TW201926363A - 導電性膏 - Google Patents

導電性膏 Download PDF

Info

Publication number
TW201926363A
TW201926363A TW107139504A TW107139504A TW201926363A TW 201926363 A TW201926363 A TW 201926363A TW 107139504 A TW107139504 A TW 107139504A TW 107139504 A TW107139504 A TW 107139504A TW 201926363 A TW201926363 A TW 201926363A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductive paste
conductive
electrode
present
epoxy resin
Prior art date
Application number
TW107139504A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI783078B (zh
Inventor
小林健児
村松和郎
田辺秀雄
Original Assignee
日商納美仕有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商納美仕有限公司 filed Critical 日商納美仕有限公司
Publication of TW201926363A publication Critical patent/TW201926363A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI783078B publication Critical patent/TWI783078B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5046—Amines heterocyclic
    • C08G59/5053—Amines heterocyclic containing only nitrogen as a heteroatom
    • C08G59/5073—Amines heterocyclic containing only nitrogen as a heteroatom having two nitrogen atoms in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/033—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the solvent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/10—Printing inks based on artificial resins
    • C09D11/102—Printing inks based on artificial resins containing macromolecular compounds obtained by reactions other than those only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，係可在低溫(例如250℃以下)處理，且可得到比電阻低之導電膜。
本發明之太陽能電池電極形成用之導電性膏包含(A)導電性成分、(B)環氧樹脂、(C)咪唑以及(D)溶劑，其中，將除去(D)溶劑的導電性膏作為100重量%時，導電性膏中之(C)咪唑為0.1至1.0重量%。

Description

導電性膏
本發明係有關於可得到電特性優異的導電性圖案之導電性膏。具體而言，係有關於可使用於用以形成太陽能電池等半導體裝置的電極之導電性膏。
含有銀粒子之導電性膏例如係使用在用以形成半導體裝置以及電子構件的電極、以及線路圖案。由導電性膏所形成之電極以及線路圖案係可藉由網版印刷法等將預定圖案之導電性膏塗佈在基板等上後，加熱導電性膏，而得到預定圖案之導電膜來進行。
導電性膏有高溫燒製型導電性膏以及熱硬化型導電性膏2種類型。高溫燒製型之導電性膏係利用可在550至900℃左右的高溫燒製而形成導電膜之膏。在高溫燒製型的導電性膏之情況，燒製時導電性膏所含之樹脂成分會燒去。熱硬化型之導電性膏係可利用在室溫(約20℃)至250℃左右的較低溫加熱來形成導電膜之膏。在熱硬化型之導電性膏的情況，樹脂成分係藉硬化而與銀粒子彼此接著進而形成導電膜。
作為導電性膏之例，專利文獻1記載有一 種導電膏，該導電膏係含有：分子量為900以上之環氧樹脂、相對於前述環氧樹脂，重量比率為4至10之範圍內之銀粉末、以及有使前述環氧樹脂硬化時最低限度必要的添加量之2倍以上的添加量之咪唑系硬化劑。
專利文獻2係記載有一種導電性印墨組成物，該導電性印墨組成物係含有：導電性粒子、以及包含加熱硬化性樹脂組成物、硬化劑以及溶劑之有機系載體。專利文獻2之導電性印墨組成物所含之導電性粒子係含有平均粒徑0.1至3μm之球狀導電性粒子、以及平均片徑為0.1μm以上未達3μm之片狀導電性粒子。專利文獻2之導電性印墨組成物所含之導電性粒子，係將比率片狀導電性粒子以質量比率上比球狀導電性粒子多或相同的質量比率之方式含有。再者，專利文獻2中，係記載使用咪唑系硬化劑之2-乙基-4-甲基咪唑作為硬化劑。
專利文獻3係記載有一種加熱硬化型導電性膏組成物，該加熱硬化型導電性膏組成物含有導電性粉末、熱硬化性成分、硬化劑、溶劑。具體而言，專利文獻3中記載，使用片狀粉末以及球狀粉末作為前述導電性粉末。再者，專利文獻3中記載，熱硬化性成分係將具有預定之環氧當量以及預定之黏度的2種環氧樹脂，以預定的質量比調配。再者，專利文獻3記載係使用咪唑類作為硬化劑。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平08-092506號公報
[專利文獻2]日本特開2010-087131號公報
[專利文獻3]日本特開2013-196954號公報
熱硬化型導電性膏一般使用環氧樹脂作為黏合劑。相較於使用高溫燒製型導電性膏得到之導電膜，使用熱硬化型導電性膏得到之導電膜有比電阻(電氣阻抗值)變高的傾向。欲兼顧良好的密著性與電特性(10μΩ‧cm以下的比電阻)時，一般須要超過250℃的高溫加熱處理。
熱硬化型導電性膏有為了形成太陽能電池之電極而被使用之情形。為了得到高轉換效率的太陽能電池，必須形成低比電阻的電極。再者，根據太陽能電池之種類，有使用會因高溫的加熱步驟受到不良影響的材料之情形。使用此種太陽能電池時，必須在例如250℃以下之低溫形成低比電阻的電極。
本發明之目的在於提供一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，該導電性高可在低溫(例如250℃以下)處理，並且可形成低比電阻的導電膜。
為了解決上述課題，本發明具有下列構成。
(構成1)
本發明之構成1為一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，包含(A)導電性成分、(B)環氧樹脂、(C)咪唑以及(D)溶劑，其中，將(D)溶劑除外的導電性膏作為100重量%時，導電性膏中之(C)咪唑為0.1至1.0重量%。
依據本發明之構成1可提供一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，該導電性膏可在低溫(例如250℃以下)處理，並且可形成比電阻低的導電膜(例如，太陽能電池之電極)。
(構成2)
本發明之構成2為如構成1之導電性膏，其中，(C)咪唑為包含選自式(1)、式(2)以及式(3)之咪唑中之至少1者。
依據本發明之構成2，本發明之導電性膏藉由包含選自式(1)、式(2)以及式(3)之咪唑中之至少1者，而可降低所得之導電膜(例如，太陽能電池之電極)之比電阻。
(構成3)
本發明之構成3為如構成1或2之導電性膏，其中，(B)環氧樹脂包含選自雙酚F型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂以及雙酚A型環氧樹脂中之至少一者。
依據本發明之構成3，藉由使用預定之環氧樹脂作為(B)環氧樹脂，可在低溫(例如250℃以下)進行熱硬化性樹脂之熱硬化。
(構成4)
本發明之構成4為如構成1至3中任一項之導電性膏，其中，(D)溶劑包含乙基二乙二醇單苯基醚或丁基卡必醇。
依據本發明之構成4，藉由使(D)溶劑包含乙基二乙二醇單苯基醚或丁基卡必醇，可更確實地得到低比電阻之導電膜(例如，太陽能電池之電極)。
(構成5)
本發明之構成5為如構成1至4中任一項之導電性膏，該導電性膏更包含(E)酚樹脂。
依據本發明之構成5，導電性膏藉由進一步包含(E)酚樹脂，可更確實地在低溫(例如250℃以下)進行熱硬化性樹脂之熱硬化。
(構成6)
本發明之構成6為構成1至5任一項所述之導電性膏，該導電性膏更包含(F)偶合劑。
依據本發明之構成6，藉由使導電性膏更包含偶合劑，可讓導電性成分等的無機成分與熱硬化性樹脂之接著性變得更加良好。
依據本發明可提供一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，該導電性膏可在低溫(例如250℃以下)處理，並且可形成比電阻低的導電膜。
10‧‧‧結晶系矽基板
12‧‧‧i型非晶矽層
14a‧‧‧p型非晶矽層
14b‧‧‧n型非晶矽層
16‧‧‧透明導電膜
18a‧‧‧光入射側電極
18b‧‧‧內側電極
第1圖係顯示具有使用導電性膏所形成之電極之太陽能電池之一例之剖面示意圖。
第2圖係顯示使用導電性膏所形成之電極用之比電阻測定用圖案之平面示意圖。
第3圖係顯示在電極與結晶系矽基板之間之接觸電阻之測定中所使用之接觸電阻測定用圖案之平面示意圖。
以下，針對本發明之實施形態，一邊參照圖式一邊進行具體的說明。另外，以下之實施形態係將本發明具體化時的形態，並非將本發明限定於該範圍內。
本發明之導電性膏係熱硬化型導電性膏。本發明之導電性膏藉由包含預定之成分，而可在低溫(例如，250℃以下)進行熱硬化而形成電極。再者，藉由使用 本發明之導電性膏，可得到比電阻低的導電膜(電極)。本發明之導電性膏可適合使用為太陽能電池之電極形成用之導電性膏。
於本說明書中，「導電膜」係指在預定之基板等表面，將導電性膏以成為預定之形狀的圖案的方式進行印刷等，使導電性膏硬化而成之薄膜狀圖案。預定之形狀的圖案包含任意的形狀，例如，線狀、點狀以及平面狀的形狀之圖案。
本發明之導電性膏可為了形成作為半導體裝置以及電子構件等之電極、以及線路圖案之導電膜而使用。本發明之導電性膏不僅可為了在半導體、氧化物以及陶瓷等無機材料的表面形成電極及/或線路圖案而使用，亦可為了在PET(聚對苯二甲酸乙二酯)以及PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等耐熱性低的基板上形成電極及/或線路圖案而使用。
於本說明書中，「半導體裝置」係指使用半導體晶片之裝置，例如，電晶體以及積體電路等半導體裝置、液晶顯示器(LCD)以及電漿顯示器面板(PDP)等平版面板顯示器、以及太陽能電池等使用半導體之裝置。半導體裝置係利用半導體內之電子以及電洞的性質之裝置，具有對半導體直接或間接地電連接用之電極。
半導體裝置之電極有必須透光之情形。作為如此之電極材料，係用透明導電膜。以透明導電膜作為材料的電極稱為透明電極。透明電極使用在液晶顯示器 (LCD)以及電漿顯示器面板(PDP)等平版面板顯示器、以及各種太陽能電池等之半導體裝置。太陽能電池可列舉：非晶矽太陽能電池以及化合物半導體太陽能電池(CIS(CuInSe2)太陽能電池、CIGS(Copper Indium Gallium Selenide)太陽能電池以及CdTe太陽能電池等)等薄膜太陽能電池、異質接面型太陽能電池、以及結晶系矽太陽能電池等。透明電極係使用於例如平版面板顯示器、薄膜太陽能電池以及異質接面型太陽能電池等之電極形成。
屬於透明電極的材料之透明導電膜可使用氧化物導電膜。氧化物導電膜可列舉：氧化銦錫(亦稱為「ITO(Indium Tin Oxide)」)薄膜、氧化錫薄膜、以及ZnO系薄膜等。目前，ITO薄膜多使用於平版面板顯示器、以及各種的太陽能電池等。為了以不妨礙光對半導體裝置的入射、或光從半導體裝置的射出之方式，對透明電極進行電連接，係形成格子(grid)狀之電極(有簡稱為「電極」之情形)。本發明之導電性膏可為了在透明電極的表面形成格子狀之電極而使用。
根據半導體裝置之半導體的材料種類、電子構件的材料種類、以及構成半導體裝置以及電子構件等之半導體以外的材料種類，於電極形成步驟中，以高溫，例如，超過250℃之溫度處理時，半導體晶片及/或其以外之材料有劣化之情形。藉由使用本發明之導電性膏，可在低溫(例如250℃以下)形成比電阻低之電極。藉由使用本發明之導電性膏，半導體裝置不會因高溫劣化，可形成預定 之低電阻之電極。
使用本發明之導電性膏對透明導電膜形成電極時，可得到低接觸電阻。特別是，在對ITO薄膜形成電極時，可較容易地得到低接觸電阻(例如，8mΩ‧cm2以下之接觸電阻)。因此，本發明之導電性膏可適用於對透明導電膜，特別是對ITO薄膜形成電極。
為了在太陽能電池的透明導電膜表面形成電極，可較佳地使用本發明之導電性膏。根據太陽能電池之種類，有使用會因高溫的加熱步驟而受到不良影響的材料之情形。為了在如此低耐熱性的太陽能電池之透明導電膜的表面形成電極，特佳為使用本發明之導電性膏。會因高溫的加熱步驟而受到不良影響的材料，可舉出非晶矽(amorphous silicon)。使用非晶矽作為材料之太陽能電池可列舉：非晶矽太陽能電池、以及使用非晶矽以及結晶矽之異質接面型太陽能電池(以下，有簡稱為「異質接面型太陽能電池」之情形)。為了在非晶矽太陽能電池以及異質接面型太陽能電池之透明導電膜的表面形成電極，可較佳地使用本發明之導電性膏。
參照第1圖，針對屬於本發明之導電性膏的較佳用途之異質接面型太陽能電池進行說明。
第1圖係顯示異質接面型太陽能電池之一例的剖面示意圖。第1圖所顯示之異質接面型太陽能電池係在n型的結晶系矽基板10(例如，單結晶矽基板或多結晶矽基板)之光入射側表面，依序積層有由真性非晶矽所構 成的i型非晶矽層12(膜厚約10nm)以及由p型非晶矽所構成的p型非晶矽層14a(膜厚約10nm)。p型非晶矽層14a上配置有透明導電膜，例如，由氧化銦錫(ITO)構成之透明導電膜16(膜厚約70nm)。為了在透明導電膜16的表面得到狹縫狀的光入射側表面，形成格子(grid)狀的光入射側電極18a。
再者，如第1圖所示，結晶系矽基板10的內側依序積層有由真性非晶矽構成之i型非晶矽層12(膜厚約10nm)以及由經高濃度摻雜之n型非晶矽構成之n型非晶矽層14b(膜厚約10nm)。與光入射側表面同樣地，在n型非晶矽層14b上形成透明導電膜16以及格子狀的內側電極18b。
在第1圖所示之異質接面型太陽能電池之情形，可使用電漿CVD法、濺鍍法、蒸鍍法、或網版印刷法等方法，全部在約200℃以下的溫度進行結晶系矽基板以外各層之形成。再者，非晶矽由於會因高溫加熱步驟受到不良影響，故在透明導電膜16的表面形成光入射側電極18a以及內側電極18b之際的溫度較佳為低溫。若使用本發明之導電性膏，可在低溫(例如，250℃以下)形成低比電阻的光入射側電極18a以及內側電極18b。
接著，說明本發明之導電性膏。
本發明之太陽能電池電極形成用之電性膏包含(A)導電性成分、(B)環氧樹脂、(C)咪唑以及(D)溶劑。本發明之電性膏以(D)溶劑除外的導電性膏作為100重量% 時，導電性膏中之(C)咪唑為0.1至1.0重量%。
依據本發明之導電性膏，可在低溫(例如，250℃以下)進行處理，可得到低比電阻的導電膜(例如，太陽能電池之電極)，可提供太陽能電池電極形成用之導電性膏。
<(A)導電性成分>
本發明之導電性膏包含(A)導電性成分。
導電性成分為含有銀、銅、鎳、鋁、鋅及/或錫等導電性成分之導電性粒子。導電性粒子的形狀例如可為球狀、片狀、或針狀等形狀。可混合使用不同形狀之導電性粒子。
導電性粒子的製造方法無特別限定，例如，可藉由還原法、粉碎法、電解法、霧化法、熱處理法，或該等的組合來製造。片狀之導電性粒子，例如可將球狀之導電性粒子藉由球磨機等壓碎來製造。
本發明之導電性膏中，(A)導電性成分較佳為球狀及/或片狀之粒子。
從降低導電膜的比電阻之觀點而言，較佳係使用片狀之導電性粒子。但是，僅使用片狀之導電性粒子時，導電性膏的黏度變高，操作性惡化(觸變性變高)。因此，作為本發明之導電性膏所含之導電性粒子，較佳為使用混合有片狀之導電性粒子與球狀之導電性粒子者。片狀之導電性粒子與球狀之導電性粒子之較佳混合比率(重量比)，相對於片狀之導電性粒子為1，球狀之導電性粒子 為0.25至4。更佳為，相對於片狀之導電性粒子為1，球狀之導電性粒子為0.67至1.5。片狀之導電性粒子與球狀之導電性粒子之最佳混合比率為1：1。
導電性粒子之較佳平均粒徑為0.1μm至15μm，更佳為0.5μm至10μm，最佳為0.5μm至5μm。於本說明書中，平均粒徑係指利用雷射繞射散射式粒度分布測定進行之基於個數基準之平均粒徑(全粒子的積分值50%之平均粒徑：D50)。導電性粒子之平均粒徑為上述範圍時，加熱導電性膏所得之電極以及線路圖案之表面的狀態變得良好。再者，加熱導電性膏所得之電極以及線路圖案之電特性提升。
相對導電性膏全體，本發明之導電性膏所含之(A)導電性成分之含量較佳為75至98重量%，更佳為80至97重量%，進一步更佳為85至95重量%。
就本發明之導電性膏所含之(A)導電性成分而言，較佳為(A)導電性成分係選自銀(Ag)以及銅(Cu)中之至少1種。(A)導電性成分可使用銀粒子及/或銅粒子。再者，(A)導電性成分可將銀以及銅之合金粒子單獨地使用、或將銀粒子及/或銅粒子一起使用。藉由使用低比電阻之金屬的銀及/或銅，可得到低比電阻的導電膜。
銀粒子之導電率高。因此，銀粒子以往係使用作為多數的半導體裝置，例如太陽能電池用之電極，且可靠性高。在本發明之導電性膏的情況中，藉由使用銀粒子作為導電性成分，可製造可靠性高、高性能的半導體 裝置，例如太陽能電池。因此，較佳係使用銀粒子作為導電性成分的主要成分。
銅粒子由於具有較低的價格及高導電率，因此適合作為電極材料。藉由使用銅粒子作為導電性成分，可降低導電性膏的成本。
本發明之導電性膏在不會損害其用途之性能的範圍內，可包含銀粒子及/或銅粒子以外的其他金屬粒子、或與銀粒子及/或銅粒子之合金粒子。從得到低電阻以及高可靠性之點而言，相對於導電性成分全體，導電性成分較佳為包含80重量%以上的銀，更佳為包含90重量%以上的銀，進一步更佳為導電性成分僅由銀粒子構成。
此外，「導電性成分僅由銀粒子構成」係指除去不可避免存在之雜質，實質上的導電性成分全部為銀粒子。亦即，導電性成分僅由銀粒子構成時，導電性成分除了銀粒子以外，可含有不可避免存在之雜質。銀粒子以外的其他成分亦相同。
<(B)熱硬化性樹脂>
本發明之導電性膏包含(B)環氧樹脂。
環氧樹脂之例可列舉：高分子量之雙酚A型環氧樹脂、p-縮水甘油基氧基苯基二甲基參雙酚A二縮水甘油基醚般之分枝狀多官能雙酚A型環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂、二縮水甘油基聯苯基般之聯苯基型環氧樹脂；酚醛型環氧樹脂、四溴化雙酚A型環氧樹脂、參(羥基苯基)甲烷型環氧樹脂、二氧化(3,4-環己烯)乙烯、3,4-環氧 環己基羧酸(3,4-環氧環己基)甲酯、己二酸雙(3,4-環氧-6-甲基環己基甲基)、2-(3,4-環氧環己基)5,1-螺(3,4-環氧環己基)-m-二烷般之脂環式環氧樹脂；六氫酞酸二縮水甘油酯、3-甲基六氫酞酸二縮水甘油酯、六氫對酞酸二縮水甘油酯般之縮水甘油基酯型環氧樹脂；二縮水甘油基苯胺、二縮水甘油基甲苯胺、三縮水甘油基-p-胺基酚、四縮水甘油基-m-二亞甲苯二胺、四縮水甘油基雙(胺基甲基)環己烷般之縮水甘油基胺型環氧樹脂；1,3-二縮水甘油基-5-甲基-5-乙基乙內醯脲般之乙內醯脲型環氧樹脂；1,3-雙(3-環氧丙基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷般之具有聚矽氧骨架之環氧樹脂般之環氧樹脂。
本發明之導電性膏所含之(B)環氧樹脂較佳為包含選自雙酚F型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂以及雙酚A型環氧樹脂中之至少一者。(B)環氧樹脂較佳為實質上由選自雙酚F型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂以及雙酚A型環氧樹脂中之至少1者所構成。(B)環氧樹脂可藉由使用預定之環氧樹脂，在低溫(例如250℃以下)進行熱硬化性樹脂之熱硬化。
<(C)咪唑>
本發明之導電性膏包含(C)咪唑。
本發明之導電性膏中(C)咪唑較佳為包含選自式(1)、式(2)以及式(3)之咪唑中之至少1者。
本發明之導電性膏藉由包含選自式(1)、式(2)以及式(3)之咪唑中之至少1者，可使所得之導電膜(例如，太陽能電池之電極)之比電阻更為降低。
<(D)溶劑>
本發明之導電性膏包含(D)溶劑。藉由添加(D)溶劑，可調整導電性膏的黏度。
本發明之導電性膏所含之溶劑之例可列舉：甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫萘等芳香族烴；四氫呋喃等醚類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、異佛酮等酮類；2-吡咯啶酮、1-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺類；乙二醇單苯基醚、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、 二乙二醇單丁基醚(丁基卡必醇)、以及與該等對應之丙二醇衍生物等醚醇類；與該等對應之乙酸酯等酯類(例如，丁基卡必醇乙酸酯)；丙二酸、琥珀酸等二羧酸之甲基酯或乙基酯等二酯類。該等之中，較佳可使用選自乙二醇單苯基醚以及丁基卡必醇乙酸酯中之至少一者。
本發明之導電性膏中，(D)溶劑較佳為包含乙基二乙二醇單苯基醚或丁基卡必醇。
(D)溶劑藉由包含乙基二乙二醇單苯基醚或丁基卡必醇，可更確實地得到低比電阻之導電膜(例如，太陽能電池之電極)。再者，藉由使用預定之溶劑，可更適切地調整導電性膏的黏度，可提升印刷之導電膜的印刷特性。具體而言，導電膜的圖案為細線形狀時，可使線寬為一定細度，可使膜厚為一定，可得到為高長寬比之形狀。
本發明之導電性膏藉由網版印刷塗佈在透明導電膜等的表面時，導電性膏於常溫的表觀黏度較佳為100至1000Pa‧s，更佳為200至800Pa‧s，進一步更佳為300至600Pa‧s。此外，黏度係可使用Brookfield黏度計：HBD型(Brookfield公司製)，使用在旋轉速度5rpm，溫度25℃所測定之值。藉由調整導電性膏中之(D)溶劑的調配量，可使導電性膏的黏度在預定之範圍。
<其他成分>
本發明之導電性膏除了上述(A)、(B)、(C)以及(D)成分以外，可包含下述的成分。
本發明之導電性膏可包含環氧樹脂以外之 熱硬化性樹脂。如此之熱硬化性樹脂之例可列舉：尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、三聚氰二胺(Guanamine)樹脂般之胺基樹脂；氧雜環丁烷樹脂；可溶酚醛(Resol)型酚樹脂、烷基可溶酚醛型酚樹脂、酚醛型酚樹脂、烷基酚醛型酚樹脂、芳烷基酚醛型酚樹脂般之酚樹脂；聚矽氧環氧樹脂、聚矽氧聚酯般之聚矽氧改質樹脂；雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺樹脂等。
本發明之導電性膏可包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂之例可列舉：酚醛型酚樹脂、烯丙基酚樹脂、苯氧基樹脂、縮丁醛樹脂、纖維素樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚醯胺樹脂、熱塑性的二甲苯樹脂、羥基苯乙烯系聚合物、纖維素衍生物、以及該等中2種以上之混合物。
本發明之導電性膏中，作為熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂，較佳為進一步包含(E)酚樹脂。本發明之導電性膏藉由進一步包含(E)酚樹脂，可更確實地進行低溫(例如，250℃以下)的熱硬化性樹脂之熱硬化。
本發明之導電性膏較佳為進一步包含(F)偶合劑。導電性膏藉由進一步包含偶合劑，可使導電性成分等無機成分與熱硬化性樹脂之接著性成為更加良好者。
本發明之導電性膏可進一步包括選自由無機顏料、有機顏料、調平劑、觸變劑、以及消泡劑所組成群組中之至少1種。
<導電性膏的製造方法>
本發明之導電性膏的製造方法無特別限定。本發明之導電性膏可將各成分以預定之配方，投入粉碎機、螺旋槳攪拌機、捏合機、三輥磨機、以及球磨機(pot mill)等混合機，並藉由混合來製造。
本發明之導電性膏可藉由網版印刷法等公知的方法塗佈在透明電極等表面。將電性膏塗佈在透明電極等表面後，可藉由將導電性膏加熱至預定之溫度並硬化而形成導電膜。
導電性膏之熱硬化用的加熱溫度，較佳為電極形成時之處理溫度為250℃以下，更佳為200℃以下。具體而言，導電性膏之熱硬化用的加熱溫度較佳為60至250℃，更佳為60至200℃，進一步更佳為100至200℃。
塗佈在透明電極等表面的導電性膏的厚度較佳為10至100μm，更佳為15至80μm，進一步更佳為20至50μm。
加熱本發明之導電性膏而得之導電膜，具有對基板的高密著強度、低比電阻(高導電性)、以及低接觸電阻之特徵。因此，藉由使用本發明之熱硬化型導電性膏，半導體裝置等不會因為高溫而劣化，可對半導體裝置等形成良好的電極。
本發明之導電性膏可使用於半導體裝置、電子構件之電極以及線路圖案等的形成。本發明之導電性膏不僅可用於半導體基板以及陶瓷基板等，亦可用於對PET(聚對苯二甲酸乙二酯)以及PEN(聚萘二甲酸乙二酯) 等耐熱性低的基板形成線路圖案或電極。
使用本發明之熱硬化型導電性膏對ITO薄膜等透明導電膜的表面形成電極時，可得到低接觸電阻。特別是，對ITO薄膜形成電極時，可較容易地得到低接觸電阻(例如，8mΩ‧cm2以下的接觸電阻)。因此，為了在透明導電膜，特別是在以ITO薄膜作為材料之透明電極的表面形成電極，可較佳地使用本發明之熱硬化型導電性膏。
本發明之導電性膏可適合使用為太陽能電池電極形成用之導電性膏。本發明之導電性膏特別是可適合使用為使用非晶矽系等薄膜材料之太陽能電池之電極形成用之導電性膏，例如，非晶矽太陽能電池、異質接面型太陽能電池以及化合物半導體太陽能電池(CIS太陽能電池、CIGS太陽能電池以及CdTe太陽能電池等)之電極形成用之導電性膏。非晶矽系等薄膜材料不耐高溫。藉由使用本發明之導電性膏，可在較低溫進行電極形成。為了形成較高轉換效率的異質接面型太陽能電池之電極，特別適合使用如第1圖所示之本發明之導電性膏。
本發明之太陽能電池電極形成用之導電性膏在電極形成時之處理溫度較佳為250℃以下，更佳為200℃以下。藉由在如此之溫度進行電極形成，可抑制對於不耐高溫的薄膜材料之不良影響。
[實施例]
以下，針對本發明之實施例以及比較例進行說明。
〔導電性膏之調整〕
準備表4所示之材料作為導電性膏之原料。表1至3顯示實施例1至17以及比較例1至6之材料之調配。表1至3所示之調配比率，係以(D)溶劑除外之導電性膏的重量作為100重量份時的重量份。亦即，表1至3所示之調配比率係將(A)導電性成分、(B)環氧樹脂、(C)咪唑、(E)酚樹脂以及(F)偶合劑之合計重量作為100重量份時之各成分的重量份。
(A)導電性成分
作為導電性成分者，係將表4所顯示之銀粒子A以及B之2種類以表1至3所顯示之配方來使用。
銀粒子A：粒子形狀為片狀，平均粒徑為3μm。
銀粒子B：粒子形狀為球狀，平均粒徑為1μm。
(B)環氧樹脂
作為熱硬化性樹指者，係將表4所顯示之環氧樹脂A、B以及C之3種類以表1至3所顯示之配方來使用。
環氧樹脂A：多官能環氧樹脂(參酚甲烷環氧樹脂)
環氧樹脂B：雙酚F型環氧樹脂
環氧樹脂C：雙酚A型環氧樹脂
(C)咪唑
作為咪唑者，係將表4所顯示之咪唑A至C之3種類以表1至3之配方來使用。咪唑A至C係以下述化學式表示。
咪唑A：下述式(1)之咪唑
咪唑B：下述式(2)之咪唑
咪唑C：下述式(3)之咪唑
(D)溶劑
作為溶劑者，係將表4所顯示之溶劑A以及B之2種類以表1至3所顯示之配方來使用。
(E)酚樹脂
將表4所顯示之苯氧基樹脂以表1至3所顯示之配方來使用。
(F)偶合劑
將表4所顯示之偶合劑以表1至3所顯示之配方來使用。
將上述(A)至(F)之各成分以表1至3所顯示 之重量比混合，而調製出實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏。
接著，將上述預定之調製比率的材料以行星式混合機混合，進一步藉由三輥磨機進行分散、膏化而調製出導電性膏。
〔比電阻之測定〕
測定加熱實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏後所得之導電膜的比電阻(電阻率)。
實施例1至17以及比較例1至6之比電阻係以下述順序測定。亦即，準備寬15mm，長15mm，厚度200μm之氧化鋁基板。在此基板上，使用325網目之不銹鋼製網版，印刷如第2圖所示之由導電性膏構成之圖案。
接著，將塗佈在基板上之由實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏構成之圖案在200℃加熱30分鐘，得到比電阻測定用試料。
將加熱實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏後而得之比電阻測定用試料之導電膜圖案之比電阻，使用TOYO Corporation公司製萬用表2001型，以4端點法進行測定。測定結果示於表1至3。
此外，以相同條件製作4個作為比電阻測定用試料，求取4個的平均值作為測定值。
由表1至3可知，使用本發明之實施例1至17之導電性膏所得的導電膜的比電阻(電阻率)為9.8μΩ‧cm(實施例1)以下。一般而言，若為10μΩ‧cm以下的 比電阻，可謂為適合使用為電極者。相對於此，使用比較例1至6之導電性膏所得之導電膜的比電阻(電阻率)在10.3μΩ‧cm(比較例3)至13.2μΩ‧cm(比較例1)之範圍。因此，可明確得知，藉由使用本發明之實施例1至17之導電性膏形成導電膜，可得到更低的比電阻。
〔接觸電阻之測定〕
使用實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏，在具有透明導電膜之結晶系矽基板的表面形成電極，測定接觸電阻。具體而言，將使用實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏之接觸電阻測定用圖案網版印刷在形成有結晶系矽基板的表面之透明導電膜上，並且藉由加熱得到接觸電阻測定用電極。
使用n型結晶系矽基板(基板厚度200μm)作為基板。
接著，在n型結晶系矽基板的表面形成透明導電膜。具體而言，使用包含氧化銦以及氧化錫之濺鍍靶，藉由濺鍍法形成氧化銦錫薄膜(ITO薄膜)。所得之ITO薄膜的片電阻為80Ω/square。為了製作接觸電阻測定用電極，使用如此所得之接觸電阻測定用基板。
導電性膏對接觸電阻測定用基板之印刷係以網版印刷法進行。在上述基板上，以膜厚成為約30μm的方式印刷接觸電阻測定用圖案，之後，在200℃加熱30分鐘，得到接觸電阻測定用試料。第3圖顯示為了接觸電阻測定所使用之接觸電阻測定用圖案之平面示意圖。第3 圖所顯示之接觸電阻測定用圖案係將寬0.1mm，長13.5mm之7個長方形之電極圖案，以節距間隔為2.05mm之方式配置而成的圖案。
以相同條件製作3個作為接觸電阻測定用試料，求取3個之平均值作為測定值。
接觸電阻係將第3圖所示之預定之長方形之電極圖案間之電阻使用GP Solar公司製之GP 4TEST Pro，並且藉由TLM法(Transfer length Method)求得。接觸電阻為10mΩ‧cm2以下時，可使用為透明導電膜上之電極。接觸電阻為8mΩ‧cm2以下時可較佳地使用為透明導電膜上之電極。
由表1至3可知，對於使用實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏所得之導電膜的透明導電膜(ITO薄膜)之接觸電阻為7.9mΩ‧cm2(實施例1)以下。因此，關於實施例1至17之接觸電阻，可說是在可較佳地使用為透明導電膜上之電極之數值範圍內。此外，關於比較例1至6，比電阻雖然為高數值，但接觸電阻是良好的數值。
<焊接接著強度之測定>
就本發明之導電性膏的評估之一而言，係測定焊接接著強度。焊接接著強度測定用基板，係與上述之接觸電阻之測定時同樣地使用具有透明導電膜之結晶系矽基板。在該基板的表面形成與太陽能電池電極相似之電極圖案，測定接觸電阻。
將具有透明導電膜之結晶系矽基板切成15mm×15mm之正方形來使用。
用以形成電極圖案之導電性膏的印刷，係藉由網版印刷法進行。使用表1、表2以及表3所示之實施例以及比較例之導電性膏，在上述基板之透明導電膜上，以膜厚成為約20μm之方式，印刷成長1.3mm，寬2mm之電極圖案，並且藉由加熱得到焊接接著強度測定用之電極。
以如下述之方式製作、測定經焊接之金屬帶的接著強度測定用之試料。在形成有上述15mm見方之焊接接著強度測定用基板之電極，將屬於互連用之金屬帶的銅帶(寬1.5mm×全厚度0.16mm，將共晶焊料〔錫：鉛=64：36的重量比〕以約40μm之膜厚被覆)，使用助焊劑於焊接墊上以250℃的溫度焊接3秒，藉此，得到接著強度測定用之試料。之後，於設在帶的一端之環狀部以數位拉力計(A&D公司製，數位測力計AD-4932-50N)對基板表面以90度方向進行拉伸，測定接著的破壞強度，藉以進行焊接接著強度之測定。此外，製作10個試料，求取10個之平均值作為測定值。另外，金屬帶的接著強度比1N/mm大時，可謂為可承受使用之良好接著強度。
焊接接著強度之測定結果如表1至3之「接著強度」欄所顯示。
由表1至3可知，使用實施例1至17之導電性膏所得之導電膜的焊接接著強度為1.31N/mm(實施例 1)以上。因此，關於實施例1至17之焊接接著強度，可謂為可承受使用之良好接著強度。此外，使用比較例1以及2之導電性膏所得之導電膜的焊接接著強度各別為0.62N/mm以及0.70N/mm。因此，關於比較例1以及2之焊接接著強度，不可謂為可承受使用之良好接著強度。
〔印刷特性之評估〕
藉由測定上述的接觸電阻測定用圖案之形狀，進行印刷特性的評估。接觸電阻測定用圖案之形狀之測定係使用Laser Tech公司製共焦顯微鏡OPTELICS H1200以及表面粗糙形狀測定機1500SD2來進行。如表1至3中記號「○」所示，實施例1至17以及比較例1至6之導電性膏之對透明導電膜(ITO薄膜)之表面的印刷特性良好。

Claims (6)

  1. 一種太陽能電池電極形成用之導電性膏，係包含(A)導電性成分、(B)環氧樹脂、(C)咪唑以及(D)溶劑，其中，將(D)溶劑除外的導電性膏作為100重量%時，導電性膏中之(C)咪唑為0.1至1.0重量%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膏，其中，(C)咪唑包含選自式(1)、式(2)以及式(3)之咪唑之至少1者，
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電性膏，其中，(B)環氧樹脂包含選自雙酚F型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂以及雙酚A型環氧樹脂之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之導電性膏，其中，(D)溶劑包含乙基二乙二醇單苯基醚或丁基卡必 醇。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之導電性膏，更包含(E)酚樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之導電性膏，更包含(F)偶合劑。
TW107139504A 2017-12-06 2018-11-07 導電性膏 TWI783078B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017234123A JP6877750B2 (ja) 2017-12-06 2017-12-06 導電性ペースト
JP2017-234123 2017-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201926363A true TW201926363A (zh) 2019-07-01
TWI783078B TWI783078B (zh) 2022-11-11

Family

ID=66751550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107139504A TWI783078B (zh) 2017-12-06 2018-11-07 導電性膏

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11466170B2 (zh)
EP (1) EP3723139B1 (zh)
JP (1) JP6877750B2 (zh)
KR (1) KR102554447B1 (zh)
CN (1) CN111448670B (zh)
TW (1) TWI783078B (zh)
WO (1) WO2019111623A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220046583A (ko) 2019-08-09 2022-04-14 오사카 유키가가쿠고교 가부시키가이샤 신규 도전율 향상제
CN112562885B (zh) * 2020-12-29 2022-06-17 四川东树新材料有限公司 一种太阳能异质结电池用高焊接拉力主栅低温银浆及其制备方法
WO2023145668A1 (ja) * 2022-01-28 2023-08-03 ナミックス株式会社 導電性組成物、導電性ペースト、硬化物及び太陽電池
CN114530278B (zh) * 2022-03-22 2024-06-11 合肥中南光电有限公司 一种hjt电池用导电浆料及其生产工艺

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587038A (en) * 1980-06-26 1986-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Electro-optic display device and a method of producing the same
US4859364A (en) * 1988-05-25 1989-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition
JPH05171073A (ja) * 1991-12-20 1993-07-09 Toshiba Chem Corp 導電性ペースト
JPH0892506A (ja) * 1994-09-26 1996-04-09 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト、電極形成方法、および太陽電池
JP4103270B2 (ja) * 1999-11-01 2008-06-18 Ｊｓｒ株式会社 導電性ペースト組成物、その使用方法、および回路基板
JP3534684B2 (ja) * 2000-07-10 2004-06-07 Ｔｄｋ株式会社 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法
JP3558593B2 (ja) * 2000-11-24 2004-08-25 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物
WO2003000816A1 (en) * 2001-06-25 2003-01-03 Telephus, Inc. Anisotropic conductive adhesives having enhanced viscosity and bonding methods and integrated circuit packages using the same
JP4847154B2 (ja) * 2006-02-24 2011-12-28 三洋電機株式会社 導電性ペースト組成物及びそのペースト組成物を用いた太陽電池セル、並びにそのセルを用いた太陽電池モジュール
KR100966260B1 (ko) * 2007-11-28 2010-06-28 (주)에버텍엔터프라이즈 저습성 및 고신뢰성을 갖는 다이 접착용 전기 전도성 접착조성물
JP2009185112A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Denso Corp 導電性接着剤およびそれを備える半導体装置
EP2637215B1 (en) * 2008-08-07 2019-02-27 Kyoto Elex Co., Ltd. Conductive paste for formation of a solar cell element electrode, solar cell element, and manufacturing method for said solar cell element
JP5277844B2 (ja) * 2008-09-30 2013-08-28 三菱マテリアル株式会社 導電性インク組成物及び該組成物を用いて形成された太陽電池モジュール
JP5713525B2 (ja) 2008-09-30 2015-05-07 三菱マテリアル株式会社 導電性インク組成物及び該組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2010090211A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Mitsubishi Materials Corp 導電性インク組成物及びこれを用いた電極の形成方法
JP5281529B2 (ja) * 2009-09-28 2013-09-04 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物およびその導電性ペースト組成物を用いた電極並びに配線パターンの形成方法
US8419981B2 (en) * 2010-11-15 2013-04-16 Cheil Industries, Inc. Conductive paste composition and electrode prepared using the same
EP2669348A4 (en) 2011-01-27 2014-08-13 Hitachi Chemical Co Ltd CONDUCTIVE BONDING COMPOSITION, METAL WIRE WITH CONDUCTIVE BINDER, BONDED UNIT, AND SOLAR CELL MODULE
JP5831762B2 (ja) * 2011-12-21 2015-12-09 昭栄化学工業株式会社 熱硬化型導電性ペースト
JP5839574B2 (ja) * 2012-03-21 2016-01-06 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物
JP5651625B2 (ja) * 2012-03-21 2015-01-14 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物
JP6018476B2 (ja) * 2012-10-29 2016-11-02 ナミックス株式会社 熱硬化型導電性ペースト
KR101587683B1 (ko) * 2013-02-15 2016-01-21 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6235952B2 (ja) * 2014-03-28 2017-11-22 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト
CN103923585A (zh) * 2014-04-03 2014-07-16 新纶科技（常州）有限公司 一种导电粘接剂组合物和导电粘接膜
CN104099050A (zh) * 2014-07-17 2014-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 导电胶的制备方法及导电胶
JP6091019B2 (ja) * 2015-02-02 2017-03-08 田中貴金属工業株式会社 熱伝導性導電性接着剤組成物
KR20170122728A (ko) * 2015-03-05 2017-11-06 나믹스 가부시끼가이샤 도전성 구리 페이스트, 도전성 구리 페이스트 경화막 및 반도체 장치
CN107383778A (zh) * 2017-07-21 2017-11-24 陕西生益科技有限公司 一种抗静电耐高温的环氧胶黏剂及印制电路用层压板

Also Published As

Publication number Publication date
EP3723139C0 (en) 2023-06-14
EP3723139A1 (en) 2020-10-14
US11466170B2 (en) 2022-10-11
WO2019111623A1 (ja) 2019-06-13
CN111448670A (zh) 2020-07-24
JP2019102719A (ja) 2019-06-24
US20210155819A1 (en) 2021-05-27
EP3723139A4 (en) 2021-08-18
KR102554447B1 (ko) 2023-07-12
CN111448670B (zh) 2023-09-12
TWI783078B (zh) 2022-11-11
KR20200089712A (ko) 2020-07-27
EP3723139B1 (en) 2023-06-14
JP6877750B2 (ja) 2021-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI783077B (zh) 導電性膏
TWI783078B (zh) 導電性膏
JP5656380B2 (ja) 導電性インク組成物及び該組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池モジュールの製造方法
JP5713525B2 (ja) 導電性インク組成物及び該組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池モジュールの製造方法
EP2573778A1 (en) Conductive paste comprising an amorphous saturated polyester resin and method of manufacturing a solar cell electrode using said paste
KR20120115128A (ko) 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법
JP6018476B2 (ja) 熱硬化型導電性ペースト
JPWO2012165167A1 (ja) 太陽電池ならびに太陽電池のアルミニウム電極形成用ペースト組成物
JP2014503614A (ja) 薄膜光電池およびその他の用途に使用するためのはんだ付け可能なポリマー厚膜銀電極組成物
JP2011044509A (ja) 導電性インク組成物及び該組成物を用いて形成された太陽電池モジュール
JP2009146584A (ja) 導電性ペースト組成物
US20190359842A1 (en) Electrically Conductive Composition
JP5277844B2 (ja) 導電性インク組成物及び該組成物を用いて形成された太陽電池モジュール
JP5353163B2 (ja) 導電性インク組成物及び該組成物を用いて集電極が形成された太陽電池セル
JP2016160415A (ja) 導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
TWI673306B (zh) 導電性組成物、太陽能電池晶胞以及太陽能電池模組
WO2023145668A1 (ja) 導電性組成物、導電性ペースト、硬化物及び太陽電池
JP2011066403A (ja) サブストレート型薄膜太陽電池の反射電極層及びその製造方法
WO2022202563A1 (ja) 導電性ペースト、太陽電池用電極及び太陽電池
JP5692295B2 (ja) 太陽電池セルの集電極の形成方法及び該太陽電池セルを備えた太陽電池モジュール