TW201941288A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種包含於基板之上表面形成液膜並使之良好地凝固之程序之基板處理技術。基板處理方法包含：氣氛控制製程，其係對形成有圖案且附著有液體之基板之表面供給乾燥氣體，使基板之表面之周邊成為乾燥氣氛；凝固對象液供給製程，其係對基板之表面供給凝固對象液；及凝固製程，其係使凝固對象液之液膜凝固而形成凝固體。氣氛控制製程係於形成在凝固對象液供給製程中供給至基板之表面的凝固對象液之液膜之前開始。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
該申請主張基於2018年3月26日提出之日本專利申請2018-57940號之優先權，該申請之全部內容藉由引用合併於此處。
本發明係關於一種在基板之表面形成液膜後使該液膜凝固之基板處理方法及基板處理裝置。處理對象之基板之例包含半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、用於液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示)之基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。
先前，作為對基板之處理之一，已知有於使液膜附著於基板表面之狀態下藉由冷卻基板而使液膜凝固之技術。特別是，將此種技術用作對基板之洗淨處理及乾燥處理之一。即，伴隨著半導體裝置所代表之裝置之微細化、高功能化、高精度化，不使形成於基板表面之圖案倒塌地去除附著於基板表面之粒子等微小污染物質，且使基板表面乾燥變得日益困難。因此，提出有如下方案，即，使用上述技術而去除附著於基板表面之粒子之冷凍洗淨處理(參照專利文獻1)、或藉由濕式處理而使附著於基板之處理液乾燥之乾燥處理(參照專利文獻2)。
於冷凍洗淨處理中，向基板表面供給洗淨液而於基板表面形成液膜。繼而，藉由冷卻基板而使液膜凝固(冷凍)。藉此，於附著有粒子之基板表面生成凝固膜。最後藉由自基板表面去除凝固膜，可自基板表面將粒子連同凝固膜一起去除。例如於專利文獻1所記載之裝置中，將純水供給至基板表面而形成液膜，然後使該液膜凝固(冷凍)。
乾燥處理係用以於對基板表面進行沖洗處理後，去除沖洗液並使基板表面乾燥而執行。沖洗處理例如係對附著有洗淨液之基板表面供給去離子水(DIW：Deionized Water)等沖洗液，從而去除基板表面之洗淨液。其後，向基板表面供給乾燥處理液，從而去除基板表面之沖洗液，且於基板表面形成乾燥處理液之液膜。繼而，藉由冷卻基板而使液膜凝固，形成凝固膜。藉由使凝固膜不經液相即變成氣相而將其去除，進行使基板表面乾燥之乾燥處理。例如於專利文獻2所記載之乾燥方法中，將包含昇華性物質(第三丁醇)之處理液供給至基板表面，形成液膜，並冷卻該液膜，藉此形成凝固膜，然後使該凝固膜昇華。由於此種乾燥方法可降低表面張力對形成於基板表面之圖案之作用，故而可抑制或防止圖案之倒塌。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-31673號公報
[專利文獻2]日本專利特開2015-142069號公報
[發明所欲解決之問題]
於上述先前技術中，為了使各處理液(凝固對象液)之液膜凝固，供給已被冷卻至凝固對象液凝固點以下之氣體。但，視凝固對象液不同，有可能會因吸收基板表面氣氛中之水分或沖洗製程等中殘留於基板表面之水分，而導致凝固點下降，從而凝固點顯著降低。凝固點之降低與所吸收之水分之量相關，故而無法預測其降低溫度。因此，無法確切地決定凝固對象液之凝固所需之冷卻氣體之溫度。若冷卻氣體之溫度為因凝固點下降而降低後之凝固點以上，則無法使液膜整體良好地凝固。因此，會產生無法去除粒子，或發生圖案倒塌之課題。
又，為了解決上述課題，於將冷卻氣體之溫度設定為顯著較低之值之情形時，可使液膜整體凝固，但處理成本及能量消耗量會造成浪費。
本發明之一實施形態提供一種使基板上之液膜良好地凝固，藉此可實現良好之基板處理之基板處理方法及基板處理裝置。
[解決問題之技術手段]
本發明之實施形態提供一種基板處理方法，其包含：氣氛控制製程，其係對形成有圖案之基板之表面供給乾燥氣體，使上述基板之表面之周邊成為乾燥氣氛；凝固對象液供給製程，其係對藉由上述氣氛控制製程成為乾燥氣氛之上述基板之表面供給凝固對象液；及凝固製程，其係使上述凝固對象液凝固而形成凝固體。
又，本發明之實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：基板保持部，其保持且旋轉基板；第1氣體供給器件，其向保持於上述基板保持部之上述基板之表面供給乾燥氣體；凝固對象液供給器件，其向保持於上述基板保持部之上述基板之表面供給凝固對象液；及第2氣體供給器件，其供給用於使上述凝固對象液凝固之冷卻氣體；且於使上述基板之表面之周邊成為乾燥氣氛之狀態下，進行上述凝固對象液之供給。
根據上述基板處理方法或基板處理裝置，於基板之表面形成凝固對象液之液膜之前，基板之表面周邊之氣氛已被置換成乾燥氣氛。藉此，可抑制或防止由形成於基板表面之凝固對象液之液膜吸收基板表面周邊之氣氛中之水分所導致之凝固對象液之凝固點下降，故而可使基板上之液膜良好地凝固。藉此，可實現良好之基板處理。
本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果參照隨附圖式藉由以下所述之實施形態之說明加以闡明。
以下，對可應用本發明之基板處理裝置之概要進行說明。以下，基板係指半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、用於液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)之基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，選取主要用於半導體基板之處理之基板處理裝置為例，參照圖式進行說明，以上所例示之各種基板之處理亦可應用本發明。
又，作為基板，選取僅於一個主面形成有電路圖案等(以下，記載為「圖案」)者為例。此處，將形成有圖案之主面稱為「圖案形成面」或「正面」，將其相反側之未形成有圖案之主面稱為「背面」。進而，將面向下方之基板之主面稱為「下表面」，將面向上方之基板之主面稱為「上表面」。於以下，對上表面為正面之情形進行說明。
基板處理裝置1係用於去除附著於基板W之粒子等污染物質之洗淨處理及洗淨處理後之乾燥處理所使用之單片式基板處理裝置。
＜第一實施形態＞
圖1係表示本發明之基板處理裝置之一實施形態之概略前視圖。又，圖2係表示圖1之基板處理裝置之主要控制構成之方塊圖。該基板處理裝置1係逐片處理半導體晶圓等圓板狀基板W之單片式處理裝置。於本實施形態中，以乾燥處理為例進行說明，但並不限制於乾燥處理，於洗淨處理或其他使液膜凝固之處理中，亦可應用本發明。
基板處理裝置1具備收容基板W並進行各種處理之處理單元2、及控制裝置整體之控制單元(Controller)4。
處理單元2係使用處理液逐片處理複數片基板W之單片式單元。處理單元2包含具有內部空間之箱形腔室3、及一面於腔室3內將一片基板W以水平之姿勢保持一面使該基板W繞著通過基板W中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉之旋轉夾頭5。處理單元2進而包含繞著旋轉軸線A1包圍旋轉夾頭5之承杯37、及以水平之姿勢配置於旋轉夾頭5上方之圓板狀遮斷板39。
旋轉夾頭5包含被以水平之姿勢保持之圓板狀旋轉基座6、自旋轉基座6之上表面外周部向上方突出之複數個夾頭銷7、及使旋轉基座6及夾頭銷7繞著旋轉軸線A1旋轉之旋轉馬達8。複數個夾頭銷7於複數個夾頭銷7於旋轉基座6之上方水平保持基板W之閉合位置與解除複數個夾頭銷7對基板W之固持之打開位置之間，可相對於旋轉基座6移動。雖未圖示，但旋轉夾頭5包含使複數個夾頭銷7於閉合位置與打開位置之間移動之夾頭開閉機構。
遮斷板39包含支持遮斷板39之旋轉支軸41、內插於旋轉支軸41之外側內插管49、及內插於外側內插管49之內側內插管47。遮斷板39由沿著旋轉軸線A1於上下方向上延伸之旋轉支軸41，以水平之姿勢加以支持。遮斷板39之中心線配置於旋轉軸線A1上。遮斷板39包含外徑大於基板W直徑之圓形下表面(對向面)、及於遮斷板39之下表面中央部開口之向下噴出口40。遮斷板39配置於旋轉支軸41之下方。旋轉支軸41由在遮斷板39之上方水平延伸之支持臂42，繞著通過基板W中心之旋轉軸線A1可旋轉地加以支持。於旋轉支軸41之內周面與外側內插管49之外周面之間介置安裝有軸承(未圖示)。於支持臂42連接有遮斷板升降單元421與遮斷板旋轉單元422。
遮斷板升降單元421可使遮斷板39接近對向於旋轉基座6，或相反地使之離開旋轉基座6，從而使遮斷板39位於任意位置(高度)。具體而言，控制單元4使遮斷板升降單元421作動，藉此於相對於處理單元2搬入搬出基板W時，使遮斷板39上升至旋轉夾頭5上方之離開位置。另一方面，於控制單元4對基板W實施特定之處理時，使遮斷板39下降至設定於旋轉夾頭5上所保持之基板W正面Wf附近的特定之對向位置(圖1所示之位置)。於該實施形態中，控制單元4於開始向基板W之正面Wf供給沖洗液之同時，使遮斷板39自離開位置下降至對向位置，並使遮斷板39位於對向位置直至乾燥處理完成為止。但，遮斷板39之升降時點並不限定於上述時點。例如，亦可為沖洗液之供給結束後=且凝固對象液之供給開始前。
遮斷板旋轉單元422使旋轉支軸41繞著旋轉軸線A1旋轉。若旋轉支軸41旋轉，則遮斷板39與旋轉支軸41一起一體化旋轉。遮斷板旋轉單元422構成為根據保持於旋轉夾頭5之基板W之旋轉，使遮斷板39以與基板W相同之旋轉方向且大致相同之旋轉速度旋轉。
圖3係表示裝備於圖1之基板處理裝置1之遮斷板之要部的圖解縱剖視圖。又，圖4係圖3之A-A'線剖視圖(橫剖視圖)，表示內側內插管47之更具體之構造例。於旋轉支軸41內插有橫截面形成為圓形之外側內插管49。於外側內插管49之中空部內插有內側內插管47。內側內插管47之橫截面形成為圓形。於內側內插管47以於鉛直軸向上延伸之方式形成有3條流體供給通道。即，如圖3圖解所示，於內側內插管47形成有成為沖洗液之通路之沖洗液供給通道96、成為凝固對象液之通路之凝固對象液供給通道97、及成為氮氣等惰性氣體之通路之第1氣體供給通道98。具體而言，如圖4所示，沖洗液供給通道96、凝固對象液供給通道97及第1氣體供給通道98可由沿著內側內插管47之軸向***之管體96c、97c、98c分別形成。內側內插管47例如由PTFE(聚四氟乙烯：polytetrafluoroethylene)構成。管體96c、97c、98c例如由PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚合樹脂：polymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkylvinylether)構成。
沖洗液供給通道96、凝固對象液供給通道97及第1氣體供給通道98之上端分別連通於圖1所示之沖洗液供給管96d、凝固對象液供給管97d及第1氣體供給管98d。於沖洗液供給管96d、凝固對象液供給管97d及第1氣體供給管98d中分別***有閥96b、閥97b及閥98b。
如圖3所示，沖洗液供給通道96、凝固對象液供給通道97及第1氣體供給通道98之下端分別為沖洗液噴出口96a、凝固對象液噴出口97a及第1氣體噴出口98a，其等與保持於旋轉夾頭5之基板W之正面Wf相對向。於該實施形態中，內側內插管47之直徑為18～20 mm。又，沖洗液噴出口96a、凝固對象液噴出口97a及第1氣體噴出口98a之各口徑為4 mm。
於該實施形態中，沖洗液噴出口96a設置於自遮斷板39之中心軸即基板W之旋轉軸線A1偏向徑向外側之位置。藉此，避免自沖洗液噴出口96a噴出之DIW集中供給於基板W之正面Wf之一個點(基板W之旋轉中心)。其結果，可分散基板W之正面Wf之帶電部位，從而可降低由基板W之帶電所引起之氧化。另一方面，若沖洗液噴出口96a過於遠離旋轉軸線A1，則會導致難以使沖洗液到達基板W之正面Wf上之旋轉中心。因此，於該實施形態中，將水平方向上之自旋轉軸線A1至沖洗液噴出口96a(噴出口中心)之距離L設定為4 mm左右。可將DIW供給至基板W之正面Wf上之旋轉中心的距離L之上限值之一例於以下所示之條件下為20 mm。
DIW之流量：2 L/min
基板轉數：1500 rpm
基板正面之狀態：正面中央部為疏水面
關於自旋轉軸線A1至凝固對象液噴出口97a(噴出口中心)之距離之上限值，只要將基板轉數設定為1500 rpm，即與自旋轉軸線A1至沖洗液噴出口96a(噴出口中心)之距離L之上限值(20 mm)基本相同。
另一方面，關於自旋轉軸線A1至第1氣體噴出口98a(噴出口中心)之距離，只要能夠向定位於對向位置之遮斷板39與基板W之正面Wf之間所形成之間隙空間SP供給氮氣，即任意而無特別限定。然而，就如下所述般向形成於基板W之正面Wf上之凝固對象液之液膜吹送氮氣而形成凝固膜之觀點而言，第1氣體噴出口98a較佳為設置於旋轉軸線A1上或其附近位置。
外側內插管49之內壁面與內側內插管47之外壁面之間所形成之空間部分構成第2氣體供給通道99。第2氣體供給通道99之上端連通於圖1所示之第2氣體供給管99d。於第2氣體供給管99d中***有閥99b。第2氣體供給通道99之下端成為環狀之第2氣體噴出口99a。即於遮斷板39除了向基板W之正面Wf之中央部噴出惰性氣體之第1氣體噴出口98a以外，亦設置有第2氣體噴出口99a。第2氣體噴出口99a相對於沖洗液噴出口96a、凝固對象液噴出口97a及第1氣體噴出口98a設置於徑向外側，且係以包圍沖洗液噴出口96a、凝固對象液噴出口97a及第1氣體噴出口98a之方式設置。該第2氣體噴出口99a之開口面積遠遠大於第1氣體噴出口98a之開口面積。
如上所述，有2種氣體噴出口設置於遮斷板39，故而可使流量及流速互不相同之惰性氣體自各噴出口噴出。例如(1)為了將基板W之正面Wf之周圍氣氛保持為惰性氣體氣氛，希望以不吹散基板W之正面Wf上之液體之方式以相對較大流量低速地供給惰性氣體。另一方面，(2)於要形成基板W之正面Wf上之凝固對象液的液膜之凝固膜時，希望向基板W之正面中央部以相對較小流量高速地供給惰性氣體。因此，於上述(1)之情形時，主要使惰性氣體自第2氣體噴出口99a噴出，於上述(2)之情形時，主要使惰性氣體自第1氣體噴出口98a噴出，藉此可根據惰性氣體之用途，以適當之流量及流速向基板W之正面Wf供給惰性氣體。
返回圖1繼續進行說明。處理單元2包含向基板W之下表面中央部噴出熱媒之熱媒供給噴嘴9、將熱媒導入熱媒供給噴嘴9之熱媒供給配管9d、***熱媒供給配管9d中之閥9b、及使熱媒之溫度上升至高於凝固對象液凝固點之溫度之加熱器(未圖示)。
處理單元2進而包含向基板W之下表面中央部噴出冷媒之冷媒供給噴嘴14、將冷媒導入冷媒供給噴嘴14之冷媒供給配管14d、***冷媒供給配管14d中之閥14b、及使冷媒之溫度降低至低於凝固對象液凝固點之溫度之冷卻器(未圖示)。
承杯37可於上位置與下位置之間在鉛直方向上升降。上位置係承杯37之上端位於比旋轉夾頭5對基板W之保持位置更靠上方之處理位置。下位置係承杯37之上端位於比旋轉夾頭5對基板W之保持位置更靠下方之退避位置(圖1所示之位置)。處理單元2包含使承杯37於上位置與下位置之間升降之承杯升降單元38。於承杯37位於上位置之狀態下，自基板W向其周圍排出之各處理液由承杯37接住，而收集於承杯37內。然後，收集於承杯37內之各處理液被回收或廢棄。
其次，參照圖5及圖6A～圖6E，詳細說明如上所述般構成之基板處理裝置1之動作。圖5係表示基板處理裝置1之動作(乾燥處理)之一例之流程圖。圖6A～圖6E係表示圖5之各製程中之基板處理裝置1之動作及基板W之狀態之模式圖。
首先，使與基板W對應之特定基板處理程式藉由控制器執行指示。其後，進行將基板W搬入處理單元2之搬入製程(圖5之步驟S1)。具體而言，控制單元4於遮斷板39等退避之狀態下以將保持於搬送機器人之手之基板W置於複數個夾頭銷7之上之方式，控制搬送機器人。控制單元4進而於基板W已被置於複數個夾頭銷7之上之後，使複數個夾頭銷7固持基板W，且使搬送機器人之手自腔室3內退避。
其次，進行藉由未圖示之濕式洗淨器件所進行之洗淨製程(圖5之步驟S2)。作為洗淨液，無特別限定，例如可列舉SC-1(包含氨、雙氧水及水之液體)或SC-2(包含鹽酸、雙氧水及水之液體)等。洗淨液之供給量無特別限定，可根據所要洗淨之範圍等進行適當設定。又，對洗淨時間亦無特別限定，可根據需要進行適當設定。
其次，進行向附著有洗淨液之基板W之正面Wf供給DIW之沖洗製程(圖5之步驟S3)。具體而言，控制單元4以使基板W按液體處理速度(例如800 rpm)進行旋轉之方式使旋轉馬達8開始旋轉基板W。其後，控制單元4打開閥96b，藉由沖洗液供給管96d使位於離開位置之遮斷板39之沖洗液噴出口96a開始噴出作為沖洗液之DIW。供給至基板W之正面Wf之DIW利用由基板W旋轉所產生之離心力，自基板W之正面Wf之中央附近向基板W之周線部流動，而擴散於基板W之整個正面Wf。藉此，附著於基板W之正面Wf之洗淨液藉由DIW之供給而去除，基板W之整個正面Wf被DIW覆蓋。作為沖洗液，並不限定於DIW，可進行適當變更。又，作為基板W之旋轉速度，不限制於上述速度，由DIW構成之膜之膜厚於整個正面Wf，可適當設定為大於形成於正面Wf之圖案凸部之高度之程度。
又，與沖洗製程同時進行遮斷板接近製程(未圖示)。具體而言，控制單元4以使遮斷板39向著基板W之正面Wf之對向位置下降，並定位於該對向位置(接近位置)之方式，控制遮斷板升降單元421。此時，基板W之正面Wf與遮斷板39之距離為1～10 mm左右，較佳為3 mm。藉此，基板W之正面Wf以接近於遮斷板39之基板對向面之狀態被覆蓋，與基板W之周邊氣氛遮斷開來。遮斷板接近製程並不限定於上述時點，只要為下述氣氛控制製程開始前，則任何時點皆可。
若打開閥96b後經過特定時間，則控制單元4關閉閥96b，結束DIW自沖洗液噴出口96a之噴出，至此沖洗製程結束。再者，特定時間由DIW之供給量決定。DIW之供給量無特別限定，可進行適當設定。
圖6A表示沖洗製程中遮斷板39定位於接近位置之狀態下之各構成之處理動作及基板W之情況。如圖6A所示，於基板W之正面Wf，洗淨液藉由沖洗製程中所供給之DIW而去除，且形成有DIW之液膜。
其次，向附著有DIW之基板W之正面Wf供給作為乾燥惰性氣體之氮氣，進行將基板W之正面Wf周邊置換成乾燥氣氛之氣氛控制製程(圖5之步驟S4)。具體而言，控制單元4藉由控制旋轉馬達8及遮斷板旋轉單元422，而使基板W及遮斷板39繞著旋轉軸線A1以固定速度旋轉。遮斷板39及基板W之旋轉速度較佳設定為如下程度，即，利用由遮斷板39及基板W旋轉所產生之離心力，氮氣自基板W之正面Wf中央附近向基板W之周緣部方向流動，而擴散於基板W之整個正面Wf。該旋轉速度設定為數十～數百rpm左右，於本實施形態中，設定為250 rpm。
繼而，控制單元4打開閥99b，藉由第2氣體供給管99d，使定位於接近位置之遮斷板39之第2氣體噴出口99a開始噴出氮氣。向藉由遮斷板39與基板W之周邊氣氛遮斷開來之基板W之正面Wf供給氮氣，藉此於沖洗製程中附著於基板W之正面Wf之DIW或氣氛中之水分被去除，基板W之正面Wf附近之氣氛被置換成乾燥氣氛。如此，基板W之正面Wf附近之氣氛即與正面Wf或形成於正面Wf之液膜相接之氣氛成為乾燥氣氛。藉此，可抑制或防止後續之凝固對象液供給製程中所供給之凝固對象液吸收附著於基板W之正面Wf之DIW或氣氛中之水分。藉此，可防止由此種水分吸收所引發之凝固點下降。
本實施形態中所使用之氮氣較佳為其露點為0℃以下之乾燥氣體。於本實施形態中，使用氮氣作為乾燥惰性氣體，但只要為對凝固對象液具有惰性之氣體，則並不限定於氮氣。例如可列舉氬氣、氦氣、二氧化碳氣體或空氣(氮氣濃度80%、氧氣濃度20%之氣體)作為可使用之乾燥惰性氣體之其他例。或可為混合該等複數種氣體所得之混合氣體。
圖6B表示氣氛控制製程中之各構成之處理動作及基板W之情況。如圖6B所示，定位於接近位置之遮斷板39與基板W之正面Wf(DIW之液膜表面)所形成之間隙空間SP利用藉由第2氣體噴出口99a所供給之氮氣被置換成乾燥氣氛。
其次，開始氣氛控制製程並經過固定時間之後，進行向基板W之正面Wf供給凝固對象液之凝固對象液供給製程(圖5之步驟S5)。控制單元4對旋轉馬達8及遮斷板旋轉單元422下達動作指令，使基板W之旋轉速度上升。此時，基板W之旋轉速度較佳設定為如下程度，即，由作為凝固對象液之第三丁醇構成之液膜之膜厚於整個正面Wf均大於圖案凸部之高度，於本實施形態中，設定為400 rpm。
繼而，控制單元4打開閥97b，藉由凝固對象液供給管97d，使位於接近位置之遮斷板39之凝固對象液噴出口97a開始噴出第三丁醇。供給至基板W之正面Wf之第三丁醇利用由基板W旋轉所產生之離心力，自基板W之正面Wf之中央附近向基板W之周線部流動，而擴散於基板W之整個正面Wf。藉此，附著於基板W之正面Wf之DIW藉由第三丁醇之供給而去除，基板W之整個正面Wf被第三丁醇覆蓋。於本實施形態中，凝固對象液供給製程中亦繼續進行氣氛控制製程，但並不限定於此。氣氛控制製程可於凝固對象液供給製程前結束，亦可於凝固製程中繼續進行。
於凝固對象液供給製程中，向基板W之背面供給已被加溫至高於第三丁醇凝固點之溫度之熱媒，防止第三丁醇於比下述凝固製程更早前凝固。具體而言，控制單元4藉由打開閥9b而自熱媒供給噴嘴9向基板W之背面供給熱媒。考慮到基板W之厚度等，熱媒之溫度只要以將基板W之正面Wf所形成之凝固對象液之液膜控制於凝固對象液之熔點以上且未達沸點之溫度範圍之方式進行設定即可。藉此，可防止凝固對象液之液膜因由凝固對象液之蒸發所引發之汽化熱而凝固。熱媒之供給量只要為熱媒可接觸到基板W之背面之範圍內，亦無特別限定。作為熱媒，只要為對凝固對象液具有惰性，則無論是液體還是氣體皆可任意設定。
若打開閥97b後經過特定時間，則控制單元4關閉閥97b及閥9b，結束第三丁醇自凝固對象液噴出口97a之噴出及熱媒自熱媒供給噴嘴9之供給。至此，凝固對象液供給製程結束。上述特定時間由第三丁醇之供給量決定。第三丁醇之供給量無特別限定，可與形成於基板W之正面Wf之第三丁醇液膜之膜厚對應而適當設定。
於本實施形態中，使用第三丁醇作為凝固對象液，但並不限定於此，可列舉碳酸乙二酯、乙酸、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷、環己烷、十二氟環己烷及氟化碳化合物等。較佳為使用凝固點為5℃～40℃之凝固對象液。
圖6C表示凝固對象液供給製程中之各構成之處理動作及基板W之情況。如圖6C所示，於基板W之正面Wf，DIW藉由凝固對象液供給製程中所供給之第三丁醇被自基板W之正面Wf去除，且形成有第三丁醇之液膜。凝固對象液供給製程中亦繼續進行氣氛控制製程。藉此，可抑制或防止藉由第三丁醇去除DIW時有可能發生之DIW之液滴再附著且溶解於第三丁醇之液膜。從而，防止由DIW之液滴之再附著及溶解所引發之第三丁醇之凝固點下降。
繼而，進行使形成於基板W之正面Wf之第三丁醇之液膜藉由冷凍而凝固之凝固製程(圖5之步驟S6)。具體而言，控制單元4打開閥14b，使冷媒供給噴嘴14對基板W之背面開始噴出已被冷卻至第三丁醇凝固點以下之冷媒。考慮到基板W之厚度等，冷媒之溫度只要設定為可將基板W之正面Wf所形成之第三丁醇之液膜冷凍之程度之溫度即可。冷媒之供給量只要為冷媒可接觸到基板W之背面之範圍內，且使第三丁醇之液膜完全凝固(冷凍)之供給量，亦無特別限定。
作為冷媒，只要為對凝固對象液具有惰性，則無論是液體還是氣體皆可任意選擇。又，於本實施形態中，藉由向基板W之背面供給冷媒而使凝固對象液凝固，但凝固之方法並不限制於此。例如，亦可藉由自第1氣體噴出口98a對已被冷卻至凝固對象液凝固點以下之凝固對象液噴出惰性之氣體而使凝固對象液凝固。
第三丁醇之液膜完全凝固之後，控制單元4關閉閥99b，結束氮氣自第2氣體噴出口99a之噴出。至此，凝固製程及氣氛控制製程結束。此時，繼續進行冷媒自冷媒供給噴嘴14之供給。
於本實施形態中，凝固對象液供給製程中及凝固製程中亦繼續進行氣氛控制製程，但並不限定於此。氣氛控制製程可於凝固對象液供給製程前結束，亦可於凝固製程前結束。
圖6D表示凝固製程中之各構成之處理動作及基板W之情況。如圖6D所示，於凝固對象液供給製程中形成於基板W之正面Wf之第三丁醇之液膜冷凍而形成凝固膜。藉由凝固製程中亦繼續進行氣氛控制製程，而防止由間隙空間SP中之水分等溶解於第三丁醇之液膜所引起之第三丁醇之凝固點下降。
其次，進行藉由昇華而自基板W之正面Wf去除形成於基板W之正面Wf之第三丁醇之凝固膜的去除製程(圖5之步驟S7)。具體而言，控制單元4打開閥98b，藉由第1氣體供給管98d，使定位於接近位置之遮斷板39之第1氣體噴出口98a開始噴出氮氣。
於去除製程中，藉由繼續進行冷媒自冷媒供給噴嘴14之供給，可將第三丁醇維持於凝固點以下之溫度。藉此，可防止第三丁醇之凝固膜自基板W之背面熔解。
自基板W之正面Wf去除第三丁醇之凝固膜之後，控制單元4關閉閥14b及閥98b，結束冷媒自冷媒供給噴嘴14之供給及氮氣自第1氣體噴出口98a之噴出。至此，去除製程結束。
圖6E表示去除製程中之各構成之處理動作及基板W之情況。如圖6E所示，於凝固製程中形成於基板W之正面Wf之第三丁醇之凝固膜昇華，藉此自基板W之正面Wf去除。
最後，進行將基板W自處理單元2搬出之搬出製程(圖5之步驟S8)。具體而言，控制單元4以使遮斷板39上升，並定位於離開位置之方式控制遮斷板升降單元421。進而，解除複數個夾頭銷7對基板W之固持，藉由搬送機器人將基板W自處理單元2搬出。如此結束對於1片基板W之一系列基板處理。
如上所述，根據本實施形態，向基板W之正面Wf供給凝固對象液之前，基板W之正面Wf周邊之氣氛藉由氣氛控制製程已被置換成乾燥氣氛。藉此，可防止由供給至基板W之正面Wf之凝固對象液吸收基板W之正面Wf周邊之氣氛中之水分所導致之凝固對象液之凝固點下降。
並且，藉由於凝固對象液供給製程及凝固製程期間亦繼續進行氣氛控制製程，亦可防止各製程中之凝固對象液之凝固點下降。進而，即便於凝固對象液供給製程中，由於凝固對象液之供給而發生沖洗液(於該實施形態中為DIW)之液體飛濺等狀況，亦可抑制因其所導致之沖洗液之液滴附著及溶解於凝固對象液之液膜。因此，亦可防止由沖洗液之液滴之再附著及溶解所引起之凝固對象液之凝固點下降。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，只要不脫離其主旨，除了上述實施形態以外亦能以各種形態實施。例如，於上述實施形態中，以乾燥處理為例進行了說明，但於冷凍洗淨處理中亦可進行相同處理。
圖7係表示於冷凍洗淨處理中，實施本發明之情形時之基板處理裝置1之第2動作例之流程圖。該動作例包含搬入製程(步驟S11)、氣氛控制製程(步驟S12)、洗淨液供給製程(步驟S13)、凝固製程(步驟S14)、去除製程(步驟S15)及搬出製程(步驟S16)。
與圖5所示之第1動作例不同之方面在於，將第1動作例中之凝固對象液供給製程(步驟S5)變更為用於冷凍洗淨處理之洗淨液供給製程(步驟S13)。又，冷凍洗淨處理中之去除製程(步驟S15)係藉由對基板W之正面或背面供給熱媒而使洗淨液之凝固膜熔解，且使基板W之旋轉速度上升，以進行洗淨液之甩乾。藉此，自基板W之正面Wf去除洗淨液。但，去除製程之方法只要可自基板W之正面Wf去除洗淨液，則不限定於上述方法，亦可使用溶解等方法。又，無需於去除製程結束後立即進行基板W之搬出製程(步驟S16)，亦可連續地進行乾燥處理，然後再進行搬出製程。
又，於第1實施形態中，氣氛控制製程中之乾燥惰性氣體之噴出係於遮斷板接近製程後進行，但亦可設為與遮斷板接近製程同時開始乾燥惰性氣體之噴出之構成。
進而，於第1實施形態中，各處理液之供給全部係自配設於遮斷板39之各噴出口進行，但亦可設為與遮斷板39分開地設置噴出處理液之噴嘴，藉由該噴嘴將各處理液向基板W之正面Wf供給之構成。又，亦可形成覆蓋於基板W上方之惰性氣體流代替使用遮斷板39，從而限制基板W上方之氣氛。此種惰性氣體流之形成例如可使用日本專利特開2013-201334號所記載之構成之氣體噴出噴嘴而實現。
對本發明之實施形態進行了詳細說明，但其等僅係用於闡明本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例加以解釋，本發明之範圍僅由隨附之專利請求範圍限定。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧腔室
4‧‧‧控制單元
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧旋轉基座
7‧‧‧夾頭銷
8‧‧‧旋轉馬達
9‧‧‧熱媒供給噴嘴
9b‧‧‧閥
9d‧‧‧熱媒供給配管
14‧‧‧冷媒供給噴嘴
14b‧‧‧閥
14d‧‧‧冷媒供給配管
37‧‧‧承杯
38‧‧‧承杯升降單元
39‧‧‧遮斷板
40‧‧‧向下噴出口
41‧‧‧旋轉支軸
42‧‧‧支持臂
47‧‧‧內側內插管
49‧‧‧外側內插管
96‧‧‧沖洗液供給通道
96a‧‧‧沖洗液噴出口
96b‧‧‧閥
96c‧‧‧管體
96d‧‧‧沖洗液供給管
97‧‧‧凝固對象液供給通道
97a‧‧‧凝固對象液噴出口
97b‧‧‧閥
97c‧‧‧管體
97d‧‧‧凝固對象液供給管
98‧‧‧第1氣體供給通道
98a‧‧‧第1氣體噴出口
98b‧‧‧閥
98c‧‧‧管體
98d‧‧‧第1氣體供給管
99‧‧‧第2氣體供給通道
99a‧‧‧第2氣體噴出口
99b‧‧‧閥
99d‧‧‧第2氣體供給管
421‧‧‧遮斷板升降單元
422‧‧‧遮斷板旋轉單元
A1‧‧‧旋轉軸線
L‧‧‧距離
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S7‧‧‧步驟
S8‧‧‧步驟
S11‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S13‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S15‧‧‧步驟
S16‧‧‧步驟
SP‧‧‧間隙空間
W‧‧‧基板
Wf‧‧‧正面
圖1係表示本發明之基板處理裝置之一實施形態之圖。
圖2係表示圖1之基板處理裝置之主要控制構成之方塊圖。
圖3係表示裝備於圖1之基板處理裝置之遮斷板之要部的圖解縱剖視圖。
圖4係圖3之A-A'線剖視圖(橫剖視圖)。
圖5係表示使用圖1之基板處理裝置之基板處理方法之一例的流程圖。
圖6A～圖6E係表示圖5之基板處理方法之各製程中的主要構成之動作與基板之情況之模式圖。
圖7係表示基板處理方法之另一例之流程圖。

Claims (11)

  1. 一種基板處理方法，其包含： 氣氛控制製程，其係對形成有圖案之基板之表面供給乾燥氣體，使上述基板之表面之周邊成為乾燥氣氛； 凝固對象液供給製程，其係對上述基板之表面供給凝固對象液；及 凝固製程，其係使上述凝固對象液之液膜凝固而形成凝固體；且 上述氣氛控制製程係於形成在上述凝固對象液供給製程中供給至上述基板之表面的上述凝固對象液之液膜之前開始。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述凝固對象液之凝固點為5～40℃。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中上述氣氛控制製程係於上述凝固對象液供給製程開始之前開始。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中上述氣氛控制製程係於上述凝固對象液供給製程之製程中、結束時或結束後結束。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其進而包含遮蔽板接近製程，該製程係使對向配置於上述基板且與上述基板之表面相對向之面為大致平面之遮蔽板相對於上述基板相對接近；且 上述遮蔽板接近製程係於上述氣氛控制製程開始之前進行。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中上述基板與上述遮蔽板之間之距離自上述遮蔽板接近製程完成後至少至上述凝固對象液供給製程完成為止始終固定。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中上述基板與上述遮蔽板之間之距離自上述遮蔽板接近製程完成後至上述凝固製程完成為止始終固定。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其於上述凝固製程後，進而包含自上述基板去除凝固之上述凝固對象液之去除製程。
  9. 一種基板處理裝置，其包含： 基板保持部，其保持且旋轉基板； 第1氣體供給器件，其向保持於上述基板保持部之上述基板之表面供給乾燥氣體； 凝固對象液供給器件，其向保持於上述基板保持部之上述基板之表面供給凝固對象液；及 凝固器件，其用於使上述凝固對象液凝固；且 藉由上述凝固對象液供給器件供給至上述基板之表面之上述凝固對象液藉由上述基板保持部之旋轉形成液膜， 於使上述基板之表面之周邊成為乾燥氣氛之狀態下，進行上述液膜之形成。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其進而包含遮蔽板，該遮蔽板對向配置於保持於上述基板保持部之上述基板，且與上述基板相對向之面為大致平面。
  11. 如請求項9或10之基板處理裝置，其進而包含自上述基板去除凝固之上述凝固對象液之去除器件。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019054112A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥方法および基板乾燥装置
CN109212793A (zh) * 2018-09-30 2019-01-15 惠科股份有限公司 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法
CN112179059B (zh) * 2020-10-07 2022-06-07 武汉慧康利兹食品有限公司 用于制备粉末香精的真空低温干燥箱
CN112599441A (zh) * 2020-11-30 2021-04-02 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 清洗***、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1131673A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP3642065B1 (ja) 2004-03-22 2005-04-27 東洋紡績株式会社 選択透過性分離膜および選択透過性分離膜の製造方法
JP2008041998A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Ushio Inc 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN101165854A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP5297056B2 (ja) * 2008-03-11 2013-09-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5016525B2 (ja) * 2008-03-12 2012-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5373429B2 (ja) 2009-02-25 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP5665217B2 (ja) 2010-09-01 2015-02-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5647845B2 (ja) * 2010-09-29 2015-01-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP5701068B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5801678B2 (ja) 2011-01-28 2015-10-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5715831B2 (ja) 2011-01-20 2015-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9335793B2 (en) 2011-01-31 2016-05-10 Apple Inc. Cover attachment with flexible display
JP5753391B2 (ja) 2011-02-03 2015-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
JP6259299B2 (ja) 2014-01-30 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
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