CN115747712A - 掩膜板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种掩膜板及其制造方法，属于蒸镀技术领域。一种掩膜板包括，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种掩膜板及其制造方法。
背景技术
在有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示面板制备过程中，需采用高精度金属掩膜板(英文：Fine Metal Mask；简称：FMM)对待蒸镀的基板的进行遮挡。然后采用蒸镀设备将蒸镀材料蒸镀至待蒸镀的基板中未被掩膜板遮挡的区域，以形成图形化的膜层。
随着市场对高分辨率的OLED显示面板的需求增加，对FMM工艺的要求也越来越高。然而传统的制备FMM的工艺已达到了其工艺极限，已无法满足高分辨率的OLED显示面板要求。为此，目前通常在硅基衬底上制作尺寸更小的开孔，以得到能够满足高分辨率要求的硅基掩膜板。
然而，目前的硅基掩膜板的厚度较大，在采用硅基掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料极易堵塞硅基掩膜板上的开孔，导致通过硅基掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量较差，进而会影响后续制备出的显示面板的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种掩膜板及其制造方法。可以解决现有技术的硅基掩膜板在蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量较差问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种掩膜板，包括：
硅基框架，所述硅基框架具有多个蒸镀开口；
与所述硅基框架的一侧连接的金属子掩膜板，所述金属子掩膜板具有与所述多个蒸镀开口一一对应的多个掩膜部分，所述掩膜部分具有与对应的蒸镀开口连通的阵列排布的多个像素开孔；
其中，所述金属子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。
可选的，所述掩膜板还包括：位于所述硅基框架与所述金属子掩膜板之间的电铸种子层，所述金属子掩膜板还具有位于两个相邻的所述掩膜部分之间的连接部分，所述连接部分通过所述电铸种子层与所述硅基框架连接。
可选的，所述蒸镀开口在所述硅基框架的厚度方向上贯穿整个所述硅基框体，所述电铸种子层具有与所述多个蒸镀开口一一对应连通的多个辅助蒸镀开口，所述辅助蒸镀开口在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口在所述目标平面上的正投影内。
可选的，所述蒸镀开口在所述硅基框架的厚度方向上仅贯穿所述硅基框体中的一部分，且所述蒸镀开口位于所述硅基框架背离所述金属子掩膜板的一侧；
所述电铸种子层具有与所述多个像素开孔一一对应连通的多个第一辅助像素开孔，所述硅基框架靠近所述金属子掩膜板的一侧具有与所述多个第一辅助像素开孔一一对应连通的多个第二辅助像素开孔；
其中，所述像素开孔在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内。
可选的，所述像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界与对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界之间的距离范围为：0.5微米至1微米。
可选的，第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界与对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界重合。
可选的，所述硅基框架包括：层叠设置的第一硅层、埋氧化层和第二硅层，所述第二硅层相对于所述第一硅层更靠近所述电铸种子层；
其中，所述蒸镀开口同时贯穿所述第一硅层和所述埋氧化层，所述第二辅助像素开孔贯穿所述第二硅层。
可选的，所述金属子掩膜板的厚度小于或等于5微米。
另一方面，提供了一种掩膜板的制造方法，所述方法包括：
在硅基框架的一侧形成金属子掩膜板；
其中，所述硅基框架具有多个蒸镀开口；所述金属子掩膜板具有与所述多个蒸镀开口一一对应的多个掩膜部分，所述掩膜部分具有与对应的蒸镀开口连通的阵列排布的多个像素开孔；
所述金属子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。
可选的，所述在硅基框架的一侧形成的金属子掩膜板，包括：
提供硅基衬底；
在所述硅基衬底的一侧形成所述金属子掩膜板，且在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，以得到带有所述金属子掩膜板的所述硅基框架。
可选的，在所述硅基衬底的一侧形成所述金属子掩膜板，包括：
在所述硅基衬底的一侧形成电铸种子层；
在所述电铸种子层背离所述硅基衬底的一侧形成光刻胶图案；
采用电铸工艺在所述电铸种子层背离所述硅基衬底的一侧中未被所述光刻胶图案覆盖的区域内形成金属结构；
去除所述光刻胶图案，以得到所述金属子掩膜板。
可选的，在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，包括：
在所述硅基衬底的另一侧形成贯穿整个所述硅基衬底的多个蒸镀开口，以得到所述硅基框架；
所述方法还包括：
去除所述电铸种子层中位于所述多个蒸镀开口内的部分，以在所述电铸种子层内形成与所述多个蒸镀开口一一对应连通的多个辅助蒸镀开口；
其中，所述辅助蒸镀开口在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口在所述目标平面上的正投影内。
可选的，在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，包括：
在所述硅基衬底的另一侧形成仅贯穿所述硅基衬底中的一部分的多个蒸镀开口，以及与所述蒸镀开口连通且贯穿所述硅基衬底中的另一部分的多个第二辅助像素开孔，以得到所述硅基框架；
所述方法还包括：
去除所述电铸种子层中位于所述多个第二辅助像素开孔内的部分，以在所述电铸种子层内形成与所述多个第二辅助像素开孔一一对应连通的多个第一辅助像素开孔；
其中，所述多个第一辅助像素开孔与所述多个像素开孔一一对应连通，所述像素开孔在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内。
可选的，所述硅基衬底包括：层叠设置的第一硅层、埋氧化层和第二硅层，所述第二硅层相对于所述第一硅层更靠近所述电铸种子层；在所述硅基衬底的另一侧形成仅贯穿所述硅基衬底中的一部分的多个蒸镀开口，以及与所述蒸镀开口连通且贯穿所述硅基衬底中的另一部分的多个第二辅助像素开孔，包括：
在所述硅基衬底的一侧形成电铸种子层后，在所述硅基衬底背离所述电铸种子层的一侧形成多个第一子蒸镀开口，所述第一子蒸镀开口贯穿所述第一硅层；
在去除所述光刻胶图案，以得到所述金属子掩膜板后，对所述埋氧化层中位于所述第一子蒸镀开口内的部分进行图案化处理，以得到带有多个过渡开孔的埋氧化层，所述多个过渡开孔与所述多个像素开孔一一对应，所述像素开孔在所述目标平面上的正投影，位于对应的过渡开孔在所述目标平面上的正投影内；
将带有所述多个过渡开孔的埋氧化层作为掩膜，对所述第二硅层进行刻蚀处理，以在所述第二硅层内形成所述多个第二辅助像素开孔；
去除所述埋氧化层中位于所述第一子蒸镀开口内的部分，以在所述埋氧化层内形成与所述多个第一子蒸镀开口一一对应连通的多个第二子蒸镀开口；
其中，所述第一子蒸镀开口与对应的第二子蒸镀开口用于组成所述蒸镀开口。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
一种掩膜板包括，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种硅基掩膜板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图3是图2示出的掩膜板在A处的局部放大图；
图4是图3示出的掩膜版在B-B’处的截面图；
图5是本申请实施例提供的另一种掩膜板的截面示意图；
图6是本申请实施例提供的又一种掩膜板结构示意图；
图7是本申请实施例提供的一种的掩膜板的制造方法的流程图；
图8是本申请实施例提供的一种硅基衬底的结构示意图；
图9是本申请实施例提供的一种在硅基衬底的一侧形成电铸种子层的示意图；
图10是本申请实施例提供的一种在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成光刻胶图案的示意图；
图11是本申请实施例提供的一种在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成金属结构的示意图；
图12是本申请实施例提供的一种去除光刻胶图案后的示意图；
图13是本申请实施例提供的一种在硅基衬底的另一侧形成多个蒸镀开口的示意图；
图14是本申请实施例提供的另一种的掩膜板的制造方法的流程图；
图15是本申请实施例提供的另一种硅基衬底的结构示意图；
图16是本申请实施例提供的一种在硅基衬底背离电铸种子层的一侧形成多个第一子蒸镀开口的示意图；
图17是本申请实施例提供的一种形成带有多个过渡开孔的埋氧化层的示意图；
图18是本申请实施例提供的一种在第二硅层内形成多个第二辅助像素开孔的示意图；
图19是本申请实施例提供的一种在电铸种子层内形成多个第一辅助像素开孔的示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
请参考图1，图1是一种硅基掩膜板的结构示意图。硅基掩膜板00可以包括：主框架01，以及位于主框架01一侧的子掩膜板02。
其中，主框架01背离子掩膜板02的一侧具有蒸镀开口01a。子掩膜板02具有与蒸镀开口01a连通的阵列排布的多个像素开孔02a。
这里，硅基掩膜板00中的主框架01与子掩膜板02均采用含有硅元素的材料制成。例如，硅基掩膜板00可以为对硅基衬底进行图案化后得到的掩膜板。硅基衬底可以包括：层叠设置的第一硅层001、埋氧化层002和第二硅层003。其中，可以对硅基衬底中的第一硅层001和埋氧化层002进行图案化处理，便能够得到带有蒸镀开口01a的主框架01；可以对硅基衬底中的第二硅层003进行图案化处理，便能够得到带有多个像素开孔02a的子掩膜板02。
然而，目前的硅基衬底的厚度通常较大，导致由硅基衬底制成的硅基掩膜板00的厚度较大。例如，硅基衬底中的第二硅层003的厚度通常大于20微米，硅基掩膜板00中的子掩膜板02的厚度也大于20微米。而目前在采用这种硅基掩膜板00制备高分辨率的显示面板时，需要保证子掩膜板02内的像素开孔02a的尺寸较小，例如，像素开孔02a的宽度通常需要小于5微米左右。为此，目前硅基掩膜板00内的像素开孔02a的深宽比大于4:1，导致硅基掩膜板00内的像素开孔02a的深宽比较大，在采用这种硅基掩膜板00进行蒸镀的过程中，蒸镀材料极易附着在像素开孔02a的内壁上以堵塞像素开孔02a，导致通过这种硅基掩膜板00在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量较差，进而会影响后续制备出的显示面板的显示效果。
并且，目前的硅基掩膜板00的子掩膜板02中位于蒸镀开口01a内的部分极易在重力作用下，出现下垂形变的不良现象，会进一步的降低通过这种硅基掩膜板00在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。
同时，目前可以通过减薄子掩膜板02的厚度的方式，来提高后续在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。例如，硅基掩膜板00中的子掩膜板02的厚度目前最多可以减薄至20微米。但是，当子掩膜板02的厚度减薄至20微米时，硅基掩膜板00在使用过程中，子掩膜板02极易出现破裂的不良现象，导致硅基掩膜板00的使用寿命变低。
请参考图2、图3和图4，图2是本申请实施例提供的一种掩膜板的结构示意图，图3是图2示出的掩膜板在A处的局部放大图，图4是图3示出的掩膜版在B-B’处的截面图。该掩膜板000可以包括：硅基框架100和金属子掩膜板200。
掩膜板000中的硅基框架100具有多个蒸镀开口K。示例的，硅基框架100可以采用含有硅元素的材料制成。
掩膜板000中的金属子掩膜板200与硅基框架100的一侧连接。示例的，金属子掩膜板200可以采用金属材料制成。且金属子掩膜板200可以具有与多个蒸镀开口K一一对应的多个掩膜部分201。示例的，每个掩膜部分201在与掩膜板000平行的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口K在这个目标平面上的正投影内。这里，金属子掩膜板200中的掩膜部分201具有与对应的蒸镀开口K连通的阵列排布的多个像素开孔201a。
其中，金属子掩膜板200的厚度小于硅基框架100的厚度。
在本申请中，硅基框架100中的多个蒸镀开口K可以与待蒸镀的基板中的多个面板区域一一对应，为此，金属子掩膜板200中多个掩膜部分201也可以与待蒸镀的基板中的多个面板区域一一对应。这样，每个掩膜部分201中的多个像素开孔201a可以与对应的面板区域内的多个像素区域一一对应。在采用掩膜板000对待蒸镀的基板蒸镀完成后，可以得到蒸镀后的显示母板，后续在对显示母板内进行切割处理后，可以得到多个显示面板。其中，每个显示面板即为显示母板中对应的面板区域内的部分，显示面板内的各个像素区域内分布的蒸镀材料为：蒸镀材料穿过掩膜板200中相应的像素开孔201a后形成的。
在本申请实施例中，由于采用金属材料制成的金属子掩膜板200的厚度较小，例如，这种金属子掩膜板200的厚度通常小于或等于5微米。而在采用这种硅基掩膜板000制备高分辨率的显示面板时，需要保证金属子掩膜板200内的像素开孔201a的尺寸较小，例如，像素开孔201a的宽度通常为5微米左右。因此，本申请中的掩膜板000内的像素开孔201a的深宽比近似1:1，该掩膜板000内的像素开孔201a的深宽比较小。在采用这种掩膜板000进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔201a的内壁上，使得掩膜板000中的像素开孔201a不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板000在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。
并且，掩膜板000中的金属子掩膜板200具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板200中的掩膜部分201在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板000与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板000在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。
同时，由金属材料制成的金属子掩膜板200的整体强度较高，其能够对主框架100起到一定的保护作用。这样，即使主框架100的厚度较低，金属子掩膜板200也能够对硅基框架100进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板000的使用寿命。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜板，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
在本申请例中，请参考图5，图5是本申请实施例提供的另一种掩膜板的截面示意图。掩膜板000还可以包括：位于硅基框架100与金属子掩膜板200之间的电铸种子层300。金属子掩膜板200还具有位于两个相邻的掩膜部分201之间的连接部分202。金属子掩膜板200的连接部分202可以通过电铸种子层300与硅基框架100连接。
在相关技术中，当掩膜板为FMM时，在FMM的制造过程中，需要采用张网工艺对FMM中的金属子掩膜板进行张网处理，之后需要将张网处理后的金属子掩膜板焊接在FMM中的金属框架上。当FMM中的像素开孔的尺寸较小时，对金属子掩膜板进行张网过程中，像素开孔极易出现偏移，导致FMM中的像素开孔的位置会出现局部变化的不良问题。
而在本申请实施例中，在掩膜板000的制造过程中，可以先在硅基框架100上形成电铸种子层300，然后采用电铸工艺在电铸种子层300上形成金属子掩膜板200，便可以将金属子掩膜板200形成在硅基框架100的一侧。这样，无需采用FMM的制备过程中的使用的张网工艺，就能够将金属子掩膜板200设置在硅基框架100的一侧。为此，即使掩膜板000内的像素开孔201a的尺寸较小，也可以规避因张网工艺在张网过程中导致像素开孔的位置局部出现变化的不良问题，使得本申请中的金属子掩膜板200内的各个像素开孔201a的分布位置的准确性较高，以保证采用这种掩膜板000进行蒸镀时的蒸镀精度较高。
需要说明的是，本申请中的电铸种子层300可以是金属铜、金属铝、金属银或合金等导电金属，其中，电铸种子层300的厚度的范围为：0.2微米至1微米。通过电铸工艺可以在电铸种子层300上电铸铁镍合金材料，以得到金属子掩膜板200。其中，铁镍合金材料中金属铁的质量分数为64％，金属镍的质量分数为36％。
在本申请实施例中，硅基框架100可以有多种结构，为此本申请实施例将以以下两种可选的实现方式为例对硅基框架100的结构进行说明：
第一种可选的实现方式，如图5所示，硅基框架100内的蒸镀开口K在硅基框架100的厚度方向上贯穿整个硅基框架100。
在这种情况下，电铸种子层300具有与多个蒸镀开口K一一对应连通的多个辅助蒸镀开口300a。其中，辅助蒸镀开口300a在平行于掩膜板00的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口K在目标平面上的正投影内。这里，电铸种子层300内的多个辅助蒸镀开口300a也与金属子掩膜板200内的多个蒸镀部分201一一对应，辅助蒸镀开口300a也可以与对应的蒸镀部分201内的多个像素开孔201a连通。
为此，硅基框架100中的电铸种子层300不会对蒸镀材料进行遮挡。在采用这种掩膜板000对待蒸镀的基板进行蒸镀过程中，蒸镀材料可以依次穿过蒸镀开口K、辅助蒸镀开口300a和多个像素开孔201a附着在待蒸镀的基板上。
可选的，硅基框架100可以包括：层叠设置的第一硅层101和埋氧化层102。其中，埋氧化层102相对于第一硅层101更靠近金属子掩膜板200。硅基框架100内的蒸镀开口K可以依次贯穿第一硅基层101和埋氧化层102。这里，埋氧化层102的材料可以为氧化硅。
第二种可选的实现方式，请参考图6，图6是本申请实施例提供的又一种掩膜板结构示意图。蒸镀开口K在硅基框架100的厚度方向上仅贯穿硅基框架100中的一部分，且蒸镀开口K位于硅基框架100背离金属子掩膜板200的一侧。
电铸种子层300具有与多个像素开孔201a一一对应连通的多个第一辅助像素开孔300b，硅基框架100靠近金属子掩膜板200的一侧具有与第一辅助像素开孔300b一一对应连通的多个第二辅助像素开孔103a。
其中，多个像素开孔201a在平行于掩膜板000的目标平面上的正投影，位于对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影内。
为此，硅基框架100与电铸种子层300不会对蒸镀材料进行遮挡。在采用这种掩膜板000对待蒸镀的基板进行蒸镀过程中，蒸镀材料可以依次穿过蒸镀开口K、第二辅助像素开孔103a、第一辅助像素开孔300b和多个像素开孔201a附着在待蒸镀的基板上。
在本申请实施例中，如图6所示，每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界与对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界可以不重合。例如，每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界与对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界之间的距离范围为：0.5微米至1微米。
可选的，每个第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界与对应的第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影的外边界重合。也即是，每个第一辅助像素开孔300b的尺寸可以与对应的第二辅助像素开孔103a的尺寸相同。
这样，第一辅助像素开孔300b的尺寸和第二辅助像素开孔103a的尺寸，均大于对应的像素开孔201a的尺寸。
在这种情况下，金属子掩膜板200中的掩膜部分201可以被硅基框架100中位于蒸镀开口K内的部分进行支撑，以保证金属子掩膜板200中的掩膜部分201的整体强度加高，进而可以进一步的提高这种掩膜板000的整体强度。并且，在采用这种掩膜板000进行蒸镀过程中，蒸镀材料虽然仍然仅会附着在硅基框架100内分布的第二辅助像素开孔103a的内壁上，但由于第二辅助像素开孔103a的尺寸大于金属子掩膜板200内分布的像素开孔201a的尺寸，因此，附着在第二辅助像素开孔103a的内壁上的蒸镀材料，并不会对蒸镀过程造成影响，蒸镀材料仍然可以正常穿过像素开孔201a，以附着在待蒸镀的基板上。
在本申请实施例中，如图6所示，硅基框架100包括：层叠设置的第一硅层101、埋氧化层102和第二硅层103，第二硅层103相对于第一硅层101更靠近电铸种子层300。其中，蒸镀开口K同时贯穿第一硅层101和埋氧化层102，第二辅助像素开孔103a贯穿第二硅层103。这里，埋氧化层102的材料可以为氧化硅。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜板，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
本申请实施例提供的一种掩膜板的制造方法，该掩膜板的制造方法用于制造图2示出的掩膜板。该掩膜板的制造方法可以包括：
在硅基框架的一侧形成金属子掩膜板。
其中，硅基框架具有多个蒸镀开口；金属子掩膜板具有与多个蒸镀开口一一对应的多个掩膜部分，掩膜部分具有与对应的蒸镀开口连通的阵列排布的多个像素开孔；金属子掩膜板的厚度小于硅基框架的厚度。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜板的制造方法，由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
请参考图7，图7是本申请实施例提供的一种的掩膜板的制造方法的流程图。该掩膜板的制造方法用于制造图5示出的掩膜板。该掩膜板的制造方法可以包括：
步骤S101、提供硅基衬底。
示例的，请参考图8，图8是本申请实施例提供的一种硅基衬底的结构示意图。硅基衬底可以包括：层叠设置的第一硅层101和埋氧化层102。
其中，第一硅层101的厚度可以为400微米至500微米；埋氧化层102的厚度范围可以为0.5微米至1微米，埋氧化层102的材料可以为氧化硅。
步骤S102、在硅基衬底的一侧形成电铸种子层。
示例的，请参考图9，图9是本申请实施例提供的一种在硅基衬底的一侧形成电铸种子层的示意图。可以在硅基衬底的一侧通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成电铸种子层300。这里，电铸种子层300位于埋氧化层102背离第一硅层101的一侧。
其中，电铸种子层300的厚度可以为0.2微米至1微米，电铸种子层300的材料可以包括：金属铜、金属铝、金属银或合金等金属材料。
步骤S103、在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成光刻胶图案。
示例的，请参考图10，图10是本申请实施例提供的一种在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成光刻胶图案的示意图。可以先在电铸种子层300背离硅基衬底的一侧涂覆一层光刻胶，然后对这一层光刻胶进行曝光处理和显影处理，即可得到光刻胶图案500。
步骤S104、采用电铸工艺在电铸种子层背离硅基衬底的一侧中未被光刻胶图案覆盖的区域内形成金属结构。
示例的，请参考图11，图11是本申请实施例提供的一种在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成金属结构的示意图。在采用电铸工艺在电铸种子层300背离硅基衬底100的一侧形成金属结构的过程中，金属结构可以与电铸种子层300背离硅基衬底的一侧中未被光刻胶图案500覆盖的区域相结合，而被光刻胶图案500覆盖的区域不会形成金属结构。为此，通过电铸工艺可以在电铸种子层300背离硅基衬底的一侧中未被光刻胶图案500覆盖的区域内形成金属结构。这个金属结构即为后续实施例中的金属子掩膜板200。
其中，在电铸种子层300背离硅基衬底的一侧形成的金属结构的材料可以为铁镍合金，且这个金属结构的厚度需要小于或等于0.5微米。
步骤S105、去除光刻胶图案，以得到金属子掩膜板。
示例的，请参考图12，图12是本申请实施例提供的一种去除光刻胶图案后的示意图。在通过电铸工艺形成金属结构后，可以将电铸种子层300背离硅基衬底100的一侧的光刻胶图案剥离，暴露出的金属结构即为金属子掩膜板200。
需要说明的是，金属子掩膜板200具有多个像素开孔201a，这个像素开孔201a所在的区域即为步骤S104中被光刻胶图案500覆盖的区域。为此，步骤S103中形成的光刻胶图案500在平行于掩膜板的目标平面上的正投影的形状，可以与步骤S105中形成的金属子掩膜板200内的多个像素开孔201a在目标平面上的正投影的形状相同。如此，可以在形成光刻胶图案500后，能够正常通过电铸工艺形成金属子掩膜板200。
步骤S106、在硅基衬底的另一侧形成贯穿整个硅基衬底的多个蒸镀开口，以得到硅基框架。
示例的，请参考图13，图13是本申请实施例提供的一种在硅基衬底的另一侧形成多个蒸镀开口的示意图。可以对硅基衬底的另一侧执行一次构图工艺，以在硅基衬底的另一侧形成贯穿整个硅基衬底的多个蒸镀开口K。例如，各个蒸镀开口K均可以依次贯穿第一硅层101和埋氧化层102。这里，带有多个蒸镀开口K的硅基衬底即为硅基框架100。需要说明的是，这里一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
在本申请中，金属子掩膜板200可以具有：与多个蒸镀开口K一一对应的多个掩膜部分201，以及位于两个相邻的掩膜部分201之间的连接部分202。其中，每个掩膜部分201具有与对应的蒸镀开口K连通的阵列排布的多个像素开孔201a。金属子掩膜板200的连接部分202可以通过电铸种子层300与硅基框架100连接。
步骤S107、去除电铸种子层中位于多个蒸镀开口内的部分，以在电铸种子层内形成与多个蒸镀开口一一对应连通的多个辅助蒸镀开口。
示例的，在硅基衬底的另一侧形成多个蒸镀开口K后，可以采用刻蚀工艺去除电铸种子层300中位于多个蒸镀开口K内的部分，以在电铸种子层300内形成与多个蒸镀开口K一一对应的连通的多个辅助蒸镀开口300a。辅助蒸镀开口300a也可以与金属子掩膜板200内的像素开孔201a连通。其中，辅助蒸镀开口300a在平行于掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口K在目标平面上的正投影内。这样，便能够得到图5示出的掩膜板。
在本申请实施例中，通过上述步骤S101至步骤S105可以在硅基衬底的一侧形成掩膜板中的金属子掩膜板；通过上述步骤S106可以在硅基衬底的另一侧形成多个蒸镀开口，以将硅基衬底处理为掩膜板中的硅基框架；通过步骤S107可以在掩膜板中的电铸种子层内形成用于连通蒸镀开口和像素开孔的辅助蒸镀开口。
需要说明的是，本申请实施例提供的掩膜板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜板的制造方法，由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
请参考图14，图14是本申请实施例提供的另一种的掩膜板的制造方法的流程图。该掩膜板的制造方法用于制造图6示出的掩膜板。该掩膜板的制造方法可以包括：
步骤S201、提供硅基衬底。
示例的，请参考图15，图15是本申请实施例提供的另一种硅基衬底的结构示意图。硅基衬底可以包括：层叠设置的第一硅层101、埋氧化层102和第二硅层103。
其中，第一硅层101的厚度可以为400微米至500微米；埋氧化层102的厚度范围可以为0.5微米至1微米，埋氧化层102的材料可以为氧化硅；第二硅层103的厚度可以为20微米左右。
步骤S202、在硅基衬底的一侧形成电铸种子层。
该步骤S202可以参考前述步骤S102，本申请在此不再赘述。需要说明的是，步骤S202形成的电铸种子层300可以位于第二硅层103背离第一硅层101的一侧。也即是，第二硅层103相对于第一硅层101更靠近电铸种子层300。
步骤S203、在硅基衬底背离电铸种子层的一侧形成多个第一子蒸镀开口。
示例的，请参考图16，图16是本申请实施例提供的一种在硅基衬底背离电铸种子层的一侧形成多个第一子蒸镀开口的示意图。可以对硅基衬底的另一侧执行一次构图工艺，以在硅基衬底的另一侧形成多个第一子蒸镀开口K11。其中，第一子蒸镀开口K11可以仅贯穿硅基衬底中的第一硅层101，且硅基衬底中的埋氧化层102可以从第一子蒸镀开口K11露出。需要说明的是，这里一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤S204、在电铸种子层背离硅基衬底的一侧形成光刻胶图案。
该步骤S204可以参考前述步骤S103，本申请在此不再赘述。
步骤S205、采用电铸工艺在电铸种子层背离硅基衬底的一侧中未被光刻胶图案覆盖的区域内形成金属结构。
该步骤S205可以参考前述步骤S104，本申请在此不再赘述。
步骤S206、去除光刻胶图案，以得到金属子掩膜板。
该步骤S206可以参考前述步骤S105，本申请在此不再赘述。
步骤S207、对埋氧化层中位于第一子蒸镀开口内的部分进行图案化处理，以得到带有多个过渡开孔的埋氧化层。
示例的，请参考图17，图17是本申请实施例提供的一种形成带有多个过渡开孔的埋氧化层的示意图。可以对埋氧化层102中位于第一子蒸镀开口K11内的部分执行一次构图工艺，便能够在埋氧化层102内形成多个过渡开孔K0，以实现对埋氧化层102的图案化处理。需要说明的是，这里一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
其中，埋氧化层102内的多个过渡开孔K0可以与金属子掩膜板200内的多个像素开孔201a一一对应，每个像素开孔201a在平行于掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的过渡开孔K0在目标平面上的正投影内，且每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界与对应的过渡开孔K0在目标平面上的正投影外边界不重合。例如，每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界与对应的过渡开孔K0在目标平面上的正投影外边界之间的距离范围为：0.5微米至1微米。
步骤S208、将带有多个过渡开孔的埋氧化层作为掩膜，对第二硅层进行刻蚀处理，以在第二硅层内形成多个第二辅助像素开孔。
示例的，请参考图18，图18是本申请实施例提供的一种在第二硅层内形成多个第二辅助像素开孔的示意图。可以将带有多个过渡开孔K0的埋氧化层102作为掩膜，对第二硅层103进行刻蚀处理。例如，用于刻蚀硅材料的刻蚀物质可以穿过过渡开孔K0，以对第二硅层103中从过渡开孔K0暴露出的部分进行刻蚀。这样，便能够在第二硅层103内形成多个第二辅助像素开孔103a。
其中，多个第二辅助像素开孔103a可以与多个过渡开孔K0一一对应，每个第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影的外边界，可以与对应的过渡开孔K0在目标平面上的正投影的外边界近似重合。也即是，每个第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影的外边界，与对应的过渡开孔K0在目标平面上的正投影的外边界之间的距离小于或等于0.01微米。
步骤S209、去除电铸种子层中位于多个第二辅助像素开孔内的部分，以在电铸种子层内形成与多个第二辅助像素开孔一一对应连通的多个第一辅助像素开孔。
示例的，请参考图19，图19是本申请实施例提供的一种在电铸种子层内形成多个第一辅助像素开孔的示意图。在第二硅层103内形成多个第二辅助像素开孔103a后，可以继续将带有多个过渡开孔K0的埋氧化层102作为掩膜，对电铸种子层300进行刻蚀处理。例如，用于金属材料硅的刻蚀物质可以依次穿过过渡开孔K0和第二辅助像素开孔103a，以对电铸种子层300中从过渡开孔K0和第二辅助像素开孔103a暴露出的部分进行刻蚀。这样，便能够在电铸种子层300内形成与多个第二辅助像素开孔103a一一对应连通的多个第一辅助像素开孔300b。
其中，电铸种子层300内的多个第一辅助像素开孔300b可以与金属子掩膜板200内的多个像素开孔201a一一对应连通。这里，每个像素开孔201a在平行于掩膜板的目标平面上的正投影，可以位于对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影内。
在本申请中，每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界可以与对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界不重合，例如，每个像素开孔201a在目标平面上的正投影的外边界可以与对应的第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界之间的距离范围为：0.5微米至1微米。
每个第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界与对应的第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影的外边界可以近似重合。也即是，每个第一辅助像素开孔300b在目标平面上的正投影的外边界，与对应的第二辅助像素开孔103a在目标平面上的正投影的外边界之间的距离小于或等于0.01微米。
步骤S210、去除埋氧化层中位于第一子蒸镀开口内的部分，以在埋氧化层内形成与多个第一子蒸镀开口一一对应连通的多个第二子蒸镀开口。
示例的，在电铸种子层300内形成多个第一辅助像素开孔300b后，可以采用刻蚀工艺去除埋氧化层102中位于第一子蒸镀开口K11内的部分，以在埋氧化层102内形成与多个第一子蒸镀开口K11一一对应连通的多个第二子蒸镀开口K12。其中，第一子蒸镀开口K11与对应的第二子蒸镀开口K12用于组成蒸镀开口K，且蒸镀开孔K可以与第二辅助像素开孔103a连通。这样，便能够得到图6示出的掩膜板。
在本申请实施例中，通过上述步骤S202、步骤S204至步骤S206可以在硅基衬底的一侧形成掩膜板中的金属子掩膜板；通过上述步骤S203、步骤S207至步骤S208、步骤S210可以在硅基衬底的另一侧形成多个蒸镀开口和多个第二辅助像素开孔，以将硅基衬底处理为掩膜板中的硅基框架；通过步骤S209可以在掩膜板中的电铸种子层内形成用于连通第二辅助像素开孔和像素开孔的第一辅助像素开孔。
需要说明的是，本申请实施例提供的掩膜板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜板的制造方法，由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。并且，掩膜板中的金属子掩膜板具有磁性作用，其能够被蒸镀设备中的磁板吸附。如此，可以避免金属子掩膜板中的掩膜部分在重力作用下出现下垂变形的不良现象，使得掩膜板与待蒸镀的基板之间能够紧密贴合，进一步的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量。同时，由金属材料制成的金属子掩膜板的整体强度较高，其能够对主框架起到一定的保护作用。这样，即使主框架的厚度较低，金属子掩膜板也能够对硅基框架进行保护，防止其在使用过程中出现破裂的不良现象，进而可以有效的提高掩膜板的使用寿命。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
硅基框架，所述硅基框架具有多个蒸镀开口；
与所述硅基框架的一侧连接的金属子掩膜板，所述金属子掩膜板具有与所述多个蒸镀开口一一对应的多个掩膜部分，所述掩膜部分具有与对应的蒸镀开口连通的阵列排布的多个像素开孔；
其中，所述金属子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：位于所述硅基框架与所述金属子掩膜板之间的电铸种子层，所述金属子掩膜板还具有位于两个相邻的所述掩膜部分之间的连接部分，所述连接部分通过所述电铸种子层与所述硅基框架连接。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸镀开口在所述硅基框架的厚度方向上贯穿整个所述硅基框体，所述电铸种子层具有与所述多个蒸镀开口一一对应连通的多个辅助蒸镀开口，所述辅助蒸镀开口在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口在所述目标平面上的正投影内。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸镀开口在所述硅基框架的厚度方向上仅贯穿所述硅基框体中的一部分，且所述蒸镀开口位于所述硅基框架背离所述金属子掩膜板的一侧；
所述电铸种子层具有与所述多个像素开孔一一对应连通的多个第一辅助像素开孔，所述硅基框架靠近所述金属子掩膜板的一侧具有与所述多个第一辅助像素开孔一一对应连通的多个第二辅助像素开孔；
其中，所述像素开孔在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界与对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界之间的距离范围为：0.5微米至1微米。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界与对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影的外边界重合。
7.根据权利要求4至6任一所述的掩膜板，其特征在于，所述硅基框架包括：层叠设置的第一硅层、埋氧化层和第二硅层，所述第二硅层相对于所述第一硅层更靠近所述电铸种子层；
其中，所述蒸镀开口同时贯穿所述第一硅层和所述埋氧化层，所述第二辅助像素开孔贯穿所述第二硅层。
8.根据权利要求1至6任一所述的掩膜板，其特征在于，所述金属子掩膜板的厚度小于或等于5微米。
9.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在硅基框架的一侧形成金属子掩膜板；
其中，所述硅基框架具有多个蒸镀开口；所述金属子掩膜板具有与所述多个蒸镀开口一一对应的多个掩膜部分，所述掩膜部分具有与对应的蒸镀开口连通的阵列排布的多个像素开孔；
所述金属子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在硅基框架的一侧形成的金属子掩膜板，包括：
提供硅基衬底；
在所述硅基衬底的一侧形成所述金属子掩膜板，且在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，以得到带有所述金属子掩膜板的所述硅基框架。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述硅基衬底的一侧形成所述金属子掩膜板，包括：
在所述硅基衬底的一侧形成电铸种子层；
在所述电铸种子层背离所述硅基衬底的一侧形成光刻胶图案；
采用电铸工艺在所述电铸种子层背离所述硅基衬底的一侧中未被所述光刻胶图案覆盖的区域内形成金属结构；
去除所述光刻胶图案，以得到所述金属子掩膜板。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，包括：
在所述硅基衬底的另一侧形成贯穿整个所述硅基衬底的多个蒸镀开口，以得到所述硅基框架；
所述方法还包括：
去除所述电铸种子层中位于所述多个蒸镀开口内的部分，以在所述电铸种子层内形成与所述多个蒸镀开口一一对应连通的多个辅助蒸镀开口；
其中，所述辅助蒸镀开口在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的蒸镀开口在所述目标平面上的正投影内。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述硅基衬底的另一侧形成所述多个蒸镀开口，包括：
在所述硅基衬底的另一侧形成仅贯穿所述硅基衬底中的一部分的多个蒸镀开口，以及与所述蒸镀开口连通且贯穿所述硅基衬底中的另一部分的多个第二辅助像素开孔，以得到所述硅基框架；
所述方法还包括：
去除所述电铸种子层中位于所述多个第二辅助像素开孔内的部分，以在所述电铸种子层内形成与所述多个第二辅助像素开孔一一对应连通的多个第一辅助像素开孔；
其中，所述多个第一辅助像素开孔与所述多个像素开孔一一对应连通，所述像素开孔在平行于所述掩膜板的目标平面上的正投影，位于对应的第一辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内，且位于对应的第二辅助像素开孔在所述目标平面上的正投影内。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述硅基衬底包括：层叠设置的第一硅层、埋氧化层和第二硅层，所述第二硅层相对于所述第一硅层更靠近所述电铸种子层；在所述硅基衬底的另一侧形成仅贯穿所述硅基衬底中的一部分的多个蒸镀开口，以及与所述蒸镀开口连通且贯穿所述硅基衬底中的另一部分的多个第二辅助像素开孔，包括：
在所述硅基衬底的一侧形成电铸种子层后，在所述硅基衬底背离所述电铸种子层的一侧形成多个第一子蒸镀开口，所述第一子蒸镀开口贯穿所述第一硅层；
在去除所述光刻胶图案，以得到所述金属子掩膜板后，对所述埋氧化层中位于所述第一子蒸镀开口内的部分进行图案化处理，以得到带有多个过渡开孔的埋氧化层，所述多个过渡开孔与所述多个像素开孔一一对应，所述像素开孔在所述目标平面上的正投影，位于对应的过渡开孔在所述目标平面上的正投影内；
将带有所述多个过渡开孔的埋氧化层作为掩膜，对所述第二硅层进行刻蚀处理，以在所述第二硅层内形成所述多个第二辅助像素开孔；
去除所述埋氧化层中位于所述第一子蒸镀开口内的部分，以在所述埋氧化层内形成与所述多个第一子蒸镀开口一一对应连通的多个第二子蒸镀开口；
其中，所述第一子蒸镀开口与对应的第二子蒸镀开口用于组成所述蒸镀开口。
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