TW201807074A - 高介電性薄膜、其用途以及製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於,提供一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜、其用途以及製造方法,所述高介電性薄膜之特徵在於,介電常數高且薄膜之寬度方向上實質上平坦且均勻。一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其於薄膜之寬度方向上,末端之厚度與中央之厚度之差為5.0%以內,且薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內。此種薄膜可具備底層及平坦化層,亦可藉由軋製製程來獲得,此外,亦可藉由在具備剝離層之間隔件間之固化來獲得。
Description
本發明涉及一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜、其用途以及製造方法,其特徵在於,介電常數高且薄膜之寬度方向上實質上平坦且均勻。
與丙烯酸類或橡膠類壓感黏合劑組合物相比,聚矽氧烷類壓感黏合劑組合物之電絕緣性、耐熱性、耐寒性以及對於各種黏附體之黏著性優異,因此被用於耐熱性膠帶、電絕緣性膠帶、熱密封膠帶以及電鍍遮蔽膠帶等。該等聚矽氧烷類壓感黏合劑組合物根據其固化機構,分為附加反應固化型、縮合反應固化型以及過氧化物固化型等。由於可藉由放置於室溫下或進行加熱來迅速固化且不會產生副產物,所以常用附加反應固化型之壓感黏合劑組合物。
業者正在研究如何形成聚矽氧烷類壓感黏合劑之上述特性以及高透明性,並在近年來應用於智能設備等尖端電子顯示元件領域。此種設備採用將由含有電極層、顯示層之多層構成之薄膜夾入透明基材之間的構造,以保護電極層、顯示層以及改良層間之黏著性為目的,期待耐熱/耐寒性、透明性高之聚矽氧烷類壓感黏合劑可有效地發揮作用。
該等智能設備中,作為用於壓力傳感器等傳感器用途之壓
感黏合劑之材料特性,除了優異之透明性以外,還可列舉高介電特性。為了提高傳感器靈敏度,必須獲得固定電壓下之高靜電容量,因此要求使用之材料具有高介電常數。作為具有高介電常數之聚合物材料,可列舉聚二氟亞乙烯以及聚二氟亞乙烯類共聚物,已知該等可用作壓電材料及焦電材料。例如,日本特開2010-108490號公報(專利文獻1)中記載有含有二氟亞乙烯-四氟乙烯共聚物之透明壓電片,並記載有將其用作觸摸面板。此外,根據日本特開2011-222679號公報(專利文獻2)之記載,除了二氟亞乙烯-四氟乙烯共聚物以外,還將二氟亞乙烯-三氟乙烯共聚物以及聚二氟亞乙烯用作透明壓電片之透明壓電體膜之材料。另一方面,二氟亞乙烯類聚合物具有高結晶性,因此存在製造薄膜等成型品時加工性差之課題。
另一方面,透明性及加工性優異之常用聚合物材料之介電常數通常為2至4之值,但藉由適當設計聚合物構造,可使該值提高至5至7或其以上。已知為了提高聚矽氧烷之介電常數,作為矽上之取代基導入氟烷基之方法為有效,本發明人等亦公開了含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物具有高介電常數,並且作為換能器材料係有用者(國際專利公開2014-105959號公報、專利文獻3)。
另一方面,關於含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之壓感黏合劑亦已進行了研究。例如,美國專利5436303號公報(專利文獻4)中公開了由R3SiO1/2單元(式中,R為烷基)以及SiO4/2單元構成且具有矽醇基之MQ樹脂以及含有氟烷基有機矽之壓感黏合劑。此外,國際專利公開1994-6878號公報(專利文獻5)中記載有由氟烷基有機矽與乙烯基單體構成之共聚物以及含有該共聚物且耐溶劑性良好之壓感黏合劑。該等技術
中,作為壓感黏合之關鍵之MQ樹脂不具有氟烷基且透明性不清楚,實際上並未記載。另一方面,美國專利7253238號公報(專利文獻6)中記載有由規定構造之R3SiO1/2單元(式中,R為烷基)、R(CH2=CH)SiO2/2單元(式中,R為烷基)以及SiO4/2單元構成之含氟烷基之MQ樹脂以及含有該MQ樹脂之壓感黏合劑。此外,專利5066078號公報(專利文獻7)中公開有限定了製造方法之含氟烷基之MQ樹脂以及含有該MQ樹脂之壓感黏合劑。並且,日本特開2010-502781號公報(專利文獻8)中亦公開了由氟烷基有機矽壓感黏合劑組合物以及矽膠襯墊構成之層疊體。然而,該等壓感黏合劑組合物中,僅公開了過氧化物固化系統,但並未研究固化速度快、成型加工時幾乎無收縮且容易設定所期望之固化條件之附加型固化系統。此外,亦未研究介電特性,該記載亦未作暗示。因此,截至目前尚未報告透明性優異、介電常數高之附加固化型含氟烷基之有機聚矽氧烷、含有該有機聚矽氧烷之壓感黏合劑層疊體薄膜以及由壓感黏合劑層疊體薄膜構成之顯示設備。
另一方面,雖然於日本特表2014-522436號(專利文獻9)或日本特表2013-512326(專利文獻10)等中公開了光學性透明之矽類壓感黏合劑薄膜以及使用該矽類壓感黏合劑薄膜之觸摸面板等顯示設備之製造方法,但該等矽類壓感黏合劑薄膜之性能尚有改善之餘地。
鑒於該等習知技術,本件申請人發現藉由使用特定之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物能夠解決上述課題,並提出國際專利申請編號PCT/JP2015/006198(專利文獻11)以及PCT/JP2016/001299(專利文獻12)所涉及之介電性材料。該等含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物具有以下優
點,即透明性優異,作為壓感黏合劑之功能優異,製造薄膜等成型品時具有良好之加工性,並且介電常數高。並且,具有成型加工時幾乎無收縮、固化速度快以及容易設定所期望之固化條件之優點。
【專利文獻1】日本特開2010-108490號公報
【專利文獻2】日本特開2011-222679號公報
【專利文獻3】國際公開2014-105959號公報
【專利文獻4】美國專利5436303號公報
【專利文獻5】國際專利公開1994-6878號公報
【專利文獻6】美國專利7253238號公報
【專利文獻7】專利5066078號公報
【專利文獻8】日本特開2010-502781號公報
【專利文獻9】日本特表2014-522436號公報
【專利文獻10】日本特表2013-512326號公報
【專利文獻11】國際專利申請編號PCT/JP2015/006198
【專利文獻12】國際專利申請編號PCT/JP2016/001299
另一方面,本申請發明人於上述專利文獻11、專利文獻12中提出之介電性材料中發現了新的課題。該等介電性含氟烷基之有機聚矽
氧烷固化物用於觸摸面板等電子材料、顯示裝置用電子構件、尤其是傳感器等換能器材料之用途時,有時會要求成型為薄膜狀後再使用,因此優選獲得均勻之薄膜狀固化物。然而,固化性含氟烷基之有機聚矽氧烷組合物中,賦予介電性之氟烷基以及作為主鏈之有機聚矽氧烷具有高表面張力,因此塗佈至具備剝離層之基材上時,尤其是以50μm以上之厚度塗佈時,會有塗膜形成不均勻之趨勢。直接固化此種不均勻之塗膜後獲得之高介電性薄膜材料之膜厚不均勻,用於觸摸面板等介電層時,會導致構件間之間隙或氣泡,有時會在性能方面產生不良影響。
並且,將固化性含氟烷基之有機聚矽氧烷組合物之固化物即介電性薄膜用於觸摸面板等電子材料、顯示裝置用電子構件、尤其是傳感器等換能器材料之用途時,考慮到操作作業性之觀點,優選將介電性薄膜層疊至具有剝離層之間隔件上,並於使用時將介電性薄膜剝離,將上述固化性含氟烷基之有機聚矽氧烷組合物塗佈至具備剝離層之基材上時,尤其是以50μm以上之厚度塗佈時,會形成兩末端***之不均勻的塗膜,使其固化而成之薄膜狀固化物之兩端部會***且薄膜中央部分會形成較大之凹陷形狀,用於觸摸面板等介電層時,會導致構件間之間隙或氣泡,有時會於性能方面產生不良影響。
形成此種不均勻之薄膜時,並不能進一步展開固化性含氟烷基之有機聚矽氧烷組合物之固化物即介電性薄膜之應用,有待解決,且在採用眾所周知之方法時,使用含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物無法獲得介電特性、均勻性以及平坦性皆優異之介電性薄膜。
因此,本發明之目的在於,提供一種具有與上述專利文獻
11、專利文獻12中提出者等同以上之介電性等特性,並且均勻性、薄膜之寬度方向上之平坦性優異之高介電性薄膜、其用途以及製造方法。
為解決上述課題並銳意研究後,最終本發明人等發現藉由於薄膜之寬度方向上末端之厚度與中央之厚度之差為5.0%以內,且薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內的含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜能夠解決上述課題,並達成本發明。該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物可用作透明性優異且介電常數高之新型壓感黏合劑材料。再者,此種均勻性、薄膜之寬度方向上之平坦性優異之高介電性薄膜可以是下述由底層及層疊至底層上之平坦化層構成的高介電性薄膜,亦可以是藉由於將作為原料之固化性組合物夾入具有剝離層之間隔件間的狀態下進行固化、層疊,形成平坦化層之高介電性薄膜,亦可以是藉由對作為原料之固化性組合物實施軋製加工而獲得之高介電性薄膜。
並且,本發明人等發現所述氟烷基係三氟丙基時能夠更適當地解決上述課題,作為所述含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之原料,使含有以下述平均結構式(II):RViR2 2Si(OSiR2R3)e1′(OSiR2 2)e2′OSiRViR2 2 (II)
{式中,RVi為碳原子數2至12之烯基,R2為與上述相同之基團、R3為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基,並且e為滿足5<e1′+e2′+2<500之數,(e1′)/(e1′+e2′)之值為0.5至1.0
之範圍內}
表示之含氟烷基之有機聚矽氧烷的含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成時,能夠更適當地解決上述課題,並達成本發明。
即,本發明之目的可藉由以下來實現:
〔1〕一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中薄膜之寬度方向上末端之厚度與中央之厚度之差為5.0%以內,且薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內。
本發明之目的優選藉由下述高介電性薄膜來實現。
〔2〕如〔1〕所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其特徵在於,薄膜寬度為30mm以上,薄膜面積為900mm2以上,且1kHz、25℃時之介電常數為4以上。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其實質上為透明,且薄膜中央之厚度為100至900μm之範圍內。
〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中23℃時之剪切儲能模量為103至105Pa之範圍內。
本發明之目的尤其優選藉由針對固化性組合物設置底層及平坦化層之薄膜、利用軋製加工獲得之薄膜或利用在設有剝離層之間隔件間使其固化而設置平坦化層之薄膜來解決。再者,該等薄膜可作為無溶劑進行設計,並且優選。即,本發明之目的可藉由下述高介電性薄膜來實現。
〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其由底層及層疊於底層上之平坦化層構成。
〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其由厚度為5至40μm之底層及層疊於底層上之厚度為10至800μm之平坦化層構成,且上述底層及平坦化層皆為含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物。
〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其特徵在於,其係軋製加工而成者。
〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中具有藉由於具有剝離層之間隔件之間進行固化而形成之平坦化層。
〔8-1〕如〔1〕至〔8〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其特徵在於,實質上不含有溶劑。
此外,本發明之目的可藉由使下述固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成之高介電性薄膜來實現。
〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其係使至少含有矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為以(CpF2p+1)-R-(R為碳原子數1至10之亞烷基,p為1至8之範圍內之數)表示之氟烷基的含氟烷基之有機聚矽氧烷的固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成。
〔10〕如〔1〕至〔9〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其係使含有:(A)以下述結構式(I):
R1R2 2Si(OSiR1R2)e1(OSiR2 2)e2OSiR1R2 2 (I)
{式中,R1為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為1至8之範圍內之數)表示之氟烷基或碳原子數2至12之烯基,R2為相同或獨立之碳原子數1至12之烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數7至20之芳烷基、羥基或者碳原子數1至6之烷氧基,並且所有R1中至少2個為碳原子數2至12之烯基,所有R1以及R2中10莫耳%以上為所述氟烷基,e1為正數,e2為0或正數,且係滿足5<e1+e2+2<500之數}
表示之含氟烷基之有機聚矽氧烷、(B)分子中至少具有2個矽鍵合氫原子之有機氫聚矽氧烷,相對於(A)成分之烯基之總量1莫耳,本成分中之矽原子鍵合氫原子為0.1至1.0莫耳之量、(C)有效量之氫化矽烷化反應用觸媒、以及(D)溶劑,其相對於(A)成分至(C)成分之和100質量份為0至2000質量份的含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物進行固化而成。
〔11〕如〔10〕所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中所述(A)含有以下述平均結構式(II):RViR2 2Si(OSiR2R3)e1′(OSiR2 2)e2′OSiRViR2 2 (II)
{式中,RVi為碳原子數2至12之烯基,R2為與上述相同之基團,R3為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基,並且e1′以及e2′為滿足5<e1′+e2′+2<500之數,(e1′)/(e1′+e2′)之值為0.5至1.0之範圍內,e2′為0或正數}
表示之含氟烷基之有機聚矽氧烷。
〔12〕如〔10〕所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中所述(B)成分為分子中具有以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基之有機氫聚矽氧烷。
此外,本發明之目的在於上述高介電性薄膜之用途以及具備該高介電性薄膜之層疊體及其用途,可藉由以下發明來實現。
〔13〕一種用途,其將〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜用作電子材料或顯示裝置用構件。
〔14〕一種層疊體,其中具有於具備剝離層之片狀基材上層疊〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜的構造。
〔15〕一種電子部件或顯示裝置,其中具有〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜。
〔16〕一種觸摸面板,其中具有一面形成有導電層之基材以及附著於所述基材之導電層或其相反側之面的〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜。
並且,本發明之目的可藉由上述高介電性薄膜之製造方法之發明來實現。
〔17〕一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中具有:製程(I):於基材上塗佈並固化至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,使得固化後之厚度為40μm以下,獲得底層之製程;以及製程(II):所述製程(I)之後,於底層上塗佈並固化至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,使得固化後之整個高介電性薄膜之薄膜中央之厚度為50至1000μm,獲得平坦化層之製程。
〔18〕如〔17〕所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,其特徵在於,所述製程(I)中,基材為具有剝離面之平面狀基材,並將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至剝離面上。
〔19〕一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其特徵在於,將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上後,於固化前或固化後實施軋製加工。
〔20〕一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為〔1〕至〔12〕中任一項所述之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其特徵
在於,在將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物夾入具有剝離層之間隔件之間的狀態下,使其進行固化。
根據本發明,能夠提供一種由均勻性、薄膜之寬度方向上之平坦性優異且介電常數高之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物構成的高介電性薄膜。該高介電性薄膜係操作作業性優異且形成介電層、尤其是換能器等之介電層的介電性薄膜或者片狀構件,亦可具有凝膠、彈性體、黏接劑等之功能。更好的是該高介電性薄膜具有以下優點,即壓感黏合層、尤其是壓感黏合薄膜能夠適用於電子材料、顯示裝置用電子構件、尤其是傳感器等換能器材料之用途,尤其能夠提供含有該壓感黏合薄膜之觸摸面板等顯示設備。
以下,詳細說明本發明之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜。
本發明之高介電性薄膜,其特徵在於,薄膜之寬度方向上,末端之厚度與中央之厚度之差為5.0%以內,薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內。薄膜之寬度方向係指與薄膜之長度方向成直角之方向,一般表示相對於將作為原料之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上的方向,於平面方向上成直角之方向。再者,捲取薄膜時捲
取方向為長度方向,薄膜之寬度方向係與長度方向成直角之方向。四邊形或大致四邊形之薄膜中,薄膜之寬度方向係與長軸方向成直角之方向,正方形或大致正方形薄膜時,亦可將與該正方形薄膜各邊成直角或平行之方向中之任一方向作為寬度方向。
本發明之高介電性薄膜中,於薄膜之寬度方向上,末端之厚度(μm)與中央之厚度(μm)之差(絕對值)為5.0%以內,優選為4.0%以內,尤其優選為3.5%以內。再者,該薄膜優選包含兩端之***在內,實質上面上並無凹凸之平坦且均勻之構造,薄膜寬度方向之厚度之最大位移(差)優選為5.0%以內,尤其優選整個薄膜中厚度之最大位移(差)為5.0%以內,實質上並無凹凸之平坦薄膜。
本發明之高介電性薄膜係例如薄膜中央之厚度超過50μm之具有固定厚度的薄膜材料,並且其特徵在於,薄膜內幾乎沒有厚度差,具有實質上平坦之構造。具體而言,薄膜之寬度方向上薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內,優選薄膜中央之厚度為100至900μm之範圍內,尤其優選薄膜中央之厚度為200至800μm之範圍內。薄膜中央之厚度小於所述下限時,膜厚過薄,有時會限定其作為介電性薄膜之用途,超過所述上限時,用作單層時膜厚會過厚,因此有時不可適用於要求薄型化之觸摸面板等用途。
再者,本發明之高介電性薄膜係實質上沒有凹凸之平坦薄膜,因此不僅是單層,在重疊多個薄膜層形成厚度均勻之介電性薄膜層時,具有不易因薄膜間之凹凸產生氣泡捲入、變形以及缺陷的優點。即,本發明之高介電性薄膜具有50至1000μm之厚度,但能夠將多個薄膜重疊
形成超過1000μm之介電性薄膜層,用於形成各種換能器中使用之大容量之介電層的目的。構成由該薄膜層構成之介電層的介電性薄膜包含於本申請發明之範圍內。
本發明之高介電性薄膜優選具有固定大小(面積),優選薄膜寬度為30mm以上且薄膜面積為900mm2以上。此種薄膜例如為30mm見方以上之介電性薄膜,尤其優選薄膜寬度為50mm以上且長度為50mm以上之介電性薄膜。本發明之高介電性薄膜係實質上沒有凹凸之平坦薄膜,可以具有於剝離層上均勻塗佈作為原料之固化性組合物並使其固化之構造,因此長度方向上,只要長度能夠捲取至滾筒上,即可在使用時不受限制。此外,該高介電性薄膜當然亦可切斷為所期望之大小、形狀。
本發明之高介電性薄膜係含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物,不摻合著色劑或粒徑較大之填充料等時,實質上為透明。尤其是,本發明之高介電性薄膜能夠用作實質上透明之壓感黏合劑層。此處,實質上透明係指,形成厚度為50至1000μm之薄膜狀固化物時,目視為透明,空氣之值為100%時,波長為450nm之透光率大致為80%以上。
本發明之高介電性薄膜係含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物,1kHz、25℃時之介電常數為4以上,優選為5以上,更優選為6以上。藉由使用下述至少含有矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為三氟丙基等特定氟烷基的含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物之固化物,能夠比較容易地設計介電常數為6或7之高介電性薄膜。
將本發明之高介電性薄膜用作觸摸面板等電子材料、顯示裝置用電子構件、尤其是傳感器等換能器材料之用途時,優選23℃時之剪切儲能模量為103至105Pa之範圍內,更優選為1.0×103至5.0×104Pa之範圍內。
作為其他機械物性,按照本申請之實施例等中記載之方法定義之壓縮殘餘應變(%)優選為小於10%,更優選為小於5%,尤其優選為4%以下。再者,本發明之高介電性薄膜中,亦可設計壓縮殘餘應變(%)小於3%之材料。
同樣地,本發明之高介電性薄膜中,按照本申請之實施例等中記載之方法定義之壓縮率(%)優選為15%以上,更優選為18%以上,尤其優選為20%以上。
將本發明之高介電性薄膜用作壓感黏合劑或壓感黏合層時,於23℃、濕度50%之環境中以速度300mm/min、180度之角度拉拔在厚度為100μm之高介電性薄膜之兩面貼合有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材(厚度為50μm)之試驗片時,其黏著力優選為5N/m以上,更優選為10N/m以上。再者,於實用方面,能夠基於各種處理對於黏合本發明之高介電性薄膜之基材自身賦予黏著力時,當然能夠使用沒有黏著力之高介電性薄膜。
本發明之高介電性薄膜由含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物
構成,係實質上沒有凹凸之平坦薄膜。此種平坦之高介電性薄膜可藉由於基材上薄薄地形成由含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物構成之底層,並在該底層上形成由含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物構成之平坦化層的構造來實現。此外,還可藉由利用在將固化性有機聚矽氧烷組合物夾入具有剝離層之間隔件間之狀態下使其固化來形成平坦化層的構造來實現。並且,此種平坦之高介電性薄膜可藉由將固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈成薄膜狀,並於軋製加工後利用加熱等固化成薄膜狀之方法來實現。再者,可將使用底層及平坦化層獲得之由含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物構成之薄膜進一步實施軋製加工,亦可將於設有剝離層之間隔件間實施過塗佈或固化之薄膜進一步實施軋製加工。以下,說明該等構造及製造方法。
本發明之高介電性薄膜可藉由至少具有以下製程之高介電性薄膜之製造方法來獲得,即:將下述至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物進行塗佈並固化,使得固化後之厚度為40μm以下,獲得底層之製程;以及於此製程之後,在該底層上塗佈並固化至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,使得固化後之整個高介電性薄膜之薄膜中央之厚度為50至1000μm,獲得平坦化層之製程。由含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物構成之較薄之底層能夠不損害高介電性薄膜之整體特性地將固化性有機聚矽氧烷組合物均勻地塗佈至該底層上,並且與無底層地將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上時不同,能夠形成實質上表面沒有凹凸之平坦化層。再者,藉由在將上述固化性有機聚矽氧烷組合物夾入具有剝
離層之間隔件間的狀態下固化成特定膜厚來形成平坦化層時,不一定要具有獲得底層之製程。
本發明所涉及之高介電性薄膜可藉由將下述至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至薄膜狀基材、帶狀基材、或片狀基材(以下稱為「薄膜狀基材」)上後,於規定之溫度條件下進行加熱來使其固化,從而形成至所述基材之表面。將本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成之固化層、尤其是薄膜狀介電層適合構築及用於層疊觸摸屏或者平板顯示器。
所述基材尤其是具有剝離面之平面狀基材,優選將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至剝離面上。此種基材可作為間隔件發揮功能,因此層疊至基材上之本發明之高介電性薄膜能夠僅需較小的力從剝離層上順利拉開,並附著或黏合至作為目的之電子設備等上,因此具有操作作業性優異之優點。
具有上述底層及平坦化層之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物具有僅需控制塗佈量即可以所期望之厚度設計實質上沒有凹凸之平坦的高介電性薄膜之優點,並且具有即使不實施下述軋製加工,亦能夠直接高效率地生產具有所期望之薄膜寬度及長度之高介電性薄膜的優點。
固化後構成底層之固化性有機聚矽氧烷組合物與固化後構成平坦化層之固化性有機聚矽氧烷組合物可以相同亦可不同,但考慮到生產效率之觀點,優選使用實質上組成相同之至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物。但是,作為用於底層之固化性有機聚矽氧烷組合物,可選擇固化後之厚度為40μm且至基材之均勻塗佈性優異
之組成,作為構成平坦化層之固化性有機聚矽氧烷,可選擇組成或聚合物構造不同之至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,根據底層之組成設計及平坦化層之組成設計,可形成本發明之更優選之實施方式。
作為基材之種類,可例示板紙、瓦楞紙、白土塗佈紙、聚烯烴層壓紙、尤其是聚乙烯層壓紙、合成樹脂薄膜/板、天然纖維布、合成纖維布、人工皮革布以及金屬箔。尤其優選合成樹脂薄膜/板,作為合成樹脂,可例示聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及尼龍。尤其是要求耐熱性時,優選聚醯亞胺、聚醚酮醚、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、液晶聚芳酯、聚醯胺醯亞胺以及聚醚碸等耐熱性合成樹脂之薄膜。另一方面,顯示設備等要求可識別性之用途時,優選透明基材、具體而言聚丙烯、聚苯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及PEN等透明材料。
上述基材優選為薄膜狀或片狀。其厚度並無特別限制,通常為5至300μm左右。並且,為了改善支撐薄膜與壓感黏合層之黏著性,亦可使用經過底漆處理、電暈處理、蝕刻處理以及電漿處理之支撐薄膜。此外,薄膜狀基材之與壓感黏合層面之相反面上,亦可實施表面處理,例如防劃傷、防污垢、防附著指紋、防眩、防反射以及防靜電等處理等。
作為將底層或平坦化層塗佈至基材上之塗佈方法,無特別限制,可使用凹版印刷塗裝、膠印塗佈、凹版膠印、使用膠印轉移輥塗佈等之輥塗佈、逆輥塗佈、氣刀塗佈、使用幕流塗佈等之簾式塗佈、逗號刮刀塗佈、邁耶棒塗佈以及其他眾所周知之以形成固化層為目的之方法。
本發明之高介電性薄膜為壓感黏合劑層、尤其是實質上透明之壓感黏合劑薄膜時,該固化層優選作為以可剝離之狀態黏著至具備具有剝離塗佈能之剝離層之薄膜基材上的層疊體薄膜,進行處理。
本發明之高介電性薄膜亦可藉由將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上後,於固化反應前或固化反應後實施軋製加工來獲得。軋製加工亦能夠對固化或半固化狀態之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物或者含氟烷基之有機聚矽氧烷半固化物實施,但優選於對未固化之固化性有機聚矽氧烷組合物實施軋製加工後,利用加熱等使其固化,獲得平坦且均勻之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物。此外,尤其優選於實施軋製加工時,在下述具有剝離層之間隔件間塗佈未固化之固化性有機聚矽氧烷組合物,並對整個層疊體實施軋製加工,然後利用加熱等使其固化,獲得平坦且均勻之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物。
將固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上的量並無特別限制,但固化後之薄膜之厚度必須為50μm以上,其為可進行軋製加工之厚度。
軋製加工可採用將固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上,並利用滾筒軋製等眾所周知之軋製方法進行加工。再者,亦可根據需要將固化或半固化狀態之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物或者含氟烷基之有機聚矽氧烷半固化物成型為大致片狀後,實施軋製加工。軋製加工後之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜的薄膜中央之厚度必須為
50至1000μm之範圍內。滾筒軋製時,具有藉由調整滾筒間之間隙,能夠設計具有所期望之厚度之高介電性薄膜之優點。
如上所述,軋製加工優選將固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上並於未固化之狀態下實施加工。具體而言,能夠適當地將作為原料之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至具備剝離層之片狀基材上,並利用滾筒軋製等實施軋製加工,然後利用加熱等使實現平坦化之固化性有機聚矽氧烷組合物進行固化,獲得本發明之高介電性薄膜。
將軋製加工前之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材之塗佈方法、基材等與上述相同,亦可以對於所述具有底層及平坦化層之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物,實施滾筒軋製等軋製加工。
如上所述,利用通常之方法將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至具有剝離層之基材上時,尤其是固化後之薄膜之厚度為50μm以上時,只要不使用底層,則塗佈面容易形成具有較大凹陷之不均勻表面。然而,藉由對塗佈面適用具有剝離層之基材,並利用各基材(間隔件)夾入未固化之塗佈面,形成物理上實現均勻化之平坦化層,能夠獲得實現平坦化之高介電性薄膜。使用該方法時,無需使用上述底層即能夠獲得實現平坦化之高介電性薄膜。再者,形成上述平坦化層時,優選使用所述滾筒軋製等眾所周知之軋製方法,對將未固化之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈於具有剝離層之間隔件間而成之層疊體實施軋製加工。
本發明之高介電性薄膜係含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物,優選為使至少含有矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為以(CpF2p+1)-R-(R為碳原子數1至10之亞烷基,p為1至8之範圍內之數)表示之氟烷基的含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成者。更好的是,本發明之高介電性薄膜優選使含有以下(A)成分至(C)成分以及任意之(D)成分之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而獲得者,以下說明各成分。
其為含有以下(A)成分至(C)成分以及任意之(D)溶劑而成者,首先說明各成分。
[(A)成分]
(A)成分係固化性組合物之主劑,其為分子中至少具有2個碳原子數2至12之烯基,矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為以(CpF2p+1)-R-(R為碳原子數1至10之亞烷基,p為1以上8以下之整數)表示之氟烷基,平均聚合度為1000以下之含氟烷基之有機聚矽氧烷。
(A)成分具有固定量以上之氟烷基,並且分子中至少具有2個烯基,因此藉由與(B)成分之附加反應(氫化矽烷化反應)進行交聯,可獲得成型性、反應控制性以及透明性優異且介電常數較高之固化物。其構造並無特別限制,可以是直鏈狀、支鏈狀、環狀或者需要R3SiO3/2單元(3官能性甲矽烷氧基單元)或SiO2單元(4官能性甲矽烷氧基單元)之樹脂狀有機聚矽氧烷。並且,亦可為1種或2種以上分子結構或平均聚合度不同之有機聚矽氧烷之混合物。然而,用作介電層時,實現高壓縮率及良好之恢復特性且要求低黏著力時,優選不具有所述3官能性甲矽烷氧基單元
或4官能性甲矽烷氧基單元。(A)成分尤其優選為直鏈狀之含氟烷基之有機聚矽氧烷。
(A)成分係該矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上、優選為20莫耳%以上、更優選為40莫耳%以上為以(CpF2p+1)-R-(R為碳原子數1至10之亞烷基,p為1以上8以下之整數)表示之氟烷基。氟烷基之含量小於所述下限時,將固化性有機聚矽氧烷組合物固化後獲得之固化物之介電常數會降低,因此並非優選。再者,以(CpF2p+1)-R-表示之氟烷基中氟原子之含量高、即p之值較大,例如p4,並且R即亞烷基之碳原子數少時,即使所述氟烷基之含量為接近上述範圍之下限的值,亦能夠獲得本發明之技術性效果。(A)成分中之氟原子之含有率尤其優選為10質量%以上。再者,作為氟烷基選擇三氟丙基時,(A)成分中之矽原子上之所有取代基之40莫耳%以上、尤其是50莫耳%以上係本發明之最優選之方式。
以(CpF2p+1)-R-表示之氟烷基係本發明之(A)成分中所需之官能基,並且是(B)成分中優選之官能基。所涉及之氟烷基可獲得介電常數優異之固化物,並且由於各成分具有氟原子,所以能夠改善各成分之相溶性,獲得透明性優異之固化物。作為此種氟烷基之具體例,可列舉三氟丙基、五氟丁基、七氟戊基、九氟己基、十一氟庚基、十三氟辛基、十五氟壬基以及十七氟癸基。其中,考慮到介電特性、經濟性、製造容易性、獲得之固化性有機聚矽氧烷組合物之成型加工性之觀點,優選為p=1之基團、即三氟丙基。
(A)成分於分子中至少具有2個碳原子數2至12之烯基。作為碳原子數2至12之烯基,考慮到經濟性、反應性之觀點,優選使用
乙烯基、丙烯基、己烯基以及辛烯基,更優選使用乙烯基以及己烯基。(A)成分中之其他矽原子鍵合官能基並無特別限制,可列舉碳原子數1至12之烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數7至20之芳烷基、羥基或者碳原子數1至6之烷氧基。作為碳原子數1至12之烷基,考慮到經濟性、耐熱性,優選為甲基。作為碳原子數6至20之芳基,考慮到經濟性之觀點,優選為苯基、甲基苯基(甲苯基)以及萘基。作為碳原子數7至20之芳烷基,優選使用苄基、苯乙基。並且,作為碳原子數1至6之烷氧基,優選為甲氧基、乙氧基以及正丙氧基。再者,(A)成分中之矽原子上之所有取代基之固定量以上係所述氟烷基,其係分子中具有2以上碳原子數2至12之烯基者,其他矽原子鍵合官能基優選為甲基、苯基或羥基,尤其優選為選自甲基及苯基。
(A)成分優選為具有以下述結構式(I)表示之固定量以上之氟烷基,且至少具有2個烯基之1種以上之直鏈狀有機聚矽氧烷。使用所涉及之(A)成分獲得之固化物之黏著力低、壓縮率高,並且恢復特性良好。並且,例如即使於0℃以下之低溫下,上述物性亦變化較少,因此用作觸摸面板等顯示設備之介電層時,可實現即使於低壓力下,壓力響應性亦優異,並且於較大之溫度範圍內穩定之高傳感器靈敏度。
結構式:R1R2 2Si(OSiR1R2)e1(OSiR2 2)e2OSiR1R2 2 (I)
式中,以R1表示之取代基相同或獨立地表示所述氟烷基或碳原子數2至12之烯基,該等之具體例與上述相同。此外,以R2表示之
取代基相同或獨立地表示碳原子數1至12之烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數7至20之芳烷基、羥基或者碳原子數1至6之烷氧基,並且所有R1中至少2個為碳原子數2至12之烯基。優選(A)成分中之碳原子數2至12之烯基之含量為0.01至1.00質量%,亦可為0.02至0.25質量%,所述氟烷基以及碳原子數2至12之烯基以外之基團優選為甲基、苯基或羥基,尤其優選為甲基或苯基。
並且,所有矽原子上之所有取代基(R1以及R2)之10莫耳%以上、優選20莫耳%以上、更優選40莫耳%以上為所述氟烷基,優選為三氟丙基。氟烷基之含量小於所述下限時,將固化性有機聚矽氧烷組合物固化後獲得之固化物之介電常數會降低,因此並非優選。
式中,e1及e2之值為(A)成分中各矽氧烷單元之平均聚合度,e1為正數,e2為0或正數,並且滿足5<e1+e2+2<500。再者,該等值係平均聚合度,(A)成分係由2種以上成分構成之混合物時,作為整個混合物,(A)成分之平均聚合度e1+e2+2為上述範圍內。(A)成分即有機聚矽氧烷之聚合度可取決於使用29Si NMR之峰值強度之積分比,平均聚合度之優選範圍與上述相同。
本發明之(A)成分亦可以為滿足所述要件之1種有機聚矽氧烷,此外亦可以為至少2種有機聚矽氧烷之混合物。至少2種有機聚矽氧烷時,該混合物之平均聚合度為所述範圍即可,各有機聚矽氧烷更優選為分子中具有2個以上碳原子數2至12之烯基,並且矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為所述氟烷基之有機聚矽氧烷。
本發明之(A)成分中,所述氟烷基係可在側鏈亦可在分子鏈
末端,尤其優選以下述結構式(II)表示之於分子鏈兩末端具有碳原子數2至12之烯基之含氟烷基之有機聚矽氧烷共聚物。
結構式:RViR2 2Si(OSiR2R3)e1′(OSiR2 2)e2′OSiRViR2 2 (II)
式中,RVi為碳原子數2至12之烯基,可例示與上述相同之基團。
R2為與上述相同之基團,R3為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基,例示與上述相同之基團。並且,上述結構中,e1′及e2′係滿足5<e1′+e2′+2<500之數,(e1′)/(e1′+e2′)之值為0.5至1.0之範圍內。再者,上述範圍中,所有RVi、R2以及R3中10莫耳%以上係所述氟烷基(R3)之條件會自動滿足。即,由於e1′+e2′+2>5並且(e1′)/(e1′+e2′)為0.5以上,所以e1′+e2′大於3,並且由於e1′為e2′以上之值,所以[R3]=e1’/(2×e1’+2×e2’+6)×100莫耳%之值大於1.5/12×100=12.50莫耳%。
RVi優選為乙烯基或己烯基,R2優選為甲基、苯基或羥基,所述氟烷基優選為三氟丙基。
式中,(e1′)/(e1′+e2′)為0.5以上表示構成共聚物之具有以OSiR2R3表示之氟烷基的二矽氧烷單元之數為不具有氟烷基之二矽氧烷單元之數以上。(e1′)/(e1′+e2′)之值優選為0.6至1.0之範圍內,更優選為0.65至1.0之範圍內。尤其優選e2′為0,上述值為1.0。再者,(A)成分即有機聚矽氧烷之聚合度可取決於使用29Si NMR之峰值強度之積分比,平均聚合度之優選範圍與上述相同。
作為本發明之(A)成分之具體例,可列舉兩末端三甲基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷基-聚甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚二甲基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基苯基矽烷基-聚甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基苯基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚二甲基甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基乙烯基甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚二甲基甲基乙烯基甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物以及兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚甲基三氟丙基矽氧烷等。最優選為兩末端二甲基乙烯基矽烷基-聚二甲基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物。
相對於(A)成分至(C)成分之和(將整體設為100質量%),本發明之(A)成分之用量為20至99質量%,優選為30至80質量%,更優選為40至70質量%。其原因在於,上述範圍之上限以下時,將本組合物固化而成之固化物之力學強度充分高,另一方面,上述範圍之下限以上時,該固化物可適當地作為低黏著性之彈性凝膠層發揮功能。
[(B)成分]
(B)成分係本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物之交聯劑,其為分子中至少具有2個矽鍵合氫原子之有機氫聚矽氧烷。該有機氫聚矽氧烷可具有氟原子亦可不具有氟原子,但優選具有含氟基團之有機氫聚矽氧烷。
(B)成分即有機氫聚矽氧烷之分子結構並無特別限定,可以是直鏈狀、環狀、樹脂狀以及具有部分分支之直鏈狀中之任一者,亦可以是具有T單元(即YSiO3/2,Y為矽原子鍵合氫原子、一價有機基(包含含有氟原子之有機基)、羥基或烷氧基)或Q單元(即SiO4/2)者。此外,黏度並無特別限定,但考慮到操作之容易性,依據JIS K7117-1使用B型黏度計進行測定時,25℃時之黏度優選為1至100,000mPa‧s之範圍內。考慮到與(A)成分之混合容易性之觀點,優選常溫下為液狀,尤其優選矽原子數2至300之有機氫聚矽氧烷。
具有矽鍵合氫原子之矽氧烷單元並無限制,可以是(R2HSiO1/2)單元、(RHSiO2/2)單元以及(HSiO3/2)單元中之任一單元,但分子中必須至少具有2個矽鍵合氫原子。此處,R為可用於有機聚矽氧烷(A)之相同或不同之碳原子數1至12之烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數7至20之芳烷基、羥基、碳原子數1至6之烷氧基以及以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基。
考慮到與(A)成分之親和性以及改善固化本發明之固化性組合物而獲得之固化物之介電常數之觀點,(B)成分即有機氫聚矽氧烷之分子中具有含氟基團,優選具有所述氟烷基,尤其優選具有三氟丙基。氟烷基之含量並無特別限定,但1分子中可優選具有所有有機基中5至75莫耳
%、更優選5至70莫耳%、尤其10至60莫耳%之含有氟原子之有機基。
作為優選之(B)成分,可列舉由M單元(即R6 3SiO1/2)及T單元(R6SiO3/2)構成之樹脂狀有機聚矽氧烷、由M單元及D單元(R6 2SiO2/2)構成之線狀有機聚矽氧烷以及由M單元、D單元以及T單元或者Q單元構成之樹脂狀有機聚矽氧烷。作為由M單元及T單元構成之有機聚矽氧烷,例如可列舉M單元之R6之部分或全部為氫原子且T單元之R6之部分或全部為含有氟原子之有機基、例如具有3,3,3-三氟丙基者。作為由M單元及D單元構成之有機聚矽氧烷,例如可列舉M單元之R6之至少一部分為氫原子且D單元之R6之部分或全部為所述氟烷基,尤其是具有3,3,3-三氟丙基者。作為由M單元、D單元以及T單元構成之有機聚矽氧烷,可列舉M單元之R6之部分或全部為氫原子,D單元及T單元之R1之部分或全部為所述氟烷基,例如3,3,3-三氟丙基者。
作為具體例,可列舉兩末端三甲基矽烷基-聚二甲基甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷基-聚甲基氫矽氧烷、兩末端三甲基矽烷基-聚二甲基甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷基-聚甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基矽氧烷、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚甲基三氟丙基矽氧烷、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基氫矽氧烷、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲
基矽烷基-聚二甲基甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基苯基矽烷基-聚甲基氫矽氧烷、兩末端二甲基苯基矽烷基-聚甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基苯基矽烷基-聚二甲基甲基氫甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基甲基苯基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚二甲基甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫甲矽烷基-聚甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基氫甲基苯基矽氧烷共聚物、兩末端羥基二甲基矽烷基-聚甲基氫甲基苯基甲基三氟丙基矽氧烷共聚物、兩末端二甲基三氟丙基甲矽烷基-聚二甲基甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端二甲基三氟丙基甲矽烷基-聚甲基氫矽氧烷、二甲基甲基氫環聚矽氧烷、甲基氫環聚矽氧烷、甲基氫甲基三氟丙基環聚矽氧烷、二甲基甲基氫甲基三氟丙基環聚矽氧烷、甲基苯基甲基氫甲基三氟丙基環聚矽氧烷、1,1,3,5,5-五甲基-3-三氟丙基三矽氧烷、三(二甲基甲矽烷氧基甲矽烷基)三氟丙基矽烷、由(Me3SiO1/2)單元、(Me2HSiO1/2)單元及(SiO4/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元及(SiO4/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me3SiO1/2)單元、(Me2HSiO1/2)單元以及(TfpSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元及(TfpSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me3SiO1/2)單元、(MeHSiO2/2)單元以及(TfpSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元、(MeHSiO2/2)單元以及(TfpSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元、(TfpSiO3/2)單元以及(MeSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元、(TfpSiO3/2)單元以及(PhSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷、由(Me2HSiO1/2)單元及(PhSiO3/2)單元構成之聚矽氧烷以及由(Me2HSiO1/2)單元、(TfpSiO3/2)單元以及(SiO4/2)單元構成之聚矽
氧烷等。該等可單獨使用1種,亦可為至少2種有機聚矽氧烷之混合物。此處,Me表示甲基,Ph表示苯基,Tfp表示三氟丙基。
本發明中,(B)成分優選為具有直鏈狀或T單元之有機氫聚矽氧烷,尤其可列舉以下述平均單元式(III)或(IV)表示之有機氫聚矽氧烷。
R2 3Si(OSiR4R2)f1(OSiR2 2)f2OSiR2 3 (III) (HR2 2SiO1/2)f3(R5SiO3/2)f4 (IV)
式(III)中、R4為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基或矽原子鍵合氫原子,作為氟烷基例示與上述相同之基團,優選為三氟丙基。R2為與上述相同之基團、甲基、苯基或羥基。此外,式(III)中,所有R4中至少2個為矽原子鍵合氫原子,f1及f2為0或正數,且滿足5<f1+f2<148。更優選R2為甲基,f1為10<f1+f2<100之範圍內之數,所有R4中至少5莫耳%以上為所述氟烷基,剩餘之R4優選為矽原子鍵合氫原子。
式(IV)中,R5為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基,R2為與上述相同之基團,並且f3及f4為正數,並且f3+f4為以式(IV)表示之有機氫聚矽氧烷之重均分子量為400至10000之範圍內之數。
本發明之(B)成分能夠藉由眾所周知之製造方法來製造,例如將具有含有或不含有氟原子之有機基及/或反應性官能基之烷氧基矽烷類、氯矽烷類或矽氧烷類於酸或鹼化合物、或者該兩者之存在下或者不存在之狀態下,進行至少含有水解及縮合反應之反應或含有開環聚合之反應
之方法。尤其是具有氟烷基之(B)成分可藉由將具有氟烷基之烷氧基矽烷類用作原料之至少含有水解及縮合反應的方法或含有開環聚合反應之方法來製成。
相對於(A)成分中之烯基之總量1莫耳,本發明之組合物中(B)成分之用量係本成分中矽原子鍵合氫原子為0.1至3.0莫耳之量。此外,尤其是(A)成分本質上為直鏈狀時,相對於(A)成分中烯基之總量1莫耳,優選本成分中矽原子鍵合氫原子為0.1至1.0莫耳之量。(B)成分之用量小於上述下限時,有時本組合物之固化會變得不充分。另一方面,(B)成分之用量超過上述上限時,使本發明之組合物固化時有時無法獲得彈性凝膠,並且有時無法獲得黏著力低、壓縮率高且恢復特性良好之凝膠狀固化物或彈性體狀固化物。相對於本質上為直鏈狀之(A)成分中烯基之總量1莫耳,(B)成分之用量係本成分中矽原子鍵合氫原子為0.2至0.80莫耳、更優選為0.25至0.75莫耳、尤其優選為0.35至0.75莫耳之量。
[(C)成分]
(C)成分即氫化矽烷化反應用觸媒只要能夠促進氫化矽烷化反應即可,並無特別限定。作為氫化矽烷化反應觸媒,目前已知有多種金屬及化合物,可從該等中適當選擇後用於本發明。作為氫化矽烷化反應觸媒之例,具體而言,可例示鉑類觸媒、鈀類觸媒以及銠類觸媒,優選為鉑類觸媒。作為該鉑類觸媒,可例示氯鉑酸、氯鉑酸之酒精溶液、鉑之羰基絡合物、鉑之烯基矽氧烷絡合物以及鉑之烯烴絡合物,考慮到與(A)成分之相溶性良好之觀點,尤其優選鉑之烯基矽氧烷絡合物。該鉑之烯基矽氧烷絡合物中,作為烯基矽氧烷,例如可列舉1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、
1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷。再者,作為促進氫化矽烷化反應之觸媒,可使用鐵、釕、鐵/鈷等非鉑類金屬觸媒。
氫化矽烷化反應用觸媒之用量係有效量,只要是可促進本發明之固化性有機聚矽氧烷組合物之固化之量即可,並無特別限定。具體而言,相對於(A)成分至(C)成分之和(將整體設為100質量%),按照質量單元該觸媒中金屬原子在0.01至1,000ppm,優選為(C)成分中鉑金屬原子為0.1至500ppm之範圍內之量。其原因在於,(C)成分之含量小於上述範圍之下限時,固化可能會不充分,超過上述範圍之上限時,除了不利於節約成本以外,還可能會對可獲得之固化物之著色等、透明性造成不良影響。
本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物能夠直接供至固化反應,但另一方面,該組合物為固狀時和黏稠液狀時,為了改善其混和性及操作性,亦可根據需要使用有機溶劑。尤其是將本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈成薄膜狀時,優選使用溶劑調整黏度,使整體黏度於100至50,000mPa‧s之範圍內,使用溶劑進行稀釋時,相對於上述(A)成分至(C)成分之和(100質量份),可於0至2000質量份之範圍內使用溶劑。即,本發明組合物中,(D)溶劑可以為0質量份,因此優選。尤其是,本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物選擇有低聚合度之聚合物,因此可設計為無溶劑,因此具有固化後獲得之薄膜中不會殘留氟類溶劑、有機溶劑等,能夠解決環境污染之問題並消除溶劑對電子設備之影響的優點。
作為此處使用之有機溶劑,只要是可使組合物中所有構成成分或部分構成成分溶解之化合物即可,其種類並無特別限定,優選沸點為80℃以上且小於200℃者。例如,可列舉i-丙醇、t-丁醇、環己醇、環己酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯、均三甲基苯、1,4-二噁烷、二丁醚、苯甲醚、4-甲基苯甲醚、乙苯、乙氧基苯、乙二醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、2-甲氧基乙醇(乙二醇單甲醚)、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇單甲醚、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、1-乙氧基-2-丙基乙酸酯、八甲基環四矽氧烷、以及六甲基二矽氧烷等無鹵類溶劑、三氟甲基苯、1,2-雙(三氟甲基)苯、1,3-雙(三氟甲基)苯、1,4-雙(三氟甲基)苯、三氟甲基氯苯、三氟甲基氟苯、氫氟醚等鹵素類溶劑。該等有機溶劑可單獨使用,亦可混合兩種以上使用。固化性組合物中含氟烷基之量越高,則越必要提高上述鹵素類溶劑之使用比率。
將所述(A)成分至(C)成分之和設為100質量份時,此處使用之有機溶劑之量優選為0至2,000質量份之範圍,更優選5至500質量份,尤其優選10至300質量份。再者,相應本發明之高介電性薄膜之用途,有機溶劑之量優選為實質上0質量份即無溶劑。
本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物於25℃時之黏度並無特別限定,優選為100至100,000mPa‧s之範圍內,更優選為300至10,000mPa‧s,尤其優選為1,000至8,000mPa‧s之範圍內。出於設定至優選之黏度範圍之目的,亦可調整上述有機溶劑之用量。
本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物中,除了上述成分以外,只要不損害本發明之目的,亦可相應需要添加摻
合其他成分。作為其他成分,可例示氫化矽烷化反應抑制劑、脫模劑、絕緣性添加劑、黏著性改良劑、耐熱性改良劑、充填劑以及顏料等以往眾所周知之各種添加劑。例如,出於調整整體之黏度、改善介電性等功能性改善之目的,亦可摻合無機充填劑。
氫化矽烷化反應抑制劑係為抑制(A)成分與(B)成分之間產生之交聯反應,延長常溫下之可使用時間,並改善保存穩定性而摻合者。因此,對於本發明之固化性組合物而言,其係實用上必然會摻合之成分。
作為氫化矽烷化反應抑制劑,可例示乙炔類化合物、烯炔化合物、有機氮化合物、有機磷化合物以及肟化合物。具體而言,可例示3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、1-乙炔-1-環己醇、苯基丁醇等炔醇;3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-1-己炔-3-炔等烯炔化合物;1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷等甲基烯基環矽氧烷;以及苯幷***。
氫化矽烷化反應抑制劑之摻合量係對於延長本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物於常溫下之可使用時間並改善保存穩定性有效之量。通常,每成分(A)100質量%,摻合量為0.001至5質量%之範圍內,優選為0.01至2質量%之範圍內,可相應本成分之種類、鉑類觸媒之性能及含量、(A)成分中之烯基量、(B)成分中之矽原子鍵合氫原子量等,適當選擇。
將本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化成薄膜狀而獲得之薄膜狀或片狀固化物係能夠適用於構成換能器之電活性膜(介電層或電極層)者,若形成薄膜時固化層之脫模性差,則尤其
在高速製造介電性薄膜時,可能會因脫模而使介電性薄膜發生破損。此外,作為用於觸摸面板等之介電層,為改善低壓下之靈敏度,有時會要求降低黏著性。本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物能夠於不對薄膜造成損傷之情況下改善薄膜之製造速度,並且藉由添加其他脫模劑,有時能夠進一步降低黏著性。
作為可適用於本發明所涉及之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物之改善脫模性之添加劑(=脫模劑),例如可列舉羧酸類脫模劑、酯類脫模劑、醚類脫模劑、酮類脫模劑以及醇類脫模劑等。該等可單獨使用1種,亦可組合2種以上使用。此外,作為所述脫模劑,可使用不含矽原子者、含有矽原子者或者該等之混合物。該等之具體例與專利文獻1(國際專利公開2014-105959號公報)相同。
絕緣破壞特性改良劑優選為電絕緣性改良劑,可選自由鋁或鎂之氫氧化物或者鹽、黏土礦物以及該等之混合物、具體而言,矽酸鋁、硫酸鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、煅燒黏土、蒙脫石、水滑石、滑石以及該等之混合物所組成之組。此外,該絕緣性改良劑可採用眾所周知之表面處理方法進行處理。該等之具體例與專利文獻1(國際專利公開2014-105959號公報)相同。
黏著性改良劑係用來改善本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物於固化中對所接觸之基材之黏著性者。不再剝離該組合物之固化物即介電層時,其為有效之添加劑。作為黏著性改良劑,可例示乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等有機
官能性烷氧基矽烷化合物、其矽氧烷衍生物、尤其是利用含氟有機基取代之鏈狀或三維樹脂狀之矽氧烷衍生物。再者,對於本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物要求低黏著性時,優選不添加黏著性改良劑。
作為其他任意成分,於不損壞本發明之技術效果之範圍內,可例示苯酚類、醌類、胺類、磷類、亞磷酸類、硫類、硫醚類等抗氧化劑;***類、二苯甲酮類等光穩定劑;磷酸酯類、鹵素類、磷類、銻類等阻燃劑;由陽離子類表面活性劑、陰離子類表面活性劑、非離子類表面活性劑等構成之1種以上之防靜電劑;以及染料、顏料等。
本發明所涉及之組合物中,可根據期望使用或不使用充填劑。使用充填劑時,可使用無機充填劑及有機充填劑中之任一種或同時使用兩者。使用之充填劑之種類並無特別限定,例如可列舉高介電性充填劑、導電性充填劑、絕緣性充填劑以及增強充填劑,可將該等使用1種以上。尤其是本發明之組合物中,可於不損害其透明性、塗佈性以及使用作業性之範圍內,以調整黏度或賦予功能性為目的,含有選自由高介電性充填劑、導電性充填劑、絕緣性充填劑以及增強充填劑組成之組中1種以上之充填劑。充填劑之部分或全部亦可藉由1種以上之表面處理劑實施表面處理。
充填劑可以是1種或2種以上,其形狀並無特步限定,能夠使用微粒狀、板狀、針狀、纖維狀等任意形狀者。填充料之形狀為微粒時,填充料之粒徑並無特別限定,例如利用鐳射繞射法測定時,其體積平均粒徑可為例如0.001至500μm之範圍內。此外,根據填充料之使用目的,填充料之體積平均子粒徑可為300μm以下、200μm以下、100μm以
下、10μm以下、或者0.01μm以上、0.1μm以上、1μm以上。填充料之形狀為板狀、針狀、纖維狀等各向異性時,填充料之縱橫比可為1.5以上、5以上或10以上。使用體積平均粒徑為0.01μm以下且最大微粒之粒徑為0.02μm以下之微粒時,可製造實質上透明性高之固化物,尤其是介電層薄膜。
本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物可藉由將上述(A)成分至(C)成分均勻混合,並根據需要添加其他任意成分後,進行均勻混合來調製。雖然可使用各種攪拌機或混煉機於常溫下進行混合,但若為混合中不會固化之成分之組合,則亦可在加熱下進行混合。
若不會於混合中進行固化,則各成分之摻合順序並無特別限制。混合後不立即使用時,優選將(B)成分與(C)成分分為多個容器進行儲存,不可存放於同一容器內,並於即將使用前將所有容器內之成分進行混合。
本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物之固化反應通常可藉由將該組合物進行加熱或曝露於活性能量射線中來實現。利用熱實施固化反應之溫度並無特別限定,但優選為50℃以上200℃以下,更優選為60℃以上200℃以下,尤其優選為80℃以上180℃以下。此外,固化反應所用時間取決於上述(A)、(B)、(C)成分之構造,但通常為1秒以上3小時以下。一般可藉由於90至180℃之範圍內保持10秒至30分鐘來獲得固化物。
作為可用於固化反應之活性能量射線,可列舉紫外線、電子束以及放射線等,考慮到實用性之觀點,優選為紫外線。利用紫外線實
施固化反應時,優選添加對於使用之紫外線具有高活性之氫化矽烷化反應用觸媒,例如雙(2,4-戊二酮酸)鉑絡合物、(甲基環戊二烯基)三甲基鉑絡合物。作為紫外線光源,優選高壓汞燈、中壓汞燈、Xe-Hg燈以及深紫外線燈等,此時之照射量優選為100至8,000mJ/cm2。
本發明之固化物之特徵在於,其係將上述含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成。固化物之形狀並無特別限定,例如可列舉片狀、薄膜狀、帶狀。尤其是上述含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物之固化速度快且製造薄膜等成型品所需之加工性良好,能夠高效率地生產具有所期望之厚度、形狀之固化物。
上述固化物係黏著力小、彈性與黏性之平衡優異之凝膠或彈性體,由於其介電常數高、壓縮率高且恢復特性良好,所以將其用於基材間之中間層時具有明顯之物理特性,壓力響應性優異,並且可長時間維持其特性。
本發明之高介電性薄膜尤其可用作實質上透明之介電層。
將本發明之含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成之固化物作為電子材料、顯示裝置用構件或換能器用構件(包含傳感器、揚聲器、致動器以及發生器用)時係有用者,該高介電性薄膜之優選用途為電子部件或顯示裝置之構件。尤其是,透明之高介電性薄膜適合用作顯示面板或顯示器用構件,於可藉由指尖等接觸畫面來操作設備、尤其是電子設備之所謂觸摸面板用途,特別有用。
本發明之高介電性薄膜可用於層疊觸摸屏或平板顯示器之構築及利用,其具體使用方法可採用介電層或壓感黏合層之眾所周知之使用方法,並無特別限制。
例如,本發明之高介電性薄膜可作為日本特表2014-522436號或日本特表2013-512326等中公開之光學性透明之矽層,用於觸摸面板等顯示設備之製造。例如,本發明之高介電性薄膜可轉用於黏著性用途,並能夠用作日本特表2013-512326中記載之黏著層或黏著薄膜,並無特別限制。
作為一例,本發明所涉及之觸摸面板可以是含有於一面上形成有導電層之傳導性塑膠薄膜等基材以及附著於形成有該導電層之側或其相反側之面的本發明之高介電性薄膜之觸摸面板。該基材優選為片狀或薄膜狀基材,可例示樹脂薄膜或玻璃板。此外,所述傳導性塑膠薄膜可以是於一面上形成有ITO層之樹脂薄膜或玻璃板,尤其是聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。該等已公開於所述日本特表2013-512326等中。再者,考慮到本發明之高介電性薄膜之黏著性改善之觀點,尤其優選於該等基材上使用所述黏著性改良劑(矽氧烷衍生物等)進行底漆處理。此外,亦可藉由使高介電性薄膜表面活化來改善黏著性。此時,可對薄膜使用電漿處理、電暈放電處理等已知之表面處理方法。
此外,本發明之高介電性薄膜亦可用作觸摸面板等顯示設備之製造中使用之偏光片用黏合薄膜,亦可用作日本特開2013-065009號公報中記載之觸摸面板與顯示器模組間之貼合時使用之壓感黏合層。
作為本發明之高介電性薄膜之用途,除了上述公開內容以外,並無特別限制,本發明之高介電性薄膜可用於電視接收機、計算機用顯示器、便攜式信息終端用顯示器、監視用顯示器、錄影機、數碼相機、行動電話、便攜式資訊終端、汽車等儀錶盤用顯示器、各種設備/裝置/機器之儀錶盤用顯示器、自動售票機、自動存取款機等用來顯示文字、符號、畫像之各種平板顯示器(FPD)。作為裝置,可應用於CRT顯示器、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、LED顯示器、表面電解顯示器(SED)、場致發射型顯示器(FED)等顯示裝置或使用該等之觸摸面板。
以下列舉實施例說明本發明,但本發明並不限定於此。以下所示之實施例中,使用了下述化合物及基材薄膜。再者,表1及表2中,各成分之值表示各質量%。
‧成分(a1):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:228、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:182、二甲基矽氧烷單元數:46、氟烷基之含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為10,000mPa‧s。
‧成分(a2):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷聚合物(矽氧烷聚合度:182、氟烷基之含量:49莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為8,500mPa‧s。
‧成分(a3):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲
基-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:275、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:220、二甲基矽氧烷單元數:55、氟烷基之含量:40莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為15,200mPa‧s。
‧成分(a-T):三甲基矽氧烷單元(Mm)、乙烯基二甲基矽氧烷單元(MV)、二甲基矽氧烷單元(Dm)、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元(DF)、以及甲基矽氧烷單元(Tm)(相對於所述Mm單元1,分別為4.8、80、306以及5.7之莫耳比、氟烷基之含量:38莫耳%;Mm 1.0MV 4.8Dm 80DF 306Tm 5.7)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為12,300mPa‧s。
‧成分(B1):由二甲基氫甲矽烷氧基矽氧烷單元(MH)與3,3,3-三氟丙基矽氧烷單元(TF3Pr)構成之MH 13TF3Pr(Mw=1.11×103)。再者,成分(B1)之重均分子量係溶劑中使用四氫呋喃(THF),並利用GPC(凝膠滲透色譜儀)測定出的經聚苯乙烯換算之重均分子量。
‧成分(B2):兩末端二甲基氫甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:48、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:35、二甲基矽氧烷單元數:13、氟烷基之含量:34莫耳%)。
‧成分(C1):鉑-兩末端二甲基乙烯基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷絡合物(矽氧烷聚合度:3、鉑濃度約為0.5重量%)。
<氫化矽烷化反應抑制劑>
‧成分(D1):3-甲基-1-丁炔-3-醇
<薄膜基材>
將以下聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜用作基材。
‧基材(E1)PET:FSB6(Nippa公司製、厚度50μm)
‧基材(E2)PET:FSC6(Nippa公司製、厚度50μm)
‧基材(E3)PET:Biwakoto(Takarainc Corporation公司製、厚度50μm)
‧基材(E4)PET:MRV-50(三菱樹脂公司製、厚度50μm)
以下之實施例1-1至實施例1-4中,每1莫耳成分(a1)乙烯基,則成分(B1)之矽原子鍵合氫原子(Si-H)之用量約為0.7莫耳。實施例2中,每1莫耳成分(a2)乙烯基,則成分(B1)之矽原子鍵合氫原子(Si-H)之用量約為0.5莫耳。實施例4中,每1莫耳成分(a-T)乙烯基,則成分(B1)與(B2)之矽原子鍵合氫原子(Si-H)之用量約為1.0莫耳。
<介電常數之測定>
使用Wayne Kerr公司製LCR6530P,測定介電常數。測定時,使用於基材薄膜PET(JTEC公司製、FL50-3)上固化厚度約為1.5-2.0mm之薄膜狀之樣本。關於實施例1-1至實施例1-4及實施例2,以80度加熱15分鐘後,再以150度加熱15分鐘,使其固化。關於實施例3及實施例4,以110度加熱10分鐘,使其固化。
再者,於室溫、頻率1kHz時,實施例1-1至實施例1-4、實施例3及4中介電常數之值為6,實施例2中為7。
<透明性>
目視固化物薄片時,未發現任何模糊不清時,評估為「透明」。此次之所有實施例(1-1至1-4、3以及4)中,固化物全部為透明。
<壓縮性能之測定>
在PET基材(厚度50μm、Toray(株)製註冊商標Lumirror S10)
上,調節液狀材料之量並進行塗佈,使固化物之厚度約為300μm,然後以與上述相同之條件進行固化。然後,再將種類相同之PET基材(註冊商標Lumjrror S10)貼合至固化物上,將固化薄膜夾入PET薄膜間,製成樣本(以下稱為「薄膜樣本」)。使用質構儀TA.XT Plus(英弘精機株式會社製),於室溫下實施測定。以每秒0.17mm之速度降下平坦探針(直徑為6mm),到達最大壓縮力5N後,消除壓縮力。測定共計實施8次。依據初始薄膜樣本之厚度(T0)及壓縮後之厚度(T1),按照下式測定壓縮率。
壓縮率(%)={(T0-T1)/T0}×100
再以每秒0.17mm之速度將探針返回原來位置,然後測定薄膜樣本之厚度(T2),並將按照下式作為壓縮殘餘應變測定之結果示於表1及實施例3中。
壓縮殘餘應變(%)={(T0-T2)/T0}×100
<動態黏彈性測定>
動的黏彈性測定時,使用了Anton Paar公司製MCR302。以與上述相同之條件使本發明之固化性有機聚矽氧烷組合物固化。然後,製作厚度約為1.5mm、直徑為8mm之圓盤狀樣本,使用平行板法,自-80度或-70度開始以每分鐘3度之速度昇溫至150度,進行測定。此時,於頻率1Hz、變形0.2%之條件下,將23度時之剪切儲能模量示於表1及實施例3中。
<單面塗佈及固化>
實施例1-1至實施例1-4如下實施。使用自動塗佈機(TESTER產業公司製、PI-1210),將表1記載之液狀材料作為底層,塗佈至各種薄膜基材上,使固化物之厚度約為20μm。然後,藉由以130℃加熱5分鐘使其固化,並貼合基材薄膜FL2-01(Takarainc Corporation公司製、厚度為75μm)。使用膜厚計測定各底層之厚度。表1中顯示於各底層之任意5處以上測定之厚度之平均值。接著,剝離FL2-01,再塗佈表1記載之液狀之材料,使薄膜狀固化物之厚度約為280μm,然後以130℃固化5分鐘。最終薄膜狀固化物之厚度約為300μm。表1中分別顯示於所獲得之薄膜狀固化物之端部及中央部之任意5處以上測定之厚度之平均值。此外,根據下式計算端部與中央部之厚度差相對於中央部之厚度之比例(F%),並示於表1中。再者,可以認為該F%低時所獲得之薄膜狀固化物之厚度更均勻。
F%={(端部之厚度-中央部之厚度)/中央部之厚度}×100
關於實施例2以及4,除了以110℃固化10分鐘以外,以與實施例1-1相同之固化條件實施作業。
<單面塗佈及固化>
除了將表2記載之液狀材料直接塗佈至各種薄膜基材上,使固化物之厚度約為300μm以外,分別與對應之實施例同樣地實施作
業。表2顯示使用膜厚計分別測定所獲得之固化物之端部及中央部之厚度之值。此外,表2顯示端部與中央部之厚度差相對於中央部之厚度之比例(F%)。再者,關於比較例2,未使用底漆時,無法以上述厚度進行塗佈或使其固化。
使用含有所述成分(a3)99.43質量份、成分(B1)0.49質量份以及成分(C1)0.080質量份之固化性有機聚矽氧烷組合物。再者,該組合物中每1莫耳乙烯基之矽原子鍵合氫原子(Si-H)約為0.5莫耳之量。以與上述實施例2及4相同之條件實施作業,測定出之薄膜之壓縮率及壓縮殘餘應變分別為20%及0.6%。此外,按照與上述相同之條件測定出之剪切儲能模量為8.0×103Pa。再者,於室溫、頻率1kHz時,該固化物之介電常數之值為6。
藉由將上述液狀之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈並夾入厚度為50μm之聚醚碸樹脂薄膜之間,使其通過間隙調整至175μm之2根不銹鋼製滾筒,實施軋製加工後,於110℃之熱風循環式烘箱中加熱約3分鐘,從
而使其固化。所獲得之固化物之中央部與端部之厚度分別為132μm、134μm,相對於中央部之厚度,端部與中央部之厚度差F%約為1.5%,獲得實現平坦化之薄膜狀固化物。
作為參考,使用下述化合物於表3中顯示本發明之薄膜狀固化物之組成例。
‧成分(a4):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:84、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:66、二甲基矽氧烷單元數:18、氟烷基含量:38莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為1,220mPa‧s。
‧成分(a5):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:145、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:115、二甲基矽氧烷單元數:30、氟烷基含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為2,960mPa‧s。
‧成分(a6):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:177、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:142、二甲基矽氧烷單元數:35、氟烷基含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為4,800mPa‧s。
‧成分(a7):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:220、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:178、二甲基矽氧烷單元數:42、氟烷基含量:40莫耳
%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為10,000mPa‧s。
‧成分(a8):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:233、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:184、二甲基矽氧烷單元數:49、氟烷基含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為14,000mPa‧s。
‧成分(a9):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:216、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:173、二甲基矽氧烷單元數:43、氟烷基含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為10,000mPa‧s。
‧成分(a10):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:236、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:192、二甲基矽氧烷單元數:44、氟烷基含量:40莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為12,500mPa‧s。
‧成分(a11):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:277、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:225、二甲基矽氧烷單元數:52、氟烷基含量:40莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為16,000mPa‧s。
‧成分(a12):兩末端乙烯基二甲基甲矽烷氧基封端、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(矽氧烷聚合度:228、3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元數:182、二甲基矽氧烷單元數:46、氟烷基含量:39莫耳%)。25度時利用E型黏度計測定出之黏度約為11,000mPa‧s。
以每1莫耳成分(a4)至(a12)之乙烯基,成分(B1)之矽原子鍵
合氫原子(Si-H)約為0.5莫耳之量,製作薄膜狀固化物。再者,以以下任一種條件實施固化。
條件1:以80度加熱15分鐘後,再以150度加熱15分鐘。
條件2:以130度加熱5分鐘。
條件3:以130度加熱20分鐘。
按照上述方法評估所獲得之薄膜狀固化物之介電常數及透明性,介電常數為6,且皆為透明。此外,按照以下所示之方法,測定黏著力及壓縮性能。
1.黏著力之測定
於PET基材(厚度50μm、Toray(株)製Lumirror S10)上塗佈液狀材料,使固化物之厚度約為100μm,並以上述1.至3.中任一種固化條件製作薄膜狀固化物。將Lumirror S10貼合至所獲得之薄膜狀固化物上,製成試驗片。於23℃、濕度50%之環境下實施測定,並將以速度300mm/min、180°剝離實施(Orientec公司製、RTC-1210)之結果示於表3中。
<壓縮性能之測定>
以與實施例相同之條件實施測定。
上述組成例1至組成例9所涉及之薄膜狀固化物可藉由依據實施例1-1至實施例1-4、實施例2、實施例3以及實施例4之方法,形成實質上平坦化之高介電性薄膜。
Claims (20)
- 一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其薄膜之寬度方向上末端之厚度與中央之厚度之差為5.0%以內,且薄膜中央之厚度為50至1000μm之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其薄膜寬度為30mm以上,薄膜面積為900mm2以上,且1kHz、25℃時之介電常數為4以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其實質上為透明,且薄膜中央之厚度為100至900μm之範圍內。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其於23℃時之剪切儲能模量為103至105Pa之範圍內。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其由底層及層疊於底層上之平坦化層構成。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其由厚度為5至40μm之底層及層疊於底層上之厚度為10至800μm之平坦化層構成,且上述底層及平坦化層皆為含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其係軋製加工而成者。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化 物之高介電性薄膜,其具有藉由於具有剝離層之間隔件之間進行固化而形成之平坦化層。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其係使至少含有矽原子上之所有取代基之10莫耳%以上為以(CpF2p+1)-R-(R為碳原子數1至10之亞烷基,p為1至8之範圍內之數)表示之氟烷基的含氟烷基之有機聚矽氧烷的固化性有機聚矽氧烷組合物固化而成。
- 如申請專利範圍第1至9項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其係使含有:(A)以下述結構式(I):R1R2 2Si(OSiR1R2)e1(OSiR2 2)e2OSiR1R2 2 (I){式中,R1為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為1至8之範圍內之數)表示之氟烷基或碳原子數2至12之烯基,R2為相同或獨立之碳原子數1至12之烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數7至20之芳烷基、羥基或者碳原子數1至6之烷氧基,並且所有R1中至少2個為碳原子數2至12之烯基,所有R1以及R2中10莫耳%以上為所述氟烷基,e1為正數,e2為0或正數,且係滿足5<e1+e2+2<500之數}表示之含氟烷基之有機聚矽氧烷、(B)分子中至少具有2個矽鍵合氫原子之有機氫聚矽氧烷,相對於(A)成分之烯基之總量1莫耳,本成分中之矽原子鍵合氫原子為0.1至 1.0莫耳之量、(C)有效量之氫化矽烷化反應用觸媒、以及(D)溶劑,其相對於(A)成分至(C)成分之和100質量份為0至2000質量份的含氟烷基之固化性有機聚矽氧烷組合物進行固化而成。
- 如申請專利範圍第10項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中,所述(A)含有以下述平均結構式(II):RViR2 2Si(OSiR2R3)e1′(OSiR2 2)e2′OSiRViR2 2 (II){式中,RVi為碳原子數2至12之烯基,R2為與上述相同之基團,R3為以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基,並且e1′以及e2′為滿足5<e1′+e2′+2<500之數,(e1′)/(e1′+e2′)之值為0.5至1.0之範圍內,e2′為0或正數}表示之含氟烷基之有機聚矽氧烷。
- 如申請專利範圍第10項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其中,所述(B)成分為分子中具有以(CpF2p+1)-R-(R為與上述相同之基團,p為與上述相同之數)表示之氟烷基之有機氫聚矽氧烷。
- 一種用途,其將申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜用作電子材料或顯示裝置用構件。
- 一種層疊體,其具有於具備剝離層之片狀基材層疊申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜 的構造。
- 一種電子部件或顯示裝置,其具有申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜。
- 一種觸摸面板,其具有一面形成有導電層之基材以及附著於所述基材之導電層或其相反側之面的申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜。
- 一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其具有:製程(I):於基材上塗佈並固化至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,使得固化後之厚度為40μm以下,獲得底層之製程;以及製程(II):所述製程(I)之後,於底層上塗佈並固化至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物,使得固化後之整個高介電性薄膜之薄膜中央之厚度為50至1000μm,獲得平坦化層之製程。
- 如申請專利範圍第17項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,其中,所述製程(I)中,基材為具有剝離面之平面狀基材,並將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至剝離面上。
- 一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該 含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物塗佈至基材上後,於固化前或固化後實施軋製加工。
- 一種含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜之製造方法,該含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜為申請專利範圍第1至12項中任一項之含氟烷基之有機聚矽氧烷固化物之高介電性薄膜,其在將至少含有含氟烷基之有機聚矽氧烷之固化性有機聚矽氧烷組合物夾入具有剝離層之間隔件之間的狀態下,使其進行固化。
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