TW201546224A - 黏著劑組合物、支持體及其製造方法與玻璃積層體 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即便於高溫加熱處理後亦可抑制硬化聚矽氧樹脂層之分解之黏著劑組合物。 本發明之黏著劑組合物之特徵在於包含：線狀聚矽氧化合物(A)，其具有鍵結於矽原子之烯基；聚矽氧化合物(B)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c)，其具有鍵結於矽原子之烯基。

Description

黏著劑組合物、支持體及其製造方法與玻璃積層體

本發明係關於一種黏著劑組合物、支持體及其製造方法與玻璃積層體。

為了使經薄板化之玻璃基板之操作性提高，提出有如下方法：準備將玻璃基板與補強板積層而成之玻璃積層體，於玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件用構件之後，將玻璃基板與補強板分離(例如，參照專利文獻1)。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：國際公開第2007/018028號

近年來，伴隨著所形成之電子器件用構件之高功能化或複雜化，有形成電子器件用構件時之溫度進一步升高，並且暴露於該高溫之時間亦較長之情形。其結果，對玻璃積層體要求較高之耐熱性。

然而，專利文獻1所記載之玻璃積層體雖然可耐受大氣中300℃、1小時之處理條件，但於高溫加熱處理(450℃)中會有於短時間內產生分解之情形。

本發明係鑒於以上方面而完成者，其目的在於提供一種即便於高溫加熱處理後亦可抑制分解之樹脂層之黏著劑組合物、包含該樹脂 層之支持體、該支持體之製造方法及玻璃積層體。

本發明之黏著劑組合物之特徵在於包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基。

本發明之支持體之特徵在於：其係具有支持基材、及設置於上述支持基材上之樹脂層且用以於上述樹脂層上積層玻璃基板者，且上述樹脂層係使黏著劑組合物、即硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而成者，該黏著劑組合物包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；線狀聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基。

本發明之支持體之製造方法之特徵在於包含以下步驟：準備支持基材；準備黏著劑組合物，該黏著劑組合物包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基；及於上述支持基材上塗佈上述黏著劑組合物並使之硬化而形成樹脂層。

本發明之玻璃積層體之特徵在於包含：支持體；及玻璃基板，其與上述支持體所具有之硬化聚矽氧樹脂層之剝離性表面側相接。

根據本發明，可提供一種即便於高溫加熱處理後亦可抑制分解之樹脂層之黏著劑組合物、包含該樹脂層之支持體、該支持體之製造方法及玻璃積層體。

10‧‧‧附支持體之顯示裝置用面板

12‧‧‧支持基材

12A‧‧‧支持基材之第1主面

12B‧‧‧支持基材之第2主面

14‧‧‧硬化聚矽氧樹脂層(樹脂層)

16‧‧‧玻璃基板

16A‧‧‧玻璃基板之第1主面

16B‧‧‧玻璃基板之第2主面

18‧‧‧顯示裝置用面板之構成構件

20‧‧‧支持體

30‧‧‧玻璃積層體

40‧‧‧顯示裝置用面板

圖1係本發明中之附支持體之顯示裝置用面板之一實施形態之模式性剖視圖。

以下，基於圖式所示之較佳實施形態對本發明之黏著劑組合物(即硬化性聚矽氧樹脂組合物)、支持體、該支持體之製造方法、與包含本發明之支持體之玻璃積層體、附支持體之顯示裝置用面板、及顯示裝置用面板進行詳細說明。

圖1係本發明中之附支持體之顯示裝置用面板之一實施形態之模式性剖視圖。圖1所示之附支持體之顯示裝置用面板10具備本發明之支持體20，且具有依序積層支持基材12、樹脂層14、玻璃基板16、及顯示裝置用面板之構成構件18而成之積層構造。再者，各層之厚度並不限定於圖1。

再者，支持基材12與樹脂層14構成本發明之支持體20，支持體20與玻璃基板16構成玻璃積層體30，玻璃基板16與顯示裝置用面板之構成構件18構成顯示裝置用面板40(無支持體20者)。

首先，對構成本發明之支持體20、玻璃積層體30、顯示裝置用面板40、附支持體之顯示裝置用面板10之各層進行說明。

<支持基材>

本發明中所使用之支持基材12只要為用以介隔樹脂層14支持玻璃基板16而補強玻璃基板16之強度者，則並無特別限定。

作為支持基材12之材質並無特別限制，就工業上之獲取容易性 之觀點而言，例示玻璃、矽、合成樹脂、金屬等作為較佳例。其中，作為支持基材12，較佳為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。

於採用玻璃作為支持基材12之材質之情形時，可使用其組成例如為含有鹼金屬氧化物之矽酸鹽系玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼之矽酸鹽系玻璃(實質上不含有鹼金屬氧化物之硼矽酸玻璃等)等之各種組成之玻璃。其中，就熱收縮率較小之方面而言，較佳為無鹼之矽酸鹽系玻璃。此處，所謂實質上不含有係指不排除來自材料之雜質之含有。

玻璃基板16與用於支持基材12之玻璃之線膨脹係數差較佳為150×10^-7/℃以下，更佳為100×10^-7/℃以下，進而較佳為50×10^-7/℃以下。玻璃基板16之玻璃與支持基材12之玻璃亦可為相同材質之玻璃。於此情形時，兩玻璃之線膨脹係數差為0。

於採用合成樹脂(塑膠)作為支持基材12之材質之情形時，其種類並無特別限制，例如可例示：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯酸系樹脂、各種液晶聚合物樹脂、聚矽氧樹脂等。

於採用金屬作為支持基材12之材質之情形時，其種類並無特別限制，例如可例示不鏽鋼、銅等。

支持基材12之耐熱性並無特別限制，於在支持基材12上積層玻璃基板16後形成顯示裝置用構件之TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體)陣列等之情形時，較佳為耐熱性較高。耐熱性係藉由在空氣存在下對支持基材12進行加熱之情形時之5%加熱重量損失溫度來定義。所謂5%加熱重量損失溫度係指以加熱前之支持基材12之重量作為基準時，於加熱過程中存在超過5%之重量損失之溫度。加熱重量損失溫度較佳為300℃以上，更佳為350℃以上。

於此情形時，就耐熱性之方面而言，上述玻璃均合適。

作為就耐熱性之觀點而言較佳之塑膠，可例示：聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、各種液晶聚合物樹脂等。

支持基材12之厚度並無特別限定，較佳為0.3~1.1mm之厚度，更佳為0.4~0.8mm之厚度，進而較佳為0.5~0.7mm之厚度。若支持基材12之厚度為0.3mm以上，則補強玻璃基板16之強度不易不足，不易產生破損。

玻璃基板16之厚度並無特別限定，較佳為0.05~0.4mm之厚度，更佳為0.05~0.2mm之厚度，進而較佳為0.5~0.1mm之厚度。若玻璃基板16之厚度為0.05mm以上，則玻璃之強度不易不足，不易產生破損。

玻璃基板16之厚度設為較支持基材12之厚度薄。

由上述各種材料所構成之支持基材12之表面於採用玻璃基板作為支持基材之情形時，既可為經研磨處理之研磨面，或者亦可為未經研磨處理之非蝕刻面(本來面)。就生產性及成本之方面而言，較佳為非蝕刻面(本來面)。

支持基材12具有第1主面及第2主面，且其形狀並無限定，較佳為矩形。此處，所謂矩形係指實質上為大致矩形，亦包含將周邊部之角切除而成(進行切角而成)之形狀。此處，支持基材12之第1主面12A為形成樹脂層14之面，第2主面12B為其相反面。

支持基材12之大小並無限定，例如於矩形之情形時可為100~2000mm×100~2000mm，較佳為500~1000mm×500~1000mm。

<樹脂層(硬化聚矽氧樹脂層)>

本發明中之樹脂層14係固定於上述支持基材12之第1主面12A上，且於積層玻璃基板16而成之玻璃積層體30中，與具有第1主面及 第2主面之玻璃基板16之第1主面密接。此處，玻璃基板16之第1主面16A為與樹脂層14相接之面，第2主面16B為其相反面。

本說明書中之所謂「固定」係指樹脂層14與支持基材12之結合，本說明書中之所謂「密接」係指玻璃基板16與樹脂層14之結合。樹脂層14與支持基材12之結合(所謂之固定)之結合力較玻璃基板16與樹脂層14之結合(所謂之密接)強。此處，樹脂層14與玻璃基板16係藉由非常弱之力進行接著。例如為以分子間力或凡得瓦力為代表之力。

以下，更具體地進行說明。

玻璃基板16之第1主面16A與樹脂層14之間之剝離強度需要低於支持基材12之第1主面12A與樹脂層14之間之剝離強度。即，於將玻璃基板16與支持基材12分離時，需要於玻璃基板16之第1主面16A與樹脂層14之界面剝離，而不易於支持基材12之第1主面12A與樹脂層14之界面剝離。因此，樹脂層14具有雖然與玻璃基板16之第1主面16A密接但可容易地將玻璃基板16剝離之表面特性。即，樹脂層14係以某種程度之結合力與玻璃基板16之第1主面16A結合而防止玻璃基板16之位置偏移等。而且，樹脂層14係以於將玻璃基板16剝離時不破壞玻璃基板16而可容易地剝離之程度之結合力進行結合。於本發明中，將該樹脂層14之可容易地剝離之性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面12A與樹脂層14之結合力係較玻璃基板16之第1主面16A與樹脂層14之結合力難以剝離之結合力。

為了使樹脂層14之相對於玻璃基板16之第1主面16A之剝離強度相對較低，且使樹脂層14之相對於支持基材12之第1主面12A之剝離強度相對較高，較佳為使黏著劑組合物(以下，亦將黏著性組合物稱為硬化性聚矽氧樹脂組合物)於支持基材12之第1主面12A上硬化而形成包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14，其後，於包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14積層玻璃基板16使之密接。

本發明中之硬化聚矽氧樹脂即便與玻璃基板16密接，剝離強度亦較低。

然而，認為若使成為硬化聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基材12表面硬化，則會因硬化反應時之與支持基材表面之相互作用而接著，硬化後之硬化聚矽氧樹脂與支持基材表面之剝離強度變高。

因此，即便玻璃基板16與支持基材12為包含相同材質者，亦可對樹脂層與兩者間之剝離強度設置差。

對相對於玻璃基板16之第1主面16A之剝離強度及相對於支持基材12之第1主面12A之剝離強度設置差的樹脂層14之形成並不限於上述方法。

例如，於使用對於硬化聚矽氧樹脂表面之密接性較玻璃基板16高之材質之支持基材12之情形時，可介隔硬化聚矽氧樹脂膜而同時積層玻璃基板16及支持基材12。

又，於藉由硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化所實現之接著性對於玻璃基板16足夠低且該接著性對於支持基材12足夠高之情形時，可於使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基材12之第1主面12A上硬化之前，於硬化性聚矽氧樹脂組合物上積層玻璃基板16，並於玻璃基板16與支持基材12之間使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成樹脂層14。

即便於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施提高支持基材12表面之接著性之處理而提高相對於樹脂層14之剝離強度。例如，可對包含玻璃材料之支持基材12表面實施提高矽烷醇基之濃度之處理而提高與樹脂層14之結合力。

加成反應型硬化性聚矽氧樹脂組合物(即黏著劑組合物)為包含具有鍵結於矽原子之烯基之線狀聚矽氧化合物、具有鍵結於矽原子之氫原子之聚矽氧化合物、及具有鍵結於矽原子之烯基之環狀聚矽氧化合 物的硬化性黏著劑組合物，較佳為包含具有鍵結於矽原子之烯基之線狀聚矽氧化合物、具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物、具有鍵結於矽原子之烯基之環狀聚矽氧化合物、及觸媒等添加劑的硬化性組合物，且藉由加熱而硬化從而成為硬化聚矽氧樹脂。

概略而言，本發明中之樹脂層14係使加成反應型硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而成之硬化聚矽氧樹脂層，該加成反應型硬化性聚矽氧樹脂組合物含有作為具有鍵結於矽原子之烯基之線狀聚矽氧化合物的線狀聚矽氧化合物(a)、作為於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物的線狀聚矽氧化合物(b)、及具有鍵結於矽原子之烯基之環狀聚矽氧化合物(c1)。進而，硬化性聚矽氧樹脂組合物亦可包含具有鍵結於矽原子之氫原子之環狀聚矽氧化合物(c2)。

為了使組合物中之Si-H基與乙烯基之莫耳比最佳化，本發明中之加成反應型硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物中，硬化後之未反應之氫原子(鍵結於矽原子之氫原子)之殘留量較少。因此，剝離強度之經時變化較少，耐熱性優異。

以下，對形成樹脂層14所使用之黏著劑組合物、即硬化性聚矽氧樹脂組合物進行詳細敍述。

<線狀聚矽氧化合物(a)>

本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物所包含之線狀聚矽氧化合物(a)較佳為於每1分子中具有至少2個烯基之線狀聚矽氧化合物。

作為烯基並無特別限定，例如可列舉：乙烯基(次乙基(ethenyl))、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己炔基等，其中就耐熱性優異之方面而言，較佳為乙烯基。

於線狀聚矽氧化合物(a)中，烯基之濃度較佳為0.1~20.4mmol/g，更佳為0.5~11.6mmol/g。

一般，線狀聚矽氧化合物(a)之兩末端之1官能性單元被稱為M單元，兩末端以外之2官能性單元被稱為D單元，具有n個D單元之線狀聚矽氧化合物(a)之結構係以M(D)_nM表示。又，於表示各單元之平均組成之情形時，亦存在以M₂(D)_n表示之情況。

於線狀聚矽氧化合物(a)中，烯基可存在於M單元或D單元中，亦可存在於M單元及D單元兩者中。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於M單元中，較佳為存在於2個M單元兩者中。

又，關於僅於M單元中具有烯基之線狀聚矽氧化合物(a)，其分子量越高則每1分子之烯基濃度越低，硬化聚矽氧樹脂之交聯密度越降低，因此有導致耐熱性降低之虞，故而較佳為於M單元以及一部分D單元中均具有烯基。

就硬化物之耐熱性之方面而言，線狀聚矽氧化合物(a)之每1分子之烯基之個數較佳為2~120個，更佳為2~100個。

作為線狀聚矽氧化合物(a)，較佳為下述式(1)所表示之平均組成之線狀有機聚矽氧烷。

(M¹)_a(M²)_b(D¹)_c(D²)_d‧‧‧(1)

其中，M¹表示不具有烯基及鍵結於矽原子之氫原子之任一者之M單元，M²表示具有鍵結於矽原子之烯基之M單元，D¹表示不具有烯基及鍵結於矽原子之氫原子之任一者之D單元，D²表示具有鍵結於矽原子之烯基之D單元，a為0~2之數，b為0~2之數且a+b=2，c為0以上之數，d為0以上之數且c+d=n(其中，b+d為2以上)。更佳之式(1)所表示之線狀聚矽氧化合物(a)中，a為0以上且未達1之數，b為1以上且2以下之數，c為1以上之數，d為1以上之數。

M²單元亦可具有2個或3個鍵結於矽原子之烯基，但較佳為具有1個。

D²單元亦可具有2個鍵結於矽原子之烯基，但較佳為具有1個。

作為烯基，較佳為乙烯基。

M¹單元、D¹單元、較佳之M²單元、較佳之D²單元較佳為下述式所表示者。

R¹~R⁵分別獨立且與上述同樣地表示碳數4以下之烷基或氟烷基、或者苯基。R¹~R⁵較佳為均為甲基。

上述式(1)係針對每一單元表示線狀聚矽氧化合物(a)之組成者，且係表示平均之組成者。

線狀聚矽氧化合物(a)之各個分子中，較佳為a為0或1之整數，b為1或2之整數且a+b=2，c為1以上之整數，d為0以上之整數。

由於線狀聚矽氧化合物(a)於每1分子中具有2個以上之烯基，故而較佳為b+d為2以上。

線狀聚矽氧化合物(a)亦可為與具有鍵結於矽原子之烯基之其他線狀聚矽氧化合物之混合物，但通常僅使用線狀聚矽氧化合物(a)。但是，具有鍵結於矽原子之烯基之線狀聚矽氧化合物亦可為具有鍵結於矽原子之烯基之2種以上之線狀聚矽氧化合物的混合物。

又，於上述式(1)之線狀聚矽氧化合物(a)中D¹及D²均存在多個之情形時，D¹及D²之排列既可為無規共聚鏈結構亦可為嵌段共聚鏈結 構。

再者，作為線狀聚矽氧化合物(a)，可使用國際公開第2007/018028號所記載之線狀聚矽氧化合物(a)。

線狀聚矽氧化合物(a)之數量平均分子量(Mn)較佳為500~3,000,000，更佳為1,000~2,000,000，進而較佳為1500~500,000。藉由將Mn設為該範圍，加熱硬化時之揮散得到抑制，又，不會成為過高黏度而作業性變良好。

線狀聚矽氧化合物(a)之25℃下之黏度較佳為100~1000mPas，較佳為300~700mPas。

<具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物(b)>

本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物所包含之線狀聚矽氧化合物(b)較佳為於每1分子中具有至少3個氫原子之線狀聚矽氧化合物(b)。

於線狀聚矽氧化合物(b)中，鍵結於矽原子之氫原子(Si-H基)之濃度較佳為0.90~43.5mmol/g，更佳為3.0~16.7mmol/g。

本發明中之線狀聚矽氧化合物(b)較佳為於2個M單元之至少一者存在鍵結於矽原子之氫原子。更佳之線狀聚矽氧化合物(b)為如下線狀聚矽氧化合物，即，於2個M單元之各者中均存在鍵結於矽原子之氫原子，且於存在n個之D單元之一部分D單元中亦存在鍵結於矽原子之氫原子。

再者，線狀聚矽氧化合物(b)亦可與具有鍵結於矽原子之氫原子之其他線狀聚矽氧化合物併用。作為具有鍵結於矽原子之氫原子之其他線狀聚矽氧化合物，例如可列舉於M單元中不存在鍵結於矽原子之氫原子而僅於一部分D單元中存在鍵結於矽原子之氫原子的線狀聚矽氧化合物。

作為線狀聚矽氧化合物(b)、或線狀聚矽氧化合物(b)與具有鍵結 於矽原子之氫原子之其他線狀聚矽氧化合物之混合物，例如可較佳地列舉下述式(2)所表示之平均組成之具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物。

(M¹)_α(M³)_β(D¹)_γ(D³)_δ‧‧‧(2)

其中，M¹表示不存在鍵結於矽原子之氫原子及烯基之任一者之M單元(與上述式(1)中之M¹單元相同)，M³表示存在鍵結於矽原子之氫原子之M單元，D¹表示不存在鍵結於矽原子之氫原子及烯基之任一者之D單元(與上述式(1)中之D¹單元相同)，D³表示存在鍵結於矽原子之氫原子之D單元，α為0以上且未達2之數，β為並非0且2以下之數且α+β=2，γ為超過0之數，δ為0以上之數且γ+δ=n。

更佳之平均組成中，α為0以上且未達1之數，β為1以上且2以下之數，γ為1以上之數，δ為1以上之數。

再者，國際公開第2007/018028號所記載之線狀聚矽氧化合物(b)係式(2)中β=0之化合物。

M³單元亦可具有2個或3個鍵結於矽原子之氫原子，但較佳為具有1個。

D³單元亦可具有2個鍵結於矽原子之氫原子，但較佳為具有1個。

M¹單元、D¹單元、較佳之M³單元、較佳之D³單元較佳為下述式所表示者。

R¹~R⁵分別獨立地表示碳數4以下之烷基或氟烷基、或者苯基。R¹~R⁵較佳為均為甲基。

[化2]

於存在D³單元之情形(δ不為0之情形)時，D¹與D³之存在比即γ/δ係表示分子中之鍵結於矽原子之氫原子之密度的指標。該存在比(γ/δ)較佳為0.2~30，尤佳為0.5~20。

若該存在比過小，則硬化聚矽氧樹脂中，未反應之氫原子(鍵結於矽原子之氫原子)之殘留量變多，故而有如下擔憂：硬化聚矽氧樹脂之相對於玻璃基板之剝離強度之經時變化增大，又，導致耐熱性降低。

又，若存在比過大，則硬化聚矽氧樹脂之交聯密度降低，因此有導致耐熱性降低之虞。

表示M³單元與D³單元之存在比之β/δ較佳為15≦(β/δ)×1000≦1500。更佳為15≦(β/δ)×1000≦1000，尤佳為15≦(β/δ)×1000≦500。

若(β/δ)×1000小於15，則分子量變大或者官能基之立體阻礙變大，反應性降低，故而有硬化聚矽氧樹脂之相對於玻璃基板之剝離強度之經時變化增大之虞。

另一方面，若(β/δ)×1000大於1500，則交聯密度變小，因此會產生無法獲得強度等物性充分之硬化聚矽氧樹脂之虞。

上述式(2)係針對每一單元表示線狀聚矽氧化合物(b)之組成者，且係表示平均之組成者。

線狀聚矽氧化合物(b)之各個分子中，較佳為α為0或1之整數，β 為1或2之整數且α+β=2，γ為1以上之整數，δ為0以上之整數。

更佳之線狀聚矽氧化合物(b)為α為0以上且未達1之數、β為1以上且2以下之數、γ為1以上之數、δ為1以上之數的化合物。

又，由於線狀聚矽氧化合物(b)於每1分子中具有3個以上之鍵結於矽原子之氫原子，故而較佳為β+ε為3以上。

於線狀聚矽氧化合物(b)之每1分子中之鍵結於矽原子之氫原子之個數為2個之情形時，無法達成由交聯所實現之高耐熱化。因此，就硬化物之耐熱性之方面而言，線狀聚矽氧化合物(b)之每1分子中之鍵結於矽原子之氫原子之個數較佳為3個~120個，更佳為3個~100個。

除線狀聚矽氧化合物(b)以外之具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物例如為α為2、β為0、γ為0以上之整數、δ為1以上之整數的具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物。

再者，於該等分子中D¹及D³均存在多個之情形時，D¹及D³之排列可為無規共聚鏈結構亦可為嵌段共聚鏈結構。由於通常係藉由環狀矽氧烷之開環聚合形成共聚鏈，故而認為具有經開環之環狀矽氧烷之嵌段無規地共聚合所成之結構。

如上所述，作為具有鍵結於矽原子之氫原子之線狀聚矽氧化合物，不僅可為各個分子為線狀聚矽氧化合物(b)之線狀聚矽氧化合物，亦可為線狀聚矽氧化合物(b)與具有鍵結於矽原子之氫原子之其他線狀聚矽氧化合物的混合物(其平均組成由上述式(2)所表示者)。

於此情形時，較佳為所使用之具有鍵結於矽原子之氫原子之其他線狀聚矽氧化合物之總莫耳數中，線狀聚矽氧化合物(b)包含20莫耳%以上。若未達20莫耳%，則鍵結於矽原子之氫原子容易殘留，樹脂層14與玻璃基板16之界面之剝離強度容易經時地上升，故而欠佳。就硬化聚矽氧樹脂之耐熱性及樹脂層14與玻璃基板之剝離強度之經時穩定性之觀點而言，線狀聚矽氧化合物(b)之含量較佳為50莫耳%以 上，更佳為80莫耳%以上。

線狀聚矽氧化合物(b)之數量平均分子量(Mn)較佳為300~5,000,000，更佳為400~1,000,000，進而較佳為500~500,000。

線狀聚矽氧化合物(b)之數量平均分子量(Mn)小於線狀聚矽氧化合物(a)之數量平均分子量(Mn)。

線狀聚矽氧化合物(b)之25℃下之黏度較佳為10~100mPas，更佳為20~50mPas。

<環狀聚矽氧化合物(c)>

本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物所包含之環狀聚矽氧化合物(c)較佳為於每1分子中具有至少2個鍵結於矽原子之烯基之環狀聚矽氧化合物(c1)，亦較佳為進而包含具有鍵結於矽原子之氫原子之環狀聚矽氧化合物(c2)。

於本發明中，成為硬化聚矽氧樹脂層之硬化性聚矽氧樹脂組合物中除上述線狀聚矽氧化合物(a)及線狀聚矽氧化合物(b)以外，進而包含環狀聚矽氧化合物(c)，藉此即便於高溫加熱處理後亦可抑制硬化聚矽氧樹脂層之分解。

其原因並不明確，但推測如下。即，認為原因在於，與硬化性聚矽氧樹脂組合物僅含有線狀聚矽氧化合物(a)及線狀聚矽氧化合物(b)之情形相比，本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物進而含有環狀聚矽氧化合物(c)，由此硬化物之交聯密度變高。

又，認為由於線狀聚矽氧化合物(a)及線狀聚矽氧化合物(b)為線狀，故而若實施高溫加熱處理，則於分別彎折之狀態下，Si-O鍵斷開，該Si原子與同1分子內之其他O形成新Si-O鍵(以下，將其稱為「Si-O鍵之置換」)，其結果，生成環狀之低分子聚矽氧烷並揮發。然而，認為於本發明中，藉由進而含有環狀聚矽氧化合物(c)，線狀聚矽氧化合物(a)及線狀聚矽氧化合物(b)不易產生1分子內之Si-O鍵之 置換，又，即便產生Si-O鍵之置換，亦成為與其他分子之置換，因此不易生成低分子聚矽氧烷，揮發成分之產生受到抑制，其結果，可抑制硬化聚矽氧樹脂層之分解。

環狀聚矽氧化合物(c)係複數個D單元環狀地鍵結而成之有機聚矽氧烷，該D單元中存在鍵結於矽原子之烯基或鍵結於矽原子之氫原子。

作為烯基並無特別限定，例如可列舉：乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己炔基等，其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為乙烯基。

就合成之容易性及硬化物之耐熱性之觀點而言，環狀聚矽氧化合物(c)之構成環之矽原子之個數較佳為3~10個，更佳為3~8個，尤佳為3~6個。

又，就合成之容易性之理由而言，環狀聚矽氧化合物(c)中之烯基之濃度或鍵結於矽原子之氫原子之濃度較佳為0.5~44mmol/g，更佳為1.0~17mol/g。

其次，對作為環狀聚矽氧化合物(c)之環狀聚矽氧化合物(c1)及環狀聚矽氧化合物(c2)更詳細地進行說明。

再者，就硬化物之耐熱性之方面而言，環狀聚矽氧化合物(c1)之每1分子中之烯基之個數較佳為2~20個，更佳為3~20個。

又，就硬化物之耐熱性之方面而言，環狀聚矽氧化合物(c2)之每1分子中之鍵結於矽基之氫原子之個數較佳為2~20個，更佳為3~20個。

《環狀聚矽氧化合物(c1)》

作為環狀聚矽氧化合物(c1)之較佳態樣，例如可列舉下述式(c1-1)所表示之環狀聚矽氧化合物。

[化3]

式(c1-1)中，Vi表示乙烯基，R¹¹~R¹³分別獨立地表示碳數1~4之烷基或碳數6~10之芳基，h表示2~6之整數，i表示0~4之整數，h+i表示3~10之整數。

作為式(c1-1)中之R¹¹~R¹³所表示之碳數1~4之烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基等。

作為式(c1-1)中之R¹¹~R¹³所表示之碳數6~10之芳基，例如可列舉：苯基、乙基苯基、甲苯基、異丙苯基、二甲苯基、偽異丙苯基(pseudocumenyl)、基、第三丁基苯基、苄基、苯乙基等。

就耐熱性、工業上之獲取容易性等觀點而言，作為式(c1-1)中之R¹¹~R¹³所表示之基，較佳為甲基、乙基、苯基，更佳為甲基。

就硬化物之硬度之觀點而言，式(c1-1)中之h較佳為3~6之整數，更佳為3或4。

就合成之容易性之觀點而言，式(c1-1)中之i較佳為0或1，更佳為0。

作為式(c1-1)所表示之環狀聚矽氧化合物(c1)之具體例，可列舉：2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基環三矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8-四乙基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8-四苯基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6-三甲基-8-苯基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4-二甲基-6,8-二苯基-2,4,6,8-四乙烯 基環四矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2-苯基-4,6,8-三乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8,10-五甲基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-10-苯基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-10-苯基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4,6-三甲基-8,10-二苯基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4-二甲基-6,8,10-三苯基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8,10-五甲基-2-苯基-4,6,8,10-四乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8,10-五甲基-2,4-二苯基-6,8,10-三乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8,10,12-六甲基-2,4,6,8,10,12-六乙烯基環六矽氧烷等，該等可單獨使用1種，亦可將2種以上併用。

該等之中，較佳為2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基環三矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6-三甲基-8-苯基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4-二甲基-6,8-二苯基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2-苯基-4,6,8-三乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8,10-五甲基-2,4,6,8,10-五乙烯基環五矽氧烷、2,4,6,8,10-五甲基-2-苯基-4,6,8,10-四乙烯基環五矽氧烷，更佳為2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2-苯基-4,6,8-三乙烯基環四矽氧烷、2,4,6-三甲基-8-苯基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷。

《環狀聚矽氧化合物(c2)》

作為環狀聚矽氧化合物(c2)之較佳態樣，例如可列舉下述式(c2-1)所表示之環狀聚矽氧化合物。

式(c2-1)中，R¹¹~R¹³分別獨立地表示碳數1~4之烷基或碳數6~10之芳基，j表示3~6之整數，k表示0~4之整數，j+k表示3~10之整數。

式(c2-1)中之R¹¹~R¹³與式(c1-1)中之R¹¹~R¹³含義相同，較佳之範圍亦相同。

就硬化物之硬度之觀點而言，式(c2-1)中之j較佳為4或5，更佳為4。

就合成之容易性之觀點而言，式(c2-1)中之k較佳為0或1，更佳為0。

作為式(c2-1)所表示之環狀聚矽氧化合物(c2)之具體例，可列舉：2,4,6-三甲基環三矽氧烷、2,4,6,8-四甲基環四矽氧烷、2,4,6,8-四乙基環四矽氧烷、2,4,6,8-四苯基環四矽氧烷、2,4,6-三甲基-8-苯基環四矽氧烷等，該等可單獨使用1種，亦可將2種以上併用。

<各成分之含量>

硬化性聚矽氧樹脂組合物中，線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)、及環狀聚矽氧化合物(c)之含有比率並無特別限定。

就450℃下之耐熱性之觀點而言，硬化性聚矽氧樹脂組合物中之下述式(3)所表示之環狀聚矽氧化合物(c1)中之烯基之莫耳數(C1_m)與環狀聚矽氧化合物(c2)中之烯基之莫耳數(C2_m)的比率(莫耳%)較佳為20以上。

C1_m×100/(A_m+C1_m)+C2_m×100/(B_m+C2_m)‧‧‧(3)

其中，A_m表示線狀聚矽氧化合物(a)中之烯基之莫耳數，B_m表示線狀聚矽氧化合物(b)中之鍵結於矽原子之氫原子之莫耳數，C1_m表示環狀聚矽氧化合物(c1)中之烯基之莫耳數，C2_m表示環狀聚矽氧化合物(c2)中之鍵結於矽原子之氫原子之莫耳數。

例如，於環狀聚矽氧化合物(c)僅包含環狀聚矽氧化合物(c1)之情形(即，C2_m=0之情形)時，環狀聚矽氧化合物(c1)中之烯基相對於線狀聚矽氧化合物(a)中之烯基與環狀聚矽氧化合物(c1)中之烯基之合計的比率較佳為20莫耳%以上。

又，例如於環狀聚矽氧化合物(c)僅包含環狀聚矽氧化合物(c2)之情形時，設為C1_m=0而進行計算。

上述式(3)所表示之比率(莫耳%)之值較佳為20~100，更佳為24~95，就耐龜裂性之觀點而言，進而較佳為24~93。

進而，同樣地就耐龜裂性之觀點而言，相對於線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)及環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量%，環狀聚矽氧化合物(c)之含量較佳為0.1~60質量%，更佳為0.5~38質量%，尤佳為未達30質量%。

即，若環狀聚矽氧化合物(c)之含量過多，則有如下擔憂：硬化聚矽氧樹脂層過度變硬，即便為較薄之膜厚，產生龜裂之可能性亦變高，但若環狀聚矽氧化合物(c)之含量處於上述範圍內，則硬化聚矽氧樹脂層不會過度變硬，能夠使可不產生龜裂而形成之最大膜厚較厚，即，可使耐龜裂性良好。

又，就使耐龜裂性更良好之方面而言，環狀聚矽氧化合物(c)中之烯基之濃度或鍵結於矽原子之氫原子之濃度為0.5~44mmol/g的環狀聚矽氧化合物(c)之含量相對於線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)及環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量%，較佳為0.1~60質量%。

進而，環狀聚矽氧化合物(c)更佳為僅包含環狀聚矽氧化合物(c1)。

再者，線狀聚矽氧化合物(a)之含量相對於線狀有機聚矽氧烷(a)、線狀聚矽氧化合物(b)及環狀有機聚矽氧烷(c)之合計100質量%， 較佳為5~95質量%，更佳為10~90質量。

又，線狀聚矽氧化合物(b)之含量相對於線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)及環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量%，較佳為3~75質量%，更佳為8~65質量%。

又，於硬化性聚矽氧樹脂組合物中，較佳為將線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)、及環狀聚矽氧化合物(c)之量以所有鍵結於矽原子之氫原子相對於所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)成為0.7~1.05之方式進行調整，更佳為以成為0.8~1.0之方式進行調整。

於上述莫耳比超過1.05之情形時，有硬化聚矽氧樹脂之長時間放置後之剝離力容易上升，剝離性不充分之可能性。另一方面，於上述莫耳比未達0.7之情形時，硬化聚矽氧樹脂之交聯密度降低，因此有耐化學品性等產生問題之可能性。

再者，於鍵結於矽原子之氫原子與烯基之莫耳比超過1.05之情形時長時間放置後之剝離力上升之原因並不明確，但認為在於，因長時間放置，空氣中之水分逐漸滲入至樹脂層，硬化聚矽氧樹脂中之未反應之氫矽烷基(Si-H基)水解，於與玻璃基板表面之矽烷醇基之間發生某些反應。因此，較佳為樹脂層14中實質上未殘留未反應之鍵結於矽原子之氫原子。

<其他構成成分>

本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物亦可視需要於不使本發明之效果受損之範圍內含有各種添加劑。

作為添加劑，通常較佳為使用促進鍵結於矽原子之氫原子與烯基之反應的觸媒(加成反應用觸媒)。作為該觸媒，可列舉金屬觸媒，較佳為使用鉑族金屬系觸媒。

作為鉑族金屬系觸媒，可列舉鉑系、鈀系、銠系等觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤佳為以鉑系觸媒之形式使用。

作為鉑系觸媒，可使用公知者。具體而言，例如可列舉：鉑微粉末；鉑黑；氯化鉑(II)酸、氯化鉑(IV)酸等氯化鉑酸；四氯化鉑；氯化鉑酸之醇化合物、醛化合物；鉑之烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。

觸媒以相對於線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)及環狀聚矽氧化合物(c)之合計質量的質量比計，較佳為2~400ppm，更佳為5~300ppm，進而較佳為8~200ppm。

於本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物中，較佳為進而與觸媒一併併用具有抑制觸媒活性之作用之活性抑制劑(亦被稱為反應抑制劑、延遲劑等之化合物)以調整觸媒活性。

作為活性抑制劑，更具體而言，例如可例示：1-乙炔基-1-環己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、2-乙炔基異丙醇、2-乙炔基丁烷-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等乙炔系醇類；三甲基(3,5-二甲基-1-己炔-3-氧基)矽烷、甲基乙烯基雙(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)矽烷、((1,1-二甲基-2-丙炔基)氧基)三甲基矽烷等矽烷化乙炔系醇類；順丁烯二酸二烯丙酯、順丁烯二酸二甲酯、反丁烯二酸二乙酯、反丁烯二酸二烯丙酯、順丁烯二酸雙(甲氧基異丙基)酯等不飽和羧酸酯類；2-異丁基-1-丁烯-3-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、3-甲基-3-戊烯-1-炔、3-甲基-3-己烯-1-炔、1-乙炔基環己烯、3-乙基-3-丁烯-1-炔、3-苯基-3-丁烯-1-炔等共軛烯-炔類；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等乙烯基環四矽氧烷類等。尤佳為乙炔系化合物(例如，乙炔醇類及乙炔醇之矽烷化物)。組合物中之反應抑制劑之含量並無特別限制，較佳為相對於上述線狀聚矽氧化合物(a)、線狀聚矽氧化合物(b)、及環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量份，處於0.00001~5質量份之範圍內。

亦可進而視需要於不使本發明之效果受損之範圍內含有各種氧 化矽、碳酸鈣、氧化鐵等無機填料等。

又，己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等有機溶劑或水等分散介質係不構成硬化聚矽氧樹脂之成分，但亦可以利於硬化性聚矽氧樹脂組合物之塗佈之作業性提高等為目的，對本發明中之硬化性聚矽氧樹脂組合物調配而使用。

<樹脂層之形成>

如上所述，較佳為使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基材12之第1主面12A上硬化而形成包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14。

因此，將硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基材之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物層，繼而使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成硬化聚矽氧樹脂層。

關於硬化性聚矽氧樹脂組合物層之形成，於硬化性聚矽氧樹脂組合物為流動性組合物之情形時係直接塗佈，於硬化性聚矽氧樹脂組合物為流動性較低之組合物或無流動性之組合物之情形時，調配有機溶劑而塗佈。又，亦可使用硬化性聚矽氧樹脂組合物之乳化液或分散液等。包含有機溶劑等揮發性成分之塗膜繼而將該揮發性成分蒸發去除而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物層。硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化可與揮發性成分之蒸發去除連續地進行。

硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化並不限於上述方法。例如，可使硬化性聚矽氧樹脂組合物於某種剝離性表面上硬化而製造硬化聚矽氧樹脂膜，並將該膜積層於支持基材而製造支持體。

又，於硬化性聚矽氧樹脂組合物不含揮發性成分之情形時，可如上所述般夾持於玻璃基板16與支持基材12之間而使其硬化。

於將硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基材之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物層之情形時，塗佈方法並無特別限定，可列舉先前公知之方法。

作為公知之方法，例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法。

可根據組合物之種類自這些方法中適當選擇。例如，於不對硬化性聚矽氧樹脂組合物調配揮發性成分之情形時，較佳為模嘴塗佈法、旋轉塗佈法或網版印刷法。

於調配有溶劑等揮發性成分之組合物之情形時，於硬化前利用加熱等將揮發性成分去除後進行硬化。

作為使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化之條件，根據所使用之有機聚矽氧烷等之種類而不同，可適當選擇最佳之條件。通常，作為加熱溫度較佳為50~300℃，作為處理時間較佳為5~300分鐘。

若樹脂層具有低聚矽氧移行性，則於將玻璃基板剝離時，樹脂層中之成分不易移行至玻璃基板。為了製成具有低聚矽氧移行性之樹脂層，較佳為以樹脂層中不殘留未反應之聚矽氧成分之方式使硬化反應儘可能地進行。

若為上述反應溫度及反應時間，則能使樹脂層中實質上不殘留未反應之有機聚矽氧成分，因此較佳。於過度長於上述反應時間或過度高於上述反應溫度之情形時，有如下可能性：同時產生有機聚矽氧成分或硬化聚矽氧樹脂之氧化分解，生成低分子量之有機聚矽氧成分，導致聚矽氧移行性變高。以樹脂層中不殘留未反應之有機聚矽氧成分之方式使硬化反應儘可能地進行對使加熱處理後之剝離性變得良好而言亦較佳。

再者，為了賦予樹脂層與支持基材之較高之固定力(較高之剝離強度)，亦可對支持基材表面進行表面改質處理(打底處理)。例如可例示：如矽烷偶合劑處理之化學性地提高固定力之化學方法(底塗處理)；如火焰(flame)處理般使表面活性基增加之物理方法；如噴砂處 理般藉由增加表面之粗糙度而使卡合力增加之機械處理方法等。

包含上述硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14之厚度並無特別限定，可根據玻璃基板16之種類等適當選擇最佳之厚度，較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~50μm，進而較佳為1.0~20μm。

再者，樹脂層14亦可包含2層以上。於此情形時，「樹脂層之厚度」係指所有層之合計之厚度。

又，於樹脂層14包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類亦可不同。

樹脂層14之剝離性表面之表面張力較佳為30mN/m以下，更佳為25mN/m以下，進而較佳為22mN/m以下。關於下限並無特別限定，較佳為15mN/m以上。

若為此種表面張力，則可更容易地與玻璃基板16表面剝離，同時與玻璃基板16表面之密接亦變得充分。

樹脂層14較佳為包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右)之材料、或不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於，若為此種玻璃轉移點，則可維持非黏著性並且亦兼具適當之彈性，可更容易地與玻璃基板16表面剝離，同時與玻璃基板16表面之密接亦變得充分。

包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14之熱分解起始溫度於玻璃基板積層狀態下較佳為400℃以上，更佳為420℃以上，尤佳為430℃~450℃。若處於上述範圍內，則即便於TFT陣列之製造製程等高溫條件(約400℃以上)下亦可抑制樹脂層之分解，結果可進一步抑制玻璃積層體中之發泡之產生。

又，若樹脂層14之彈性模數過高，則會有與玻璃基板16表面之密接性變低之傾向。另一方面，若彈性模數過低，則會有剝離性變低之情況。本發明中之硬化聚矽氧樹脂具有滿足該要求性能之彈性模數。

<支持體>

於圖示例中，本發明之支持體20係由上述支持基材12及樹脂層14所構成。由於樹脂層14表面顯示出良好之剝離性能，故而可不破壞積層於其上之玻璃基板16而將之剝離。因此，可較佳地用作用以支持玻璃基板之支持體。又，作為其他用途，可列舉有機EL(Electroluminescence，電致發光)照明用玻璃基板之支持體等。

<玻璃基板>

玻璃基板16係用以於其上形成下述顯示裝置用面板之構成構件18而製造顯示裝置用面板的玻璃基板。

本發明所使用之玻璃基板16之製造方法並無特別限定，可利用先前公知之方法製造。例如，可將先前公知之玻璃原料熔解而製成熔融玻璃，其後利用浮式法、熔融法、流孔下引法、再曳引法、提拉法等成形為板狀而獲得。又，亦可使用市售品。

玻璃基板16之厚度、形狀、大小、物性(熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等)、組成等並無特別限定，例如，可與先前之LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)等顯示裝置用之玻璃基板相同。

玻璃基板16之厚度並無特別限定，較佳為未達0.7mm，更佳為0.5mm以下，進而較佳為0.4mm以下。又，較佳為0.05mm以上，更佳為0.07mm以上，進而較佳為0.1mm以上。

玻璃基板16具有第1主面16A及第2主面16B，且其形狀並無限定，較佳為矩形。此處，所謂矩形係指實質上為大致矩形，亦包含將周邊部之角切除而成之形狀(即，進行切角而成之形狀)。

玻璃基板16之大小並無限定，例如，於矩形之情形時可為100~2000mm×100~2000mm，較佳為500~1000mm×500~1000mm。

若為此種較佳之厚度及較佳之大小，則玻璃積層體30可容易地 將玻璃基板16與支持體20剝離。

玻璃基板16之熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等特性亦無特別限定，根據所製造之顯示裝置用面板之種類而不同。

但是，玻璃基板16之熱收縮率較小者較佳。具體而言，作為熱收縮率之指標之線膨脹係數較佳為150×10^-7/℃以下，更佳為100×10^-7/℃以下，進而較佳為45×10^-7/℃以下。其原因在於，若熱收縮率較大，則難以製作高精細之顯示裝置。

再者，本發明中，線膨脹係數係指JIS R3102(1995年)所規定者。

玻璃基板16包含例如含鹼金屬氧化物之矽酸鹽系玻璃或無鹼之矽酸鹽系玻璃等。其中，就熱收縮率較小之方面而言，較佳為不含鹼金屬氧化物之硼矽酸玻璃等無鹼之矽酸鹽系玻璃。

上述玻璃基板16之表面可為經研磨處理之研磨面，或者亦可為未經研磨處理之非蝕刻面(本來面)。即，只要根據所製作之顯示面板之要求精度而適當選擇滿足平坦性者即可。

<玻璃積層體>

於圖示例中，本發明中之玻璃積層體30係由上述支持基材12、樹脂層14、玻璃基板16所構成。

如上所述，樹脂層14具有剝離性表面，可容易地將玻璃基板16或顯示裝置用面板40(於顯示裝置用面板之情形時為形成有顯示裝置用面板之構成構件18之玻璃基板16)剝離。

再者，樹脂層14表面與玻璃基板16表面之間之剝離強度較佳為8.5N/25mm以下，更佳為7.8N/25mm以下，進而較佳為4.5N/25mm以下。若為上述強度以下，則不易產生剝離時之樹脂層之破壞、或玻璃基板等之破壞等，故而較佳。關於下限，只要具有玻璃基板不於樹脂層上產生位置偏移之程度之密接力即可，通常較佳為1.0N/25mm以上。

樹脂層表面與玻璃基板表面之間之剝離強度係藉由如下測定方法所表示。

將於25×50mm見方之支持基材(厚度=約0.4~0.6mm)上之整面形成樹脂層(厚度=約15~20μm)並積層25×75mm見方之玻璃基板(厚度=約0.1~0.4mm)而成者設為評價樣品。繼而，利用雙面膠帶將該樣品之支持基材之非吸附面固定於台之端部，其後使用數位測力計垂直地上推伸出之玻璃基板(25×25mm)之中央部，從而測定剝離強度。

另一方面，樹脂層14表面與支持基材12表面之間之剝離強度較佳為9.8N/25mm以上，更佳為14.7N/25mm以上，進而較佳為19.6N/25mm以上。於具有上述剝離強度之情形時，將玻璃基板等自樹脂層剝離時不易產生支持基材與樹脂層之剝離，可容易地自玻璃積層體將玻璃基板等與支持體(即，支持基材與樹脂層之積層體)分離。

如上所述，藉由使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基材上硬化，可容易地達成該剝離強度。

又，若樹脂層14表面與支持基材12表面之間之剝離強度過高，則於為了支持基材之再利用等而需要將支持基材與樹脂層剝離時，有難以進行該剝離之虞。因此，樹脂層14表面與支持基材12表面之間之剝離強度較佳為29.4N/25mm以下。

又，樹脂層14表面與支持基材12表面之間之剝離強度較佳為較樹脂層14表面與玻璃基板16表面之間之剝離強度高10N/25mm以上，更佳為高15N/25mm以上。

<玻璃積層體之製造方法>

玻璃積層體30之製造方法較佳為於支持體20之樹脂層14之表面積層玻璃基板16之方法(積層方法)。然而，如上所述，玻璃積層體30之製造方法並不限於該積層方法。

於積層方法中，認為玻璃基板之第1主面16A與樹脂層14之剝離 性表面可藉由非常接近之相對之固體分子間之凡得瓦力所引起之力、即密接力而結合。因此，於此情形時，可保持為使支持基材與玻璃基板介隔樹脂層而積層之狀態。

藉由此種積層方法，獲得具有支持體20、及與樹脂層14之剝離性表面側相接之玻璃基板16的玻璃積層體。

以下，對利用在支持體之樹脂層之表面積層玻璃基板之方法的玻璃積層體之製造方法進行說明。

使玻璃基板積層於固定在支持基材之樹脂層之表面之方法並無特別限定，可使用公知之方法而實施。例如可列舉：於常壓環境下將玻璃基板重疊於樹脂層之表面之後，使用加壓室使樹脂層與玻璃基板壓接之非接觸壓接方法；使用輥或加壓機使樹脂層與玻璃基板壓接之方法等。根據利用加壓室、輥、加壓機等進行壓接之方法，樹脂層與玻璃基板進一步密接，故而較佳。又，根據利用氣體之加壓、及利用輥或加壓機之壓接，相對容易將混入至樹脂層與玻璃基板之間之氣泡去除，因此較佳。若藉由真空層壓法或真空壓製法進行壓接，則可更良好地抑制氣泡之混入或確保良好之密接，因此更佳。根據於真空下進行壓接之方法，亦有如下優點：即便於殘留微少之氣泡之情形時，亦不會因加熱而使氣泡成長，不易導致玻璃基板之應變缺陷。

於使支持體與玻璃基板積層時，較佳為將玻璃基板之表面充分洗淨，於清潔度較高之環境下進行積層。雖然即便異物混入至樹脂層與玻璃基板之間，亦不存在因樹脂層變形而對玻璃基板之表面之平坦性造成影響之情況，但清潔度越高則其平坦性越良好，因此較佳。

<顯示裝置用面板之構成構件>

於本發明中，顯示裝置用面板之構成構件18係指於使用玻璃基板16之LCD、OLED等顯示裝置中形成於玻璃基板16上之構件或其一部分。

例如，於LCD、OLED等顯示裝置中，在玻璃基板16之表面形成有TFT陣列(以下，簡稱為「陣列」)、保護層、彩色濾光片、液晶、包含ITO之透明電極等、各種電路圖案等構件、或將該等組合而成者。

又，例如於包含OLED之顯示裝置中，可列舉形成於玻璃基板16上之透明電極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。

包含玻璃基板16及構成構件18之顯示裝置用面板40為形成有上述構件之至少一部分之玻璃基板。因此，例如形成有陣列之玻璃基板16或形成有透明電極等之玻璃基板16為顯示裝置用面板40。

<附支持體之顯示裝置用面板>

於圖示例中，附支持體之顯示裝置用面板10係由支持基材12、樹脂層14、玻璃基板16、及顯示裝置用面板之構成構件18所構成。

再者，附支持體之顯示裝置用面板10亦包含例如將於玻璃基板16之第1主面16A形成有陣列之附支持體之顯示裝置用面板之陣列形成面、與於玻璃基板之第2主面16B形成有彩色濾光片之另一附支持體之顯示裝置用面板之彩色濾光片形成面經由密封材等貼合而成的形態。

又，由此種附支持體之顯示裝置用面板10可獲得顯示裝置用面板40。即，可自附支持體之顯示裝置用面板10將玻璃基板16與固定於支持基材12之樹脂層14剝離，而獲得具有顯示裝置用面板之構成構件18及玻璃基板16之顯示裝置用面板40。

又，由此種顯示裝置用面板可獲得顯示裝置。作為顯示裝置，例如可列舉LCD、OLED等。作為LCD，例如可列舉TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Effect，場效應)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型等。

<附支持體之顯示裝置用面板之製造方法>

上述附支持體之顯示裝置用面板10之製造方法並無特別限定，較佳為於上述玻璃積層體30之玻璃基板16表面上形成顯示裝置用面板之構成構件18之至少一部分。

於玻璃積層體之玻璃基板表面上形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分的方法並無特別限定，可根據顯示裝置用面板之構成構件之種類而實施先前公知之方法。

例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體之玻璃基板之第2主面16B上形成有機EL結構體，進行以下各種層形成或處理：於玻璃基板之第2主面16B上形成透明電極之步驟、進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層等之步驟、形成背面電極之步驟、使用密封板進行密封之步驟等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。該等構成構件之形成亦可為顯示裝置用面板所需之全部構成構件之形成之一部分。於此情形時，將形成有該一部分構成構件之玻璃基板自樹脂層剝離之後，於玻璃基板上形成其餘構成構件而製造顯示裝置用面板。

<顯示裝置用面板之製造方法>

獲得上述附支持體之顯示裝置用面板之後，可進而將附支持體之顯示裝置用面板10中之玻璃基板16之第1主面16A與樹脂層14之剝離性表面剝離，而獲得顯示裝置用面板40。

如上所述，於剝離時之玻璃基板上之構成構件為顯示裝置用面板所需之全部構成構件之形成之一部分之情形時，其後於玻璃基板上形成其餘構成構件而製造顯示裝置用面板。

將玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面剝離之方法並無特別限定。

具體而言，例如，可於玻璃基板與樹脂層之界面***鋒利之刀具狀者，並於賦予剝離之契機後，例如吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。

較佳為以附支持體之顯示裝置用面板之支持基材成為上側、面板側成為下側之方式設置於壓盤上，並將面板側基板真空吸附於壓盤上，於該狀態下首先使刀具進入玻璃基板-樹脂層界面。而且，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基材側，並自***有刀具之部位附近依序使真空吸附墊上升。如此，於樹脂層與面板側玻璃基板之界面形成空氣層，且該空氣層擴散至整個界面，而可容易地將支持基材剝離。再者，於在附支持體之顯示裝置用面板之兩面積層有支持基材之情形時，對各個單面依序反覆進行上述剝離步驟。

又，獲得上述顯示裝置用面板之後，可進而使用所獲得之顯示裝置用面板製造顯示裝置。此處，獲得顯示裝置之操作並無特別限定，例如可利用先前公知之方法製造顯示裝置。

例如，於製造TFT-LCD作為顯示裝置之情形時，可與先前公知之於玻璃基板上形成陣列之步驟、形成彩色濾光片之步驟、使形成有陣列之玻璃基板與形成有彩色濾光片之玻璃基板經由密封材等貼合之步驟(陣列-彩色濾光片貼合步驟)等各種步驟相同。

更具體而言，作為該等步驟中所實施之處理，例如可列舉：純水洗淨、乾燥、成膜、抗蝕液塗佈、曝光、顯影、蝕刻及抗蝕液去除。

進而，作為於實施陣列-彩色濾光片貼合步驟之後所進行之步驟，有液晶注入步驟及實施上述處理後所進行之注入口之密封步驟，可列舉該等步驟中所實施之處理。

[實施例]

對於以下所示之實施例中所製作之玻璃積層體，進行以下所示 之項目之評價。

<實施例1>

準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm之玻璃基板(「AN100」、線膨脹係數38×10^-7/℃之由不含鹼金屬氧化物之硼矽酸玻璃構成之玻璃板：旭硝子公司製造)作為支持基材，進行純水洗淨、UV(ultraviolet，紫外線)洗淨而淨化表面，從而獲得已使表面清潔化之支持基材。

其次，將作為線狀聚矽氧化合物(a)(以下，亦稱為「成分(a)」)之含乙烯基之甲基聚矽氧烷(乙烯基濃度：0.904mmol/g、25℃下之黏度：560mPas、數量平均分子量(Mn)：10,100、每1分子之平均乙烯基數：9、乙烯基以外之鍵結於矽原子之有機基全部為甲基、荒川化學公司製造)、作為線狀聚矽氧化合物(b)(以下，亦稱為「成分(b)」)之含Si-H基之甲基聚矽氧烷(Si-H基濃度：6.85mmol/g、25℃下之黏度：20mPas、數量平均分子量(Mn)：1,000、每1分子之平均Si-H基數：7、鍵結於矽原子之有機基全部為甲基、荒川化學公司製造)、及作為環狀聚矽氧化合物(c)(以下，亦稱為「成分(c)」)之2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷(「D4Vi」、烯基濃度：11.6mmol/g、25℃下之黏度2~3mPas、東京化成工業公司製造)以Si-H基與乙烯基之莫耳比(氫原子/乙烯基)成為0.94之方式，且以成分(a)：成分(b)：成分(c)=84：14：2之質量比進行混合。

相對於該混合物100質量份，混合作為成分(d)之下述式(d-1)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物(沸點：120℃)1質量份。

HC≡C-C(CH₃)_2-O-Si(CH₃)₃‧‧‧式(d-1)

繼而，相對於成分(a)、成分(b)、成分(c)與成分(d)之合計量，以按鉑換算鉑金屬濃度成為100ppm之方式添加鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicones公司製造之CAT-PL-56)，獲得組合物之混合液。

其次，利用旋轉塗佈機將所獲得之混合液以縱200mm、橫200mm之大小塗敷於支持基材之第1主面上(塗敷量15g/m²)。進而，於210℃下在大氣中進行30分鐘之加熱硬化而形成硬化聚矽氧樹脂層，獲得支持體。

此時，藉由對旋轉塗佈機之轉數及塗敷量進行調節，而獲得使硬化聚矽氧樹脂層之膜厚於1~12μm之間不同而成之複數個支持體。

再者，本例中，於加熱硬化處理步驟中將作為反應抑制劑之式(d-1)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物(沸點：120℃)去除。

另一方面，對縱200mm、橫200mm、板厚0.2mm之玻璃基板(「AN100」、線膨脹係數38×10^-7/℃之由與上述玻璃相同之玻璃構成之玻璃板：旭硝子公司製造)進行純水洗淨、UV洗淨，而使玻璃基板之表面清潔化。

其後，使支持體與玻璃基板對準位置後，使用真空壓製裝置於室溫下使玻璃基板之第1主面與支持體之硬化聚矽氧樹脂層之剝離性表面密接，獲得玻璃積層體。

<實施例2>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=77：18：5以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

<實施例3>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=61：27：12以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

<實施例4>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=23：48：29以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層 體。

<實施例5>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=19：51：30以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

<比較例1>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=89：11：0(即，不使用成分(c))以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

再者，比較例1相當於專利文獻1所記載之態樣。

<比較例2>

除將成分(a)、成分(b)及成分(c)之質量比設為成分(a)：成分(b)：成分(c)=0：61：39(即，不使用成分(a))以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

<比較例3>

使用二乙烯苯(「DVB」、烯基濃度：15.4mmol/g、25℃下之黏度：0.7~1.3mPas、東京化成工業公司製造)代替上述成分(c)，且將成分(a)、成分(b)及DVB成分之質量比設為成分(a)：成分(b)：DVB成分=64：27：9，除此以外，依據與實施例1相同之順序製造玻璃積層體。

<評價>

對上述實施例及比較例中所獲得之積層玻璃基板前之支持體、及積層玻璃基板後之支持體(即玻璃積層體)進行下文所示之評價。將結果示於下述第1表。

《評價1》

首先，對於積層玻璃基板前之支持體，藉由目視確認硬化聚矽 氧樹脂層中產生之龜裂。

其次，使用表面粗糙度測定機「Surfcom」(東京精密公司製造之1400D-12)測定未確認到龜裂之硬化聚矽氧樹脂層之厚度。將該厚度中最厚之膜厚設為可不產生龜裂而形成樹脂層之「最大膜厚」。根據所獲得之「最大膜厚」之值，依據以下基準對硬化聚矽氧樹脂層之耐龜裂性進行評價。於實際使用中，較理想為並非「×」。

「○」：「最大膜厚」為8μm以上且12μm以下。

「△」：「最大膜厚」為4μm以上且未達8μm。

「×」：「最大膜厚」為1μm以上且未達4μm。

《評價2》

藉由目視確認使用評價1中判斷為「最大膜厚」之支持體之玻璃積層體之界面(即，硬化聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間)上產生之氣泡，並依據以下基準對積層性進行評價。若為「×」，則有氣泡於加熱時擴大之可能性，於實際使用中存在問題，故而較理想為並非「×」。

「○」：目視中未觀察到氣泡。

「△」：觀察到少量極微小之氣泡(直徑2mm以下之氣泡)。

「×」：確認到氣泡(直徑超過2mm之氣泡)。

《評價3-1》

樹脂分解之有無係藉由氣泡產生之有無來進行評價。即，不產生氣泡之情形時樹脂未分解。將評價2中於目視中未觀察到氣泡之玻璃積層體於氮氣氛圍下以450℃進行60分鐘之加熱處理，並冷卻至室溫，藉由目視對硬化聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化進行確認，依據以下基準進行評價。若為「×」則於實際使用中存在問題，故而較理想為並非「×」。再者，於未進行評價之情形時，在下述第1表中記載「-」。

「○」：目視中未觀察到發泡或白化，亦未確認到氣泡之擴大(直 徑超過2mm之氣泡)。

「×」：目視中觀察到發泡或白化，或者確認到氣泡之擴大(直徑超過2mm之氣泡)。

《評價3-2》

對評價3-1中進行加熱處理後之玻璃積層體進行剝離試驗。具體而言，準備寬度25mm及長度70mm之玻璃積層體，並使用精密萬能試驗機「Autograph AG-20/50kNXDplus」(島津製作所公司製造)進行玻璃基板之剝離(剝離速度：30mm/min)。此時，將厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具***至玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之界面而形成剝離之切口部之後，將玻璃基板完全固定，並提拉支持基材，依據以下基準對剝離之狀態進行評價。再者，於未進行評價之情形時，在下述第1表中記載「-」。

「○」：玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層發生界面剝離。

「×」：硬化聚矽氧樹脂層之一部分附著於玻璃基板。

於實施例1~5及比較例1~3中，均以Si-H基與乙烯基之莫耳比(氫原子/乙烯基)成為0.94之方式進行製備。因此，上述第1表所示之「饋入Si-H基濃度」越多，表示交聯越多。

又，上述第1表中所示之「莫耳比(C1_m×100/(A_m+C1_m))」相當於成分(c)之烯基相對於成分(a)之烯基與成分(c)之烯基之合計量的比率(莫耳比)之百分率。

如上述第1表所示，於使用D4Vi作為成分(c)之實施例1~5中，根據評價2，可獲得硬化聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間之氣泡之產生受到抑制的玻璃積層體，根據評價3-1，確認到所獲得之玻璃積層體即便於氮氣氛圍下以450℃進行60分鐘之加熱處理亦不存在硬化聚矽氧樹脂層之分解。進而，根據評價3-2，確認到於其後之剝離作業中，亦於玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之界面產生界面剝離。

再者，實施例1~5中，成分(c)之調配量較實施例5少之實施例1~4之可不產生龜裂而形成樹脂層之「最大膜厚」較實施例5厚，耐龜裂性更優異。認為其原因在於，實施例5中成分(c)之量略微過量，因此樹脂層變得略硬，但實施例1~4中成分(c)適量，樹脂層未過度變硬。

相對於此，關於不使用D4Vi作為成分(c)之比較例1，根據評價3-1，於加熱處理後確認到外觀之變化，並且根據評價3-2，無法進行界面剝離，樹脂層之一部分附著於玻璃基板。

又，關於不使用成分(a)之比較例2，根據評價1，耐龜裂性較差。認為其原因在於硬化聚矽氧樹脂層過度變硬。

又，關於使用DVB代替成分(c)之比較例3，根據評價2，於將玻璃基板積層之後確認到氣泡(直徑超過2mm之氣泡)，積層後之外觀評價較差。認為其原因在於硬化聚矽氧樹脂層之平坦性不良好。

[產業上之可利用性]

根據本發明，可提供即便於高溫加熱處理後亦可抑制分解之樹脂層之黏著劑組合物、包含該樹脂層之支持體、該支持體之製造方法及玻璃積層體。

再者，2014年5月29日提出申請之日本專利申請2014-111578號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之全部內容被引用至本文中，以本發明之揭示之形式併入。

10‧‧‧附支持體之顯示裝置用面板

12‧‧‧支持基材

12A‧‧‧支持基材之第1主面

12B‧‧‧支持基材之第2主面

14‧‧‧硬化聚矽氧樹脂層(樹脂層)

16‧‧‧玻璃基板

16A‧‧‧玻璃基板之第1主面

16B‧‧‧玻璃基板之第2主面

18‧‧‧顯示裝置用面板之構成構件

20‧‧‧支持體

30‧‧‧玻璃積層體

40‧‧‧顯示裝置用面板

Claims (19)

1. 一種黏著劑組合物，其特徵在於包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基。
2. 如請求項1之黏著劑組合物，其中上述聚矽氧化合物(b)包含線狀聚矽氧化合物。
3. 如請求項1或2之黏著劑組合物，其中上述聚矽氧化合物(b)包含環狀聚矽氧化合物。
4. 一種支持體，其特徵在於：其係具有支持基材、及設置於上述支持基材上之樹脂層，且係用以於上述樹脂層上積層玻璃基板者，上述樹脂層係使黏著劑組合物硬化而成者，該黏著劑組合物包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；線狀聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基。
5. 如請求項4之支持體，其中上述樹脂層係使進而包含具有鍵結於矽原子之氫原子之環狀聚矽氧化合物(c2)的黏著劑組合物硬化而成者。
6. 如請求項4或5之支持體，其中上述線狀聚矽氧化合物(a)之上述烯基之個數為每1分子中至少2個，且上述環狀聚矽氧化合物(c1)之上述烯基之個數為每1分子中至 少2個，或者上述環狀聚矽氧化合物(c2)之上述氫原子之個數為每1分子中至少3個。
7. 如請求項4或5之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中的上述線狀聚矽氧化合物(a)中之烯基之莫耳數(A_m)、上述線狀聚矽氧化合物(b)中之鍵結於矽原子之氫原子之莫耳數(B_m)、上述環狀聚矽氧化合物(c1)中之烯基之莫耳數(C1_m)及上述環狀聚矽氧化合物(c2)中之鍵結於矽原子之氫原子之莫耳數(C2_m)滿足下述式，C1_m×100/(A_m+C1_m)+C2_m×100/(B_m+C2_m)≧20。
8. 如請求項7之支持體，其中上述[C1_m×100/(A_m+C1_m)+C2_m×100/(B_m+C2_m)]之值為24~95。
9. 如請求項4至8中任一項之支持體，其中上述環狀聚矽氧化合物(c)為上述環狀聚矽氧化合物(c1)。
10. 如請求項4至9中任一項之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中之上述環狀聚矽氧化合物(c)之含量相對於上述線狀聚矽氧化合物(a)、上述線狀聚矽氧化合物(b)及上述環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量%為0.1~60質量%。
11. 如請求項10之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中之上述環狀聚矽氧化合物(c)之含量相對於上述線狀聚矽氧化合物(a)、上述線狀聚矽氧化合物(b)及上述環狀聚矽氧化合物(c)之合計100質量%未達30質量%。
12. 如請求項4至11中任一項之支持體，其中上述環狀聚矽氧化合物(c)之構成環之矽原子之個數為3~10個。
13. 如請求項4至12中任一項之支持體，其中上述環狀聚矽氧化合物(c)中之烯基之濃度或鍵結於矽原子之氫原子之濃度為0.5~44mmol/g。
14. 如請求項4至13中任一項之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中之鍵結於矽原子之全部氫原子相對於全部烯基的莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。
15. 如請求項4至14中任一項之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物包含鉑族金屬系觸媒。
16. 如請求項15之支持體，其中上述硬化性聚矽氧樹脂組合物進而包含活性抑制劑。
17. 如請求項4至16中任一項之支持體，其中上述支持基材為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
18. 一種支持體之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：準備支持基材；準備黏著劑組合物，該黏著劑組合物包含：線狀聚矽氧化合物(a)，其具有鍵結於矽原子之烯基；聚矽氧化合物(b)，其於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子；及環狀聚矽氧化合物(c1)，其具有鍵結於矽原子之烯基；及於上述支持基材上塗佈上述黏著劑組合物並使之硬化而形成樹脂層。
19. 一種玻璃積層體，其具有：如請求項4至17中任一項之支持體；及玻璃基板，其與上述支持體所具有之上述硬化聚矽氧樹脂層之上述剝離性表面側相接。