TW201606908A - 基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明係以將於表面形成有具有疏水性之膜之基板以旋轉夾盤等保持且使其旋轉之狀態，開始由噴嘴噴出處理液。處理液係朝自基板之中心部隔開預先設定之距離之位置噴出，且處理液開始噴出後隨即於基板上以匯成1條之方式流動。藉此，可抑制微小水滴之產生。又，一面由噴嘴連續噴出處理液，一面使噴嘴朝基板之外側移動。藉此，可一面維持於基板上匯成1條流脈之狀態之處理液，一面使處理液之流脈整體朝基板之外側移動。另，處理液之流脈之內側為乾燥區域。

Description

基板處理方法

本發明係關於處理半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等基板之基板處理方法。

基板處理裝置具備分度器部、處理部、及介面部。分度器部係自收容複數片基板之載體取出基板而搬送至處理部，且將自處理部輸出之基板收納於載體。處理部係進行抗蝕劑等之塗佈處理、顯像處理、及熱處理等。且，介面部係對外部裝置即曝光機將基板進行交付及接收。

曝光機係鄰接於基板處理裝置之介面部而配置。於曝光機，近年來，因可使曝光圖案進而微細化，故使用於曝光機之投影光學系統與基板之間注滿液體而進行曝光之液浸法之曝光技術(以下稱為「液浸曝光技術」)。然而，於液浸曝光技術中，因以基板與液體接觸之狀態進行曝光處理，故以液體(液浸液)附著於曝光處理結束後之基板之狀態自曝光機搬出。藉此，附著於自曝光機搬出之基板之液體落下於基板處理裝置內，有致使基板處理裝置之動作不良或基板處理裝置內之清淨度惡化之虞。

因此，為了去除附著於基板之液體，而於日本特開2008-028226號公報及日本特開2009-071026號公報中提出：於上述介面部內配置洗淨乾燥單元，進行洗淨及乾燥之基板處理。又，雖未記述因上述之 目的而使用，但於日本特開2012-222237號公報中，揭示有洗淨及乾燥之基板處理方法。依序說明該等基板處理方法。

首先，說明日本特開2008-028226號公報之基板處理方法。以洗淨液洗淨以旋轉夾盤保持且旋轉之基板W，並以淋洗液沖洗洗淨液。其後，於基板W之表面整體形成淋洗液之液層(漿)L。停止淋洗液之噴出，使噴嘴(供液噴嘴)退避。提高基板W之旋轉速度，增加基板W之周緣部側之厚度，且縮小基板W之中心部側之厚度(參照圖1A)。此時，液層L之中心部側與周緣部側成為相互吸引之狀態。

其後，使惰性氣體供給噴嘴284移動於基板W之中心部上方，自惰性氣體供給噴嘴284朝厚度較小之液層L噴出惰性氣體，於基板W之中心部形成孔H(參照圖1B)。藉此，解除上述之吸引狀態，液層L係藉由離心力，一面維持孔H與液層L之環狀之邊界，一面一體地移動至基板W之外側(參照圖1C)。藉此，可抑制基板W上之液層淋洗液之微小液滴之形成，使基板W乾燥。

其次，說明日本特開2009-071026號公報之基板處理方法。以洗淨液洗淨保持於旋轉夾盤且旋轉之基板W，且以淋洗液沖洗洗淨液。其後，自基板W之中心部上方之噴嘴283噴出淋洗液且提高基板W之旋轉速度，並於基板W之表面整面形成淋洗液之液層L(參照圖2A)。其次，使噴嘴283自基板W之中心部上方朝外側移動。此時，因基板W之旋轉所引起之離心力，液層L之中心部側之厚度變小。將該厚度較小之區域稱為薄層區域。

噴嘴283係於自基板W之中心部上方移動特定距離之位置暫時停止移動。於該期間內，藉由離心力，液層L於薄層區域內被切斷，且於液層L之中心部形成孔(乾燥核心)H(參照圖2B)。於孔H之形成後，使噴嘴283再次移動至外側。與之相伴，藉由離心力而以孔H為起點不存在淋洗液之乾燥區域(孔H)係於基板W上擴大(參照圖2C)。若噴 嘴283移動至基板W之周緣部上方，則停止淋洗液之噴出，並將噴嘴283移動至基板W外。藉此，以淋洗液之液層L保持為一體之狀態，孔H擴散於基板W上之整體，而可防止微小液滴之形成，使基板W乾燥。

其次，說明日本特開2012-222237號公報之基板處理方法。以洗淨液等處理保持於旋轉夾盤(晶圓支持旋轉部)且旋轉之基板，且以去離子水淋洗洗淨液等。該淋洗係於基板之表面整體形成液層(液膜)而進行。其後，降低基板之旋轉速度，自基板之中心部上方之噴嘴(噴出部)供給小流量之去離子水。此時，形成於基板之表面整體之液層無法維持而被破壞，噴出至基板上之去離子水自基板之中心部朝外周筋狀(或河流狀)流動。且，一邊自噴嘴供給去離子水，一邊使噴嘴朝基板之外周移動。此時，使形成於基板之表面整體之液層被破壞後之基板之表面上所殘留之微小水滴匯入去離子水之筋狀之流脈，且使噴嘴移動。接著，若噴嘴移動至基板外周之外側，則自基板之表面上筋狀流動之去離子水消失，使基板之表面乾燥。

然而，於先前之基板之洗淨乾燥處理中，具有3點如下述之問題。第1點係使用於圖案形成之感光性膜及其保護膜之表面之疏水性變得越高，越難以於基板之表面整體形成液層L。其原因係與先前相比，為了提高使用浸液法之曝光機之處理能力，隨著投影光學系統相對於基板之高速移動，投影光學系統與基板之間之液體亦必須高速移動。藉此，存在液層形成時間增加之虞、或無法實現液層形成本身之虞。

第2點係若於液層L中存在水泡BB，則有成為液體殘留之原因之虞。例如，如圖1A，若於基板W之中心部以外之液層L中存在水泡 BB，則有時以該水泡BB為中心形成孔。例如，於以水泡BB為中心之孔之擴大、與形成於基板W之中心部之孔H之擴大相交時，產生微小水滴。微小水滴係其大小越小，且，越位於基板之中心部側，則離心力之影響變得越弱，難以飛出至基板W之外側。另，淋洗液脫氣，水泡BB因某種原因而少量混入。

又，第3點係如日本特開2012-222237號公報所示，若自基板之中心部上方之噴嘴(噴出部)噴出去離子水，且一面噴出去離子水一面使噴嘴移動至基板之外側，則成為液體殘留之原因。即，朝基板之中心部噴出之去離子水係沿所有方向流動。且，若以該狀態使噴嘴移動至基板之外緣部側，則去離子水亦於與噴嘴之移動相反之方向流動。有時由於於與該噴嘴之移動相反之方向流動之去離子水，結果成為微小水滴而殘留於基板之中心部附近。如上所述，殘留於基板上之微小水滴係越位於基板之中心部側，且，微小水滴之尺寸越小，離心力越弱，難以使微小水滴飛出至基板外。因此，必須考慮使朝基板之中心部噴出之去離子水朝基板之周緣部移動時產生之微小水滴。

本發明係鑑於此種情況而完成者，目的在於提供一種可抑制液體殘留，且進行基板之洗淨乾燥處理之基板處理方法。

本發明係為達成此種目的而採用如下述之構成。

即，本發明之處理基板之基板處理方法包含：藉由旋轉保持部保持於表面形成有具有疏水性之膜之基板且使其旋轉之步驟；朝沿著上述基板之表面之方向自上述基板之中心部隔開預先設定之距離之位置，藉由噴嘴開始噴出處理液，且自處理液開始噴出後隨即於上述基板上以匯成1條之方式流動處理液之步驟；及一面以上述噴嘴連續噴出處理液，一面使上述噴嘴向上述基板之外側移動之步驟。

根據本發明之基板處理方法，以於旋轉保持部保持於表面形成 有具有疏水性之膜之基板且使其旋轉之狀態，開始由噴嘴噴出處理液。若處理液於基板上複數分離而流動，則於分離時易產生微小水滴。然而，處理液係朝自基板之中心部隔開預先設定之距離之位置噴出，且於處理液開始噴出後隨即於基板上以匯成1條之方式流動。藉此，可抑制微小水滴之產生。又，一面由噴嘴連續噴出處理液，一面使噴嘴朝基板之外側移動。藉此，可一面維持於基板上匯成1條流脈之狀態之處理液，一面使處理液之流脈整體朝基板之外側移動。另，處理液之流脈之內側成為乾燥區域。因此，可抑制液體殘留，且進行基板之洗淨乾燥處理。

另，例如，如日本特開2012-222237號公報所示，以自基板之中心部上方之噴嘴供給去離子水之狀態，使噴嘴移動至基板之外周部之情形時，有時產生液體殘留。即，朝基板之中心部噴出之去離子水係朝所有方向流動。接著，若使噴嘴移動至基板之外周部，則沿與噴嘴之移動相反方向流動之去離子水與由噴嘴依序噴出而形成之去離子水之主流分離。於該分離時易產生微小水滴。即，若由噴嘴噴出之全部去離子水匯成一條流脈，則可抑制微小水滴之產生。然而，自基板之中心部上方使噴嘴移動時，去離子水分離，產生微小水滴。殘留於基板中心部附近之微小水滴不會捲入此後由噴嘴依序噴出而形成之去離子水之主流。又，因不易受到離心力之影響，故成為殘留液體。根據本發明，因自處理液開始噴出後隨即於基板上使處理液以匯成1條之方式流動，故可防止使朝基板之中心部噴出之處理液移動至基板之周緣部時處理液分離，而抑制微小水滴之產生。

又，先前係形成有液層。然而，若基板表面之疏水性越來越高，而難以形成液層，則僅形成液層就花費時間，且，基板尺寸越大更花費時間。藉此，有液層形成時間增加之虞、或無法實現液層形成本身之虞。根據本發明，因未於基板整面形成液層，故可解決液層形 成之問題。此外，因不進行花費時間等之液層形成，故可提高產量。又，於本發明中，因不形成液層，故可解決存在於液層中之水泡之影響之問題。

又，於上述基板處理方法中，較佳為進而具備於處理液開始噴出後，使到達上述基板上之處理液之擴散暫時波及至上述基板之中心部之步驟。因到達旋轉之基板上之處理液之擴散暫時波及至基板之中心部，故即使於朝自噴嘴之中心部隔開預先設定之距離之位置噴出處理液之情形，亦可以處理液處理基板之中心部。

又，上述之基板處理方法之較佳之一例係上述噴嘴之移動係藉由以上述基板之外側之預先設定之位置為軸使上述噴嘴旋轉而進行。藉由以基板之外側之預先設定之位置為軸使噴嘴旋轉，可一面維持於基板上匯成1條流脈之處理液，一面使處理液之流脈整體朝基板之外側移動。

又，上述之基板處理方法之較佳之一例係上述噴嘴之移動係藉由使上述噴嘴於上述基板之半徑方向直線移動而進行。藉由使噴嘴於基板之半徑方向直線移動，可一面維持於基板上匯成1條流脈之狀態之處理液，一面使處理液之流脈整體朝基板之外側移動。

又，上述之基板處理方法之較佳之一例係上述處理液為免淋洗之洗淨液。藉此，可縮短處理時間。

又，上述之基板處理方法之較佳之一例係上述基板為利用液浸法進行曝光處理後之未洗淨之基板。利用液浸法進行曝光處理後之未洗淨之基板係利用液浸法進行曝光處理時之液浸液殘留之狀態之基板。對於此種基板，可一面抑制液體殘留，一面進行基板之洗淨乾燥處理。

根據本發明之基板處理方法，以於旋轉保持部保持於表面形成 有具有疏水性之膜之基板且使其旋轉之狀態，開始由噴嘴噴出處理液。若處理液於基板上複數分離而流動，則於分離時易產生微小水滴。然而，處理液係朝自基板之中心部隔開預先設定之距離之位置噴出，於處理液開始噴出後隨即於基板上以匯成1條之方式流動。藉此，可抑制微小水滴之產生。又，一面由噴嘴連續噴出處理液，一面使噴嘴朝基板之外側移動。藉此，可一面維持於基板上匯成1條流脈之狀態之處理液，一面使處理液之流脈整體朝基板之外側移動。另，處理液之流脈之內側成為乾燥區域。因此，可抑制液體殘留，且進行基板之洗淨乾燥處理。

1‧‧‧基板處理裝置

3‧‧‧分度器部(ID部)

5‧‧‧處理部

7‧‧‧介面部(IF部)

9‧‧‧載體載置台

11‧‧‧保持臂

13‧‧‧保持臂支持台

21‧‧‧旋轉保持部

23‧‧‧塗佈液供給部

25‧‧‧塗佈噴嘴

27‧‧‧熱處理單元

29‧‧‧薄板

31‧‧‧旋轉保持部

33‧‧‧處理液供給部

35‧‧‧噴嘴

37‧‧‧導軌

39‧‧‧熱處理單元

41‧‧‧保持臂

43‧‧‧臂支持台

45‧‧‧臂支持台移動部

47‧‧‧導軌

49‧‧‧導軌

51‧‧‧洗淨乾燥單元

53‧‧‧洗淨乾燥單元

61‧‧‧主控制部

63‧‧‧輸出入部

81‧‧‧旋轉夾盤

83‧‧‧噴嘴(供液噴嘴)

83a‧‧‧噴出口

85‧‧‧夾盤旋轉機構

87‧‧‧噴嘴旋轉軸

89‧‧‧噴嘴用臂

91‧‧‧噴嘴移動機構

93‧‧‧處理液供給管

95‧‧‧閥門

97‧‧‧處理液供給源

99‧‧‧杯

101‧‧‧上側杯部

103‧‧‧下側杯部

103a‧‧‧排液口

103b‧‧‧排氣口

111‧‧‧固定軸

113‧‧‧噴嘴移動機構

115‧‧‧可動部

117‧‧‧導軌

119‧‧‧箭頭符號

283‧‧‧噴嘴

284‧‧‧惰性氣體供給噴嘴

A1~A4‧‧‧搬送空間

AX1‧‧‧旋轉中心軸

AX2‧‧‧軸

B1~B4‧‧‧處理區塊

BARC‧‧‧塗佈處理單元

BB‧‧‧水泡

C‧‧‧載體

COV‧‧‧塗佈處理單元

CP‧‧‧冷卻單元

D‧‧‧距離

DEV‧‧‧顯像處理單元

EEW‧‧‧邊緣曝光單元

EXP‧‧‧曝光機

H‧‧‧孔

HP‧‧‧加熱單元

L‧‧‧液層(漿)

m‧‧‧方向

n‧‧‧方向

P-CP‧‧‧載置兼冷卻部

PAHP‧‧‧密著強化處理單元

PHP‧‧‧加熱冷卻單元

PL‧‧‧處理液

PS1a~PS6a‧‧‧載置部/載置台

PS1b~PS6b‧‧‧載置部/載置台

PS7‧‧‧載置部/載置台

Q‧‧‧軸

RBF‧‧‧返回緩衝部

REM‧‧‧去除單元

RESIST‧‧‧塗佈處理單元

SBF‧‧‧輸送緩衝部

TA1‧‧‧搬送機構

TA2‧‧‧搬送機構

TB1~TB4‧‧‧主搬送機構

TC1‧‧‧第1處理部側搬送機構

TC2‧‧‧第2處理部側搬送機構

TD‧‧‧曝光機側搬送機構

U‧‧‧處理單元

W‧‧‧基板

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

圖1A~圖1F係用以說明先前之基板處理方法之圖。

圖2A~圖2F係用以說明先前之基板處理方法之圖。

圖3係實施例1之基板處理裝置之概略俯視圖。

圖4係實施例1之基板處理裝置之概略縱剖視圖。

圖5係實施例1之基板處理裝置之概略右側視圖。

圖6係實施例1之基板處理裝置之概略左側視圖。

圖7A係實施例1之洗淨乾燥單元之概略俯視圖，圖7B係實施例1之洗淨乾燥單元之概略縱剖視圖。

圖8A~圖8F係顯示使噴嘴旋轉之情形之基板之洗淨乾燥處理之經過之圖。

圖9A~圖9F係顯示使噴嘴旋轉之情形之基板之洗淨乾燥處理之經過之圖。

圖10係顯示使距基板中心部之噴嘴距離量變化時之水滴評估結果之圖。

圖11係顯示使基板旋轉數變化時之水滴評估結果之圖。

圖12係顯示使處理液流量變化時之水滴評估結果之圖。

圖13係顯示包含使距基板中心部之噴嘴距離量與處理液流量變化時之預測之水滴評估結果之圖。

圖14A係實施例2之洗淨乾燥單元之概略俯視圖，圖14B係實施例2之洗淨乾燥單元之概略縱剖視圖。

圖15A~圖15F係顯示使噴嘴直線移動之情形之基板之洗淨乾燥處理之經過之圖。

[實施例1]

以下，參照圖式說明本發明之實施例1。圖3係基板處理裝置1之概略俯視圖，圖4係基板處理裝置1之概略縱剖視圖。圖5係基板處理裝置1之概略右側視圖，圖6係基板處理裝置1之概略左側視圖。

參照圖3。基板處理裝置1具備分度器部(以下稱為「ID部」)3、處理部5、介面部(以下稱為「IF部」)7。ID部3、處理部5、及IF部7係依序鄰接而設置。於IF部7，進而鄰接設置有與基板處理裝置1不同之曝光機EXP。以下，依序說明各構成。

[ID部3]

ID部3具備載置收容複數片基板(例如半導體晶圓)W之載體C之載體載置台9、及2個ID部內搬送機構(以下適當稱為「搬送機構」)TA1、TA2。搬送機構TA1、TA2係所謂之搬送機器人。搬送機構TA1、TA2係自載體C取出基板W且將基板W搬送至例如載置部PS1a，接收自處理部5搬出，且被搬送至例如載置部PS1b(參照圖4)之基板W，並收納(返回)於各載體C者。搬送機構TA1、TA2具備1或2條保持基板W之保持臂11，及使保持臂11於上下及水平方向移動，並使保持臂11繞上下(Z方向)軸心旋轉之保持臂支持台13。

另，於圖3中，載體載置台9係設置有2個，亦可為1個或3個以上。又，搬送機構TA1、TA2係設置有2個，亦可為3個以上，又，亦 可以1個而構成，且可於基板處理裝置1之寬度方向(Y方向)移動而構成。另，載體C係例示FOUP(front opening unified pod：前開式通用晶圓盒)，亦可為其他者。

[處理部5]

處理部5係如圖4所示，具備4個處理區塊B1~B4。各處理區塊B1~B4係如圖3所示，具備符號PHP、符號CP、符號HP、符號RESIST、符號DEV等1個以上之處理單元U、及單一之主搬送機構TB1~TB4。又，各處理區塊B1~B4係設置有用以藉由主搬送機構TB1~TB4搬送基板W之搬送空間A1~A4。各搬送空間A1~A4係於X方向設置為較長。且，於各搬送空間A1~A4之兩側，設置有圖5之處理單元U及圖6之處理單元U。

<處理區塊B1、B3>

2個處理區塊B1、B3係分別如圖5所示，具備於基板W形成防反射膜之防反射膜用之塗佈處理單元BARC、及於基板W形成抗蝕劑膜之抗蝕劑膜用之塗佈處理單元RESIST。各處理區塊B1、B3係可以水平方向2個且上下方向2個之2行×2段配置塗佈處理單元BARC、RESIST。

各塗佈處理單元BARC、RESIST係如圖3所示，具備可旋轉地保持基板W之旋轉保持部21、及對基板W供給塗佈液(例如抗蝕劑液)之塗佈液供給部23等。塗佈液供給部23係可選擇複數個塗佈噴嘴25中之1個塗佈噴嘴25，且於塗佈噴嘴25之待機位置與基板W之上方之塗佈位置之間移動。

又，各處理區塊B1、B3具備對基板W進行熱處理之熱處理單元27。熱處理單元27係如圖6所示，具備冷卻基板W之冷卻單元CP、持續進行加熱處理與冷卻處理之加熱冷卻單元PHP、及密著強化處理單元PAHP。密著強化處理單元PAHP係藉由將六甲基二矽氮烷(HMDS) 等之密著強化劑塗佈於基板W並加熱，而提高基板W與防反射膜之密著性者。熱處理單元27例如可以水平方向3個且縱方向5個之3行×5段之方式配置。又，各熱處理單元27係如圖3所示，具備載置基板W之薄板29。

<處理區塊B2、B4>

另一方面，2個處理區塊B2、B4係各自如圖5所示，具備將基板W顯像之顯像處理單元DEV。各處理區塊B2、B4係可以水平方向3個且上下方向2個之3行×2段配置顯像處理單元DEV。又，顯像處理單元DEV係如圖3所示，具備可旋轉地保持基板W之旋轉保持部31、及供給顯像液之處理液供給部33等。處理液供給部33具備噴出顯像液之噴嘴35、及將噴嘴35可於X方向移動地支持之導軌37。

又，各處理區塊B2、B4具備對基板W進行熱處理之熱處理單元39。熱處理單元39係如圖6所示，具備加熱基板W之加熱單元HP、冷卻基板W之冷卻單元CP、及加熱冷卻單元PHP。熱處理單元39可例如以水平方向4個且縱方向5個之4行×5段配置。

另，於各處理區塊B1~B4中，各種處理單元U之種類、個數及配置等並未限定於圖5及圖6者，可適當設定。

<ID部3與IF部7之間之基板搬送>

其次，就ID部3與IF部7之間之基板搬送進行說明。基板搬送係藉由各主搬送機構TB1~TB4，經由載置台PS1a~PS6a、PS1b~PS6b進行。各主搬送機構TB1~TB4如圖4所示，具備用以保持基板W之2條保持臂41、使各個保持臂41於水平方向移動且將保持臂41之方向變為環繞軸Q之臂支持台43、及使臂支持台43於2維方向(XZ方向)移動之臂支持台移動部45。臂支持台移動部45具備將臂支持台43可於X方向移動地支持之導軌47、及將臂支持台43可於Z方向移動地支持之導軌49。

藉此，例如，主搬送機構TB1可對處理區塊B1之各種處理單元U、及4個載置部PS1a、PS1b、PS3a、PS3b進行基板W之接收及交付之任一者。主搬送機構TB2~TB4亦同樣。

又，於處理區塊B1、B2中，除處理單元U外，如下所述進行基板搬送。自ID部3對IF部7搬送基板之情形時，基板W被依序搬送至載置部PS1a、載置部PS3a、載置部PS5a。相反，自IF部7對ID部3搬送基板之情形時，基板W被依序搬送至載置部PS5b、載置部PS3b、載置部PS1b。另一方面，於處理區塊B3、B4中，除處理單元U，如下所述進行基板搬送。自ID部3對IF部7搬送基板之情形時，基板W被依序搬送至載置部PS2a、載置部PS4a、載置部PS6a。相反，自IF部7對ID部3搬送基板之情形時，基板W被依序搬送至載置部PS6b、載置部PS4b、載置部PS2b。

[IF部7]

IF部7係用以將自處理部5搬出之基板W搬送至外部裝置即曝光機EXP，且使自曝光機EXP搬出之曝光處理後之基板W返回處理部5者。IF部7係如圖3所示，具備第1處理部側搬送機構(以下適當稱為「搬送機構」)TC1、第2處理部側搬送機構(以下適當稱為「搬送機構」)TC2、及單一曝光機側搬送機構(以下適當稱為「搬送機構」)TD。因搬送機構TC1、TC2、TD係與搬送機構TA1、TA2同樣而構成，故省略說明。

又，IF部7具備具有冷卻功能之載置兼冷卻部P-CP、載置台PS7、輸送緩衝部SBF、及返回緩衝部RBF。又，IF部7係具備曝光基板W之周緣部之邊緣曝光單元EEW、持續進行加熱處理與冷卻處理之加熱冷卻單元PHP、洗淨曝光處理前之基板W且使其乾燥之曝光前之洗淨乾燥單元51、及洗淨曝光處理後之基板W且使其乾燥之曝光後之洗淨乾燥單元53(參照圖3~圖6)作為處理單元U。

邊緣曝光單元EEW具備可旋轉地保持基板W之旋轉保持部(未圖示)、及曝光該旋轉保持部所保持之基板W之周緣之光照射部(未圖示)。加熱冷卻單元PHP係對曝光後之基板W進行曝光後加熱(PEB：Post Exposure Bake)處理。另，關於洗淨乾燥單元51、53之細節係於此後說明。

另，載置兼冷卻部P-CP、載置台PS7、輸送緩衝部SBF及返回緩衝部RBF係以可載置1片以上之基板W之方式構成。又，邊緣曝光單元EEW、加熱冷卻單元PHP、曝光前之洗淨乾燥單元51、及曝光後之洗淨乾燥單元53係以1個以上而構成。另，邊緣曝光單元EEW亦可設置於處理部5之2個處理區塊B2、B4。各種處理單元U之種類、個數及配置等並未限定於圖3~圖6者，可適當設定。

2個搬送機構TC1、TC2係分別對載置部PS5a、PS5b、PS6a、PS6b、邊緣曝光單元EEW、載置兼冷卻部P-CP、載置部PS7及加熱冷卻單元PHP、輸送緩衝部SBF及返回緩衝部RBF，將基板W進行接收及交付。又，搬送機構TD係對載置兼冷卻部P-CP、曝光機EXP及載置部PS7，將基板W進行接收及交付。

[控制系統之構成]

基板處理裝置1具備主控制部61與輸出入部63。主控制部61及輸出入部63係如圖3所示，例如設置於ID部3。主控制部61係統括控制ID部3、處理部5及IF部7之各構成，且藉由CPU等構成。具體而言，主控制部61係控制搬送機構TB1~TB4及處理單元U等之動作。

輸出入部63係例如安裝於ID部3之側壁。輸出入部63係顯示基板處理裝置1之基板W之搬送狀況或處理狀況。又，使用者可藉由輸出入部63輸入與輸出入部63之顯示相關聯之命令、或與搬送機構TB1~TB4等及處理單元U之動作相關聯之命令。

[基板處理裝置1之動作]

其次，參照圖3~圖6說明基板處理裝置1之動作。另，於處理部5中，2個處理區塊B1、B2、與2個處理區塊B3、B4係並行進行相同之一系列處理。因此，處理部5之說明係代表2個處理區塊B1、B2進行說明。

ID部3之例如搬送機構TA1係自由使用者等搬送至載體載置台9之載體C接收基板W，且將接收之基板W搬送至載置部PS1a。於處理區塊B1中，藉由主搬送機構TB1，依序搬送至冷卻單元CP、塗佈處理單元BARC、加熱冷卻單元PHP、冷卻單元CP、塗佈處理單元RESIST、加熱冷卻單元PHP、冷卻單元CP，且於各者中進行處理。接著，結束全部處理之基板W被搬送至載置部PS3a。搬送至載置部PS3a之基板W係進而藉由處理區塊B2之主搬送機構TB2，搬送至載置部PS5a。另，於塗佈處理單元RESIST中，塗佈抗蝕劑，形成例如含氟之具有疏水性之抗蝕劑膜。又，為了獲得基板W與防反射膜之密著性，亦可搬送至密著強化處理單元PAHP。

搬送至載置部PS5a之基板W係藉由IF部7之搬送機構TC1、TC2，依序搬送至邊緣曝光單元EEW、曝光前之洗淨乾燥單元51、載置兼冷卻部P-CP，且於各者中進行特定之處理。另，於IF部7中，無法將曝光前之基板W搬送至載置兼冷卻部P-CP等時，將基板W暫時保管於輸送緩衝部SBF。搬送至載置兼冷卻部P-CP之基板W係藉由IF部7之搬送機構TD搬送至曝光機EXP。

於曝光機EXP中，進行利用液浸法之曝光處理。曝光處理後之基板W係藉由IF部7之搬送機構TD，被搬送至載置部PS7。搬送至載置部PS7之基板W係藉由IF部7之搬送機構TC1、TC2，依序搬送至曝光後之洗淨乾燥單元53、加熱冷卻單元PHP、載置部PS5b，且於各者中進行特定之處理。另，於IF部7中，無法將曝光後之基板W搬送至加熱冷卻單元PHP等時，將基板W暫時保管於返回緩衝部RBF。另，對 曝光後之洗淨乾燥單元53，搬送利用液浸法曝光處理後之未洗淨之基板W，即利用液浸法曝光處理時之液浸液殘留之狀態之基板W。洗淨乾燥單元53係可實現無液體殘留之基板W之洗淨乾燥處理。

搬送至載置部PS5b之基板W係藉由處理區塊B2之主搬送機構TB2，依序搬送至冷卻單元CP、顯像處理單元DEV、加熱單元HP、冷卻單元CP、載置部PS3b，且於各者中進行特定之處理。搬送至載置部PS3b之基板W係進而藉由處理區塊B1之主搬送機構TB1，搬送至載置部PS1b。搬送至載置部PS1b之基板W係藉由ID部3之例如搬送機構TA1，返回載體載置台9之原載體C。於全部基板W返回載體C時，使用者等將該載體C搬送至其他裝置。

[洗淨乾燥單元51、53]

其次，就洗淨乾燥單元51、53詳細說明。圖7A係洗淨乾燥單元51、53之概略俯視圖，圖7B係洗淨乾燥單元51、53之概略縱剖視圖。洗淨乾燥單元51、53具備以水平姿勢保持基板W且使所保持之基板W旋轉之旋轉夾盤81、及對保持於旋轉夾盤81之基板W之表面噴出處理液PL之噴嘴(或稱為「供液噴嘴」)83。

旋轉夾盤81係使基板W繞著通過基板W之中心部之鉛直之軸AX1旋轉。即，基板W之中心部因與基板W之旋轉中心軸AX1一致，故以符號AX1表示基板W之中心部。又，於旋轉夾盤81中，形成有未圖示之吸氣通路，藉由將該吸氣通路內排氣，而真空吸附基板W之背面並保持。旋轉夾盤81係藉由馬達等之夾盤旋轉機構85而旋轉。另，旋轉夾盤81及夾盤旋轉機構85相當於本發明之旋轉保持部。

於以旋轉夾盤81所保持之基板W之外側之預先設定之位置，設置有被支持為可繞軸AX2旋轉之噴嘴旋轉軸87。噴嘴83與噴嘴旋轉軸87係藉由棒狀之噴嘴用臂89而連結。另，噴嘴旋轉軸87係藉由馬達等之噴嘴移動機構91而旋轉。藉此，噴嘴83可藉由繞著設定於基板W之外 側之預先設定之位置之軸AX2旋轉，而將位於基板W上方之噴嘴83移動至基板W之外側。噴嘴83例如可於基板W之中心部AX1上方、與基板W外側之特定之退避位置之間雙向移動。

於噴嘴旋轉軸87及噴嘴用臂89，設置有用以對噴嘴83供給處理液PL之處理液供給管93。於處理液供給管93，經由閥門95連接有處理液供給源97。閥門95可藉由控制其開關，而調整處理液PL之供給量。作為處理液PL，例如使用去離子水。又，保持於旋轉夾盤81之基板W被收容於杯99內。杯99具備可升降之上側杯部101、及下側杯部103。於下側杯部103，設置有用以回收自基板W飛散之處理液PL之排液口103a、及用以排氣之排氣口103b。

其次，就洗淨乾燥單元51、53之動作進行說明。圖8A~圖8F及圖9A~圖9F係顯示使噴嘴83旋轉之情形之基板W之洗淨乾燥處理之經過之圖。搬送機構TC1、TC2係將基板W搬送至旋轉夾盤81上。於基板搬送後，上側杯部101係藉由未圖示之升降機構而上升，且覆蓋基板W之側面。基板W係由旋轉夾盤81保持。旋轉夾盤81係藉由夾盤旋轉機構85而旋轉，基板W隨之旋轉。

藉由旋轉夾盤81保持基板W後，噴嘴83藉由噴嘴移動機構91而繞著設定於基板W之外側之軸AX2旋轉，且移動至噴出處理液PL(例如去離子水)之位置。噴出處理液PL之位置係於沿基板W之表面之方向自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置。

噴嘴83係如圖8A及圖8B所示，將處理液PL噴出於旋轉之基板W之表面上。噴嘴83係於沿基板W之表面之方向朝以基板W之中心部AX1為基準隔開預先設定之距離D之位置開始噴出處理液PL。此時，噴嘴83存在於自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置之基板W上方，且將噴出口83a朝正下方噴出處理液PL。即，對自中心部AX1偏離之位置噴出處理液PL。

處理液PL係於表面形成具有疏水性之例如抗蝕劑膜，且旋轉之狀態之基板W上流動，自處理液PL開始噴出後隨即於基板W上使處理液PL以匯成1條之方式流動。即，處理液PL係自處理液PL開始噴出後隨即不間斷地呈帶狀(或條狀)流動。且，於基板W上匯成1條流脈之狀態之處理液PL係自基板W之周緣部排出至基板W。

又，處理液PL開始噴出後，到達基板W上之處理液PL之擴散暫時波及至基板W之中心部AX1。為實現此，例如調整噴出之處理液PL之流量。又，以避免到達基板W之表面之處理液PL飛濺之方式調整流量。如此，因到達旋轉之基板W之表面之處理液PL之擴散(處理液PL之緣)波及基板W之中心部AX1，故即使朝自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置以噴嘴83噴出處理液PL之情形，亦可以處理液PL洗淨基板W之中心部AX1。

另，雖然對自基板W之中心部AX1隔開距離D之位置開始噴出處理液PL，但為了以處理液處理基板之中心部AX1，且抑制微小水滴殘留，而設定處理條件。處理條件係例如調整噴嘴83距中心部AX1之距離(噴嘴距離量D)、基板旋轉數(旋轉速度)、杯99之排氣壓(Pa)、噴嘴83之噴出口83a之大小、處理液之噴出流量(處理液流量)及噴出壓力中至少任一者而設定。

接著，藉由噴嘴83連續噴出處理液PL，且以自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置為基準使噴嘴83移動至基板W之外側。即，繞設定於基板W之外側之軸AX2藉由噴嘴移動機構91旋轉，噴嘴83係依序如圖8C(圖8D)、圖8E(圖8F)、圖9A(圖9B)、圖9C(圖9D)、圖9E(圖9F)所示移動至基板W外。另，如圖9E及圖9F所示，噴嘴83位於基板W之周緣部上方之情形時，停止處理液PL之噴出，亦可於噴嘴83位於基板W之外側之情形時停止處理液PL之噴出。噴嘴83最終移動至基板W之外側之退避位置。

藉由使噴嘴83繞基板W之外側之軸AX2旋轉，可維持於基板W上匯成1條流脈之處理液PL，且使處理液PL之流脈整體移動至基板W之外側。又，此時，藉由噴嘴83噴出處理液PL洗淨基板W，且於噴嘴83之移動之相反側進行基板W之乾燥。因可維持處理液PL之1條流脈，故可不殘留微小水滴而使基板W乾燥。

另，基板W之旋轉速度為特定，只要維持處理液PL之1條流脈，即可於噴嘴83之移動中途改變基板之旋轉速度。

[水滴評估結果]

其次，參照圖10~圖13說明發明之評估結果。另，於圖10~圖13中，改變處理液PL之流量、噴嘴距離量D、及基板旋轉數之任一者，調查是否洗淨基板中心部AX1、及基板中心部AX1被洗淨之情形之基板W上有無殘留液體。

首先，圖10係固定為處理液流量：500ml/min、及基板旋轉數：600rpm，且改變表示噴嘴83距基板中心部AX1之距離之噴嘴距離量D時之水滴評估結果。根據圖10之結果，可獲得噴嘴距離量D在8mm以上13mm以下時，基板中心部AX1被洗淨，且於基板W上無液體殘留之良好結果。與此相對，噴嘴距離量D較小(未滿8mm)之情形時，於基板中心部AX1附近(包含基板中心部AX1)有液體殘留。此外，噴嘴距離量D較大(超過13mm)之情形時，基板中心部AX1未被洗淨。

又，圖11係固定為處理液流量：500ml/min、及噴嘴距離量D：10mm，且改變基板旋轉數時之水滴評估結果。根據圖11之結果，可獲得基板旋轉數在200rpm以上800rpm以下時，基板中心部AX1被洗淨，且於基板W上無殘留液體之良好結果。與此相對，基板旋轉數較小(不足200rpm)之情形時，於基板中心部AX1附近有液體殘留。此外，基板旋轉數較大(超過800rpm)之情形時，基板中心部AX1未被洗淨。

又，圖12係固定為基板旋轉數：600rpm、及噴嘴距離量D：10mm，且改變處理液流量時之水滴評估結果。根據圖12之結果，可獲得處理液流量在300ml/min以上700ml/min以下時，基板中心部AX1被洗淨，且於基板W上無殘留液體之良好結果。與此相對，處理液流量較多(超過700ml/min)之情形時，於基板中心部AX1附近有液體殘留。此外，處理液流量較少(不足300ml/min)之情形時，基板中心部AX1未被洗淨。

圖13係包含將基板旋轉數固定為600rpm，且改變噴嘴距離量D與處理液流量時之預測之水滴評估結果。首先，說明圖13之見解。如圖13中之「OK」及「NG」所示，以大寫字母表示之評估結果係如圖10及圖12所示有評估結果，表示實際之評估結果。另一方面，如「ok」及「ng」所示，以小寫字母表示之評估結果係無評估結果而表示預測。

此外，如圖13中之「右斜線」格所示，噴嘴距離量D較小，處理液流量較多之情形時，易於基板中心部AX1附近產生液體殘留(微小水滴)。另一方面，如圖13中之「點」格所示，噴嘴距離量D較大，處理液流量較少之情形時，具有基板中心部AX1未被洗淨之可能性。且，於如圖13中之「網格」之區域中，預測可獲得基板中心部AX1被洗淨，且於基板W上無殘留液體之良好結果。

根據本實施例，以於旋轉夾盤81等保持於表面形成有具有疏水性之抗蝕劑膜等之基板W且使其旋轉之狀態，開始由噴嘴83噴出處理液PL(例如去離子水)。若處理液PL於基板W上複數分離而流動，則分離時易產生微小水滴。然而，處理液PL係朝自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置噴出，自處理液PL開始噴出後隨即於基板W上以匯成1條之方式流動。藉此，可抑制微小水滴之產生。又，藉由噴嘴83連續噴出處理液PL，且使噴嘴83朝基板W之外側移動。藉 此，可維持於基板W上匯成1條流脈之狀態之處理液PL，且使處理液PL之流脈整體朝基板W之外側移動。另，處理液PL之流脈之內側成為乾燥區域。因此，可抑制液體殘留，且進行基板W之洗淨乾燥處理。

另，例如日本特開2012-222237號公報所示，以自基板W之中心部AX1上方之噴嘴83供給去離子水之狀態，使噴嘴83移動至基板W之外周部之情形時，有時產生液體殘留。即，朝基板W之中心部AX1噴出之去離子水係沿所有方向流動。且，若使噴嘴83移動至基板W之外周部，則於與噴嘴83之移動相反之方向流動之去離子水係與由噴嘴83依序噴出而形成之去離子水之主流分離。該分離時易產生微小水滴。即，若由噴嘴83噴出之全部去離子水匯成一條流脈，則可抑制微小水滴之產生。然而，自基板W之中心部AX1上方使噴嘴83移動時，去離子水分離，產生微小水滴。殘留於基板W中心部AX1附近之微小水滴不會捲入此後由噴嘴83依序噴出而形成之去離子水之主流。又，因難以受到離心力之影響，故成為殘留液體。根據本發明，因自處理液PL開始噴出後隨即於基板W上使處理液PL以匯成1條之方式流動，故可防止使朝基板W之中心部AX1噴出之處理液PL移動至基板W之周緣部時處理液PL分離，且抑制微小水滴之產生。

又，先前係形成有液層L。然而，若基板W表面之疏水性越來越高，而難以形成液層L，則僅形成液層L就花費時間，且，基板W尺寸越大更花費時間。藉此，有液層形成時間增加之虞、或無法實現液層形成本身之虞。根據本發明，因不於基板W整面形成液層L，故可解決液層形成之問題。此外，因不進行對基板W之中心部AX1噴出處理液而花費時間等之液層形成，故可提高產量。又，於本發明中，因不形成液層L，故可解決存在於液層L中之水泡BB之影響之問題。

[實施例2]

其次，參照圖式說明本發明之實施例2。另，省略與實施例1重複之說明。圖14A係洗淨乾燥單元之概略俯視圖，圖14B係洗淨乾燥單元之概略縱剖視圖。圖15A~圖15F係顯示使噴嘴直線移動之情形之基板之洗淨乾燥處理之經過之圖。

於實施例1之洗淨乾燥單元51、53中，噴嘴83朝基板W之外側之移動係藉由以基板W之外側之預先設定之位置為軸AX2使噴嘴83旋轉而進行。關於該點，於實施例2中，噴嘴83朝基板W之外側之移動亦可藉由使噴嘴83沿基板W之半徑方向直線移動而進行。

參照圖14A。噴嘴用臂89係一端連結噴嘴83，另一端連結有不旋轉之固定軸111。與實施例1同樣，噴嘴用臂89及固定軸111係為了對噴嘴83供給處理液PL，而設置有處理液供給管93。於處理液供給管93經由閥門95而連接有處理液供給源97。

噴嘴83係藉由噴嘴移動機構113而沿m方向自由移動。噴嘴移動機構113具備可動部115、導軌117、及未圖示之馬達等驅動部。可動部115支持固定軸111，可動部115係被支持為可沿導軌117(m方向)移動。即，噴嘴83係藉由噴嘴移動機構113，而於基板W之中心部AX1、自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置、基板W之外側之退避位置之間，沿基板W之半徑方向移動。

簡單說明洗淨乾燥單元51、53之動作。如圖15A所示，以使基板W旋轉之狀態，朝自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置由噴嘴83開始噴出處理液PL。處理液PL係自開始噴出後隨即於基板W上以使處理液PL匯成1條之方式流動。接著，如圖15B~圖15F所示，由噴嘴83連續噴出處理液PL，且使噴嘴83朝基板W之外側移動。若噴嘴83移動至基板W之周緣部及基板W之外側之任一者，則停止處理液PL之噴出。藉由利用噴嘴83連續噴出處理液PL，以免基板W上之處理液PL之1條流脈間斷。又，因使處理液PL以匯成一條流脈之狀 態流動，且使噴嘴83移動，故可抑制微小水滴之產生。另，噴嘴83最終移動至退避位置。

根據本實施例，藉由使噴嘴83沿基板W之半徑方向直線移動，可維持於基板W上匯成1條流脈之處理液PL，且使處理液PL之流脈整體朝基板W之外側移動。

本發明並未限定於上述實施形態，可以下述方式變化實施。

(1)於上述實施例1中，使噴嘴83繞基板W之外側之軸AX2旋轉，此外，於上述之實施例2中，使噴嘴83直線移動。然而，噴嘴83朝基板W之外側之移動並未限定於該等。例如，於實施例2中，噴嘴83係可僅於沿導軌117之m方向(1維方向)移動，但亦可於與m方向正交之n方向可移動地設置導軌，構成為可於m方向及n方向(2維方向)移動。且，例如，於圖14A中，亦可使噴嘴83自一點鏈線之噴嘴83之位置沿箭頭119之方向移動。另，該情形時，因使噴嘴83沿2維方向移動，故構成較沿1維方向移動之情形複雜。

(2)於上述之各實施例及變化例(1)中，如圖7B所示，噴嘴83之噴出口83a係朝向相對於基板W之表面正交之方向(正下方)，但噴嘴83之噴出口83a亦可相對於基板W之表面傾斜。即，藉由噴嘴83噴出之處理液PL只要於沿基板W之表面之方向到達自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之基板W上之位置即可。

(3)於上述之各實施例及各變化例中，作為具有疏水性之膜，例示含氟之抗蝕劑膜，但並未限定於此。作為具有疏水性之膜，亦可為覆蓋抗蝕劑膜之整面之抗蝕劑覆蓋膜。抗蝕劑覆蓋膜係以例如氟樹脂形成。形成抗蝕劑覆蓋膜之情形時，於處理區塊B1、B3設置形成抗蝕劑覆蓋膜之塗佈處理單元COV。又，於處理區塊B2、B4，於顯像處理前設置去除抗蝕劑覆蓋膜之去除單元REM。

(4)於上述之各實施例及各變化例中，使處理液PL之流脈整體移 動至基板W之外側時，未特別使用惰性氣體。然而，並未限定於此，亦可於自噴嘴83噴出之處理液PL之基板中心部AX1之液膜朝基板W之外側開始移動之時序，自另外設置之氣體噴嘴朝基板W之中心部AX1供給N₂等之惰性氣體，且與處理液PL之流脈整體之朝基板W之外側之移動同步，使氣體噴嘴亦一面噴出惰性氣體一面朝基板W之外側移動，輔助處理液PL之移動。

(5)於上述之各實施例及各變化例中，IF部7之洗淨乾燥單元51、53之噴嘴83係將無須淋洗(洗滌)之免淋洗之洗淨液(例如去離子水)作為處理液PL噴出至基板W。藉此，因以1次處理而完成，故可縮短處理時間。然而，處理液PL並未限定於免淋洗之洗淨液。即，處理液PL亦可為洗淨液及淋洗液、或淋洗液之任一者。

洗淨液係使用於去離子水中溶入錯合物(離子化者)之液體、及氟系藥液等之任一者。另一方面，淋洗液係使用例如去離子水、碳酸水、氫水、電解離子水、HFE(氫氟醚)及有機系液體等之任一者。

以洗淨液洗淨基板W後，例如圖8A~圖8F、圖9A~圖9F、圖15A~圖15F所示，以淋洗液洗滌基板W。即，將於表面形成有具有疏水性之抗蝕劑膜等之基板W保持於旋轉夾盤81，且藉由夾盤旋轉機構85使基板W旋轉，並以洗淨液洗淨基板W後，以使基板W旋轉之狀態，於沿基板W之表面之方向朝自基板W之中心部AX1隔開預先設定之距離D之位置由噴嘴83開始噴出淋洗液，一面由噴嘴83連續噴出淋洗液，一面使噴嘴83移動至基板W之外側。

利用洗淨液進行之基板W之洗淨亦可例如日本特開2008-028226號公報、日本特開2009-071026號公報、及日本特開2012-222237號公報所示，以周知之方法進行。此外，亦可如圖8A~圖8F、圖9A~圖9F、圖15A~圖15F所示，以本發明之基板W之洗淨乾燥處理方法洗淨。

另，於可停止基板W之旋轉而利用洗淨液進行基板W之洗淨時，亦可於以洗淨液洗淨基板W之表面後，藉由夾盤旋轉機構85使基板W旋轉，且以淋洗液洗滌基板W之表面。

(6)雖於上述之各實施例及各變化例中，為洗淨乾燥單元51、53中之基板W之洗淨乾燥處理，但例如，亦可應用於顯像處理單元DEV之噴出淋洗液而進行之基板W之洗淨乾燥處理。但，顯像後之基板W之表面之大致整面必須具有疏水性。作為應用例，例舉以淋洗液沖洗形成具有疏水性之抗蝕劑膜，且顯像處理後於抗蝕劑膜形成有複數個微細孔之基板W之情形。

1‧‧‧基板處理裝置

3‧‧‧分度器部(ID部)

5‧‧‧處理部

7‧‧‧介面部(IF部)

51‧‧‧洗淨乾燥單元

53‧‧‧洗淨乾燥單元

B1~B4‧‧‧處理區塊

CP‧‧‧冷卻單元

EXP‧‧‧曝光機

HP‧‧‧加熱單元

PAHP‧‧‧密著強化處理單元

PHP‧‧‧加熱冷卻單元

TD‧‧‧曝光機側搬送機構

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

Claims (6)

1. 一種處理基板之基板處理方法，其包含：藉由旋轉保持部保持於表面形成有具有疏水性之膜之基板且使其旋轉之步驟；朝沿著上述基板之表面之方向自上述基板之中心部隔開預先設定之距離之位置，藉由噴嘴開始噴出處理液，且自處理液開始噴出後隨即於上述基板上以匯成1條之方式流動處理液之步驟；及一面以上述噴嘴連續噴出處理液，一面使上述噴嘴向上述基板之外側移動之步驟。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中進而包含如下步驟：處理液開始噴出後，使到達上述基板上之處理液之擴散暫時波及至上述基板之中心部。
3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述噴嘴之移動係藉由使上述噴嘴以上述基板之外側之預先設定之位置為軸旋轉而進行。
4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述噴嘴之移動係藉由使上述噴嘴於上述基板之半徑方向直線移動而進行。
5. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述處理液為免淋洗之洗淨液。
6. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述基板係利用液浸法進行曝光處理後之未洗淨之基板。