TW201841739A - 電子元件的載片以及使用其的用於形成薄膜的裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於一種用於電子元件的載片以及一種使用其以形成薄膜的裝置，且更具體而言，是有關於一種用於在電子元件的表面上形成薄膜的用於電子元件的載片以及使用其以形成薄膜的裝置。根據示例性實施例，一種用於電子元件的載片可包括：黏著層，位於附著有所述電子元件的一個表面上；以及變形維持層，設置於所述黏著層的與一個表面相對的另一表面上，且藉由所述電子元件的附著壓力而塑性變形。

Description

電子元件載片以及使用其以形成薄膜之裝置
本發明是有關於一種用於電子元件的載片以及一種使用其以形成薄膜的裝置，且更具體而言，是有關於一種用於在電子元件的表面上形成薄膜的用於電子元件的載片以及使用其以形成薄膜的裝置。
近來，隨著電磁波對人體的危害已廣泛為人所知，正在開發用於屏蔽自例如可攜式通訊裝置、影像顯示器件、遊戲機等各種電子產品產生的大量電磁波的技術。
一般而言，由於電磁波主要是自例如包含於電子器件及裝置中的半導體封裝等電子器件產生，因此近來正在開發用於屏蔽主要自例如半導體封裝等電子元件產生並輸出的電磁波的各種技術。
最簡單的方法是覆蓋安裝於基底上的電子元件的方法，但此種方法具有所述基底的體積因金屬頂蓋（metal cap）而顯著增大且製程及裝配元件的數目增大的侷限性。
近來，正在開發一種藉由直接在電子元件的表面上形成金屬膜來屏蔽電磁波的方法，且此種方法主要藉由濺鍍裝置（sputtering apparatus）來實作。然而，當使用濺鍍裝置在電子元件的表面上形成金屬膜且所述金屬膜沈積於例如半導體封裝的焊料球等電極部分上時，存在由於所述電極部分的濺鍍沈積污染而造成電性短接或類似故障的侷限性。因此，需要一種用於保護無需沈積有金屬膜的電極部分（例如半導體封裝的焊料球）的技術。
一般而言，金屬膜藉由將電子元件的一個表面（或下表面）附著至黏著片而形成於所述電子元件的表面上，且由於所述電子元件的僅一個表面可附著於典型黏著片上，因此除所述電子元件的所述一個表面以外，僅使用所述黏著片不能夠保護無需沈積的一部分。
具體而言，當在例如半導體封裝的焊料球等電子元件的一個表面上形成有突出端子時，由於僅所述突出端子的端部部分可附著至典型黏著片，因此在所述典型黏著片與所述電子元件的所述一個表面之間出現間隙現象（gap phenomenon），且所述電子元件的所述突出端子無法得到保護，進一步需要一種用於保護無需沈積有金屬膜的電極部分（例如半導體封裝的焊料球）的技術。
因此，近來使用如下一種方法：在所述方法中，在於撓性帶（flexible tape）中形成孔之後執行濺鍍，且橫跨所述孔設置底表面以使無需沈積有金屬膜的電極部分（例如半導體封裝的焊料球）***所述孔中。
然而，如此一來，當在撓性帶或材料安裝部件中形成有孔或凹槽、設置有例如半導體封裝等電子元件、且接著執行濺鍍時，由於應進一步提供在所述撓性帶或所述材料中形成所述孔或凹槽的製程，因此製造製程變得複雜。
另外，當在形成於撓性帶或材料中的孔或凹槽中設置例如半導體封裝等電子元件之後執行濺鍍時，由於在使所述電子元件緊密接觸或固定所述電子元件方面存在問題，因此可能存在間隙。因此，在例如半導體封裝的焊料球等電極上可能形成非期望金屬膜。
另外，存在以下侷限性：當電子元件的外部形狀或者例如焊料球等電極的間隔或形狀改變時，孔或凹槽的大小應由此改變；並且當在撓性帶或材料中形成有孔或凹槽時，電子元件的排列自由度為低的，且所述電子元件的孔之間的間隔受到約束，且因此所述電子元件不易於密集地設置。
[現有技術文獻] [專利文獻] 韓國專利第10-1590593號
本發明提供一種用於電子元件的載片以及使用其以形成薄膜的裝置，所述載片被用於緊緊地固定所述電子元件及在所述電子元件的表面上形成薄膜。
根據示例性實施例，一種用於電子元件的載片包括：黏著層，具有上面附著有電子元件的一個表面；以及變形維持層，設置於所述黏著層的與一個表面相對的另一表面上，且藉由所述電子元件的附著壓力而塑性變形。
所述黏著層可具有5微米（μm）至100微米的厚度。
所述黏著層可具有近似200克力/英吋（gf/in）至1,500克力/英吋的黏著力。
所述變形維持層可由金屬膜形成。
所述變形維持層可具有近似3微米至60微米的厚度。
所述變形維持層可具有近似10%至80%的伸長率。
所述變形維持層可在室溫下具有近似200 W/m×K至450 W/m×K的熱傳導率。
所述載片可更包括磁性層，所述磁性層設置於所述變形維持層的與面對所述黏著層的一個表面相對的另一表面上。
所述磁性層可以將磁性粉末分散於黏合劑樹脂中的方式形成。
以所述磁性層的總重量計，可以30重量%（wt%）至90重量%的量包含所述磁性粉末。
所述磁性粉末可具有0.1微米至30微米的平均粒徑。
所述磁性層可具有10微米至500微米的厚度。
所述載片可更包括基礎膜，所述基礎膜設置於所述變形維持層的與面對所述黏著層的一個表面相對的另一表面上且被配置成支撐所述變形維持層。
所述基礎膜的恢復力可為使所述變形維持層能夠發生塑性變形的屈服值或低於所述屈服值。
所述黏著層及所述變形維持層中的至少一者可具有磁性性質。
所述基礎膜可由合成樹脂材料形成且含有磁性粉末。
所述載片可具有近似10%至80%的伸長率。
所述載片可具有近似25牛/平方毫米（N/mm2 ）至250牛/平方毫米的抗張強度。
根據另一示例性實施例，一種用於形成薄膜的裝置包括：沈積材料提供部件，在沈積目標物件上提供用於形成薄膜的沈積材料，所述物件包括用於電子元件的載片，所述載片設置有磁性層；以及基座，被配置成支撐所述沈積目標物件，其中所述基座包括：磁體板，被配置成對所述載片提供拉力；以及冷卻單元，被配置成對所述載片進行冷卻。
所述基座可更包括設置於所述磁體板與所述沈積目標物件之間的彈性層。
所述沈積目標物件可更包括附著於所述載片上的電子元件，且所述裝置可在所述電子元件的暴露表面上形成所述薄膜。
在下文中，將參照附圖更詳細地闡述示例性實施例。然而，本發明可實施為不同形式，而不應被視為僅限於本文所述的實施例。確切而言，提供該些實施例是為了使此揭露內容將透徹及完整，並將向熟習此項技術者充分傳達本發明的範圍。在說明中，相同的參考編號指代相同的配置，為使示例性實施例的說明清晰起見，可局部地誇大各圖，且相同的參考編號指代圖中的相同組件。
圖1是示出根據示例性實施例的用於電子元件的載片的剖視圖。
參照圖1，根據示例性實施例的用於電子元件的載片100可包括黏著層110，在黏著層110上附著有電子元件10；以及變形維持層120，設置於黏著層110的與一個表面相對的另一表面上且藉由電子元件10的附著壓力而塑性變形。
載片100亦可被設置成矩形載片或圓形載片，亦可被形成為輥形狀，且可用於牢固地且緊緊地將電子元件10固定至載片100的一個表面（例如，上表面）上。此時，在載片100上可以閉合形式設置有至少一或多個半導體封裝。
黏著層110（電子元件10可附著（或黏著）於黏著層110的一個表面上）可用於附著（或緊緊地固定）例如半導體封裝11及多層式陶瓷電容器（multilayer ceramic capacitor，MLCC）12等電子元件10直至進行例如濺鍍等薄膜形成製程且藉此防止電極部分的沈積污染，且用於黏著電子元件10以使電子元件10在所述製程之後自載片100輕易地剝離。此處，電子元件10可包括例如突出端子11a等突出部分，且半導體封裝11可包括：球柵陣列（ball grid array，BGA）封裝，其中在所述球柵陣列封裝的一個表面上以矩陣形式設置有多個焊料球；連接盤柵陣列（land grid array，LGA）封裝，其中以矩陣形式設置有多個連接盤形狀（land-shaped）的金屬電極。此時，黏著層110可被設置成面對電子元件10，且電子元件10可附著至黏著層110，電子元件10的表面作為附著表面而面對黏著層110。
另外，黏著層110可包含黏著材料且是藉由將黏著流體材料加工成膜形式來形成。舉例而言，黏著材料可包括但不限於矽酮系黏著材料，且可對構成黏著層110的黏著材料使用除矽酮系黏著材料以外的各種材料。
另外，黏著層110可具有近似200克力/英吋至1,500克力/英吋的黏著力。當黏著層110的黏著力小於近似200克力/英吋時，電子元件10可能無法被牢固地黏著及固定，且電子元件10可能在載片100的移動期間相對於載片100移動或分離。相反，當黏著層110的黏著力大於近似200克力/英吋時，電子元件10被過於牢固地黏著，且因此所述電子元件不易於在薄膜形成製程之後自載片100分離，或者在電子元件10無法明顯地自黏著層110分離的同時，黏著層110的一部分（或異物）可能餘留於電子元件10的附著表面（例如，下表面）上。
同時，黏著層110可具有5微米至100微米的厚度。當黏著層110的厚度小於5微米時，由於不易於在大的區域中確保厚度均勻性，因此可能造成例如電子元件10的附著缺陷及電子元件10的附著表面的局部污染缺陷等缺陷，且由於黏著層110的黏著劑或類似物的凝聚力，因此黏著層110的一部分可分離且可能餘留於電子元件10的附著表面上。另外，不僅黏著層110可能非常容易地被撕裂或斷裂且由此不易於操作（handle），而且電子元件10可能無法附著至斷裂部分。
相反，當黏著層110的厚度大於100微米時，即使當在將電子元件10附著至黏著層110的同時施加按壓力時，所述按壓力仍可能無法輕易地傳遞至變形維持層120。另外，當存在例如半導體封裝11的突出端子11a等多個突出部分時，在所述突出部分之間夾置有厚的黏著層100且由此堵塞變形維持層120的夾置空間。因此，變形維持層120可能變得難以根據電子元件10的形狀來改變形狀。
變形維持層120可設置於黏著層110中的與上面附著有電子元件10的一個表面相對的另一表面上，可接合（或黏著）至黏著層110上，且藉由電子元件10的附著壓力而塑性變形。即，變形維持層120可具有使變形維持層120的形狀不在藉由附著電子元件10的壓力（或外力）而塑性變形之後恢復的特性，且可為防形狀恢復膜（shape restoration prevention film）。舉例而言，變形維持層120的形狀可在電子元件10附著至黏著層110的同時藉由施加至黏著層110的壓力來改變，且在所述形狀改變且塑性變形之後，所述形狀可不恢復至原始形狀。此時，電子元件10的下陷至載片100中的一部分（例如，半導體封裝的突出端子）可被保持在變形維持層120內且固定至變形維持層120。因此，可防止在黏著層110與電子元件10的附著表面之間出現間隙現象。另外，可解決由於間隙現象而可能在電子元件10的電極部分中出現沈積污染、且因此電子元件10的質量可能降級且電子元件10的良率（yield）可能變低的侷限性。
此時，為在使變形維持層120的形狀不在變形之後恢復的同時改善操作性質，變形維持層120的材料可為重要的，且變形維持層120可由金屬膜構成（或形成）。此時，金屬膜可包括具有小的厚度的金屬片或金屬箔且由具有展性（malleability）及延性（ductility）的金屬材料形成。此處，展性及延性包括作為藉由接收壓力來擴寬的性質的展性及作為藉由抗張力來延伸的性質的延性的含義，且可意指塑膠加工的容易度的性質（即，塑性（plasticity））。舉例而言，金屬膜可使用例如鋁、鋁合金、銅、及銅合金等富有延性及極佳加工性且藉此被輕易地加工成非常小的厚度的材料來形成。
另外，為在使所述形狀不在變形維持層120的形狀已變形之後恢復的同時改善操作性質，變形維持層120的厚度可為重要的。舉例而言，變形維持層120可由具有小的厚度的金屬片、金屬膜、或金屬箔的形狀形成。此時，變形維持層120可具有近似3微米至60微米的厚度。當變形維持層120的厚度小於3微米時，變形維持層120可能被非常輕易地撕裂或斷裂且由此非常難以操作。另外，使變形維持層120可塑性變形的屈服值（yield value）降低，且因此，塑性變形而成的形狀可能無法沿電子元件10的下陷部分（例如，半導體封裝的突出端子）得到輕易地維持。相反，當變形維持層120的厚度大於60微米時，即使當在將電子元件10附著至黏著層110的同時施加壓力，變形維持層120的形狀仍可能無法沿電子元件10的下陷部分有效地變形。舉例而言，當由鋁形成時，變形維持層120可被形成為5微米至15微米（近似9微米）的厚度，且視材料（材料的類型）而定，變形維持層120的厚度可改變。
另外，變形維持層120可具有近似10%至80%的伸長率（elongation）。當變形維持層120的伸長率小於近似10%時，由於藉由在將電子元件10附著至黏著層110的同時施加的壓力無法輕易地延伸或者大的壓力對於塑性變形而言可為必要的，因此變形維持層120可能無法塑性變形，且即使塑性變形，變形維持層120仍可能無法沿電子元件10的下陷部分的形狀精確地變形。相反，當變形維持層120的伸長率大於80%時，變形維持層120過於輕易地延伸且因此，變得難以操作變形維持層120來進行塑性變形以使黏著層110緊密接觸電子元件10的附著表面。因此，不僅難以創造（或維持）加壓條件以將變形維持層120的形狀改變成其中黏著層110可緊密接觸電子元件10的附著表面的形狀，而且當黏著層110未被完全均勻地加壓時，黏著層110可能由於每一區的壓力差異而無法均勻地附著至電子元件10的附著表面且在黏著層110與電子元件10的附著表面之間可能出現間隙（或間隙現象）。因此，大量生產的穩定性可能降低。
圖2是闡述根據實施例的將電子元件附著至用於電子元件的載片的製程的概念圖，圖2的（a）是其中在所述載片上附著半導體封裝的圖，圖2的（b）是其中藉由所述半導體封裝的附著壓力來使所述載片的變形維持層塑性變形的圖，圖2的（c）是其中在所述載片上附著多層式陶瓷電容器（MLCC）的圖，且圖2的（d）是其中藉由多層式陶瓷電容器（MLCC）的附著壓力來使所述載片的變形維持層塑性變形的圖。
參照圖2，可根據電子元件10的形狀來使變形維持層120塑性變形，且可根據電子元件10的下陷至載片100或變形維持層120中的下陷部分的形狀來使變形維持層120塑性變形。
此時，例如半導體封裝11等電子元件10可以在電子元件10的一部分被***（或下陷）的同時面對黏著層110的狀態（例如，在所述半導體封裝的情形中，在其中突出端子面對所述黏著層的狀態中）接觸黏著層110。另外，在朝向黏著層110的方向上按壓電子元件10，且因此，黏著層110及變形維持層120可被電子元件10的附著表面或接觸表面（例如，半導體封裝的突出端子）按壓。可藉由按壓電子元件10來使黏著層110及變形維持層120的形狀變形，且因此，電子元件10的至少一部分（例如，突出端子）可下陷至黏著層110中且免於暴露至外部。另外，在變形維持層120的形狀已塑性變形之後，變形維持層120的形狀可不恢復。此處，當在朝向黏著層110的方向上按壓電子元件10時，例如軟輥等推進器（pusher）亦可直接地接觸及按壓電子元件10且可間接地對電子元件10及/或載片100施加壓力。
舉例而言，當電子元件10是在一個表面上（即，附著表面上）包括至少一個突出端子11a的半導體封裝11時，可沿例如焊料球或電極等突出端子11a來使電子元件10塑性變形，電子元件10在所述一個表面上附著至黏著層110。
另外，當電子元件10為多層式陶瓷電容器12時，如圖2的（c）中所示，多層式陶瓷電容器12的至少一部分下陷至載片100中，且因此，黏著層110可不僅附著至多層式陶瓷電容器12的下表面，而且附著至多層式陶瓷電容器12的側表面的至少一部分。另外，如圖2的（d）中所示，可沿多層式陶瓷電容器12的下表面及側表面的下陷至載片100中的至少一部分的形狀來使變形維持層120塑性變形。
此處，黏著層110或變形維持層120可具有較電子元件10的下陷部分的高度小的厚度。舉例而言，黏著層110或變形維持層120可具有較電子元件10下陷的預定深度小的厚度，且當突出端子11a下陷至載片100中時，黏著層110或變形維持層120可具有較突出端子11a的高度小的厚度。
當黏著層110或變形維持層120具有等於或大於電子元件10的下陷部分的高度的厚度時，電子元件10的附著壓力不易於傳遞至變形維持層120且因此，變形維持層120無法接收等於或大於使變形維持層120可塑性變形的屈服值且由此，由於在電子元件10的邊緣部分或類似部分處具有較大的厚度而可能無法塑性變形或可能無法靈活彎曲。因此，變形維持層120可能無法沿電子元件10的下陷部分的形狀而精確地變形。具體而言，當在電子元件10的附著表面上密集地存在有例如半導體封裝11的突出端子11a等多個突出部分時，在突出部件之間夾置有厚的黏著層110且由此堵塞變形維持層120的夾置空間，或者由於變形維持層120的大的厚度而使得無法夾置黏著層110。因此，變形維持層120的形狀可能無法根據電子元件10的下陷部分的形狀來輕易地改變。
圖3是闡述根據示例性實施例的在電子元件的表面上進行的薄膜形成過程的概念圖，圖3的（a）是其中在半導體封裝的表面上形成薄膜的圖，圖3的（b）是其中自用於電子元件的載片剝離上面形成有薄膜的半導體封裝的圖，圖3的（c）是其中在多層式陶瓷電容器（MLCC）的表面上形成薄膜的圖，且圖3的（d）是其中自用於電子元件的載片剝離上面形成有薄膜的多層式陶瓷電容器（MLCC）的圖。
參照圖3，可在將電子元件10黏著（或緊緊地固定）至用於電子元件的載片100的同時執行例如濺鍍等薄膜形成製程。因此，可在電子元件10的表面中未黏著至載片100的暴露表面上形成薄膜（例如，用於屏蔽電磁波的金屬膜或電磁波屏蔽膜），且可不在黏著至載片100且未暴露的表面上形成薄膜20。舉例而言，當電子元件10為半導體封裝11時，可在暴露的半導體封裝11的側表面及上表面上形成金屬膜，且可能由於半導體封裝11的上面形成有例如焊料球或電極等突出端子的下表面被載片100密封而不形成所述金屬膜。因此，電子元件10的表面中的上面不需要形成薄膜的一部分被密封，且因此，若有必要，則可僅在上面需要形成薄膜的一部分上選擇性地形成所述薄膜。
舉例而言，電子元件10可黏著（或安裝）於載片100上，且在將上面已設置有電子元件10的載片100傳送至隨後欲闡述的用於形成薄膜的裝置200之後，可對裝置200中的電子元件10的表面執行薄膜形成製程。此時，在裝置200中執行濺鍍製程，且因此，可在暴露表面（例如，半導體封裝的側表面及上表面）上形成用於屏蔽電磁波的金屬膜。當在電子元件10的暴露表面上形成薄膜20時，拾取器（picker）30可將設置於載片100上的電子元件10拾取並傳送至後續製程。
此處，當藉由將載片100投入裝置200中來執行薄膜形成製程時，電子元件10被暴露至高溫氣氛（high-temperature atmosphere）。因此，由於例如設置於半導體封裝11中的半導體晶片等電子元件10可能由於高溫熱量而受到損壞，因此對電子元件10進行快速冷卻是不可或缺的。
變形維持層120可在室溫下具有近似200 W/m·K或高於200 W/m·K的熱傳導率。即，變形維持層120可具有極佳熱傳導率。在例如濺鍍等薄膜形成製程中，可能產生高溫熱量，且載片100的散熱特性是重要的，如此電子元件10才能免於由於所述高溫熱量而受到損壞及斷裂。因此，載片100亦可用於在薄膜形成製程期間將被提供至電子元件10的熱量快速傳送至外部並將被提供至電子元件10的熱量快速散發。
舉例而言，變形維持層120可由具有高熱傳導率的金屬材料形成，且吸收自電子元件10傳送（或產生）的熱量並將所述熱量傳送至裝置200的基座220。此時，當變形維持層120由鋁材料或銅材料形成時，被提供至電子元件10的熱量可被快速散發至外部。因此，在例如濺鍍等薄膜形成製程期間被暴露至高溫氣氛的電子元件10可被快速冷卻。因此，可防止例如設置於半導體封裝11中的半導體晶片等電子元件10由於高溫熱量而受到損壞，且可防止電子元件10的變形（例如半導體封裝11的彎曲）。
此時，當變形維持層120的熱傳導率在室溫下小於近似200 W/m·K，則在吸收自電子元件10傳送的熱量之後可被傳送至裝置200的基座的熱量的量有限。因此，在例如濺鍍等薄膜形成製程期間被暴露至高溫氣氛的電子元件10可能無法被快速冷卻且可能由於高溫熱量而受到損壞。變形維持層120的熱傳導率越高越好。然而，由於變形維持層120因具有其他特性而存在材料限制，因此熱傳導率的上限可為在室溫下為450 W/m·K。優選地，變形維持層120可在室溫下具有近似200 W/m·K至450 W/m·K的熱傳導率。
因此，可防止在黏著層110與電子元件10的附著表面之間的變形維持層120中出現間隙現象，且變形維持層120具有高的熱傳導率且藉此使得自電子元件10傳送的熱量能夠藉由黏著層110而有效地傳送至基座220，且可在電子元件10的所述表面上形成具有極佳膜質量的薄膜。
然而，當載片100不緊密接觸基座220時，被提供至載片100的熱量可能無法被輕易地散發。
因此，黏著層110及變形維持層120中的至少一者可具有磁性性質。此時，為使電元件載片100緊密接觸基座220，基座220可包括磁體板221，且在磁體板221內或在磁體板221的後表面上裝設（或設置）冷卻單元222且可藉此對磁體板221及/或電元件載片100進行冷卻。為利用自磁性板221產生的磁力在電元件載片100中產生（或提供）拉力且藉此使電元件載片100緊密接觸基座220，黏著層110及變形維持層120中的至少任一者可具有磁性性質。
舉例而言，黏著層110可含有磁性粉末132。藉由向由非磁性材料形成的黏著層110中添加例如粉末形狀的磁性金屬粉末等磁性粉末132，黏著層110可不僅具有可調整的厚度，而且在維持黏著層110的黏著性的同時具有與磁性薄膜相似的特性。亦即，藉由向黏著層110中添加磁性粉末132，載片100可藉由自磁性板221產生的磁力而緊密接觸基座220。因此，被傳送至電子元件10的熱量可藉由載片100而提供至磁性板221及/或冷卻單元222且可藉此對電子元件10進行快速冷卻。此處，當磁性粉末132被添加至黏著層110時，可將含有磁性粉末132的黏著層110形成為具有近似50微米的厚度以執行與磁性金屬膜相似的功能。然而，含有磁性粉末132的黏著層110的厚度並非僅限於此，且可根據所述磁性粉末的大小、平均粒徑、密度、及類似參數而被調整成近似50微米或大於50微米的厚度或者近似50微米或小於50微米的厚度。同時，當變形維持層120是由因富有延性及可加工性而被加工成非常小的厚度的非磁性金屬膜形成時，變形維持層120可由可使磁場通過的非磁性金屬材料形成。
另外，變形維持層120可由磁性金屬膜形成。此外，在此種情形中，載片100可藉由自磁性板221產生的磁力而緊密接觸基座220，且因此，被傳送至電子元件10的熱量可藉由載片100而提供至磁性板221及/或冷卻單元222且可藉此對電子元件10進行快速冷卻。此處，磁性金屬可包括鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）、及其化合物。
圖4是示出根據實施例的包括磁性層的用於電子元件的載片的剖視圖，圖4的（a）示出包括磁性層的用於電子元件的載片，且圖4的（b）示出包括磁性層的用於電子元件的載片的變形維持層的塑性變形。
參照圖4，根據示例性實施例的用於電子元件的載片100可更包括磁性層130，磁性層130設置於變形維持層120的與面對黏著層110的一個表面相對的另一表面上。磁性層130可設置於變形維持層120的與面對黏著層110的一個表面相對的另一表面上。舉例而言，磁性層130可被形成為磁性薄膜、及其中磁性金屬粉末被形成為膜形狀的磁性金屬膜。當載片100包括磁性層130時，載片100可藉由自磁體板221產生的磁力而緊密接觸基座220。因此，被傳送至電子元件10的熱量可藉由載片100而提供至磁性板221及/或冷卻單元222且可藉此對電子元件10進行快速冷卻。
此處，磁性層130可以磁性粉末132分散於黏合劑樹脂131中的方式形成。在此種情形中，增大磁性層130的厚度可為有利的，磁性強度可藉由調整磁性粉末132的含量來調整，且僅磁性層130的厚度可被調整成具有相同磁性強度的狀態。因此，根據變形維持層120等的厚度，磁性層130可被形成為可穩定地支撐變形維持層120的厚度。另外，黏合劑樹脂131提供延性及/或彈性，藉此充當緩衝器，且亦可約束變形維持層120的變形範圍。因此，亦可防止變形維持層120撕裂及/或損壞。
此時，以磁性層130總重量計，可以為30重量%至90重量%的量包含磁性粉末132。當以磁性層130的總重量計、以為30重量%或小於30重量%的量包含磁性粉末132時，由於磁性強度為低的，因此載片100可能無法穩定地緊密接觸基座220。相反，當以磁性層130的總重量計、以大於90重量%的量包含磁性粉末132時，對於變形維持層120等的黏著性可能降低，或者磁性層130的延性及/或彈性降低，且因此可能無法有效地起到緩衝作用。
另外，磁性粉末132可具有0.1微米至30微米的平均粒度（或平均粒徑）。當磁性粉末132具有小於0.1微米的平均粒徑時，由於磁性粉末132的大小（或平均大小）過小，因此磁性粉末132可能無法輕易地均勻分散於磁性層130的整個區（或整個區域）中。相反，當磁性粉末132具有大於30微米的平均粒徑時，由於可進入磁性層130的預定區的磁性粉末132的顆粒數量有限，因此磁性強度無法被調整或者磁性層130的厚度無法被調整至磁性粉末132的平均粒徑或小於所述平均粒徑。
另外，磁性層130可具有10微米至500微米的厚度。當磁性層130的厚度小於10微米時，可能無法提供為足以使載片100緊密接觸基座220的強度的磁性，或者磁性層130可能無法有效地起到緩衝作用。相反，當磁性層130的厚度大於500微米時，自電子元件10至基座220的距離增大，且因此，散熱路徑可能增大且無法有效地執行有效散熱。
同時，磁性層130亦可取代隨後闡述的基礎膜140的角色，且當不僅包括磁性層130而且更包括基礎膜140時，變形維持層120及基礎膜140亦可取代將變形維持層120與基礎膜140接合的黏著劑150的角色。
另外，黏著層110的厚度、變形維持層120的厚度、及磁性層130的厚度之和可具有較電子元件10的下陷部分的高度大的值。舉例而言，黏著層110的厚度、變形維持層120的厚度、及磁性層130的厚度之和可具有較預定深度大的值，且當僅突出端子11a下陷至載片100中時，所述和可具有較突出端子11a的高度大的值。
當黏著層110的厚度、變形維持層120的厚度、及磁性層130的厚度之和具有等於或小於電子元件10的下陷部分的高度的值時，黏著層110、變形維持層120、及磁性層130中的所有者應沿電子元件10的下陷部分的形狀變形。因此，當電子元件10附著至載片100時，載片100的底表面（或接觸基座的接觸表面）變得不平整且不均勻。
然而，如在示例性實施例中，當黏著層110的厚度、變形維持層120的厚度、及磁性層130的厚度之和具有較電子元件10的下陷部分的高度大的值時，在磁性層130的至少一部分中可產生不受電子元件10的下陷部分的形狀影響或受所述下陷部分的形狀影響較小的一部分，載片100的底表面的曲率（curvature）可降低且所述底表面可變平。因此，載片100之間的緊密接觸的強度可加強，且藉由冷卻單元222對基座220進行冷卻的效果可進一步改善。
圖5是示出根據實施例的包括基礎膜的用於電子元件的載片的剖視圖，圖5的（a）示出包括基礎膜的用於電子元件的載片，且圖5的（b）示出包括基礎膜的用於電子元件的載片的變形維持層的塑性變形。
參照圖5，用於電子元件的載片100可更包括基礎膜140，基礎膜140設置於變形維持層120的與面對黏著層110的一個表面相對的另一表面上且支撐變形維持層120。基礎膜140可設置於變形維持層120的與面對黏著層110的一個表面相對的另一表面上，支撐變形維持層120，且藉此約束變形維持層120的變形範圍。因此，可防止變形維持層120撕裂或損壞，且因此可防止變形維持層120損壞且可提高可操作性（handleability）。具體而言，基礎膜140可防止例如變形維持層120的損壞或撕裂等物理損壞，且可防止由於外部材料而對變形維持層120造成污染。此時，基礎膜140可不僅支撐變形維持層120而且支撐設置於基礎膜140上（例如，所述基礎膜的一個表面上）的黏著層110、磁性層130、或黏著劑150，且可用於防止變形維持層120撕裂及斷裂。
另外，基礎膜140可提供用於緊固變形維持層120及黏著層110以約束變形維持層120的變形範圍的力（或用於緊密接觸電子元件的附著表面的力），且使黏著層110更緊密地接觸所述附著表面。
基礎膜140的恢復力可為使變形維持層120能夠發生塑性變形的屈服值（或塑性變形力）或低於所述屈服值。當基礎膜140的恢復力大於使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值時，為達到變形維持層120的第一塑性變形，需要等於或大於基礎膜140的恢復力與使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值的屈服值之和值的按壓力。另外，即使變形維持層120首先進行塑性變形，基礎膜140的大於使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值的恢復力可使變形維持層120塑性變形成另一形狀。因此，基礎膜140的恢復力可為使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值或低於所述屈服值，以使變形維持層120塑性變形且變形維持層120的形狀可得到維持。
同時，基礎膜140可由合成樹脂材料形成且可含有磁性粉末132。基礎膜140可由形狀可與變形維持層120的塑性變形（或形狀變形）對應地變形的合成樹脂材料形成。舉例而言，基礎膜140可藉由將聚對苯二甲酸乙二脂（polyethylene terephthalate，PET）加工成片形狀或膜形狀來形成。
當膜140的厚度相較於變形維持層120的厚度而言過厚時，基礎膜140的形狀可能無法輕易地變形且具有較強的恢復力，且因此，變形維持層120的變形力（即，彈性變形力或塑性變形力）可能減小。
因此，基礎膜140及變形維持層120的厚度可被確定成使基礎膜140的恢復力為使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值或低於所述屈服值。即，基礎膜140的厚度可藉由變形維持層120的厚度來確定。舉例而言，當由鋁材料形成的變形維持層120的厚度為近似9微米時，由聚對苯二甲酸乙二脂（PET）材料形成的基礎膜140的厚度被設定成近似15微米，且因此，基礎膜140的恢復力可等於或小於使變形維持層120可進行塑性變形的屈服值。
另外，基礎膜140的厚度亦可根據半導體封裝11等的焊料球的大小來確定，且所述焊料球的大小越大，則基礎膜140的厚度可越薄。舉例而言，基礎膜140可被加工成可對應直至具有近似350微米的大小的焊料球的厚度。
基礎膜140可含有磁性粉末132。磁性粉末132可被添加至基礎膜140而非黏著層110，且基礎膜140亦可藉由向合成樹脂材料添加磁性粉末132來形成，且在基礎膜140的所述表面上將磁性粉末132形成為膜形狀可為極好的。此外，在此種情形中，載片100可藉由自磁性板221產生的磁力而緊密接觸基座220，且因此，被傳送至電子元件10的熱量可藉由載片100而提供至磁性板221及/或冷卻單元222且可藉此對電子元件10進行快速冷卻。此時，磁性粉末132可根據與磁性層130的磁性粉末132相同的原因而具有0.1微米至30微米的平均粒徑。
因此，黏著層110、變形維持層120、及基礎膜140中的至少一或多者可具有磁性性質，且不再使用磁性層130，而是黏著層110、變形維持層120、及基礎膜140中的至少一或多者可具有磁性性質。
示例性實施例中的載片100可更包括黏著劑150，黏著劑150設置於變形維持層120與基礎膜140之間且加強變形維持層120與基礎膜140之間的黏著性。黏著劑150可在變形維持層120與基礎膜140之間設置成黏著層的形狀且可加強變形維持層120與基礎膜140之間的黏著性。舉例而言，黏著劑150可形成於變形維持層120的另一表面（或下部部分）上，且基礎膜可形成（或設置）於黏著劑150的與黏著劑150的面對變形維持層120的一個表面相對的另一表面上。此時，黏著劑150可為其中磁性粉末132分散於黏著材料中的黏著劑，且磁性粉末132可包括金屬粉末或鐵氧體粉末。
同時，基礎膜140可不受到電子元件10的下陷部分的形狀影響且可不變形。電子元件10在接觸載片100的黏著層110之後在黏著層110的方向上被按壓。因此，當黏著劑150設置於變形維持層120與基礎膜140之間時，自黏著層110僅至黏著劑150可產生與電子元件10的下陷部分（例如，半導體封裝的突出端子）的形狀對應的變形，且基礎膜140可不變形。因此，基礎膜140可用於防止為薄金屬膜的變形維持層120撕裂及斷裂。當基礎膜140的形狀不變形時，在基礎膜140的與基礎膜140的面對黏著劑150的一個表面相對的另一表面（例如，下表面）上可不出現不平整的不均勻性。因此，基礎膜140可緊密接觸裝置200的基座220，且可在藉由例如濺鍍等薄膜形成製程形成薄膜20時藉由冷卻單元222而被有效地冷卻，且因此，載片100的散熱效能可進一步提高。
根據示例性實施例的載片100可具有近似10%至80%的伸長率。當載片100的伸長率低於近似10%時，電子元件10不易於藉由在其中將電子元件10附著至黏著層110的製程期間施加的壓力而延伸且因此，變形維持層120可能不塑性變形，或者使變形維持層120塑性變形可能需要大的按壓力。另外，即使塑性變形，變形維持層120仍可能無法根據電子元件10的下陷部分的形狀來精確地變形。
相反，當載片100的伸長率大於80%時，載片100過於輕易地延伸且因此，變得難以操作變形維持層120來使變形維持層120進行塑性變形以使黏著層110緊密接觸電子元件10的附著表面。因此，不僅難以設立加壓條件以將變形維持層120的形狀改變成其中黏著層110可緊密接觸電子元件10的附著表面的形狀，而且當黏著層110未被完全均勻地加壓時，黏著層110根據每一區的壓力而不均勻地附著至電子元件10的附著表面且在黏著層110與電子元件10的附著表面之間可能出現間隙（或間隙現象）。另外，載片100以其中至少一或多個電子元件10黏著至載片100的狀態附著至中空支撐框架（圖中未示出），且在此種情形中，由於載片100的大於80%的高伸長率，載片100可能發生起伏或變形。因此，所黏著的電子元件10可能受到影響，例如可能移動或分離，且因此大量生產的穩定性可能降級。
此時，載片100的伸長率可較佳地為35%至70%以達成有效變形及高的大量生產穩定性，且更佳地可為50%至60%。
根據示例性實施例的載片100可具有近似25牛/平方毫米（N/mm2 ）至250牛/平方毫米的抗張強度。當載片100的抗張強度小於近似25牛/平方毫米時，載片100可能因附著電子元件10的壓力（或按壓力）而撕裂或損壞。相反，當載片100的抗張強度大於近似250牛/平方毫米時，變形維持層120可能無法輕易地變形且可能因此無法塑性變形，或者彈性力（或彈性變形力）增大。因此，可能需要大的按壓力來達成塑性變形，且即使塑性變形，變形維持層120仍可能無法根據電子元件10的下陷部分的形狀來精確地變形。此時，載片100的抗張強度可較佳地為近似34牛/平方毫米至250牛/平方毫米。同時，當變形維持層120的抗張強度為高的且僅藉由黏著層110及變形維持層120亦可獲得為近似25牛/平方毫米至250牛/平方毫米的抗張強度時，載片100可僅使用黏著層110及變形維持層120來製作（或製造）。
圖6是示出根據另一示例性實施例的用於形成薄膜的裝置的剖視圖。
參照圖6，將更詳細地闡述根據另一示例性實施例的用於形成薄膜的裝置，且將不再對與以上所述和根據示例性實施例的載片有關的部分重覆的內容予以贅述。
根據另一示例性實施例的用於形成薄膜的裝置200可包括：沈積材料提供部件210，在沈積目標物件D上提供用於形成薄膜20的沈積材料21，沈積目標物件D包括用於電子元件的載片100，載片100設置有磁性層；以及基座220，用於支撐沈積目標物件D，其中基座220可包括：磁體板221，對載片100提供拉力；以及冷卻單元222，對載片100進行冷卻。
沈積材料提供部件210可提供用於在沈積目標物件D上形成薄膜20的沈積材料21，沈積目標物件D包括設置有磁性層的載片100。此處，載片100可為根據示例性實施例的上面黏著（或固定）有電子元件10的用於電子元件的載片100。沈積材料提供部件210可藉由選自例如以下等所有物理及化學沈積方法中的至少一種方法來提供用於在沈積目標物件D上形成薄膜20的沈積材料21：噴霧方法（spray method）、浸漬方法（dipping method）、濺鍍方法、熱沈積方法（thermal deposition method）、熱蒸鍍方法（thermal evaporation method）、或化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）方法。
舉例而言，沈積材料提供部件210可設置於基座220之上且可提供用於在沈積目標物件D上形成薄膜20的沈積材料21，沈積目標物件D包括載片100。此處，沈積目標物件D可不僅包括載片100而且包括黏著至載片100的電子元件10，且沈積材料提供部件210可在電子元件10的暴露表面上提供沈積材料21且形成薄膜20。另外，藉由沈積材料提供部件210形成的薄膜20可為用於屏蔽自電子元件10釋放的電磁波的電磁干擾（electromagnetic interference，EMI）屏蔽膜，且為在電子元件10的所述暴露表面上形成電磁干擾屏蔽膜，可藉由提供金屬材料作為沈積材料來形成金屬膜。此時，沈積材料提供部件210可藉由濺鍍方法而自由金屬材料形成的目標排放沈積材料21，並將所述沈積材料提供至例如載片100等沈積目標物件D。
同時，在噴霧方法、濺鍍方法、熱沈積方法、熱蒸鍍方法、化學氣相沈積（CVD）方法、或類似方法的情形中，沈積材料提供部件210可藉由在沈積目標物件D上噴射沈積材料來提供沈積材料21，且在淬火方法（quenching method）的情形中，沈積材料提供部件210可將沈積材料21的溶液提供至容器中。另外，薄膜20可為不僅選擇性地形成（或塗佈）於電磁干擾屏蔽膜上而且形成於絕緣膜或電子元件10的表面上的各種塗佈膜。
基座220為卡盤模組（chuck module）且可支撐沈積目標物件D以使沈積目標物件D的沈積表面接觸沈積材料21。舉例而言，基座220可設置於沈積提供部件210下方，且例如載片100等沈積目標物件D可安裝於基座220上。
此處，基座220可包括：磁體板221，對載片100提供拉力；以及冷卻單元222，對載片100進行冷卻。由於由例如電磁體及永久磁體等磁體產生的磁力，磁體板221可對設置有磁性層的載片100提供（或產生）拉力。自磁體板221產生的磁力可對載片100的磁性層（例如，磁性層）產生拉力，且因此，載片100可緊密接觸基座220。
冷卻單元222可對藉由因自磁體板221產生的磁力而產生的拉力而緊密接觸磁體板221及/或磁體板221的載片100進行冷卻，及/或對磁體板221進行冷卻。此時，冷卻單元222亦可設置（或裝設）於磁體板221外以接觸磁體板221且亦可裝設（或設置）於磁體板221內。冷卻單元222可在例如濺鍍等薄膜形成製程期間對被施加至電子元件10的熱量進行快速冷卻，且可藉由緊密接觸基座220的磁體板221的載片100對電子元件10進行冷卻。
基座220具有可由彈性材料形成的支撐表面且沈積目標物件D是由所述支撐表面來支撐。在此種情形中，例如載片100等沈積目標物件D的接觸表面（例如，下表面）與基座220的支撐表面之間的緊密接觸力可提高。因此，來自沈積目標物件D的熱量可被順利地傳送至基座220，且冷卻單元222的冷卻效率可提高。
舉例而言，基座220可更設置於磁體板221與沈積目標物件D之間的彈性層（圖中未示出）。彈性層（圖中未示出）可由彈性材料形成且使磁體板221與沈積目標物件D之間的緊密接觸力提高。因此，來自沈積目標物件D的熱量可被順利地傳送至基座220，且冷卻單元222的冷卻效率可提高。此時，當載片100藉由由於磁體板221而產生的磁力而緊密接觸基座220時，載片100與基座220之間的接觸表面的面積可由於彈性層（圖中未示出）的彈性而進一步增大。此處，彈性層（圖中未示出）可由矽酮、黏著劑、纖維玻璃片、及石墨片中的至少任一者形成。
同時，磁體板221可包括平台，所述平台支撐沈積目標物件D及裝設於所述平台內的磁性層。此時，平台自身可由彈性材料形成，或者在所述平台上形成有由彈性材料形成的彈性層（圖中未示出）。因此，可提供支撐沈積目標物件D的支撐表面。
另外，磁體板221亦可藉由自身形成為磁性層而直接具有彈性，且在磁體板221上形成有由彈性材料形成的彈性層（圖中未示出）。因此，亦可提供支撐沈積目標物件D的支撐表面。
如此一來，基座220具有可由彈性材料形成的支撐表面，沈積目標物件D是由所述支撐表面來支撐。
沈積目標物件D可更包括附著（或黏著）於載片100上的電子元件10，且根據示例性實施例的裝置200可（僅）在電子元件10的暴露表面上形成薄膜20。在示例性實施例中，位於電子元件10的表面上且上面無需形成薄膜20的一部分可藉由以載片100進行密封而被製作成使得不形成薄膜20，且薄膜20可僅選擇性地形成於電子元件10的上面需要形成薄膜20的暴露表面上。
舉例而言，示例性實施例的裝置200可為濺鍍裝置，且可包括：腔室（圖中未示出），提供在其中執行濺鍍製程的容置空間；濺鍍陰極，設置於腔室（圖中未示出）內；以及電漿產生部件（圖中未示出），在腔室（圖中未示出）內產生電漿。
一般而言，在腔室（圖中未示出）內可形成有真空壓力，且可形成用於濺鍍製程的高溫氣氛。在腔室（圖中未示出）下方，基座220可被設置成卡盤模組，且濺鍍陰極可作為沈積材料提供部件210而設置於與基座220間隔開的上部部分中。另外，可藉由利用濺鍍陰極與基座220之間的電漿產生部件（圖中未示出）產生電漿來形成電漿區，且由所述電漿產生的離子擊中所述濺鍍陰極的目標且可使得沈積材料21能夠不自所述濺鍍陰極的目標逸出。自濺鍍陰極的目標逸出的沈積材料21沈積於附著（或安裝）於載片100上的電子元件10的暴露表面上，且因此可形成例如金屬膜等薄膜20。
此時，當使裝置200的內部氣氛的溫度降低以防止電子元件10暴露至高溫氣氛時，用於在電子元件10的表面上形成薄膜20的能量可能不充分。因此，在濺鍍製程期間輸出增大，且此使目標的碰撞的物理量增大，且因此，形成具有近似90℃至近似130℃的溫度的內部高溫氣氛。
此處，在執行濺鍍製程的同時，為快速散發被施加至電子元件10的熱量，可在基座220上設置冷卻單元222，且可設置用於在冷卻單元222的上表面上產生磁力的磁體板221。此時，無論彈性及非彈性如何，均可藉由磁性材料來在磁體板221中產生磁力，自磁體板221產生的磁力可對載片100的磁性層產生拉力。因此，載片100可緊密接觸磁體板221且藉由冷卻單元222來進行冷卻。另外，電子元件10可藉由有效地對電子元件10進行冷卻而維持在自室溫至90℃或低於90℃的溫度。
如此一來，在示例性實施例中，電子元件的至少一個表面是藉由包括藉由所述電子元件的附著壓力而塑性變形的變形維持層而被緊緊地固定，且因此，可密封及保護上面無需形成薄膜的一部分（例如所述電子元件的電極部分）。另外，在位於電子元件的表面中且上面無需形成薄膜的一部分上形成犧牲層，執行薄膜形成製程，且接著，即使不進行例如將所述犧牲層與固定於所述表面上的薄膜一起移除的製程等額外製程，僅藉由將所述電子元件附著至載片上便可密封及保護上面無需形成薄膜的所述一部分。因此，薄膜不形成於上面無需形成所述薄膜的一部分上，且所述薄膜可僅形成於上面需要形成所述薄膜的所述一部分上。另外，位於電子元件的表面上且上面無需形成薄膜的所述一部分是藉由載片來密封，且因此，所述薄膜可在必要時選擇性地僅形成於上面需要形成所述薄膜的所述一部分上。另外，當電子元件附著至載片時，可防止在所述電子元件與所述載片之間出現間隙。因此，在薄膜形成製程期間，亦可防止由於電子元件與載片之間的間隙而對所述電子元件的電極部分造成污染。另外，在載片中不形成孔或凹槽，以使製造製程可簡化，且電子元件可緊緊地固定至載片而無論所述電子元件的外部形狀如何。因此，電子元件的排列自由度可增強且所述電子元件可被緊緊地設置，且亦可防止在例如濺鍍等薄膜形成製程期間因高溫熱量而造成所述電子元件的損壞及斷裂。同時，載片包括磁性層，或者黏著層、變形維持層、及基礎膜中的至少一者被製成為磁性的。因此，載片可在薄膜形成製程期間緊密接觸用於形成薄膜的裝置的磁體板。因此，在例如濺鍍等薄膜形成製程期間，被傳送至電子元件的熱量可被順利傳送至所述載片的磁體板，且因此藉由所述裝置的冷卻單元而被有效地冷卻。另外，電子元件可藉由有效地對所述電子元件進行冷卻而維持在可容許溫度範圍。
根據示例性實施例的用於電子元件的載片包括變形維持層，所述變形維持層由於電子元件的附著壓力而塑性變形且緊緊地固定所述電子元件的至少一個表面，且因此，即使不形成孔或凹槽，仍可密封及保護上面無需形成薄膜的一部分（例如所述電子元件的電極部分）。另外，在上面無需形成薄膜的一部分上形成犧牲層，且執行薄膜形成製程，且接著，即使不進行例如將所述犧牲層與固定於所述表面上的薄膜一起移除的製程等額外製程，僅藉由將所述電子元件附著至載片上便可密封及保護上面無需形成薄膜的所述一部分。
因此，所述薄膜不形成於上面無需形成薄膜的部分上，且所述薄膜可僅形成於上面需要形成所述薄膜的部分上。另外，位於電子元件的表面上且上面無需形成薄膜的所述一部分是藉由載片來密封，且因此，所述薄膜可在必要時選擇性地僅形成於上面需要形成所述薄膜的所述一部分上。另外，當電子元件附著至載片時，可防止在所述電子元件與所述載片之間出現間隙。因此，在薄膜形成製程期間，亦可防止由於電子元件與載片之間的間隙而對所述電子元件的電極部分造成污染。
另外，不在載片中形成孔或凹槽，以使製造製程可簡化，且電子元件可緊緊地固定至載片而無論所述電子元件的外部形狀如何。因此，電子元件的排列自由度可增強，所述電子元件可被緊緊地設置，且亦可防止在薄膜形成製程期間因高溫熱量而造成所述電子元件的損壞及斷裂。
同時，載片包括磁性層，或者黏著層、變形維持層、及基礎膜中的至少一者被製成為磁性的，且因此，所述載片可在薄膜形成製程期間緊密接觸用於形成薄膜的裝置的磁體板。因此，在例如濺鍍等薄膜形成製程期間，被傳送至電子元件的熱量可被順利傳送至磁體板及載片，且因此藉由所述裝置的冷卻單元而被有效地冷卻。另外，電子元件可藉由有效地對所述電子元件進行冷卻而維持在可容許溫度範圍。
以上說明中所使用的用語「在~上（on~）」的含義包括直接接觸的情形及被定位成面對上部部分或下部部分但不直接接觸所述部分的情形，可不僅包括被定位成局部地面對整個上表面或下表面的情形而且包括被定位成局部地面對所述表面的情形，且被用作在與所述表面間隔開的位置中面對上表面或下表面或者直接接觸所述表面的含義。另外，配置的數值特性可為在室溫下量測的值。
目前，已參照附圖更詳細地闡述了較佳實施例。然而，本發明並非僅限於以上所述實施例，且熟習本發明所屬技術者應理解，在不背離本發明的主題的條件下，可作出各種潤飾且提出其他等效實施例。因此，本發明的保護範圍應藉由隨附申請專利範圍的技術範圍來確定。
10‧‧‧電子元件
11‧‧‧半導體封裝
11a‧‧‧突出端子
12‧‧‧多層式陶瓷電容器
20‧‧‧薄膜
21‧‧‧沈積材料
30‧‧‧拾取器
100‧‧‧載片
110‧‧‧黏著層
120‧‧‧變形維持層
130‧‧‧磁性層
131‧‧‧黏合劑樹脂
132‧‧‧磁性粉末
140‧‧‧膜/基礎膜
150‧‧‧黏著劑
200‧‧‧裝置
210‧‧‧沈積材料提供部件
220‧‧‧基座
221‧‧‧磁體板
222‧‧‧冷卻單元
D‧‧‧沈積目標物件
結合附圖閱讀以下說明，可更詳細地理解示例性實施例，在附圖中：
圖1是示出根據示例性實施例的用於電子元件的載片的剖視圖。
圖2是闡述根據示例性實施例的將電子元件附著至用於電子元件的載片上的製程的概念圖。
圖3是闡述根據示例性實施例的在電子元件的表面上進行的薄膜形成過程的概念圖。
圖4是示出根據示例性實施例的包括磁性層的用於電子元件的載片的剖視圖。
圖5是示出根據示例性實施例的包括基礎膜的用於電子元件的載片的剖視圖。
圖6是示出根據另一示例性實施例的用於形成薄膜的裝置的剖視圖。

Claims (21)

  1. 一種用於電子元件的載片，包括： 黏著層，具有上面附著有電子元件的一個表面；以及 變形維持層，設置於所述黏著層的與一個表面相對的另一表面上，且藉由所述電子元件的附著壓力而塑性變形。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述黏著層具有近似5微米至100微米的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述黏著層具有近似200克力/英吋至1,500克力/英吋的黏著力。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述變形維持層是由金屬膜形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述變形維持層具有近似3微米至60微米的厚度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述變形維持層具有近似10%至80%的伸長率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述變形維持層在室溫下具有近似200 W/m×K至450 W/m×K的熱傳導率。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的載片，更包括磁性層，所述磁性層設置於所述變形維持層的與面對所述黏著層的一個表面相對的另一表面上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的載片，其中所述磁性層是以將磁性粉末分散於黏合劑樹脂中的方式形成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的載片，其中以所述磁性層的總重量計，以近似30重量%至90重量%的量包含所述磁性粉末。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的載片，其中所述磁性粉末具有近似0.1微米至30微米的平均粒徑。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的載片，其中所述磁性層具有近似10微米至500微米的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的載片，更包括基礎膜，所述基礎膜設置於所述變形維持層的與面對所述黏著層的一個表面相對的另一表面上且被配置成支撐所述變形維持層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的載片，其中所述基礎膜的恢復力是使所述變形維持層能夠發生塑性變形的屈服值或低於所述屈服值。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述黏著層及所述變形維持層中的至少一者具有磁性性質。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的載片，其中所述基礎膜是由合成樹脂材料形成且含有磁性粉末。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述載片具有近似10%至80%的伸長率。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的載片，其中所述載片具有近似25牛/平方毫米至250牛/平方毫米的抗張強度。
  19. 一種用於形成薄膜的裝置，包括： 沈積材料提供部件，在沈積目標物件上提供用於形成薄膜的沈積材料，所述物件包括用於電子元件的載片，所述載片設置有磁性層；以及 基座，被配置成支撐所述沈積目標物件，其中 所述基座包括： 磁體板，被配置成對所述載片提供拉力；以及 冷卻單元，被配置成對所述載片進行冷卻。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的裝置，其中所述基座更包括設置於所述磁體板與所述沈積目標物件之間的彈性層。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的裝置，其中所述沈積目標物件更包括附著於所述載片上的電子元件，且所述裝置在所述電子元件的暴露表面上形成所述薄膜。
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