TW201931634A - 光學膜、光學膜的製造方法、及有機發光電子裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本申請案是關於光學膜、光學膜的製造方法、以及有機發光電子裝置的製造方法。
Description
本申請案主張2017年10月23日於韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2017-0137759號之優先權,其全文內容併入本案作為參考。
本揭露是關於光學膜、該光學膜的製造方法、以及使用該光學膜之有機發光電子裝置的製造方法。
有機發光裝置是自發光型顯示裝置,並且與液晶顯示器(LCD)不同,由於不需要個別的光源,因此可以被製造得輕薄。此外,有機發光裝置由於低電壓驅動而在功率消耗方面是有利的,且亦具有優異的響應速率、視角及對比度,並且已經被研究作為下一代顯示器。
有機發光裝置的問題在於它非常容易受到雜質、氧氣和水分的影響,因此其性能容易因外部暴露或濕氣或氧氣滲透而惡化,並且壽命縮短。為了解決這些問題,需要封裝層用於防止氧氣、水分或類似物被引入有機發光裝置中。
封裝層包括用於在製造之後保護封裝層的保護膜,並且由於材料性質導致的高表面電阻引起的靜電,當從封裝層剝離保護膜時,一般保護膜具有殘留在封裝層中的殘留物,並且外來物質(例如污垢或灰塵)可能附著至有機發光裝置,在有機發光裝置中造成發光缺陷。為了解決這些問題,需要工人使用靜電去除器逐一去除靜電的過程,這造成生產時間和成本增加從而降低生產率的問題。已經需要用於解決這些問題的方法。
[技術問題]
本揭露是關於在有機發光電子裝置中保護封裝層的表面且具有優異之抗靜電功能的光學膜、該光學膜的製造方法、保護封裝層表面的方法、以及有機發光電子裝置的製造方法。
[技術方案]
[技術方案]
本揭露的一實施例提供一種光學膜,其包括基底層,該基底層包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;以及保護層,其包括保護膜、分別配置在該保護膜之二個表面上之第三抗靜電層與第四抗靜電層、以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層(release layer),其中該基底層與該保護層藉由黏著劑層而結合,使得該第二抗靜電層與該離型層彼此面對;該黏著劑層之與該離型層接觸的表面之表面電阻為大於或等於109
Ω/sq且小於或等於5×1012
Ω/sq;以及該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
本揭露的另一實施例提供一種光學膜,其包括基底層,其包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;以及黏著劑層,其係配置在該第二抗靜電層之相反於面對該基底膜的表面之表面上,其中該黏著劑層的表面電阻為大於或等於105
Ω/ sq且小於或等於5×1012
Ω/sq;以及該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
本揭露的一實施例提供一種光學膜的製造方法,其包括形成基底層,該基底層包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;形成保護層,該保護層包括保護膜、分別配置在該保護膜之二個表面上之第三抗靜電層與第四抗靜電層、以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層;以及藉由黏著劑層而結合該基底層與該保護層,使得該第二抗靜電層與該離型層彼此面對,其中該黏著劑層之與該離型層接觸的表面之表面電阻為大於或等於109
Ω/sq且小於或等於5×1012
Ω/sq,以及該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
本揭露的另一實施例是提供一種有機發光電子裝置的製造方法,其包括從上述光學膜移除該保護層;以及將該光學膜的該黏著劑層附接在有機發光裝置的封裝層上。
[有利的效果]
[有利的效果]
本申請案提供具有優異的抗靜電功能之光學膜,從而在有機發光電子裝置製造方法過程中,當從裝置表面被剝離時,防止因靜電而產生的外來物質及裝置缺陷。
在下文中,將更詳細地描述本說明書。
在本說明書中,某部分「包含」某些成分的描述是指能夠進一步包含其他成分,並且除非另有特別說明,否則不排除其他成分。
將參考附圖詳細描述本揭露的實施例,使得該技藝中的技術人士可容易地實現本揭露。然而,可用各種不同的形式實施本揭露,且不限於本文所述的實施例。
本申請案是關於一種光學膜,其包括基底層;保護層;以及黏著劑層。
基底層包括基底膜;以及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層。
保護層包括保護膜;分別配置在該保護膜之二個表面上的第三抗靜電層與第四抗靜電層;以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層。
當參閱圖1時,光學膜的結構包括基底層(110),其包括基底膜(111)以及分別配置在基底膜之二個表面上的第一抗靜電層(11A)與第二抗靜電層(11D);保護層(130),其包括保護膜(131)、分別配置在保護膜之二個表面上的第三抗靜電層(11B)與第四抗靜電層(11C)、以及配置在該第三抗靜電層(11B)之相反於面對該保護膜(131)的表面之表面上的離型層(123);並且基底層(110)與保護層(130)藉由黏著劑層(124)而結合,使得第二抗靜電層(11D)與離型層(123)彼此面對。
在一實施例中,光學膜為表面保護膜,可在製程期間保護有機發光裝置的表面。
在一實施例中,在從光學膜移除保護層之後,可以將黏著劑層附接在黏著物表面上的方式使用光學膜。
當參閱圖2時,移除保護層的光學膜包括基底層(110),基底層包括基底膜(111)以及分別配置在基底膜之二個表面上的第一抗靜電層(11A)與第二抗靜電層(11D);以及配置在第二抗靜電層(11D)之相反於面對該基底膜(111)的表面之表面上的黏著劑層(124)。
圖3說明在黏著物(140)上附接圖2之光學膜以保護黏著物表面的形式。
在本說明書中,黏著物是指黏著劑層可附著的材料。在一實施例中,黏著物可指有機發光裝置的封裝層以及用於裝置中的塑膠基板,但不以此為限。
在本揭露的光學膜中,黏著劑層之與離型層接觸之表面的表面電阻大於或等於109
Ω/sq且小於或等於5×1012
Ω/sq,並且黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
藉由根據本揭露的一實施例之黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數滿足3.5或更大,可得到優異的抗靜電功能,且當自黏著物表面剝離黏著劑層時,可防止由於靜電而可能在黏著物表面上發生的污染與自其所造成的產品缺陷。
此外,當黏著劑層的相對介電常數在上述範圍中時,即使當黏著劑層不包括可展現抗靜電性質的材料(例如抗靜電劑)時,可在黏著劑層表面上得到第二抗靜電層的抗靜電性質。這是指當在本揭露中黏著劑層經配置鄰近基底膜的一表面而不是第二抗靜電層經配置在基底膜的一表面時,黏著劑層的表面電阻增加,並且在黏著劑層中不會得到本揭露之目標抗靜電性質。在一實施例中,黏著層接觸第二抗靜電層。
在本說明書中,介電常數為表示非導體之電性的值,並且具體而言是表示基於初始電場之電場變得多弱的值。非導體的極性程度可由介電常數表示,並且當極性為高極性時,測得高介電常數,而當非極性為低極性時,測得低介電常數。
在本說明書中,黏著層的相對介電常數(εr
) 是指黏著劑層的介電常數(ε)相對於真空之介電常數(ε0
)之比。
在一實施例中,黏著劑層的相對介電常數可為3.5或更大;4或更大;5或更大;6或更大;7或更大。當黏著劑層具有較高的相對介電常數時,黏著劑層中的極性增加,這容易抵消外部電場。當相對介電常數增加時,可能促進黏著劑層的抗靜電性質。
在一實施例中,黏著劑層的相對介電常數之上限不受限制。在一實施例中,考量黏著劑層材料的本質,黏著劑層的相對介電常數可為10或更小。
在黏著劑層之二個表面上分別形成直徑為30 mm的Cu電極與直徑為30 mm的Cu電極並且使用阻抗分析儀(阻抗/增益相位分析儀,HP 4194A)在25ºC和100 kHz頻率下測量電容(Cp
)之後,藉由以下的數學方程式1可計算相對介電常數(εr
),
在數學方程式1中,A為黏著劑層的面積,h為黏著劑層的厚度。
在一實施例中,黏著劑層之與離型層接觸之表面的表面電阻為大於或等於109
Ω/sq且小於或等於5×1012
Ω/sq。
在一實施例中,黏著劑層之與離型層接觸之表面的表面電阻為三個表面電阻值之平均值,三個表面電阻值是藉由在將光學膜切割為具有10 cm的寬度與10 cm的長度並且從光學膜剝離保護層之後,以及使用表面電阻測量裝置(HIRESTA-UP MCP-HT450, Mitsubishi Chemical Corporation),在施加100 V的電壓與2 kgf的壓力達10秒的情況下黏著劑層之中心以及黏著劑層的寬度方向中各自與黏著劑層之中心相距2.5 cm的兩點而得到。
基底膜的種類不特別受限。基底膜的實例可包含聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚胺甲酸酯(polyurethane)膜、乙烯-丙烯酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜、聚醯亞胺膜或類似物,但不限於此。在本揭露的一實施例中,基底膜可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
可考量本申請案之目的而適當地選擇基底膜厚度。例如,基底膜厚度可為大於或等於25 μm且小於或等於150 μm;大於或等於50 μm且小於或等於125 μm;或大於或等於50 μm且小於或等於100 μm。當將光學膜結合在有機發光裝置的封裝層上時,當基底膜範圍小於上述厚度範圍時,基底膜可能容易變形,並且當基底膜範圍大於上述厚度範圍時,可能發生結合缺陷。
在基底膜上,可進行適當的黏性處理,例如電暈放電處理(corona discharge treatment)、紫外線輻射處理、電漿處理或是濺射蝕刻處理,然而,該處理不限於此。
在一實施例中,基底膜可直接附接至第一與/或第二抗靜電層。在另一實施例中,當基底膜被表面處理時,第一與/或第二抗靜電層可附接至經表面處理的基底膜。
在本說明書中,術語「抗靜電層」是指用以抑制靜電產生的層。
可使用已知的方法形成第一至第四抗靜電層以完成目標效果。例如,可使用在線塗覆(inline coating)方法,在基底膜的二個表面與保護膜的二個表面上,形成第一至第四抗靜電層。在線塗覆方法是將擠出的膜單軸定向、在其上塗覆塗層、而後經由雙軸定向完成該膜的方法。於在線塗覆方法中,在膜的製備過程中進行塗覆,因此,塗層與膜之間的黏性增加,並且在膜的製備中持續配置該塗層以縮短製程,以及將該膜製備的儘可能薄。
在本揭露中,可考量本申請案之目的,將第一至第四抗靜電層形成的適當的抗靜電組成物。例如,在不影響本揭露之效果的範圍中,第一至第四抗靜電層可包含熱可固化的結合劑樹脂。
在本說明書中,術語「熱可固化的結合劑樹脂(thermocurable binder resin)」是指可經由適當加熱或老化製程而固化的結合劑樹脂。例如,可使用選自由丙烯酸類樹脂、胺甲酸酯(urethane)類樹脂、胺甲酸酯-丙烯酸類共聚物、酯類樹脂、醚類樹脂、醯胺類樹脂、環氧類樹脂以及三聚氰胺(melamine)樹脂、或其混合物所組成的群組之一作為熱可固化的結合劑樹脂,然而,熱可固化的結合劑樹脂不限於此。
在一實例中,第一至第四抗靜電層可包括導電性材料。導電性材料可包含導電性聚合物或碳奈米管,但不限於此。
導電性聚合物可用例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩系列、其衍生物和共聚物形成,但不限於此。
碳奈米管可具有管狀形狀,其係藉由將連接由6個碳形成的六邊形環而形成的石墨板圓化而得到。碳奈米管具有優異的剛性和導電性,並且當用作光學膜的抗靜電層時,可增加抗靜電層的硬度,並且可增強抗靜電功能。
可考量本申請案之目的,適當地選擇第一至第四抗靜電層的厚度,並且該等抗靜電層之各自的厚度可為相同或是彼此不同。
在一實施例中,第一至第四抗靜電層的厚度可各自獨立地大於或等於10 nm且小於400 nm;較佳地大於或等於20 nm且小於或等於300 nm;或大於或等於20 nm且小於或等於100 nm。藉由具有上述範圍之厚度的第一至第四抗靜電層,在基底膜的二個表面或保護膜的二個表面上可獲得優異的可塗覆性(coatability)。
在一實施例中,可考量本申請案之目的,適當地選擇第一至第四抗靜電層的表面電阻。例如,第一至第四抗靜電層的表面電阻可各自獨立地為105
Ω/sq或更大;106
Ω/sq或更大;107
Ω/sq或更大;108
Ω/sq或更大;或109
Ω/sq或更大。例如,第一至第四抗靜電層的表面電阻可各自獨立地為5×1012
Ω/sq或更小;或1011
Ω/sq或更小。當第一至第四抗靜電層具有在上述範圍中的表面電阻時,光學膜可具有優異的抗靜電功能。
在一實施例中,第一與第二抗靜電層各自配置在基底膜的二個表面上。在一實施例中,第一與第二抗靜電層各自與基底膜的二個表面直接接觸。在本揭露中,第三與第四抗靜電層各自配置在保護膜的二個表面上。在一實施例中,第三與第四抗靜電層各自與保護膜的二個表面直接接觸。
在一實施例中,黏著劑層直接接觸第二抗靜電層與離型層。
在一實施例中,黏著劑層可為非聚矽氧類黏著劑層。非聚矽氧類黏著劑層可為例如橡膠類黏著劑層、胺甲酸酯(urethane)類黏著劑層、或丙烯酸類黏著劑層,但不限於此。特別地,當黏著劑層為非聚矽氧類黏著劑層時,即使剝離強度低,也可分離離型層和黏著劑層而不在黏著劑層上產生殘留影像。
在一實施例中,黏著劑層可為胺甲酸酯(urethane)類黏著劑層。當黏著劑層包含胺甲酸酯聚合物時,黏著劑層具有較高的相對介電常數,並且在黏著層上可更有利地獲得第二抗靜電層的抗靜電性質。
對於橡膠類黏著劑層,可使用包含天然橡膠、聚異戊二烯橡膠、聚異丁烯橡膠、聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物或類似物的黏著劑層。
丙烯酸類黏著劑層可包含(甲基)丙烯酸酯單體。單體可包含在聚合物中作為聚合單元。在本說明書中包含在聚合物中作為聚合單元的單體可指在經過聚合反應與類似者之後形成聚合物之骨架(例如其主鏈或支鏈)的單體。
可使用(甲基)丙烯酸烷酯作為(甲基)丙烯酸酯單體的實例。在一實施例中,考量黏著劑之內聚力、玻璃轉化溫度等,(甲基)丙烯酸烷酯的烷基可具有1至14個碳原子。對於(甲基)丙烯酸烷酯,可使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯與類似物,然而,(甲基)丙烯酸烷酯不限於此。可使用一種、二種或更多種作為(甲基)丙烯酸烷酯,並且可考量黏著劑層的黏著強度而適當地選擇單體混合比率。
丙烯酸類黏著劑層可進一步包含彈性體(elastomer)。彈性體的實例可包含選自由天然異戊二烯、合成聚異戊二烯、聚丁二烯、氯丁二烯(chloroprene)橡膠、丁基橡膠、鹵化丁基橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、腈橡膠和氫化腈橡膠所組成的群組中的一種、兩種或更多種。
胺甲酸酯(urethane)類黏著劑層是指包含聚胺甲酸酯類樹脂的黏著劑層。聚胺甲酸酯樹脂是指藉由固化含有多元醇和多官能性異氰酸酯化合物的組成物而獲得的樹脂。可從含有一或多個選自例如羥基、胺基和羧基的基團的組成物之固化的材料獲得胺甲酸酯類黏著劑層。
多元醇可包含例如聚酯多元醇、聚醚多元醇、聚己內酯(polycaprolactone)多元醇或聚碳酸酯多元醇,但不限於此。多元醇成分的實例可包含乙二醇、二乙二醇、聚丙二醇與類似物,但不限於此。
可使用可用於胺基甲酸酯化(urethanization)反應之任何合適的多官能性異氰酸酯化合物作為多官能性異氰酸酯化合物。此多官能性異氰酸酯化合物的實例可包含多官能性脂族類異氰酸酯化合物、多官能性脂環族類異氰酸酯、多官能性芳香族類異氰酸酯化和物、以及類似物。
可藉由固化黏著劑組成物而形成黏著劑層,然而,固化黏著劑組成物的方法不特別受限,並且例如,可使用經由適當乾燥、加熱與/或老化的固化;或是藉由電磁波(例如紫外線(UV))射線)照射的固化方法。
可考量本申請案之目的而適當地選擇形成黏著劑層的黏著劑組成物之組成。例如,黏著劑組成物可包含黏著性樹脂、固化劑、塑化劑、光起始劑、溶劑、水解抑制劑、抗氧化劑、固化加速劑、阻燃劑(anti-retardant)與類似物。
在本揭露中,考量本申請案之目的,可適當地選擇黏著劑層厚度。例如,黏著劑層厚度可為10 μm或更大;30 μm或更大;或45 μm或更大。例如,黏著劑層厚度可為200 μm或更小;150 μm或更小;100 μm或更小;或90 μm或更小。
藉由使用在上述範圍中的黏著劑層之厚度,可增進黏著劑層對於黏著物表面的黏著與黏潤。
在本揭露中,在黏著劑層中的金屬離子含量為50 ppm或更少,較佳為40 ppm或更少,更佳為30 ppm或更少,以及特佳為20 ppm或更少。金屬離子是指鹼金屬(第1族),例如鋰離子、鈉離子或鉀離子。黏著劑層中的金屬離子含量是指相對於黏著劑層的總重量,包含在黏著劑層中的金屬離子之含量。
在本揭露中,黏著劑層中的金屬離子含量為50 ppm或更少是指抗靜電劑不包含在黏著劑層中。即使當黏著劑層中不含有抗靜電劑,本揭露的光學膜仍可具有抗靜電性質。
在本說明書中,除非特別限定,否則「玻璃」可指無鹼玻璃(NEG Co., Ltd.,OA-21)。
在本揭露中,在剝離角為180°且剝離速率為0.3 m/min所量測之黏著劑層對於玻璃的剝離強度可為大於或等於0.5 gf/in並且小於或等於15 gf/in;大於或等於0.5 gf/in並且小於或等於13 gf/in;或大於或等於0.5 gf/in並且小於或等於10 gf/in。
在一實施例中,黏著劑層對於玻璃的剝離強度是當從光學膜剝離保護層,將光學膜切割為具有2.54 mm的寬度與250 mm的長度,而後使用2 kg滾筒將光學膜的黏著劑層附接至玻璃,並且將所得物於溫度為25ºC且相對濕度為50%下儲存24小時,而後使用材料性質分析儀(由Stable Micro Systems of England製造的質地分析儀)以剝離速度為0.3 m/min且剝離角為180°從玻璃剝離光學膜時所測量的剝離強度。
在一實施例中,當以剝離速度為0.3 m/min且剝離角為180°從玻璃剝離光學膜時,剝離強度是在溫度為25ºC且相對濕度為50%下所測量的值。
在本說明書中,黏潤(wetting)或黏潤時間是指黏著劑對於整個黏著物表面黏潤所需要的時間,並且可使用該技藝中通常使用的方法作為測量黏潤的方法。例如,可將用於評估稍後描述的實驗實例的潤濕之方法用於測量。
黏著劑層對於玻璃的黏潤時間可為0.5秒至6秒;0.5秒至5秒;或1秒至5秒。藉由具有在上述範圍中的黏潤時間之黏著劑層,可分離黏著劑層與離型層而不在黏著劑層表面上產生殘留影像。
根據一實施例之本揭露的黏著劑層配置在第二抗靜電層的表面上,並且降低累積靜電容量(cumulative electrostatic capacity)。此外,當從光學膜剝離保護層時,由於黏著劑層的表面電阻降低,在黏著劑層表面上產生較少的靜電。
在本揭露中,保護層包括保護膜;以及在保護膜的二個表面上分別配置的第三抗靜電層與第四抗靜電層。在第三抗靜電層之相反於面對保護膜的表面之表面上,配置離型層。
保護膜的實例可包含選自由聚對苯二甲酸乙二酯;聚四氟乙烯;聚乙烯;聚丙烯;聚丁烯;聚丁二烯;氯乙烯共聚物;聚胺甲酸酯;乙烯-丙烯酸乙烯酯(ethylene-vinyl acrylate);乙烯-丙烯共聚物;乙烯-丙烯酸乙酯共聚物;乙烯-丙烯酸甲酯共聚物;聚醯亞胺;耐龍;苯乙烯類樹脂或彈性體;聚烯烴類樹脂或彈性體;其他彈性體;聚氧伸烷類樹脂或彈性體;聚酯類樹脂或彈性體;聚氯乙烯類樹脂或彈性體;聚碳酸酯類樹脂或彈性體;聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)類樹脂或彈性體;烴類的混合物;聚醯胺類樹脂或彈性體;丙烯酸類樹脂或彈性體;環氧類樹脂或彈性體、聚矽氧類樹脂或彈性體;以及液晶聚合物所組成的群組中的一或更多種,但不限於此。
可考量本申請案之目的而適當地選擇保護膜厚度。例如,厚度可為大於或等於25 μm且小於或等於150 μm;大於或等於25 μm且小於或等於125 μm;或大於或等於25 μm且小於或等於100 μm。當保護膜厚度小於上述範圍時,當黏著劑層形成的光學膜結合至有機發光裝置的封裝層時,保護膜可能容易變形,並且當保護膜厚度大於上述範圍時,可能發生結合缺陷。
依照本揭露之目的,可適當地選擇離型層的材料。可使用本揭露之領域中的一般聚合物膜作為離型層,並且例如,可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜、聚醯亞胺膜或類似物,然而,離型層不限於此。
考量本申請案之目的,可適當地選擇離型層厚度。例如,離型層厚度可大於或等於10 nm且小於或等於500 nm;大於或等於10 nm且小於或等於300 nm;或大於或等於10 nm且小於或等於200 nm。當離型層不具有上述厚度時,在製程過程中可能發生膜缺陷,因此,較佳為具有上述厚度。
本說明書的一實施例提供光學膜的製造方法。該製造方法可為關於例如上述光學膜的製造方法。據此,以上提供的光學膜的描述可應用於使用下述以相同方式描述之光學膜的製造方法所形成的光學膜。
在一實例中,光學膜的製造方法可包括形成基底層,該基底層包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;形成保護層,該保護層包括保護膜、分別配置在該保護膜之二個表面上之第三抗靜電層與第四抗靜電層、以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層;以及藉由黏著劑層而結合該基底層與該保護層,使得該第二抗靜電層與該離型層彼此面對。
在光學膜的製造方法中,黏著劑層之與離型層接觸的表面之表面電阻為大於或等於109
Ω/sq且小於或等於5×1012
Ω/sq,並且該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
在一實施例中,可藉由剝離光學膜(其包括上述的保護層與離型層)中的保護層而製造光學膜,該光學膜包括基底層,該基底層包括基底膜及分別配置在該基底膜的二個表面上的第一抗靜電層與第二抗靜電層;以及配置在該第二抗靜電層之相反於面對該基底膜的表面之表面上的黏著劑層。
本說明書的一實施例提供有機發光電子裝置的製造方法。
在一實例中,有機發光電子裝置的製造方法可包括從上述的光學膜移除保護層;並且將光學膜的黏著劑層附接在有機發光裝置的封裝層上。
在另一實例中,有機發光裝置可依續地包括背板、塑膠基板、薄膜電晶體、有機發光二極體以及封裝層。
圖4為說明在有機發光電子裝置製造方法過程中根據本揭露之一實施例的光學膜附接在封裝層上之狀態的圖式。當參閱圖4時,根據本揭露的一實施例,圖2的光學膜附接在有機發光裝置(510)的封裝層(515)上,有機發光裝置(510)依續地包括背板(511)、塑膠基板(512)、薄膜電晶體(513)、有機發光二極體(514)與封裝層(515),使得黏著劑層與封裝層彼此面對。
該封裝層可在有機發光電子裝置中展現優異的防潮性質與光學性質。此外,無論有機發光電子裝置類型(例如頂部發射或底部發射),該封裝層可形成為穩定的封裝層。
在一實施例中,該封裝層可包含單層或多層無機材料層。當無機材料層為多層時,可依續地包含第一無機材料層、有機材料層以及第二無機材料層。單層或多層無機材料層可包含在封裝層的最外層中。可使用該技藝中已知形成封裝層的一般方法作為形成該封裝層的方法。在一實例中,黏著劑層可直接附接在第二無機材料層之其上沒有形成有機材料層之表面上。
單層或多層無機材料層的實例可包含氧化鋁類、氮化矽類、氮氧化矽類與類似物。有機材料層被引入在第一和第二無機材料層之間,可產生減輕無機材料層的應力且同時將無機顆粒與類似物引起的不規則表面平坦化之功能。有機材料層的實例可包含丙烯酸樹脂、環氧樹脂或類似物。
本申請案之有機發光電子裝置的製造方法可進一步包括從封裝層剝離光學膜;以及在該封裝層上層壓觸控螢幕面板與覆蓋窗(cover window)。當從封裝層剝離光學膜時,在封裝層中獲得優異的抗靜電功能,因此,當結合觸控螢幕面板於封裝層上時,藉由防止外來物質附接在封裝層與觸控螢幕之間而可防止裝置缺陷。
在下文中,參考本申請案以下的實例和非依照本申請案的比較例,將更詳細地描述本申請案,然而,本申請案的範圍不限於以下提供的實例。
<光學膜的製造>
實例1
製造具有75 μm的厚度的膜(H33P-both surfaces, Kolon)作為基底層,其中聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的二個表面塗覆以第一抗靜電層與第二抗靜電層。
接著,將93重量份的丙烯酸乙基己酯(EHA)和7重量份的丙烯酸羥乙酯(HEA)混合以聚合丙烯酸類黏著劑樹脂,且在第二抗靜電層上塗覆添加有相對於100重量份的丙烯酸類黏著劑樹脂5重量份的異氰酸酯固化劑的塗佈液,並且將所得物乾燥與老化以製造厚度為30 μm的丙烯酸類黏著劑層。
接著,在黏著劑上層在厚度為50 μm的保護層(12ASW, SKC),(其中在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(XD510P, TAK Inc.)的二個表面上形成第三抗靜電層與第四抗靜電層,以及在第三抗靜電層上塗覆離型層),使得離型層位在黏著劑層上,如此而製得光學膜。
實例2
用與實例1相同的方式製造光學膜,差別在於使用胺甲酸酯(urethane)類黏著劑樹脂(UA-4,Samhwa Paints Industrial Co., Ltd.)以代替丙烯酸類黏著劑樹脂,且胺甲酸酯(urethane)類黏著劑層製造為50 μm的厚度。
實例3
用與實例1相同的方式製造光學膜,差別在於使用胺甲酸酯(urethane)類黏著劑樹脂(UA-4,Samhwa Paints Industrial Co., Ltd.)以代替丙烯酸類黏著劑樹脂,且胺甲酸酯(urethane)類黏著劑層製造為75 μm的厚度。
比較例1
用與實例1相同的方式製造光學膜,差別在於使用膜(H33P-one surface, Kolon)作為基底層(其中用第一抗靜電層塗覆聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的一個表面)以代替實例1的基底層,並且在基底層的基底膜上形成塗覆溶液。
比較例2
用與實例3相同的方式製造光學膜,差別在於使用膜(H33P-one surface, Kolon)作為基底層(其中用第一抗靜電層塗覆聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的一個表面)以代替實例3的基底層,並且在基底層的基底膜上形成塗覆溶液。
比較例3
用與實例1相同的方式製造光學膜,差別在於使用藉由混合60重量份的丙烯酸正丁酯(BA)、30重量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)和10重量份的丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)以聚合具有分子量為1,500,000 g/mol的丙烯酸類黏著劑樹脂,在第二抗靜電層上,塗覆添加有相對於100重量份的丙烯酸類黏著劑樹脂30重量份的固化劑(TKA-100,Asahi kasei Corporation)和100重量份的肉荳蔻酸異丙酯(IPMS)的塗覆溶液,然後將所得物乾燥與老化所製造之具有35 μm的厚度之丙烯酸類黏著劑層,以代替實例1的丙烯酸類黏著劑層。
實例與比較例的性質經評估如下。
<相對介電常數的評估>
在實例1至3與比較例1至3的黏著劑層的每一者的二個表面上,分別形成具有30 mm的直徑之Cu電極與具有30 mm的直徑之Cu電極。使用阻抗分析儀(阻抗/增益-相位分析儀,HP 4194A)在25ºC的溫度於100 kHz的頻率下測量電容(Cp
)後,考量黏著劑層的厚度與面積,計算相對介電常數(εr
)。可使用下式作為方程式。
<表面電阻的評估>
藉由將實例1至3與比較例1至3的光學膜的每一者切割為具有10 cm的寬度與10 cm的長度而製造樣品。在從光學膜剝離保護層之後,藉由使用表面電阻測量裝置(HIRESTA-UP MCP-HT450, Mitsubishi Chemical Corporation),以2 kgf的壓力按壓測量裝置的電極,並在25℃的溫度下施加100 V的電壓,而測量黏著劑層的表面電阻。在黏著劑層的中心以及在黏著劑層的寬度方向上分別與黏著劑層的中心相距2.5 cm的兩點上測量10秒,取三次測量值的平均值。
<剝離強度的評估>
藉由將實例1至3的光學膜的每一者切割為具有2.54 mm的寬度與250 mm的長度而製造樣品。從光學膜剝離保護層之後,使用2 kg滾筒將光學膜的黏著劑層附接至玻璃,並且將所得物於25ºC儲存24小時。而後,使用裝置(Stable Micro Systems of England製造的質地分析儀)於25℃的溫度下以0.3 m/min的剝離速率和180°的剝離角,從玻璃剝離光學膜以評估剝離強度。
<黏潤的評估>
將實例1至3與比較例1與2的光學膜的每一者切割為具有50 mm的寬度與150 mm的長度之後,從光學膜剝離保護層,使用2kg的滾筒將光學膜附接至玻璃,測量整個黏著劑層黏潤在玻璃上所需的時間。
評估實例1至3與比較例1至3中製備的光學膜之性質的結果如下表1至表3所示。
在表1中,超過是指黏著劑層的表面電阻大於1013
Ω/sq。
如表1所示,可見相較於比較例1至3的光學膜,實例1至3的光學膜具有較低的黏著劑層表面電阻值。具有較低的表面電阻值是指抑制靜電產生,可見當使用具有3.5或更大的相對介電常數之黏著劑層時,在製造有機發光電子裝置時,裝置中之防止由於靜電產生而造成外來物質附接的效果優異。
11A‧‧‧第一抗靜電層
11B‧‧‧第三抗靜電層
11C‧‧‧第四抗靜電層
11D‧‧‧第二抗靜電層
110‧‧‧基底層
111‧‧‧基底膜
123‧‧‧離型層
124‧‧‧黏著劑層
130‧‧‧保護層
131‧‧‧保護膜
140‧‧‧黏著物
510‧‧‧有機發光裝置
511‧‧‧背板
512‧‧‧塑膠基板
513‧‧‧薄膜電晶體
514‧‧‧有機發光二極體
515‧‧‧封裝層
圖1與圖2為說明光學膜之形式的圖式。
圖3為說明本揭露之光學膜附接在黏著物上之形式的圖式。
圖4為說明在有機發光電子裝置製造方法過程中黏著劑層附接在封裝層上之狀態的圖式。
Claims (13)
- 一種光學膜,其包括: 基底層,其包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;以及 保護層,其包括保護膜、分別配置在該保護膜之二個表面上之第三抗靜電層與第四抗靜電層、以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層(release layer), 其中該基底層與該保護層藉由黏著劑層而結合,使得該第二抗靜電層與該離型層彼此面對; 該黏著劑層之與該離型層接觸的表面之表面電阻為大於或等於109 Ω/sq且小於或等於5×1012 Ω/sq;以及 該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜,其中該黏著劑層之厚度為大於或等於10 μm且小於或等於200 μm。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜,其中該黏著劑層的金屬離子含量為50 ppm或更少。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜,其中該黏著劑層為非聚矽氧類黏著劑層。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜,其中在剝離角為180°和剝離速率為0.3 m/min所測量之該黏著劑層對於玻璃的剝離強度(peel strength)為大於或等於0.5 gf/in且小於或等於15 gf/in。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜,其中該黏著劑層對於玻璃的黏潤時間為從1秒至6秒。
- 一種光學膜,其包括: 基底層,其包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層;以及 黏著劑層,其係配置在該第二抗靜電層之相反於面對該基底膜的表面之表面上, 其中該黏著劑層的表面電阻為大於或等於105 Ω/sq且小於或等於5×1012 Ω/sq;以及 該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
- 如申請專利範圍第7項之光學膜,其中在剝離角為180°和剝離速率為0.3 m/min所測量之該黏著劑層對於玻璃的剝離強度(peel strength)為大於或等於0.5 gf/in且小於或等於15 gf/in。
- 如申請專利範圍第7項之光學膜,其中該黏著劑層對於玻璃的黏潤時間為從1秒至6秒。
- 一種光學膜的製造方法,該製造方法包括: 形成基底層,該基底層包括基底膜及分別配置在該基底膜之二個表面上之第一抗靜電層與第二抗靜電層; 形成保護層,該保護層包括保護膜、分別配置在該保護膜之二個表面上之第三抗靜電層與第四抗靜電層、以及配置在該第三抗靜電層之相反於面對該保護膜的表面之表面上的離型層(release layer);以及 藉由黏著劑層而結合該基底層與該保護層,使得該第二抗靜電層與該離型層彼此面對, 其中該黏著劑層之與該離型層接觸的表面之表面電阻為大於或等於109 Ω/sq且小於或等於5×1012 Ω/sq;以及 該黏著劑層在100 kHz下之相對介電常數為3.5或更大。
- 一種有機發光電子裝置的製造方法,該製造方法包括: 從申請專利範圍第1至6項中任一項之光學膜移除該保護層;以及 將該光學膜的該黏著劑層附接在有機發光裝置的封裝層上。
- 如申請專利範圍第11項之有機發光電子裝置的製造方法,其中該有機發光裝置依序包括背板、塑膠基板、薄膜電晶體、有機發光二極體以及封裝層。
- 如申請專利範圍第11項之有機發光電子裝置的製造方法,其進一步包括: 從該封裝層剝離該光學膜;以及 在該封裝層上層壓觸控螢幕面板與覆蓋窗(cover window)。
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