TW201523040A - 具有局部消偏光區的偏光板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種偏光板及其製造方法，該偏光板包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並且該偏光板局部具有消偏光區，該消偏光區在400nm至800nm的波長範圍間具有70%以上的單體透射率，該消偏光區係藉由照射具有特定波長的光所形成，該特定波長係選自200nm至800nm的波長範圍。

Description

具有局部消偏光區的偏光板及其製造方法
本發明係關於一種偏光板及其製造方法，更具體而言係關於一種局部具有消偏光區以便適用於與諸如相機模組的元件連接的偏光板以及其製造方法。
偏光板已被應用於各種影像顯示裝置，例如液晶顯示裝置、有機發光二極體等等。目前主要使用的偏光板包含層疊在聚乙烯醇(以下稱為PVA)偏光器之一面或兩面上的保護膜，該偏光器係藉由使用碘及/或二色性染料將PVA類薄膜染色、使碘及/或二色性染料與硼酸或類似物交聯、以及藉由拉伸使薄膜中的分子進行配向所製成。
近年來，為了實現大的螢幕尺寸，影像顯示裝置的厚度已逐漸減小，而且不顯示影像的邊框和邊緣部分之厚度已被最小化。特別是，包括相機和視訊電話的各種功能通常被組裝在強調便攜性或移動性的小型和中型顯示裝置、以及筆記型電腦和個人電腦(PC)中。具體來說，諸如相機的元件已被組裝在影像顯示裝置中。此外，在設計因素方面，已經嘗試賦予產品標誌或邊框區域各種顏色。
同時，傳統的偏光板包括使用碘及/或二色性染料對整個偏光板進行染色，並因此顯示出深黑色，使得難以賦予影像顯示裝置各種 顏色。另外，當偏光板被放在諸如照相機的元件上時，會有偏光板吸收50%以上光量的問題，因此，相機鏡頭的能見度會降低。
為了克服這個問題，在附著偏光板的過程中可以使用物理去除方法，其中藉由諸如沖壓或切割的製程去除覆蓋相機鏡頭的一部分偏光板。或者，也可以使用化學去除方法，其中使用諸如碘離子的化學物質去除或漂白覆蓋相機鏡頭的偏光板部分。
然而，如上所述的物理方法會損壞影像顯示裝置的外觀，並由於沖壓製程的特性而損傷偏光板。此外，在如上所述的物理性去除偏光板部分的製程中，可能會出現偏光板被撕裂的問題。由於最近偏光板的厚度已逐漸減小的趨勢，這個問題正變得更加嚴重。同時，為了防止偏光板之損傷(例如撕裂)，偏光板的沖壓部分應被形成在足夠遠離角落的位置，而且當此偏光板被應用於影像顯示裝置時，會有影像顯示裝置的邊框部分變得相對較寬的問題，從而偏離最新的影像顯示裝置之窄邊框設計。此外，當相機模組被組裝在如上所述的偏光板沖壓部分中時，會有的問題是因為相機鏡頭曝露於影像顯示裝置的外部，故長期使用下之影像顯示裝置，相機鏡頭很可能會被污染和損壞。
同時，後者的化學去除方法具有的問題在於由於使用的化學物質之擴散，難以從期望的偏光器部分準確地去除碘，因此難以控制消偏光區，以及在於化學方法難以應用於具有黏合到其上的保護膜的偏光板。
因此，有需要發展一種克服上述問題並可被用於在偏光板中局部形成消偏光或偏光去除區域的新製程，以便具有所需的適當尺寸。
本發明是為了解決上述的問題，並且本發明的目的是提供 一種在自身的一部分中具有消偏光區的偏光板、以及該偏光板之製造方法，與現有技術不同的是：該製造方法不會損壞外觀，而且可以藉由不需物理沖壓或使用任何化學物質的簡單製程來實現消偏光。
依據本發明之一實施例，提供了一種偏光板，該偏光板包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並且該偏光板局部具有消偏光區，該消偏光區在400nm至800nm的波長範圍間具有70%以上的單體透射率。
該偏光板之該消偏光區較佳具有20%以下的偏光度，並且該偏光板中一排除該消偏光區的區域較佳具有40%至45%的單體透射率及99%以上的偏光度。
依據本發明之另一實施例，提供了一種影像顯示裝置，該影像顯示裝置包含顯示面板及附著於該顯示面板之一個表面或兩個表面的偏光板，其中該偏光板包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並且該偏光板局部具有消偏光區，該消偏光區在400nm至800nm的波長範圍間具有70%以上的單體透射率。
在該影像顯示裝置中，相機模組可以位於該消偏光區中。
依據本發明之又另一實施例，提供了一種偏光板的製造方法，該方法包含使用具有特定波長的光照射偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟，該特定波長係選自200nm至800nm的波長範圍，該偏光元件包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器。
在該方法中，該使用光照射該偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟較佳係以0.1W/cm2至20W/cm2的強度進行1至1000秒。
此外，該使用光照射該偏光元件之一部分以使區域消偏光的步驟可以使用發光二極體(LED)燈或雷射燈進行。
依據本發明的製造方法，可以在沒有物理或化學損壞之下藉由以紫外線或可見光照射一部分的偏光元件來製造局部具有消偏光區的偏光板，該偏光元件包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，該消偏光區在400nm至800nm的波長範圍間具有70%以上的單體透射率。
圖1繪示的曲線圖顯示使用波長532nm的雷射以2W/cm2的強度照射偏光板時，單體透射率(Ts)、交叉透射率(Tc)及偏光度(DOP)隨著照射時間改變的變化。
圖2繪示的曲線圖顯示使用波長266nm的雷射以0.6W/cm2的強度照射偏光器時，單體透射率(Ts)、交叉透射率(Tc)及偏光度(DOP)隨著照射時間改變的變化。
圖3繪示的曲線圖顯示使用波長1070nm的雷射以25W/cm2的強度照射偏光板時，單體透射率(Ts)、交叉透射率(Tc)及偏光度(DOP)隨著照射時間改變的變化。
下文將描述本發明的示例性實施例。然而，本發明並不限於以下揭示的示例性實施例，而且可以被以各種不同的形式實現。此外，提供這些實施例使得本揭示內容為透徹完整的，而且將充分地傳達本發明的範圍給本領域技術中具有通常知識者。
本發明人已經發現的是，當包含使用碘及/或二色性染料 染色的聚乙烯醇類偏光器的一部分偏光元件被照射具有特定波長(選自UV或可見光波長範圍)的光時，不需使用沖壓或化學方法即可製造出局部具有消偏光區(具有70%以上的單體透射率)的偏光板，從而完成本發明。
依據本發明的偏光板之特徵在於，其包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並局部具有在400nm至800nm的波長範圍間具有70%以上的單體透射率的消偏光區。
同時，偏光板的消偏光區是指藉由使用具有特定波長(選自200nm至800nm的波長範圍)的光照射一部分偏光元件的製程所形成的區域，該偏光元件包含使用碘和二色性染料中之一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，如以下所解釋。
在此，在可見光波長範圍中的400至800nm波長下，消偏光區較佳具有70%或更高的、更佳為80%或更高的單體透射率。此外，消偏光區較佳具有20%或更低的、更佳為15%或更低的偏光度。隨著單體透射率提高及偏光度降低，可以提高消偏光區的能見度，因此被定位在該區的相機鏡頭之性能和影像品質可以被進一步改良。
在藉由諸如沖壓或切割的物理方法進行的傳統消偏光法的情況下，一部分的經配向偏光器被完全去除，因而在整個波長範圍中偏光，但本發明的偏光板具有的特性與傳統的偏光板不同之處在於主要在400nm至800nm波長範圍中的偏光被去除了。此消偏光區適用於本發明，意圖改良設置相機模組的區域之能見度，同時保持偏光板的特性。此外，該消偏光區可以發揮阻擋紫外線波長範圍中的光的功能，因此可以有利地保護相機模組或其它應用模組中的UV光敏材料。
此外，偏光板中排除消偏光區的區域較佳具有40至45%、更佳為42至45%的單體透射率。此外，排除消偏光區的區域較佳具有99%以上的偏光度。排除消偏光區的區域較佳具有如上所述的優異光學性質，因為它應具有偏光板的功能。
同時，消偏光區的面積可以視影像顯示裝置及/或偏光板的尺寸或相機模組及/或產品標誌的尺寸而變化。更具體來說，消偏光區的面積較佳佔偏光板總面積的0.005至40%，但不限於此。
此外，消偏光區的形狀或位置沒有特別的限制，並且它可以在各種位置被形成為各種形狀。例如，消偏光區可以被形成在將安裝諸如相機的元件的位置，以便符合該元件的形狀。或者，它也可以被形成在待印刷產品標誌的區域，以便符合產品標誌的形狀。當賦予偏光元件的邊框部分顏色時，消偏光區可以被形成為偏光元件的邊框部分中的框架形狀。
在本發明中，偏光板的消偏光區是藉由使用具有選自200nm至800nm波長範圍的特定波長的光照射偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟所製造，該偏光元件包含使用碘和二色性染料中之一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器。下文將描述用於製造依據本發明的偏光板的方法。
用於本發明的偏光元件可以是如上所述製造的、使用碘及/或二色性染料染色的聚乙烯醇類偏光器，或包含附著於偏光器之至少一個表面的保護膜之偏光板。因為偏光器具有非常薄的厚度，故保護膜通常被附著於偏光器的一個或兩個表面來形成偏光板，以保護偏光器。本文所使用的術語「保護膜」係指被附著於偏光元件的兩個表面以保護偏光器的透明膜。保護膜可以是諸如三乙醯纖維素(TAC)膜的醋酸類樹脂膜、聚 酯類樹脂膜、聚醚碸類樹脂膜、聚碳酸酯類樹脂膜、聚醯胺類樹脂膜、聚醯亞胺類樹脂膜、或聚烯烴樹脂膜，但不限於此。
在此，保護膜可以使用黏著劑層疊。至於黏著劑，可以使用聚乙烯醇類水性黏著劑，但不限於此。除了保護膜之外，偏光板可以另外包含功能膜，例如寬視角補償膜或增亮膜，以改良其它的功能。
依據本發明人進行的研究所發現的是，當進行如本發明所揭示使用紫外光或可見光選擇性照射偏光元件的步驟時，損壞偏光板、污染位於消偏光區下方的元件、以及污染標誌的問題皆可被克服，故容易控制消偏光區，而且可藉由簡單的製程來實現消偏光，不同於諸如沖壓或切割的傳統物理去除方法或使用化學物質進行去除或漂白的傳統化學去除方法。
更具體的是，已知包含使用碘及/或二色性染料染色的聚乙烯醇類偏光器的偏光元件可以吸收在UV或可見光波長範圍(例如從380nm至800nm的波長範圍)中的光。因此，當使用波長選自上述波長範圍的光照射偏光元件時，照射光引發存在於偏光器中的碘或二色性染料的振動激發，並吸收在上述波長範圍中的光。由於染料分子的振動激發，碘或二色性染料的分子被從電子基態激發到電子激發態。然後，在電子激發態的碘或二色性染料被解離，使得化學鍵斷裂，因此吸收在上述波長範圍中的光的碘或二色性染料被分解成在短波長範圍(UV波長範圍)中吸收光的化合物，並且由於這個原因，偏光板在可見光波長範圍中的380至800nm波長範圍之偏光功能被去除，使得偏光板的透射率增加。
更具體來說，在使用碘染色的偏光板的情況下，被染色的碘存在於各種形式中，例如KI5、KI3、I2及KI。碘分子吸收在不同波長範圍的光，並且當這些分子被波長範圍從200nm至800nm的光照射時， 這些分子被分解成KI或I(單分子)，如以下反應方程式1和2所示。因為I吸收約200nm的短波長的光，所以當發生如以下反應方程式所示的碘分子分解時，在可見光波長範圍中的光的透射率會提高。
反應方程式1 KI5 → KI+2I2,I2 → I+I
反應方程式2 KI5 → KI3+I2,KI3 → KI+I2,I2 → I+I
在照射步驟中，可以照射具有選自200nm至800nm波長範圍的特定波長的UV或可見光，更佳可以照射波長範圍從400nm至750nm的光。在碘分子到電子激發態的躍遷之後，分子的化學鍵因具有熱的強振盪運動而斷裂，並且因為這個原因，可以照射在可被碘吸收的波長範圍中的光。更佳的是，碘分子的分解可以輕易地發生在400至750nm的波長範圍中(具有較高的消光係數)，其中稍大量的光可以被碘吸收。
此外，使用光照射一部分偏光元件以使區域消偏光的步驟較佳是在0.1至20W/cm2、更佳是在1至5W/cm2的強度下進行。在此步驟中，取決於光的照射強度，可照射約1至1000秒、較佳約10至250秒的光。
更具體來說，在使用光照射一部分偏光元件以使區域消偏光的步驟中，光的照射強度和時間可以視偏光元件的種類而改變。當使用光照射偏光器時，光照射可以在0.1至1W/cm2的強度下進行200至1000秒。更佳的是，光照射可以在0.5至0.8W/cm2的強度下進行500至900秒。然而，偏光板是使用強度0.5至20W/cm2的光照射1至200秒，更佳為使用強度1至3W/cm2的光照射5至30秒。換句話說，因為偏光器的強度比偏光板更低，故需要使用較低雷射強度的光照射。
當在滿足上述範圍的條件下照射光時，偏光板的單體透射率在光照射區中局部提高，並且偏光度在照射區中局部降低。此外，在這種情況下，在聚乙烯醇類薄膜中的分子配向不會被不利地影響，而且薄膜不會因固化造成扭曲。
同時，圖1繪示的曲線圖顯示使用波長532nm的雷射以2W/cm2的強度照射偏光板時，單體透射率(Ts)、交叉透射率(Tc)及偏光度(DOP)隨著照射時間改變的變化。在圖1中，x軸表示照射時間，而y軸表示單體透射率、交叉透射率及偏光度。
如從圖1的曲線圖可以看出的，隨著照射時間增加，透射率提高，並且偏光度降低。
圖2圖示當使用波長266nm的雷射以0.6W/cm2的強度照射偏光器時所獲得的結果。就像圖1的情況，可以看出，隨著照射時間增加，透射率提高，並且偏光度降低。
同時，在使用光照射一部分偏光元件以使區域消偏光的步驟中，可以利用遮罩製程、發光二極體(LED)燈或雷射燈來使用雷射照射偏光元件(也就是偏光器或偏光板)。更佳的是，該步驟係使用發光二極體(LED)燈或雷射燈來進行。當使用發光二極體(LED)燈或雷射燈時，由於其方向性，來自燈的光可以準確地對準所需的局部區域以形成消偏光區，故控制形成的消偏光區尺寸是很容易的，並且形成具有非常微小尺寸的消偏光區是有可能的。
更具體來說，當使用發光二極體(LED)燈或雷射燈時，較佳是控制光的偏光，因為偏光板具有光吸收軸與光透射軸的特性。當光的偏光方向與偏光板的吸收軸方向一致時，可以觀察到透射率有更有效的提高而偏光度有更有效的降低，而且還可以防止由光源消耗的功率損失。 假使來自光源的光之偏光方向與偏光板的吸收軸方向一致，則來自光源的光可以具有相對於偏光板的任意入射角。然而，假使來自光源的光之偏光方向與偏光板的吸收軸方向不一致，則光對消偏光的影響將明顯降低。在本發明的實例中，利用威爾第(Verdi)雷射器(Coherent Inc.)照射波長532nm的光，並且利用在焦點往前距離40cm的光學透鏡將光照射到偏光板上。同時，使用主要以超過100：1發射垂直偏光的雷射照射來自光源的偏光，並以5°或更小的角度照射與偏光板的吸收軸一致的偏光。光照射導致局部消偏光區具有1cm的直徑和增加的透射率。
同時，用於本發明的、使用碘及/或二色性染料染色的聚乙烯醇類偏光器可以是所屬技術領域中眾所周知的任何聚乙烯醇類偏光器。例如，該聚乙烯醇類偏光器可以是藉由包含以下步驟的方法製造的聚乙烯醇類偏光器：使用碘及/或二色性染料將聚乙烯醇類薄膜染色；使用染料使該聚乙烯醇類薄膜交聯；以及拉伸該聚乙烯醇類薄膜。
同時，進行染色步驟，以使用碘分子或染料將聚乙烯醇類薄膜染色。在這個步驟中，碘分子或染料分子吸收在薄膜的拉伸方向上振盪的光，並且允許在垂直方向上振盪的光通過，因此可以獲得具有特定振盪方向的偏光。在這個步驟中的染色通常可以藉由將聚乙烯醇類薄膜沉浸在包括含有二色性材料的溶液(例如碘溶液)之處理槽中來進行。
用於染色步驟中的溶液之溶劑通常是水，但也可以含有適量的水相容性有機溶劑。同時，二色性材料(例如碘)的用量基於100重量份的溶劑可以是0.06至0.25重量份。當二色性材料(例如碘)的用量在上述範圍內時，獲得的偏光元件在拉伸之後的透射率可以滿足42.0至47.0%的範圍。
同時，當使用碘作為二色性材料時，該溶液較佳另外含有 染色助劑，例如碘化合物，以提高染色效率。染色助劑的用量基於100重量份的溶劑可以是0.3至2.5重量份。因為碘具有低的水溶解度，添加染色助劑(例如碘化合物)的原因是增加碘在水中的溶解度。同時，碘和碘化合物之間的混合比較佳為約1：5至1：10。
可被另外用於本發明的碘化合物之具體實例包括、但不限於碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦、以及上述碘化合物之混合物。
同時，可以將處理槽的溫度保持在約25℃和約40℃之間的溫度。假使處理槽的溫度低於25℃，則染色效率會降低，而假使處理槽的溫度高於40℃，則大量的碘會被昇華，從而導致使用的碘量增加。此外，可以讓聚乙烯醇類薄膜在處理槽中沉浸約30至120秒。假使聚乙烯醇類薄膜被沉浸不到30秒，則無法實現聚乙烯醇類薄膜的均勻染色，而假使沉浸時間超過120秒，則染料將會飽和，因此薄膜並不需要被沉浸120秒。
交聯步驟通常使用沉浸法進行，在沉浸法中聚乙烯醇類薄膜被沉浸在硼酸水溶液或類似物中，但交聯步驟也可以藉由塗佈或噴灑法進行，在噴灑法中溶液被噴灑到薄膜上。
當藉由例如沉浸法進行交聯步驟時，在染色步驟中使用碘分子或二色性染料分子將聚乙烯醇類薄膜染色之後，碘分子或二色性染料分子被使用交聯劑吸附到聚乙烯醇類薄膜的聚合物基質上。此交聯步驟是藉由將聚乙烯醇類薄膜沉浸在包括含有交聯劑的溶液的交聯槽中來進行。這是因為，假使碘分子未被適當地吸附到聚合物基質上，則偏光板由於其低偏光度將無法執行其功能。
用於交聯槽之溶液的溶劑通常是水，但也可以含有適量的 水相容性有機溶劑。交聯劑的添加量基於100重量份的溶劑可以是0.5至5.0重量份。假使交聯劑的添加量少於0.5重量份，則聚乙烯醇類薄膜中的交聯度將不足，因此聚乙烯醇類薄膜在水中的強度將會降低，而假使交聯劑的添加量超過5.0重量份，則將會發生過度交聯，從而導致聚乙烯醇類薄膜的拉伸度降低。
此外，交聯劑的具體實例包括、但不限於：硼化合物，例如硼酸或硼砂、乙二醛、戊二醛及類似物，該等硼化合物可被單獨使用或組合使用。
同時，交聯槽的溫度視交聯劑的量和膜的拉伸比而改變，而且較佳是介於45℃和60℃之間，但不限於此。一般來說，隨著交聯劑的量增加，將交聯槽的溫度控制到高的溫度，以提高聚乙烯醇類薄膜中的鏈移動性，並且隨著交聯劑的量減少，將交聯槽的溫度控制到低的溫度。然而，在本發明中，因為薄膜被至少拉伸5倍，應將交聯槽的溫度保持在45℃或更高，以提高聚乙烯醇類薄膜的拉伸度。
同時，聚乙烯醇類薄膜在交聯槽中的沉浸時間較佳為30至120秒。假使沉浸時間不足30秒，則無法在聚乙烯醇類薄膜中實現均勻的交聯，而假使沉浸時間超過120秒，則交聯將是飽和的，因此薄膜不需要被沉浸超過120秒。
同時，拉伸步驟中的「拉伸」是指將薄膜單軸拉伸，以使薄膜的聚合物分子排列於特定方向。拉伸方法可被分為濕拉伸法和乾拉伸法。乾拉伸法可被進一步分為跨輥拉伸法、加熱輥拉伸法、按壓拉伸法、拉幅機拉伸法等，而濕拉伸法可被進一步分為拉幅機拉伸法、跨輥拉伸法等。
拉伸步驟較佳是藉由在45℃和60℃之間的溫度下以4：1 至7：1的比例拉伸聚乙烯醇類薄膜來進行。為了賦予聚乙烯醇類薄膜偏光性能，應將聚乙烯醇類薄膜中的鏈進行配向。在小於4：1的拉伸比時，聚乙烯醇類薄膜中的鏈無法被充分配向，而在超過7：1的拉伸比時，聚乙烯醇類薄膜中的鏈會被***。此外，聚乙烯醇類薄膜的拉伸溫度可以視交聯劑的含量而改變。在低於45℃的溫度下，聚乙烯醇類薄膜中的鏈之移動性會降低，從而導致拉伸效率降低，而在高於60℃的溫度下，聚乙烯醇類薄膜將變軟，因而具有降低的強度。
同時，拉伸步驟可以與染色步驟或交聯步驟同時或分開進行。假使拉伸步驟與染色步驟同時進行，則染色步驟較佳是在碘溶液中進行，而假使拉伸步驟與交聯步驟同時進行，則交聯步驟較佳是在硼酸水溶液中進行。
如上所述的本發明偏光板可以藉由將其附著於顯示面板的一個或兩個表面而被有利地應用於影像顯示裝置。該顯示面板可以是液晶面板、電漿面板、及有機發光面板，因此該影像顯示裝置可以是液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)及有機發光二極體(OLED)。
更具體來說，該影像顯示裝置可以是液晶顯示器，該液晶顯示器包含：液晶面板，以及分別被設置在該液晶面板之兩個表面上的偏光板，其中該等偏光板中之至少一者可以是本發明的偏光板。換句話說，該偏光板之特徵在於包含使用碘和二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並局部具有單體透射率為70%以上的消偏光區。
此處，液晶顯示器中包括的液晶面板之種類並沒有特別的限制。液晶面板的實例包括、但不限於所有習知的面板，包括被動矩陣面板，例如扭轉向列型(TN)面板、超扭轉向列型(STN)面板、鐵電(F) 或聚合物分散(PD)面板；主動矩陣面板，例如二終端型面板或三終端型面板；平面轉換(IPS)面板及垂直配向(VA)面板等。此外，液晶顯示器的其它元件(例如上下基板(例如彩色濾光基板或陣列基板))之種類並沒有特別的限制，而且可以沒有限制地使用所屬技術領域中習知的那些種類。
同時，本發明的影像顯示裝置可以包含、但不限於可以位於消偏光區的其它元件，例如相機模組。當相機模組位於具有提高的可見光透射率和降低的偏光度的消偏光區時，可以得到提高相機鏡頭之能見度的效果。
以下將參照實例進一步詳細說明本發明。然而，提供這些實例是為了更好地理解本發明，並非意圖限制本發明的範圍。
製造例1：偏光器的製造
將聚乙烯醇類薄膜(日本合成橡膠公司(Japanese Synthetic Rubber Co.)；M3000等級；30μm)在25℃的純水中進行15秒的溶脹製程，然後在25℃的0.2wt%碘溶液中進行60秒的染色製程。接著，將薄膜在45℃的1wt%硼酸溶液中進行30秒的清洗製程，然後在52℃的2.5wt%硼酸溶液中進行6倍拉伸。拉伸之後，將薄膜在5wt%的KI溶液中進行補色製程，然後在60℃的烘箱中乾燥5分鐘，從而製造厚度12μm的偏光器。
製造例2：偏光板的製造
使用PVA類水溶性黏著劑將厚度40μm的三乙醯纖維素(TAC)薄膜放置並層疊在製造例1製造的PVA偏光器的兩個表面上，然後在80℃的烘箱中乾燥5分鐘，從而製造具有TAC/PVA/TAC結構的偏光板。
實施例1
將製造例2製造的偏光板切割成60mm×60mm的尺寸，然後利用雷射器(Verdi，Coherent Inc.)使用波長532nm的雷射以2W/cm2的強度照射。圖1繪示的曲線圖顯示被照射偏光板的單體透射率、交叉透射率及偏光度為照射時間的函數。
實施例2
將製造例1製造的偏光器切割成60mm×60mm的尺寸，然後利用雷射器(Verdi 2V，MBD共振器，Coherent Inc.)使用波長266nm的雷射以0.6W/cm2的強度照射。圖2繪示的曲線圖顯示被照射偏光器的單體透射率、交叉透射率及偏光度為照射時間的函數。
比較例1
將製造例2製造的偏光板切割成60mm×60mm的尺寸，然後利用雷射器使用波長1070nm的雷射以25W/cm2的強度照射。圖1繪示的曲線圖顯示被照射偏光板的單體透射率、交叉透射率及偏光度為照射時間的函數。
測試例：光學性質之評估
將實施例1和2及比較例1製造的每個偏光板皆切割成40mm×40mm的尺寸。將每個切割樣品固定於量測固持器，然後使用UV至Vis分光光度計(V至7100，JASCO Co.,Ltd.)量測初始光學性質，也就是單體透射率和偏光度。
如圖1和圖2中可以看到的，隨著照射時間增加，單體透射率(Ts)和交叉透射率(Tc)提高，並且偏光度降低。特別是，在圖1的情況中，當照射時間為8秒以上時，單體透射率(Ts)和交叉透射率(Tc)分別為70%以上和50%以上，並且偏光度為20%以下，這表示適用於作 為消偏光區。在圖2的情況中，當照射時間為400秒以上時，單體透射率(Ts)和交叉透射率(Tc)分別為70%以上和50%以上，並且偏光度為20%以下，這表示適用於作為消偏光區。
另一方面，在圖3的情況中，即使當照射波長1070nm(即在紅外線波長範圍中)的光時，也不會發生構成偏光板的分子之振動激發，因此可以看出，即使當照射時間增加時，單體透射率(Ts)、交叉透射率(Tc)及偏光度也不會改變。
雖然已經為了說明的目的描述了本發明的較佳實施例，但本技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不偏離如所附申請專利範圍所揭示的發明之範圍和精神下，各種修改、添加及替代都是可能的。

Claims (13)

  1. 一種偏光板，該偏光板包含：一使用碘和一二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並且該偏光板局部具有一消偏光區，該消偏光區在一400nm至800nm的波長範圍間具有一70%以上的單體透射率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中該消偏光區係藉由一使用具有一特定波長的光照射一偏光元件之一部分的製程所形成，該特定波長係選自一200nm至800nm的波長範圍，該偏光元件包含使用碘和該二色性染料中之任一者或一種以上者染色的該聚乙烯醇類偏光器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中該偏光板之該消偏光區具有一20%以下的偏光度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中該偏光板中一排除該消偏光區的區域具有一40%至45%的單體透射率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中該偏光板中一排除該消偏光區的區域具有一99%以上的偏光度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中該消偏光區之一面積佔該偏光板之一總面積的0.005%至40%。
  7. 一種影像顯示裝置，包含：一顯示面板及一附著於該顯示面板之一個表面或兩個表面的偏光板，其中該偏光板包含一使用碘和一二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器，並且該偏光板局部具有一消偏光區，該 消偏光區在一400nm至800nm的波長範圍間具有一70%以上的單體透射率。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之影像顯示裝置，其中一相機模組係位於該消偏光區中。
  9. 一種偏光板的製造方法，該方法包含：一使用具有一特定波長的光照射一偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟，該特定波長係選自一200nm至800nm的波長範圍，該偏光元件包含一使用碘和一二色性染料中之任一者或一種以上者染色的聚乙烯醇類偏光器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該使用光照射該偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟係以一0.1W/cm2至20W/cm2的強度進行1至1000秒。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該偏光元件為一偏光器，並且該使用光照射該偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟係以一0.1W/cm2至1W/cm2的強度進行200至1000秒。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該偏光元件為一偏光板，並且該使用光照射該偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟係以一0.5W/cm2至20W/cm2的強度進行1至200秒。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該使用光照射該偏光元件之一部分以使該部分消偏光的步驟係使用一發光二極體(LED)燈或一雷射燈進行。
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