TW201722624A - 化學機械拋光系統 - Google Patents

Abstract

一種化學機械拋光系統包含平臺、漿料引入裝置及至少一拋光頭。平臺經配置以允許拋光墊設置於平臺上。漿料引入裝置經配置以供應漿料至拋光墊上。拋光頭包含主體及至少一研磨件。主體具有容納空間，容納空間用於容納晶圓。研磨件設置於主體上。研磨件具有研磨表面，研磨表面經配置以抵靠著拋光墊研磨。

Description

化學機械拋光系統及拋光晶圓的 方法

本發明實施例是有關於一種化學機械拋光系統。

化學機械拋光係磨研漿料及拋光墊以化學途徑及機械途徑兩者同時一起工作以把晶圓平坦化的製程。在製程期間，晶圓被推壓向拋光墊，而晶圓及拋光墊均旋轉。因此，晶圓被抵靠著拋光墊摩擦。結合漿料之化學作用，此可移除材料且傾向使任何不規則的表面形態變得平坦，從而使晶圓平坦成平面。

根據本揭露多個實施例，一種化學機械拋光系統包含平臺、漿料引入裝置及至少一拋光頭。平臺經配置以允許拋光墊設置於平臺上。漿料引入裝置經配置以供應漿料至拋光墊上。拋光頭包含主體及至少一研磨件。 主體具有容納空間，容納空間用於容納晶圓。研磨件設置於主體上。研磨件具有研磨表面，研磨表面經配置以抵靠著拋光墊研磨。

100‧‧‧化學機械拋光系統

110‧‧‧平臺

120‧‧‧漿料引入裝置

130‧‧‧拋光頭

130a‧‧‧拋光頭

130b‧‧‧拋光頭

131‧‧‧主體

132‧‧‧腔室

133‧‧‧膜

135‧‧‧研磨件

135a‧‧‧研磨件

135b‧‧‧研磨件

136‧‧‧研磨表面

137‧‧‧研磨顆粒

138‧‧‧固持環

140‧‧‧氣體源

140a‧‧‧氣體源

140b‧‧‧氣體源

150‧‧‧壓縮裝置

150a‧‧‧壓縮裝置

150b‧‧‧壓縮裝置

160‧‧‧第一旋轉裝置

170‧‧‧第二旋轉裝置

170a‧‧‧第二旋轉裝置

170b‧‧‧第二旋轉裝置

200‧‧‧拋光墊

300‧‧‧晶圓

300a‧‧‧晶圓

300b‧‧‧晶圓

301‧‧‧第一表面

302‧‧‧第二表面

F‧‧‧向下力

Fa‧‧‧向下力

Fb‧‧‧向下力

G‧‧‧氣體

Ga‧‧‧氣體

Gb‧‧‧氣體

S‧‧‧漿料

Z1‧‧‧第一軸

Z2‧‧‧第二軸

Z2a‧‧‧第二軸

Z2b‧‧‧第二軸

當結合所附圖式閱讀時，以下詳細描述將較容易理解本揭露之態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特徵並非按比例繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可任意增加或減小各特徵之尺寸。

第1圖為繪示根據本揭露多個實施例之化學機械拋光系統之示意圖。

第2圖為繪示第1圖之拋光頭之局部剖視圖。

第3圖為繪示第1圖之拋光頭之仰視圖。

第4圖為繪示根據本揭露其他多個實施例之拋光頭之仰視圖。

第5圖為繪示根據本揭露其他多個實施例之化學機械拋光系統之示意圖。

以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施所提供標的之不同特徵。下文描述組件及排列之特定實例以簡化本揭露。當然，該等實例僅為示例且並不意欲為限制性。舉例來說，以下描述中在第二特徵上方或第二特徵上形成第一特徵可包括以直接接觸形成第一特徵 及第二特徵的實施例，且亦可包括可在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵及第二特徵可不處於直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡明性及清晰之目的，且本身並不指示所論述之各實施例及/或配置之間的關係。

本文所使用的術語僅出於描述特定實施例之目的且不意欲限制本揭露。如本文所使用的，單數形式「一」、「一個」及「此」意欲亦包括複數形式，除非上下文另外清楚地指示。將進一步理解，術語「包含」或「包括」或「具有」在本說明書中使用時，指定所述之特徵、區域、整數、操作、元件及/或部件，但並不排除存在或添加一或多個其他特徵、區域、整數、操作、元件、部件及/或上述各者的群組。

進一步地，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語(諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者)來描述諸圖中所繪示一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除了諸圖所描繪之定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置之不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，因此可同樣解讀本文所使用之空間相對性描述詞。

除非另有定義，否則本文所使用的所有術語(包括技術術語及科學術語)皆具有與由本揭露所屬之領域中之一般技藝者通常所理解的相同意義。將進一步理 解，術語，諸如在常用字典中定義的彼等術語，應解釋為具有與此些術語在相關領域及本揭露的情境中之意義一致的意義，且將不以理想化或過度正式的意義來解釋此些術語，除非本文中如此明確定義。

參看第1圖及第2圖。第1圖為繪示根據本揭露多個實施例之化學機械拋光系統100之示意圖。第2圖為繪示第1圖之拋光頭130之局部剖視圖。如第1圖及第2圖所示，化學機械拋光系統100包含平臺110、漿料引入裝置120及至少一拋光頭130。平臺110經配置以允許拋光墊200設置於平臺上。漿料引入裝置120經配置以供應漿料S至拋光墊200上。拋光頭130包含主體131及至少一研磨件135。主體131具有容納空間A，容納空間A用於容納晶圓300。晶圓300之第一表面301面向拋光墊200。研磨件135設置於主體131上。研磨件135具有研磨表面136，研磨表面136經配置以抵靠著拋光墊200研磨。

在一些實施例中，如第1圖所示，化學機械拋光系統100進一步包含壓縮裝置150。壓縮裝置150經配置用於施加向下力F以把拋光頭130壓向拋光墊200，以使研磨件135之研磨表面136與拋光墊200接觸。換言之，研磨件135之研磨表面136在向下力F之作用下與拋光墊200接觸。

另外，如第1圖所示，化學機械拋光系統100進一步包含第一旋轉裝置160。第一旋轉裝置160經配置用於使平臺110繞第一軸Z1旋轉。

另一方面，如第1圖所示，化學機械拋光系統100進一步包含第二旋轉裝置170。第二旋轉裝置170經配置用於使拋光頭130繞第二軸Z2旋轉，其中第二軸Z2與第一軸Z1實質上彼此平行。此外，第一旋轉裝置160及第二旋轉裝置170可獨立地操作。此意謂著，在化學機械拋光系統100之操作期間，平臺110繞第一軸Z1的旋轉及拋光頭130繞第二軸Z2的旋轉可獨立地操作。換言之，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光墊200繞第一軸Z1的旋轉及晶圓300繞第二軸Z2的旋轉可獨立地操作。

更特定而言，如第2圖所示，拋光頭130之主體131包含腔室132及膜133。在一些實施例中，腔室132流體地連接至氣體源140。膜133密封腔室132。膜133經配置以鄰接基板300之第二表面302，其中第二表面302相對於晶圓300之第一表面301。換言之，晶圓300經由膜133與腔室132連通。

如上文所述，拋光頭130之腔室132流體地連接至氣體源140。在化學機械拋光系統100之操作期間，當實行晶圓300之拋光時，氣體源140供應氣體G至拋光頭130之腔室132，以使得經由膜133連通腔室132之晶圓300被按壓向拋光墊200與。換言之，晶圓300被 壓向拋光墊200之力與藉由自氣體源140供應之氣體G在拋光頭130之腔室132中產生之壓力有關。

在實踐應用中，在化學機械拋光系統100之操作期間，漿料S自漿料引入裝置120被供應於拋光墊200上。為增加化學機械拋光系統100之效率，漿料S通常係磨研及腐蝕性化學溶液。如上文所述，第一旋轉裝置160經配置用於使平臺110繞第一軸Z1旋轉。如此一來，由於拋光墊200設置於平臺110上，因此拋光墊200亦被第一旋轉裝置160旋轉。於拋光墊200上漿料S所落在的區域將旋轉至平臺頭130或晶圓300正面向之位置。當平臺頭130在向下力F之作用下被壓向拋光墊200而晶圓300在藉由氣體G在腔室132中產生之壓力下被壓向拋光墊200，以使得晶圓300與拋光墊200接觸時，晶圓300與拋光墊200之間的漿料S將被壓縮。隨後，在晶圓300與漿料S之間產生化學反應。結合晶圓300與拋光墊200之間以機械方式的相對運動，能使晶圓300之任何不規則的表面形態變得平坦。

更具體而言，在化學機械拋光系統100之操作期間，壓縮裝置150經操作以施加向下力F以把拋光頭130壓向拋光墊200，而氣體源140經操作以供應氣體G至拋光頭130之腔室132。如此一來，在藉由自氣體源140供應之氣體G在腔室132中產生之壓力下，容納於拋光頭130之主體131中之晶圓300與拋光墊200接觸。此外，如上文所述，第一旋轉裝置160經配置用於使平臺 110繞第一軸Z1旋轉。換言之，拋光墊200可繞第一軸Z1被旋轉。另一方面，第二旋轉裝置170經配置用於使拋光頭130繞第二軸Z2旋轉，其中第二軸Z2及第一軸Z1實質上彼此平行。換言之，晶圓300可繞第二軸Z2被旋轉。如此一來，當在藉由自氣體源140供應之氣體G在腔室132中產生之壓力下晶圓300與拋光墊200接觸時，拋光墊200繞第一軸Z1旋轉及晶圓300繞第二軸Z2旋轉中之至少一者將導致晶圓300及拋光墊200彼此摩擦。在一些實施例中，在同一時間段中，拋光墊200繞第一軸Z1旋轉，而晶圓300繞第二軸Z2旋轉。因此，晶圓300上突出之材料可被機械地移除，而晶圓300之任何不規則的表面形態變得平坦。連同如上文所述漿料S對晶圓300所產生之化學效應，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300可被拋光至平坦或平面的。

如第1圖至第2圖所示，如上文所述，拋光頭130包含至少一研磨件135。研磨件135設置於主體131上，且研磨件135具有研磨表面136，其中研磨表面136經配置以抵靠著拋光墊200研磨。當在藉由自氣體源140供應之氣體G在腔室132中產生之壓力下晶圓300與拋光墊200接觸，且拋光墊200繞第一軸Z1旋轉及晶圓300繞第二軸Z2旋轉中之至少一者時，除了晶圓300與拋光墊200彼此摩擦以外，研磨件135之研磨表面136亦在向下力F之作用下抵靠著拋光墊200研磨。如此一來，在移除晶圓300的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上 之任何碎片，可於研磨晶圓300的期間被研磨件135之研磨表面136移除並清除。因此，化學機械拋光系統100之效率得以增加。此外，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光墊200不斷地被拋光頭130之研磨件135再磨光。如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300之平坦及厚度均勻性可對應地改良。換言之，以化學及機械的途徑對晶圓300拋光之品質得以改良。

另外，由於拋光頭130繞軸Z2旋轉以使晶圓300抵靠著拋光墊200摩擦，並使研磨件135抵靠著拋光墊200研磨可同時藉由單個第一旋轉裝置160實行，因此化學機械拋光系統100之整體結構得以簡化。因此，此意謂著，化學機械拋光系統100之製造成本也得以降低。

在實踐應用中，為達到拋光頭130之研磨件135對拋光墊200之研磨效應，研磨件135之研磨表面136比拋光墊200更硬。如此一來，在研磨件135研磨拋光墊200期間，研磨件135將不會被拋光墊200磨損。反之，在移除晶圓300的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上之任何碎片，可有效地被研磨件135之研磨表面136移除並清除。

此外，為增加拋光頭130之研磨件135對拋光墊200之研磨效應，拋光頭130之研磨件135包含複數個研磨顆粒137(第1圖至第2圖中未圖示)，研磨顆粒137設置於研磨表面136上之。研磨顆粒137經配置以抵靠著拋光墊200研磨。為增加拋光頭130之研磨件135 對拋光墊200之研磨效應，研磨顆粒137由比拋光墊200更硬之材料製成。在一些實施例中，研磨顆粒137由鑽石製成。

換言之，由鑽石製成之研磨顆粒137設置於研磨件135之研磨表面136上。藉助由鑽石製成之研磨顆粒137，研磨件135對拋光墊200之研磨效率得以增加。應了解到，以上所舉之鑽石材料僅為例示，並非用以限制本揭露，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，適當選擇設置於研磨表面136上之研磨顆粒137之材料。

結構上而言，拋光頭130進一步包含固持環138。固持環138經配置以將晶圓300固持於容納空間A中。如第1圖至第2圖所示，固持環138設置於主體131與拋光頭130之研磨件135之間。換言之，研磨顆粒137設置於固持環138背對主體131之表面上。此外，固持環138具有一內徑，此內徑大於晶圓300，以使得晶圓300位於固持環138之內部空間中。一般而言，固持環138由塑膠材料製成。

參看第3圖。第3圖為繪示第1圖之拋光頭130之仰視圖。在一些實施例中，研磨件135之數量係複數個。如第3圖所示，複數個研磨件135均勻地設置於拋光頭130之主體131上，以使容納空間A及因此晶圓300之第一表面301被研磨件135所環繞。換言之，研磨顆粒137被分離成複數個群組，且容納空間A及因此晶圓 300之第一表面301被研磨顆粒137之群組所環繞。此意謂著，研磨顆粒137圍繞容納空間A分組。如此一來，研磨件135之質心將與第二軸Z2重合。換言之，在幾何形狀上達到研磨件135之平衡。因此，在第二旋轉裝置170使拋光頭130繞第二軸Z2旋轉期間，拋光頭130之穩定性得以維持。

參看第4圖。第4圖為繪示根據本揭露其他多個實施例之拋光頭130之仰視圖。如第4圖所示，研磨件135具有環形狀，且容納空間A及因此晶圓300之第一表面301被研磨件135環繞。與上述相同，環形狀之研磨件135之質心與第二軸Z2重合。相似地，在幾何形狀上達到環形狀之研磨件135之平衡。因此，在藉由第二旋轉裝置170使拋光頭130繞第二軸Z2旋轉期間，拋光頭130之穩定性得以維持。

參看第5圖。第5圖為繪示根據本揭露其他多個實施例之化學機械拋光系統100之示意圖。在一些實施例中，拋光頭130之數量係複數個。如上文所述，由於拋光頭130繞軸Z2旋轉以使晶圓300抵靠著拋光墊200摩擦且使研磨件135抵靠著拋光墊200研磨可在同一時間段藉由單個第一旋轉裝置160實行，因此化學機械拋光系統100之整體結構可被簡化。如此一來，更多空間可被獲得，且化學機械拋光系統100可包含多於一個的拋光頭130，因此多於一個晶圓300可在同一時間段被單個化學機械拋光系統100化學及機械地拋光。

更具體而言，如第5圖所示，拋光頭130之數量係兩個，即，拋光頭130a及拋光頭130b。例如，以拋光頭130a為例，在一些實施例中，壓縮裝置150a經配置用於施加向下力Fa以把拋光頭130a壓向拋光墊200，以使研磨件135a與拋光墊200接觸。同時，第二旋轉裝置170a經配置用於使拋光頭130a繞第二軸Z2a旋轉，其中第二軸Z2a及第一軸Z1實質上彼此平行。此外，氣體源140a流體地連接至拋光頭130a之腔室(未圖示)。

在化學機械拋光系統100之操作期間，漿料S自漿料引入裝置120被供應至拋光墊200上。壓縮裝置150a經操作以施加向下力Fa把拋光頭130a壓向拋光墊200，而氣體源140a經操作以供應氣體Ga至拋光頭130a之腔室(未圖示)。如此一來，在由自氣體源140a供應之氣體Ga在腔室中產生之壓力下，容納於拋光頭130a中之晶圓300a與拋光墊200接觸，同時研磨件135a壓向拋光墊200。此外，拋光墊200被第一旋轉裝置160繞第一軸Z1旋轉。另一方面，晶圓300被第二旋轉裝置170a繞第二軸Z2a旋轉。如此一來，在拋光墊200繞第一軸Z1旋轉而晶圓300a繞第二軸Z2a旋轉期間，除了晶圓300a及拋光墊200彼此摩擦以外，研磨件135a亦在向下力Fa之作用下抵靠著拋光墊200研磨。如此一來，在晶圓300a之拋光期間，在移除晶圓300a的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上之任何碎片，可被研磨件135a移除並清除。此外，在化學機械拋光系統100之操作期間， 拋光墊200不斷地被拋光頭130a之研磨件135a再磨光。如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300a之平坦及厚度均勻性可對應地改良。換言之，以化學及機械的途徑對晶圓300a拋光之品質得以改良。

在同一時間段中或在不同時間段中，在化學機械拋光系統100之操作期間，相似地，壓縮裝置150b經操作以施加壓縮力Fb以把拋光頭130b壓向拋光墊200，而氣體源140b經操作以供應氣體Gb至拋光頭130b之腔室(未圖示)。如此一來，在藉由自氣體源140b供應之氣體Gb在腔室中產生之壓力下，容納於拋光頭130b中之晶圓300b與拋光墊200接觸，同時研磨件135b壓向拋光墊200。此外，拋光墊200被第一旋轉裝置160繞第一軸Z1旋轉。另一方面，晶圓300b被第二旋轉裝置170b繞第二軸Z2b旋轉。如此一來，在拋光墊200繞第一軸Z1旋轉而晶圓300b繞第二軸Z2b旋轉期間，除了晶圓300b及拋光墊200彼此摩擦以外，研磨件135b亦在向下力Fb之作用下抵靠著拋光墊200研磨。如此一來，在晶圓300a之拋光期間，在移除晶圓300b的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上之任何碎片，可被研磨件135b移除並清除。此外，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光墊200不斷地被拋光頭130b之研磨件135b再磨光。如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300b之平坦及厚度均勻性可對應地改良。換言之，以化學及機械的途徑對晶圓300b拋光之品質得以改良。

由於晶圓300a及晶圓300b可藉由化學機械拋光系統100之操作在同一時間段中經拋光至平坦或平面的，因此化學機械拋光系統100之效率得以增加。因此，化學機械拋光系統100之操作成本也對應地降低。

為了簡單起見，在一些實施例中，氣體源140a及氣體源140b可為單個氣體源。相似地，壓縮裝置150a及壓縮裝置150b可為單個壓縮裝置。此外，第二旋轉裝置170a及第二旋轉裝置170b可為單個第二旋轉裝置。

此外，應了解到，以上所舉之拋光頭130之數目僅為例示，並非用以限制本揭露，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性地選擇化學機械拋光系統100之拋光頭130之數目。

參閱上文所提及之化學機械拋光系統100，本揭露多個實施例進一步提供一種用於拋光晶圓300之方法。此方法包含以下步驟(應了解到，在多個實施例中所提及的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行)：

(1)供應漿料S至拋光墊120上。

(2)以拋光頭130使晶圓300保持抵靠著拋光墊200，其中當使晶圓300保持抵靠著拋光墊200時，拋光頭130具有抵靠著拋光墊200的研磨表面136。

(3)旋轉拋光墊200及拋光頭130之至少一者，以使得晶圓300及拋光墊200彼此摩擦，且研磨表面136抵靠著拋光墊200研磨。

更具體而言，在化學機械拋光系統100之操作期間，漿料S自漿料引入裝置120被供應於拋光墊200上。拋光頭130使晶圓300保持抵靠著拋光墊200。當晶圓300被保持抵靠著拋光墊200時，拋光頭130具有面向拋光墊200之研磨表面136。隨後，拋光墊200與拋光頭130中之至少一者被旋轉，以使得晶圓300及拋光墊200彼此摩擦，且研磨表面136抵靠著拋光墊200研磨。如此一來，在平臺110繞軸Z1旋轉及拋光頭130繞軸Z2旋轉中任一者或此兩者期間，拋光墊200之至少一部分被研磨表面136移除，而在移除晶圓300的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上之任何碎片，可被研磨表面136移除並清除。因此，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光墊200不斷地被拋光頭130之研磨件135再磨光。如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300之平坦及厚度均勻性可對應地改良。換言之，以化學及機械的途徑對晶圓300拋光之品質得以改良。

此外，為把晶圓300壓向拋光墊200，以便增加研磨表面136抵靠著拋光墊200之研磨效率，用於拋光晶圓300之方法進一步包含：

(4)在旋轉期間向拋光頭130施加向下力F以促使研磨表面136抵靠著拋光墊200。

如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光頭130被向下力F按壓，而研磨表面136在向下力F之作用下抵靠著拋光墊200研磨。

根據本揭露多個實施例，由於拋光頭130包含至少一研磨件135。研磨件135設置於主體131上，且研磨件135具有研磨表面136，其中研磨表面136經配置以抵靠著拋光墊200研磨。當在藉由自氣體源140供應之氣體G在腔室132中產生之壓力下晶圓300與拋光墊200接觸，且拋光墊200繞第一軸Z1旋轉及晶圓300繞第二軸Z2旋轉中之至少一者時，除了晶圓300與拋光墊200彼此摩擦以外，研磨件135之研磨表面136亦在向下力F之作用下抵靠著拋光墊200研磨。如此一來，在移除晶圓300的突出材料時所產生並累積於拋光墊200上之任何碎片，可於研磨晶圓300的期間被研磨件135之研磨表面136移除並清除。因此，化學機械拋光系統100之效率得以增加。此外，在化學機械拋光系統100之操作期間，拋光墊200不斷地被拋光頭130之研磨件135再磨光。如此一來，在化學機械拋光系統100之操作期間，晶圓300之平坦及厚度均勻性可對應地改良。換言之，以化學及機械的途徑對晶圓300拋光之品質得以改良。

根據本揭露多個實施例，化學機械拋光系統包含平臺、漿料引入裝置及至少一拋光頭。平臺經配置以允許拋光墊設置於平臺上。漿料引入裝置經配置以供應漿料至拋光墊上。拋光頭包含主體及至少一研磨件。主體具有容納空間，容納空間用於容納晶圓。研磨件設置於主體上。研磨件具有研磨表面，研磨表面經配置以抵靠著拋光墊研磨。

根據本揭露多個實施例，化學機械拋光系統包含平臺、漿料引入裝置及至少一拋光頭。平臺經配置以允許拋光墊設置於平臺上。漿料引入裝置經配置以供應漿料至拋光墊上。拋光頭包含主體及複數個研磨顆粒。主體具有用於容納晶圓之容納空間。研磨顆粒設置於主體上且經配置以抵靠著拋光墊研磨。

根據本揭露多個實施例，提供用於拋光晶圓之方法。此方法包含：供應漿料至拋光墊上；以拋光頭使晶圓保持抵靠著拋光墊，其中當使晶圓保持抵靠著拋光墊時，拋光頭具有抵靠著拋光墊的研磨表面；以及旋轉拋光墊及拋光頭中之至少一者，以使得晶圓及拋光墊彼此摩擦，且研磨表面抵靠著拋光墊研磨。

儘管參看本揭露之某些實施例已相當詳細地描述了本揭露，但其他實施例係可能的。因此，所附申請專利範圍之精神及範疇不應受限於本文所含實施例之描述。

將對熟習此項技術者顯而易見的是，可在不脫離本揭露之範疇或精神的情況下對本揭露之結構實行各種修改及變化。鑒於上述，本揭露意欲涵蓋本揭露之修改及變化，前提是該等修改及變化屬於以下申請專利範圍之範疇內。

上文概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構 的基礎，以便實施本文所介紹之實施例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本揭露之精神及範疇，且可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。

100‧‧‧化學機械拋光系統

110‧‧‧平臺

120‧‧‧漿料引入裝置

130‧‧‧拋光頭

131‧‧‧主體

135‧‧‧研磨件

136‧‧‧研磨表面

138‧‧‧固持環

140‧‧‧氣體源

150‧‧‧壓縮裝置

160‧‧‧第一旋轉裝置

170‧‧‧第二旋轉裝置

200‧‧‧拋光墊

300‧‧‧晶圓

S‧‧‧漿料

F‧‧‧向下力

G‧‧‧氣體

Z1‧‧‧第一軸

Z2‧‧‧第二軸

Claims (1)

1. 一種化學機械拋光系統，包含：一平臺，其經配置以允許一拋光墊設置於該平臺上；一漿料引入裝置，其經配置以供應漿料至該拋光墊上；以及至少一拋光頭，包含：一主體，具有一容納空間，該容納空間用於容納一晶圓；以及至少一研磨件，設置於該主體上，該研磨件具有一研磨表面，該研磨表面經配置以抵靠著該拋光墊研磨。