TW201622341A - 具有基極電流再利用之放大器 - Google Patents

具有基極電流再利用之放大器 Download PDF

Info

Publication number
TW201622341A
TW201622341A TW104131008A TW104131008A TW201622341A TW 201622341 A TW201622341 A TW 201622341A TW 104131008 A TW104131008 A TW 104131008A TW 104131008 A TW104131008 A TW 104131008A TW 201622341 A TW201622341 A TW 201622341A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
amplifier
power
signal
input
transistor
Prior art date
Application number
TW104131008A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI662786B (zh
Inventor
菲利浦 約翰 勒托拉
Original Assignee
西凱渥資訊處理科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 西凱渥資訊處理科技公司 filed Critical 西凱渥資訊處理科技公司
Publication of TW201622341A publication Critical patent/TW201622341A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI662786B publication Critical patent/TWI662786B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0283Reducing the number of DC-current paths
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/102A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/18Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/24Indexing scheme relating to amplifiers the supply or bias voltage or current at the source side of a FET being continuously controlled by a controlling signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/318A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/321Use of a microprocessor in an amplifier circuit or its control circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/516Some amplifier stages of an amplifier use supply voltages of different value
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21127Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias current of a power amplifier being controlled, e.g. by an active current source or a current mirror
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本發明揭示一種具有複數個放大器之RF放大器模組,其中經由一包絡追蹤模組而供電給該等放大器之至少一者。將該等放大器之至少一者之偏壓輸入提供至第一放大器以供電給該第一放大器以減小電力消耗。亦可經由固定偏壓而供電給該第一放大器以提供該模組之更大穩定性。

Description

具有基極電流再利用之放大器
本發明之實施例係關於電子系統,且更特定言之係關於射頻(RF)電子器件。
RF功率放大器可用於升高具有一相對低功率之一RF信號之功率。此後,經升高RF信號可用於包含驅動一傳輸器之天線或接收由天線接收之一經傳輸信號之多種目的。
功率放大器可包含於行動電話或其他行動裝置中以放大一RF信號用於傳輸或用於接收。舉例而言,在使用一無線區域網路(WLAN)協定及/或任何其他適合通信標準通信之行動電話中,一或多個功率放大器可用於放大RF信號。然而,功率放大器之使用需要來自電池之電流之使用且可縮短行動電話之可用電池壽命。管理放大器之操作以改良行動裝置之電池壽命係重要的。
存在對於經改良功率放大器系統之一需要。此外,存在對於改良放大器及放大器系統以減小藉由此等裝置及系統之電流消耗之一需要。
在一實施方案中,上述需要由用於一RF通信電路之一功率放大器模組之一實施例解決,該模組包括:一驅動器級放大器,其具有接收一RF信號之一輸入,該驅動器級放大器由跨驅動器級放大器施加 以放大RF信號之供應電壓供應;一最後級放大器,其自驅動器級放大器之一輸出接收一經放大RF信號,該最後級放大器由跨最後級放大器施加之一供應電壓供電且提供一經放大輸出信號,一偏壓電流經施加至最後級放大器之輸入且偏壓電流亦經施加以供電給驅動器級放大器以藉此減小流動通過驅動器級放大器之電流;及一包絡追蹤模組,其將電力提供至驅動器級放大器及最後級放大器之至少一者。
在此實施方案之一些實施例中,包絡追蹤模組將電力提供至最後級放大器。
在此實施方案之一些實施例中,驅動器級放大器係自一固定電源供電。
在此實施方案之一些實施例中,固定電源包含一電池。
在此實施方案之一些實施例中,包絡追蹤模組將電力提供至驅動器級放大器及最後級放大器兩者。
在此實施方案之一些實施例中,驅動器級放大器包含一第一電晶體,最後級放大器包含一第二電晶體,第一電晶體之一基極形成驅動器級放大器之輸入,第一電晶體之一集極形成驅動器級放大器之輸出且連接至形成最後級放大器之輸入之第二電晶體之一基極,且第二電晶體之一集極形成最後級放大器之輸出。
在此實施方案之一些實施例中,第二電晶體之基極由一電流加偏壓且電連接至驅動器級放大器之一射極。
在此實施方案之一些實施例中,再利用最後級放大器之基極電流偏壓以供電給輸入級放大器導致功率附加效率之3%之一近似效率改良。
在另一實施方案中,前述需要由一RF通信裝置之一實施例解決,該RF通信裝置包括:一RF輸入,其接收RF輸入信號;一RF輸出,其接收RF信號;一雙級功率模組,其具有一第一放大器及一第 二放大器,第一放大器之輸入自RF輸入接收RF信號且第一放大器之輸出經提供至亦接收一偏壓信號之第二放大器之輸入且第二放大器之輸出經提供至輸出;一電力供應器,其將電力提供至第一放大器及第二放大器兩者且第一放大器及第二放大器之至少一者係基於輸入信號之包絡追蹤提供電力;及一互連件,其將第二放大器之輸入互連至第一放大器之電力供應器使得偏壓信號經提供至第一放大器之電力供應器以將電力提供至第一放大器。
在此實施方案之一些實施例中,包絡追蹤模組將電力提供至第二放大器。
在此實施方案之一些實施例中,第一放大器係自一固定電源供電。
在此實施方案之一些實施例中,固定電源包含一電池。
在此實施方案之一些實施例中,包絡追蹤模組將電力提供至第一放大器及第二放大器兩者。
在此實施方案之一些實施例中,第一放大器包含一第一電晶體,第二放大器包含一第二電晶體,第一電晶體之一基極形成第一放大器之輸入,第一電晶體之一集極形成第一放大器之輸出且連接至形成第二放大器之輸入之第二放大器之一基極,且第二電晶體之一集極形成第二放大器之輸出。
在此實施方案之一些實施例中,第二電晶體之基極由一電流加偏壓且電連接至第一放大器之一射極。
在此實施方案之一些實施例中,存在在一傳輸模式與一接收模式之間切換之一切換網路。
在此實施方案之一些實施例中,存在控制包絡追蹤模組及切換網路之一處理器及電腦可讀媒體。
在另一實施方案中,前述需要由放大RF信號之一方法之一實施 例解決,該方法包括:在一第一放大器中放大一第一信號;將第一放大器之輸出提供至一第二放大器;將電力提供至第一放大器及第二放大器;運用一偏壓信號加偏壓於第二放大器之輸入;及將施加至第二放大器之偏壓信號之至少一部分提供至第一放大器以供電給第一放大器。
在此實施方案之一些實施例中,供電給第一放大器及第二放大器包含偵測第一信號之包絡且至少部分基於第一信號之包絡將可變電力提供至第一放大器及第二放大器之至少一者。
在此實施方案之一些實施例中,將可變電力提供至第一放大器及第二放大器之至少一者包含將可變電力提供至第二放大器且將固定電力提供至第一放大器。
10‧‧‧功率放大器模組
11‧‧‧無線裝置/行動裝置
12‧‧‧開關/RF前端
13‧‧‧收發器
14‧‧‧天線
15‧‧‧傳輸路徑
16‧‧‧接收路徑
17‧‧‧功率放大器
18‧‧‧控制組件
19‧‧‧電腦可讀媒體
20‧‧‧處理器
21‧‧‧電池
22‧‧‧供應控制區塊/包絡追蹤調變器
25‧‧‧功率放大器系統
30‧‧‧包絡追蹤器
31‧‧‧包絡偵測器
32‧‧‧功率放大器(PA)
32a‧‧‧功率放大器/第一級放大器/驅動器放大器
32b‧‧‧功率放大器/第二級放大器/最後級放大器
34‧‧‧延遲元件
65‧‧‧級間匹配電路
66‧‧‧輸入匹配
70‧‧‧輸入匹配/匹配電路
72‧‧‧偏壓電路
74‧‧‧輸出匹配
81‧‧‧偏壓電壓
82‧‧‧電晶體
83‧‧‧基極
84‧‧‧偏壓網路
85‧‧‧二極體
86‧‧‧集極
87‧‧‧電阻器
88‧‧‧第二級放大器電晶體
89‧‧‧電容器
91‧‧‧基極
93‧‧‧隔離電感器
95‧‧‧互連件
97‧‧‧射極
101‧‧‧並聯電容器
103‧‧‧電感器
Lchoke1‧‧‧電感器
Lchoke2‧‧‧電感器
Vcc1‧‧‧電力電壓
Vcc2‧‧‧電力電壓
Vbatt‧‧‧電池電壓
圖1係用於放大一射頻(RF)信號之一功率放大器模組之一示意圖。
圖2係可包含圖1之功率放大器模組之一或多者之一例示性無線裝置之一示意性方塊圖。
圖3係具有一包絡追蹤能力之一放大器組件之一實例之一示意性方塊圖。
圖4係具有一包絡追蹤能力之一多級放大器組件之一示意性方塊圖。
圖5A及圖5B係可併入至圖2之無線裝置中之一多級放大器電路之示意性方塊圖。
圖1係用於放大一射頻(RF)信號之一功率放大器模組10之一示意圖。所繪示之功率放大器模組(PAM)10可經組態以放大一RF信號RF_IN以產生一經放大RF信號RF_OUT。如本文中所描述,功率放大 器模組10可包含一或多個功率放大器,該一或多個功率放大器包含(例如)具有兩個或兩個以上放大器之多級功率放大器。
圖2係可包含圖1之功率放大器模組之一或多者之一例示性無線或行動裝置11之一示意性方塊圖。無線裝置11可包含實施本發明之一或多個特徵之功率放大器偏壓電路。
圖2中描繪之例示性無線裝置11可表示諸如一多頻帶/多模式行動電話之一多頻帶及/或多模式裝置。在某些實施例中,無線裝置11可包含開關12、一收發器13、一天線14、功率放大器17、一控制組件18、一電腦可讀媒體19、一處理器20及一電池21。
收發器13可產生用於經由天線14傳輸之RF信號。此外,收發器13可接收來自天線14之輸入RF信號。
應理解,可由在圖2中統一表示為收發器13之一或多個組件達成與RF信號之傳輸及接收相關聯之多種功能。舉例而言,一單一組件可經組態以提供傳輸及接收功能兩者。在另一實例中,可由單獨組件提供傳輸及接收功能。
類似地,應理解,可由在圖2中統一表示為天線14之一或多個組件達成與RF信號之傳輸及接收相關聯之多種天線功能。舉例而言,一單一天線可經組態以提供傳輸及接收功能兩者。在另一實例中,可由單獨天線提供傳輸及接收功能。在又一實例中,可運用不同天線提供與無線裝置11相關聯之不同頻帶。
在圖2中,將來自收發器13之一或多個輸出信號描繪為經由一或多個傳輸路徑15而提供至天線14。在所展示之實例中,不同傳輸路徑15可表示與不同頻帶及/或不同功率輸出相關聯之輸出路徑。舉例而言,所展示之兩個例示性功率放大器17可表示與不同功率輸出組態(例如,低功率輸出及高功率輸出)相關聯之放大及/或與不同頻帶相關聯之放大。雖然圖2繪示使用兩個傳輸路徑15之一組態,但無線裝置 11可經調適以包含更多或更少傳輸路徑15。
功率放大器17可用於放大多種RF信號。舉例而言,功率放大器17之一或多者可接收可用於哌送功率放大器之輸出以幫助傳輸一無線區域網路(WLAN)信號或任何其他適合哌衝信號之一啟用信號。功率放大器17之各者不需要放大相同類型之信號。舉例而言,一功率放大器可放大一WLAN信號而另一功率放大器可放大(例如)一全球行動系統(GSM)信號、一分碼多重接取(CDMA)信號、一W-CDMA信號、一長期演進(LTE)信號或EDGE信號。
可依前述例示性模式及/或頻帶且依其他通信標準實施本發明之一或多個特徵。
在圖2中,將來自天線14之一或多個經偵測信號描繪為經由一或多個接收路徑16而提供至收發器13。在所展示之實例中,不同接收路徑16可表示與不同頻帶相關聯之路徑。雖然圖2繪示使用四個接收路徑16之一組態,但無線裝置11可經調適以包含更多或更少接收路徑16。
為了促進接收路徑與傳輸路徑之間之切換,開關12可經組態以將天線14電連接至一經選擇之傳輸或接收路徑。因此,開關12可提供與無線裝置11之一操作相關聯之若干切換功能。在某些實施例中,開關12可包含經組態以提供與(例如)在不同頻帶之間切換、在不同功率模式之間切換、在傳輸模式與接收模式之間切換或其等之某個組合相關聯之功能之若干開關。開關12亦可經組態以提供包含信號之濾波及/或雙工之額外功能。
圖2展示在某些實施例中,可提供一控制組件18用於控制與開關12、功率放大器17及/或(若干)其他操作組件之操作相關聯之多種控制功能。在本文中更詳細描述控制組件18之非限制性實例。
在某些實施例中,一處理器20可經組態以促進本文中所描述之 多種程序之實施。為了描述之目的,亦可參考方法、設備(系統)及電腦程式產品之流程圖圖解及/或方塊圖描述本發明之實施例。應理解,流程圖圖解及/或方塊圖之各個方塊及流程圖圖解及/或方塊圖中之方塊之組合可由電腦程式指令實施。可將此等電腦程式指令提供至一通用電腦、專用電腦或其他可程式化資料處理設備之一處理器以產生一機器使得經由電腦或其他可程式化資料處理設備之處理器執行之指令產生用於實施流程圖及/或方塊圖方塊或若干方塊中指定之行為的構件。
在某些實施例中,此等電腦程式指令亦可儲存於一電腦可讀記憶體19中,該電腦可讀記憶體19可引導一電腦或其他可程式化資料處理設備以一特定方式操作使得儲存於電腦可讀記憶體中之指令產生包含實施流程圖及/或方塊圖方塊或若干方塊中指定之行為之指令構件之製造之一物品。電腦程式指令亦可載入至一電腦或其他可程式化資料處理設備上以導致在電腦或其他可程式化設備上執行一系列之操作以產生一電腦實施程序使得在電腦或其他可程式化設備上執行之指令提供用於實施流程圖及/或方塊圖方塊或若干方塊中指定之行為之步驟。
電池21可係用於無線裝置11中之任何適合電池,其包含(例如)一鋰離子電池。
所繪示之無線裝置11亦包含可用於將一電力供應提供至功率放大器17之一或多者之供應控制區塊22。舉例而言,供應控制區塊22可係經組態以基於待放大之RF信號之一包絡改變或變動提供至功率放大器17之供應電壓之一包絡追蹤器。然而,在某些實施例中,供應控制區塊22可係包含(例如)一DC至DC轉化器之其他區塊。如在下文中將更詳細論述,供應控制區塊22可用於不僅控制單一級放大器而且控制雙級放大器,如圖2中所展示。
供應控制區塊22可電連接至電池21,且供應控制區塊22可經組態以基於待放大之RF信號之一包絡改變提供至功率放大器17之電壓。電池21可係用於無線裝置11中之任何適合電池,其包含(例如)一鋰離子電池。如在下文中將進一步詳細描述,藉由控制提供至功率放大器之電壓,可減小電池21之電力消耗,藉此改良無線裝置11之效能。如在圖2中所繪示,可將包絡信號自收發器13提供至供應控制區塊22。然而,可以其他方式判定包絡。舉例而言,可藉由使用任何適合包絡偵測器自RF信號偵測包絡而判定包絡。
圖3係具有一包絡追蹤器30之一功率放大器系統25之一實例之一示意性方塊圖。所繪示之系統包含RF前端12、收發器13、天線14、電池21、一延遲元件34、一功率放大器或PA 32及包含包絡追蹤器30之一供應控制區塊22。
收發器13可產生一RF信號,且可將RF信號提供至一延遲元件34。延遲元件34可接收RF信號且可延遲RF信號以補償產生用於功率放大器32之一供應電壓之一延遲。功率放大器32可放大經延遲RF信號且將經放大信號提供至RF前端12之一輸入,該RF前端12可包含一雙工器及/或一或多個開關,如先前所描述。RF前端12可具有電連接至天線14之一輸出。雖然在此圖式中未繪示,一般技術者將瞭解,更多或更少功率放大器可透過RF前端12而電連接至天線14以幫助提供所要數目之傳輸及/或接收路徑。
收發器13可將RF信號之包絡提供至供應控制區塊22。供應控制區塊22可包含經組態以自電池21接收一電壓之一包絡追蹤器30。包絡追蹤器30可產生用於功率放大器32之一功率放大器供應電壓。另外,包絡追蹤器30可控制功率放大器供應電壓之電壓位準以相對於RF信號之包絡改變。
雖然將收發器13繪示為將包絡提供至包絡追蹤器30,但可以任 何適合方式產生信號之包絡。舉例而言,可包含一包絡偵測器31以自RF信號產生一包絡信號。包絡追蹤能力可與單一放大器級一起使用或如結合圖4、圖5A及圖5B在下文中所論述,結合多級放大器使用。如圖3中所展示,供應控制區塊22可經組態以控制功率放大器32a、32b。如在下文中將論述,可控制在雙放大器級中之兩個放大器或在一些實施方案中可控制第二放大器或最後放大器。
圖4係具有一包絡追蹤能力之一多級放大器組件之一實例。應理解,經設計具有一固定電壓之一習知RF放大器在放大器在壓縮中時最有效操作。若通信裝置正在使用基於頻率調變之相位之一調變方案,則可將放大器驅動至壓縮中以提供較高位準之效率及較少電池使用。然而,許多現存調變方案使用振幅資訊且將放大器驅動至壓縮中可由於振幅可扭曲導致損失資料。
為了解決此問題,包絡追蹤電路追蹤輸入信號之包絡且接著基於輸入信號之包絡將一供應電壓提供至放大器。圖4係一例示性包絡追蹤組態,然而,應瞭解,包絡追蹤可依多種不同方式且在多種不同應用中出現。
圖4展示一功率放大器模組10之一例示性電路圖,該功率放大器模組10具有一包絡追蹤調變器22使得以改良功率放大器模組之效率之一方式將電力供應至放大器模組10之放大器32a、32b。在此實施方案中,包絡追蹤調變器22經由電感器Lchoke1及Lchoke2而將一變動電力信號提供至放大器32a、32b。電感器Lchoke1及Lchoke2幫助運用來自包絡追蹤調變器22之電力電壓Vcc1及Vcc2供電給放大器32a、32b同時阻擋高頻率RF信號分量。
如圖4中所展示,經由經選擇以匹配輸入RFIN A之輸入阻抗之一級間匹配電路65而將輸入信號RFIN A提供至第一級放大器32。輸入信號RFIN A可包括以上文所描述之方式由天線14接收或由天線14傳 輸之一RF信號。接著經由一輸入匹配70而將第一級放大器32a之輸出提供至放大器32b之輸入。經由來自電池21(圖2)及一偏壓電路72之電壓而加偏壓於放大器32a之輸出。接著經由經選擇以匹配放大器模組10之輸出側上之阻抗之一輸出匹配74而將第二放大器32b之輸出提供至一輸出作為RFOUT。在一實施方案中,將信號RFOUT提供至開關12(圖2)且接著經由開關而以先前描述之方式將信號RFOUT路由至天線14或收發器13。
由於圖4之功率放大器模組10之組態出現之一問題係電力消耗相對高。此係以下之結果:經由包絡追蹤模組22而將電力提供至放大器32a及32b兩者,且經由電池21亦提供電力以加偏壓於至第二放大器32b之輸入信號。
伴隨圖4之電路出現之一進一步問題係存在通過電感器Lchoke1及Lchoke2之電位不穩定性之一源。更具體言之,若在電感器Lchoke1與Lchoke2之間建立一回饋迴路,則可損及第二放大器32b之效能之穩定性,此導致模組10之電路效能之一降級。迴路穩定性主要依據ET調變器22之低頻率阻抗、功率放大器與ET調變器22之間之共用Vcc1/Vcc2電感及可基於ET調變器22設計及功率放大器及ET調變器22之實體位置在板與板間大幅變動之來自ET調變器22上之其他裝置之諧振。
圖5A及圖5B係解決上文識別之電力消耗及穩定性問題之一雙級放大器模組10之不同實施例之示意圖。在此實施方案中,雙級放大器包含一第一級放大器或驅動器放大器32a及一第二級放大器或最後放大器32b。第一級放大器或驅動器級放大器32a包括經由一輸入匹配66而接收輸入信號RFIN A之一電晶體82。可經由施加至電晶體82之基極83之一偏壓電壓81及一偏壓網路84而加偏壓於輸入信號。選擇偏壓電壓81及偏壓網路84以便改良雙級放大器模組10之效率。在此實施方 案中,偏壓網路84包含提供至接地之一路徑之二極體85及提供至電晶體82a之基極之偏壓之一電阻器87。偏壓網路84亦包含與二極體85並聯以便提供至接地之一高頻率路徑之電容器89。
將包括第一級放大器32a之電晶體82之集極86上之輸出提供至第二級放大器32b之輸入或在圖5A之實施例中,經由匹配電路70(圖5B)而提供至第二級放大器電晶體88之基極。另外,提供至最後級之基極91之偏壓電流亦由驅動器級放大器電晶體82之射極97提供。
更具體言之,經由兩個二極體電路85而將偏壓電壓自電池21提供至最後級放大器電晶體88之基極91。在最後級電晶體88之基極91與驅動器級電晶體82之射極97之間提供一互連件95。經由提供至接地之一路徑之二極體99及提供一AC接地之一並聯電容器101而將射極97連結至接地。因此,操作驅動器級電晶體82所需之DC電流流動通過互連件95。用於最後級電晶體88之偏壓電壓由驅動器級電晶體82之射極86提供。在DC位準處,驅動器級82看似驅動最後級88之基極91之一射極隨耦器。最後級88之集極電流與RF輸入功率一起增加。此導致最後級基極電流依關係Ib=Ic/Beta增加。由驅動器級電晶體82經由互連件95而有效再利用最後級88上之基極電流使得驅動器級82可不添加額外電流汲極至電池21或至少藉由減小至電池21之額外電流汲極而將足夠電力提供至最後級電晶體88。
此導致本文中所揭示之雙級功率放大器模組10之效率之一顯著增加。可藉由比較圖4與圖5A之電路之以下實例而繪示效率之此增加。假設用於圖4及圖5A之模組10兩者之操作,輸出功率Pout係30dBM且RF增益係30dB,最後級放大器32b之集極電流係500mA且驅動器級放大器32a之集極電流係30mA且最後級放大器32b之偏壓電流亦係30mA且供應電壓係3V,在此等假設之情況下,可如下判定用於圖3之功率放大器模組10之功率附加效率(PAE): Pout=30dBm=1瓦特
Pin=30dBM-30dB=30dBm=1毫瓦特
Pdc=3V x(500ma+30mA+30mA)=1.68瓦特
PAE=(Pout-Pin)/Pdc=1W-1mW/1.68W=59.5%
類似地,在此等假設之情況下,可如下判定用於圖4之功率放大器模組10之功率附加效率(PAE):Pout=30dBm=1瓦特
Pin=30dBM-30dB=30dBm=1毫瓦特
Pdc=3V x(500ma+30mA)=1.59瓦特
PAE=(Pout-Pin)/Pdc=1W-1mW/1.59W=59.5%
由於經施加以加偏壓於最後級放大器32b之基極之30mA亦提供至驅動器放大器32a之集極,所以可減小流動通過第一級放大器或驅動器放大器32a之總電流,此提供一3%或更大之效率節約,藉此延長電池壽命。
圖5A可使第一級放大器32a及第二級放大器32b兩者由包絡追蹤調變器22以先前描述之方式加偏壓或僅最後級放大器32b可經由包絡追蹤模組接收電力。若第一級放大器32a及第二級放大器或最後級放大器32b兩者都由包絡追蹤模組22供電,則如上文中所論述般存在電位之不穩定性。然而,亦如圖5A及圖5B中所展示,第一級放大器32b可具有減小第一級驅動器放大器32a之效率但提供更大穩定性之來自電池21之一固定偏壓。
然而,若第二級最後輸出放大器32b依圖5B中所展示之方式連接至包絡追蹤模組22,則最後級放大器32b依一較高位準之效率操作。在許多典型多級RF放大器電路中,較後級之集極電流顯著高於驅動器放大器之集極電流,如由上文中所給出之實例例示。因而,藉由使驅動器放大器32a經固定加偏壓,可存在一些損失效率。然而,在一 些實施方案中,可藉由最後級放大器32b上之偏壓電流之再利用以供給驅動器級放大器32a之集極電流而補償此損失效率。
圖5B更詳細繪示此互連。如所展示,在圖5B中,包絡追蹤調變器22僅連接至最後級放大器32b之輸出。以此方式,使用來自電池電壓Vbatt之固定偏壓加偏壓於驅動器放大器或第一級放大器32a。最後級放大器32b在此實施例中在顯著高於驅動器級放大器32a之電流位準之電流位準下操作。因而,最後級放大器32b可在驅動器級放大器32a操作較低位準之情況下依較高位準之效率操作,但由於大多數電力由最後級放大器32b消耗,所以雙放大器模組10之總效率在一些實施方案中可相對不受影響。此外,由於驅動器級放大器32a及電感器相關聯之隔離電感器93自包絡追蹤調變器22斷開,所以減小驅動器級放大器32a與電感器93之間及最後級放大器32b與電感器L 103之間之諧振之電位,藉此提供電路之更高穩定性。
除非內容哌絡清楚另有要求,否則貫穿描述及申請專利範圍,字組「包括(comprise)」、「包括(comprising)」及相同者應理解為一包含性意義而非一排他性或窮舉性意義,即「包含,但不限於」之意義。如本文中通常使用之字組「耦合」指可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。同樣地,如本文中通常使用之字組「連接」指可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。另外,字組「本文中」、「上文中」、「下文中」及具有類似意思之字組當用於此申請案中時指作為一整體之此申請案且非此申請案之任何特定部分。內容哌絡允許之處,使用單數或複數數目之上文中之實施方式中之字組亦可分別包含複數或單數數目。字組「或」指兩個或兩個以上品項之一清單,該字組涵蓋字組之以下解譯之全部:清單中之品項之任何者、清單中之品項之全部及清單中之品項之任何組合。
另外,除非另外具體陳述或除非如所使用在內容哌絡內理解,否則尤其諸如「可(can)」、「可(could)」、「可能(might)」、「可(can)」、「例如(e.g)/(for example))」、「諸如」及相同者之本文中所使用之條件語言通常意欲傳達某些實施例包含(而其他實施例不包含)某些特徵、元件及/或狀態。因此,此條件語言通常不意欲暗示依任何方式需要該等特徵、元件及/或狀態用於一或多個實施例或一或多個實施例必須包含用於在有或無作者輸入或推動之情況下決定之邏輯,不管是否在任何特定實施例中包含或執行此等特徵、元件及/或狀態。
本發明之實施例之上文中之詳細描述不意欲為窮舉性或將本發明限於上文中所揭示之精確形式。雖然為了闡釋性目的在上文中描述本發明之特定實施例及實例,但可有在本發明之範疇內之多種等效修改,如熟習相關技術者將認知。舉例而言,雖然依一給定順序呈現程序或方塊,但替代實施例可執行具有依一不同順序之步驟之常式或採用具有依一不同順序之方塊之系統,且可刪除、移動、新增、再分、組合及/或修改一些程序或方塊。可依多種不同方式實施此等程序或方塊之各者。另外,雖然有時展示串聯執行程序或方塊,但可代替性地並聯執行此等程序或方塊,或可在不同時間執行此等程序或方塊。
本文中提供之本發明之教示可應用至其他系統而不必須為上文中所描述之系統。可組合上文中所描述之多種實施例之元件及行為以提供進一步實施例。
雖然已描述本發明之某些實施例,但此等實施例僅藉由實例呈現且不意欲限制本發明之範疇。當然,可依多種其他形式體現本文中所描述之新穎方法及系統,此外,可做出本文中所描述之方法及系統之形式之多種省略、取代及改變而不脫離本發明之精神。隨附申請專利範圍及其等之等效物意欲涵蓋此等形式或修改,如落於本發明之範疇及精神內。
10‧‧‧功率放大器模組

Claims (20)

  1. 一種用於一RF通信電路之功率放大器模組,該模組包括:一驅動器級放大器,其具有接收一RF信號之一輸入,該驅動器級放大器由跨該驅動器級放大器施加以放大該RF信號之一供應電壓供電;一最後級放大器,其自該驅動器級放大器之一輸出接收一經放大RF信號,該最後級放大器由跨該最後級放大器施加之一供應電壓供電且提供一經放大輸出信號,一偏壓電流經施加至該最後級放大器之輸入且經施加以供電給該驅動器級放大器以減小流動通過該驅動器級放大器之電流;及一包絡追蹤模組,其將電力提供至該驅動器級放大器及最後級放大器之至少一者。
  2. 如請求項1之模組,其中該包絡追蹤模組將電力提供至該最後級放大器。
  3. 如請求項2之模組,其中該驅動器級放大器係自一固定電源供電。
  4. 如請求項3之模組,其中該固定電源包含一電池。
  5. 如請求項2之模組,其中該包絡追蹤模組將電力提供至該驅動器級放大器及該最後級放大器兩者。
  6. 如請求項1之模組,其中該驅動器級放大器包含一第一電晶體,該最後級放大器包含一第二電晶體,該第一電晶體之一基極形成該驅動器級放大器之該輸入,該第一電晶體之一集極形成該驅動器級放大器之該輸出且連接至形成該最後級放大器之該輸入之該第二電晶體之一基極,且該第二電晶體之一集極形成該最後級放大器之輸出。
  7. 如請求項6之模組,其中該第二電晶體之該基極由一電流加偏壓且電連接至該驅動器級放大器之一射極。
  8. 如請求項1之模組,其中再利用該最後級放大器之該基極電流偏壓以供電給該輸入級放大器導致功率附加效率之3%之一近似效率改良。
  9. 一種RF通信裝置,其包括:一RF輸入及一RF輸出;一雙級功率模組,其具有第一放大器及第二放大器,該第一放大器之輸入自該RF輸入接收一RF信號且該第一放大器之輸出經提供至亦接收一偏壓信號之該第二放大器之輸入且該第二放大器之輸出經提供至該RF輸出;一電力供應器,其將電力提供至該第一放大器及該第二放大器兩者,該第一放大器及該第二放大器之至少一者係基於該RF信號之包絡追蹤提供電力;及一互連件,其將該第二放大器之該輸入互連至該第一放大器之該電力供應器使得該偏壓信號經提供至該第一放大器之該電力供應器以將電力提供至該第一放大器。
  10. 如請求項9之裝置,其中該包絡追蹤模組將電力提供至該第二放大器。
  11. 如請求項10之裝置,其中該第一放大器係自一固定電源供電。
  12. 如請求項11之裝置,其中該固定電源包含一電池。
  13. 如請求項10之裝置,其中該包絡追蹤模組將電力提供至該第一放大器及該第二放大器兩者。
  14. 如請求項9之裝置,其中該第一放大器包含一第一電晶體,該第二放大器包含一第二電晶體,該第一電晶體之一基極形成該第一放大器之該輸入,該第一電晶體之一集極形成該第一放大器 之該輸出且連接至形成該第二放大器之該輸入之該第二電晶體之一基極,且該第二電晶體之一集極形成該第二放大器之該輸出。
  15. 如請求項14之裝置,其中該第二電晶體之該基極由一電流加偏壓且電連接至該第一放大器之一射極。
  16. 如請求項9之裝置,其進一步包括在一傳輸模式與一接收模式之間切換之一切換網路。
  17. 如請求項16之裝置,其進一步包括控制該包絡追蹤模組及該切換網路之一處理器及電腦可讀媒體。
  18. 一種放大RF信號之方法,該方法包括:在一第一放大器中放大一第一信號;將該第一放大器之輸出提供至一第二放大器;將電力提供至該第一放大器及該第二放大器;運用一偏壓信號加偏壓於該第二放大器之輸入;及將施加至該第二放大器之該偏壓信號之至少一部分提供至該第一放大器以供電給該第一放大器。
  19. 如請求項18之方法,其中供電給該第一放大器及該第二放大器包含偵測該第一信號之包絡且至少部分基於該第一信號之該包絡將可變電力提供至該第一放大器及該第二放大器之至少一者。
  20. 如請求項19之方法,其中將可變電力提供至該第一放大器及該第二放大器之至少一者包含將可變電力提供至該第二放大器且將固定電力提供至該第一放大器。
TW104131008A 2014-09-19 2015-09-18 具有基極電流再利用之放大器 TWI662786B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462052956P 2014-09-19 2014-09-19
US62/052,956 2014-09-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201622341A true TW201622341A (zh) 2016-06-16
TWI662786B TWI662786B (zh) 2019-06-11

Family

ID=54150323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104131008A TWI662786B (zh) 2014-09-19 2015-09-18 具有基極電流再利用之放大器

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9602056B2 (zh)
EP (2) EP2999114B1 (zh)
JP (2) JP2016063543A (zh)
KR (1) KR102525526B1 (zh)
CN (1) CN105450180B (zh)
HK (1) HK1217139A1 (zh)
TW (1) TWI662786B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101936664B1 (ko) 2014-08-11 2019-01-09 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 전력 증폭기, 무선 원격 유닛 및 기지국
GB201613948D0 (en) * 2016-08-15 2016-09-28 Univ Surrey Load modulation in signal transmission
US11258406B2 (en) * 2016-11-25 2022-02-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
WO2018137185A1 (zh) 2017-01-25 2018-08-02 华为技术有限公司 一种功率放大装置、射频拉远单元及基站
US10666200B2 (en) * 2017-04-04 2020-05-26 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for bias switching of power amplifiers
US10693422B2 (en) 2017-11-27 2020-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Wideband power combiner and splitter
WO2019103898A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Skyworks Solutions, Inc. Quadrature combined doherty amplifiers
JP7199852B2 (ja) * 2018-07-02 2023-01-06 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 高周波電源及び磁気共鳴イメージング装置
US11916517B2 (en) 2019-04-23 2024-02-27 Skyworks Solutions, Inc. Saturation detection of power amplifiers
CN114696758A (zh) * 2020-12-31 2022-07-01 圣邦微电子(北京)股份有限公司 包络合成电源及具有包络合成电源的射频功率模块

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264752A (en) 1992-06-01 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Amplifier for driving large capacitive loads
US6148220A (en) * 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
US6020848A (en) * 1998-01-27 2000-02-01 The Boeing Company Monolithic microwave integrated circuits for use in low-cost dual polarization phased-array antennas
JP2001337730A (ja) * 2000-03-23 2001-12-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電圧供給回路、及び表示装置
KR100374929B1 (ko) * 2000-06-02 2003-03-06 학교법인 한국정보통신학원 주파수 변환 회로
AU2001276206A1 (en) 2000-07-12 2002-01-21 Indigo Manufacturing Inc. Power amplifier with multiple power supplies
CN1302615C (zh) * 2000-08-28 2007-02-28 三菱电机株式会社 多级放大器
US6900696B2 (en) * 2000-12-27 2005-05-31 Emhiser Research, Inc. Shared-current electronic systems
JP4094239B2 (ja) * 2001-02-19 2008-06-04 富士通株式会社 増幅器
US6614309B1 (en) * 2002-02-21 2003-09-02 Ericsson Inc. Dynamic bias controller for power amplifier circuits
US6806767B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
US7091777B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-15 Lucent Technologies Inc. Controller for an RF power amplifier
GB2398648B (en) 2003-02-19 2005-11-09 Nujira Ltd Power supply stage for an amplifier
KR100822360B1 (ko) 2003-09-16 2008-04-16 노키아 코포레이션 폴라 송신기내에 사용되는 하이브리드 스위치드 모드/선형전력 증폭기 전력 공급원을 구비한 무선 주파수 송신기동작 방법
GB2426392B (en) 2003-12-09 2007-05-30 Nujira Ltd Transformer based voltage supply
GB2411062B (en) 2004-02-11 2007-11-28 Nujira Ltd Resonance suppression for power amplifier output network
US7567123B2 (en) * 2004-02-13 2009-07-28 The Regents Of The University Of California Adaptive bias current circuit and method for amplifiers
US7356317B2 (en) * 2004-07-14 2008-04-08 Silicon Storage Technology, Inc. Adaptive-biased mixer
GB0418991D0 (en) 2004-08-25 2004-09-29 Nujira Ltd High efficiency variable voltage supply
JP2006191352A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Mitsubishi Electric Corp 電流再利用型周波数逓倍器
US7199658B2 (en) * 2005-05-18 2007-04-03 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing power amplifiers for millimeter wave applications
WO2007091212A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Nxp B.V. Power amplifier
GB2438457B (en) * 2006-03-17 2011-09-14 Nujira Ltd Joint optimisation of supply and bias modulation
US7477102B1 (en) * 2006-03-17 2009-01-13 Hrl Laboratories, Llc High efficiency linear microwave power amplifier
CN101079598A (zh) * 2006-04-10 2007-11-28 松下电器产业株式会社 高频功率放大器和通信设备
WO2007149346A2 (en) 2006-06-16 2007-12-27 Pulsewave Rf, Inc. Radio frequency power amplifier and method using a controlled supply
GB2457764B (en) 2008-02-28 2013-01-23 Nujira Ltd Improved control loop for amplification stage
GB2457940B (en) 2008-02-29 2013-05-01 Nujira Ltd Improved filter for switched mode power supply
GB2457766B (en) 2008-02-29 2012-12-19 Nujira Ltd Transformer based voltage combiner with inductive shunt
GB2459304B (en) 2008-04-18 2013-02-20 Nujira Ltd Improved pulse width modulation
GB2459894A (en) 2008-05-09 2009-11-11 Nujira Ltd Switched supply stage with feedback
GB2460072B (en) 2008-05-15 2013-01-23 Nujira Ltd Multiple voltage level supply stage
GB2460124A (en) 2008-05-21 2009-11-25 Nujira Ltd Printed circuit board with co-planar plate
US7808323B2 (en) * 2008-05-23 2010-10-05 Panasonic Corporation High-efficiency envelope tracking systems and methods for radio frequency power amplifiers
JP2011120142A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅装置
US8797103B2 (en) * 2010-12-07 2014-08-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for capacitive load reduction
US8598950B2 (en) 2010-12-14 2013-12-03 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for capacitive load reduction
US8610503B2 (en) * 2010-12-17 2013-12-17 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for oscillation suppression
JP5996559B2 (ja) 2011-02-07 2016-09-21 スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッドSkyworks Solutions,Inc. 包絡線トラッキング較正のための装置および方法
JP5820176B2 (ja) * 2011-07-21 2015-11-24 住友電気工業株式会社 電子回路
US9876478B2 (en) * 2011-11-04 2018-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for wide local area network power amplifiers
CN104011998B (zh) * 2011-11-04 2016-12-14 天工方案公司 用于功率放大器的装置和方法
KR101767577B1 (ko) 2012-02-09 2017-08-23 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 포락선 추적을 위한 장치 및 방법
US9035699B2 (en) * 2012-12-19 2015-05-19 Qualcomm Incorporated Multi-stage amplifier
US9716477B2 (en) * 2012-12-28 2017-07-25 Peregrine Semiconductor Corporation Bias control for stacked transistor configuration
US9455669B2 (en) 2013-10-11 2016-09-27 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for phase compensation in power amplifiers
JP6291796B2 (ja) * 2013-11-08 2018-03-14 株式会社ソシオネクスト 増幅器
US9859847B2 (en) * 2014-09-02 2018-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd Parallel combined output linear amplifier and operating method thereof
US9780730B2 (en) * 2014-09-19 2017-10-03 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Wideband self-envelope tracking RF power amplifier
US9817416B2 (en) * 2015-08-17 2017-11-14 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for programmable low dropout regulators for radio frequency electronics
JP6620640B2 (ja) * 2016-03-29 2019-12-18 三菱電機株式会社 電流再利用型電界効果トランジスタ増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016063543A (ja) 2016-04-25
KR102525526B1 (ko) 2023-04-24
EP3544179A1 (en) 2019-09-25
EP3544179B8 (en) 2022-03-09
EP2999114B1 (en) 2019-04-17
CN105450180A (zh) 2016-03-30
JP6789362B2 (ja) 2020-11-25
KR20160034224A (ko) 2016-03-29
CN105450180B (zh) 2019-11-19
US20160087589A1 (en) 2016-03-24
US9991850B2 (en) 2018-06-05
US20170207752A1 (en) 2017-07-20
EP2999114A1 (en) 2016-03-23
HK1217139A1 (zh) 2016-12-23
JP2020025312A (ja) 2020-02-13
TWI662786B (zh) 2019-06-11
US9602056B2 (en) 2017-03-21
EP3544179B1 (en) 2022-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9991850B2 (en) Amplifier with base current reuse
US9197162B2 (en) Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction
US8947161B2 (en) Linear amplifier power supply modulation for envelope tracking
US11671061B2 (en) Load-line switching for push-pull power amplifiers
WO2012098863A1 (ja) 高周波電力増幅器
US8774742B2 (en) High efficiency transmitter
CN103731107A (zh) 用于控制功率放大器的运行的控制电路和方法
JP2006333060A (ja) 高周波電力増幅及びそれを用いた無線通信装置
US20200195213A1 (en) Power amplification module
KR102513128B1 (ko) 전력 증폭 모듈 및 전력 증폭 방법
JP2017005641A (ja) 電力増幅モジュール
US20240162865A1 (en) Parallel cascode amplifier for enhanced low-power mode efficiency
US8688061B2 (en) System and method for biasing a power amplifier
US7193474B2 (en) Current limit circuit for power amplifiers
US8269561B1 (en) Systems and methods for CMOS power amplifiers with power mode control
US9130530B2 (en) Gain synchronization circuitry for synchronizing a gain response between output stages in a multi-stage RF power amplifier