TW201931031A - 分軸式光刻工具 - Google Patents

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Abstract

一種用於半導體基材光刻處理的步進器包括一基座、一只沿著座標系統的X軸移動的夾頭、一安裝在該基座和該夾頭上的橋架、及至少一安裝在該橋架上的投影照相機。該至少一投影照相機可沿著該座標系統的Y軸移動。該夾頭沿著X軸以及該至少一投影照相機沿著Y軸的總合的移動範圍足以將該至少一投影照相機的視野(field of view)定址到安裝於該夾頭上的實質整個基材上。

Description

分軸式光刻工具
本發明與半導體基材光刻處理設備有關。
在半導體光刻(亦稱為光微影蝕刻或簡稱為光刻)中，圖案係使用被稱為光阻劑的光敏聚合物而被產生在矽晶圓上。光刻基本上是一種光微影蝕刻處理，光阻劑藉由此處理被曝照且被顯影以形成三維度浮雕影像(relief image)於該基材上。蝕刻步驟接著被實施，其移除外露的或未外露的光阻劑，露出在該被移除的光阻劑底下的基材。此被露出來的基材然後被蝕刻以獲得三維度的表面。
一般而言，理想的光阻劑影像具有被設計的或所想要的圖案的精確形狀於該基材的平面上，其帶有貫穿該光阻劑厚度的垂直壁。因此，該最終的光阻劑圖案是二元的:一些部分的基材被光阻劑覆蓋，而其它部分的基材則完全未被覆蓋。此二元式圖案是圖案轉移所需要的，因為被光阻劑所覆蓋的基材部分將受到保護而不是蝕刻、離子佈植、或其它圖案轉移機制的影響。
投影式光刻工具有兩大分類--掃描系統和步進及重複系統。掃描投影印刷使用反射式光學器件(即，面鏡而非透鏡)來在光罩和晶圓被一狹縫同步移動時將一狹縫的光從光罩投射至該基材晶圓上。步進及重複照相機(簡稱為步進器)將該晶圓一次曝照一個矩形區段(其被稱為視野)，然後該晶圓被步進地移動至下一個位置且該固定不動的照相機再次被啟動。藉由只將該基材相對於固定不動的照相機移動，複雜度被降低且為了適當的品質保證而需的微控制可較容易達成。
為了建造構成一電晶體和連接一電路的數以百萬計的電晶體的許多電線的複雜結構，光刻及蝕刻圖案轉移步驟被重複許多次以製造一個電路。每一被印在該晶圓上的圖案與之前被形成的圖案對齊且導體、絕緣體、及選擇性摻雜的區域逐漸地被建造起來以形成最終的裝置。
帶有多個基座的光刻工具在此技術領域中是已知的，該等基座具有載負了基材的活動夾頭，該等活動夾頭被相對於固定不動的照相機移動。有各種已知的設計，但一種普通的設計是描述在授予Gardner等人的美國專利第7,385,671號中的雙照相機系統，該美國專利的揭露內容藉此參照而被併於本文中。在一些設計中，該夾頭被支撐在基座上方的一由空氣軸承所產生的空氣墊上且可被一平面馬達或微步進馬達(Sawyer motor) (其構件為了清楚起見而被省略)移動於由該基座的表面所界定的XY平面上。該夾頭可被移動於該基座上的兩個維度內的一足以讓一對照相機或其它處理工具定位整個基材的範圍內。理想地，這將可很容易地形成完美平的基座和夾頭，使得基材S將相對於固定不動的投影照相機被平移於一和該投影照相機的光軸垂直的XY平面上。當投影照相機具有一沿著該光軸的有限尺寸的景深時，該基材被保持在此有限範圍內是很重要的。
本發明提供一種用於半導體基材光刻處理的步進器，其包括一基座、一只沿著座標系統的X軸移動的夾頭、一安裝在該基座和該夾頭上的橋架、及至少一安裝在該橋架上的投影照相機。該至少一投影照相機可沿著該座標系統的Y軸移動。該夾頭沿著X軸以及該至少一投影照相機沿著Y軸的總合的移動範圍足以將該至少一投影照相機的視野(field of view)定址到安裝於該夾頭上的實質整個基材上。
在該分軸式光刻工具及系統被揭露和描述之前，應理解的是，此揭露內容並不侷限於揭露於本文中的特定結構、處理步驟、或材料，而是擴大至它們可被相關技術領域中具有通常知識者所能認知的等效物。應理解的是，使用於本文中的術語只是為了描述特定實施例而被使用且不是打算用來限制的。應指出的是，當使用於本文中時，單數形式“一(a)”、“一(an)”、及“該(the)”包括複數的指涉對象物(referents)，除非內文清楚地表示出相反意思。
圖1A-1E例示一分軸式光刻工具的實施例的不同視圖。‘分軸式’一詞被用來描述光刻裝置中的基材和照相機這兩者移動且沿著不同的軸線移動。基材將被稱為沿著X軸移動且照相機將被稱為沿著Y軸移動。在圖1A-1E所示的實施例中，X和Y軸彼此垂直，但這只是分軸式光刻工具的一個實施例且任何非平行的軸線配對都可被使用。X及Y軸被例示於圖1A中且帶有剖面線，其亦界定示於圖1B及1C中的剖面圖式。
圖1A例示一分軸式光刻工具的實施例的立體圖。在被示出的實施例中，該光刻工具100包括一基座102，其上有一夾頭104水平地移動於單一方向(其在此例子中為X方向)上。該基座102和該夾頭104一起有時被稱為一架台(stage)。該夾頭104是一大的平台，其載負並支撐基材106。該夾頭104在X方向上具有足夠的移動範圍以允許該基材的整個長度(即，該基材沿著X軸的尺寸)通過照相機組件110底下且被照相機112成像(定址)。額外的運動範圍可被提供以協助基材的接納和移走。在一些實施例中，該夾頭104受到限制，用以只移動於X方向上。然而，當夾頭104相對於該工具100的該投影照相機112移動時，為了調整該夾頭104的姿態，夾頭104在Y方向或在XY平面的某些調整可被允許。
在被示出的實施例中，該照相機組件110包括兩個照相機112被一橋架114懸置於基座102/夾頭104/基材106上方。這兩個照相機112被附裝至一活動的雪撬件118，它可移動橫越該橋架114的表面。在實施例中，該雪撬件118類似於該夾頭104係移動於由空氣軸承所產生的空氣墊上且被一平面馬達或微步進馬達(Sawyer motor)沿著Y軸移動。已知的用於移動該照相機112和該雪撬件118的其它機構以及現在已知或以後開發出來的用於移動該照相機112和該雪撬件118的任何適合的技術都可被使用。
橋架114被設置在該基座102和夾頭104上方，該橋架在它們上方移動並且被設置有Y軸槽道116，照相機112在該槽道內平移。在被示出的實施例中，這兩個照相機被分開一固定不變的距離，介於這兩個照相機之間的距離在此技術領域中被稱為‘節距’。為了要在對基材上的光阻劑成像時保持必要的公差，該節距必須是已知的且被控制在可接受的程度。應指出的是，在所有的例子中，熟習此技藝者所習知的聚焦及/或對準機構類型與每一照相機組件一起使用，用以降低或去除較低或較高級數的光學像差，譬如失焦、傾斜、旋轉、及類此者。此等聚焦及對準機構為了清楚起見而在此說明中被省略。
在一替代實施例中，該節距可以是可變的且可被機械地控制或以其它方式控制。一用於此目的的節距調整機構113(圖1B)被耦合在該第一和第二投影照相機之間。此節距調整機構113可包括一具有多個位置的微步進馬達系統，在該等多個位置中每一位置對應於該第一和第二投影照相機之間一不同的節距。該節距調整機構113然後可藉由作動該步進馬達而被自動地且連續地調整，用以縮短或加長介於個別照相機112之間的距離。在一實施例中，該節距調整機構113包括螺釘機構(未示出)，它被該步進馬達作動。在另一實施例中，該節距調整機構113可以只包括一螺釘機構而沒有步進馬達或其它任何類型的自動作動器。在此類型的實施例中，介於個別照相機112之間的節距被固定且在使用期間保持不變。
圖1B例示該光刻工具沿著穿過該照相機橋架的槽道的Y軸的剖面圖。兩個照相機112被例示為被懸置在基材106上方且能夠如圖中的箭頭所示地側向移動。再次地，在此實施例中，這兩個照相機具有一固定不變的節距，使得它們一起移動。該等照相機在Y方向被設置有足夠的移動範圍，使得夾頭104沿著X軸以及照相機112沿著Y軸的總合移動範圍足以將照相機112的視野定址到實質整個基材上，如圖1E所示。
圖1C例示該光刻工具沿著穿過兩個照相機中的一個照相機的X軸的剖面圖。該橋架114和照相機112系統的設計細節可被看見。在被示出的實施例中，照相機112是位在活動的雪撬件118上，該雪撬件係沿著一固定不動的橋架部分114跨騎。
圖1D及1E示意地例示一從上往下看的圖式，其顯示照相機112在Y軸上相對於基材106的運動。該等示意圖顯示出被畫成疊加在基材106的輪廓上的圓圈圖案的照相機的照明區120。在替代實施例中，該等照明區120可以是相對於基材的任何形狀或大小。如圖1D中所示，這兩個照相機112是在固定不變的節距但每一照相機112都能夠定址到它們各自的基材106邊緣。圖1E顯示這兩個照相機設計的一個實施例的運動範圍，在該運動範圍內，這兩個照相機之間有很小或沒有重疊，但該等照相機能夠定址整個基材。在一未示出的替代實施例中，照相機的節距相對於基材的寬度(即，基材沿著Y軸的尺寸)可以小於該寬度的一半，因而增加這兩個照相機的照明區120的重疊量。
在操作時，圖1A-1E的光刻工具100將基材移動至照相機112底下的初始位置。然後照相機在它們各自的照明區120對基材的各部分成像，即曝光。在該初始成像之後，即進行a)將照相機沿著Y軸移動至下一個照相機位置或b)將夾頭104和基材106沿著X軸移動至下一個基材位置或c)這兩者。然後基材再次被照相機成像。然後此步驟順序被重複直到所有必要的成像都被完成且基材被移走以實施進一步的處理(如，蝕刻)。
圖2A-C例示一分軸式光刻工具的單一照相機實施例的不同圖式。對應於圖1B、1D及1E所示的圖式，圖2A-C顯示出單一照相機實施例200是如何能夠被設計成只使用一個照相機212來將基材206完整地成像。在此實施例中，該單一照相機在Y軸的運動範圍如圖2C所示係足以讓照相機的照明區220來將整個基材206的表面成像。照相機212在橋架214的槽道216內相對於夾頭204和基座202側向地移動，該夾頭204移動於該基座202上。
如上文中提到的，投影照相機212只是一種可和描述於本文中的分軸式光刻工具一起使用的處理工具。其它工具包括:用來辨識並確認基材相對於照相機或該系統的其它構件的位置的定位工具；用於維護基材的表面的清潔工具；及光阻劑施用工具，等等。除了一個或多個照相機之外，現在已知的或未來開發出來的任何處理工具可和描述於本文中的系統一起使用，或者取代該一個或多個照相機。
類似地，實施例可如上文中詳下描述地具有一個或兩個照相機，或者更多個照相機。上文所描述的系統可被設計成具有任何數量的照相機，其包括三個或更多個照相機被提供且不是共直線的實施例。例如，照相機被設置成方形配置或偏位網格配置的四相機實施例。任何數量的照相機或處理工具的任何一維度或二維度配置都可被使用。
分軸式光刻工具的又另一個實施例涉及了提供一高精確度子區域於每一投影照相機底下的基座(如圖1A-1E中的底座102和圖2A-C的底座202)的表面上。高精確度子區域是被拋光或以其它方式操作的分離表面以獲得極精確的規格，如達到在整個子區域中子區域內的表面在高度上的變動小於10000埃、小於1000埃、小於500埃、小於100埃、小於50埃、甚至小於10埃的平坦度。因為夾頭和基材的平坦度受到基座的平坦度的影響，所以添加高精確子區域於投影照相機底下可改善該工具的效能。設置了具有高精確度子區域的基座的架台被稱為保形架台。保形架台被更詳細地描述在2018年12月21日提申的國際專利申請案第PCT/US18/66991號，該專利申請案的全部揭露內容藉此參照被併於本文中。
雖然闡述技術的最廣範圍的數值範圍和參數是近似值，但在特定例子中被提出的這些數值都被盡可能精確地呈報。然而，任何數值本質上都包含某些在各測試測量值中找出的標準差所造成的誤差。
很清楚的是，描述於本文中的系統和方法都被很好地調適以達到被提及的結論和好處及其內含的本質。熟習此技藝者將瞭解的是，在本說明書內的方法和系統可被實施成許多方式，因此不應受限於前述範例化的實施例和實例。就這一點而言，描述於本文中的不同實施例的任何數量的特徵可被結合成一個單一的實施例且具有少於或多於描述於本文中的所有特徵的替代實施例是可能的。
雖然不同的實施例已為了此揭露內容的目的而被描述，但不同的改變及修改可被達成，這些都是在本揭露內容所預期到的範圍內。例如，在高精確度對於第二處理工具而言是非必要的情形中，一在高精確子區域上方有較高精確度的照相機的光刻工具可和一在標準子區域上方的第二處理工具配成對。許多其它改變可被實施，這些改變將毫無困難地將它們自給建議給熟習此技藝者且它們被本揭露內容的精神所涵蓋。
100‧‧‧光刻工具
102‧‧‧基座
104‧‧‧夾頭
106‧‧‧基材
110‧‧‧照相機組件
112‧‧‧照相機
114‧‧‧橋架
116‧‧‧Y軸槽道
118‧‧‧雪撬件
120‧‧‧照明區
113‧‧‧節距調整機構
200‧‧‧單一相機實施例
212‧‧‧照相機
206‧‧‧基材
214‧‧‧橋架
216‧‧‧槽道
202‧‧‧基座
204‧‧‧夾頭
220‧‧‧照明區
圖1A是一光刻系統的實施例的立體圖。
圖1B是光刻系統的實施例沿著圖1A的Y-Y線所取的剖面的示意剖面圖。
圖1C是光刻系統的實施例沿著圖1A的X-X線所取的剖面的示意剖面圖。
圖1D是光刻系統的實施例的基座和架台的示意頂視圖，其顯示投影照相機相對於基材的定位的一個態樣。
圖1E是光刻系統的實施例的基座和架台的示意頂視圖，其顯示投影照相機相對於基材的定位的一個態樣。
圖2A是單一投影照相機定址一基材的示意剖面圖。
圖2B是光刻系統的實施例的基座和架台的示意頂視圖，其顯示投影照相機相對於基材的定位的一個態樣。
圖2C是光刻系統的實施例的基座和架台的示意頂視圖，其顯示投影照相機相對於基材的定位的一個態樣。

Claims (17)

  1. 一種用於半導體基材光刻處理的步進器，包含: 　　一基座； 　　一只沿著座標系統的X軸移動的夾頭； 　　一安裝在該基座和該夾頭上的橋架；及 　　至少一安裝在該橋架上的投影照相機； 　　該至少一投影照相機可沿著該座標系統的Y軸移動，該夾頭沿著X軸以及該至少一投影照相機沿著Y軸的總合移動範圍足以將該至少一投影照相機的視野(field of view)定址到安裝於該夾頭上的實質整個基材上。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該至少一投影照相機包含第一投影照相機及第二投影照相機，每一投影照相機可分別定址該夾頭上的該基材的大約一半。
  3. 如申請專利範圍第2項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中可被該第一投影照相機定址之該基材的視野和可被該第二投影照相機定址之該基材的視野不重疊。
  4. 如申請專利範圍第2項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該第一和第二投影照相機有一固定不變的節距。
  5. 如申請專利範圍第2項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其更包含: 　　一耦合在該第一和第二投影照相機之間的節距調整機構，該節距調整機構具有多個位置，該等多個位置的每一個位置對應於該第一和第二投影照相機之間的一不同的節距。
  6. 如申請專利範圍第2項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該至少一投影照相機係可控制地沿著Y軸移動於由一空氣軸承所產生的空氣墊之上。
  7. 如申請專利範圍第6項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該空氣軸承可獨立於該至少一投影照相機之外地移動。
  8. 一種用於半導體基材光刻處理的步進器，包含: 　　一基座； 　　一只沿著座標系統的X軸移動的夾頭； 　　一安裝在該基座和該夾頭上的橋架；及 　　第一投影照相機和第二投影照相機，每一投影照相機皆被安裝在該橋架上且可沿著該座標系統的Y軸移動， 　　該夾頭沿著X軸和該第一及第二投影照相機沿著Y軸的總合移動範圍足以將該第一及第二投影照相機的視野定址到安裝於該夾頭上的實質整個基材上。
  9. 如申請專利範圍第8項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該第一和第二投影照相機的每一投影照相機可定址該夾頭上的該基材的大約一半。
  10. 如申請專利範圍第8項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中可被該第一投影照相機定址之該基材的視野和可被該第二投影照相機定址之該基材的視野不重疊。
  11. 如申請專利範圍第8項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該第一和第二投影照相機有一固定不變的節距。
  12. 如申請專利範圍第8項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其更包含: 　　一耦合在該第一和第二投影照相機之間的節距調整機構，該節距調整機構具有多個位置，該等多個位置的每一個位置對應於該第一和第二投影照相機之間的一不同的節距。
  13. 如申請專利範圍第8項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該第一和第二投影照相機係可控制地沿著Y軸移動於由一空氣軸承所產生的空氣墊之上。
  14. 如申請專利範圍第13項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該空氣軸承可獨立於該第一和第二投影照相機之外地移動。
  15. 一種用於半導體基材光刻處理的步進器，包含: 　　一基座； 　　一只沿著座標系統的X軸移動的夾頭； 　　一安裝在該基座和該夾頭上的橋架；及 　　一投影照相機，其被安裝在該橋架上且可沿著該座標系統的Y軸移動， 　　該夾頭沿著X軸和該投影照相機沿著Y軸的總合移動範圍足以將該投影照相機的視野定址到安裝於該夾頭上的實質整個基材上。
  16. 如申請專利範圍第15項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該投影照相機係可控制地沿著Y軸移動於由一空氣軸承所產生的空氣墊之上。
  17. 如申請專利範圍第16項之用於半導體基材光刻處理的步進器，其中該空氣軸承可獨立於該投影照相機之外地移動。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118119893A (zh) * 2021-05-25 2024-05-31 应用材料公司 用于提高数字光刻精确度的网桥加固构件
US20230043353A1 (en) * 2021-08-04 2023-02-09 Onto Innovation, Inc. Multiple camera apparatus for photolithographic processing

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769680A (en) * 1987-10-22 1988-09-06 Mrs Technology, Inc. Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems
JPH1116820A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Nikon Corp 露光方法及び装置
KR20050044369A (ko) * 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마스크없는 광자-전자 스팟-그리드 어레이 프린터
TWI271602B (en) * 2004-03-31 2007-01-21 Fujifilm Corp A correcting method and an exposure method of exposure device, and an exposure device
US7385671B2 (en) 2004-05-28 2008-06-10 Azores Corporation High speed lithography machine and method
US7538855B2 (en) * 2004-08-10 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006267191A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Pentax Industrial Instruments Co Ltd 露光装置
CN101178544A (zh) * 2006-04-12 2008-05-14 富士胶片株式会社 对准单元及使用该对准单元的图像记录装置
JP5731063B2 (ja) * 2011-04-08 2015-06-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、プログラマブル・パターニングデバイス、及びリソグラフィ方法

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