TW202018838A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

若藉由一實施型態時，提供具備噴嘴、支持部、處理液供給部、第1媒體供給部、第2媒體供給部的基板處理裝置。上述噴嘴被配置成與基板之第1面相向。上述支持部被配置在上述第1面和上述噴嘴之間，與上述噴嘴隔著特定距離而支持上述基板。上述處理液供給部係對上述基板之與上述第1面相向之第2面供給處理液。上述第1媒體供給部係從被設置在上述噴嘴之第1供給口對上述噴嘴和上述基板之第1面之間之空間供給第1媒體。上述第2媒體供給部係從上述噴嘴之被設置在較上述第1供給口更靠周緣部的第2供給口，對上述空間供給溫度較上述第1媒體更高的第2媒體。

Description

基板處理裝置
本發明之實施形態係關於基板處理裝置。
以往，藉由使冷卻媒體接觸於基板之下面，並使供給至基板之表面的液膜凍結而形成凍結層，且除去凍結層，來除去附著於基板之表面之異物的凍結洗淨眾所皆知。
但是，在以往之凍結洗淨中，在洗淨基板之表面之期間無法對下面供給藥液進行洗淨。再者，藉由被供給至基板之下面的冷卻媒體在基板之周緣部之下面或側面與洗淨液及大氣接觸，在基板之周緣部形成凍結物，下面被污染。
本發明之一實施型態係提供可以在凍結洗淨中抑制基板之下面之污染的基板處理裝置。
若藉由本發明之一實施型態時，提供具備噴嘴、支持部、處理液供給部、第1媒體供給部、第2媒體供給部的基板處理裝置。上述噴嘴被配置成與基板之第1面相向。上述支持部被配置在上述第1面和上述噴嘴之間，與上述噴嘴隔著特定距離而支持上述基板。上述處理液供給部係對上述基板之與上述第1面相向之第2面供給處理液。上述第1媒體供給部係從被設置在上述噴嘴之第1供給口對上述噴嘴和上述基板之第1面之間之空間供給第1媒體。上述第2媒體供給部係從上述噴嘴之被設置在較上述第1供給口更靠周緣部的第2供給口，對上述空間供給溫度較上述第1媒體更高的第2媒體。
若藉由上述構成時，可以提供可以在凍結洗淨中抑制基板之下面之污染的基板處理裝置。
以下參照附件圖面，詳細說明與實施型態有關之基板處理裝置。另外，本發明不藉由該些實施型態而被限定。
(第1實施型態)圖1為示意性地表示藉由第1實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示，圖2為表示噴嘴之構成之一例的俯視圖。藉由第1實施型態之基板處理裝置10具備噴嘴11、處理液供給部12、作為第1媒體供給部的冷卻媒體供給部13、作為第2媒體供給部的加熱媒體供給部14。
噴嘴11係對作為凍結洗淨之處理對象的基板200之第1面亦即下面噴吹冷卻媒體或/及加熱媒體的構件。在噴嘴11，設置有在較載置台11之上面高的位置支持基板200的支持部16。支持部16係以後述冷卻媒體接觸於基板200之下面之方式，與載置台11之上面隔著距離而支持基板200。基板200係半導體晶圓等之半導體基板、玻璃基板、在壓印處理被使用的壓模、在曝光處理被使用的光罩、圖案形成前之空白光罩、EUV(Extreme UltraViolet)空白遮罩等。模板包含於在半導體基板上形成圖案之時所使用的複製模版，和在複製模版形成圖案之時所使用的主模板。另外，噴嘴11之上面成為略水平，在支持部16支持基板200之時，將成為上側之面稱為上面，將成為下側之面，即是與噴嘴11相向之面稱為下面。
在噴嘴11之水平方向之中心附近，設置在垂直方向貫通的貫通孔112。貫通孔112與載置台11之上面相交之部分成為後述冷卻媒體之供給口112a。在該例中，供給口112a之直徑被設為大於貫通孔112。
在噴嘴11之水平方向之周緣部附近，設置在垂直方向貫通的複數貫通孔113。在此，如圖2所示般，從噴嘴11之中心在特定半徑之圓周上以等間隔設置8個貫通孔113。貫通孔113與載置台11之上面相交之部分成為後述加熱媒體之供給口113a。
另外，噴嘴11即使構成能夠以通過基板載置面之中心的基板載置面呈垂直之軸為中心而旋轉的構成亦可。在此情況下，在支持部16設置抑制基板200藉由載置台11之旋轉而朝水平方向移動的止動件。
處理液供給部12供給凍結洗淨所使用的處理液。處理液供給部12具備貯藏處理液之處理液貯藏部121、將處理液滴下於作為基板200之第2面的上面的噴嘴122、連接噴嘴122和處理液貯藏部121之間的配管123、經由配管123將處理液從處理液貯藏部121輸送至噴嘴122的泵浦124，和進行將處理液從處理液貯藏部121供給至噴嘴之切換的閥體125。處理液為例如純水、脫離子水、臭氧水等。當處理液從處理液供給部12滴下至基板200上時，在基板200上形成處理液膜201。
冷卻媒體供給部13係供給於凍結洗淨時將基板200冷卻至處理液之凝固點以下之第1媒體亦即冷卻媒體。冷卻媒體供給部13具備貯藏冷卻媒體之冷卻媒體貯藏部131、將冷卻媒體貯藏部131連接於噴嘴11之貫通孔112的配管132，和進行冷卻媒體之供給之切換的閥體133。作為冷卻媒體，可以使用冷卻至較處理液之凝固點低之溫度的氮氣等之氣體或液體氮、液體氟等之液體。
加熱媒體供給部14係於凍結洗淨時供給將基板200之下面之周緣部加熱至高於0℃之溫度的第2媒體亦即加熱媒體。加熱媒體供給部14具備貯藏加熱媒體之加熱媒體貯藏部141、將加熱媒體貯藏部141連接於噴嘴11之貫通孔113的配管142，和進行加熱媒體之供給之切換的閥體143。作為加熱媒體，可以使用加熱至高於噴嘴11周邊空氣之露點的溫度之氮氣等的氣體。作為加熱媒體可以使用例如常溫之氮氣。再者，在此，加熱係指將藉由冷卻媒體被冷卻之基板200、處理液膜201之溫度回復至常溫附近之意。
在凍結洗淨處理時，冷卻媒體從噴嘴11之供給口112a被供給，並且加熱媒體從供給口113a被供給。從供給口112a被供給之冷卻媒體在噴嘴11之上面和基板200之下面之間的空間從噴嘴11之中心朝向周緣部流動。而且，與從被設置在周緣部附近之供給口113a被供給之加熱媒體混合。此時，以從噴嘴11之水平方向之端部被排出之冷卻媒體和加熱媒體的混合物之溫度，高於處理液之凝固點及噴嘴11周邊空氣之露點之方式，調整冷卻媒體之溫度及流量，和加熱媒體之溫度及流量。依此，噴嘴11周邊空氣所含的水分在噴嘴11之周緣部及基板200之下面之周緣部凝固的霜，或包含處理液懸垂於基板200之側面及下面而凝固的凍結層的凝固物不被形成。
接著，針對在如此之基板處理裝置中的處理方法予以說明。圖3為表示藉由第1實施型態之基板處理方法之順序之一例的流程圖。首先，於凍結洗淨之前，將處理對象之基板200的表面予以親水化處理(步驟S11)。親水化處理係藉由對例如基板200之表面照射UV(ultraviolet)光而進行。依此，在凍結洗淨中被使用的處理液容易使基板200的表面濕潤。然後，使支持部16支持親水化處理後的基板200。
接著，處理液藉由泵浦124經由配管123從噴嘴122被供給至基板200上，在基板200之上面上形成處理液膜201(步驟S12)。此時，當以與基板載置面垂直之軸為中心使噴嘴11旋轉時，可以形成被供給至基板200上之處理液在基板200之全面略均勻地擴散的處理液膜201。
之後，從冷卻媒體供給部13經由配管132而對噴嘴11之供給口112a供給冷卻媒體。再者，加熱媒體從加熱媒體供給部14經由噴嘴11之供給口113a被供給至噴嘴11和基板200之下面之間之空間的周緣部。從噴嘴11之中心之供給口113a被吐出之冷卻媒體在被設置於基板200之下面和噴嘴11之上面之間的間隙朝向外周部流動。此時，因基板200之下面與冷卻媒體接觸，故基板200從下面側被冷卻。而且，基板200之上面側之溫度成為處理液之凝固點以下，藉由進一步被冷卻，處理液膜201係供經過過冷卻狀態之後，凍結(步驟S13)。處理液膜201係從與基板200接觸之部分依序凍結。
再者，在基板200之下面和噴嘴11之上面之間的空間朝向周緣部流動之冷卻媒體與來自供給口113a之加熱媒體混合。此時，如上述般，因以從噴嘴11和基板200之下面之間隙排出的氣體之溫度充分高於噴嘴11周邊空氣之露點之方式，調整冷卻媒體及加熱媒體之流量及溫度，故在噴嘴11之周緣部及基板200之下面之周緣部，噴嘴11周邊空氣所含的水分不會凝固。再者，懸垂於基板200之側面及下面的處理液不會凝固。
在處理液膜201凍結之後，關閉閥133，停止從冷卻媒體供給部13供給冷卻媒體及從加熱媒體供給部14供給加熱媒體，再者，經由噴嘴122對基板200之上面供給來自處理液供部12之處理液，進行沖洗處理(步驟S14)。依此，處理液膜201被解凍，包含基板200之上面之異物的處理液201被除去。處理液膜201之解凍及沖洗處理即使在處理液膜201涵蓋全膜厚凍結之後被實行亦可，即使在處理液膜201凍結離基板200之境界特定厚度，例如100nm左右之厚度之後被實行亦可。之後，使基板200乾燥(步驟S15)，基板200之凍結洗淨處理結束。
另外，有僅一次實施步驟S11~S15之工程，無法除去附著於基板200之上面之異物的情況。在如此之情況，即使重複實行複數次步驟S12~S14之處理亦可。
再者，在圖1中，雖然表示噴嘴11之面積小於基板200之面積之情況，但是即使使噴嘴11之面積與基板200之面積略相同亦可。
在第1實施型態中，於凍結洗淨處理中，從載置有基板200之噴嘴11之中心附近供給冷卻媒體，從噴嘴11之周緣部附近供給加熱媒體。依此，在凍結洗淨處理中，從基板200之下面和噴嘴11之上面之間的空間被排出之冷卻媒體及加熱媒體混合的混合媒體之溫度，充分高於噴嘴11周邊空間之露點及處理液之凝固點。其結果，在噴嘴11之周緣部及基板200之下面之周緣部，噴嘴11周邊空氣中之水分不會凝固，再者，懸垂於基板200之側面及下面之處理液不會凝固。如此一來，因可以抑制凝固物朝噴嘴11之周緣部以及基板200之下面及下面形成，故可以抑制基板200之下面的污染。
(第2實施型態)圖4為示意性地表示藉由第2實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示，圖5為表示噴嘴之構成之一例的俯視圖。藉由第2實施型態之基板處理裝置10A在第1實施型態之基板處理裝置10進一步具備媒體吸引部15。再者。在噴嘴11之水平方向之中心，和設置貫通孔113之區域之間的區域，設置在垂直方向貫通的貫通孔114。貫通孔114與噴嘴11之上面相交之部分成為冷卻媒體和加熱媒體的吸引口114a。
媒體吸引部15係於凍結洗淨時從噴嘴11之上面和基板200之下面之間的空間，吸引冷卻媒體及加熱媒體。媒體吸引部15具備吸引冷卻媒體及加熱媒體之吸引部151，和將吸引部151連接於噴嘴11之貫通孔114的配管152，和進行冷卻媒體及加熱媒體之吸引之切換的閥體153。作為吸引部151，可以使用例如真空泵等。另外，對與第1實施型態相同之構成要素標示相同符號，省略其說明。
針對在如此之基板處理裝置的動作予以說明。即使冷卻媒體從噴嘴11之供給口112a被供給，加熱媒體從供給口113a被供給，冷卻媒體及加熱媒體從吸引口114a被吸引。另外，雖然從吸引口114a吸引冷卻媒體及加熱媒體，但是因吸引口114a被設置在冷卻媒體之通過區域，故主要吸引冷卻媒體。在此，以從噴嘴11之上面和基板200之下面的間隙排出的氣體之溫度，充分高於噴嘴11周邊空氣之露點之方式，調整冷卻媒體及加熱媒體之溫度及流量以及吸引力。依此，噴嘴11周邊空氣所含的水分在噴嘴11之周緣部及基板200之下面之周緣部凝固的霜，或包含處理液懸垂於基板200之側面及下面而凝固的凍結層的凝固物不被形成。另外，因在如此之基板處理裝置10A中之凍結洗淨處理方法與第1實施型態相同，故省略說明。
在第2實施型態中，於凍結洗淨處理中，從載置有基板200之噴嘴11之中心附近供給冷卻媒體，從噴嘴11之周緣部附近供給加熱媒體。再者，主要從設置在冷卻媒體之供給口112a和加熱媒體之供給口113a之間的區域的吸引口114a吸引冷卻媒體。此時，以從基板200之下面和噴嘴11之上面之間的空間被排出之混合媒體之溫度，充分高於噴嘴11周邊空氣之露點及處理液之凝固點之方式，調節吸引量、冷卻媒體之溫度及流量，以及加熱媒體之溫度及流量。依此，在噴嘴11之周緣部及基板200之下面之周緣部，噴嘴11周邊空氣中之水分不會凝固，再者，懸垂於基板之側面及下面之處理液不會凝固。如此一來，因可以抑制凝固物朝噴嘴11之周緣部以及基板200之下面及下面形成，故可以抑制基板200之下面的污染。
(第3實施型態)圖6為示意性地表示藉由第3實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示，圖7為表示載置基板之狀態之支持部之構成之一例的俯視圖。另外，以下中，針對與第1實施型態相同之部分省略說明，僅針對不同之部分予以說明。在3實施型態之基板處理裝置10B中，噴嘴及支持部之構成與第1實施型態不同。噴嘴11具有在中央附近較上面111突出的凸部117。在水平方向中之凸部117的面積小於基板200的面積。在噴嘴11之中心附近，設置在垂直方向貫通的貫通孔112。貫通孔112與噴嘴11之上面相交之部分成為後述冷卻媒體之供給口112a。
支持部16a係以包圍噴嘴11之凸部117之周圍之方式，具有在中心附近擁有開口部162的圓環狀。支持部16a係藉由陶瓷材料、聚四氟乙烯等之樹脂材料等而構成。在水平面內中之開口部162之大小大於噴嘴11之凸部117之面積，小於基板200之面積。在載置支持部16a之上面之內周側之基板200的區域，設置平坦部161。包含開口部162之平坦部161具有矩形狀。沿著該矩形狀之周緣部在平坦部161上設置密封構件17。密封構件17係藉由具有彈性之樹脂而構成，藉由例如聚矽氧橡膠等之樹脂橡膠而構成。
再者，在平坦部161之四個角部，設置防止基板200之水平方向之偏移的止動件163。依此當在密封構件17上載置基板200時，在載置基板200之支持部16a之上面和下面之間的氣體無法通過。另外，雖然以密封構件17連續性地被設置在支持部16a之內周側為佳，但是即使缺少一部分亦可。支持部16a在該例中，具有從平坦部161之外側朝向外周側，支持部16a之上面之位置變低之錐形狀。
支持部16a被配置成不與噴嘴11之上面接觸。再者，支持部16a之內周側之上面之位置被配置成高於噴嘴11之凸部117之上面之位置高。依此，在噴嘴11之周緣部之上面111和支持部16a之下面之間，噴嘴11之凸部117之上面和支持部16a之基板200之下面之間，設置連續的空間。支持部16a係經由連接部19被配置在設置於噴嘴11之下方的台座部18。台座部18具有藉由無圖示之馬達等能夠在水平面內旋轉的構成。
在如此之基板處理裝置10B中，以冷卻媒體從噴嘴11之中心朝向周緣部之方式，設置來自供給口112a之冷卻媒體的流量。依此，冷卻媒體係在基板200和噴嘴11之凸部117之間的空間，從凸部117之中心朝向周緣部流動。可以一面冷卻基板200之下面，一面抑制噴嘴11周邊空氣進入至噴嘴11和支持部16a之間的空間之情形。再者，載置基板200之支持部16a無法經開口部162在上面和下面之間使氣體通過。因此，噴嘴11周邊空氣不會進入至基板200和噴嘴11之間的空間。其結果，可以抑制在基板200之下面之周緣部形成霜之情形。
再者，亦可以防止從基板200上懸垂之處理液從側面環繞至下面。即是，亦可以防止移動至基板200之側面的處理液所致的下面之污染。
在圖6中，雖然表示在支持部之內周側之平坦部上設置密封構件17之情況，但是實施型態不限定於此。圖8及圖9為示意性表示藉由第3實施型態之支持部之構成之其他例的剖面圖。如圖8(a)所示般，即使在圓環狀之支持部16a之內周側，包含開口部162設置成為矩形狀的凹部164，在該凹部164載置基板200亦可。此時，即使設為沿著凹部164之側面164a設置密封構件17，阻斷載置基板200之支持部16a之上面和下面之間的氣體流動之構造亦可。
再者，如圖8(b)所示般，即使在圓環狀之支持部16a之內周側，包含開口部162設置成為矩形狀的凹部165，在該凹部165載置基板200亦可。此時，即使設為沿著凹部165之上面165a設置密封構件17，阻斷載置基板200之支持部16a之上面和下面之間的氣體流動之構造亦可。
並且，如圖9所示般，即使在支持部16a上，不隔著密封構件17而載置基板200之承接構造亦可。在圖9中，與圖8(a)相同，成為在圓環狀之支持部16a之內周側，包含開口部162設置成為矩形狀的凹部164，在該凹部164之底面164b直接載置基板200。
另外，因在如此之基板處理裝置10B中之凍結洗淨處理方法與第1實施型態相同，故省略說明。
在第3實施型態中，以在支持部16a上封閉開口部162之方式載置基板200，在隔著特定距離配置支持部16a之狀態，從噴嘴11之中心附近供給冷卻媒體。依此，在凍結洗淨處理中，冷卻媒體從基板200之下面和噴嘴11之上面之間的空間被排出。雖然在噴嘴11之周緣部，有噴嘴11周邊空氣中之水分凍結而形成霜之可能性，但是因形成霜的位置與基板200分離，故不會有基板200之下面由於霜被污染之情形。
再者，因成為噴嘴11周邊空氣及被滴下於基板200上之處理液，難以從載置基板200之支持部16a之上面朝下面通過的構造，故基板200之下面和噴嘴11之凸部117之上面之間，包含水蒸氣凝固的霜或處理液凍結之凍結層等之凝固物附著於基板200之下面之情形被抑制。其結果，可以抑制基板200之下面的污染。
(第4實施型態)圖10為示意性地表示藉由第4實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示，圖11為表示噴嘴之構成之一例的俯視圖。另外，在以下中，針對與第1~第3實施型態相同之部分省略說明，僅針對不同之部分予以說明。藉由第4實施型態之基板處理裝置10C係組合第3實施型態和第2實施型態者。即是，基板處理裝置10C在圖6之構成中進一步設置有加熱媒體供給部14、媒體吸引部15。
在噴嘴11之凸部117之周緣部之區域，設置於垂直方向貫通的貫通孔114。貫通孔114與噴嘴11之上面相交之部分成為冷卻媒體和加熱媒體的吸引口114a。
再者，加熱媒體供給部14被設置成以與噴嘴11之側面之噴嘴11之上面111和支持部16a之下面之間的空間相向之方式，配置吹出口142a。另外，吹出口142a即使在噴嘴11之周設置複數個亦可。加熱媒體為例如常溫之氮、不包含水蒸氣的空氣等。加熱媒體供給部14係以低於0℃之溫度之冷卻媒體不會從噴嘴11和支持部16a之間的空間被排出外部之方式，供給加熱媒體。
針對在如此之基板處理裝置10C的動作予以說明。冷卻媒體從噴嘴11之供給口112a被供給，加熱媒體從吹出口142a被供給，並且冷卻媒體及加熱媒體從吸引口114a被吸引。另外，雖然從吸引口114a吸引冷卻媒體及加熱媒體，但是因吸引口114a位於在冷卻媒體之流路上，故主要吸引冷卻媒體。
再者，因吸引口114a之位置被配置在較密封構件17之位置更靠噴嘴11之中心側，故可以減少到達至密封構件17之位置的冷卻媒體之量。並且，藉由從吹出口142a被供給之加熱媒體，在噴嘴11之凸部117之側面附近之空間，冷卻媒體和加熱媒體被混合，較冷卻媒體單體之情況，溫度變高。依此，可以抑制密封構件17之溫度下降。另外，因在如此之基板處理裝置10C中之凍結洗淨處理方法與第1實施型態相同，故省略說明。
在圖10中，雖然表示將加熱媒體供給部14設置在噴嘴11之側面之外側的情形，但是即使如圖4般，配置在噴嘴11之凸部117之周緣部亦可。在此情況，吸引口114a被設置在凸部117之上面上之冷卻媒體之供給口112a和加熱媒體之供給口之間的區域。
在第4實施型態中，於凍結洗淨處理中，從載置有基板200之噴嘴11之中心附近供給冷卻媒體，從噴嘴11之側面之噴嘴11和支持部16a之間供給加熱媒體。再者，在噴嘴11之周緣部附近吸引冷卻媒體。因吸引口114a位於較密封構件17更靠噴嘴之中心側，故可以減少到達至密封構件17之冷卻媒體的量。再者，藉由將加熱媒體從外部供給至噴嘴11和支持部16a之間的空間，可以抑制未滿0℃的冷卻媒體從噴嘴之側面流出之情形，並且提升在密封構件17之設置位置附近的冷卻媒體之溫度。其結果，具有如一面抑制基板200之背面的污染，一面抑制密封構件17之劣化，可以延長密封構件17之壽命的效果。
(第5實施型態)圖12為示意性表示藉由第5實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。另外，在以下中，針對與第1~第4實施型態相同之部分省略說明，僅針對不同之部分予以說明。在第5實施型態之基板處理裝置10D中，設置作為加熱密封構件17之加熱部的感應加熱機構。具體而言，在與密封構件17之配置位置對應的噴嘴11之內部之位置設置一次線圈21。一次線圈21具有矩形的環狀。在一次線圈21連接有高頻電源23。再者，在與密封構件17之配置位置對應的支持部16a之內部之位置設置二次線圈22。二次線圈22也與一次線圈21相同具有矩形的環狀。二次線圈22被配置成靠近密封構件17。一次線圈21和二次線圈22被設置在俯視上略相同的位置。
當高頻電源23接通時，高頻電流流至一次線圈21，藉由該高頻電流，感應驗流流至二次線圈22。藉由該感應電流，二次線圈22被加熱。藉由二次線圈22之加熱，支持部16a上之密封構件17被加熱。因此，因即使在基板200被冷卻的狀態，密封構件17之溫度也不會像基板200般地下降，故可以抑制密封構件17之冷卻所致的劣化。另外，因在如此之基板處理裝置10D中之凍結洗淨處理方法與第1實施型態相同，故省略說明。
在圖12中，雖然表示將二線圈22埋入於支持部16a之情況，但是實施型態不限定於此。例如，即使密封構件17本身具有導電性，於高頻電流流至一次線圈21之時被感應加熱者亦可。
再者，在圖12中，雖然表示藉由感應加熱機構，加熱密封構件17之情況，但是實施型態不限定於此。圖13為示意性表示藉由第5實施型態之基板處理裝置之構成之另一例的圖示。在圖13之基板處理裝置10E中，不設置感應加熱機構，設置有作為加熱部的光加熱機構。光加熱機構具有光源25。以來自光源25之光被照射至密封構件17之方式，配置光源25。在圖12之例中，光源25被配置在密封構件17之側方。光源25在凍結洗淨處理時，無圖示之電源被接通，抑制密封構件17之溫度的下降。
在第5實施型態中，設置有加熱密封構件17之加熱部。依此，具有於凍結洗淨時，可以一面抑制基板200之背面之污染，一面抑制密封構件17之溫度下降，比起第4實施型態之情況可以延伸密封構件17之壽命的效果。
雖然說明本發明之幾個實施型態，但是該些實施型態係以例之方式被表示，並無限定發明之範圍的意圖。該些新增實施型態可以其他各種型態來實施，只要在不脫離發明之主旨的範圍下，可做各種省略、置換及變更。該些實施型態或其變形當然也包含在發明範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明和其均等之範圍中。
10、10A、10B、10C、10D、10E:基板處理裝置 11:噴嘴 12:處理液供給部 13:冷卻媒體供給部 14:加熱媒體供給部 15:媒體吸引部 16:支持部 16a:支持部 17:密封部 18:台座部 19:連接部 21:一次線圈 22:二次線圈 23:高頻電源 25:光源 111:上面 112:貫通孔 112a:供給口 113:貫通孔 113a:供給口 114:貫通孔 114a:吸引口 117:凸部 121:處理液貯藏部 122:噴嘴 123:配管 124:泵浦 125:閥體 131:冷卻媒體貯藏部 132:配管 133:閥體 141:加熱媒體貯藏部 142:配管 142a:吹出口 143:閥體 151:吸引部 152:配管 153:閥體 161:平坦部 162:開口部 163:止動件 164:凹部 164a:側面 164b:底面 165:凹部 165a:上面 200:基板 201:處理液膜
圖1為示意性表示藉由第1實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。 圖2為噴嘴之構成之一例的俯視圖。 圖3為示意性表示藉由第1實施型態之基板處理方法之順序之一例的流程圖。 圖4為示意性表示藉由第2實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。 圖5為噴嘴之構成之一例的俯視圖。 圖6為示意性表示藉由第3實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。 圖7為表示載置基板之狀態之支持部之構成之一例的俯視圖。 圖8為示意性表示藉由第3實施型態之支持部之構成之其他例的剖面圖。 圖9為示意性表示藉由第3實施型態之支持部之構成之其他例的剖面圖。 圖10為示意性表示藉由第4實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。 圖11為噴嘴之構成之一例的俯視圖。 圖12為示意性表示藉由第5實施型態之基板處理裝置之構成之一例的圖示。 圖13為示意性表示藉由第5實施型態之基板處理裝置之構成之另一例的圖示。
10:基板處理裝置
11:噴嘴
12:處理液供給部
13:冷卻媒體供給部
14:加熱媒體供給部
16:支持部
112:貫通孔
112a:供給口
113:貫通孔
113a:供給口
121:處理液貯藏部
122:噴嘴
123:配管
124:泵浦
125:閥體
131:冷卻媒體貯藏部
132:配管
133:閥體
141:加熱媒體貯藏部
142:配管
143:閥體
200:基板
201:處理液膜

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 噴嘴，其係被配置成與基板之第1面相向； 支持部，其係被配置在上述第1面和上述噴嘴之間，與上述噴嘴隔著特定距離而支持上述基板； 處理液供給部，其係對上述基板之與上述第1面相向之第2面供給處理液； 第1媒體供給部，其係從被設置在上述噴嘴之第1供給口對上述噴嘴和上述基板之第1面之間之空間供給第1媒體；及 第2媒體供給部，其係從上述噴嘴之被設置在較上述第1供給口更靠周緣部的第2供給口，對上述空間供給溫度較上述第1媒體更高的第2媒體。
  2. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 進一步具備將上述第1媒體朝上述空間之外吸引的媒體吸引部。
  3. 如請求項2記載之基板處理裝置，其中 上述媒體吸引部被設置在上述噴嘴之上述第1供給口和上述第2供給口之間的區域。
  4. 如請求項1至3中之任一項記載之基板處理裝置，其中 上述支持部被設置在上述噴嘴之上面。
  5. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 上述噴嘴具有中央附近突出之凸部，上述支持部被配置成與上述噴嘴之上面隔著特定距離，在與上述凸部對應之區域具有大於上述凸部之面積且小於上述基板之面積的開口，在上述支持部以封閉上述開口之方式載置上述基板。
  6. 如請求項5記載之基板處理裝置，其中 在上述支持部和上述基板之間設置樹脂。
  7. 如請求項6記載之基板處理裝置，其中 進一步具備至少加熱上述樹脂的加熱部。
  8. 如請求項7記載之基板處理裝置，其中 上述加熱部具有與上述噴嘴之上述樹脂之配置位置對應而被設置的一次線圈，和被連接於上述一次線圈的高頻電源，和與上述支持部之上述樹脂之配置位置對應而被配置的二次線圈。
  9. 如請求項7記載之基板處理裝置，其中 上述加熱部為光加熱式之加熱部。
  10. 一種基板處理裝置，具備： 噴嘴，其係被配置成與基板之第1面相向； 支持部，其係被配置在上述第1面和上述噴嘴之間，與上述噴嘴隔著特定距離而支持上述基板； 處理液供給部，其係對上述基板之與上述第1面相向之第2面供給處理液； 第1媒體供給部，其係從被設置在上述噴嘴之第1供給口對上述噴嘴和上述基板之第1面之間之空間供給第1媒體；及 媒體吸引部，其係將上述第1媒體朝上述空間之外吸引。
  11. 一種基板處理裝置，具備： 噴嘴，其係被配置成與基板之第1面相向； 支持部，其係被配置在上述第1面和上述噴嘴之間，與上述噴嘴隔著特定距離而支持上述基板； 處理液供給部，其係對上述基板之與上述第1面相向之第2面供給處理液；及 第1媒體供給部，其係從被設置在上述噴嘴之第1供給口對上述噴嘴和上述基板之第1面之間之空間供給第1媒體， 上述噴嘴具有中央附近突出的凸部， 上述支持部被配置成與上述噴嘴之上面隔著特定距離，在與上述凸部對應之區域，具有大於上述凸部之面積且小於上述基板之面積的開口， 在上述支持部以封閉上述開口之方式載置上述基板。
  12. 如請求項11記載之基板處理裝置，其中 在上述支持部和上述基板之間設置樹脂。
  13. 如請求項12記載之基板處理裝置，其中 上述樹脂係藉由具有彈性之樹脂而構成。
  14. 如請求項12或13記載之基板處理裝置，其中 進一步具備加熱上述樹脂的加熱部。
  15. 如請求項14記載之基板處理裝置，其中 上述加熱部具有與上述噴嘴之上述樹脂之配置位置對應而被設置的一次線圈，和被連接於上述一次線圈的高頻電源，和與上述支持部之上述樹脂之配置位置對應而被配置的二次線圈。
  16. 如請求項14記載之基板處理裝置，其中 上述加熱部為光加熱式之加熱部。
  17. 如請求項11記載之基板處理裝置，其中 進一步具備第2媒體供給部，其係對被形成在上述噴嘴和上述支持部之間的空間供給溫度高於上述第1媒體的第2媒體。
  18. 如請求項17記載之基板處理裝置，其中 上述第2媒體供給部係從被設置在上述凸部之周緣部附近的第2供給口，供給上述第2媒體。
  19. 如請求項17記載之基板處理裝置，其中 上述第2媒體供給部係從上述噴嘴之側方，朝向上述噴嘴和上述支持部之間的空間供給上述第2媒體。
  20. 如請求項11記載之基板處理裝置，其中 進一步具備將上述第1媒體朝上述空間之外吸引的媒體吸引部。
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