TW201533503A - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Yukihiro Kimura
Kenzo Fukuyoshi
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Toppan Printing Co Ltd
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    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
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Abstract

本發明的液晶顯示裝置(100)係具備：顯示部(110)，係依序積層有顯示基板(22)和液晶層(24)和陣列基板(23)，且以常態黑模式進行顯示；和控制部(120)，係控制前述顯示部(110)及觸控感應功能。前述顯示基板(22)具有：第1透明基板(10)；複數個光吸收性樹脂層圖案(1)，係依序積層於前述第1透明基板(10)之與前述液晶層(24)對向的面，且形成有開口部；形成有開口部的複數個金屬層圖案(2)；透明樹脂層(5)；以及電氣獨立的複數個透明電極圖案(6)。複數個前述光吸收性樹脂層圖案(1)及複數個前述金屬層圖案(2)係當從積層有前述顯示基板(22)、前述液晶層(24)及前述陣列基板(23)的積層方向觀看時，具有彼此相等的線寬，且形成為相同形狀而重疊。複數個前述金屬層圖案(2)係在相互絕緣的狀態下排列配置在與前述積層方向正交的第1方向。複數個前述透明電極圖案(6)係在相互絕緣的狀態下排列配置在前述積層方向及分別與前述第1方向正交的第2方向。前述金屬層圖案(2)的每一者具有以銅為主材料之合金層及銅層之至少一者。前述液晶層(24)所具有的液晶分 子具備負的介電各向異性並且初始配向為垂直配向，前述顯示部(110)係以常態黑模式進行顯示。前述陣列基板(23)具有：第2透明基板；和積層在前述第2透明基板之與前述液晶層(24)對向的面之像素電極、薄膜電晶體、金屬配線及絕緣層。前述控制部(120)係將複數個前述透明電極圖案(6)設為恒電位，對複數個前述金屬層圖案(2)施加觸控驅動電壓，檢測前述金屬層圖案(2)與前述透明電極圖案(6)之間的靜電電容的變化，且將複數個前述透明電極圖案(6)設為恒電位，對前述像素電極施加顯示用液晶驅動電壓，以驅動前述液晶層(24)，並且使前述觸控驅動電壓的頻率與前述液晶驅動電壓的頻率彼此相異。

Description

液晶顯示裝置
本發明係關於將觸控感應功能內建於液晶面板，且係關於開口率高和辨識性優異的液晶顯示裝置。此外，本發明可提供一種液晶顯示裝置，其係使用適合於觸控感應用電極的低電阻金屬層圖案，且具備透過光的遮光性佳且金屬層圖案的反射色大致為黑色的觸控感應電極。換言之，本發明係關於將靜電電容方式觸控感應功能內建於液晶胞內之稱為內嵌式(in-cell)的液晶顯示裝置。
本發明係依據2014年2月28日在日本申請的特願2014-038821號主張其優先權，並將其內容引用於此。
近年來，液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置，為了達成明亮的顯示或低耗電，需要高開口率。此等顯示裝置中，為了區分像素以提升顯示的對比，通常，使用將作為黑色色材的碳等分散於感光性樹脂中而形成的黑矩陣。
(黑矩陣的遮光性)
為了確保顯示的對比而以包圍像素的形態配設的黑矩陣，其為了得到高遮光性，通常會在玻璃等的透明基板上，利用使碳等的色材分散於樹脂而得的黑色樹脂形 成為1μm(微米)以上之較厚的膜厚。特別是，在複數個像素配置成矩陣狀而得之顯示面周圍的4邊的邊框部，即在邊框狀的黑矩陣，在以透過測定的光學濃度，要求5以上或6以上的高遮光性。背光單元的光容易從邊框部漏洩，邊框部需有比形成於顯示面的黑矩陣更高的光學濃度。
(黑矩陣的細線化)
在行動電話等小型行動裝置用的顯示裝置中，伴隨著200ppi(pixel per inch)以上進而300ppi以上的高清晰化，黑矩陣的細線化與高遮光性同時受到期望。藉由將黑矩陣高清晰化，因像素寬縮窄為30μm以下，所以黑矩陣的膜厚所導致之彩色濾光片的平坦性的劣化會暴露出來。300ppi以上之高清晰的顯示裝置的黑矩陣，其細線的寬度必須為4μm以下。
此外，例如，因為黑矩陣的遮光性高，所以難以利用光微影術的方法穩定地製造4μm以下之細線的黑矩陣圖案。遮光性高的黑矩陣材料，難以在其膜厚方向使曝光時的光完全地穿透，因此，形成黑矩陣的薄膜容易在顯影等的步驟中被剝離。此外，為了提升遮光性，以光微影術的兩次步驟，即以2層形成細線的寬度為4μm以下的黑矩陣，就對準的觀點來看極為困難。黑矩陣在2次步驟的形成中，因為對準的誤差，所以容易導致線寬變化或產生顯示不均。在彩色濾光片等的一般步驟中，為了在大型的透明基板上形成複數個畫面，所以通常需要±2μm的對準邊際(alignment margin)。因此，在光微影術的2次步驟中形成黑矩陣是有困難的。
(顯示裝置的觸控感應功能)
就直接輸入液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置之手段而言，有在此等顯示裝置貼附靜電電容方式的觸控面板之手段、在顯示裝置之例如與液晶層相接的部位設置與觸控感應對應的元件之手段等。設置與觸控感應對應的元件之手段，被稱為內嵌式。此內嵌式有使用靜電電容方式、光感應器之方式等。在顯示裝置本身可用手指或筆等的指示器進行輸入的內嵌式觸控感應技術，多應用靜電電容方式。在此靜電電容方式中，需要有如專利文獻1至6所揭示之用來檢測靜電電容的複數個2組電極群。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本專利第2653014號公報
專利文獻2 日本特表2009-540375號公報
專利文獻3 日本專利第4816668號公報
專利文獻4 國際公開第2013/089019號
專利文獻5 國際公開第2013/018736號
專利文獻6 日本特開2012-98687號公報
此處，專利文獻1至6有以下所示之問題。在專利文獻1中，如段落[0018]，[0019]所揭示，揭示有利用由Al(鋁)、Cr(鉻)等金屬所形成的靜電電容耦合而 可輸入空間座標之2組電極群。然而，專利文獻1的技術有許多的缺點。例如，在段落[0019]記載有2組遮光性電極發揮作為黑矩陣之功能。雖然記載了具有遮光性的導電體為Al、Cr等的金屬，但是此等金屬由於具有高的光反射率，所以在明亮的室內或有太陽光的戶外，反射光明顯，會大幅降低顯示品質。而且，在專利文獻1中，未揭示關於使用為了獲得顯示裝置的對比而適用於諸多顯示裝置的黑色色材之黑色層圖案及彩色濾光片、和前述2組電極之顯示裝置在厚度方向的位置關係，且未充分地記載包含透過-反射的彩色顯示。
再者，Al(鋁)不具有耐鹼性，難以與例如形成紅像素、綠像素及藍像素的光微影術步驟(有使用鹼性顯影液的步驟)整合。更具體而言，在使用著色感光性樹脂將紅像素等著色圖案進行鹼性顯影的一般彩色濾光片步驟中，由於Al會溶解於鹼性顯影液，所以難以適用於彩色濾光片步驟。關於Cr，在為了形成圖案而採用濕式蝕刻步驟的情況，會有因Cr離子而造成環境汚染的虞慮。採用乾式蝕刻步驟時，所使用的鹵素氣體的危險性等。
在專利文獻2中，如專利文獻2的請求項1~請求項3、請求項35、請求項45、請求項60等所記載，提案有在與屬第1基板的TFT板之第2基板對向的面，配置至少一個觸控要素之構成。專利文獻2的請求項4記載有，記載有在黑矩陣的背面配置有複數個金屬觸控感知電極之構成。
專利文獻2之技術的主要內容係如專利文獻1的請求項1~3中某些記載所示，在明示有關觸控感應之觸控要素的具體構成方面，專利文獻2的技術是重要的技術。此外，除了專利文獻1的段落[0015]外，還記載有利用電荷檢測之筆輸入方式用的電極手段兼具AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display)之構成要素的功用。
然而，專利文獻2的技術未考量液晶顯示裝置的最適化，特別是未考量透過率。又，關於觸控感應時之雜訊降低的技術之考量、觀察者觀看液晶顯示裝置時之辨識性的改善都很少。
此外，關於在黑矩陣的背面配置有複數個金屬觸控感知電極，未詳述黑矩陣的圖案與複數個金屬觸控感知電極的圖案。由專利文獻2的圖57、圖72可判斷黑矩陣與符號M1所示的金屬等的圖案，其等的大小不同。專利文獻2未揭示將黑矩陣與金屬等的圖案以相同線寬形成之技術。例如，未具體記述300ppi以上之像素的高清晰化。
又，保持此等符號M1所示之金屬等的圖案、和使用於觸控感應之ITO等對向電極的靜電電容之方法、及觸控感應時的雜訊降低或用以提升S/N比的具體方式，在專利文獻2中幾乎沒有揭示。再者，例如，圖36所示的構成中，來自ITO或金屬BM的光反射會射入觀察者的眼，和降低圖57所示之黑矩陣的反射率以實現低反射率之辨識性改善的技術，於專利文獻2中並未有 所考量。也未考量反射到圖57的符號M1的液晶之反射光(液晶胞內的再反射)。如圖57或圖58所示，黑矩陣的寬度比M1(金屬1)的寬度廣。這是因為在一般的光微影術步驟中必須容許±2μm左右的對準精度，所以一般來說難以使黑矩陣的寬度與M1的寬度相等。專利文獻2的[0150]段落記載有60fps之顯示框更新速率、和120fps的觸控掃描速率。然而，120fps之觸控掃描速率的觸控掃描，係在60fps的顯示框更新速率內包含兩次(120fps為60fps的2倍)。因此，會變成在此時序包含與60fps之顯示框更新時的顯示相關的雜訊。容易包含液晶驅動的雜訊之顯示框更新速率的整數倍的觸控掃描速率是不理想的。
專利文獻2的技術從作為液晶顯示裝置而發揮功能之透過率、觀察者的辨識性、觸控感應時的雜訊降低或S/N比的觀點來看，不是成熟的技術。
專利文獻3係揭示將對配置在液晶顯示裝置的液晶層附近之共用電極施加的顯示用驅動電壓作為觸控感測器用驅動信號使用之技術。亦如專利文獻3的圖4、圖5、圖7及圖8所揭示，共用電極係配置在比檢測電極配置離手指等的指示器還遠的位置，對共用電極施加驅動信號(驅動電極)。
專利文獻3未揭示藉由手指等的指示器在配置於較近位置的電極作為與觸控感應相關的驅動電極使用之構成。此外，也未揭示將與觸控相關的驅動電極，從接近觀察者的位置依序積層光吸收性樹脂層及銅合金而構成 之技術。專利文獻3的技術，從用來發揮作為液晶顯示裝置之功能的透過率、觀察者的辨識性、觸控感應時的雜訊降低或S/N比的觀點來看並未最佳化。
專利文獻4係如專利文獻的請求項1所示，揭示利用在同一平面上鄰接配設的第1單元電極和第2單元電極之靜電電容方式的觸控面板基板。例如，在專利文獻4的圖3(a)、(b)揭示在絕緣性遮光層6上積層導電層7之構成。
又，揭示分別包含有：如圖3(a)的A-A’剖面圖之圖1所示未形成有絕緣性遮光層6的部分；和如圖3(a)的B-B’剖面圖之圖2所示在絕緣性遮光層6上形成有導電層7的部分。
專利文獻4的圖2中，由於絕緣性遮光層6的寬度寬廣，會有導致像素之開口部的開口率降低之問題。相反地，在圖1，由於導電層7係透過透明絕緣基板被辨識，所以導電層7的反射光會射入觀察者的眼睛，有使辨識性大幅降低之問題。此外，如專利文獻4的段落[0071]所記載，導電層7具有透過接觸孔與使可視光穿透之位置檢測電極9電性連接的功用，導電層7並不具有進行利用靜電電容之檢測的功用。
在專利文獻4未揭示在透明絕緣性基板之與液晶相接的面，例如隔著透明樹脂層等的絕緣層，使屬位置檢測電極9之感測電極和驅動電極正交而積層的構成。此外，未揭示將絕緣性遮光層6與導電層7在俯視下以同一形狀及同一尺寸形成之技術。
專利文獻4所揭示的技術亦包含接觸孔形成，具有構成極為複雜的問題。從開口率的觀點來看，不能說在專利文獻4中有提案辨識性良好的觸控面板基板。
在專利文獻5中揭示一種顯示裝置，其係將包含選擇自In、Ga、Zn的元素之氧化物層作為主動元件的半導體層使用，具備由寫入畫像資料的第1期間、和進行檢測對象物位置的檢測之感測之第2期間所構成的1幀期間。在位置檢測部，複數個第1電極和複數個第2電極係以交叉的方式設置。如專利文獻5的圖4或圖24所示，在俯視中，複數個第1電極及複數個第2電極係分別鄰接，且如專利文獻5的請求項3所記載在鄰接的部位以電容耦合。
圖2係顯示關於專利文獻5的技術之在與TFT基板在俯視下的水平方向垂直的方向上配列的像素配列，圖4及圖24中係顯示朝約45度方向以狹縫(slit)分割的菱形形狀第1電極、第2電極。
在專利文獻5的技術中，像素電極形狀與上述菱形形狀之第1電極、第2電極在俯視下的位置整合的狀態不明確。且未揭示將朝約45度方向以狹縫分割的第1電極、第2電極作為共用電極Com使用時之最合適的液晶。假定垂直配向的液晶時，可判斷約45度方向的狹縫會對例如液晶配向或液晶的透過率帶來不好的影響。如專利文獻5的段落[0143]、[0144]以及如圖13所示，導電層27和邊緣電極7是由相同的金屬層形成。然而，並未揭示將第1電極或第2電極的一者以金屬層和 黑矩陣之兩層構成的技術。未揭示例如，積層具有同一形狀及同一尺寸之光吸收性樹脂層圖案和金屬層圖案之觸控感應用驅動電極。
有鑑於以上的狀況，具有觸控感應功能的液晶顯示裝置中期望有例如以下所示的性能。亦即，為了減少手指或筆等的指示器之觸控感應時的雜訊，期望靜電電容方式之上述2組的複數個電極群具有低電阻值。特別是，複數個電極群係位在更接近手指等的指示器的位置，且為了防止驅動電壓之波形的鈍化，關於觸控感應之驅動電極(掃描電極)的電阻值需要為低值。此外，與驅動電極正交之檢測電極的電阻值亦以低較佳。
專利文獻6的請求項1揭示有在與配列於第1方向之複數個共用電極圖案交叉的第2方向配列之黑矩陣圖案。又，在其實施形態及圖1揭示有可理解為縱向電場方式之液晶顯示裝置。然而，專利文獻6的共用電極為使用於觸控感應的驅動電極，且為液晶顯示的驅動電極，各自的驅動信號被施加到共用電極。且如[0061]段落、[0024]段落等所記載，屬觸控驅動的第1幀和屬畫像顯示的第2幀，係以沒有重疊的時序的分時被驅動。並沒有揭示例如，將共用電極設定為0(零)伏特等的恒電位，使觸控驅動和液晶驅動以不同的頻率驅動。此外，作為構成黑矩陣的導電性不透明導電性物質之鉻(Cr)或鉻氧化物(CrOx)以外的材料，並未揭示於專利文獻6中。再者，專利文獻6並未考慮在鉻(Cr)或鉻氧化物(CrOx)的情況產生之高的光反射率。鉻一般會有40%左右的光 反射，即便是鉻氧化物亦具有約10%至30%的高光反射率，會使顯示裝置的辨識性大幅降低。
如上所述，適用於顯示裝置的前述複數個電極群的表面必須有低反射率。在太陽光等明亮的戶外光線射入顯示裝置的顯示面的情況，一旦前述複數個電極群的光反射率變高時(反射率不低時)，就會大幅降低顯示品質。例如，當以鋁或鉻的單層或此等的金屬與氧化鉻之2層構成，形成1組電極群時，戶外光線的反射率變大，會損及顯示的辨識性。為了使設置於液晶顯示裝置之陣列基板的背面之背光單元所發出的再反射光減少，複數個電極群表面的反射率宜為低。當反射光射入TFT(Thin Film Transistor)等的主動元件時，主動元件會錯誤作動，對畫像顯示造成不良影響。
在以下所示之本發明實施形態的構成中，藉由將開口率高的驅動電極、和可確保透過率的檢測電極(透明電極)、和在縱向電場驅動的垂直配向的液晶層於涵蓋其厚度方向的整體活用，來提升液晶顯示的透過率。在使用水平配向的液晶層之稱為IPS(In Plane Switching)或FFS(Fringe Field Switching)的橫向電場之液晶驅動方式的顯示裝置中，比起使用垂直配向的液晶層之顯示裝置，正面透過率較低。再者，在稱為IPS或FFS的橫向電場之液晶驅動方式的顯示裝置中，與縱向電場方式相比較，朝液晶層施加驅動電壓時之液晶分子作動的傳遞等選擇像素對鄰接像素的影響較大，會產生混色的問題。如此，在橫向電場的液晶驅動方式中，像素愈高清晰化，此混色的缺點變得愈顯著。
本發明係有鑑於上述問題點而開發者，本發明的第1目的是在提供一種內建觸控感應功能，使開口率提升，並且外觀黑色且具有低電阻的驅動電極，辨識性佳，透過率(開口率)高的液晶顯示裝置。
又，本發明的第2目的是在以簡單構成且以高精度提供關於手指等的指示器之位置檢測性能高的液晶顯示裝置。
為了解決上述課題，本發明提案以下的手段。
本發明之一態樣的液晶顯示裝置係具備：顯示部，係依序積層有顯示基板和液晶層和陣列基板，且以常態黑模式進行顯示；和控制部，控制前述顯示部及觸控感應功能。前述顯示基板具有：第1透明基板；複數個光吸收性樹脂層圖案，係依序積層於前述第1透明基板之與前述液晶層對向的面，且形成有開口部；形成有開口部的複數個金屬層圖案；透明樹脂層；以及電氣獨立的複數個透明電極圖案。複數個前述光吸收性樹脂層圖案及複數個前述金屬層圖案係當從積層有前述顯示基板、前述液晶層及前述陣列基板的積層方向觀看時，具有彼此相等的線寬，且形成為相同形狀而重疊。複數個前述金屬層圖案係在相互絕緣的狀態下排列配置在與前述積層方向正交的第1方向。複數個前述透明電極圖案係在相互絕緣的狀態下排列配置在前述積層方向及分別與前述第1方向正交的第2方向。前述金屬層圖案的每一者 具有以銅為主材料之合金層及銅層的至少一者。前述液晶層所具有的液晶分子具備負的介電各向異性(dielectric anisotropy)並且初始配向為垂直配向，前述顯示部係以常態黑模式進行顯示。前述陣列基板具有：第2透明基板；和積層在前述第2透明基板之與前述液晶層對向的面之像素電極、薄膜電晶體、金屬配線及絕緣層。前述控制部係將複數個前述透明電極圖案設為恒電位，對複數個前述金屬層圖案施加觸控驅動電壓，檢測前述金屬層圖案與前述透明電極圖案之間的靜電電容的變化，且將複數個前述透明電極圖案設為恒電位，對前述像素電極施加顯示用液晶驅動電壓，以驅動前述液晶層，並且使前述觸控驅動電壓的頻率與前述液晶驅動電壓的頻率彼此相異。
在此，透明電極圖案(透明電極)亦可為介設有高電阻體而接地且具有恒電位之檢測電極。此時，複數個金屬層圖案係發揮作為使用於觸控感應驅動之驅動電極的功能。施加於恒電位的前述透明電極圖案與前述像素電極間之液晶驅動電壓的頻率，係與觸控感應驅動(觸控驅動電壓)的驅動電壓的頻率不同。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，從前述積層方向觀看時，前述透明電極圖案亦可在前述第2方向與前述金屬層圖案之3個以上的前述開口部重疊。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，前述像素電極係配置在前述絕緣層之與前述液晶層對向的面，前述陣列基板亦可為具有配置在前述絕緣層之與前 述像素電極相反側的輔助電容電極，從前述積層方向觀看時，前述輔助電容電極的一部分係與前述像素電極重疊，前述輔助電容電極的剩餘部分沒有與前述像素電極重疊。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，前述光吸收性樹脂層圖案所含的主要光吸收材亦可為碳，前述光吸收性樹脂層圖案之每1μm厚度的光學濃度亦可為0.4以上1.8以下，前述光吸收性樹脂層圖案的厚度亦可為0.1μm以上0.8μm以下。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，前述薄膜電晶體亦可具備通道層，其包含鎵、銦、鋅、錫、鍺及鋁當中之兩種以上的金屬氧化物。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，前述金屬層圖案的每一者亦可由複數個層所構成，複數個前述層的至少一者亦可為前述合金層。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，前述金屬層圖案的每一者亦可具有前述合金層，前述合金層所含的合金元素亦可選擇自鎂、鈣、鈦、鉬、銦、錫、鋅、鋁、鈹、鎳之一個以上的元素。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中前述金屬層圖案的每一者亦可由複數個層所構成，複數個前述層中最接近前述第2透明基板的前述層亦可為銅銦合金層。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為在複數個前述透明電極圖案上，具備電阻率比前述透明電極圖案的電阻率小的輔助導體。
在本發明之一態樣的液晶顯示裝置中，在前述光吸收性樹脂層圖案的前述開口部、及前述金屬層圖案的前述開口部，亦可具備有由紅層形成的紅像素、由綠層形成的綠像素及由藍層形成的藍像素之任一者，此等紅像素、綠像素及藍像素係在前述積層方向被***複數個前述金屬層圖案與前述透明樹脂層之間，且從前述積層方向觀看時分別鄰接而配設。
以下，將有關觸控感應的電極連同檢測電極和驅動電極一起稱為觸控電極。
驅動電極係如以下詳述，具有光吸收性樹脂層和金屬層之2層構成。以下的記載中，將驅動電極稱為黑色電極，且將黑色電極的圖案稱為黑色圖案。
本發明的一態樣係可提供藉由使開口率提升，而使例如透過率提升，且使辨識性提升之液晶顯示裝置。又，根據本發明的一態樣，可提供具備例如關於手指等的指示器之位置檢測的性能高，且電阻值小且反射率低之黑色電極之液晶顯示裝置。
又，在本發明的一態樣中，於第1透明基板和金屬層圖案之間具備有光吸收性樹脂層圖案。因此，在液晶面板的黑顯示時，例如，藉由形成於陣列基板的第2透明基板之複數個金屬配線(源極線，閘極線)等，可使色調或反射色配合表框(顯示部周圍的黑色邊框)的黑色，而可提升辨識性。再者，可提供開口率，同時具有觸控感應功能之液晶顯示裝置。再者，可活用垂直配向液晶的特點之高度黑顯示。
此外，本發明的一態樣，係提案連高清晰化的像素尺寸都可彈性地因應且可提升耐雜訊性之觸控電極，其與外附的觸控面板不同，也可用筆輸入來因應。
1‧‧‧光吸收性樹脂層圖案
1a、2a‧‧‧像素開口部(開口部)
2‧‧‧金屬層圖案
4‧‧‧黑色電極
4a‧‧‧像素開口部
5‧‧‧透明樹脂層
6‧‧‧透明電極圖案
10‧‧‧第1透明基板
10a‧‧‧主面(面)
16‧‧‧輔助導體
20‧‧‧第2透明基板
20a‧‧‧第2透明基板的主面
22、22A、22B‧‧‧液晶顯示裝置用基板(顯示基板)
23、23B‧‧‧陣列基板
24‧‧‧液晶層
25、25a、25b‧‧‧像素電極
28、28a‧‧‧絕緣層
40‧‧‧金屬配線
45‧‧‧薄膜電晶體
46‧‧‧通道層
56a、56b‧‧‧輔助電容電極
100‧‧‧液晶顯示裝置
110、111、112‧‧‧顯示部
120‧‧‧控制部
B‧‧‧藍像素
G‧‧‧綠像素
R‧‧‧紅像素
R6、R8‧‧‧重疊部(一部)
R7、R9‧‧‧突出部(剩餘部分)
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
Z‧‧‧積層方向
圖1為本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的方塊圖。
圖2為本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的顯示部之側面的剖面圖。
圖3為本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的黑色電極之俯視圖。
圖4為本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的黑色電極及透明電極圖案之俯視圖。
圖5為將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的陣列基板的一個像素放大顯示之俯視圖。
圖6為將習知液晶顯示裝置的顯示部連同電力線一起示意地顯示之剖面圖。
圖7為習知液晶顯示裝置的顯示部連同等電位線一起示意地顯示之剖面圖。
圖8為習知液晶顯示裝置的顯示部的變形例連同等電位線一起示意地顯示之剖面圖。
圖9為顯示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的主要部位的位置關係之俯視圖。
圖10為顯示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的主要部位的位置關係之俯視圖。
圖11為顯示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置用基板的製造方法之流程圖。
圖12為說明本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的觸控電極的作用之剖面圖。
圖13為說明本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置的觸控電極的作用之剖面圖。
圖14為本發明之第2實施形態的顯示部中的側面之剖面圖。
圖15為本發明之第2實施形態的顯示部之俯視圖。
圖16為圖15中之切斷線A1-A1之剖面圖。
圖17為圖15中之切斷線A2-A2之剖面圖。
圖18為本發明之第4實施形態的顯示部中的側面之剖面圖。
圖19為說明本發明之第4實施形態的顯示部的作用之剖面圖。
[用以實施發明的形態]
以下，一面參照圖式，一面說明關於本發明的實施形態。此外，以下的說明中，關於相同或實質上相同的功能及構成要素，係附註相同的符號，並省略說明或僅在必要時才進行說明。
在各實施形態中，係就特徵部分進行說明，例如，關於與一般的顯示裝置的構成要素沒有差異的部分等，則省略說明。又，各實施形態係以液晶顯示裝置作為主要例進行說明，但如同在各實施形態中也有部分記載 般，亦可同樣地適用於有機EL顯示裝置之類的其他的顯示裝置。
(第1實施形態)
以下，一邊參照圖1至圖13，一邊說明本發明之液晶顯示裝置的第1實施形態。此外，在以下的所有圖式中，為了使圖式容易觀看，所以使各構成要素的厚度或尺寸的比例適當地相異。
如圖1所示，本實施形態的液晶顯示裝置100具有：顯示部110，和用以控制顯示部110及觸控感應功能的控制部120。
如圖2所示，顯示部110具有以下構成：液晶顯示裝置用基板(顯示基板)22和液晶層24和陣列基板23，以液晶顯示裝置用基板22、液晶層24、陣列基板23的順序積層而成。顯示部110係以常態黑模式(Normally Black Mode)進行顯示。亦即，顯示部110是以將液晶顯示裝置用基板22之後述的第1透明基板10、和陣列基板23之後述的第2透明基板20隔著液晶層24相向的方式貼合所構成。
此外，「相向」意指：透明基板10、20分別形成有後述金屬層圖案2等觸控電極的面、與形成有後述像素電極25、薄膜電晶體45等功能元件等的面相向。將積層液晶顯示裝置用基板22、液晶層24及陣列基板23的方向設為積層方向Z(垂直方向)。又，「與積層方向正交」意指：第1透明基板10與陣列基板23之從第1透明基板10朝積層方向觀看時，光吸收性樹脂層圖案1及金屬層圖案2與透明電極圖案6正交的位置關係。
(液晶顯示裝置用基板的示意構成)
液晶顯示裝置用基板22具有以下構成：在第1透明基板10之與液晶層24對向主面(面)10a，複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個金屬層圖案2、透明樹脂層5及複數個透明電極圖案6係以複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個金屬層圖案2、透明樹脂層5及複數個透明電極圖案6的順序積層而成。如上所述，以光吸收性樹脂層圖案1及金屬層圖案2構成黑色電極4。作為第1透明基板10，可使用例如玻璃基板。
如圖3所示，複數個光吸收性樹脂層圖案1及複數個金屬層圖案2，當從與積層方向Z平行的方向觀看時(俯視時)形成為同一形狀，完全地重疊而沒有一部分偏離。
亦即，複數個光吸收性樹脂層圖案1及複數個金屬層圖案2為同一尺寸。由於複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個金屬層圖案2、及複數個光吸收性樹脂層圖案1和複數個金屬層圖案2重疊的複數個黑色電極4的形狀彼此相同，故以下以複數個金屬層圖案2的形狀為代表進行。
(金屬層圖案)
在一個金屬層圖案2，於與積層方向Z正交的第1方向X排列形成有6個像素開口部(開口部)2a，於分別與積層方向Z及第1方向X正交的第2方向Y上，排列形成有例如480個像素開口部2a。此等第1方向X、第2方向Y係沿著第1透明基板10的主面10a之方向。複 數個金屬層圖案2係在彼此電性絕緣的狀態下排列配置於第1方向X。各個金屬層圖案2延伸於第2方向Y。
像素開口部2a可設成例如至少2邊平行的多角形狀。
就2邊平行的多角形狀而言，例如有：長方形、六角形、V字形狀(doglegged shape)等。作為圍繞此等多角形像素的周圍的邊框形狀而言，可作成電氣關閉的形狀。此等圖案形狀係藉由在俯視時為電氣關閉的圖案、或開放一部分的(外觀上設有未連結的部分)圖案，來使液晶顯示裝置周邊之電氣雜訊的拾取方式改變。或者，藉由金屬層圖案2的圖案形狀或面積，來使液晶顯示裝置周邊的電氣雜訊的拾取方式改變。
各金屬層圖案2係具有以銅作為主材料之合金層及銅層的至少一者。此處所謂以銅作為主材料的合金層意指：在合金層中以重量比例包含有比50%更多的銅之合金層。又，銅層意指由純銅所形成的層。
在以合金層的薄膜形成金屬層圖案2的情況，一旦將膜厚(厚度、積層方向Z的長度)設為100nm(奈米)以上或150nm以上，則金屬層圖案2幾乎不會透過可視光。因此，本實施形態之金屬層圖案2的膜厚只要為例如100nm至200nm左右，則可獲得充分的遮光性。此外，如後所述，可將金屬層圖案2在積層方向Z的一部形成作為含氧的金屬層。
各個金屬層圖案2亦可由複數個層構成。於此情況下，複數個層的至少一個為合金層。此外，金屬層圖案2亦可以單一層構成。
在各個金屬層圖案2具有合金層的情況，在合金層中除了銅以外所包含的合金元素，較佳為從鎂、鈣、鈦、鉬、銦、錫、鋅、鋁、鈹、鎳所選擇的一個以上的元素。藉由以此方式構成，可提高金屬層圖案2與玻璃基板、樹脂的密接性。雖銅是耐鹼性優異，且電阻小的優異導體，但是對於玻璃、樹脂的密接性不足。藉由將銅合金化設成以銅作為主材料的合金層，可改善金屬層圖案2與玻璃基板、樹脂的密接性。
在合金層中將合金元素添加於銅中的量，若是3at%以下，則合金層的電阻值不會大幅升高，所以是理想的。將合金元素添加於銅中的量若為0.2at%以上，則合金層的薄膜與玻璃基板等的密接性會提升。包含本實施形態在內，形成以下的實施形態中之金屬層圖案2的金屬，在以下的記載中沒有特別說明時，即設成鎂1at%的合金層(鎂以外為銅)。鎂1at%之合金層的電阻值與銅單體的電阻值沒有太大的不同。
合金層係可藉由例如使用濺鍍法的真空成膜形成。合金元素亦可為以在合金層的積層方向Z上產生濃度梯度的方式添加銅。合金層的積層方向Z的中央部分亦可為99.8at%以上的銅。在金屬層圖案2的積層方向Z，亦可使與光吸收性樹脂層圖案1接觸之面的合金元素的量、或使與光吸收性樹脂層圖案1接觸之面相反側的面之合金元素的量，產生比金屬層圖案2之積層方向Z的中央部分的合金元素的量還高的濃度梯度。
又，在合金層的成膜步驟中，以在合金層中與光吸收性樹脂層圖案1接觸的面作為起點，例如，於積層方向Z上在2nm至20nm範圍的接觸層中，於成膜時導入氧，可作成含有氧的層。成膜時氧的導入量相對於氬等基本氣體(base gas)的導入量，可設成例如10vol%。此接觸層係藉由包含例如5at%以上的氧，可提升具有接觸層之金屬層圖案2的密接性。
若將基底氣體中的氧含量設成從15vol%至超過15vol%的值，則密接性不會提升。包含此合金層的接觸層之金屬層圖案2的總膜厚，可設成例如102nm至320nm。
藉由將含氧的接觸層形成於金屬層圖案2的表面，亦可使金屬層圖案2本身的反射率降低，可增加藉由黑色電極4的低反射效果。換言之，以銅為主材料的合金層，相較於純銅的層，光的反射率較低，所以可減少由此合金層透過光吸收性樹脂層圖案1的反射光。
此外，就鎳來說，可以含有4at%以上的鎳作為銅-鎳合金的方式以適用於本發明的實施形態。例如，將含有4at%以上的鎳之銅-鎳合金，首先以5nm至20nm的膜厚，意圖地含有5at%以上的氧而形成。接著，將銅-鎳合金以實質上不含氧之100nm至300nm左右的膜厚進行積層，藉此可形成反射率為30%以下的觸控感應用電極。
藉由使銅-鎳合金含有5at%以上的氧，在銅-鎳合金的表面的反射光會成為黑色。藉由將光吸收性樹脂層圖 案1***第1透明基板10與作為銅-鎳合金的金屬層圖案2之界面，可使黑色電極4的反射率成為2%以下。
在液晶顯示裝置用基板22中，於顯示面側，亦即若從第1透明基板10觀看，黑色電極4係發揮低反射的黑矩陣之作用。
又，在本發明的實施形態的構成中，金屬層圖案2由於是分別以細線形成圍繞像素周圍的邊框形狀或矩陣形狀，所以可使伴隨於金屬層圖案2邊緣的靜電電容(邊緣電容，參照圖12)增加。此時，與金屬層圖案2正交的寬幅條紋狀的透明電極圖案6可設成恒電位。恒電位是指包含0(零)伏特、經由高電阻接地時的電位、或偏移至正負任一者的一定電位。在恒電位的透明電極圖案6與金屬層圖案2之間施加矩形波或交流電壓的檢測驅動電壓，而檢測各金屬層圖案2的邊緣電容(fringe capacitance)(邊緣電容的變化)。因手指等指示器(pointer)P的觸控所產生的邊緣電容(伴隨於邊緣部而產生的靜電電容)係如圖13的示意圖所示大幅地減少。亦即，將手指等進行觸控前後的靜電電容進行減法運算(檢測變化)，可獲得大邊緣電容的差(靜電電容的變化)，可大幅提升觸控感應的S/N比。在本發明的實施形態中，由於所檢測的邊緣電容的變化大，所以例如可設成低驅動電壓，相較於高驅動電壓的情況可減少雜散電容的影響。
此外，作為觸控感應的驅動電壓(觸控驅動電壓)，對交流電壓或基於矩形波的電壓施加偏移(offset)(賦予 偏電壓)時，恒電位可設成交流電壓等中央值的電壓(平均值)。觸控感應的驅動電壓被施加於後述的金屬層圖案2。與金屬層圖案2對向之透明電極圖案6的電位沒有被限定為0(零)伏特的恒電位，只要在畫像顯示或觸控感應之間，保持在一定的電位即可。因此，恒電位不限定為0(零)伏特。藉由設成低驅動電壓，可減少消耗電力。
例如，使用兩種金屬層圖案2(黑色電極4)，進行觸控感應時靜電電容的演算(減法運算)，可進行雜訊補償。例如，兩種金屬層圖案2，係可改變兩種金屬層圖案2之每一者的長度，且使金屬層圖案2的面積相等。藉由將此兩種金屬層圖案2的邊緣電容的差進行減法運算，可消除伴隨於金屬層圖案2的雜訊。各個金屬層圖案2的面積係可以例如顯示部外側的表框(bezel)部分(邊框部分)等的形狀進行調整。金屬層圖案2的形狀，為了減輕從外部進入液晶顯示裝置的干擾雜訊(以下，稱為外部雜訊)的影響，可調整圖案的大小或形狀。亦可將金屬層圖案2的一部分設為開放系(俯視的圖案設有無相連的部分)。較佳為將觸控感應的驅動頻率設成與主要的外部雜訊的平均頻率不同的頻率。
例如，在如上述專利文獻4的圖11所示之彼此鄰接且配設在同一平面上的2組觸控電極構造中，難以如本發明的實施形態所示獲得大的邊緣電容的差或觸控感應前後之靜電電容的變化，且難以因應在高清晰像素中之筆的輸入。
各金屬層圖案2係如圖3所示，例如在第1方向X以6個像素開口部2a作為單位進行區分。各金屬層圖案2係以相互成為電性絕緣的狀態的方式，亦即，以相互電氣獨立的方式排列配置在第1方向X而形成有圖案。在與第1方向X相鄰的金屬層圖案2之間形成有屬間隙的間隔部15。
藉由金屬層圖案2例如在第1方向X排列320個，液晶顯示裝置用基板22的像素數量成為1920×480。所區分的像素單位係可因應觸控感應的精度或使用目的進行調整。
金屬層圖案2係可當作檢測藉觸控感應產生之靜電電容的變化之檢測電極，或當作觸控感應的驅動電極(觸控驅動電極或掃描電極)使用。
將黑色電極設為以觸控感應的驅動電極，對透明電極圖案6進行電極檢測時，可使觸控感應的驅動條件與液晶的驅動條件(頻率或電壓等)相異。藉由使觸控感應的驅動頻率與液晶的驅動頻率不同，可降低觸控感應驅動及液晶驅動彼此的影響。例如，可將觸控感應的驅動頻率設為數KHz~數十KHz，將液晶驅動的頻率設為60Hz~240Hz。再者，亦可以分時進行觸控感應驅動與液晶驅動。
將黑色電極使用於驅動電極(掃描電極)時，可配合所要求的觸控的輸入速度任意地調整靜電電容檢測的掃描頻率。再者，為了獲得快速的響應性，亦可不掃描所有的複數個黑色電極，而掃描從所有的黑色電極中所選 擇的黑色電極(所選擇的黑色電極的數量比所有的黑色電極的數量少)(疏化掃描)。
此外，以下，針對將金屬層圖案2主要使用作為驅動電極的情況進行說明。
複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個黑色電極4亦以與金屬層圖案2相同的方式，分別形成有像素開口部(開口部)1a、像素開口部4a。在於第1方向X相鄰的光吸收性樹脂層圖案1、黑色電極4之間，分別形成有間隔部15。於第1方向X上相鄰的光吸收性樹脂層圖案1、黑色電極4係分別電性絕緣。
在像素開口部4a中，像素開口部1a及像素開口部2a係於積層方向Z重疊。
複數個黑色電極4係如圖2所示配置於第1透明基板10與透明樹脂層5的界面。
在構成黑色電極4的光吸收性樹脂層圖案1及金屬層圖案2中，於靠近觀察者的位置配設有光吸收性樹脂層圖案1。
因此，可獲得辨識性佳之低反射的“黑”。然而，金屬層圖案2因為是設置於靠近液晶層的位置的金屬面，所以從背光單元射出的光會被金屬層圖案2反射，反射光射入薄膜電晶體的通道層46。在此種構造中，為了避免光射入此通道層46，在位於Z方向(積層方向)的金屬層圖案2與通道層46之間的部位，例如可形成包含通道層46上部的遮光圖案作為第2黑矩陣。第2黑矩陣可以後述的光吸收性樹脂形成、或者亦可以遮光性金屬薄膜的單層或與光吸收性樹脂層的積層構成形成。
(光吸收性樹脂層圖案)
光吸收性樹脂層圖案1係為例如電性絕緣體。作為光吸收性樹脂層圖案1所具有的光吸收性的主要黑色色材，可使用碳、奈米碳管(以下，稱為「CNT」)、金屬微粒子等。亦可在光吸收性樹脂層圖案1的膜厚方向改變碳或CNT的濃度。亦可將光吸收性樹脂層圖案1設成以碳作為主要的光吸收材的光吸收樹脂層、和以CNT作為主要的光吸收材的光吸收性樹脂層之兩層構成。在黑色色材上，為了進行顏色調整，亦可添加各種有機顏料。使用碳作為「主要的光吸收材」意味：按黑色色材的顏料的重量比例，碳為51%以上。光吸收性樹脂層圖案1係防止光反射到觀察者。在觀察者的眼中，光吸收性樹脂層圖案1被辨識為「黑」色。
光吸收性樹脂層圖案1藉由透過測定的光學濃度可設成例如未達2。例如，較佳為，光吸收性樹脂層圖案1藉由透過測定之厚度每1μm的光學濃度為0.4以上1.8以下，且光吸收性樹脂層圖案1的膜厚為0.1μm以上0.8μm以下。因應需要，光學濃度或膜厚可設定為前述的數值範圍外，惟較佳為以在第1透明基板10與光吸收性樹脂層圖案1的界面的光反射率未達2%之方式，調整光吸收性樹脂層圖案1之厚度每1μm的碳量。
當在界面的光反射率超過2%時，常態黑的液晶顯示裝置中之顯示畫面的黑色，與邊框(表框)的顏色(通常是黑色)看起來有色差。從設計性的觀點來看，較佳為以在第1透明基板10與光吸收性樹脂層圖案1的界面的光反 射率未達2%之方式，調整黑色色材的顏色或碳量。又，光吸收性樹脂層亦可利用折射率彼此相異之不同樹脂的複數個層形成。使用於光吸收性樹脂層之樹脂的折射率宜為較低。
此外，常態黑的顯示係可藉由將所使用的兩片偏光板配置成正交尼科耳(crossed Nicol)而獲得。垂直配向的液晶層可獲得比水平配向的液晶層更高的黑顯示。此乃因在水平配向的液晶層中，難以將偏光板的光軸與液晶層的配向軸嚴密地對準，所以在黑顯示中容易產生些微的漏光。在垂直配向的液晶層中，不需要進行相對於常態黑(黑顯示)的偏光板的光軸對準。垂直配向且縱向電場的液晶顯示裝置，係如上所述在常態黑的黑顯示優異。例如，在將低反射率的黑矩陣配設於透明基板的觀察者側的構成中，配合此垂直配向所伴隨的黑顯示，可獲得高品質的“黑”。
光吸收性樹脂層圖案1的光學濃度或色調，係可以碳等的黑色色材、或將複數個有機顏料添加於碳的量進行調整。光吸收性樹脂層圖案1係可將感光性的黑色塗布液塗布於第1透明基板10而曝光並顯影成所期望的圖案，進一步藉由熱處理等進行硬膜化而獲得。
感光性黑色塗布液係可以例如在將可與有機溶劑光交聯的丙烯酸樹脂和起始劑及/或藉由加熱硬化產生的硬化劑混合而成的混合材料中，分散碳等的方式製作。
未含有藉由光產生的起始劑，僅添加藉油加熱硬化產生的硬化劑，可製作熱硬化式黑色塗布液。所謂本發 明實施形態中以碳為主要的黑色色材是指，在所有的顏料比例中以超過51重量%的比例添加有碳的黑色塗布液。
黑色電極4的膜厚，即光吸收性樹脂層圖案1與金屬層圖案2的總膜厚較佳為1μm以下。在黑色電極4的膜厚較薄的情況下，可縮小表面的凹凸或突起，例如，可抑制液晶的配向不良等。例如，可將光吸收性樹脂層圖案1的膜厚設為700nm，將金屬層圖案2的膜厚設為180nm，此時之黑色電極4的整體膜厚成為880nm(0.88μm)。當黑色電極4的厚度薄時，積層後述的紅層、綠層及藍層等著色層的彩色濾光片容易變平坦。
本發明實施形態的黑色電極4由於係將遮光性高的金屬層圖案2使用於其構成，所以可使光吸收性樹脂層的膜厚變薄、或可降低光學濃度。如此，在光吸收性樹脂層形成薄的膜厚的情況，或者在光吸收性樹脂層的光學濃度低的情況，在光微影術的解析度得以提升。
透明樹脂層5係可藉由具熱硬化性的丙烯酸樹脂等形成。在此例子中，透明樹脂層5的膜厚設為1.5μm。透明樹脂層5的膜厚係可在金屬層圖案2與透明電極圖案6電性絕緣的範圍任意地設定。前述之光吸收性樹脂層圖案1或透明樹脂層5亦可為例如積層折射率等光學特性彼此相異的複數個層之構成。
如圖2及圖4所示，複數個透明電極圖案6係在透明樹脂層5上，例如以在第2方向Y成為彼此絕緣的狀態之方式，即以彼此電氣獨立的方式排列配置。 透明電極圖案6係在透明樹脂層5上，形成與金屬層圖案2正交且延伸於第1方向X的條紋狀。
此外，例如，在300ppi以上的高清晰液晶顯示裝置中，由圖4所示的積層方向Z觀看時，較佳為各透明電極圖案6在第2方向Y上與金屬層圖案2之3個以上的像素開口部2a重疊。透明電極圖案6在第2方向Y上重疊的像素開口部2a的數量，除了3個以外，亦可為6個或9個等。
藉由以此方式構成，由於係在第2方向Y將3個以上的像素開口部2a彙整掃描，所以可縮短掃描顯示部110整體所需要的時間。
透明電極圖案6係以稱為ITO(Indium Tin Oxide)的導電性金屬氧化物形成，在此例中，透明電極圖案6的膜厚為140nm，但不限定於此膜厚。透明電極圖案6係與金屬層圖案2成對的另一觸控電極。
此外，在透明電極圖案6上，如後所述，為了降低電阻值，可具備延伸於圖案的長邊方向(條紋的長度方向，第1方向X)之金屬膜細線作為輔助導體。
透明電極圖案6係可作為觸控感應時的檢測電極使用。
在本發明的實施形態中，有關觸控感應的黑色電極4、透明電極圖案6均設置於第1透明基板10與液晶層24相接的面(主面10a)。將上述電極的任一者形成於第1透明基板10的表面(與主面10a相反側的面)時，第1透明基板10的厚度會影響，對黑色電極4與透明電極圖案 6之間的邊緣電容形成產生不良影響。當所形成的邊緣電容小時，會造成觸控檢測時的S/N比降低。
如圖3及圖4所示，在複數個金屬層圖案2及複數個透明電極圖案6，可設置作為電極取出部的端子部61。此等端子部61較佳係配置在由複數個像素開口部4a所界定之整體矩形的顯示區域外之端子部61的區域D。
複數個金屬層圖案2不需要全部都作為觸控感應的驅動電極使用，例如，可以在第1方向X使用間隔3條的金屬層圖案2(在3條中將2條金屬層圖案2疏化(去除)，可掃描1條金屬層圖案2)等的方式，將金屬層圖案2疏化(thinning)而驅動(掃描)。沒有使用作為驅動電極的金屬層圖案2亦可作成電性浮動的形狀(浮動圖案(floating pattern))。浮動圖案亦可藉由開關元件切換到驅動電極以進行高清晰的觸控感應。或者，浮動圖案(floating pattern)亦可切換到接地(與框體接地)。
透明電極圖案6係可在液晶驅動時設成恒電位的共用電位。或者，可使所有的透明電極圖案6以不存在有高電阻體的方式接地。高電阻的值可設成例如數giga ohm至數peta ohm的範圍。代表性地，可設成1 tera ohm至50tera ohm。然而，在液晶顯示的薄膜電晶體的通道層設為IGZO(登錄商標)等氧化物半導體的情況下，為了緩和容易產生液晶顯示的像素的殘影，亦可使用比1giga ohm還低的電阻。
又，在觸控感應中，在沒有設置靜電電容的重置電路之簡易控制中，為了該靜電電容的重置，亦可使用比1giga ohm低的電阻。
藉由增加金屬層圖案2的疏化(thinning)數以減少掃描線數，可降低驅動頻率且可減少消耗電力。反之，利用高密度的掃描，藉由確保高精度並高清晰化，例如可活用於指紋認証等。觸控感應的掃描線數亦可利用其控制部進行調整。恒電位未必意味“0(零)”伏特，亦可設成驅動電壓的高低的中間值。亦可設成偏置的驅動電壓。透明電極圖案6由於為恒電位，故亦可以與驅動液晶之像素電極的驅動頻率不同的頻率，驅動觸控電極(黑色電極)。雖然亦可將液晶驅動與觸控感應用的驅動予以分時，但由於透明電極圖案6為恒電位，所以亦可不使液晶驅動與觸控感應用的驅動進行分時驅動，而分別以不同的頻率驅動。然而，如後所述，將薄膜電晶體45的通道層46設為IGZO等的氧化物半導體時，可容易進行分時驅動。
此外，作為液晶驅動的共用電極的Vcom係包含一般藉液晶驅動的幀反轉的交流矩形信號，例如，按各幀(frame)施加±2.5V的交流電壓。本發明的技術中，如此的驅動所需要的交流電壓沒有作為恒電位處理。本發明的技術中的恒電位的電壓變動，必須為至少比液晶驅動的閾值(Vth)小且一定的電壓變動以內的恒電位。
陣列基板23係如圖2及圖5所示，在第2透明基板20之與液晶層24相對的主面(面)20a，具有複 數個像素電極25、複數個薄膜電晶體45、金屬配線40及絕緣層28。更具體而言，在第2透明基板20的主面20a上，藉由複數個絕緣層28設置有複數個像素電極25及複數個薄膜電晶體45。此外，在圖2中沒有顯示薄膜電晶體45，在圖5中沒有顯示絕緣層28。
金屬配線40具有複數條信號線(源極線)41、掃描線(閘極線)42及輔助電容線43。信號線41、掃描線42及輔助電容線43全部都具有鈦與銅的2層構成。
各像素電極25係具有周知的構成，配置成在絕緣層28之與液晶層24相對的面，與黑色電極4的像素開口部4a對向。
金屬配線40亦可以具有複數個層的多層構成形成。於此情況，複數個層的至少一個為銅層或銅合金層等，其他的層可設成鈦或鉬等高熔點金屬的層。又，亦可將金屬配線40在水平配向的CNT上積層銅等的良導電率金屬而構成。
各薄膜電晶體45的通道層46係可以多晶矽等矽系半導體或氧化物半導體形成。薄膜電晶體45的通道層46較佳為包含IGZO(登錄商標)等的鎵、銦、鋅、錫、鍺及鋁中之2種以上的金屬氧化物的氧化物半導體。此種薄膜電晶體45由於記憶性高(洩漏電流少)，所以容易保持液晶驅動電壓施加後的像素電容。因此，可作成省略輔助電容線43的構成。在後述之點反轉驅動的情況，若使用記憶性良好的IGZO等，則將透明電極圖案設成一定的電壓(恒電位)時，亦可省略定電壓驅動所需要的保持電容(儲存電容：storage capacitor)。
於通道層46使用IGZO等氧化物半導體的薄膜電晶體45，其電子移動度高，例如可以2msec(毫秒)以下的短時間將所須的驅動電壓(影像信號)施加於像素電極25。例如，倍速驅動(1秒間的顯示場景數為120幀的情況)的1幀為約8.3msec，例如可將6msec分配到觸控感應。由於屬透明電極圖案6的驅動電極為恒電位，故亦可不將液晶驅動與觸控電極驅動進行分時驅動。可使驅動液晶之像素電極的驅動頻率與觸控電極的驅動頻率相異。又，與從源極線傳送影像信號到薄膜電晶體的時序同步作動的雜訊濾波器，亦可組入控制部。雜訊濾波器只要在例如上述2msec以下的短時間期間作動即可。IGZO等氧化物半導體由於電氣耐壓高，故能以高的電壓將液晶進行高速驅動，較能實現3D等的三維影像顯示。將IGZO等氧化物半導體使用於通道層46的薄膜電晶體45由於如上所述記憶性高，所以具有例如即便液晶驅動頻率為0.1Hz至120Hz左右的低頻率，亦難以產生閃頻(顯示的閃爍)之優點。藉由使用以IGZO等作為通道層的電晶體，且併用低頻率的點反轉驅動、和以與點反轉驅動的頻率不同的頻率驅動的觸控驅動，能以低消耗電力，同時獲得高畫質的影像顯示與高精度的觸控感應。
此外，將氧化物半導體使用於通道層46的薄膜電晶體45由於如前所述洩漏電流少，所以可長時間保持施加於像素電極25的驅動電壓。將主動元件的信號線、掃描線、輔助電容線等以配線電阻比鋁配線小的銅配線形成，進而使用可在短時間驅動的IGZO等作為主 動元件，藉此，觸控感應的掃描之時間容限(time margin)變廣，可高精度地檢測所發生之靜電電容的變化。藉由將IGZO等氧化物半導體適用於主動元件，可縮短液晶等的驅動時間，在顯示畫面整體的影像信號處理中，適用於觸控感應的時間可具有充分的余裕，可減少伴隨於影像信號的雜訊。
汲極電極36係從薄膜電晶體45延線到像素中央，且經由接觸孔44與作為透明電極的像素電極25電性連接。源極電極35係從薄膜電晶體45延伸而與信號線41電性連接。
液晶層24所具有的液晶分子(省略配向膜、液晶分子的圖示)，係初始配向方向為與液晶顯示裝置用基板22及陣列基板23各自的面垂直的配向、即積層方向Z，使用於所謂的VA方式(Vertically Alignment方式：使用垂直配向的液晶分子的縱向電場方式)的液晶驅動方式。
以下說明的實施形態中，均在液晶層24的厚度方向、即積層方向Z，於透明電極圖案6與像素電極25之間施加液晶驅動電壓。
一般，將在液晶層的厚度方向施加驅動電壓的形式稱為縱向電場方式。縱向電場方式的液晶層，比起橫向電場方式(稱為(IPS：In Plane Switching)或FFS(Fringe Field Switching)的水平配向，使液晶在水平方向旋轉的方式)，正面透過率高約20%的程度。此正面透過率意指將液晶顯示裝置從相對於其顯示面的法線方向(本實施 形態的積層方向Z)觀察時的亮度。橫向電場方式的液晶顯示裝置在高清晰化時容易朝鄰接像素產生漏光。
在此，使用圖6至圖8，簡單說明FFS方式之液晶顯示裝置的顯示部的透過率低的理由。
圖6係將稱為IPS或FFS之橫向電場驅動方式的習知顯示部200示意地顯示的剖面圖。液晶層206的初始配向係與透明基板207的面平行的水平配向。以在位於液晶層206下部的像素電極208、與隔著絕緣層209位在像素電極208下部的共用電極210之間所施加的液晶驅動電壓驅動液晶層206。其結果，在像素電極208與共用電極210之間形成電力線L1。
此外，在液晶層206的上部，依序配置有透明樹脂層213、彩色濾光片214及透明基板215。
液晶層206在厚度方向的一部分的有效厚度R1主要影響液晶層206的透過率。本發明實施形態所述的縱向電場驅動方式中，液晶層24(例如，參照圖2)之大致整體的厚度會影響透過率，相對地，在橫向電場驅動方式的FFS液晶顯示方式中，只有一部分的有效厚度R1影響液晶層206的透過率。因此，橫向電場的驅動方式的正面亮度(透過率)比縱向電場的驅動方式還低。
圖7係表示在顯示部200施加液晶驅動電壓時的等電位線L2之示意圖。當在透明基板215側不存在透明電極、導電膜的情況下，等電位線L2係貫穿透明樹脂層213、彩色濾光片214及透明基板215而朝上部延伸。在等電位線L2延伸於液晶層206的厚度方向的情 況，由於可確保某程度的液晶層206的有效厚度，所以可確保橫向電場驅動方式之顯示部200的本來透過率。
如圖8所示之習知顯示部200A所示，思考除了前述顯示部200的各構成外，在液晶層206與透明樹脂層213之間具備對向電極221的情況。於此情況，由於等電位線L3沒有貫穿對向電極221，所以等電位線L3的形狀係自前述等電位線L2的形狀變形。
此時，液晶層206的有效厚度變得比顯示部200的液晶層206的有效厚度薄，顯示部200A的亮度(透過率)大幅降低。
因此，前述專利文獻2的請求項1~5所載的觸控螢幕由於有透過率的問題，所以難以適用於橫向電場驅動方式的顯示部。因此，可推斷關於專利文獻2的請求項1~5之觸控螢幕的主要對象的顯示部為縱向電場驅動方式的液晶顯示裝置。然而，專利文獻2未詳述以縱向電場驅動的液晶層。再者，專利文獻2未揭示關於包含液晶配向的亮度，並不明確。在專利文獻2中，未探討觸控螢幕構成對顯示部的亮度(透過率)的影響。
再次對液晶顯示裝置100進行說明。
液晶層24未圖示的液晶分子具有負的介電各向異性。液晶顯示裝置100具備未圖示的偏光板。此偏光板為正交尼科耳，進行常態黑顯示。根據本發明的實施形態，可提供將低反射的黑色電極的優點、和使用負的介電各向異性的液晶之垂直配向的黑顯示的優點皆活用，且具有辨識性優異的觸控感應功能之液晶顯示裝置。
液晶分子係藉由在透明電極圖案6與像素電極25之間朝積層方向Z施加電壓，在初始配向使沿積層方向Z配向的液晶分子倒向與積層方向Z交叉的方向，進行ON顯示(白顯示)。
此外，液晶分子亦可具有正的介電各向異性。在配向膜的配向處理，可使用光配向。
(輔助導體)
在複數個透明電極圖案6上，為了使電極的電阻降低，可形成輔助導體。輔助導體亦可以與金屬層圖案2相同的材料形成、或者亦可以鋁合金的薄膜形成。鋁合金係可作成在鋁添加有0.2at%~3at%範圍內的合金元素之合金。合金元素可由鎂、鈣、鈦、銦、錫、鋅、釹、鎳、銅等中選擇一個以上。輔助導體的電阻率係以小於透明電極圖案6的電阻率較佳。
在圖9所示的俯視圖中，輔助導體16延伸於第1方向X，且以通過像素開口部4a的第2方向Y的中央部之線狀(條紋狀)圖案形成。於此情況，較佳為例如在積層方向Z觀察時，將輔助導體16形成於與陣列基板23的輔助電容線43重疊的位置。藉由以此方式構成，可抑制開口率降低。
在圖10所示的俯視圖中，亦可將輔助導體16形成於由光吸收性樹脂層圖案1和金屬層圖案2所形成之觸控電極的圖案位置，換言之，形成在黑矩陣的位置。在黑矩陣的下部(比黑矩陣中的第1透明基板10靠近第2透明基板20的位置)，通常配置作為陣列基板23 的信號線(源極線)41、掃描線(閘極線)42及輔助電容線43之金屬配線40。
因此，藉由在供配置金屬配線40的位置形成輔助導體16，由積層方向Z觀看時，輔助導體16與金屬配線40重疊，可抑制開口率的降低。
在本實施形態中，透明電極圖案6係例如，在觸控感應時，作為觸控感應的檢測電極使用，在液晶驅動時，作為於像素電極25與透明電極圖案6之間施加驅動液晶的電壓之共用電極使用。在此液晶驅動中，可適用將像素電極25個別地選擇而驅動的點反轉驅動。位於金屬層圖案2與透明電極圖案中間的透明電極圖案6，係如上所述為恒電位，所以起因於觸控驅動的頻率與液晶驅動的頻率不同，而可獲得屏蔽效果。觸控感應和液晶驅動亦可在不同的時序分時進行，亦可同時並行地驅動。
如圖1所示，控制部120係具有周知的構成，具備有影像信號時序控制部121(第一控制部)、觸控感應-掃描信號控制部122(第二控制部)、系統控制部123(第三控制部)。
影像信號時序控制部121，係將複數個透明電極圖案6設為恒電位，並將信號傳送到陣列基板23的信號線41及掃描線42。藉由在透明電極圖案6和像素電極25之間朝積層方向Z對像素電極25施加顯示用液晶驅動電壓，進行驅動液晶層24的液晶分子之液晶驅動。藉此，使畫像顯示於陣列基板23上。將透明電極圖案6設為恒電位，在複數個像素電極25的每一者，經由薄膜電晶 體，個別地施加具有交流矩形波之影像信號。觸控感應-掃描信號控制部122，係將複數個透明電極圖案6設為恒電位，對複數個金屬層圖案2(黑色電極4)施加驅動電壓，檢測金屬層圖案2與透明電極圖案6之間的靜電電容(邊緣電容)的變化，進行觸控感應。
系統控制部123，亦可控制影像信號時序控制部121及觸控感應-掃描信號控制部122，將液晶驅動與靜電電容的變化之檢測交互地，即分時地進行。
(液晶顯示裝置用基板之製造方法的例子)
接著，就以上述方式構成之顯示部110中的液晶顯示裝置用基板22的製造方法進行說明。圖11為顯示液晶顯示裝置用基板22的製造方法之流程圖。
在光吸收性樹脂層的塗布形成(步驟S11)中，使用具有上述之熱硬化性的黑色塗布液。此光吸收性樹脂層是前述的光吸收性樹脂層圖案1之形狀被圖案化前的樹脂層。光吸收性樹脂層在經250℃的熱處理後的膜厚為0.7μm。光吸收性樹脂層的膜厚，係可在0.1μm~0.8μm的範圍進行調整。於黑色色材，使用碳微粒子。
亦可將光吸收性樹脂層以0.7μm以外的膜厚形成。藉由調整光吸收性樹脂層的膜厚和作為碳之黑色色材的濃度，可調整在第1透明基板10與光吸收性樹脂層圖案1的界面所產生的光反射。換言之，藉由調整光吸收性樹脂層圖案1的膜厚與黑色色材的濃度，可將產生於其界面的光反射設成1.8%以下。
對塗布形成的光吸收性樹脂層進行250℃的熱處理，使光吸收性樹脂層硬膜化。
在光吸收性樹脂層硬膜化後，利用濺鍍裝置，成膜鎂1at%的金屬層(步驟S12)。此金屬層是前述的金屬層圖案2之形狀被圖案化前的層。此外，在金屬層的成膜步驟的初期，以導入氬氣體為基本(base)，加入氧氣體10vol%的氣體條件中，將含氧的第1金屬層成膜0.01μm，然後，僅以基本的氬導入氣體，成膜0.17μm的第2金屬層，作成總膜厚為0.18μm之金屬層。
接著，塗布形成可鹼性顯影的感光性阻劑，使用光罩在金屬層上形成作為金屬層圖案2形狀的黑色圖案之阻劑圖案(步驟S13)。此阻劑圖案亦可在接下來的乾式蝕刻步驟中去除，惟亦可殘留一部分的膜厚，作為防止朝金屬層圖案2的液晶層側反射的膜使用。防止反射意指，例如，抑制從背光單元射出的光的再反射。
利用濕式蝕刻，將金屬層作成形成有像素開口部2a的金屬層圖案2(步驟S14)。
接著，以氧和氟系氣體作為導入氣體，藉由乾式蝕刻裝置，使用以濕式蝕刻形成的金屬層圖案2進行各向異性的乾式蝕刻，從光吸收性樹脂層形成光吸收性樹脂層圖案1(步驟S15)。乾式蝕刻是將光吸收性樹脂層以於其膜厚方向在俯視下成為與金屬層圖案2相同的線寬、形狀之方式，進行垂直加工直到第1透明基板10的表面露出為止。位於像素開口部的光吸收性樹脂層，係於乾式蝕刻時被去除，確保像素的開口。
進行水洗及乾燥而形成金屬層圖案2後，藉由在此金屬層圖案2上塗布鹼可溶性的感光性丙烯酸樹脂，而形成1.6μm膜厚的透明樹脂層5(步驟S16)。透明樹脂層5僅形成在顯示區域，顯示區域的周邊係藉由顯影去除，以金屬層圖案2的端子部61的區域露出的方式形成。
透明樹脂層5形成後，使用濺鍍裝置在透明樹脂層5上成膜稱為ITO的透明導電膜(步驟S17)。使用周知之光微影術的方法，將透明導電膜形成為透明電極圖案6(步驟S18)。透明電極圖案6和金屬層圖案2係分別排列成電氣獨立之複數個圖案，隔著透明樹脂層5配置在相互正交的方向上。此外，端子部61的區域亦積層有屬ITO的透明導電膜(透明電極的膜)。
使用於光吸收性樹脂層之樹脂的折射率宜為低。藉由調整樹脂的折射率、和碳等黑色色材的含量、及光吸收性樹脂層圖案1的膜厚，可將由第1透明基板10所觀看之來自第1透明基板10和光吸收性樹脂層圖案1的界面反射之光的反射率設為1.8%以下。
然而，樹脂的折射率有其限度，由前述的界面反射之光的反射率以0.2%為其下限。包含於黑色塗布液之丙烯酸樹脂等樹脂的固體含量為例如14質量%時，若將黑色塗布液的碳量設在大約6質量%至25質量%的範圍內，則光吸收性樹脂層圖案1之厚度每1μm的光學濃度可設為0.4至1.8。
當光吸收性樹脂層圖案1的膜厚為0.3μm時，有效的光學濃度為0.12至0.54。當光吸收性樹脂層圖案1的膜厚為0.7μm時，有效的光學濃度為0.28至1.26的範圍內。
顯示部110的液晶顯示裝置用基板22，係複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個金屬層圖案2、透明樹脂層5及複數個透明電極圖案6在第1透明基板10的主面10a，依序以複數個光吸收性樹脂層圖案1、複數個金屬層圖案2、透明樹脂層5及複數個透明電極圖案6的順積層而構成。
藉由以上的順序，製造液晶顯示裝置用基板22。
(觸控電極的作用)
接著，就以上述方式構成的顯示部110(特別是觸控電極)的作用進行說明。
根據此顯示部110，將透明電極圖案6作為觸控感應時的檢測電極使用，黑色電極4係可當作以一定的頻率施加電壓的掃描電極使用。
具體言之，如圖12所示，觸控感應用的靜電電容保持於黑色電極4與透明電極圖案6之間。在一般狀態下，於黑色電極4和透明電極圖案6之間施加驅動電壓，在黑色電極4的附近形成有電力線L6(邊緣電場)。此時，透明電極圖案6係經由高電阻接地。驅動電壓係作為例如交流的矩形信號而被施加至黑色電極4。
如圖13所示，例如，當手指等的指示器P接近或接觸到黑色電極4的顯示畫面時，電力線L6的分 布會崩潰，靜電電容流到指示器P，黑色電極4與透明電極圖案6之間的靜電電容減少。指示器P是否有觸控，可藉由如此的靜電電容的變化測得。一般來說，由於相鄰的黑色電極4的間隔小，所以指示器P會一次作用於複數個觸控電極。
關於本實施形態的黑色電極4，係包含利用以電阻值低的銅作為主材料的合金層及銅層之至少一者所形成的金屬層圖案2，可作為觸控感應時的驅動電極。關於本實施形態的透明電極圖案6，為了使電極的電阻降低，可將其圖案寬度變廣，此外，在透明電極圖案6上，可具備用以使電極的電阻降低用的前述輔助導體16。因此，依據本實施形態之靜電電容方式的2組複數個電極群，係可使伴隨其等的時間常數大幅降低，可大幅降低觸控感應時的檢測精度。
如以上說明，根據本實施形態的液晶顯示裝置100，複數個光吸收性樹脂層圖案1及複數個金屬層圖案2從積層方向Z觀看時係形成為同一形狀而重疊。因此，可加大像素開口部1a及像素開口部2a中貫穿於積層方向Z之部分的面積，而能提高開口率。
由於在各像素的周圍設有光吸收性樹脂層圖案1，所以像素的周圍係被辨識為黑色，可使顯示的對比提高，而提升辨識性。
由於液晶顯示裝置用基板22之相鄰的黑色電極4之間沒有設置像素電極25，故可提高觸控電極的靜電電容以提升指示器P之位置檢測的精度。
由於透明電極圖案6是由黑色電極4和像素電極25所共有，所以可減少顯示部110所具備的電極數而使顯示部110的構成簡單化。
由於透明電極圖案6的電位為恒電位，所以可設定發揮作為觸控電極之功能之黑色電極的驅動頻率或信號檢測的時序，而不依存於液晶的驅動頻率或時序。又，透明電極圖案6係位於觸控感應的黑色電極4和負責液晶驅動的像素電極25之間，具有屏蔽來自此等電極之雜訊的電屏蔽功能。沒有將驅動電壓供給到各觸控感應之黑色電極(驅動電極)的全部電極，藉由疏化而進行觸控位置檢測，可降低觸控感應的消耗電力。又，可將觸控電極的驅動頻率設成與液晶驅動的頻率不同的頻率、或更高的驅動頻率。一般，液晶驅動的頻率為60Hz、或此整數倍的驅動頻率。通常，觸控感應部位會受到伴隨液晶驅動的頻率而生之雜訊的影響。再者，一般的家庭電源為50Hz或60Hz的交流電源，在此種外部電源作動之電氣機器所產生的雜訊，容易被觸控感應部位拾取。因此，藉由將觸控驅動的頻率設成從50Hz或60Hz的頻率些微位移(shift)所得的不同頻率，可大幅降低來自液晶驅動或外部的電子機器之雜訊的影響。位移量亦可為些微量，例如亦可為自雜訊頻率位移±3%~±17%的位移量，可降低與雜訊頻率的干涉。例如，觸控驅動的頻率係可自數kHz~數百kHz的範圍，選擇不會與上述液晶驅動頻率或電源頻率干涉的不同頻率。藉由選擇不會與液晶驅動頻率、電源頻率干涉的不同頻率， 例如，可降低在點反轉驅動之耦合雜訊等雜訊的影響。再者，藉由將通道層設成IGZO等氧化物半導體，可大致消除在點反轉驅動之耦合雜訊的影響。原因在於，如上所述，使用IGZO等氧化物半導體的主動元件，因為可將屬影像信號之液晶驅動的矩形信號在極短的時間(例如，2msec)處理，且，因為使用IGZO等氧化物半導體的主動元件係具有可保持在影像信號施加後之液晶顯示的像素的電壓之記憶性，故在其保持期間之間不會有新的雜訊產生，可進一步減少在液晶驅動之雜訊的影響。在3D(立體影像)顯示的情況，除了一般的二維畫像外，還需要三維的在眼前的畫像、在較深處的畫像等複數個影像信號。因此，液晶驅動的頻率，必須有例如240Hz或480Hz等的高速驅動及許多的影像信號，此時，在可使觸控驅動頻率與液晶驅動頻率不同的本發明實施形態中，係如上所述可得到優異的優點。
例如，在將本發明的實施形態適用於能進行3D顯示的遊戲機等的情況下，可實現能進行高速、高精度的觸控感應輸入之機器。本發明係在遊戲機或現金自動提款機等手指等的觸控輸入頻率高的顯示器中特別有用。
本實施形態中，黑色電極4、即金屬層圖案2係延伸於第2方向Y，且透明電極圖案6係延伸於第1方向X。然而，亦可構成為黑色電極4延伸於第1方向X，且透明電極圖案6延伸於第2方向Y。
在本實施形態的液晶顯示裝置中，例如，藉由具備由紅色發光、綠色發光、藍色發光之3色LED所 形成的背光單元，且使用分別使3色發光與液晶顯示同步的場序方法，可進行彩色顯示。
使用包含紅色發光、綠色發光、藍色發光之3波長成分的白色LED時，例如，藉由使用具備如次之實施形態的彩色濾光片的液晶顯示裝置用基板，可進行彩色顯示。
(第2實施形態)
其次，參照圖14至圖17，說明本發明的第2實施形態，而在與前述實施形態相同的部位標註相同的符號以省略其說明，僅針對不同點進行說明。
如圖14所示，本實施形態的顯示部111係具備液晶顯示裝置用基板22A，以取代第1實施形態之顯示部110的液晶顯示裝置用基板22。液晶顯示裝置用基板22A，係在液晶顯示裝置用基板22之黑色電極4的各像素開口部4a，具備由紅層形成的紅像素R、由綠層形成的綠像素G以及由藍層形成的藍像素B之任一者而構成。此等紅像素R、綠像素G及藍像素B係在積層方向Z被***金屬層圖案2與透明樹脂層5之間，且在積層方向Z觀看時配設成相互鄰接。液晶層24係與第1實施形態同樣為垂直配向的液晶。
換言之，顯示部111係具備包含紅色和綠色和藍色之發光成分的白色LED素子作為背光，同時具備紅色和綠色和藍色的彩色濾光，藉此進行彩色顯示。
圖15係從第1透明基板10觀看顯示部111的俯視圖。在像素開口部4a，無間隙地配設有紅像素R、綠像素G及藍像素B之任一者。
如圖16所示，在第1透明基板10上及黑色電極4上，無間隙地配設有紅像素R、綠像素G及藍像素B的任一者作為彩色濾光片。紅像素R，綠像素G及藍像素B，係在丙烯酸樹脂等透明樹脂分別分散複數個有機顏料，而以周知的光微影術的方法形成。
在彩色濾光片上積層有透明樹脂層5。在透明樹脂層5上進一步積層有透明電極圖案6。透明電極圖案6，係例如可以被稱為ITO之導電性金屬氧化物等的透明導電膜形成，且利用周知的光微影術的方式形成圖案。
本實施形態中，透明電極圖案6，係例如在觸控感應時、即靜電電容變化的檢測時，作為觸控感應的檢測電極使用，在液晶驅動時作為於與像素電極25之間施加驅動液晶的電壓之共用電極使用。可將供給自複數個信號線的源極信號(source signal)，例如奇數行與偶數行交替地更換成正極性信號與負極性信號來賦予，進行鄰接之像素的點反轉驅動。或者，透明電極圖案6亦可作為驅動電極(掃描電極)，進行使正與負的極性反轉之共用電極反轉驅動。
如圖17所示，屬黑色電極4的部分圖案之各光吸收性樹脂層圖案1及金屬層圖案2，係藉由間隔部15電氣獨立。在間隔部15上，配設有彩色濾光片的顏色重疊部26，藉由2種顏色的重疊得以抑制自背光單元射出之光的透過。在顏色重疊部26中，較佳為紅像素R與藍像素B重疊。
雖未圖示，但在設有此種間隔部15的位置，於俯視下，設置於陣列基板23的信號線(源極線)41、掃描線(閘極線)42及輔助電容線43的任一者、或者與此等相同的金屬配線的圖案，係以堵塞間隔部15之方式配設。藉此構成，可消除來自背光單元的漏光。
以此方式構成的顯示部111，係可藉由在第1實施形態的液晶顯示裝置用基板的製造方法中，於金屬層圖案2的形成後，通過複數個像素開口部4a在金屬層圖案2和透明樹脂層5之間***紅像素R、綠像素G及藍像素B而製造。
於此情況，係在圖11所示的流程圖中，在步驟S15之光吸收性樹脂層圖案的乾式蝕刻步驟、和步驟S16之透明樹脂層的塗布形成步驟之間，***彩色濾光片(R、G、B)的形成步驟。
(第3實施形態)
接著，說明關於本發明第3實施形態，而在與前述實施形態相同的部位標註相同的符號以省略其說明，僅針對不同點進行說明。
本實施形態由於除了屬黑色電極4的構成之金屬層圖案2的構成外，係與第1實施形態相同，故引用圖2。惟，省略重複的說明，就有差異的金屬層圖案2進行說明。此外，本實施形態的黑色電極4，係可作為前述第2實施形態及後述的第4實施形態的黑色電極使用。
在本實施形態中，圖2所示的金屬層圖案2，係於包含0.015μm膜厚的氧之屬銅合金的第1金屬層 (層)、與實質上不含0.18μm膜厚的氧之屬銅合金的第2金屬層(層)之2層上，進一步以0.015μm膜厚積層屬銅和銦的銅合金層之銅銦合金層而形成總膜厚0.21μm的層。亦即，金屬層圖案2係以複數個層構成，複數個層中最接近第2透明基板20的層為銅銦合金層。
實質上不含氧意指，在銅合金的成膜時不導入氧氣體。含氧的銅合金意指，在此部分的成膜時，例如對氬基底氣體導入10vol%的氧氣體而成膜。
先形成的2層金屬層(第1金屬層及第2金屬層)，係使用0.5at%的鎂與0.5at%的鋁(剩餘部分為銅)之銅合金。
銅銦合金層亦可作成在78at%的銅含有22at%的銦之銅合金。
此外，微量的不可避免的雜質係包含於此等銅合金。銦添加至銅合金的添加量可設成0.5at%~40at%。單體的銦，其熔點低，包含以超過50at%的添加量所添加的含銦的銅合金，會有耐熱性的虞慮。
具備22at%的銦等富含銦的銅銦合金層之銅合金膜，係在成膜後的熱處理步驟或隨時間變化中，於氧化銅形成之前先形成氧化銦，來抑制氧化銅的形成。氧化銦由於可成為良好的導電膜，故幾乎不會損害電性接觸。當氧化銅的形成少時，可使與蓋端子部之透明導電膜的電性連接容易，能提升製造步驟、安裝的可靠性。
又，銅銦合金層表面的反射色，為接近白色的顏色，可避免因銅單體所產生之紅色顯色(coloration)。反射色 的中性化不限於銦，上述所例示的合金元素亦可藉由調整添加比例來進行。本發明實施形態所揭示之與此等銅合金相關的技術，係可適用於陣列基板23的金屬配線40。
富含銦的銅銦合金是指，含有10~40at%的銦之銅銦合金。藉由富含銦，可抑制氧化銅在表面部位的形成，且如上所述能使電性接觸容易。
例如，在銅鈦合金設為表面層，銅合金內部設為稀薄合金(合金元素為3at%以下的銅合金)之2層構成的銅合金膜中，當鈦相對於銅超過10at%時，濕式蝕刻時的蝕刻速率會變慢。此時，富含鈦之表面部位的銅合金膜會造成殘留成帽簷狀部之蝕刻不良。
在銅銦合金中，即便合金元素的量係以在該銅合金膜的膜厚方向不同的方式分布，也難以產生此種蝕刻不良。銦在銅合金的添加量為0.5at%~40at%的銅銦合金，由於具備大約達500℃為止的耐熱性，所以例如可充分地因應以IGZO等作為通道層之具備薄膜電晶體的陣列基板在350℃至500℃的範圍的退火處理。可將陣列基板23的金屬配線40以銅銦合金形成。
本實施形態中，透明電極圖案6，係在觸控感應時作為檢測電極使用，在液晶驅動時，作為在與像素電極25之間施加驅動液晶的電壓之共用電極使用。在觸控感應時，檢測電極亦可分別設為屬相同電位的共用電位，例如亦可與導電性框體連接而設成“接地電位”。觸控感應驅動與液晶驅動係可在不同的時序，分時分別地進行。
(第4實施形態)
其次，參照圖18至圖19，說明本發明的第4實施形態，而在與前述實施形態相同的部位標註相同的符號以省略其說明，僅針對不同點進行說明。
如圖18所示，本實施形態的顯示部112係具備：具備彩色濾光片(R、G、B)之液晶顯示裝置用基板22B；液晶層24；和陣列基板23B。
在液晶顯示裝置用基板22B所具有的透明電極圖案6之與第2透明基板20對向的面，形成有凹部6a。凹部6a，在從積層方向Z觀看的俯視圖中，係形成在與像素開口部4a在第1方向X的中央部重疊之透明電極圖案6的位置。凹部6a係延伸於第2方向Y。凹部6a，係例如可藉由周知的光微影術的方法將使用於透明樹脂層5的形成之樹脂材料作為可鹼性溶解的感光性樹脂。配置在與凹部6a對向的位置之液晶層24的液晶分子24a~24l，其響應高速化。
液晶顯示裝置用基板22B，係在透明電極圖案6與液晶層24之間具有配向膜71。
省略符號的像素在俯視下係與形成多角形狀之像素開口部2a的側邊平行且相對於將像素分成兩不分的中央線M呈線對稱。
陣列基板23B，係具備與各像素對應的一對像素電極25a、25b、輔助電容電極56a、56b、以及配向膜72，來取代陣列基板23的像素電極25。
像素電極25a、25b以及輔助電容電極56a、56b，係相對於中央線M分別配置成線對稱。輔助電容電極56a、56b，係配置在複數個液晶層24中最接近液晶層24之屬絕緣層28的絕緣層28a之與像素電極25a、25b相反的那側。亦即，輔助電容電極56a、56b係於積層方向Z在比像素電極25a、25b更偏離液晶層24的位置隔著絕緣層28a形成。
從與積層方向Z平行的方向觀看時，輔助電容電極56a的重疊部(一部)R6係與像素電極25a重疊，輔助電容電極56a的突出部(剩餘部分)R7沒有與像素電極25a重疊。同樣地，從與積層方向Z平行的方向觀看時，輔助電容電極56b的重疊部(一部)R8係與像素電極25b重疊，輔助電容電極56b的突出部(剩餘部分)R9沒有與像素電極25b重疊。輔助電容電極56a的突出部R7及輔助電容電極56b的突出部R9在第1方向X的長度(突出量)，亦可縮小為例如約1μm至6μm等。突出部R7、R9的突出量，係可依據液晶材料、驅動條件、液晶層24的厚度等作適當調整。
比起像素電極25a，輔助電容電極56a更自中央線M離開。亦即，相較於輔助電容電極56a的重疊部R6，突出部R7更遠離中央線M。
輔助電容電極56a、56b係可設成與設置於液晶顯示裝置用基板22B的透明電極圖案6相同恒電位的共用電位或接地。或者，當施加液晶驅動電壓至像素電極25a、25b時，可將輔助電容電極56a、56b設成與此液晶驅動電壓不同的電位、或逆向(正、負相反)的電位。
由於透明電極圖案6為恒電位，所以藉由對輔助電容電極56a、56b於短時間施加不同的電位，可利用於防止液晶的殘影、或液晶響應的高速化。
在像素電極25a與輔助電容電極56a的重疊部R6之間，及像素電極25b與輔助電容電極56b的重疊部R8之間，分別形成輔助電容。
於絕緣層28之間從積層方向Z觀看時在與凹部6a重疊的位置，設有遮光圖案73。遮光圖案73係利用與信號線41相同的材料形成。
輔助電容電極56a、56b及像素電極25a、25b均以ITO等透明導電膜形成。像素電極25a、25b，係與未圖示的薄膜電晶體45電性連接，透過薄膜電晶體45被施加液晶驅動電壓。
液晶層24的液晶分子24a~24l係設成具有負的介電各向異性。在圖18中，液晶分子24a~24l係呈現未對像素電極25a、25b施加電壓的初始配向狀態。
配向膜71、72係以使液晶分子24a~24l的長邊方向，從積層方向Z朝輔助電容電極56a、56b自像素電極偏離的方向(以靠近第1透明基板10的端部自中央線M離開的方式)傾斜的方式，對液晶分子賦予預傾角θ。
顯示部112係與一般的顯示部一樣，具備偏光板、相位差板等，但是在此圖18中省略了圖示。
此外，顯示部112亦可具備貼合於偏光板之1片到3片的相位差板。
在本實施形態之以下的記載中，說明使用輔助電容電極56a、56b作為與透明電極圖案6相同電位的共用電極之情況。
配向膜71、72，係以使液晶分子24a~24l從積層方向Z朝向輔助電容電極56a、56b自像素電極25a、25b突出的方向傾斜之方式，且對中央線M呈線對稱的方式賦予預傾角θ。配向膜72係至少形成於像素電極25a、25b的表面與液晶層24之間。
本實施形態的顯示部112，係藉由例如將液晶顯示裝置用基板22B和陣列基板23B隔著液晶層24貼合而形成。
在配向處理中，可一邊對像素電極25a、25b施加液晶驅動電壓(例如，1V至20V的交流或直流的電壓)，一邊對垂直配向的配向膜71、72照射光等的電磁波，而賦予預傾角θ。使用於配向處理的光，可為偏光，也可為非偏光。
本實施形態中，預傾角θ係表示設基板面的法線方向(積層方向Z)為0°時，與該法線方向相隔之角度。此外，預傾角θ，係可藉由例如記載於Journal of Applied Physics，Vol.48 No.5，p.1783-1792(1977)之晶體旋轉法(Crystal Rotation Method)等來測定。
當對像素電極25a、25b施加液晶驅動電壓時，如圖19所示，在像素電極25a、25b與輔助電容電極56a、56b(詳言之，突出部R7、R9)之間，可形成以電力線L9表示的電場。同時，在像素電極25a、25b與透 明電極圖案6之間可形成以傾斜方向的電力線L10表現的電場。液晶分子24a~24f係基於此種傾斜方向的電場，第1方向X中之一方的作動方向D1傾斜。更詳細說明之，液晶驅動電壓施加後，液晶分子24a、24b、24f隨即傾斜，收到傾斜的液晶分子24a、24b、24f的影響，液晶分子24c~24e立即倒向作動方向D1。
液晶分子24g~24l係朝與作動方向D1相反的作動方向D2傾斜。在實際效果強的電場的液晶分子24a、24l最快作動，成為用以使液晶顯示高速化的觸發(trigger)。傾斜電場中所具有液晶分子24b~24f、24g~24k亦與液晶分子24a、24l同樣地高速作動。液晶分子24b~24f、24g~24k，係藉由與液晶分子24a、24l協同作動，而使液晶顯示高速化。
如本實施形態所示，藉由利用傾斜電場使液晶分子24a~24l傾斜，即便使具有預傾角θ的液晶分子24a~24l，也可以實質上具有大的預傾角之方式予以驅動。因此，藉由利用傾斜電場使液晶分子24a~24l，可實現液晶顯示的高速化。
例如，藉由利用傾斜電場使液晶分子24a~24l，即便為約0.1°至0.9°範圍的小預傾角θ，也可使液晶分子24a~24l高速地作動。此外，在垂直配向的液晶顯示中，預傾角大的液晶分子雖然容易傾倒，但是因為具有大預傾角，所以即使在黑顯示時，也會有漏光且對比降低的傾向。
此外，在本實施形態中，使用作為觸控電極的黑色電極4和透明電極圖案6的觸控感應，關於其構成及驅動手段，由於係與前述第1實施形態等相同同，故省略了說明。
以上，參照圖式，詳細說明本發明的第1實施形態及第4實施形態，惟具體的構成並不限於此實施形態，亦包含不脫離本發明要旨之範圍的構成的變更、組合、刪除等。此外，可將各實施形態所示之構成的每一者適當地組合而利用。
例如，在前述第1實施形態至第4實施形態中，薄膜電晶體45是作成於通道層使用氧化物半導體的薄膜電晶體，但亦可為於通道層使用矽半導體的薄膜電晶體。
雖然將液晶顯示裝置的液晶驅動方式設成垂直配向(VA)方式，但並不限定於此。液晶顯示裝置的液晶驅動方式，除了上述方式以外，還可適當選擇例如HAN(Hybrid-aligned Nematic：混合排列向列)、TN(Twisted Nematic：扭轉向列)、OCB(Optically Compensated Bend：光學補償彎曲)、CPA(Continuous Pinwheel Alignment：連續焰火狀排列)、ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)、TBA(Transverse Bent Alignment：橫向彎曲取向)等縱向電場方式或傾斜電場方式。
上述實施形態中，雖然針對主要使用點反轉驅動作為液晶驅動的情況來說明，但是亦可使用將作為共用電極的透明電極圖案6設為恒電位之行反轉驅動(源極反轉 驅動：source inversion driving)。或者，亦可組合將透明電極圖案6設為恒電位的行反轉驅動和將透明電極圖案6設為恒電位的點反轉驅動。
黑色電極4即金屬層圖案2為掃描電極，透明電極圖案6為檢測電極。
然而，亦可以透明電極圖案6為驅動電極，黑色電極為檢測電極的方式，將驅動電極與檢測電極的角色替換使用。或者，作成將各自的形成方向以90度替換之正交配置。
雖然上述已說明本發明的較佳實施形態，但是應理解此等為本發明的例示，並不應考慮作為限定用。追加、省略、置換及其他的變更皆可在不脫離本發明範圍的情況下進行。因此，本發明不應視為可藉由前述說明來限定，是藉由申請專利範圍限定。
1‧‧‧光吸收性樹脂層圖案
2‧‧‧金屬層圖案
4‧‧‧黑色電極
4a‧‧‧像素開口部
5‧‧‧透明樹脂層
6‧‧‧透明電極圖案
10‧‧‧第1透明基板
10a‧‧‧第1透明基板的主面
20‧‧‧第2透明基板
20a‧‧‧第2透明基板的主面
23‧‧‧陣列基板
24‧‧‧液晶層
25‧‧‧像素電極
28‧‧‧絕緣層
41‧‧‧信號線
42‧‧‧掃描線
100‧‧‧液晶顯示裝置
110‧‧‧顯示部
120‧‧‧控制部
121‧‧‧影像信號時序控制部
122‧‧‧觸控感應-掃描信號控制部
123‧‧‧系統控制部

Claims (10)

  1. 一種液晶顯示裝置，其係具備：顯示部，係依序積層有顯示基板和液晶層和陣列基板，且以常態黑模式進行顯示；和控制部，控制前述顯示部及觸控感應功能，在該液晶顯示裝置中，前述顯示基板具有：第1透明基板；複數個光吸收性樹脂層圖案，係依序積層於前述第1透明基板之與前述液晶層對向的面，且形成有開口部；形成有開口部的複數個金屬層圖案；透明樹脂層；以及電氣獨立的複數個透明電極圖案，複數個前述光吸收性樹脂層圖案及複數個前述金屬層圖案係當從積層有前述顯示基板、前述液晶層及前述陣列基板的積層方向觀看時，具有彼此相等的線寬，且形成為相同形狀而重疊，複數個前述金屬層圖案係在相互絕緣的狀態下排列配置在與前述積層方向正交的第1方向，複數個前述透明電極圖案係在相互絕緣的狀態下排列配置在前述積層方向及分別與前述第1方向正交的第2方向，前述金屬層圖案的每一者具有以銅為主材料之合金層及銅層的至少一者，前述液晶層所具有的液晶分子具備負的介電各向異性並且初始配向為垂直配向，前述顯示部係以常態黑模式進行顯示， 前述陣列基板具有：第2透明基板；和積層在前述第2透明基板之與前述液晶層對向的面之像素電極、薄膜電晶體、金屬配線及絕緣層，前述控制部係將複數個前述透明電極圖案設為恒電位，對複數個前述金屬層圖案施加觸控驅動電壓，檢測前述金屬層圖案與前述透明電極圖案之間的靜電電容的變化，且將複數個前述透明電極圖案設為恒電位，對前述像素電極施加顯示用液晶驅動電壓以驅動前述液晶層，並且使前述觸控驅動電壓的頻率與前述液晶驅動電壓的頻率彼此相異。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，從前述積層方向觀看時，前述透明電極圖案係在前述第2方向與前述金屬層圖案之3個以上的前述開口部重疊。
  3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述像素電極係配置在前述絕緣層之與前述液晶層對向的面，前述陣列基板係具有配置在前述絕緣層之與前述像素電極相反側的輔助電容電極，從前述積層方向觀看時，前述輔助電容電極的一部分係與前述像素電極重疊，前述輔助電容電極的剩餘部分沒有與前述像素電極重疊。
  4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述光吸收性樹脂層圖案所含的主要光吸收材為碳，前述光吸收性樹脂層圖案之每1μm厚度的光學濃度為0.4以上1.8以下，前述光吸收性樹脂層圖案的厚度為0.1μm以上0.8μm以下。
  5. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述薄膜電晶體具備通道層，其包含鎵、銦、鋅、錫、鍺及鋁當中之兩種以上的金屬氧化物。
  6. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述金屬層圖案的每一者係由複數個層所構成，複數個前述層的至少一者為前述合金層。
  7. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述金屬層圖案的每一者係具有前述合金層，前述合金層所含的合金元素係選擇自鎂、鈣、鈦、鉬、銦、錫、鋅、鋁、鈹、鎳之一個以上的元素。
  8. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，前述金屬層圖案的每一者係由複數個層所構成，複數個前述層中最接近前述第2透明基板的前述層為銅銦合金層。
  9. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，在複數個前述透明電極圖案上，具備電阻率比前述透明電極圖案的電阻率小的輔助導體。
  10. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中，在前述光吸收性樹脂層圖案的前述開口部、及前述金屬層圖案的前述開口部，具備有由紅層形成的紅像素、由綠層形成的綠像素及由藍層形成的藍像素之任一者，此等紅像素、綠像素及藍像素係在前述積層方向被***複數個前述金屬層圖案與前述透明樹脂層之間，且從前述積層方向觀看時分別鄰接而配設。
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