TW201903742A - 陣列基板和顯示屏 - Google Patents

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Abstract

本申請是關於一種陣列基板和顯示屏，該陣列基板上對應的顯示區包括異形顯示區和非異形顯示區，該陣列基板上包括位於非顯示區與異形顯示區中的畫素對應的第一閘極驅動單元，位於非顯示區與非異形顯示區中的畫素對應的第二閘極驅動單元，第一閘極驅動單元的第一輸出電晶體的寬長比小於第二閘極驅動單元的第二輸出電晶體的寬長比，並適應性地配置異形顯示區對應的第一引出線的寬度與非異形顯示區對應的第二引出線的寬度，精確補償了異形顯示區和非異形顯示區之間的差異，解決了異形顯示區與非異形顯示區中因負載不同所導致的顯示的圖像亮度不均的技術問題。

Description

陣列基板和顯示屏
本申請是關於顯示技術領域，特別是是關於一種陣列基板和顯示屏。
目前，常見的顯示裝置，例如顯示器、電視機、手機、平板電腦等，其顯示屏通常為規則的矩形。隨著顯示技術的發展，矩形的顯示屏已經不能滿足用戶多樣化的使用需求。因而，顯示屏的形狀越來越多樣化。
通常，非矩形的顯示屏稱為異形顯示屏。異形顯示屏包括異形顯示區與非異形顯示區。異形顯示區中每列的畫素個數與非異形顯示區中每列的畫素個數不同。
在傳統技術中，顯示面板中的驅動電路通過不同的掃描線控制對應列上的畫素。然而，掃描線為對應列上的畫素提供相同的掃描信號時，由於異形顯示區與非異形顯示區每列的畫素個數不同會導致掃描線上的負載不同，從而導致顯示的圖像亮度不均，影響顯示效果。
基於此，本申請提供一種陣列基板和顯示屏，能夠解決由於異形顯示區與非異形顯示區每列的畫素數量不同而導致顯示圖像亮度不均的技術問題。
本申請提供一種陣列基板，該陣列基板包括：基板，所述基板上設置有顯示區和非顯示區，所述顯示區包括陣列排布的畫素，所述顯示區包括異形顯示區和非異形顯示區；至少一個第一閘極驅動單元，位於所述非顯示區且通過第一引出線連接所述異形顯示區中對應列上的畫素，所述第一閘極驅動單元用於驅動對應列上的畫素；以及至少一個第二閘極驅動單元，位於所述非顯示區且通過第二引出線連接所述非異形顯示區中的對應列上的畫素，所述第二閘極驅動單元用於驅動對應列上的畫素；其中，所述第一閘極驅動單元包括至少一個第一輸出電晶體，所述第二閘極驅動單元包括至少一個第二輸出電晶體，所述第一輸出電晶體的寬長比小於所述第二輸出電晶體的寬長比；且所述異形顯示區對應的所述第一引出線的寬度和所述非異形顯示區對應的所述第二引出線的寬度分別適應性地配置，以使所述異形顯示區和所述非異形顯示區的發光電流相等。
在其中一個實施例中，所述異形顯示區每一列的畫素數量均小於所述非異形顯示區任一列的畫素數量，或者所述第一輸出電晶體的閘極面積大於所述第二輸出電晶體的閘極面積，或者所述第一輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數大於所述第二輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數，或者所述第一輸出電晶體的閘絕緣層的厚度小於所述第二輸出電晶體的閘絕緣層的厚度。
在其中一個實施例中，所述第一閘極驅動單元包括掃描驅動電路和/或發射驅動電路；所述第二閘極驅動單元包括掃描驅動電路和/或發射驅動電路。
在其中一個實施例中，在所述異形顯示區的至少兩列畫素的畫素數量不同，且所述異形顯示區中每一列畫素所對應的所述第一輸出電晶體的寬長比隨著所在列的畫素數量的減少而減小。
在其中一個實施例中，所述異形顯示區包括至少一個子異形顯示區，每個所述子異形顯示區包括至少兩列畫素；所述子異形顯示區中每一列的畫素數量均相同，所述子異形顯示區中任一列畫素對應的所述第一輸出電晶體的寬長比相等；不同子異形顯示區中每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比與所述不同子異形顯示區每一列的畫素數量呈正相關。
在其中一個實施例中，所述異形顯示區包括至少一個子異形顯示區，每個所述子異形顯示區包括至少兩列畫素，所述每個子異形顯示區中每一列畫素對應的所述第一輸出電晶體的寬長比與所述每個子異性顯示區中每一列的畫素數量呈正相關。
在其中一個實施例中，所述陣列基板還包括分別位於所述異形顯示區和所述非異形顯示區的信號線，所述信號線在所述異形顯示區貼合所述異形顯示區的邊緣集中彎曲走線；位於所述異形顯示區的所述信號線用於連接所述第一輸出電晶體並向所述異形顯示區中對應列上的畫素傳遞驅動信號，並補償所述異形顯示區中信號線的電阻與所述非異形顯示區中信號線的電阻之間的電阻差異。
在其中一個實施例中，所述異形顯示區的所述信號線的寬度與所述非異形顯示區的所述信號線的寬度不等。
在其中一個實施例中，在所述異形顯示區的所述信號線包括多段子信號線，所述多段子信號線中至少一段所述子信號線的寬度與所述非異形顯示區的信號線的寬度不等。
本申請還提供了一種顯示屏，包括上述任一陣列基板。
本申請提供了陣列基板和顯示屏，該陣列基板上對應的顯示區包括異形顯示區和非異形顯示區，位於非顯示區與異形顯示區中的畫素對應的第一閘極驅動單元，位於非顯示區與非異形顯示區中的畫素對應的第二閘極驅動單元，第一閘極驅動單元的第一輸出電晶體的寬長比小於第二閘極驅動單元的第二輸出電晶體的寬長比，且通過配置異形顯示區對應的第一引出線的寬度與非異形顯示區對應的第二引出線的寬度，精確補償了異形顯示區和非異形顯示區之間的差異，使得異形顯示區和非異形顯示區的發光電流相等，解決了異形顯示區與非異形顯示區二者因負載不同所導致的顯示圖像亮度不均的技術問題，改善了顯示效果。
為使本申請的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本申請的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本申請。但是本申請能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，所屬領域中具通常知識者可以在不違背本申請內涵的情況下做類似改進，因此本申請不受下面公開的具體實施例的限制。
在一個實施例中，請參見圖1a，本申請提供一種陣列基板，該陣列基板包括基板，基板上設置有顯示區和非顯示區110，顯示區包括異形顯示區120和非異形顯示區130，該基板上對應的顯示區包括陣列排布的畫素140，異形顯示區120每一列的畫素數量均小於非異形顯示區130任一列的畫素數量。其中，驅動器在驅動異形顯示區每列上的畫素及非異形顯示區每列上的畫素時，由於異形顯示區與非異形顯示區每列上的畫素數量不等，即負載不同，這會導致異形顯示區和非異形顯示區的顯示效果不均勻。
可以理解的是，非異形顯示區中的各列畫素數量相等，非異形顯示區一般是規則區域，例如，非異形顯示區的形狀為矩形。非異形顯示區每列上的畫素數量一般相等，則非異形顯示區中的每列畫素的發光特性保持一致。
請參見圖1a，該陣列基板還包括至少一個第一閘極驅動單元150和至少一個第二閘極驅動單元160。第一閘極驅動單元150位於非顯示區110。第一閘極驅動單元150通過第一引出線170連接異形顯示區120中對應列上的畫素140。第一閘極驅動單元150用於驅動所對應列上的畫素140。第二閘極驅動單元160位於非顯示區110。第二閘極驅動單元160通過第二引出線180連接非異形顯示區130中對應列上的畫素140。第二閘極驅動單元160用於驅動所對應列上的畫素140。其中，第一閘極驅動單元150包括至少一個第一輸出電晶體，第二閘極驅動單元160包括至少一個第二輸出電晶體。第一輸出電晶體和第二輸出電晶體均包括閘極、源極和汲極，通過閘極的電壓可以控制第一/第二輸出電晶體的關斷或者導通。第一輸出電晶體的寬長比小於第二輸出電晶體的寬長比。異形顯示區120對應的第一引出線170的寬度與非異形顯示區130對應的第二引出線180的寬度分別進行適應性的配置，以使異形顯示區和非異形顯示區的發光電流相等。其中，電晶體的寬長比指的是電晶體的導電溝道的寬與長的比值即W/L，其中W為電晶體的導電溝道的寬，L為電晶體的導電溝道的長。一般情況下，電晶體的寬長比越大，其驅動能力即帶負載的能力越大，流經電晶體的驅動電流越大。
示例性地，請參見圖1b，掃描信號線沿著第二方向延伸。第一引出線170與異形顯示區120的掃描信號線連接。第二引出線180與非異形顯示區130的掃描信號線連接。第一引出線170的寬度指的是第一引出線170在第一方向上的尺寸W1，第二引出線180的寬度指的是第二引出線180在第一方向上的尺寸W2。其中，第一方向與第二方向相互垂直。可以理解的是，掃描信號線在第一方向上也具有一定的尺寸，記為掃描信號線的寬度，掃描信號線可以包括多段子掃描信號線，每段子掃描信號線在第一方向上同樣具有一定的尺寸，記為子掃描信號線的寬度，在此不再贅述。
具體地，通過改變第一輸出電晶體的寬長比不能精準地補償異形顯示區與非異形顯示區之間的差異，所以，在減小第一輸出電晶體的寬長比之後，第一閘極驅動單元的驅動能力依舊不能完全改善異形顯示區120與非異形顯示區130之間的顯示效果不均勻的問題。可以在改變第一輸出電晶體的寬長比的基礎上進一步地適應性地配置第一引出線170的寬度與第二引出線180的寬度，比如通過適應性地配置使得第一引出線170的寬度可以等於第二引出線180的寬度，第一引出線170的寬度可以小於第二引出線180的寬度，或者第一引出線170的寬度可以大於第二引出線180的寬度，以實現精準補償。那麼，首先可以通過減小異形顯示區120中第一輸出電晶體的寬長比以降低異形顯示區120中第一閘極驅動單元的驅動能力，其次可以通過適應性地配置異形顯示區120中第一引出線170的寬度以相應地改變電容負載。結合使用減小第一輸出電晶體的寬長比和適應性地調整第一引出線170的寬度兩種方式，可以從第一閘極驅動單元的驅動能力及電容負載兩個方面解決異形顯示區120和非異形顯示區130之間的顯示效果不均勻的問題。
比如，當寬長比減小後的第一閘極驅動單元的驅動能力相對於異形顯示區120的畫素數量依舊較強時，可以增大異形顯示區對應的第一引出線170的寬度，使得第一引出線170的寬度大於非異形顯示區對應的第二引出線180的寬度以相應地增大異形顯示區120的電容負載。當寬長比減小後的第一閘極驅動單元的驅動能力相對於異形顯示區120的畫素數量較弱時，可以減小異形顯示區對應的第一引出線170的寬度，使得第一引出線170的寬度小於非異形顯示區對應的第二引出線180的寬度，以相應地減小異形顯示區120的電容負載。
對於僅通過減小第一輸出電晶體的寬長比的方式，模擬結果如下表所示，通過降低第一輸出電晶體的寬長比，使得異形顯示區與非異形顯示區的電流差異為0.27nA。在第一輸出電晶體的寬長比改變前，異形顯示區與非異形顯示區的電流差異為5nA，則異形顯示區與非異形顯示區的亮度相差至少5個灰階，特別是低灰階時，異形顯示區與非異形顯示區之間的亮度不均會更加明顯。
對於結合使用減小第一輸出電晶體的寬長比和適應性地調整第一引出線的寬度兩種方式，模擬結果如下表所示，通過降低第一輸出電晶體的寬長比且適應性地調整第一引出線的寬度，異形顯示區與非異形顯示區的電流差異為0.08nA。因此，結合兩種方式進行補償後的電流差異比通過一種方式進行補償後的電流差異更小，可以使得異形顯示區與非異形顯示區之間的亮度更均勻。
在本實施例中，通過減小異形顯示區中第一輸出電晶體的寬長比並合理配置異形顯示區中第一引出線的寬度，可以降低異形顯示區中第一閘極驅動單元的驅動能力並適當地進行電容補償，使異形顯示區和非異形顯示區的發光電流相等，從而解決了異形顯示區與非異形顯示區之間因負載不同導致二者的顯示的圖像亮度不均的技術問題，提升了異形顯示區與非異形顯示區之間的亮度均一性。
在一個實施例中，第一閘極驅動單元和第二閘極驅動單元均為閘極驅動單元，閘極驅動單元包括掃描驅動電路和/或發射驅動電路。其中，閘極驅動單元可以僅包括掃描驅動電路，也可以僅包括發射驅動電路，還可以同時包括掃描驅動電路和發射驅動電路。掃描驅動電路，用於將掃描信號順序地施加到畫素。發射驅動電路，用於將發射控制信號施加到畫素。
示例性地，請參見圖2，閘極驅動單元包括掃描驅動電路210、發射驅動電路220和數據驅動器230。掃描驅動電路210通過掃描信號線S1至Sn連接矩陣形式排列的多個畫素PXnm，例如PX11、PX12、PX21、PX22、PXn1、PXn2等，其中PXnm表示第n列第m行的畫素。畫素PX11至PXnm也連接到發射控制信號線E1至Em，並通過發射控制信號線E1至Em連接發射驅動電路。其中，發射控制信號線E1至Em大致平行於掃描信號線S1至Sn。
示例性地，請參見圖3，掃描驅動電路210為6T2C電路，包括電晶體M1、電晶體M2、電晶體M3、電晶體M4、電晶體M5、電晶體M6、電容C1及電容C2。其中，電晶體M5、電晶體M6為掃描驅動電路210的輸出電晶體。電晶體M5、電晶體M6根據其閘極的電壓導通或者關斷。電晶體M5導通時，將時鐘信號輸入端SCK2的輸入信號傳輸至掃描驅動電路210的輸出端。電晶體M6導通時，將電源電壓信號輸入端VGH的輸入信號傳輸至掃描驅動電路210的輸出端。進一步地，請參見圖1a及圖3，異形顯示區120的畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的第二輸出電晶體的寬長比。具體地，異形顯示區120的畫素對應的電晶體M5的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的電晶體M5的寬長比。異形顯示區120的畫素對應的電晶體M6的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的電晶體M6的寬長比。需要說明的是，SCK1表示時鐘信號輸入端，SIN、SCAN表示6T2C電路的電路信號。
示例性地，請參見圖4，發射驅動電路220為13T3C電路，包括電晶體M1、電晶體M2、電晶體M3、電晶體M4、電晶體M5、電晶體M6、電晶體M7、電晶體M8、電晶體M9、電晶體M10、電晶體M11、電晶體M12、電晶體M13、電晶體M44、電容C1、電容C2及電容C3。其中，電晶體M9、電晶體M10為發射驅動電路220的輸出電晶體。電晶體M9、電晶體M10根據其閘極的電壓導通或者關斷。電晶體M9導通時，將電源電壓信號輸入端VGH的輸入信號傳輸至發射驅動電路220的輸出端，電晶體M10導通時，將電源電壓信號輸入端VGL的輸入信號傳輸至發射驅動電路220的輸出端。進一步地，請參見圖1a及圖4，異形顯示區120的畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的第二輸出電晶體的寬長比。具體地，異形顯示區120的畫素對應的電晶體M9的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的電晶體M9的寬長比。異形顯示區120的畫素對應的電晶體M10的寬長比小於非異形顯示區130的畫素對應的電晶體M10的寬長比。需要說明的是，EIN、ECK1、ECK2、EM表示13T3C電路的電路信號。
示例性的，請參見圖1a、圖2、圖3及圖4，陣列基板中的閘極驅動單元包括掃描驅動電路210和發射驅動電路220，可以改變掃描驅動電路210、發射驅動電路220中任一者或者兩者對應的第一輸出電晶體的寬長比，比如可以僅減小掃描驅動電路210中的電晶體M5及電晶體M6的寬長比，也可以僅減小發射驅動電路220中的電晶體M9及電晶體M10的寬長比，還可以同時減小掃描驅動電路210中的電晶體M5及電晶體M6的寬長比和發射驅動電路220中的電晶體M9及電晶體M10的寬長比。
可以理解的是，閘極驅動單元可以包括掃描驅動電路或發射驅動電路中的一者或同時包括掃描驅動電路和發射驅動電路。比如，閘極驅動單元可以僅包括掃描驅動電路，也可以同時包括掃描驅動電路和發光驅動電路。設計者可以根據實際情況對異形顯示區對應的第一輸出電晶體和非異形顯示區對應的第二輸出電晶體進行寬長比參數的差異化設計。
在本實施例中，通過減小掃描驅動電路、發射驅動電路中任一者或者兩者對應的第一輸出電晶體的寬長比，降低了掃描驅動電路或者發射驅動電路中任一者或者兩者的驅動能力，解決了異形顯示區和非異形顯示區之間負載不均衡的問題，使得異形顯示區和非異形顯示區二者的顯示效果均勻，改善了顯示效果。
在一個實施例中，在異形顯示區至少兩列上的畫素數量不同，且每一列畫素所對應的第一輸出電晶體的寬長比隨著所在列的畫素數量的減少而減小。其中，在異形顯示區具有多列畫素，且至少兩列上的畫素數量不同。當異形顯示區的每列上的畫素數量減少時，為了使得異形顯示區與非異形顯示區的顯示效果一致，異形顯示區對應的閘極驅動單元的驅動能力應該減弱，則使異形顯示區中每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比隨著所在列的畫素數量的減少而減小。通常情況下，驅動器逐列地驅動顯示區的畫素。然而，根據實際情況，驅動器可以逐行地驅動顯示區的畫素。驅動器在驅動異形顯示區每行上的畫素時，驅動器的負載與異形顯示區每行上的畫素數量相關。當異形顯示區的每行上畫素數量減少時，異形顯示區對應的第一輸出電晶體的寬長比可以在行方向上隨著減小。在本實施例中，可以根據異形顯示區中每列上的畫素數量精確地設計不同寬長比的第一輸出電晶體，解決異形顯示區與非異形顯示區二者的顯示效果不均勻的技術問題。
在一個實施例中，異形顯示區包括至少一個子異形顯示區，每個子異形顯示區包括至少兩列畫素，且每一列的畫素數量均相同。每個子異形顯示區內的第一輸出電晶體的寬長比相等。
其中，異形顯示區可以包括一個子異形顯示區，異形顯示區也可以包括多個子異形顯示區，每個子異形顯示區包括至少兩列畫素，且每一列的畫素數量均相同。請參見圖5，異形顯示區包括第一子異形顯示區510、第二子異形顯示區520、第三子異形顯示區530、和第四子異形顯示區540。以第一子異形顯示區510為例進行說明，第一子異形顯示區510包括至少兩列畫素，且第一子異形顯示區510對應的每列畫素的數量是近似相等的，則第一子異形顯示區510的第一輸出電晶體的寬長比基本相等，且第一子異形顯示區510中的任一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比是相等的。同理可知第二子異形顯示區520、第三子異形顯示區530、第四子異形顯示區540的第一輸出電晶體的寬長比的情況，在此不再贅述。
此外，不同子異形顯示區中的每一列的畫素數量可以是不相等的。不同子異形顯示區中每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比與所述不同子異形顯示區每一列的畫素數量呈正相關。例如，第一子異形顯示區510中每一列的畫素數量小於第三子異形顯示區530中每一列的畫素數量，則第一子異形顯示區510對應的第一輸出電晶體的寬長比小於第三子異形顯示區530對應的第一輸出電晶體的寬長比。
具體地，每個子異形顯示區中的每一列的畫素數量可以相等，也可以不相等。每個子異形顯示區中畫素數量不等的每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比也是不相等的，每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比與每個子異形顯示區中每一列的畫素數量呈正相關，即第一輸出電晶體的寬長比隨所在的每個子異形顯示區中每一列的畫素數量的減少而減小，隨每個子異形顯示區中每一列的畫素數量的增加而增加。
本實施例中，通過將異形顯示區劃分為不同的子異形顯示區，子異形顯示區中每列的畫素數量看作近似相等，針對該子異形顯示區設計第一輸出電晶體，子異形顯示區中每列畫素對應的第一輸出電晶體是相同的寬長比，這樣可以使得陣列基板的版圖佈局簡潔，並減少製程的複雜性。
在一個實施例中，第一輸出電晶體的閘極面積大於第二輸出電晶體的閘極面積。其中，電晶體的閘極面積等於閘長和閘寬的乘積，近似等於是電晶體的導電溝道的寬與長的乘積即W*L。一般情況下，電晶體的導電溝道的寬與長的乘積越大，電晶體自身的寄生電容越大。具體地，在第一輸出電晶體的寬長比小於第二輸出電晶體的寬長比的前提條件下，近似等比例增加第一輸出電晶體的寬和長以保持第一輸出電晶體的寬長比不變，且同時增大第一輸出電晶體的閘極面積，則第一輸出電晶體的閘極面積大於第二輸出電晶體的閘極面積。
在本實施例中，在第一輸出電晶體的寬長比小於第二輸出電晶體的寬長比的前提條件下，通過近似等比例增加第一輸出電晶體的閘長和閘寬，保持第一輸出電晶體的寬長比不變，增大第一輸出電晶體的閘極與溝道層的交疊面積，相應地增大了電容負載，補償了異形顯示區因單列畫素數目減少而導致的負載降低，解決了由於異形顯示區和非異形顯示區每列畫素數量不同導致二者顯示不均勻的技術問題。
在一個實施例中，陣列基板還包括分別位於異形顯示區和非異形顯示區的信號線。信號線在異形顯示區貼合異形顯示區的邊緣集中彎曲走線。位於異形顯示區的信號線用於連接第一輸出電晶體並向異形顯示區中對應列上的畫素傳遞驅動信號，並補償異形顯示區中信號線的電阻與非異形顯示區中信號線的電阻之間的電阻差異。
信號線包括掃描信號線和發射控制信號線。掃描信號線連接掃描驅動電路和對應的畫素並傳遞掃描信號，發射控制信號線連接發射驅動電路和對應的畫素並傳遞發射控制信號。陣列基板的非顯示區設置有安裝槽。安裝槽的開口方向可以位於列方向上，也可以位於行方向上。本申請對安裝槽的開口方向及具體位置不作限定。安裝槽可以用於放置攝像頭、聽筒、指紋識別元件、虹膜識別元件等感測器。安裝槽導致了異形顯示區的產生，且異形顯示區內的負載較少。為了保持異形顯示區與非異形顯示區的亮度均勻，等比例的增大第一輸出電晶體的閘極面積。但是第一輸出電晶體的閘極面積大於第二輸出電晶體的閘極面積會導致第一輸出電晶體的閘線電阻相對於第二輸出電晶體的閘線電阻減小。在本實施例中，在異形顯示區內，傳遞掃描信號的掃描信號線貼合異形顯示區的邊緣集中彎曲走線。位於異形顯示區內的掃描信號線沿著異形顯示區的邊緣增加了掃描信號線的長度，相應地增大了異形顯示區的掃描信號線的電阻，從而補償異形顯示區的掃描信號線的電阻與非異形顯示區的掃描信號線的電阻的差異。
具體地，安裝槽的形狀可以是U型，也可以是弧形，還可以是圓形等。安裝槽貫穿陣列基板，且包括底面和位於底面兩側的側面。安裝槽在陣列基板上的垂直投影區域為開槽區，則開槽區包括底邊和位於底邊兩側的側邊。開槽區的底邊可以沿著畫素排列的列方向延伸，開槽區的底邊也可以沿著畫素排列的行方向延伸。比如，以掃描信號線為例進行說明，請參見圖7，安裝槽710是U型槽，安裝槽710位於非顯示區。安裝槽在陣列基板上的垂直投影對應的區域為開槽區。開槽區包括底邊713和分佈於底邊713兩側的側邊711及側邊712。異形顯示區對應的掃描信號線沿著底邊713、側邊711及側邊712佈線。具體地，異形顯示區中的掃描信號線包括第一子掃描信號線721、沿著側邊711的第二子掃描信號線722、沿著底邊713的第三子掃描信號線723、沿著側邊712的第四子掃描信號線724及第五子掃描信號線725。
進一步地，異形顯示區的信號線包括多段子信號線，多段子信號線中至少一段子信號線的寬度與非異形顯示區的信號線的寬度不等。其中，信號線的寬度與信號線上的電阻有關。通過改變異形顯示區的信號線的寬度，可以相應地改變信號線上的電阻，從而更加準確地對異形顯示區的信號線上的電阻與非異形顯示區的信號線上的電阻之間的電阻差異進行補償。
在本實施例中，以掃描信號線為例進行說明，請參見圖7，第一子掃描信號線721和第五子掃描信號線725的寬度可以等於第一輸出電晶體的閘極的寬度。由於第一輸出電晶體的閘極面積較大，則第一子掃描信號線721和第五子掃描信號線725的寬度較大，減小了掃描信號線上的電阻，但是可以通過調節第二子掃描信號線722、第三子掃描信號線723、第四子掃描信號線724的寬度實現電阻的精確補償，比如減小第二子掃描信號線722、第三子掃描信號線723、第四子掃描信號線724的寬度，以相應地增大異形顯示區的掃描信號線上的電阻。另外，第一子掃描信號線721和第五子掃描信號線725的部分區段的寬度可以不等於第一輸出電晶體的閘極的寬度，則可以調節第一子掃描信號線721、第二子掃描信號線722、第三子掃描信號線723、第四子掃描信號線724及第五子掃描信號線725的寬度，比如，減小第一子掃描信號線721、第二子掃描信號線722、第三子掃描信號線723、第四子掃描信號線724及第五子掃描信號線725中至少一條掃描信號線的寬度。
在本實施例中，異形顯示區中的掃描信號線沿著安裝槽邊沿佈線，增大了異形顯示區中掃描信號線的長度，增大了掃描信號線電阻，解決了由於異形顯示區畫素數量少引起的電阻不均衡的問題，實現對異形顯示區中電阻的準確補償。
在一個實施例中，請參見6，第一輸出電晶體包括緩衝層610、位於緩衝層610上的半導體層（未標出）、位於半導體層上的閘絕緣層630、位於閘絕緣層630遠離半導體層一側的閘極640、位於閘極640上的間絕緣層650、位於間絕緣層650遠離半導體層一側的源汲金屬層，半導體層包括源極621、汲極622和溝道623。源汲金屬層包括源極金屬引線661和汲極金屬引線662。第一輸出電晶體的寄生電容與閘絕緣層的厚度及其介電常數有關，可以通過以下兩種方式增大第一輸出電晶體的寄生電容。
第一種方式：通過改變第一輸出電晶體的閘絕緣層630的介電常數以改變第一輸出電晶體的寄生電容。具體地，使第一輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數大於第二輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數。電晶體的寄生電容與電晶體的介電常數成正比，可以通過改變異形顯示區對應第一驅動電晶體的閘絕緣層的材料，以使異形顯示區對應的第一輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數大於非異形顯示區對應的第二輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數。
第二種方式：通過減小異形顯示區對應的閘絕緣層630的厚度以增加異形顯示區對應的第一輸出電晶體的寄生電容。具體地，使第一輸出電晶體的閘絕緣層的厚度小於第二輸出電晶體的閘絕緣層的厚度。在形成閘絕緣層時，可以通過以下兩種方法改變閘絕緣層的厚度。
第一種，在閘絕緣層表面形成第一罩幕層，第一罩幕層暴露出異形顯示區的閘絕緣層。以第一罩幕層為罩幕，對異形顯示區的閘絕緣層進行微刻蝕，以減小異形顯示區的閘絕緣層的厚度。
第二種，在半導體層上，形成第一閘絕緣層。在第一閘絕緣層上，形成第二閘絕緣層。在第二閘絕緣層表面形成第二罩幕層。第二罩幕層暴露出異形顯示區的第二閘絕緣層。以第二罩幕層為罩幕，去除異形顯示區的第二閘絕緣層，暴露出異形顯示區的第一閘絕緣層。使得異形顯示區對應的閘絕緣層的厚度小於非異形顯示區對應的閘絕緣層的厚度。需要說明的是，在本實施例中，在增大異形顯示區的閘絕緣層的介電常數或減薄閘絕緣層的厚度時，設計者要保證第一輸出電晶體和第二輸出電晶體的特性不變。
在一個實施例中，本申請提供一種顯示屏，該顯示屏包括上述任一實施例中的陣列基板。在本申請實施例中，顯示屏的形狀可以為包括圓形、橢圓形、多邊形以及包括圓弧的圖形中的至少一種的封閉圖形。例如帶R角、開槽或切口（notch）或圓形的顯示屏。
在一個實施例中，本申請提供一種顯示裝置800，請參見圖8，顯示裝置800包括如上述實施例中的顯示屏810。
需要說明的是，異形顯示區中的畫素數量與非異形顯示區中分佈的畫素數量不同，例如異形顯示區中每一列的畫素的數量，與非異形顯示區中每一列的畫素數量不同。可以理解，異形顯示區與非異形顯示區的區分是相對而言的。本申請中，將顯示區中畫素數量較少的部分區域，作為“異形顯示區”；將顯示區中畫素數量較多的部分區域，作為“非異形顯示區”。
另外，本申請實施例中所使用的術語“第一”、“第二”等可在本文中用於描述各種元件，但這些元件不受這些術語限制。這些術語僅用於將第一個元件與另一個元件區分。舉例來說，在不脫離本申請範圍的情況下，可以將第一輸出電晶體稱為第二輸出電晶體，且類似地，可將第二輸出電晶體稱為第一輸出電晶體。第一輸出電晶體和第二輸出電晶體兩者都是輸出電晶體，但其不是同一輸出電晶體。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。
以上所述實施例僅表達了本申請的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於所屬領域中具通常知識者來說，在不脫離本申請構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本申請的保護範圍。因此，本申請專利的保護範圍應以所附申請專利範圍為準。
110‧‧‧非顯示區
120‧‧‧異形顯示區
130‧‧‧非異形顯示區
140、PX11、PX12、PX21、PX22、PXn1、PXn2、PXnm‧‧‧畫素
150‧‧‧第一閘極驅動單元
160‧‧‧第二閘極驅動單元
170‧‧‧第一引出線
180‧‧‧第二引出線
210‧‧‧掃描驅動電路
220‧‧‧發射驅動電路
230‧‧‧數據驅動器
510‧‧‧第一子異形顯示區
520‧‧‧第二子異形顯示區
530‧‧‧第三子異形顯示區
540‧‧‧第四子異形顯示區
610‧‧‧緩衝層
621‧‧‧源極
622‧‧‧汲極
623‧‧‧溝道
630‧‧‧閘絕緣層
640‧‧‧閘極
650‧‧‧間絕緣層
661‧‧‧源極金屬引線
662‧‧‧汲極金屬引線
710‧‧‧安裝槽
711、712‧‧‧側邊
713‧‧‧底邊
721‧‧‧第一子掃描信號線
722‧‧‧第二子掃描信號線
723‧‧‧第三子掃描信號線
724‧‧‧第四子掃描信號線
725‧‧‧第五子掃描信號線
800‧‧‧顯示裝置
810‧‧‧顯示屏
C1、C2、C3‧‧‧電容
ECK1、ECK2、EIN、EM、SIN、SCAN‧‧‧電路信號
E1、E2、Em‧‧‧發射控制信號線
M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M44‧‧‧電晶體
SCK1、SCK2‧‧‧時鐘信號輸入端
S1、S2、Sm‧‧‧掃描信號線
VGH、VGL‧‧‧電源電壓信號輸入端
W1、W2‧‧‧尺寸
圖1a為本申請一個實施例中陣列基板的結構示意圖； 圖1b為本申請一個實施例中第一引出線與第二引出線的結構示意圖； 圖2為本申請另一個實施例中陣列基板的結構示意圖； 圖3為本申請一個實施例中的6T2C電路的電路圖； 圖4為本申請一個實施例中的13T3C畫素電路的電路圖； 圖5為本申請一個實施例中的多個子異形顯示區的結構示意圖； 圖6為本申請一個實施例中的第一輸出電晶體的結構示意圖； 圖7為本申請一個實施例中的異形顯示區中掃描信號線的示意圖； 圖8為本申請一個實施例中顯示裝置的示意圖。

Claims (10)

  1. 一種陣列基板，包括： 基板，所述基板上設置有顯示區和非顯示區，所述顯示區包括陣列排布的畫素，所述顯示區包括異形顯示區和非異形顯示區； 至少一個第一閘極驅動單元，位於所述非顯示區且通過第一引出線連接所述異形顯示區中對應列上的畫素，所述第一閘極驅動單元用於驅動所述對應列上的畫素；以及 至少一個第二閘極驅動單元，位於所述非顯示區且通過第二引出線連接所述非異形顯示區中的對應列上的畫素，所述第二閘極驅動單元用於驅動所述對應列上的畫素， 其中，所述第一閘極驅動單元包括至少一個第一輸出電晶體，所述第二閘極驅動單元包括至少一個第二輸出電晶體，所述第一輸出電晶體的寬長比小於所述第二輸出電晶體的寬長比，且所述異形顯示區對應的所述第一引出線的寬度和所述非異形顯示區對應的所述第二引出線的寬度分別適應性地配置，以使所述異形顯示區和所述非異形顯示區的發光電流相等。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述異形顯示區每一列的畫素數量均小於所述非異形顯示區任一列的畫素數量，或者所述第一輸出電晶體的閘極面積大於所述第二輸出電晶體的閘極面積，或者所述第一輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數大於所述第二輸出電晶體的閘絕緣層的介電常數，或者所述第一輸出電晶體的閘絕緣層的厚度小於所述第二輸出電晶體的閘絕緣層的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述第一閘極驅動單元包括掃描驅動電路和/或發射驅動電路；所述第二閘極驅動單元包括掃描驅動電路和/或發射驅動電路。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中在所述異形顯示區的至少兩列畫素的畫素數量不同，且所述異形顯示區中每一列畫素所對應的所述第一輸出電晶體的寬長比隨著所在列的畫素數量的減少而減小。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述異形顯示區包括至少一個子異形顯示區，每個所述子異形顯示區包括至少兩列畫素；所述子異形顯示區中每一列的畫素數量均相同，所述子異形顯示區中任一列畫素對應的所述第一輸出電晶體的寬長比相等；不同子異形顯示區中每一列畫素對應的第一輸出電晶體的寬長比與所述不同子異形顯示區每一列的畫素數量呈正相關。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述異形顯示區包括至少一個子異形顯示區，每個所述子異形顯示區包括至少兩列畫素，所述每個子異形顯示區中每一列畫素對應的所述第一輸出電晶體的寬長比與所述每個子異性顯示區中每一列的畫素數量呈正相關。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括分別位於所述異形顯示區和所述非異形顯示區的信號線，所述信號線在所述異形顯示區貼合所述異形顯示區的邊緣集中彎曲走線； 位於所述異形顯示區的所述信號線用於連接所述第一輸出電晶體並向所述異形顯示區中對應列上的畫素傳遞驅動信號，並補償所述異形顯示區中所述信號線的電阻與所述非異形顯示區中所述信號線的電阻之間的電阻差異。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的陣列基板，其中所述異形顯示區的所述信號線的寬度與所述非異形顯示區的所述信號線的寬度不等。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的陣列基板，其中在所述異形顯示區的所述信號線包括多段子信號線，所述多段子信號線中至少一段所述子信號線的寬度與所述非異形顯示區的所述信號線的寬度不等。
  10. 一種顯示屏，包括如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的陣列基板。
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