TW201719347A - 觸控面板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種觸控面板,其包括透明基板、圖案化電極層以及透明氧化物層。圖案化電極層設於透明基板的一表面上,且包括一金屬薄膜與設於金屬薄膜一側的透明導電薄膜,而透明氧化物層至少全面覆蓋透明基板之同一表面上的觸控區,且透明氧化物層位於金屬薄膜相反於透明導電薄膜之一側。
Description
本發明係關於一種觸控面板,尤指一種具有較佳表面視覺效果的觸控面板。
由於觸控面板具有人機互動的特性,已被廣泛應用於智慧型手機(smart phone)、衛星導航系統(GPS navigator system)、平板電腦(tablet PC)、個人數位助理(PDA)以及筆記型電腦(laptop PC)等電子產品上。習知觸控面板的電極層已開發出以金屬作為觸控電極的主要材料,然而以金屬製作的觸控電極會造成光學可視性問題,使用者可從觸控面板表面看到觸控電極的圖案,並且,以金屬材料為主的觸控電極的光線穿透度也較低,因此業界仍須提出能改善光學可視性問題與提高光線穿透度之觸控電極設計。
本發明的目的之一在於提供一種觸控面板,其利用一透明氧化物層設於電極結構之一側,以改善觸控面板的表面視覺效果。
根據本發明之實施例,本發明提供一種觸控面板,其包括一透明基板、一圖案化電極層以及一透明氧化物層。其中,圖案化電極層設於該透明基板之一表面上,且該圖案化電極層包括一金屬薄膜與設於該金屬薄膜一側的一透明導電薄膜,而該透明氧化物層至少全面覆蓋該透明基板之該表面的觸控區,且該透明氧化物層位於該金屬薄膜相反於該透明導電薄膜之一側。
由於本發明觸控面板的圖案化電極層同時包括金屬薄膜與設於金屬薄膜一側之透明導電薄膜,且另包括設於金屬薄膜另一側之透明氧化物層,因此可以藉由透明導電薄膜與透明氧化物層同時提供光學匹配功能。此外,因為本發明的圖案化電極層僅具有兩層薄膜,因此在具有圖案化電極結構和不具有電極結構的兩區域之間的膜層高低段差較小,可以有效降低電極結構的可視性。
為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明,下文特列舉本發明之數個較佳實施例,並配合所附圖式,詳細說明本發明的構成內容。並且,為了方便說明,本發明之各圖式僅為示意以更容易了解本發明,其詳細的比例可依照設計的需求進行調整。
請參考第1圖,第1圖為本發明觸控面板之第一實施例的局部剖面示意圖。如第1圖所示,本發明觸控面板100包括一透明基板102、一圖案化電極層104以及一透明氧化物層106。透明基板102舉例為玻璃基板、塑膠基板或其他具有高機械強度材質之基板,可用來作為觸控面板100或觸控顯示裝置之覆蓋板,但不以此為限。透明基板102具有一觸控區1021與一周邊區(圖未示),其中觸控區1021為使用者進行觸控操作之區域,周邊區設於觸控區1021之一側,例如可環繞觸控區1021設置,以用來配置周邊線路。圖案化電極層104設於透明基板102之一表面上,在第1圖中,圖案化電極層104係設置於透明基板102的下表面102a,而透明基板102的上表面102b即作為觸控面板100的觸控面。圖案化電極層104包括一層金屬薄膜1041與一層透明導電薄膜1042,其中透明導電薄膜1042設於金屬薄膜1041之一側。圖案化電極層104之整體厚度較佳小於或等於50奈米,例如為約30至約50奈米,但不以此為限。再者,圖案化電極層104具有複數個電極結構104a設於觸控區1021內,本實施例之每一電極結構104a都分別僅由金屬薄膜1041與透明導電薄膜1042所構成,圖案化電極層104之電極結構104a在透明基板102表面形成了不連續的圖案,且相鄰的電極結構104a之間分別具有至少一間隙108。舉例而言,金屬薄膜1041之材料可以為銀、銀合金、銅或銅合金,但不以此為限,也可以為其他合適的材料,且金屬薄膜1041可以為具有平坦表面的單層金屬層,也可包含金屬網格結構。透明導電薄膜1042之材料包括結晶型或非晶型之金屬氧化物透明導電材料,例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或是上述材料的組合,但不以此為限,也可以為其他合適的材料。在本實施例中,透明導電薄膜1042係用來作為金屬薄膜1041的光學匹配層,能改善金屬薄膜1041的光學視覺效果,且由於透明導電薄膜1042具有導電性,其能和金屬薄膜1041一起作為電極結構104a而提供訊號傳導之功能。
透明氧化物層106係至少全面覆蓋透明基板102之下表面102a的觸控區1021,且透明氧化物層106位於金屬薄膜1041相反於透明導電薄膜1042之一側,亦即,金屬薄膜1041係位於透明導電薄膜1042與透明氧化物層106之間。在本實施例中,透明氧化物層106為一平坦之膜層,全面覆蓋透明基板102之下表面102a的觸控區1021,設於圖案化電極層104與透明基板102之間,並且觸控區1021內的整個透明氧化物層106直接與透明基板102將接觸。再者,本實施例之透明氧化物層106係直接設置在透明基板102之下表面102a而與透明基板102相接觸。根據本發明,透明氧化物層106之厚度舉例為小於或等於約50奈米,但不以此為限。此外,透明氧化物層106可為單層之高折射率材料薄膜、單層之低折射率材料薄膜、或多層之高折射率材料薄膜與低折射率材料薄膜之堆疊,亦即可以為多層不同材料之堆疊複合膜層。上述高折射率材料薄膜包括(但不限於)五氧化二鈮(Nb2
O5
)、二氧化鈦(TiO2
)、五氧化二鉭(Ta2
O5
)或二氧化鋯(ZrO2
),而上述低折射率材料薄膜包括(但不限於)二氧化矽(SiO2
)或氟化鎂(MgF2
)。較佳地,透明氧化物層106包括非導電材料,但不以此為限。再者,透明氧化物層106可作為電極結構104a的另一光學匹配層,進一步改善電極結構104a的可視性與觸控面板100的整體表面視效。
相對的,當習知觸控面板為了改善以金屬材料為主材料之觸控電極的視覺效果時,會在金屬材料之上、下兩側分別各設置一至數層的圖案化導電膜層,使得圖案化的電極結構為三層複合結構、甚至更多層之複合結構,造成具有電極結構之區域與不具有電極結構之區域的入射可見光或反射可見光比例不同,產生顏色對比,亦即有明顯的色差或色偏問題,使得電極圖案可視。再者,因為三層或更多層的電極結構具有較高的厚度,例如有100奈米以上之厚度,因此習知觸控面板上具有電極結構之區域以及不具有電極結構之區域會有較大的高低段差,造成電極圖案陰影痕跡可視,特別是非正向入射之反射光與入射光會使電極圖案更加清晰明顯,且段差越大則電極圖案越明顯。
請繼續參考本發明第一實施例之第1圖結構,第1圖中箭頭AT1、AT2表示由觸控面板100下側穿透至觸控面板100上側之穿透光線,其中穿透光線AT1穿過電極結構104a之間的間隙108,穿透光線AT2之行徑路線經過電極結構104a,而穿透光線AT1與穿透光線AT2在國際照明委員會(Commission Internationale d'Eclairage,CIE)三維色度座標CIELAB上的差值以DT
(L*, a*, b*)表示。再者,箭頭AR1、AR2表示由觸控面板100之觸控面入射至觸控面板100而被反射回上側之反射光線,其中反射光線AR1入射至電極結構104a之間的間隙108區域,被透明氧化物層106反射,而反射光線AR2入射至電極結構104a區域而被圖案化電極層104反射,且反射光線AR1與AR2的CIELAB差值以DR
(L*, a*, b*)表示。由上述可之知,DT
(L*, a*, b*)與DR
(L*, a*, b*)表示了電極結構104a區域與間隙108區域的入射光與反射光的色差或色偏,若DT
(L*, a*, b*)與DR
(L*, a*, b*)若越小,則表示電極結構104a的可視性越小。根據本實施例,可以藉由選擇適當的透明氧化物層106而使可見光範圍內的DT
(L*, a*, b*)與DR
(L*, a*, b*)達到較小值,使其不大於以及更可以小於習知具有三層電極結構或更多層電極結構的觸控面板之DT
(L*, a*, b*)與DR
(L*, a*, b*),因此能有效改善電極結構104a區域與間隙108區域的色偏問題,降低電極結構104a的可視性。此外,經由適當的選擇透明氧化物層106並搭配圖案化電極層104的材料,也可以使本發明觸控面板100具有較佳的穿透度與色度,例如,將單一層透明基板102之光學色度視為絕對中性,則本發明觸控面板100的圖案化電極層104的光學色度可以達到(|a*|, |b*|)<(1.0, 1.0),有較佳的穿透度與色度表現。
請參考第3圖,第3圖為本發明觸控面板與習知觸控面板的可見光對穿透度的曲線圖,其中本發明觸控面板100(包含基板、透明氧化物層、圖案化電極層)的光線穿透度以實線曲線表示,而習知具有三層電極結構之觸控面板以虛線曲線表示。如圖所示,相較於習知技術,本發明觸控面板100的整體光學穿透度可以提升約2%至約3%。再者,由於本發明之電極結構104a只包含金屬層1041與透明導電層1042,因此電極結構104a區域與間隙區域108區域的高低段差小於上述習知觸控面板之三層或更多層之電極結構設計,能有效改善來自非正向之入射光與反射光所造成的陰影可視問題。
下文將針對本發明的不同實施樣態進行說明,且為簡化說明,以下說明主要針對各實施例不同之處進行詳述,而不再對相同之處作重覆贅述。此外,本發明之各實施例中相同之元件係以相同之標號進行標示,以利於各實施例間互相對照。
請參考第2圖,第2圖為本發明觸控面板之第二實施例的局部剖面示意圖。本實施例與前一實施例的差異處在於透明氧化物層106’係覆蓋圖案化電極層104的表面,如第2圖所示,透明氧化物層106’階梯覆蓋圖案化電極層104,使得至少一部份的透明氧化物層106’設於間隙108內且直接設置於透明基板102之下表面102a上而與透明基板102相接觸,被透明氧化物層106’覆蓋的圖案化電極層104則位於部分透明氧化物層106’與透明基板102之間。在本實施例中,穿透光線AT1與AT2的色偏DT
(L*, a*, b*)與反射光線AR1與AR2的色偏DR
(L*, a*, b*)仍然不大於習知三層電極結構的設計,甚至可藉由選擇適當的透明氧化物層106’的材料及調整厚度,可以使穿透光線AT1與AT2與反射光線AR1與AR2之色偏小於習知技術,因此本實施例不只可以改善電極結構104a區域與間隙108區域的色偏問題,也能減小兩區域之間的膜層高低段差,進而改善非正向光線所造成的陰影問題。
請參考第4圖,第4圖為本發明觸控面板與習知觸控面板的反射光平均色偏值之圖表,其中縱座標與橫座標分別表示D b*與Da*。比較本實施例與習知技術之平均色偏值,以反射光為例,若定義平均色偏值,那麼前述習知觸控面板(包含三層電極結構)之平均色偏值DE(a,b)
> 10,在圖中以圓點標記標示,而本實施例可經由適當的調整透明氧化物層106’的膜厚,使平均色偏值DE(a,b)
<1,在圖中以菱形標記表示,大幅改善了色偏問題。此外,本實施例之其他優點相同於本發明之第一實施例,不再贅述。
綜上所述,本發明之觸控面板在圖案化電極層的一側設置全面覆蓋觸控區的透明氧化物層,能夠在不影響電極結構之導電薄膜導電特性之情況下,提供光學匹配之功能,以同時改善色偏與透光度,更能避免習知技術中因電極結構膜層較厚而造成高低段差所產生的圖案陰影問題,因此能有效改善觸控面板表面的視覺效果。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100‧‧‧觸控面板
102‧‧‧透明基板
1021‧‧‧觸控區
102a‧‧‧下表面
102b‧‧‧上表面
104‧‧‧圖案化電極層
1041‧‧‧金屬薄膜
1042‧‧‧透明導電薄膜
104a‧‧‧電極結構
106、106’‧‧‧透明氧化物層
108‧‧‧間隙
AT1、AT2‧‧‧穿透光線
AR1、AR2‧‧‧反射光線
102‧‧‧透明基板
1021‧‧‧觸控區
102a‧‧‧下表面
102b‧‧‧上表面
104‧‧‧圖案化電極層
1041‧‧‧金屬薄膜
1042‧‧‧透明導電薄膜
104a‧‧‧電極結構
106、106’‧‧‧透明氧化物層
108‧‧‧間隙
AT1、AT2‧‧‧穿透光線
AR1、AR2‧‧‧反射光線
第1圖為本發明觸控面板之第一實施例的局部剖面示意圖。 第2圖為本發明觸控面板之第二實施例的局部剖面示意圖。 第3圖為本發明觸控面板與習知觸控面板的可見光對穿透度的曲線圖。 第4圖為本發明觸控面板與習知觸控面板的反射光平均色偏值圖表。
1021‧‧‧觸控區
102a‧‧‧下表面
102b‧‧‧上表面
104‧‧‧圖案化電極層
1041‧‧‧金屬薄膜
1042‧‧‧透明導電薄膜
104a‧‧‧電極結構
106‧‧‧透明氧化物層
108‧‧‧間隙
AT1、AT2‧‧‧穿透光線
AR1、AR2‧‧‧反射光線
Claims (11)
- 一種觸控面板,包括: 一透明基板,其具有一觸控區; 一圖案化電極層,設於該透明基板之一表面上,該圖案化電極層包括: 一金屬薄膜;以及 一透明導電薄膜,設於該金屬薄膜之一側;以及 一透明氧化物層,至少全面覆蓋該透明基板之該表面上的該觸控區,且該透明氧化物層位於該金屬薄膜相反於該透明導電薄膜之一側。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該圖案化電極層具有複數個電極結構設於該觸控區內,且相鄰的該等電極結構之間分別具有至少一間隙,而該透明氧化物層至少有一部分設於該等間隙內。
- 如請求項2所述之觸控面板,其中該透明氧化物層之該部分係直接設置於該透明基板之該表面上並與該透明基板相接觸。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該透明氧化物層係一平坦之膜層而直接與該透明基板相接觸,並且設於該圖案化電極層與該透明基板之間。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該透明氧化物層階梯覆蓋該圖案化電極層,且該圖案化電極層設於部分該透明氧化物層與該透明基板之間。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該透明氧化物層為單層之高折射率材料薄膜、單層之低折射率材料薄膜、或多層之高折射率材料薄膜與低折射率材料薄膜之堆疊。
- 如請求項6所述之觸控面板,其中該高折射率材料薄膜包括五氧化二鈮(Nb2 O5 )、二氧化鈦(TiO2 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )或二氧化鋯(ZrO2 )。
- 如請求項6所述之觸控面板,其中該低折射率材料薄膜包括二氧化矽(SiO2 )或氟化鎂(MgF2 )。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該金屬薄膜之材料包括銀、銀合金、銅或銅合金。
- 如請求項1所述之觸控面板,其中該透明導電薄膜之材料包括結晶型或非晶型金屬氧化物透明導電材料。
- 如請求項10所述之觸控面板,其中該透明導電薄膜之材料包括結晶型或非晶型之氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或是上述材料的組合。
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TW104139081A TWI563434B (en) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Touch panel |
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