TW201710535A - 用於測量沉積速率之測量組件、具有其之蒸發源、具有其之沉積設備及應用其之方法 - Google Patents

Abstract

描述一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件(100)。測量組件(100)包括振盪晶體(110)和固持件(120)，振盪晶體(110)用以測量沉積速率，固持件(120)用以支承振盪晶體(110)，其中固持件包括具有熱傳導係數k大於30 W/(mK)之一材料。

Description

用於測量沉積速率之測量組件、具有其之蒸發源、具有其之沉積設備及應用其之方法

本揭露是有關於一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件、用於材料之蒸發的蒸發源、用於供應材料於基板的沉積設備和用於測量已蒸發材料之沉積速率的方法。本揭露特別是有關於一種用於測量已蒸發之有機材料之沉積速率的測量組件及方法。再者，本揭露特別是有關於包含有機材料在其中的裝置，例如是有機材料之蒸發源和沉積設備。

有機蒸發器係為用於製造有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diodes, OLED）之工具。OLEDs係為發光二極體之一種特別形式，在發光二極體中，發光層包括特定之有機化合物的薄膜。有機發光二極體（OLEDs）係使用來製造用以顯示資訊之電視螢幕、電腦螢幕、行動電話、其他手持裝置等。OLEDs亦可作為一般空間照明之用。OLED顯示器之可行的顏色、亮度、及視角的範圍係大於傳統之液晶顯示器（LCD）的此些特性，因為OLED像素係直接地發光且不包含背光。因此，相較於傳統之液晶顯示器之能量損耗，OLED顯示器之能量損耗係相當地少。再者，OLEDs可被製造於可撓性基板上的事實係產生進一步的應用。

OLED之功能係取決於有機材料之塗層厚度。此厚度必須在預定範圍內。在OLEDs之製造中，產生具有有機材料之塗層的沉積速率係被控制以落在預定之公差範圍內。也就是說，在製程中必須充分地控制有機蒸發器之沉積速率。

因此，對於OLED應用及對於其它蒸發製程來說，在比較長時間內係需要高準確性的沉積速率。現有數個可行的測量系統，用以測量蒸發器之沉積速率。然而，此些測量系統在所需之時間區間中面臨準確性不足及/或穩定性不足的情況。

因此，提供改良之沉積速率測量系統、沉積速率量測方法、蒸發器及沉積設備係有持續的需求。

有鑑於上述，根據獨立申請專利範圍之一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件、一種蒸發源、一種沉積設備及一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的方法係提供。其它優點、特徵、方面及細節係透過附屬申請專利範圍、說明及圖式更加清楚。

根據本揭露之一方面，提出一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件。測量組件包括振盪晶體及固持件，振盪晶體用以測量沉積速率，固持件用以支承振盪晶體，其中固持件包括具有熱傳導係數k大於30 W/(mK)之一材料。

根據本揭露之另一方面，提出一種用於材料之蒸發的蒸發源。蒸發源包括蒸發坩鍋、分佈管及根據本文任一實施例所述之測量組件。該蒸發坩鍋係裝配以蒸發一材料。分佈管具有一或多個出口，此一或多個出口係沿著分佈管之長度設置，用以提供已蒸發材料，其中分佈管係流體連通於蒸發坩鍋。

根據本揭露之其它方面，提出一種用於在真空腔室中以一沉積速率供應材料至基板的沉積設備。沉積設備包括根據本文所述之數個實施例之至少一蒸發源。

根據本揭露之又一方面，提出一種用於測量已蒸發材料之沉積速率的方法。方法包括蒸發材料、供應已蒸發材料之第一部分至基板、轉移已蒸發材料之第二部分至振盪晶體，以及使用根據本文所述之數個實施例之測量組件測量沉積速率。

本揭露係亦有關於一種設備，用以執行所揭露之方法的此設備包括用以執行方法之設備部件。此方法可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、此兩者之任何結合或任何其他方式來執行。再者，本揭露係亦有關於所述之設備的操作方法。它包括一種用以執行設備之各功能之方法。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

現將詳細地參照本揭露之數種實施例，本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在下方圖式之說明中，相同參考編號意指相同元件。在下文中，僅對有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供，但並不意味為本揭露的限制。再者，所說明或敘述而作為一實施例之部分之特徵可用於其它實施例上或與其它實施例結合，以產生更多其它實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。

在本揭露中，詞句「用以測量沉積速率之振盪晶體」可理解為：藉由測量振盪晶體諧振器於頻率之改變，用於測量在單位面積之振盪晶體上的已沉積材料之質量變化（mass variation）的一種振盪晶體。特別地，在本揭露中，振盪晶體可理解為石英晶體諧振器（quartz crystal resonator）。更特別是，「用以測量沉積速率之振盪晶體」可理解為石英晶體微天秤（Quartz Crystal Microbalance, QCM）。

範例性參照第1圖，根據本文所述實施例之用於測量已沉積材料之沉積速率的測量組件100包括一振盪晶體110及一固持件120，振盪晶體110用以測量沉積速率，固持件120用以支承振盪晶體110。固持件120可包括具有熱傳導係數k大於30 W/(mK)之材料。特別地，固持件可包括具有熱傳導係數k大於50 W/(mK)之材料，更特別地係熱傳導係數k大於70 W/(mK)之材料，舉例為大於150 W/(mK)之材料。因此，可減少會降低測量準確性之振盪晶體的熱效應。尤其，藉由提供在其中使用具有如本文所述之熱傳導係數k的材料，使由振盪晶體轉移至固持件的熱傳有所提升的測量組件，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。再者，測量組件（特別是振盪晶體）的冷卻能力相較於傳統之振盪晶體測量系統可獲得改善。因此，使用根據本文所述實施例之用於測量沉積速率之測量組件可有助於高品質之顯示器製造，特別是OLED製造。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，固持件120之材料包括選自於由銅、鋁、銅合金、鋁合金、黃銅、鐵、銀、銀合金、金、金合金、鎂、鎢、矽碳化物、氮化鋁或其它具有熱傳導係數k大於30 W/(mK)、特別是大於50 W/(mK)、更特別是大於70 W/(mK)之材料所組成之群組之至少一材料，舉例為大於150 W/(mK)之材料。因此，藉由提供具有固持件之測量組件且固持件包括如本文所述之材料，可提升由振盪晶體轉移至固持件的熱傳，如此可改善沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性。尤其，藉由提供包括如本文所述用於支承振盪晶體之材料的固持件，振盪晶體之熱波動可減少或甚至消除。舉例來說，根據本文所述實施例，可達成少於0.50 K (Kelvin)之熱波動，特別是少於0.25 K之熱波動，特別是少於0.10 K之熱波動，更特別是少於0.05 K之熱波動。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，振盪晶體110可配置在固持件120之內。範例性繪示於第2A至2C圖，固持件120中可具有測量開孔121。尤其，測量開孔121可裝配且配置，使得已蒸發材料可沉積於振盪晶體上，用以測量已蒸發材料之沉積速率。

範例性繪示於第2A圖，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量組件100可包括熱交換器132。特別是，熱交換器132可配置於固持件120中，例如在振盪晶體110旁或相鄰於振盪晶體110。或者，熱交換器可配置於固持件的外表面。熱交換器132可裝配以與振盪晶體及/或固持件120進行熱交換。舉例來說，熱交換器可包括管件，冷卻流體可提供而通過管件。冷卻流體可為液體或氣體，液體例如是水，氣體例如是空氣。尤其冷卻流體可被冷卻為壓縮空氣。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，熱交換器132可裝配來冷卻固持件120及/或振盪晶體110至15°C或更低的溫度，特別是10°C或更低（例如8°C）的溫度，更特別是5°C或更低的溫度。因此，藉由提供具有如本文所述之熱交換器的測量組件，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。特別地，藉由提供具有如本文所述之熱交換器的測量組件，振盪晶體之熱波動可減少或甚至消除，如此可有益於沉積速率之量測準確性。

範例性參照第2B圖，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量組件100可包括溫度感測器131，用以測量振盪晶體110之溫度。額外地或選擇性地，溫度感測器可配置或裝配來測量固持件120之溫度。藉由提供具有本文所述之溫度感測器之測量組件，可取得有關於測量組件之溫度的資訊，使振盪晶體之測量易於不準確之臨界溫度可偵測出來。因此，在測量組件（特別是固持件及/或振盪晶體）之臨界溫度係藉由溫度感測器偵測出來之情況中，可開始適當的反應，例如是藉由應用如本文所述之熱交換器之冷卻，如此可有益於沉積速率之量測準確性。

溫度感測器131可額外地或選擇性地裝配來偵測振盪晶體110及/或固持件120之熱波動。尤其，溫度感測器131可裝配來偵測少於0.50 K (Kelvin)之熱波動，特別是少於0.25 K之熱波動，特別是少於0.10 K之熱波動，更特別是少於0.05 K之熱波動。因此，溫度感測器131可偵測振盪晶體110及/或固持件120之臨界熱波動。尤其，使振盪晶體之測量易於不準確之臨界熱波動可由溫度感測器131所偵測。因此，在特別是固持件及/或振盪晶體之臨界熱波動係由溫度感測器偵測出來之情況中，可開始適當的反應，例如是藉由應用如本文所述之熱交換器之冷卻，如此可有益於沉積速率之量測準確性。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量組件100可包括溫度控制系統130，用以控制振盪晶體110之溫度及/或固持件120之溫度。特別是，溫度控制系統130可包括一或多個溫度感測器131、熱交換器132及控制器133。如第2C圖中所範例性繪示，控制器133可連接於溫度感測器131，用以接收由溫度感測器131所測量之資料。再者，控制器133可連接於熱交換器132，用以控制固持件120及/或振盪晶體110之溫度。因此，控制器可裝配用以依據溫度感測器131所測量之溫度，來控制固持件120及/或振盪晶體110之溫度。舉例來說，在溫度感測器131偵測出使振盪晶體之測量易於不準確之臨界溫度的情況中，控制器可開始產生控制訊號至熱交換器132，以冷卻固持件120及/或振盪晶體110。因此，在振盪晶體之理想測量溫度（例如低於15°C，特別是低於10°C，更特別是低於5°C）係由溫度感測器131偵測出來之情況中，藉由發送對應之控制訊號至熱交換器可停止先前所啟動之冷卻，如此可停止冷卻。藉由提供具有如本文所述之溫度控制系統的測量組件，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量組件100可包括遮板140，用以阻擋已蒸發材料，已蒸發材料係由測量出口150提供，測量出口150係用以提供已蒸發材料至振盪晶體110，如第3A及3B圖中所範例性繪示。特別地，遮板140可裝配成從遮板之第一狀態（第3A圖）可移動至遮板之第二狀態（第3B圖），可移動例如是線性可移動，也就是說，遮板可為可移動的遮板。或者，遮板可裝配成從第一狀態可轉動至第二狀態。舉例來說，遮板之第一狀態可為開啟狀態，遮板140在第一狀態中係不阻擋提供已蒸發材料至振盪晶體110之測量出口150，如第3A圖中所範例性繪示。因此，遮板140之第二狀態可為遮板140阻擋測量出口150之狀態，使得振盪晶體110不受通過測量出口150而提供之已蒸發材料的影響，如第3B圖中所範例性繪示。藉由提供具有遮板之測量組件，測量組件（特別是振盪晶體及/或固持件）可不受已蒸發材料之高溫的影響。因此，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。

範例性參照第4圖，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，遮板140可包括熱保護遮罩物141，用以保護振盪晶體110及/或固持件120免於受到通過測量出口150而提供之已蒸發材料之熱的影響。如第4圖中所範例性繪示，熱保護遮罩物141可配置於遮板140面對測量出口150之一側上。特別是，熱保護遮罩物141可裝配以用於反射由已蒸發材料所提供之熱能，已蒸發材料係通過測量出口150提供。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，熱保護遮罩物141可為板材，板材例如是金屬板。或者，熱保護遮罩物141可包括更多個板材的其中二者，特別是更多個金屬板的其中二者，此更多個板材的其中二者可相對於彼此間隔例如是0.1 mm或更多之縫隙。舉例來說，金屬板可具有0.1 mm至0.3 mm之厚度。特別是，熱保護遮罩物可包括含鐵或不含鐵材料，例如是選自於由銅（Cu）、鋁（Al）、銅合金、鋁合金、黃銅、鐵、鈦（Ti）、陶瓷及其它合適材料所組成之群組之至少一材料。再者，遮板140可包括至少一冷卻元件142，用以冷卻遮板140。冷卻元件142可包括至少一管，用以提供冷卻流體，以冷卻遮板140。

因此，根據本文所述實施例之包括熱保護遮罩物之測量組件可有利於保護振盪晶體而特別是在遮板係為關閉狀態時免受到已蒸發材料之溫度（例如是熱）之影響。特別是，當遮板（特別是包括熱保護遮罩物）係為關閉狀態時，振盪晶體110及/或固持件120可冷卻下來。因此，藉由應用包括熱保護遮罩物之遮板，可增加振盪晶體及/或固持件之冷卻速率，如此可有益於測量組件的表現。

第5A和5B圖繪示根據本文所述實施例之蒸發源200的側視圖。根據數個實施例，蒸發源200包括蒸發坩鍋210，其中蒸發坩鍋係裝配以蒸發一材料。再者，蒸發源200包括分佈管220，分佈管220具有一或多個出口222，此一或多個出口222係沿著分佈管之長度設置，用以提供已蒸發材料，如第5B圖中所範例性繪示。根據數個實施例，分佈管220例如是經由蒸汽導管232流體連通於蒸發坩鍋210，如第5B圖中之箭頭242所範例性繪示。蒸汽導管232可在分佈管之中央部或在分佈管之下端與分佈管之上端之間的另一位置設置於分佈管220。再者，根據本文所述實施例之蒸發源200包括根據本文所述之測量組件100。因此，蒸發源200係提供而讓沉積速率可以高準確性之方式測量。因此，應用根據本文所述實施例之蒸發源200可有利於高品質之顯示器製造，特別是OLED製造。

如第5A圖中所範例性繪示，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，分佈管220可為細長管件，包括加熱元件215。蒸發坩鍋210可為用於以加熱單元225蒸發材料的一水庫（reservoir），此材料例如是有機材料。舉例來說，加熱單元225可提供在蒸發坩鍋210之內部空間中。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，分佈管220可提供接線源。舉例來說，如第5B圖中所範例性繪示，例如是噴嘴之數個出口222可沿著至少一接線配置。根據替代性實施例（未繪示），可提供一個沿著此至少一接線延伸之細長開孔，細長開孔例如是狹縫。根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，接線源可本質上垂直地延伸。

根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，分佈管220之長度可對應於基板之高度，材料係於沉積設備中沉積於此基板上。或者，分佈管220之長度可較基板之高度長，例如至少長10%或甚至20%，材料係將沉積於此基板上。因此，在基板之上端及/或基板之下端可以提供均勻的沉積。舉例來說，分佈管220之長度可以為1.3 m或以上，例如是2.5 m或以上。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，蒸發坩鍋210可提供於分佈管220之下端，如第5A圖中範例性繪示。例如是有機材料之材料可在蒸發坩鍋210中蒸發。已蒸發材料可於分佈管之底部進入分佈管220，且可本質上側向地導引通過分佈管220中之此些出口222而例如是朝向本質上垂直的基板。範例性參照第5B圖，根據本文所述實施例之測量組件100可提供於分佈管220之上部，尤其是位在分佈管220之上端。

範例性參照第5B圖，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量出口150可設置於分佈管220之一壁中或是在分佈管之端部中，例如是在分佈管之背側224A的一壁中，如第5B和6圖中範例性繪示。或者，測量出口150可設置在分佈管220之頂壁224C中。如由第6圖中之箭頭151範例性所示，已蒸發材料可從分佈管220之內側經由測量出口150提供至測量組件100。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量出口150可具有從0.5 mm至4 mm之開孔。測量出口150可包括噴嘴。舉例來說，噴嘴可包括可調整開孔，用以調整提供至測量組件100之已蒸發材料的流量。特別是，噴嘴可裝配以提供一測量流量，此測量流量係選自於一範圍，此範圍係下限為蒸發源所提供之總流量的1/70，特別是下限為蒸發源所提供之總流量的1/60，更特別是下限為蒸發源所提供之總流量的1/50以及上限為蒸發源所提供之總流量的1/40，特別是上限為蒸發源所提供之總流量的1/30，更特別是上限為蒸發源所提供之總流量的1/25之間。舉例來說，噴嘴可裝配以提供一測量流量，此測量流量為蒸發源所提供之總流量的1/54。

第6圖繪示根據本文所述實施例之蒸發源200的透視圖。如第6圖中範例性繪示，分佈管220可設計成三角形之形狀。三角形之形狀之分佈管220在兩個或多個分佈管係彼此相鄰配置之情況中可具有優點。特別是，三角形之形狀之分佈管220係讓相鄰分佈管之出口盡可能地彼此靠近。此舉讓從不同分佈管之不同材料達到改善之混合，例如是針對兩個、三個或甚至多個不同材料之共蒸發（co-evaporation）的情況。如第6圖中範例性繪示，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量組件100可設置在分佈管220之中空空間中，特別是在分佈管之上端。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，分佈管220可包括數個壁，例如是側壁224B和分佈管之背側224A的一壁，此些壁可以由加熱元件215所加熱。加熱元件215可安裝或附著於分佈管220之數個壁。根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，蒸發源200可包括遮罩物204。遮罩物204可減少朝向沉積區之熱輻射。再者，遮罩物204可藉由冷卻元件216來冷卻。舉例來說，冷卻元件216可安裝於遮罩物204且可包括用於冷卻流體的導管，例如是一管。

第7圖繪示根據本文所述實施例之用於在真空腔室310中供應材料於基板333之沉積設備300的上視圖。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，如本文所述之蒸發源200可提供於真空腔室310中之例如是軌道上，軌道舉例為線性導件320或環狀軌道。軌道或線性導件320可裝配而用於蒸發源200之平移運動。因此，根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，用於平移運動之驅動器可提供給在真空腔室310中之軌道及/或線性導件320的蒸發源200。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，例如是閘閥的第一閥305可設置而提供對相鄰真空腔室（未繪示於第7圖中）之真空密封。第一閥可開啟而用以傳送基板333或遮罩332至真空腔室310中或離開真空腔室310。

根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，其它真空腔室可設置而相鄰於真空腔室310，其它真空腔室例如是維護真空腔室311，如第7圖中範例性繪示。因此，真空腔室310及維護真空腔室311可以第二閥307連接。第二閥307可裝配以開啟及關閉在真空腔室310和維護真空腔室311之間的真空密封。當第二閥307係為開啟狀態時，蒸發源200可傳送至維護真空腔室311。之後，第二閥307可關閉以提供在真空腔室310與維護真空腔室311之間的真空密封。若第二閥307係關閉時，維護真空腔室311可排氣且開啟來進行蒸發源200之維護而不破壞真空腔室310中之真空。

如第7圖中範例性繪示，兩個基板可支撐於真空腔室310中之各自之傳送軌道上。再者，可提供兩個軌道，用以提供遮罩於其上。因此，在塗佈期間，基板333可由各自之遮罩進行遮蔽。舉例來說，遮罩可提供於遮罩框架331中，以支承遮罩332於預定位置中。

根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，基板333可由基板支撐件326支撐，基板支撐件326可連接於對準單元312。對準單元312可調整基板333相對於遮罩332之位置。如第7圖中所範例性繪示，基板支撐件326可連接於對準單元312。因此，基板可相對於遮罩332移動，以在材料沉積期間提供基板與遮罩之間合適的對準，而有利於高品質之顯示器製造。遮罩332及/或支承遮罩332之遮罩框架331可選擇性或額外地連接於對準單元312。因此，遮罩332可相對於基板333定位或者遮罩332及基板333兩者可相對於彼此定位。

如第7圖中所示，線性導件320可提供蒸發源200之平移運動之方向。在蒸發源200之兩側上可各提供遮罩332。遮罩可本質上平行於平移運動之方向延伸。再者，在蒸發源200之相對側的基板亦可本質上平行於平移運動之方向延伸。如第7圖中範例性所示，設置於沉積設備300之真空腔室310中之蒸發源200可包括支撐件202，支撐件202可裝配以用於沿著線性導件320之平移運動。舉例來說，支撐件202可支撐兩個蒸發坩鍋和兩個分佈管220，分佈管220設置於蒸發坩鍋210之上方。因此，在蒸發坩鍋中產生之蒸汽可向上地移動且離開分佈管之此一或多個出口。

因此，如本文所述之沉積設備之數個實施例提供了改良之高品質之顯示器製造，特別是OLED製造。

第8圖繪示根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率之方法的方塊圖。根據數個實施例，用於測量已蒸發材料之沉積速率的方法400包括蒸發例如是有機材料之材料之步驟410、供應已蒸發材料之第一部份至基板之步驟420、轉移已蒸發材料之第二部分至振盪晶體110之步驟430，以及使用根據本文所述實施例之測量組件100測量沉積速率之步驟440。因此，藉由應用根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率的方法，可高準確地測量沉積速率。特別是，藉由應用如本文所述之用於測量沉積速率的方法，可減少會降低測量準確性之振盪晶體的熱效應。尤其，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，蒸發材料之步驟410包括使用如本文所述之蒸發坩鍋210。再者，供應已蒸發材料之第一部份至基板之步驟420可包括使用根據本文實施例之蒸發源200。根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，轉移已蒸發材料之第二部分至振盪晶體110之步驟430可包括使用如本文所述之測量出口150，特別是噴嘴。特別地，轉移已蒸發材料之第二部分至振盪晶體110之步驟430可包括提供一測量流量，此測量流量係選自於一範圍，此範圍係下限為蒸發源所提供之總流量的1/70，特別是下限為蒸發源所提供之總流量的1/60，更特別是下限為蒸發源所提供之總流量的1/50以及上限為蒸發源所提供之總流量的1/40，特別是上限為蒸發源所提供之總流量的1/30，更特別是上限為蒸發源所提供之總流量的1/25之間。舉例來說，噴嘴可裝配以提供一測量流量，轉移已蒸發材料之第二部分至振盪晶體110之步驟430可包括提供測量流量為蒸發源所提供之總流量的1/54。

根據可與本文所述其它實施例結合之數個實施例，測量沉積速率之步驟440可包括與測量組件100進行熱交換，特別是藉由如本文所述之溫度控制系統130進行熱交換。因此，藉由與如本文所述之測量組件進行熱交換，高溫導致沉積速率之測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。特別地，藉由與如本文所述之測量組件進行熱交換，振盪晶體之熱波動可減少或甚至消除，如此可有利於沉積速率之測量的準確性。因此，應用如本文所述之用於測量沉積速率的方法，可有助於高品質之顯示器製造，特別是OLED製造。

因此，根據本文所述的數個實施例，用於測量已蒸發材料之沉積速率之測量組件、蒸發源、沉積設備和用於測量沉積速率之方法提供了改良的沉積速率之測量和高品質的顯示器製造，例如是高品質的OLED製造。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧測量組件
110‧‧‧振盪晶體
120‧‧‧固持件
121‧‧‧測量開孔
130‧‧‧溫度控制系統
131‧‧‧溫度感測器
132‧‧‧熱交換器
133‧‧‧控制器
140‧‧‧遮板
141‧‧‧熱保護遮罩物
142‧‧‧冷卻元件
150‧‧‧測量出口
151‧‧‧箭頭
200‧‧‧蒸發源
202‧‧‧支撐件
204‧‧‧遮罩物
210‧‧‧蒸發坩鍋
215‧‧‧加熱元件
216‧‧‧冷卻元件
220‧‧‧分佈管
222‧‧‧出口
224A‧‧‧背側
224B‧‧‧側壁
224C‧‧‧頂壁
225‧‧‧加熱單元
232‧‧‧蒸汽導管
242‧‧‧箭頭
300‧‧‧沉積設備
305‧‧‧第一閥
307‧‧‧第二閥
310‧‧‧真空腔室
311‧‧‧維護真空腔室
312‧‧‧對準單元
320‧‧‧線性導件
326‧‧‧基板支撐件
331‧‧‧遮罩框架
332‧‧‧遮罩
333‧‧‧基板
400‧‧‧方法
410、420、430、440‧‧‧步驟

為了使本文所述之本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之更具體的說明可參照實施例。所附之圖式係有關於本揭露之實施例，並描述於下方： 第1圖繪示根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件的上視圖； 第2A至2C圖繪示根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件的側視圖； 第3A圖繪示根據本文所述實施例之測量組件於第一狀態中的示意圖； 第3B圖繪示根據本文所述實施例之測量組件於第二狀態中的側視圖； 第4圖繪示根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率的測量組件的側視圖； 第5A和5B圖繪示根據本文所述實施例之蒸發源的側視圖； 第6圖繪示根據本文所述實施例之蒸發源的透視圖； 第7圖繪示根據本文所述實施例之用於在真空腔室中供應材料於基板之沉積設備的上視圖；以及 第8圖繪示根據本文所述實施例之用於測量已蒸發材料之沉積速率之方法的方塊圖。

100‧‧‧測量組件

110‧‧‧振盪晶體

120‧‧‧固持件

Claims (19)

1. 一種用於測量一已蒸發材料之一沉積速率之測量組件，包括： 一振盪晶體，用以測量該沉積速率；以及 一固持件，用以支承該振盪晶體，其中該固持件包括具有熱傳導係數k大於30 W/(mK)之一材料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之測量組件，其中該固持件係裝配以提升由該振盪晶體轉移至該固持件的熱傳。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量組件，其中該固持件之該材料係選自於由銅、鋁、銅合金、鋁合金、黃銅、鐵、銀、銀合金、金、金合金、鎂、鎢、矽碳化物及氮化鋁所組成之群組之至少一材料。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量組件，更包括一熱交換器，用以與該振盪晶體進行熱交換。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量組件，更包括一溫度感測器，用以測量該振盪晶體之溫度。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量組件，更包括一溫度控制系統，用以控制該振盪晶體之溫度。
7. 如申請專利範圍第6項所述之測量組件，其中該溫度控制系統包括一或多個溫度感測器、熱交換器及控制器。
8. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量組件，更包括可移動的一遮板，用以阻擋該已蒸發材料，該已蒸發材料係由一測量出口提供，該測量出口係用以提供該已蒸發材料至該振盪晶體。
9. 如申請專利範圍第8項所述之測量組件，其中該遮板包括一熱保護遮罩物，用以保護該振盪晶體免於受到該已蒸發材料之溫度的影響。
10. 如申請專利範圍第9項所述之測量組件，其中該遮板包括至少一冷卻元件，用以冷卻該遮板。
11. 如申請專利範圍第10項所述之測量組件，其中該冷卻元件包括至少一管，用以提供一冷卻流體，以冷卻該遮板。
12. 一種用於材料之蒸發的蒸發源，包括： 一蒸發坩鍋，其中該蒸發坩鍋係裝配以蒸發一材料； 一分佈管，具有一或多個出口，該一或多個出口係沿著該分佈管之長度設置，用以提供一已蒸發材料，其中該分佈管係流體連通於該蒸發坩鍋；以及 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之測量組件。
13. 如申請專利範圍第12項所述之蒸發源，更包括一測量出口，用以提供該已蒸發材料至該測量組件之該振盪晶體。
14. 如申請專利範圍第13項所述之蒸發源，其中該測量出口係裝配以提供一測量流量，該測量流量係從該蒸發源所提供之總流量的1/70至該蒸發源所提供之總流量的1/25。
15. 如申請專利範圍第14項所述之蒸發源，其中該測量出口及該測量組件係配置於該分佈管之一端部。
16. 如申請專利範圍第15項所述之蒸發源，其中該測量出口及該測量組件係配置於於該分佈管之該端部之背側。
17. 一種用於在一真空腔室中以一沉積速率供應材料至一基板的沉積設備，包括如申請專利範圍第12至16項中任一項所述之至少一蒸發源。
18. 一種用於測量一已蒸發材料之一沉積速率的方法，包括： 蒸發一材料； 供應該已蒸發材料之一第一部分至一基板； 轉移該已蒸發材料之一第二部份至一振盪晶體；以及 使用如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之測量組件測量該沉積速率。
19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中測量該沉積速率之步驟包括藉由一溫度控制系統與該測量組件進行熱交換。