TW201843102A - 散熱漿料及散熱結構的製造方法 - Google Patents

散熱漿料及散熱結構的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種散熱結構的製造方法，其包括以下步驟。對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材。混合碳材與黏著劑，以形成散熱漿料。於基材上塗佈散熱漿料，以於基材上形成散熱膜。

Description

散熱漿料及散熱結構的製造方法
本發明是有關於散熱材料及散熱元件的製造方法，且特別是有關於一種使用均質破碎製程的散熱漿料及散熱結構的製造方法。
在對於散熱材料的研究中，以石墨烯等碳材作為散熱材料為目前研究的趨勢。目前製備石墨烯（graphene）的方法以化學氣相沉積法（chemical vapor deposition，CVD）及化學法（chemical exfoliation）為主。
然而，以化學氣相沉積法製備石墨烯的成本昂貴且無法大量生產；而化學法則是在藉由強酸及強氧化劑對石墨進行氧化、插層而獲得氧化石墨後，再以高溫、超音波等方式將氧化石墨脫層才能獲得石墨烯，不僅製程上易造成環境汙染，且所獲得的石墨烯的缺陷較多，此缺陷會影響石墨烯的導熱性。
因此，目前業界亟欲開發一種對環境友善且易於量產的製程來製備具有良好導熱性的碳材。
本發明提供一種對環境友善且易於量產的散熱漿料的製造方法。
本發明提供一種具良好導熱性的散熱結構的製造方法。
本發明提供一種散熱漿料的製造方法，其包括以下步驟。對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材。混合碳材與黏著劑（binder）。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，碳原料例如是天然石墨（natural graphite）、人工石墨（artificial graphite）、瀝青（pitch）、活性碳（activated carbon）、單壁奈米碳管（single-wall carbon nanotubes）、多壁奈米碳管（multi-wall carbon nanotubes）或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，在對碳原料進行均質破碎製程之前，更包括將碳原料混合於溶劑中。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，溶劑例如是水（water）、乙醇（ethanol）、N-甲基-2-吡咯烷酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP）、異丙醇（isopropanol）或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，均質破碎製程的壓力例如是大於0 bar且小於3000 bar。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，均質破碎製程的溫度例如是大於4℃且小於50℃。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，均質破碎製程的次數例如是大於1次且小於100次。
依照本發明的一實施例所述，在散熱漿料的製造方法中，碳材例如是單層石墨烯、寡層石墨烯、多層石墨烯或其組合。
本發明另提供一種散熱結構的製造方法，其包括以下步驟。對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材。混合碳材與黏著劑，以形成散熱漿料。於基材上塗佈散熱漿料，以於基材上形成散熱膜。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，均質破碎製程的壓力例如是大於0 bar且小於3000 bar。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，均質破碎製程的溫度例如是大於4℃且小於50℃
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，均質破碎製程的次數例如是大於1次且小於100次。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，碳材例如是單層石墨烯、寡層石墨烯、多層石墨烯或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，在混合碳材與黏著劑以形成散熱漿料的步驟中，更包括將石墨（graphite）或導電碳黑（conductive carbon black）混合於散熱漿料中。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，基材的材料例如是金屬材料、高分子材料或其組合，且金屬材料例如是銅、鋁或其組合，高分子材料例如是聚對苯二甲酸乙二酯。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，散熱膜可形成於基材的第一表面上以及相對於第一表面的第二表面上。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，散熱膜的厚度例如是至10μm 至100μm。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，基材的厚度例如是10μm至50μm。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，在基材上形成散熱膜後，更包括對散熱膜進行輾壓製程。
依照本發明的一實施例所述，在散熱結構的製造方法中，在對散熱膜進行輾壓處理之前，更包括對散熱膜進行乾燥製程。
基於上述，本發明所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法是透過對碳原料進行均質破碎製程，以形成具有低缺陷的高品質碳材，而使得所獲得的碳材具有良好的導熱性以及優異的機械特性。此外，均質破碎製程具備製程簡單、可連續式生產以及綠色環保的特性。如此一來，本發明所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法可透過對環境友善（environmental friendly）且易於量產的方式來製備具良好導熱性的散熱漿料及散熱結構。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例的散熱漿料及散熱結構的製造方法的流程圖。
請參照圖1，進行步驟S100，對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材。碳原料例如是天然石墨（natural graphite）、人工石墨（artificial graphite）、瀝青（pitch）、活性碳（activated carbon）、單層奈米碳管（single-wall carbon nanotube）、多層奈米碳管（multi-wall carbon nanotube）或其組合。人工石墨例如是石墨紙，其中石墨紙例如是對聚醯亞胺（polyimide，PI）膜進行高溫燒結而將其石墨化，故也可稱為PI膜。在一實施例中，碳原料的型態例如是粉末狀。對碳原料進行均質破碎製程後所獲得的碳材例如是單層石墨烯（graphene）、寡層石墨烯(few layer graphene)、多層石墨烯(multi layer graphene)或其組合。上述「寡層石墨烯」表示層數大於1層且小於10層的石墨烯。上述「多層石墨烯」表示層數大於等於10層的石墨烯。
此外，在對碳原料進行均質破碎製程之前，碳原料可以選擇性地分散於溶劑中。溶劑例如是水（water）、乙醇（ethanol）、N-甲基-2-吡咯烷酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP）、異丙醇（isopropanol）或其組合。
在一實施例中，均質破碎製程例如是透過壓力差對碳原料進行破碎。舉例來說，可藉由連續式細胞破碎儀（continuous cell disrupter）對碳原料進行均質破碎製程。碳原料在高壓的環境下於連續式細胞破碎儀的出口端瞬間釋放，導致碳原料層間瞬間剝離，使得碳原料中層與層之間的碳可以脫層而形成碳材。均質破碎製程的壓力例如是大於0 bar且小於3000 bar。均質破碎製程的溫度例如是大於4℃且小於50℃。均質破碎製程的次數例如是大於1次且小於100次。
進行步驟S102，混合碳材與黏著劑，以形成散熱漿料。在一些實施例中，黏著劑例如是液態流體，可直接與碳材混合形成散熱漿料。在另一些實施例中，黏著劑例如是固態粉體，在混和碳材與黏著劑的步驟中，需額外添加用於溶解此黏著劑的溶劑，舉例來說，用於溶解黏著劑的溶劑可以是聚偏氟乙烯（PVDF）、羧甲基纖維素（CMC）或其組合。在一實施例中，在混合碳材與黏著劑以形成散熱漿料的步驟中，可選擇性地將石墨（graphite）或導電碳黑（conductive carbon black）混合於上述散熱漿料中。黏著劑例如是聚偏氟乙烯（PVDF）、羧甲基纖維素（CMC）或其組合。
進行步驟S104，於基材上塗佈散熱漿料，以於基材上形成散熱膜。由基材與散熱膜可形成散熱結構。基材可採用板材或片材，藉此可使得散熱結構成為散熱片或散熱板，但本發明並不以此為限。所屬技術領域具有通常知識者可依照產品設計需求來調整散熱結構的型態。基材的材料例如是金屬材料、高分子材料或其組合，且金屬材料例如是銅（copper）、鋁（aluminum）或其組合，高分子材料例如是聚對苯二甲酸乙二酯。基材的厚度例如是10μm至50μm。散熱膜的厚度例如是10μm至100μm。
此外，為了提升散熱效果，散熱膜可選擇性地塗佈於基材的第一表面上以及相對於此第一表面的第二表面上，以增加塗佈於基材上的散熱膜的面積，藉此可進一步提升散熱結構的散熱效果。
可選擇性地進行步驟S106，對散熱膜進行乾燥製程，藉此可縮短散熱膜的乾燥時間。乾燥製程的溫度例如是40℃至250℃。
可選擇性地進行步驟S108，對散熱膜進行輾壓製程，藉此可增加散熱膜與基材之間的附著力。在此實施例中，是先對散熱膜進行乾燥製程(步驟S106)，再對散熱膜進行輾壓製程，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，亦可在形成散熱膜(步驟S104)之後，立即對散熱膜進行輾壓製程。
基於上述實施例可知，上述實施例所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法是透過對碳原料進行均質破碎製程，以形成具有低缺陷的高品質碳材，而使得所獲得的碳材具有良好的導熱性以及優異的機械特性。此外，均質破碎製程具備製程簡單、可連續式生產以及綠色環保的特性。因此，上述實施例所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法可透過對環境友善且易於量產的方式來製備具良好導熱性的散熱漿料及散熱結構。
實驗例
實驗 1
實驗1是以不同壓力對碳原料進行均質破碎製程，其所採用的壓力以800 bar、1300 bar以及1800 bar為例進行說明，但本發明不以此為限。另外，實驗1中所採用的碳原料以型號為CPC-B的人工石墨（由台灣中油公司製造）為例進行說明，而均質破碎製程的次數以3次為例進行說明，但本發明不以此為限。實驗1的結果顯示於表1中。
[表1]
由表1可知，碳原料經均質破碎製程後所獲得的碳材的粒徑小於碳原料的粒徑，並且隨著均質破碎製程所採用的壓力越大，碳材的粒徑越小。
實驗 2
圖2A、圖2B及圖2C為本發明對不同實施例的碳原料進行均質破碎製程前於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像。圖2D、圖2E及圖2F為本發明對不同實施例的碳原料進行均質破碎製程後於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像。
為了更具體地表示碳原料進行均質破碎製程前後的差異，以下以掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscopy，SEM）進行表面分析，其中實驗2中所採用的碳原料以天然石墨、型號為CPC-B的人工石墨（由台灣中油公司製造）以及石墨紙為例進行說明，但本發明不以此為限。另外，實驗2中所採用的均質破碎製程的壓力以1800 bar 至2000 bar（高壓）為例進行說明，均質破碎製程的次數以3次為例進行說明（每次均質破碎製程的壓力是從1800 bar升至 2000 bar），但本發明不以此為限。
請參照圖2A至圖2F，在掃描式電子顯微鏡的影像放大倍率為10000倍下進行觀察，其中圖2A及圖2D分別為天然石墨進行均質破碎製程前後的影像；圖2B及圖2E分別為人工石墨進行均質破碎製程前後的影像；圖2C及圖2F分別為石墨紙進行均質破碎製程前後的影像。比較上述不同實施例的碳原料進行均質破碎製程前後的影像可知，碳原料在進行均質破碎製程後，其表面形態有明顯的改變。
實驗 3
圖3A、圖3B及圖3C為本發明一實施例以不同次數進行均質破碎製程後所獲得的碳材於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像，其中影像的放大倍率為1000倍。圖3D、圖3E及圖3F為本發明一實施例以不同次數進行均質破碎製程後所獲得的碳材於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像，其中影像的放大倍率為10000倍。
為了更具體地表示碳原料進行不同次數的均質破碎製程後的表面形態差異，以下以掃描式電子顯微鏡進行表面分析，其中均質破碎的次數以3次、8次以及12次為例進行說明，但本發明不以此為限。實驗3中所採用的碳原料以型號為CPC-B的人工石墨（由台灣中油公司製造）為例進行說明，但本發明不以此為限。另外，實驗3中所採用的均質破碎製程的壓力以2000 bar為例進行說明，但本發明不以此為限。
請參照圖3A至圖3E，在掃描式電子顯微鏡的影像放大倍率為1000倍及10000倍下進行觀察，其中圖3A及圖3D為碳原料進行3次均質破碎製程的影像；圖3B及圖3E為碳原料進行8次均質破碎製程的影像；圖3C及圖3F為碳原料進行12次均質破碎製程的影像。實驗結果顯示於圖3A至圖3F及表2。
[表2]
由圖3A至圖3F以及表2可知，隨著均質破碎製程的次數增加碳材的粒徑越來越小。
實驗 4
圖4為本發明一實施例的碳材於原子力顯微鏡（AFM）的影像。圖5A為圖4沿I-I’線的厚度分佈圖。圖5B為圖4沿II-II’線的厚度分佈圖。圖5C為圖4沿III-III’線的厚度分佈圖。圖6A至圖6D為本發明一實施例的碳材於穿透式電子顯微鏡（TEM）的影像。
為了更具體地表示碳原料進行均質破碎製程後所形成的碳材的厚度，以下以穿透式電子顯微鏡（transmission electron microscopy，TEM）以及原子力顯微鏡（atomic force microscopy，AFM）來分析碳材的表面形態及厚度分佈。實驗4中所採用的碳原料以天然石墨為例進行說明，但本發明不以此為限。另外，實驗4中所採用的均質破碎製程的壓力以1800 bar至2000 bar（高壓）為例進行說明，且均質破碎製程的次數以3次為例進行說明（每次均質破碎製程的壓力是從1800 bar升至 2000 bar），但本發明不以此為限。
請參照圖4、圖5A至圖5C及下表3，從圖5A所示的厚度分佈圖可計算出圖4中沿I-I’線的碳材的平均厚度為3.81奈米（nm）；從圖5B所示的厚度分佈圖可計算出圖4中沿II-II’線的碳材的平均厚度為4.07 nm；從圖5C所示的厚度分佈圖可計算出圖4中沿III-III’線的碳材的平均厚度為4.79 nm。之後，平均上述圖4中沿I-I’線、II-II’線以及III-III’線的碳材的平均厚度可知，碳原料經均質破碎製程後的平均厚度為4.22 nm。厚度分析的計算結果整理於表3中。
[表3]
由圖6A至圖6D以及表3可知，碳原料經均質破碎製程後所形成的碳材的層數在3層至10層之間，因此，依據表3所顯示的平均厚度，可計算出碳材每一層的厚度在約0.4 nm至約1.4 nm之間。
下文將參照實施例1、實施例2、比較例1以及比較例2，更具體地描述本發明的特徵。雖然描述了以下實施例，但是在不逾越本發明範疇之情況下，可適當地改變所用材料、其量及比率、處理細節以及處理流程等等。因此，不應由下文所述之實施例對本發明作出限制性地解釋。
製備實施例1、比較例1以及比較例2的散熱結構所使用的主要材料的資訊如下所示。
碳原料：由台灣中油公司製造的人工石墨（型號為CPC-B）。
黏著劑：由吴羽公司製造的PVDF。
基材：由長春公司製造的銅箔。
溶劑A：水
商用石墨烯：由駿沛公司代理廈門凱納的石墨烯奈米片（graphene nanosheets，GNs）。
實施例 1
將碳原料分散於溶劑A中。接著，對分散於溶劑A的碳原料進行均質破碎製程以形成碳材，其中均質破碎製程的壓力為800 bar、1300 bar以及1800 bar（由低壓至高壓），且均質破碎製程的次數為3次（每次均質破碎製程的壓力是先從800 bar升至1300 bar，而後再升至1800 bar）。之後，加入黏著劑並充分攪拌混合，以獲得實施例1的散熱漿料。
比較例 1
將碳原料分散於溶劑A中。接著，加入黏著劑並充分攪拌混合，以獲得比較例1的散熱漿料。
比較例 2
將商用石墨烯分散於溶劑A中。接著，加入黏著劑並充分攪拌混合，以獲得比較例2的散熱漿料。
實驗 5
圖7A至圖7F為以熱成像儀對基材、實施例1、比較例1及比較例2進行導熱測試的比較圖。
使用實施例1、比較例1及比較例2的散熱漿料進行導熱測試。導熱測試的說明如下，且測試的結果顯示於圖7A至圖7F中。
導熱測試
請參照圖7A至圖7F，將實施例1、比較例1與比較例2的散熱漿料分別塗佈於基材上。接著，以熱成像儀進行導熱測試。在遠離熱源（S1、S2）的方向上，於基材上量測各量測位置(位置Sp1~Sp6)的溫度數據，計算最遠離熱源處與最接近熱源處的溫差（△T）來分析熱傳效率。圖7A至圖7C是在提供熱源60秒後的熱成像圖；而圖7D至圖7F是在提供熱源180秒後的熱成像圖。上述圖式中所標示的位置Sp1~Sp6表示於基材該處量測溫度數據，其中位置Sp1、Sp3以及Sp5為基材(圖7A與圖7D)、比較例1(圖7B與圖7E)與比較例2(圖7C與圖7F)的溫度量測位置；而位置Sp2、Sp4以及Sp6為實施例1(圖7A至圖7F)的溫度量測位置，其中位置Sp1與熱源S1之間的距離與位置Sp2與熱源S2之間的距離相同；位置Sp3與熱源S1之間的距離與位置Sp4與熱源S2之間的距離相同；位置Sp5與熱源S1之間的距離與位置Sp6與熱源S2之間的距離相同。
請參照圖7A，在提供熱源60秒後，基材於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為5.2℃（未塗佈散熱漿料）；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為3.5℃。請參照圖7B，比較例1於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為4.5℃；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為4.6℃。請參照圖7C，比較例2於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為3.2℃；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為2.9℃。
請參照圖7D，在提供熱源180秒後，基材於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為5.6℃（未塗佈散熱漿料）；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為5.2℃。請參照圖7E，比較例1於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為6.4℃；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為5.8℃。請參照圖7F，比較例2於位置Sp5處以及位置Sp1處的溫差為5.9℃；而實施例1於位置Sp6處以及位置Sp2處的溫差為6.1℃。
實驗結果皆顯示，在熱源提供60秒後或是提供熱源提供180秒後，實施例1（含進行均質破碎製程所獲得的碳材）於位置Sp6處與位置Sp2處的溫差皆小於基材以及比較例1（含未經均質破碎製程所獲得的碳材）於位置Sp5處與位置Sp1處的溫差。由此可知，在實施例1中，以均質破碎所製備的散熱漿料具有較佳的熱傳效率，使得熱源所產生的熱能夠很快地傳遞至基材較遠離熱源的位置，致使基材較遠離熱源處的溫度與較接近熱源處的溫差較小。
另外，在熱源提供60秒後或是提供熱源提供180秒後，實施例1（含進行均質破碎製程所獲得的碳材）於位置Sp6處與位置Sp2處的溫差與比較例2（商用石墨烯）於位置Sp5處與位置Sp1處的溫差相當。由此可知，比較例2的散熱漿料與實施例1的散熱漿料的熱傳效率相當，因此，以均質破碎來製備散熱漿料的製程不僅具綠色環保以及易於量產的特性，其散熱效果也與使用商用石墨烯所製備的散熱漿料相當。
綜上所述，上述實施例所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法是透過對碳原料進行均質破碎製程，以形成具有低缺陷的高品質碳材，而使得所獲得的碳材具有良好的導熱性以及優異的機械特性。此外，均質破碎製程具備製程簡單、可連續式生產以及綠色環保的特性。如此一來，上述實施例所提出的散熱漿料及散熱結構的製造方法可透過對環境友善且易於量產的方式來製備具良好導熱性的散熱漿料及散熱結構。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S100、S102、S104、S106、S108‧‧‧步驟
Sp1、Sp2、Sp3、Sp4、Sp5、Sp6‧‧‧位置
S1、S2‧‧‧熱源
圖1為本發明一實施例的散熱漿料及散熱結構的製造方法的流程圖。 圖2A、圖2B及圖2C為本發明對不同實施例的碳原料進行均質破碎製程前於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像。 圖2D、圖2E及圖2F為本發明對不同實施例的碳原料進行均質破碎製程後於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像。 圖3A、圖3B及圖3C為本發明一實施例以不同次數進行均質破碎製程後所獲得的碳材於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像，其中影像的放大倍率為1000倍。 圖3D、圖3E及圖3F為本發明一實施例以不同次數進行均質破碎製程後所獲得的碳材於掃描式電子顯微鏡（SEM）的影像，其中影像的放大倍率為10000倍。 圖4為本發明一實施例的碳材於原子力顯微鏡（AFM）的影像。 圖5A為圖4沿I-I’線的厚度分佈圖。 圖5B為圖4沿II-II’線的厚度分佈圖。 圖5C為圖4沿III-III’線的厚度分佈圖。 圖6A至圖6D為本發明一實施例的碳材於穿透式電子顯微鏡（TEM）的影像。 圖7A至圖7F為以熱成像儀對基材、實施例1、比較例1及比較例2進行導熱測試的比較圖。

Claims (20)

  1. 一種散熱漿料的製造方法，包括： 對碳原料進行均質破碎製程以形成碳材；以及 混合所述碳材與黏著劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述碳原料包括天然石墨、人工石墨、瀝青、活性碳、單壁奈米碳管、多壁奈米碳管或其組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，在對所述碳原料進行所述均質破碎製程之前，更包括將所述碳原料混合於溶劑中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述溶劑包括水、乙醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、異丙醇或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述均質破碎製程的壓力大於0 bar且小於3000 bar。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述均質破碎製程的溫度大於4℃且小於50℃。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述均質破碎製程的次數大於1次且小於100次。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的散熱漿料的製造方法，其中所述碳材包括單層石墨烯、寡層石墨烯、多層石墨烯或其組合。
  9. 一種散熱結構的製造方法，包括： 對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材； 混合所述碳材與黏著劑，以形成散熱漿料；以及 於基材上塗佈所述散熱漿料，以於所述基材上形成散熱膜。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述均質破碎製程的壓力大於0 bar且小於3000 bar。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述均質破碎製程的溫度大於4℃且小於50℃。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述均質破碎製程的次數大於1次且小於100次。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述碳材包括單層石墨烯、寡層石墨烯、多層石墨烯或其組合。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，在混合所述碳材與所述黏著劑以形成所述散熱漿料的步驟中，更包括將石墨或導電碳黑混合於所述散熱漿料中。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述基材的材料包括金屬材料、高分子材料或其組合，且所述金屬材料包括銅、鋁或其組合，所述高分子材料包括聚對苯二甲酸乙二酯。
  16. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述散熱膜形成於所述基材的第一表面上以及相對於所述第一表面的第二表面上。
  17. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述散熱膜的厚度為10μm至100μm。
  18. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，其中所述基材的厚度為10μm至50μm。
  19. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製造方法，在所述基材上形成所述散熱膜後，更包括對所述散熱膜進行輾壓製程。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的散熱結構的製造方法，在對所述散熱膜進行輾壓處理之前，更包括對所述散熱膜進行乾燥製程。
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