TW201907420A - 電磁波吸收纜線 - Google Patents

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Abstract

本發明的電磁波吸收纜線，具有電磁波吸收帶、絕緣層及電磁波反射層，該電磁波吸收帶被螺旋狀地捲繞在絕緣性內皮的周圍上，該絕緣性內皮包圍導線，電磁波吸收帶是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜所構成，在各電磁波吸收薄膜的金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡，各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角θs是在30～90跡交叉，電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2與縱向重疊量D3的合計(D2+D3)是電磁波吸收帶的縱向寬度D的30～70%。

Description

電磁波吸收纜線
本發明關於一種具有高電磁波吸收能力之電磁波吸收纜線。
電磁波不僅會從電器用品和電子機器的纜線放射出來，周圍的電磁波也會侵入纜線，從而使雜訊混入訊號中。為了防止來自纜線的電磁波的放射及朝向纜線之電磁波的侵入，在先前的纜線上藉由金屬網或金屬箔來實行遮蔽。例如日本特開平11-185542號公報，揭露一種附加有薄膜磁性體遮蔽之纜線，其在複數條訊號線的周圍施加絕緣帶，並在該絕緣帶上捲繞地附加帶子，該帶子是將薄膜的高導磁率材料(高導磁合金等)積層在導電性高的金屬箔(銅箔等)上而成，進一步在該帶子上施加絕緣體。但是，卻會有不能夠完全地遮蔽高頻雜訊這樣的問題，因而取代電磁波遮蔽而提出一種藉由電磁波吸收來防止電磁波的放射和侵入的技術。
日本特開2005-259385號公報，揭露一種通訊用纜線，其具備：複數條第一雙絞線，其藉由橡膠皮膜來使2條金屬芯線電性絕緣；第一包覆材，其包覆第一雙絞線；複數條第二雙絞線，其藉由橡膠皮膜來使2條金屬芯線電性絕緣；第二包覆材，其包覆第二雙絞線；及，第二雙絞線的外側的金屬網組和絕緣體層。第一包覆材和第二包覆材的任一種都具有由磁性體層與導電體層所構成的二層結構。磁性體層，例如是由利用黏合劑來結合非晶質合金微粒子而成的片材所構成；導電體層，例如是由利用黏合劑來結合銀微粒子而成的片材所構成。但是，在此通訊用纜線中，使用具有由磁性體層與導電體層所構成之二層結構的包覆材，因此纜線整體只好變粗，又會有高價的缺點。
日本特開2009-71266號公報，揭露一種通訊用纜線，其具有利用絕緣包覆來包住通訊線或電力線之結構，其在絕緣包覆內具有利用電磁波吸收/遮蔽用薄膜來捲繞電線或纜線的結構，該電磁波吸收/遮蔽用薄膜具有電磁波遮蔽層和電磁波吸收層。作為電磁波遮蔽層，舉例有藉由將鋁箔或銅箔積層在聚合物薄膜上、或將Al或Cu蒸鍍在聚合物薄膜上而形成的厚度17～70μm的電磁波遮蔽薄膜。作為電磁波吸收層，舉例有藉由塗佈有金屬碎箔(metal flake)及/或含有可吸收電磁波的Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Cr合金粉末、非晶質金屬粉末等之塗料而成的厚度10～100μm的電磁波吸收薄膜。但是，電磁波吸收/遮蔽用薄膜不僅是成為電磁波遮蔽層和電磁波吸收層的二層結構，其中任一層都是比較厚的層體，因此纜線整體只好變粗，又會成為高價。
纜線大多在複雜構造的電器用品和電子機器內進行配線，所以較佳是盡可能變細。但是，如果是上述先前技術的具有電磁波遮蔽層和電磁波吸收層的兩方之構造，則難以進行纜線的細徑化。除此之外，如果成為電磁波遮蔽層和電磁波吸收層的二層結構，則會有纜線整體高價化的問題。
[發明所欲解決的問題] 因此，本發明的目的在於提供一種低價格的電磁波吸收纜線，其能夠有效地抑制電磁波的放射和吸收，並容易進行細徑化。
[解決問題的技術手段] 鑒於上述目的而深入研究的結果，本發明人發現(1)在塑膠薄膜的一面上設置的單層或多層的金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡而構成的2片電磁波吸收薄膜，將該2片電磁波吸收薄膜在寬度方向上部分地重疊而形成電磁波吸收帶；(2)將前述電磁波吸收帶捲繞在電源線或訊號線(統稱為「導線」)的周圍；(3)將前述電磁波吸收帶中的一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉；及，(4)將前述電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2 (僅稱為「薄膜的縱向重疊量D2 」)與前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 (僅稱為「帶子的縱向重疊量D3 」)的合計(D2 +D3 )，設為前述電磁波吸收帶的縱向寬度D(僅稱為「帶子的縱向寬度D」)的30～70%，藉此能夠有效地抑制電磁波的放射和吸收，從而完成本發明。
本發明的第一電磁波吸收纜線，其特徵在於，具有：至少1條導線；至少1片絕緣性內皮，其包圍各導線；及，電磁波吸收帶，其被螺旋狀地捲繞在前述絕緣性內皮各自的周圍或整體的周圍上； 前述電磁波吸收帶，是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜所構成； 各電磁波吸收薄膜，具有塑膠薄膜、及設置在該塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，並在前述金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條(複數條)實質上平行且斷續的線狀痕跡； 各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90； 一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉； 並且，前述電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2 與前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是前述電磁波吸收帶的縱向寬度D的30～70%。
本發明的第二電磁波吸收纜線，其特徵在於，具有：至少1條導線；至少一片絕緣性內皮，其包圍各導線；電磁波吸收帶，其被螺旋狀地捲繞在前述絕緣性內皮各自的周圍或整體的周圍上；絕緣層，其覆蓋前述電磁波吸收帶；及，電磁波反射層，其覆蓋前述絕緣層； 前述電磁波吸收帶，是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜所構成； 各電磁波吸收薄膜，具有塑膠薄膜、及設置在該塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，並在前述金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條(複數條)實質上平行且斷續的線狀痕跡； 各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90； 一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉； 並且，前述電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2 與前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是前述電磁波吸收帶的縱向寬度D的30～70%。
較佳是：前述第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中，前述電磁波吸收帶的寬度W、兩電磁波吸收薄膜的寬度W1 、W2 及兩電磁波吸收薄膜的重疊部分的寬度Wo，滿足W=W1 ＋W2 －Wo、及Wo／W=20%～60%的關係。
較佳是：前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 是前述電磁波吸收帶的縱向寬度D的1～50%。
較佳是：在前述第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中，一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α的最小值為10～45
較佳是：在前述第二電磁波吸收纜線中，前述絕緣層是由熱可塑性樹脂或橡膠所構成。較佳是前述絕緣層含有磁性粒子。較佳是前述絕緣層的厚度為1mm以上。
較佳是：在前述第二電磁波吸收纜線中，前述電磁波反射層，是由塑膠薄膜、及設置於該塑膠薄膜的一面上的單層或多層的金屬薄膜所構成。較佳是：在前述電磁波反射層中的前述金屬薄膜，是由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中選出的至少一種金屬所構成。較佳是在前述電磁波反射層中的前述金屬薄膜是蒸鍍膜。較佳是在前述電磁波反射層上貼附有接地線。
較佳是：在前述第一電磁波吸收帶和第二電磁波吸收帶的前述電磁波吸收薄膜中，前述線狀痕跡的寬度的90%以上是在0.1～100μm的範圍內，且平均寬度為1～50μm；前述線狀痕跡的橫向間隔是在1～500μm的範圍內，且橫向平均間隔為1～200μm。
較佳是：在前述第一電磁波吸收帶和第二電磁波吸收帶的前述電磁波吸收薄膜中，前述線狀痕跡相對於前述導線以30～60
較佳是：在前述第一電磁波吸收帶和第二電磁波吸收帶的前述電磁波吸收薄膜中，前述金屬薄膜的厚度是0.01～10μm。
較佳是：在前述第一電磁波吸收帶和第二電磁波吸收帶的前述電磁波吸收薄膜中，前述金屬薄膜是由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中選出的至少一種金屬所構成。較佳是前述金屬薄膜是鋁的蒸鍍膜。
雖然參照附加圖式來詳細地說明本發明的實施形態，但是如果沒有特別說明，則關於一個實施形態的說明也適用於其他的實施形態。又，下述說明並非用以限定，也可以在本發明的技術思想的範圍內實施各種變化。
[1]實施形態 (1)本發明的基礎構造 第1圖是表示具有本發明的基礎構造之電磁波吸收纜線10的一例。電磁波吸收纜線10，是由一對的導線(11、11)、包圍各導線11之絕緣性內皮(12、12)、被螺旋狀地捲繞在各絕緣性內皮12的周圍之電磁波吸收帶(13、13)、及覆蓋電磁波吸收帶(13、13)之絕緣性外皮14所構成。電磁波吸收帶13是由電磁波吸收薄膜所構成，該電磁波吸收薄膜，具有塑膠薄膜、及設置在該塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，並在金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡，電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90
第11圖(a)～第11圖(d)表示一種電磁波吸收薄膜110，該電磁波吸收薄膜110是在塑膠薄膜101上形成單層的金屬薄膜102，並在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120(120a、120b)而成。又，第12圖(a)和第12圖(b)表示電磁波吸收薄膜110，該電磁波吸收薄膜110是在塑膠薄膜101上形成多層的金屬薄膜102a、102b，並在金屬薄膜102a、102b上以不規則的寬度和間隔於複數個方向(二個方向)形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120(120a、120b)而成。
如第2圖所示，已捲繞的電磁波吸收帶13重疊部分的縱向(纜線方向)寬度(可僅稱為「帶子的縱向重疊量」)D1 ，相較於已捲繞的電磁波吸收帶13的縱向(纜線方向)寬度(可僅稱為「帶子的縱向寬度」)D，D1 /D較佳是1～80%，更佳是2～60%，最佳是10～50%。在此電磁波吸收纜線10中，各導線11被電磁波吸收帶13包圍，所以能夠抑制導線11、11之間的雜訊。電磁波吸收帶13的縱向寬度D可依據電磁波吸收纜線10的粗細來決定，但是較佳是5～50mm。
如第4圖所示，相對於導線11的中心線O，任一條線狀痕跡120a、120b都是傾斜成在30～60的範圍內的角度αa 、αb 。傾斜角αa 、αb 較佳是40～50。當任一條線狀痕跡120a、120b都是傾斜成在此範圍內的角度αa 、αb 時，則能夠最有效率地吸收從導線11放射的電磁波及要侵入此導線11的電磁波。
第3圖是表示電磁波吸收纜線20的其他例。電磁波吸收纜線20，是由一對的導線(21、21)、包圍各導線21之絕緣性內皮(22、22)、被螺旋狀地捲繞在兩絕緣性內皮(22、22)的周圍之電磁波吸收帶23、及覆蓋電磁波吸收帶23之絕緣性外皮24所構成。如第11圖(a)～第11圖(d)及第12圖(a)和第12圖(b)所示，與電磁波吸收帶13同樣，電磁波吸收帶23也是由電磁波吸收薄膜110所構成，該電磁波吸收薄膜110，具有塑膠薄膜101、及設置在該塑膠薄膜101的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜102，並在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120(120a、120b)。
與如第1圖所示的電磁波吸收纜線10同樣，第3圖所示的電磁波吸收纜線20的電磁波吸收帶23的縱向寬度D(帶子的縱向寬度D)較佳是5～50mm，又，帶子的縱向重疊量D1 與帶子的縱向寬度D的比率D1 /D較佳是1～80%，更佳是2～60%，最佳是10～50%。在此電磁波吸收纜線20中，並不適用於抑制兩導線21、21之間的雜訊而是適用於電源線等。
(2)第一實施形態 如第5圖及第7圖～第9圖所示，本發明的第一電磁波吸收纜線30的一例，其特徵在於，是由至少一條導線31(在圖式的例子中是複數條導線31)、包圍各導線31之絕緣性內皮32、隔著絕緣性護套(sheath)33被螺旋狀地捲繞在絕緣性內皮32各自的周圍或整體(在圖式的例子中是絕緣性內皮32整體)的周圍之電磁波吸收帶34、及覆蓋電磁波吸收帶34之絕緣性外皮35所構成； 電磁波吸收帶34，是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜34a、34b所構成； 各電磁波吸收薄膜34a、34b，具有塑膠薄膜101、及設置在該塑膠薄膜101的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜102，並在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120(120a、120b)； 各電磁波吸收薄膜34a、34b的線狀痕跡120a、120b的銳角側的交叉角θs是在30～90的範圍內； 一方的電磁波吸收薄膜34a的線狀痕跡120a與另一方的電磁波吸收薄膜34b的線狀痕跡120b交叉； 並且，電磁波吸收薄膜34a、34b的重疊部分34c的縱向寬度D2 與電磁波吸收帶34的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是電磁波吸收帶34的縱向寬度D的30～70%。
較佳是電磁波吸收帶34的寬度W、兩電磁波吸收薄膜(34a、34b)的寬度(W1 、W2 )、及兩電磁波吸收薄膜(34a、34b)的重疊部分34c的寬度Wo，滿足W=W1 ＋W2 －Wo、及Wo／W=20%～60%的關係。可知如果Wo／W的比未滿20%或超過60%，則由2片電磁波吸收薄膜34a、34b所構成的電磁波吸收帶34的電磁波吸收能力降低。Wo／W的比的下限，較佳是25%，更佳是30%。又，Wo／W的比的上限，較佳是55%，更佳是50%。
如第8圖所示，一方的電磁波吸收薄膜34a的線狀痕跡120a與另一方的電磁波吸收薄膜34b的線狀痕跡120b的交叉角α的最小值較佳是10～45。如果交叉角α的最小值未滿10或超過45，則會有電磁波吸收能力降低的傾向。交叉角α的最小值更佳是15～45，最佳是20～45。
如第9圖所示，在已被捲繞成螺旋狀的電磁波吸收帶34中，電磁波吸收薄膜34a、34b的重疊部分34c的縱向(纜線方向)寬度D2 與電磁波吸收帶34的縱向寬度D的比(D2 /D)，與Wo/W的比相同。
電磁波吸收薄膜34a、34b的重疊部分34c的縱向(纜線方向)寬度D2 與電磁波吸收帶34的縱向(纜線方向)重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是電磁波吸收帶34的縱向寬度D的30～70%。(D2 +D3 )是2片電磁波吸收薄膜34a、34b以線狀痕跡交叉的方式重疊的區域的縱向長度，[D-(D2 +D3 )]是僅存在1片電磁波吸收薄膜34a、34b的區域的縱向長度。可知如果(D2 +D3 )/D的比未滿30%或超過70%，則由2片電磁波吸收薄膜34a、34b所構成的電磁波吸收帶34的電磁波吸收能力降低。此為無法預期的結果，(D2 +D3 )／D的比是30～70%為本發明的重要特徵。(D2 +D3 )／D的比的下限，較佳是40%，更佳是45%。又，(D2 +D3 )／D的比的上限，較佳是65%，更佳是60%。
電磁波吸收帶34的縱向重疊量D3 與電磁波吸收帶34的縱向寬度D的D3 /D的比，是藉由從(D2 +D3 )／D減去D2 ／D而求得。D3 /D的比，較佳是1～50%，更佳是2～45%，最佳是5～40%。
與如第4圖所示的電磁波吸收纜線同樣，在已隔著絕緣性護套33而被捲繞在絕緣性內皮32上的電磁波吸收帶34中的電磁波吸收薄膜34a、34b的線狀痕跡120a、120b，較佳是相對於導線21各自地呈30～60的範圍內的傾斜角度αa 、αb 。
與如第2圖所示的電磁波吸收纜線同樣，電磁波吸收帶34的縱向寬度D較佳是5～50mm；又，帶子的縱向重疊量D1 與帶子的縱向寬度D的比率D1 /D較佳是1～80%，更佳是2～60%，最佳是10～50%。
(3)第二實施形態 如第6圖～第9圖所示，本發明的第二電磁波吸收纜線40，其特徵在於，是由至少一條導線41(在圖式的例子中是複數條導線41)、包圍各導線41之絕緣性內皮42、隔著絕緣性護套43被螺旋狀地捲繞在絕緣性內皮42各自的周圍或整體(在圖式的例子中是絕緣性內皮42整體)的周圍之電磁波吸收帶44、覆蓋電磁波吸收帶44之絕緣層45、覆蓋絕緣層45之電磁波反射層46、及覆蓋電磁波反射層46之絕緣性外皮47所構成； 電磁波吸收帶44，是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜44a、44b所構成； 各電磁波吸收薄膜44a、44b，具有塑膠薄膜101、及設置在該塑膠薄膜101的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜102，並在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120(120a、120b)； 各電磁波吸收薄膜44a、44b的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90 一方的電磁波吸收薄膜44a的線狀痕跡120a與另一方的電磁波吸收薄膜44b的線狀痕跡120b交叉； 並且，電磁波吸收薄膜44a、44b的重疊部分44c的縱向寬度D2 與電磁波吸收帶44的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是電磁波吸收帶44的縱向寬度D的30～70%。
第二電磁波吸收纜線40，除了具有絕緣層45和電磁波反射層46以外，具有與第一電磁波吸收纜線30相同的構造。因此，針對Wo/W的比、(D2 +D3 )/D的比、D2 /D的比及D3 /D的比，與第一電磁波吸收纜線30相同。又，一方的電磁波吸收薄膜44a的線狀痕跡120a與另一方的電磁波吸收薄膜44b的線狀痕跡120b的交叉角α的最小值，較佳是10～4515～4520～45
較佳是隔著絕緣性護套43被捲繞在絕緣性內皮42上的電磁波吸收帶44中的電磁波吸收薄膜44a、44b的線狀痕跡120a、120b，相對於導線41各自地呈30～60的範圍內的傾斜角度αa 、αb 。
較佳是用以將電磁波反射層46自電磁波吸收帶44隔離之絕緣層45，是由具有高絕緣性和可撓性的熱可塑性樹脂或橡膠所構成。作為熱可塑性樹脂，較佳是聚乙烯、聚氯乙烯等；作為橡膠，較佳是天然橡膠、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氨酯橡膠等。
絕緣層45的厚度較佳是0.5mm以上，更佳是1mm以上。如果絕緣層45的厚度未滿0.5mm，則電磁波吸收帶44與電磁波反射層46太靠近，使透過電磁波吸收帶44後的電磁波的衰減效果不充分。絕緣層45的厚度的上限，根據電磁波吸收纜線40的外徑來決定，但是較佳為1.5mm，更佳是1.2mm。
絕緣層45也可以含有磁性粒子。作為磁性粒子，較佳是具有高絕緣性的肥粒鐵(鐵氧體)粒子。肥粒鐵粒子的粒徑沒有特別限制，只要不會妨礙到絕緣層45的成形即可。
為了反射已透過電磁波吸收帶44後的電磁波並使該電磁波再回到電磁波吸收帶44，電磁波反射層46必須具有反射電磁波的機能。為了有效地發揮該反射機能，電磁波反射層46較佳是金屬箔、金屬網、或形成有金屬層之塑膠薄膜。用以形成電磁波反射層46之金屬，較佳是選自由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中的至少一種。為了電磁波吸收纜線40的細線化，電磁波反射層46較佳是由形成在塑膠薄膜的一面上的金屬薄膜所構成。金屬薄膜較佳是前述金屬的蒸鍍膜。金屬薄膜的厚度只要有數十nm～數十μm即可。電磁波反射層46的塑膠薄膜也可以與電磁波吸收薄膜110的塑膠薄膜101相同。
當電磁波反射層46是由塑膠薄膜、及形成於該塑膠薄膜的一面上的金屬薄膜所構成之複合薄膜時，較佳是在複合薄膜上貼附有接地線(未圖示)。在金屬薄膜上產生的電流能夠經由接地線而流出，因此能夠提升電磁波遮蔽機能。另外，當電磁波反射層46是導電性金屬的金屬箔或金屬網時，不需要分別地貼附接地線。
(4)電磁波吸收帶的其他例 第10圖是表示在第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中所使用的電磁波吸收帶的其他例。此電磁波吸收帶54，具有在大寬度的電磁波吸收薄膜54a的寬度方向內側配置有小寬度的電磁波吸收薄膜54b的構造。將寬度W2 的電磁波吸收薄膜54b收納在寬度W1 的電磁波吸收薄膜54a內，所以重疊部分54c的寬度Wo與電磁波吸收薄膜54b的寬度W2 相等，並滿足W=W1 +W2 -Wo=W1 的關係。另外，在捲繞於絕緣性護套43上的電磁波吸收帶54的縱向重疊量D3 的區域中，相同的電磁波吸收薄膜54a、54a重疊，所以線狀痕跡實質上沒有交叉。此時，線狀痕跡交叉的部分，僅在2片電磁波吸收薄膜54a、54b重疊的部分，該重疊部分54c的寬度相等於W2 。因此，(D2 +D3 )/D變成與D2 /D相等。因此，Wo/W的比是30～70%，較佳是40～65%，更佳是45～60%。
[2]電磁波吸收纜線的構成要素 (1)電磁波吸收薄膜 如第11圖(a)～第11圖(d)及第12圖(a)和第12圖(b)所示，構成電磁波吸收帶之電磁波吸收薄膜110，具有塑膠薄膜101、及設置在該塑膠薄膜101的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜102(102a、102b)，並在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120。
(a)塑膠薄膜 形成塑膠薄膜101之樹脂沒有特別限制，只要具有絕緣性並且具有充分的強度、可撓性及加工性即可，舉例有聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚芳硫醚(聚苯硫醚等)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。從強度和成本的觀點來看，較佳是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。塑膠薄膜101的厚度也可以是8～30μm的程度。
(b)金屬薄膜 形成金屬薄膜102之金屬沒有特別限制，只要具有導電性即可，但是從耐腐蝕性和成本的觀點來看，較佳是鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金，特佳是鋁、銅、鎳及這些金屬的合金。金屬薄膜102的厚度較佳是0.01μm以上。金屬薄膜102的厚度的上限並沒有特別限制，但是在實用上具有10μm的程度就足夠。當然，也可以使用超過10μm的金屬薄膜102，但是其對於高頻率的電磁波的吸收能力幾乎沒有改變。因此，金屬薄膜102的厚度，較佳是0.01～10μm，更佳是0.01～5μm，最佳是0.01～1μm。金屬薄膜102，能夠藉由蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等物理蒸鍍法、或電漿CVD(化學氣相沉積，chemical vapor deposition)法、熱CVD法、光CVD法等化學氣相蒸鍍法)、鍍覆法、或者箔接合法來形成。
當金屬薄膜102是單層時，從導電性、耐腐蝕性及成本的觀點來看，金屬薄膜102較佳是由鋁或鎳所構成。又，當金屬薄膜102是複數層時，也可以藉由非磁性金屬來形成其中一方，並藉由磁性金屬來形成其中另一方。作為非磁性金屬，舉例有鋁、銅、銀、錫及這些金屬的合金；作為磁性金屬，舉例有鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金。磁性金屬薄膜的厚度較佳是0.01μm以上，非磁性金屬薄膜的厚度較佳是0.1μm以上。厚度的上限並沒有特別限制，但是在實用上兩者都可以是具有10μm的程度。更佳是，磁性金屬薄膜的厚度為0.01～5μm，非磁性金屬薄膜的厚度為0.1～5μm。第12圖(a)和第12圖(b)表示在塑膠薄膜101上形成有二層的金屬薄膜102a、102b的情況。
(c)線狀痕跡 在第11圖(a)～第11圖(d)所示的例子中，在金屬薄膜102上以不規則的寬度和間隔於二個方向上形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡120a、120b。另外，為了說明而在第11圖(c)和第11圖(d)中誇張地表示線狀痕跡120的深度。如第11圖(d)所示地往二個方向配向的線狀痕跡120，具有各種的寬度Ws和間隔I。線狀痕跡120的寬度Ws和間隔I，是對應於線狀痕跡形成前的金屬薄膜102的表面S的高度來決定。線狀痕跡120具有各種寬度Ws和間隔I，因此電磁波吸收薄膜110能夠效率良好地吸收遍及廣範圍中的頻率的電磁波。
較佳是90%以上的線狀痕跡120的寬度Ws在0.1～100μm的範圍內，更佳是在0.5～50μm的範圍內，最佳是在0.5～20μm的範圍內。線狀痕跡120的平均寬度Wsav，較佳是1～50μm，更佳是1～10μm，最佳是1～5μm。
線狀痕跡120的橫向間隔I，較佳是在1～500μm的範圍內，更佳是在1～100μm的範圍內，特佳是在1～50μm的範圍內，最佳是在1～30μm的範圍內。又，線狀痕跡120的橫向平均間隔Iav，較佳是1～200μm，更佳是5～50μm，最佳是5～30μm。
線狀痕跡120的長度L，是根據滑動接觸條件(主要是輥和薄膜的相對圓周速度、及複合薄膜對於輥的捲繞角度)來決定，因此只要不改變滑動接觸條件，則大部分都幾乎相同(幾乎都相等於平均長度Lav)。線狀痕跡120的長度L沒有特別限制，但是在實用上也可以是1～100mm的程度，較佳是2～10mm。
線狀痕跡120a、120b的銳角側的交叉角(以下，如果沒有特別說明也可以僅稱為「交叉角」)θs，較佳是30～9060～90藉由調整複合薄膜與圖案輥的滑動接觸條件(滑動接觸方向、相對圓周速度等)，可以得到各種交叉角θs的線狀痕跡120。第13圖是表示具有正交的線狀痕跡120a’、120b’之例子。
(d)保護層 為了保護形成有線狀痕跡120之金屬薄膜102，較佳是在金屬薄膜102的表面上形成塑膠保護層(未圖示)。塑膠保護層，較佳是藉由使絕緣性樹脂積層而形成、或是塗佈絕緣性樹脂的溶液而形成。作為絕緣性樹脂，舉例有聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、氯乙烯樹脂、環氧樹脂等。保護層的厚度也可以是1～10μm的程度。
(e)製造方法 第14圖(a)～第14圖(e)表示在二個方向上形成線狀痕跡的裝置的一例。此裝置，從上游側依序具有：(a)捲筒221，其供給複合薄膜200，該複合薄膜200是在塑膠薄膜上形成有金屬薄膜而成；(b)第一圖案輥202a，其以與複合薄膜200的寬度方向不同方向的方式被配置於金屬薄膜102側；(c)第一推壓輥203a，其以位於第一圖案輥202a的上游側的方式被配置在金屬薄膜102的相反側；(d)第二圖案輥202b，其以相對於複合薄膜200的寬度方向而與第一圖案輥202a位於相反方向的方式被配置於金屬薄膜102側；(e)第二推壓輥203b，其以位於第二圖案輥202b的下游側的方式被配置在金屬薄膜102的相反側；(f)電阻測定手段204a，其以位於第一圖案輥202a和第二圖案輥202b之間的方式被配置在金屬薄膜102側；(g)電阻測定手段204b，其以位於第二圖案輥202b的下游側的方式被配置在金屬薄膜102側；及，(h)捲筒224，其捲取已附加有線狀痕跡之複合薄膜(電磁波吸收薄膜)110。其他，在規定的位置上配置有複數個引導輥222、223。為了防止彎曲，各圖案輥202a、202b藉由背托輥(例如橡膠輥)205a、205b來支撐。
如第14圖(c)所示，各推壓輥203a、203b的位置比複合薄膜200與各圖案輥202a、202b作滑動接觸的位置更低，因此複合薄膜200的金屬薄膜102被推壓至各圖案輥202a、202b。維持地滿足此條件並調整各推壓輥203a、203b的縱方向位置，藉此能夠調整各圖案輥202a、202b對於金屬薄膜102之推壓力，又也能夠調整與中心角θ1 成比例的滑動接觸距離。
第14圖(d)表示線狀痕跡120a相對於複合薄膜200的行進方向被傾斜地形成的原理。圖案輥202a相對於複合薄膜200的行進方向呈傾斜，因此圖案輥202a上的硬質微粒子的移動方向(旋轉方向)a與複合薄膜200的行進方向b不同。於是，如X所示，在任意的時點，如果位於圖案輥202a上的點A中的硬質微粒子接觸金屬薄膜102並形成痕跡B，則在規定時間後，硬質微粒子會移動至點A’，痕跡B會移動至點B’。在硬質微粒子從點A移動到點A’的期間，連續地形成痕跡，因此可以形成從點B’延伸至點A’的線狀痕跡120a。
利用第一圖案輥202a和第二圖案輥202b來形成的第一線狀痕跡群12A和第二線狀痕跡群12B的方向和交叉角θs，能夠藉由改變各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200的角度、及/或改變各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200的行進速度之圓周速度來進行調整。例如，如果增加圖案輥202a相對於複合薄膜200的行進速度b之圓周速度a，則如第14圖(d)的Y所示，能夠如線段C’D’般地相對於複合薄膜200的行進方向將線狀痕跡120a的角度設成45同樣地，如果改變圖案輥202a相對於複合薄膜200的寬度方向之傾斜角θ2 ，便能夠改變圖案輥202a的圓周速度a。這些改變也同樣適用於圖案輥202b。因此，藉由調整兩圖案輥202a、202b，而能夠如第13圖的例子所示地改變線狀痕跡120a、120b的方向。
各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200呈傾斜，因此藉由與各圖案輥202a、202b之滑動接觸，使複合薄膜200受到寬度方向的力量。為了防止複合薄膜200的蛇行，較佳是調整各推壓輥203a、203b相對於各圖案輥202a、202b之縱方向位置及/或角度。例如，如果適當地調整圖案輥202a的軸線與推壓輥203a的軸線的交叉角θ3 ，則能以消除寬度方向的力量的方式而得到推壓力的寬度方向分佈，從而能夠防止蛇行。又，圖案輥202a與推壓輥203a的間隔的調整也有益於防止發生蛇行。為了防止複合薄膜200發生蛇行和斷裂，較佳是相對於複合薄膜200的寬度方向呈傾斜的第一圖案輥202a和第二圖案輥202b的旋轉方向，與複合薄膜200的行進方向相同。
如第14圖(b)所示，各電阻測定手段(輥)204a、204b，隔著絕緣部而具有一對電極，並在該一對電極之間測定附加有線狀痕跡之金屬薄膜102的電阻。比較利用電阻測定手段204a、204b測得的電阻值與目標值，對應於兩者的差異，來調整複合薄膜200的行進速度、圖案輥202a和202b的旋轉速度和傾斜角θ2 、推壓輥203a和203b的位置和傾斜角θ3 等的運轉條件。
為了增大圖案輥202a、202b對於複合薄膜200的推壓力，也可以如第15圖所示在圖案輥202a與圖案輥202b之間設置第三推壓輥203c。藉由第三推壓輥203c來使與中心角θ1 成比例的金屬薄膜102的滑動接觸距離也增大，於是線狀痕跡120a、120b變長。如果調整第三推壓輥203c的位置和傾斜角，也能夠有益於防止複合薄膜200發生蛇行。
第16圖是表示線狀痕跡的形成裝置的另一例，該線狀痕跡如第13圖所示地往正交的二個方向配向。此裝置與第14圖(a)～第14圖(e)所示的裝置的不同點，在於第二圖案輥232b被配置成與複合薄膜200的寬度方向平行。因此，以下僅說明與第14圖(a)～第14圖(e)所示的裝置不同的部分。第二圖案輥232b的旋轉方向，可以與複合薄膜200的行進方向相同也可以相反。又，第二推壓輥233b可以位於第二圖案輥232b的上游側也可以位於下游側。此裝置，如第14圖(d)中的Z所示，將線狀痕跡120a’的方向(線段E’F’)設為複合薄膜200的寬度方向，而適用於形成如第13圖所示的線狀痕跡。
運轉條件，不僅決定線狀痕跡的傾斜角和交叉角，也決定這些線狀痕跡的深度、寬度、長度及間隔，該運轉條件是複合薄膜200的行進速度、圖案輥的旋轉速度和傾斜角及推壓力、複合薄膜200的張力等。複合薄膜200的行進速度較佳是5～200公尺/分鐘，圖案輥的圓周速度較佳是10～2000公尺/分鐘。圖案輥的傾斜角θ2 較佳是206045200的張力較佳是0.05～5 kgf/cm的程度。
用以形成線狀痕跡之圖案輥，是在表面上具有莫氏硬度(Mohs’ hardness)5以上的硬質微粒子之輥，該硬質微粒子具有銳利角部，較佳是例如日本特開2002-59487號公報記載的鑽石輥。線狀痕跡的寬度是藉由硬質微粒子的粒徑來決定，因此較佳是90%以上的硬質微粒子具有在1～1000μm的範圍內的粒徑，更佳是具有在10～200μm的範圍內的粒徑。硬質微粒子，較佳是以50%以上的面積率來附著在輥面上。
本發明藉由以下實施例來進一步詳細說明，但是本發明不受限於這些實施例。
＜參考例1＞ 使用具有如第16圖所示的結構之裝置，該裝置具有圖案輥232a、232b，該圖案輥232a、232b電沉積有粒徑分佈是50～80μm的鑽石微粒子，在厚度16μm的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的一面，於藉由真空蒸鍍法形成有厚度0.05μm的鋁薄膜102上，形成如第13圖所示地往正交的二個方向配向的線狀痕跡。依據附加有線狀痕跡之鋁薄膜102的光學顯微鏡照片，可知線狀痕跡具有下述特性。 寬度Ws的範圍：0.5～5μm 平均寬度Wsav：2μm 間隔I的範圍：2～30μm 平均間隔Iav：20μm 平均長度Lav：5mm 銳角側的交叉角θs：90
＜參考例2＞ 在厚度16μm的PET薄膜的一面，於藉由真空蒸鍍法形成的厚度0.05μm的鎳薄膜102上，形成與參考例1相同的線狀痕跡。
＜參考例3＞ 使用具有如第14圖(a)～第14圖(e)所示的結構之裝置，該裝置具有圖案輥202a、202b，該圖案輥202a、202b電沉積有粒徑分佈是50～80μm的鑽石微粒子，與參考例1同樣，在形成於PET薄膜的一面上的鋁薄膜102上，如第11圖(b)所示地形成往交叉角θs是45102的光學顯微鏡照片，可知線狀痕跡具有下述特性。 寬度Ws的範圍：0.5～5μm 平均寬度Wsav：2μm 間隔I的範圍：2～30μm 平均間隔Iav：20μm 平均長度Lav：5mm 銳角側的交叉角θs：45
＜參考例4＞ 與參考例3同樣，在形成於PET薄膜的一面上的鋁薄膜102上，如第11圖(b)所示地形成往交叉角θs是60。依據附加有線狀痕跡之鋁薄膜102的光學顯微鏡照片，可知線狀痕跡具有下述特徵。 寬度Ws的範圍：0.5～5μm 平均寬度Wsav：2μm 間隔I的範圍：2～30μm 平均間隔Iav：20μm 平均長度Lav：5mm 銳角側的交叉角θs：60
＜參考例5和參考例6＞ 將利用參考例1得到的具有鋁薄膜(附加有線狀痕跡)之電磁波吸收薄膜、及利用參考例2得到的具有鎳薄膜(附加有線狀痕跡)之電磁波吸收薄膜，分別地切成長條(slit)而得到寬度20mm的電磁波吸收帶23。使各電磁波吸收帶23，以45D1 /D是1/3的方式捲繞在絕緣性內皮22的外周上，該絕緣性內皮22包圍如第3圖所示的導線(銅細線的線束)21，然後利用絕緣性外皮24來覆蓋，以作成參考例5和參考例6的電磁波吸收纜線。
＜比較例1和比較例2＞ 除了以具有沒有形成線狀痕跡的鋁薄膜之PET帶來取代電磁波吸收帶23之外，比較例1的纜線具有與第3圖所示相同的構造。又，除了沒有捲繞電磁波吸收帶23之外，比較例2的纜線具有與第3圖所示相同的構造。
使用如第17圖所示的雜訊測定裝置，來測定參考例5和參考例6、以及比較例1和比較例2的各纜線的電磁波吸收能力。第17圖的裝置，具有：電源301、變頻器302、馬達303、經由變頻器302而從電源301連接至馬達303之三相纜線(三相電纜)310。在三相纜線310的中途設置有鉤式電流計304，該鉤式電流計304已連接至雜訊測定器305(日置電機股份公司製造的「NOISE HILOGGER-3145(型號)」)，以將在三相纜線310中流動的電流的變化，測定為雜訊。三相交流電壓是200V，費時100秒使變頻器302的頻率從0Hz變化至90Hz。作為測定結果的一例，在第18圖中表示在250kHz時的雜訊。
由第18圖可知，在250kHz時，雖然以具有沒有形成線狀痕跡的鋁薄膜之PET帶(遮蔽帶)來捲繞的比較例1的纜線，與完全沒有遮蔽的比較例2的纜線，具有相同程度的雜訊位準，但是相較於比較例1的纜線和比較例2的纜線，已捲繞有電磁波吸收帶之參考例5和參考例6的電磁波吸收纜線的雜訊位準明顯地比較低。又，可知相較於使用附加有線狀痕跡之鎳箔膜之參考例6的電磁波吸收纜線，使用附加有線狀痕跡之鋁箔膜之參考例5的電磁波吸收纜線可發揮比較優異的雜訊吸收能力。
＜實施例1＞ 將利用參考例1所製作的線狀痕跡的交叉角θs是90之電磁波吸收薄膜切成長條，以製作如第19圖所示地使線狀痕跡配向而成的2片寬度2cm的電磁波吸收薄膜44a、44b。利用寬度1cm的重疊部分44c來黏接兩電磁波吸收薄膜44a、44b，以製作寬度3cm的電磁波吸收帶44。在電磁波吸收帶44中的重疊部分44c的寬度Wo是電磁波吸收帶44的寬度W的1/3。因此，重疊部分44c的縱向寬度D2 也是電磁波吸收帶44的縱向寬度D的1/3。
將電磁波吸收帶44隔著絕緣性護套43螺旋狀地捲繞在3條導線41的絕緣性內皮42的外周上，在電磁波吸收帶44的外周上捲繞厚度1mm的丁基橡膠片(絕緣層)45，並在該丁基橡膠片45上以Cu/Ni層(銅/鎳層)在下面(內層)的方式捲繞Cu/Ni蒸鍍薄膜(電磁波反射層)46，最後在Cu/Ni蒸鍍薄膜46上捲繞絕緣性外皮47，以製作如第6圖所示的構造的電磁波吸收纜線40。電磁波吸收帶44的縱向重疊量D3 是電磁波吸收帶44的縱向寬度D的17%。因此，(D2 +D3 )/D是50%。Cu/Ni蒸鍍薄膜46，是在厚度16μm的PET薄膜的一面上藉由真空蒸鍍法形成厚度0.15μm的Cu層和厚度0.1μm的Ni層而成。將接地線接合至Cu/Ni蒸鍍薄膜46的Cu/Ni層。
將所得到的電磁波吸收纜線40設置在鉤式電流計304中，該鉤式電流計304連接至如第17圖所示的雜訊測定裝置的雜訊測定器305(日置電機股份公司製造的「NOISE HILOGGER-3145(型號)」)，以將在電磁波吸收纜線40中流動的電流的變化，測定為雜訊。三相交流電壓是200V，費時100秒使變頻器302的頻率從0Hz變化至90Hz。又，作為基準，將除了沒有設置電磁波吸收帶44、丁基橡膠片(絕緣層)45及Cu/Ni蒸鍍薄膜(電磁波反射層)46以外具有與第6圖所示相同構造之纜線，設置在如第17圖所示的雜訊測定裝置中，並以與上述相同的條件來測定雜訊。其結果，針對頻率20MHz的雜訊位準，相對於基準的電流值是0.014A，實施例1的電磁波吸收纜線40的電流值是0.01～0.012A而較低。
＜實施例2＞ 除了使用以參考例3製作而成的線狀痕跡的交叉角θs是452片電磁波吸收薄膜44a、44b以外，以與實施例1同樣的方式製作電磁波吸收纜線40，並利用與參考例5相同的條件且藉由如第17圖所示的雜訊測定裝置來測定雜訊。其結果，頻率20MHz的雜訊位準的電流值是0.01A而較低。
＜實施例3＞ 除了使用以參考例4製作而成的線狀痕跡的交叉角θs是602片電磁波吸收薄膜44a、44b以外，以與實施例1同樣的方式製作電磁波吸收纜線40，並利用與參考例5相同的條件且藉由如第17圖所示的雜訊測定裝置來測定雜訊。其結果，頻率20MHz的雜訊位準的電流值是0.01A～0.012A而較低。
＜實施例4＞ 將在絕緣性護套(外徑：13mm)43上沒有安裝任何構件之三芯包膠纜線作為樣本1。又，將在相同的三芯包膠纜線的絕緣性護套43上安裝有鐵氧體磁心(星和電機股份公司製作的E04SR301334(型號))之三芯包膠纜線作為樣本2。進一步，如第6圖所示，將在相同的三芯包膠纜線的絕緣性護套43上以如表1所示的組合而安裝有電磁波吸收帶44、丁基橡膠片(絕緣層)45、附加有接地線之Cu/Ni蒸鍍薄膜(電磁波反射層)46而成的纜線作為樣本3～5。在樣本3～5中的電磁波吸收帶44，其線狀痕跡的交叉角θs分別是9060451cm的重疊量來黏接寬度2cm的2片電磁波吸收帶而成。
如第20圖所示，已螺旋狀地捲繞在絕緣性護套43上之電磁波吸收帶44的縱向重疊量D3 ，是電磁波吸收帶44的縱向寬度D的17%，(D2 +D3 )/D是50%。對於各樣本的纜線，以與參考例5相同的條件來測定雜訊。在表1中利用電流值來表示5MHz時的雜訊和20MHz時的雜訊。
[表1]
附註：(1)兩電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α的最小值是45。 (2)兩電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α的最小值是30。 (3)兩電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α的最小值是45。
由表1可知，以線狀痕跡交叉的方式使2片電磁波吸收薄膜的一部分在寬度方向上重疊而成的電磁波吸收帶，將該電磁波吸收帶加以捲繞，並將兩電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α設在30～45的範圍內且隔著絕緣層而在電磁波吸收帶的外周上設置電磁波反射層而成的樣本3～5，比什麼都沒有設置的作為基準的樣本1及僅設置氧化鐵磁心的樣本2呈現出更高的雜訊降低率。
[發明的效果] 本發明的第一電磁波吸收纜線，其被螺旋狀地捲繞在絕緣性內皮上之電磁波吸收帶，是藉由使設置於塑膠薄膜的至少一面上的金屬薄膜上在複數個方向形成有線狀痕跡之2片電磁波吸收薄膜，在寬度方向上部分地重疊而成，兩電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉，且滿足電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2 與電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是電磁波吸收帶的縱向寬度D的30～70%的條件，所以能夠有效地抑制電磁波的放射和吸收。
本發明的第二電磁波吸收纜線，滿足第一電磁波吸收纜線的全部條件，並且具有覆蓋電磁波吸收帶之絕緣層、及覆蓋絕緣層之電磁波反射層，所以能夠比第一電磁波吸收纜線更有效地抑制電磁波的放射和吸收
這種構成的本發明的電磁波吸收纜線，不僅能夠利用於傳送各種頻率訊號之訊號線上，也能夠利用於要被連接至成為雜訊產生源之各種電器用品和電子機器的電力供給線上。
10、20、30、40‧‧‧電磁波吸收纜線
11、21、31、41‧‧‧導線
12、22、32、42‧‧‧絕緣性內皮
13、23、34、44、54‧‧‧電磁波吸收帶
14、24、35、47‧‧‧絕緣性外皮
33、43‧‧‧絕緣性護套
34a、34b、44a、44b、54a、54b、110‧‧‧電磁波吸收薄膜
34c、44c、54c‧‧‧電磁波吸收薄膜的重疊部分
45‧‧‧絕緣層(丁基橡膠片)
46‧‧‧電磁波反射層(Cu/Ni蒸鍍薄膜)
101‧‧‧塑膠薄膜
102、102a、102b‧‧‧金屬薄膜
120、120a、120b、120a’、120b’‧‧‧線狀痕跡
200‧‧‧複合薄膜(金屬薄膜-塑膠複合薄膜)
202a、202b、232a、232b‧‧‧圖案輥
203a、203b、203c、233a、233b‧‧‧推壓輥
204a、204b、234a、234b‧‧‧電阻測定手段(輥)
205a、205b、235a‧‧‧背托輥
221、224‧‧‧捲筒
222、223‧‧‧引導輥
301‧‧‧電源
302‧‧‧變頻器
303‧‧‧馬達
304‧‧‧鉤式電流計
305‧‧‧雜訊測定器
310‧‧‧三相纜線
α‧‧‧2片電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角
αa、αb‧‧‧線狀痕跡相對於導線的中心線之傾斜角
θ1‧‧‧中心角
θ2‧‧‧圖案輥相對於複合薄膜的寬度方向之傾斜角
θ3‧‧‧圖案輥的軸線與推壓輥的軸線的交叉角
θs‧‧‧各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角
A-A、B-B‧‧‧剖面線
A、B、C‧‧‧放大部分
a、a’‧‧‧硬質微粒子的移動方向
b、b’‧‧‧複合薄膜的行進方向
D‧‧‧電磁波吸收帶的縱向寬度
D1、D3‧‧‧電磁波吸收帶的縱向重疊量
D2‧‧‧電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度
I‧‧‧線狀痕跡的間隔
Iav‧‧‧線狀痕跡的平均間隔
L‧‧‧線狀痕跡的長度
Lav‧‧‧線狀痕跡的平均長度
O‧‧‧導線的中心線
S‧‧‧表面
W‧‧‧電磁波吸收帶的寬度
W1、W2‧‧‧電磁波吸收薄膜的寬度
Wo‧‧‧2片電磁波吸收薄膜的重疊部分的寬度
Ws‧‧‧線狀痕跡的寬度
Wsav‧‧‧線狀痕跡的平均寬度
第1圖是表示具有本發明的基礎構造之電磁波吸收纜線的一例的部分分解立體圖。 第2圖是表示在第1圖所示的電磁波吸收纜線中已捲繞於絕緣性內皮上的電磁波吸收帶的平面圖。 第3圖是表示具有本發明的基礎構造之電磁波吸收纜線的其他例的部分分解立體圖。 第4圖是表示在已捲繞於第1圖所示的電磁波吸收纜線的絕緣性內皮上的電磁波吸收帶中，線狀痕跡相對於導線的中心線之傾斜角的部分分解平面圖。 第5圖是表示本發明的第一電磁波吸收纜線的部分分解立體圖。 第6圖是表示本發明的第二電磁波吸收纜線的平面圖。 第7圖是表示在第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中所使用的電磁波吸收帶的一例的部分平面圖。 第8圖是在第7圖中的A部分的放大圖。 第9圖是表示在第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中，在已捲繞於絕緣性內皮上的電磁波吸收帶的部分展開平面圖。 第10圖是表示在第一電磁波吸收纜線和第二電磁波吸收纜線中所使用的電磁波吸收帶的其他例的部分平面圖。 第11圖(a)是表示具有單層的金屬薄膜之電磁波吸收薄膜的剖面圖。 第11圖(b)是表示電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的一例的部分平面圖。 第11圖(c)是沿著第11圖(b)的A-A線的剖面圖。 第11圖(d)是表示在第11圖(c)中的B部分的放大圖。 第12圖(a)是表示具有多層的金屬薄膜之電磁波吸收薄膜的剖面圖。 第12圖(b)是表示在第12圖(a)中的C部分的放大圖。 第13圖是表示具有正交的線狀痕跡之電磁波吸收薄膜的平面圖。 第14圖(a)是表示線狀痕跡的形成裝置的一例的立體圖。 第14圖(b)是表示第14圖(a)的裝置的平面圖。 第14圖(c)是沿著第14圖(b)的B-B線的剖面圖。 第14圖(d)是用以說明相對於複合薄膜的行進方向呈傾斜的線狀痕跡被形成的原理的部分放大平面圖。 第14圖(e)是表示在第14圖(a)的裝置中，圖案輥和推壓輥相對於複合薄膜之傾斜角度的部分平面圖 第15圖是表示線狀痕跡的形成裝置的其他例的部分剖面圖。 第16圖是表示線狀痕跡的形成裝置的另一其他例的立體圖。 第17圖是表示雜訊測定裝置的概略圖。 第18圖是表示關於參考例5和6、及比較例1和2的纜線在250kHz時的雜訊的圖表。 第19圖是表示在實施例1～3中所使用的電磁波吸收帶的平面圖。 第20圖是表示在實施例4中所使用的電磁波吸收纜線的部分展開平面圖。
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Claims (10)

  1. 一種電磁波吸收纜線，其特徵在於，具有：至少1條導線；至少1片絕緣性內皮，其包圍各導線；及，電磁波吸收帶，其被螺旋狀地捲繞在前述絕緣性內皮各自的周圍或整體的周圍上； 前述電磁波吸收帶，是由在寬度方向上部分地重疊的2片電磁波吸收薄膜所構成； 各電磁波吸收薄膜，具有塑膠薄膜、及設置在該塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，並在前述金屬薄膜上以不規則的寬度和間隔於複數個方向形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡； 各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90； 一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉； 並且，前述電磁波吸收薄膜的重疊部分的縱向寬度D2 與前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 的合計(D2 +D3 )是前述電磁波吸收帶的縱向寬度D的30～70%。
  2. 如請求項1所述之電磁波吸收纜線，其中，前述電磁波吸收帶的寬度W、兩電磁波吸收薄膜的寬度W1 、W2 及兩電磁波吸收薄膜的重疊部分的寬度Wo，滿足W=W1 ＋W2 －Wo、及Wo／W=20%～60%的關係。
  3. 如請求項1所述之電磁波吸收纜線，其中，前述電磁波吸收帶的縱向重疊量D3 是前述電磁波吸收帶的縱向寬度D的1～50%。
  4. 如請求項1所述之電磁波吸收纜線，其中，一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角α的最小值為10～45
  5. 如請求項1所述之電磁波吸收纜線，其中，前述電磁波吸收薄膜具有二個方向的線狀痕跡，前述線狀痕跡的交叉角是在30～90
  6. 如請求項5所述之電磁波吸收纜線，其中，被捲繞在前述絕緣性內皮上的前述電磁波吸收帶中的前述電磁波吸收薄膜的線狀痕跡，相對於前述導線，以30～60呈傾斜狀。
  7. 如請求項1所述之電磁波吸收纜線，其中，進一步具有：絕緣層，其覆蓋前述電磁波吸收帶；及，電磁波反射層，其覆蓋前述絕緣層。
  8. 如請求項7所述之電磁波吸收纜線，其中，前述絕緣層含有磁性粒子。
  9. 如請求項7所述之電磁波吸收纜線，其中，前述電磁波反射層，是由塑膠薄膜、及設置於該塑膠薄膜的一面上的單層或多層的金屬薄膜所構成。
  10. 如請求項7至9中任一項所述之電磁波吸收纜線，其中，在前述電磁波反射層上貼附有接地線。
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