TW201827909A - 電路基板和顯示裝置 - Google Patents
電路基板和顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201827909A TW201827909A TW107115161A TW107115161A TW201827909A TW 201827909 A TW201827909 A TW 201827909A TW 107115161 A TW107115161 A TW 107115161A TW 107115161 A TW107115161 A TW 107115161A TW 201827909 A TW201827909 A TW 201827909A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer
- display area
- circuit substrate
- display
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/155—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種電路基板和顯示裝置。電路基板包括顯示區域和非顯示區域。非顯示區域包括:第一電極層和位於第一電極層上的第二電極層。第一電極層和第二電極層之間至少在顯示區域的兩側具有相等的接觸面積,由此使得第一電極層和第二電極層接觸電阻相同,因此流經顯示區域兩側的電流相同,可以避免燒角現象。
Description
本發明涉及顯示領域,特別是涉及一種電路基板和顯示裝置。
傳統的OLED顯示幕在基板製作過程中,在屏體顯示區域兩側的非顯示區域蒸鍍陰極層時,陰極層與電極層的接觸部分的面積不相等容易造成偏位現象。陰極層蒸鍍偏位後,顯示幕屏體左右兩側(兩角)蒸鍍陰極與電極層的搭接面積不相等,其電阻就會不一致,電阻不一致容易導致流經陰極和電極層的電流流向有差異,使得屏體兩側發熱量不一,進而造成屏體燒角的現象。
基於此,有必要針對顯示幕屏體兩側(兩角)蒸鍍陰極與電極層的搭接電阻不一致造成的燒角問題,提供一種顯示幕屏體兩側電阻相同的電路基板和顯示裝置。
本發明的電路基板包括顯示區域和非顯示區域,所述非顯示區域包括:第一電極層以及位於所述第一電極層上的第二電極層,其中所述第一電極層和所述第二電極層之間至少在所述顯示區域的兩側具有相等的接觸面積。
本實施例中,所述第一電極層和所述第二電極層之間至少在所述顯示區域的兩側具有相等的接觸面積,可以使得所述第一電極層和所述第二電極層接觸電阻相同,因此至少保證流經所述顯示區域兩側的電流相同,可以避免燒角現象。
在其中一個實施例中,更包括形成於所述第一電極層上的第一絕緣層,所述第一絕緣層至少在所述顯示區域的兩側設置有溝槽區域,所述第二電極層覆蓋至少部分所述溝槽區域並與暴露在所述溝槽區域的所述第一電極層接觸,所述第二電極層與所述第一電極層之間在所述顯示區域的兩側具有相等的接觸面積。
本實施例中,所述溝槽區域用以使所述第二電極層和所述第一電極層接觸。
在其中一個實施例中,所述第二電極層覆蓋全部所述溝槽區域並與暴露在所述溝槽區域的所述第一電極層接觸。
本實施例中,所述溝槽區域的寬度相同,所述第二電極層覆蓋全部所述溝槽區域後,所述第二電極層與所述第一電極層接觸的寬度也就相同,可以確保所述顯示區域兩側的電阻相同。
在其中一個實施例中,所述第二電極層至少覆蓋部分所述第一絕緣層的表面和至少部分所述溝槽區域,並與暴露在所述溝槽區域的所述第一電極層接觸。
在其中一個實施例中,所述第二電極層覆蓋全部所述第一絕緣層的表面和全部的所述溝槽區域,並與暴露在所述溝槽區域的所述第一電極層接觸。
本實施例中,在所述第二電極層蒸鍍的面積覆蓋所述溝槽區域的面積可以降低蒸鍍所述第二電極層的製程難度,同時滿足所述第二電極層與所述第一電極層接觸部位寬度相等的要求,可以確所述保顯示區域兩側的電阻相同。
在其中一個實施例中,更包括電路層,及設置於所述電路層一側的接地層,所述電路層的上表面形成第二絕緣層,所述第二絕緣層和所述接地層上表面形成所述第一電極層,所述第一電極層與所述接地層接觸。
本實施例中,所述第一電極層與所述接地層接觸可以使得所述第二電極層通過所述第一電極層與所述接地層導通,實現信號轉接。
在其中一個實施例中,所述第二電極層與所述顯示區域中的陰極一體形成。
本實施例中,所述第二電極層與所述顯示區域中的陰極一體形成可以減少製作工藝,提高工作效率。
在其中一個實施例中,所述第一絕緣層與所述顯示區域中的畫素限定層一體形成。
本實施例中,所述第一絕緣層與所述顯示區域中的畫素限定層一體形成可以減少製作工藝,提高工作效率。
在其中一個實施例中,所述第二電極層的厚度為0.1公釐至0.2公釐。
本實施例中,0.1公釐至0.2公釐厚度的所述第二電極層可以具有良好的導電性,同時可以減少電阻的阻值,避免由於電阻過大由於發熱浪費能量。
本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括屏體,更包括所述的電路基板,所述電路基板控制所述屏體發光。
本實施例中,所述電路基板可以使流過所述屏體所述顯示區域兩側的電流相同,可以避免由於所述屏體所述顯示區域兩側電流不均勻造成的燒角現象。因此所述顯示裝置使用壽命更長。
爲了使本發明的發明目的、技術方案及技術效果更加清楚明白,以下結合附圖對本發明的具體實施例進行描述。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,並不用於限定本發明。
請參見圖1至2,圖1為圖2所示的A-B截面圖。本發明實施例提供一種電路基板10。電路基板10包括非顯示區域900。非顯示區域900設置有第一電極層300,位於第一電極層300上的第二電極層100,第一電極層300和第二電極層100至少在顯示區域800的兩側接觸面積相等。
較佳地,電路基板10還包括形成於第一電極層300表面的第一絕緣層200。第一絕緣層200至少在顯示區域800的兩側分別設置有溝槽區域210。可以理解,溝槽區域210的形狀不限,可以為矩形、弧線形等。較佳地,顯示區域800兩側的溝槽區域210關於顯示區域800的中心線對稱。電路基板10還包括形成於第一絕緣層200上的第二電極層100。第二電極層100覆蓋至少部分溝槽區域210並與暴露在溝槽區域210的第一電極層300接觸。第二電極層100與第一電極層300之間在顯示區域800的兩側具有相等的接觸面積
顯示裝置20的中間部分為顯示區域800,顯示裝置的四周為非顯示區域900。非顯示區域900均可以設置有第一電極層300、第二電極層100和溝槽區域210。在其中一個實施例中,顯示區域800可以為矩形,在整個非顯示區域900,溝槽區域210的寬度和深度可以相同也可以不相同,在此並不限定。以顯示區域800的中心線為對稱軸位於顯示區域800左右兩側的溝槽區域210的寬度和深度相同。位於顯示區域800上下兩側的溝槽區域210的寬度和深度可以不同也可以相同。
可以理解,非顯示區域900可以包括以顯示區域800的中心線為對稱軸位於顯示區域800的左右兩側的非顯示區域900。在顯示區域800左右兩側的非顯示區域900,第二電極層100與第一電極層300接觸部位的面積相等可以使第二電極層100與第一電極層300接觸部分的電阻相同。因此流經第一電極層300和第二電極層100的電流相同,可以避免由於流經顯示區域800兩側電流不同造成燒角現象。第二電極層100可以只覆蓋填充部分的溝槽區域210,也可填充覆蓋全部的溝槽區域210,也可以覆蓋填充部分的溝槽區域210並覆蓋部分第一絕緣層200的表面或者填充全部的溝槽區域210並覆蓋全部的第一絕緣層200的表面,只要保證在顯示區域800的兩側的非顯示區域900內的第二電極層100與第一電極層300接觸部位的寬度均相等即可。
在其中一個實施例中,電路基板10的非顯示區域900可以設置用於控制電路基板10的積體晶片。非顯示區域900可以設置有閘極驅動模組50和資料驅動模組40。閘極驅動模組50可以控制顯示區域800中畫素開關的開啟。畫素開關開啟後源極驅動模組40可以向位於顯示區域800的畫素625提供資料信號。電路基板10的周邊還可以設置有電源佈線單元810。電源佈線單元810可以作為接地線使用。電源佈線單元810可以通過焊接單元820固定於電路基板10。
電路基板10還可以包括基底700,第一電極層300設置於基底700上。基底700用於支撐電路基板10。基底700可以由玻璃、塑膠等硬質材料製成。第一電極層300可以為電連接層,可以用以電源信號的轉接。第一電極層300可以由氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)/銀(Ag)/氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)製成,與顯示區域800的陽極共蒸可以為陽極的一部分;但兩者的作用不同,位於顯示區域的陽極作用為用於控制顯示區域的畫素發光,而位於非顯示區域的陽極僅僅作用為信號轉接。第二電極層100可以為共陰極的一部分,可以通過蒸鍍的製程製成。第一電極層300和第二電極層100相互接觸,第一電極層300與接地層500連接。第二電極層100通過第一電極層300與接地層500連接。第一絕緣層200可以由氧化矽、氮化矽或氧化矽和氮化矽的組合物構成。溝槽區域210可以通過光刻等的方式製成。
在其中一個實施例中,設置於顯示區域800側邊的非顯示區域900的溝槽區域210的寬度相等。溝槽區域210寬度相等便於在溝槽區域210蒸鍍第二電極層100時對第二電極層100製程尺寸的控制。
在其中一個實施例中,第二電極層100覆蓋全部溝槽區域210並與暴露在溝槽區域210的第一電極層300接觸。在電路基板10製造過程中,蒸鍍第二電極層100時,第二電極層100覆蓋第一絕緣層200表面並將溝槽區域210填滿。在顯示區域800兩側,溝槽區域210的寬度相等。因此不需要改變蒸鍍的製程即可通過溝槽區域210保證第一電極層300和第二電極層100接觸的面積相等,因而可以保證通過第一電極層300和第二電極層100的電流相同。
在其中一個實施例中,第二電極層100至少覆蓋部分第一絕緣層200的表面和至少部分的溝槽區域210,並與暴露在溝槽區域210的第一電極層300接觸。在其中一個實施例中,第二電極層100覆蓋全部第一絕緣層200的表面和全部的溝槽區域210,並與暴露在溝槽區域210的第一電極層300接觸。在顯示區域800的兩側,使得第二電極層100僅僅全部覆蓋溝槽區域210需要較高精度的製作工藝,會提高製造成本。而在製作第二電極層100的過程中可以在覆蓋溝槽區域210的較大寬度範圍內蒸鍍第二電極層100,在第一絕緣層200的表面也可以形成第二電極層100,從而降低了製作的難度,降低生產成本。
在其中一個實施例中,第二電極層100覆蓋部分溝槽區域210。並且在顯示區域800的兩側,第二電極層100在溝槽區域210中覆蓋的第二電極層100的面積相等。因此在顯示區域800的兩側電阻相同,流經的電流也相同,可以避免因為電流不均引起的燒角現象。
在本實施例中,位於顯示區域800上側的溝槽區域210的寬度和深度以及第二電極層100與第一電極層300接觸的面積不限定,僅僅限定顯示區域的兩側的第二電極層100與第一電極層300接觸的面積相等即可保證屏體左右兩側的電流相等,保證屏體左右兩側不燒角即可;在另一個實施例中,也可保證位於顯示區域800所有側邊的第二電極層100與第一電極層300接觸的面積相等,即能夠保證屏體所有側邊的電流相等,保證屏體側邊不燒角。
在其中一個實施例中,電路基板10還包括電路層600,及設置於電路層600一側的接地層500。電路層600上表面形成第二絕緣層400,第二絕緣層400和接地層500上表面形成第一電極層300。第一電極層300與接地層500接觸。電路層600可以控制屏體的顯示。第二絕緣層400可以作為平坦化層使電路層600的表面平整化。第二絕緣層400可以將電路層600與接地層500隔離以達到絕緣的目的。第二電極層100、第一電極層300與接地層500導通形成回路。
在其中一個實施例中,電路層600還包括電晶體開關元件620、第三絕緣層611和第四絕緣層612。電晶體開關元件包括源極621、汲極622和閘極623。基底700上設置有一層緩衝層613,位於緩衝層613上的主動層624,及鋪設於主動層624上方的第四絕緣層612;在第四絕緣層612上蒸鍍的閘極623,及位於閘極623上方的第三絕緣層611,及位於第三絕緣層611上方的源極621及汲極622,源極621、汲極622分別穿過第三絕緣層611和第四絕緣層612與主動層624連接。第二絕緣層400位於電路層600的上方,覆蓋電路層600的表面,用於平坦化電路層600的表面。電路層600可以與接地層500一體形成,只是製程過程中會將接地層500不需要的部分刻蝕掉,留下實現導通的部分即可。一般,接地層500設置於電路層600的一側第三絕緣層611用於隔離閘極623、源極621、汲極622。第四絕緣層612用於隔離主動層624和閘極623。較佳地,閘極623可以由金屬鉬製成。第二絕緣層400可以由氧化矽、氮化矽或氧化矽和氮化矽的組合物構成。第一絕緣層200也可以由氧化矽、氮化矽或氧化矽和氮化矽的組合物構成。閘極623受到電壓觸發後,源極621和汲極622可以導通。源極621和汲極622導通後控制電晶體開關元件620開啟。
在其中一個實施例中,第二電極層100與顯示區域800中的陰極一體形成。第二電極層100與顯示區域800中的陰極一體形成可以減少製作工藝,提高工作效率。
在其中一個實施例中,第一電極層300與顯示區域800中的陽極一體形成。第一電極層300與顯示區域800的陽極一體形成可以減少製作工藝,提高工作效率。
在其中一個實施例中,第一絕緣層200與顯示區域800中的畫素限定層一體形成。第一絕緣層200與顯示區域800中的畫素限定層一體形成可以減少製作工藝,提高工作效率。
在其中一個實施例中,第二電極層100的厚度為0.1公釐(mm)至0.2公釐(mm)。較佳地,第二電極層100在第一絕緣層200的表面的部分以及在溝槽區域210中的厚度相同。0.1公釐(mm)至0.2公釐(mm)厚度的第二電極層100可以具有良好的導電性,同時可以減少電阻的阻值,避免由於電阻過大由於發熱浪費能量。
在其中一個實施例中,主動層624和基底700之間還設置有緩衝層613。緩衝層613可以隔離基底700和主動層624,還可以起到一個緩衝的作用。
本發明實施例還提供一種顯示裝置。顯示裝置包括屏體,更包括所述的電路基板10。電路基板10控制屏體發光。第二電極層100與顯示區域800電連接。顯示區域800中具有控制畫素顯示的陰極和陽極,第二電極層100與陰極可以一體形成公共陰極。電路基板10可以使流過屏體兩側的電流相同,可以避免由於屏體兩側電流不均勻造成的燒角現象。因此顯示裝置使用壽命更長。
需要說明的是,當元件被稱為“固定於”另一個元件,它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。相反,當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時,不存在中間元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水準的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式,其描述較爲具體和詳細,但幷不能因此而理解爲對本發明專利範圍的限制。應當指出的是,對於本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本發明的保護範圍。因此,本發明專利的保護範圍應以所附權利要求爲准。
10‧‧‧電路基板
20‧‧‧顯示裝置
40‧‧‧源極驅動模組
50‧‧‧閘極驅動模組
100‧‧‧第二電極層
200‧‧‧絕緣層
210‧‧‧溝槽區域
300‧‧‧第一電極層
400‧‧‧第二絕緣層
500‧‧‧接地層
600‧‧‧電路層
611‧‧‧第三絕緣層
612‧‧‧第四絕緣層
613‧‧‧緩衝層
620‧‧‧電晶體開關元件
621‧‧‧源極
622‧‧‧汲極
623‧‧‧閘極
624‧‧‧主動層
625‧‧‧畫素
700‧‧‧基板
800‧‧‧顯示區域
810‧‧‧電源佈線單元
820‧‧‧焊接單元
900‧‧‧非顯示區域
圖1為本發明實施例提供的電路基板截面示意圖。 圖2為本發明實施例提供的顯示裝置結構圖。
Claims (10)
- 一種電路基板,包括顯示區域(800)和非顯示區域(900),所述非顯示區域(900)包括: 第一電極層(300);以及 第二電極層(100),位於所述第一電極層(300)上, 其中,所述第一電極層(300)和所述第二電極層(100)之間至少在所述顯示區域(800)的兩側具有相等的接觸面積。
- 如申請專利範圍第1項所述的電路基板,更包括: 第一絕緣層(200),形成於所述第一電極層(300)上,所述第一絕緣層(200)至少在所述顯示區域(800)的兩側設置有溝槽區域(210),所述第二電極層(100)覆蓋至少部分所述溝槽區域(210)並與暴露在所述溝槽區域(210)的所述第一電極層(300)接觸,所述第二電極層(100)與所述第一電極層(300)之間在所述顯示區域(800)的兩側具有相等的接觸面積。
- 如申請專利範圍第2項所述的電路基板,其中所述第二電極層(100)覆蓋全部所述溝槽區域(210)並與暴露在所述溝槽區域(210)的所述第一電極層(300)接觸。
- 如申請專利範圍第2項所述的電路基板,其中所述第二電極層(100)至少覆蓋部分所述第一絕緣層(200)的表面和至少部分所述溝槽區域(210),並與暴露在所述溝槽區域(210)的所述第一電極層(300)接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述的電路基板,其中所述第二電極層(100)覆蓋全部所述第一絕緣層(200)的表面和全部的所述溝槽區域(210),並與暴露在所述溝槽區域(210)的所述第一電極層(300)接觸。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電路基板,更包括: 電路層(600);以及 接地層(500),設置於所述電路層(600)一側,所述電路層(600)的上表面形成第二絕緣層(400),所述第二絕緣層(400)和所述接地層(500)上表面形成所述第一電極層(300),所述第一電極層(300)與所述接地層(500)接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述的電路基板,其中所述第二電極層(100)與所述顯示區域(800)中的陰極一體形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的電路基板,其中所述第一絕緣層(200)與所述顯示區域(800)中的畫素限定層一體形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的電路基板,其中所述第二電極層(100)的厚度為0.1公釐至0.2公釐。
- 一種顯示裝置,包括: 屏體,更包括如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的電路基板,所述電路基板控制所述屏體發光。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??201710518353.4 | 2017-06-29 | ||
CN201710518353.4A CN109216403A (zh) | 2017-06-29 | 2017-06-29 | 电路基板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201827909A true TW201827909A (zh) | 2018-08-01 |
TWI665504B TWI665504B (zh) | 2019-07-11 |
Family
ID=63960361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107115161A TWI665504B (zh) | 2017-06-29 | 2018-05-04 | Circuit substrate and display device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200111863A1 (zh) |
EP (1) | EP3567633A4 (zh) |
JP (1) | JP2020506431A (zh) |
KR (1) | KR20190099332A (zh) |
CN (1) | CN109216403A (zh) |
TW (1) | TWI665504B (zh) |
WO (1) | WO2019001122A1 (zh) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
KR100611153B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 소자 |
KR100581903B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
US7839083B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
KR101415684B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2014-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
US20130056784A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20150006125A (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
JP6440486B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2018-12-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル |
KR102404930B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN207265055U (zh) * | 2017-06-29 | 2018-04-20 | 昆山国显光电有限公司 | 电路基板和显示装置 |
-
2017
- 2017-06-29 CN CN201710518353.4A patent/CN109216403A/zh active Pending
-
2018
- 2018-04-25 KR KR1020197023052A patent/KR20190099332A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-04-25 WO PCT/CN2018/084520 patent/WO2019001122A1/zh unknown
- 2018-04-25 JP JP2019541797A patent/JP2020506431A/ja active Pending
- 2018-04-25 EP EP18824991.6A patent/EP3567633A4/en active Pending
- 2018-04-25 US US16/326,913 patent/US20200111863A1/en not_active Abandoned
- 2018-05-04 TW TW107115161A patent/TWI665504B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200111863A1 (en) | 2020-04-09 |
CN109216403A (zh) | 2019-01-15 |
EP3567633A4 (en) | 2020-08-12 |
TWI665504B (zh) | 2019-07-11 |
EP3567633A1 (en) | 2019-11-13 |
WO2019001122A1 (zh) | 2019-01-03 |
JP2020506431A (ja) | 2020-02-27 |
KR20190099332A (ko) | 2019-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9287531B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
KR102448611B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP5792976B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
KR101236243B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
JP3990374B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
TWI590507B (zh) | 有機發光裝置及其製造方法 | |
TW201839979A (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
CN103839965A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
JP6606309B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
CN111722761A (zh) | 触控显示装置 | |
GB2569885A (en) | Electroluminescent display device | |
JP4684592B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
JP6530156B1 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR20190060019A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN114361226A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
JP6802887B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP4625869B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2009211007A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP6564965B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
TWI665504B (zh) | Circuit substrate and display device | |
WO2024093054A1 (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
KR101866563B1 (ko) | 마스크, 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP6926169B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP6865249B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
CN207265055U (zh) | 电路基板和显示装置 |