TW201721829A - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
顯示面板包括相對設置的第一、第二基板，和設置於第一、第二基板之間的一顯示介質層。第一基板包括交錯設置的多條第一導線、多條第二導線和多個電晶體設置在一基材上以定義出多個畫素區域。各畫素區域之電晶體包含：設置在基材上之閘極電極、閘極電極上之第一絕緣層、第一絕緣層上之主動層、主動層上之第一和第二電極。第一電極係由雙層透光導電材料組成，包括第一透光導電材料層形成於主動層上和第二透光導電材料層形成於第一透光導電材料層上，其中與第一電極連接之第二導線係包括一金屬層設置於兩(如第一和第二)透光導電材料層之間。
Description
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於顯示面板之電晶體陣列基板結構及其製造方法。
不論在工作處理學習上或是個人休閒娛樂上，具顯示面板的電子產品，包括智慧型手機(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記型電腦(Notebook)、顯示器(Monitor)到電視(TV)等許多相關產品，已是現代人不可或缺的必需品。其中又以簡潔、輕盈、易攜帶、和低價的液晶顯示面板最為廣泛使用。液晶顯示面板同時提供多樣性包括尺寸、形狀、解析度等多種選擇。
銅製程為目前大尺寸顯示面板常用之製程技術，而顯示面板之基板中以半導體(例如氧化銦鎵鋅，IGZO)做為薄膜電晶體(例如IGZO TFT)之主動層，由於具有高場效移動率及大面積製程之可行性，應用於大尺寸顯示器具極大優勢。而目前以銅做為金屬導線時，由於其與底層絕緣膜之附著性不佳，需於銅與絕緣層之間增加一中介金屬層(如鉬)，以增加金屬與絕緣層之附著性，另一方面，此中介金屬層可做為擴散阻擋層，以防止銅離子
進入主動層而影響元件可靠性。目前常見的金屬導線和中介金屬層之組合為：銅/鉬(Cu/Mo)，銅/鈦(Cu/Ti)，和銅/鉬鈦合金(Cu/Mo：Ti)等。在IGZO薄膜電晶體結構中，當主動層為IGZO層時，鉬或鈦等金屬接觸IGZO時容易搶IGZO內的氧而造成主動層導電性的改變。因此，於第二金屬層定義完成後(即形成源極汲極)和沉積保護層如氧化矽(SiOx)於第二金屬層上之前，目前製程會使用氧化氮(N2O)電漿對主動層表面進行表面處理來補氧，但此道步驟同時也容易造成銅導線表面嚴重氧化。
本發明係有關於一種顯示面板及其製造方法，其電晶體陣列基板結構設計，可防止導線之金屬離子進入主動層而改變元件電子特性，影響元件之可靠性，但又可避免導線表面在製程中產生氧化。
根據本發明，係提出一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對設置的一第二基板，和設置於第一基板與第二基板之間的一顯示介質層。第一基板包括交錯設置的複數條第一導線、複數條第二導線和複數電晶體設置在一基材上以定義出複數個畫素區域，且第一導線和第二導線分別沿第一方向和第二方向延伸。各畫素區域之電晶體包含：設置在基材上之一閘極電極、設置在閘極電極上之一第一絕緣層、設置在第一絕緣層上之一主動層、設置在該主動層上並與主動層電性連接之一第一電極和一第二電極。主動層包含一通道區，且通道區位於第一電極和
第二電極之間。第一電極係由雙層透光導電材料組成，包括一第一透光導電材料層形成於主動層上方和一第二透光導電材料層形成於第一透光導電材料層上，其中與第一電極連接之第二導線係包括一第三透光導電材料層、一金屬層與一第四透光導電材料層，金屬層設置於第三透光導電材料層和第四透光導電材料層之間。於一實施例中，各畫素區域的第一電極之第一透光導電材料層和第二透光導電材料層係延伸至對應之第二導線的金屬層並包覆金屬層，以分別形成第三透光導電材料層與第四透光導電材料層。
根據本發明，係提出一種顯示面板之製造方法，包含形成一第一基板，提供一第二基板並與第一基板對組，以及提供一顯示介質層於第一基板與第二基板之間。其中形成第一基板包括：形成第一金屬層於一基材，圖案化第一金屬層以形成複數條第一導線與複數個閘極電極，該些第一導線沿第一方向延伸並連接相對應之閘極電極；形成第一絕緣層覆蓋於該些閘極電極與該些第一導線上；形成複數個主動層於第一絕緣層上；形成一第一透光導電材料層於第一絕緣層上；形成複數條金屬層於第一透光導電材料層上；形成一第二透光導電材料層於該些金屬層與第一透光導電材料層上；圖案化第一透光導電材料層與第二透光導電材料層以形成複數條第二導線於基材上並沿第二方向延伸、複數第一電極和複數第二電極，其中每一第二導線包括一由第一透光導電材料層形成之第一透光導電層、金屬層、一由第二透光導
電材料層形成之第二透光導電層，且該些第二導線與該些第一導線交錯設置以定義出複數個畫素區域；其中，於各畫素區域中第一電極和第二電極在主動層上，且通道區位於第一電極和第二電極之間。第一電極係由一第一透光導電材料層和一第二透光導電材料層組成。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
S1‧‧‧第一基板
10‧‧‧基材
12‧‧‧閘極電極
13‧‧‧第一絕緣層
14‧‧‧主動層
ACH‧‧‧通道區
141‧‧‧主動層之上表面
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
151‧‧‧第一透光導電材料層
152‧‧‧第二透光導電材料層
15E‧‧‧延伸部
16‧‧‧金屬層
160‧‧‧金屬層之底面
161、162‧‧‧金屬層之側壁
163‧‧‧金屬層之上表面
17‧‧‧蝕刻阻擋層
18‧‧‧第二絕緣層
19‧‧‧第三絕緣層
19h‧‧‧孔洞
PE‧‧‧畫素電極
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
PX‧‧‧畫素區域
DE‧‧‧延伸寬度
17h1‧‧‧第一開口
17h2‧‧‧第二開口
DC1‧‧‧第一接觸寬度
DC2‧‧‧第二接觸寬度
S2‧‧‧第二基板
LC‧‧‧液晶層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
第1A圖係為本揭露第一實施例中顯示面板之基板的簡單俯視圖。
第1B圖為第1A圖中圈選處之局部放大圖。
第1C圖為沿第1B圖之剖面線1C-1C繪示第一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
第2A-2F圖係為製作第一實施例顯示面板之電晶體陣列基板的流程示意圖。
第3圖係繪示本揭露第一實施例顯示面板之另一基板的剖面示意圖。
第4圖為本揭露第二實施例顯示面板之基板的剖面示意圖。
第5圖係繪示本揭露第二實施例顯示面板之另一基板的剖面示意圖。
本揭露之實施例係提出一種顯示面板，其關於電晶體陣列基板的特殊結構設計，其導線(例如金屬銅)包括側面係以透光導電材料覆蓋，如此所製得之導線(例如資料線)可避免產生銅氧化。再者，於在各畫素區域中的電極例如源極電極和汲極電極僅由透光導電材料所組成，如此可避免銅擴散至主動層而造成電子特性改變。以下係參照所附圖式詳細敘述本揭露之實施例。本揭露之實施例可應用於具不同形態的電晶體陣列基板之顯示面板，例如是背通道蝕刻型電晶體(BCE-type TFT)陣列基板和蝕刻停止型電晶體(Etch Stop-type TFT)陣列基板等的液晶顯示面板。需注意的是，實施例所提出的實施態樣之結構和內容僅為舉例說明之用。本揭露並非顯示出所有可能的實施例，相關領域者可在不脫離本揭露之精神和範圍內對實施例之結構加以變化與修飾，以符合實際應用所需。因此，未於本揭露提出的其他實施態樣也可能可以應用。再者，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本揭露保護範圍之用。再者，實施例中相同或類似的標號係用以標示相同或類似之部分。
另外，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數
的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
第一實施例係以背通道蝕刻型電晶體陣列基板之顯示面板做說明。第1A圖係為本揭露第一實施例中顯示面板之基板的簡單俯視圖。第1B圖為第1A圖中圈選處之局部放大圖。第1C圖為沿第1B圖之剖面線1C-1C繪示第一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請同時參照第1A-1C圖。
如第1A、1B圖所示，實施例之顯示面板包括一陣列基板，包括複數條第一導線例如掃描線SL與複數條第二導線例如資料線DL交錯設置，以定義出陣列的多個畫素區域PX，其中第一導線(例如掃描線SL)沿第一方向D1(即X方向)延伸，第二導線例如資料線DL係沿第二方向D2(即Y方向)延伸。而各畫素區域PX中係包含至少一開關元件例如是薄膜電晶體，以獨立控制所屬畫素區域PX。
如第1C圖所示，一實施例之顯示面板包括一第一基板S1、與第一基板S1相對設置一第二基板S2和設置於第一基板S1與第二基板S2之間之一顯示介質層。第一實施例中，第一基板S1例如是一電晶體陣列基板，第二基板S2例如是一彩色濾光基板，顯示介質層例如是液晶層LC。第一實施例係以源極電極和汲極電極直接形成於半導體層(i.e.主動層)上且位於通道區ACH之兩側為例作第一基板S1之結構說明。
如第1C圖所示，設置在一基材10上的多個電晶體其中之一係包含一閘極電極12(例如是金屬銅或其他適合金屬材料)設置在基材10上，一第一絕緣層13設置在閘極電極12上，一主動層14(i.e.半導體層)設置在第一絕緣層13上且主動層14包含一通道區ACH，一第一電極E1(例如源極電極)和一第二電極E2(例如汲極電極)設置在主動層14上，通道區ACH位於第一電極E1和第二電極E2之間。於一實施例中，主動層14的材料包含氧化物半導體(或金屬氧化物半導體)，例如是氧化鋅(zinc oxide，ZnO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)。另外，電晶體更包括一第二絕緣層18覆蓋第一電極E1和第二電極E2，以及位於第二絕緣層18上的一第三絕緣層19。要說明的是，第二絕緣層18、第三絕緣層19可以是單層、雙層、或兩層以上的膜層組成，例如，於本實施例中，第二絕緣層18是包含氧化矽、氮化矽兩種膜層。於各畫素區域中，更包括一畫素電極PE(材料例如是ITO)透過第二絕緣層18和第三絕緣層19的孔洞19h而電性連接第二電極E2，如第1B、1C圖所示。
本揭露並不侷限於第1A~1C圖所繪示之細部結構，例如於第一實施例中雖繪示第一方向D1與第二方向D2垂直，但於其他實施例中第一方向D1亦可與第二方向D2形成一夾角，其範圍例如是在75度至90度之間。再者，第二基板S2亦省略了其他元件，以利清楚顯示本揭露。
根據本揭露，顯示面板的顯示區中，第一電極E1(例如源極電極)和一第二電極E2(例如汲極電極)係由透光導電材料所組成；而與兩電極其中一者連接的導線例如資料線DL，其組成則包括一金屬層和兩層透光導電材料。第一實施例中，第一電極E1(例如源極電極)係由雙層透光導電材料組成，包括一第一透光導電材料層151形成於主動層14上方，和第二透光導電材料層152形成於第一透光導電材料層151上。與第一電極E1連接之第二導線例如資料線DL，係包括一第三透光導電材料層、一金屬層16與一第四透光導電材料層，金屬層16設置於第三透光導電材料層和第四透光導電材料層之間；而於一實施例中，各畫素區域的第一電極E1之第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152係延伸至對應之第二導線的金屬層16並包覆金屬層16，以分別形成第三透光導電材料層與第四透光導電材料層。如第1C圖所示，第二導線如資料線DL係包括一金屬層16設置於第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152之間。類似地，第二電極E2(ex汲極電極)亦由形成於主動層14上方的第一透光導電材料層151和形成於第一透光導電材料層151上的第二透光導電材料層152所組成。需說明的是，雖然實施例之第一電極E1與第二電極E2都包括有第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152，但第一電極E1與第二電極E2之間並沒有物理性上地連接。
如第1C圖所示，各畫素區域的第一電極E1之第一
透光導電材料層151和第二透光導電材料層152係延伸至對應之金屬層16並包覆金屬層16，以形成第二導線例如資料線DL。其中金屬層16係形成於第一透光導電材料層151上，包括底面160與第一透光導電材料層151直接接觸；而第二透光導電材料層152則形成於金屬層16上，直接接觸並覆蓋金屬層16之側壁161、162和上表面163。
於一實施例中，第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152為金屬氧化物，例如是(但不限制是)IZO或ITO材料層，而且第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152可以使用相同或不同的透光導電材料。一實施例中，金屬層16例如是金屬銅層，因此在各畫素區域中源極電極和汲極電極僅由透光導電材料(ex：IZO)所組成(亦即主動層14上面沒有金屬材料層)，但資料線DL是由透光導電材料包覆金屬銅(ex：IZO/Cu/IZO)所組成。
再者，於資料線DL處，金屬層16包括相對之兩側壁161和162分別鄰近與遠離主動層14。第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152於金屬層16之遠離主動層14的側壁162處係重合並可形成一延伸部15E，此延伸部15E具有一延伸寬度DE。一實施例中，延伸寬度DE約0.1μm-4μm之範圍。相關技藝者當知，前述數值與範圍係作示例與參考，可因應用產品的規格不同而做適當選擇。因此該些數值與範圍係做參考之用，而非限制本揭露之用。
第2A-2F圖係為製作第一實施例顯示面板之電晶體陣列基板的流程示意圖。亦可同時參考第1A-1C圖。第2A-2F圖與第1A-1C圖中相同元件係沿用相同標號，以利清楚說明。如第2A圖所示，首先提供一基材10，並形成第一金屬層於基材10上以及對第一金屬層進行圖案化，以定義出複數條相互平行之第一導線例如掃描線SL和定義出閘極電極12，其中掃描線SL係沿第一方向D1(X方向)延伸。此第一金屬層又可稱為閘極金屬導線。此導線可為銅金屬或其他其他具低電阻之金屬材料。
如第2B圖所示，形成第一絕緣層13於基材上並覆蓋閘極電極12，其中第一絕緣層13係整面鍍製，並做為閘極絕緣層。接著，鍍製一氧化物半導體層並進行顯影蝕刻製程，以形成複數個主動層14於第一絕緣層13上。氧化物半導體層的材料泛指以離子鍵結之半導體材料，例如是氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或其他適合材料。
之後，第一透光導電材料層151(如IZO)係整面鍍製並覆蓋於第一絕緣層和主動層14上方；並鍍製金屬(例如銅金屬)和定義金屬走線區，包括移除通道區域、畫素區域及其他不需要導線區域之金屬，以形成多條金屬層16之走線，而第一透光導電材料層151則全面留下，如第2C圖所示。
接著，整面覆蓋第二透光導電材料層152(如IZO)於第一透光導電材料層151上，且第二透光導電材料層152並覆蓋該些金屬層16，並對第一透光導電材料層151和第二透光導電
材料層152同時圖案化，以定義金屬走線區，包括薄膜電晶體的源極區、汲極區和金屬層16，以及金屬層16的側面161、162也被第二透光導電材料層152覆蓋，如第2D圖所示。再者，於此定義步驟中，亦使各畫素區域中之通道區ACH暴露出對應之主動層14的上表面。因此前述(第1C圖)之第二導線如資料線DL是由第一透光導電材料層151和第二透光導電材料層152包覆金屬層16(材料例如是IZO/Cu/IZO)所組成。而從上視圖來看，透明導電層面積(如第二透光導電材料層152)會大於金屬層16(ex：銅導線)的面積。
之後，於第二透光導電材料層152上方形成第二絕緣層18和第三絕緣層19(做為絕緣保護層(Passivation))，並定義接觸孔洞，例如形成孔洞19h貫穿第三絕緣層19和第二絕緣層18以暴露出第二電極E2之第二透光導電材料層152的上表面，如第2E圖所示。
於各畫素區域中鍍製畫素電極層(材料例如是ITO)，而形成如第2F圖所示之畫素電極PE，其中畫素電極PE係透過孔洞19h(例如與第二透光導電材料層152接觸)而電性連接第二電極E2。
如上述完成第一基板S1後，再與第二基板S2(第1C圖)對組，並提供一顯示介質層(如第1C圖所示之液晶層LC)於第一基板S1與第二基板S2之間，完成顯示面板之製作。
另外，如第1C圖所示，第一電極E1之第一透光導
電材料層151係與主動層14之上表面141具有第一接觸寬度DC1，第二電極E2之第一透光導電材料層151係與主動層14之上表面141具有第二接觸寬度DC2，第一接觸寬度DC1可與第二接觸寬度DC2相同。
但本揭露並不僅限於此，亦可變化兩側的接觸寬度使其不同。第3圖係繪示本揭露第一實施例顯示面板之另一基板的剖面示意圖。於另一實施態樣中，第一接觸寬度DC1係與第二接觸寬度不同DC2。如此設計是閘極/畫素電極電容(Cg pixel)較大，閘極/汲極電容(Cgd)較小，而較小的閘極/汲極電容可使資料線電容(Cdata)下降。
第4圖為本揭露第二實施例顯示面板之基板的剖面示意圖。第二實施例係以蝕刻停止型電晶體(Etch Stop-type TFT)陣列基板之顯示面板做說明。第4圖與第1C圖中相同元件係沿用相同標號，以利清楚說明。且第二實施例與第一實施例相同元件的結構、材料與設置等相關細節，請參看前述，在此不再贅述。
第二實施例中，與第一實施例不同的是，各畫素區域之電晶體更包含一蝕刻阻擋層17，位於主動層14和第一電極E1與第二電極E2之間，且蝕刻阻擋層17於第一電極E1和第二電極處E2處分別具有第一開口17h1和第二開口17h2。第二實施例中，第一透光導電材料層151經由第一開口17h1和第二開口17h2與主動層14接觸。而兩開口之寬度決定了第一透光導電材
料層151與主動層14之上表面141的接觸寬度。亦即，第一電極E1之第一透光導電材料層151與主動層14之上表面141具有第一接觸寬度DC1(對應之第一開口17h1的大小)，第二電極E2之第一透光導電材料層151與主動層14之上表面141具有第二接觸寬度DC2(對應之第二開口17h2大小的)。另外，主動層14對應第一開口17h1和第二開口17h2處的厚度小於通道區ACH的厚度。
如第4圖所示，第一開口17h1可與第二開口17h2相同；亦即，第一接觸寬度DC1可與第二接觸寬度DC2相同。當然，但本揭露並不僅限於此，亦可變化兩側的開口寬度使其不相等。第5圖係繪示本揭露第二實施例顯示面板之另一基板的剖面示意圖。類似前述第一實施例之第3圖所示之態樣，第二實施例中，第一開口17h1與第二開口17h2不同；亦即，第一接觸寬度DC1係與第二接觸寬度不同DC2。如第5圖所示，第一開口17h1小於第二開口17h2，如此設計是閘極/畫素電極電容(Cg pixel)較大，閘極/汲極電容(Cgd)較小，而較小的閘極/汲極電容可使資料線電容(Cdata)下降。
如上述圖示之結構與製程(例如提出底閘極五道光罩製程及製得結構)，是用以敘述本揭露之部分實施例，而非用以限制本揭露之範圍。其他不同結構態樣之實施例，例如不同形態的開關如TFT和顯示面板、做為S/D電極之雙層透光導電材料層其邊界是否齊平或有段差等以符合製程需求、兩電極之第一透光導電材料層與主動層之間的接觸寬度、畫素電極連接用的接觸孔
洞之位置變化以符合連結所需、或是蝕刻阻擋層對應電極處的開口位置和大小...等等，都是屬本揭露之保護範圍。通常知識者當知，應用本揭露之相關結構和製程係視實際應用之產品需求而可能有相應的調整，但調整後仍可符合應用產品的操作規格(例如電晶體的充電能力和電容負載仍符合一般應用產品的需求)，而可維持顯示面板良好的電子特性。
根據上述，本揭露提出之顯示面板之電晶體陣列基板結構設計，其導線例如金屬銅層係以透光導電材料覆蓋，例如金屬層16上下分別以第二透光導電材料層152和第一透光導電材料層151覆蓋，且第二透光導電材料層152更包覆了金屬層16之側面161、162，如此所製得之導線例如資料線DL(ex：IZO/Cu/IZO)可避免後續製程(例如於電極定義後沈積保護層前，使用N2O電漿對主動層14表面進行處理)所造成的銅表面氧化。再者，於在各畫素區域中第一電極E1(ex：源極電極)和第二電極E2(ex：汲極電極)僅由透光導電材料(ex：IZO)所組成(亦即主動層14上面沒有金屬材料如銅)，如此可避免銅擴散至主動層14(半導體材料)而造成電子特性改變。再者，實施例所提出之基板製程步驟簡易不耗時，在製作上十分適合量產。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1‧‧‧第一基板
10‧‧‧基材
12‧‧‧閘極電極
13‧‧‧第一絕緣層
14‧‧‧主動層
ACH‧‧‧通道區
141‧‧‧主動層之上表面
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
151‧‧‧第一透光導電材料層
152‧‧‧第二透光導電材料層
15E‧‧‧延伸部
16‧‧‧金屬層
160‧‧‧金屬層之底面
161、162‧‧‧金屬層之側壁
163‧‧‧金屬層之上表面
18‧‧‧第二絕緣層
19‧‧‧第三絕緣層
19h‧‧‧孔洞
PE‧‧‧畫素電極
DE‧‧‧延伸寬度
DC1‧‧‧第一接觸寬度
DC2‧‧‧第二接觸寬度
S2‧‧‧第二基板
LC‧‧‧液晶層
DL‧‧‧資料線
Claims (10)
- 一種顯示面板，包含：一第一基板，包括交錯設置的複數條第一導線、複數條第二導線和複數電晶體設置在一基材上以定義出複數個畫素區域，且該些第一導線和該些第二導線分別沿一第一方向和第二方向延伸，各該畫素區域之該電晶體包含：一閘極電極，設置在該基材上；一第一絕緣層，設置在該閘極電極上；一主動層，設置在該第一絕緣層上，包含一通道區；一第一電極和一第二電極設置在該主動層上並與該主動層電性連接，該第一電極和該第二電極位於該通道區兩側，該第一電極包括一第一透光導電材料層形成於該主動層上方和一第二透光導電材料層形成於該第一透光導電材料層上，其中與該第一電極連接之該第二導線係包括一第三透光導電材料層、一金屬層與一第四透光導電材料層，該金屬層設置於該第三透光導電材料層和該第四透光導電材料層之間，一第二基板，與該第一基板相對設置；以及一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該畫素區域的該第一電極之該第一透光導電材料層和該第二透光導電材料層係延伸至對應之該第二導線的該金屬層並包覆該金屬層，以分別形成該第三透光導電材料層與該第四透光導電材料 層。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中該第二導線的該金屬層係形成於該第一透光導電材料層上，該第二透光導電材料層形成於該金屬層之側壁和上表面。
- 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中該第一透光導電材料層和該第二透光導電材料層於該金屬層之遠離該主動層的該側壁處係重合並形成一延伸部，該延伸部具有一延伸寬度約0.1μm-4μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二電極係由雙層透光導電材料組成，包括該第一透光導電材料層形成於該主動層上方和該第二透光導電材料層形成於該第一透光導電材料層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一電極與該主動層之一上表面具有一第一接觸寬度，該第二電極與該主動層之該上表面具有一第二接觸寬度，該第一接觸寬度係與該第二接觸寬度不同。
- 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該第一接觸寬度小於該第二接觸寬度。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一透光導電材料層和該第二透光導電材料層係為金屬氧化物，該主動層係為金屬氧化物半導體。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該畫素區域之該電晶體更包含一蝕刻阻擋層位於該主動層和該第一電極與該第二電極之間，且該蝕刻阻擋層於該第一電極和該第二電 極處分別具有第一開口和第二開口，該第一電極和該第二電極經由該第一開口和該第二開口與該主動層接觸。
- 一種顯示面板之製造方法，包含：形成一第一基板，包括：形成第一金屬層於一基材，圖案化該第一金屬層以形成複數條第一導線與複數個閘極電極，該些第一導線沿第一方向延伸並連接相對應之閘極電極；形成一第一絕緣層覆蓋於該些閘極電極與該些第一導線上；形成複數個主動層於該第一絕緣層上；形成一第一透光導電材料層於該第一絕緣層上；形成複數條金屬層於該第一透光導電材料層上；形成一第二透光導電材料層於該些金屬層與該第一透光導電材料層上；圖案化該第一透光導電材料層與該第二透光導電材料層以形成複數條第二導線於該基材上並沿一第二方向延伸、複數第一電極和複數第二電極，其中每一第二導線包括一由該第一透光導電材料層形成之第一透光導電層、該金屬層、一由該第二透光導電材料層形成之第二透光導電層，且該些第二導線與該些第一導線交錯設置以定義出複數個畫素區域；其中，於各該畫素區域中該第一電極和該第二電極在該主動層上，且該通道區位於該第一電極和該第二電極之間，其中該第一電極係由該第一透光導電材料層與該第二透光導電材料 層形成，提供一第二基板，並與該第一基板對組；以及提供一顯示介質層於該第一基板與該第二基板之間。
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