TW201912689A - 樹脂薄片、半導體裝置及樹脂薄片的使用方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，是提供一種樹脂薄片，其即便在樹脂組合物層表面之黏性較小時，在樹脂組合物層與支撐薄片的界面亦不容易產生浮起，而且即便使用在樹脂組合物層熱硬化後，將支撐薄片從所形成的硬化層剝離之半導體裝置的製造方法時，亦容易將支撐薄片從該硬化層剝離。 本發明之解決手段，是提供一種樹脂薄片1，其為使用在電子零件2的密封之樹脂薄片1，樹脂薄片1具備第1支撐薄片11及硬化性樹脂組合物層10，樹脂組合物層10是由含有熱硬化性樹脂及無機微粒子之樹脂組合物所形成，前述微粒之含量為50~90質量%且平均粒徑為0.01~3.0μm，第1支撐薄片11具備支撐基材111及黏著劑層112，樹脂組合物層10是積層在黏著劑層112側的面上。

Description

樹脂薄片、半導體裝置及樹脂薄片的使用方法
本發明是有關於一種使用在電子零件的密封之樹脂薄片、使用該樹脂薄片而製成之半導體裝置及該樹脂薄片的使用方法。
先前，在半導體裝置的製造方法，是使用具備將密封材形成為薄片狀之層(樹脂組合物層)之樹脂薄片，而進行將半導晶片之電子零件密封。例如，設置在基板上之電子零件積層樹脂薄片之樹脂組合物層在之後，使該樹脂組合物層硬化，藉此將電子零件密封。
作為如上述的樹脂薄片，通常為了提升在其加工時、搬運時等之操作性，是使用具有將支撐薄片積層在樹脂組合物層的構成之樹脂薄片。例如，專利文獻1揭示一種樹脂薄片，其具備樹脂組合物層、及積層在該樹脂組合物層的雙面之支撐薄片。該支撐薄片之與樹脂組合物層接觸的面，被聚矽氧(silicone)系剝離劑剝離處理。又，專利文獻2揭示一種使用樹脂薄片之半導體裝置的製造方法，該樹脂薄片具備樹脂組合物層、及積層在該樹脂組合物的一面之作為支撐薄片之保護膜。在該製造方法，是將樹脂薄片之樹脂組合物層積層在半導晶片，使該樹脂組合物層熱硬化之後，將保護膜從使樹脂組合物層熱硬化而成之硬化層剝離。專利文獻2揭示一種一面經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜作為該保護膜。
又，如上述的樹脂薄片，因為通常在樹脂組合物層含有環氧樹脂等的熱硬化性樹脂、硬化促進劑等，所以容易成為儲存安定性較低之物，因此有必須冷藏保管之情況。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-126133號公報 [專利文獻2] 日本特開2016-96308號公報
[發明欲解決之課題]
在樹脂組合物層積層有支撐薄片之狀態下，將在樹脂薄片之樹脂組合物層熱硬化而形成硬化層時，將支撐薄片從該硬化層剝離變得困難。在此，專利文獻2的實施例揭示藉由使用一面經聚矽氧脫模處理的保護膜，能夠使將支撐薄片從硬化層剝離時的剝離力降低至預定範圍。
另一方面，上述樹脂薄片，依照使用無機填充材含量較高的樹脂組合物層之情況、樹脂成分的種類等，亦存在樹脂組合物層表面的黏著性(黏性)較小之物。使用經過如專利文獻1及2所揭示的聚矽氧系剝離劑處理之支撐薄片保護如此黏性較小的樹脂組合物層時，在樹脂薄片的搬運中、保管中、加工中等，在樹脂組合物層與支撐薄片的界面容易產生浮起。產生該浮起時，在樹脂薄片的加工時、搬運時等，有在樹脂組合物層產生缺損和裂紋等之問題。特別是樹脂薄片多半被冷藏保管，在如此被冷藏保管之情況，該浮起問題變得顯著。
又，近年來，亦研討使用樹脂薄片而製造晶圓級封裝(wafer level package)、面板級封裝(panel scale package)等。此種封裝的製造，是使用具有大面積之物作為樹脂薄片，但是樹脂薄片的尺寸成為較大面積時，上述浮起特別容易產生。
如上述，在先前的樹脂薄片，難以兼具容易地將支撐薄片從硬化層剝離、及抑制在樹脂組合物層與支撐薄片的界面產生浮起。
本發明是鑒於此種實際情況而進行，其目的是提供一種樹脂薄片，其即便在樹脂組合物層表面之黏性較小的情況，在樹脂組合物層與支撐薄片的界面亦不容易產生浮起，而且，即便是使用在樹脂組合物層熱硬化後，將支撐薄片從所形成的硬化層剝離之半導體裝置的製造方法時，亦可容易地將支撐薄片從該硬化層剝離。又，本發明是提供一種使用此種密封薄片而製造且具有良好品質之半導體裝置、及此種樹脂薄片的使用方法。 [用以解決課題之手段]
為了達成上述目的，本發明第1是提供一種樹脂薄片，其為使用在電子零件的密封之樹脂薄片，其特徵在於：前述樹脂薄片具備第1支撐薄片及積層在前述第1支撐薄片的一面之硬化性樹脂組合物層，前述樹脂組合物層是由含有熱硬化性樹脂及無機微粒子之樹脂組合物所形成，前述無機微粒子在前述樹脂組合物中之含量為50質量%以上、90質量%以下，而且前述無機微粒子的平均粒徑為0.01μm以上、3.0μm以下，前述第1支撐薄片具備支撐基材及積層前述支撐基材的一面側之黏著劑層，前述樹脂組合物層是積層在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層側的面上。(發明1)。
在上述發明(發明1)之樹脂薄片，第1支撐薄片具備支撐基材及黏著劑層，同時在該黏著劑層之與支撐基材為相反側的面為接觸硬化性樹脂組合物層，藉此第1支撐薄片成為良好地密著在硬化性樹脂組合物層之物，藉此，在硬化性樹脂組合物層與第1支撐薄片的界面不容易產生浮起，而且即便將第1支撐薄片從使硬化性樹脂組合物層熱硬化而成之硬化層剝離時，亦能夠容易地進行該剝離。
在上述發明(發明1)，其中前述樹脂組合物層，含有熱可塑性樹脂，前述熱可塑性樹脂在前述樹脂組合物中之含量，以1.0質量%以上、30質量%以下為佳(發明2)。
在上述發明(發明1、2)，其中前述黏著劑層以由丙烯酸系黏著劑所構成為佳(發明3)。
在上述發明(發明1~3)，其中將前述樹脂薄片在100℃加熱30分鐘，而且在180℃加熱60分鐘後之樹脂薄片，將前述第1支撐薄片從前述樹脂組合物層硬化而成之硬化層剝離時之剝離力(F12)，以0.5N/25mm以上、3.0N/25mm以下為佳(發明4)。
在上述發明(發明1~4)，其中在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層，在100℃、測定頻率設為1Hz時，儲存彈性模數以1×105 Pa以上為佳(發明5)。
在上述發明(發明1~5)，其中前述第1支撐薄片，較佳是使前述黏著劑層面貼附在銅箔，在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，在室溫對前述銅箔之黏著力為0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下，而且使前述黏著劑層面貼附在聚醯亞胺膜，在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，在室溫對前述聚醯亞胺膜之黏著力為0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下，(發明6)。
在上述發明(發明1~6)，其中在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層，5%重量減少溫度以250℃以上為佳(發明7)。
在上述發明(發明1~7)，其中前述支撐基材，以玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以上之樹脂製支撐基材為佳(發明8)。
在上述發明(發明1~8)，其中前述樹脂薄片，較佳為具備積層在前述樹脂組合物層之與前述第1支撐薄片為相反側的面之第2支撐薄片 (發明9)。
本發明第2是提供一種半導體裝置，其特徵在於：具備使在上述樹脂薄片(發明1~9)之樹脂組合物層硬化而成之硬化層(發明10)。
本發明第3是提供一種樹脂薄片的使用方法，其為上述樹脂薄片(發明1~9)的使用方法，其特徵在於，具備：使前述樹脂組合物層硬化而得到硬化層之步驟；及在前述樹脂組合物層硬化之後，將前述第1支撐薄片從前述硬化層剝離之步驟(發明11)。 [發明效果]
使用本發明的樹脂薄片時，即便在樹脂組合物層的表面之黏性較小之情況，在樹脂組合物層與支撐薄片的界面亦不容易產生浮起，而且即便使用在樹脂組合物層熱硬化後，將支撐薄片從所形成的硬化層剝離之半導體裝置的製造方法之情況，亦可容易將支撐薄片從該硬化層剝離。又，藉由使用本發明的樹脂薄片，能夠製造具有良好品質之半導體裝置。
[用以實施發明之形態]
以下，說明本發明的實施形態。 [樹脂薄片] 第1圖是顯示在本實施形態之樹脂薄片1的剖面圖。如第1圖所示，本實施形態之樹脂薄片1具備第1支撐薄片11、及積層在第1支撐薄片11的一面之硬化性樹脂組合物層10 (以下，有稱為「樹脂組合物層10」之情形)。第1支撐薄片11具備支撐基材111、及積層在支撐基材111的一面側之黏著劑層112，樹脂組合物層10是積層在第1支撐薄片11之黏著劑層112側的面上。又，如第1圖所示，本實施形態之樹脂薄片1以具備積層在樹脂組合物層10之與第1支撐薄片11為相反側的面之第2支撐薄片12為佳。
在本實施形態之樹脂薄片1，因為樹脂組合物層10是積層在第1支撐薄片11之黏著劑層112側的面上，所以成為在樹脂組合物層10與第1支撐薄片11的界面不容易產生浮起之物。特別是，即便在樹脂組合物層10表面的黏性較小之情況，亦能夠有效地抑制在樹脂組合物層10與第1支撐薄片11的界面產生浮起。藉此，在本實施形態之樹脂薄片1，在保管時、搬運時等，能夠抑制在樹脂組合物層10產生缺損和裂紋。
又，在本實施形態之樹脂薄片1，藉由樹脂組合物層10是積層在第1支撐薄片11之黏著劑層112側的面上，即便使樹脂組合物層10熱硬化而形成硬化層之情況，亦能夠將第1支撐薄片11容易地從該硬化層剝離。
1.硬化性樹脂組合物層 在本實施形態之樹脂組合物層10，是由含有熱硬化性樹脂、及無機微粒子之樹脂組合物所形成。在此，無機微粒子的在樹脂組合物中之含量為50質量%以上、90質量%以下，無機微粒子的平均粒徑為0.01μm以上、3.0μm以下。又，樹脂組合物層10為具有硬化性之物，能夠藉由使樹脂組合物層10硬化而形成硬化層。又，使樹脂組合物層10硬化而成之硬化層，以顯示絕緣性為佳。藉由該硬化層為顯示絕緣性，在所得到的半導體裝置，能夠抑制短路等的不良，且得到優異的性能。
(1)熱硬化性樹脂 作為熱硬化性樹脂，沒有特別限定，可舉出，例如，環氧樹脂、酚樹脂(phenol resin)、萘酚(naphthol)系樹脂、活性酯系樹脂、苯并㗁嗪(benzoxazine)系樹脂、氰酸酯系樹脂等，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
作為上述環氧樹脂，能夠使用習知的各種環氧樹脂，具體而言，可舉出雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基酚醛清漆(phenyl novolac)、甲酚酚醛清漆等酚類的環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的環氧丙基醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的環氧丙基醚；使用環氧丙基取代鍵結在苯胺三聚異氰酸酯(aniline isocyanurate)等的氮原子之活性氫而成之環氧丙基型或烷基環氧丙基型(alkyl glycidyl)環氧樹脂；如乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧)環己基-5,5-螺(3,4-環氧)環己烷-間二㗁烷等之藉由將分子內的碳-碳雙鍵進行，例如，氧化，以導入環氧基而成之所謂脂環型環氧化物。此外，亦能夠使用具有聯苯骨架、三苯基甲烷骨架、二環己二烯骨架、萘骨架等之環氧樹脂。該等環氧樹脂能夠單獨1種或組合2種以上而使用。上述環氧樹脂之中，較佳為使用雙酚A的環氧丙基醚(雙酚A型環氧樹脂)、具有聯苯骨架之環氧樹脂(聯苯型環氧樹脂)、具有萘骨架之環氧樹脂(萘型環氧樹脂)或該等的組合。
作為上述酚樹脂，可舉出，例如，雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、聯苯酚(biphenol)、雙酚F、二烯丙基雙酚F、三苯基甲烷型苯酚、四酚(tetrakisphenol)、酚醛清漆型苯酚、甲酚酚醛清漆樹脂、具有聯苯基芳烷基骨架之苯酚(聯苯型苯酚)等，該等之中，以使用聯苯型苯酚為佳。該等酚樹脂能夠單獨1種或組合2種以上而使用。又，使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，從與環氧樹脂的反應性等之觀點而言，以併用酚樹脂為佳。
在樹脂組合物中之熱硬化性樹脂的含量，以10質量%以上為佳，特別是以15質量%以上為佳，進一步以20質量%以上為佳。又，該含量是以60質量%以下為佳，特別是以50質量%以下為佳，進一步以40質量%以下為佳。藉由該含量為10質量%以上，樹脂組合物層10的硬化為更充分，而能夠將電子零件更堅固地密封。又，藉由該含量為60質量%以下，能夠進一步抑制樹脂組合物層10在不意圖的階段產生硬化，而成為保存安定性更優異之物。又，熱硬化性樹脂的上述含量為固體成分換算値。
(2)熱可塑性樹脂 又，在本實施形態之樹脂組合物亦可含有熱可塑性樹脂。作為熱可塑性樹脂，可舉出，例如，苯氧基系樹脂、烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺酯系樹脂、聚酯胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯共聚物(SIS)等的苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂、橡膠系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碸系樹脂、氟系樹脂等，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。又，該等熱可塑性樹脂亦可為具有硬化性官能基之物。
在此，為了半導體裝置的小型化、配線的微細化等，而使用本實施形態之樹脂薄片1來製造半導體裝置時，是藉由將電極形成在樹脂組合物層10硬化而成之硬化層上，以設置再配線層之情形。特別是，採用後述之半加成法(semi-additive process)設置再配線層時，在除膠渣(desmear)處理的製程，是在暴露於鹼性溶液等嚴酷的條件下處理硬化層。此時，按照熱可塑性樹脂的種類，而有硬化層溶解、電鍍的剝離強度變低等配線形成性變差之情形。因此，從在硬化層之配線形成性的觀點而言，熱可塑性樹脂以不含有丙烯酸系樹脂為佳。作為熱可塑性樹脂，上述熱可塑性樹脂之中，較佳為使用選自由苯氧基系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂所組成群組之至少1種。
作為苯氧基系樹脂，沒有特別限定，可例示，例如，雙酚A型、雙酚F型、雙酚A/雙酚F共聚合型、雙酚S型、雙酚苯乙酮型(bisphenol acetophenone)、酚醛清漆型、茀型、二環戊二烯型、降莰烯型、萘型、蒽型、金剛烷型、萜烯型、三甲基環己烷型、聯苯酚型、聯苯型的苯氧基系樹脂等，該等之中，是以使用雙酚A型苯氧基樹脂為佳。苯氧基系樹脂的末端，可為酚性羥基、環氧基等的任一官能基。苯氧基系樹脂可單獨使用1種、或併用2種以上。
又，使用苯氧基系樹脂作為熱可塑性樹脂時，在樹脂組合物層10的表面之黏性有變小之傾向。但是，在本實施形態之樹脂薄片1，即便黏性如此地變小之情況，藉由將樹脂組合物層10積層在第1支撐薄片11之黏著劑層112側的面上，亦能夠有效地抑制在樹脂組合物層10與第1支撐薄片11的界面產生浮起。因此，使用苯氧基系樹脂作為熱可塑性樹脂之情況，本實施形態之樹脂薄片1亦為合適的。
熱可塑性樹脂的重量平均分子量(Mw)，以100以上為佳，特別是以1000以上為佳，進一步以1萬以上為特佳。又，熱可塑性樹脂的重量平均分子量(Mw)，以100萬以下為佳，特別是以80萬以下為佳，進一步以10萬以下為特佳。熱可塑性樹脂的重量平均分子量(Mw)為上述範圍時，更容易將樹脂組合物層10形成為薄片狀。而且，在本說明書之重量平均分子量，是使用凝膠滲透層析法(GPC)法而測定之標準聚苯乙烯換算値。
在樹脂組合物中之熱可塑性樹脂的含量，以1.0質量%以上為佳，特別是以3.0質量%以上為佳，進一步以5.0質量%以上為佳。又，該含量以30質量%以下為佳，特別是以20質量%以下為佳，進一步以10質量%以下為佳。藉由該含量為上述範圍，造膜性提升，而有效地提升所得到的樹脂薄片之操作性。又，熱可塑性樹脂的上述含量為固體成分換算値。
(3)無機微粒子 在本實施形態之樹脂組合物，含有50質量%以上、90質量%以下之無機微粒子。藉此，使樹脂組合物層10硬化而成之硬化層成為熱膨脹係數及吸水率較小之物，而且藉此，樹脂組合物層10成為發揮優異的柔軟性、流動性及接著性之物。從此種觀點而言，在樹脂組合物中之無機微粒子的含量，以55質量%以上為佳，特別是以60質量%以上為佳。又，該含量是以85質量%以下為佳，特別是以80質量%以下為佳。又，無機微粒子的上述含量為固體成分換算値。
又，無機微粒子的平均粒徑為0.01μm以上、3.0μm以下。藉由無機微粒子的平均粒徑為0.01μm以上，樹脂組合物層10容易具有優異的可撓性及柔軟性，同時容易將無機微粒子含量調整成為如上述範圍之較高的填充率。又，藉由無機微粒子的平均粒徑為3.0μm以下，將再配線層形成在樹脂組合物層10硬化而成之硬化層時，電極的形成性容易提升。從該等的觀點而言，無機微粒子的平均粒徑，以0.1μm以上為佳，特別是以0.3μm以上為佳。又，無機微粒子的平均粒徑，以1.0μm以下為佳。
而且，上述無機微粒子的最大粒徑，以0.05μm以上為佳，特別是以0.5μm以上為佳。又，該最大粒徑是以5μm以下為佳，特別是以3μm以下為佳。藉由無機微粒子的最大粒徑為上述範圍，容易將無機微粒子填充在樹脂組合物中，而能夠將硬化時的熱膨脹率抑制成為較低。又，如上述地將再配線層形成在樹脂組合物層10硬化而成之硬化層時，容易形成微細的配線。又，在本說明書之無機微粒子的平均粒徑及最大粒徑，是設為使用粒度分佈測定裝置(日機裝公司製、製品名「Nanotrack Wave-UT151」)，且依照動態光散射法所測得的値。
作為無機微粒子，能夠例示，例如，將二氧化矽、氧化鋁、玻璃、氧化鈦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽、莫來石(mu11ite)、堇青石(cordierite)等的複合氧化物、蒙脫石(montmori11onite)、膨潤石(smectite)、水鋁礦(boehmite)、滑石、氧化鐵、碳化矽、氧化鋯等作為材料之無機微粒子，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。該等之中，以使用二氧化矽微粒子、鋁微粒子為佳，特別是以使用二氧化矽微粒子為佳。
上述無機微粒子，以藉由表面處理劑進行表面處理為佳。藉此，在樹脂組合物中之無機微粒子具有優異的分散性和填充性。作為上述表面處理劑，可舉出環氧基矽烷、乙烯基矽烷、矽氮烷(silazane)化合物、烷氧基矽烷、矽烷偶合劑等。該等可單獨使用，亦可組合而使用。
上述表面處理劑的最小被覆面積，以小於550m2 /g為佳，特別是以520m2 /g以下為佳，進一步以450m2 /g以下為佳。另一方面，針對表面處理劑的最小被覆面積的下限值，是以100m2 /g以上為佳，特別是以200m2 /g以上為佳，進一步以300m2 /g以上為佳。藉由最小被覆面積為上述範圍，在樹脂組合物中之無機微粒子的分散性及填充性提升，同時電極對樹脂組合物層10硬化而成的硬化層之形成性提升。
又，所謂在表面處理劑之最小被覆面積(m2 /g)，是指使用1g的表面處理劑而形成單分子膜時之該單分子膜的面積(m2 )。最小被覆面積能夠從表面處理劑的構造等理論上地算出。
作為表面處理劑之適合的例子，可舉出3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等的環氧基矽烷及乙烯基三甲氧基矽烷等的乙烯基矽烷。
(4)硬化觸媒 在本實施形態之樹脂組合物，以進一步含有硬化觸媒為佳。藉此，能夠使熱硬化性樹脂的硬化反應有效地進行，而能夠使樹脂組合物層10良好地硬化。作為硬化觸媒，可舉出，例如，咪唑系硬化觸媒、胺系硬化觸媒、磷系硬化觸媒等。
上述硬化觸媒可單獨使用1種，亦可併用2種以上
在樹脂組合物中之硬化觸媒含量，以0.01質量%以上為佳，特別是以0.05質量%以上為佳，而且，以0.1質量%以上為佳。又，該含量，以2.0質量%以下為佳，特別是以1.5質量%以下為特佳，進一步以1.0質量%以下為佳。藉由該含量為上述範圍，能夠使樹脂組合物層10更良好地硬化。又，硬化觸媒的上述含量為固體成分換算値。
(5)其它成分 在本實施形態之樹脂組合物，亦可進一步含有可塑劑、安定劑、黏著賦予劑、著色劑、偶合劑、帶電防止劑、抗氧化劑等。
(6)樹脂組合物層的厚度 樹脂組合物層10的厚度，以20μm以上為佳，以50μm以上為更佳，特別是以60μm以上為佳，進一步以100μm以上為佳。又，該厚度是以1000μm以下為佳，以500μm以下為佳，進一步以300μm以下為佳。樹脂組合物層10的厚度為上述範圍時，能夠將電子零件密封且充分地埋入。
2.第1支撐薄片 在本實施形態之第1支撐薄片11，具備支撐基材111、及積層在支撐基材111的一面側之黏著劑層112。
支撐基材 上述支撐基材111，沒有特別限定，例如，較佳為使用樹脂膜、不織布、紙等作為支撐基材111。作為該樹脂膜的例子，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等的聚酯膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜等的聚烯烴膜；聚醯亞胺膜等。作為上述不織布的例子，可舉出使用嫘縈、丙烯酸酯、聚酯等的纖維之不織布。作為上述紙的例子，可舉出上等紙、玻璃紙(glassine paper)、含浸紙、塗層紙等。該等亦可以2種以上的積層體之方式使用。
構成上述樹脂膜之材料，其玻璃轉移溫度(Tg)，以50℃以上為佳，特別是以55℃以上為佳，進一步以60℃以上為佳；藉由該材料的玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以上，即便在將第1支撐薄片11積層在樹脂組合物層10之狀態下，使樹脂組合物層10熱硬化時，第1支撐薄片11也不容易熱變形，藉此，容易將第1支撐薄片11從硬化層剝離。又，針對上述玻璃轉移溫度(Tg)的上限，沒有特別限定，通常以500℃以下為佳，特別是以400℃以下為佳。又，上述玻璃轉移溫度(Tg)是使用示差掃描熱量分析儀而測得的値。
又，構成第1支撐薄片11之支撐基材111，為了提升與積層在其表面之黏著劑層112的密著性，亦可按照需要而對一面或雙面施行底漆處理、電暈處理、電漿處理、氧化處理等的表面處理。
上述支撐基材111的厚度，沒有特別限定，從樹脂薄片1的操作性之觀點而言，以10μm以上為佳，特別是以15μm以上為佳，進一步以20μm以上為佳。又，該厚度是以500μm以下為佳，特別是以100μm以下為佳，進一步以75μm以下為佳。
支撐基材111在150℃加熱30分鐘時，支撐基材111的MD方向及CD方向的熱收縮率是以2.0％以下為佳，特別是以1.5％以下為佳。針對支撐基材111的MD方向的熱收縮率之下限値及CD方向的熱收縮率之下限値，是越小越佳，通常以0.01％以上為佳。
又，較佳是支撐基材111的MD方向的熱收縮率及支撐基材111的CD方向的熱收縮率為滿足上述範圍，同時MD方向的熱收縮率與CD方向的熱收縮率之比(MD方向的熱收縮率/CD方向的熱收縮率)為0.03以上、30以下的範圍，特別是以0.5以上、5.0以下的範圍為佳。藉由支撐基材111為滿足該等範圍，在樹脂組合物層10的熱硬化後，在將第1支撐薄片11從所形成的硬化層剝離時，能夠防止所得到的半導體裝置產生翹曲。
所謂上述的MD方向，是指將支撐基材111採用長條製膜之情況，與搬運支撐基材111之方向並行之方向，所謂CD方向，是指在支撐基材111的同一面上與MD方向正交之方向。
上述熱收縮率，是設為依據JIS Z1712且使用以下的方法測得之值。將支撐基材111在MD方向、TD方向，各自切割為寬度20mm、長度20mm的大小，吊在150℃的熱風烘箱中加熱5分鐘。然後，測定加熱後的長度，將收縮的長度相對於原來的長度之比率(百分率)設為熱收縮率。
又，支撐基材111的熱收縮率，亦能夠藉由，例如，選擇能夠滿足所需要的範圍之材料、將支撐基材111進行退火處理、變更支撐基材111的成膜方法(例如，改變延伸方法)等而進行調整。
再者，較佳為選擇低分子量成分(寡聚物)不容易析出之物作為支撐基材111。藉由使用此種支撐基材111，能夠抑制因將樹脂組合物層10硬化時的加熱致使支撐基材111中所含有的寡聚物析出且移行至硬化層，而且能夠製造更高品質的半導體裝置。又，上述低分子量成分的析出程度，能夠藉由在100℃及60分鐘的條件下加熱樹脂薄片1，接著在170℃及60分鐘的條件下加熱後，將第1支撐薄片11從樹脂組合物層10硬化而成之硬化層剝離之後，藉由使用數位顯微鏡(觀察倍率500倍)觀察露出的該硬化層表面，確認有無源自低分子量成分之殘渣而判斷。
(2)黏著劑層 構成上述黏著劑層112之黏著劑，只要第1支撐薄片11對樹脂組合物層10顯示所需要的黏著性之物，就沒有特別限定。作為構成黏著劑層112之黏著劑的例子，能夠使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。
(2-1)丙烯酸系黏著劑 上述丙烯酸系黏著劑，沒有特別限制，較佳為使用含有(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)之黏著性組合物P而製造之黏著劑。又，在本說明書，所謂(甲基)丙烯酸酯，是意味著丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之雙方。其它類似用語亦同樣。
上述(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有烷基的碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯作為構成該聚合物之單體。藉此，所得到的黏著劑能夠顯現較佳的黏著性。
烷基的碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯，可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。作為上述(甲基)丙烯酸烷酯，從耐熱性的觀點而言，以使用烷基的碳數為6~10之(甲基)丙烯酸烷酯為佳，特別是以使用(甲基)丙烯酸2-乙基己酯為佳。
(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有10質量%以上之烷基的碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯作為構成該聚合物之單體單元，特別是，以含有50質量%以上為佳，以含有70質量%以上為更佳，含有85質量%以上為特佳，進一步以含有90質量%以上為佳。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有99質量%以下之烷基的碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷酯作為構成該聚合物之單體單元，特別是，以含有98質量%以下為佳，進一步以含有97質量%以下為佳。
又，(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有具有反應性官能基之單體(含反應性官能基的單體)作為構成該聚合物之單體。作為上述含反應性官能基的單體，較佳可舉出含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體等。該等含反應性官能基的單體可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。
(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有1質量%以上之含反應性官能基的單體作為構成該聚合物之單體單元，特別是，以含有2質量%以上為佳，進一步以含有3質量%以上為佳。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，較佳為含有30質量%以下之含反應性官能基的單體作為構成該聚合物之單體單元，以含有20質量%以下為更佳，以含有10質量%以下為特佳，進一步以含有7質量%以下為佳。
又，前述(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)亦可進一步含有其它單體作為構成該聚合物之單體。作為該其它單體，可舉出，例如，具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性丙烯醯胺、具有非交聯性3級胺基之(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。該等可單獨使用，亦可組合2種以上而使用。
再者，(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。
用以製造上述丙烯酸系黏著劑之黏著性組合物P，以進一步含有交聯劑(B)為佳，上述丙烯酸系黏著劑，較佳為使含有前述(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)及交聯劑(B)之黏著性組合物P交聯而成之物。
作為上述交聯劑(B)，只要是與(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)所具有的反應性官能基可進行反應之物即可，可舉出，例如，異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、胺系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、氮丙啶(aziridine)系交聯劑、肼系交聯劑、醛系交聯劑、㗁唑啉(oxazoline)系交聯劑、金屬烷氧化物(metal alkoxide)系交聯劑、金屬鉗合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、銨鹽系交聯劑等。又，交聯劑(B)能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
在黏著性組合物P中之交聯劑(B)的含量，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)100質量份，以0.1質量份以上為佳，以1質量份以上為更佳，特別是以2質量份以上為佳，進一步以3質量份以上為佳。又，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)100質量份，該含量以20質量份以下為佳，特別是以15質量份以下為佳，進一步以10質量份以下為佳。
(2-2)添加劑 構成上述黏著劑層112之黏著劑，能夠按照需要而添加通常所使用的各種添加劑，例如，折射率調整劑、帶電防止劑、黏著賦予劑、矽烷偶合劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、軟化劑、填充劑、光硬化劑、光聚合起始劑等。
(2-3)黏著劑層的物性等 黏著劑層112的厚度，以1μm以上為佳，特別是以5μm以上為佳，進一步以10μm以上為佳。又，該厚度以500μm以下為佳，特別是以100μm以下為佳，進一步以50μm以下為佳。
在100℃、測定頻率設為1Hz時，黏著劑層112之儲存彈性模數以1×105 Pa以上為佳。黏著劑層112具有如此的儲存彈性模數時，在使樹脂組合物層10硬化且形成硬化層後，能夠更容易地將第1支撐薄片11從該硬化層剝離，且能夠防止在硬化層表面殘留黏著劑之不良(所謂的黏著劑殘留物)。在100℃、測定頻率設為1Hz時，黏著劑層112的儲存彈性模數之上限沒有特別限定，以1×107 Pa以下為佳。又，上述儲存彈性模數是使用動態黏彈性測定裝置且依照扭轉剪切法所測得的値，測定方法的細節如後述實施例所記載。
第1支撐薄片11，在使黏著劑層112側的面貼附在銅箔，且在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，其在室溫對銅箔之黏著力以0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下為佳。又，使第1支撐薄片11的黏著劑層112側的面貼附在聚醯亞胺膜，且在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，其在室溫對聚醯亞胺膜之黏著力以0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下為佳。進行如此加熱之後的黏著力為上述範圍時，更容易將第1支撐薄片11從使樹脂組合物層10熱硬化而成之硬化層剝離。又，上述黏著力的測定方法的細節如後述實施例所記載。又，在本說明書，所謂室溫，是設為22℃以上、24℃以下的溫度。
從有效地抑制第1支撐薄片11被加熱之後從硬化層剝離時起因於黏著劑層112的劣化之黏著劑殘留物的觀點而言，黏著劑層112之5%重量減少溫度，以250℃以上為佳，以300℃以上為更佳。
3.第2支撐薄片 本實施形態之樹脂薄片1，較佳為具備積層在樹脂組合物層10之與第1支撐薄片11為相反側的面之第2支撐薄片12。本實施形態之樹脂薄片1具備第2支撐薄片12，藉由第1支撐薄片11與第2支撐薄片12，能夠從雙面保護樹脂組合物層10。藉此，能夠有效地抑制外觀上之問題、樹脂組合物層10產生缺損和裂紋等。
第2支撐薄片12，沒有特別限定，可舉出，例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜、聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜等的塑膠膜、上等紙、玻璃紙、含浸紙、塗層紙等的紙、不織布等。該等亦可以2種以上的積層體之方式使用。第2支撐薄片12亦可施行消光處理、電暈處理等的表面處理。
在第2支撐薄片12之與樹脂組合物層10的接觸面，亦可使用剝離劑進行剝離處理。作為該剝離劑，可舉出聚矽氧系剝離劑、醇酸系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、烯烴樹脂系剝離劑、丙烯酸系剝離劑及橡膠系剝離劑等。該等之中，以使用選自聚矽氧系剝離劑、醇酸系剝離劑之至少一種為佳，特別是，從防止在第2支撐薄片12與樹脂組合物層10之間產生浮起的觀點而言，以使用醇酸系剝離劑為佳。
又，第2支撐薄片12亦可在與樹脂組合物層10接觸側的面具備黏著劑層。該黏著劑層，可為與第1支撐薄片11所具備的黏著劑層112同樣之物。
第2支撐薄片12的厚度，沒有特別限制，通常為20μm以上、250μm以下。
4.樹脂薄片的物性 將第1支撐薄片11從硬化前的樹脂組合物層10剝離時之剝離力(F11)，以0.1N/25mm以上為佳，特別是以0.2N/25mm以上為佳，進一步以0.3N/25mm以上為佳。又，該剝離力(F11)是以3.0N/25mm以下為佳，特別是以2.0N/25mm以下為佳，進一步以0.5N/25mm以下為佳。藉由上述剝離力(F11)為0.1N/25mm以上。在樹脂薄片1的保管時(特別是冷藏保管時)、操作時等，能夠有效地抑制第1支撐薄片11與樹脂組合物層10的浮起之發生。又，藉由上述剝離力(F11)為3.0N/25mm以下，將第1支撐薄片11剝離時，能夠有效地抑制樹脂組合物層10產生缺損和裂紋。又，上述剝離力(F11)的測定方法如後述試驗例所揭示。
又，在將樹脂薄片於100℃加熱30分鐘且於180℃加熱60分鐘後之樹脂薄片，將第1支撐薄片11從使樹脂組合物層10熱硬化而成之硬化層剝離時的剝離力(F12)，以0.5N/25mm以上為佳，特別是以0.7N/25mm以上為佳，進一步以0.8N/25mm以上為佳。又，該剝離力(F12)是以3.0N/25mm以下為佳，特別是以2.0N/25mm以下為佳，進一步以1.5N/25mm以下為佳。藉由上述剝離力(F12)為0.5N/25mm以上，半導體裝置製造時，能夠抑制第1支撐薄片11在樹脂組合物層10的熱硬化前後產生不意圖的剝離，而且能夠藉由第1支撐薄片11而更良好地保護所得到的硬化層之表面。又，藉由上述剝離力(F12)為3.0N/25mm以下，即便將第1支撐薄片11加熱之後，亦可容易地將第1支撐薄片11從使樹脂組合物層10硬化而成之硬化層表面良好地剝離，且能夠有效地抑制樹脂組合物層10產生缺損、裂紋等。又，上述剝離力(F12)的測定方法如後述試驗例所揭示。
又，本實施形態之樹脂薄片1具備第2支撐薄片12時，將第2支撐薄片12從硬化前的樹脂組合物層10剝離時的剝離力(F2)，較佳為滿足下式(1)。 F11/F2＞1 ･･･(1) 藉此，可抑制在第1支撐薄片11與樹脂組合物層10之間產生浮起，同時可容易地將第2支撐薄片從樹脂組合物層1012剝離。又，剝離力(F2)以0.05N/100mm以上為佳，特別是以0.10N/100mm以上為佳。又，該剝離力(F2)以2.0N/100mm以下為佳。又，上述剝離力(F2)的測定方法如後述試驗例所揭示。
5.樹脂薄片的製造方法 本實施形態之樹脂薄片1的製造方法，沒有特別限定，例如，將含有上述樹脂組合物、及按照需要進一步含有的溶劑或分散介質之塗佈液塗佈在第2支撐薄片12上，且使其乾燥(按照需要使其加熱交聯)，以形成樹脂組合物層10。隨後，能夠藉由將另外準備的第1支撐薄片11之黏著劑層112側的面貼合在該樹脂組合物層10之與第2支撐薄片12為相反側的面來製造。又，第1支撐薄片11的製造方法亦沒有特別限定，能夠使用習知的方法而製造。
作為塗佈方式，可舉出旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、輥式刮刀塗佈法、刮板塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等習知的方法。
又，作為上述溶劑，可舉出甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮的有機溶劑等。
6.樹脂薄片的用途 本實施形態之樹脂薄片1，能夠利用在電子零件的密封。更具體而言，是在扇出(fan-out)型晶圓級封裝、扇出型面板級封裝等之半導體封裝等的半導體裝置的製造方法，能夠適合利用於電子零件的密封等。
[半導體裝置] 本實施形態之半導體裝置，具備使本實施形態之樹脂薄片1的樹脂組合物層10硬化而成之硬化層。特別是，本實施形態之半導體裝置，具備被該硬化層密封而成之電子零件。作為此種半導體裝置的例子，可舉出扇出型晶圓級封裝、扇出型面板級封裝等之半導體封裝。該等半導體裝置，能夠使用本實施形態之樹脂薄片1，且藉由後述方法而製造。
如前述，本實施形態之樹脂薄片1，不容易在樹脂組合物磨10與第1支撐薄片11的界面產生浮起，同時可容易地將第1支撐薄片11從使樹脂組合物層10熱硬化而成之硬化層剝離。因此，使用該樹脂薄片1而製造之本實施形態的半導體裝置，是藉由使用前述本實施形態之樹脂薄片1所製造而成為具有良好品質之物。
[樹脂薄片的使用方法] 本實施形態之樹脂薄片1，能夠使用在，例如，半導體裝置的製造。以下說明具備藉由實施形態之樹脂薄片1密封而成的電子零件之半導體裝置的製造方法。第2圖及第3圖，是顯示說明該製造方法的一個例子之剖面圖。首先，如第2圖(a)所示，作為準備步驟，將電子零件2設置在暫時固定材8的一面上。將電子零件2設置在暫時固定材8上之手法，沒有特別限定，能夠採用通常的手法。作為暫時固定材8，只要能夠將電子零件2暫時固定在該暫時固定材8上，就沒有特別限定，可為由基材及積層在該基材之黏著劑層所構成之黏著薄片，亦可為具有自黏著性之基材，亦可為硬質支撐板，或者亦可為由硬質支撐板及積層在該硬質支撐板上之黏著劑層所構成之積層構件。
作為上述電子零件2，只要通常當作密封對象之電子零件，就沒有特別限定，可舉出，例如，半導晶片等。而且，上述電子零件2亦可為在中介層(interposer)的預定位置載置有半導晶片之物。此時，在被如此地載置之狀態下，將該半導晶片等與中介層的至少一部分同時密封。作為上述中介層的例子，可舉出導線框架、聚醯亞胺帶、印刷基板等。而且，亦可在暫時固定材8上之電子零件2周圍，設置由銅等的金屬所構成之框架、樹脂製框架等的框架(亦稱為框狀構件)。此時，亦可將該電子零件2、與該框狀構件的至少一部分同時密封。上述框狀構件，通常由1個以上的開口部及框狀部所構成，該開口部是由在厚度方向貫穿的孔穴所構成；而該框狀部是由銅等和樹脂等所構成。
使用上述框狀構件時，在準備步驟，例如，將上述框狀構件載置在暫時固定材8的一面上之後，將電子零件2載置在上述框狀構件的開口部的位置。藉此，在隨後的樹脂組合物層積層步驟，能夠抑制樹脂組合物層10往開口部之外滲出，且能夠使所得到的半導體裝置之厚度成為均勻，而且能夠抑制硬化層產生翹曲，且能夠抑制所得到的半導體裝置產生翹曲。
接著，如第2圖(b)所示，作為樹脂組合物層積層步驟，將在本實施形態之樹脂薄片1之樹脂組合物層10積層在暫時固定材8之設置有電子零件2之面側。藉由該積層，設置在暫時固定材8上之電子零件2被樹脂組合物層10覆蓋。積層樹脂組合物層10時，較佳為以在電子零件2的周圍不產生空間之方式進行積層。樹脂薄片1進一步具備第2支撐薄片12時，將第2支撐薄片12從樹脂薄片1剝離而露出之樹脂組合物層10的露出面，以覆蓋電子零件2的方式積層為佳。積層樹脂組合物層10後，亦可立即第1支撐薄片11從樹脂組合物層10剝離，但是如後述，較佳為在樹脂組合物層10硬化之後才進行剝離。上述樹脂組合物積層步驟，能夠使用先前習知的貼合裝置，且在先前習知的積層條件下進行。
然後，如第2圖(c)所示，作為硬化步驟，使樹脂組合物層10硬化而形成硬化層10’。該硬化，較佳為藉由將樹脂組合物層10加熱而進行。藉由該硬化，能夠得到具備硬化層10’、及被硬化層10’密封的電子零件2之密封體4。
上述藉由加熱之樹脂組合物層10的硬化，例如，以在100℃~240℃加熱15分鐘~300分鐘為佳。又，藉由上述加熱使樹脂組合物層10硬化，較佳為藉由複數次加熱處理而階段地進行。
然後，如第2圖(d)所示，將暫時固定材8從密封體4剝離之同時，將第1支撐薄片11從密封體4剝離。
然後，如第3圖(a)所示，作為絕緣膜形成步驟，使用通常的手法將絕緣膜9形成在藉由剝離暫時固定材8而露出之密封體4的面。
然後，使用先前習知的任意方法將電極形成在絕緣膜9。以下，說明使用半加成法而形成之例子。
如第3圖(b)所示，形成將絕緣膜9貫穿之孔穴5。具體而言，形成貫穿從在絕緣膜9之與電子零件2為相反側的面起、至絕緣膜9與電子零件2的界面為止之孔穴5。在第3圖(b)的剖面圖，是顯示對1個電子零件2形成有2個孔穴5之情況。孔穴5的形成能夠使用通常的方法來進行。
然後，作為除膠渣處理步驟，將積層形成有孔穴5的絕緣膜9之密封體4暴露於鹼性溶液。該步驟能夠使用先前習知的通常手法而進行。
最後，如第3圖(c)所示，作為電極形成步驟，將電極6形成在孔穴5內。該電極6通過孔穴5而電性連接至電子零件2。電極6的形成能夠使用通常的手法而進行。藉由以上，能夠得到具備在本實施形態的樹脂薄片1之樹脂組合物層10硬化而成的硬化層10’之半導體裝置。
又，在第3圖(b)及第3圖(c)，是說明將電極形成在絕緣膜9之例子，但是亦可對硬化層10’及絕緣膜9的任一者進行孔穴形成及電極形成，或者亦可對硬化層10’及絕緣膜9的雙方進行孔穴形成及電極形成。
依照本實施態樣之樹脂薄片1的使用方法，即便將樹脂薄片1冷藏保管時，亦能夠有效地抑制在樹脂組合物層10與支撐薄片的界面產生浮起，同時能夠容易地進行將第1支撐薄片11從硬化層10’剝離，其結果能夠使產率提高，且能夠製造高品質的扇出型晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Package；FOWLP)和扇出型面板級封裝(Fan Out Panel Level Package；FOPLP)。
以上已說明的實施形態，是為了容易理解本發明而記載，不是為了限定本發明而記載。因而，在上述實施形態所揭示的各要素，其宗旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更和均等物。 [實施例]
以下，藉由實施例及試驗例等而進一步詳細地說明本發明，但是本發明完全不被下述試驗例等限定。
[實施例1] 第1支撐薄片的製造 將丙烯酸酯共聚物(丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%之共聚物) 40質量份、作為黏著賦予劑之兩末端羥基氫化聚丁二烯(日本曹達公司製、製品名「GI-1000」) 5質量份、作為交聯劑之具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族系異氰酸酯(日本POLYURETHANE工業公司製、製品名「CORONATE HX」) 3.5質量份，在甲基乙基酮中混合，以調製固體成分濃度為30質量%之黏著劑組合物的塗佈液。
然後，將所調製之黏著劑組合物的塗佈液使用輥塗佈器，塗佈在使用聚矽氧系剝離層將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面進行剝離處理後的剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET382150」、厚度：38μm)之剝離處理面，藉由在90℃進行加熱90秒鐘，接著在115℃進行加熱90秒鐘使塗膜乾燥之後，藉由貼合在作為支撐基材之透明聚對苯二甲酸乙二酯膜(東洋紡公司製、製品名「PET50 A-4300」、厚度：50μm、玻璃轉移溫度Tg：67℃、MD方向熱收縮率：1.2%、CD方向熱收縮率：0.6%)的一面，而在該黏著劑層側的面積層有剝離膜之狀態下，製造由厚度50μm的丙烯酸系黏著劑所構成的黏著劑層、及支撐基材所構成之第1支撐薄片。
又，將測定頻率設為1Hz時，所得到的黏著劑層在100℃之儲存彈性模數為2.36×105 pa。又，所得到的第1支撐薄片對銅箔之黏著力為1.2N/25mm。又，所得到的第1支撐薄片對聚醯亞胺膜之黏著力為1.1N/25mm。又，黏著劑層的5重量%減少溫度為304℃。該等物性値是使用以下的方法所測得的值。
(儲存彈性模數的測定) 針對積層至厚度合計成為3mm之黏著劑層，沖切直徑8mm的圓柱體(厚度3mm)且將其作為試樣。針對該試樣，依據JIS K7244-6：1999，藉由使用黏彈性測定器(REOMETRIC公司製、製品名「DYNAMIC ANALYZER」)之扭轉剪切法，在測定頻率：1Hz及測定溫度：100℃的條件下測定儲存彈性模數(Pa)。
(對銅箔及聚醯亞胺膜之黏著力) 將第1支撐薄片裁斷成為長度100mm、寬度25mm，將剝離膜剝離後，作為試片，在0.5MPa、50℃加壓20分鐘而貼附在銅箔之後，在100℃及30分鐘的條件下進行加熱，接著180℃及60分鐘的條件進行加熱，隨後在標準環境下(23℃、50%RH)放置24小時。隨後，在標準環境下(23℃、50%RH)，使用拉伸試驗機(島津製作所公司製、製品名「AUTOGRAPH AG-IS」)，以180°的剝離角度、300mm/1分鐘的剝離速度，將第1支撐薄片從銅箔剝離，且測定黏著力(mN/25mm)。又，上述對聚醯亞胺膜之黏著力，是將第1支撐薄片的貼附對象從銅箔變更成為醯亞胺膜，除此以外，使用與上述同樣的黏著力測定方法而測定。
(5%重量減少溫度的測定) 針對黏著劑層，是使用示差熱･熱重量同時測定裝置(島津製作所公司製、製品名「DTG-60」)，將流入氣體設為氮氣，以氣體流入速度100ml/min、升溫速度20℃/min，使其從40℃升溫至550℃為止，而進行熱重量測定(依據JIS K7120「塑膠的熱重量測定方法」)。基於所得到的熱重量曲線，求取相對於在溫度100℃的質量之質量減少5%之溫度(5%重量減少溫度)。
(2)硬化性樹脂組合物層的形成 將作為熱可塑性樹脂之雙酚A型苯氧基樹脂(三菱化學公司製、製品名「jER1256」) 5.1質量份(固體成分換算，以下相同)、作為熱硬化性樹脂之雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製、製品名「jER828」) 5.7質量份、作為熱硬化性樹脂之聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製、製品名「NC-3000-L」) 5.7質量份、作為萘型環氧樹脂(DIC公司製、製品名「HP-4700」) 4.1質量份、作為熱硬化性樹脂之聯苯型苯酚(明和化成公司製、製品名「MEHC-7851-SS」) 14.1質量份、作為咪唑系硬化觸媒之2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成公司製、製品名「2E4MZ」) 0.1質量份、作為無機微粒子之環氧基矽烷處理二氧化矽填料[將二氧化矽填料(ADMATECHS公司製、製品名「SO-C2」、平均粒徑：0.5μm、最大粒徑：2μm、形狀：球狀)，使用3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學公司製、製品名「KBM-403」、最小被覆面積：330m2 /g)進行表面處理而成之物] 65質量份，在甲基乙基酮中混合，而得到固體成分濃度為40質量%之樹脂組合物的塗佈液。
將如上述所得到的塗佈液，塗佈在作為第2支撐薄片之將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面藉由醇酸系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「PET38AL-5」、厚度：38μm)的剝離處理面，藉由將所得到的塗膜乾燥，以得到厚度200μm的硬化性樹脂組合物層與第2支撐薄片之積層體。
(3)樹脂薄片的製造 將剝離膜從在上述步驟(1)所製造的第1支撐薄片剝離，藉由將露出後之黏著劑層的露出面、與在上述步驟(2)所製造的積層體之硬化性樹脂組合物層側的面貼合，而得到將第1支撐薄片、硬化性樹脂組合物層、及第2支撐薄片依照順序積層而成之樹脂薄片。
[實施例2] 使用將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面藉由非聚矽氧系剝離層進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET38X」、厚度：38μm)作為第2支撐薄片，除此以外，與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[比較例1] 使用將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面藉由聚矽氧系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET3811」、厚度：38μm)作為第1支撐薄片，使用將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面藉由聚矽氧系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET381031」、厚度：38μm)作為第2支撐薄片，除此以外，與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[比較例2] 使用雙面並未藉由剝離劑進行剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度：38μm)作為第1支撐薄片，同時使用將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面藉由聚矽氧系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET381031」、厚度：38μm)作為第2支撐薄片，除此以外，與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[試驗例1] (熱硬化後的剝離性之評價) 將實施例及比較例所製造的樹脂薄片，裁斷成為500mm×400mm的大小。隨後，藉由將第2支撐薄片從樹脂薄片剝離，將露出的硬化性樹脂組合物層積層在銅板之後，在100℃加熱30分鐘，而且在180℃加熱60分鐘，以使硬化性樹脂組合物層硬化。隨後，將硬化性樹脂組合物層硬化而成之硬化層冷卻至室溫之後，將第1支撐薄片從該硬化層剝離。此時，針對剝離的狀況，基於以下的基準評價熱硬化後的剝離性。將結果顯示在表1。 A：能夠將第1支撐薄片剝離。 B：無法將第1支撐薄片剝離。
[試驗例2] (保管時的浮起之評價) 將實施例及比較例所製造的樹脂薄片裁斷成為500mm×400mm的大小，在5℃的環境下保管1星期之後，確認在硬化性樹脂組合物層與第1支撐薄片的界面之浮起的產生、及在硬化性樹脂組合物層與第2支撐薄片的界面之浮起的產生，而且基於以下的基準評價保管時之浮起。將結果顯示在表1。 A：在硬化性樹脂組合物層與第1支撐薄片的界面、及在硬化性樹脂組合物層與第2支撐薄片的界面之雙方均不產生浮起。 AB：在硬化性樹脂組合物層與第1支撐薄片的界面不產生浮起，但是在硬化性樹脂組合物層與第2支撐薄片的界面產生浮起。 B：在硬化性樹脂組合物層與第1支撐薄片的界面、及在硬化性樹脂組合物層與第2支撐薄片的界面之雙方均產生浮起。
[試驗例3] (剝離力的測定) 針對實施例1及2所製造的樹脂薄片，使用下述的方法，測定將第1支撐薄片從硬化前的樹脂組合物層剝離時的剝離力(F11)、將第1支撐薄片從使樹脂組合物層熱硬化而成之硬化層剝離時之剝離力(F12)、及將第2支撐薄片從硬化前的樹脂組合物層剝離時的剝離力(F2)。將結果顯示在表1。
剝離力(F11)的測定 將實施例1及2所製造的樹脂薄片切割成為寬度25mm、長度250mm。然後，將第2支撐薄片剝離，將露出後的硬化性樹脂組合物層之露出面使用雙面膠帶貼合在不鏽鋼板而製造測定試樣。然後，依據JIS Z0237；2009，使用萬能拉伸試驗機(島津製作所公司製AUTOGRAPH)，在23℃、相對濕度50%的環境下，以剝離速度30mm/分鐘、剝離角度180°將第1支撐薄片從硬化性樹脂組合物層剝離，而測定其剝離力(N/25mm)作為剝離力(F11)。
(2)剝離力(F12)的測定 將與上述(1)同樣地進行而製造的測定試樣，藉由在100℃加熱30分鐘，而且在180℃加熱60分鐘，以使硬化性樹脂組合物層硬化。隨後，將硬化性樹脂組合物層硬化而成之硬化層冷卻至室溫為止。針對冷卻後的測定試樣，與上述(1)同樣地進行，而測定剝離力(N/25mm)作為剝離力(F12)。
(3)剝離力(F2)的測定 將實施例1及2所製造的樹脂薄片切割成為寬度100mm、長度100mm。然後，依據JIS K6854-3：1999，在23℃、相對濕度50%的環境下，以剝離速度30mm/分鐘進行T形剝離，而將第2支撐薄片從硬化性樹脂組合物層剝離，測定此時的剝離力(N/100mm)作為剝離力(F2)。
[表1]
如表1所示，在實施例之樹脂薄片，即便熱硬化後，亦能夠將第1支撐薄片從硬化層良好地剝離。又，在實施例之樹脂薄片，能夠抑制保管時在第1支撐薄片與硬化性樹脂組合物層之間產生浮起。另一方面，比較例1之樹脂薄片在保管時產生浮起。又，比較例2之樹脂薄片，在樹脂組合物層的熱硬化後，無法將支撐薄片從所形成的硬化層剝離。 [產業上之可利用性]
本發明之樹脂薄片，能夠適合利用在扇出型晶圓級封裝和扇出型面板級封裝之半導體裝置的製造。
1‧‧‧樹脂薄片
10‧‧‧硬化性樹脂組合物層
10’‧‧‧硬化層
11‧‧‧第1支撐薄片
111‧‧‧支撐基材
112‧‧‧黏著劑層
12‧‧‧第2支撐薄片
2‧‧‧電子零件
4‧‧‧密封體
5‧‧‧孔穴
6‧‧‧電極
8‧‧‧暫時固定材
9‧‧‧絕緣膜
第1圖是本發明的一實施形態之樹脂薄片之剖面圖。 第2圖是說明本實施形態之樹脂薄片的使用方法之剖面圖。 第3圖是說明本實施形態之樹脂薄片的使用方法之剖面圖。

Claims (11)

  1. 一種樹脂薄片，其為使用在電子零件的密封之樹脂薄片，其特徵在於： 前述樹脂薄片具備第1支撐薄片、及積層在前述第1支撐薄片的一面之硬化性樹脂組合物層， 前述樹脂組合物層由含有熱硬化性樹脂及無機微粒子之樹脂組合物所形成， 前述無機微粒子在前述樹脂組合物中之含量為50質量%以上、90質量%以下， 前述無機微粒子的平均粒徑為0.01μm以上、3.0μm以下， 前述第1支撐薄片具備支撐基材、及積層前述支撐基材的一面側之黏著劑層， 前述樹脂組合物層是積層在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層側的面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，前述樹脂組合物層含有熱可塑性樹脂，前述熱可塑性樹脂在前述樹脂組合物中之含量為1.0質量%以上、30質量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，前述黏著劑層由丙烯酸系黏著劑所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，將前述樹脂薄片在100℃加熱30分鐘，而且在180℃加熱60分鐘後之樹脂薄片，將前述第1支撐薄片從前述樹脂組合物層硬化而成之硬化層剝離時之剝離力(F12)，為0.5N/25mm以上、3.0N/25mm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層，在100℃、將測定頻率設為1Hz時，儲存彈性模數為1×105 Pa以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，前述第1支撐薄片，使前述黏著劑層面貼附在銅箔，在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，在室溫對前述銅箔之黏著力為0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下，而使前述黏著劑層面貼附在聚醯亞胺膜，在100℃及30分鐘的條件下加熱，接著在180℃及60分鐘的條件下加熱之後，在室溫對前述聚醯亞胺膜之黏著力為0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，在前述第1支撐薄片之前述黏著劑層，5%重量減少溫度為250℃以上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，前述支撐基材是玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以上之樹脂製支撐基材。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中，前述樹脂薄片具備積層在前述樹脂組合物層之與前述第1支撐薄片為相反側的面之第2支撐薄片。
  10. 一種半導體裝置，其特徵在於：具備使如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之樹脂薄片之樹脂組合物層硬化而成之硬化層。
  11. 一種樹脂薄片的使用方法，其為如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之樹脂薄片的使用方法，其特徵在於，具備： 使前述樹脂組合物層硬化，而得到硬化層之步驟；及 在前述樹脂組合物層硬化之後，將前述第1支撐薄片從前述硬化層剝離之步驟。
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