TW201602387A - Mocvd半導體處理裝置及製作方法 - Google Patents

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Lei Wan
Ping Yang
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Abstract

本發明實施例提供一種MOCVD半導體處理裝置及其製作方法，所述半導體處理裝置包括處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述腔室內具有多個處理部件，所述半導體處理裝置還包括：抗刻蝕層，覆蓋於所述處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面，所述抗刻蝕層用於抵抗等離子體的刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件。本發明利用抗刻蝕層對處理腔室和處理部件進行保護，防止所述處理腔室和處理部件受到等離子體的損傷，並提高處理腔室和處理部件的使用壽命。

Description

MOCVD半導體處理裝置及製作方法
本發明涉及半導體技術領域，特別涉及抗刻蝕層、半導體處理裝置及其製作方法。
MOCVD是金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr) 的冷壁石英(不銹鋼)反應室中進行，並採用H2 作為載氣（Carrier Gas），襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方)，H2 通過溫度可控的液體源鼓泡方式攜帶金屬有機物到生長區。
具體請結合圖1所示的現有的MOCVD內部結構示意圖。處理腔室40內具有加熱石墨基座20，所述加熱石墨基座20上放置若干待處理基片30，噴淋頭（shower head，SH）10與所述加熱石墨基座20和待處理基片30相對放置，所述噴淋頭10的材質為不銹鋼等材質，所述噴淋頭10中具有多個孔洞，該噴淋頭10通過所述空洞將氣態物質噴灑於待處理基片30上方，在所述待處理基片30上方發生化學反應，形成的反應物質沉積在所述待處理基片30上，形成外延層。
在申請號為US20050136188的美國專利申請中可以發現更多關於現有的MOCVD設備的資訊。
在實際中發現，在MOCVD設備的工藝過程中，由於源物質堆積、源物質之間發生化學反應生成的反應物質堆積等原因，引起MOCVD設備腔室內部以及MOCVD設備內的處理部件被上述源物質或反應物質沾汙，現有技術採用原位化學清潔方法定期對MOCVD設備的處理腔室進行清潔。其中所述原位化學清潔方法為在MOCVD設備的處理腔室內形成含有酸性離子或鹼性離子的等離子體，利用所述等離子體對MOCVD設備的處理腔室以及可能會受到污染的處理部件的表面進行清潔，通過所述等離子體與源物質或反應物質發生反應將所述源物質或反應物質去除。
在實際中發現，上述原位化學清潔方法中使用的等離子體在去除所述源物質或反應物質的同時，會損傷MOCVD設備腔室的內部以及處理部件暴露於等離子體下的表面，從而會降低MOCVD設備腔室和處理部件的使用壽命，增加用戶的使用成本。
本發明解決的問題是提供了一種抗刻蝕層、半導體處理裝置及其製作方法，在MOCVD設備的反應腔室的表面和處理部件暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，消除或降低現有的MOCVD設備的反應腔室和處理部件受到的等離子體損傷的影響，提高MOCVD設備腔室和處理部件的使用壽命，從而降低用戶的使用成本。
為解決上述問題，本發明實施例提供一種半導體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述處理腔室內具有多個處理部件，還包括：抗刻蝕層，覆蓋於所述處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面，所述抗刻蝕層用於抵抗等離子體的刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質。
可選地，所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RhO2 、Ir2 O3 、ZrO2 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的組合。
可選地，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。
可選地，所述半導體處理裝置為MOCVD設備、等離子體刻蝕設備或等離子體增強化學氣相沉積設備。
一種半導體處理裝置的製作方法，包括：提供處理腔室或處理部件，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，所述處理腔室還用於容納等離子體和所述處理部件；在所述處理腔室和/或所述處理部件的暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，所述抗刻蝕層用於抵抗等離子體刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質。
可選地，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。
可選地，所述半導體處理裝置為MOCVD設備、等離子體刻蝕設備或等離子體增強化學氣相沉積設備。
可選地，所述抗刻蝕層的製作方法為等離子體噴塗工藝、化學氣相沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學溶膠凝膠工藝、化學濕法塗層工藝或者其中的組合。
相應地，本發明還提供一種抗刻蝕層，用於抵抗等離子體刻蝕，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質，所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RuO2 、Ir2 O3 、ZrO2 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的組合。
可選地，所述抗刻蝕層製作方法為等離子體噴塗工藝、化學氣相沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學溶膠凝膠工藝、化學濕法塗層工藝或者其中的組合。
與現有技術相比，本發明實施例具有以下優點：本發明實施例在半導體處理裝置的處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，從而在進行原位化學清潔時，該抗刻蝕層能抵抗等離子體的刻蝕，並且能夠保護處理腔室和/或處理部件，減小等離子體對所述處理腔室和/或處理部件的表面損傷，提高所述處理腔室和/或處理部件的使用壽命，降低用戶的使用成本；進一步地，在本發明的可選實施例中，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同，從而所述處理腔室和/或所述處理部件能夠更好地抵抗等離子體的刻蝕；進一步地，在本發明的可選實施例中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質也可以不相同，從而在所述抗刻蝕層使用一段時間後，可以利用化學機械研磨、清洗、刻蝕或者機械的方法將抗刻蝕層去除，然後重新在所述處理腔室和/或所述處理部件的表面形成新的抗刻蝕層，以更好地保護處理腔室和/或處理部件，延長所述處理腔室和/或處理部件的使用壽命，從而進一步降低用戶的使用成本。
對於利用等離子進行工藝處理的設備，例如等離子體刻蝕設備、等離子體增強化學氣相沉積設備、MOCVD設備（MOCVD設備利用等離子體對處理腔室和處理部件進行原位清潔），其處理腔室和處理部件容易受到等離子體的損傷的問題，本發明實施例提出一種半導體處理裝置，包括： 處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述處理腔室內具有多個處理部件，所述半導體處理裝置還包括： 抗刻蝕層，覆蓋於所述處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面，所述抗刻蝕層用於抵抗等離子體的刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件。本發明所述的半導體處理裝置為處理腔室內能夠產生等離子體並且該等離子體可能對處理腔室和/或處理腔室內的處理部件產生等離子體損傷的任何半導體處理裝置，例如，所述半導體處理裝置可以為等離子體刻蝕設備、等離子體增強化學氣相沉積設備、MOCVD設備等。所述處理腔室通常為真空腔室，所述處理腔室內能夠通入源氣體作為反應氣體，並且能夠產生等離子體。所述處理部件是指位於處理腔室內部的所有組成部件，例如噴淋頭（showerhead，SH）、加熱台（heater）等，所述處理部件中暴露於等離子體環境中的部分以及所述處理腔室的表面容易受到等離子體的損傷。
作為一個實施例，所述半導體處理裝置為MOCVD設備，由於MOCVD設備的沉積工藝通常是在高溫（500~1200攝氏度）環境下進行的長時間（6~9小時）工藝，因此，對其處理腔室和處理部件的品質要求更高。在利用等離子體對處理腔室和/或處理部件進行清潔時，若損傷處理腔室和/或處理部件，更容易降低產品的良率並且可能導致MOCVD設備的故障（會影響MOCVD設備的利用率）。
所述處理腔室和處理部件的材質、形狀、結構、加工方法和製作方法均與現有技術相同，其中所述處理腔室和處理部件的材質可以為陶瓷材料或合金材料。本實施例中，所述處理腔室和處理部件的材質為合金材料，因為合金材料具有硬度大，高溫性能穩定、加工製作容易等優點。本發明所述的用於製作處理腔室和處理部件的合金材料可以為鋁合金或不銹鋼等材料。與鋁合金相比，不銹鋼的熔點高、高溫下組織結構穩定，因此本實施例中，所述處理腔室和處理部件的合金材料為不銹鋼，所述不銹鋼可以為各種不同型號的不銹鋼，例如SS316L、SS304等，本領域技術人員可以進行具體的選擇。
本發明所述的抗刻蝕層的材質為陶瓷材質。所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RuO2 、Ir2 O3 、ZrO2 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的組合，或者所述陶瓷材料也可以為上述材料與其它材料的組合。
在本發明的一個實施例中，所述處理腔室和/或處理部件的材質為不銹鋼，該不銹鋼的型號為SS316L。
在本發明的又一實施例中，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同，即所述處理腔室和/或所述處理部件可以利用與所述抗刻蝕層的材質相同的材質製作，從而形成塊狀的處理腔室和/或處理部件，無需在處理腔室和/或處理部件製作後，專門在所述處理腔室和/或處理部件表面形成抗刻蝕層，並且也不需要考慮處理腔室和/或處理部件與抗刻蝕層之間的應力和結合強度的問題。
需要說明的是，雖然所述抗刻蝕層可以抵抗等離子體刻蝕，但是長期使用仍然會造成抗刻蝕層的厚度不均、結構被破壞或表面沾汙等情況，此時，可以進行測試，獲得在特定的等離子體和處理腔室、源氣體的環境下，等離子體對某一抗刻蝕層的刻蝕速率，基於該刻蝕速率可以獲得抗刻蝕層的厚度和使用週期（所述使用週期=抗刻蝕層的厚度/等離子體對抗刻蝕層的刻蝕速率），在抗刻蝕層的使用週期結束前，重新在處理腔室和/或處理部件上形成新的抗刻蝕層，抗刻蝕層的形成方法以及等離子體對某一抗刻蝕層的刻蝕速率的獲得方法在後續將會說明。
相應地，本發明還提供一種半導體處理裝置的製作方法，請參考圖2所示的本發明的半導體處理裝置的製作方法流程圖，所述半導體處理裝置包括： 步驟S1，提供處理腔室或處理部件，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，所述處理腔室還用於容納等離子體和所述處理部件； 步驟S2，在所述處理腔室和/或所述處理部件的暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，所述抗刻蝕層用於抵抗等離子體刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件。
其中，本發明所述的半導體處理裝置為其處理腔室內能夠產生等離子體並且該等離子體可能對處理腔室和/或處理腔室內的處理部件產生等離子體損傷的任何半導體處理裝置，例如，所述半導體處理裝置可以為等離子體刻蝕設備、等離子體增強化學氣相沉積設備、MOCVD設備等。所述處理腔室通常為真空腔室，所述處理腔室內能夠通入源氣體作為反應氣體，並且能夠產生等離子體。所述處理部件是指位於處理腔室內部的所有組成部件，例如噴淋頭（showerhead，SH）、加熱台（heater）等，所述處理部件中暴露於等離子體環境中的部分以及所述處理腔室的表面容易受到等離子體的損傷。
作為一個實施例，所述半導體處理裝置為MOCVD設備。所述處理腔室為MOCVD設備的處理腔室，所述處理部件至少包括MOCVD設備的工藝腔室內的噴淋頭和加熱台。本發明所述的處理腔室和處理部件的製作方法與現有技術相同，作為本領域技術人員的公知技術，在此不做詳細的說明。
本發明所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質。所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RuO2 、Ir2 O3 、ZrO2 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的陶瓷與其它材料的組合。在本發明的一個實施例中，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同，即利用所述陶瓷材質製作塊狀的處理腔室和/或處理部件，這樣可以使在處理腔室和/或處理部件表面上形成的抗刻蝕層具有良好的結合力，從而提高形成部件的表面品質。
在本發明的一個實施例中，所述抗刻蝕層的製作方法為等離子體噴塗（熱噴塗）工藝製作。在本發明的又一實施例中，所述抗刻蝕層製作方法也可以為化學氣相沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學溶膠凝膠工藝或化學濕法塗層工藝等，本領域技術人員可以根據實際情況進行靈活的選擇。
相應地，本發明還提供一種抗刻蝕層，用於抵抗等離子體刻蝕，所述材料層的材質為陶瓷材料，所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RuO2 、Ir2 O3 、ZrO2 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的陶瓷與其它材料的組合。發明人進行了相關實驗，驗證採用本發明實施例給出的抗刻蝕層可以有效保護處理腔室和/或處理部件，並且獲得對於特定的半導體處理設備、特定的等離子體等的情況下對特定的抗刻蝕層的刻蝕速率。以MOCVD設備為例，以MOCVD設備的噴淋頭作為測試對象，且所述噴淋頭的材質為不銹鋼。具體地，請結合圖3所示的本發明一個實施例的用於測試抗刻蝕層的刻蝕速率的噴淋頭結構示意圖。噴淋頭100的中部具有多個孔1001，在所述噴淋頭100的外部，放置三個測試樣本，分別是第一測試樣本101、第二測試樣本102和第三測試樣本103。各個測試樣本的表面的中心與所述噴淋頭100的中心的距離相同。
所述第一測試樣本101、第二測試樣本102和第三測試樣本103的製作方法包括：首先，提供3個基本樣本，所述基本樣本的材質與所述噴淋頭100的材質相同，且所述3個基本樣本的形狀、大小和加工方法相同，作為一個實施例，所述基本樣本的材質為SS316L；然後，在其中2個基本樣本的表面形成不同的抗刻蝕層，但2個基本樣本的抗刻蝕層表面的一半面積覆蓋矽片，而另一半面積的表面裸露；而剩餘的1個基本樣本的一半的面積的表面裸露，另一半的面積的表面覆蓋矽片。上述3個基本樣本的表面覆蓋矽片的位置相同。例如，在第一個基本樣本的表面上形成第一抗刻蝕層，第一抗刻蝕層的一半面積的表面1011裸露，另一半面積的表面1012覆蓋矽片，將該第一個基本樣本作為第一測試樣本101，作為一個實施例，所述第一抗刻蝕層1011的材質為Y2 O3 ；第二個基本樣本的表面上形成第二抗刻蝕層，第二抗刻蝕層的一半面積的表面1021裸露，另一半面積的表面1022覆蓋矽片，將該第二個基本樣本作為第二測試樣本102，作為一個實施例，所述第二抗刻蝕層1021的材質為Al2 O3 ；第三個基板樣本的一半的面積的表面1031裸露，另一半面積的表面1032覆蓋矽片，利用該第三個基本樣本作為第三測試樣本103。
測試時，將所述各個測試樣品連同噴淋頭100一起安裝於MOCVD設備中，所述MOCVD的處理腔室進行採用HCl和Ar的混合氣體產生酸性等離子體，所述混合氣體的流量比範圍為0.6：1~1.4：1，處理腔室的壓力範圍為0~1.5托，所述流速範圍為0.3~0.8slm，產生等離子體的射頻電源的頻率為低頻信號（頻率範圍為10~20MHz），射頻功率範圍為1000~2000瓦，測試時的工藝腔室內的溫度範圍為300~700攝氏度，加熱距離範圍為10~22毫米，在上述條件下產生等離子體進行測試，測試時間大於至少為8小時。
根據上述測試條件，分別根據第一測試樣本101和第二測試樣本102表面上的抗刻蝕層的厚度的減小量，以及所述第三測試樣本103的未覆蓋矽片的表面1031的材質（即不銹鋼SS316L）厚度的減小量，結合測試時間，測試上述測試條件下等離子體對第一測試樣本101上的第一抗刻蝕層1011和第二測試樣本102上的第二抗刻蝕層1021的刻蝕速率以及第三測試樣本103的未覆蓋矽片的區域1031（即不銹鋼材質SS316L）的刻蝕速率，然後計算所述第一抗刻蝕層1011和第二抗刻蝕層1021相對所述第三測試樣本103的未覆蓋矽片的區域1031的材質（即不銹鋼材質）的相對刻蝕速率，結果為：對於第三測試樣本103的材質為SS316L，材質為Y2 O3 的第一抗刻蝕層1011的相對刻蝕速率僅為SS316L的12.0%，材質為Al2 O3 的第二抗刻蝕層1021的相對刻蝕速率僅為SS316L的22.5%。根據上述相對刻蝕速率，採用同樣的等離子體進行刻蝕工藝，無論採用第一抗刻蝕層1011的Y2 O3 或第二抗刻蝕層1021的Al2 O3 ，其刻蝕速率均遠小於不銹鋼層的刻蝕速率，因此所述抗刻蝕層具有良好的抵抗等離子體刻蝕的能力，因此，可以用於對處理腔室和或處理部件的保護。
發明人進行的其他相關實驗還證明，採用Y2 O3 的陶瓷材料的相對刻蝕速率為SS316L的11%，而Al2 O3 的陶瓷材料的相對刻蝕速率為SS316L的20%。
綜上，本發明實施例在半導體處理裝置的處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，從而在進行原位化學清潔時，該抗刻蝕層能抵抗等離子體的刻蝕，並且能夠保護處理腔室和/或處理部件，減小等離子體對所述處理腔室和/或處理部件的表面損傷，提高所述處理腔室和/或處理部件的使用壽命，降低用戶的使用成本；進一步地，在本發明的可選實施例中，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同，從而所述處理腔室和/或所述處理部件能夠更好地抵抗等離子體的刻蝕；進一步地，在本發明的可選實施例中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質也可以不相同，從而在所述抗刻蝕層使用一段時間後，可以利用化學機械研磨、清洗、刻蝕或者機械的方法將抗刻蝕層去除，然後重新在所述處理腔室和/或所述處理部件的表面形成新的抗刻蝕層，以更好地保護處理腔室和/或處理部件，延長所述處理腔室和/或處理部件的使用壽命，從而進一步降低用戶的使用成本。
雖然本發明己以較佳實施例披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以請求項所限定的範圍為準。
10‧‧‧噴淋頭
20‧‧‧加熱石墨基座
30‧‧‧待處理基片
40‧‧‧處理腔室
100‧‧‧噴淋頭
1001‧‧‧孔
101‧‧‧第一測試樣本
1011‧‧‧第一抗刻蝕層
1012‧‧‧表面
102‧‧‧第二測試樣本
1021‧‧‧第二抗刻蝕層
1022‧‧‧表面
103‧‧‧第三測試樣本
1031‧‧‧表面
1032‧‧‧表面
圖1是現有的MOCVD設備的結構示意圖； 圖2是本發明的半導體處理裝置的製作方法流程示意圖； 圖3是本發明一個實施例的用於測試抗刻蝕層的刻蝕速率的噴淋頭結構示意圖。

Claims (8)

  1. 一種MOCVD半導體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述等離子體用於進行原位化學清潔，所述處理腔室內具有多個處理部件，其中所述MOCVD半導體處理裝置包括： 抗刻蝕層，覆蓋於所述處理腔室和/或處理部件的暴露於等離子體的表面，所述抗刻蝕層用於在進行原位化學清潔時抵抗等離子體的刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質，所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RhO2 、Ir2 O3 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的組合。
  2. 如請求項1所述的MOCVD半導體處理裝置，其中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。
  3. 如請求項1所述的MOCVD半導體處理裝置，其中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質為不銹鋼材料。
  4. 一種MOCVD半導體處理裝置的製作方法，包括： 提供處理腔室或處理部件，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基片進行相應處理，所述處理腔室還用於容納等離子體和所述處理部件；所述等離子體用於對所述處理腔室和所述處理部件進行原位化學清潔，其中所述MOCVD半導體處理裝置的製作方法包括： 在所述處理腔室和/或所述處理部件的暴露於等離子體的表面形成抗刻蝕層，所述抗刻蝕層用於在原位化學清潔時抵抗等離子體刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質，所述陶瓷材質為Y2 O3 、Al2 O3 、YAG、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、RuO2 、Ir2 O3 、AlN、SiC、Si3 N4 中的一種或者其中的組合。
  5. 如請求項4所述的製作方法，其中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。
  6. 如請求項4所述的製作方法，其中在所述抗刻蝕層使用一段時間後，利用化學機械研磨、清洗、刻蝕或者機械的方法將抗刻蝕層去除，重新在所述處理腔室和/或所述處理部件的表面形成新的抗刻蝕層。
  7. 如請求項4所述的製作方法，其中所述抗刻蝕層的製作方法為等離子體噴塗工藝、化學氣相沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學溶膠凝膠工藝、化學濕法塗層工藝或者其中的組合。
  8. 如請求項4所述的製作方法，其中所述處理腔室和/或所述處理部件的材質為不銹鋼材料。
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