TW201719790A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

提供基板處理裝置。本發明之基板處理裝置包含：本體，提供作為基板處理空間之腔；氣體入口，讓基板處理氣體朝腔內供給；氣體出口，讓腔內之基板處理氣體朝外部排出；加熱器，配置於腔內，將腔之內部加熱；溫度控制器，配置於本體之外側面，控制本體之內側面之溫度；隔熱體，與本體之內側面隔開預定距離而配置；本體加熱器，配置在本體之內側面與隔熱體之外側面之間。

Description

基板處理裝置 發明領域

本發明是與基板處理裝置相關，詳細而言，與如下之基板處理裝置相關：具備有控制本體之內側面之溫度之溫度控制器及本體加熱器，而可將本體之內側壁之溫度保持在預定之溫度，以不讓基板處理氣體或揮發性物質凝結在本體之內側壁。

發明背景

關於在製造顯示裝置或半導體元件時所使用之基板處理裝置，於對基板進行處理之腔之內部會進行大量氣體之供給及排出。如此之氣體是為了在基板上形成薄膜、在基板上之薄膜製作圖樣、或是對腔內部之環境氣體進行換氣，而朝腔之內部供給、從腔朝外部排出。

腔內壁可能因為在基板處理過程中朝腔之內部供給之氣體或是從基板揮發之氣體而受到汙染。於基板處理工程中，腔內部必須保持在預定之工程溫度及工程壓力，此時，由於腔之外部與腔之內部的溫度差及壓力差，有發生氣體凝結在本體內壁之現象之虞。凝結之氣體可能在反 覆進行之基板處理工程中因為反覆蒸發及凝結、與其他化學成分之氣體反應、或是在特定之溫度環境下變質，而進一步汙染本體內壁。

結果，關於習知之基板處理裝置，由於本體內壁之受到汙染之物質會在以後之基板處理過程中再蒸發，流入基板上而使基板受到汙染，故有著製品之可靠性降低、良率低落之問題點。

另外，由於習知之基板處理裝置會發生對在本體內壁之汙染物質進行洗淨、或是不得不將本體內壁本身予以更換之問題，故有著製品之生產成本增大之問題點。

發明概要

本發明是為了解決如前述般之習知技術之各問題點而創出之發明，其目的在於提供可將本體內壁保持在預定之溫度以不讓氣體凝結在本體內壁之基板處理裝置。

另外，本發明之目的是提供可同時使用溫度控制器及本體加熱器而迅速地將本體內壁保持在希望之溫度之基板處理裝置。

另外，本發明之目的是提供可藉由將本體內壁保持成不受汙染而使製品之可靠性及良率增大之基板處理裝置。

為了達成前述之目的，本發明之一實施形態之基 板處理裝置包含：本體，提供作為基板處理空間之腔；氣體入口(inlet)，讓基板處理氣體朝前述腔內供給；氣體出口(outlet)，讓前述腔內之基板處理氣體朝外部排出；加熱器，配置於前述腔內，將前述腔之內部加熱；溫度控制器，配置於前述本體之外側面，控制前述本體之內側面之溫度；隔熱體，與前述本體之內側面隔開預定距離而配置；本體加熱器，配置在前述本體之內側面與前述隔熱體之外側面之間。

根據如前述般地構成之本發明，藉由將本體內壁保持在預定之溫度，而不讓氣體凝結於本體內壁。

另外，本發明可同時使用溫度控制器及本體加熱器，而迅速地將本體內壁保持在希望之溫度。

另外，本發明可藉由將本體內壁保持成不受汙染，而使製品之可靠性及良率增大。

3WV‧‧‧3通閥

10‧‧‧基板

11‧‧‧基板保持器

100‧‧‧本體

101‧‧‧腔

110‧‧‧門

115‧‧‧出入口

120‧‧‧補強肋

130‧‧‧物質排出孔

130a‧‧‧物質排出孔

130b‧‧‧物質排出孔

130c‧‧‧物質排出孔

130d‧‧‧物質排出孔

150‧‧‧隔熱體

151‧‧‧空間

155‧‧‧孔

200‧‧‧加熱器

210‧‧‧主加熱器

211‧‧‧發熱體

212‧‧‧端子

220‧‧‧副加熱器

221‧‧‧發熱體

222‧‧‧端子

250‧‧‧本體加熱器

251‧‧‧邊部分

253‧‧‧本體加熱器

255‧‧‧本體加熱器

300‧‧‧氣體入口

310‧‧‧氣體供給管

311‧‧‧吐出孔

320‧‧‧氣體副管線

330‧‧‧***口

350‧‧‧防凝結氣體入口

350a‧‧‧連結

350b‧‧‧連結

351‧‧‧防凝結氣體供給管

355‧‧‧防凝結氣體流入管

400‧‧‧氣體出口

410‧‧‧氣體排出管

411‧‧‧排出孔

420‧‧‧氣體流出管

430‧‧‧端部

500‧‧‧溫度控制器

510‧‧‧上部側

520‧‧‧左右側

520a‧‧‧左右側

520b‧‧‧左右側

530‧‧‧下部側

540‧‧‧門

550‧‧‧門

600‧‧‧本體壁加熱模組

700‧‧‧本體壁冷卻模組

d‧‧‧排出凝結之氣體

g‧‧‧基板處理氣體

n‧‧‧防凝結氣體

[圖1]顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之整體構成的立體圖。

[圖2]顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置的正截面圖。

[圖3]顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置的左、右側截面圖。

[圖4]圖2之“A”及“B”的擴大圖。

[圖5]顯示本發明之一實施形態之溫度控制器之動作的 概略圖。

[圖6]顯示本發明之一實施形態之氣體入口及氣體出口的截面圖。

[圖7]顯示本發明之一實施形態之在基板處理裝置形成有物質排出孔之形態的立體圖。

用以實施發明之形態

後述之關於本發明之詳細說明是參考將實施本發明之特定實施形態舉例圖示之附加圖面。該等實施形態是詳細說明而足以讓業者充分實施本發明。應理解的是，本發明之多樣之實施形態雖然互相不同，但並不需要是互相排斥。舉例來說，所記載之特定之形狀、構造、及特性可與一實施形態相關而在不超脫本發明之精神及範圍之下作為其他之實施形態來具體呈現。另外，應理解的是，可在不超脫本發明之精神及範圍之下，將分別揭示之實施形態內之個別構成要素之位置或配置改變。所以，後述之詳細說明並非要視為限定，本發明之範圍是若有適切地說明，則與均等於該請求項主張之內容之所有範圍一起，只受附加之請求項所限定。在圖面中，類似之參考符號是遍及多樣之側面而指同一或類似之機能，關於長度及面積、厚度等，其形態有時是為了方便而誇張地表現。

在本說明書，基板應被理解為包含有在LED、LCD等顯示裝置使用之基板、半導體基板、太陽電池基板等各式各樣之基板，宜被理解為在可撓性(Flexible)顯示裝 置使用之可撓性基板。

另外，在本說明書，基板處理工程應被理解為包含有蒸鍍工程、熱處理工程等，宜被理解為在非可撓性(Non-Flexible)基板上形成可撓性基板、在可撓性基板上形成圖樣、分離可撓性基板等工程。

以下，參考附加圖面而詳細說明本發明之實施形態之基板處理裝置。

圖1是顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之整體構成的立體圖，圖2是顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置的正截面圖，圖3是顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置的左、右側截面圖，圖4是圖2之“A”及“B”的擴大圖。

若參考圖1至圖4，則本實施形態之基板處理裝置包含本體100、隔熱體150、加熱器200、本體加熱器250、氣體入口300、氣體出口400、及溫度控制器500。

本體100是於內部構成將基板10承載而處理之密閉空間，亦即腔101。在本說明書中，腔101空間是後述之隔熱體150之內側面空間，需理解成實質上進行基板處理之空間。換句話說，在本體100之內部空間，由隔熱體150之內側面所形成之空間是腔101，在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間形成之空間是明顯不同。

本體100具有大致六面體狀，本體100之材質可以是石英(Quartz)、不鏽鋼(SUS)、鋁(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化矽(Silicon carbide)、或氧化鋁(Aluminium oxide)中之至少其中一者。

於腔101之內部配置複數個基板10。複數個基板10分別隔著一定間隔而配置，受基板保持器11所支持或載置於晶舟(未圖示)而配置在腔101之內部。

於本體100之一面[例如前面]形成有將基板10承載/卸載之通路，亦即出入口115。出入口115可以是只在本體100之一面[例如前面]形成，可以是在相反面[例如背面]亦形成。

有時亦會在本體100之一面[亦即形成有出入口115之面]設有門110。門可能設成能朝前後方向、左右方向、或上下方向滑動自如。門110將出入口115開啟關關，腔101當然亦藉由出入口115之是否開啟關關而開啟關關。另外，為了藉由門110來將出入口115完全密封，可在門110與本體100之形成有出入口115之面之間具有O環(O-ring)等密封構件(未圖示)。

另一方面，可在本體100之外側面上結合有補強肋120。本體100具有於工程中在內部承受強的壓力或高溫的影響而破損或發生變形之虞。所以，可在本體100之外側面上結合補強肋120來提升本體100之耐久性。亦可因應需求而僅在特定之外側面或在外側面上之一部分結合有補強肋120。

隔熱體150是配置在本體100之內側面。換句話說，隔熱體150是設在本體內部之背面、上下面及兩側面，以互相連結或一體之形態而具有與本體100對應之六面體狀。

隔熱體150是與本體100之內側面隔著預定距離而配置，為了配置後述之本體加熱器250，預定距離宜比本體加熱器250之厚度或直徑大。另外，隔熱體150雖然可無限制而使用公知之隔熱材，但宜使用對熱之變形少之材質。

隔熱體150除了用來防止腔101內部之熱之損失這樣的原本用途，還提供可在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間之空間151[參考圖4]配置本體加熱器250之空間，並扮演所謂遮斷膜的角色，令通過後述之防凝結氣體入口350所供給之防凝結氣體n[參考圖4]是僅隔離在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間之空間151而供給。

關於隔熱體150，為了讓後述之從本體100之一側面至另一側面連通之加熱器200可通過，於隔熱體150之對應之部分形成有孔155。

加熱器200包含有：主加熱器210，用於將腔101之內部加熱而組成基板處理環境氣體，將基板10直接加熱；副加熱器220，用於防止腔101內部之熱損失。

主加熱器210是與基板10之承載/卸載方向垂直地隔著一定間隔而配置，沿著基板10之積層方向垂直地隔著一定間隔而配置。副加熱器220是與基板10之承載/卸載方向平行地、於腔101內壁[或是隔熱體150之內側面]沿著基板10之積層方向垂直地隔著一定間隔而配置。

主加熱器210包含有複數個發熱體211及設在各 發熱體211之兩端之端子212，副加熱器220亦同樣包含有複數個發熱體221及設在各發熱體221之兩端之端子222。發熱體211、221之個數可隨著本體100之大小、基板10之大小及個數而多樣地改變。

發熱體211、221可以是具有從本體100之一側面至另一側面連通之棒(bar)狀、於石英管之內部***有發熱物質之形態。舉例來說，主加熱器210之發熱體211是從本體100之左側面至右側面連通，副加熱器220之發熱體221是從出入口115部分以外之本體100之前面至背面連通。端子212、222是受到外部電源(未圖示)供給電力而以發熱體211、221產生熱。

所以，由於基板10是藉由配置在上部及下部之加熱器200而全面積均等地受到加熱，故有基板處理工程之可靠性提升之優點。

本發明之基板處理裝置是以在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間之空間151配置本體加熱器250作為特徵。

本體加熱器250可將腔101之內部加熱，藉此，將本體100之內側面加熱而調節本體100之內壁之溫度。藉由調節本體100之內壁之溫度，令後述之揮發性物質不凝結於本體100之內壁而以氣體狀存在。本體加熱器250宜可將本體100之內壁溫度保持在50℃~250℃。

尤其，對六面體狀之本體100而言，熱在邊部分會不均等地傳播而令揮發性物質大量凝結，故本體加熱器 250宜在本體100之邊部分或彎曲之部分集中配置。除此之外，亦可進一步對本體100之內側面中之具有寬廣面積之上側面、下側面之部分配置本體加熱器250。圖1至圖3顯示的是除了邊部分251以外，還將本體加熱器250對上側面之中央部配置1個(253)、對下側面之中央部配置3個(255)。

與加熱器200同樣，本體加熱器250是具有從本體100之一側面至另一側面連通之棒狀、於石英管之內部***有發熱物質之形態，可包含發熱體及端子。本說明書雖然是圖示令本體加熱器250與基板10之承載/卸載方向垂直[與主加熱器210同一方向]地配置之例子，但有時會與基板10之承載/卸載方向平行[與副加熱器220同一方向]地配置。

另一方面，可在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間151進一步配置熱反射板(未圖示)，而令本體加熱器250之輻射熱朝本體100之內側面反射，藉此，可有效率地將本體100之內壁加熱。而且，與隔熱體150同樣，熱反射板(未圖示)亦可扮演所謂遮斷膜的角色，令通過後述之防凝結氣體入口350所供給之防凝結氣體n[參考圖4]是僅隔離在本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間之空間151而供給。

參考圖4之(a)，氣體入口300是連結於腔101[或本體100]之外部之一側面[例如左側面]，氣體出口400是連結於腔101[或本體100]之外部之另一側面[例如右側面]。

氣體入口300可提供讓基板處理氣體g朝腔101之內部供給之通路。氣體入口300包含有與氣體儲藏部(未圖 示)連結而被供給基板處理氣體g之氣體副管線320、及以垂直、具有一定間隔的方式在氣體副管線320形成之複數個氣體供給管310。氣體供給管310是貫穿本體100及隔熱體150而與腔101之內部連結，透過在氣體供給管310之端部形成之吐出孔311而讓基板處理氣體g朝腔101之內部供給。氣體供給管310與本體100之間是進行預定之密封。

氣體出口400可提供讓腔101內部之基板處理氣體g朝外部排出之通路。氣體出口400包含有與外部之氣體排出部(未圖示)連結而將基板處理氣體g排出之氣體流出管420、及以垂直、具有一定間隔的方式在氣體流出管420形成之複數個氣體排出管410。氣體排出管410是將本體100及隔熱體150貫穿而與腔101之內部連結，透過在氣體排出管410之端部形成之排出孔411而讓氣體從腔101之內部朝外部排出。氣體排出管410與本體100之間是進行預定之密封。

為了可在腔101收納有複數個基板10的情況下將基板處理氣體g均等地朝基板10供給、易於將基板處理氣體g吸入而朝外部排出，吐出孔311[或氣體供給管310]及排出孔411[或氣體入口管410]宜分別位於配置在腔101內之基板10與上部或下部鄰接之基板10之間隔。

另一方面，再次參考圖1至圖4，本發明之基板處理裝置是以進一步令供給防凝結氣體n之防凝結氣體入口350與本體100之至少外部之一側面連結來作為特徵。尤其，防凝結氣體入口350宜以可將防凝結氣體n均等地供給於本 體100之內側面之全範圍的方式，在與氣體入口300及氣體出口400連結之本體100之兩側面進行連結350a、350b。

參考圖4之(b)，防凝結氣體入口350可提供讓防凝結氣體n朝本體100之內側面與隔熱體150之外側面之間之空間151供給之通路。防凝結氣體入口350包含有與凝結氣體儲藏部(未圖示)連結而被供給防凝結氣體n之防凝結氣體流入管355、及以垂直、具有一定間隔的方式在防凝結氣體流入管355形成之複數個防凝結氣體供給管351。防凝結氣體供給管351是貫穿本體100而與在本體100、隔熱體150之間之空間151連結。亦即，防凝結氣體供給管351之一端部是與防凝結氣體流入管355連結，另一端部則宜配置在本體100、隔熱體150之間之空間151。藉此，防凝結氣體n是朝在本體100與隔熱體150之間之空間151供給。

關於防凝結氣體n，與其說是對腔101之內部加熱，不如說是與本體加熱器250同樣而對本體100之內側面加熱，可發揮調節本體100之內壁之溫度之作用。防凝結氣體n宜為可將本體100之內壁溫度保持在50℃~250℃。

本體加熱器250具有可迅速地對設置之部分(邊、上側面、下側面等)進行溫度控制之優點，另一方面，防凝結氣體n具有可對在本體100與隔熱體150之間之空間151整體地均等地調節本體100之內壁之溫度之優點。雖然防凝結氣體n宜為熱氮(Hot-N₂)，但只要是可不對基板處理造成影響且防止後述之揮發性物質之凝結，則可不限制地使用其他之氣體。

再次參考圖1至圖4，本發明之基板處理裝置是以包含有配置在本體100之外側面而控制本體壁之溫度之溫度控制器500作為特徵。

溫度控制器500宜為與本體壁之外側面鄰接或隔開預定之距離而配置，將在內部讓熱媒或冷媒流動之管等鋸齒狀地彎折配置。溫度控制器500可將本體100之內壁溫度保持在預定溫度，以避免基板處理工程中在基板10上揮發之物質、於腔101供給/排出之物質等凝結在本體100之內壁。宜為可將本體100之內壁溫度保持在50℃~250℃。

溫度控制器500雖然可配置在本體壁之上部側510、左右側(520：520a、520b)、下部側530、及前後側之門540、550，但在可達成將本體100之內壁溫度保持在預定溫度之本發明之目的之範圍內，亦可於本體100之一部分外側面省略溫度控制器500之配置。

舉例來說，若本發明之基板處理裝置是設想對可撓性顯示裝置所使用之可撓性基板10進行處理之情形，則此情形下，在基板處理過程之本體加熱器250、防凝結氣體入口350、溫度控制器500之機能之具體說明是如下述。

一般而言，可撓性基板10之製造過程可分成在非可撓性基板上形成可撓性基板之工程、在可撓性基板形成圖樣之工程、及在非可撓性基板令可撓性基板分離之工程。

可撓性基板可藉由以下而完成：在玻璃、塑膠等非可撓性基板上形成以聚醯亞胺(Polyimide)等構成之膜， 進行熱處理而使其硬化之後，對將非可撓性基板與可撓性基板黏接之物質注入溶劑而使黏接力弱化、或將黏接物質分解而令可撓性基板從非可撓性基板分離。

此時，雖然注入之溶劑成分或在可撓性基板之形成過程中可撓性基板所含之溶劑成分會揮發而透過氣體出口400排出至本體100之外部，但因為本體100之外部與本體100之內部的溫度及壓力的差，故本體100內壁之預定部分會令本體100內壁形成前述物質不揮發而凝結程度之低溫。結果，在本體100內壁凝結之溶劑成分有發生使本體100汙染或在後續工程使基板10汙染之問題點之虞。所以，本發明之基板處理裝置是為了令包含有溶劑之本體100內之氣體不凝結於本體100內壁、在氣體狀態任一者皆可排出至外部，而將本體100內壁之溫度保持在氣體不凝結之程度，並以此為特徵。

舉例來說，基板10上所含之物質是溶劑般之揮發性物質，在50℃~250℃氣化之物質。如此之物質宜為NMP(n-methyl-2-pyrrolidone)、IPA、丙酮(Acetone)、PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)等揮發性物質。

為了使前述物質不在本體100之內部凝結而保持氣體狀態來排出，必須使本體100之內壁之溫度保持在前述物質可氣化之溫度是自不在話下。因此，可使用本體加熱器250、溫度控制器500，並進一步將防凝結氣體入口350連結。亦可以將本體壁加熱模組600與本體壁冷卻模組700連 結於溫度控制器500。

圖5是顯示本發明之一實施形態之溫度控制器500之動作的概略圖。

參考圖5，亦可在溫度控制器500、本體壁加熱模組600、及本體壁冷卻模組700之中間設有3通閥(3 way valve；3WV)。本體壁加熱模組600能理解成包含有可令冷卻水(Process Cooling Water、PCW)之溫度瞬間提昇之熱交換器之將冷卻水加熱而供給之裝置，本體壁冷卻模組700能理解成供給冷卻水之裝置。

舉例來說，基板處理工程時可使腔101[或本體100]內部之基板處理溫度從80℃至150℃、從150℃至250℃、從250℃至350℃等階段性地上昇。在基板處理初期，因為腔101內部之基板處理溫度為80℃程度，故本體10內壁之溫度是相對地更低之未滿60~80℃，對具有80~150℃程度之蒸發領域之揮發性物質、例如NMP而言，凝結於本體100內壁之可能性高。所以，在基板處理初期，可控制3通閥(3WV)而從本體壁加熱模組600至溫度控制器500將冷卻水加熱供給(P1)，藉此將本體壁之溫度保持在NMP之最小蒸發領域之80℃以上。或者，可控制本體加熱器250、防凝結氣體入口350中之至少其中一者而將本體壁之溫度保持在NMP之最小蒸發領域之80℃以上。當然，亦可以將本體加熱器250、防凝結氣體入口350、及溫度控制器500組合使用。

腔101內部之基板處理溫度為300℃以下的情況是使本體壁加熱模組600運作，若腔101內部之基板處理溫 度超過300℃，可控制3通閥(3WV)而從本體壁冷卻模組700至溫度控制器500將冷卻水供給(P2)，藉此將本體壁之溫度保持在NMP之最小蒸發領域之80℃以上。當然，腔101內部之基板處理溫度超過300℃的情況下，即便刻意不朝溫度控制器500供給冷卻水，本體壁之溫度亦可能為80℃以上，但是，如果本體壁之溫度過度地上昇而超過揮發性物質之蒸發領域80~250℃，會發生本體壁之彎曲、破損問題，故需要透過本體壁冷卻模組700朝溫度控制器500適切地供給冷卻水。換句話說，腔101內部之基板處理溫度在300℃以下則使本體壁加熱模組600運作，腔101內部之基板處理溫度超過300℃則使本體壁冷卻模組700運作，可將本體100之內壁之溫度保持在50℃~250℃。

或者，可控制本體加熱器250、防凝結氣體入口350中之至少其中一者而將本體壁之溫度保持在50℃~250℃。舉例來說，若腔101內部之基板處理溫度在300℃以下，則使本體加熱器250或防凝結氣體入口350中之至少其中一者運作，若腔101內部之基板處理溫度超過300℃，則令本體加熱器250或防凝結氣體入口350中之至少其中一者之運作中斷，或令本體加熱器250產生之熱減少，或令防凝結氣體入口350供給之防凝結氣體n之溫度降低，藉此，可將本體100之內壁之溫度保持在50℃~250℃。

由於本體加熱器250與防凝結氣體入口350可以比使用溫度控制器500還要迅速地控制本體壁之溫度，故可更有效地防止揮發性物質凝結於本體100內壁。當然，亦可 以將本體加熱器250、防凝結氣體入口350、及溫度控制器500組合使用。

如此，本發明之基板處理裝置是具有本體加熱器250、防凝結氣體入口350、及溫度控制器500，具有將本體100內壁保持在預定之溫度(亦即，氣體之蒸發溫度)以不讓氣體凝結於本體100內壁之優點。另外，由於氣體不凝結於本體100內壁，任一者皆可排出至本體100之外部，故具有本體100內壁不受汙染、可增加製品之可靠性及良率之優點。

另一方面，本發明之基板處理裝置可更具備有用於使凝結之氣體排出之手段。以下，參考圖6及圖7來說明。

圖6是顯示本發明之一實施形態之氣體入口300及氣體出口400的截面圖。圖6之(a)是顯示氣體入口300，圖6之(b)是顯示氣體出口400。

雖然本體101內壁是藉由本體加熱器250、防凝結氣體入口350、及溫度控制器500而防止氣體之凝結，但與本體100之外部之一側面[例如左側面]、外部之另一側面[例如右側面]連結之氣體入口300、氣體出口400之部分是承受外部之低溫之影響而讓氣體易於凝結。凝結之氣體是於氣體入口300之氣體供給管310或氣體流入管320之內側凝結，在基板處理工程時與基板處理氣體g之供給一起朝腔101之內部吐出，有發生基板10之汙染之問題點。

所以，可如圖6之(a)所示，令氣體入口300更具備有可將凝結之氣體[或是凝結之揮發性物質]排出之*** 口(drain port)330。***口330單單是讓凝結之液狀之物質流出之通路，亦可以是與泵(未圖示)等連結而具備有可將空氣吸入之吸引(suction)機能。透過氣體副管線320而將氣體g供給，在氣體入口300之內部凝結之氣體等可透過***口330而排出(d)。

氣體出口400亦可與氣體入口300同樣地具有在氣體排出管420連結有***口(未圖示)之構成。

另一方面，如圖6之(b)所示，由於氣體出口400是用於將腔101內部之氣體g朝外部排出，故可為了令氣體排出管420之端部430兼具***口之效用而沒必要另外具備***口(未圖示)，令將腔101內部之氣體g朝外部排出、將在氣體出口400之內部凝結之氣體等朝外部排出(d)可一起。

圖7是顯示在本發明之一實施形態之基板處理裝置形成有物質排出孔(hole；130：130a、130b、130c、130d)之形態的立體圖。

參考圖7，在本體100之至少其中一側面形成複數個物質排出孔(130：130a、130b、130c、130d)，前述側面具體而言是不包含配置有參考圖6所說明之氣體入口300及氣體出口400之本體100之左側面及右側面。物質排出孔是與配置在外部之抽取手段(未圖示)連結而可將在本體100內壁凝結之物質有效地排出。

透過複數個之物質排出孔130，即便發生氣體凝結在本體100內壁之狀況，亦可透過物質排出孔130而朝外部放出，藉此，可更有效地防止本體100內壁之汙染，具有 可增加製品之可靠性及良率之優點。

本發明雖然是如上述般地舉出圖示來說明較佳實施形態，但並不限定於前述實施形態，對業者而言，可在不超脫本發明之精神之範圍內進行多樣之變形、變更。如此之變形例及變更例是屬於本發明及附加之申請專利範圍之範圍內。

[產業利用性]

本發明可適用在與基板處理裝置相關之領域。

100‧‧‧本體

101‧‧‧腔

110‧‧‧門

115‧‧‧出入口

120‧‧‧補強肋

150‧‧‧隔熱體

200‧‧‧加熱器

210‧‧‧主加熱器

211‧‧‧發熱體

212‧‧‧端子

220‧‧‧副加熱器

221‧‧‧發熱體

222‧‧‧端子

250‧‧‧本體加熱器

251‧‧‧邊部分

253‧‧‧本體加熱器

255‧‧‧本體加熱器

300‧‧‧氣體入口

350‧‧‧防凝結氣體入口

400‧‧‧氣體出口

500‧‧‧溫度控制器

510‧‧‧上部側

520‧‧‧左右側

540‧‧‧門

Claims (14)

1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：本體，提供作為基板處理空間之腔；氣體入口，讓基板處理氣體朝前述腔內供給；氣體出口，讓前述腔內之基板處理氣體朝外部排出；加熱器，配置於前述腔內，將前述腔之內部加熱；溫度控制器，配置於前述本體之外側面，控制前述本體之內側面之溫度；隔熱體，與前述本體之內側面隔著預定距離而配置；本體加熱器，配置在前述本體之內側面與前述隔熱體之外側面之間。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述溫度控制器、前述本體加熱器之至少其中1者將前述本體之前述內側面之溫度保持在50℃~250℃，以不讓在前述腔內氣化或乾燥之基板前述物質凝結於前述本體之內側面。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述物質是揮發性物質，是在50℃~250℃氣化之物質。
4. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述本體具有六面體狀；前述本體加熱器是配置在前述本體之內側邊、內側上面、內側下面中之至少其中1者。
5. 如請求項1之基板處理裝置，其中朝前述本體之內側面 與前述隔熱體之外側面之間之空間供給防凝結氣體之防凝結氣體入口是與前述本體之至少一側面連結。
6. 如請求項4之基板處理裝置，其中前述防凝結氣體是熱氮(Hot-N₂)。
7. 如請求項1之基板處理裝置，其中在前述本體之內側面與前述隔熱體之外側面之間更配置有熱反射板。
8. 如請求項2之基板處理裝置，其中若前述腔內部之基板處理溫度為300℃以下，則使前述本體加熱器運作；若前述腔內部之基板處理溫度超過300℃，則令前述本體加熱器之運作中斷；將前述本體之前述內壁之溫度保持在50℃~250℃。
9. 如請求項2之基板處理裝置，其中若前述腔內部之基板處理溫度為300℃以下，則使與前述溫度控制器連結之本體壁加熱模組運作；若前述腔內部之基板處理溫度超過300℃，則使與前述溫度控制器連結之本體壁冷卻模組運作；將前述本體之前述內壁之溫度保持在50℃~250℃。
10. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述加熱器及前述本體加熱器包含有從前述本體之一側面至另一側面連通之棒狀之發熱體。
11. 如請求項1之基板處理裝置，其中於前述腔內配置複數個基板。
12. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述氣體入口是與前述本體之外部之一側面連結；前述氣體出口是與前述本 體之外部之另一側面連結。
13. 如請求項12之基板處理裝置，其中前述氣體入口或前述氣體出口中之至少其中一者更具備有將前述物質排出之口。
14. 如請求項1之基板處理裝置，其中在前述本體之至少一側面形成有複數個物質排出孔。