TW201904375A - 電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在提供一種電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板，前述電磁波遮蔽薄膜之高頻信號傳輸特性及對高頻區域電磁波之遮蔽特性優異。電磁波遮蔽薄膜具備：遮蔽層，其係由以鎳作為主成分的第1金屬層及以銅作為主成分的第2金屬層所構成；接著劑層，其設置於遮蔽層之第2金屬層側；及保護層，其設置於遮蔽層之與第2金屬層側為相反側的第1金屬層側。第1金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下，第2金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下。

Description

電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板

發明領域 本揭示發明是有關於一種電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板。

背景技術 近年來，智慧型手機或平板型資訊終端要求可高速傳輸大容量之數據之性能，又，為了高速傳輸大容量之數據，必須使用高頻信號。然而，若使用高頻信號，則會自設置於印刷配線板的信號電路發生電磁波雜訊，周邊機器容易誤動作。故，為了防止此種誤動作，將印刷配線板自電磁波中遮蔽是重要的。

將印刷配線板遮蔽的方法，目前提出有一種使用電磁波遮蔽薄膜的方法，該電磁波遮蔽薄膜具有遮蔽層及導電性接著劑層。更具體而言，舉例言之，目前提出有一種電磁波遮蔽薄膜，其於絕緣層之單面上，依序設置以鎳或銅作為主成分的第1金屬層及第2金屬層(例如參照專利文獻1~2)。

該等電磁波遮蔽薄膜係將導電性接著劑層與設置於被覆印刷配線板之接地電路的絕緣層上之開口部疊合，並進行加熱加壓，將導電性接著劑填充於開口部。藉此，遮蔽層與印刷配線板之接地電路便透過導電性接著劑而連接，印刷配線板受到遮蔽。

先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2015-523709號公報 專利文獻2：WO2009/019963號說明書

發明概要 發明欲解決之課題 在此，若如上述專利文獻1~2中所記載的電磁波遮蔽薄膜形成2層金屬層，則有高頻信號之傳輸特性有時會降低之問題。

又，藉由將遮蔽層之厚度加厚，雖然可提升對高頻區域(1GHz~10GHz)電磁波之遮蔽特性，但卻具有電磁波遮蔽薄膜之薄型化變得困難之問題。

故，本發明是有鑑於上述問題而成，目的在提供一種電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板，前述電磁波遮蔽薄膜之高頻信號傳輸特性及對高頻區域電磁波之遮蔽特性優異。

用以解決課題之手段 為了達成上述目的，本發明之電磁波遮蔽薄膜之特徵在於具備：遮蔽層，其係由以鎳作為主成分的第1金屬層及以銅作為主成分的第2金屬層所構成；接著劑層，其設置於遮蔽層之第2金屬層側；及保護層，其設置於遮蔽層之與第2金屬層側為相反側的第1金屬層側；又，第1金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下，第2金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下。

發明效果 藉由本發明，可提供一種高頻信號傳輸特性及對高頻區域電磁波之遮蔽特性優異的電磁波遮蔽薄膜。

用以實施發明之形態 以下，具體地說明本發明之電磁波遮蔽薄膜。另，本發明並不限於以下實施形態，在未變更本發明要旨之範圍內，可適當地進行變更而應用。

＜電磁波遮蔽薄膜＞ 如圖1所示，本發明之電磁波遮蔽薄膜1具備：遮蔽層2；接著劑層3，其設置於遮蔽層2之第一面側；及保護層4，其設置於遮蔽層2之與第一面為相反側的第二面側。

又，本發明之電磁波遮蔽薄膜1可使用於傳輸高頻區域(1GHz~10GHz)之頻率信號的信號傳輸系統，且可兼顧高頻信號傳輸特性及對高頻區域電磁波之遮蔽特性兩者。

＜遮蔽層＞ 如圖1所示，遮蔽層2係由設置於保護層4之單面的第1金屬層5及設置於第1金屬層5之表面的第2金屬層6所構成。

第1金屬層5與第2金屬層6可作成金屬膜或是由導電性粒子構成的導電膜等，於本實施形態中，第1金屬層5以鎳作為主成分，第2金屬層6則以銅作為主成分。

又，於本實施形態中，以鎳作為主成分的第1金屬層5之厚度T1設定為2μm以上且10μm以下。這是因為當厚度T1小於2μm時，會有對高頻區域電磁波之遮蔽特性降低之情形，又，當厚度T1大於10μm時，會有薄型化變得困難同時成本上升之情形。

另，若由高頻的電磁場遮蔽特性之提升與電路之薄型化及經濟性之觀點來看，則第1金屬層5之厚度T1宜為6μm以下。

又，於本實施形態中，以銅作為主成分的第2金屬層6之厚度T2設定為2μm以上且10μm以下。這是因為當厚度T2小於2μm時，會有高頻區域傳輸特性降低之情形，又，當厚度T2大於10μm時，會有薄型化變得困難同時成本上升之情形。

另，若由達成電磁波遮蔽薄膜之薄型化，同時抑制成本上升之觀點來看，則第2金屬層6之厚度T2宜為6μm以下。

依據上述，於本發明之電磁波遮蔽薄膜1中，由於將以鎳作為主成分的第1金屬層之厚度T1設定為2μm以上且10μm以下，同時將以銅作為主成分的第2金屬層6之厚度T2設定為2μm以上且10μm以下，因此，可製得高頻信號傳輸特性及對高頻區域電磁波之遮蔽特性優異的電磁波遮蔽薄膜1。

又，於本實施形態中，第1金屬層5之厚度T1與第2金屬層6之厚度T2之合計宜為4μm以上且20μm以下(即，4μm≦T1+T2≦20μm)。這是因為當小於4μm時，會有對高頻區域電磁波之遮蔽特性降低之情形，而從電磁波遮蔽性能之觀點來看厚度之合計以厚者為佳，然而，當大於20μm時，會有薄型化變得困難同時成本上升之情形。

＜接著劑層＞ 如圖1所示，接著劑層3設置於遮蔽層2之第2金屬層6側。該接著劑層3只要是可將電磁波遮蔽薄膜1固定於印刷配線板者即無特殊限制，宜作成具有接著性樹脂組成物與導電性填料的導電性接著劑層。如此一來，藉由使用導電性接著劑層，可確實地將印刷電路(接地電路)與遮蔽層2電連接。

又，亦可使用導電性填料含量少的各向異性導電性接著劑層作為導電性接著劑層。藉由使用此種各向異性導電性接著劑層，相較於使用各向同性導電性接著劑層之情形，接著劑層3會形成更薄的膜，且因導電性填料量少，故可作成可撓性優異的接著劑層3。

接著性樹脂組成物並無特殊限制，可使用苯乙烯系樹脂組成物、醋酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物或丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物，或是酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物或醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

於接著劑層3中，視需要亦可含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調節劑等之至少一者。

接著劑層3之厚度並無特殊限制，可視需要適當地設定，可設為3μm以上，較為理想的是4μm以上且10μm以下，更為理想的是7μm以下。

導電性填料並無特殊限制，例如可使用金屬填料、被覆金屬之樹脂填料、碳填料及該等之混合物。上述金屬填料包括：銅粉、銀粉、鎳粉、塗銀銅粉、塗金銅粉、塗銀鎳粉、塗金鎳粉，該等金屬粉可藉由電解法、霧化法、還原法來製作。

又，特別是為了能輕易地獲得填料彼此之接觸，宜將導電性填料之平均粒徑設為3~50μm。又，導電性填料之形狀可列舉如：球狀、片狀、樹枝狀、纖維狀等。於該等之中，若由連接電阻、成本之觀點來看，則宜為選自於由銀粉、塗銀銅粉、銅粉所構成群組中之至少一者。

導電性填料之添加量宜相對於各向異性導電性接著劑層之全體量為3質量%~39質量%。若添加量在上述範圍內，則可使高頻區域中的電磁波遮蔽特性及傳輸特性良好。

＜保護層＞ 如圖1所示，保護層4設置於遮蔽層2之與第2金屬層6側為相反側的第1金屬層5側。該保護層4只要滿足可保護遮蔽層2的預定機械強度、耐藥品性及耐熱性等即可。保護層4只要具有充分之絕緣性，且可保護接著劑層3及遮蔽層2，則無特殊限制，例如可使用熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物或活性能量線硬化性組成物等。

熱可塑性樹脂組成物並無特殊限制，可使用苯乙烯系樹脂組成物、醋酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物或丙烯酸系樹脂組成物等。熱硬化性樹脂組成物並無特殊限制，可使用酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯系樹脂組成物、末端具有異氰酸酯基之脲系樹脂、末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯脲系樹脂、三聚氰胺系樹脂組成物或醇酸系樹脂組成物等。又，活性能量線硬化性組成物並無特殊限制，例如可使用分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基的聚合性化合物等。該等樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。

又，於該等之中，若由提升耐回焊性而防止電磁波遮蔽薄膜1與印刷配線板之電連接降低之觀點來看，則宜為末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯脲系樹脂，或是併用末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯脲系樹脂與環氧系樹脂的樹脂。又，末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯系樹脂或是末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯脲系樹脂宜具有1~30mgKOH/g之酸價，更為理想的是具有3~20mgKOH/g之酸價。又，亦可併用酸價在1~30mgKOH/g範圍內且酸價不同的2種以上胺基甲酸酯系樹脂或胺基甲酸酯脲系樹脂。若酸價為1mgKO/g以上，則電磁波遮蔽薄膜之耐回焊性良好，若為30mgKOH/g以下，則電磁波遮蔽薄膜之耐撓曲性良好。另，酸價乃根據JIS K 0070-1992來測定。又，保護層4可藉由單獨之材料形成，亦可由2種以上之材料形成。

於保護層4中，視需要亦可含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗結塊劑等之至少一者。

保護層4亦可為材質或硬度抑或彈性模數等物性不同的2層以上之積層體。舉例言之，若作成硬度低的外層與硬度高的內層之積層體，則外層具有緩衝效果，故可緩和在將電磁波遮蔽薄膜1於印刷配線板上加熱加壓之步驟時施加於遮蔽層2之壓力。因此，可抑制遮蔽層2因設置於印刷配線板之落差而受到破壞。

又，保護層4之厚度並無特殊限制，可視需要適當地設定，可設為1μm以上，宜為4μm以上且20μm以下，較為理想的是10μm以下，更為理想的是5μm以下。藉由將保護層4之厚度設為1μm以上，可充分地保護接著劑層3及遮蔽層2。又，藉由將保護層4之厚度設為20μm以下，可確保電磁波遮蔽薄膜1之撓曲性，且可輕易地將一片電磁波遮蔽薄膜1應用在要求撓曲性的構件中。

(電磁波遮蔽薄膜之製造方法) 其次，說明本發明之電磁波遮蔽薄膜1之製造方法的一例。本發明之電磁波遮蔽薄膜1之製造方法並無特殊限制，舉例言之，可例示具有以下步驟的製造方法：形成保護層4之步驟；於保護層4之表面形成第1金屬層5之步驟；於第1金屬層5之與保護層4為相反側之表面形成第2金屬層6之步驟；及於第2金屬層6之與第1金屬層5為相反側之表面塗佈接著劑層用組成物後，使接著劑組成用組成物硬化而形成接著劑層3之步驟。

＜保護層形成步驟＞ 首先，調製保護層用組成物。該保護層用組成物可於樹脂組成物中適量地添加溶劑及其他摻合劑來調製。溶劑例如可設為甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。其他摻合劑則可添加交聯劑或聚合用催化劑、硬化促進劑及著色劑等。其他摻合劑只要視需要添加即可。

其次，將所調製保護層用組成物塗佈於支持基材之單面。將保護層用組成物塗佈於支持基材之單面之方法並無特殊限制，可採用唇口塗佈、刮刀逗式塗佈、凹版塗佈、狹縫式模具塗佈等公知技術。

支持基材例如可作成薄膜狀。支持基材並無特殊限制，例如可藉由聚烯烴系、聚酯系、聚醯亞胺系、聚伸苯硫醚系等材料來形成。另，於支持基材與保護層用組成物間亦可設置脫模劑層。

又，在將保護層用組成物塗佈於支持基材後，進行加熱乾燥而除去溶劑，藉此，形成保護層4。另，支持基材可自保護層4剝離，惟支持基材之剝離可在將電磁波遮蔽薄膜1黏貼於印刷配線板後進行。若依此作成，則可藉由支持基材保護電磁波遮蔽薄膜1。

＜第1金屬層形成步驟＞ 其次，於保護層4之表面形成以鎳作為主成分的第1金屬層5。更具體而言，將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(優貝克(ULVAC)製 EBH-800)內，並使用尺寸50mm×550mm之鎳靶，於氬氣環境中調整為真空到達度5×10-1Pa以下，以形成預定金屬膜厚之時間連續施加DC電源，藉此，可形成第1金屬層5。另，關於在濺鍍後實施的形成第2金屬層6之真空蒸鍍係連續進行處理，且令濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。

又，若藉由濺鍍法使第1金屬層5成膜，則可獲得與保護層4充分之密接力，藉由使用鎳作為第1金屬層5，可抑制第2金屬層6之平均結晶粒徑而抑制第2金屬層6之表面氧化。

＜第2金屬層形成步驟＞ 其次，於第1金屬層5之與保護層4為相反側之表面形成以銅作為主成分的第2金屬層6。更具體而言，將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(優貝克(ULVAC)製 EBH-800)內，並將構成目標厚度之量的銅載置於蒸鍍舟上後，進行真空抽引直到構成真空到達度9.0×10-3Pa以下後，將蒸鍍舟加熱而實施真空蒸鍍。

又，使平均結晶粒徑小的第2金屬層成膜之方法宜為真空蒸鍍法。若為濺鍍法等，則金屬結晶之成長速度快，難以將平均結晶粒徑控制在200nm以下，因此，宜藉由真空蒸鍍法來形成第2金屬層6。

＜接著劑層形成步驟＞ 其次，於第2金屬層6之與第1金屬層5為相反側之表面塗佈接著劑層用組成物，形成接著劑層3。在此，接著劑層用組成物含有樹脂組成物及溶劑。樹脂組成物並無特殊限制，可設為苯乙烯系樹脂組成物、醋酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物或丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物，或是酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物或醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。另，該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

溶劑例如可設為甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。

又，視需要可於接著劑層用組成物中含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調節劑等之至少一者。接著劑層用組成物中的樹脂組成物之比率可依照接著劑層3之厚度等適當地設定。

於第2金屬層6上塗佈接著劑層用組成物之方法並無特殊限制，可使用唇口塗佈、刮刀逗式塗佈、凹版塗佈或狹縫式模具塗佈等。

又，於第2金屬層6上塗佈接著劑層用組成物後，進行加熱乾燥而除去溶劑，藉此，形成接著劑層3。另，視需要，亦可於接著劑層3之表面黏合脫模薄膜。

(遮蔽印刷配線板) 本實施形態之電磁波遮蔽薄膜1例如可使用於圖2所示之遮蔽印刷配線板30。該遮蔽印刷配線板30具備印刷配線板20及電磁波遮蔽薄膜1。

印刷配線板20具有：基底層11；印刷電路(接地電路)12，其形成於基底層11上；絕緣性接著劑層13，其於基底層11上與印刷電路12鄰接設置；及絕緣性覆蓋層14，其形成有用以露出印刷電路12之一部分的開口部15，並設置成覆蓋絕緣性接著劑層13。另，藉由絕緣性接著劑層13與覆蓋層14，構成印刷配線板20之絕緣層。

基底層11、絕緣性接著劑層13及覆蓋層14並無特殊限制，例如可設定為樹脂薄膜等。此時，可藉由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚伸苯硫醚等樹脂來形成。印刷電路12例如可作成形成於基底層11上的銅配線圖案等。

又，於本實施形態中，電磁波遮蔽薄膜1係使接著劑層3在覆蓋層14側來與印刷配線板20接著，且如圖2所示作成下述構造：於印刷配線板20側(即，以電磁波遮蔽薄膜1之厚度方向來看的內側，為黏貼於印刷配線板20之接著劑層3側)設置以銅作為主成分的第2金屬層6，同時在與印刷配線板20相反之側(即，以電磁波遮蔽薄膜1之厚度方向X來看的外側，與接著劑層3側為相反側)設置以鎳作為主成分的第1金屬層5。

故，在構成遮蔽層2的第1及第2金屬層5、6中，以銅作為主成分且導磁率小的第2金屬層6係配置於印刷配線板20側，因此，自印刷電路12放射之磁場大多可藉由第2金屬層6而反射並回到印刷電路12。故，可防止高頻信號之傳輸特性之降低。

其次，說明遮蔽印刷配線板30之製造方法。於印刷配線板20上載置電磁波遮蔽薄膜1，且藉由壓機加熱並加壓。藉由加熱而變軟的接著劑層3之一部分會藉由加壓而流入形成於覆蓋層14的開口部15。藉此，電磁波遮蔽薄膜1便透過接著劑層3黏貼於印刷配線板20，同時遮蔽層2與印刷配線板20之印刷電路12會透過導電性接著劑而連接，且遮蔽層2與印刷電路12連接。

另，上述實施形態亦可如下述般進行變更。

於上述實施形態中，係作成在含有印刷電路12的印刷配線板20之單面設置電磁波遮蔽薄膜1之構造，然而，亦可如圖3所示，作成於遮蔽印刷配線板40之印刷配線板20兩面設置電磁波遮蔽薄膜1之構造。即，於本發明中，可作成在印刷配線板20之至少單面上透過接著劑層3黏貼圖1所示之電磁波遮蔽薄膜1的構造。

實施例 以下，根據實施例說明本發明。另，本發明並不限於該等實施例，可根據本發明之旨趣，將該等實施例進行變形、變更，且無法自本發明之範圍將該等排除在外。

(實施例1) ＜電磁波遮蔽薄膜之製造＞ 支持基材是使用厚度為60μm且業已於表面施行脫模處理的PET薄膜。其次，於支持基材上，塗佈由雙酚A型環氧系樹脂(三菱化學(股)製，jER1256)及甲基乙基酮所構成的保護層用組成物(固形成分量30質量%)，並進行加熱乾燥，藉此，製作具有5μm之厚度的附保護層之支持基材。

其次，於保護層之表面形成遮蔽層。更具體而言，將附保護層之支持基材設置於分批式真空蒸鍍裝置(優貝克(ULVAC)製 EBH-800)內，並於氬氣環境中調整為真空到達度5×10-1Pa以下，且藉由磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)蒸鍍鎳達4.0μm之厚度，形成第1金屬層。

其次，將銅載置於蒸鍍舟上後，進行真空抽引直到構成真空到達度9.0×10-3Pa以下，然後，將蒸鍍舟加熱來實施真空蒸鍍，形成2.0μm之第2金屬層。另，第1金屬層之形成與第2金屬層之形成係連續進行處理，且令濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。

接著，於遮蔽層之表面，塗佈具有甲酚酚醛型環氧樹脂(DIC公司製，EPICLON N-655-EXP)100質量份及枝晶狀塗銀銅粉(平均粒徑13μm)20質量份的各向異性導電性接著劑，形成具有15μm之厚度的接著劑層。

＜遮蔽印刷配線板之製作＞ 其次，為了在印刷配線板側配置以銅作為主成分的第2金屬層，同時在與印刷配線板相反之側配置以鎳作為主成分的第1金屬層，將所製作電磁波遮蔽薄膜與印刷配線板以使電磁波遮蔽薄膜之接著劑層與印刷配線板相對向之方式疊合。又，使用壓機，以170℃、3.0MPa之條件加熱加壓1分鐘後，藉由相同的溫度及壓力加熱加壓3分鐘，並自保護層剝離支持基材，製作於印刷配線板之兩面設置有電磁波遮蔽薄膜的遮蔽印刷配線板。

另，印刷配線板具有相互間隔平行延伸的2條銅箔圖案及覆蓋銅箔圖案且由聚醯亞胺構成的絕緣層(厚度：25μm)，並於絕緣層設置有露出各銅箔圖案的開口部(直徑：1mm)。又，將電磁波遮蔽薄膜之接著劑層與印刷配線板疊合成該開口部被電磁波遮蔽薄膜完全地覆蓋。

＜電場波及磁場波遮蔽特性＞ 首先，遮蔽薄膜之電場波及磁場波遮蔽特性係藉由KEC法進行評價，且前述KEC法使用了由一般社團法人KEC關西電子工業振興中心所開發的電磁波遮蔽效果測定裝置(由電場波遮蔽效果評價裝置11a與磁場波遮蔽效果評價裝置11b所構成的裝置)。

圖4~圖5所示者為KEC法中所用系統之構造。KEC法中所用系統係由上述電磁波遮蔽效果測定裝置、頻譜分析儀21、進行10dB之衰減的衰減器22、進行3dB之衰減的衰減器23及前置放大器24所構成。

另，頻譜分析儀21是使用愛德萬測試(ADVANTEST)股份有限公司製之U3741，或是安捷倫科技(AGILENT TECHNOLOGIES)公司製之HP8447F。又，如圖4~圖5所示，電場波及磁場波遮蔽特性之測定中使用的夾具是使用不同的夾具(測定夾具13、15)。

於電場波遮蔽效果評價裝置11a中，2個測定夾具13是相對向設置。又，於這2個測定夾具13間，夾持設置了測定對象之遮蔽薄膜(測定試料)101。測定夾具13採用TEM室(橫向電磁室，Transverse Electro Magnetic Cell)之尺寸分配，並構成在與其傳輸軸方向垂直之面內左右對稱地分割的構造。不過，為了防止因測定試料101之***而形成短路電路，平板狀的中心導體14係於與各測定夾具13間設置間隙而配置。

又，於磁場波遮蔽效果評價裝置11b中，2個測定夾具15係相對向設置。又，於這2個測定夾具15間，夾持設置了測定對象之遮蔽薄膜101。為了產生磁場波成分大的電磁場，磁場波遮蔽效果評價裝置11b於測定夾具15中使用遮蔽型圓形環形天線16，並與90度角的金屬板組合而構成環形天線有1/4之部分於外部露出的構造。

KEC法首先將自頻譜分析儀21輸出之信號透過衰減器22輸入至發送側的測定夾具13或測定夾具15。然後，將業經接收側的測定夾具13或測定夾具15接收且已經過衰減器23的信號藉由前置放大器24擴大後，利用頻譜分析儀21測定信號位準。另，頻譜分析儀21係以未於電磁波遮蔽效果測定裝置設置遮蔽薄膜之狀態為基準，輸出業已於電磁波遮蔽效果測定裝置設置遮蔽薄膜時的衰減量。

又，使用該電磁波遮蔽效果測定裝置，評價所製作遮蔽印刷配線板的電場波遮蔽性能與磁場波遮蔽特性。圖6中顯示電場波遮蔽性能之測定結果，同時圖7中顯示磁場波遮蔽性能之測定結果。另，使用業已將所製作遮蔽印刷配線板裁切成15cm見方者作為測定資料。又，於1MHz~1000MHz之頻率範圍進行測定。又，於溫度25℃、相對濕度30~50%之環境氣體中進行測定。

＜輸出波形特性＞ 其次，使用圖8所示之系統構造，評價遮蔽薄膜之輸出波形特性。該系統係由資料產生器41、示波器42、安裝於示波器42之取樣模組43及一對連接用基板32所構成。

另，資料產生器41是使用安捷倫科技(AGILENT TECHNOLOGIES)公司製之81133A。又，示波器42是使用太克(TEKTRONIX)公司製之DSC8200。又，取樣模組43是使用太克(TEKTRONIX)公司製之80E03。

如圖8所示，連接用基板32具有輸入端子及輸出端子，且於一對連接用基板32間連接測定對象之遮蔽撓性印刷配線板110，以浮在空中之直線狀態來支持遮蔽撓性印刷配線板110。再者，連接於資料產生器41與取樣模組43而進行眼圖之觀測。圖9中顯示藉由示波器42觀測位元率為1Gbps、3Gbps、5Gbps及10Gbps時的測定結果。

另，輸出波形特性之測定係使用上述頻率特性之測定中所用的測定資料進行測定。又，設為150mV/side(300mVdiff)之輸入振幅，資料型樣設為PRBS23。又，於溫度25℃、相對濕度30~50%之環境氣體中進行測定。

(實施例2) 除了將由鎳形成的第1金屬層之厚度變更為2μm外，以與實施例1相同方式製作電磁波遮蔽薄膜及遮蔽印刷配線板，並進行電場波及磁場波遮蔽特性與輸出波形特性之評價。圖6、7、9中顯示以上之結果。

(比較例1) 除了以銅形成第1金屬層(厚度：2μm)並以鎳形成第2金屬層(厚度：4μm)來替換實施例1中的第1金屬層與第2金屬層外，以與實施例1相同方式製作電磁波遮蔽薄膜及遮蔽印刷配線板，並進行電場波及磁場波遮蔽特性與輸出波形特性之評價。圖6、7、9中顯示以上之結果。

如圖6~圖7所示可知，相較於比較例1，實施例1~2之遮蔽印刷配線板的衰減量較大，遮蔽特性優異。

又，如圖9所示可知，相較於比較例1，實施例1~2之遮蔽印刷配線板即便是在信號之位元率上升之情形時，信號亦不易紊亂，高頻信號之傳輸特性優異。

產業上之可利用性 如以上所說明，本發明適合於電磁波遮蔽薄膜及設有其之遮蔽印刷配線板。

1‧‧‧電磁波遮蔽薄膜

2‧‧‧遮蔽層

3‧‧‧接著劑層

4‧‧‧保護層

5‧‧‧第1金屬層

6‧‧‧第2金屬層

11‧‧‧基底層

11a‧‧‧電場波遮蔽效果評價裝置

11b‧‧‧磁場波遮蔽效果評價裝置

12‧‧‧印刷電路

13‧‧‧絕緣性接著劑層

13、15‧‧‧測定夾具

14‧‧‧覆蓋層

14‧‧‧中心導體

15‧‧‧開口部

16‧‧‧遮蔽型圓形環形天線

20‧‧‧印刷配線板

21‧‧‧頻譜分析儀

22、23‧‧‧衰減器

24‧‧‧前置放大器

30、40‧‧‧遮蔽印刷配線板

32‧‧‧連接用基板

41‧‧‧資料產生器

42‧‧‧示波器

43‧‧‧取樣模組

101‧‧‧遮蔽薄膜(測定試料)

110‧‧‧遮蔽撓性印刷配線板

T1、T2‧‧‧厚度

X‧‧‧厚度方向

圖1是本發明實施形態的電磁波遮蔽薄膜之截面圖。 圖2是本發明實施形態的遮蔽印刷配線板之截面圖。 圖3是本發明變形例的遮蔽印刷配線板之截面圖。 圖4所示者為實施例中使用的KEC法所用系統之構造。 圖5所示者為實施例中使用的KEC法所用系統之構造。 圖6所示者為利用KEC法的電場波遮蔽性能之測定結果。 圖7所示者為利用KEC法的磁場波遮蔽性能之測定結果。 圖8所示者為實施例中使用的測定輸出波特性之系統之構造。 圖9所示者為藉由示波器觀測所得的輸出波形之結果。

Claims (5)

1. 一種電磁波遮蔽薄膜，其特徵在於具備： 遮蔽層，其係由以鎳作為主成分的第1金屬層及以銅作為主成分的第2金屬層所構成； 接著劑層，其設置於前述遮蔽層之第2金屬層側；及 保護層，其設置於前述遮蔽層之與前述第2金屬層側為相反側的第1金屬層側； 又，前述第1金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下，前述第2金屬層之厚度為2μm以上且10μm以下。
2. 如請求項1之電磁波遮蔽薄膜，其中前述第1金屬層之厚度與前述第2金屬層之厚度合計為4μm以上且20μm以下。
3. 如請求項1或請求項2之電磁波遮蔽薄膜，其中前述接著劑層為各向異性導電性接著劑層。
4. 如請求項1至請求項3中任一項之電磁波遮蔽薄膜，其使用於傳輸1GHz~10GHz之頻率信號的信號傳輸系統。
5. 一種遮蔽印刷配線板，其特徵在於：於含有印刷電路的印刷配線板之至少單面上，透過前述接著劑層將如請求項1至請求項4中任一項之電磁波遮蔽薄膜黏貼於前述印刷配線板。