TW201804607A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置及其製造方法，可實現輕量化和薄型化。這種有機發光顯示裝置的封裝部分包含複數個無機封裝層和設置在無機封裝層之間的至少一個有機封裝層，以及設置在封裝部分的無機封裝層和至少一個有機封裝層中的一個之上的複數個觸控電極，每個觸控電極具有電獨立的自電容，從而實現有機發光顯示裝置的輕重量和薄型。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更具體地，本發明涉及可實現輕量化和薄型化的一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
一觸控式螢幕為一輸入裝置，用戶可透過使用手或一物體選擇顯示在顯示器之螢幕上的指令來輸入命令。也就是說，觸控式螢幕將直接接觸觸控式螢幕的一人手或一物體的接觸位置轉換為一電訊號，並接收在接觸位置選擇的指令作為一輸入訊號。這樣的一觸控式螢幕可替代連接到顯示裝置並操作的一單獨的輸入裝置，例如一鍵盤或一滑鼠，並且因此觸控式螢幕的應用逐漸增加。
通常，觸控式螢幕附裝到一顯示面板，例如一液晶顯示面板或一有機電致發光顯示面板的前表面。在這種情況下，由於觸控式螢幕單獨製造，然後附裝到顯示面板的前表面，因此另外地進行附裝製程，因此整個製程變得複雜並且製造成本增加。此外，顯示面板的總厚度由於觸控式螢幕而增加，並且由於增加的厚度可能難以確保可撓性和透射率。
因此，本發明在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，藉以克服由於習知技術之限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明的目的之一在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，可獲得重量減輕和薄型化。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種顯示裝置包含：設置在一基板上的一發光器件，設置在發光器件上的一封裝層結構，以及一觸控感測器。觸控感測器可包含：複數個觸控感測電極，沿著一第一方向設置在封裝層結構上，以及複數個觸控驅動電極，設置於封裝層結構上並位於和觸控感測電極相同的平面中，這些觸控驅動電極沿著第一方向並且與這些觸控感測電極相平行設置。這種顯示裝置可更包含至少一個路由線，設置在封裝層結構上並連接到觸控感測器。這至少一個路由線沿著封裝層結構的至少一個側壁延伸。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將詳細參考本發明的優選實施例，這些實施例的一些實例表示於附圖中。盡可能地，在整個附圖中將使用相同的附圖標記來指代相同或相似的部件。
圖1及圖2係為根據本發明一個實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的平面圖及剖視圖。
圖1及圖2中所示的具有觸控感測器的有機發光顯示裝置包含複數個子畫素SP和與子畫素SP多對一相對應的觸控電極。也就是說，一個觸控電極可對應於複數個子畫素SP。舉例而言，一個觸控電極可與複數個子畫素SP重疊。
子畫素SP以矩陣排列並顯示一影像。如圖1示例性所示，紅色（R）、綠色（G）以及藍色（B）子畫素SP形成一個單元畫素，或者紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）以及白色（W）子畫素SP形成一個單元畫素。
每個子畫素SP包含至少一個開關薄膜電晶體（圖未示）、至少一個驅動薄膜電晶體130、一發光器件120以及一封裝部分140。
開關薄膜電晶體和驅動薄膜電晶體130中的每一個形成在由塑料或玻璃形成的底部基板111上。
開關薄膜電晶體連接於閘極線（圖未示）和資料線（圖未示）之間的交叉處，並且驅動薄膜電晶體130連接到開關薄膜電晶體和一電源線（圖未示）。
驅動薄膜電晶體130，如圖2所示，包含一閘極132，與閘極132相重疊的一半導體層134，一閘極絕緣層112***於閘極132和半導體層134之間，以及形成在一層間絕緣層114上並與半導體層134相接觸的一源極136和一汲極138。
發光器件120包含一陽極122，形成在陽極122上的一有機發光層124，以及形成在有機發光層124上的一陰極126。
陽極122導電連接到驅動薄膜電晶體130的汲極138，驅動薄膜電晶體130的汲極138通過穿過鈍化層116形成的一畫素接觸孔而暴露。有機發光層124在透過一堤層128提供的一發射區域中形成於陽極122上。有機發光層124透過在陽極122上以常規順序或相反順序堆疊一電洞相關層（例如，電洞傳輸層）、一發光層以及一電子相關層（例如，電子傳輸層）來形成。陰極126形成為與陽極122相對，有機發光層124***於陰極126和陽極122之間。
封裝部分140防止外部濕氣或氧氣滲透到易受外部濕氣或氧氣影響的發光器件120中。為此，封裝部分140可形成為封裝層結構。封裝部分140包含複數個無機封裝層142和146以及設置在無機封裝層142和146之間的一有機封裝層144，並且無機封裝層146設置為封裝部分140的最頂層。封裝部分140包含至少兩個無機封裝層142和146以及至少一個有機封裝層144。但是本發明的封裝層結構不限於此。在本發明中，為了方便起見，將示例性地描述其中有機封裝層144設置在第一無機封裝層142和第二無機封裝層146之間的封裝部分140的結構。
第一無機封裝層142形成在設置有陰極126的基板111上，以定位為最靠近發光器件120（換句話而言，在三個封裝層142、144、146中，第一無機封裝層142位於最靠近發光器件120的位置）。第一無機封裝層142形成為暴露將其中要形成一觸控墊170的一焊墊區域。這種一第一無機封裝層142使用可以在低溫下沉積的一無機絕緣材料形成為具有一單層或多層結構，這種無機絕緣材料例如為氮化矽（SiNx ）、氧化矽（SiOx ）、氮氧化矽（SiON）或氧化鋁（Al2 O3 ）。因此，可防止在第一無機封裝層142的一沉積製程期間透過一高溫氣氛對有機發光層124造成損壞。
有機封裝層144形成為具有相比較於第一無機封裝層142之面積更小的一面積，並且暴露第一無機封裝層142的兩端（換句話而言，相對的橫向端）。有機封裝層144用作一緩衝器，以根據有機發光顯示裝置的彎曲來衰減各層之間的應力，並且增強有機發光顯示裝置的平坦化性能。有機封裝層144使用例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚合樹脂（例如聚酰亞胺或聚乙烯）或碳氧化矽（SiOC）的一有機絕緣材料形成為具有一單層或多層結構。
第二無機封裝層146形成於其上形成有一有機封裝層144的基板111上，以覆蓋第一無機封裝層142和有機封裝層144的頂表面和側表面。因此，第二無機封裝層146最小化或阻止外部濕氣或氧滲入到第一無機封裝層142和有機封裝層144中。這種一第二無機封裝層146形成為具有使用一無機絕緣材料的一單層或多層結構，其中這種無機絕緣材料例如為氮化矽（SiNx ）、氧化矽（SiOx ）、氮氧化矽（SiON）或氧化鋁（Al2 O3 ）。
複數個觸控電極154形成於第一及第二無機封裝層142及146以及有機封裝層144中的至少一個上。在本發明的本實施例中，將示例性描述這樣的一結構，其中複數個觸控電極154形成在用作封裝部分140之最頂層的第二無機封裝層146上。
每個觸控電極154包含在其中形成的電容，並且因此用作透過用戶觸控感測電容的變化的一自電容觸控感測器Cs。在使用這種觸控電極154的一自電容感測方法中，當使用路由線156將通過觸控墊170提供的一驅動訊號施加到觸控電極154時，電荷（Q）在觸控感測器Cs中累積。當一用戶的手指或導電物體接觸觸控電極154時，寄生電容Cf另外連接到自電容觸控感測器Cs，從而改變一電容值。因此，可判斷手指觸控的觸控感測器Cs與其他觸控感測器Cs之間的電容值的差異，從而可判斷是否發生觸控。
為了這個目的，觸控電極154在彼此相交的第一和第二方向上彼此分開，並且因此獨立地形成。考慮到一用戶的觸控區域，每個觸控電極154形成為具有與複數個發光器件的整體尺寸相對應的一尺寸。舉例而言，對應於在第一方向上設置的8個發光器件×在第二方向上設置的8個發光器件之總體尺寸的一個觸控電極154形成一個觸控感測器Cs。
此外，每個觸控電極154通過路由線156和觸控墊170連接到一觸控驅動器（圖未示）。
此外，每個路由線156形成於第一及第二方向中的一個上，並且一對一連接到每個觸控電極154（換句話而言，路由線156按照一一對應的關係連接到觸控電極154；換句話來說，每個路由線156連接到一相應的觸控電極154）。在路由線156之中，位於觸控電極154之間的路由線156設置為（橫向）與堤層128重疊，並且位於最外側的觸控電極154的一側或另一側的剩餘的路由線156設置為一邊框區域。因此，可防止透過路由線156降低一孔徑比。
此外，路由線156設置在第二無機封裝層146，即封裝部分140的最頂層的頂表面和側表面上。因此，即使外部氧氣或濕氣穿過路由線156，有機封裝層144和第一及第二無機封裝層142及146也會阻擋氧氣或濕氣，並且因此可保護有機發光層124免受氧氣或濕氣的影響。
觸控墊170以與路由線156相同的方式，使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬，例如鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）Mo）形成為具有一單層結構或一多層結構。也就是說，觸控墊170可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或多層結構。舉例而言，觸控墊170具有一多層結構，其中具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬設置在最頂層，例如為比如鈦（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）的三層結構。
觸控墊170設置在從封裝部件140暴露的基板111的焊墊區域中（換句話而言，焊墊區域未被封裝部件140覆蓋；換句話來說，焊墊區域沒有封裝部分140）。這種一觸控墊170從路由線156延伸出並連接到路由線156，從而通過路由線156將一觸控訊號（從一觸控驅動器）供給至觸控電極154。此外，觸控墊170通過路由線156接收由觸控電極154感測的一觸控訊號，並將這個觸控訊號提供給連接到觸控墊170的觸控驅動器。觸控驅動器透過感測由於用戶的觸控引起的電容的變化，來檢測是否發生用戶觸控以及觸控位置。
由此，在根據本發明的本實施例的有機發光顯示裝置中，觸控電極154設置在封裝部分140的第二無機封裝層146上。在這種情況下，根據本發明的有機發光顯示裝置不需要一單獨的觸控絕緣層，並且因此可獲得結構簡單化、重量減輕以及薄型並且確保可撓性和透射率。此外，在根據本發明的一些實施例的有機發光顯示裝置中，透過黏合劑將触控式荧幕附接到一常規的有機發光顯示裝置時，觸控電極154設置在封裝部分140的第二無機封裝層146上，而不需要一單獨的附接製程，並且因此可簡化整個製造過程，並且可降低製造成本。
圖3A及圖3B係為表示圖1及圖2所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖和剖視圖。
請參考圖3A，第一無機封裝層142、有機封裝層144以及第二無機封裝層146順次地形成在其上設置有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機光發光層124以及陰極126的基板111上，路由線156形成在第二無機封裝層146上，並且觸控墊170形成為以便從路由線156延伸出。
更詳細而言，通過使用一遮罩，例如一金屬遮罩的一沉積製程，透過在其上設置有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機光發光層124以及陰極126的基板111上順次地堆疊一無機絕緣材料、一有機絕緣材料以及無機絕緣材料，順序地形成第一無機封裝層142、有機封裝層144以及第二無機封裝層146。這裡，第一無機封裝層142、有機封裝層144以及第二無機封裝層146形成在除了要形成觸控墊170的區域之外的其他區域中形成（換句話而言，封裝層142、144、146可沉積在顯示器的除了將形成觸控墊170的區域之外的整個區域上）。
之後，一第一導電層沉積於第二無機封裝層146的整個表面上，通過一光刻製程和一蝕刻製程圖案化第一導電層形成路由線156以及觸控墊170。這裡，第一導電層使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬，例如鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo））形成為具有一單層結構或一多層結構。也就是說，第一導電層可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或多層結構。舉例而言，第一導電層具有例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）的三層結構。
請參考圖3B，觸控電極154形成在其上形成有路由線156和觸控墊170的基板111上。
更詳細地，一第二導電層沉積在其上形成有路由線156和觸控墊170的基板111的整個表面上，並且通過一光刻製程和一蝕刻製程圖案化第二導電層形成觸控電極154。這裡，第二導電層採用一透明導電層，例如氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）。
圖4係為根據本發明另一實施例的具有觸控感測器的有機發光顯示裝置的平面圖，以及圖5係為沿圖4的線II-II'截取的有機發光顯示裝置的剖視圖。
除了觸控電極154設置在一有機封裝層144上，並且路由墊176設置在路由線156和觸控墊170之間之外，圖4及圖5所示的有機發光顯示裝置圖1及圖2所示的有機發光顯示裝置1相同。因此，考慮到不必要，將省去圖4及圖5所示的有機發光顯示裝置中，與圖1及圖2中所示的有機發光顯示裝置之元件相同的元件的詳細描述。
觸控電極154、路由線156以及路由墊176設置在有機封裝層144上。
路由墊176設置在路由線156和觸控墊170之間，並且將路由線156和觸控墊170彼此電連接。路由墊176從路由線156延伸出並且因此由與路由線156相同的材料形成，同時與路由線156共面。路由墊176通過穿過第二無機封裝層146形成的墊接觸孔160而暴露。
觸控墊170由與暴露於封裝部分140的（換句話而言，未受到封裝部分140覆蓋；換句話來說，沒有覆蓋封裝部分140）的基板111、一閘極絕緣層112以及一層間絕緣層114中的至少一個上的路由線156相同的材料形成。觸控墊170與在觸控墊170的頂表面和側表面中至少一個上形成的一墊連接電極172直接連接。觸控墊170通過墊連接電極172導電地連接到路由墊176，其中路由墊176通過墊接觸孔160暴露。
特別地，墊連接電極172設置在作為封裝部分140之最頂層的第二無機封裝層146的頂表面和側表面上。因此，即使外部氧氣或濕氣穿過墊連接電極172，有機封裝層144和第一及第二無機封裝層142及146也會阻擋氧或濕氣，並且因此可保護有機發光層124免受氧氣或濕氣的影響。
這裡，墊連接電極172由例如基於一氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物的一透明導電氧化物形成，或者使用具有高腐蝕性和高耐酸性的金屬形成為具有一單層結構或一多層結構，這些金屬例如為鈦（Ti）、鉭（Ta）以及鉬（Mo）。舉例而言，墊連接電極172具有三層結構，例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）。
由此，在根據本發明的本實施例的有機發光顯示裝置中，觸控電極154設置在封裝部分140的有機封裝層144上。在這種情況下，根據本發明的有機發光顯示裝置不需要一單獨的觸控絕緣層，並且因此可實現結構簡單化、重量減輕和薄型化並且確保可撓性和透射率。此外，在根據本發明的一些實施例的有機發光顯示裝置中，當通過黏合劑將触控式荧幕附接到傳統的有機發光顯示裝置時，觸控電極154設置在封裝部分140的有機封裝層144上，而不需要一單獨的附接製程，因此可簡化整個製造過程，並且可降低製造成本。
圖6A至圖6D係為表示圖4及圖5所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖及剖視圖。
參考圖6A，第一無機封裝層142和有機封裝層144順次地形成在其上設置有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機發光層124以及陰極126的基板111上，觸控墊170形成在基板111、閘極絕緣層112以及層間絕緣層114中的至少一個上，並且路由墊176和路由線156形成在有機封裝層144上。
更詳細而言，通過使用遮罩（例如金屬遮罩）的沉積製程，透過在其上形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機發光層124以及陰極126的基板111上順次地堆疊一無機絕緣材料和一有機絕緣材料來形成第一無機封裝層142和有機封裝層144。這裡，第一無機封裝層142和有機封裝層144在除了其中要形成觸控墊170的區域之外的其他區域中形成。此後，一第一導電層沉積在有機封裝層144的整個表面上以及基板111、閘極絕緣層112與/或層間絕緣層114的暴露區域上，並且觸控墊170、路由墊176以及路由線156通過光刻製程和蝕刻製程透過圖案化第一導電層來形成。這裡，第一導電層使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬，例如鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）），形成為具有一單層結構或一多層結構。也就是說，第一導電層可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或一多層結構。舉例而言，第一導電層具有三層結構，例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）。
如圖6B所示，觸控電極154形成在其上形成有觸控墊170、路由墊176以及路由線156的基板111上。具體地，觸控電極154可形成在有機封裝層144上，以與路由線156部分地重疊。
更詳細而言，一第二導電層沉積在其上形成有觸控墊170、路由墊176以及路由線156的基板111的整個表面上，並且通過光刻製程和蝕刻製程，透過圖案化第二導電層形成觸控電極154。這裡，第二導電層採用基於氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電層。
請參考圖6C，具有墊接觸孔160的第二無機封裝層146形成在其上形成有觸控電極154的基板111上。
更詳細而言，通過使用一遮罩，例如一金屬遮罩的沉積製程，透過在其上形成有觸控電極154的基板111上沉積一無機絕緣材料來形成第二無機封裝層146，而暴露觸控墊170。之後，通過一光刻製程和一蝕刻製程圖案化第二無機封裝層146形成墊接觸孔160。墊接觸孔160形成為穿過第二無機封裝層146，並且因此暴露路由墊176。
請參考圖6D，墊連接電極172形成在其上形成有第二無機封裝層146的基板111上。
更詳細而言，一第三導電層沉積於其上形成有第二無機封裝層146的基板111的整個表面上，並且通過一光刻製程和一蝕刻製程，透過圖案化第三導電層形成墊連接電極172。這裡，墊連接電極172電連接到通過墊接觸孔160暴露的路由墊176，並且沒有接觸孔直接連接到觸控墊170。這裡，第三導電層由例如基於氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物的一透明導電氧化物形成，或者使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬形成為具有一單層結構或一多層結構，這些金屬例如為鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）。也就是說，第三導電層可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中一種或多種的一單層結構或多層結構。舉例而言，第三導電層具有三層結構，例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）。
圖7係為表示根據本發明再一實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的平面圖和剖視圖。
除了觸控電極154、路由線156以及路由墊176設置在一第一無機封裝層142上之外，圖7所示的有機發光顯示裝置與圖4及圖5所示的有機發光顯示裝置相同。因此，考慮到不必要，將省去圖7所示的有機發光顯示裝置中與圖4及圖5中所示的有機發光顯示裝置之元件相同的元件的詳細描述。
觸控電極154、路由線156以及路由墊176設置在第一無機封裝層142上。
路由墊176從路由線156延伸出並且因此由與路由線156相同的材料形成，同時與路由線156共面（或至少大致共面；舉例而言，路由線156和路由墊176可符合下面為第一無機封裝層142的台階，如圖7所示）。路由墊176通過墊接觸孔160而暴露。其中墊接觸孔160穿過有機封裝層144和第二無機封裝層146。
觸控墊170由與暴露於封裝部分140的（換句話而言，未受到封裝部分140覆蓋；換句話來說，沒有覆蓋封裝部分140）的一基板111、一閘極絕緣層112以及一層間絕緣層114中至少一個上的路由線156相同的材料形成。觸控墊170與形成在觸控墊170的頂表面和側表面中至少一個上的一墊連接電極172直接相連接。觸控墊170通過墊連接電極172，導電地連接到通過墊接觸孔160暴露的路由墊176。
特別地，墊連接電極172設置在作為封裝部分140之最頂層的第二無機封裝層146的頂表面和側表面上。因此，即使外部氧氣或濕氣穿過墊連接電極172，有機封裝層144和第一及第二無機封裝層142及146也會阻擋氧氣或濕氣，並且因此可保護有機發光層124免受氧氣或濕氣的影響。
這裡，墊連接電極172由例如一基於氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物的一透明導電氧化物形成，或者使用具有高腐蝕性和高耐酸性的金屬形成為具有一單層結構或多層結構，這些金屬例如為鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）。也就是說，墊連接電極172可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或多層結構。舉例而言，墊連接電極172具有例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）的三層結構。
這樣，在根據本發明的本實施例的有機發光顯示裝置中，觸控電極154設置在封裝部分140的第一無機封裝層142上。在這種情況下，根據本發明的有機發光顯示裝置不需要一單獨的觸控絕緣層，並且因此可實現結構簡單化、重量減輕和薄型化並且確保可撓性和透射率。此外，在根據本發明的一些實施例的有機發光顯示裝置中，當通過黏合劑將触控式荧幕附接到一常規有機發光顯示裝置時，觸控電極154設置在封裝部分140的第一無機封裝層142上，而不需要一單獨的附接製程，因此可簡化整個製造過程，並且可降低製造成本。
圖8A至圖8D係為表示圖7所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖和剖視圖。
請參照圖8A，第一無機封裝層142形成在其上形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機發光層124以及陰極126的基板111上，觸控墊170形成在基板111、閘極絕緣層112以及層間絕緣層114中的至少一個上，並且路由墊176和路由線156形成於第一無機封裝層142上。
更詳細而言，通過使用例如一金屬遮罩的一遮罩的沉積過程，透過在其上形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體130、陽極122、有機發光層124以及陰極126的基板111上堆疊一無機絕緣材料來形成第一無機封裝層142。這裡，第一無機封裝層142形成在除了其中將形成觸控墊170的區域之外的其他區域中。此後，一第一導電層沉積在第一無機封裝層142的整個表面上以及基板111、閘極絕緣層112與/或層間絕緣層114、以及觸控墊170的暴露區域上，路由墊176和路由線156通過光刻製程和蝕刻製程圖案化第一導電層而形成。這裡，第一導電層使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬，例如鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo））形成為具有一單層結構或一多層結構。也就是說，第一導電層可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或一多層結構。舉例而言，第一導電層具有三層結構，例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）。
如圖8B所示，觸控電極154形成在其上形成有觸控墊170、路由墊176以及路由線156的基板111上。
更詳細而言，一第二導電層沉積在其上形成有觸控墊170、路由墊176以及路由線156的基板111的整個表面上，並且通過光刻過程和蝕刻過程透過圖案化第二導電層來形成觸控電極154。這裡，觸控電極154由例如氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的一透明導電層形成。
請參考圖8C，具有墊接觸孔160的有機封裝層144和第二無機封裝層146在其上形成有觸控電極154的基板111上形成。
更詳細而言，通過使用一金屬遮罩的沉積製程，透過在其上形成有觸控電極154的基板111上順次沉積一有機絕緣材料和一無機絕緣材料來形成有機封裝層144和第二無機封裝層146，而暴露觸控墊170。之後，通過一光刻製程和一蝕刻製程圖案化有機封裝層144和第二無機封裝層146來形成墊接觸孔160。墊接觸孔160穿過有機封裝層144和第二無機封裝層146形成，從而暴露路由墊176。
請參考圖8D，墊連接電極172形成在設置有墊接觸孔160的基板111上。
更詳細地，一第三導電層沉積於其上形成有有機封裝層144和第二無機封裝層146的基板111的整個表面上。這裡，第三導電層形成為具有使用具有高耐腐蝕性和高耐酸性的金屬，例如鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo））形成的一單層結構或一多層結構。也就是說，第三導電層可具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的一種或多種的一單層結構或多層結構。舉例而言，第三導電層具有三層結構，例如（Ti）/鋁（Al）/鈦（Ti）或鉬（Mo）/鋁（Al）/鉬（Mo）。此後，通過一光刻製程和蝕刻製程，透過圖案化第三導電層形成墊連接電極172。這裡，墊連接電極172導電地連接到通過墊接觸孔160暴露的路由墊176，並且沒有接觸孔而直接連接到觸控墊170。
儘管本發明的上述實施例示例性地描述了首先形成由第一導電層形成的路由線156和觸控墊170，然後形成由一第二導電層形成的觸控電極154，但是如圖9所示，可首先形成由第二導電層形成的觸控電極154，然後可形成由第一導電層形成的路由線156和觸控墊170。
此外，儘管本發明的上述實施例示例性地描述了由一透明導電層形成的觸控電極154，但是觸控電極154可包含一透明導電層154b和在透明導電層154b的頂或底表面上形成為一網狀的一網狀金屬層154a，如圖10示例性所示。或者，觸控電極154可包含沒有一透明導電層154b的一網狀金屬層154a。這裡，網狀金屬層154a具有比透明導電層154b更高的導電性，並且可因此形成低電阻電極作為觸控電極154。因此，減少了觸控電極154的電阻和電容，並且減小了時間常數RC，從而提高了觸控靈敏度。此外，網狀金屬層154a具有一非常細的線寬，並且因此可防止由於網狀金屬層154a而導致的孔徑比和透射率降低。
此外，根據本發明的上述實施例的有機發光顯示裝置中包含的觸控感測器可由一保護層190保護，如圖11所示。作為保護層190，可使用一圓偏振板，可使用由環氧樹脂或丙烯酸樹脂形成的一單獨的單層，或者可包含一覆蓋層、一阻擋層、一硬塗層以及一保護層的一多層結構。這種一保護層190可通過一沉積製程形成在封裝部分140上，或者可通過形成在保護層190中的一黏合層附裝到封裝部分140。
從以上描述顯而易見，根據本發明各種實施例的具有觸控感測器的有機發光顯示裝置包含：設置在封裝部分中包含的一第一無機封裝層、一有機封裝層以及一第二無機封裝層中的至少一個上的觸控電極。因此，根據本發明的有機發光顯示裝置不需要一傳統触控式荧幕的一觸控絕緣層，並且因此可實現結構簡單化和厚度減小，從而實現重量減輕和薄型化。此外，根據本發明的有機發光顯示裝置可確保可撓性並增強透射率。此外，根據本發明的有機發光顯示裝置將觸控電極設置在封裝部分的封裝層上，並且不需要單獨的附接過程，從而簡化了整個製程並降低了製造成本。
下面將進一步描述本發明的不同方面：
實例1係為一顯示裝置。顯示裝置可包含設置在一基板上的發光器件，設置在發光器件上的一封裝層結構，以及一觸控感測器。觸控感測器可包含沿著第一方向設置在封裝層結構上的複數個觸控感測電極，以及在封裝層結構上形成並且與這些觸控感測電極相同的平面中的複數個觸控驅動電極，觸控驅動電極沿著第一方向設置並與觸控感測電極相平行。顯示裝置還可更包含至少一個路由線，這至少一個路由線設置在封裝層結構上並連接到觸控感測器。這至少一個路由線沿著封裝層結構的至少一個側壁延伸。
在實例2中，實例1的主題可任選地包含：至少一個路由線沉積於封裝層結構上。
在實例3中，實例1或2中任意一個的主題可任選地包含：封裝層結構不含有黏合劑。
在實例4中，實例1至3中任意一項的主題可任選地包含：至少一個路由線的至少一部分與封裝層結構的至少一個側壁物理接觸。
在實例5中，實例1至4中任意項的主題可任選地包含：顯示裝置還包含設置在基板的焊墊區域中的複數個觸控墊。在相應的觸控感測器和相應的觸控墊之間延伸的至少一條路由線由相同的材料製成。
在實例6中，實例1至5中任意一項的主題可任選地包含：封裝層結構包含複數個無機封裝層和設置在無機封裝層之間的至少一個有機封裝層。
在實例7中，實例6的主題可任選地包含：觸控感測器設置在係為封裝層結構之最頂層的一無機封裝層上，並且複數個路由線設置在係為封裝層結構之最頂層的無機封裝層的側及頂表面上。
在實例8中，實例6或7中任意一項的主題可任選地包含：顯示裝置還包含設置在路由線和觸控墊之間的一路由墊，穿過封裝層結構的至少一部分的至少一個墊接觸孔，以及一墊連接電極，將通過墊接觸孔暴露的路由墊電連接到觸控墊。
在實例9中，實例6和8中任意一項的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔，穿透封裝層結構的無機封裝層中的至少一個。
在實例10中，實例6和8中任意一個的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔穿透為封裝層結構之最頂層的無機封裝層，以及封裝層結構之有機封裝層。
在實例11中，實例9或10中的主題可任選地包含：墊連接電極設置在係為封裝部分之最頂層的無機封裝層的側表面和頂表面上，並且觸控感測器和路由線設置在除了作為封裝部分的最頂層的無機封裝層之外的剩餘封裝層上。
在實例12中，實例1至11中任意一項的主題可任選地包含形成為一網格類型的觸控感測器。
在實例13中，實例12的主題可任選地包含：觸控感測器包含透明導電層和在透明導電層的頂表面或底表面上以網格形式形成的一網格金屬層。
在實例14中，實例8至13中任意一項的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔包含穿透封裝層結構的複數個墊接觸孔。
在實例15中，實例8至14中任意一項的主題可任選地包含：顯示裝置還包含一堤層。至少一個墊接觸孔佈置為（橫向地）與堤層重疊。
在實例16中，實例1至15中任意一項的主題可任選地包含：觸控墊和路由線由具有一單層結構或一多層結構的一第一導電層形成，其中單層結構或多層結構包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的至少一個。
在實例17中，實例16的主題可任選地包含：觸控感測器由具有一透明導電氧化物的一第二導電層形成。
在實例18中，實例17的主題可任選地包含：透明導電氧化物包含基於一氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物。
在實例19中，實例16至18中任意一項的主題可任選地包含：無機封裝層由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或氧化鋁形成。
在實例20中，實例16至19中任意一項的主題可任選地包含：有機封裝層由丙烯酸樹脂、環氧樹脂或一聚合物樹脂形成。
實例21係為顯示裝置的製造方法。這種方法可包含：在一基板上形成發光器件，在發光器件上形成一封裝層結構，以及形成觸控感測器。觸控感測器的形成可包含：沿著一第一方向在封裝層結構上形成複數個觸控感測電極，在封裝層結構上並且在與這些觸控感測電極相同的平面中形成複數個觸控驅動電極，以及沿著第一方向並與這些觸控感測電極平行地形成這些觸控驅動電極。這種方法還可包含：在封裝層結構上形成至少一條路由線並連接到觸控感測器。至少一個路由線沿著封裝層結構的至少一個側壁延伸。
在實例22中，實例21的主題可任選地包含：至少一條路由線沉積在封裝層結構上。
在實例23中，實例21或22的任意一項的主題可任選地包含：形成不含黏合劑的封裝層結構。
在實例24中，實例21至23中任意一項的主題可任選地包含：至少一個路由線的至少一部分形成為與封裝層結構的至少一個側壁物理接觸。
在實例25中，實例21至24中任意一項的主題可任選地包含：這種方法還包含在基板的一焊墊區域中形成複數個觸控墊。在一相應的觸控感測器和一相應的觸控墊之間延伸的至少一條路由線由相同的材料製成。
在實例26中，實例21至25中任意一項的主題可任選地包含：封裝層結構包含複數個無機封裝層和設置在無機封裝層之間的至少一個有機封裝層。
在實例27中，實例26的主題可任選地包含：觸控感測器形成在係為封裝層結構的最頂層的無機封裝層上，並且複數個路由線形成在係為封裝層結構之最頂層的無機封裝層的側表面和頂表面上。
在實例28中，實例26或27中的任意一項的主題可任選地包含：這種方法更包含形成設置於路由線與觸控墊之間的一路由墊，形成穿透密封層結構的至少一部分的至少一個墊接觸孔，以及形成一墊連接電極，墊連接電極將通過墊接觸孔暴露的路由墊電連接到觸控墊。
在實例29中，實例26和28中任意一項的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔穿透封裝層結構的至少一個無機封裝層。
在實例30中，實例26和28中任意一項的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔穿透係為封裝層結構之最頂層的無機封裝層，以及封裝層結構的有機封裝層。
在實例31中，實例29或30中任意一項的主題可任選地包含：墊連接電極形成在係為封裝部分的最頂層的無機封裝層的側表面和頂表面上，並且觸控感測器和路由線形成在除了作為封裝部分之最頂層的無機封裝層之外的剩餘封裝層上。
在實例32中，實例21至31中任意一項的主題可任選地包含：觸控感測器形成為網格類型。
在實施例33中，實施例32的主題可任選地包含：這種方法還包含在透明導電層的頂表面或底表面上形成一透明導電層和以網格形式形成的一網狀金屬層。
在實例34中，實例28至33中任意一項的主題可任選地包含：至少一個墊接觸孔包含穿透封裝層結構的複數個墊接觸孔。
在實例35中，實例28至34中任意一項的主題可任選地包含：這種方法還包含形成一堤層。至少一個墊接觸孔設置為（橫向地）與堤層重疊。
在實例36中，實例21至35中任意一項的主題可任選地包含：觸控墊和路由線由具有一單層結構或一多層結構的第一導電層形成，單層結構或多層結構包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中的至少一個。
在實例37中，實例36的主題可任選地包含：觸控感測器由包含一透明導電氧化物的一第二導電層形成。
在實例38中，實例37的主題可任選地包含：透明導電氧化物包含基於一氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物。
在實例39中，實例36至38中任意一項的主題可任選地包含：無機封裝層由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或氧化鋁形成。
在實例40中，實例36至39中任意一項的主題可任選地包含：有機封裝層由丙烯酸樹脂、環氧樹脂或聚合物樹脂形成。
111‧‧‧基板
112‧‧‧閘極絕緣層
114‧‧‧層間絕緣層
116‧‧‧鈍化層
120‧‧‧發光器件
122‧‧‧陽極
124‧‧‧有機發光層
126‧‧‧陰極
128‧‧‧堤層
130‧‧‧驅動薄膜電晶體
132‧‧‧閘極
134‧‧‧半導體層
136‧‧‧源極
138‧‧‧汲極
140‧‧‧封裝部分
142‧‧‧無機封裝層
144‧‧‧有機封裝層
146‧‧‧無機封裝層
154‧‧‧觸控電極
154a‧‧‧網狀金屬層
154b‧‧‧透明導電層
156‧‧‧路由線
160‧‧‧墊接觸孔
170‧‧‧觸控墊
172‧‧‧墊連接電極
176‧‧‧路由墊
190‧‧‧保護層
R‧‧‧紅色
G‧‧‧綠色
B‧‧‧藍色
SP‧‧‧子畫素
Cf‧‧‧寄生電容
Cs‧‧‧觸控感測器
圖1係為根據本發明一個實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的平面圖； 圖2係為沿圖1的線I-I’截取的有機發光顯示裝置的剖視圖； 圖3A及圖3B係為表示圖1及圖2所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖和剖視圖； 圖4係為根據本發明另一實施例的具有觸控感測器的有機發光顯示裝置的平面圖； 圖5係為沿圖4的線II-II'截取的有機發光顯示裝置的剖視圖； 圖6A至圖6D係為表示圖4及圖5所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖及剖視圖； 圖7係為表示根據本發明再一實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的平面圖和剖視圖； 圖8A至圖8D係為表示圖7所示的有機發光顯示裝置的製造方法的平面圖和剖視圖； 圖9係為表示根據本發明再一實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的剖視圖； 圖10係為表示根據本發明再一實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的平面圖和剖視圖；以及 圖11係為表示根據本發明又一實施例的具有觸控感測器的一有機發光顯示裝置的剖視圖。
111‧‧‧基板
112‧‧‧閘極絕緣層
114‧‧‧層間絕緣層
116‧‧‧鈍化層
120‧‧‧發光器件
122‧‧‧陽極
124‧‧‧有機發光層
126‧‧‧陰極
128‧‧‧堤層
130‧‧‧驅動薄膜電晶體
132‧‧‧閘極
134‧‧‧半導體層
136‧‧‧源極
138‧‧‧汲極
140‧‧‧封裝部分
142‧‧‧無機封裝層
144‧‧‧有機封裝層
146‧‧‧無機封裝層
154‧‧‧觸控電極
156‧‧‧路由線
160‧‧‧墊接觸孔
170‧‧‧觸控墊

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包含：一發光器件，設置在一基板上；一封裝層結構，設置在該發光器件上；一觸控感測器，包含：複數個觸控感測電極，沿著一第一方向設置在該封裝層結構上；以及複數個觸控驅動電極，設置於該封裝層結構上並位於和該些觸控感測電極相同的平面中，該些觸控驅動電極沿著該第一方向並且與該些觸控感測電極相平行設置；以及至少一個路由線，設置在該封裝層結構上並連接到該觸控感測器，其中該至少一個路由線沿著該封裝層結構的至少一個側壁延伸。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該至少一個路由線沉積在該封裝層結構上。
  3. 如請求項1或2所述之顯示裝置，其中該封裝層結構不包含一黏合劑。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該至少一個路由線的至少一部分與該封裝層結構的該至少一個側壁物理接觸。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：複數個觸控墊，設置在該基板的一焊墊區域中；其中在一相應的觸控感測器和一相應的觸控墊之間延伸的該至少一個路由線係由相同的材料製成。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該封裝層結構包含複數個無機封裝層和設置在該些無機封裝層之間的至少一個有機封裝層；該觸控感測器設置在係為該封裝層結構之最頂層的一無機封裝層上；以及該至少一個路由線設置在係為該封裝層結構之最頂層的該無機封裝層的側表面和頂表面上。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，更包含：一路由墊，設置在該至少一個路由線中的一路由線和一觸控墊之間；至少一個墊接觸孔，穿透該封裝層結構的至少一部分；以及一墊連接電極，將通過該墊接觸孔暴露的該路由墊電連接到該觸控墊。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該至少一個墊接觸孔穿透該封裝層結構的該至少一個無機封裝層。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該至少一個墊接觸孔穿過作為該封裝層結構之最頂層的該無機封裝層，以及該封裝層結構的該有機封裝層。
  10. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該封裝層結構包含複數個無機封裝層和設置在該些無機封裝層之間的至少一個有機封裝層；該顯示裝置還包含設置在該至少一個路由線中的一路由線和一觸控墊之間的一路由墊；至少一個墊接觸孔，穿透該封裝層結構的至少一部分；以及一墊連接電極，將通過該墊接觸孔暴露的該路由墊電連接到該觸控墊；該墊連接電極設置在係為該封裝層結構之最頂層的該無機封裝層的側表面和頂表面上；以及該觸控感測器和該至少一個路由線設置在除了該無機封裝層之外的剩餘封裝層上，其中該無機封裝層係為該封裝層結構的最頂層。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該觸控感測器形成為一網格形式；其中該觸控感測器包含一透明導電層，以及在該透明導電層的頂表面或底表面上以網格形式形成的一網狀金屬層。
  12. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該至少一個墊接觸孔包含穿透該封裝層結構的複數個墊接觸孔。
  13. 如請求項7所述之顯示裝置，更包含：一堤層；其中該至少一個墊接觸孔設置為與該堤層重疊。
  14. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該觸控墊和該至少一個路由線由一第一導電層形成，該第一導電層具有包含鉭（Ta）、鋁（Al）、鈦（Ti）、銅（Cu）以及鉬（Mo）中至少一種的一單層結構或一多層結構；其中該觸控感測器由包含一透明導電氧化物的一第二導電層形成；以及其中該透明導電氧化物包含基於一氧化銦錫（ITO）、氧化鋅銦（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）或氧化鋅（ZnO）的透明導電氧化物。
  15. 如請求項14所述之顯示裝置，其中該無機封裝層由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或氧化鋁形成；與/或其中該有機封裝層由丙烯酸樹脂、環氧樹脂或聚合物樹脂形成。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101926526B1 (ko) * 2016-06-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102066099B1 (ko) * 2016-07-29 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN108304086B (zh) * 2017-01-11 2020-09-15 群创光电股份有限公司 触控显示装置
KR102330862B1 (ko) * 2017-04-27 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107765926B (zh) * 2017-11-22 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、触控面板及其制造方法
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
JP7032173B2 (ja) * 2018-02-27 2022-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108735791A (zh) * 2018-07-05 2018-11-02 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制造方法和显示终端
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
CN109411524B (zh) * 2018-12-04 2021-08-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及显示装置
US10921199B2 (en) * 2019-01-15 2021-02-16 Pixart Imaging Inc. Force sensor and manufacturing method thereof
KR20200100894A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서
CN110061043B (zh) * 2019-04-30 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN110335873A (zh) * 2019-06-24 2019-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR20210012216A (ko) 2019-07-24 2021-02-03 엘지디스플레이 주식회사 터치 전극들을 포함하는 디스플레이 장치
KR20210019256A (ko) * 2019-08-12 2021-02-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR20210019210A (ko) * 2019-08-12 2021-02-22 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
CN110518150B (zh) * 2019-09-06 2022-04-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111708465B (zh) * 2020-07-08 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示装置及其制造方法
CN112612381A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 传感器件及显示装置
KR20230100167A (ko) * 2021-12-28 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6936407B2 (en) * 2003-02-28 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
KR20100024710A (ko) * 2008-08-26 2010-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101908492B1 (ko) * 2011-04-12 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 표시 장치
JP2015057678A (ja) * 2012-01-12 2015-03-26 シャープ株式会社 タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置
KR20130110539A (ko) 2012-03-29 2013-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101453880B1 (ko) * 2012-11-29 2014-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9853092B2 (en) * 2012-11-30 2017-12-26 Lg Display Co., Ltd. OLED display device having touch sensor and method of manufacturing the same
KR101992899B1 (ko) * 2012-12-17 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20140096507A (ko) * 2013-01-28 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린패널 일체형 영상표시장치
WO2015029608A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法
KR20150031917A (ko) * 2013-09-17 2015-03-25 엘지이노텍 주식회사 전극 플레이트와 이를 이용하는 전기변색 플레이트, 전기변색 미러 및 디스플레이 장치
KR102081318B1 (ko) * 2013-09-23 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 내장형 액정 표시장치
UA121381C2 (uk) 2013-12-20 2020-05-25 Дау Агросаєнсиз Елелсі Синергічний гербіцидний контроль бур'янистої рослинності
KR102193454B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-21 엘지디스플레이 주식회사 터치패널과 그 제조 방법
KR102177128B1 (ko) * 2013-12-30 2020-11-10 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
KR102204110B1 (ko) * 2014-02-05 2021-01-18 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법
US9965113B2 (en) * 2014-04-14 2018-05-08 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window
EP3671883A1 (en) * 2014-06-25 2020-06-24 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
JP5878593B2 (ja) * 2014-07-04 2016-03-08 アルプス電気株式会社 入力装置の製造方法
KR102173545B1 (ko) * 2014-08-05 2020-11-04 엘지디스플레이 주식회사 인 셀 타입의 터치 구조를 갖는 유기발광표시장치
KR102271659B1 (ko) 2014-08-29 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치
KR102250048B1 (ko) 2014-09-16 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102240937B1 (ko) * 2014-10-10 2021-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102295584B1 (ko) * 2014-10-31 2021-08-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치
KR102289934B1 (ko) * 2014-11-28 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 센서를 포함하는 표시 장치
KR101661039B1 (ko) * 2014-12-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치
KR101757675B1 (ko) * 2014-12-31 2017-07-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
CN105278748A (zh) * 2015-10-19 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板、显示装置、可穿戴设备、驱动方法以及补偿电路
US9716248B2 (en) * 2015-12-18 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with reduced border area
US10067587B2 (en) * 2015-12-29 2018-09-04 Synaptics Incorporated Routing conductors in an integrated display device and sensing device
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
KR102066099B1 (ko) * 2016-07-29 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

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