TW201921098A

TW201921098A - 框架一體型遮罩的製造方法

Info

Publication number: TW201921098A
Application number: TW107132284A
Authority: TW
Inventors: 黃文植; 吳世斌; 金奉辰
Original assignee: 南韓商Tgo科技股份有限公司
Priority date: 2017-09-18
Filing date: 2018-09-13
Publication date: 2019-06-01
Also published as: CN111406127A; KR20190031849A; WO2019054716A1

Abstract

本發明提供一種框架一體型遮罩的製造方法。本發明之框架一體型遮罩的製造方法係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，其特徵在於包含有以下步驟：(a)步驟，其藉由電鑄鍍敷，於已於一面上形成業經圖案化的絕緣部的導電性基板上形成鍍敷膜；(b)步驟，其於框架上部之至少一部分形成含有金屬的接著部，並將鍍敷膜之框體中至少一部分對應於接著部；(c)步驟，其對接著部施加預定溫度、預定壓力中至少任一者；及(d)步驟，其解除預定溫度、預定壓力中至少任一者之施加，並將鍍敷膜與框架接著。

Description

框架一體型遮罩的製造方法

發明領域
本發明是有關於一種框架一體型遮罩的製造方法，更詳而言之，關於一種框架與遮罩構成一體而防止遮罩之變形並準確地進行對準(alignment)，且防止有機物接著劑所致遮罩之變形、汙染等的框架一體型遮罩的製造方法。

背景技術
最近在薄板製造中進行有關電鑄鍍敷(Electroforming)方法之研究。電鑄鍍敷方法係將正極體、負極體浸漬於電解液中，並施加電源而使金屬薄板電附著於負極體之表面上，因此，是一種可以製造極薄板並期待量產的方法。

另一方面，作為在OLED製造步驟中形成像素之技術，主要是運用FMM(精密金屬遮罩，Fine Metal Mask)方法，其係使薄膜之金屬遮罩(陰影遮罩，Shadow Mask)與基板密接，並將有機物蒸鍍於所期望位置。

於既有的OLED製造步驟中，在以棒狀、板狀等製造出遮罩後，使遮罩焊接固定在OLED像素蒸鍍框架而使用。為了大面積OLED之製造，可使複數個遮罩固定在OLED像素蒸鍍框架，然而，會有無法良好地進行遮罩彼此之排列的問題。又，於焊接固定在框架的過程中，由於遮罩膜之厚度過薄且屬於大面積，因此，會有遮罩因負載而下垂或扭曲的問題。

於超高畫質之OLED製造步驟中，數μm之微細排列之誤差亦牽涉到像素蒸鍍的失敗，因此，實際情況是必須開發能防止遮罩下垂或扭曲等變形並準確地進行排列的技術、將遮罩固定在框架的技術等。

發明概要
發明欲解決之課題
本發明是用以解決如前述習知技術的各種問題所研究而成，其目的在提供一種遮罩與框架構成一體型構造的框架一體型遮罩的製造方法。

又，本發明之目的在提供一種藉由將遮罩與框架一體地形成而準確地進行遮罩之排列，並提升像素蒸鍍之穩定性的框架一體型遮罩的製造方法。

又，本發明之目的在提供一種只要藉由鍍敷步驟便可製造具有圖案之遮罩的框架一體型遮罩的製造方法。

用以解決課題之手段
本發明之前述目的可藉由下述框架一體型遮罩的製造方法來達成：其係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，並包含有以下步驟：(a)步驟，其藉由電鑄鍍敷，於已於一面上形成業經圖案化的絕緣部的導電性基板上形成鍍敷膜；(b)步驟，其於框架上部之至少一部分形成含有金屬的接著部，並將鍍敷膜之框體中至少一部分對應於接著部；(c)步驟，其對接著部施加預定溫度、預定壓力中至少任一者；及(d)步驟，其解除預定溫度、預定壓力中至少任一者之施加，並將鍍敷膜與框架接著。

接著部可含有至少2種金屬之合金。

於(c)步驟中，接著部之至少一部分可自固相(solid phase)變成液相(liquid phase)，且於(d)步驟中，接著部之液相再度變成固相，並接著鍍敷膜與框架。

接著部可含有：第1金屬，其選自於In、Bi、Sn、Au中任一者；及第2金屬，其選自於In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中任一者，且與第1金屬不同。

接著部更可含有第3金屬，該第3金屬選自於Bi、Sn、Ag、Cu、Cd中任一者，且與第1金屬及第2金屬不同。

接著部更可含有第4金屬，該第4金屬選自於Cu、Sb中任一者，且與第1金屬、第2金屬及第3金屬不同。

(c)步驟可於惰性氣體環境下進行。

導電性基板可為經摻雜之單晶矽材質。

絕緣部可為光阻材料、氧化矽、氮化矽之材質中任一者。

框架可具有包圍鍍敷膜的形狀。

於(d)步驟中，鍍敷膜可於外側承受拉伸力之狀態下接著於框架上部。

於(a)步驟中，可於絕緣部上防止鍍敷膜之形成，且鍍敷膜具有圖案。

(a)步驟以後更可進行將鍍敷膜熱處理的步驟。

熱處理可於300℃~800℃下進行。

發明效果
若藉由依前述而構成的本發明，則遮罩與框架可構成一體型構造。

又，若藉由本發明，則可準確地進行遮罩之排列，並提升像素蒸鍍之穩定性。

又，若藉由本發明，則只要藉由鍍敷步驟便可製造具有圖案之遮罩。

又，若藉由本發明，則可提升遮罩與框架之接著力。

用以實施發明之形態
後述本發明之詳細說明乃參照以圖式來例示可實施本發明之特定實施形態之附圖。為了讓該發明所屬技術領域中具有通常知識者可充分地實施本發明，詳細說明該等實施形態。應理解本發明之各種實施形態雖互為不同，但無須相互排他。舉例言之，在此所記載的特定形狀、構造及特性與一實施形態有關，可於未脫離本發明精神及範圍下作成其他實施形態具體實現。又，應理解各自所揭示實施形態內的個別構成要素之位置或配置，可於未脫離本發明精神及範圍下加以變更。故，後述詳細說明並非採取限定之意，只要能適切地說明，本發明之範圍係與和該請求項主張者均等的所有範圍一同僅受限於添附之請求項。圖式中類似的參照符號是在各種方面具有相同或類似之機能，長度、面積及厚度等與其形態方便上有時亦會誇張表現。

以下，為了讓該發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易地實施本發明，參照附圖詳細說明有關本發明之較佳實施形態。

圖1是顯示使用FMM100的OLED像素蒸鍍裝置200之示意圖。圖2是顯示遮罩之示意圖。

參照圖1，一般而言，OLED像素蒸鍍裝置200包含有：磁板300，其收納磁鐵310，並配設有冷卻水管線350；及蒸鍍源供給部500，其自磁板300之下部供給有機物源600。

於磁板300與蒸鍍源供給部500之間，可夾雜蒸鍍有機物源600的玻璃等對象基板900。依像素別蒸鍍有機物源600的FMM100與對象基板900密接，或是配置成非常靠近。磁鐵310會產生磁場，藉由磁場所致引力，FMM100可與對象基板900密接。

棒型(Stick-Type)遮罩(參照圖2(a))、板型(Plate-Type)遮罩(參照圖2(b))與對象基板900密接前必須對準。一個遮罩或複數個遮罩可與框架800結合。框架800固設於OLED像素蒸鍍裝置200內，遮罩可經由另外的附著、焊接步驟與框架800結合。

蒸鍍源供給部500往返左右路徑，並供給有機物源600，自蒸鍍源供給部500供給的有機物源600可通過業已形成於FMM遮罩100的圖案(PP)，蒸鍍於對象基板900之一側。通過FMM遮罩100之圖案所蒸鍍的有機物源600具有作為OLED之像素700的作用。

為了防止陰影效應(Shadow Effect)所致像素700之不均勻蒸鍍，FMM遮罩100之圖案(PP)可傾斜形成(S)(或形成為錐形狀(S))。沿著傾斜面朝對角線方向通過圖案(PP)的有機物源600亦可有助於像素700之形成，因此，像素700可全體以均勻之厚度蒸鍍。

圖2(a)所示遮罩100a為棒型遮罩，可使棒兩側焊接固定在OLED像素蒸鍍框架800而使用。圖2(b)所示遮罩100b為板型遮罩，可於大面積之像素形成步驟中使用，並使板之框體焊接固定在OLED像素蒸鍍框架800而使用。圖2(c)為圖2(a)及圖2(b)之A-A’放大側截面圖。

於遮罩100：100a、100：100b之本體(Body)可形成複數個顯示器圖案(DP)。顯示器圖案(DP)為對應於一個智慧型手機等之顯示器的圖案。若將顯示器圖案(DP)放大，則可確認對應於R、G、B的複數個像素圖案(PP)。像素圖案(PP)可具有側部傾斜的形狀、錐形(Taper)狀(參照圖2(c))。各種像素圖案(PP)群聚而構成一個顯示器圖案(DP)，複數個顯示器圖案(DP)可形成於遮罩100：100a、100：100b。

即，於本說明書中，顯示器圖案(DP)並非表示一個圖案的概念，應理解成對應於一個顯示器的複數個像素圖案(PP)群聚的概念。以下，將像素圖案(PP)與遮罩圖案(PP)混用。

圖1及圖2所示遮罩100於將複數個遮罩分別焊接固定在框架800的過程中，若產生遮罩間之排列誤差，並產生特定遮罩下垂或扭曲等變形，則會引發全體遮罩之排列誤差。

故，本發明之特徵在於：於已將遮罩形成於母板上的狀態下接著於框架，並構成遮罩與框架呈一體型，藉此，防止遮罩之變形並準確地進行排列。

圖3是顯示本發明一實施形態的框架一體型遮罩10之示意圖。圖3(a)為框架一體型遮罩10之立體圖，圖3(b)為圖3(a)之B-B’放大側截面圖。

參照圖3，框架一體型遮罩10包含有遮罩20及框架30。遮罩20可包含：含有複數個顯示器圖案(DP)及像素圖案(PP)之部分的鍍敷膜20a；以及框體部分的鍍敷膜20b。

鍍敷膜20a、20b與框架30可具有相同材質，並將接著部(EM)作為中介體而相互一體地連結。於圖3中，為了方便說明，應明白接著部(EM)之厚度及寬度會稍微誇張來顯示，實際上夾雜有接著部(EM)的部分可為幾乎未突出而連結遮罩20與框架30的部分。鍍敷膜20雖然依照所形成位置而以不同符號之方式記載為20a、20b，但實際上是電鑄鍍敷步驟中電附著鍍敷的鍍敷膜20(20a、20b)(參照圖4)之各部分，且為電鑄鍍敷步驟中同時形成的構造。

於遮罩20可形成遮罩圖案(PP)。遮罩圖案(PP)宜具有大致錐形狀：具有寬度自上部朝下部逐漸變寬或是逐漸變窄的形狀，由於遮罩20的上面與對象基板900(參照圖6)密接，因此，遮罩圖案(PP)更宜為寬度自上部朝下部逐漸變寬的形狀。

圖案寬度可形成為數~數十μm之尺寸，較為理想的是小於30μm之尺寸。遮罩圖案(PP)可藉由利用絕緣部45防止鍍敷膜20之生成而形成。具體的形成過程透過圖4如後述。遮罩圖案(PP)與圖2中前述像素圖案(PP)/顯示器圖案(DP)之構造相同。

為了能將遮罩20繃緊支持而不會下垂或扭曲，框架30宜具有包圍遮罩20之框體的形狀。圖3中顯示四角形之框架30，亦可為屬於閉鎖形態的圓形、多角形等形態。框架30之材質宜為與遮罩20相同的不變鋼、超恆範鋼等。

如前述，本發明之框架一體型遮罩10由於遮罩20與框架30一體地連結，因此，單單藉由僅將框架30朝OLED像素蒸鍍裝置200移動、設置的過程，便可進行遮罩排列。

圖4及圖5為示意圖，其顯示製造本發明一實施形態的圖3之框架一體型遮罩100的過程。

參照圖4(a)，為了進行電鑄鍍敷，準備導電性基材41。含有導電性基材41的母板(mother plate)40於電鑄鍍敷中運用作為負極體(cathode)。

作為導電性材質，於金屬之情形時，有時亦會於表面生成金屬氧化物，且於金屬製造過程中流入雜質，於多晶矽基材之情形時，則存在有夾雜物或晶界(Grain Boundary)，於導電性高分子基材之情形時，含有雜質的可能性高，強度、耐酸性等脆弱。將像是金屬氧化物、雜質、夾雜物、晶界般妨礙母板40(或基材41)之表面均勻地形成電場的要素稱作「缺陷」(Defect)。由於缺陷，前述材質之負極體無法施加均勻之電場，鍍敷膜之一部分可能不均勻地形成。

在具體實現UHD級以上的超高畫質像素時，鍍敷膜及鍍敷膜圖案(PP)之不均勻可能會對像素之形成帶來不良影響。FMM、陰影遮罩之圖案寬度可能形成為數~數十μm之尺寸，較為理想的是小於30μm之尺寸，因此，即便連數μm尺寸之缺陷，亦為在遮罩之圖案尺寸中佔據大幅比重之尺寸。

又，為了除去在前述材質之負極體之缺陷，進行用以除去金屬氧化物、雜質等的追加步驟，於該過程中有時亦會引發蝕刻到負極體材料等另外其他的缺陷。

故，本發明可使用單晶矽材質之基材41。為了具有導電性，基材41會進行10¹⁹ cm^-3 以上的高濃度摻雜。摻雜可於基材41之全體進行，亦可僅於基材41之表面部分進行。

於經摻雜之單晶矽之情形時，由於沒有缺陷，因此，具有電鑄鍍敷時可於表面全部形成均勻之電場而生成均勻鍍敷膜20之優點。透過均勻之鍍敷膜20而製造的框架一體型遮罩10(或FMM)可進一步地改善OLED像素之畫質水平。又，由於無須進行除去、消除缺陷的追加步驟，因此，可削減步驟成本，並具有生產性提升之優點。

又，藉由使用矽材質之基材41，具有能視需要僅在將基材41之表面氧化(Oxidation)、氮化(Nitridation)的過程中便形成絕緣部45之優點。絕緣部45具有防止鍍敷膜20之電附著的作用，可於鍍敷膜20形成圖案(PP)。

其次，參照圖4(b)，於基材41之至少一面上可形成絕緣部45。絕緣部45形成為具有圖案，且宜具有錐形狀之圖案。絕緣部45是以導電性基材41為基底的氧化矽、氮化矽等，亦可使用光阻材料。使用光阻材料而形成錐形狀之圖案時，可使用多重曝光方法、每個區域使曝光強度不同的方法等。藉此，可製造母板40。

其次，參照圖4(c)，準備與母板40(或負極體40)相對向的正極體(未圖示)。正極體(未圖示)浸漬於鍍敷液(未圖示)中，母板40則是全部或一部分浸漬於鍍敷液(未圖示)中。藉由於母板40(或負極體40)與相對向的正極體間所形成電場，可於母板40之表面電附著、生成鍍敷膜20(20a、20b)。不過，僅於導電性基材41露出之表面46生成鍍敷膜20，於絕緣部45之表面則未生成鍍敷膜20，因此，可於鍍敷膜20上形成圖案(PP)(參照圖3(b))。

鍍敷液為電解液，可成為構成遮罩20的鍍敷膜20之材料。作為一實施形態，當製造屬於鐵鎳合金的不變鋼(Invar)薄板作為鍍敷膜20時，可使用含有Ni離子之溶液及含有Fe離子之溶液的混合液作為鍍敷液。作為其他實施形態，當製造屬於鐵鎳鈷合金的超恆範鋼(Super Invar)薄板作為鍍敷膜20時，亦可使用含有Ni離子之溶液、含有Fe離子之溶液及含有Co離子之溶液的混合液作為鍍敷液。不變鋼薄板、超恆範鋼薄板於OLED之製造中運用作為FMM、陰影遮罩(Shadow Mask)。又，不變鋼薄板之熱膨脹係數大約1.0×10^-6 /℃，超恆範鋼薄板之熱膨脹係數大約1.0×10^-7 /℃左右而非常低，因此，遮罩之圖案形狀因熱能而變形之虞小，主要運用在高解析度OLED製造中。除此之外，亦可無限制地使用相對於所期望鍍敷膜20的鍍敷液，於本說明書中，假想製造不變鋼薄板20作為主要例子來說明。

由於一邊自基材41之表面電附著鍍敷膜20一邊增厚，因此，宜將鍍敷膜20形成至超過絕緣部45之上端之前。即，相較於絕緣部45之厚度，鍍敷膜20之厚度更小。由於鍍敷膜20填滿、電附著於絕緣部45之圖案空間，因此，可生成為具有與絕緣部45之圖案逆相的錐形狀。

另一方面，在形成鍍敷膜20後，可對鍍敷膜20進行熱處理。熱處理可於300℃~800℃之溫度下進行。一般而言，相較於藉由壓延所生成不變鋼薄板，藉由電鑄鍍敷所生成不變鋼薄板的熱膨脹係數高。依此，藉由對不變鋼薄板進行熱處理，可降低熱膨脹係數，然而，於該熱處理過程中不變鋼薄板可能會產生若干變形。故，若於母板40(或基材41)與遮罩20接著的狀態下進行熱處理，則形成於母板40之絕緣部45所佔空間部分的遮罩圖案(PP)之形態可保持一定，具有可防止熱處理所致微細變形之優點。又，自鍍敷膜20分離母板40(或基材41)後，即便對具有遮罩圖案(PP)的遮罩20進行熱處理，亦具有降低不變鋼薄板之熱膨脹係數的效果。

其次，參照圖5(a)，將母板40(或負極體40)舉起至鍍敷液(未圖示)外。又，將圖4(c)之構造物翻轉而配置於框架30之上部。反之，亦可將框架30翻轉而配置於圖4(c)之構造物。框架30可具有包圍鍍敷膜20的形狀。

於鍍敷膜20接觸的框架30之上部可形成接著部(EA)。藉由於接著部(EA)施加預定溫度、壓力，鍍敷膜20與框架30接著，因此，可使鍍敷膜20之框體中至少一部分對應於接著部(EA)。

接著部(EA)可含有金屬，並具有膜、線、束狀等各種形狀。接著部(EA)具有大約10~30μm之薄薄的厚度，因此，即便夾雜於鍍敷膜20與框架30間，對高低差亦幾乎不會造成影響。

更詳而言之，接著部(EA)可含有至少2種金屬之合金。接著部(EA)為金屬材質，且於表面未進行其他有機接著劑等的處理，因此，於圖5(a)之狀態下，接著部(EA)接著鍍敷膜20與框架30的接著力多少會不足。故，鍍敷膜20與框架30可將接著部(EA)作為中介體，為了使對應不會偏離而施加預定負載，並臨時相互地固定。又，亦可使用限制機構(未圖示)，使鍍敷膜20與框架30之位置臨時固定。

接著部(EA)可具有至少2種金屬之合金形態，並具有共熔點(eutectic point)。即，接著部(EA)含有至少2個固相，於特定溫度/壓力之共熔點中，2個金屬固相皆可構成液相。又，若脫離共熔點，則可再度構成2個金屬固相。藉此，透過固相→液相→固相之相變化，可進行作為接著劑的作用。

接著部(EA)可具有2種金屬之合金形態。此時，可包含有：第1金屬，其選自於In、Bi、Sn、Au中任一者；及第2金屬，其選自於In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中任一者，且與第1金屬不同。

又，接著部(EA)可具有3種金屬之合金形態。此時，可包含有：第1金屬，其選自於In、Bi、Sn、Au中任一者；第2金屬，其選自於In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中任一者，且與第1金屬不同；及第3金屬，其選自於Bi、Sn、Ag、Cu、Cd中任一者，且與第1金屬及第2金屬不同。

又，接著部(EA)可具有4種金屬之合金形態。此時，可包含有：第1金屬，其選自於In、Bi、Sn、Au中任一者；第2金屬，其選自於In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中任一者，且與第1金屬不同；第3金屬，其選自於Bi、Sn、Ag、Cu、Cd中任一者，且與第1金屬及第2金屬不同；及第4金屬，其選自於Cu、Sb中任一者，且與第1金屬、第2金屬及第3金屬不同。

下述表1例示可構成接著部(EA)的物質。

[表1]

其次，參照圖5(b)，可對接著部(EA)施加預定溫度/壓力(HP)。可施加接著部(EA)之金屬用以自固相變成液相的溫度、壓力。前述表1中例示共熔點之溫度，因此，可依照構成接著部(EA)的金屬，選擇適當的溫度、壓力。

另一方面，為了以不會產生空孔(void)之方式施加預定壓力，並防止共熔體氧化，可使用供給抗氧化氣體/環境(惰性氣體(inert gas)、真空等)的另外之裝置(未圖示)。於預定溫度、壓力的施加下，接著部(EA)之金屬以固相溶解並變成液相。

其次，參照圖5(c)，若解除預定溫度/壓力(HP)的施加，則液相之接著部(EA)可再度變成固相之接著部(EM)，並接著遮罩20與框架30。即，可具有作為接著遮罩20與框架30的固體共熔接著部(EM)之機能。

含有金屬的接著部(EM)(或共熔接著部(EM))與一般的有機接著劑不同，完全不含揮發性有機物。故，在將框架一體型遮罩設置於OLED像素蒸鍍裝置200而進行像素蒸鍍步驟時，可防止有機接著劑之揮發性有機物質與步驟氣體反應而對OLED之像素造成不良影響。又，可防止有機接著劑本身所含有機物質等的逸出氣體汙染OLED像素蒸鍍裝置200之空間，或是作為雜質而蒸鍍於OLED像素的不良影響。

又，接著部(EM)是在接著遮罩20與框架30的狀態下以金屬固相殘留，因此，無法藉由OLED有機物洗淨液洗淨而可具有耐蝕性。藉此，即便將框架一體型遮罩10反覆使用在OLED像素步驟，接著部(EM)亦可保持接著機能。

又，接著部(EM)含有2種以上的金屬，因此，相較於有機接著劑，與屬於相同金屬材質的遮罩20、框架30可具有高接著性而連結。即，於屬於不變鋼等金屬材質的遮罩20/框架30間，在表面的結合力高。又，由於為金屬材質，因此，具有熱所致損傷或熱變形率(熱膨脹係數)低之優點。

若將前述事項全部綜合來看，則本發明之接著部(EM)相較於有機接著劑具有優異之步驟穩定性，且於遮罩20、框架30間顯示牢固地接著二個構造的效果。藉此，可遠遠地提升框架一體型遮罩10之排列可靠性。

另一方面，於圖5(c)步驟中，接著部(EM)自液相變成固相並接著鍍敷膜20與框架30時，鍍敷膜20可於框架30方向或外側方向承受拉伸力之狀態下接著。相較於液相，固相之體積小亦可有助於拉伸力的作用。鍍敷膜20可於外側方向施加拉伸力，並保持繃緊而朝框架30側拉伸的狀態，因此，具有即便因溫度變化等，遮罩圖案(PP)之排列亦不會紊亂之優點。

其次，參照圖5(d)，可除去絕緣部45。僅除去光阻材料、氧化矽、氮化矽等絕緣部45且不會對剩餘構造帶來影響的公知技術可以無限制地使用。另一方面，當絕緣部45藉由氧化矽、氮化矽與導電性基板41一體地構成時，可省略除去該等的步驟，藉由將導電性基板41自鍍敷膜20分離，可同時除去絕緣部45。

導電性基板41可朝遮罩20及框架30之上部方向分離。若導電性基板41被分離，則會顯現透過接著部(EM)接著於框架30的遮罩20之形態。

圖6是顯示應用圖3之框架一體型遮罩10的OLED像素蒸鍍裝置200之示意圖。

參照圖6，使框架一體型遮罩10與對象基板900密接，單單藉由僅將框架30部分固定在OLED像素蒸鍍裝置200之內部，便完成遮罩10之排列。遮罩20之鍍敷膜20(20a、20b)透過接著部(EM)與框架30一體地連結，其框體繃緊而受到支持，因此，可防止遮罩20因負載而下垂或扭曲等變形。藉此，可準確地進行像素蒸鍍所必須的框架一體型遮罩10之排列。

如前述，本發明列舉較佳實施形態而圖示說明，惟並不限於前述實施形態，在未脫離本發明精神之範圍內，該發明所屬技術領域中具有通常知識者可進行各種變形與變更。應理解此種變形例及變更例屬於本發明與添附申請專利範圍之範圍內。

產業上之可利用性
本發明可應用在框架一體型遮罩的製造方法相關的領域中。

10‧‧‧框架一體型遮罩

20‧‧‧遮罩、鍍敷膜

20a、20b‧‧‧鍍敷膜

30‧‧‧框架

40‧‧‧母板

41‧‧‧導電性基材

45‧‧‧絕緣部

46‧‧‧表面

100‧‧‧遮罩、陰影遮罩、FMM

100a‧‧‧棒型遮罩

100b‧‧‧板型遮罩

200‧‧‧OLED像素蒸鍍裝置

300‧‧‧磁板

310‧‧‧磁鐵

350‧‧‧冷卻水管線

500‧‧‧蒸鍍源供給部

600‧‧‧有機物源

700‧‧‧像素

800‧‧‧OLED像素蒸鍍框架

900‧‧‧對象基板

DP‧‧‧顯示器圖案

EA、EM‧‧‧接著部

HP‧‧‧施加溫度/壓力

PP‧‧‧像素圖案、遮罩圖案、鍍敷膜圖案

S‧‧‧錐形狀

圖1是顯示使用FMM的OLED像素蒸鍍裝置之示意圖。

圖2是顯示遮罩之示意圖。

圖3是顯示本發明一實施形態的框架一體型遮罩之示意圖。

圖4及圖5為示意圖，其顯示製造本發明一實施形態的圖3之框架一體型遮罩的過程。

圖6是顯示應用圖3之框架一體型遮罩的OLED像素蒸鍍裝置之示意圖。

Claims

一種框架一體型遮罩的製造方法，係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，並包含有以下步驟： (a)步驟，其藉由電鑄鍍敷，於已於一面上形成業經圖案化的絕緣部的導電性基板上形成鍍敷膜； (b)步驟，其於框架上部之至少一部分形成含有金屬的接著部，並將鍍敷膜之框體中至少一部分對應於接著部； (c)步驟，其對接著部施加預定溫度、預定壓力中至少任一者；及 (d)步驟，其解除預定溫度、預定壓力中至少任一者之施加，並將鍍敷膜與框架接著。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著部含有至少2種金屬之合金。
如請求項2之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(c)步驟中，接著部之至少一部分自固相變成液相，且於(d)步驟中，接著部之液相再度變成固相，並將鍍敷膜與框架接著。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著部含有：第1金屬，其選自於In、Bi、Sn、Au中任一者；及第2金屬，其選自於In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中任一者，且與第1金屬不同。
如請求項4之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著部更含有第3金屬，該第3金屬選自於Bi、Sn、Ag、Cu、Cd中任一者，且與第1金屬及第2金屬不同。
如請求項5之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著部更含有第4金屬，該第4金屬選自於Cu、Sb中任一者，且與第1金屬、第2金屬及第3金屬不同。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中(c)步驟於惰性氣體環境下進行。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中導電性基板為經摻雜之單晶矽材質。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中絕緣部為光阻材料、氧化矽、氮化矽之材質中任一者。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中框架具有包圍鍍敷膜的形狀。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(d)步驟中，鍍敷膜係於外側承受拉伸力之狀態下接著於框架上部。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(a)步驟中，於絕緣部上防止鍍敷膜之形成，且鍍敷膜具有圖案。
如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中在(a)步驟以後更進行將鍍敷膜熱處理的步驟。
如請求項13之框架一體型遮罩的製造方法，其中熱處理係於300℃~800℃下進行。