TW201732309A - 基板檢查裝置及基板檢查方法 - Google Patents

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Abstract

一種基板檢查方法,其係經由檢查探針對形成於電路基板之導體圖案流通電流而測定電特性值,且基於該電特性值之測定值而判定電路基板是否良好者,於測定值為容許範圍內之情形時判定為良好,於未判定為良好之情形時反覆進行測定,於測定次數達到上限之情形時,判定為不良,並且於第1次之測定值偏離容許範圍之情形時,改變對於檢查探針之電流之方向而進行第2次測定,於該第2次之測定值偏離容許範圍之情形時,以測定出第1次之測定值與第2次之測定值中之偏離容許範圍之差之值較小之測定值時的電流之方向,進行第3次以後之測定。

Description

基板檢查裝置及基板檢查方法
本發明係關於一種用以檢查電路基板之導體圖案之電性導通狀態或絕緣狀態之基板檢查裝置及基板檢查方法。
於對印刷基板等電路基板之導體圖案之斷線或短路等電性導通狀態或絕緣狀態進行檢查之情形時,進行如下步驟,即,使檢查探針抵接於導體圖案之兩端之露出部,於檢查探針間流通電流、或於兩個導體圖案間施加電壓而測定檢查探針間之電阻值等電特性值,根據該測定值對導通狀態或絕緣狀態進行檢查。於該情形時,有檢查探針與導體圖案之間之接觸狀態對測定值產生影響之虞。尤其是,近年來因微細化而對品質(電阻值之偏差較小)之要求變高,接觸狀態對測定值造成之影響成為較大之問題。為了解決此種接觸狀態之影響,於專利文獻1中揭示有如下內容:於對導體圖案等之電阻值進行測定時,反覆進行參數之測定直至因檢查探針之接觸不良等引起之測定異常連續發生L(L為2以上之自然數)次時、測定次數已達到M(M為L以上之自然數)次時、及連續N(N為2以上且未達M之自然數)次滿足未發生測定異常地測定到之參數之測定值落在容許範圍內之條件時中的任一較早時為止。根據該方法,記載有如下內容:於未檢測到非連接狀態等測定異常、且測定值之變動較少時,可於測定次數達到M次前結束測定處理,從而可提高測定效率。[先前技術文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利特開2008-151554號公報
[發明所欲解決之問題] 然而,於專利文獻1所記載之方法中,記載為將規定之測定次數設定為M次,於未檢測到測定異常且測定值之變動較少時,可於達到該M次前結束測定處理,但於該情形時,若未連續N次滿足測定值落在容許範圍內之條件,則亦無法結束測定處理。 本發明係鑒於如上所述之情況而完成者,其目的在於減少電路基板之導體圖案與檢查探針之接觸狀態之影響,並且快速地進行檢查。 [解決問題之技術手段] 本發明之基板檢查方法係對基於經由檢查探針而流動至形成於電路基板之導體圖案之電流的電特性值進行測定,且基於該電特性值之測定值判定上述電路基板是否良好者,於第1次之測定值偏離容許範圍之情形時,改變對於上述檢查探針之電流之方向而進行第2次測定,於該第2次之測定值偏離上述容許範圍之情形時,以測定出上述第1次之測定值與上述第2次之測定值中的偏離上述容許範圍之差之值較小之測定值時之電流方向,進行第3次以後之測定。又,本發明之基板檢查裝置係對基於流動於形成於電路基板之導體圖案之電流的電特性值進行測定,且基於該電特性值之測定值判定上述電路基板是否良好者,且具備:一對檢查探針,其等與上述導體圖案接觸;切換機構,其用以切換流通於上述檢查探針間之電流之方向;檢查判定部,其將上述測定值與預先規定之臨限值進行比較,於上述測定值為容許範圍內之情形時,將上述電路基板判定為良好;及電流方向控制部,其於第1次之測定值未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,以改變對於上述檢查探針之電流之方向之方式對上述切換機構進行控制,於第2次之測定值未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,以設為測定出上述第1次之測定值與上述第2次之測定值中的偏離上述容許範圍之差之值較小之測定值時之電流之方向的方式對上述切換機構進行控制。於因檢查探針之接觸不良等而導致測定值偏離容許範圍之情形時,亦可藉由進行2次以上之測定,使接觸狀態之影響變小而進行準確之檢查。而且,於測定值成為容許範圍內時,將該電路基板判定為良好。又,於進行複數次測定之情形時,若改變電流之方向而進行第1次測定與第2次測定,則其測定值產生差。認為其原因在於,使檢查探針與導體圖案接觸之狀態下之電路徑係混合存在有導體與絕緣體(例如接觸部),而容易於任一方向上流通電流。又,若反覆進行測定,則隨著增多測定次數而測定值逐漸收斂成特定值。因此,若一面交替地切換電流之方向一面進行測定,則測定值逐漸收斂成特定值,但交替地測定到較大之測定值與較小之測定值。一面交替地進行切換一面進行之該測定係於測定值進入容許範圍內之前需要時間。於本發明中,將最初之2次之測定值進行比較並以測定出偏離容許範圍之差之值較小之測定值時的電流之方向進行第3次之後之測定,藉此,以接觸狀態之影響更小之測定條件進行測定,從而可更準確且快速地到達容許範圍內,相應地,可縮短檢查時間。本發明之基板檢查方法亦可設為如下,即,於上述測定值為上述容許範圍內之情形時判定為良好,於未判定為良好之情形時,反覆進行測定,於測定次數已達到上限之情形時判定為不良。又,本發明之基板檢查裝置亦可具備:條件設定部,其設定測定次數之上限;及反覆控制部,其於未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,反覆進行測定直至上述測定次數達到上限為止;且上述檢查判定部於未判定為良好而上述測定次數已達到上限之情形時,判定為不良。[發明之效果]根據本發明,可減少電路基板之導體圖案與檢查探針之接觸狀態之影響,並且快速地進行檢查。
以下,一面參照圖式,一面對本發明之實施形態進行說明。[基板檢查裝置]第1實施形態之基板檢查裝置11係對電路基板1之導體圖案2進行導通檢查者,如圖2所示,具備:直流電流源12,其產生特定之直流電流;一對檢查探針13,其等與露出於電路基板1上之導體圖案2之兩端部接觸;切換開關(切換機構)14,其設置於檢查探針13與直流電流源12之間;電位偵測部15,其用以偵測檢查探針13間之電位;控制部16,其控制對檢查探針13之通電並且對電路基板1是否良好進行判定;及顯示部17,其顯示其判定結果等。作為檢查探針13,例如使用二端子者,使每1根探針用針與導體圖案2接觸而進行偵測。電位偵測部15係使兩檢查探針13與電路基板1之導體圖案2之兩端部接觸而偵測自直流電流源12流通固定之電流時的檢查探針13間之電位,並對該電位進行A/D(Analog to Digital,類比/數位)轉換而作為數位信號發送至控制部16。切換開關14具有如下兩種功能:將直流電流源12與檢查探針13之間之連接接通(ON)、斷開(OFF)而使對檢查探針13之通電開始或停止;及對將該等直流電流源12與檢查探針13設為連接狀態時之對於兩檢查探針13之電流之流通方向進行切換。然而,於本發明中,亦可分開設置該等兩個功能。控制部16係包括CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)、記憶體等,對直流電流源12及切換開關14進行控制,並且根據電位偵測部15之偵測電位對電路基板1是否良好進行判定者,且設置有設定各種條件等之條件設定部23、判定電路基板1是否良好之檢查判定部24、對測定之反覆進行控制之反覆控制部25、對測定時之電流方向進行控制之電流方向控制部26、進行與各部之間之資料通信之通信部27。條件設定部23可設定藉由直流電流源12而產生之定電流值、用以於檢查判定部24中確定測定值是否為容許範圍之臨限值、測定次數之上限等。該等定電流值、臨限值、測定次數之上限等係根據成為檢查對象之電路基板之特性而設定為適當值。 檢查判定部24係擷取自電位偵測部15發送來之資料(電位),根據與預先對直流電流源12設定之定電流值之關係而計算電阻值,並將該電阻值與臨限值(導通狀態為良好之情形時之最大容許電阻值)進行比較,根據哪一個較小之比較結果而判定電路基板1是否良好。 反覆控制部25係以如下方式進行控制:於未由檢查判定部24判定為良好之情形時,在特定條件下反覆進行特定次數之測定。電流方向控制部26係對藉由反覆控制部25之控制而反覆進行測定之情形時的電流之方向進行控制。關於以上之控制部16之控制之詳細內容,將於以下之基板檢查方法之說明中進行說明。[基板檢查方法]根據圖1之流程圖,對基板檢查方法進行說明。於進行電路基板1之導通檢查之情形時,使檢查探針13與導體圖案2之兩端部接觸,首先設為將流動至導體圖案2之電流之方向設定為任一方向之狀態(S1:電流方向初始設定)。其次,將測定次數i設定為1(S2),並藉由將切換開關14設為接通而開始對檢查探針13間通電(S3)。若特定之電流流動至檢查探針13間之導體圖案2,則藉由電位偵測部15檢測上述檢查探針13間之電位(S4),並於偵測電位後,阻斷電流(S5)。繼而,根據該電位與對直流電流源12預先所設定之電流值而運算電阻值(S6)。或者,亦可於該S6中,另外準備電流檢測機構,使用在通電中實測到之電流值而計算電阻值。對檢查探針13間之導體圖案2流通電流而檢測電位,根據該電位計算電阻值,將截至於下一步驟S7中將該電阻值與臨限值R0進行比較為止的程序設為1次測定,將於該期間計算出之電阻值設為測定值Ri(i=1~n)。判斷該測定值Ri(i=1~n)是否為預先所設定之臨限值R0以下(S7),於判斷為Ri≤R0之情形、即判斷為測定值Ri為容許範圍內之情形時,將該電路基板1判定為「良」(S8)。於在S7中未判斷為測定值Ri為臨限值R0以下(Ri≤R0)之情形時,判斷該測定是否為第n次測定(S9),於判斷為第n次之情形時,將該電路基板判定為「不良」(S10)。該n次之值預先由條件設定部23設定。測定次數為第n次係指於至此為止之期間測定值Ri均未成為臨限值R0以下,且於即便達到上限之n次但測定值Ri未達到臨限值R0之情形時,將該電路基板1判定為不良。於在S9中判斷為測定次數非為第n次之情形時,判斷該測定是否為第1次測定(S11),於判斷為第1次之情形時,藉由電流方向控制部26使切換開關14作動而進行電流方向切換之處理(S12)。於在S11中未判斷為第1次測定之情形時,進入至下一步驟S13。於在S11中未判斷為第1次測定之情形時,判斷是否為第2次測定(S13)。於判斷為第2次測定之情形時,將第1次之測定值(電阻值)R1與第2次之測定值(電阻值)R2進行比較而判斷第1次之測定值R1是否小於第2次之測定值R2(S14)。於在S13中未判斷為第2次測定之情形時,進入至下一步驟(S15)。於在S14中判斷為第1次之測定值R1小於第2次之測定值R2之情形時,藉由電流方向控制部26使切換開關14作動而完成電流方向切換處理(S16)。於在S14中未判斷為第1次之測定值R1小於第2次之測定值R2之情形時,不切換電流方向而進入至下一步驟(S15)。即,於第1次之測定值較小之情形(第1次之測定值與臨限值R0之差之值小於第2次之測定值與臨限值R0之差之值的情形)時,選擇進行第1次測定時之電流方向,於第2次之測定值小於第1次之情形(第2次之測定值與臨限值R0之差之值小於第1次之測定值與臨限值R0之差之值的情形)時,選擇進行第2次測定時之電流方向,設為實施第3次之後之檢查之情形時之條件(電流方向)。於S15中,藉由反覆控制部25對測定次數i進行遞增計數,再次自S3反覆進行測定。於該期間,檢查探針13維持與檢查對象之導體圖案2接觸之狀態,僅對切換開關14進行控制。於該一連串處理中,在如下之時檢查結束:因於S7中判斷為測定值Ri為臨限值R0以下而於S8中判定為良好;及即便反覆進行測定,測定值Ri亦未成為臨限值R0以下,故而儘管於S9中測定次數已達到上限之n次,於S10中亦判定為不良。於因判定為良好而檢查結束之情形、例如第1次測定判定為良好之情形時,藉由1次測定而檢查結束,於未等待測定次數i成為n次而判定為良好之時間點,檢查結束。又,對於測定時之電流方向,於自最初開始完成2次測定之時間點,判斷第1次之測定值R1是否小於第2次之測定值R2(S14),於判斷為第1次之測定值R1小於第2次之測定值R2之情形時,為了採用上述第1次測定時之電流方向而切換電流方向(S16),於未判斷為第1次之測定值R1較小之情形時,不改變電流方向地、換言之、維持第2次測定時之電流方向而進行之後之測定。即,以2次之測定值中之偏離容許範圍之差之值較小之測定值時的電流方向進行第3次之後之測定。若每當進行測定時均一面交替地切換電流之方向一面進行測定,則測定值逐漸收斂成特定值,但交替地測定出較大之測定值與較小之測定值。因此,於測定值成為臨限值以下之前需要時間,但藉由設為本實施形態之檢查方法而測定值於較早之時間點成為基準值R0以下。圖3A及圖3B係將測定次數n設定為10次,以曲線圖形式表示藉由反覆進行測定而產生之測定值之變化者。圖3A表示第1次之測定值大於第2次之測定值之情形,圖3B表示第2次之測定值大於第1次之測定值之情形。又,於任一圖中,虛線均表示每當進行測定時均一面交替地改變電流之方向一面進行測定之情形。實線表示如下情形,即,與本實施形態相同,於最初之測定及第2次測定時切換電流方向,但第3次之後係以測定出第1次與第2次之測定值中之較小之測定值、即偏離容許範圍之差之值較小之測定值時的電流方向進行測定。於各圖之上段表示一面交替地切換電流方向一面進行檢查之情形時之電流方向之變化,於下段表示藉由本實施形態之檢查方法產生之電流方向之變化。於本實施形態之檢查方法中,於圖3A所示之例中,第2次之測定值小於第1次之測定值,因此,以與第2次測定時相同之電流方向(-方向)進行第3次之後之測定。於圖3B所示之例中,第1次之測定值小於第2次之測定值,因此,以與第1次測定時相同之電流方向(+方向)進行第3次之後之測定。如該等圖3A及圖3B所示,可知如下內容:與每當進行測定時均一面交替地切換電流方向一面進行測定之情形(以虛線表示之情形)相比,於如下情形時,於更早之時間點(於圖3A及圖3B之情形時為第5次測定)低於臨限值R0,即,將最初之2次為止之測定值進行比較,採用測定出偏離測定值之容許範圍之差之值較小的測定值時之電流方向,之後以該電流方向流通電流而進行檢查(以實線表示之情形)。附帶而言,圖4表示完全不改變電流方向而自最初開始於同一方向(於圖4所示之例中為+方向)上流通電流而反覆測定同一導體圖案之情形時的測定值之變化。於該情形時,測定次數越是增加,則測定值越小,但於成為臨限值R0以下之前亦需要時間。藉由如此般於電路基板之導通檢查時反覆進行測定,可減少檢查探針13之接觸狀態等之影響而準確地測定導體圖案2之電阻值,於該情形時,對最初之2次切換電流方向而進行測定,對第3次之後以測定出第1次與第2次之測定值中之與容許範圍(臨限值)之差較小之測定值時的電流方向進行測定,藉此,可於較早之時間點設為臨限值R0以下,從而可謀求檢查時間之縮短。再者,於上述實施形態中,作為本發明之基板檢查方法及基板檢查裝置,應用於使檢查探針與導體圖案之兩端部接觸而對導體圖案之斷線等進行檢查之導通檢查,但亦可於使檢查探針與個別之導體圖案接觸而對導體圖案間之絕緣狀態進行檢查之絕緣檢查時應用本發明。圖5及圖6表示將本發明應用於絕緣檢查之第2實施形態,圖5係用於絕緣檢查之基板檢查方法之流程圖,圖6係基板檢查裝置之系統方塊圖。於該第2實施形態之基板檢查裝置11'中,設置有直流電壓源12'而代替第1實施形態之基板檢查裝置11之直流電流源12,且設置有電位・電流偵測部15'而代替電位偵測部15。而且,係如下構成:藉由電位・電流偵測部15'偵測自直流電壓源12'對分別與兩個導體圖案2接觸之檢查探針13間施加電壓時的檢查探針13間之電位及電流。關於其他構成,除與該等直流電壓源12'、電位・電流偵測部15'對應地變更之部分(於下述之絕緣檢查方法中進行說明)以外,與第1實施形態之基板檢查裝置11相同,對共通部分標註相同之符號而省略說明。於使用該基板檢查裝置11'進行電路基板1之絕緣檢查之情形時,首先預先設定藉由切換開關14而施加至導體圖案2間之電壓(及藉由施加電壓而流通之電流之方向)(S1')。其次,將測定次數i設定為1(S2),並藉由將切換開關14設為接通而向檢查探針13間施加電壓(電流)(S3')。若向檢查探針13所接觸之兩導體圖案2間施加特定之電壓,則藉由電位・電流偵測部15'而檢測該兩個導體圖案2間之電位及電流(自高電位側流向低電位側之電流)(S4'),於偵測該電位、電流後,停止施加電壓(S5')。繼而,根據該電位及電流而運算電阻值(測定值Ri)(S6)。於該絕緣檢查之情形時,於基板正常之情形時獲得特定之容許範圍內之測定值(電阻值)。若將該容許範圍之下限之臨限值設為Ra並將上限之臨限值設為Rb,則於基板正常之情形時,成為Ra≤Ri≤Rb。因此,預先設定該上限之臨限值Ra與下限之臨限值Rb,判斷測定值Ri是否為該容許範圍(S7'),於判斷為該容許範圍(Ra≤Ri≤Rb)內之情形時,判定為良好(S8)。之後,S9至S15之各步驟係與上述第1實施形態之情形相同,於S15中對測定次數i進行遞增計數,再次重複自S3'起之步驟。於該絕緣檢查中,使檢查探針13分別與兩個導體圖案2接觸,跨及該等導體圖案2而施加電壓,藉此對導體圖案2間之絕緣狀態進行檢查。又,由於自直流電壓源12'施加電壓,故而於S12及S16之電流方向切換之步驟中,藉由切換電壓之施加方向而切換流通之電流之方向。即,於該絕緣檢查時,施加電壓而測定自高電位側流向低電位側之電流,利用藉由改變該電壓之施加方向而流通之電流之方向改變這一情況進行檢查。於該絕緣檢查時,亦於測定值落入上限之臨限值Ra與下限之臨限值Rb之範圍(Ra≤Ri≤Rb)之情形時判定為良好,於未判定為落入該容許範圍之情形時,於第1次測定與第2次測定時改變電壓之方向而進行測定,以測定出任一較小之測定值、即偏離容許範圍之差之值較小之測定值時流通的電流之方向進行以後之測定。若將依存於設置於並排之導體圖案間之材料之電阻率設為ρ,將導體圖案間(空間)之長度設為L,將導體圖案間之導體圖案之側壁面積設為A,則並排之導體圖案間之絕緣電阻值Rx以Rx=ρ・L/A表示。上述上限之臨限值Ra與下限之臨限值Rb亦可考慮L、A、ρ之偏差而決定。或者,亦可累計絕緣檢查之測定值,根據統計解析而決定。圖7A及圖7B係表示絕緣檢查之測定值之推移之曲線圖,且係將利用第2實施形態之絕緣檢查方法檢查電路基板之情形、與每次進行測定時一面交替地切換電流方向一面對電路基板進行絕緣檢查之情形進行比較,而表示測定次數與測定值之關係的曲線圖。於圖7A及圖7B中,第2次之測定值均為小於第1次之測定值之值,但因接觸電阻等影響而表現出高於臨限值(Ra、Rb)之電阻值。而且,於圖7A中,以測定值較小之第2次之電流方向、即測定出偏離容許範圍之差之值小於第1次之第2次之測定值時的電流方向反覆進行測定,藉此根據測定值落在上限之臨限值Rb與下限之臨限值Ra之範圍內、即成為容許範圍內,而判斷為絕緣狀態良好。於一面交替地切換電流方向一面進行測定之情形時,如虛線所示,於到達容許範圍內之前需要一段時間。另一方面,於圖7B中表示對導體圖案間產生短路而絕緣不良之基板進行絕緣檢查之例。於該圖7B之情形時,於在測定初始階段消除接觸電阻等障壁後,立即成為短路電阻值(低於下限之臨限值Ra之電阻值),而判定為絕緣不良。該絕緣檢查之情形時亦與導通檢查之情形相同,採用測定出第1次之測定值與第2次之測定值中之較小的測定值時、即測定出偏離容許範圍之差之值較小之測定值時的電流方向進行第3次之後之測定,藉此可於較早之階段進行良好與否之判定。上述第1實施形態之導通檢查之情形時之測定值的容許範圍係使用一個臨限值而進行判斷,測定值成為容許範圍內係指測定值成為臨限值以下。另一方面,第2實施形態之絕緣檢查之情形時之容許範圍係上限之臨限值與下限之臨限值之間之範圍,測定值成為容許範圍內係指測定值成為上限之臨限值與下限之臨限值之間之範圍內。再者,於導通檢查之情形時,亦可預先設定上限之臨限值與下限之臨限值,於測定值處於上限之臨限值與下限之臨限值之間之情形時,判斷為良品。再者,於任一實施形態中,均根據檢查探針13間之電位及電流計算電阻值,並根據該電阻值而判定電路基板是否良好,但於例如第1實施形態中,亦可基於在檢查探針13間偵測到之電位本身之值而判定是否良好,於本發明中,包括該等電位及電阻值等而設為電特性值。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧導體圖案
11‧‧‧基板檢查裝置
11'‧‧‧基板檢查裝置
12‧‧‧直流電流源
12'‧‧‧直流電壓源
13‧‧‧檢查探針
14‧‧‧切換開關(切換機構)
15‧‧‧電位偵測部
15'‧‧‧電位・電流偵測部
16‧‧‧控制部
17‧‧‧顯示部
23‧‧‧條件設定部
24‧‧‧檢查判定部
25‧‧‧反覆控制部
26‧‧‧電流方向控制部
27‧‧‧通信部
R0‧‧‧臨限值
Ra‧‧‧臨限值
Rb‧‧‧臨限值
S1~S16‧‧‧步驟
圖1係表示本發明之第1實施形態之電路基板之導通檢查方法的流程圖。圖2係表示本發明之第1實施形態之電路基板之檢查裝置的方塊圖。圖3A及圖3B係表示利用第1實施形態之導通檢查方法檢查電路基板之情形、與每當進行測定時均一面交替地切換電流方向一面對電路基板進行導通檢查之情形之測定次數與測定值之關係的曲線圖。圖4係表示始終以相同之電流方向流通電流而進行電路基板之導通檢查之情形時之測定次數與測定值之關係的曲線圖。圖5係表示本發明之第2實施形態之電路基板之絕緣檢查方法的流程圖。圖6係表示本發明之第2實施形態之電路基板之檢查裝置的方塊圖。圖7A及圖7B係表示利用第2實施形態之絕緣檢查方法檢查電路基板之情形、與每當進行測定時均一面交替地切換電流方向一面對電路基板進行絕緣檢查之情形之測定次數與測定值之關係的曲線圖。
S1~S16‧‧‧步驟

Claims (4)

  1. 一種基板檢查方法,其係對基於經由檢查探針而流動至形成於電路基板之導體圖案之電流之電特性值進行測定,且基於該電特性值之測定值而判定上述電路基板是否良好者,於第1次之測定值偏離容許範圍之情形時,改變對於上述檢查探針之電流之方向而進行第2次測定,於該第2次之測定值偏離上述容許範圍之情形時,以測定出上述第1次之測定值與上述第2次之測定值中之偏離上述容許範圍之差之值較小之測定值時的電流之方向,進行第3次以後之測定。
  2. 如請求項1之基板檢查方法,其中於上述測定值為上述容許範圍內之情形時判定為良好,於未判定為良好之情形時,反覆進行測定,於測定次數達到上限之情形時,判定為不良。
  3. 一種基板檢查裝置,其係對基於流動於形成於電路基板之導體圖案之電流之電特性值進行測定,且基於該電特性值之測定值而判定上述電路基板是否良好者,且具備:一對檢查探針,其等與上述導體圖案接觸;切換機構,其用以切換流通於上述檢查探針間之電流之方向;檢查判定部,其將上述測定值與預先規定之臨限值進行比較,於上述測定值為容許範圍內之情形時,將上述電路基板判定為良好;及電流方向控制部,其於第1次之測定值未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,以改變對於上述檢查探針之電流之方向之方式對上述切換機構進行控制,於第2次之測定值未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,以設為測定出上述第1次之測定值與上述第2次之測定值中的偏離上述容許範圍之差之值較小之測定值時之電流之方向的方式對上述切換機構進行控制。
  4. 如請求項3之基板檢查裝置,其具備:條件設定部,其設定測定次數之上限;及反覆控制部,其於未由上述檢查判定部判定為良好之情形時,反覆進行測定直至上述測定次數達到上限為止;且上述檢查判定部於未判定為良好且上述測定次數達到上限之情形時,判定為不良。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965110B2 (ja) * 2017-11-09 2021-11-10 日置電機株式会社 検査装置および検査方法
JP7517680B2 (ja) * 2020-04-15 2024-07-17 ヤマハファインテック株式会社 検査装置、及び検査方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588945A (en) * 1983-06-13 1986-05-13 Hewlett-Packard Company High throughput circuit tester and test technique avoiding overdriving damage
JP3214415B2 (ja) * 1997-10-30 2001-10-02 日本電産リード株式会社 基板検査装置および基板検査方法
WO2002086520A1 (fr) * 2001-04-19 2002-10-31 Oht Inc. Appareil d'inspection et procede d'inspection
JP2003098213A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Oht Inc 検査装置並びに検査方法
JP3619819B2 (ja) * 2002-09-06 2005-02-16 日本電産リード株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
JP4919787B2 (ja) * 2006-12-15 2012-04-18 日置電機株式会社 測定装置
JP5555633B2 (ja) * 2007-10-10 2014-07-23 カスケード・マイクロテク・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置
CN101799516A (zh) * 2010-02-24 2010-08-11 海洋王照明科技股份有限公司 一种电路板检测装置
JP2013170917A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nidec-Read Corp 基板内蔵電子部品の端子判別方法及び端子判別装置
JP5953135B2 (ja) * 2012-06-14 2016-07-20 日置電機株式会社 抵抗測定装置および回路基板検査装置
JP6375661B2 (ja) * 2014-03-26 2018-08-22 日本電産リード株式会社 抵抗測定装置、基板検査装置、検査方法、及び検査用治具のメンテナンス方法

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