TW201827134A - 用於粒子清理的設備 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種粒子清理設備。該設備包括聲波產生器，該聲波產生器經配置以施加聲波至該聲波產生器外部的多個粒子。該設備亦包含移除模組，該移除模組經配置以移除被施加的該等粒子。

Description

用於粒子清理的設備

本揭露係關於一種用於粒子清理的設備。

矽晶片或晶圓的製造通常涉及許多的製程步驟，例如表面條件化、薄膜沉積、光微影、膜圖案化、蝕刻等。在大部分的該等製程中，可在晶圓表面上發現殘留粒子或是外來汙染物。然而，必須維持晶圓表面的清潔，以及避免污染與破壞係確保高產率。隨著產業趨勢持續專注於縮小裝置尺寸，裝置的線寬縮小，因而裝置總數增加。由於粒子尺寸相較於裝置的縮小特徵尺寸被視為相對大，因而留在半導體晶片上之不希望有的粒子之影響可更為顯著。因此，需要有效率的粒子清理結構，用以維持晶圓的表面性質。

本揭露的一些實施例提供一種粒子清理設備，包括一聲波產生器，經配置以施加聲波至該聲波產生器外部的多個粒子；以及一移除模組，經配置以移除被施加的該等粒子。

本揭露提供了數個不同的實施方法或實施例，可用於實現本發明實施例的不同特徵。為簡化說明起見，本揭露也同時描述了特定零組件與佈置的範例。請注意提供這些特定範例的目的僅在於示範，而非予以任何限制。舉例而言，在以下說明第一特徵如何在第二特徵上或上方的敘述中，可能會包括某些實施例，其中第一特徵與第二特徵為直接接觸，而敘述中也可能包括其他不同實施例，其中第一特徵與第二特徵中間另有其他特徵，以致於第一特徵與第二特徵並不直接接觸。此外，本揭露中的各種範例可能使用重複的參考數字和/或文字註記，以使文件更加簡單化和明確，這些重複的參考數字與註記不代表不同的實施例與/或配置之間的關聯性。 另外，本揭露在使用與空間相關的敘述詞彙，如“在...之下”，“低”，“下”，“上方”，“之上”，“下”，“頂”，“底”和類似詞彙時，為便於敘述，其用法均在於描述圖示中一個元件或特徵與另一個（或多個）元件或特徵的相對關係。除了圖示中所顯示的角度方向外，這些空間相對詞彙也用來描述該裝置在使用中以及操作時的可能角度和方向。該裝置的角度方向可能不同（旋轉90度或其它方位），而在本揭露所使用的這些空間相關敘述可以同樣方式加以解釋。 在本揭露中，提供粒子清理設備與粒子清理系統。位在拋光台或工件之表面上的粒子藉由施加在該表面上的聲波而震動或因而移動。此外，移除力移除粒子或包含該粒子的流體，該移除力例如抽吸力。有效地，該聲波與移除力合作防止該等粒子附接或留在該表面上。若粒子未完全清除，則所提供的機制亦可排除粒子再次沉積於該表面上的問題。 圖1A係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統10之示意圖。在一實施例中，半導體製造系統10係用於拋光操作中，例如化學機械拋光(chemical mechanical polishing，CMP)。半導體製造系統10包括平台112以及位於該平台112之表面112A上方的墊調節器(pad conditioner)108。半導體基板102係被提供且位於該平台112的表面112A上。 在一些實施例中，半導體基板102為半導體晶片或晶圓。半導體基板102包含元素半導體，例如結晶的矽或鍺、多晶矽、或無定形結構；化合物半導體，包含砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、磷化銦、砷化銦、與/或銻化銦；合金半導體，包含SiGe、GaAsP、AlGaAs、AlinAs、GaInAs、GaInP、與/或GaInAsP；任何其他合適的材料；以及/或其組合。再者，半導體基板102可為絕緣體上半導體，例如絕緣體上矽(silicon-on-insulator，SOI)或薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)。在一些範例中，半導體基板102包含摻雜的磊晶層或包埋層。在其他範例中，半導體基板102具有多層化合物結構。 在一實施例中，半導體基板102可依該技藝中已知的設計規格而包含各種摻雜區。該等摻雜區可摻雜P型或N型摻質。半導體基板102可另包含在主動表面102A的各種主動區與元件。例如，主動區可經配置用於N型金屬氧化物半導體電晶體裝置(NMOS)，以及其他主動區經配置用於P型金屬氧化物半導體電晶體裝置(PMOS)。此外，半導體基板102可包含互連結構、通路、接墊、以及其他元件。 半導體製造系統10經配置以自半導體基板102之一或多個沉積層移除過多的材料。平台112包括拋光墊110用於對準半導體基板102的頂表面102A。在一實施例中，拋光墊110可包括安置於其頂表面110A上的拋光頭，該頂表面110A為平台的頂表面112A。半導體基板102經定位且接觸拋光墊110的拋光層。頂表面102A面對平台112。在一實施例中，提供晶圓載體(未分別繪示)，以握持半導體基板102，並且經配置以提供一力以將半導體基板102壓向平台112。 為了促進半導體基板102的拋光，沿著預定的方向與速度，移除平台112與半導體基板102。可沿著平台112的旋轉而旋轉平台112。在另一實施例中，藉由晶圓載體，旋轉半導體基板102。在一些實施例中，以個別的角速度，移動平台112與半導體102。平台112與半導體102經配置以移除且維持彼此的相對距離。 在一實施例中，拋光墊110可包括粗糙表面，以便於拋光製程。在一些實施例中，拋光層包括多孔表面。在替代的實施例中，拋光層可包括纖維或以多孔結構形成。此外，拋光層經配置以保留突出的粗粒(grit)。保留在拋光層中的粗粒可為精細且高磨損的。當平台112與半導體基板102接觸且彼此相對移動時，由於該等粗粒的硬度較高，該等粗粒崩解半導體基板102之表面102A上的物質。再者，半導體基板102與平台之間貢獻的相對移動可有助於拋光效能。 在CMP操作中，施加拋光流體120於平台112上。流體120可為泥漿(slurry)或其他拋光介質。流體120提供於平台112的表面112A上。在一實施例中，流體120填充半導體基板102與平台112之間的間隙。在一實施例中，流體120可含有去離子(deionized，DI)水或其他化學物質。流體120亦可包含研磨粒子，以利於拋光效能。 在一實施例中，藉由流體分配器124提供流體120。在一實施例中，流體分配器124包括接近表面112A的一出口。在一實施例中，流體分配器124包含用於分配流體120的噴嘴。 墊調節器108係位於平台112上方。墊調節器108經配置以接收拋光墊110的表面110A，以回復拋光墊110的拋光能力。在一實施例中，墊調節器108經配置以維持纖維直立並且使表面110A盡可能有靈活性(flexible)。在一實施例中，墊調節器108經配置以確保表面110A附近有足夠的開口或孔洞，以容納來自流體120的研磨粒子。在一實施例中，墊調節器108包含握持研磨粒子的基板層。研磨粒子可由鑽石或立方氮化硼製成。 半導體製造系統10的拋光效能係由一些貢獻因子決定，例如平台112施加的機械力或勢泥漿化學物質提供的化學力。此外，自拋光墊110或墊調節器108離開的粒子可不被穩固握持著，因而可掉落至半導體基板102的表面102A上。那些粒子或外來粒子可附接至或再次沉積於表面102A，並且不利影響半導體基板102上的電路功能。再者，自半導體基板102之頂表面102A移除的材料量若不被流體120或其他清理介質帶走則可能產生殘留粒子。若半導體基板102或平台112的旋轉速度低，則情況可能更糟。由於緩慢移動，在表面102A附近可能累積更多粒子。再者，在此等殘留粒子自表面102A被升起之後，可再次留在半導體基板102上。再次沉積可能造成不希望有的短路、開路或性質退化。晶圓產率因而降低。 在本揭露中，提供粒子清理設備100以於拋光或清理製程過程中有效移除殘留粒子。粒子清理設備100係位於平台112與半導體基板102附近。粒子清理設備100包括聲波產生器104與移除模組106。 聲波產生器104經配置以施加聲波，其可相對於粒子清理設備自工件的表面移開殘留粒子P，例如表面112A或表面102A。在一實施例中，聲波產生器104經配置以震動平台112或工件，例如半導體基板102。在一實施例中，聲波產生器104使得粒子P移動且離開表面112A或半導體基板102的表面。在一實施例中，聲波產生器104經配置以產生具有聲波之上的超聲波頻率的聲波。例如，該聲波範圍自約20千赫至約200千赫。在一實施例中，聲波產生器104經配置以產生具有超聲波震動頻率(megasonic frequency)的聲波，其範圍自約0.8兆赫至約2兆赫。 在一實施例中，聲波產生器104可在流體120中的流動內施加聲流效應(acoustic streaming effect)。該流動可助於移動粒子P離開表面112A。此外，聲波產生器104可產生空化(cavitation)或氣泡效應，以利於清理。在一實施例中，聲波產生器104係用於粒子且經配置以自表面112A移除粒子P。在一實施例中，聲波施加於流體120與流體120所包含的粒子P。聲波經由流體120傳送能量，並且協助移除流體120所包含的殘留粒子P。在一實施例中，粒子P可被導引而沿著聲波的傳播方向移動，例如沿著實質垂直於表面112A或102A的法線方向。在另一實施例中，粒子P可被導引以沿著實質平行於表面112A或102A的方向移動。 可用許多方式建構聲波產生器104。在一實施例中，聲波產生器104包括聲波轉換器。在一些實施例中，聲波產生器104可由壓電材料夾在前金屬與背金屬之間而組成，並且產生具有逆壓電效應的聲波。在一些實施例中，聲波產生器104可由磁鐵與線圈形成，依電磁原理而產生聲波。在一實施例中，聲波產生器104包括輸出面於表面104A中，實質垂直於所產生之聲波的傳播方向。在一實施例中，輸出面接觸平台的表面112A，並且聲波經由平台112而傳送。 參閱圖1A，聲波產生器104接觸平台112的表面112A。在另一實施例中，聲波產生器104接近但與平台112相隔。在本揭露中，流體120可分配於聲波產生器104的輸出面與平台112之間，以利於傳送聲波。在一實施例中，流體120填充半導體基板102與平台112之間的間隙。在一實施例中，半導體基板102與平台112之間的間隙或所填充的流體120之高度係經決定為約1 mm與約5 mm之間。在一實施例中，間隙或流體120之高度係經決定為約0.5 mm與約1 mm之間。 在一實施例中，可替代使用清理流體而非拋光流體120，該清理流體分配於聲波產生器104與平台112之間。清理流體可不含有拋光粒子或化學物質。在一實施例中，清理流體可由清理液體組成，例如DI水。在一實施例中，清理流體可與拋光流體120混合用於清理表面102A或112A。 移除模組106係位於平台112的表面112A上方。移除模組106經配置以移除表面112A上的殘留粒子P。在一實施例中，移除模組106經配置以移除含有殘留粒子P的流體120。在例示的設計中，移除模組106抽出或攜載流體120離開表面112A而不接觸表面112A。移除模組106可經配置以抽吸殘留粒子P與流體120或清理流體離開表面112A。 圖1B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統10的俯視示意圖。半導體基板102、聲波產生器106、移除模組106與墊調節器108係在平台112的表面112A上方彼此分離。在操作中，半導體基板102、聲波產生器104、移除模組106與墊調節器108可交錯地以所決定的週期設置到位。因而可原位(in situ)進行拋光操作與平台清理操作。在一實施例中，半導體基板102、聲波產生器104、移除模組106與墊調節器108至少其中之一掃描整個表面112A並且以個別角速在表面112A上方旋轉。例如，聲波產生器104以角速度V1旋轉，而移除模組106以角速度V2旋轉。在一些實施例中，聲波產生器104與移除模組106以實質相同的角速度旋轉，亦即V1=V2。在一實施例中，半導體基板102另包括當晶圓載體旋轉時，晶圓載體施加的自轉運動。 圖2A與圖2B係根據本揭露一些實施例說明移除模組200的示意圖。參閱圖2A，移除模組200包括支撐物202、抽吸單元204、以及層206。層206包括數個通路220與多個開孔230。 在一實施例中，流體120填充在移除模組200與平台112之間。抽吸單元204經配置以產生抽吸力，以抽回流體200與殘留粒子P。在一實施例中，抽吸單元204可包括幫浦，例如離心幫浦、磁驅動幫浦、垂直管柱幫浦、潛水幫浦、或正位移幫浦(positive displacement pump)。 在一實施例中，拋光流體120可分配於平台112的表面112A附近。在一實施例中，移除模組200經配置以經由層206提供清理流體150。在一些實施例中，該等開孔230可位於與該等通路220相鄰。該等開孔230經配置以將清理流體150噴灑於表面112A上，以及該等通路220經配置以使得粒子通過而被吸至抽吸單元214。雖然分別說明清理流體150與拋光流體120，然而在一些實施例中，可混合流體150與流體120。粒子P可包含於拋光流體120或清理流體150中。在一實施例中，僅清理流體150或拋光流體120其中之一存在作為攜載粒子的清理介質。 圖2A所示之流體F1係建立於平台112與移除模組200之間。在一實施例中，流體流動F1依循自該等開孔230之一至該等通路220之一的實質圓形方向。因此，殘留粒子P係自表面112被帶離，並且經由通路220而被吸至抽吸單元204中。在一實施例中，粒子P以實質垂直於表面112A之方向而自表面112A離開。 參閱圖2B，移除模組200包括支撐物202、抽吸單元204、層206、通路220與滯留片(retention cuff)240。在一實施例中，在支撐物202與抽吸單元204內形成凹槽222。在一實施例中，凹槽222經配置以接收清理流體150。在一實施例中，凹槽222具有開口222A，面向平台112。凹槽222可被視為流體通道，流體150或流體120經由該流體通道自開口被導引至抽吸單元204。在一實施例中，可藉由接近移除模組200之底側的個別來源，提供清理流體150至凹槽222。流體120或流體150於流體流動F2中被吸至抽吸單元204。在一實施例中，流體流動F2依循凹槽222之開口222A往抽吸單元204的直線方向。可發現流體流動F2的方向與粒子P自表面112A被攜載離開之所沿方向實質相同。 滯留片240係與移除模組200之底側相鄰。滯留片240經配置以防止流體120或流體150溢出凹槽222的開口區域。在一些實施例中，滯留片240包括朝向表面112A的空氣入口與出口，因而在表面112A與滯留片240之間的間隙區域形成空器阻障或氣刀(gas knife)。在一實施例中，滯留片240的仰視圖為圓形或多角形。在一實施例中，滯留片240定義且環繞開口222A。在一實施例中，滯留片240可包括開孔(未分別繪示)，類似於圖2A中的開孔230經配置以提供清理流體150。 圖3A與圖3B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統30的示意圖。半導體製造系統30包括載體112、數個載體接腳(carrier pin)130、以及粒子清理設備300。載體112支撐半導體基板102。載體接腳130維持半導體基板102到位。在一實施例中，載體接腳130提供旋轉力，以旋轉半導體基板102。 粒子清理設備300包括聲波產生器304與移除模組306。聲波產生器304與移除模組306係與工件102對立。參閱圖1A與圖3A，粒子清理設備200經配置以清理半導體製造操作之後留下或當晶圓暴露於空氣時所出現之不希望有的粒子P。不同於用於平台112的粒子清理設備100，粒子清理設備300係用於清理工件的表面，例如半導體表面102。在一實施例中，例如拋光流體120、清理流體150或二者，分配於表面102A與粒子清理設備300之間。 圖3B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統30的俯視示意圖。聲波產生器304與移除模組306分別位於半導體基板102的表面102A上方。在操作中，聲波產生器304與移除模組306可用決定的週期交錯配置於適當位置。在一實施例中，聲波產生器304與移除模組306掃描整個表面102A，並且以個別的角速度V1與V2旋轉於其上。 圖4A與圖4B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統40的示意圖。參閱圖3A與圖4A，聲波產生器304係位於與頂側102A對立的底側102B上。聲波產生器304產生的聲波可經由半導體基板102的中間材料而施加至頂表面102A。因此，可增加粒子清理設備300的安裝靈活性而不會退化清理效能。在一實施例中，流體150可分配於聲波產生器304與底表面102B之間，以利於聲波的傳送。在一實施例中，聲波產生器304係位於載體112的背面上。聲波經由載體112而傳送至第一表面102A。 參閱提供半導體製造系統40的俯視圖之圖4B，僅可看到移除模組306。在此配置之下，移除模組306與聲波產生器304可於獨立的旋轉方向與不同的個別速度中操作。 圖5係根據本揭露一些實施例說明粒子清理設備50的示意圖。粒子清理設備50包括第一臂522與第二臂524，其中在第一臂522與第二臂524之間形成狹縫。在晶圓清理製程中，工件通過狹縫526，該工件例如晶圓或半導體基板102。當半導體基板102通過狹縫526時，多個部分連續受到狹縫526覆蓋而後被清理。留在個別部分之頂表面上的外來粒子被移除。 圖5B係根據本揭露一些實施例說明圖5A中沿著線AA’的粒子清理設備50之剖面圖。粒子清理設備50包括支撐物502、移除模組504、開孔506與516、聲波產生器508以及滯留片510，其皆至少被包含在第一臂522或第二臂524中。 凹槽520形成於第一臂522中並且受到支撐物502、開孔506、聲波產生器508與粒子清理模組504環繞。此外，凹槽520具有開口520A與狹縫526相鄰並且面對第二臂524。此外，聲波產生器508係位於凹槽520中。因此，凹槽520中形成流體通道530。在一實施例中，流體通道530局部環繞聲波產生器508，例如自其底側。在一實施例中，流體通道530包括開口520A。在一實施例中，開口520面對半導體基板102，因而粒子P經由開口520A而移動至流體通道530。流體通道530包括兩端，連接開孔506與516。開孔506可經配置以提供流體至工件102上。或者，開口506可連接至清理流體源。在操作中，清理流體532經由開孔506注入至流體通道530中。接著，流體532流向狹縫526，接近半導體基板102的表面102A。至少藉由聲波產生器508的協助而產生流體532的流動F3，以導引表面102A上的粒子。流體532與粒子P被吸至移動模組504中，以響應來自聲波產生器508之聲波或是來自移動模組504的拖曳力(dragging force)造成的移動。 在一實施例中，聲波產生器508係位於開孔506與移動模組504之間。在一實施例中，流體通道530的至少一部分接觸聲波產生器508。流體通道530中的流體532受到流動F3的導引。再者，粒子P在離開表面102A之後，亦沿著接近開口520A實質平行於表面102A的方向F3被帶走。在一實施例中，移動模組504沿著實質平行於表面102A的水平方向，移動表面102A上的流體532。在一實施例中，至少在開口520A的中心區段附近，流體532沿著實質對準沿著流體532被吸走的方向流動。 滯留片510自與狹縫526相鄰的水平方向環繞流體通道530。滯留片510經配置以防止流體532溢出流體530的開口520A。在一實施例中，滯留片510經配置以防止流體532自狹縫526溢出第一臂522或是第二臂524。 圖5C係根據本揭露一些實施例說明粒子清理設備60的剖面圖。參閱圖5B與圖5C，流體通道530受到支撐物202環繞。此外，聲波產生器518係位於第二臂524中。在一實施例中，聲波產生器518面對穿過狹縫526之流體通道530的開口520A。在一實施例中，聲波產生器518接觸半導體基板102或經由中間材料而間接耦合至半導體基板102。所產生的聲波第二臂524可經由半導體基板102而施加至流體通道530中的流體532。以此配置，可有效縮小第一臂522的幾何形狀。 在本實施例中，由第二臂524至第一臂522的方向T傳送聲波。此外，自表面102A移除粒子P，並且粒子P被導引至流體通道530。在一實施例中，方向T實質垂直於狹縫526或半導體基板102。因此，聲波產生器518的配置使得聲波的傳播方向T實質對準粒子自半導體基板102離開的移動方向。如此更增進施加於粒子上的清理力。 圖6A係根據本揭露實施例說明粒子清理設備600的示意圖。粒子清理設備600包括支撐物602、聲波產生器604、移除模組614以及流體通道606。 參閱圖6A，提供待清理之工件102，例如半導體基板或平台。粒子清理設備600係位於工件102上方。在一實施例中，第一流體610可分配於工件102與粒子清理設備600之間。第一流體610可包括與圖1A之拋光流體120相同的組成。或者，第一流體610可為清理流體。此外，粒子清理設備600包括多個開孔，經配置以分別接收與排出第二流體620。 第二流體620可包含DI水與溶解的氣體材料G，例如氧氣、二氧化碳與氮氣。在一實施例中，第二流體620不是拋光型，且可不包含液體化學物質或固體粒子。在一實施例中，粒子清理設備600包括耦合至流體通道606的氣體提供器612，以提供氣體材料G，並且與第二流體620混合。 聲波產生器604受到支撐物602與流體通道606環繞。在本揭露中，移除模組614可耦合至流體通道606。在本揭露中，可移動粒子清理設備600以於方向F4掃描表面102A。此外，第二流體620可經配置以於接近流體通道606之底部的方向F4流動。換言之，粒子清理設備600經配置以沿著與流體實質相同的方向移動用於攜載粒子。粒子清理設備600的累積速度與流體流動可進一步增進清理效能。 本揭露提供的粒子清理設備與系統具有一些優點。可用聲波自晶圓表面取走晶圓拋光或另一半導體製造操作所產生且容易黏在表面上的粒子。此外，可藉由移除力協助，清理移除包含於流體中的粒子。在一些實施例中，移除模組包括幫浦，其提供抽吸力以汲取流體與粒子。在一些範例中，在實質對準流體被汲取的方向，供應流體。如此更改善粒子移除設備的清理效率。 本揭露提供一種粒子清理設備。該設備包括聲波產生器，該聲波產生器經配置以施加聲波於該聲波產生器外部的粒子。該設備亦包含移除模組，該移除模組經配置以移除被施加的粒子。 本揭露提供一種半導體製造系統。該系統包括平台、經配置以於該平台附近產生聲波的聲波產生器、以及經配置自該平台汲取粒子的移除模組。 本揭露提供一種用於清理粒子的設備。該設備包括經配置以提供流體至工件上的開孔、經配置以施加聲波至該流體上的聲波產生器、以及經配置以汲取該流體的移除模組。 前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本揭露作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施例具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露揭示內容的精神與範圍，並且熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本揭露之精神與範圍。

10‧‧‧半導體製造系統

30‧‧‧半導體製造系統

40‧‧‧半導體製造系統

50‧‧‧粒子清理設備

60‧‧‧粒子清理設備

100‧‧‧粒子清理設備

102‧‧‧半導體基板

102A‧‧‧表面

102B‧‧‧底表面

104‧‧‧聲波產生器

104A‧‧‧表面

106‧‧‧移除模組

108‧‧‧墊調節器

110‧‧‧拋光墊

110A‧‧‧表面

112‧‧‧平台

112A‧‧‧表面

120‧‧‧流體

124‧‧‧流體分配器

130‧‧‧載體接腳

150‧‧‧流體

200‧‧‧移除模組

202‧‧‧支撐物

204‧‧‧抽吸單元

206‧‧‧層

220‧‧‧通路

222‧‧‧凹槽

222A‧‧‧開口

230‧‧‧開孔

240‧‧‧滯留片

300‧‧‧粒子清理設備

304‧‧‧聲波產生器

306‧‧‧移除模組

502‧‧‧支撐物

504‧‧‧移除模組

506‧‧‧開孔

508‧‧‧聲波產生器

510‧‧‧滯留片

516‧‧‧開孔

520‧‧‧凹槽

520A‧‧‧開口

522‧‧‧第一臂

524‧‧‧第二臂

526‧‧‧狹縫

530‧‧‧流體通道

532‧‧‧流體

600‧‧‧粒子清理設備

602‧‧‧支撐物

604‧‧‧聲波產生器

606‧‧‧流體通道

610‧‧‧第一流體

612‧‧‧氣體提供器

614‧‧‧移除模組

620‧‧‧第二流體

為協助讀者達到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時同時參考附件圖示及其詳細文字敘述說明。請注意為遵循業界標準作法，本專利說明書中的圖式不一定按照正確的比例繪製。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協助讀者清楚了解其中的討論內容。 圖1A與圖1B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統的示意圖。 圖2A與圖2B係根據本揭露一些實施例說明移除模組的示意圖。 圖3A與圖3B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統的示意圖。 圖4A與圖4B係根據本揭露一些實施例說明半導體製造系統的示意圖。 圖5A至圖5C係根據本揭露一些實施例說明粒子清理設備的示意圖。 圖6A係根據本揭露一些實施例說明粒子清理設備的示意圖。

Claims (1)

1. 一種粒子清理設備，包括： 一聲波產生器，經配置以施加聲波至該聲波產生器外部的多個粒子；以及 一移除模組，經配置以移除被施加的該等粒子。