元，其將處理液供給至基板表面；固體形成單元，其使上述處理液固化或硬化；剝離液供給單元，其向上述基板表面供給剝離液；及控制器，其對上述處理液供給單元、上述固體形成單元及上述剝離液供給單元進行控制。
並且，上述控制器被編程為執行：處理液供給工序，其係自上述處理液供給單元向上述基板表面供給上述處理液；去除對象物放大工序，其係藉由使上述固體形成單元將供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化，而將存在於上述基板表面之去除對象物之表觀尺寸放大；及去除工序，其係藉由自上述剝離液供給單元向上述基板表面供給上述剝離液，而將表觀尺寸被放大之上述去除對象物自上述基板表面剝離，且一面維持上述去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態一面將上述去除對象物自基板表面去除。
根據該構成，藉由使處理液以與去除對象物接觸之狀態固化或硬化，而將去除對象物之表觀尺寸放大。表觀尺寸被放大之去除對象物到達較原來大小之去除對象物距離基板表面更遠之位置。因此，可使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量變大。因此，容易將去除對象物自基板剝離。
然後，去除對象物於表觀尺寸被放大之狀態下被自基板剝離，而與剝離液一併被自基板表面去除。因此，於去除對象物被自基板表面剝離後，亦可維持使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量增大之狀態。因此，可將去除對象物與剝離液一併迅速地排除至基板外部。
其結果為，可將存在於基板表面之去除對象物效率良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述控制器被編程為：於上述去除對象物放大工序中，以上述去除對象物之表觀尺寸於上述基板之厚度方向上變得大於沿著上述基板表面之上述剝離液之流動中之交界層厚度之方式，將上述去除對象物之表觀尺寸放大。
於在基板之厚度方向上較交界層厚度更接近基板表面之位置，因剝離液之黏性導致剝離液之流速降低。於在基板之厚度方向上較交界層厚度距離基板表面更遠之位置處，可充分地抑制剝離液之黏性對流速之影響。因此，只要去除對象物之表觀尺寸大於剝離液之流動中之交界層厚度，便可使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量充分地變大。因此，可容易將去除對象物自基板剝離，且可與剝離液一併迅速地排除至基板外部。
本發明之一實施形態係上述控制器被編程為：於上述去除對象物放大工序中，執行使供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化而於上述基板表面形成保持上述去除對象物之處理膜之處理膜形成工序，且於上述去除工序中，將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述基板表面剝離。
根據該構成，藉由使處理液固化或硬化，可於基板表面形成處理膜。去除對象物由處理膜保持，因此可將去除對象物之表觀尺寸放大至處理膜之大小。然後，藉由將去除對象物與處理膜一併剝離，可一面維持表觀尺寸被放大至處理膜之大小之狀態一面將去除對象物自基板表面去除。因此，可使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述控制器被編程為：於上述去除工序中，執行使上述剝離液將上述處理膜局部地溶解而於上述處理膜形成貫通孔之貫通孔形成工序。因此，剝離液容易到達基板表面附近。因此，可使剝離液作用於處理膜與基板W之界面而將處理膜自基板效率良好地剝離。另一方面，由於處理膜中形成有貫通孔之部分以外之部分未被剝離液溶解而維持固體狀態，故而可維持於剝離液中去除對象物之表觀尺寸仍被放大之狀態。因此，可將去除對象物自基板表面效率良好地剝離，並且可使去除對象物自剝離液之流動接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述控制器被編程為：於上述去除工序中，經由上述貫通孔使上述剝離液進入至上述處理膜與上述基板表面之間。因此，可使剝離液作用於處理膜與基板之界面而將處理膜自基板表面進一步效率良好地剝離。
於本發明之一實施形態中，上述處理液具有：溶質，其具有第1成分及對上述剝離液之溶解性較上述第1成分而言更低之第2成分；及溶劑，其溶解上述溶質。並且，上述控制器被編程為：於上述處理膜形成工序中，形成包含由上述第1成分所形成之第1固體及由上述第2成分所形成之第2固體之上述處理膜。
根據該構成，第1成分之對剝離液之溶解性較第2成分而言更高。因此，由第1成分所形成之第1固體較由第2成分所形成之第2固體而言更容易溶解於剝離液中。因此，藉由向基板表面供給剝離液，剝離液主要溶解第1固體而到達基板表面附近。因此，對於剝離液，使剝離液作用於處理膜與基板之界面，而可將保持有去除對象物之狀態下之處理膜自基板表面效率良好地剝離。另一方面，第2固體之大部分未被剝離液溶解而維持固體狀態，因此可維持去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態。
其結果為，可將去除對象物自基板表面效率良好地剝離，並且使去除對象物自流經基板表面之剝離液接受之能量充分地變大。
於本發明之一實施形態中，上述處理液中之上述第2成分之含量多於上述處理液中之上述第1成分之含量。
根據該構成，與處理液中之第2成分之含量少於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜中被剝離液溶解之部分變少。因此，可使伴隨著處理膜之局部溶解而自處理膜脫離之去除對象物變少。因此，大部分之去除對象物可與處理膜一併自基板表面去除，因此可抑制向基板之再次附著，並且將去除對象物有效率地排除至基板外部。
於本發明之一實施形態中，上述處理液中之上述第2成分之含量少於上述處理液中之上述第1成分之含量。
根據該構成，與處理液中之第2成分之含量多於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜中被剝離液溶解之部分變多。因此，可使處理膜***成相對細小之膜片。由於使處理膜***成相對細小之膜片，故而膜片容易自剝離液之流動受力而浮起，且容易隨著剝離液之流動而被排出至基板外部。因此，可將去除對象物與處理膜一併自基板效率良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述第1成分及上述第2成分為合成樹脂。
參照隨附圖式並藉由下文所述之實施形態之說明而明瞭本發明中之上述、或進而其他目的、特徵及效果。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之佈局之模式性俯視圖。
基板處理裝置1係對矽晶圓等基板W逐片地進行處理之單片式裝置。於該實施形態中，基板W為圓板狀之基板。
基板處理裝置1包括：利用流體對基板W進行處理之複數個處理單元2、供載置對被處理單元2處理之複數片基板W進行收容之載體C之負載埠LP、於負載埠LP與處理單元2之間搬送基板W之搬送機械臂IR及CR、以及控制基板處理裝置1之控制器3。
搬送機械臂IR於載體C與搬送機械臂CR之間搬送基板W。搬送機械臂CR於搬送機械臂IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同之構成。詳細而言如後所述，於處理單元2內供給至基板W之處理流體包括藥液、沖洗液、處理液、剝離液、緩衝液、熱媒、惰性氣體等。
各處理單元2具備腔室4、及配置於腔室4內之處理承杯7，且於處理承杯7內執行對基板W之處理。於腔室4形成有用以向腔室4內搬入基板W，或自腔室4內搬出基板W之出入口(未圖示)。腔室4具備將該出入口開啟及關閉之擋板單元(未圖示)。
圖2係用以說明處理單元2之構成例之模式圖。處理單元2進而包括：旋轉夾頭5、對向構件6、第1移動噴嘴8、第2移動噴嘴9、第3移動噴嘴10、中央噴嘴11、及下表面噴嘴12。
旋轉夾頭5一面將基板W水平地保持一面使之繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線A1(鉛垂軸線)旋轉。旋轉夾頭5包括：複數個夾盤銷20、旋轉基座21、旋轉軸22、及旋轉馬達23。
旋轉基座21具有沿著水平方向之圓板形狀。於旋轉基座21之上表面，在旋轉基座21之圓周方向上空開間隔配置有固持基板W之周緣之複數個夾盤銷20。旋轉基座21及複數個夾盤銷20構成將基板W水平地保持之基板保持單元。基板保持單元亦稱為基板保持器。
旋轉軸22沿著旋轉軸線A1在鉛垂方向上延伸。旋轉軸22之上端部結合於旋轉基座21之下表面中央。旋轉馬達23對旋轉軸22施加旋轉力。藉由利用旋轉馬達23使旋轉軸22旋轉，而使旋轉基座21旋轉。藉此，基板W繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉馬達23係使基板W繞旋轉軸線A1旋轉之基板旋轉單元之一例。
對向構件6係自上方與保持於旋轉夾頭5之基板W對向。對向構件6形成為具有與基板W大致相同之直徑或該直徑以上之直徑的圓板狀。對向構件6具有與基板W之上表面(上側之表面)對向之對向面6a。對向面6a係於較旋轉夾頭5更靠近上方處沿著大致水平面配置。
於對向構件6中與對向面6a之相反側固定有中空軸60。於對向構件6中在俯視下與旋轉軸線A1重疊之部分形成有連通孔6b，該連通孔6b於上下貫通對向構件6，且與中空軸60之內部空間60a連通。
對向構件6將對向面6a與基板W之上表面之間之空間內的環境與該空間之外部之環境阻隔開。因此，對向構件6亦被稱為阻隔板。
處理單元2進而包括驅動對向構件6之升降之對向構件升降單元61。對向構件升降單元61可使對向構件6位於下部位置至上部位置之任意位置(高度)。所謂下部位置，係指於對向構件6之可動範圍內對向面6a最接近基板W之位置。所謂上部位置，係指於對向構件6之可動範圍內對向面6a離開基板W最遠之位置。
對向構件升降單元61例如包括：與支持中空軸60之支持構件(未圖示)結合之滾珠螺桿機構(未圖示)、及對該滾珠螺桿機構施加驅動力之電動馬達(未圖示)。
處理承杯7包括：接住自保持於旋轉夾頭5之基板W向外側飛散之液體之複數個防護體71、接住由複數個防護體71引導至下方之液體之複數個承杯72、及包圍複數個防護體71與複數個承杯72之圓筒狀之外壁構件73。
於該實施形態中，示出了設置有2個防護體71(第1防護體71A及第2防護體71B)、及2個承杯72(第1承杯72A及第2承杯72B)之例。
第1承杯72A及第2承杯72B分別具有朝上敞開之環狀槽之形態。
第1防護體71A係以包圍旋轉基座21之方式配置。第2防護體71B係以於較第1防護體71A更向基板W之旋轉直徑方向外側包圍旋轉基座21之方式配置。
第1防護體71A及第2防護體71B分別具有大致圓筒形狀，第1防護體71A之上端部及第2防護體71B之上端部分別以朝向旋轉基座21之方式向內側傾斜。
第1承杯72A接住由第1防護體71A引導至下方之液體。第2承杯72B與第1防護體71A一體形成，且接住由第2防護體71B引導至下方之液體。
處理單元2包括分別使第1防護體71A及第2防護體71B升降之防護體升降單元74。防護體升降單元74係於下部位置與上部位置之間使第1防護體71A升降。防護體升降單元74係於下部位置與上部位置之間使第2防護體71B升降。
於第1防護體71A及第2防護體71B均位於上部位置時，自基板W飛散之液體被第1防護體71A接住。於第1防護體71A位於下部位置，且第2防護體71B位於上部位置時，自基板W之飛散之液體被第2防護體71B接住。
防護體升降單元74例如包括：與第1防護體71A結合之第1滾珠螺桿機構(未圖示)、對第1滾珠螺桿施加驅動力之第1馬達(未圖示)、與第2防護體71B結合之第2滾珠螺桿機構(未圖示)、及對第2滾珠螺桿機構施加驅動力之第2馬達(未圖示)。
第1移動噴嘴8係朝向保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給(噴出)藥液之藥液供給單元之一例。
第1移動噴嘴8係藉由第1噴嘴移動單元36於水平方向及鉛垂方向移動。第1移動噴嘴8可於中心位置與起始位置(退避位置)之間進行移動。第1移動噴嘴8於位於中心位置時，與基板W之上表面之旋轉中心對向。所謂基板W之上表面之旋轉中心，係指基板W之上表面處之與旋轉軸線A1之交叉位置。
第1移動噴嘴8於位於起始位置時，不與基板W之上表面對向，且於俯視下位於處理承杯7之外側。第1移動噴嘴8藉由向鉛垂方向之移動，可接近基板W之上表面，或自基板W之上表面向上方退避。
第1噴嘴移動單元36例如包括：沿著鉛垂方向之旋動軸(未圖示)、與旋動軸結合且水平地延伸之支臂(未圖示)、及使旋動軸升降或旋動之旋動軸驅動單元(未圖示)。
旋動軸驅動單元藉由使旋動軸繞鉛垂之旋動軸線進行旋動，而使支臂擺動。進而，旋動軸驅動單元藉由使旋動軸沿著鉛垂方向進行升降，而使支臂上下移動。第1移動噴嘴8被固定於支臂。根據支臂之擺動及升降，第1移動噴嘴8於水平方向及鉛垂方向上移動。
第1移動噴嘴8連接於供引導藥液之藥液配管40。當介裝於藥液配管40之藥液閥50被打開時，藥液被自第1移動噴嘴8向下方連續地噴出。
自第1移動噴嘴8噴出之藥液例如為包括硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、防腐劑中之至少一種之液體。作為將該等混合而成之藥液之例，可列舉：SPM液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫水混合液)、SC1液(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨過氧化氫水混合液)等。
第2移動噴嘴9係朝向保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給(噴出)處理液之處理液供給單元之一例。
第2移動噴嘴9係藉由第2噴嘴移動單元37而於水平方向及鉛垂方向上移動。第2移動噴嘴9可於中心位置與起始位置(退避位置)之間進行移動。第2移動噴嘴9於位於中心位置時，與基板W之上表面之旋轉中心對向。
第2移動噴嘴9於位於起始位置時，不與基板W之上表面對向，且於俯視下位於處理承杯7之外側。第2移動噴嘴9藉由向鉛垂方向之移動，可接近基板W之上表面，或自基板W之上表面向上方退避。
第2噴嘴移動單元37具有與第1噴嘴移動單元36相同之構成。即，第2噴嘴移動單元37例如包括：沿著鉛垂方向之旋動軸(未圖示)、與旋動軸及第2移動噴嘴9結合且水平地延伸之支臂(未圖示)、及使旋動軸升降或旋動之旋動軸驅動單元(未圖示)。
第2移動噴嘴9連接於引導處理液之處理液配管41。當介裝於處理液配管41之處理液閥51被打開時，處理液自第2移動噴嘴9向下方連續地噴出。
自第2移動噴嘴9噴出之處理液包含溶質及溶劑。該處理液係藉由溶劑之至少一部分揮發而被固化或硬化。該處理液藉由於基板W上進行固化或硬化，而形成保持基板W上所存在之顆粒等去除對象物之處理膜。
此處，所謂「固化」，例如係指伴隨於溶劑之揮發(蒸發)，溶質藉由作用於分子間或原子間之力等而凝固。所謂「硬化」，例如係指溶質藉由聚合或交聯等化學性變化而凝固。因此，所謂「固化或硬化」，係表示因各種原因導致溶質「凝固」。
自第2移動噴嘴9噴出之處理液中之溶質包含第1成分及第2成分。處理液中所含之第1成分之量(含量)少於處理液中所含之第2成分之量(含量)。
第1成分及第2成分例如為彼此性質不同之合成樹脂。自第2移動噴嘴9噴出之處理液中所含之溶劑只要為使第1成分及第2成分溶解之液體即可。
作為用作溶質之合成樹脂之例，可列舉：丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚四氟乙烯、丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂、丙烯腈苯乙烯樹脂、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、聚乙烯醇、改性聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚碸、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺等。
作為使合成樹脂溶解之溶劑，例如可列舉：IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)、PGEE(丙二醇單***)、PGMEA(丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯)、EL(乳酸乙酯)等。
第3移動噴嘴10係朝向保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給(噴出)剝離液之剝離液供給單元之一例，於該實施形態中，為朝向保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給(噴出)緩衝液之緩衝液供給單元之一例。
第3移動噴嘴10係藉由第3噴嘴移動單元38而於水平方向及鉛垂方向上移動。第3移動噴嘴10可於中心位置與起始位置(退避位置)之間進行移動。
第3移動噴嘴10於位於中心位置時，與基板W之上表面之旋轉中心對向。第3移動噴嘴10於位於起始位置時，不與基板W之上表面對向，且於俯視下位於處理承杯7之外側。第3移動噴嘴10藉由向鉛垂方向之移動，可接近基板W之上表面，或自基板W之上表面向上方退避。
第3噴嘴移動單元38具有與第1噴嘴移動單元36相同之構成。即，第3噴嘴移動單元38例如包括：沿著鉛垂方向之旋動軸(未圖示)、與旋動軸及第3移動噴嘴10結合且水平地延伸之支臂(未圖示)、使旋動軸升降或旋動之旋動軸驅動單元(未圖示)。
第3移動噴嘴10連接於向第3移動噴嘴10引導剝離液之上側剝離液配管42。當介裝於上側剝離液配管42之上側剝離液閥52被打開時，剝離液自第3移動噴嘴10之噴出口向下方連續地噴出。
第3移動噴嘴10亦連接於向第3移動噴嘴10引導緩衝液之上側緩衝液配管43。當介裝於上側緩衝液配管43之上側緩衝液閥53被打開時，緩衝液自第3移動噴嘴10之噴出口向下方連續地噴出。
剝離液係用以將基板W上之處理膜自基板W之上表面剝離之液體。作為剝離液，使用較處理液之溶質中所含之第2成分而言更容易使處理液之溶質中所含之第1成分溶解之液體。換言之，作為剝離液，使用第1成分對剝離液之溶解性(溶解度)高於第2成分對剝離液之溶解性(溶解度)之液體。剝離液較佳為與處理液中所含之溶劑具有相溶性(能夠混合)之液體。
剝離液例如為水系剝離液，作為水系剝離液之例，可列舉：DIW、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、鹼性水溶液等。作為鹼性水溶液之例，可列舉：SC1液、氨水溶液、TMAH等四級氫氧化銨之水溶液、膽鹼水溶液等。
緩衝液係用以對剝離液對處理膜之剝離作用進行緩衝之液體。藉由於剝離液之前向處理膜供給緩衝液，可避免高濃度之剝離液作用於處理膜之一部分。藉此，藉由預先於剝離液之供給之前對處理膜供給緩衝液，可使剝離液毫無遺漏地作用於整個處理膜。
作為緩衝液之例，可列舉：DIW、碳酸水、電解離子水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之氨水、還原水(氫水)等。即，作為緩衝液，可使用與沖洗液相同之液體。
中央噴嘴11被收容於對向構件6之中空軸60之內部空間60a內。設置於中央噴嘴11之前端之噴出口11a自上方與基板W之上表面之中央區域對向。作為基板W之上表面之中央區域，係指於基板W之上表面處包括基板W之旋轉中心之區域。
中央噴嘴11包括：向下方噴出流體之複數個管體(第1管體31、第2管體32及第3管體33)、包圍複數個管體之筒狀之外殼30。複數個管體及外殼30係沿著旋轉軸線A1於上下方向上延伸。中央噴嘴11之噴出口11a為第1管體31之噴出口，亦為第2管體32之噴出口，亦為第3管體33之噴出口。
第1管體31係將沖洗液供給至基板W之上表面之沖洗液供給單元之一例。第2管體32係作為將氣體供給至基板W之上表面與對向構件6之對向面6a之間之氣體供給單元的一例。第3管體33係將IPA等有機溶劑供給至基板W之上表面之有機溶劑供給單元之一例。
第1管體31連接於將沖洗液引導至第1管體31之上側沖洗液配管44。當介裝於上側沖洗液配管44之上側沖洗液閥54被打開時，沖洗液自第1管體31(中央噴嘴11)向基板W之上表面之中央區域連續地噴出。
作為沖洗液之例，可列舉：DIW、碳酸水、電解離子水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之氨水、還原水(氫水)等。沖洗液係與緩衝液相同之液體，因此第1管體31亦為緩衝液供給單元之一例。
第2管體32連接於將氣體引導至第2管體32之氣體配管45。當介裝於氣體配管45之氣體閥55被打開時，氣體自第2管體32(中央噴嘴11)向下方連續地噴出。
自第2管體32噴出之氣體例如為氮氣(N2 )等惰性氣體。自第2管體32噴出之氣體亦可為空氣。所謂惰性氣體，不限於氮氣，為相對於基板W之上表面、或形成於基板W之上表面之圖案為惰性之氣體。作為惰性氣體之例，除氮氣以外，可列舉氬氣等稀有氣體類。
第3管體33連接於將有機溶劑引導至第3管體33之有機溶劑配管46。當介裝於有機溶劑配管46之有機溶劑閥56被打開時，有機溶劑自第3管體33(中央噴嘴11)向基板W之上表面之中央區域連續地噴出。
自第3管體33噴出之有機溶劑係將在藉由剝離液而去除處理膜後之基板W之上表面殘留之殘渣去除之殘渣去除液。自第3管體33噴出之有機溶劑較佳為具有與處理液及沖洗液之相溶性。
作為自第3管體33噴出之有機溶劑之例，可列舉包含IPA、HFE(氫氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮及反式-1,2-二氯乙烯中之至少一者之液體等。
又，自第3管體33噴出之有機溶劑無需僅由單一成分所構成，亦可為與其他成分之混合液體。例如，亦可為IPA與DIW之混合液，亦可為IPA與HFE之混合液。
下表面噴嘴12被***至在旋轉基座21之上表面中央部處開口之貫通孔21a。下表面噴嘴12之噴出口12a自旋轉基座21之上表面露出。下表面噴嘴12之噴出口12a自下方與基板W之下表面之中央區域對向。所謂基板W之下表面之中央區域，係指基板W之下表面處包括基板W之旋轉中心之區域。
於下表面噴嘴12連接有將沖洗液、剝離液、及熱媒共通地引導至下表面噴嘴12之共通配管80之一端。於共通配管80之另一端連接有向共通配管80引導沖洗液之下側沖洗液配管81、向共通配管80引導剝離液之下側剝離液配管82、及向共通配管80引導熱媒之熱媒配管83。
當介裝於下側沖洗液配管81之下側沖洗液閥86被打開時，沖洗液自下表面噴嘴12向基板W之下表面之中央區域連續地噴出。當介裝於下側剝離液配管82之下側剝離液閥87被打開時，剝離液自下表面噴嘴12向基板W之下表面之中央區域連續地噴出。當介裝於熱媒配管83之熱媒閥88被打開時，熱媒自下表面噴嘴12向基板W之下表面之中央區域連續地噴出。
下表面噴嘴12係向基板W之下表面供給沖洗液之下側沖洗液供給單元之一例。用作沖洗液之液體亦可用作緩衝液，因此下表面噴嘴12亦為下側緩衝液供給單元之一例。
又，下表面噴嘴12係向基板W之下表面供給剝離液之下側剝離液供給單元之一例。又，下表面噴嘴12係將用以加熱基板W之熱媒供給至基板W之熱媒供給單元之一例。下表面噴嘴12亦為加熱基板W之基板加熱單元。
自下表面噴嘴12噴出之熱媒例如為較室溫高且較處理液中所含之溶劑之沸點低之溫度(例如60℃～80℃)之高溫DIW。自下表面噴嘴12噴出之熱媒不限於高溫DIW，亦可為較室溫高且較處理液中所含之溶劑之沸點低之溫度(例如60℃～80℃)之高溫惰性氣體或高溫空氣等高溫氣體。
圖3係表示基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。控制器3具備微電腦，根據特定控工序式對基板處理裝置1所具備之控制對象進行控制。
具體而言，控制器3包括處理器(CPU)3A、及儲存有控工序式之記憶體3B。控制器3構成為：藉由使處理器3A執行控工序式，而執行用以處理基板之各種控制。
尤其是，控制器3被編程為對搬送機械臂IR、CR、旋轉馬達23、第1噴嘴移動單元36、第2噴嘴移動單元37、第3噴嘴移動單元38、對向構件升降單元61、防護體升降單元74、藥液閥50、處理液閥51、上側剝離液閥52、上側緩衝液閥53、上側沖洗液閥54、氣體閥55、有機溶劑閥56、下側沖洗液閥86、下側剝離液閥87、及熱媒閥88進行控制。
圖4係用以對藉由基板處理裝置1進行之基板處理之一例進行說明之流程圖。於圖4中，主要示出了藉由使控制器3執行程式而實現之處理。圖5A～圖5H係用以對上述基板處理之各工序之狀況進行說明之模式圖。
於藉由基板處理裝置1進行之基板處理中，例如如圖4所示，依序執行基板搬入工序(步驟S1)、藥液供給工序(步驟S2)、第1沖洗工序(步驟S3)、第1有機溶劑供給工序(步驟S4)、處理液供給工序(步驟S5)、薄膜化工序(步驟S6)、加熱工序(步驟S7)、緩衝工序(步驟S8)、去除工序(步驟S9)、第2沖洗工序(步驟S10)、第2有機溶劑供給工序(步驟S11)、旋轉乾燥工序(步驟S12)及基板搬出工序(步驟S13)。
首先，未處理之基板W藉由搬送機械臂IR、CR(參照圖1)被自載體C搬入至處理單元2，並傳遞給旋轉夾頭5(步驟S1)。藉此，基板W藉由旋轉夾頭5而被水平地保持(基板保持工序)。藉由旋轉夾頭5進行之基板W之保持繼續至旋轉乾燥工序(步驟S12)結束為止。於基板W之搬入時，對向構件6退避至上部位置。
其次，於搬送機械臂CR退避至處理單元2外部後，開始藥液供給工序(步驟S2)。具體而言，旋轉馬達23使旋轉基座21旋轉。藉此，使被水平地保持之基板W旋轉(基板旋轉工序)。然後，防護體升降單元74使第1防護體71A及第2防護體71B移動至上部位置。
然後，第1噴嘴移動單元36使第1移動噴嘴8移動至處理位置。第1移動噴嘴8之處理位置例如為中央位置。然後，打開藥液閥50。藉此，自第1移動噴嘴8向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)藥液。於藥液供給工序中，基板W係以特定藥液轉速、例如800 rpm旋轉。
供給至基板W之上表面之藥液受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個上表面。藉此，基板W之上表面經藥液處理。來自第1移動噴嘴8之藥液之噴出係持續特定時間、例如30秒鐘。
其次，開始第1沖洗工序(步驟S3)。於第1沖洗工序中，基板W上之藥液被沖洗液沖洗掉。
具體而言，關閉藥液閥50。藉此，停止對基板W供給藥液。然後，第1噴嘴移動單元36使第1移動噴嘴8移動至起始位置。然後，對向構件升降單元61使對向構件6移動至上部位置與下部位置之間之處理位置。於對向構件6位於處理位置時，基板W之上表面與對向面6a之間之距離例如為30 mm。於第1沖洗工序中，第1防護體71A及第2防護體71B之位置被維持於上部位置。
然後，打開上側沖洗液閥54。藉此，自中央噴嘴11向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)沖洗液。又，打開下側沖洗液閥86。藉此，自下表面噴嘴12向旋轉狀態之基板W之下表面之中央區域供給(噴出)沖洗液。於第1沖洗工序中，基板W係以特定之第1沖洗轉速、例如800 rpm旋轉。
自中央噴嘴11供給至基板W之上表面之沖洗液受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個上表面。藉此，基板W之上表面之藥液被沖洗至基板W外部。
自下表面噴嘴12供給至基板W之下表面之沖洗液受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個下表面。即便於因藥液供給工序而自基板W飛散之藥液附著於下表面之情形時，亦藉由自下表面噴嘴12供給之沖洗液而沖洗附著於下表面之藥液。來自中央噴嘴11及下表面噴嘴12之沖洗液之噴出係持續特定時間、例如30秒鐘。
其次，開始第1有機溶劑供給工序(步驟S4)。於第1有機溶劑供給工序中，基板W上之沖洗液被有機溶劑置換。
具體而言，關閉上側沖洗液閥54及下側沖洗液閥86。藉此，停止對基板W之上表面及下表面供給沖洗液。然後，防護體升降單元74於將第2防護體71B維持於上部位置之狀態下使第1防護體71A移動至下部位置。對向構件6被維持於處理位置。
於第1有機溶劑供給工序中，基板W係以特定之第1有機溶劑轉速、例如300 rpm～1500 rpm旋轉。基板W無需於第1有機溶劑供給工序中以固定轉速旋轉。例如，旋轉馬達23亦可於有機溶劑之供給開始時使基板W以300 rpm進行旋轉，一面向基板W供給有機溶劑一面使基板W之旋轉加速直至基板W之轉速成為1500 rpm為止。
然後，打開有機溶劑閥56。藉此，自中央噴嘴11向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)有機溶劑。
自中央噴嘴11供給至基板W之上表面之有機溶劑受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個上表面。藉此，基板W上之沖洗液被有機溶劑置換。來自中央噴嘴11之有機溶劑之噴出係持續特定時間、例如10秒鐘。
其次，開始處理液供給工序(步驟S5)。具體而言，關閉有機溶劑閥56。藉此，停止對基板W供給有機溶劑。然後，對向構件升降單元61使對向構件6移動至上部位置。然後，防護體升降單元74使第1防護體71A移動至上部位置。於處理液供給工序中，基板W係以特定之處理液轉速、例如10 rpm～1500 rpm旋轉。
然後，如圖5A所示，第2噴嘴移動單元37使第2移動噴嘴9移動至處理位置。第2移動噴嘴9之處理位置例如為中央位置。然後，打開處理液閥51。藉此，自第2移動噴嘴9向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)處理液(處理液供給工序、處理液噴出工序)。藉此，基板W上之有機溶劑被處理液置換，而於基板W上形成處理液之液膜(處理液膜101)(處理液膜形成工序)。來自第2移動噴嘴9之處理液之供給係持續特定時間、例如2秒～4秒鐘。
其次，執行處理膜形成工序(步驟S6及步驟S7)。於處理膜形成工序中，基板W上之處理液被固化或硬化而於基板W之上表面形成處理膜100(參照圖5C)。
於處理膜形成工序中，執行薄膜化工序(旋轉停止工序)(步驟S6)。於薄膜化工序中，首先，關閉處理液閥51。藉此，停止對基板W供給處理液。然後，藉由第2噴嘴移動單元37使第2移動噴嘴9移動至起始位置。
如圖5B所示，於薄膜化工序中，以基板W上之處理液膜101之厚度成為適當厚度之方式，於停止向基板W之上表面供給處理液之狀態下藉由離心力自基板W之上表面排除處理液之一部分。於薄膜化工序中，對向構件6、第1防護體71A及第2防護體71B被維持於上部位置。
於薄膜化工序中，旋轉馬達23將基板W之轉速變更為特定之薄膜化速度。薄膜化速度例如為300 rpm～1500 rpm。基板W之轉速可於300 rpm～1500 rpm之範圍內保持為固定，亦可於薄膜化工序之中途在300 rpm～1500 rpm之範圍內適宜變更。薄膜化工序係執行特定時間、例如30秒鐘。
參照圖5C，於處理膜形成工序中，在薄膜化工序後執行加熱基板W之加熱工序(步驟S7)。於加熱工序中，為了使基板W上之處理液之溶劑之一部分揮發(蒸發)，而對基板W上之處理液膜101(參照圖5B)進行加熱。
具體而言，對向構件升降單元61使對向構件6移動至上部位置與下部位置之間之接近位置。接近位置亦可為下部位置。接近位置係自基板W之上表面至對向面6a為止之距離例如為1 mm之位置。於加熱工序中，第1防護體71A及第2防護體71B被維持於上部位置。
然後，打開氣體閥55。藉此，向基板W之上表面(處理液膜101之上表面)、與對向構件6之對向面6a之間之空間供給氣體(氣體供給工序)。
然後，打開熱媒閥88。藉此，自下表面噴嘴12向旋轉狀態之基板W之下表面之中央區域供給(噴出)熱媒(熱媒供給工序、熱媒噴出工序)。自下表面噴嘴12供給至基板W之下表面之熱媒受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個下表面。熱媒對基板W之供給係持續特定時間、例如60秒鐘。於加熱工序中，基板W係以特定之加熱轉速、例如1000 rpm旋轉。
藉由向基板W之下表面供給熱媒，而經由基板W對基板W上之處理液膜101進行加熱。藉此，促進處理液膜101中之溶劑之蒸發(溶劑蒸發工序、溶劑蒸發促進工序)。因此，可縮短處理膜100之形成所需之時間。下表面噴嘴12作為使處理液中之溶劑蒸發之蒸發單元(蒸發促進單元)發揮功能。
藉由執行薄膜化工序及加熱工序，而使處理液固化或硬化，從而於基板W上形成處理膜100。如此，基板旋轉單元(旋轉馬達23)及下表面噴嘴12被包括於使處理液固化或硬化而形成固體(處理膜100)之固體形成單元中。
於加熱工序中，較佳為以基板W上之處理液之溫度未達溶劑之沸點之方式對基板W進行加熱。藉由將處理液加熱至未達溶劑之沸點之溫度，可使溶劑適度地殘留於處理膜100中。藉此，與處理膜100內未殘留有溶劑之情形相比，容易於其後之去除工序(步驟S9)中，藉由處理膜100中所殘留之溶劑與剝離液之相互作用將剝離液融入至處理膜100中。因此，容易利用剝離液將處理膜100剝離。
因離心力而飛散至基板W外部之熱媒被第1防護體71A接住。被第1防護體71A接住之熱媒存在自第1防護體71A濺回之情形。然而，對向構件6與基板W之上表面接近，因此可保護基板W之上表面避免自第1防護體71A濺回之熱媒。因此，可抑制熱媒向處理膜100之上表面之附著，因此可抑制因來自第1防護體71A之熱媒之濺回導致產生顆粒。
進而，藉由供給來自中央噴嘴11之氣體，而於對向構件6之對向面6a與基板W之上表面之間之空間中形成自基板W之上表面之中央區域向基板W之上表面之周緣移動之氣流F。藉由形成自基板W之上表面之中央區域向基板W之上表面之周緣移動之氣流F，可將自第1防護體71A濺回之熱媒向第1防護體71A推回。因此，可進一步抑制熱媒向處理膜100之上表面之附著。
其次，執行緩衝工序(步驟S8)。具體而言，關閉熱媒閥88。藉此，停止對基板W之下表面供給熱媒。然後，關閉氣體閥55。藉此，停止向對向構件6之對向面6a與基板W之上表面之間之空間供給氣體。
然後，對向構件升降單元61使對向構件6移動至上部位置。然後，如圖5D所示，第3噴嘴移動單元38使第3移動噴嘴10移動至處理位置。第3移動噴嘴10之處理位置例如為中央位置。於緩衝工序中，基板W係以特定之緩衝轉速、例如800 rpm旋轉。
然後，打開上側緩衝液閥53。藉此，自第3移動噴嘴10向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)緩衝液(緩衝液供給工序、緩衝液噴出工序)。供給至基板W之上表面之緩衝液藉由離心力而擴展至基板W之整個上表面。向基板W之上表面之緩衝液之供給係持續特定時間、例如60秒鐘。
下一去除工序(步驟S9)中供給至基板W之剝離液於其濃度較高之情形時存在尤其在剝離液之供給開始時局部地作用於基板W之上表面之情況。因此，藉由於剝離液之前將緩衝液供給至基板W之上表面，而緩衝剝離液對處理膜100之作用。藉此，可避免剝離液局部地作用於基板W之上表面，因此可使剝離液毫無遺漏地作用於基板W之整個上表面。
其次，參照圖5E，執行去除工序(步驟S9)。於去除工序中，基板W係以特定之去除轉速、例如800 rpm旋轉。
然後，關閉上側緩衝液閥53。藉此，停止對基板W之上表面供給緩衝液。然後，打開上側剝離液閥52。藉此，自第3移動噴嘴10向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)剝離液(上側剝離液供給工序、上側剝離液噴出工序)。供給至基板W之上表面之剝離液藉由離心力而擴展至基板W之整個上表面。向基板W之上表面之剝離液之供給係持續特定時間、例如60秒鐘。
藉由向基板W之上表面供給剝離液，而自基板W之上表面將處理膜100剝離。處理膜100於被自基板W之上表面剝離時***成膜片。然後，已***之處理膜100之膜片受到伴隨於基板W之旋轉之離心力，與剝離液一併被排除至基板W外部。藉此，自基板W之上表面將去除對象物與處理膜100一併去除。
此處，圖5A所示之處理液供給工序(步驟S5)中供給至基板W之上表面之處理液存在順著基板W之周緣流回至基板W之下表面之情況。又，存在自基板W飛散之處理液自第1防護體71A濺回而附著於基板W之下表面之情況。於此種情形時，亦如圖5C所示，由於在加熱工序(步驟S7)中向基板W之下表面供給熱媒，故而藉由該熱媒之流動，可自基板W之下表面排除處理液。
進而，存在因處理液供給工序(步驟S5)導致附著於基板W之下表面之處理液固化或硬化而形成固體之情況。於此種情形時，亦如圖5E所示，藉由於在去除工序(步驟S9)中向基板W之上表面供給剝離液之期間內，打開下側剝離液閥87而自下表面噴嘴12向基板W之下表面供給(噴出)剝離液，可將該固體自基板W之下表面剝離(下側剝離液供給工序、下側剝離液噴出工序)。
進而，只要如圖5D所示般於在緩衝工序(步驟S8)中向基板W之上表面供給緩衝液之期間內，打開下側沖洗液閥86而自下表面噴嘴12向基板W之下表面供給(噴出)作為緩衝液之沖洗液，便可緩衝供給至基板W之下表面之剝離液之作用(下側緩衝液供給工序、下側緩衝液噴出工序)。
其次，執行第2沖洗工序(步驟S10)。具體而言，關閉上側剝離液閥52及下側剝離液閥87。藉此，停止對基板W之上表面及下表面供給剝離液。然後，第3噴嘴移動單元38使第3移動噴嘴10移動至起始位置。
然後，如圖5F所示，對向構件升降單元61使對向構件6移動至處理位置。於第2沖洗工序中，基板W係以特定之第2沖洗轉速、例如800 rpm旋轉。第1防護體71A及第2防護體71B被維持於上部位置。
然後，打開上側沖洗液閥54。藉此，自中央噴嘴11向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)沖洗液(第2上側沖洗液供給工序、第2上側沖洗液噴出工序)。供給至基板W之上表面之沖洗液受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個上表面。藉此，附著於基板W之上表面之剝離液被沖洗液沖洗掉。
然後，打開下側沖洗液閥86。藉此，自下表面噴嘴12向旋轉狀態之基板W之下表面之中央區域供給(噴出)沖洗液(第2下側沖洗液供給工序、第2下側沖洗液噴出工序)。藉此，附著於基板W之下表面之剝離液被沖洗液沖洗掉。向基板W之上表面及下表面之沖洗液之供給係持續特定時間、例如35秒鐘。
其次，執行第2有機溶劑供給工序(步驟S11)。具體而言，防護體升降單元74使第1防護體71A移動至下部位置。並且，對向構件6被維持於處理位置。於第2有機溶劑供給工序中，基板W係以特定之第2有機溶劑轉速、例如300 rpm旋轉。
然後，關閉上側沖洗液閥54及下側沖洗液閥86。藉此，停止對基板W之上表面及下表面供給沖洗液。然後，如圖5G所示，打開有機溶劑閥56。藉此，自中央噴嘴11向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)有機溶劑(第2有機溶劑供給工序、第2有機溶劑噴出工序、殘渣去除液供給工序)。向基板W之上表面之有機溶劑之供給係持續特定時間、例如30秒鐘。
供給至基板W之上表面之有機溶劑受到離心力而呈放射狀擴展，遍及基板W之整個上表面。藉此，基板W之上表面之沖洗液被有機溶劑置換。供給至基板W之上表面之有機溶劑於將殘留於基板W之上表面之處理膜100之殘渣溶解後，被自基板W之上表面之周緣排出(殘渣去除工序)。
其次，執行旋轉乾燥工序(步驟S12)。具體而言，參照圖5H，關閉有機溶劑閥56。藉此，停止向基板W之上表面供給有機溶劑。然後，對向構件升降單元61使對向構件6移動至較處理位置更靠近下方之乾燥位置。於對向構件6位於乾燥位置時，對向構件6之對向面6a與基板W之上表面之間之距離例如為1.5 mm。
然後，旋轉馬達23使基板W之旋轉加速，而使基板W進行高速旋轉。於旋轉乾燥工序中，基板W係以乾燥速度、例如1500 rpm旋轉。旋轉乾燥工序係執行特定時間、例如30秒鐘。藉此，較大之離心力作用於基板W上之有機溶劑，基板W上之有機溶劑被甩向基板W之周圍。
然後，旋轉馬達23使基板W之旋轉停止。防護體升降單元74使第1防護體71A及第2防護體71B移動至下部位置。關閉氣體閥55。對向構件升降單元61使對向構件6移動至上部位置。
搬送機械臂CR進入至處理單元2，自旋轉夾頭5之夾盤銷20抄取處理完成之基板W，並向處理單元2外部搬出(步驟S13)。該基板W被自搬送機械臂CR傳遞給搬送機械臂IR，藉由搬送機械臂IR而被收納於載體C。
其次，參照圖6A～圖6D對處理膜100被自基板W剝離時之狀況進行說明。圖6A示出了薄膜化工序(步驟S6)後之基板W之上表面附近之狀況。圖6B示出了加熱工序(步驟S7)後之基板W之上表面附近之狀況。圖6C及圖6D示出了去除工序(步驟S9)執行中之基板W之上表面附近之狀況。
藉由於處理液供給工序(步驟S5)中在基板W之上表面形成處理液膜101，使得處理液與存在於基板W之上表面之去除對象物103接觸。因此，如圖6A所示，即便於藉由薄膜化工序(步驟S6)將處理液膜101薄膜化後，處理液亦維持與去除對象物103接觸之狀態。
於加熱工序(步驟S7)中，在使處理液與去除對象物103接觸之狀態下，基板W上之處理液膜101經加熱而被固化或硬化。藉此，如圖6B所示，形成保持有去除對象物103之處理膜100。詳細而言，溶劑之至少一部分蒸發，藉此處理液之溶質中所含之第1成分形成第1固體110，處理液之溶質中所含之第2成分形成第2固體111。
藉由形成保持去除對象物103之處理膜100，而將去除對象物103之表觀尺寸放大為厚度方向T上之處理膜100之厚度D(去除對象物放大工序)。所謂去除對象物103之表觀尺寸，係指去除對象物103與其他固體(處理膜100)一體化時之去除對象物103及處理膜100整體在厚度方向T上之尺寸。
然後，參照圖6C，於去除工序中將處理膜100局部地溶解。當向基板W之上表面供給剝離液時，主要溶解由對剝離液之溶解性較第2成分而言更高之第1成分所形成之第1固體110。藉此，於處理膜100中第1固體110偏集存在之部分形成貫通孔102(貫通孔形成工序)。
貫通孔102尤其容易形成於在基板W之厚度方向T(亦為處理膜100之厚度方向)上第1固體110延伸之部分。貫通孔102於俯視下例如為直徑數nm之大小。
第2固體111亦被剝離液溶解。但是，第2成分對剝離液之溶解性低於第1成分之溶解性，因此第2固體111僅其表面附近被剝離液稍微溶解。因此，經由貫通孔102到達基板W之上表面附近之剝離液於第2固體111中使基板W之上表面附近之部分稍微溶解。藉此，如圖6C之放大圖所示，剝離液一面使基板W之上表面附近之第2固體111緩慢地溶解，一面向處理膜100與基板W之上表面之間之間隙G1進去(剝離液進入工序)。
然後，例如以貫通孔102之周緣為起點而處理膜100***成膜片，如圖6D所示，處理膜100之膜片於保持有去除對象物103之狀態下被自基板W剝離(處理膜***工序、剝離工序)。
然後，處理膜100被剝離液沖走而排除至基板W外部，藉此將去除對象物103與處理膜100一併自基板W之上表面去除。即，一面維持去除對象物103之表觀尺寸被放大之狀態，一面將去除對象物103自基板W之上表面去除(去除工序)。
其次，對去除對象物103自流經基板W之上表面之剝離液接受之能量進行說明。流經基板W之上表面之剝離液之流速受到該剝離液之黏性之影響。因此，沿著基板W之上表面之方向上之剝離液之流速於較自基板W之上表面充分地離開之位置更靠近基板W之上表面附近處變小。
於剝離液之流動中，將強烈受到剝離液之黏性之影響之層稱為交界層BL。將基板W之厚度方向T(相對於剝離液流動之方向之正交方向)上之交界層BL之大小稱為交界層厚度δ。
圖7係用以對沿著基板W之上表面之剝離液之流動中之交界層厚度δ與去除對象物103之大小進行比較之模式圖。圖8係表示沿著基板W之上表面流動之剝離液之流速與交界層厚度δ之關係之曲線圖。於圖8中，橫軸表示剝離液之流速V，縱軸表示交界層厚度δ。
當將交界層BL之外側處之剝離液之流速設為V時，流速V下之交界層厚度δ由下述式(1)所表示。α為係數。v表示剝離液之動黏度。x為以基板W之上表面之任意位置為原點時之該原點與沿著剝離液流動之方向與該原點相隔之位置之間之距離。
[數式1]
Figure 02_image001
如圖7中以實線所示，於基板W之厚度方向T上之去除對象物103之尺寸d1(於去除對象物103為球體之情形時為直徑)為交界層厚度δ以下之情形時，附著於基板W之上表面之去除對象物103自小於流速V之流速之剝離液流接受能量。
另一方面，如圖7中以二點鏈線所示，於基板W之厚度方向T上之去除對象物103之尺寸d2大於交界層厚度δ之情形時，附著於基板W之上表面之去除對象物103不僅自小於流速V之流速之剝離液流接受能量，亦自流速V之剝離液流接受能量。即，於基板W之厚度方向T上之去除對象物103之尺寸d2大於交界層厚度δ之情形時，附著於基板W之上表面之去除對象物103有很大可能為了自基板W之上表面剝離而可自剝離液接受充分之能量。
但是，如圖8所示，存在於基板W之上表面之一般去除對象物103之尺寸d1小於50 nm。又，於沿著基板W之上表面流動之剝離液之流速V大於0 m/s且小於100 m/s之情形時(0 m/s＜V＜100 m/s)，交界層厚度δ大於50 nm。流經基板W之上表面之剝離液之流速V一般而言大於0 m/s且小於100 m/s。
因此，存在於基板W之上表面之一般去除對象物103之尺寸d1與剝離液之流速V無關，遠遠小於交界層厚度δ。如此，有存在於基板W之上表面之去除對象物103無法自沿著基板W之上表面流動之剝離液接受充分之能量之虞。
因此，根據本實施形態，藉由於與去除對象物103接觸之狀態下使處理液固化或硬化而形成處理膜100，而將去除對象物103之表觀尺寸放大。藉由形成處理膜100，基板W之厚度方向T上之去除對象物103之表觀尺寸成為處理膜100之厚度D，因此大於原來大小之去除對象物103。因此，表觀尺寸被放大之去除對象物103到達較原來大小之去除對象物103距離基板W之上表面更遠之位置。
因此，可使去除對象物103自沿著基板W之上表面流動之剝離液接受之能量變大。因此，容易將處理膜100中所保持之去除對象物103自基板W剝離。
然後，去除對象物103於表觀尺寸被放大之狀態下被自基板W剝離，而與剝離液一併被自基板W之上表面去除。因此，於去除對象物103被自基板W之上表面剝離後，亦可維持使去除對象物103自流經基板W之上表面之剝離液接受之能量增大之狀態。
其結果為，可將存在於基板W之上表面之去除對象物103效率良好地去除。
又，自基板W之上表面剝離之處理膜100與去除對象物103一併自基板W之上表面浮起，因此於剝離液內自基板W之上表面進一步離開。因此，自基板W之上表面剝離之處理膜100有很大可能自流速更大之剝離液接受能量。因此，自基板W之上表面剝離之處理膜100藉由剝離液而容易被沖至基板W外部。
又，如上所述，於在基板W之厚度方向T上較交界層厚度δ而言距離基板W之上表面更遠之位置處，實質上未發生因剝離液之黏性導致之沿著基板W之上表面流動之剝離液之流速之降低。如圖6B所示，只要加熱工序(步驟S7)後之去除對象物103之表觀尺寸(處理膜100之厚度D)大於境界厚度δ(D＞δ)，便可使去除對象物103自流經基板W之上表面之剝離液接受之能量充分地變大。因此，可容易將去除對象物103自基板W剝離，且可與剝離液一併迅速地排除至基板W外部。
又，根據該實施形態，藉由利用剝離液將處理膜100局部地溶解，而於處理膜100形成貫通孔102。因此，剝離液容易到達基板W之上表面附近。因此，可使剝離液作用於處理膜100與基板W之界面而將處理膜100自基板W效率良好地剝離。另一方面，處理膜100中形成有貫通孔102之部分以外之部分(第2固體111)未被剝離液溶解而維持固體狀態，因此於剝離液中亦可維持去除對象物103之表觀尺寸被放大之狀態。因此，可將去除對象物103自基板W之上表面效率良好地剝離，並且使去除對象物103自剝離液之流動接受之能量充分地變大。
又，根據該實施形態，剝離液經由貫通孔102進入至處理膜100與基板W之上表面之間。因此，可使剝離液作用於處理膜100與基板W之界面而將處理膜100自基板W之上表面進一步效率良好剝離。
又，根據該實施形態，第1成分之對剝離液之溶解性高於第2成分。因此，由第1成分所形成之第1固體110較由第2成分所形成之第2固體111而言更容易溶解於剝離液中。因此，藉由向基板W之上表面供給剝離液，剝離液主要溶解第1固體110而到達基板W之上表面附近。因此，對於剝離液，可使剝離液作用於處理膜100與基板W之界面。另一方面，第2固體111之大部分未被剝離液溶解而維持固體狀態。因此，可維持去除對象物103被保持於第2固體111中之狀態、即去除對象物103之表觀尺寸被放大之狀態。
其結果為，可將去除對象物103自基板W之上表面效率良好地剝離，並且可使去除對象物103自流經基板W之上表面之剝離液接受之能量充分地變大。
又，於該實施形態中，處理液中之第2成分之含量多於處理液中之第1成分之含量。因此，與處理液中之第2成分之含量少於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜100中被剝離液溶解之部分變少。因此，可使伴隨於處理膜100之局部溶解而自處理膜100脫離之去除對象物103變少。其結果為，大部分之去除對象物103可與處理膜100一併自基板W之上表面去除，因此可抑制向基板W之再次附著，並且可將去除對象物103有效率地排除至基板W外部。
進而，與處理液中之第2成分之含量少於處理液中之第1成分之含量之構成相比，處理膜100中被剝離液溶解之部分較少，因此可使處理膜100***成相對較大之膜片。由於處理膜100被***成相對較大之膜片，故而可增大膜片自剝離液之流動受到力之表面積。因此，容易隨著剝離液之流動而被排出至基板W外部。因此，可將去除對象物103與處理膜100一併自基板W效率良好地去除。
本發明並不限於以上說明之實施形態，可進而以其他形態實施。
例如，於基板處理裝置1中，亦可進行省略了藥液供給工序(步驟S2)、第1沖洗工序(步驟S3)及第1有機溶劑供給工序(步驟S4)之基板處理。
又，於上述實施形態中之基板處理中，在處理膜形成工序(步驟S6及步驟S7)中，藉由利用熱媒進行之基板W之加熱，使處理液之溶劑蒸發。然而，基板W並不限於熱媒之供給，例如亦可藉由內置於旋轉基座21或對向構件6中之加熱器等(未圖示)來加熱。於該情形時，該加熱器作為基板加熱單元及蒸發單元(蒸發促進單元)發揮功能。
又，於處理膜100之形成中，無需一定進行基板W之加熱。即，於在薄膜化工序(步驟S6)中溶劑已充分地揮發(蒸發)之情形時，亦可不執行其後之加熱工序(步驟S7)。尤其於亦可於處理膜100之內部殘留溶劑之情形時，即便不對基板W進行加熱，亦容易使溶劑蒸發至所需程度。
又，於上述基板處理中，亦可省略緩衝工序(步驟S8)。
又，於上述各實施形態中，處理液中之第2成分之含量多於處理液中之第1成分之含量。然而，處理液中之第2成分之含量亦可少於處理液中之第1成分之含量。
於該情形時，與處理液中之第2成分之含量多於處理液中之第1成分之含量之構成相比，可使處理膜100中被剝離液溶解之部分變得較多。因此，可使處理膜100***成相對細小之膜片。由於處理膜100被***成相對細小之膜片，故而膜片容易自剝離液之流動受力而浮起，且容易隨著剝離液之流動而被排出至基板W外部。因此，可將處理膜100自基板W效率良好地去除。
又，於上述實施形態中，處理液中所含之溶質之各成分(第1成分及第2成分)為合成樹脂。然而，溶質之各成分無需一定為合成樹脂，只要為被處理液中所含之溶劑溶解且第1成分之對剝離液之溶解性較第2成分而言較高者即可。若如此，則溶質之各成分例如亦可為金屬或鹽。
又，於上述實施形態中，處理液中所含之溶質包含第1成分及第2成分。然而，溶質亦可構成為包含單一成分，亦可包含對剝離液之溶解性彼此不同之3種以上之成分。
已對本發明之實施形態詳細地進行說明，但該等僅為使本發明之技術內容明瞭而使用之具體例，本發明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請與2018年5月31日由日本專利局提出申請之日本專利特願2018-105631號對應，且本申請之所有揭示係以引用之形式組入至本文中。
1:基板處理裝置 2:處理單元 3:控制器 3A:處理器 3B:記憶體 4:腔室 5:旋轉夾頭 6:對向構件 6a:對向面 6b:連通孔 7:處理承杯 8:第1移動噴嘴 9:第2移動噴嘴 10:第3移動噴嘴 11:中央噴嘴 11a:噴出口 12:下表面噴嘴 12a:噴出口 20:夾盤銷 21:旋轉基座 21a:貫通孔 22:旋轉軸 23:旋轉馬達 30:外殼 31:第1管體 32:第2管體 33:第3管體 36:第1噴嘴移動單元 37:第2噴嘴移動單元 38:第3噴嘴移動單元 40:藥液配管 41:處理液配管 42:上側剝離液配管 43:上側緩衝液配管 44:上側沖洗液配管 45:氣體配管 46:有機溶劑配管 50:藥液閥 51:處理液閥 52:上側剝離液閥 53:上側緩衝液閥 54:上側沖洗液閥 55:氣體閥 56:有機溶劑閥 60:中空軸 60a:內部空間 61:對向構件升降單元 71:防護體 71A:第1防護體 71B:第2防護體 72:承杯 72A:第1承杯 72B:第2承杯 73:外壁構件 74:防護體升降單元 80:共通配管 81:下側沖洗液配管 82:下側剝離液配管 83:熱媒配管 86:下側沖洗液閥 87:下側剝離液閥 88:熱媒閥 100:處理膜 101:處理液膜 102:貫通孔 103:去除對象物 110:第1固體 111:第2固體 A1:旋轉軸線 BL:交界層 C:載體 CR:搬送機械臂 d1:尺寸 d2:尺寸 D:厚度 DIW:高溫 F:氣流 G1:間隙 IR:搬送機械臂 LP:負載埠 S1:步驟 S2:步驟 S3:步驟 S4:步驟 S5:步驟 S6:步驟 S7:步驟 S8:步驟 S9:步驟 S10:步驟 S11:步驟 S12:步驟 S13:步驟 T:方向 V:流速 W:基板 δ:交界層厚度
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之佈局之模式性俯視圖。 圖2係表示上述基板處理裝置所具備之處理單元之概略構成之模式性局部剖視圖。 圖3係表示上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。 圖4係用以對藉由上述基板處理裝置進行之基板處理之一例進行說明之流程圖。 圖5A係用以對上述基板處理之處理液供給工序(步驟S5)之狀況進行說明之模式圖。 圖5B係用以對上述基板處理之薄膜化工序(步驟S6)之狀況進行說明之模式圖。 圖5C係用以對上述基板處理之加熱工序(步驟S7)之狀況進行說明之模式圖。 圖5D係用以對上述基板處理之緩衝工序(步驟S8)之狀況進行說明之模式圖。 圖5E係用以對上述基板處理之去除工序(步驟S9)之狀況進行說明之模式圖。 圖5F係用以對上述基板處理之第2沖洗工序(步驟S10)之狀況進行說明之模式圖。 圖5G係用以對上述基板處理之第2有機溶劑供給工序(步驟S11)之狀況進行說明之模式圖。 圖5H係用以對上述基板處理之旋轉乾燥工序(步驟S12)之狀況進行說明之模式圖。 圖6A係用以對上述薄膜化工序(步驟S6)後之基板表面附近之狀況進行說明之模式性剖視圖。 圖6B係用以對上述加熱工序(步驟S7)後之基板表面附近之狀況進行說明之模式性剖視圖。 圖6C係用以對上述去除工序(步驟S9)執行中之基板表面附近之狀況進行說明之模式性剖視圖。 圖6D係用以對上述去除工序(步驟S9)執行中之基板表面附近之狀況進行說明之模式性剖視圖。 圖7係用以對沿著基板表面之剝離液之流動中之交界層厚度與去除對象物之大小進行比較之模式圖。 圖8係表示沿著基板表面流動之剝離液之流速與交界層厚度之關係之曲線圖。
100:處理膜
102:貫通孔
103:去除對象物
110:第1固體
111:第2固體
T:方向
W:基板

Claims (18)

  1. 一種基板處理方法，其包括：處理液供給工序，其係將處理液供給至基板表面； 去除對象物放大工序，其係藉由使供給至上述基板表面之上述處理液以與存在於上述基板表面之去除對象物接觸之狀態固化或硬化，而將上述去除對象物之表觀尺寸放大；及 去除工序，其係向上述基板表面供給剝離液，而將表觀尺寸被放大之上述去除對象物自上述基板表面剝離，且一面維持上述去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態一面將上述去除對象物自基板表面去除。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述去除對象物放大工序包括以上述去除對象物之表觀尺寸於上述基板之厚度方向上變得大於沿著上述基板表面之上述剝離液之流動中之交界層厚度之方式，將上述去除對象物之表觀尺寸放大之工序。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述去除對象物放大工序包括使供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化而於上述基板表面形成保持上述去除對象物之處理膜之處理膜形成工序，且 上述去除工序包括將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述基板表面剝離之工序。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中上述去除工序包括藉由上述剝離液將上述處理膜局部地溶解，而於上述處理膜形成貫通孔之貫通孔形成工序。
  5. 如請求項4之基板處理方法，其中上述去除工序進而包括經由上述貫通孔使上述剝離液進入至上述處理膜與上述基板表面之間之剝離液進入工序。
  6. 如請求項3之基板處理方法，其中上述處理液具有：溶質，其具有第1成分及對上述剝離液之溶解性較上述第1成分而言更低之第2成分；及溶劑，其溶解上述溶質；且 上述處理膜形成工序包括形成具有由上述第1成分所形成之第1固體及由上述第2成分所形成之第2固體之上述處理膜的工序。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中上述處理液中之上述第2成分之含量多於上述處理液中之上述第1成分之含量。
  8. 如請求項6之基板處理方法，其中上述處理液中之上述第2成分之含量少於上述處理液中之上述第1成分之含量。
  9. 如請求項6之基板處理方法，其中上述第1成分及上述第2成分為合成樹脂。
  10. 一種基板處理裝置，其包括：處理液供給單元，其將處理液供給至基板表面； 固體形成單元，其使上述處理液固化或硬化； 剝離液供給單元，其向上述基板表面供給剝離液；及 控制器，其對上述處理液供給單元、上述固體形成單元及上述剝離液供給單元進行控制；且 上述控制器被編程為執行：處理液供給工序，其係自上述處理液供給單元向上述基板表面供給上述處理液；去除對象物放大工序，其係藉由使上述固體形成單元將供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化，而將存在於上述基板表面之去除對象物之表觀尺寸放大；及去除工序，其係向上述基板表面供給剝離液，而將表觀尺寸被放大之上述去除對象物自上述基板表面剝離，且一面維持上述去除對象物之表觀尺寸被放大之狀態一面將上述去除對象物自基板表面去除。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中上述控制器被編程為：於上述去除對象物放大工序中，以上述去除對象物之表觀尺寸於上述基板之厚度方向上變得大於沿著上述基板表面之上述剝離液之流動中之交界層厚度之方式，將上述去除對象物之表觀尺寸放大。
  12. 如請求項10或11之基板處理裝置，其中上述控制器被編程為：於上述去除對象物放大工序中，執行使供給至上述基板表面之上述處理液固化或硬化而於上述基板表面形成保持上述去除對象物之處理膜之處理膜形成工序，且於上述去除工序中，將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述基板表面剝離。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中上述控制器被編程為：於上述去除工序中，執行使上述剝離液將上述處理膜局部地溶解而於上述處理膜形成貫通孔之貫通孔形成工序。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述控制器被編程為：於上述去除工序中，經由上述貫通孔使上述剝離液進入至上述處理膜與上述基板表面之間。
  15. 如請求項12之基板處理裝置，其中上述處理液具有：溶質，其具有第1成分及對上述剝離液之溶解性較上述第1成分而言更低之第2成分；及溶劑，其溶解上述溶質；且 上述控制器被編程為：於上述處理膜形成工序中，形成包含由上述第1成分所形成之第1固體及由上述第2成分所形成之第2固體之上述處理膜。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述處理液中之上述第2成分之含量多於上述處理液中之上述第1成分之含量。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述處理液中之上述第2成分之含量少於上述處理液中之上述第1成分之含量。
  18. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述第1成分及上述第2成分為合成樹脂。
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