TW201822282A - 具有通孔的低表面粗糙度基板及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

在基板中形成通孔的方法包括蝕刻損傷區域，損傷區域延伸通過可移除地黏結在一起的複數個基板的堆疊之厚度。堆疊中各個基板具有至少一個表面可移除地黏結至堆疊中另一基板的表面，其中當堆疊中的基板脫黏時，各個基板具有至少一個表面的表面粗糙度(Ra)小於或等於約0.6 nm。

Description

具有通孔的低表面粗糙度基板及其製作方法
此申請案主張2016年9月9日申請的第62/385,447號的美國臨時申請案的優先權利益，在此依靠上述文件的內容並將上述文件全文以引用方式併入本文中。
本揭露大體係關於具有通孔的製品以及在基板中形成通孔的方法。更特定言之，本揭露係針對具有通孔的製品以及在基板中形成通孔的方法，方法包括保存基板表面粗糙度(Ra)的蝕刻。
載板可做為電子裝置(包括具有射頻(RF)過濾器的裝置)中的電界面，以擴散電連接至更寬的間距或重新配置電連接至不同的電連接。玻璃與玻璃陶瓷載板已經變為矽與纖維強化聚合物的有利替換者。這部分係因為玻璃可以形成大薄片的能力。然而，隨著持續變薄的電子裝置，許多應用需要載板具有300 μm或更小的厚度。由於玻璃/玻璃陶瓷的易碎性與缺少剛性，難以在製造步驟中操作上述薄玻璃與玻璃陶瓷。為了抵抗易碎性與缺少剛性，已經開發出利用黏結玻璃或玻璃陶瓷基板之載體的製造方法。
可應用凡德瓦力以可移除地黏結玻璃或玻璃陶瓷製品至載體。可移除黏結的能量足以度過平坦面板製造，同時仍保有可脫黏性。然而，當玻璃或玻璃陶瓷製品的表面粗糙度(Ra)太高時，凡德瓦力可能產生虛弱黏結。
因此，需要一種在基板中形成通孔同時保存低表面粗糙度(Ra)以致基板能夠可移除地黏結至載體的方法。
在第一個態樣中，形成具有貫通通孔之基板的方法包括蝕刻損傷區域，損傷區域延伸通過可移除地黏結在一起之複數個基板的堆疊的厚度。堆疊中各個基板具有至少一個表面可移除地黏結至堆疊中另一基板的表面，其中複數個基板脫黏後，可移除地黏結至複數個基板的另一者的一表面的複數個基板的各個基板的表面具有小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第一個態樣的第二個態樣，進一步包括脫黏複數個基板。
根據第一個態樣或第二個態樣的第三個態樣，進一步包括在蝕刻前產生至少一個損傷區域延伸通過堆疊的厚度。
根據第三個態樣的第四個態樣，其中在堆疊中產生至少一個損傷區域包括施加雷射脈衝至堆疊以產生至少一個損傷區域。
根據第一個態樣至第四個態樣任何一者的第五個態樣，其中複數個基板脫黏後，可移除地黏結至複數個基板的另一者的表面的複數個基板的各個基板的表面具有小於或等於約0.5 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第一個態樣至第四個態樣任何一者的第六個態樣，其中複數個基板脫黏後，可移除地黏結至複數個基板的另一者的表面的複數個基板的各個基板的表面具有小於或等於約0.4 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第一個態樣至第六個態樣任何一者的第七個態樣，其中複數個基板利用凡德瓦力而可移除地黏結在一起。
根據第一個態樣至第七個態樣任何一者的第八個態樣，進一步包括在可移除地黏結複數個基板之前，產生至少一個損傷區域通過複數個基板的各個基板的厚度，其中通過複數個基板的各個基板的厚度的至少一個損傷區域在堆疊中對齊。
根據第一個態樣至第八個態樣任何一者的第九個態樣，其中複數個基板選自玻璃、玻璃-陶瓷、陶瓷與上述之組合所構成之群組。
根據第一個態樣至第九個態樣任何一者的第十個態樣，其中延伸通過堆疊中可移除地黏結在一起的複數個基板的厚度的損傷區域係以包含氫氟酸的蝕刻溶液加以蝕刻。
根據第一個態樣至第十個態樣任何一者的第十一個態樣，其中堆疊由兩個或更多個可移除地黏結在一起的基板所構成。
在第十二個態樣中，形成具有通孔之基板的方法包括在堆疊中蝕刻損傷區域，其中堆疊包括複數個基板，複數個基板包括第一基板與至少一個額外基板，其中複數個基板的各個基板具有至少一個表面可移除地黏結至複數個基板的另一者的表面。損傷區域延伸通過至少一個額外基板的整個厚度，且蝕刻在至少一個額外基板中形成貫通通孔而蝕刻在第一基板中形成盲孔。在脫黏複數個基板後，可移除地黏結至複數個基板的另一者的表面的複數個基板的各個基板的至少一個表面具有小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第十二個態樣的第十三個態樣，其中第一基板的損傷區域僅延伸通過第一基板的一部分。
根據第十二個態樣的第十四個態樣，其中第一基板的損傷區域延伸通過第一基板，且僅有損傷區域的一部分經蝕刻以形成盲孔。
根據第十二個態樣至第十四個態樣任何一者的第十五個態樣，進一步包括複數個基板彼此脫黏。
根據第十二個態樣至第十五個態樣任何一者的第十六個態樣，進一步包括在蝕刻前產生至少一個損傷區域延伸通過堆疊的厚度。
根據第十二個態樣至第十六個態樣任何一者的第十七個態樣，其中在堆疊中產生至少一個損傷區域包括施加雷射脈衝至黏結的晶圓對以產生至少一個損傷區域。
根據第十二個態樣至第十七個態樣任何一者的第十八個態樣，其中複數個基板利用凡德瓦力黏結在一起。
根據第十二個態樣至第十四個態樣任何一者的第十九個態樣，進一步包括產生至少一個損傷區域延伸通過第一基板厚度的一部份並產生至少一個損傷區域延伸通過配置的至少一個額外基板的整個厚度，其中當第一基板與至少一個額外基板可移除地黏結在一起時，第一基板中的至少一個損傷區域對齊於至少一個額外基板中的至少一個損傷區域。
根據第十二個態樣至第十九個態樣任何一者的第二十個態樣，其中複數個基板選自玻璃、玻璃-陶瓷、陶瓷與上述之組合所構成之群組。
根據第十二個態樣至第二十個態樣任何一者的第二十一個態樣，其中堆疊的損傷區域係由包含氫氟酸的蝕刻溶液加以蝕刻。
根據第十二個態樣至第二十一個態樣任何一者的第二十二個態樣，其中堆疊係由可移除地黏結在一起的兩個或更多個基板所構成。
在第二十三個態樣中，玻璃系基板包括表面粗糙度(Ra)小於或等於約0.6 nm的第一表面、第二表面與自第一表面延伸的至少一個通孔，其中玻璃系基板的厚度係200 μm或更小。
根據第二十三個態樣的第二十四個態樣，其中玻璃系基板係玻璃或玻璃-陶瓷。
根據第二十三個態樣或第二十四個態樣的第二十五個態樣，其中至少一個通孔係自第一表面延伸至第二表面的貫通孔。
根據第二十三個態樣至第二十五個態樣任何一者的第二十六個態樣，其中至少一個通孔係盲孔。
根據第二十三個態樣至第二十六個態樣任何一者的第二十七個態樣，其中導電材料配置於至少一個通孔中。
在第二十八個態樣中，堆疊包括可移除地黏結在一起的複數個基板以及延伸通過堆疊厚度的至少一個貫通孔。複數個基板的各個基板的表面可移除地黏結至複數個基板的另一個基板的表面。且在脫黏複數個基板後，可移除地黏結至複數個基板的另一個基板的表面的複數個基板的各個基板的表面具有小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第二十八個態樣的第二十九個態樣，其中堆疊係由可移除地黏結在一起的兩個或更多個基板所構成。
根據第二十八個態樣或第二十九個態樣的第三十個態樣，其中複數個基板利用凡德瓦力黏結在一起。
在第三十一個態樣中，堆疊包括複數個基板(複數個基板包括第一基板與至少一個額外基板)、第一基板中的至少一個盲孔、至少一個額外基板中的至少一個貫通孔，其中複數個基板的各個基板的表面可移除地黏結至複數個基板的另一個基板的表面，且其中在脫黏複數個基板後，可移除地黏結至複數個基板的另一個基板的表面的複數個基板的各個基板的表面具有小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
根據第三十一個態樣的第三十二個態樣，其中堆疊由二個或更多個可移除地黏結在一起的基板所構成。
根據第三十一個態樣或第三十二個態樣的第三十三個態樣，其中複數個基板利用凡德瓦力黏結在一起。
將在後續的詳細描述中提出發明的額外特徵與優點，且熟悉技術人士可自描述中輕易得知或藉由實施本文(包括後續的詳細描述、申請專利範圍與附圖)所述實施例而理解部分的發明額外特徵與優點。
將可理解前文一般描述與後文詳細描述兩者描述多個實施例且意圖用來提供概述與框架以理解請求標的之性質與特性。包括附圖以提供多個實施例的進一步理解，並將附圖併入本說明書且構成本說明書的一部份。圖式描繪本文所述的多個實施例，且與描述內容一起用來解釋請求標的之原理與運作。
大致參照各圖式，本文中提供的具有至少一個通孔的製品與在基板中產生至少一個通孔的方法的實施例允許保存基板的表面粗糙度(Ra)，以致基板可移除地黏結至載體以進行進一步處理。現將詳細地參照具有至少一個通孔的製品與在基板中形成至少一個通孔的方法的多個實施例，而其實例描繪於附圖中。儘可能在整個圖式中使用相同的元件符號來代表相同或相似部分。值得注意的是圖式中描繪的實施例並非按照比例並僅針對描述性目的選擇相對尺寸與寬度。
舉例而言，本文揭露的製品可用作為半導體封裝中的載板，製品之蝕刻孔洞(例如，通孔)與表面特徵可允許成功的下游製程，包括但不限於半導體裝置、射頻(RF)裝置(諸如，天線、轉換器等等)、載板裝置、微電子裝置、光電裝置、微電子機械系統(MEMS)裝置與可利用通孔之其他應用中通孔金屬化與重新配置層(RDL)的應用。一般而言，玻璃或玻璃陶瓷載板需要通孔(孔洞)以導電材料填充以提供電接合。在玻璃或玻璃陶瓷基板中產生通孔的示範性方法係藉由產生損傷區域通過玻璃或玻璃陶瓷基板的厚度並接著將基板浸入蝕刻劑中來完成。蝕刻劑可接著自損傷區域移除材料以擴大孔洞。然而，蝕刻製程非為選擇性的且可自載板的兩個表面移除材料並擴大孔洞。這總是會產生表面粗糙度(Ra)的提高。可將製品可移除地/暫時地黏結至載體以進行下游處理，且若基板的表面粗糙度(Ra)提高太多的話，基板的表面粗糙度將會位在可適當形成可移除黏結(例如，凡德瓦力黏結)的範圍之外。
在蝕刻可移除黏結基板以用於通孔形成之前，實施例藉由可移除地黏結一個基板的表面至另一個基板的表面來保存基板的至少一個表面的蝕刻前表面粗糙度。藉由在通孔形成過程中保存基板的低表面粗糙度，可將基板可移除地黏結至載體以用於進一步處理。在處理後，可自載體移除基板，以致載體可重新用於處理更多的基板。在下方詳細地描述製品與通孔形成方法的多個實施例。
第1圖描繪示範性完成製品100。在某些實施例中，完成製品100可為具有第一與第二正對表面102、104的基板。完成製品100可具有至少一個通孔106。雖然第1圖中圖示多個通孔106，但這僅為示範性的且完成製品100可具有單一通孔106。完成製品100中的通孔106可如第1圖中所示般為延伸通過基板100整個厚度的貫通孔。在替代實施例中，完成製品100中的通孔106可為僅延伸通過基板100一部分的盲孔。在又另一個實施例中，完成製品100可具有貫通孔與盲孔的組合。完成製品100的至少一個表面102、104的表面粗糙度(Ra)小於或等於約0.6 nm。在某些實施例中，基板100的第一與第二表面102、104的表面粗糙度(Ra)皆小於或等於約0.6 nm、小於或等於約0.5 nm、小於或等於約0.4 nm、小於或等於約0.3 nm或者小於或等於約0.2 nm。本文所用之表面粗糙度(Ra)界定為局部表面高度與平均表面高度之間差異的算術平均並可藉由以下方程式加以描述：,
其中yi 係相對於平均表面高度的局部表面高度。可利用自Zygo取得的表面輪廓儀量測表面粗糙度(Ra)，其中在至少三個約100 μm乘以100 μm的樣本區域中量測並平均表面粗糙度(Ra)。
基板100可為玻璃系基板。實例玻璃系基板材料包括但不限於玻璃(包括熔融矽石)與玻璃-陶瓷。當基板為玻璃時，基板可由多種玻璃成分所形成，玻璃成分包括但不限於熔融矽石(例如，至少99%矽石)、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、鹼金屬-鋁矽酸玻璃、鋁硼矽酸玻璃、鹼金屬-鋁硼矽酸玻璃與鹼石灰玻璃。再者，基板100可為經強化(例如，藉由離子交換製程)或非經強化的。示範性基板可包括但不限於Corning EAGLE XG® 玻璃、Corning Gorilla® 玻璃、Corning LotusTM NXT玻璃與Corning Willow® 玻璃。在又進一步實施例中，基板100可由其他材料(例如，陶瓷)所製成。在某些實施例中，基板100可具有的厚度在下列範圍中：約25 μm至約3,000 μm、約25 μm至約2,000 μm、約25 μm至約1,000 μm、約50 μm至約3,000 μm、約50 μm至約2,000 μm、約50 μm至約1,000 μm、約100 μm至約3,000 μm、約100 μm至約2,000 μm、約100 μm至約1,000 μm、約200 μm至約3,000 μm、約200 μm至約2,000 μm、約200 μm至約1,000 μm、約500 μm至約3,000 μm、約500 μm至約2,000 μm、約500 μm至約1,000 μm、約3,000 μm或更小、約2,000 μm或更小、約1,000 μm或更小、約500 μm或更小、約400 μm或更小、約300 μm或更小、約200 μm或更小或者約100 μm或更小。
第2圖描繪示範性流程圖200，其大致描繪在基板中形成至少一個通孔同時維持基板的至少一個表面的表面粗糙度(Ra)的示範性製程。將遍及多個圖式的描述內容而更詳細地描述流程圖中描繪的步驟，但該等步驟大致上包括黏結基板的步驟202、在基板中產生損傷區域的步驟204、蝕刻損傷區域的步驟206與脫黏基板的步驟208。值得注意的是雖然將流程圖200描繪成具有一定順序，但應理解本揭露內容的實施例並不限於第2圖中所示之步驟順序。
現在參照第3A圖，提供至少具有正對第一與第二表面312、314的第一基板310以及具有正對第一與第二表面322、324的第二基板320。在某些實施例中，第一表面312、322與/或第二表面314、324的表面粗糙度(Ra)可小於或等於約0.6 nm、小於或等於約0.5 nm、小於或等於約0.4 nm、小於或等於約0.3 nm或者小於或等於約0.2 nm。
在某些實施例中，如第2圖中所示，製程中的示範性步驟202可為可移除地黏結基板310的表面314至另一個基板320的表面322以形成基板的堆疊。第3B圖描繪可移除地黏結在一起的基板310、320的堆疊300。雖然第3B圖描繪兩個基板的堆疊，但堆疊中可移除地黏結在一起的基板可超過兩個。若可在應用足夠分隔力量而不造成基板的慘重傷害(例如，破損)使黏結基板脫黏，則此黏結為本文所用可移除的黏結。一個可移除黏結基板的示範性方法係藉由凡德瓦力黏結，例如揭露於美國專利第2014/0170378公開案，藉此將其全文以參考方式併入。凡德瓦力黏結大體包括配置第一製品的表面於第二製品的表面上並提高第一製品的溫度接著將其冷卻至室溫。結果為第一與第二基板310、320被可移除地黏結在一起於堆疊中，其中堆疊300中黏結在一起的基板的內表面314、322極少地暴露於製程後期的蝕刻溶液。因此，黏結表面314、322各自的蝕刻前表面粗糙度(Ra)在蝕刻製程後保存下來與/或極小地變動。在某些實施例中，需要至少200 mJ/m2 的黏著能量以進行足夠的凡德瓦力黏結。如上所示，黏結表面314、322在脫黏後的表面粗糙度(Ra)係小於或等於約0.6 nm、小於或等於約0.5 nm、小於或等於約0.4 nm、小於或等於約0.3 nm或者小於或等於約0.2 nm。小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)將允許至少200 mJ/m2 的黏著能量。
雖然第3B圖描繪具有兩個可移除地黏結在一起的基板的堆疊，這僅為示範性的。因此，在某些實施例中，堆疊可具有超過兩個基板可移除地黏結在一起，舉例而言，如第4圖中所示，堆疊400可由三個或更多個可移除地黏結在一起的基板410、420、430所製成。
在某些實施例中，如第2圖中所示，步驟204可包括利用雷射(如第3B圖中所示)在堆疊300中產生至少一個損傷區域306。在其他實施例中，在各個基板可移除地黏結至具有至少一個損傷區域的另一個基板以形成堆疊之前，可在各個基板中形成至少一個損傷區域30。在此實施例中，當具有至少一個損傷區域的基板的表面可移除地黏結至具有至少一個損傷區域的另一個基板的表面時，基板經黏結以致其損傷區域對齊。如第3B圖中所示，至少一個損傷區域306可能會延伸通過基板310、320各自厚度。在替代實施例(未圖示)中，至少一個損傷區域可能不會延伸通過堆疊的全部厚度。在此實施例中，至少一個損傷區域僅延伸通過第一基板410的厚度的一部分，但延伸通過配置於第一基板410上基板420、430各自的全部厚度。
可用多種方式形成至少一個損傷區域306。在某些實施例中，可藉由施加高能量雷射脈衝以燒蝕窄孔洞通過堆疊來產生至少一個損傷區域306，以允許蝕刻劑在下游蝕刻製程過程中流入其中。在其他實施例中，至少一個損傷區域306可並非通過基板310、320厚度的孔洞，而為脈衝雷射所形成的雷射引發傷害線。舉例而言，脈衝雷射可藉由非線性多光子吸收(non-linear mullet-photon absorption)來形成傷害線。在後續蝕刻製程過程中，界定至少一個損傷區域306的雷射引發式傷害線內的材料移除速率快於至少一個損傷區域306外的材料移除速率。執行雷射傷害產生與後續蝕刻的示範性方式揭露於美國第9,278,886號專利與美國第2015/0166395號專利公開案，將其全文各自以參考方式併入。
參照第2圖的方塊206，可蝕刻堆疊300中的至少一個損傷區域306以自損傷區域306產生通孔308。如第5圖中所示，蝕刻製程可包括將堆疊300浸入蝕刻劑500槽中。額外或替代地，蝕刻劑500可被噴灑至堆疊300上。蝕刻劑500可自堆疊300的基板310、320移除材料以擴大至少一個損傷區域306的直徑以產生通孔308。可利用任何適當的蝕刻劑。蝕刻劑的非限制性實例包括強無機酸，諸如硝酸、氫氯酸或具有含氟蝕刻劑的磷酸，諸如氫氟酸、二氟化銨、氟化鈉等等。蝕刻劑可自第一基板310的第一表面312、第二基板320的第二表面324或兩者表面流入損傷區域306。在某些實施例中，可透過例如但非限制於超音波(ultrasonic)或兆聲波(megasonic)震動來搖動蝕刻劑與/或堆疊。作為實例而非限制，通孔308的直徑可在約5 μm至約150 μm、約20 μm至約150 μm或者約5 μm至約20 μm的範圍中。在某些實施例中，通孔308在表面324中的開口直徑與通孔308在表面312中的開口直徑可能相同或可能相差2 μm或更小，以致通孔308係實質上圓柱形。在其他實施例中，通孔308可具有圓錐型狀並僅在垂直方向中對稱。
參照第2圖的方塊208，在已經蝕刻通孔308後，可將基板310、320脫黏或分離。如美國第2014/0170378號專利公開案所揭示般，脫黏可移除地黏結基板的一個示範性方法係藉由在基板之間***剃刀刀片。在已經脫黏基板310、320後，至少在蝕刻製程過程中暫時黏結在一起的表面314、322將具有小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)，因為這些表面未暴露至蝕刻劑。且在第3D圖中所示的實施例中，各個基板將具有一個或多個貫通孔308延伸通過基板的厚度。在其他實施例(例如，第4圖中所示的那個實施例)中，至少一個基板可具有至少一個盲孔(例如，基板410中)不延伸通過基板的全部厚度，以及至少一個基板可具有至少一個貫通孔(諸如，基板420與430)。如上所示，可藉由使對應至盲孔的損傷區域僅延伸通過第一基板410的厚度的一部分但延伸通過配置於第一基板410上的基板420、430各自的全部厚度來達成第一基板410中的盲孔。執行蝕刻，以致基板420、430中的損傷區域轉變成貫通孔而第一基板410中的損傷區域轉變成盲孔。或者，在某些實施例中，當損傷區域為雷射引發式傷害線時，損傷區域可延伸通過第一基板410的整個厚度，但可控制蝕刻以致僅有盲孔形成於第一基板410中。雖然未圖示，但在某些實施例中，堆疊中的一個或多個基板可具有至少一個盲孔與至少一個貫通孔。
在某些實施例中，作為本文所述製程的結果，產生出厚度約300 μm或更小、200 μm或更小或者100 μm或更小的玻璃系製品100，且具有至少一個通孔106自表面粗糙度(Ra)小於或等於約0.6 nm的表面延伸。在某些實施例中，至少一個通孔106為如第1圖中所示的貫通孔，而在其他實施例中，至少一個通孔為盲孔。咸信透過傳統製程無法達成厚度約300 μm或更小、200 μm或更小或者100 μm或更小的玻璃系基板，且具有表面粗糙度(Ra)小於或等於約0.6 nm的表面以及自表面延伸的通孔。舉例而言，研磨或蝕刻玻璃系基板的表面至300 μm或更小、200 μm或更小或者100 μm或更小的厚度以及小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)將破裂與/或打破玻璃系基板。
在已經蝕刻通孔308與已經脫黏基板310、320後，基板310、320可經受額外的處理步驟以取得額外性質。如上方所討論，玻璃系基板可為非常薄的(例如，從小於200 μm的任何點上至700 μm)。由於基板310的易碎性與缺少剛性，難以在製造步驟過程中搬運上述薄材料。為了抵抗易碎性與缺少剛性，可藉由將基板310的第二表面314配置於載體的黏結表面上將基板310可移除地黏結至載體。可移除地黏結基板310至載體的一個示範性方法係藉由利用凡德瓦力黏結，例如如上方討論般揭露於美國第2014/0170378號專利公開案。凡德瓦力黏結有利於下游製程，因為其形成能夠承受處理(例如，高溫處理)的黏結同時允許自載體移除基板的整個區域(一次全部或分區)的能力。在已經移除基板310後，可重新使用載體於處理額外基板。
舉例而言，載體可為任何適當材料，例如玻璃。載體不必為玻璃，反之可為諸如陶瓷、玻璃-陶瓷、矽或金屬。若由玻璃所製成，載體可為任何適當成分，包括但不限於鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼石灰矽酸鹽，並取決於其最終應用而可為含鹼金屬的或不含鹼金屬的。載體可具有任何適當厚度。此外，載體可由一層或黏結在一起(例如，藉由層壓)的多層(包括多個薄片)所製成。再者，載體的熱膨脹係數可實質匹配於基板310的熱膨脹係數以避免在高溫下處理過程中基板310的彎曲或基板310自載體解離。基板310的表面粗糙度(Ra)加至載體的表面粗糙度。因此，在某些實施例中，載體可具有小於或等於0.6 nm的表面粗糙度(Ra)以致可達成至少200 mJ/m2 的黏著能量。
一旦基板310充分地黏結至載體以致載體與基板310在處理過程中不會分離後，可讓基板310接受進一步處理。處理基板310可包括諸如下列的步驟：施加鹼性清潔溶液至基板310、濕蝕刻基板310、研磨基板310、金屬鍍覆基板310、藉由濕蝕刻金屬圖案化基板310、藉由沉積作用而沉積材料至基板310上、以導電材料填充通孔108以及退火基板310。
熟悉技術人士將理解可對本文所述之實施例進行多種修飾與變化而不悖離所請求之申請標的之精神與範圍。因此，說明書試圖涵蓋本文所述的多種實施例的修飾與變化，只要上述修飾與變化位於隨附的申請專利範圍及其等效體的範圍中。
100、410、420、430‧‧‧基板
102、312、322‧‧‧第一表面
104、314、324‧‧‧第二表面
106、308‧‧‧通孔
200‧‧‧流程圖
202、204、206、208‧‧‧步驟
300、400‧‧‧堆疊
306‧‧‧損傷區域
310‧‧‧第一基板
320‧‧‧第二基板
500‧‧‧蝕刻劑
圖式中提出的實施例本質為描述與示範性並非意圖用來限制申請專利範圍所界定的請求標的。當搭配下列圖式閱讀時可理解下方描述性實施例的詳細描述，其中類似結構係以類似元件符號所標示，圖式中：
第1圖描繪透過本文所述製程得到之製品的示範性橫剖面圖；
第2圖描繪條列製造具有至少一個通孔的製品的製程的示範性流程圖；
第3A-3D圖描繪在基板中形成至少一個通孔的製程的多個階段之基板的示範性橫剖面圖；
第4圖描繪可移除地黏結在一起的超過三個基板之堆疊的示範性橫剖面圖；及
第5圖描繪蝕刻劑槽中的示範性堆疊。
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (11)

  1. 一種形成具有一貫通孔的基板的方法，該方法包括： 蝕刻一損傷區域以形成一貫通孔，該損傷區域延伸通過一堆疊中可移除地黏結在一起的複數個基板的一厚度，該貫通孔延伸通過該堆疊的該厚度， 其中該複數個基板的各個基板的一表面可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面，及 其中該複數個基板一旦脫黏後，可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面的該複數個基板的各個基板的該表面具有一小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包括在蝕刻前產生延伸通過該堆疊的該厚度的至少一個損傷區域。
  3. 如請求項1或2所述之方法，其中該複數個基板一旦脫黏後，可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面的該複數個基板的各個基板的該表面具有一小於或等於約0.5 nm的表面粗糙度(Ra)。
  4. 一種形成具有一通孔的基板的方法，該方法包括： 在一堆疊中蝕刻一損傷區域以在該堆疊中形成一通孔， 其中該堆疊包括複數個基板，該複數個基板包括一第一基板與至少一個額外基板， 其中該複數個基板的各個基板具有可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面的至少一個表面， 其中該損傷區域延伸通過該至少一個額外基板的全部厚度，而該蝕刻步驟在該至少一個額外基板中形成一貫通孔， 其中該蝕刻步驟在該第一基板中形成一盲孔，及 該複數個基板一旦脫黏後，可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的該表面的該複數個基板的各個基板的該至少一個表面具有一小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該第一基板的該損傷區域僅延伸通過該第一基板的一部分。
  6. 如請求項4所述之方法，其中該第一基板的該損傷區域延伸通過該第一基板，且僅蝕刻該損傷區域的一部分而形成該盲孔。
  7. 如請求項4-6任何一項所述之方法，進一步包括在蝕刻前產生延伸通過該堆疊的該厚度的至少一個損傷區域。
  8. 一種玻璃系基板，包括： 一第一表面，具有一小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)； 一第二表面；及 至少一個通孔，自該第一表面延伸， 其中該玻璃系基板具有一200 μm或更小的厚度。
  9. 如請求項8所述之玻璃系基板，其中該至少一個通孔係一自該第一表面延伸至該第二表面的貫通孔或一盲孔。
  10. 一種堆疊，包括 複數個基板，可移除地黏結在一起；及 至少一個貫通孔，延伸通過該堆疊的一厚度， 其中該複數個基板的各個基板的一表面可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面，及 其中該複數個基板一旦脫黏後，可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面的該複數個基板的各個基板的該表面具有一小於或等於約0.6 nm的表面粗糙度(Ra)。
  11. 一種堆疊，包括： 複數個基板，包括一第一基板與至少一個額外基板； 至少一個盲孔，位在該第一基板中；及 至少一個貫通孔，位在該至少一個額外基板中， 其中該複數個基板的各個基板的一表面可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面，及 其中該複數個基板一旦脫黏後，可移除地黏結至該複數個基板的另一個基板的一表面的該複數個基板的各個基板的該表面具有一小於或等於約0.6 nm的一表面粗糙度(Ra)。
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