TW201711130A - 晶圓保持器及半導體製造裝置 - Google Patents

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松田拓也
矢部一生
寺田貴洋
守屋展行
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Abstract

本實施形態之晶圓保持器具備晶圓支持部。晶圓支持部設置於晶圓之搭載區域之端部。第1部分設置於較晶圓支持部更靠搭載區域之中心部側。以搭載區域的外側之晶圓保持器之表面為基準，第1部分之第1深度較晶圓支持部之第2深度、及位於較第1部分更靠搭載區域之中心部側之第3部分之第3深度更深。第2部分設置於較晶圓支持部更靠搭載區域之中心部側。以搭載區域的外側之晶圓保持器之表面為基準，第2部分之第4深度較第2及第3深度更淺，且較第1深度更淺。

Description

晶圓保持器及半導體製造裝置 [相關申請案]
本申請案享有以日本專利申請案2015-177689號(申請日：2015年9月9日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。
本發明之實施形態主要係關於一種晶圓保持器及半導體製造裝置。
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化學氣相沈積)裝置等成膜裝置中，於處理半導體晶圓時，在晶圓保持器上載置半導體晶圓，一面對該晶圓保持器加熱且使其旋轉，一面對半導體晶圓上供給處理氣體。藉此，可於半導體晶圓上成膜所需之材料膜。於此種成膜處理中，若半導體晶圓之溫度分佈不均較大，則所成膜之材料膜之膜厚等會產生不均。
於成膜處理中，半導體晶圓之溫度較大地依存於保持該半導體晶圓之晶圓保持器之熱傳導特性，因此較理想為儘可能地使自晶圓保持器對晶圓之熱傳導特性均勻。
本發明之實施形態提供一種於晶圓處理時能夠抑制晶圓之溫度分佈不均之晶圓保持器及半導體製造裝置。
本實施形態之晶圓保持器具備晶圓支持部。晶圓支持部設置於 晶圓之搭載區域之端部。第1部分設置於較晶圓支持部更靠搭載區域之中心部側。以搭載區域的外側之晶圓保持器之表面為基準，第1部分之第1深度較晶圓支持部之第2深度、及位於較第1部分更靠搭載區域之中心部側之第3部分之第3深度更深。第2部分設置於較晶圓支持部更靠搭載區域之中心部側。以搭載區域的外側之晶圓保持器之表面為基準，第2部分之第4深度較第2及第3深度更淺，且較第1深度更淺。
1‧‧‧成膜裝置
10‧‧‧反應腔室
20‧‧‧晶圓保持器
21‧‧‧第1部分
21_1‧‧‧第1部分
21_2‧‧‧第1部分
21_3‧‧‧第1部分
21_4‧‧‧第1部分
21_5‧‧‧第1部分
22‧‧‧第2部分
23‧‧‧第3部分
26‧‧‧晶圓支持部
30‧‧‧驅動部
31‧‧‧軸
40‧‧‧加熱器
41‧‧‧隔熱材
50‧‧‧氣體供給部
60‧‧‧放射溫度計
70‧‧‧排氣口
A‧‧‧方向
A1‧‧‧方向
A2‧‧‧方向
CL‧‧‧圓
CR‧‧‧中心部
C20‧‧‧中心部
F1‧‧‧第1面
F2‧‧‧第2面
F20‧‧‧表面
F21‧‧‧表面
F22‧‧‧表面
F23‧‧‧表面
F26‧‧‧表面
G‧‧‧間隙
h‧‧‧方向
R‧‧‧搭載區域
R1‧‧‧第1搭載區域
R2‧‧‧第2搭載區域
R3‧‧‧第3搭載區域
ST‧‧‧階差
TR‧‧‧槽部
T1‧‧‧第1深度
T2‧‧‧第2深度
T3‧‧‧第3深度
T4‧‧‧第4深度
W‧‧‧晶圓
圖1係第1實施形態之成膜裝置1之立體剖視圖。
圖2係第1實施形態之晶圓保持器20之俯視圖。
圖3係模式性地表示1個搭載區域R之熱傳導情況之剖視圖。
圖4係表示晶圓支持部26之構成之俯視圖。
圖5係更詳細地表示第1及第2部分21、22之位置之俯視圖。
圖6係表示第1部分21_5對應於晶圓支持部26之搭載區域R之俯視圖。
圖7(A)、(B)係表示第1部分21與第2部分22之邊界部之晶圓保持器2之剖視圖。
(第1實施形態)
圖1係第1實施形態之成膜裝置1之立體剖視圖。成膜裝置1例如為MOCVD裝置，具備反應腔室10、晶圓保持器(基座)20、驅動部30、加熱器40、氣體供給部50、放射溫度計60及排氣口70。
反應腔室10用以於搭載於晶圓保持器20上之半導體晶圓(以下亦簡稱為晶圓)W之表面成膜材料膜。反應腔室10之內部於處理晶圓W時被抽真空而成為減壓狀態。
晶圓保持器20可於設置在作為第1面之上表面之搭載區域(凹穴) 搭載晶圓W。本實施形態中，晶圓保持器20例如可搭載3片晶圓W。然而，可搭載於晶圓保持器20之晶圓W之數量並無特別限定。晶圓保持器20以其中心部(圖2之C20)與軸31結合，能夠以軸31(C20)為中心而於大致水平面內旋轉。軸31連接於驅動部30，由驅動部30旋轉驅動。又，晶圓保持器20受到來自配置於其下方之加熱器40之熱，藉由該熱而對晶圓W進行加熱。晶圓保持器20構成為可自反應腔室10裝卸，且可更換為其他晶圓保持器。
驅動部30可經由軸31而使晶圓保持器20沿箭頭A之方向或其反方向旋轉。
加熱器40配置於晶圓保持器20之下方，且以軸31(晶圓保持器20之中心)為中心而配置成大致同心圓狀。於加熱器40之下方設置有隔熱材41或反射器等。
氣體供給部50設置於反應腔室10之上部，將來自氣體供給源(未圖示)之原料氣體供給至晶圓W上。
放射溫度計60配置於設置在反應腔室10之上部之窗61，且經由窗61測量晶圓W之溫度。
此種成膜裝置10係藉由將晶圓W與晶圓保持器20一併加熱且旋轉，並對晶圓W之上表面供給成為化合物半導體結晶原料之原料氣體，而使化合物半導體層於晶圓W之上表面上磊晶成長。原料氣體於用於成膜後自排氣口70被排出。
例如，於成膜III族氮化物半導體層作為化合物半導體層之一例之情形時，原料氣體使用含有III族元素之有機金屬與含有氮之氨NH3。作為有機金屬，可列舉：例如含有III族Ga之三甲基鎵(TMG)或三乙基鎵(TEG)、例如含有III族Al之三甲基鋁(TMA)或三乙基鋁(TEA)、例如含有III族In之三甲基銦(TMI)或三乙基銦(TEI)。又，作為n型摻雜劑，可使用甲矽烷(SiH4)或二矽烷(Si2H6)作為Si原料，或者 可使用鍺烷氣體(GeH4)或四甲基鍺((CH3)4Ge)或四乙基鍺((C2H5)4Ge)作為Ge原料。另一方面，作為p型摻雜劑，例如可使用雙環戊二烯基鎂(Cp2Mg)或雙乙基環戊二烯基鎂(EtCp2Mg)作為Mg之原料。進而，亦可使用肼(N2H4)代替氨。再者，除上述有機金屬氣體以外，亦可設為含有其他III族元素之構成，視需要可含有Ge、Si、Mg、Ca、Zn、Be等摻雜劑。
圖2係第1實施形態之晶圓保持器20之俯視圖。晶圓保持器20例如具有3個搭載區域R以便可搭載3片晶圓W。3個搭載區域R係於晶圓保持器20之作為第1面之表面上，大致均等地配置於自晶圓保持器20之中心部C20隔開大致相等距離之位置。搭載區域R係具有較晶圓W略為大徑之大致圓形狀，且以載置有晶圓W時收容晶圓W之方式凹陷。再者，搭載區域R之平面形狀只要為適於晶圓W之形狀(例如相似形)即可，並無特別限定。
圖3係模式性地表示1個搭載區域R之熱傳導情況之剖視圖。圖3與沿圖2之3-3線之剖面對應。圖4係表示晶圓支持部26之構成之俯視圖。以下，參照圖3及圖4，更詳細地說明晶圓保持器20之搭載區域R之構造。
晶圓保持器20具有第1面F1、與位於第1面F1之相反側之第2面F2。第1面F1係可搭載晶圓W之上表面，設置有晶圓W之搭載區域R。第2面F2係受到來自加熱器40之熱之背面。來自加熱器40之熱係如箭頭所示般自晶圓保持器20之第2面F2朝向第1面F1而傳遞至晶圓保持器20內，從而傳遞至載置於第1面F1之搭載區域R上之晶圓W。於搭載區域R與晶圓W之間具有間隙G，來自第1面F1之熱經由間隙G而傳遞至晶圓W。關於自晶圓保持器20對晶圓W之熱傳導於下文進行詳細說明。
晶圓保持器20於搭載區域R具備晶圓支持部26、第1部分21、第2 部分22及第3部分23。
晶圓支持部26設置於搭載區域R之端部，載置有晶圓W時與晶圓W之端部接觸而支持晶圓W。晶圓支持部26之上表面F26較搭載區域R之外部之第1面F1略微凹陷，於搭載區域R之外緣設置階差ST。藉此，當晶圓保持器20旋轉時，即便晶圓W相對於第1面F1或上表面F26沿大致平行方向移動，晶圓W之端部亦碰觸階差ST之側面。因此，晶圓W不會自搭載區域R露出而被保持於搭載區域R內。
晶圓支持部26設置於搭載區域R之外緣之一部分。例如，於圖4所示之搭載區域R之俯視圖中，晶圓支持部26設置於搭載區域R之外緣之6個部位，晶圓W亦可由該6個晶圓支持部26支持。晶圓支持部26係以即便晶圓W如虛線所示般向搭載區域R之一側移動亦可支持晶圓W之方式配置。當然，晶圓支持部26之數量或尺寸並無特別限定。
再次參照圖3，第1部分21係與晶圓支持部26同樣地設置於搭載區域R之外緣附近。在設置有晶圓支持部26之部位，第1部分21設置於較晶圓支持部26更靠搭載區域R之中心部CR側，且介於晶圓支持部26與位於較第1部分21更靠搭載區域R之中心部CR側之第3部分23之間。又，第1部分21並非遍及搭載區域R之整個外周而設置，而是以與晶圓W之外緣之一部分對向之方式，對應於搭載區域R之外周之一部分而局部地設置。設置第1部分21之位置於下文參照圖5之俯視圖進行說明。
以搭載區域R之外側之晶圓保持器20之表面F20為基準，第1部分21之第1深度T1較晶圓支持部26之第2深度T2深。而且，第1深度T1較第3部分23之晶圓保持器20之第3深度T3深。藉此，第1部分21之表面F21較晶圓支持部26及第3部分23之各者之表面F26、F23向背面F2側凹陷，構成槽部TR。槽部TR設置於搭載區域R之端部，且以與搭載於搭載區域R之晶圓W之端部對向之方式設置。關於該槽部TR之功能 於下文進行敍述。
第2部分22與第1部分21同樣地設置於搭載區域R之外緣附近。於設置有晶圓支持部26之部位，第2部分22設置於較晶圓支持部26更靠搭載區域R之中心部CR側，且介於晶圓支持部26與第3部分23之間。第2部分22並非遍及搭載區域R之整個外周而設置，而是以與晶圓W之外緣之其他部分對向之方式，對應於搭載區域R之外周之其他部分而局部地設置。即，第2部分22設置於搭載區域R之端部中設置有第1部分21之部位以外之部位。設置第2部分22之位置於下文參照圖5之俯視圖進行說明。
以搭載區域R之外側之晶圓保持器20之表面F20為基準，第2部分22之第4深度T4為晶圓支持部26之第2深度T2、及第3部分23之第3深度T3以下。而且，第4深度T4較第1部分21之第1深度T1淺。藉此，第2部分22之表面F22可較晶圓支持部26及第3部分23之各者之表面F26、F23向背面F2側凹陷，或者亦可與表面F26或F23為大致同一平面。因此，第2部分22之表面F22可構成槽部，亦可不構成槽部。由於第4深度T4較第1部分21之第1深度T1淺，故而於在第2部分22具有槽部之情形時，該槽部較第1部分21之槽部TR淺。即，第2部分22亦與第1部分21同樣地以與晶圓W之端部對向之方式設置，但未必構成槽。
第3部分23設置於較晶圓支持部26、第1及第2部分21、22更靠搭載區域R之中心部CR之附近，成為於搭載區域R之中心部CR突出之凸形狀。即，第3部分23之表面F23係以隨著自搭載區域R之中心部CR朝向搭載區域R之外緣而接近於第2面F2之方式具有凸形狀。例如，於成膜裝置1中，使N型AlGaN單晶層(未圖示)磊晶成長時，晶圓W會因藍寶石基板與N型AlGaN單晶層之晶格常數之差而產生應變。藉此，晶圓W如圖3所示般翹曲為凸形狀。第3部分23係以與因晶圓W之翹曲所產生之凸形狀對應之方式形成為凸形狀。即，第3部分23之凸形狀 係以於將對半導體設備之特性影響最大之層(例如N型AlGaN單晶層等)進行成膜時，適合於晶圓W之凸形狀之方式形成。又，於自晶圓保持器20之上方觀察之俯視圖中，第3部分23之凸形狀之頂部(中心部CR)與晶圓W之凸形狀之頂部大致一致。藉此，第3部分23之表面F23與晶圓W之距離(間隙G之間隔)於搭載區域R之第3部分23大致均勻。其結果為，於晶圓保持器20之第3部分23可將熱大致均勻地傳遞至晶圓W。再者，於晶圓W之翹曲成為凹形狀之情形時，第3部分23亦可以與其對應之方式設為凹形狀。又，於圖3中，第3部分23與第1部分21之邊界部於相對於表面F21而大致垂直之方向具有階差。然而，於第3部分23與第1部分21之邊界部、以及第3部分23與第2部分22之邊界部，第3部分23亦可以平緩之傾斜與第1部分21或第2部分22相連。
接下來，對自晶圓保持器20向晶圓W之熱傳導進行說明。
如上所述，於第3部分23中可將熱大致均勻地傳遞至晶圓W。另一方面，於搭載區域R之端部，熱如圖3之箭頭h所示般，亦自晶圓W所直接接觸之晶圓支持部26或階差ST傳遞至晶圓W。因此，有成膜中之晶圓W之端部之溫度與晶圓W之中心部(與第3部分對應之晶圓W區域)之溫度相比變高之傾向。又，根據晶圓W於晶圓保持器20或搭載區域R中之位置，傳遞至晶圓W之熱亦容易產生不均。
因此，本實施形態之晶圓保持器20於搭載區域R之端部設置有晶圓保持器20之深度(厚度)不同之第1部分21及第2部分22。於設置有第1部分21之搭載區域R之端部設置槽部TR。因此，第1部分21之表面F21與載置於搭載區域R之晶圓W之端部相對較為遠離。即，於第1部分21，晶圓保持器20與晶圓W之端部之距離變大。藉此，來自晶圓保持器20之熱難以傳遞至晶圓W(熱阻變高)，與第1部分21對向之晶圓W之端部之溫度相對變得較低。另一方面，於設置有第2部分22之搭載區域R之端部未設置槽部TR。或者，即便設置槽部，該槽部亦較第1 部分21之槽部TR更淺。因此，第2部分22之表面F22相對接近於載置於搭載區域R之晶圓W之端部。即，於第2部分22，晶圓保持器20與晶圓W之端部之距離變小。藉此，來自晶圓保持器20之熱容易傳遞至晶圓W(熱阻變低)，與第2部分22對向之晶圓W之端部之溫度相對變高。
如此，根據本實施形態，於搭載區域R之端部，藉由使晶圓W與晶圓保持器20之表面(F21或F22)之距離變化，而調節自晶圓保持器20之第1及第2部分21、22之熱傳導度(熱傳導率)，其結果為，可抑制晶圓W之溫度分佈不均。再者，第1部分21之槽部TR之深度、寬度及長度並不特定，只要根據晶圓W之溫度分佈不均之狀況適當設定即可。
圖5係更詳細地表示第1及第2部分21、22之位置之俯視圖。於圖5中，第1部分21係以參照符號21_1~21_4表示。除此以外之搭載區域R之端部為第2部分22。再者，圖5表示未搭載晶圓W之晶圓保持器20之俯視圖。又，為方便起見，圖5中省略晶圓支持部26之圖示。
如上所述，於成膜處理中，與第1部分21對應(對向)之晶圓W之端部之溫度相對變低，與第2部分22對應(對向)之晶圓W之端部之溫度相對變高。於本實施形態中，利用該特性來設定第1及第2部分21、22之位置，以抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。
(考慮到離心力之第1部分21之位置)
於成膜處理中，晶圓保持器20以其中心部C20為軸而沿箭頭A1或A2方向旋轉。此時，對晶圓W施加離心力，晶圓W於搭載區域R之範圍內自晶圓保持器20之中心部C20向放射方向移動。因此，晶圓W與搭載區域R中距離晶圓保持器20之中心部C20最遠之階差ST接觸。於此情形時，認為於接觸階差ST之晶圓W之端部，溫度變高，因此第1部分21_1設置於搭載區域R中距離晶圓保持器之中心部最遠之部分。藉此，可降低第1部分21_1與第2部分22之晶圓W之溫度差，從而抑制 晶圓W之端部之溫度分佈不均。
(考慮到相鄰之搭載區域R之第1部分21之位置)
搭載區域R以適合於晶圓W之平面形狀之方式具有大致圓形。因此，於晶圓保持器20具有複數個搭載區域R之情形時，存在相鄰之複數個搭載區域R彼此最接近之部分。於成膜處理中，熱於晶圓保持器20中經晶圓W被覆之搭載區域R容易滯留，於無晶圓W之區域(即搭載區域R以外之區域)容易發散。因此，認為於相鄰之搭載區域R彼此最接近之部分，晶圓W之溫度相對變高。
因此，於本實施形態中，如圖5所示般晶圓保持器20具有第1~第3搭載區域R1~R3之情形時，第1部分21_2設置於第1~第3搭載區域R1~R3之彼此相鄰之部分。即，第1搭載區域R1之第1部分21_2設置於該第1搭載區域R1中最接近第2搭載區域R2及第3搭載區域R3之部分。同樣地，第2搭載區域R2之第1部分21_2設置於該第2搭載區域R2中最接近第1搭載區域R1及第3搭載區域R3之部分。進而，同樣地，第3搭載區域R3之第1部分21_2設置於該第3搭載區域R3中最接近第1搭載區域R1及第2搭載區域R2之部分。藉此，可降低第1部分21_2與第2部分22之晶圓W之溫度差，從而抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。
(考慮到晶圓保持器20之旋轉速度之加減速之第1部分21之位置)
有晶圓保持器20於成膜處理中變更旋轉速度之情況。例如，於連續地成膜複數個材料膜之情形時，於成膜第1材料膜後成膜第2材料膜時，有驅動部30變更晶圓保持器20之旋轉速度之情況。此種情形時，對載置於搭載區域R之晶圓W施加加速度，晶圓W於搭載區域R之範圍內朝以晶圓保持器20之中心部C20為軸之旋轉方向A1或A2移動。即，晶圓W與階差ST接觸，該階差ST位於與以晶圓保持器20之中心部C20作為中心而通過搭載區域R之中心部CR之圓CL交叉的各搭載區 域R之2個端部。認為於接觸階差ST之晶圓W之端部，溫度變高，因此第1部分21_3、21_4分別設置於與圓CL交叉之搭載區域R之2個端部。藉此，可降低第1部分21_1與第2部分22之晶圓W之溫度差，從而抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。
再者，亦可將第1部分21_3、21_4之任一者設置於搭載區域R。例如，於欲在將晶圓保持器20沿A1方向加速時抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均之情形時，亦可設置第1部分21_3，而省略第1部分21_4。藉此，可於將晶圓保持器20沿A1方向加速時抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。反之，於想要在將晶圓保持器20沿A2方向加速時抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均之情形時，亦可設置第1部分21_4，而省略第1部分21_3。藉此，可於將晶圓保持器20沿A2方向加速時抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。
進而，第1部分21亦可對應於晶圓支持部26而設置。例如，圖6係表示第1部分21_5對應於晶圓支持部26之搭載區域R之俯視圖。於圖6中，第1部分21係搭載區域R之端部中以21_5表示之部分。除此以外之搭載區域R之端部為第2部分22。再者，圖6表示未搭載晶圓W之搭載區域R之俯視圖。
如參照圖3進行說明般，晶圓W之溫度於與晶圓保持器20接觸之部分變高。因此，認為與晶圓支持部26接觸之晶圓W之端部之溫度容易變高。因此，第1部分21_5亦可設置於搭載區域R之端部中設置有晶圓支持部26之部分。藉此，可降低第1部分21_1與第2部分22之晶圓W之溫度差，從而抑制晶圓W之端部之溫度分佈不均。
上述第1部分21_1~21_5亦可全部設置於晶圓保持器20。然而，亦可將第1部分21_1~21_5中之任意1個以上設置於晶圓保持器20。但是，若於搭載區域R之整個端部設置第1部分21，則無法抑制搭載區域R之端部之溫度分佈不均，因此，第1部分21局部地設置於搭載區 域R之端部之一部分，第2部分22設置於搭載區域R之端部之剩餘其他部分。複數個第1部分21_1~21_5之深度(T1)既可為相同之深度，亦可為分別不同之深度。複數個第2部分22之深度(T4)亦既可為相同之深度，亦可為分別不同之深度。
又，於搭載區域R之端部，第1部分21與第2部分22之邊界部可成為階差，亦可平滑地傾斜。例如，圖7(A)及圖7(B)係表示第1部分21與第2部分22之邊界部之晶圓保持器20之剖視圖。圖7(A)中，第1部分21與第2部分22之邊界部成為階差。於此情形時，雖然第1部分21與第2部分22之邊界部明確，但熱傳遞特性於該邊界部大幅地變化。
另一方面，圖7(B)中，第1部分21與第2部分22之邊界部平滑地傾斜。即，第1部分21與第2部分22之邊界部相對於第1部分21之表面F21、第2部分22之表面F22或第1面F1(參照圖3)而傾斜。藉此，第1部分21及第2部分22平滑地連接，熱傳遞特性之變化亦變平緩。因此，藉由邊界部傾斜，進而有利於抑制晶圓W之溫度分佈不均。如上所述，本實施形態之晶圓保持器20具有第1部分21與第2部分22。於搭載區域R之端部，在第1部分21設置有相對較深之槽部TR。於第2部分22未設置槽部TR或者設置有相對較淺之槽部。又，於搭載區域R之端部適當地設定第1及第2部分21、22之位置。藉此，可調節自晶圓保持器20之熱傳導度(熱傳導率)，抑制晶圓處理時之晶圓W之溫度分佈不均。
雖然說明了本發明之若干種實施形態，但該等實施形態係作為示例而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨內，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
20‧‧‧晶圓保持器
21‧‧‧第1部分
22‧‧‧第2部分
23‧‧‧第3部分
26‧‧‧晶圓支持部
40‧‧‧加熱器
CR‧‧‧中心部
F1‧‧‧第1面
F2‧‧‧第2面
F20‧‧‧表面
F21‧‧‧表面
F22‧‧‧表面
F23‧‧‧表面
F26‧‧‧表面
G‧‧‧間隙
h‧‧‧方向
R‧‧‧搭載區域
ST‧‧‧階差
TR‧‧‧槽部
T1‧‧‧第1深度
T2‧‧‧第2深度
T3‧‧‧第3深度
T4‧‧‧第4深度
W‧‧‧晶圓

Claims (18)

  1. 一種晶圓保持器，其包括：晶圓支持部，其設置於晶圓之搭載區域之端部；第1部分，其係設置於較上述晶圓支持部更靠上述搭載區域之中心部側者，且以上述搭載區域的外側之上述晶圓保持器之表面為基準，該第1部分之第1深度較上述晶圓支持部之第2深度、及位於較上述第1部分更靠上述搭載區域之中心部側之第3部分之第3深度更深；及第2部分，其係設置於較上述晶圓支持部更靠上述搭載區域之中心部側者，且以上述搭載區域的外側之上述晶圓保持器之表面為基準，該第2部分之第4深度較上述第2及第3深度更淺，且較上述第1深度更淺。
  2. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述第1部分設置於上述搭載區域中距離上述晶圓保持器之中心部最遠之部分。
  3. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述晶圓之搭載區域包含第1搭載區域及與該第1搭載區域相鄰之第2搭載區域，上述第1搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第2搭載區域之部分，上述第2搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第1搭載區域之部分。
  4. 如請求項2之晶圓保持器，其中上述晶圓之搭載區域包含第1搭載區域及與該第1搭載區域相鄰之第2搭載區域，上述第1搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第2搭載區域之部分，上述第2搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第1搭載區 域之部分。
  5. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述搭載區域之中心之圓交叉的上述搭載區域之2個端部中之至少一者。
  6. 如請求項2之晶圓保持器，其中上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述搭載區域之中心之圓交叉的上述搭載區域之2個端部中之至少一者。
  7. 如請求項3之晶圓保持器，其中上述第1搭載區域之上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述第1搭載區域之中心之圓交叉的上述第1搭載區域之2個端部中之至少一者，上述第2搭載區域之上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述第2搭載區域之中心之圓交叉的上述第2搭載區域之2個端部中之至少一者。
  8. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述第1部分設置於設置有上述晶圓支持部之上述搭載區域之端部。
  9. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述第1部分與上述第2部分之邊界部相對於上述第1部分之表面、上述第2部分之表面或可搭載上述晶圓之第1面而傾斜。
  10. 如請求項1之晶圓保持器，其中上述搭載區域之第3部分之表面係以隨著自該搭載區域之中心朝向該搭載區域之外緣而接近於上述第2面之方式具有凸形狀。
  11. 一種半導體製造裝置，其包括：腔室，其對晶圓進行處理；晶圓保持器，其可搭載上述晶圓；驅動部，其使上述晶圓保持器旋轉； 加熱器，其設置於上述晶圓保持器之下方；及氣體供給部，其將用於處理上述晶圓之氣體供給至上述腔室內；且上述晶圓保持器包括：晶圓支持部，其設置於上述晶圓之搭載區域之端部；第1部分，其係設置於較上述晶圓支持部更靠上述搭載區域之中心部側者，且以上述搭載區域的外側之上述晶圓保持器之表面為基準，該第1部分之第1深度較上述晶圓支持部之第2深度、及位於較上述第1部分更靠上述搭載區域之中心部側之第3部分之第3深度深；及第2部分，其係設置於較上述晶圓支持部更靠上述搭載區域之中心部側者，且以上述搭載區域的外側之上述晶圓保持器之表面為基準，該第2部分之第4深度較上述第2及第3深度淺，且較上述第1深度淺。
  12. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述第1部分設置於上述第1及第2部分中距離上述晶圓保持器之中心部最遠之部分。
  13. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述晶圓之搭載區域包含第1搭載區域及與該第1搭載區域相鄰之第2搭載區域，上述第1搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第2搭載區域之部分，上述第2搭載區域之上述第1部分設置於最接近上述第1搭載區域之部分。
  14. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述搭載區域之中心之圓交叉的上述搭載區域之2個端部中之至少一者。
  15. 如請求項13之半導體製造裝置，其中上述第1搭載區域之上述第 1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述第1搭載區域之中心之圓交叉的上述第1搭載區域之2個端部中之至少一者，上述第2搭載區域之上述第1部分設置於與以上述晶圓保持器之中心為中心而通過上述第2搭載區域之中心之圓交叉的上述第2搭載區域之2個端部中之至少一者。
  16. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述第1部分設置於設置有上述晶圓支持部之上述搭載區域之端部。
  17. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述第1部分與上述第2部分之邊界部相對於上述第1部分之表面、上述第2部分之表面或可搭載上述晶圓之第1面而傾斜。
  18. 如請求項11之半導體製造裝置，其中上述搭載區域之第3部分之表面係以隨著自該搭載區域之中心朝向該搭載區域之外緣而接近於上述第2面之方式具有凸形狀。
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